JP2000297201A - フリップチップ型半導体装置用封止材及びフリップチップ型半導体装置 - Google Patents
フリップチップ型半導体装置用封止材及びフリップチップ型半導体装置Info
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【解決手段】 （Ａ）液状エポキシ樹脂、（Ｂ）無機質
充填剤、（Ｃ）エポキシ樹脂に対する溶解度が１重量％
以下で、融点が１７０℃以上であり、平均粒径が１〜５
μｍ、最大粒径が２０μｍ以下である、下記一般式
（１） （式中、Ｒ1及びＲ2は水素原子、メチル基、エチル基、
ヒドロキシメチル基又はフェニル基を示し、Ｒ3はメチ
ル基、エチル基、フェニル基又はアリル基を示し、Ｒ4
は水素原子又は下記式（２） で示される基である。）で表わされる硬化促進剤を主成
分とする液状エポキシ樹脂組成物からなることを特徴と
するフリップチップ型半導体装置用封止材。 【効果】 本発明のフリップチップ型半導体装置用封止
材は、薄膜侵入特性、保存安定性に優れており、この封
止材を用いて封止されたフリップチップ型半導体装置
は、非常に信頼性の高いものである。
充填剤、（Ｃ）エポキシ樹脂に対する溶解度が１重量％
以下で、融点が１７０℃以上であり、平均粒径が１〜５
μｍ、最大粒径が２０μｍ以下である、下記一般式
（１） （式中、Ｒ1及びＲ2は水素原子、メチル基、エチル基、
ヒドロキシメチル基又はフェニル基を示し、Ｒ3はメチ
ル基、エチル基、フェニル基又はアリル基を示し、Ｒ4
は水素原子又は下記式（２） で示される基である。）で表わされる硬化促進剤を主成
分とする液状エポキシ樹脂組成物からなることを特徴と
するフリップチップ型半導体装置用封止材。 【効果】 本発明のフリップチップ型半導体装置用封止
材は、薄膜侵入特性、保存安定性に優れており、この封
止材を用いて封止されたフリップチップ型半導体装置
は、非常に信頼性の高いものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フリップチップ型
半導体装置用封止材及びこの封止材にて封止されたフリ
ップチップ型半導体装置に関する。
半導体装置用封止材及びこの封止材にて封止されたフリ
ップチップ型半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】電気機
器の小型、軽量化、高機能化に伴い、半導体の実装方法
もピン挿入タイプから表面実装が主流になっている。そ
して、ベアチップ実装の一つにフリップチップ（ＦＣ）
実装がある。ＦＣ実装とは、ＬＳＩチップの配線パター
ン面に高さ１０〜１００μｍ程度のバンプといわれる電
極を数個から数千個形成し、基板の電極を導電ペースト
或いは半田等で接合する方式である。このため、ＦＣの
保護に用いる封止材料は、基板とＬＳＩチップのバンプ
等による数１０μｍ程度の隙間に浸透させる必要があ
る。従来のフリップチップ用アンダーフィル材として使
用される液状エポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂と硬
化剤及び無機質充填剤を配合し、信頼性を高めるために
半導体のチップや基板、バンプと線膨張係数を一致させ
るために、多量の無機質充填剤を配合する処方が主流と
なってきている。
器の小型、軽量化、高機能化に伴い、半導体の実装方法
もピン挿入タイプから表面実装が主流になっている。そ
して、ベアチップ実装の一つにフリップチップ（ＦＣ）
実装がある。ＦＣ実装とは、ＬＳＩチップの配線パター
ン面に高さ１０〜１００μｍ程度のバンプといわれる電
極を数個から数千個形成し、基板の電極を導電ペースト
或いは半田等で接合する方式である。このため、ＦＣの
保護に用いる封止材料は、基板とＬＳＩチップのバンプ
等による数１０μｍ程度の隙間に浸透させる必要があ
る。従来のフリップチップ用アンダーフィル材として使
用される液状エポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂と硬
化剤及び無機質充填剤を配合し、信頼性を高めるために
半導体のチップや基板、バンプと線膨張係数を一致させ
るために、多量の無機質充填剤を配合する処方が主流と
なってきている。
【０００３】しかし、このような充填剤を高充填したフ
リップチップ用アンダーフィル材においては、応力特性
においては何ら問題はなくなってきているが、一方では
充填剤の高充填化により粘度が高くなり、チップと基板
の隙間に侵入する速度が著しく低下し、生産性が非常に
悪くなるといった問題点が提示されており、この問題点
の改善が望まれる。
リップチップ用アンダーフィル材においては、応力特性
においては何ら問題はなくなってきているが、一方では
充填剤の高充填化により粘度が高くなり、チップと基板
の隙間に侵入する速度が著しく低下し、生産性が非常に
悪くなるといった問題点が提示されており、この問題点
の改善が望まれる。
【０００４】また、従来アンダーフィル材としての液状
エポキシ樹脂組成物においては、硬化剤として酸無水物
が広く用いられている。しかし、酸無水物は吸湿し易い
ため、硬化前では吸湿による粘度上昇により侵入性がば
らついたり途中でとまってしまう現象が見られ、また、
未硬化の酸無水物は容易に水を取り込み、硬化後もエス
テル結合のため加水分解が促進され、吸湿により体積膨
張が起こり、半田バンプとリード界面の抵抗値を増大さ
せてしまうというような信頼性の問題が生じている。
エポキシ樹脂組成物においては、硬化剤として酸無水物
が広く用いられている。しかし、酸無水物は吸湿し易い
ため、硬化前では吸湿による粘度上昇により侵入性がば
らついたり途中でとまってしまう現象が見られ、また、
未硬化の酸無水物は容易に水を取り込み、硬化後もエス
テル結合のため加水分解が促進され、吸湿により体積膨
張が起こり、半田バンプとリード界面の抵抗値を増大さ
せてしまうというような信頼性の問題が生じている。
【０００５】本発明は、上記事情に鑑みなされたもの
で、多量の無機質充填剤を配合しても、低粘度で隙間侵
入させることが可能で、信頼性の優れたフリップチップ
型半導体装置用封止材及びこの封止材で封止したフリッ
プチップ型半導体装置を提供することを目的とする。
で、多量の無機質充填剤を配合しても、低粘度で隙間侵
入させることが可能で、信頼性の優れたフリップチップ
型半導体装置用封止材及びこの封止材で封止したフリッ
プチップ型半導体装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】本
発明者は、上記目的を達成するため鋭意検討を重ねた結
果、（Ａ）液状エポキシ樹脂、（Ｂ）無機質充填剤を含
むエポキシ樹脂組成物の反応促進剤（硬化促進剤）とし
て、下記一般式（１）で示され、エポキシ樹脂に対する
溶解度が１重量％以下で、融点が１７０℃以上、平均粒
径が１〜５μｍ、最大粒径が２０μｍ以下のイミダゾー
ル化合物を用いることにより、高温時の安定性に優れ、
多量の無機質充填剤を配合しても、半導体装置を高温に
することによって、低粘度で隙間侵入させることが可能
であり、特にフリップチップ型半導体装置のアンダーフ
ィル材として有効な封止材が得られることを知見した。
発明者は、上記目的を達成するため鋭意検討を重ねた結
果、（Ａ）液状エポキシ樹脂、（Ｂ）無機質充填剤を含
むエポキシ樹脂組成物の反応促進剤（硬化促進剤）とし
て、下記一般式（１）で示され、エポキシ樹脂に対する
溶解度が１重量％以下で、融点が１７０℃以上、平均粒
径が１〜５μｍ、最大粒径が２０μｍ以下のイミダゾー
ル化合物を用いることにより、高温時の安定性に優れ、
多量の無機質充填剤を配合しても、半導体装置を高温に
することによって、低粘度で隙間侵入させることが可能
であり、特にフリップチップ型半導体装置のアンダーフ
ィル材として有効な封止材が得られることを知見した。
【０００７】更に、上述したように、従来、アンダーフ
ィル材としての液状エポキシ樹脂組成物においては、硬
化剤として酸無水物が広く用いられている。しかし、酸
無水物は吸湿し易いため、硬化前では吸湿による粘度上
昇により侵入性がばらついたり途中でとまってしまう現
象が見られ、また、未硬化の酸無水物は容易に水を取り
込み、硬化後もエステル結合のため加水分解が促進さ
れ、吸湿により体積膨張が起こり、半田バンプとリード
界面の抵抗値を増大させてしまうというような信頼性の
問題が生じており、そこで本発明者は飽和吸湿量をいか
に下げるかが信頼性向上のための重要なファクターの一
つと考え、エステル結合よりも加水分解しにくいエポキ
シ自己縮合（エーテル結合）を持つ樹脂組成物を検討し
た。この硬化系を用いることによって湿度による特性の
劣化、例えば吸水後の接着力低下、吸水後のＴｇ（ガラ
ス転移温度）の低下等を抑えることが可能である。しか
し、酸無水物硬化系に比ベ、エポキシ自己縮合系は、樹
脂の粘度が高粘度傾向にあり、侵入特性が劣るという欠
点があったが、高温で安定な上記硬化促進剤を用い、デ
バイスを高温に保つことによって封止材を低粘度にし、
侵入度を高めることができること、また、酸無水物は、
保存安定性が悪く、保存には極低温で保管しなければな
らなかったが、本発明の組成物は潜在性触媒を用いてい
るため保存安定性に優れており、常温で１６８時間粘度
変化しないことを知見した。
ィル材としての液状エポキシ樹脂組成物においては、硬
化剤として酸無水物が広く用いられている。しかし、酸
無水物は吸湿し易いため、硬化前では吸湿による粘度上
昇により侵入性がばらついたり途中でとまってしまう現
象が見られ、また、未硬化の酸無水物は容易に水を取り
込み、硬化後もエステル結合のため加水分解が促進さ
れ、吸湿により体積膨張が起こり、半田バンプとリード
界面の抵抗値を増大させてしまうというような信頼性の
問題が生じており、そこで本発明者は飽和吸湿量をいか
に下げるかが信頼性向上のための重要なファクターの一
つと考え、エステル結合よりも加水分解しにくいエポキ
シ自己縮合（エーテル結合）を持つ樹脂組成物を検討し
た。この硬化系を用いることによって湿度による特性の
劣化、例えば吸水後の接着力低下、吸水後のＴｇ（ガラ
ス転移温度）の低下等を抑えることが可能である。しか
し、酸無水物硬化系に比ベ、エポキシ自己縮合系は、樹
脂の粘度が高粘度傾向にあり、侵入特性が劣るという欠
点があったが、高温で安定な上記硬化促進剤を用い、デ
バイスを高温に保つことによって封止材を低粘度にし、
侵入度を高めることができること、また、酸無水物は、
保存安定性が悪く、保存には極低温で保管しなければな
らなかったが、本発明の組成物は潜在性触媒を用いてい
るため保存安定性に優れており、常温で１６８時間粘度
変化しないことを知見した。
【０００８】従って、本発明のエポキシ樹脂組成物から
なるフリップチップ型半導体装置用封止材は、特にアン
ダーフィル材として薄膜侵入特性、保存安定性に優れて
おり、この封止材を用いた半導体装置は非常に信頼性の
高いものであることを見出し、本発明をなすに至ったも
のである。
なるフリップチップ型半導体装置用封止材は、特にアン
ダーフィル材として薄膜侵入特性、保存安定性に優れて
おり、この封止材を用いた半導体装置は非常に信頼性の
高いものであることを見出し、本発明をなすに至ったも
のである。
【０００９】即ち、本発明は、（Ａ）液状エポキシ樹
脂、（Ｂ）無機質充填剤、（Ｃ）エポキシ樹脂に対する
溶解度が１重量％以下で、融点が１７０℃以上であり、
平均粒径が１〜５μｍ、最大粒径が２０μｍ以下であ
る、下記一般式（１）で表わされる硬化促進剤を主成分
とする液状エポキシ樹脂組成物からなることを特徴とす
るフリップチップ型半導体装置用封止材、及び、この封
止材で封止されたフリップチップ型半導体装置を提供す
る。
脂、（Ｂ）無機質充填剤、（Ｃ）エポキシ樹脂に対する
溶解度が１重量％以下で、融点が１７０℃以上であり、
平均粒径が１〜５μｍ、最大粒径が２０μｍ以下であ
る、下記一般式（１）で表わされる硬化促進剤を主成分
とする液状エポキシ樹脂組成物からなることを特徴とす
るフリップチップ型半導体装置用封止材、及び、この封
止材で封止されたフリップチップ型半導体装置を提供す
る。
【００１０】
【化３】 （式中、Ｒ1及びＲ2は水素原子、メチル基、エチル基、
ヒドロキシメチル基又はフェニル基を示し、Ｒ3はメチ
ル基、エチル基、フェニル基又はアリル基を示し、Ｒ4
は水素原子又は下記式（２）で示される基である。）
ヒドロキシメチル基又はフェニル基を示し、Ｒ3はメチ
ル基、エチル基、フェニル基又はアリル基を示し、Ｒ4
は水素原子又は下記式（２）で示される基である。）
【００１１】
【化４】
【００１２】以下、本発明につき更に詳しく説明する。
本発明のフリップチップ型半導体装置用封止材（液状エ
ポキシ樹脂組成物）において、（Ａ）成分の液状のエポ
キシ樹脂は、一分子中に２個以上のエポキシ基があれば
いかなるものでも使用可能であるが、特に、ビスフェノ
ールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹
脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボ
ラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキ
シ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、ナフタレン型エ
ポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、シクロペンタ
ジエン型エポキシ樹脂などが例示される。この中でも室
温で液状のエポキシ樹脂を使用する。これらのエポキシ
樹脂には、下記構造で示されるエポキシ樹脂を侵入性に
影響を及ぼさない範囲で添加しても何ら問題はない。
本発明のフリップチップ型半導体装置用封止材（液状エ
ポキシ樹脂組成物）において、（Ａ）成分の液状のエポ
キシ樹脂は、一分子中に２個以上のエポキシ基があれば
いかなるものでも使用可能であるが、特に、ビスフェノ
ールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹
脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボ
ラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキ
シ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、ナフタレン型エ
ポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、シクロペンタ
ジエン型エポキシ樹脂などが例示される。この中でも室
温で液状のエポキシ樹脂を使用する。これらのエポキシ
樹脂には、下記構造で示されるエポキシ樹脂を侵入性に
影響を及ぼさない範囲で添加しても何ら問題はない。
【００１３】
【化５】
【００１４】上記液状エポキシ樹脂中の全塩素含有量
は、１５００ｐｐｍ以下、望ましくは１０００ｐｐｍ以
下であることが好ましい。また、１００℃で５０％エポ
キシ樹脂濃度における２０時間での抽出水塩素が１０ｐ
ｐｍ以下であることが好ましい。全塩素含有量が１５０
０ｐｐｍを超え、抽出水塩素が１０ｐｐｍを超えると、
半導体素子の信頼性、特に耐湿性に悪影響を与えるおそ
れがある。
は、１５００ｐｐｍ以下、望ましくは１０００ｐｐｍ以
下であることが好ましい。また、１００℃で５０％エポ
キシ樹脂濃度における２０時間での抽出水塩素が１０ｐ
ｐｍ以下であることが好ましい。全塩素含有量が１５０
０ｐｐｍを超え、抽出水塩素が１０ｐｐｍを超えると、
半導体素子の信頼性、特に耐湿性に悪影響を与えるおそ
れがある。
【００１５】一方、（Ｂ）成分として用いられる無機質
充填剤としては、膨張係数を小さくする目的から従来知
られている各種の無機質充填剤を使用るすことができ
る。具体的に、無機質充填剤としては、溶融シリカ、結
晶シリカ、アルミナ、ボロンナイトライド、チッカアル
ミ、チッカ珪素、マグネシア、マグネシウムシリケート
などが使用される。充填剤の平均粒径及び最大粒径は、
侵入性の向上と低線膨張化の両立を図るため、フリップ
チップギャップ幅（基板と半導体チップとの間隙）に対
して平均粒径が約１／１０以下、最大粒径が１／２以下
であることが好ましい。特には、平均粒径は１０μｍ以
下、好ましくは０．５〜１０μｍ、より好ましくは１〜
５μｍ、更に好ましくは１〜３μｍとすることがよく、
また最大粒径は５０μｍ以下、好ましくは４５μｍ以下
とすることがよい。なお、この平均粒径は、例えば、レ
ーザー光回折法等による粒度分布測定装置を用いて、重
量平均値（又はメジアン径）などとして用いることがで
きる。
充填剤としては、膨張係数を小さくする目的から従来知
られている各種の無機質充填剤を使用るすことができ
る。具体的に、無機質充填剤としては、溶融シリカ、結
晶シリカ、アルミナ、ボロンナイトライド、チッカアル
ミ、チッカ珪素、マグネシア、マグネシウムシリケート
などが使用される。充填剤の平均粒径及び最大粒径は、
侵入性の向上と低線膨張化の両立を図るため、フリップ
チップギャップ幅（基板と半導体チップとの間隙）に対
して平均粒径が約１／１０以下、最大粒径が１／２以下
であることが好ましい。特には、平均粒径は１０μｍ以
下、好ましくは０．５〜１０μｍ、より好ましくは１〜
５μｍ、更に好ましくは１〜３μｍとすることがよく、
また最大粒径は５０μｍ以下、好ましくは４５μｍ以下
とすることがよい。なお、この平均粒径は、例えば、レ
ーザー光回折法等による粒度分布測定装置を用いて、重
量平均値（又はメジアン径）などとして用いることがで
きる。
【００１６】上記充填剤は、エポキシ樹脂１００重量部
に対して１００〜４００重量部、望ましくは、エポキシ
樹脂１００重量部に対して１５０〜２５０重量部の範囲
で配合することが好ましい。１００重量部未満では、膨
張係数が大きく冷熱試験においてクラックの発生を誘発
させるおそれがある。４００重量部を超えると、粘度が
高くなり、薄膜侵入性の低下をもたらすおそれがある。
に対して１００〜４００重量部、望ましくは、エポキシ
樹脂１００重量部に対して１５０〜２５０重量部の範囲
で配合することが好ましい。１００重量部未満では、膨
張係数が大きく冷熱試験においてクラックの発生を誘発
させるおそれがある。４００重量部を超えると、粘度が
高くなり、薄膜侵入性の低下をもたらすおそれがある。
【００１７】本発明においては、上記エポキシ樹脂の硬
化促進剤（反応促進剤）として、エポキシ樹脂に対する
溶解度が１重量％以下で、融点が１７０℃以上であり、
平均粒径が１〜５μｍ、最大粒径が２０μｍ以下であ
る、下記一般式（１）のイミダゾール化合物を用いる。
化促進剤（反応促進剤）として、エポキシ樹脂に対する
溶解度が１重量％以下で、融点が１７０℃以上であり、
平均粒径が１〜５μｍ、最大粒径が２０μｍ以下であ
る、下記一般式（１）のイミダゾール化合物を用いる。
【００１８】
【化６】 （式中、Ｒ1及びＲ2は水素原子、メチル基、エチル基、
ヒドロキシメチル基又はフェニル基を示し、Ｒ3はメチ
ル基、エチル基、フェニル基又はアリル基を示し、Ｒ4
は水素原子又は下記式（２）で示される基である。）
ヒドロキシメチル基又はフェニル基を示し、Ｒ3はメチ
ル基、エチル基、フェニル基又はアリル基を示し、Ｒ4
は水素原子又は下記式（２）で示される基である。）
【００１９】
【化７】
【００２０】具体的に硬化促進剤としては、融点が１７
０℃以上の２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミ
ダゾリル−（１）’］−エチル−Ｓ−トリアジン、２，
４−ジアミノ−６−［２’−エチル−４’−メチルイミ
ダゾリル−（１）’］−エチル−Ｓ−トリアジン、２，
４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−
（１）’］−エチル−Ｓ−トリアジンイソシアヌール酸
付加物、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメ
チルイミダゾール、２−フェニル−４，５−ジヒドロキ
シメチルイミダゾール、２−アリール−４，５−ジフェ
ニルイミダゾール、２，４，５−トリフェニルイミダゾ
ールなどのイミダゾール誘導体が最も適している。これ
らイミダゾール誘導体は常温で固体であり、平均粒径が
５μｍ以下、最大粒径が２０μｍ以下のものを使用す
る。好ましくは平均粒径２〜５μｍかつ最大粒径が１５
μｍ以下のものである。硬化促進剤の平均粒径が小さす
ぎると、比表面積が大きくなり、混合した時の粘度が高
くなるおそれがある。５μｍを超えると、エポキシ樹脂
との分散が不均一になり、信頼性の低下を引き起こす。
更に、この硬化促進剤の粒度、比表面積は、無機質充填
剤の粒度、比表面積に比べ大きくすることが好ましい。
小さいと混合、混練時に硬化促進剤が不均一に分散さ
れ、硬化性が悪くなり、信頼性に悪影響を及ぼすおそれ
がある。例えば、シリカ充填剤が平均粒径１〜３μｍ、
比表面積２．５ｍ2／ｇの場合、硬化促進剤の平均粒径
は３〜５μｍ、比表面積は２．５〜１０ｍ2／ｇが好ま
しい。また、純度は、９０％以上、好ましくは９３％以
上であり、９０％未満では反応性にばらつきが生じ、硬
化性、侵入特性にばらつきが生じるおそれがある。
０℃以上の２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミ
ダゾリル−（１）’］−エチル−Ｓ−トリアジン、２，
４−ジアミノ−６−［２’−エチル−４’−メチルイミ
ダゾリル−（１）’］−エチル−Ｓ−トリアジン、２，
４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−
（１）’］−エチル−Ｓ−トリアジンイソシアヌール酸
付加物、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメ
チルイミダゾール、２−フェニル−４，５−ジヒドロキ
シメチルイミダゾール、２−アリール−４，５−ジフェ
ニルイミダゾール、２，４，５−トリフェニルイミダゾ
ールなどのイミダゾール誘導体が最も適している。これ
らイミダゾール誘導体は常温で固体であり、平均粒径が
５μｍ以下、最大粒径が２０μｍ以下のものを使用す
る。好ましくは平均粒径２〜５μｍかつ最大粒径が１５
μｍ以下のものである。硬化促進剤の平均粒径が小さす
ぎると、比表面積が大きくなり、混合した時の粘度が高
くなるおそれがある。５μｍを超えると、エポキシ樹脂
との分散が不均一になり、信頼性の低下を引き起こす。
更に、この硬化促進剤の粒度、比表面積は、無機質充填
剤の粒度、比表面積に比べ大きくすることが好ましい。
小さいと混合、混練時に硬化促進剤が不均一に分散さ
れ、硬化性が悪くなり、信頼性に悪影響を及ぼすおそれ
がある。例えば、シリカ充填剤が平均粒径１〜３μｍ、
比表面積２．５ｍ2／ｇの場合、硬化促進剤の平均粒径
は３〜５μｍ、比表面積は２．５〜１０ｍ2／ｇが好ま
しい。また、純度は、９０％以上、好ましくは９３％以
上であり、９０％未満では反応性にばらつきが生じ、硬
化性、侵入特性にばらつきが生じるおそれがある。
【００２１】なお、本発明において、ここでの平均粒径
は、例えばレーザー光回折法等による重量平均値（又は
メディアン径）等として求めることができる。
は、例えばレーザー光回折法等による重量平均値（又は
メディアン径）等として求めることができる。
【００２２】上記硬化促進剤の配合量は、エポキシ樹脂
１００重量部に対して１〜１５重量部、特に２〜７重量
部とすることが好ましい。配合量が少なすぎると硬化性
が低下し、多すぎると保存性が低下するおそれがある。
１００重量部に対して１〜１５重量部、特に２〜７重量
部とすることが好ましい。配合量が少なすぎると硬化性
が低下し、多すぎると保存性が低下するおそれがある。
【００２３】本発明の組成物には、応力を低下させる目
的でシリコーンゴム、シリコーンオイルや液状のポリブ
タジエンゴム、メタクリル酸メチル−ブタジエン−スチ
レン共重合体といった熱可塑性樹脂などを配合してもよ
い。好ましくは、アルケニル基含有エポキシ樹脂又はフ
ェノール樹脂のアルケニル基と、下記平均組成式（３）
で示される一分子中の珪素原子の数が２０〜４００、好
ましくは４０〜２００であり、ＳｉＨ基の数が１〜５、
好ましくは１〜３、より好ましくは２であるオルガノポ
リシロキサンのＳｉＨ基との付加反応により得られる共
重合体を配合することがよい。
的でシリコーンゴム、シリコーンオイルや液状のポリブ
タジエンゴム、メタクリル酸メチル−ブタジエン−スチ
レン共重合体といった熱可塑性樹脂などを配合してもよ
い。好ましくは、アルケニル基含有エポキシ樹脂又はフ
ェノール樹脂のアルケニル基と、下記平均組成式（３）
で示される一分子中の珪素原子の数が２０〜４００、好
ましくは４０〜２００であり、ＳｉＨ基の数が１〜５、
好ましくは１〜３、より好ましくは２であるオルガノポ
リシロキサンのＳｉＨ基との付加反応により得られる共
重合体を配合することがよい。
【００２４】 ＨaＲbＳｉＯ(4-a-b)/2 （３） （式中、Ｒは置換又は非置換の一価炭化水素基、ａは
０．００２〜０．１、好ましくは０．０１〜０．１、ｂ
は１．８〜２．２、好ましくは１．９５〜２．０５、
１．８１≦ａ＋ｂ≦２．３、好ましくは１．９６≦ａ＋
ｂ≦２．０６を満足する正数を示す。）
０．００２〜０．１、好ましくは０．０１〜０．１、ｂ
は１．８〜２．２、好ましくは１．９５〜２．０５、
１．８１≦ａ＋ｂ≦２．３、好ましくは１．９６≦ａ＋
ｂ≦２．０６を満足する正数を示す。）
【００２５】なお、Ｒの一価炭化水素基としては、炭素
数１〜１０、特に１〜８のものが好ましく、メチル基、
エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イ
ソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ヘキシル基、シクロ
ヘキシル基、オクチル基、デシル基等のアルキル基、ビ
ニル基、アリル基、プロペニル基、ブテニル基、ヘキセ
ニル基等のアルケニル基、フェニル基、キシリル基、ト
リル基等のアリール基、ベンジル基、フェニルエチル
基、フェニルプロピル基等のアラルキル基などや、これ
らの炭化水素基の水素原子の一部又は全部を塩素、フッ
素、臭素等のハロゲン原子で置換したクロロメチル基、
ブロモエチル基、トリフルオロプロピル基等のハロゲン
置換一価炭化水素基を挙げることができる。上記共重合
体としては、中でも下記構造のものが望ましい。
数１〜１０、特に１〜８のものが好ましく、メチル基、
エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イ
ソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ヘキシル基、シクロ
ヘキシル基、オクチル基、デシル基等のアルキル基、ビ
ニル基、アリル基、プロペニル基、ブテニル基、ヘキセ
ニル基等のアルケニル基、フェニル基、キシリル基、ト
リル基等のアリール基、ベンジル基、フェニルエチル
基、フェニルプロピル基等のアラルキル基などや、これ
らの炭化水素基の水素原子の一部又は全部を塩素、フッ
素、臭素等のハロゲン原子で置換したクロロメチル基、
ブロモエチル基、トリフルオロプロピル基等のハロゲン
置換一価炭化水素基を挙げることができる。上記共重合
体としては、中でも下記構造のものが望ましい。
【００２６】
【化８】
【００２７】
【化９】 （上記式中、Ｒは上記と同じ、Ｒ1は水素原子又は炭素
数１〜４のアルキル基、Ｒ2は−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2-、−
ＯＣＨ2−ＣＨ（ＯＨ）−ＣＨ2−Ｏ−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2
−又は−Ｏ−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−である。ｎは４〜１９
９、好ましくは１９〜９９の整数、ｐは１〜１０の整
数、ｑは１〜１０の整数である。）
数１〜４のアルキル基、Ｒ2は−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2-、−
ＯＣＨ2−ＣＨ（ＯＨ）−ＣＨ2−Ｏ−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2
−又は−Ｏ−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−である。ｎは４〜１９
９、好ましくは１９〜９９の整数、ｐは１〜１０の整
数、ｑは１〜１０の整数である。）
【００２８】上記共重合体は、ジオルガノポリシロキサ
ン単位がエポキシ樹脂１００重量部に対し０〜２０重量
部、特には２〜１５重量部含まれるように配合すること
で、応力をより一層低下させることができる。
ン単位がエポキシ樹脂１００重量部に対し０〜２０重量
部、特には２〜１５重量部含まれるように配合すること
で、応力をより一層低下させることができる。
【００２９】本発明の封止材には、更に必要に応じ、接
着向上用炭素官能性シラン、カーボンブラックなどの顔
料、染料、酸化防止剤、表面処理剤（γ−グリシドキシ
プロピルトリメトキシシランなど）、その他の添加剤を
配合することができる。また、必要により本発明の効果
を妨げない範囲で、公知の他の硬化剤、硬化促進剤を配
合することができるが、酸無水物硬化剤の使用は避ける
ことが望ましい。
着向上用炭素官能性シラン、カーボンブラックなどの顔
料、染料、酸化防止剤、表面処理剤（γ−グリシドキシ
プロピルトリメトキシシランなど）、その他の添加剤を
配合することができる。また、必要により本発明の効果
を妨げない範囲で、公知の他の硬化剤、硬化促進剤を配
合することができるが、酸無水物硬化剤の使用は避ける
ことが望ましい。
【００３０】本発明のエポキシ樹脂組成物は、例えば、
エポキシ樹脂、無機質充填剤などと硬化促進剤を同時に
又は別々に必要により加熱処理を加えながら撹拌、溶
解、混合、分散させることによって製造することができ
る。これらの混合物の混合、撹拌、分散等の装置は特に
限定されないが、撹拌、加熱装置を備えたライカイ機、
３本ロール、ボールミル、プラネタリーミキサー等を用
いることができる。これら装置を適宜組み合わせて使用
してもよい。
エポキシ樹脂、無機質充填剤などと硬化促進剤を同時に
又は別々に必要により加熱処理を加えながら撹拌、溶
解、混合、分散させることによって製造することができ
る。これらの混合物の混合、撹拌、分散等の装置は特に
限定されないが、撹拌、加熱装置を備えたライカイ機、
３本ロール、ボールミル、プラネタリーミキサー等を用
いることができる。これら装置を適宜組み合わせて使用
してもよい。
【００３１】なお、本発明において、封止材として用い
る液状エポキシ樹脂組成物の粘度は、２５℃において１
０,０００ポイズ以下のものが好ましい。また、この封
止材の成形方法、成形条件は、常法とすることができる
が、好ましくは１２０℃で０．５時間以上、後に１５０
℃で０．５時間以上熱オーブンにて硬化、成形すること
が望ましい。ポストキュアーが１５０℃で０．５時間未
満では十分な硬化物特性が得られない場合があり、また
１次キュアーが１２０℃で０．５時間未満では硬化後に
ボイドが発生する場合がある。
る液状エポキシ樹脂組成物の粘度は、２５℃において１
０,０００ポイズ以下のものが好ましい。また、この封
止材の成形方法、成形条件は、常法とすることができる
が、好ましくは１２０℃で０．５時間以上、後に１５０
℃で０．５時間以上熱オーブンにて硬化、成形すること
が望ましい。ポストキュアーが１５０℃で０．５時間未
満では十分な硬化物特性が得られない場合があり、また
１次キュアーが１２０℃で０．５時間未満では硬化後に
ボイドが発生する場合がある。
【００３２】ここで、本発明に係るフリップチップ型半
導体装置は、図１に示したように、通常、有機基板１の
配線パターン面に複数個のバンプ２を介して半導体チッ
プ３が搭載されているものであり、上記有機基板１と半
導体チップ３との間の隙間（バンプ２間の隙間）をアン
ダーフィル材４が充填され、その側部がフィレット材５
で封止されたものとすることができるが、本発明の封止
材は、特にアンダーフィル材を形成する場合に有効であ
る。
導体装置は、図１に示したように、通常、有機基板１の
配線パターン面に複数個のバンプ２を介して半導体チッ
プ３が搭載されているものであり、上記有機基板１と半
導体チップ３との間の隙間（バンプ２間の隙間）をアン
ダーフィル材４が充填され、その側部がフィレット材５
で封止されたものとすることができるが、本発明の封止
材は、特にアンダーフィル材を形成する場合に有効であ
る。
【００３３】本発明の封止材をアンダーフィル材の形成
に用いる場合、その硬化物のガラス転移温度以下の膨張
係数が２０〜４０ｐｐｍ／℃であることが好ましい。な
お、フィレット材用の封止材は公知のものでよく、特に
は上述したと同様の液状エポキシ樹脂組成物を用いるこ
とができるが、この場合はその硬化物のガラス転移温度
以下の膨張係数が１０〜２０ｐｐｍ／℃であるものが好
ましい。
に用いる場合、その硬化物のガラス転移温度以下の膨張
係数が２０〜４０ｐｐｍ／℃であることが好ましい。な
お、フィレット材用の封止材は公知のものでよく、特に
は上述したと同様の液状エポキシ樹脂組成物を用いるこ
とができるが、この場合はその硬化物のガラス転移温度
以下の膨張係数が１０〜２０ｐｐｍ／℃であるものが好
ましい。
【００３４】
【実施例】以下、実施例と比較例を示し、本発明を具体
的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるも
のではない。
的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるも
のではない。
【００３５】［実施例、比較例］表１，２に示す成分を
３本ロールで均一に混練することにより１０種のエポキ
シ樹脂組成物を得た。これらのエポキシ樹脂組成物を用
いて、以下に示す試験を行った。その結果を表１，２に
示す。 ［粘度］ＢＨ型回転粘度計を用いて２０ｒｐｍの回転数
で２５℃における粘度を測定した。 ［チキソ比］ＢＨ型回転粘度計を用いて２ｒｐｍと２０
ｒｐｍの粘度の比を２５℃におけるチキソ比とした。 ［ゲル化時間］組成物のゲル化時間を１２０℃、１５０
℃の熱板上で測定した。 ［Ｔｇ］：ガラス転移温度 ５ｍｍ×５ｍｍ×１５ｍｍの硬化物サンプルを用いてＴ
ＭＡ（熱機械分析装置）により５℃／分の速度で昇温し
た際の値を測定した。 ［ＣＴＥ−１］：Ｔｇ以下の膨張係数 ［ＣＴＥ−２］：Ｔｇ以上の膨張係数 上記ガラス転移温度の測定において、ＣＴＥ−１は５０
〜８０℃の温度範囲、ＣＴＥ−２は２００〜２３０℃の
温度範囲における値を求めた。
３本ロールで均一に混練することにより１０種のエポキ
シ樹脂組成物を得た。これらのエポキシ樹脂組成物を用
いて、以下に示す試験を行った。その結果を表１，２に
示す。 ［粘度］ＢＨ型回転粘度計を用いて２０ｒｐｍの回転数
で２５℃における粘度を測定した。 ［チキソ比］ＢＨ型回転粘度計を用いて２ｒｐｍと２０
ｒｐｍの粘度の比を２５℃におけるチキソ比とした。 ［ゲル化時間］組成物のゲル化時間を１２０℃、１５０
℃の熱板上で測定した。 ［Ｔｇ］：ガラス転移温度 ５ｍｍ×５ｍｍ×１５ｍｍの硬化物サンプルを用いてＴ
ＭＡ（熱機械分析装置）により５℃／分の速度で昇温し
た際の値を測定した。 ［ＣＴＥ−１］：Ｔｇ以下の膨張係数 ［ＣＴＥ−２］：Ｔｇ以上の膨張係数 上記ガラス転移温度の測定において、ＣＴＥ−１は５０
〜８０℃の温度範囲、ＣＴＥ−２は２００〜２３０℃の
温度範囲における値を求めた。
【００３６】［侵入試験］図２（Ａ），（Ｂ）に示した
ように、熱板１１上に下側スライドガラス１２を載置
し、その上にそれぞれ厚さ８０μｍの２枚のポリイミド
フィルム１３,１３を１ｃｍの間隔を隔ててセットし、
その上から上側スライドガラス１４を被せ、上記両スラ
イドガラス１２，１４と２枚のポリイミドフィルム１
３，１３とにより、幅１ｃｍ、高さ８０μｍの間隙１５
を形成した。上記下側スライドガラス１２上にエポキシ
樹脂組成物１６を置き、熱板１１を８０℃，１２０℃に
設定した時、上記組成物１６が上記間隙１５に２０ｍｍ
の距離まで浸透、到達するまでの時間を測定した。
ように、熱板１１上に下側スライドガラス１２を載置
し、その上にそれぞれ厚さ８０μｍの２枚のポリイミド
フィルム１３,１３を１ｃｍの間隔を隔ててセットし、
その上から上側スライドガラス１４を被せ、上記両スラ
イドガラス１２，１４と２枚のポリイミドフィルム１
３，１３とにより、幅１ｃｍ、高さ８０μｍの間隙１５
を形成した。上記下側スライドガラス１２上にエポキシ
樹脂組成物１６を置き、熱板１１を８０℃，１２０℃に
設定した時、上記組成物１６が上記間隙１５に２０ｍｍ
の距離まで浸透、到達するまでの時間を測定した。
【００３７】［ＰＣＴ剥離テスト］ポリイミドコートし
た１０ｍｍ×１０ｍｍのシリコンチップを３０ｍｍ×３
０ｍｍのＦＲ−４基板に約１００μｍのスペーサを用い
て積層し、生じた隙間に組成物を侵入、硬化させ、ＰＣ
Ｔ（１２１℃，２．１ａｔｍ）の環境下に置き、１６８
ｈｒ後の剥離をＣ−ＳＡＭで確認した。
た１０ｍｍ×１０ｍｍのシリコンチップを３０ｍｍ×３
０ｍｍのＦＲ−４基板に約１００μｍのスペーサを用い
て積層し、生じた隙間に組成物を侵入、硬化させ、ＰＣ
Ｔ（１２１℃，２．１ａｔｍ）の環境下に置き、１６８
ｈｒ後の剥離をＣ−ＳＡＭで確認した。
【００３８】［熱衝撃性不良率］ポリイミドコートした
１０ｍｍ×１０ｍｍにカットした厚み０．６ｍｍのシリ
コンチップを３０ｍｍ×３０ｍｍのＦＲ−４基板に約１
００μｍのスペーサを用いて積層し、生じた隙間にアン
ダーフィル材用組成物として上記エポキシ樹脂組成物を
侵入させ、フィレット部にフィレット材用組成物として
下記組成のエポキシ樹脂組成物を塗布し、１５０℃で４
時間硬化させ、得られた試験片を−５５℃，１分／１６
０℃，３０秒の熱サイクルを繰り返して、１００サイク
ル後に硬化物にクラック及び剥離が発生しているものを
不良とし、不良率を測定した（試験数＝２０）。フィレット材用エポキシ樹脂組成物 ＲＥ３１０ ３０重量部 ＲＥ３０４ １７重量部 ＭＨ７００ ４５重量部 ＳＯ３２Ｈ ２５０重量部 ＫＢＭ４０３ １．０重量部 ＨＸ３７４１ ２重量部 下記式で示されるジオルガノポリシロキサン ８重量部 単位を含有する化合物フィレット材の特性 粘度（ポイズ／２５℃） ３００ ゲル化時間（秒／１５０℃） ７４ Ｔｇ（℃） １３０ ＣＴＥ−１（ｐｐｍ／℃） １８ ＣＴＥ−２（ｐｐｍ／℃） ６５
１０ｍｍ×１０ｍｍにカットした厚み０．６ｍｍのシリ
コンチップを３０ｍｍ×３０ｍｍのＦＲ−４基板に約１
００μｍのスペーサを用いて積層し、生じた隙間にアン
ダーフィル材用組成物として上記エポキシ樹脂組成物を
侵入させ、フィレット部にフィレット材用組成物として
下記組成のエポキシ樹脂組成物を塗布し、１５０℃で４
時間硬化させ、得られた試験片を−５５℃，１分／１６
０℃，３０秒の熱サイクルを繰り返して、１００サイク
ル後に硬化物にクラック及び剥離が発生しているものを
不良とし、不良率を測定した（試験数＝２０）。フィレット材用エポキシ樹脂組成物 ＲＥ３１０ ３０重量部 ＲＥ３０４ １７重量部 ＭＨ７００ ４５重量部 ＳＯ３２Ｈ ２５０重量部 ＫＢＭ４０３ １．０重量部 ＨＸ３７４１ ２重量部 下記式で示されるジオルガノポリシロキサン ８重量部 単位を含有する化合物フィレット材の特性 粘度（ポイズ／２５℃） ３００ ゲル化時間（秒／１５０℃） ７４ Ｔｇ（℃） １３０ ＣＴＥ−１（ｐｐｍ／℃） １８ ＣＴＥ−２（ｐｐｍ／℃） ６５
【化１０】
【００３９】［保存安定性試験］２５℃の恒温室に組成
物をポリビンに密閉したサンプルに対し、９６時間の粘
度変化を測定した。
物をポリビンに密閉したサンプルに対し、９６時間の粘
度変化を測定した。
【００４０】
【表１】
【００４１】
【表２】
【００４２】［成分］ ＲＥ３１０：ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（日本化
薬（株）製） ＲＥ３０４：ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（日本化
薬（株）製） ＭＨ７００：メチルテトラヒドロ無水フタル酸（新日本
理化（株）製） ＳＯ３２Ｈ：最大粒径４５μｍ以下で、平均粒径２μｍ
の真球状シリカ（アドマテクス（株）製） ＫＢＭ４０３：γ−グリシドキシプロピルトリメトキシ
シラン（信越化学工業（株）製） ２ＰＨＺ−ＰＷ：平均粒径４．２μｍ、最大粒径１５μ
ｍ以下の２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイ
ミダゾール粉末（四国化成（株）製） ２Ｐ４ＭＨＺ−ＰＷ：平均粒径３．８μｍ、最大粒径１
５μｍ以下の２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキ
シメチルイミダゾール粉末（四国化成（株）製）２Ｅ４
ＭＺ：２−エチル−４−メチルイミダゾール（室温で液
体）（四国化成（株）製） ＨＸ３７４１：イミダゾ−ル化合物を含有するマイクロ
カプセル化触媒（旭チバ（株）製） ２ＭＺ−Ａ−ＰＷ：２，４−ジアミノ−６−［２’−エ
チル−４’−メチルイミダゾリル−（１）’］−エチル
−Ｓ−トリアジン、平均粒径４．０μｍ、最大粒径１５
μｍ（四国化成（株）製）
薬（株）製） ＲＥ３０４：ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（日本化
薬（株）製） ＭＨ７００：メチルテトラヒドロ無水フタル酸（新日本
理化（株）製） ＳＯ３２Ｈ：最大粒径４５μｍ以下で、平均粒径２μｍ
の真球状シリカ（アドマテクス（株）製） ＫＢＭ４０３：γ−グリシドキシプロピルトリメトキシ
シラン（信越化学工業（株）製） ２ＰＨＺ−ＰＷ：平均粒径４．２μｍ、最大粒径１５μ
ｍ以下の２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイ
ミダゾール粉末（四国化成（株）製） ２Ｐ４ＭＨＺ−ＰＷ：平均粒径３．８μｍ、最大粒径１
５μｍ以下の２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキ
シメチルイミダゾール粉末（四国化成（株）製）２Ｅ４
ＭＺ：２−エチル−４−メチルイミダゾール（室温で液
体）（四国化成（株）製） ＨＸ３７４１：イミダゾ−ル化合物を含有するマイクロ
カプセル化触媒（旭チバ（株）製） ２ＭＺ−Ａ−ＰＷ：２，４−ジアミノ−６−［２’−エ
チル−４’−メチルイミダゾリル−（１）’］−エチル
−Ｓ−トリアジン、平均粒径４．０μｍ、最大粒径１５
μｍ（四国化成（株）製）
【００４３】
【発明の効果】本発明のフリップチップ型半導体装置用
封止材は、薄膜侵入特性、保存安定性に優れており、こ
の封止材を用いて封止されたフリップチップ型半導体装
置は、非常に信頼性の高いものである。
封止材は、薄膜侵入特性、保存安定性に優れており、こ
の封止材を用いて封止されたフリップチップ型半導体装
置は、非常に信頼性の高いものである。
【図１】フリップチップ型半導体装置の一例を示す概略
図である。
図である。
【図２】侵入試験で用いたテストピースを示し、（Ａ）
は側面図、（Ｂ）は平面図である。
は側面図、（Ｂ）は平面図である。
１ 有機基板 ２ バンプ ３ 半導体チップ ４ アンダーフィル材 ５ フィレット材 １１ 熱板 １２ 下側スライドガラス １３ ポリイミドフィルム １４ 上側スライドガラス １５ 間隙 １６ エポキシ樹脂組成物
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 若尾 幸 群馬県碓氷郡松井田町大字人見１番地10 信越化学工業株式会社シリコーン電子材料 技術研究所内 (72)発明者 塩原 利夫 群馬県碓氷郡松井田町大字人見１番地10 信越化学工業株式会社シリコーン電子材料 技術研究所内
Claims (3)
- 【請求項１】 （Ａ）液状エポキシ樹脂、（Ｂ）無機質
充填剤、（Ｃ）エポキシ樹脂に対する溶解度が１重量％
以下で、融点が１７０℃以上であり、平均粒径が１〜５
μｍ、最大粒径が２０μｍ以下である、下記一般式
（１） 【化１】 （式中、Ｒ1及びＲ2は水素原子、メチル基、エチル基、
ヒドロキシメチル基又はフェニル基を示し、Ｒ3はメチ
ル基、エチル基、フェニル基又はアリル基を示し、Ｒ4
は水素原子又は下記式（２） 【化２】 で示される基である。）で表わされる硬化促進剤を主成
分とする液状エポキシ樹脂組成物からなることを特徴と
するフリップチップ型半導体装置用封止材。 - 【請求項２】 上記硬化促進剤が２−フェニル−４−メ
チル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニ
ル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール又は２，
４−ジアミノ−６−［２’−エチル−４’−メチルイミ
ダゾリル−（１）’］−エチル−Ｓ−トリアジンである
請求項１記載の封止材。 - 【請求項３】 請求項１又は２記載の封止材で封止され
たフリップチップ型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000023748A JP2000297201A (ja) | 1999-02-12 | 2000-02-01 | フリップチップ型半導体装置用封止材及びフリップチップ型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11-33730 | 1999-02-12 | ||
| JP3373099 | 1999-02-12 | ||
| JP2000023748A JP2000297201A (ja) | 1999-02-12 | 2000-02-01 | フリップチップ型半導体装置用封止材及びフリップチップ型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000297201A true JP2000297201A (ja) | 2000-10-24 |
Family
ID=26372477
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000023748A Pending JP2000297201A (ja) | 1999-02-12 | 2000-02-01 | フリップチップ型半導体装置用封止材及びフリップチップ型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000297201A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006160913A (ja) * | 2004-12-08 | 2006-06-22 | Sekisui Chem Co Ltd | エポキシ系硬化性組成物及び電子部品 |
| EP1754735A1 (en) * | 2001-03-30 | 2007-02-21 | Sunstar Giken Kabushiki Kaisha | One pack thermosetting type epoxy resin composition and underfilling materials for semiconductor mounting |
| JP2008088378A (ja) * | 2006-10-05 | 2008-04-17 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物、その製造方法及び半導体装置 |
| JP2008189760A (ja) * | 2007-02-02 | 2008-08-21 | Fujitsu Ltd | アンダーフィル剤、それを用いた半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| JP2009256483A (ja) * | 2008-04-17 | 2009-11-05 | Denso Corp | エポキシ樹脂組成物、アンダーフィル材及びそれを使用した電子装置 |
-
2000
- 2000-02-01 JP JP2000023748A patent/JP2000297201A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1754735A1 (en) * | 2001-03-30 | 2007-02-21 | Sunstar Giken Kabushiki Kaisha | One pack thermosetting type epoxy resin composition and underfilling materials for semiconductor mounting |
| US7449362B2 (en) | 2001-03-30 | 2008-11-11 | Sunstar Giken Kabushiki Kaisha | One-component hot-setting epoxy resin composition and semiconductor mounting underfill material |
| JP2006160913A (ja) * | 2004-12-08 | 2006-06-22 | Sekisui Chem Co Ltd | エポキシ系硬化性組成物及び電子部品 |
| JP4718824B2 (ja) * | 2004-12-08 | 2011-07-06 | 積水化学工業株式会社 | エポキシ系硬化性組成物及び電子部品の製造方法 |
| JP2008088378A (ja) * | 2006-10-05 | 2008-04-17 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物、その製造方法及び半導体装置 |
| JP2008189760A (ja) * | 2007-02-02 | 2008-08-21 | Fujitsu Ltd | アンダーフィル剤、それを用いた半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| JP2009256483A (ja) * | 2008-04-17 | 2009-11-05 | Denso Corp | エポキシ樹脂組成物、アンダーフィル材及びそれを使用した電子装置 |
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