JP2001160546A - 基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 処理液の再利用を好適に図ることができ，し
かも排気量を低減させることができる，基板処理装置を
提供する。 【解決手段】 ウェハＷを洗浄するウェハ洗浄装置５で
あって，ＡＰＭ及び純水を供給する供給ノズル３４と，
ウェハＷを保持するスピンチャック３１と，スピンチャ
ック３１を収納する容器３０とを備え，容器３０は内処
理室４２と外処理室４３を備え，スピンチャック３１に
対して容器３０を昇降自在に構成し，内処理室４２にＡ
ＰＭ及び室内雰囲気を排出する第１の排出回路５０を接
続し，外処理室４３に純水及び室内雰囲気を排出する第
２の排出回路５１を接続し，ＡＰＭを供給ノズル３４か
ら再びウェハＷの表面に供給するように構成した。
かも排気量を低減させることができる，基板処理装置を
提供する。 【解決手段】 ウェハＷを洗浄するウェハ洗浄装置５で
あって，ＡＰＭ及び純水を供給する供給ノズル３４と，
ウェハＷを保持するスピンチャック３１と，スピンチャ
ック３１を収納する容器３０とを備え，容器３０は内処
理室４２と外処理室４３を備え，スピンチャック３１に
対して容器３０を昇降自在に構成し，内処理室４２にＡ
ＰＭ及び室内雰囲気を排出する第１の排出回路５０を接
続し，外処理室４３に純水及び室内雰囲気を排出する第
２の排出回路５１を接続し，ＡＰＭを供給ノズル３４か
ら再びウェハＷの表面に供給するように構成した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は，例えば半導体ウ
ェハやＬＣＤ用ガラス板等の基板を処理する基板処理装
置に関するものである。
ェハやＬＣＤ用ガラス板等の基板を処理する基板処理装
置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に，半導体デバイスの製造工程にお
いては，例えば半導体ウェハ（以下，「ウェハ」とい
う。）の表裏面に付着したパーティクル，有機汚染物，
金属不純物等のコンタミネーションを除去するために洗
浄装置が使用されている。ウェハを洗浄する洗浄装置の
１つとして，例えばスピン型のウェハ洗浄装置が知られ
ている。
いては，例えば半導体ウェハ（以下，「ウェハ」とい
う。）の表裏面に付着したパーティクル，有機汚染物，
金属不純物等のコンタミネーションを除去するために洗
浄装置が使用されている。ウェハを洗浄する洗浄装置の
１つとして，例えばスピン型のウェハ洗浄装置が知られ
ている。
【０００３】図１０は，従来のウェハ洗浄装置２００の
回路図であるが，図１０に示すように，従来のウェハ洗
浄装置２００では，容器２０１の処理室２０２内に収納
されたウェハＷに対して供給ノズル２０３により薬液，
純水を順次供給して薬液洗浄（薬液処理），リンス洗浄
（リンス処理）が行われていた。なお，薬液は，所定温
度に調整した方が常温で使用したときよりも洗浄能力が
高い。例を挙げると，４０℃〜９０℃程度に温度調整
（以下，「温調」という。）されたアンモニア成分を主
体とするＡＰＭと呼ばれる薬液，５０℃〜９０℃程度に
温調された塩酸成分を主体とするＨＰＭと呼ばれる薬
液，１００℃〜１５０℃程度に温調された硫酸成分を主
体とするＳＰＭと呼ばれる薬液等がある。
回路図であるが，図１０に示すように，従来のウェハ洗
浄装置２００では，容器２０１の処理室２０２内に収納
されたウェハＷに対して供給ノズル２０３により薬液，
純水を順次供給して薬液洗浄（薬液処理），リンス洗浄
（リンス処理）が行われていた。なお，薬液は，所定温
度に調整した方が常温で使用したときよりも洗浄能力が
高い。例を挙げると，４０℃〜９０℃程度に温度調整
（以下，「温調」という。）されたアンモニア成分を主
体とするＡＰＭと呼ばれる薬液，５０℃〜９０℃程度に
温調された塩酸成分を主体とするＨＰＭと呼ばれる薬
液，１００℃〜１５０℃程度に温調された硫酸成分を主
体とするＳＰＭと呼ばれる薬液等がある。
【０００４】ここで，ウェハ洗浄装置２００は，薬液の
消費量を節約できるように，処理室２０２内から排液さ
れた薬液の再利用を図るように構成されている。即ち，
処理室２０２の底面に再利用回路２０４が接続され，こ
の再利用回路２０４に薬液が排液される。さらに再利用
回路２０４に純水，処理室２０２の室内雰囲気が排出さ
れる。また，再利用回路２０４に気液分離機構２０５が
設けられている。気液分離機構２０５は排気ファン２０
６に接続されている。気液分離機構２０５を介して洗浄
液が再利用回路２０４に流れる一方で，処理室２０２の
室内雰囲気が排気ファン２０６側に流れるようになって
いる。再利用回路２０４に三方弁２０７が設けられ，こ
の三方弁２０７に純水排液回路２０８が接続されてい
る。三方弁２０７の切換操作により，薬液洗浄時には薬
液が再利用回路２０４にそのまま流れ，リンス洗浄時に
は純水が純水排液回路２０８に流れて外部に排液される
ようになっている。
消費量を節約できるように，処理室２０２内から排液さ
れた薬液の再利用を図るように構成されている。即ち，
処理室２０２の底面に再利用回路２０４が接続され，こ
の再利用回路２０４に薬液が排液される。さらに再利用
回路２０４に純水，処理室２０２の室内雰囲気が排出さ
れる。また，再利用回路２０４に気液分離機構２０５が
設けられている。気液分離機構２０５は排気ファン２０
６に接続されている。気液分離機構２０５を介して洗浄
液が再利用回路２０４に流れる一方で，処理室２０２の
室内雰囲気が排気ファン２０６側に流れるようになって
いる。再利用回路２０４に三方弁２０７が設けられ，こ
の三方弁２０７に純水排液回路２０８が接続されてい
る。三方弁２０７の切換操作により，薬液洗浄時には薬
液が再利用回路２０４にそのまま流れ，リンス洗浄時に
は純水が純水排液回路２０８に流れて外部に排液される
ようになっている。
【０００５】さらに再利用回路２０４に，ポンプ２０
９，ヒータ２１０，フィルタ２１１が設けられ，再利用
回路２０４の出口が供給ノズル２０３に接続されてい
る。こうして，気液分離機構２０５，三方弁２０７と流
れた薬液を，ポンプ２０９の稼働によりヒータ２１０，
フィルタ２１１に順次流し，温調及び浄化した後に再び
供給ノズル２０３に戻し，薬液洗浄に再利用するように
なっている。さらに供給ノズル２０３に，純水を供給す
る純水供給回路（図示せず）が接続されている。薬液洗
浄後，供給ノズル２０３から純水を吐出させてリンス洗
浄を行うようになっている。
９，ヒータ２１０，フィルタ２１１が設けられ，再利用
回路２０４の出口が供給ノズル２０３に接続されてい
る。こうして，気液分離機構２０５，三方弁２０７と流
れた薬液を，ポンプ２０９の稼働によりヒータ２１０，
フィルタ２１１に順次流し，温調及び浄化した後に再び
供給ノズル２０３に戻し，薬液洗浄に再利用するように
なっている。さらに供給ノズル２０３に，純水を供給す
る純水供給回路（図示せず）が接続されている。薬液洗
浄後，供給ノズル２０３から純水を吐出させてリンス洗
浄を行うようになっている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら，従来の
ウェハ洗浄装置２００では，再利用回路２０４を通して
薬液及び純水の排液が行われるので，再利用回路２０４
内に，リンス洗浄時に使用された純水の液滴が残ること
がある。処理室２０２で複数枚のウェハＷを連続して薬
液洗浄，リンス洗浄する場合，前のリンス洗浄時に再利
用回路２０４内に残った純水の液滴が，次の薬液洗浄時
に再利用回路２０４内で薬液に混合してしまう。薬液
は，何度も再利用を図られることになるので，再利用を
図る都度，純水と混合して濃度が薄くなる。希釈化され
た薬液では洗浄能力が低くなり，十分な洗浄効果を得る
ことができないおそれがある。
ウェハ洗浄装置２００では，再利用回路２０４を通して
薬液及び純水の排液が行われるので，再利用回路２０４
内に，リンス洗浄時に使用された純水の液滴が残ること
がある。処理室２０２で複数枚のウェハＷを連続して薬
液洗浄，リンス洗浄する場合，前のリンス洗浄時に再利
用回路２０４内に残った純水の液滴が，次の薬液洗浄時
に再利用回路２０４内で薬液に混合してしまう。薬液
は，何度も再利用を図られることになるので，再利用を
図る都度，純水と混合して濃度が薄くなる。希釈化され
た薬液では洗浄能力が低くなり，十分な洗浄効果を得る
ことができないおそれがある。
【０００７】また，通常はリンス洗浄に用いられる純水
は常温なので，純水が排液される際には再利用回路２０
４が冷却されてしまう。こうなると，前のリンス洗浄の
際に冷却された再利用回路２０４に薬液が排液されるこ
とになるので，薬液の温度が著しく低下してしまう。こ
のような薬液を温調しようとしてもヒータ２１０の能力
が追いつかず，所定温度に温調されなかった薬液が薬液
洗浄に再利用されてしまう。温度低下した薬液も洗浄能
力が低くなり，十分な洗浄効果を得ることができないお
それがある。
は常温なので，純水が排液される際には再利用回路２０
４が冷却されてしまう。こうなると，前のリンス洗浄の
際に冷却された再利用回路２０４に薬液が排液されるこ
とになるので，薬液の温度が著しく低下してしまう。こ
のような薬液を温調しようとしてもヒータ２１０の能力
が追いつかず，所定温度に温調されなかった薬液が薬液
洗浄に再利用されてしまう。温度低下した薬液も洗浄能
力が低くなり，十分な洗浄効果を得ることができないお
それがある。
【０００８】また，従来のウェハ洗浄装置２００では，
大排気量により処理室２０２内の室内雰囲気を排気して
いた。このため，排気ファン２０６に過度の負担をかけ
ると共に，ランニングコストを高騰させていた。
大排気量により処理室２０２内の室内雰囲気を排気して
いた。このため，排気ファン２０６に過度の負担をかけ
ると共に，ランニングコストを高騰させていた。
【０００９】従って，本発明の目的は，処理液の再利用
を好適に図ることができ，しかも排気量を低減させるこ
とができる，基板処理装置を提供することにある。
を好適に図ることができ，しかも排気量を低減させるこ
とができる，基板処理装置を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に，請求項１の発明は基板を処理する装置であって，基
板の表面に複数の処理液を供給する供給手段と，基板を
保持する保持手段と，前記保持手段を収納する容器とを
備え，前記容器は複数の処理室を備え，これら各処理室
の開口部を多段に設け，前記保持手段に保持された基板
の周囲に前記各処理室の開口部のそれぞれを移動させる
べく前記保持手段と前記容器とを相対的に昇降自在に構
成し，前記各処理室の底面に処理液の排液が行われる回
路をそれぞれ接続し，これら排液された各処理液の少な
くとも一つの処理液を前記供給手段から再び基板の表面
に供給するように構成したことを特徴とする，基板処理
装置を提供する。
に，請求項１の発明は基板を処理する装置であって，基
板の表面に複数の処理液を供給する供給手段と，基板を
保持する保持手段と，前記保持手段を収納する容器とを
備え，前記容器は複数の処理室を備え，これら各処理室
の開口部を多段に設け，前記保持手段に保持された基板
の周囲に前記各処理室の開口部のそれぞれを移動させる
べく前記保持手段と前記容器とを相対的に昇降自在に構
成し，前記各処理室の底面に処理液の排液が行われる回
路をそれぞれ接続し，これら排液された各処理液の少な
くとも一つの処理液を前記供給手段から再び基板の表面
に供給するように構成したことを特徴とする，基板処理
装置を提供する。
【００１１】請求項１に記載の処理装置において，例え
ば複数の処理液を使用する場合，処理液の種類に応じ
て，保持手段に保持された基板の周囲に別の処理室の開
口部をそれぞれ移動させる。そして，各処理室で処理を
行い，回路を通じてそれぞれ排液する。これら排液され
た各処理液の少なくとも一つの処理液を供給手段から再
び基板の表面に供給し，再利用を図る。ここで，各処理
液が各回路内にそれぞれ残ることがあっても，処理液の
種類に応じて処理室を変えているので，異なる種類の処
理液が同じ回路内で混在しない。特に再利用が図られる
処理液については，種類の異なる処理液と混合して希釈
化されることがないので，引き続き高い処理能力を保っ
て処理に再利用することができる。
ば複数の処理液を使用する場合，処理液の種類に応じ
て，保持手段に保持された基板の周囲に別の処理室の開
口部をそれぞれ移動させる。そして，各処理室で処理を
行い，回路を通じてそれぞれ排液する。これら排液され
た各処理液の少なくとも一つの処理液を供給手段から再
び基板の表面に供給し，再利用を図る。ここで，各処理
液が各回路内にそれぞれ残ることがあっても，処理液の
種類に応じて処理室を変えているので，異なる種類の処
理液が同じ回路内で混在しない。特に再利用が図られる
処理液については，種類の異なる処理液と混合して希釈
化されることがないので，引き続き高い処理能力を保っ
て処理に再利用することができる。
【００１２】しかも，種類の異なる処理液では処理能力
を高められる最適な所定温度がそれぞれ異なっているも
のの，各処理液の排液が行われる回路はそれぞれ決まっ
ているので，別の処理液が排液されて回路が例えば冷却
されてしまう事態を防止することができる。特に再利用
が図られる処理液については，例えば回路が冷却された
ことに起因する温度低下等の温度変動を受けなくなるの
で，引き続き高い処理能力を保って処理に再利用するこ
とができる。
を高められる最適な所定温度がそれぞれ異なっているも
のの，各処理液の排液が行われる回路はそれぞれ決まっ
ているので，別の処理液が排液されて回路が例えば冷却
されてしまう事態を防止することができる。特に再利用
が図られる処理液については，例えば回路が冷却された
ことに起因する温度低下等の温度変動を受けなくなるの
で，引き続き高い処理能力を保って処理に再利用するこ
とができる。
【００１３】また，処理液の種類に応じて基板を収納す
る処理室を切り換え，各処理室の室内雰囲気をそれぞれ
排気する。このため，各処理に応じて排気量を変えるこ
とができる。
る処理室を切り換え，各処理室の室内雰囲気をそれぞれ
排気する。このため，各処理に応じて排気量を変えるこ
とができる。
【００１４】請求項１に記載の処理装置において，請求
項２に記載したように，前記各回路の少なくとも一つの
回路に処理液を貯留する主貯留タンクを接続し，前記主
貯留タンクから前記供給手段に処理液を供給する供給回
路を設けることが好ましい。また，請求項３に記載した
ように，前記主貯留タンク内の処理液を循環させる循環
回路を設け，前記循環回路に処理液を所定温度に調整す
る温度調整機構を設けるようにしても良い。
項２に記載したように，前記各回路の少なくとも一つの
回路に処理液を貯留する主貯留タンクを接続し，前記主
貯留タンクから前記供給手段に処理液を供給する供給回
路を設けることが好ましい。また，請求項３に記載した
ように，前記主貯留タンク内の処理液を循環させる循環
回路を設け，前記循環回路に処理液を所定温度に調整す
る温度調整機構を設けるようにしても良い。
【００１５】かかる構成によれば，各回路の少なくとも
一つの回路に主貯留タンクを接続し，排液された各処理
液の少なくとも一つの処理液を主貯留タンクに貯留す
る。この主貯留タンク内に貯留された処理液を供給回路
により供給手段に供給し，再利用を図る。また，主貯留
タンク内に貯留している間，処理液を循環回路に循環さ
せる。
一つの回路に主貯留タンクを接続し，排液された各処理
液の少なくとも一つの処理液を主貯留タンクに貯留す
る。この主貯留タンク内に貯留された処理液を供給回路
により供給手段に供給し，再利用を図る。また，主貯留
タンク内に貯留している間，処理液を循環回路に循環さ
せる。
【００１６】請求項４に記載したように，前記各回路の
少なくとも一つの回路に処理液を所定温度に調整する温
度調整機構を設けることが好ましい。請求項５に記載し
たように，前記各回路の少なくとも一つの回路に副貯留
タンクを設け，請求項６に記載したように，前記主貯留
タンクと前記副貯留タンクとの間を接続する接続回路に
温度調整機構を設けるようにしても良い。
少なくとも一つの回路に処理液を所定温度に調整する温
度調整機構を設けることが好ましい。請求項５に記載し
たように，前記各回路の少なくとも一つの回路に副貯留
タンクを設け，請求項６に記載したように，前記主貯留
タンクと前記副貯留タンクとの間を接続する接続回路に
温度調整機構を設けるようにしても良い。
【００１７】かかる構成によれば，再利用が図られる処
理液を副貯留タンクに一旦貯めた後，接続回路を介して
主貯留タンクに供給する。ここで，処理液を主貯留タン
クに供給する前に事前に接続回路で温調し，その後に循
環回路で再び温調する。このように，処理液を温調する
機会を２回設け，処理液を所定温度に安定かつ確実に調
整することができる。
理液を副貯留タンクに一旦貯めた後，接続回路を介して
主貯留タンクに供給する。ここで，処理液を主貯留タン
クに供給する前に事前に接続回路で温調し，その後に循
環回路で再び温調する。このように，処理液を温調する
機会を２回設け，処理液を所定温度に安定かつ確実に調
整することができる。
【００１８】請求項７に記載したように，前記副貯留タ
ンクに温度調整機構を設けても良い。そうすれば，副貯
留タンクに処理液を貯めながら温調するので，処理液を
余裕をもって温調することができる。
ンクに温度調整機構を設けても良い。そうすれば，副貯
留タンクに処理液を貯めながら温調するので，処理液を
余裕をもって温調することができる。
【００１９】請求項８に記載したように，最上段の開口
部の上縁となる天板を昇降自在に構成することが好まし
い。
部の上縁となる天板を昇降自在に構成することが好まし
い。
【００２０】請求項９に記載したように，前記各回路を
通じて各処理室の室内雰囲気の排気をそれぞれ行うこと
が好ましい。この場合，請求項１０に記載したように，
前記各回路に気液分離機構をそれぞれ設けても良い。
通じて各処理室の室内雰囲気の排気をそれぞれ行うこと
が好ましい。この場合，請求項１０に記載したように，
前記各回路に気液分離機構をそれぞれ設けても良い。
【００２１】請求項１１に記載したように，前記各処理
室の底面に室内雰囲気の排気が行われる排気回路をそれ
ぞれ接続することが好ましい。かかる構成によれば，処
理液の排液と室内雰囲気の排気とを異なる回路で行うこ
とができる。特に再利用が図られる処理液については，
同じ回路内で室内雰囲気と混在することがないので，排
気から受ける様々な影響が及ばない。
室の底面に室内雰囲気の排気が行われる排気回路をそれ
ぞれ接続することが好ましい。かかる構成によれば，処
理液の排液と室内雰囲気の排気とを異なる回路で行うこ
とができる。特に再利用が図られる処理液については，
同じ回路内で室内雰囲気と混在することがないので，排
気から受ける様々な影響が及ばない。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下，本発明の好ましい実施の形
態を，キャリア単位でウェハを入れて，ウェハの洗浄，
乾燥を行い，キャリア単位でウェハを出すように構成さ
れた洗浄装置に基づいて説明する。図１は，本発明の実
施の形態を説明するための洗浄装置１の斜視図である。
態を，キャリア単位でウェハを入れて，ウェハの洗浄，
乾燥を行い，キャリア単位でウェハを出すように構成さ
れた洗浄装置に基づいて説明する。図１は，本発明の実
施の形態を説明するための洗浄装置１の斜視図である。
【００２３】この洗浄装置１は，ウェハＷを収納するキ
ャリアＣを載置する載置部２と，ウェハＷに対して所定
の洗浄工程を行う洗浄処理部３と，これら載置部２と洗
浄処理部３との間でウェハＷを搬送する搬送アーム４と
を備えている。
ャリアＣを載置する載置部２と，ウェハＷに対して所定
の洗浄工程を行う洗浄処理部３と，これら載置部２と洗
浄処理部３との間でウェハＷを搬送する搬送アーム４と
を備えている。
【００２４】載置部２は，ウェハＷを２５枚収納したキ
ャリアＣを例えば２個載置できる構成になっている。こ
の載置部２に隣接した洗浄処理部３に，ウェハ洗浄装置
５，６が上下２段に配置されたウェハ洗浄装置群７と，
ウェハ洗浄装置８，９が上下２段に配置されたウェハ洗
浄装置群１０と，ウェハ洗浄装置１１，１２が上下２段
に配置されたウェハ洗浄装置群１３とが設けられてい
る。
ャリアＣを例えば２個載置できる構成になっている。こ
の載置部２に隣接した洗浄処理部３に，ウェハ洗浄装置
５，６が上下２段に配置されたウェハ洗浄装置群７と，
ウェハ洗浄装置８，９が上下２段に配置されたウェハ洗
浄装置群１０と，ウェハ洗浄装置１１，１２が上下２段
に配置されたウェハ洗浄装置群１３とが設けられてい
る。
【００２５】ウェハ洗浄装置５，６は，処理液として例
えばアンモニア成分を主体としたＡＰＭ（ＮＨ４ＯＨ／
Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏの混合液）と呼ばれる薬液を用いたＳ
Ｃ１洗浄（アンモニア処理）を行って，ウェハＷの表面
に付着している有機汚染物，パーティクル等の不純物質
を除去し，処理液として例えば純水（ＤＩＷ）によるリ
ンス洗浄（リンス処理），乾燥を行うように構成され，
ウェハ洗浄装置８，９は，処理液として例えば塩酸成分
を主体としたＨＰＭ（ＨＣｌ／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏの混合
液）と呼ばれる洗浄液を用いたＳＣ２洗浄（塩酸処理）
を行って，金属イオンを除去し，純水によるリンス洗
浄，乾燥を行うように構成され，ウェハ洗浄装置１１，
１２は，フッ酸成分を主体としたＤＨＦ（ＨＦ／Ｈ２Ｏ
の混合液）と呼ばれる洗浄液を用いたＨＦ洗浄（フッ酸
処理）を行って，ウェハＷの表面に形成された酸化膜等
を除去し，純水によるリンス洗浄，乾燥を行うように構
成されている。洗浄処理部３では，ウェハ洗浄装置群
７，１０，１３にウェハＷを順次搬送することにより，
所定の洗浄工程が行われるように構成されており，例え
ば，上段のウェハ洗浄装置５でウェハＷをＳＣ１洗浄，
リンス洗浄，乾燥をしたならば，以後，同じ上段のウェ
ハ洗浄装置８，１１にウェハＷを順次搬送するようにな
っている。そして，上段のウェハ洗浄装置５，８，１１
と，下段のウェハ洗浄装置６，９，１２とで所定の洗浄
工程を同時進行できるようになっている。
えばアンモニア成分を主体としたＡＰＭ（ＮＨ４ＯＨ／
Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏの混合液）と呼ばれる薬液を用いたＳ
Ｃ１洗浄（アンモニア処理）を行って，ウェハＷの表面
に付着している有機汚染物，パーティクル等の不純物質
を除去し，処理液として例えば純水（ＤＩＷ）によるリ
ンス洗浄（リンス処理），乾燥を行うように構成され，
ウェハ洗浄装置８，９は，処理液として例えば塩酸成分
を主体としたＨＰＭ（ＨＣｌ／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏの混合
液）と呼ばれる洗浄液を用いたＳＣ２洗浄（塩酸処理）
を行って，金属イオンを除去し，純水によるリンス洗
浄，乾燥を行うように構成され，ウェハ洗浄装置１１，
１２は，フッ酸成分を主体としたＤＨＦ（ＨＦ／Ｈ２Ｏ
の混合液）と呼ばれる洗浄液を用いたＨＦ洗浄（フッ酸
処理）を行って，ウェハＷの表面に形成された酸化膜等
を除去し，純水によるリンス洗浄，乾燥を行うように構
成されている。洗浄処理部３では，ウェハ洗浄装置群
７，１０，１３にウェハＷを順次搬送することにより，
所定の洗浄工程が行われるように構成されており，例え
ば，上段のウェハ洗浄装置５でウェハＷをＳＣ１洗浄，
リンス洗浄，乾燥をしたならば，以後，同じ上段のウェ
ハ洗浄装置８，１１にウェハＷを順次搬送するようにな
っている。そして，上段のウェハ洗浄装置５，８，１１
と，下段のウェハ洗浄装置６，９，１２とで所定の洗浄
工程を同時進行できるようになっている。
【００２６】なお以上の配列，これらウェハ洗浄装置群
やウェハ洗浄装置の組合わせは，ウェハＷに対する洗浄
の種類によって任意に組み合わせることができる。例え
ば，あるウェハ洗浄装置群を減じたり，逆にさらに他の
ウェハ洗浄装置群を付加しても良いし，ウェハ洗浄装置
群内のウェハ洗浄装置の数を増減しても良い。
やウェハ洗浄装置の組合わせは，ウェハＷに対する洗浄
の種類によって任意に組み合わせることができる。例え
ば，あるウェハ洗浄装置群を減じたり，逆にさらに他の
ウェハ洗浄装置群を付加しても良いし，ウェハ洗浄装置
群内のウェハ洗浄装置の数を増減しても良い。
【００２７】搬送アーム４は，ベース２０を備え，この
ベース２０は，載置部２と洗浄処理部３の並びに沿って
設けられた搬送路２１をウェハ洗浄装置群７，１０，１
３の並んだ方向と平行な方向（Ｘ方向）に移動自在であ
る。また，ベース２０にアーム部２２が取り付けられて
いる。このアーム部２２は，水平面内においてＸ方向と
直角の方向（Ｙ方向），上下方向（Ｚ方向）に移動自在
であると共に，Ｚ軸中心の回転方向（θ方向）に回転自
在である。そして，搬送アーム４は，中段のアーム２３
ｂ及び下段のアーム２３ｃで，載置部２に載置されたキ
ャリアＣから未だ所定の洗浄工程が施されていないウェ
ハＷを１枚ずつ取り出し，上段のアーム２３ａで，洗浄
処理部３で所定の洗浄工程が行われたウェハＷをキャリ
アＣ内に１枚ずつ収納するようになっている。こうし
て，共通の搬送アーム４によって，各ウェハ洗浄装置
５，６，８，９，１１，１２に対してウェハＷを出し入
れするようになっている。
ベース２０は，載置部２と洗浄処理部３の並びに沿って
設けられた搬送路２１をウェハ洗浄装置群７，１０，１
３の並んだ方向と平行な方向（Ｘ方向）に移動自在であ
る。また，ベース２０にアーム部２２が取り付けられて
いる。このアーム部２２は，水平面内においてＸ方向と
直角の方向（Ｙ方向），上下方向（Ｚ方向）に移動自在
であると共に，Ｚ軸中心の回転方向（θ方向）に回転自
在である。そして，搬送アーム４は，中段のアーム２３
ｂ及び下段のアーム２３ｃで，載置部２に載置されたキ
ャリアＣから未だ所定の洗浄工程が施されていないウェ
ハＷを１枚ずつ取り出し，上段のアーム２３ａで，洗浄
処理部３で所定の洗浄工程が行われたウェハＷをキャリ
アＣ内に１枚ずつ収納するようになっている。こうし
て，共通の搬送アーム４によって，各ウェハ洗浄装置
５，６，８，９，１１，１２に対してウェハＷを出し入
れするようになっている。
【００２８】次に，ウェハ洗浄装置５，６，８，９，１
１，１２は，いずれも同様の構成を有しているので，ウ
ェハ洗浄装置５を代表として説明する。図２に示すよう
に，ウェハ洗浄装置５のケーシング５ａ内に，中央に設
けられた環状の容器３０と，この容器３０内に収納さ
れ，保持手段として例えば，ウェハＷを回転自在に保持
するスピンチャック３１と，このスピンチャック３１を
回転させるモータ３２を容器３０の内部雰囲気から保護
し，容器３０の底面３０ａに形成された開口部（図示せ
ず）を介して容器３０内に突出している台座３３と，ス
ピンチャック３１により保持されるウェハＷの表面にＡ
ＰＭ及び純水を供給する供給ノズル３４とが設けられて
いる。なお，スピンチャック３１の下面にモータ３２の
回転軸３５が接続されている。この回転軸３５は，台座
３３の上面を貫通している。また，壁面に，ウェハＷを
ウェハ洗浄装置５に出し入れする際に上下動して開閉す
る開閉ドア（図示せず）が設けられている。なお，スピ
ンチャック３１は，遠心力チャック等からなる保持部３
１ａを用いてウェハＷを水平姿勢で保持するように構成
されている。
１，１２は，いずれも同様の構成を有しているので，ウ
ェハ洗浄装置５を代表として説明する。図２に示すよう
に，ウェハ洗浄装置５のケーシング５ａ内に，中央に設
けられた環状の容器３０と，この容器３０内に収納さ
れ，保持手段として例えば，ウェハＷを回転自在に保持
するスピンチャック３１と，このスピンチャック３１を
回転させるモータ３２を容器３０の内部雰囲気から保護
し，容器３０の底面３０ａに形成された開口部（図示せ
ず）を介して容器３０内に突出している台座３３と，ス
ピンチャック３１により保持されるウェハＷの表面にＡ
ＰＭ及び純水を供給する供給ノズル３４とが設けられて
いる。なお，スピンチャック３１の下面にモータ３２の
回転軸３５が接続されている。この回転軸３５は，台座
３３の上面を貫通している。また，壁面に，ウェハＷを
ウェハ洗浄装置５に出し入れする際に上下動して開閉す
る開閉ドア（図示せず）が設けられている。なお，スピ
ンチャック３１は，遠心力チャック等からなる保持部３
１ａを用いてウェハＷを水平姿勢で保持するように構成
されている。
【００２９】容器３０は，ウェハＷの周囲を包囲し，ウ
ェハＷの表面に供給したＡＰＭ及び純水等が周囲に飛散
するのを防止するようになっている。容器３０は，上カ
ップ３６（天板）と下カップ３７（容器本体）とを備え
ている。下カップ３７は，容器３０の底面３０ａに環状
壁４０を立設し，この環状壁４０の上端に整流壁４１を
配設している。整流壁４１は，内側に行くに従って高く
なるように傾斜していると共に上端部４１ａを水平姿勢
にしている。これら環状壁４０，整流壁４１により容器
３０内を，内処理室４２と外処理室４３というように複
数（２つ）の処理室にしている。
ェハＷの表面に供給したＡＰＭ及び純水等が周囲に飛散
するのを防止するようになっている。容器３０は，上カ
ップ３６（天板）と下カップ３７（容器本体）とを備え
ている。下カップ３７は，容器３０の底面３０ａに環状
壁４０を立設し，この環状壁４０の上端に整流壁４１を
配設している。整流壁４１は，内側に行くに従って高く
なるように傾斜していると共に上端部４１ａを水平姿勢
にしている。これら環状壁４０，整流壁４１により容器
３０内を，内処理室４２と外処理室４３というように複
数（２つ）の処理室にしている。
【００３０】ウェハＷの周縁に移動する内処理室４２の
開口部４４と，ウェハＷの周縁に移動する外処理室４３
の開口部４５とが多段に設けられている。上カップ３６
は，最上段の開口部４５の上縁となる天板としても機能
する。上カップ３６は，昇降機構（図示せず）により昇
降自在である。一方，下カップ３７は，外周面３７ａに
ブラケット４６を取り付け，このブラケット４６にシリ
ンダ４７のピストンロッド４８を接続させている。従っ
て，シリンダ４７の稼働により下カップ３７は昇降自在
であり，昇降する際には，下カップ３７の内周面３７ｂ
を台座３３の外周面３３ａに摺動させるようになってい
る。
開口部４４と，ウェハＷの周縁に移動する外処理室４３
の開口部４５とが多段に設けられている。上カップ３６
は，最上段の開口部４５の上縁となる天板としても機能
する。上カップ３６は，昇降機構（図示せず）により昇
降自在である。一方，下カップ３７は，外周面３７ａに
ブラケット４６を取り付け，このブラケット４６にシリ
ンダ４７のピストンロッド４８を接続させている。従っ
て，シリンダ４７の稼働により下カップ３７は昇降自在
であり，昇降する際には，下カップ３７の内周面３７ｂ
を台座３３の外周面３３ａに摺動させるようになってい
る。
【００３１】また，ウェハ洗浄装置５は，内処理室４２
でＳＣ１洗浄を行い，外処理室４３内でリンス洗浄を行
うようになっている。何れも，スピンチャック３１を回
転させてウェハＷに供給された洗浄液を遠心力によりウ
ェハＷの表面全体に拡散させ，均一な洗浄を行う回転式
の洗浄方法が採用されている。また，内処理室４２にお
ける底面３０ａに第１の排出回路５０が接続され，ＡＰ
Ｍの排液及び室内雰囲気の排気が行われ，外処理室４３
における底面３０ａに第２の排出回路５１が接続され，
純水の排液及び室内雰囲気の排気が行われる。
でＳＣ１洗浄を行い，外処理室４３内でリンス洗浄を行
うようになっている。何れも，スピンチャック３１を回
転させてウェハＷに供給された洗浄液を遠心力によりウ
ェハＷの表面全体に拡散させ，均一な洗浄を行う回転式
の洗浄方法が採用されている。また，内処理室４２にお
ける底面３０ａに第１の排出回路５０が接続され，ＡＰ
Ｍの排液及び室内雰囲気の排気が行われ，外処理室４３
における底面３０ａに第２の排出回路５１が接続され，
純水の排液及び室内雰囲気の排気が行われる。
【００３２】ここで，容器３０にウェハＷを搬入出する
場合，図３に示すように，昇降機構により上カップ３６
が下降すると共に，シリンダ４７の稼働により下カップ
３７が下降し，上カップ３６と下カップ３７の両方がス
ピンチャック３１より下方で待機した状態となる。この
とき，上カップ３６と整流壁４１が接近し，開口部４５
の幅を短縮するか，若しくは開口部４５を閉じた状態に
する。また，整流壁４１の上端部４１ａと台座３３とを
密着させて開口部４４を閉じた状態にし，内処理室４２
の室内雰囲気を密閉する。スピンチャック３１が外部に
露出し，開閉ドアを介して進入してきた搬送アーム４の
アーム２３ｂ，２３ｃが，スピンチャック３１に洗浄前
のウェハＷを受け渡したり，搬送アーム４のアーム２３
ｃが，スピンチャック３１から洗浄後のウェハＷを受け
取れるようになっている。
場合，図３に示すように，昇降機構により上カップ３６
が下降すると共に，シリンダ４７の稼働により下カップ
３７が下降し，上カップ３６と下カップ３７の両方がス
ピンチャック３１より下方で待機した状態となる。この
とき，上カップ３６と整流壁４１が接近し，開口部４５
の幅を短縮するか，若しくは開口部４５を閉じた状態に
する。また，整流壁４１の上端部４１ａと台座３３とを
密着させて開口部４４を閉じた状態にし，内処理室４２
の室内雰囲気を密閉する。スピンチャック３１が外部に
露出し，開閉ドアを介して進入してきた搬送アーム４の
アーム２３ｂ，２３ｃが，スピンチャック３１に洗浄前
のウェハＷを受け渡したり，搬送アーム４のアーム２３
ｃが，スピンチャック３１から洗浄後のウェハＷを受け
取れるようになっている。
【００３３】図３に示す状態から上カップ３６のみが上
昇すると，図４に示すように，開口部４５の幅が拡大し
て開いた状態となる。このとき，ウェハＷの周囲は，外
処理室４３の開口部４５によって囲まれた状態となり，
このような状態でリンス洗浄を行うと，ウェハＷから飛
散した純水は，開口部４５によって形成された隙間を介
して外処理室４３内に入り，第２の排出回路５１に流れ
込むようになっている。さらに図４に示す状態からシリ
ンダ４７の稼働により下カップ３７が上昇すると共に，
上カップ３６も下カップ３７と平行して上昇すると，図
２に示したように，ウェハＷの周囲が内処理室４２の開
口部４４に囲まれた状態となる。そして，このような状
態でＳＣ１洗浄を行うと，ウェハＷから飛散したＡＰＭ
は，開口部４４によって形成された隙間を介して内処理
室４２内に入り，第１の排出回路５０に流れ込むように
なっている
昇すると，図４に示すように，開口部４５の幅が拡大し
て開いた状態となる。このとき，ウェハＷの周囲は，外
処理室４３の開口部４５によって囲まれた状態となり，
このような状態でリンス洗浄を行うと，ウェハＷから飛
散した純水は，開口部４５によって形成された隙間を介
して外処理室４３内に入り，第２の排出回路５１に流れ
込むようになっている。さらに図４に示す状態からシリ
ンダ４７の稼働により下カップ３７が上昇すると共に，
上カップ３６も下カップ３７と平行して上昇すると，図
２に示したように，ウェハＷの周囲が内処理室４２の開
口部４４に囲まれた状態となる。そして，このような状
態でＳＣ１洗浄を行うと，ウェハＷから飛散したＡＰＭ
は，開口部４４によって形成された隙間を介して内処理
室４２内に入り，第１の排出回路５０に流れ込むように
なっている
【００３４】図５に示すように，前記第１の排出回路５
０は第１の気液分離機構５２に接続されている。第１の
気液分離機構５２から回収回路５３と第１の排気回路５
４が分岐している。回収回路５３は副貯留タンク５５に
接続され，第１の排気回路５４は排気ファン５６に接続
されている。これにより，排液されたＡＰＭは，第１の
気液分離機構５２を介して回収回路５３，副貯留タンク
５５に流れ，排気された内処理室４２の室内雰囲気は，
第１の気液分離機構５２を介して第１の排気回路５４に
流れて外部に排気されるようになっている。
０は第１の気液分離機構５２に接続されている。第１の
気液分離機構５２から回収回路５３と第１の排気回路５
４が分岐している。回収回路５３は副貯留タンク５５に
接続され，第１の排気回路５４は排気ファン５６に接続
されている。これにより，排液されたＡＰＭは，第１の
気液分離機構５２を介して回収回路５３，副貯留タンク
５５に流れ，排気された内処理室４２の室内雰囲気は，
第１の気液分離機構５２を介して第１の排気回路５４に
流れて外部に排気されるようになっている。
【００３５】副貯留タンク５５は，主貯留タンク５７に
接続回路５８を介して接続されている。接続回路５８に
ポンプ５９，温調調整機構として例えばヒータ６０が設
けられている。ポンプ５９の稼働により，副貯留タンク
５５の下方から接続回路５８にＡＰＭを流入させ，ヒー
タ６０により所定温度として例えば８５℃になるように
温調し，主貯留タンク５７内に供給するようになってい
る。
接続回路５８を介して接続されている。接続回路５８に
ポンプ５９，温調調整機構として例えばヒータ６０が設
けられている。ポンプ５９の稼働により，副貯留タンク
５５の下方から接続回路５８にＡＰＭを流入させ，ヒー
タ６０により所定温度として例えば８５℃になるように
温調し，主貯留タンク５７内に供給するようになってい
る。
【００３６】主貯留タンク５７は，例えばＡＰＭを３０
〜４０Ｌ（リットル）貯留するだけの容量を有している
ことが好ましい。また，主貯留タンク５７に，ＡＰＭを
循環させる循環回路６１が設けられている。循環回路６
１の入口が主貯留タンク５７の底面に接続され，循環回
路６１の出口が主貯留タンク５７の上面に接続されてい
る。この循環回路６１に，ポンプ６２，ヒータ６３，フ
ィルタ６４が設けられている。この場合，ポンプ６２の
吐出量が，例えば２０Ｌ／ｍｉｎ（リットル毎分）ある
ことが好ましい。ポンプ６２の稼働により，主貯留タン
ク５７の下方から循環回路６１にＡＰＭを流入させ，ヒ
ータ６３により８５℃になるように温調し，フィルタ６
４によって浄化した後に，再び主貯留タンク５７に戻す
ようになっている。
〜４０Ｌ（リットル）貯留するだけの容量を有している
ことが好ましい。また，主貯留タンク５７に，ＡＰＭを
循環させる循環回路６１が設けられている。循環回路６
１の入口が主貯留タンク５７の底面に接続され，循環回
路６１の出口が主貯留タンク５７の上面に接続されてい
る。この循環回路６１に，ポンプ６２，ヒータ６３，フ
ィルタ６４が設けられている。この場合，ポンプ６２の
吐出量が，例えば２０Ｌ／ｍｉｎ（リットル毎分）ある
ことが好ましい。ポンプ６２の稼働により，主貯留タン
ク５７の下方から循環回路６１にＡＰＭを流入させ，ヒ
ータ６３により８５℃になるように温調し，フィルタ６
４によって浄化した後に，再び主貯留タンク５７に戻す
ようになっている。
【００３７】主貯留タンク５７に，供給手段として例え
ば供給ノズル３４にＡＰＭを供給するＡＰＭ供給回路７
０が接続されている。このＡＰＭ供給回路７０に，ポン
プ７１，三方弁７２が設けられている。三方弁７２に，
ＡＰＭ供給回路７０内のＡＰＭを主貯留タンク５７に返
送する返送回路７４が接続されている。三方弁７２の操
作により供給ノズル３４へのＡＰＭの供給や主貯留タン
ク５７へのＡＰＭの返送を適宜行えるようになってい
る。こうして，三方弁７２の操作と共にポンプ７１の稼
働により，主貯留タンク５７内のＡＰＭを供給ノズル３
４に供給することができ，ＡＰＭの再利用を図る構成と
なっている。
ば供給ノズル３４にＡＰＭを供給するＡＰＭ供給回路７
０が接続されている。このＡＰＭ供給回路７０に，ポン
プ７１，三方弁７２が設けられている。三方弁７２に，
ＡＰＭ供給回路７０内のＡＰＭを主貯留タンク５７に返
送する返送回路７４が接続されている。三方弁７２の操
作により供給ノズル３４へのＡＰＭの供給や主貯留タン
ク５７へのＡＰＭの返送を適宜行えるようになってい
る。こうして，三方弁７２の操作と共にポンプ７１の稼
働により，主貯留タンク５７内のＡＰＭを供給ノズル３
４に供給することができ，ＡＰＭの再利用を図る構成と
なっている。
【００３８】回転式の洗浄方法において，ＡＰＭは，ウ
ェハＷの表面に供給されてから遠心力により内処理室４
２で飛散するまでの間に，熱が奪われて温度低下してし
まう。ＡＰＭの再利用を図る際には温調を適切に行い，
供給する際のＡＰＭの温度（供給温度）を所定温度にす
る必要がある。循環回路６１のヒータ６３により，主貯
留タンク５７内の液温を所定温度に保つことで，ウェハ
Ｗへの供給温度を所定温度に維持できるようになってい
る。また，接続回路５８のヒータ６０により，主貯留タ
ンク５７内に流れ込むＡＰＭの温度を所定温度に維持す
ることで，主貯留タンク５７内の液温を低下させずに済
み，より確実に所定温度に調整されたＡＰＭをウェハＷ
に供給することができるようになっている。
ェハＷの表面に供給されてから遠心力により内処理室４
２で飛散するまでの間に，熱が奪われて温度低下してし
まう。ＡＰＭの再利用を図る際には温調を適切に行い，
供給する際のＡＰＭの温度（供給温度）を所定温度にす
る必要がある。循環回路６１のヒータ６３により，主貯
留タンク５７内の液温を所定温度に保つことで，ウェハ
Ｗへの供給温度を所定温度に維持できるようになってい
る。また，接続回路５８のヒータ６０により，主貯留タ
ンク５７内に流れ込むＡＰＭの温度を所定温度に維持す
ることで，主貯留タンク５７内の液温を低下させずに済
み，より確実に所定温度に調整されたＡＰＭをウェハＷ
に供給することができるようになっている。
【００３９】ポンプ６２，７１は，装置運転時には常時
稼働するようになっている。例えばポンプ６２の稼働に
より，循環回路６１にＡＰＭを循環させ，主貯留タンク
５７内を温調されたＡＰＭで常時満たすようにする。一
方，ポンプ７１の稼働により，ＡＰＭ供給回路７０にお
ける主貯留タンク５７と三方弁７２との間の経路と，返
送回路７４とに，主貯留タンク５７内のＡＰＭを循環さ
せる。このようなポンプ７１の稼働は，例えば１枚目の
ウェハＷを処理して容器３０内から搬出した後，２枚目
のウェハＷを搬入するまでの間のような待機期間に有効
である。この待機期間に，温調されたＡＰＭを循環させ
るので，ＡＰＭ供給回路７０における主貯留タンク５７
と三方弁７２との間の経路や，返送回路７４は，冷却さ
れることがない。また待機期間に，ＡＰＭ供給回路７０
における三方弁７２と供給ノズル３４との間の経路内に
残存したＡＰＭを返送回路７４に流すようにし，ＡＰＭ
供給回路７０における三方弁７２と供給ノズル３４との
間の経路内を空にする。空にしなければ，残存したＡＰ
Ｍは放熱作用などにより冷却される。そうなると，２枚
目のウェハＷを処理する際に，ＡＰＭ供給回路７０にお
ける三方弁７２と供給ノズル３４との間の経路内で，残
存し，かつ冷却されたＡＰＭと所定温度に調整されたＡ
ＰＭとが混合することになり，温度低下したＡＰＭをウ
ェハＷに供給してしまう。このように待機期間中に，Ａ
ＰＭ供給回路７０における主貯留タンク５７と三方弁７
２との間の経路にＡＰＭを循環させ，ＡＰＭ供給回路７
０における三方弁７２と供給ノズル３４との間の経路内
を空にすることにより，所定温度に調整されたＡＰＭを
ウェハＷに供給することができるようになっている。
稼働するようになっている。例えばポンプ６２の稼働に
より，循環回路６１にＡＰＭを循環させ，主貯留タンク
５７内を温調されたＡＰＭで常時満たすようにする。一
方，ポンプ７１の稼働により，ＡＰＭ供給回路７０にお
ける主貯留タンク５７と三方弁７２との間の経路と，返
送回路７４とに，主貯留タンク５７内のＡＰＭを循環さ
せる。このようなポンプ７１の稼働は，例えば１枚目の
ウェハＷを処理して容器３０内から搬出した後，２枚目
のウェハＷを搬入するまでの間のような待機期間に有効
である。この待機期間に，温調されたＡＰＭを循環させ
るので，ＡＰＭ供給回路７０における主貯留タンク５７
と三方弁７２との間の経路や，返送回路７４は，冷却さ
れることがない。また待機期間に，ＡＰＭ供給回路７０
における三方弁７２と供給ノズル３４との間の経路内に
残存したＡＰＭを返送回路７４に流すようにし，ＡＰＭ
供給回路７０における三方弁７２と供給ノズル３４との
間の経路内を空にする。空にしなければ，残存したＡＰ
Ｍは放熱作用などにより冷却される。そうなると，２枚
目のウェハＷを処理する際に，ＡＰＭ供給回路７０にお
ける三方弁７２と供給ノズル３４との間の経路内で，残
存し，かつ冷却されたＡＰＭと所定温度に調整されたＡ
ＰＭとが混合することになり，温度低下したＡＰＭをウ
ェハＷに供給してしまう。このように待機期間中に，Ａ
ＰＭ供給回路７０における主貯留タンク５７と三方弁７
２との間の経路にＡＰＭを循環させ，ＡＰＭ供給回路７
０における三方弁７２と供給ノズル３４との間の経路内
を空にすることにより，所定温度に調整されたＡＰＭを
ウェハＷに供給することができるようになっている。
【００４０】また，供給ノズル３４に，純水供給源７５
からの純水を供給する純水供給回路７６が接続されてい
る。純水供給回路７６に弁７７が設けられている。な
お，リンス洗浄を行う際には，常温の純水を供給するこ
とが好ましい。
からの純水を供給する純水供給回路７６が接続されてい
る。純水供給回路７６に弁７７が設けられている。な
お，リンス洗浄を行う際には，常温の純水を供給するこ
とが好ましい。
【００４１】主貯留タンク５７に，アンモニア水溶液
（ＮＨ４ＯＨ），過酸化水素水（Ｈ２Ｏ２），純水を必
要に応じて適宜補充する補充機構８０が設けられてい
る。補充機構８０は，所定の濃度に調整されたアンモニ
ア水溶液を貯蔵したタンク８１とポンプ８２を備えたア
ンモニア補充系８３と，所定の濃度に調整された過酸化
水素水を貯蔵したタンク８４とポンプ８５を備えた過酸
化水素水補充系８６と，純水を貯留したタンク８７と弁
８８を備えた純水供給系８９と，ポンプ８２，８５の稼
働率及び弁８８の開度を制御するコントローラ９０とを
備えている。こうして，コントローラ９０によって，ポ
ンプ８２，８５の稼働率と弁８８の開度を適宜制御する
ことにより，アンモニア水溶液，過酸化水素水，純水を
それぞれ所定の液量ずつ主貯留タンク５７に補充し，所
定の成分比率のＡＰＭを生成するようになっている。
（ＮＨ４ＯＨ），過酸化水素水（Ｈ２Ｏ２），純水を必
要に応じて適宜補充する補充機構８０が設けられてい
る。補充機構８０は，所定の濃度に調整されたアンモニ
ア水溶液を貯蔵したタンク８１とポンプ８２を備えたア
ンモニア補充系８３と，所定の濃度に調整された過酸化
水素水を貯蔵したタンク８４とポンプ８５を備えた過酸
化水素水補充系８６と，純水を貯留したタンク８７と弁
８８を備えた純水供給系８９と，ポンプ８２，８５の稼
働率及び弁８８の開度を制御するコントローラ９０とを
備えている。こうして，コントローラ９０によって，ポ
ンプ８２，８５の稼働率と弁８８の開度を適宜制御する
ことにより，アンモニア水溶液，過酸化水素水，純水を
それぞれ所定の液量ずつ主貯留タンク５７に補充し，所
定の成分比率のＡＰＭを生成するようになっている。
【００４２】一方，第２の排出回路５１は第２の気液分
離機構９０に接続されている。第２の気液分離機構９０
から排液回路９１と第２の排気回路９２が分岐してい
る。第２の排気回路９２は前記第１の排気回路５４に合
流している。これにより，排液された純水は，第２の気
液分離機構９０を介して排液回路９１に流れて外部に排
液され，排気された外処理室４３の室内雰囲気は，第２
の気液分離機構９０を介して第２の排気回路９２に流れ
て外部に排気されるようになっている。
離機構９０に接続されている。第２の気液分離機構９０
から排液回路９１と第２の排気回路９２が分岐してい
る。第２の排気回路９２は前記第１の排気回路５４に合
流している。これにより，排液された純水は，第２の気
液分離機構９０を介して排液回路９１に流れて外部に排
液され，排気された外処理室４３の室内雰囲気は，第２
の気液分離機構９０を介して第２の排気回路９２に流れ
て外部に排気されるようになっている。
【００４３】排気ファン５６は，内処理室４２及び外処
理室４３の何れからも排気を行える。また処理中の排気
ファン５６の出力は，一定である。図２に示すＳＣ１洗
浄時の状態では，開口部４４が開いた状態となり，主に
内処理室４２を通じてＳＣ１洗浄時の薬液（ＡＰＭ）雰
囲気を外部に拡散しないように排気する。さらに開口部
４５も開いた状態となっているので，外処理室４３を通
じて薬液雰囲気を排気することも可能である。このよう
に，内処理室４２，外処理室４３を用いて排気ゾーンを
最大限にとり，容器３０内の排気量を多くとる。一方，
図４に示すリンス洗浄及びスピン乾燥時の状態では，内
処理室４２の室内雰囲気を密閉し，排気ゾーンを外処理
室４３のみにとり，室内雰囲気の排気を行う。内処理室
４２の密閉により，内処理室４２内に薬液雰囲気が残存
することがあっても，リンス洗浄時及びウェハ搬入出時
に薬液雰囲気が外部に拡散することを防止できる構成と
なっている。さらに，図３に示すウェハ搬入出時の状態
では，排気ゾーンを最小限にとるか，若しくは排気ゾー
ンを全くとらないようにしている。このように，排気フ
ァン５６の排気ゾーンを，内処理室４２，外処理室４３
の間で自在に設定することができるようになっている。
理室４３の何れからも排気を行える。また処理中の排気
ファン５６の出力は，一定である。図２に示すＳＣ１洗
浄時の状態では，開口部４４が開いた状態となり，主に
内処理室４２を通じてＳＣ１洗浄時の薬液（ＡＰＭ）雰
囲気を外部に拡散しないように排気する。さらに開口部
４５も開いた状態となっているので，外処理室４３を通
じて薬液雰囲気を排気することも可能である。このよう
に，内処理室４２，外処理室４３を用いて排気ゾーンを
最大限にとり，容器３０内の排気量を多くとる。一方，
図４に示すリンス洗浄及びスピン乾燥時の状態では，内
処理室４２の室内雰囲気を密閉し，排気ゾーンを外処理
室４３のみにとり，室内雰囲気の排気を行う。内処理室
４２の密閉により，内処理室４２内に薬液雰囲気が残存
することがあっても，リンス洗浄時及びウェハ搬入出時
に薬液雰囲気が外部に拡散することを防止できる構成と
なっている。さらに，図３に示すウェハ搬入出時の状態
では，排気ゾーンを最小限にとるか，若しくは排気ゾー
ンを全くとらないようにしている。このように，排気フ
ァン５６の排気ゾーンを，内処理室４２，外処理室４３
の間で自在に設定することができるようになっている。
【００４４】また，このようにＳＣ１洗浄とリンス洗浄
が異なる処理室で行われ，ＡＰＭを排液する第１の排出
回路５０と，リンス洗浄の際に用いられた純水を排液す
る第２の排出回路５１とが個別に設けられている。この
ため，ＡＰＭにかかる回路系にリンス洗浄の際に用いら
れた純水が流入しない構成となっている。従って，ＡＰ
Ｍの再利用を図る際にＡＰＭと純水が混合することがな
く，さらにＡＰＭにかかる回路系がリンス洗浄の際に用
いられた純水によって冷却されることもない。
が異なる処理室で行われ，ＡＰＭを排液する第１の排出
回路５０と，リンス洗浄の際に用いられた純水を排液す
る第２の排出回路５１とが個別に設けられている。この
ため，ＡＰＭにかかる回路系にリンス洗浄の際に用いら
れた純水が流入しない構成となっている。従って，ＡＰ
Ｍの再利用を図る際にＡＰＭと純水が混合することがな
く，さらにＡＰＭにかかる回路系がリンス洗浄の際に用
いられた純水によって冷却されることもない。
【００４５】その他，ウェハ洗浄装置６，８，９，１
１，１２も同様な構成を備えているので詳細な説明な省
略する。なお，ウェハ洗浄装置５，６においては，同じ
薬液（ＡＰＭ）を使用しているので，省スペース化の観
点から，これらの薬液にかかる回路系の一部を（主貯留
タンク５７，副貯留タンク５５，接続回路５８，循環回
路６１等）共通化しても良い。同様にウェハ洗浄装置
８，９，ウェハ洗浄装置１１，１２においても，各々薬
液（ＨＰＭ，ＤＨＦ）にかかる回路系の一部が共通化し
ても良い。
１，１２も同様な構成を備えているので詳細な説明な省
略する。なお，ウェハ洗浄装置５，６においては，同じ
薬液（ＡＰＭ）を使用しているので，省スペース化の観
点から，これらの薬液にかかる回路系の一部を（主貯留
タンク５７，副貯留タンク５５，接続回路５８，循環回
路６１等）共通化しても良い。同様にウェハ洗浄装置
８，９，ウェハ洗浄装置１１，１２においても，各々薬
液（ＨＰＭ，ＤＨＦ）にかかる回路系の一部が共通化し
ても良い。
【００４６】次に，以上のように構成されたウェハ洗浄
装置５，６，８，９，１１，１２の作用，効果につい
て，図１の洗浄装置１におけるウェハＷの洗浄工程に基
づいて説明する。まず，図示しない搬送ロボットが未だ
洗浄されていないウェハＷを例えば２５枚ずつ収納した
キャリアＣを載置部２に載置する。そして，この載置部
２に載置されたキャリアＣから搬送アーム４によってウ
ェハＷが１枚ずつ取り出されていく。搬送アーム４は，
ウェハＷをウェハ洗浄装置５，８，９又はウェハ洗浄装
置６，９，１２に順次搬送する。こうして，ウェハＷの
表面に付着している有機汚染物，パーティクル等の不純
物質を除去して所定の洗浄工程を行う。
装置５，６，８，９，１１，１２の作用，効果につい
て，図１の洗浄装置１におけるウェハＷの洗浄工程に基
づいて説明する。まず，図示しない搬送ロボットが未だ
洗浄されていないウェハＷを例えば２５枚ずつ収納した
キャリアＣを載置部２に載置する。そして，この載置部
２に載置されたキャリアＣから搬送アーム４によってウ
ェハＷが１枚ずつ取り出されていく。搬送アーム４は，
ウェハＷをウェハ洗浄装置５，８，９又はウェハ洗浄装
置６，９，１２に順次搬送する。こうして，ウェハＷの
表面に付着している有機汚染物，パーティクル等の不純
物質を除去して所定の洗浄工程を行う。
【００４７】ここで，代表してウェハ洗浄装置５で行わ
れる処理ついて説明する。予め主貯留タンク５７に，補
充機構８０からアンモニア水溶液（ＮＨ４ＯＨ），過酸
化水素水（Ｈ２Ｏ２），純水（ＤＩＷ）を所定の液量ず
つ補充し，ＡＰＭを生成する。そして，待機している
間，ポンプ６２の稼働により主貯留タンク５７内のＡＰ
Ｍを循環回路６１で循環させ，ヒータ６３及びフィルタ
６４により温調，浄化している。ポンプ７１の稼働によ
り，ＡＰＭ供給回路７０における主貯留タンク５７と三
方弁７２との間の経路と，返送回路７４とにＡＰＭを循
環させる。なお，高い洗浄能力を発揮できるように，Ａ
ＰＭを所定温度として例えば８５℃に温調する。一方，
図３に示したように，上カップ３６及び下カップ３７が
下降してスピンチャック３１の下方に待機し，スピンチ
ャック３１を外部に露出させてウェハＷを保持させる。
れる処理ついて説明する。予め主貯留タンク５７に，補
充機構８０からアンモニア水溶液（ＮＨ４ＯＨ），過酸
化水素水（Ｈ２Ｏ２），純水（ＤＩＷ）を所定の液量ず
つ補充し，ＡＰＭを生成する。そして，待機している
間，ポンプ６２の稼働により主貯留タンク５７内のＡＰ
Ｍを循環回路６１で循環させ，ヒータ６３及びフィルタ
６４により温調，浄化している。ポンプ７１の稼働によ
り，ＡＰＭ供給回路７０における主貯留タンク５７と三
方弁７２との間の経路と，返送回路７４とにＡＰＭを循
環させる。なお，高い洗浄能力を発揮できるように，Ａ
ＰＭを所定温度として例えば８５℃に温調する。一方，
図３に示したように，上カップ３６及び下カップ３７が
下降してスピンチャック３１の下方に待機し，スピンチ
ャック３１を外部に露出させてウェハＷを保持させる。
【００４８】図２に示したように，供給ノズル３４がウ
ェハＷの上方に移動した後，上カップ３６及び下カップ
３７が上昇し，スピンチャック３１に保持されたウェハ
Ｗの周囲に内処理室４２の開口部４４を移動させる。モ
ータ３２の稼働によりスピンチャック３１が回転し，供
給ノズル３４により主貯留タンク５７内から供給さてき
たＡＰＭを数秒（例えば９０ｓｅｃ）〜数分間吐出す
る。例えば供給ノズル３４は，ウェハＷの上方において
ウェハＷの中心から周縁部までを往復回動することによ
り，ウェハＷの表面を均一に洗浄するようにＡＰＭを吐
出してＳＣ１洗浄する。
ェハＷの上方に移動した後，上カップ３６及び下カップ
３７が上昇し，スピンチャック３１に保持されたウェハ
Ｗの周囲に内処理室４２の開口部４４を移動させる。モ
ータ３２の稼働によりスピンチャック３１が回転し，供
給ノズル３４により主貯留タンク５７内から供給さてき
たＡＰＭを数秒（例えば９０ｓｅｃ）〜数分間吐出す
る。例えば供給ノズル３４は，ウェハＷの上方において
ウェハＷの中心から周縁部までを往復回動することによ
り，ウェハＷの表面を均一に洗浄するようにＡＰＭを吐
出してＳＣ１洗浄する。
【００４９】第１の排出回路５０を通じて内処理室４２
の室内雰囲気を外部に排気する。このとき，開口部４
４，４５が開いてカップ開口面積を広くとり，内処理室
４２，外処理室４３を通じて排気を行うので，排気量を
多くとることができ，薬液（ＡＰＭ）雰囲気の外部拡散
を防止することができる。また，第１の排出回路５０を
通じて内処理室４２内に飛散したＡＰＭを排液する。そ
して，第１の気液分離機構５２，回収回路５３，副貯留
タンク５５，接続回路５８と流して主貯留タンク５７に
回収する。このとき，接続回路５８において，１回目の
温調，浄化を行う。次いで，主貯留タンク５７におい
て，ＡＰＭを循環回路６１に循環させて２回目の温調，
浄化を行い，８５℃に調整されると共に清浄な状態にな
ったＡＰＭを再びＡＰＭ供給回路７０を介して供給ノズ
ル３４に供給する。こうして，主貯留タンク５７内のＡ
ＰＭを繰り返し利用し，ＡＰＭの消費量を節約すること
ができる。
の室内雰囲気を外部に排気する。このとき，開口部４
４，４５が開いてカップ開口面積を広くとり，内処理室
４２，外処理室４３を通じて排気を行うので，排気量を
多くとることができ，薬液（ＡＰＭ）雰囲気の外部拡散
を防止することができる。また，第１の排出回路５０を
通じて内処理室４２内に飛散したＡＰＭを排液する。そ
して，第１の気液分離機構５２，回収回路５３，副貯留
タンク５５，接続回路５８と流して主貯留タンク５７に
回収する。このとき，接続回路５８において，１回目の
温調，浄化を行う。次いで，主貯留タンク５７におい
て，ＡＰＭを循環回路６１に循環させて２回目の温調，
浄化を行い，８５℃に調整されると共に清浄な状態にな
ったＡＰＭを再びＡＰＭ供給回路７０を介して供給ノズ
ル３４に供給する。こうして，主貯留タンク５７内のＡ
ＰＭを繰り返し利用し，ＡＰＭの消費量を節約すること
ができる。
【００５０】次いで，上カップ３６及び下カップ３７が
下降し，図４に示したように，外処理室４３のスピンチ
ャック３１に保持されたウェハＷの周囲に外処理室４３
の開口部４５を移動させる。ウェハＷを回転させると共
に，供給ノズル３４から例えば常温の純水を供給し，ウ
ェハＷからＡＰＭを洗い流してリンス洗浄を行う。第２
の排出回路５１を通じて外処理室４３の室内雰囲気を外
部に排気する。また，第２の排出回路５１を通じて外処
理室４３内に飛散した純水を外部に排液した後，モータ
３２の稼働力を向上させ，スピンチャック３１をＳＣ１
洗浄時及びリンス洗浄時よりも高速回転させ，ウェハＷ
から液滴を振り切ってスピン乾燥を行う。リンス洗浄及
びスピン乾燥時では，図４に示したように，内処理室４
２を密閉しているため，薬液（ＡＰＭ）雰囲気が外部に
拡散する可能が少ない。排気ゾーンを外処理室４３のみ
にとっているので，ＳＣ１洗浄時に比べて，容器３０内
の排気量を低減させることができる。
下降し，図４に示したように，外処理室４３のスピンチ
ャック３１に保持されたウェハＷの周囲に外処理室４３
の開口部４５を移動させる。ウェハＷを回転させると共
に，供給ノズル３４から例えば常温の純水を供給し，ウ
ェハＷからＡＰＭを洗い流してリンス洗浄を行う。第２
の排出回路５１を通じて外処理室４３の室内雰囲気を外
部に排気する。また，第２の排出回路５１を通じて外処
理室４３内に飛散した純水を外部に排液した後，モータ
３２の稼働力を向上させ，スピンチャック３１をＳＣ１
洗浄時及びリンス洗浄時よりも高速回転させ，ウェハＷ
から液滴を振り切ってスピン乾燥を行う。リンス洗浄及
びスピン乾燥時では，図４に示したように，内処理室４
２を密閉しているため，薬液（ＡＰＭ）雰囲気が外部に
拡散する可能が少ない。排気ゾーンを外処理室４３のみ
にとっているので，ＳＣ１洗浄時に比べて，容器３０内
の排気量を低減させることができる。
【００５１】その後，上カップ３６が下降し，図３に示
したように，スピンチャック３１及びウェハＷを露出さ
せ，洗浄後のウェハＷの搬出を行う。このとき，内処理
室４２を密閉すると共に，開口部４５の幅を短縮する
か，若しくは開口部４５を閉じるようにし，排気ゾーン
を最小限にとるか，若しくは排気ゾーンを全くとらない
ようにして容器３０内の排気量をより低減させることが
できる。また，ウェハ搬入出時では，何れも上カップ３
６を下降させて容器３０の高さを低くしているので，そ
の分，容器３０をスピンチャック３１の下方に待機させ
るためのスペースを節約できる。こうして，ウェハの搬
入出を良好に行うことができる。
したように，スピンチャック３１及びウェハＷを露出さ
せ，洗浄後のウェハＷの搬出を行う。このとき，内処理
室４２を密閉すると共に，開口部４５の幅を短縮する
か，若しくは開口部４５を閉じるようにし，排気ゾーン
を最小限にとるか，若しくは排気ゾーンを全くとらない
ようにして容器３０内の排気量をより低減させることが
できる。また，ウェハ搬入出時では，何れも上カップ３
６を下降させて容器３０の高さを低くしているので，そ
の分，容器３０をスピンチャック３１の下方に待機させ
るためのスペースを節約できる。こうして，ウェハの搬
入出を良好に行うことができる。
【００５２】このようにウェハ洗浄装置５において，洗
浄液にＡＰＭ，純水を使用する場合，ＡＰＭでは，スピ
ンチャック３１に保持されたウェハＷの周囲に内処理室
４２の開口部４２を移動させてＳＣ１洗浄を行い，第１
の排出回路５０を通じて排液を行い，純水では，スピン
チャック３１に保持されたウェハＷの周囲に外処理室４
３の開口部４５を移動させてリンス洗浄を行い，第２の
排出回路５１を通じて排液を行う。これら排液されたＡ
ＰＭ，純水の内，特にＡＰＭを供給ノズル３４から再び
ウェハＷの表面に供給し，再利用を図る。ここで，ＡＰ
Ｍが第１の排出回路５０内に，純水が第２の排出回路５
１内にそれぞれ残ることがあっても，洗浄液の種類に応
じて処理室を変えているので，異なる種類の洗浄液が同
じ回路内で混在しない。特に再利用が図られるＡＰＭに
ついては，純水と混合して希釈化されることがないの
で，引き続き高い洗浄能力を保ってＳＣ１洗浄に再利用
することができる。また，補充機構８０のコントローラ
９０の設定等からは，ＡＰＭの希釈化対策としてアンモ
ニア水溶液，過酸化水素水を適宜補充するような手間を
省くことができる。
浄液にＡＰＭ，純水を使用する場合，ＡＰＭでは，スピ
ンチャック３１に保持されたウェハＷの周囲に内処理室
４２の開口部４２を移動させてＳＣ１洗浄を行い，第１
の排出回路５０を通じて排液を行い，純水では，スピン
チャック３１に保持されたウェハＷの周囲に外処理室４
３の開口部４５を移動させてリンス洗浄を行い，第２の
排出回路５１を通じて排液を行う。これら排液されたＡ
ＰＭ，純水の内，特にＡＰＭを供給ノズル３４から再び
ウェハＷの表面に供給し，再利用を図る。ここで，ＡＰ
Ｍが第１の排出回路５０内に，純水が第２の排出回路５
１内にそれぞれ残ることがあっても，洗浄液の種類に応
じて処理室を変えているので，異なる種類の洗浄液が同
じ回路内で混在しない。特に再利用が図られるＡＰＭに
ついては，純水と混合して希釈化されることがないの
で，引き続き高い洗浄能力を保ってＳＣ１洗浄に再利用
することができる。また，補充機構８０のコントローラ
９０の設定等からは，ＡＰＭの希釈化対策としてアンモ
ニア水溶液，過酸化水素水を適宜補充するような手間を
省くことができる。
【００５３】しかも，ＡＰＭと純水では洗浄能力を高め
られる最適な所定温度がそれぞれ異なっているものの，
各洗浄液の排液が行われる排出回路はそれぞれ決まって
いるので，リンス洗浄時の純水により第１の排出回路５
０が冷却されてしまう事態を防止することができる。こ
のため，ＡＰＭが，第１の排出回路５０が冷却されたこ
とに起因する温度低下等の温度変動を受けなくなる。さ
らに，ＡＰＭが，内処理室４２内でＳＣ１洗浄に使用さ
れて所定温度よりも低い温度になったとしても，ＡＰＭ
を主貯留タンク５６に戻す前に事前に接続回路５８で温
調し，その後に循環回路６０で再び温調している。この
ようにＡＰＭの温度を調整する機会を接続回路５８と循
環回路６１とで併せて２回設けているので，ＡＰＭを所
定温度に安定かつ確実に調整することができる。従っ
て，温度変動を無くして常にＡＰＭを所定温度に保って
ウェハＷの表面に供給することができ，良好なＳＣ１洗
浄を行うことができる。
られる最適な所定温度がそれぞれ異なっているものの，
各洗浄液の排液が行われる排出回路はそれぞれ決まって
いるので，リンス洗浄時の純水により第１の排出回路５
０が冷却されてしまう事態を防止することができる。こ
のため，ＡＰＭが，第１の排出回路５０が冷却されたこ
とに起因する温度低下等の温度変動を受けなくなる。さ
らに，ＡＰＭが，内処理室４２内でＳＣ１洗浄に使用さ
れて所定温度よりも低い温度になったとしても，ＡＰＭ
を主貯留タンク５６に戻す前に事前に接続回路５８で温
調し，その後に循環回路６０で再び温調している。この
ようにＡＰＭの温度を調整する機会を接続回路５８と循
環回路６１とで併せて２回設けているので，ＡＰＭを所
定温度に安定かつ確実に調整することができる。従っ
て，温度変動を無くして常にＡＰＭを所定温度に保って
ウェハＷの表面に供給することができ，良好なＳＣ１洗
浄を行うことができる。
【００５４】また，洗浄液の種類に応じてウェハＷの周
囲を囲む処理室を内処理室４２又は外処理室４３に切り
換え，排気ゾーンを内処理室４２，外処理室４３の間で
自在に設定することができる。このため，ＳＣ１洗浄
時，リンス洗浄時，ウェハ搬入出時に応じて容器３０内
の排気量を変えることができる。従って，常に大排気量
を取る必要がなくなり，排気ファン５６に過度の負担が
かからなくなると共に，容器３０にかかる全体の排気量
を従来よりも低減することができる。
囲を囲む処理室を内処理室４２又は外処理室４３に切り
換え，排気ゾーンを内処理室４２，外処理室４３の間で
自在に設定することができる。このため，ＳＣ１洗浄
時，リンス洗浄時，ウェハ搬入出時に応じて容器３０内
の排気量を変えることができる。従って，常に大排気量
を取る必要がなくなり，排気ファン５６に過度の負担が
かからなくなると共に，容器３０にかかる全体の排気量
を従来よりも低減することができる。
【００５５】かくして，第１の実施の形態にかかるウェ
ハ洗浄装置５によれば，ＡＰＭの再利用を好適に図るこ
とができ，排気量を低減させることができる。従って，
ＡＰＭの消費量を抑えつつも，ＡＰＭの希釈化及び温度
変動に起因する洗浄不良及び洗浄むらを無くして良好な
ＳＣ１洗浄を行うことができる。また，ランニングコス
トに優れている。
ハ洗浄装置５によれば，ＡＰＭの再利用を好適に図るこ
とができ，排気量を低減させることができる。従って，
ＡＰＭの消費量を抑えつつも，ＡＰＭの希釈化及び温度
変動に起因する洗浄不良及び洗浄むらを無くして良好な
ＳＣ１洗浄を行うことができる。また，ランニングコス
トに優れている。
【００５６】なお処理中は，排気ファン５６の出力を一
定に保っていたが，処理の進行状況に応じて排気ファン
５６の出力を適宜変えるようにしても良い。例えば，図
２に示すＳＣ１洗浄時の状態では，ＳＣ１洗浄時の薬液
雰囲気が外部に拡散しないように，排気ファン５６は，
出力を増大させる。一方，図４に示すリンス洗浄及びス
ピン乾燥時の状態では，前述したように内処理室４２の
室内雰囲気を密閉しているので，薬液雰囲気が外部に拡
散するおそれがない分，内処理室４２の排気をＳＣ１洗
浄時に比べて過大に取る必要がなくなり，排気ファン５
６は，外処理室４３及び内処理室４２の状態に見合っ
た，室内雰囲気が拡散しないような最低限の出力で済ま
せる。さらに，図３に示すウェハ搬入出時の状態では，
排気ファン５６は，より最低限の出力で済ませる。
定に保っていたが，処理の進行状況に応じて排気ファン
５６の出力を適宜変えるようにしても良い。例えば，図
２に示すＳＣ１洗浄時の状態では，ＳＣ１洗浄時の薬液
雰囲気が外部に拡散しないように，排気ファン５６は，
出力を増大させる。一方，図４に示すリンス洗浄及びス
ピン乾燥時の状態では，前述したように内処理室４２の
室内雰囲気を密閉しているので，薬液雰囲気が外部に拡
散するおそれがない分，内処理室４２の排気をＳＣ１洗
浄時に比べて過大に取る必要がなくなり，排気ファン５
６は，外処理室４３及び内処理室４２の状態に見合っ
た，室内雰囲気が拡散しないような最低限の出力で済ま
せる。さらに，図３に示すウェハ搬入出時の状態では，
排気ファン５６は，より最低限の出力で済ませる。
【００５７】このように，ＳＣ１洗浄時，リンス洗浄
時，ウェハ搬入出時に排気ファン５６の出力を変えるこ
とより，より一層排気ファン５６の負担や容器３０にか
かる全体の排気量を低減することができる。
時，ウェハ搬入出時に排気ファン５６の出力を変えるこ
とより，より一層排気ファン５６の負担や容器３０にか
かる全体の排気量を低減することができる。
【００５８】次に，図６を参照しながら第２の実施の形
態にかかるウェハ洗浄装置１００について説明する。こ
のウェハ洗浄装置１００では，前記第１及び第２の気液
分離機構５２，９０の代わりに，洗浄液を排液する回路
と室内雰囲気を排気する回路とが個別に設けられてい
る。なお，洗浄液を排液する回路と室内雰囲気を排気す
る回路とが個別に設けられた以外は，先に説明したウェ
ハ洗浄装置５と同一の構成であるので，図５及び図６に
おいて，同一の機能及び構成を有する構成要素について
は，同一符号を付することにより，重複説明を省略す
る。
態にかかるウェハ洗浄装置１００について説明する。こ
のウェハ洗浄装置１００では，前記第１及び第２の気液
分離機構５２，９０の代わりに，洗浄液を排液する回路
と室内雰囲気を排気する回路とが個別に設けられてい
る。なお，洗浄液を排液する回路と室内雰囲気を排気す
る回路とが個別に設けられた以外は，先に説明したウェ
ハ洗浄装置５と同一の構成であるので，図５及び図６に
おいて，同一の機能及び構成を有する構成要素について
は，同一符号を付することにより，重複説明を省略す
る。
【００５９】即ち，内処理室４２の底面に，ＡＰＭを排
液する第１の排液回路１０１と室内雰囲気を排気する第
１の排気回路１０２とが接続されている。第１の排液回
路１０１は副貯留タンク５５に直接接続され，第１の排
気回路１０２は排気ファン５６に接続されている。ま
た，外処理室４３の底面に，純水を排液する第２の排液
回路１０３と室内雰囲気を排気する第２の排気回路１０
４とが接続されている。第２の排気回路１０４は，第１
の排気回路１０３に合流している。
液する第１の排液回路１０１と室内雰囲気を排気する第
１の排気回路１０２とが接続されている。第１の排液回
路１０１は副貯留タンク５５に直接接続され，第１の排
気回路１０２は排気ファン５６に接続されている。ま
た，外処理室４３の底面に，純水を排液する第２の排液
回路１０３と室内雰囲気を排気する第２の排気回路１０
４とが接続されている。第２の排気回路１０４は，第１
の排気回路１０３に合流している。
【００６０】かかるウェハ洗浄装置１００によれば，内
処理室４２においてＡＰＭの排液と室内雰囲気の排気と
を異なる回路で行うことができ，外処理室４３において
純水の排液と室内雰囲気の排気とを異なる回路で行うこ
とができる。特にＡＰＭについては，同じ回路内で内処
理室４２の室内雰囲気と混在することがないので，排気
から受ける様々な影響が及ばない。例えば排気の際に生
じる気流によってＡＰＭが冷却されてしまう事態を防止
でき，ウェハ洗浄装置５のときよりもＡＰＭを所定温度
に安定かつ確実に調整することができるようになる。
処理室４２においてＡＰＭの排液と室内雰囲気の排気と
を異なる回路で行うことができ，外処理室４３において
純水の排液と室内雰囲気の排気とを異なる回路で行うこ
とができる。特にＡＰＭについては，同じ回路内で内処
理室４２の室内雰囲気と混在することがないので，排気
から受ける様々な影響が及ばない。例えば排気の際に生
じる気流によってＡＰＭが冷却されてしまう事態を防止
でき，ウェハ洗浄装置５のときよりもＡＰＭを所定温度
に安定かつ確実に調整することができるようになる。
【００６１】次に，図７を参照しながら第３の実施の形
態にかかるウェハ洗浄装置１１０について説明する。こ
のウェハ洗浄装置１１０は，洗浄液を排液する回路と室
内雰囲気を排気する回路とが個別に設けられている。さ
らに前記副貯留タンク５５が取り外されている。即ち，
図７に示すように，第１の排液回路１０１は主貯留タン
ク５７に直接接続されている。また，第１の排液回路１
０１にポンプ５９，ヒータ６０が設けられている。かか
る構成によれば，副貯留タンク５５がない分，装置を小
型化することができる。
態にかかるウェハ洗浄装置１１０について説明する。こ
のウェハ洗浄装置１１０は，洗浄液を排液する回路と室
内雰囲気を排気する回路とが個別に設けられている。さ
らに前記副貯留タンク５５が取り外されている。即ち，
図７に示すように，第１の排液回路１０１は主貯留タン
ク５７に直接接続されている。また，第１の排液回路１
０１にポンプ５９，ヒータ６０が設けられている。かか
る構成によれば，副貯留タンク５５がない分，装置を小
型化することができる。
【００６２】次に，図８を参照しながら第４の実施の形
態にかかるウェハ洗浄装置１２０について説明する。こ
のウェハ洗浄装置１２０は，洗浄液を排液する回路と室
内雰囲気を排気する回路とが個別に設けられている。さ
らに前記副貯留タンク５５にカートリッジヒータ１２１
が取り付けられている。
態にかかるウェハ洗浄装置１２０について説明する。こ
のウェハ洗浄装置１２０は，洗浄液を排液する回路と室
内雰囲気を排気する回路とが個別に設けられている。さ
らに前記副貯留タンク５５にカートリッジヒータ１２１
が取り付けられている。
【００６３】副貯留タンク５５に第１の排液回路１０１
が接続され，第１の排液回路１０１にポンプ５９が設け
られている。また，主貯留タンク５７の上方に副貯留タ
ンク５５が配置されている。そして，主貯留タンク５７
と副貯留タンク５５との間がオーバーフロー回路１２２
により接続されている。副貯留タンク５５と主貯留タン
ク５７との段差を利用することにより，副貯留タンク５
５内からオーバーフローしたＡＰＭを，オーバーフロー
回路１２２を介して主貯留タンク５７内に自重で落下さ
せて流入させるようになっている。
が接続され，第１の排液回路１０１にポンプ５９が設け
られている。また，主貯留タンク５７の上方に副貯留タ
ンク５５が配置されている。そして，主貯留タンク５７
と副貯留タンク５５との間がオーバーフロー回路１２２
により接続されている。副貯留タンク５５と主貯留タン
ク５７との段差を利用することにより，副貯留タンク５
５内からオーバーフローしたＡＰＭを，オーバーフロー
回路１２２を介して主貯留タンク５７内に自重で落下さ
せて流入させるようになっている。
【００６４】このようなウェハ洗浄装置１２０において
は，カートリッジヒータ１２１が発熱することにより副
貯留タンク５５内のＡＰＭを温調する。そして，副貯留
タンク５５内に貯めながらＡＰＭを温調するので，ＡＰ
Ｍをヒータに流しながら温調するときに比べて，余裕を
もって温調することができる。また，ある程度温調され
たＡＰＭを，オーバーフロー回路１２２を通じて主貯留
タンク５７内に一定量流入させるので，ＡＰＭをより安
定かつ確実に所定温度に調整することができる。
は，カートリッジヒータ１２１が発熱することにより副
貯留タンク５５内のＡＰＭを温調する。そして，副貯留
タンク５５内に貯めながらＡＰＭを温調するので，ＡＰ
Ｍをヒータに流しながら温調するときに比べて，余裕を
もって温調することができる。また，ある程度温調され
たＡＰＭを，オーバーフロー回路１２２を通じて主貯留
タンク５７内に一定量流入させるので，ＡＰＭをより安
定かつ確実に所定温度に調整することができる。
【００６５】なお，図９に示すように，副貯留タンク５
５と主貯留タンク５７を合併させた合併タンク１３０を
設けるようにしても良い。合併タンク１３０では，副貯
留タンク５５と主貯留タンク５７とを壁部１３１を介し
て隣接させ，オーバーフロー管１３２により副貯留タン
ク５５内のＡＰＭを主貯留タンク５７内に流入させるよ
うになっている。かかる構成によれば，装置の小型化を
図ることができる。
５と主貯留タンク５７を合併させた合併タンク１３０を
設けるようにしても良い。合併タンク１３０では，副貯
留タンク５５と主貯留タンク５７とを壁部１３１を介し
て隣接させ，オーバーフロー管１３２により副貯留タン
ク５５内のＡＰＭを主貯留タンク５７内に流入させるよ
うになっている。かかる構成によれば，装置の小型化を
図ることができる。
【００６６】なお，本発明は，ウェハを一枚ずつ洗浄す
るいわゆる枚葉式のウェハ洗浄装置に即して説明した
が，洗浄槽に充填された洗浄液中に複数枚のウェハを浸
漬させて洗浄するいわゆるバッチ式のウェハ洗浄装置に
も適用することができる。さらに，洗浄に限らずその他
の処理を行う装置，例えばウェハ上に所定の処理液を塗
布するような装置等にも適用することができる。また，
基板には前記ウェハＷを使用した例を挙げて説明した
が，本発明はかかる例には限定されず，例えばＬＣＤ基
板，ガラス基板，ＣＤ基板，フォトマスク，プリント基
板，セラミック基板等にも応用することが可能である。
るいわゆる枚葉式のウェハ洗浄装置に即して説明した
が，洗浄槽に充填された洗浄液中に複数枚のウェハを浸
漬させて洗浄するいわゆるバッチ式のウェハ洗浄装置に
も適用することができる。さらに，洗浄に限らずその他
の処理を行う装置，例えばウェハ上に所定の処理液を塗
布するような装置等にも適用することができる。また，
基板には前記ウェハＷを使用した例を挙げて説明した
が，本発明はかかる例には限定されず，例えばＬＣＤ基
板，ガラス基板，ＣＤ基板，フォトマスク，プリント基
板，セラミック基板等にも応用することが可能である。
【００６７】
【発明の効果】請求項１〜１１の発明によれば，処理液
の再利用を好適に図ることができ，排気量を低減させる
ことができる。従って，処理液の消費量を抑えつつも，
処理液の希釈化及び温度変動に起因する処理不良及び処
理むらを無くして良好な処理を行うことができる。ま
た，ランニングコストに優れている。
の再利用を好適に図ることができ，排気量を低減させる
ことができる。従って，処理液の消費量を抑えつつも，
処理液の希釈化及び温度変動に起因する処理不良及び処
理むらを無くして良好な処理を行うことができる。ま
た，ランニングコストに優れている。
【００６８】また，請求項３〜７によれば，処理液の温
調機会を２回設けることができ，処理液を所定温度に安
定かつ確実に調整することができる。特に請求項７で
は，処理液を余裕をもって温調することができる。ま
た，請求項８では，基板の搬入出を良好に行うことがで
きる。また，請求項９〜１１によれば，室内雰囲気の排
気を行うことができる。特に請求項１１によれば，室内
雰囲気を排気する際に起こる様々な影響を，排液される
処理液から排除することができる。
調機会を２回設けることができ，処理液を所定温度に安
定かつ確実に調整することができる。特に請求項７で
は，処理液を余裕をもって温調することができる。ま
た，請求項８では，基板の搬入出を良好に行うことがで
きる。また，請求項９〜１１によれば，室内雰囲気の排
気を行うことができる。特に請求項１１によれば，室内
雰囲気を排気する際に起こる様々な影響を，排液される
処理液から排除することができる。
【図１】本発明の第１の実施の形態にかかるウェハ洗浄
装置を備えた洗浄装置の斜視図である。
装置を備えた洗浄装置の斜視図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態にかかるウェハ洗浄
装置の断面図である。
装置の断面図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態にかかるウェハ洗浄
装置の断面図であって，ウェハ搬入出時の様子を示して
いる。
装置の断面図であって，ウェハ搬入出時の様子を示して
いる。
【図４】本発明の第１の実施の形態にかかるウェハ洗浄
装置の断面図であって，リンス洗浄時及びスピン乾燥時
の様子を示している。
装置の断面図であって，リンス洗浄時及びスピン乾燥時
の様子を示している。
【図５】本発明の第１の実施の形態にかかるウェハ洗浄
装置の回路図である。
装置の回路図である。
【図６】本発明の第２の実施の形態にかかるウェハ洗浄
装置の回路図である。
装置の回路図である。
【図７】本発明の第３の実施の形態にかかるウェハ洗浄
装置の回路図である。
装置の回路図である。
【図８】本発明の第４の実施の形態にかかるウェハ洗浄
装置の回路図である。
装置の回路図である。
【図９】主貯留タンクと副貯留タンクとが合併した合併
タンクの説明図である。
タンクの説明図である。
【図１０】従来のウェハ洗浄装置の回路図である。
【符号の説明】 １ 洗浄装置 ５ ウェハ洗浄装置 ３０ 容器 ３１ スピンチャック ３４ 供給ノズル ３６ 上容器 ３７ 下容器 ４２ 内処理室 ４３ 外処理室 ４４，４５ 開口部 ５０ 第１の排出回路 ５１ 第２の排出回路 ５２ 第１の気液分離機構 ５３ 回収回路 ５５ 副貯留タンク ５７ 主貯留タンク ６０，６３ ヒータ ６１ 循環回路 ９０ 第２の気液分離機構 Ｗ ウェハ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 宮崎 高典 佐賀県鳥栖市西新町1375番地41 東京エレ クトロン九州株式会社佐賀事業所内 Ｆターム(参考） 3B201 AA03 AB08 AB34 BB03 BB22 BB82 BB92 BB93 BB96 CC01 CC13 CD11 CD33
Claims (11)
- 【請求項１】 基板を処理する装置であって，基板の表
面に複数の処理液を供給する供給手段と，基板を保持す
る保持手段と，前記保持手段を収納する容器とを備え，
前記容器は複数の処理室を備え，これら各処理室の開口
部を多段に設け，前記保持手段に保持された基板の周囲
に前記各処理室の開口部のそれぞれを移動させるべく前
記保持手段と前記容器とを相対的に昇降自在に構成し，
前記各処理室の底面に処理液の排液が行われる回路をそ
れぞれ接続し，これら排液された各処理液の少なくとも
一つの処理液を前記供給手段から再び基板の表面に供給
するように構成したことを特徴とする，基板処理装置。 - 【請求項２】 前記各回路の少なくとも一つの回路に処
理液を貯留する主貯留タンクを接続し，前記主貯留タン
クから前記供給手段に処理液を供給する供給回路を設け
たことを特徴とする，請求項１に記載の基板処理装置。 - 【請求項３】 前記主貯留タンク内の処理液を循環させ
る循環回路を設け，前記循環回路に処理液を所定温度に
調整する温度調整機構を設けたことを特徴とする，請求
項２に記載の基板処理装置。 - 【請求項４】 前記各回路の少なくとも一つの回路に処
理液を所定温度に調整する温度調整機構を設けたことを
特徴とする，請求項１，２又は３に記載の基板処理装
置。 - 【請求項５】 前記各回路の少なくとも一つの回路に副
貯留タンクを設けたことを特徴とする，請求項１，２，
３又は４に記載の基板処理装置。 - 【請求項６】 前記主貯留タンクと前記副貯留タンクと
の間を接続する接続回路に温度調整機構を設けたことを
特徴とする，請求項５に記載の基板処理装置。 - 【請求項７】 前記副貯留タンクに温度調整機構を設け
たことを特徴とする，請求項５に記載の基板処理装置。 - 【請求項８】 最上段の開口部の上縁となる天板を昇降
自在に構成したことを特徴とする，請求項１，２，３，
４，５，６又は７に記載の基板処理装置。 - 【請求項９】 前記各回路を通じて各処理室の室内雰囲
気の排気をそれぞれ行うことを特徴とする，請求項１，
２，３，４，５，６，７又は８に記載の基板処理装置。 - 【請求項１０】 前記各回路に気液分離機構をそれぞれ
設けたことを特徴とする，請求項９に記載の基板処理装
置。 - 【請求項１１】 前記各処理室の底面に室内雰囲気の排
気が行われる排気回路をそれぞれ接続したことを特徴と
する，請求項１，２，３，４，５，６，７又は８に記載
の基板処理装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34378099A JP4426036B2 (ja) | 1999-12-02 | 1999-12-02 | 基板処理装置 |
| KR1020000072038A KR100582208B1 (ko) | 1999-12-02 | 2000-11-30 | 기판처리장치 |
| US09/725,951 US6589338B1 (en) | 1999-12-02 | 2000-11-30 | Device for processing substrate |
| DE10059637A DE10059637B4 (de) | 1999-12-02 | 2000-12-01 | Gerät und Verfahren zur Substratbearbeitung |
| TW089125636A TW464937B (en) | 1999-12-02 | 2000-12-01 | Device for processing substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34378099A JP4426036B2 (ja) | 1999-12-02 | 1999-12-02 | 基板処理装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2009147859A Division JP4995237B2 (ja) | 2009-06-22 | 2009-06-22 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001160546A true JP2001160546A (ja) | 2001-06-12 |
| JP4426036B2 JP4426036B2 (ja) | 2010-03-03 |
Family
ID=18364191
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34378099A Expired - Lifetime JP4426036B2 (ja) | 1999-12-02 | 1999-12-02 | 基板処理装置 |
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| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6589338B1 (ja) |
| JP (1) | JP4426036B2 (ja) |
| KR (1) | KR100582208B1 (ja) |
| DE (1) | DE10059637B4 (ja) |
| TW (1) | TW464937B (ja) |
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