JP2000040858A - 光半導体装置、その製造方法、および半導体ウェハ - Google Patents
光半導体装置、その製造方法、および半導体ウェハInfo
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Abstract
に関し、SiC基板上にGaN系半導体結晶をエピタキ
シャルに成長し、かつSiC基板とGaN系半導体結晶
層との間に良好な電気的伝導性を実現する技術を提供す
ることを目的とする。 【解決手段】 n型SiC基板と、前記n型SiC基板
上に直接エピタキシャルに形成され、3×1018〜1×
1020cm-3のn型キャリア濃度を有するAlxGa
1-x N層(0<x<0.4)とを有する。
Description
に係り、特にレ−ザダイオ−ドおよびその製造方法に関
する。レーザダイオード,発光ダイオードあるいはフォ
トダイオード等の光半導体装置は、光通信や光情報処
理、さらに情報記録の分野において広く使われている。
一般にレーザダイオードは赤色光から赤外光の波長領域
において発振するが、光情報記録の分野では、より大き
い記録密度を実現すべく、より短波長で発振するレーザ
ダイオードが要求されている。また、かかる短波長に光
に感応するフォトダイオードが要求されている。
が400nm以下の青色あるいは紫外光領域で動作する
レーザダイオードやフォトダイオードなどの光半導体装
置を構成するのに有望な材料である。GaN結晶を活性
層に使った青色発光ダイオードはすでに実用化されてい
る。またInGaN結晶を活性層として使ったGaN/
InGaN/GaNダブルヘテロ構造の青色レーザダイ
オードが公知である。かかるGaNを使った青色光半導
体装置では、GaN結晶によりバンドギャップの小さい
成分を導入した混晶を使うことにより、緑色の発光が得
られる。
ツ鉱型の結晶構造を有しており、現在の技術では単結晶
基板の作製が困難であるため、かかるGaNを活性層と
する光半導体装置では、前記GaN活性層を、GaNと
同様な六方晶系に属するサファイア(Al2 O3 )単結
晶基板のc面上にエピタキシャル成長させることにより
形成している。
NのMQW構造を有する青色レ−ザダイオ−ド1の構成
を示す。図1を参照するに、青色レ−ザダイオ−ド1は
サファイア基板11上に形成され、前記基板11上に形
成されたGaNバッファ層12と、前記GaNバッファ
層12上に形成されたn型GaN電極層13と、前記電
極層13上に形成された、組成がAl0.09Ga0.91Nを
有するn型AlGaNよりなる下側クラッド層14と、
前記クラッド層14上に形成されたn型GaN光導波層
15と、前記n型光導波層15上に形成された、非ドー
プGaN/InGaN/GaNの積層構造を有するMQ
W活性層16と、前記MQW活性層16上に形成された
p型GaN光導波層17と、前記p型光導波層17上に
形成された組成がAl0.09Ga0.91Nを有するp型Al
GaNよりなる上側クラッド層18とを含み、前記上側
クラッド層18には前記活性層16およびその上下の光
導波層15,17中に導波路を形成する導波リッジ18
Aが形成される。さらに、前記導波リッジ18Aの頂部
にはp型GaNよりなるコンタクト層19が形成され、
前記上側クラッド層18およびその上のGaNコンタク
ト層18Aは、前記導波リッジ18Aの側壁面も含めて
SiO2 等の絶縁膜20により覆われ、さらに前記絶縁
膜20上には前記絶縁膜20中に形成されたコンタクト
ホールを介して前記GaNコンタクト層18Aとコンタ
クトするように、p型電極21が形成される。
層構造は、前記基板11に実質的に垂直な側壁面W1,
W2により画成され、また紙面の上下方向に対向する一
対のミラー面により光共振器が形成される。さらに、前
記基板11、バッファ層12およびその上の電極層13
は前記側壁面W2を超えて延在し、前記電極層13の延
在部上にn型電極22が形成される。
420nmの範囲に発振波長を有し、特に高密度情報記
録の分野において、重要な用途を有する。
−ザダイオ−ド1では、サファイア結晶のc面がGaN
に対して13%以上の格子不整合を有している結果、前
記MQW層16を含む光学的活性層15〜17中に高濃
度の結晶欠陥が導入されやすい問題点がある。また、レ
ーザダイオード1では絶縁性のサファイア基板を使うた
め、通常の端面発光型のレ−ザダイオ−ドと異なり基板
底面に電極を設けることが困難で、このため形成するレ
ーザダイオードの構成あるいは製造工程が複雑になって
しまう問題点が存在する。さらに、サファイア基板はへ
き開性が乏しく、このため通常の閃亜鉛鉱型の結晶構造
を有するレ−ザダイオ−ドと異なり、へき開によりレ−
ザダイオ−ドのミラー面を形成するのが困難である。図
1の青色レ−ザダイオ−ド1では、前記一対のミラー面
はドライエッチング法により形成されるが、かかる工程
は時間がかかり、また形成されるミラー面の平坦性も垂
直性も、へき開により形成される面の平坦性に及ばな
い。
同じ六方晶系に属し、導電性を有するSiCをGaN活
性層を有する光半導体装置の基板として使うことが提案
されている。例えば、特開平10−135576号公報
には、6H−SiC単結晶基板の(0001)Si面上
にGaN活性層をエピタキシャル成長させる技術が記載
されている。SiC基板はGaNに対する格子不整合が
4%以下と小さく、また電気伝導性を有し、さらにサフ
ァイアよりも優れた熱伝導特性を有する好ましい特徴を
備えている。このため、通常の端面発光型レ−ザダイオ
−ドと同様な構成の青色レ−ザダイオ−ドを形成するこ
とができる。
性層をエピタキシャルに形成するためには、前記SiC
基板上にGaNバッファ層を形成する必要があるが、G
aNはSiC基板上において島状成長を生じ、その結果
かかる構成のエピタキシャル構造ではGaN活性層を平
坦に形成することが困難になる。また、これに伴い、G
aN活性層中には様々な欠陥が導入され、活性層中にお
けるGaNとフォトンとの間の相互作用が阻害されるた
め、レ−ザダイオ−ドの発光効率が低下する等の問題が
生じる。
SiC基板上にAlNあるいはAlGaN膜をバッファ
層としてエピタキシャル成長し、その上にGaN膜を成
長させることで回避できる。しかし、AlN膜に導電性
を付与するのは、現在の技術では困難である。一方、A
lGaN膜の場合、Al組成が40%以下の範囲におい
てはn型の導電性を付与することが可能である。従っ
て、このような組成範囲であれば、前記AlGaNバッ
ファ層を介してGaN活性層とSiC基板とを電気的に
接続することが可能である。
う場合、GaN活性層の下地として適当な平坦な表面を
有し、しかも好ましい、十分な導電性を有するAlGa
N膜を形成できる条件は、未だ不明のままであった。そ
こで、本発明は上記の課題を解決した、新規で有用な光
半導体装置およびその製造方法を提供することを概括的
課題とする。
上にGaを含むIII族元素の窒化物をエピタキシャル
成長させた光半導体装置において、前記窒化物のエピタ
キシャル層を平坦化すると同時に、前記SiC基板と前
記窒化物のエピタキシャル層との間に良好な電気伝導性
を確保することにある。本発明の他の課題は、簡単な構
造で電流注入を所望のストライプ領域に確実に制限で
き、高出力においても効果的な横モード制御を行なえる
光半導体装置を提供することにある。
域を有する光半導体装置、およびその製造方法を提供す
ることにある。本発明の他の課題は、Gaを含むIII
族元素の窒化物を活性層として含む光半導体装置におい
て、前記活性層からの電子のオーバーフローを抑止する
エレクトロンブロック層のドーピングプロファイルを、
クラックを発生させず、しかも前記活性層中へのキャリ
アの閉じ込めを向上させ、しきい値電圧を低下させた光
半導体装置を提供することにある。
を、請求項1に記載したように、第1の導電型を有する
SiC基板と、前記基板上にエピタキシャルに形成され
た、前記第1の導電型を有し、組成がAlx Ga1-x N
で表されるAlGaNよりなるバッファ層と、前記バッ
ファ層上にエピタキシャルに形成された前記第1の導電
型を有する第1のクラッド層と、前記第1のクラッド層
上にエピタキシャルに形成された活性層と、前記活性層
上にエピタキシャルに形成された、前記第1の導電型と
は逆の第2の導電型を有する第2のクラッド層と、前記
第2のクラッド層に第1の極性の第1のキャリアを注入
するように形成された第1の電極と、前記SiC基板上
に、第2の極性の第2のキャリアを注入するように形成
された第2の電極とよりなり、前記バッファ層は、前記
第1の導電型のキャリアを、3×1018〜1×1020c
m-3の範囲の濃度で含み、前記組成パラメータxが0よ
り大で0.4より小である(0<x<0.4)ことを特
徴とする光半導体装置により、または請求項2に記載し
たように、前記基板は、前記第1の導電型のキャリア
を、1×1018〜1×1020cm-3の範囲の濃度で含む
ことを特徴とする請求項1記載の光半導体装置により、
または請求項3に記載したように、前記バッファ層にお
いて、前記組成パラメータxは0.09未満(x<0.
09)であることを特徴とする請求項1または2記載の
光半導体装置により、または請求項4に記載したよう
に、前記基板は、SiCの(0001)Si面を有し、前
記バッファ層は前記(0001)Si面において、前記基
板に密接して形成されることを特徴とする請求項1〜3
のうち、いずれか一項記載の光半導体装置により、また
は請求項5に記載したように、SiC基板上に、有機金
属気相成長法により、組成がAlx Ga1-x N(0<x
<0.4)で表されるAlGaN膜を、成長圧力90T
orr以下でエピタキシャル成長させる工程を含むこと
を特徴とする光半導体装置の製造方法により、または請
求項6に記載したように、第1の導電型を有するSiC
基板と、前記SiC基板上にエピタキシャルに形成され
た第1の導電型のAlGaNよりなるバッファ層と、前
記バッファ層上にエピタキシャルに形成された第1の導
電型のAlGaNよりなる第1のクラッド層と、前記第
1のクラッド層上にエピタキシャルに形成された第1導
電型のGaNよりなる光導波層と、前記光導波層上にエ
ピタキシャルに形成された、III族元素としてGaと
Inを含みV族元素としてNを含む活性層と、前記活性
層上にエピタキシャルに形成された第2の、逆導電型の
AlGaNよりなる第2のクラッド層と、前記第2のク
ラッド層に第1の極性の第1のキャリアを注入するよう
に形成された第1の電極と、前記SiC基板上に第2
の、逆極性の第2のキャリアを注入するように形成され
た第2の電極とを備え、前記SiC基板と前記活性層と
の間の間隔を約1.6μm以上としたことを特徴とする
光半導体装置により、または請求項7に記載したよう
に、前記バッファ層はAlx Ga1-x Nで表される組成
を有し、前記第1のクラッド層はAly Ga1-y Nで表
される組成を有し、前記第2のクラッド層はAlzGa
1-z Nで表される組成を有し、前記バッファ層の組成パ
ラメータxは0.08以上0.5未満(0.08≦x<
0.5)とされ、前記第1のクラッド層の組成パラメー
タyは0.05以上で前記組成パラメータx以下(0.
05≦y≦x)とされ、前記第2のクラッド層の組成パ
ラメータzは前記組成パラメータyよりも小(z<y)
とされたことを特徴とする請求項6記載の光半導体装置
により、または請求項8に記載したように、基板と、前
記基板上にエピタキシャルに形成された、第1の導電型
を有する第1のクラッド層と、前記第1のクラッド層上
にエピタキシャルに形成された活性層と、前記活性層上
にエピタキシャルに形成された、第2の、逆導電型を有
する第2のクラッド層と、前記第2のクラッド層上にエ
ピタキシャルに形成された、第2の導電型を有する第3
のクラッド層と、前記第3のクラッド層上に形成され
た、第2の導電型を有するコンタクト層と、前記コンタ
クト層上に形成された第1の電極と、前記基板上に、前
記第1のクラッド層に電気的に接続されて形成された第
2の電極とを備え、前記第3のクラッド層はリッジ構造
を形成し、さらに前記第2のクラッド層と第3のクラッ
ド層との間には、前記リッジに対応し、前記リッジの幅
よりも狭い幅の開口部を有する絶縁膜が介在することを
特徴とする光半導体装置により、または請求項9に記載
したように、前記コンタクト層は、前記第3のクラッド
層により形成されるリッジ構造の両側壁面および頂面を
連続して覆うことを特徴とする請求項8記載の光半導体
装置により、または請求項10に記載したように、前記
第1の電極は、前記コンタクト層の両側壁面および頂面
を連続して覆うことを特徴とする請求項9記載の光半導
体装置により、または請求項11に記載したように、前
記リッジ構造は前記絶縁膜を露出するリセス構造中に形
成されており、前記第1の電極は、前記リセス構造を埋
めることを特徴とする請求項10記載の光半導体装置に
より、または請求項12に記載したように、前記第3の
クラッド層はIII族元素の窒化物よりなることを特徴
とする請求項10記載の光半導体装置により、または請
求項13に記載したように、第1の導電型を有する基板
と、前記基板上にエピタキシャルに形成された、第1の
導電型を有する第1のクラッド層と、前記第1のクラッ
ド層上にエピタキシャルに形成された活性層と、前記活
性層上にエピタキシャルに形成された、第2の、逆導電
型を有する第2のクラッド層と、前記第2のクラッド層
上にエピタキシャルに形成された、第2の導電型を有す
る第3のクラッド層と、前記第3のクラッド層上に形成
された、第2の導電型を有するコンタクト層と、前記コ
ンタクト層上に形成された第1の電極と、前記基板上に
形成された第2の電極とを備え、前記第3のクラッド層
はT字型の断面を有するリッジ構造を形成し、前記第3
のクラッド層の下部には、両側壁面からリッジ中心線に
向かって切り込む一対の隙間が形成されていることを特
徴とする光半導体装置により、または請求項14に記載
したように、下地半導体層上に開口部を有する絶縁膜パ
ターンを形成する工程と、前記絶縁膜パターン上に、A
lとIII族元素の窒化物を有機金属気相成長法により
堆積し、前記開口部に対応して前記下地半導体層上に、
前記開口部に対応して前記窒化物の再成長領域を形成す
る工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法
により、または請求項15に記載したように、前記有機
金属気相法による窒化物の堆積工程は、前記AlとII
I族元素の窒化物を形成する原料にハロゲン元素を混合
する工程を含むことを特徴とする請求項14記載の光半
導体装置の製造方法により、または請求項16に記載し
たように、前記有機金属気相法による窒化物の堆積工程
は、前記ハロゲン元素を反応室中に、Nの気相原料とは
別に供給する工程を含むことを特徴とする請求項15記
載の光半導体装置の製造方法により、または請求項17
に記載したように、前記有機金属気相法による窒化物の
堆積工程は、ハロゲンを含む有機金属原料を使って実行
されることを特徴とする請求項14記載の半導体装置の
製造方法により、または請求項18に記載したように、
基板と、前記基板上にエピタキシャルに形成された、n
型の導電型を有するIII族元素の窒化物よりなる第1
のクラッド層と、前記第1のクラッド層上にエピタキシ
ャルに形成された、前記n型の導電型を有するIII族
元素の窒化物よりなる第1の導波層と、前記第1の導波
層上にエピタキシャルに形成された、III族元素の窒
化物を含む活性層と、前記活性層上にエピタキシャルに
形成された、p型の導電型を有するIII族元素の窒化
物よりなるエレクトロンブロック層と、前記エレクトロ
ンブロック層上にエピタキシャルに形成された、p型の
導電型を有するIII族元素の窒化物よりなる第2の導
波層と、前記第2の導波層上にエピタキシャル形成され
た、p型の導電型を有するIII族元素の窒化物よりな
る第2のクラッド層と、前記第2のクラッド層上にエピ
タキシャルに形成された、p型の導電型を有するIII
族元素の窒化物よりなるコンタクト層と、前記コンタク
ト層上に設けられた第1の電極と、前記基板上に、電子
を前記第1のクラッド層に注入するように設けられた第
2の電極とよりなり、前記エレクトロンブロック層と前
記第2の導波層と前記第2のクラッド層と前記コンタク
ト層の各々は、いずれもMgによるドープされており、
前記第2の導波層および第2のクラッド層中におけるM
g濃度は、前記エレクトロンブロック層中のMg濃度お
よび前記コンタクト層中のMg濃度のいずれよりも低い
ことを特徴とする光半導体装置により、または請求項1
9に記載したように、前記第2の導波層中および第2の
クラッド層中におけるMg濃度は、4×10 19cm-3以
下であることを特徴とする請求項18記載の光半導体装
置。
トロンブロック層中および前記コンタクト層中における
Mg濃度は、4×1019cm-3を超えることを特徴とす
る請求項19記載の光半導体装置により、または請求項
21に記載したように、n型SiC基板と、前記基板上
にエピタキシャルに形成された、組成がAlx Ga1-x
Nで表されるn型AlGaN層とよりなり、前記AlG
aN層は、3×1018〜1×1020cm-3の範囲のキャ
リア密度を有し、前記組成パラメータxが0より大で
0.4より小である(0<x<0.4)ことを特徴とす
る半導体ウェハにより、または請求項22に記載したよ
うに、前記基板は、1×1018〜1×1020cm-3の範
囲のキャリア密度を有することを特徴とする請求項21
記載の半導体ウェハにより、または請求項23に記載し
たように、前記組成パラメータxは、0.09未満(x
<0.09)であることを特徴とする請求項21または
22記載の半導体ウェハにより、または請求項24に記
載したように、前記基板は、SiCの(0001)Si面
を有し、前記バッファ層は前記(0001)Si面におい
て、前記基板に密接して形成されることを特徴とする請
求項21〜23のうち、いずれか一項記載の半導体ウェ
ハにより、解決する。
1-x N(0<x<0.4 )をAlGaNと記す。この組成
範囲がn型ドーピングが可能で、かつエピタキシャル層
表面を平坦にできる範囲である。AlGaN層は、Si
C基板上に有機分子気相成長法(MOVPE)によりエ
ピタキシャルに成長することができる。成長圧力を10
0torrとした場合、AlGaNのAl組成を9%以
上とした時、平坦な表面を得ることができる。
Nバッファ層を成長し、その上に所望のGaN系結晶層
を積層してGaN系レーザを形成することができる。こ
のようにして作成したGaN系半導体レーザは、発振波
長420nmで発振し、しきい値電流は500mA,し
きい値電圧は22Vであった。GaN系半導体のpn接
合の作り付け電位は本来約3Vであり、この値から期待
される理想的な半導体レーザのしきい値は4〜5Vであ
る。実際に必要であったしきい値電圧22Vは、pn接
合の作り付け電位から期待される理想値と較べると極め
て大きな電圧である。
明し、SiC基板とAlGaNバッファ層の間の界面抵
抗が大きな原因の1つであることを解明した。SiCと
AlGaNのバンド構造の詳細は、現在まで明確ではな
い。さらに、SiCとAlGaNの界面には多くの結晶
欠陥が存在する。従って、SiC−AlGaN界面の界
面抵抗を下げる方法を理論的に究明することは非常に困
難である。
C基板とその上に成長するバッファ層との間の界面抵抗
を低減できる解決策を求め、その結果を得た。図2
(A)に、実験に用いたサンプルの構成を概略的に示
す。改良レイリー法によりバルク成長させた窒素ドープ
のn型SiC基板1は、厚さ約200μm ,面積約1c
m2 であり、6H−ウルツ鉱型構造の(0001)Si面
を有する。n型AlGaN層2は、n型不純物としてS
iを用い、SiC基板上にMOVPE法によりエピタキ
シャルに成長され、厚さ約1μm である。なお、電極と
のコンタクト抵抗を低減させるため、n型AlGaN層
2の上に、さらにn型GaN層3を厚さ約0.2 μm MO
VPE工程によりエピタキシャルに成長した。
ばトリメチルガリウム(TMG),トリエチルガリウム
(TEG),トリメチルアルミニウム(TMA),トリ
メチルインジウム(TMI),アンモニア(NH3 )を
用い、不純物ガスとしてモノシラン(SiH4 )とビス
シクロペンタジエニルマグネシウム(Gp2 Mg)を用
い、成長温度1090℃で行った。
成し、n型GaN層3の表面上に円形またはストライプ
状の電極6を形成した。電極6は、Ti層の上にAl層
を積層した積層電極である。円形電極の場合には、直径
を30μm 〜90μm の範囲で選択した。ストライプ状
電極の場合、幅は2〜15μm ,長さは300〜900
μm の範囲で選択した。n型AlGaN層2およびn型
SiC基板のn型キャリア濃度、n型AlGaN層2の
Al組成、MOVPEの成長圧力を変化させて、その結
果を調べた。
リア濃度を変化させた時の、SiC/AlGaN界面の
界面抵抗率の変化を示すグラフである。横軸はn型Al
GaN層中のn型キャリア濃度を対数スケール、単位c
m-3で示し、縦軸は界面抵抗率を対数スケール、単位Ω
cm2 で示す。n型SiC基板1のn型キャリア濃度は
1×1017cm-3とし、n型Alx Ga1-x N層のAl
組成はx=0.09とした。
ャリア濃度を1×1017cmから1×1020cm-3まで
変化させた時の界面抵抗率のプロットを示す。図1
(A)に示す構成の場合、電極、SiC基板、AlGa
N層、GaN層それぞれのバルク抵抗は無視できる程度
の値であり、電極の接触抵抗、AlGaN/GaNの界
面抵抗も無視できる値である。従って、電極5,6間に
電流を流した時に測定される抵抗は、実効的にSiC/
AlGaNの界面抵抗のみである。
率のプロットは、2つの直線r1,r2上に乗ってい
る。すなわち、キャリア濃度が約5×1018cm-3以上
の場合、界面抵抗率のプロットは勾配のゆるやかな直線
r2上にあり、キャリア濃度が約5×1019cm-3以下
の場合界面抵抗率のプロットは勾配の急な直線r1上に
ある。
であり、キャリア濃度を変化させたときの界面抵抗率の
変化が小さいことを示している。また、勾配の異なる2
つの直線は、直線r1の領域と直線r2の領域で異なる
現象が生じていることを示唆する。n型AlGaN層2
のキャリア濃度を約5×1018cm-3以上にすれば、A
lGaN/SiC界面の界面抵抗率は勾配のゆるやかな
直線r2上にあり、低い界面抵抗を安定に得ることがで
きる。
た場合、全エピタキシャル層の抵抗が約10Ω程度とな
る。AlGaN/SiC界面の界面抵抗は、この全エピ
タキシャル層の抵抗値よりも低くすることが望まれる。
エピタキシャル層の面積が700μm ×4μm 程度であ
る場合、キャリア濃度が3×1018cm-3程度であって
も界面抵抗の値はエピタキシャル層の全抵抗よりも確実
に小さなものとすることができる。従って、n型AlG
aN層2のキャリア濃度としては、約3×1018cm-3
以上が好ましく、約5×1018cm-3以上がより好まし
い。
1×1020cm-3を越える値にしようとした場合、Al
GaN層表面に非常に多くの結晶欠陥が発生し、実験を
行うことが困難であった。従って、n型AlGaN層2
のキャリア濃度は約1×10 20cm-3以下とすることが
好ましい。上記の実験においては、n型SiC基板上に
成長するn型AlGaN層2のキャリア濃度を変化させ
た。次に、n型SiC基板1のキャリア濃度を変化さ
せ、界面抵抗率の変化を測定した。n型Alx Ga1-x
N層2のAl組成はx=0.09, キャリア濃度は5×10
18cm-3とした。
変化させた時の界面抵抗率の変化を示すグラフである。
図3中横軸はn型SiC基板1内のキャリア濃度を単位
cm -3で対数スケールで示し、縦軸はSiC/AlGa
N界面の界面抵抗率を単位Ωcm2 で対数スケールで示
す。グラフには、n型SiC基板のキャリア濃度を1×
1017cm-3から3×1019cm-3まで変化させた時の
プロットを示す。
トは直線r3,r4上にある。すなわち、n型SiC基
板1のキャリア濃度が約1×1018cm-3以下の場合、
界面抵抗率は直線r3上にあり、キャリア濃度が約1×
1018cm-3以上の場合、界面抵抗率は直線r4の上に
ある。直線r4は、直線r3よりも勾配がゆるやかであ
り、キャリア濃度を変化させても界面抵抗率の変化は小
さい。
cm-3よりも高くしようとした場合、SiCバルク結晶
の結晶性が著しく劣化し、実験ができなかった。従っ
て、n型SiC基板1は、約1×1018cm-3〜1×1
020cm-3の範囲のキャリア濃度を有することが好まし
い。キャリア濃度が1×1018cm-3よりも小さくなる
と、界面抵抗は急激に増大する。キャリア濃度が1×1
020cm-3を越えるとSiC基板の結晶性が劣化する。
成xを変化させた場合界面抵抗率がどのように変化する
かを調べた。n型SiC基板1のキャリア濃度は1×1
018cm-3,n型AlGaN層2のキャリア濃度は5×
1018cm-3とした。図4は、n型AlGaN層2のA
l組成を変化させた時の界面抵抗率の変化の様子を示
す。横軸はAl組成を単位%で示し、縦軸は界面抵抗率
を示す。横軸、縦軸共にリニアスケールで示す。
抗率のプロットは、直線r5,r6上にある。Al組成
が約9%以下の領域においては勾配のゆるやかな直線r
5上に界面抵抗率のプロットが存在し、Al組成が約9
%を越えると、界面抵抗率のプロットは勾配のより急峻
な直線r6上にあり、Al組成の増加と共に界面抵抗率
は急峻に増加する。従って、n型AlGaNバッファ層
2のAl組成は、9%未満とすることが好ましい。
PEを用いて得た。しかしながら、界面抵抗率は基本的
にバンド構造と不純物濃度とに支配されると考えられ
る。従って、分子線エピタキシ(MBE)等の他の成長
方法を用いても同様の結果が得られると考えられる。G
aN系半導体結晶の結晶成長をMOVPEによって行う
場合、成長圧力を100torrとしていた。しかし、
成長圧力を100torrとした場合、平坦な表面のエ
ピタキシャル層を得るためには、SiC基板上に直接成
長するAlGaNバッファ層のAl組成を8%より大き
くする必要があった。本発明の発明者は成長条件を種々
に変化させた結果、成長圧力を下げることにより8%以
下のAl組成のAlGaN層でも平坦な表面を形成する
ことができることを見いだした。
長において、成長圧力と平坦な表面を得るために必要な
最低Al組成の関係を示す。横軸は成長圧力を単位to
rrでリニアスケールで示し、縦軸は最低Al組成を単
位%でリニアスケールで示す。図5を参照するに、成長
圧力を低下させるに従い、平坦な表面を得るために必要
な最低Al組成(%)は次第に減少しているのがわか
る。言い換えると、低いAl組成のAlGaN層も、成
長圧力を下げたMOVPEで成長すれば平坦な表面を有
するようになる。
度の誤差を含む。成長圧力100torr,70tor
r,50torrのプロットは、ほぼ直線r7上に乗っ
ているが、成長圧力20torrのプロットは、この直
線r7から幾分離れている。これが測定誤差によるもの
か、成長構造の変化によるものかは現在のところ不明で
ある。
Al組成x(%)の値は、約±1%の誤差を含むものと
し、その値を約x%と表現する。図5の結果から、約8
%のAl組成を有し、平坦な表面を有するAlGaN層
を成長するためには、成長圧力は90torr以下とす
ることが好ましいと結論される。またAl組成約6%の
平坦な表面を有するAlGaN層を成長するためには、
成長圧力は70torr以下とすることが好ましい。A
l組成約4%で平坦な表面を有するAlGaN層を成長
するためには、成長圧力は50torr以下とすること
が好ましい。同様に、Al組成約2%で平坦な表面を有
するAlGaN層を成長するためには、成長圧力を20
torr以下とすることが好ましい。
り、n型SiC基板上にn型AlGaN層をエピタキシ
ャルに成長し、低い界面抵抗と平坦な表面を実現するこ
とができる。従って、さらに必要なエピタキシャル層を
積層することにより、しきい値電圧の低いGaN系半導
体レーザ装置を実現することができる。SiC基板上に
n側電極を形成した半導体装置を作成することができ
る。
利用したGaN系半導体レーザ100の構造を概略的に
示す。図6(A)を参照するに、n型SiC基板31
は、6Hウルツ鉱型構造を有し、その表面は(000
1)Si面である。n型SiC基板31には窒素がドープ
されており、n型の導電性を示す。n型キャリア濃度
は、例えば8×1017cm-3である。
タキシャル構造30、活性層40、p型エピタキシャル
構造50が積層されている。n型エピタキシャル構造3
0は、下からn型Al0.09Ga0.91Nのバッファ層3
2、n型GaNのバッファ層33、n型Al0.09Ga
0.91Nのクラッド層34、n型GaNの光導波層35を
含む。
は、例えば厚さ約0.15μm ,n型不純物Si濃度8×1
018cm-3を有する。n型GaNバッファ層33は、例
えば厚さ約0.1 μm ,n型不純物Si濃度3×1018c
m-3を有する。n型Al0.09Ga0.91Nのクラッド層3
4は、例えば厚さ約0.5 μm ,n型不純物Si濃度約3
×1018cm-3を有する。n型GaNの光導波層35
は、例えば厚さ約0.1 μm,n型不純物Si濃度約3×
1018cm-3を有する。
0.03Ga0.97Nで形成されるノンドープ多重量子井戸構
造であり、3層のIn0.15Ga0.85N井戸層と4層のI
n0.03Ga0.97Nバリア層とが交互に配置された構造を
有する。In0.15Ga0.85N井戸層は、例えば厚さ約4.
0 nmであり、In0.03Ga0.97Nバリア層は例えば厚
さ約5.0 nmである。
p型Al0.18Ga0.82Nのエレクトロンブロック層5
1,p型GaNの光導波層52,p型Al0.09Ga0.91
Nのクラッド層53,p型GaNのコンタクト層54を
含む。p型Al0.18Ga0.82Nエレクトロンブロック層
51は広いバンドギャップを有し、下方から進入する電
子をブロックする役割を果たす。このエレクトロンブロ
ック層51は、例えば厚さ約20nmであり、p型不純
物Mg濃度約5×10 19cm-3を有する。p型GaN光
導波層52は、例えば厚さ約0.1 μm ,p型不純物Mg
濃度約5×1019cm-3を有する。p型Al0.09Ga
0.91Nクラッド層53は、例えば厚さ約0.5 μm ,p型
不純物Mg濃度約5×1019cm-3を有する。p型Ga
Nコンタクト層54は、p型電極に対するコンタクト抵
抗を低減させるための層であり、例えば厚さ0.2 μm ,
p型不純物Mg濃度約5×1019cm-3を有する。
OVPEにより、例えば成長圧力100torrで成長
することができる。成長原料としては、例えばトリメチ
ルガリウム(TMG),トリエチルガリウム(TE
G),トリメチルアルミニウム(TMA),トリメチル
インジウム(TMI),アンモニア(NH3 )を用い、
トーパント原料としてはモノシラン(SiH4 )とビス
シクロペンタジエニルマグネシウム(Cp2 Mg)を用
いることができる。n型SiC基板11は、種結晶を用
いた気相成長法である改良レイリー法によりバルク成長
したSiC基板を用いることができる。
1090℃,成長速度2μm /hrで成長することがで
きる。活性層構造40は、例えば成長温度780℃,成
長速度約0.3 μm /hrで成長することができる。p型
層構造50は、例えば成長温度1130℃,成長速度1
μm /hrで成長することができる。n型Al0.09Ga
0.91Nバッファ層32がn型キャリア濃度約8×1018
cm -3を有するため、図2(B)のグラフから明らかな
ようにn型SiC基板31とn型Al0.09Ga0.91Nバ
ッファ層12との界面の界面抵抗を低く抑えることがで
きる。
00μm の基板を用いてその上にエピタキシャル成長を
行い、成長後SiC基板の裏面を研磨し、厚さを約10
0μm 程度まで薄くする。その後、ドライエッチングに
よりエピタキシャル層表面に幅約3〜5μm ,たとえば
3.5 μm ,高さ約0.4 μm のメサを形成する。クラッド
層53の厚さ分布を形成することにより、屈折率ガイド
構造が形成され、レーザの横モード制御が行われる。
縁膜61を堆積し、窓を形成してn型GaNコンタクト
層54表面を露出させる。窓の幅は、例えば1〜4μm
程度とする。その後、SiC基板31裏面全面にNi
層、Ti層、Au層を順次積層し、n側電極63を形成
する。また、メサ上面にNi層、Ti層、Au層を順次
積層し、パターニングしてn側電極62を作成する。
する方向に劈開を行い、図6(B)に示すように例えば
長さ約700μm のリッジ型共振器を形成する。ストラ
イプの方向は〔1−100〕方向であり、劈開面は〔1
−100〕面である。図6(B)の構造では、前記劈開
面上にミラーHRが形成されている。このような構造に
より、半導体レーザ素子を作成し、波長420nmで発
振させることができた。駆動電源としてパルス電源を用
い、1kHz〜10kHzで駆動した。しきい値電圧5
00mA,しきい値電圧15Vが得られた。
2のキャリア濃度を3×1018cm -3としたサンプルも
作成した。このサンプルにおいては、420nmで発振
を行うことができたが、しきい値電流は500mA,し
きい値電圧は22Vであった。すなわち、n型Al0.09
Ga0.91N層32のキャリア濃度を3×1018cm-3か
ら8×1018cm-3に増加させたことにより、しきい値
電圧を22Vから15Vに減少させることができた。
m-3から4×1018cm-3に増加させ同様の半導体レー
ザを作成した。このレーザは420nmで発振し、しき
い値電流は500mA,しきい値電圧は12Vであっ
た。SiC基板のn型キャリア濃度を増大させたことに
より、しきい値電圧がさらに3V低下した。図2(B)
に示す特性からは、n型Al0.09Ga0.91N層32のキ
ャリア濃度をさらに増大させれば、しきい値電圧をさら
に低下させることが可能であると推測される。また、図
4の特性からは、n型AlGaNバッファ層のAl組成
を0.09からより小さな値に減少させることにより、界面
抵抗を減少させることができ、しきい値電圧をさらに減
少させることができると期待される。
るためには、図5に示すように成長圧力を減少させるこ
とが好ましい。例えば、n型Al0.09Ga0.91N層32
の代わりにn型Al0.04Ga0.96Nバッファ層を成長圧
力40torrで形成する。他の層は図6で説明したも
のと同様であり、その製造プロセスも同様である。n型
Al0.04Ga0.96Nバッファ層のn型不純物Si濃度が
約8×1018cm -3とすれば、しきい値電圧は約10V
程度と低下するであろう。n型SiC基板表面上に形成
するn型AlGaNバッファ層のAl組成をさらに減少
させれば、界面抵抗、従ってしきい値電圧はさらに低下
すると考えられる。 [第2実施例]本発明の発明者は、先に説明した図6
(A),(B)の構造の青色レ−ザダイオ−ド100に
ついて、前記SiC基板31と活性層40との間の介在
する層の厚さとしきい値電流の関係を実験的に調べたと
ころ、図7の関係を見出した。ただし図7中、縦軸はレ
−ザダイオ−ドのしきい値電流密度を示し、横軸は前記
SiC基板31と活性層40との間に介在する膜の合計
膜厚を示す。
きい値電流は、前記基板31と活性層40との間に介在
する膜の厚さの合計が増大するにつれて減少する傾向を
一般的に示し、特に前記合計膜厚が約1.6μmに達す
るまでは急激に減少することがわかる。この理由は明ら
かではないが、基板31と活性層40との間に介在する
エピタキシャル層の合計膜厚が増大するにつれて、エピ
タキシャル層中の欠陥密度が減少するものと理解され
る。
ドのしきい値電流を低減するには、前記基板31と活性
層40との間に介在するエピタキシャル層の合計膜厚を
増大させればよいことを示しているが、一方でかかる合
計膜厚大きくなりすぎると、基板31上に形成されたエ
ピタキシャル層30,40,50中にクラックが生じや
すい問題が生じる。これは、おそらくSiC基板31と
その上の窒化物エピタキシャル層との間の熱膨張係数差
に起因する引っ張り応力が前記エピタキシャル層に作用
する結果であると考えられる。
a1-x Nで表される前記バッファ層32中のAl組成x
よりも、Aly Ga1-y Nで表される前記下側クラッド
層34のAl組成yを小さく設定することにより、かか
るクラックの発生が抑制されることを見出した。また、
本発明の発明者は、前記下側クラッド層34中のAl組
成yよりも、Alz Ga1-z Nで表される前記上側クラ
ッド層34のAl組成zを小さく設定することにより、
かかるクラックの発生がさらに抑制されることを見出し
た。これは、SiC基板とエピタキシャル層との間の格
子定数差により、前記バッファ層32あるいはクラッド
層34,53を含むエピタキシャル層中に圧縮応力が誘
起され、かかる圧縮応力が前記熱膨張係数差に起因する
引っ張り応力を打ち消すためと理解される。
−ザダイオ−ド200の構成を示す。ただし図8中、先
に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略
する。図8を参照するに、レ−ザダイオ−ド200では
GaNバッファ層33が省略されており、前記AlGa
Nバッファ層32とAlGaNクラッド層34とGaN
光導波層35の膜厚が、それぞれ1.0μm,1.5μ
mおよび0.1μmに設定される。その結果、前記Si
C基板31と活性層40との間の合計膜厚は2.6μm
となり、図7に示したように、しきい値電流が7〜8k
A/cm2 程度まで減少する。
4中のAl組成が0.10で、バッファ層32中のAl
組成0.15よりも小さく設定されており、さらに前記
上側クラッド層53中のAl組成が0.08で、前記下
側クラッド層34中のAl組成よりも小さく設定されて
いる。その結果、図8のレ−ザダイオ−ド200では、
前記基板31と活性層40との間のエピタキシャル層の
合計膜厚をこのように増大させてもクラックが発生する
おそれはない。
青色レ−ザダイオ−ド100と同様であり、説明を省略
する。図9は、図8のレ−ザダイオ−ド200の一変形
例によるレ−ザダイオ−ド210の構成を示す。ただし
図中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説
明を省略する。
ッド層34と光導波層35の厚さをそれぞれ0.35μ
m,1.15μmおよび0.1μmとし、その結果、前
記基板31と活性層40との間のエピタキシャル層の合
計膜厚は1.6μmになっている。また、前記バッファ
層32と下側クラッド層34とは同一のAl組成0.1
0を有しているが、前記上側クラッド層53中のAl組
成0.08は下側クラッド層34中のAl組成よりも小
さく、このためSiC基板31上に形成されるエピタキ
シャル層中におけるクラックの発生は効果的に抑制され
る。 [第3実施例]先に説明したリッジ型のレ−ザダイオ−
ド100,200あるいは210では、前記活性層40
中における水平横モードの制御は、前記上側クラッド層
53にメサ構造を形成することにより行われるが、十分
な水平横モードの制御を行なおうとすると、メサの幅を
2μm以下に設定する必要がある。しかし従来より、こ
のような非常に細いメサ構造の形成は困難であった。ま
た、このような構造では、メサの幅を2μm以下に設定
した場合、前記メサ上においてSiO2 膜61中に形成
される窓の幅も減少してしまい、その結果前記電極62
とコンタクト層54との接触面積が減少してしまう。換
言すると、先のリッジ型レ−ザダイオ−ドは、素子抵抗
が高くなる問題を有していた。また、このような非常に
細いメサ構造上でSiO2 膜61をパターニングし、コ
ンタクト窓を形成するのは非常に困難である。
は、垂直横モードに関連して、垂直方向における効果的
な活性層への光の閉じ込めを実現しようとすると、前記
上側クラッド層53の厚さを増大させる必要があるが、
クラッド層53の格子定数はバッファ層32の格子定数
と異なるため、クラッド層53の厚さを増大させるとク
ラックが発生してしまう。このため、従来のリッジ型レ
−ザダイオ−ド100,200あるいは210では十分
な光閉じ込めができず、その結果電極により損失が生じ
たり遠視野パターン(FFP)が単一ピークにならない
など、レ−ザダイオ−ドの動作特性に悪影響が生じる。
(B)は、上記の課題を解決した本発明の第3実施例に
よるレ−ザダイオ−ド300の製造工程を示す。ただ
し、先に説明した部分に対応する部分には同一の参照符
号を付し、説明を省略する。図10(A)を参照する
に、n型SiC基板31上にはn型窒化物層32〜35
を含むn型エピタキシャル層構造30と活性層40とp
型窒化物層51〜54を含むp型エピタキシャル層構造
50とが、図6(A)のレ−ザダイオ−ド100と同様
に積層され、最上層のp型GaNキャップ層54上には
典型的にはSiO2 よりなる絶縁膜301が、熱CVD
法により、約300nmの厚さに形成される。
チャントとして使ったフォトリソグラフィーによりパタ
ーニングされ、前記GaNキャップ層54を露出する幅
が約1μmのストライプ開口部301Wが、レ−ザダイ
オ−ドの長手軸方向、すなわち<1−100>方向に沿
って延在するように形成される。次に、図11(B)の
工程において、前記ストライプ開口部301Wにおいて
露出したGaNキャップ層54上に、前記SiO2 膜3
01をマスクに組成がAl0.09Ga0.91Nのp型AlG
aNを、MOVPE法により、前記クラッド層53を形
成するのと同様な条件下で典型的には約1.4μmの厚
さに堆積し、第3のクラッド層302を前記ストライプ
開口部301Wに対応して形成する。このようにして形
成されたクラッド層302は図11(B)中側方にも成
長し、前記絶縁膜301を部分的に覆い、かつレ−ザダ
イオ−ドの長手方向に延在するリッジ構造を形成する。
ラッド層302上にp型GaNよりなるコンタクト層3
03を同様にMOVPE法により、前記クラッド層30
2の上面およに両側壁面を連続して覆うように、約0.
2μmの厚さに形成し、さらに前記コンタクト層303
上に電極62を、前記コンタクト層303の上面および
両側壁面を連続して覆うように形成する。最後に、前記
レ−ザダイオ−ド100の場合と同様に前記SiC基板
31の底部を研磨し、電極63を形成する。
は、図10(A)の工程において前記絶縁膜301のフ
ォトリソグラフィーが、前記GaNキャップ層54の平
坦な主面上において実行されるため、精度のよいパター
ニングが可能で、前記開口部301Wの幅を、必要に応
じて容易に1μm以下に減少させることができる。本実
施例において、前記GaNキャップ層54は、前記絶縁
膜301を形成する際に、Alを含むクラッド層53の
酸化を抑止するために設けられる。前記絶縁膜301は
SiO2 膜に限定されるものではなく、SiNあるいは
Al2 O3膜を使うことも可能である。
板31を使ったレ−ザダイオ−ドのみならず、図1で説
明したサファイア基板を使ったレ−ザダイオ−ドに対し
ても適用可能である。サファイア基板を使う場合には、
前記開口部301Wの延在方向はサファイアの<11−
20>方向、すなわちGaNの<1−100>方向に設
定される。
ば、電極62がコンタクト層303を介してリッジ構造
のクラッド層32の上面および両側面を連続して覆うた
め、電極62のコンタクト抵抗が減少する。また、活性
層40へのキャリア(ホール)の注入が前記絶縁膜30
1中の細長い開口部301Wに限定されるため、クラッ
ド層302自体の幅を厳しく制限しなくても、前記活性
層40への電流狭搾が効果的に実現され、効果的な水平
横モードの制御が実現される。
常に狭い前記開口部301Wにおける選択成長により形
成されるため、GaNキャップ層54あるいはクラッド
層53の全面におけるエピタキシャル成長により形成さ
れる場合と異なり、格子の緩和が生じることがなく、厚
く形成してもクラックが発生することがない。このた
め、垂直方向への効果的な光の閉じ込めが実現され、遠
視野パターンが向上する。また、電極62による光損失
も抑制される。
前記絶縁膜301をマスクとした前記クラッド層302
あるいはコンタクト層303の選択成長時に、前記絶縁
膜301上に粒子状の析出物が生じる場合がある。この
ような粒子状の析出物が生じると、前記電極62を形成
した場合に密着性が劣化してしまうおそれがある。
(B)の工程において、前記クラッド層302およびコ
ンタクト層303の形成の後、前記SiO2 膜301を
HF等により除去してもよい。前記SiO2 膜301の
除去に伴い、その上に堆積していた粒子状の析出物も除
去される。このようにして形成した、本実施例の一変形
例によるレ−ザダイオ−ド310を図12に示す。
2は、図11(B)の場合と同様な基部の面積が縮小し
た逆T字型の断面形状を有するが、図11(B)のSi
O2膜301はエアギャップ301Gに置き換えられ、
図6(A)の場合と同様なSiO2 膜61が前記GaN
膜54の露出表面およびコンタクト層303を覆う。さ
らに前記SiO2 膜61には開口部が形成され、前記電
極62が前記開口部を介して前記コンタクト層303と
コンタクトする。
ような気相堆積法により形成されるが、このような場合
にはSiO2 膜61の一部が前記エアギャップ301G
中に侵入する場合もある。すなわち、前記レ−ザダイオ
−ド310において、前記エアギャップ301GはSi
O2 により完全に、あるいは部分的に充填されていても
よい。
0において、前記コンタクト層303は必要に応じて省
略することもできる。 [第4実施例]図13(A)は、先の実施例によるレ−
ザダイオ−ド300あるいは310の製造工程におい
て、前記クラッド層302あるいはコンタクト層303
を選択成長させる際にマスクとして使われる絶縁膜30
1の平面図である。
01においては幅が1μmの直線状開口部が300μm
の繰り返し周期で形成されており、このためこのような
絶縁膜301をマスクにMOVPE法を行なった場合、
供給された原料の大部分は絶縁膜301上に堆積するた
め、析出物が形成されやすい。これに対し、本実施例に
おいて提案する図13(B)のマスク301Aでは、幅
が例えば6μmの一対の直線状絶縁膜ストライプ301
aおよび301bを、間に幅が1μmの直線的に延在す
る隙間301nを隔てて配置した構造のマスクパターン
301cが、300μmの繰り返し周期で形成されてお
り、その結果、一のマスクパターン301cと隣接する
マスクパターン301cとの間には、下地のGaN膜5
4を露出する幅の広い開口部301wが形成される。
程において使った場合、供給される気相原料の大部分は
露出されたGaN膜54上に堆積してエピタキシャル層
を形成するため、マスクパターン301aあるいは30
1b上に堆積する原料の割合は最小化され、これに伴い
粒子状堆積物の形成も最小化される。図14は、選択成
長工程において図13(B)のマスク301Aを使っ
た、本発明の第4実施例によるレ−ザダイオ−ド400
の構成を示す。ただし、図14中、先に説明した部分に
対応する部分には同一の参照符号を付し、説明を省略す
る。
ップ層54上には図13(B)のマスク301Aが、S
iO2 パターンとして形成されており、前記マスク30
1Aを使ってMOVPE工程を実行することにより、前
記直線状開口部301nに対応して、先の実施例と同様
にp型AlGaNクラッド層302およびp型GaNコ
ンタクト層303が順次形成される。同時に、前記マス
ク301Aを構成するマスクパターン301cの外側
に、前記クラッド層302と実質的に同一の組成のp型
AlGaNエピタキシャル層302Aと、前記コンタク
ト層303と実質的に同一の組成のp型GaNエピタキ
シャル層303Aとが、順次形成される。その際、前記
クラッド層302および303よりなる構造と前記エピ
タキシャル層302Aおよび302Bよりなる構造との
間には、前記SiO2 マスク301Aを露出するリセス
部が形成される。
のSiO2 膜304により覆われ、前記SiO2 膜30
4中に前記リセス部に対応して前記コンタクト層303
を露出する開口部を形成した後、前記SiO2 膜304
上に前記リセス部を埋めるように前記電極62が形成さ
れる。前記SiO2 膜304は、例えば熱CVD法によ
り約200nmの厚さに形成され、さらにHFを使った
ウェットエッチングにより、前記開口部が形成される。
スク301A上への粒子状析出物の形成が最小化され、
レ−ザダイオ−ドを歩留まり良く製造することが可能に
なる。また、図14のレ−ザダイオ−ド400では、電
極62は大面積に形成できるため、またおおよそ平坦な
主面を有するため、実装が容易になる。 [第5実施例]先にも説明したように、レ−ザダイオ−
ド300,310、あるいは400においては、絶縁膜
マスクを使った選択成長工程において、絶縁膜マスク上
に粒子状の析出物が形成されやすい問題がある。これ
は、特にAlGaNよりなるクラッド層302を形成す
る場合に深刻になる。これはAlGaN中に含まれるA
lN成分が特にSiO2 膜上に付着しやすく、かかる付
着したAlNを核としてAlGaN粒子の堆積が生じる
ものと考えられる。
マスクを使ったAlGaNのMOVPE法による選択成
長に関する実験において、気相原料と同時にハロゲン元
素を含むガスを供給することにより、かかる粒子状析出
物の形成が抑制されることを発見した。図15(A)〜
(F)は、本発明者による実験を説明する。
基板501を有機洗浄および水洗した後、HF中におい
て1分間浸漬する。このように処理した基板501をM
OVPE装置の反応室中に、SiCの(0001)Si面
上に堆積が生じるように装着し、真空排気後、水素雰囲
気中、1080°Cにおいて5分間熱処理し、基板表面
の酸化膜を除去する。次に、基板温度を1050°Cま
で降下させ、TMG,TMAおよびNH3 をH2 キャリ
アガスと共に、それぞれ44μmol/min,8μm
ol/minおよび0.1μmol/minの流量で供
給し、基板に吹き付けることにより、AlGaN膜50
2を1μmの厚さにエピタキシャル形成する。
G,TMAの供給を停止し、NH3 のみを吹き付けなが
ら、基板温度を600°C以下に降下させ、前記反応室
中の雰囲気をN2 雰囲気に置換する。さらに室温まで冷
却した後、前記基板501を反応室から取り出し、CV
D法により、前記AlGaN膜上にSiO2 503膜
を、0.2μmの厚さに形成する。
記SiO2 膜503上にレジスト膜を塗布し、さらにこ
れをパターニングして幅が2μmのレジストパターン5
04を30μmピッチで形成する。次に、図15(D)
の工程において、前記レジストパターン504をマスク
に、前記SiO2 膜503をHFを使ったウェットエッ
チング工程によりパターニングし、前記AlGaN膜5
02を露出するラインアンドスペースパターンを形成す
る。さらに、図15(E)の工程において前記レジスト
パターン504を剥離液を使って除去した後、図15
(F)の工程において基板501を前記MOVPE装置
の反応室中に戻す。さらに前記反応室中を真空排気し、
水素雰囲気中、NH3 を流しながら1050°Cまで昇
温し、前記AlGaN膜502の露出部から自然酸化膜
を除去した後、TMG,TMA,CH3 ClおよびNH
3 を、H 2 キャリアガスと共に、それぞれ44μmol
/min、8μmol/min,52μmol/min
および0.1μmol/minの流量で供給し、前記基
板表面に吹き付けることにより、前記AlGaN膜50
2の露出部に、選択的にAlGaN膜504をエピタキ
シャル成長させる。
GaN膜504の選択成長の後、前記反応室中にNH3
を供給しながら基板温度を600°C以下に冷却し、さ
らに前記反応室中の雰囲気をN2 雰囲気に置換した後、
室温まで基板温度を降下させる。本実施例による選択成
長方法では、図15(F)の工程においてCH3 Clを
気相原料と共に供給することにより、CH3 Clの熱分
解により形成されたCl等のハロゲンとAlとが相互作
用をし、SiO2 マスク503上におけるAlN結晶核
の生成が抑制され、その結果多結晶堆積物の形成が抑制
されると考えられる。その際、特にCH3 Clは、V族
元素の原料ガスであるNH3 の導入ポートとは別の導入
ポートから供給するのが好ましい。本実施例では、前記
AlN結晶核の生成をAlとハロゲンとを反応させるこ
とにより抑制しているが、その際、ハロゲンはClに限
定されるものではなく、他の元素、例えばF等も使用可
能である。また、ハロゲンを供給するのに使われるガス
は、CH3 Clに限定されるものではない。
ッジ型青色レ−ザダイオ−ドの製造のみならず、Alを
含むIII族元素の窒化物を、絶縁膜マスクを使って選
択的にエピタキシャル成長する工程を含む半導体装置の
製造工程一般に適用可能である。 [第6実施例]先に説明した青色レ−ザダイオ−ド10
0,200,300,310,400では、いずれも活
性層40に隣接して、p型エピタキシャル構造50の側
に高濃度のMgでドープされたAlGaNよりなるエレ
クトロンブロック層51が形成されており、その外側に
p型GaNよりなる光導波層52およびp型AlGaN
よりなるクラッド層53が形成されている。エレクトロ
ンブロック層51は一般にAl組成がクラッド層53よ
りも大きく広いバンドギャップを有し、活性層40に注
入された電子が、抵抗率の比較的高いp型エピタキシャ
ル構造50中に形成される高電界により、活性層40か
らオーバーフローするのを阻止するために設けられる。
に記載された、サファイア基板上に形成される従来のリ
ッジ型青色レ−ザダイオ−ドにおいて使われているMg
濃度プロファイルを、活性層よりも上側の部分について
示す。図16を参照するに、上記従来のレ−ザダイオ−
ドでは、AlGaNよりなる前記エレクトロンブロック
層、その上のGaNよりなりSCH構造の一部を形成す
る光導波層、さらにその上のAlGaNよりなるクラッ
ド層のMg濃度が約5×1019cm-3に設定されてお
り、一方最上部のGaNコンタクト層においてのみ、M
g濃度が約1×1020cm-3に設定されている。また、
先の実施例で説明したレ−ザダイオ−ド100において
も、同様なMg濃度プロファイルが使われている。
を使った窒化物レ−ザダイオ−ドでは、エピタキシャル
層中にクラックが発生するのが避けられない。かかるク
ラックはレ−ザダイオ−ドの効率を低下させ、しきい値
電圧を上昇させるため、可能な限り減少させるのが好ま
しい。本発明の発明者は、先に説明したレ−ザダイオ−
ド100において、活性層よりも上のp型GaN光導波
層52およびその上のp型AlGaNクラッド層53中
のMg濃度を減少させた場合、レ−ザダイオ−ドを構成
するエピタキシャル層中に発生するクラックの密度が実
質的に減少するのを見出した。
よびクラッド層53中のMg濃度を、従来より一般的に
使われている5×1019cm-3から減少させると、前記
クラッド層53の表面において観察されるクラックの密
度が急激に減少し、Mg濃度が約4×1019cm-3以
下、特に約3×1019cm-3以下になると、実質的にゼ
ロになることがわかる。ただし、図17中、縦軸はクラ
ック密度を、横軸はMg濃度を示す。
ダイオ−ド100の素子抵抗も、図18に示すように前
記光導波層52およびクラッド層53中のMg濃度の減
少に伴い急激に減少し、3〜4×1019cm-3のところ
で最小値になる。ただし、図18中、横軸はMg濃度
を、縦軸はレ−ザダイオ−ド100において100mA
の電流を流すのに必要な印加電圧を示す。図18におい
て、Mg濃度をさらに減少させると素子抵抗は再び増加
するのがわかるが、これは光導波層52およびクラッド
層53中のキャリア密度が減少することに起因するもの
と思われる。
イオ−ド100において、図17,18の発見を勘案し
て最適化したMgドーピングプロファイルを示す。図1
9を参照するに、前記活性層40上の、組成がAl0.18
Ga0.82Nのp型AlGaNよりなるエレクトロンブロ
ック層51は約20nmの厚さを有し、約1×1020c
m-3のMg濃度にドープされている。一方、前記エレク
トロンブロック層51上には、Mg濃度が約4×1019
cm-3のGaN光導波層52が約100nmの厚さに形
成され、さらに前記光導波層52上には、組成がAl
0.09Ga0.91NでMg濃度が同じく約4×1019cm-3
のAlGaNクラッド層53が、約550nmの厚さに
形成される。さらに、前記クラッド層53上にはMg濃
度が約1.5×1020cm-3のGaNよりなるコンタク
ト層54が、約80nmの厚さに形成される。
ラッド層53中のMg濃度を前記約4×1019cm-3の
レベル以下に抑制することにより、エピタキシャル層中
のクラック密度を最小化し、レ−ザダイオ−ドの素子抵
抗を最小化できる。また、前記エレクトロンブロック層
51中のMg濃度および前記コンタクト層54中のMg
濃度を前記約4×1019cm-3のレベル以上に増大させ
ることにより、レ−ザダイオ−ドのしきい値が減少し、
あるいは不純物濃度の不足によるレ−ザダイオ−ドの素
子抵抗の増大が回避される。
において、前記光導波層52とクラッド層53中のMg
濃度を、図18,19に従って約3×1019cm-3まで
減少させた実施例を示す。この場合にも、高濃度にドー
プされたエレクトロンブロック層51とコンタクト層5
4とを組み合わせることにより、前記レ−ザダイオ−ド
100を構成するエピタキシャル層中におけるクラック
密度がほとんどゼロとなり、素子抵抗が最小化される。
明したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるも
のではなく、特許請求の範囲に記載した要旨内において
様々な変形・変更が可能である。
ば、第1の導電型を有するSiC基板と、前記基板上に
エピタキシャルに形成された、前記第1の導電型を有
し、組成がAlx Ga1-x Nで表されるAlGaNより
なるバッファ層と、前記バッファ層上にエピタキシャル
に形成された前記第1の導電型を有する第1のクラッド
層と、前記第1のクラッド層上にエピタキシャルに形成
された活性層と、前記活性層上にエピタキシャルに形成
された、前記第1の導電型とは逆の第2の導電型を有す
る第2のクラッド層と、前記第2のクラッド層に第1の
極性の第1のキャリアを注入するように形成された第1
の電極と、前記SiC基板上に、第2の極性の第2のキ
ャリアを注入するように形成された第2の電極とよりな
る光半導体装置において、前記バッファ層中のキャリア
濃度を3×1018〜1×1020cm-3の範囲に設定する
ことにより、またさらに前記SiC基板中のキャリア濃
度を3×1018〜1×1020cm-3の範囲に設定するこ
とにより、またさらに前記AlGaNバッファ層中のA
l組成を0.09未満に設定することにより、またさら
に前記AlGaAsバッファ層をSiC基板の(000
1)Si面上に形成することにより、また前記AlGaN
バッファ層をSiC基板上にMOVPE法により、90
Torr以下の圧力下で形成することにより、基板とバ
ッファ層との間の界面抵抗を最小化することが可能にな
る。
ば、SiC基板上にIII族元素の窒化物よりなるバッ
ファ層と第1のクラッド層、さらに光導波層を介してI
II族元素の窒化物よりなる活性層を形成し、さらに前
記活性層上にIII族元素の窒化物よりなる第2のクラ
ッド層を形成した光半導体装置において、前記SiC基
板と前記活性層との間の間隔を約1.6μm以上とし、
また前記バッファ層の組成パラメータxを0.08以上
0.5未満(0.08≦x<0.5)とし、前記第1の
クラッド層の組成パラメータyを0.05以上で前記組
成パラメータx以下(0.05≦y≦x)とし、前記第
2のクラッド層の組成パラメータzを前記組成パラメー
タyよりも小(z<y)としたことを特徴とする光半導
体装置により、SiC基板上に形成されるIII族元素
の窒化物を活性層とする光半導体装置において、しきい
値電流を最小化することが可能である。
板と、前記基板上にエピタキシャルに形成された第1の
導電型を有する第1のクラッド層と、前記第1のクラッ
ド層上にエピタキシャルに形成された活性層と、前記活
性層上にエピタキシャルに形成された第2の、逆導電型
を有する第2のクラッド層とを備えた光半導体装置にお
いて、さらに前記第2のクラッド層上にエピタキシャル
に形成された第2の導電型を有する第3のクラッド層
と、前記第3のクラッド層上に形成された第2の導電型
を有するコンタクト層と、前記コンタクト層上に形成さ
れた第1の電極と、前記基板上に形成された第2の電極
とを設け、前記第3のクラッド層によりリッジ構造を形
成し、さらに前記第2のクラッド層と第3のクラッド層
との間に、前記リッジに対応し、前記リッジの幅よりも
狭い幅の開口部を有する絶縁膜を形成したことを特徴と
する光半導体装置により、非常に狭いリッジ領域に選択
的に電流注入がなされ、効果的な水平横モード制御が可
能になる。その結果、光半導体装置は低出力から高出力
まで、キンク等の異常を含まない、スムーズな駆動特性
を示す。
ば、請求項8記載の光半導体装置において、前記コンタ
クト層を、前記第3のクラッド層により形成されるリッ
ジ構造の両側壁面および頂面を連続して覆うように形成
し、さらに前記第1の電極を、前記コンタクト層の両側
壁面および頂面を連続して覆うように形成することによ
り、また前記リッジ構造を前記絶縁膜を露出するリセス
構造中にメサの形で形成し、前記第1の電極を前記リセ
ス構造を埋めるように形成することにより、従来より使
われていた、リッジを形成するメサ構造上における電流
狭搾窓の形成工程が省略でき、光半導体装置の製造工程
が実質的に簡素化される。また、前記第1の電極は、前
記リッジを構成するメサ構造の上面のみならず両側面も
覆うため、コンタクト面積が増大し、コンタクト抵抗が
減少する。本発明の構成は、特に前記第2のクラッド層
の可能な厚さに限界があるIII族元素の窒化物を使っ
た光半導体装置において有効である。すなわち、本発明
においては、メサを形成する第3のクラッド層としてI
II族元素の窒化物を使うことにより、クラッド層全体
の厚さを、クラックを生じること無く厚くすることがで
きる。これにより、クラッドの外側への光のしみだし、
およびこれに伴う遠視野像の乱れが効果的に抑制され
る。
ば、第1の導電型を有する基板と、前記基板上にエピタ
キシャルに形成された、第1の導電型を有する第1のク
ラッド層と、前記第1のクラッド層上にエピタキシャル
に形成された活性層と、前記活性層上にエピタキシャル
に形成された、第2の、逆導電型を有する第2のクラッ
ド層とを備えた光半導体装置において、さらに前記第2
のクラッド層上にエピタキシャルに形成された、第2の
導電型を有する第3のクラッド層と、前記第3のクラッ
ド層上に形成された、第2の導電型を有するコンタクト
層と、前記コンタクト層上に形成された第1の電極と、
前記基板上に形成された第2の電極とを設け、前記第3
のクラッド層を逆T字型の断面を有するリッジ構造に形
成し、前記第3のクラッド層の下部に、両側壁面からリ
ッジ中心線に向かって切り込む一対の隙間を形成するこ
とにより、前記第3のクラッド層を絶縁膜をマスクに選
択成長により形成する際に、絶縁膜マスクの面積を最小
化でき、これに伴い、選択成長を行なう場合にかかる絶
縁マスク上において生じやすい粒子状析出物の形成を最
小化できる。また、前記絶縁マスク自体は選択成長工程
の後で除去されるため、前記第1の電極を前記リッジ構
造を覆うように形成した場合にかかる粒子状析出物によ
り前記第1の電極の密着性が劣化することがない。前記
第3のクラッド層は逆T字型断面を有するため、基部の
面積が減少しており、リッジ領域に対応した選択的な電
流注入が可能になる。
れば、AlとIII族元素の窒化物を有機金属気相成長
法により、絶縁膜パターン上に堆積し、絶縁膜パターン
中に形成された開口部に対応して再成長領域を形成する
ことが可能になる。特に、その際気相原料と共にハロゲ
ンを使うことにより、絶縁膜パターン上への粒子状析出
物の堆積を最小化することができる。
れば、基板と、前記基板上にエピタキシャルに形成され
た、n型の導電型を有するIII族元素の窒化物よりな
る第1のクラッド層と、前記第1のクラッド層上にエピ
タキシャルに形成された、前記n型の導電型を有するI
II族元素の窒化物よりなる第1の導波層と、前記第1
の導波層上にエピタキシャルに形成された、III族元
素の窒化物を含む活性層と、前記活性層上にエピタキシ
ャルに形成された、p型の導電型を有するIII族元素
の窒化物よりなるエレクトロンブロック層と、前記エレ
クトロンブロック層上にエピタキシャルに形成された、
p型の導電型を有するIII族元素の窒化物よりなる第
2の導波層と、前記第2の導波層上にエピタキシャル形
成された、p型の導電型を有するIII族元素の窒化物
よりなる第2のクラッド層と、前記第2のクラッド層上
にエピタキシャルに形成された、p型の導電型を有する
III族元素の窒化物よりなるコンタクト層と、前記コ
ンタクト層上に設けられた第1の電極と、前記基板上に
電子を注入するように設けられた第2の電極とよりなる
光半導体装置において、前記エレクトロンブロック層と
前記第2の導波層と前記第2のクラッド層と前記コンタ
クト層の各々を、いずれもMgによりドープし、その際
前記第2の導波層および第2のクラッド層中におけるM
g濃度を、前記エレクトロンブロック層中のMg濃度お
よび前記コンタクト層中のMg濃度のいずれよりも低く
設定することにより、特に前記第2の導波層中および第
2のクラッド層中におけるMg濃度を、4×1019cm
-3以下に設定することにより、あるいは前記エレクトロ
ンブロック層中および前記コンタクト層中におけるMg
濃度を、4×1019cm-3を超えるように設定すること
により、光半導体装置を構成するエピタキシャル層中に
おけるクラックの発生が最小化され、同時に駆動電圧が
低減される。
n型SiC基板と、前記基板上にエピタキシャルに形成
された、組成がAlx Ga1-x Nで表されるn型AlG
aNバッファ層とよりなる半導体ウェハにおいて、前記
AlGaN層のキャリア密度を3×1018〜1×1020
cm-3の範囲に設定し、前記組成パラメータxを0より
大で0.4より小(0<x<0.4)に設定することに
より、またさらに前記SiC基板中のキャリア濃度を3
×1018〜1×1020cm-3の範囲に設定することによ
り、またさらに前記AlGaNバッファ層中のAl組成
を0.09未満に設定することにより、またさらに前記
AlGaAsバッファ層をSiC基板の(0001)Si
面上に形成することにより、基板とバッファ層との間の
界面抵抗を最小化することが可能になる。
ある。
となる実験で使われた試料、および実験結果を示す図で
ある。
を示す図である。
を示す図である。
を示す図である。
レ−ザダイオ−ドの構成を示す図である。
示す図である。
構成を示す図である。
ある。
ダイオ−ドの製造工程を示す図(その1)である。
ダイオ−ドの製造工程を示す図(その2)である。
一変形例を示す図である。
成長工程で使われるマスク、および本発明第4実施例の
選択成長工程で使われるマスクを示す図である。
の構成を示す図である。
る選択成長工程を示す図である。
ピタキシャル層中の不純物分布を示す図である。
示す図である。
す別の図である。
で使われる不純物分布を示す図である。
である。
ダイオ−ド
Claims (24)
- 【請求項1】 第1の導電型を有するSiC基板と、 前記基板上にエピタキシャルに形成された、前記第1の
導電型を有し、組成がAlx Ga1-x Nで表されるAl
GaNよりなるバッファ層と、 前記バッファ層上にエピタキシャルに形成された前記第
1の導電型を有する第1のクラッド層と、 前記第1のクラッド層上にエピタキシャルに形成された
活性層と、 前記活性層上にエピタキシャルに形成された、前記第1
の導電型とは逆の第2の導電型を有する第2のクラッド
層と、 前記第2のクラッド層に第1の極性の第1のキャリアを
注入するように形成された第1の電極と、 前記SiC基板上に、第2の極性の第2のキャリアを注
入するように形成された第2の電極とよりなり、 前記バッファ層は、前記第1の導電型のキャリアを、3
×1018〜1×1020cm-3の範囲の濃度で含み、前記
組成パラメータxが0より大で0.4より小である(0
<x<0.4)ことを特徴とする光半導体装置。 - 【請求項2】 前記基板は、前記第1の導電型のキャリ
アを、1×1018〜1×1020cm-3の範囲の濃度で含
むことを特徴とする請求項1記載の光半導体装置。 - 【請求項3】 前記バッファ層において、前記組成パラ
メータxは0.09未満(x<0.09)であることを
特徴とする請求項1または2記載の光半導体装置。 - 【請求項4】 前記基板は、SiCの(0001)Si面
を有し、前記バッファ層は前記(0001)Si面におい
て、前記基板に密接して形成されることを特徴とする請
求項1〜3のうち、いずれか一項記載の光半導体装置。 - 【請求項5】 SiC基板上に、有機金属気相成長法に
より、組成がAlxGa1-x N(0<x<0.4)で表
されるAlGaN膜を、成長圧力90Torr以下でエ
ピタキシャル成長させる工程を含むことを特徴とする光
半導体装置の製造方法。 - 【請求項6】 第1の導電型を有するSiC基板と、 前記SiC基板上にエピタキシャルに形成された第1の
導電型のAlGaNよりなるバッファ層と、 前記バッファ層上にエピタキシャルに形成された第1の
導電型のAlGaNよりなる第1のクラッド層と、 前記第1のクラッド層上にエピタキシャルに形成された
第1導電型のGaNよりなる光導波層と、 前記光導波層上にエピタキシャルに形成された、III
族元素としてGaとInを含みV族元素としてNを含む
活性層と、 前記活性層上にエピタキシャルに形成された第2の、逆
導電型のAlGaNよりなる第2のクラッド層と、 前記第2のクラッド層に第1の極性の第1のキャリアを
注入するように形成された第1の電極と、 前記SiC基板上に第2の、逆極性の第2のキャリアを
注入するように形成された第2の電極とを備え、 前記SiC基板と前記活性層との間の間隔を約1.6μ
m以上としたことを特徴とする光半導体装置。 - 【請求項7】 前記バッファ層はAlx Ga1-x Nで表
される組成を有し、前記第1のクラッド層はAly Ga
1-y Nで表される組成を有し、前記第2のクラッド層は
Alz Ga1-z Nで表される組成を有し、前記バッファ
層の組成パラメータxは0.08以上0.5未満(0.
08≦x<0.5)とされ、前記第1のクラッド層の組
成パラメータyは0.05以上で前記組成パラメータx
以下(0.05≦y≦x)とされ、前記第2のクラッド
層の組成パラメータzは前記組成パラメータyよりも小
(z<y)とされたことを特徴とする請求項6記載の光
半導体装置。 - 【請求項8】 基板と、 前記基板上にエピタキシャルに形成された、第1の導電
型を有する第1のクラッド層と、 前記第1のクラッド層上にエピタキシャルに形成された
活性層と、 前記活性層上にエピタキシャルに形成された、第2の、
逆導電型を有する第2のクラッド層と、 前記第2のクラッド層上にエピタキシャルに形成され
た、第2の導電型を有する第3のクラッド層と、 前記第3のクラッド層上に形成された、第2の導電型を
有するコンタクト層と、 前記コンタクト層上に形成された第1の電極と、 前記基板上に、前記第1のクラッド層に電気的に接続さ
れて形成された第2の電極とを備え、 前記第3のクラッド層はリッジ構造を形成し、 さらに前記第2のクラッド層と第3のクラッド層との間
には、前記リッジに対応し、前記リッジの幅よりも狭い
幅の開口部を有する絶縁膜が介在することを特徴とする
光半導体装置。 - 【請求項9】 前記コンタクト層は、前記第3のクラッ
ド層により形成されるリッジ構造の両側壁面および頂面
を連続して覆うことを特徴とする請求項8記載の光半導
体装置。 - 【請求項10】 前記第1の電極は、前記コンタクト層
の両側壁面および頂面を連続して覆うことを特徴とする
請求項9記載の光半導体装置。 - 【請求項11】 前記リッジ構造は前記絶縁膜を露出す
るリセス構造中に形成されており、前記第1の電極は、
前記リセス構造を埋めることを特徴とする請求項10記
載の光半導体装置。 - 【請求項12】 前記第3のクラッド層はIII族元素
の窒化物よりなることを特徴とする請求項10記載の光
半導体装置。 - 【請求項13】 第1の導電型を有する基板と、 前記基板上にエピタキシャルに形成された、第1の導電
型を有する第1のクラッド層と、 前記第1のクラッド層上にエピタキシャルに形成された
活性層と、 前記活性層上にエピタキシャルに形成された、第2の、
逆導電型を有する第2のクラッド層と、 前記第2のクラッド層上にエピタキシャルに形成され
た、第2の導電型を有する第3のクラッド層と、 前記第3のクラッド層上に形成された、第2の導電型を
有するコンタクト層と、 前記コンタクト層上に形成された第1の電極と、 前記基板上に形成された第2の電極とを備え、 前記第3のクラッド層はT字型の断面を有するリッジ構
造を形成し、 前記第3のクラッド層の下部には、両側壁面からリッジ
中心線に向かって切り込む一対の隙間が形成されている
ことを特徴とする光半導体装置。 - 【請求項14】 下地半導体層上に開口部を有する絶縁
膜パターンを形成する工程と、 前記絶縁膜パターン上に、AlとIII族元素の窒化物
を有機金属気相成長法により堆積し、前記開口部に対応
して前記下地半導体層上に、前記開口部に対応して前記
窒化物の再成長領域を形成する工程とを含むことを特徴
とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項15】 前記有機金属気相法による窒化物の堆
積工程は、前記AlとIII族元素の窒化物を形成する
原料にハロゲン元素を混合する工程を含むことを特徴と
する請求項14記載の光半導体装置の製造方法。 - 【請求項16】 前記有機金属気相法による窒化物の堆
積工程は、前記ハロゲン元素を反応室中に、Nの気相原
料とは別に供給する工程を含むことを特徴とする請求項
15記載の光半導体装置の製造方法。 - 【請求項17】 前記有機金属気相法による窒化物の堆
積工程は、ハロゲンを含む有機金属原料を使って実行さ
れることを特徴とする請求項14記載の半導体装置の製
造方法。 - 【請求項18】 基板と、 前記基板上にエピタキシャルに形成された、n型の導電
型を有するIII族元素の窒化物よりなる第1のクラッ
ド層と、 前記第1のクラッド層上にエピタキシャルに形成され
た、前記n型の導電型を有するIII族元素の窒化物よ
りなる第1の導波層と、 前記第1の導波層上にエピタキシャルに形成された、I
II族元素の窒化物を含む活性層と、 前記活性層上にエピタキシャルに形成された、p型の導
電型を有するIII族元素の窒化物よりなるエレクトロ
ンブロック層と、 前記エレクトロンブロック層上にエピタキシャルに形成
された、p型の導電型を有するIII族元素の窒化物よ
りなる第2の導波層と、 前記第2の導波層上にエピタキシャル形成された、p型
の導電型を有するIII族元素の窒化物よりなる第2の
クラッド層と、 前記第2のクラッド層上にエピタキシャルに形成され
た、p型の導電型を有するIII族元素の窒化物よりな
るコンタクト層と、 前記コンタクト層上に設けられた第1の電極と、 前記基板上に、電子を前記第1のクラッド層に注入する
ように設けられた第2の電極とよりなり、 前記エレクトロンブロック層と前記第2の導波層と前記
第2のクラッド層と前記コンタクト層の各々は、いずれ
もMgによるドープされており、 前記第2の導波層および第2のクラッド層中におけるM
g濃度は、前記エレクトロンブロック層中のMg濃度お
よび前記コンタクト層中のMg濃度のいずれよりも低い
ことを特徴とする光半導体装置。 - 【請求項19】 前記第2の導波層中および第2のクラ
ッド層中におけるMg濃度は、4×1019cm-3以下で
あることを特徴とする請求項18記載の光半導体装置。 - 【請求項20】 前記エレクトロンブロック層中および
前記コンタクト層中におけるMg濃度は、4×1019c
m-3を超えることを特徴とする請求項19記載の光半導
体装置。 - 【請求項21】 n型SiC基板と、 前記基板上にエピタキシャルに形成された、組成がAl
x Ga1-x Nで表されるn型AlGaN層とよりなり、 前記AlGaN層は、3×1018〜1×1020cm-3の
範囲のキャリア密度を有し、前記組成パラメータxが0
より大で0.4より小である(0<x<0.4)ことを
特徴とする半導体ウェハ。 - 【請求項22】 前記基板は、1×1018〜1×1020
cm-3の範囲のキャリア密度を有することを特徴とする
請求項21記載の半導体ウェハ。 - 【請求項23】 前記組成パラメータxは、0.09未
満(x<0.09)であることを特徴とする請求項21
または22記載の半導体ウェハ。 - 【請求項24】 前記基板は、SiCの(0001)Si
面を有し、前記バッファ層は前記(0001)Si面にお
いて、前記基板に密接して形成されることを特徴とする
請求項21〜23のうち、いずれか一項記載の半導体ウ
ェハ。
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---|---|---|---|
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---|---|
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---|---|---|---|
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---|---|
US (1) | US6984840B2 (ja) |
JP (1) | JP4166885B2 (ja) |
Cited By (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000307199A (ja) * | 1999-04-09 | 2000-11-02 | Xerox Corp | 非対称導波路窒化物レーザダイオード構造、並びに形成方法及び製造方法 |
JP2001352133A (ja) * | 2000-06-05 | 2001-12-21 | Sony Corp | 半導体レーザ,半導体素子および窒化物系iii−v族化合物基板並びにそれらの製造方法 |
WO2002003474A2 (en) * | 2000-07-03 | 2002-01-10 | Nichia Corporation | N-type nitride semiconductor laminate and semiconductor device using same |
JP2002319743A (ja) * | 2001-04-20 | 2002-10-31 | Ricoh Co Ltd | p型III族窒化物半導体および半導体装置およびその作製方法 |
EP1306944A1 (en) * | 2000-06-08 | 2003-05-02 | Nichia Corporation | Semiconductor laser device, and method of manufacturing the same |
US6683327B2 (en) | 2001-11-13 | 2004-01-27 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Nucleation layer for improved light extraction from light emitting devices |
US6900067B2 (en) | 2002-12-11 | 2005-05-31 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Growth of III-nitride films on mismatched substrates without conventional low temperature nucleation layers |
JP2005517296A (ja) * | 2002-02-08 | 2005-06-09 | クリー インコーポレイテッド | 改良エピタキシャル堆積のために炭化珪素基板を処理する方法、及びその方法によって得られる構造とデバイス |
JP2007214570A (ja) * | 2006-02-09 | 2007-08-23 | Samsung Electronics Co Ltd | リッジ導波型半導体レーザダイオード |
WO2007116517A1 (ja) * | 2006-04-10 | 2007-10-18 | Fujitsu Limited | 化合物半導体構造とその製造方法 |
WO2007123262A1 (ja) * | 2006-04-19 | 2007-11-01 | Showa Denko K.K. | Iii族窒化物半導体発光素子の製造方法 |
JP2009135181A (ja) * | 2007-11-29 | 2009-06-18 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2009530808A (ja) * | 2006-03-13 | 2009-08-27 | ソウル オプト デバイス カンパニー リミテッド | アルミニウムガリウムナイトライドバッファ層を有する発光ダイオード及びその製造方法 |
JP2009221083A (ja) * | 2008-03-18 | 2009-10-01 | Tohoku Techno Arch Co Ltd | Iii族窒化物半導体およびその製造方法 |
JP2010021576A (ja) * | 2009-10-19 | 2010-01-28 | Ricoh Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2010541276A (ja) * | 2007-10-04 | 2010-12-24 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | Mocvdとhvpeを用いたiii−v族窒化膜の成長における寄生粒子抑制 |
WO2011155496A1 (ja) * | 2010-06-08 | 2011-12-15 | 日本碍子株式会社 | エピタキシャル基板およびエピタキシャル基板の製造方法 |
KR101346992B1 (ko) | 2006-03-20 | 2014-01-02 | 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 | 질화물 반도체 레이저 소자 및 그 제조 방법 |
JP2015008330A (ja) * | 2014-09-09 | 2015-01-15 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子 |
JP2015170792A (ja) * | 2014-03-10 | 2015-09-28 | ソニー株式会社 | 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法ならびに半導体素子 |
WO2016125833A1 (ja) * | 2015-02-06 | 2016-08-11 | 株式会社トクヤマ | 発光素子、及び発光素子の製造方法 |
EP1299909B1 (de) * | 2000-07-03 | 2018-01-24 | OSRAM Opto Semiconductors GmbH | LUMINESZENZDIODENCHIP AUF DER BASIS VON InGaN UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG |
JP6406477B1 (ja) * | 2017-11-17 | 2018-10-17 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
Families Citing this family (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7892974B2 (en) * | 2000-04-11 | 2011-02-22 | Cree, Inc. | Method of forming vias in silicon carbide and resulting devices and circuits |
US6956250B2 (en) * | 2001-02-23 | 2005-10-18 | Nitronex Corporation | Gallium nitride materials including thermally conductive regions |
US6765232B2 (en) * | 2001-03-27 | 2004-07-20 | Ricoh Company, Ltd. | Semiconductor light-emitting device, surface-emission laser diode, and production apparatus thereof, production method, optical module and optical telecommunication system |
US7968362B2 (en) * | 2001-03-27 | 2011-06-28 | Ricoh Company, Ltd. | Semiconductor light-emitting device, surface-emission laser diode, and production apparatus thereof, production method, optical module and optical telecommunication system |
US6724013B2 (en) * | 2001-12-21 | 2004-04-20 | Xerox Corporation | Edge-emitting nitride-based laser diode with p-n tunnel junction current injection |
KR200274179Y1 (ko) * | 2002-01-11 | 2002-05-06 | 이광호 | 진동모터가 내장된 쿠션체 |
US6869806B2 (en) * | 2002-03-14 | 2005-03-22 | Wisys Technology Foundation, Inc. | Method and apparatus for the production of a semiconductor compatible ferromagnetic film |
US6888170B2 (en) | 2002-03-15 | 2005-05-03 | Cornell Research Foundation, Inc. | Highly doped III-nitride semiconductors |
US6953740B2 (en) | 2002-03-15 | 2005-10-11 | Cornell Research Foundation, Inc. | Highly doped III-nitride semiconductors |
US7378681B2 (en) * | 2002-08-12 | 2008-05-27 | Agility Communications, Inc. | Ridge waveguide device surface passivation by epitaxial regrowth |
AU2003301089A1 (en) * | 2002-12-20 | 2004-07-22 | Cree, Inc. | Electronic devices including semiconductor mesa structures and conductivity junctions and methods of forming said devices |
JP2005033021A (ja) * | 2003-07-04 | 2005-02-03 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体光素子及びその製造方法 |
KR101034055B1 (ko) * | 2003-07-18 | 2011-05-12 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 다이오드 및 그 제조방법 |
GB2413434A (en) * | 2004-01-09 | 2005-10-26 | Sharp Kk | a semiconductor light-emitting device and a method of manufacture |
JP2007027248A (ja) * | 2005-07-13 | 2007-02-01 | Kyocera Corp | p型III族窒化物半導体層の製造方法および発光素子 |
US20070023761A1 (en) * | 2005-07-26 | 2007-02-01 | Robbins Virginia M | Silicon carbon germanium (SiCGe) substrate for a group III nitride-based device |
US7535031B2 (en) * | 2005-09-13 | 2009-05-19 | Philips Lumiled Lighting, Co. Llc | Semiconductor light emitting device with lateral current injection in the light emitting region |
US7440482B2 (en) * | 2005-11-01 | 2008-10-21 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor laser element and method for manufacturing the same |
JP4714013B2 (ja) * | 2005-11-30 | 2011-06-29 | 日本オプネクスト株式会社 | 半導体レーザ |
JP5145672B2 (ja) * | 2006-02-27 | 2013-02-20 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US7494546B1 (en) * | 2006-07-14 | 2009-02-24 | Blue Wave Semicodnuctors, Inc. | Method of growing insulating, semiconducting, and conducting group III-nitride thin films and coatings, and use as radiation hard coatings for electronics and optoelectronic devices |
TWI398017B (zh) * | 2007-07-06 | 2013-06-01 | Huga Optotech Inc | 光電元件及其製作方法 |
JP2009021424A (ja) * | 2007-07-12 | 2009-01-29 | Opnext Japan Inc | 窒化物半導体発光素子及びその製造方法 |
CN101393951B (zh) * | 2007-09-17 | 2010-06-02 | 广镓光电股份有限公司 | 光电元件及其制造方法 |
US8144743B2 (en) | 2008-03-05 | 2012-03-27 | Rohm Co., Ltd. | Nitride based semiconductor device and fabrication method for the same |
DE102009060749B4 (de) * | 2009-12-30 | 2021-12-30 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronischer Halbleiterchip |
CN102646766B (zh) * | 2011-02-18 | 2014-08-27 | 展晶科技(深圳)有限公司 | Led磊晶结构及制程 |
US8669585B1 (en) | 2011-09-03 | 2014-03-11 | Toshiba Techno Center Inc. | LED that has bounding silicon-doped regions on either side of a strain release layer |
JP5460831B1 (ja) * | 2012-11-22 | 2014-04-02 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子 |
JP6063035B2 (ja) * | 2013-03-14 | 2017-01-18 | キヤノンアネルバ株式会社 | 成膜方法、半導体発光素子の製造方法、半導体発光素子、照明装置 |
US20150280057A1 (en) * | 2013-03-15 | 2015-10-01 | James R. Grandusky | Methods of forming planar contacts to pseudomorphic electronic and optoelectronic devices |
JP6089953B2 (ja) * | 2013-05-17 | 2017-03-08 | 住友電気工業株式会社 | Iii−v化合物半導体素子を作製する方法 |
US9190270B2 (en) * | 2013-06-04 | 2015-11-17 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Low-defect semiconductor device and method of manufacturing the same |
WO2018109857A1 (ja) * | 2016-12-14 | 2018-06-21 | 三菱電機株式会社 | 光半導体装置の製造方法 |
US10840671B2 (en) * | 2017-03-27 | 2020-11-17 | Ushio Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device |
JP6847890B2 (ja) * | 2018-05-14 | 2021-03-24 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
US10861722B2 (en) * | 2018-11-13 | 2020-12-08 | Applied Materials, Inc. | Integrated semiconductor processing |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5578839A (en) * | 1992-11-20 | 1996-11-26 | Nichia Chemical Industries, Ltd. | Light-emitting gallium nitride-based compound semiconductor device |
JP2827794B2 (ja) | 1993-02-05 | 1998-11-25 | 日亜化学工業株式会社 | p型窒化ガリウムの成長方法 |
US5393993A (en) * | 1993-12-13 | 1995-02-28 | Cree Research, Inc. | Buffer structure between silicon carbide and gallium nitride and resulting semiconductor devices |
JP2666237B2 (ja) | 1994-09-20 | 1997-10-22 | 豊田合成株式会社 | 3族窒化物半導体発光素子 |
JPH08203834A (ja) * | 1995-01-24 | 1996-08-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体薄膜及び半導体薄膜の製造方法 |
TW290743B (ja) | 1995-03-27 | 1996-11-11 | Sumitomo Electric Industries | |
JPH08264835A (ja) | 1995-03-27 | 1996-10-11 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 化合物半導体発光素子およびその製造方法 |
JPH08264836A (ja) | 1995-03-27 | 1996-10-11 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 化合物半導体発光素子およびその製造方法 |
US5670798A (en) * | 1995-03-29 | 1997-09-23 | North Carolina State University | Integrated heterostructures of Group III-V nitride semiconductor materials including epitaxial ohmic contact non-nitride buffer layer and methods of fabricating same |
JP3250438B2 (ja) | 1995-03-29 | 2002-01-28 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体発光素子 |
US5739554A (en) * | 1995-05-08 | 1998-04-14 | Cree Research, Inc. | Double heterojunction light emitting diode with gallium nitride active layer |
JPH08306958A (ja) | 1995-05-09 | 1996-11-22 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置 |
JP3599896B2 (ja) | 1995-05-19 | 2004-12-08 | 三洋電機株式会社 | 半導体レーザ素子および半導体レーザ素子の製造方法 |
JP3604205B2 (ja) | 1995-09-18 | 2004-12-22 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体の成長方法 |
JP3658112B2 (ja) | 1995-11-06 | 2005-06-08 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体レーザダイオード |
JP3409958B2 (ja) * | 1995-12-15 | 2003-05-26 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子 |
JP3816176B2 (ja) | 1996-02-23 | 2006-08-30 | 富士通株式会社 | 半導体発光素子及び光半導体装置 |
US5903017A (en) * | 1996-02-26 | 1999-05-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Compound semiconductor device formed of nitrogen-containing gallium compound such as GaN, AlGaN or InGaN |
JP3164016B2 (ja) | 1996-05-31 | 2001-05-08 | 住友電気工業株式会社 | 発光素子および発光素子用ウエハの製造方法 |
JPH1056236A (ja) | 1996-08-08 | 1998-02-24 | Toyoda Gosei Co Ltd | 3族窒化物半導体レーザ素子 |
JP3087829B2 (ja) | 1996-10-14 | 2000-09-11 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体素子の製造方法 |
JP3458625B2 (ja) | 1996-11-13 | 2003-10-20 | ソニー株式会社 | 半導体の成長方法 |
US6165874A (en) * | 1997-07-03 | 2000-12-26 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Method for growth of crystal surfaces and growth of heteroepitaxial single crystal films thereon |
US6218269B1 (en) * | 1997-11-18 | 2001-04-17 | Technology And Devices International, Inc. | Process for producing III-V nitride pn junctions and p-i-n junctions |
-
1998
- 1998-12-11 JP JP35324198A patent/JP4166885B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-05-18 US US09/313,764 patent/US6984840B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000307199A (ja) * | 1999-04-09 | 2000-11-02 | Xerox Corp | 非対称導波路窒化物レーザダイオード構造、並びに形成方法及び製造方法 |
JP2001352133A (ja) * | 2000-06-05 | 2001-12-21 | Sony Corp | 半導体レーザ,半導体素子および窒化物系iii−v族化合物基板並びにそれらの製造方法 |
EP1306944A4 (en) * | 2000-06-08 | 2005-11-30 | Nichia Corp | SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF |
US7470555B2 (en) | 2000-06-08 | 2008-12-30 | Nichia Corporation | Semiconductor laser device, and method of manufacturing the same |
US7709281B2 (en) | 2000-06-08 | 2010-05-04 | Nichia Corporation | Semiconductor laser device and method of manufacturing the same |
EP1306944A1 (en) * | 2000-06-08 | 2003-05-02 | Nichia Corporation | Semiconductor laser device, and method of manufacturing the same |
WO2002003474A3 (en) * | 2000-07-03 | 2002-06-27 | Nichia Corp | N-type nitride semiconductor laminate and semiconductor device using same |
EP1299909B1 (de) * | 2000-07-03 | 2018-01-24 | OSRAM Opto Semiconductors GmbH | LUMINESZENZDIODENCHIP AUF DER BASIS VON InGaN UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG |
WO2002003474A2 (en) * | 2000-07-03 | 2002-01-10 | Nichia Corporation | N-type nitride semiconductor laminate and semiconductor device using same |
JP2002319743A (ja) * | 2001-04-20 | 2002-10-31 | Ricoh Co Ltd | p型III族窒化物半導体および半導体装置およびその作製方法 |
US6683327B2 (en) | 2001-11-13 | 2004-01-27 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Nucleation layer for improved light extraction from light emitting devices |
JP2005517296A (ja) * | 2002-02-08 | 2005-06-09 | クリー インコーポレイテッド | 改良エピタキシャル堆積のために炭化珪素基板を処理する方法、及びその方法によって得られる構造とデバイス |
US6900067B2 (en) | 2002-12-11 | 2005-05-31 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Growth of III-nitride films on mismatched substrates without conventional low temperature nucleation layers |
JP2007214570A (ja) * | 2006-02-09 | 2007-08-23 | Samsung Electronics Co Ltd | リッジ導波型半導体レーザダイオード |
JP2009530808A (ja) * | 2006-03-13 | 2009-08-27 | ソウル オプト デバイス カンパニー リミテッド | アルミニウムガリウムナイトライドバッファ層を有する発光ダイオード及びその製造方法 |
KR101346992B1 (ko) | 2006-03-20 | 2014-01-02 | 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 | 질화물 반도체 레이저 소자 및 그 제조 방법 |
US8030164B2 (en) | 2006-04-10 | 2011-10-04 | Fujitsu Limited | Compound semiconductor structure |
WO2007116517A1 (ja) * | 2006-04-10 | 2007-10-18 | Fujitsu Limited | 化合物半導体構造とその製造方法 |
JP2007288052A (ja) * | 2006-04-19 | 2007-11-01 | Showa Denko Kk | Iii族窒化物半導体発光素子の製造方法 |
WO2007123262A1 (ja) * | 2006-04-19 | 2007-11-01 | Showa Denko K.K. | Iii族窒化物半導体発光素子の製造方法 |
JP2010541276A (ja) * | 2007-10-04 | 2010-12-24 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | Mocvdとhvpeを用いたiii−v族窒化膜の成長における寄生粒子抑制 |
JP2009135181A (ja) * | 2007-11-29 | 2009-06-18 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2009221083A (ja) * | 2008-03-18 | 2009-10-01 | Tohoku Techno Arch Co Ltd | Iii族窒化物半導体およびその製造方法 |
JP2010021576A (ja) * | 2009-10-19 | 2010-01-28 | Ricoh Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPWO2011155496A1 (ja) * | 2010-06-08 | 2013-08-01 | 日本碍子株式会社 | エピタキシャル基板およびエピタキシャル基板の製造方法 |
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