JP2009530808A - アルミニウムガリウムナイトライドバッファ層を有する発光ダイオード及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
このため、本発明は、基板と、前記基板の上部に位置する第1の導電型半導体層と、前記基板と第1の導電型半導体層との間に介在され、前記基板から前記第1の導電型半導体層に行くほど、Alの組成比xが減少するAlxGa1−xN(0≦x≦1)バッファ層と、を備える発光ダイオードを提供する。
Description
また、結晶性、表面形態、及び電気的特性が良好なGaN系半導体層を成長させることに他の目的がある。
好ましくは、前記Alの組成比は、線形に減少する。
さらに好ましくは、前記Alの組成比は、傾斜階段形に減少する。
さらに好ましくは、前記AlxGa1−xNバッファ層のうち、前記Alの組成比が1である部分の厚さは、約1nm乃至約50nmである。
さらに好ましくは、前記AlxGa1−xNバッファ層のうち、前記Alの組成比が1または0ではない部分であって、前記Alの組成比が一定である各部分の厚さは、約1nm乃至約30nmである。
より好ましくは、前記Alの組成比は、段階的に減少する。
さらに好ましくは、前記Alの組成比は、傾斜階段形に減少する。
図1は、本発明の一実施例による発光ダイオードの断面図である。
図1を参照して説明すると、本発明の一実施例による発光ダイオード1は、サファイア基板100と、AlxGa1−xN(0≦x≦1)バッファ層200と、第1の導電型半導体層310と、活性層320と、第2の導電型半導体層330と、透明電極400と、電極パッド500a、500bと、を備える。
前記AlxGa1−xN(0≦x≦1)バッファ層200は、前記サファイア基板と前記第1の導電型半導体層310(例えば、GaN系半導体層等)との間に介在され、前記サファイア基板100から前記第1の導電型半導体層310に行くほど、Alの組成比xが減少する。
せるためのバッファ層が介在される。前記バッファ層としては、一般にGaNバッファ層またはAlNバッファ層が用いられる。
光波長が決定される。前記活性層320は、量子井戸層とバリア層が繰り返して形成された多層膜であってもよい。前記バリア層と井戸層は、一般式AlxInyGa1−x−yN(0≦x、y、x+y≦1)で表れる2元乃至4元化合物半導体層であってもよい。
前記AlxGa1−xNバッファ層200は、有機金属化学気相蒸着法(MOCVD )、ハイドライド気相成長法(HVPE)、または分子線エピタキシー法(MBE )等を用いて形成することができる。前記AlxGa1−xNバッファ層200は、温度が、例えば、400℃乃至1500℃であり、圧力が、約10torr乃至約780torrである状態で、前記結晶成長法のいずれか一つを用いて成長され得る。
図5及び図7を参照して説明すると、前記AlxGa1−xNバッファ層200が形成された以降、前記AlxGa1−xNバッファ層200上に、半導体層300、すなわち、第1の導電型半導体層310、活性層320、及び第2の導電型半導体層330を順次形成する(S300)。
前記透明電極400が形成された後、フォトリソグラフィー及びエッチング工程により、前記第2の導電型半導体層330及び活性層320をパターニングまたはエッチングし、前記第1の導電型半導体層310の上部の一部領域を露出させる(S500)。
Claims (12)
- 基板と、
前記基板の上部に位置する第1の導電型半導体層と、
前記基板と第1の導電型半導体層との間に介在され、前記基板から前記第1の導電型半導体層に行くほど、Alの組成比xが減少するAlxGa1−xN(0≦x≦1)バッファ層と、
を備えることを特徴とする発光ダイオード。 - 前記Alの組成比は、線形に減少することを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオード。
- 前記Alの組成比は、段階的に減少することを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオード。
- 前記Alの組成比は、傾斜階段形に減少することを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオード。
- 前記AlxGa1−xNバッファ層のうち、前記Alの組成比が1である部分の厚さは、約1nm乃至約50nmであることを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオード。
- 前記AlxGa1−xNバッファ層のうち、前記Alの組成比が0である部分の厚さは、約1nm乃至約50nmであることを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオード。
- 前記AlxGa1−xNバッファ層のうち、前記Alの組成比が1または0ではない部分であって、前記Alの組成比が一定である各部分の厚さは、約1nm乃至約30nmであることを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオード。
- 基板を用意するステップと、
前記基板上に表面に行くほどAlの組成比が減少するAlxGa1−xN(0≦x≦1)バッファ層を形成するステップと、
前記AlxGa1−xNバッファ層上にGaN系半導体層を形成するするステップと、
を含むことを特徴とする発光ダイオードの製造方法。 - 前記Alの組成比は、線形に減少することを特徴とする請求項8に記載の発光ダイオードの製造方法。
- 前記Alの組成比は、段階的に減少することを特徴とする請求項8に記載の発光ダイオードの製造方法。
- 前記Alの組成比は、傾斜階段形に減少することを特徴とする請求項8に記載の発光ダイオードの製造方法。
- 前記AlxGa1−xNバッファ層は、温度が、400℃乃至1500℃であり、圧力が、約10torr乃至約780torrである状態で形成されることを特徴とする請求項8に記載の発光ダイオードの製造方法。
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