JP2005517296A - 改良エピタキシャル堆積のために炭化珪素基板を処理する方法、及びその方法によって得られる構造とデバイス - Google Patents
改良エピタキシャル堆積のために炭化珪素基板を処理する方法、及びその方法によって得られる構造とデバイス Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005517296A JP2005517296A JP2003566885A JP2003566885A JP2005517296A JP 2005517296 A JP2005517296 A JP 2005517296A JP 2003566885 A JP2003566885 A JP 2003566885A JP 2003566885 A JP2003566885 A JP 2003566885A JP 2005517296 A JP2005517296 A JP 2005517296A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon carbide
- wafer
- implanted
- region
- dopant
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 69
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 65
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 57
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 28
- 230000008021 deposition Effects 0.000 title claims abstract 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims abstract description 61
- 238000002513 implantation Methods 0.000 claims abstract description 42
- 239000007943 implant Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims abstract description 8
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims abstract description 5
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract 3
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 claims description 37
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 8
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 8
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 6
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 claims description 2
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 claims description 2
- 238000003631 wet chemical etching Methods 0.000 claims description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 14
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 8
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 6
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- -1 nitride compound Chemical class 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004437 phosphorous atom Chemical group 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000005092 sublimation method Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/36—Carbides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/0445—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising crystalline silicon carbide
- H01L21/0455—Making n or p doped regions or layers, e.g. using diffusion
- H01L21/046—Making n or p doped regions or layers, e.g. using diffusion using ion implantation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/02373—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02378—Silicon carbide
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
- H01L21/02439—Materials
- H01L21/02491—Conductive materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02656—Special treatments
- H01L21/02658—Pretreatments
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
- H01L33/007—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound comprising nitride compounds
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
現在までのところ、電磁スペクトルの紫外部分、青色及び緑色の部分において動作できる発光デバイス又は「LED」(発光ダイオード、レーザダイオード、及び光検出器などを含む)を製造する場合に最も成功している材料は、III族窒化物化合物半導体材料、特に窒化ガリウムベースの化合物半導体であった。しかしながら、窒化ガリウムには、動作デバイスを製造する場合に特有な技術的問題がある。第一の問題は、窒化ガリウムのバルク単結晶が無いことであり、すなわち、そのことは、窒化ガリウム又は他のIII族窒化物デバイスは、他の材料上でエピタキシャル層として形成されなければならないことを意味している。III族窒化物デバイスのための基板としてサファイア(すなわち、酸化アルミニウム(Al2O3))が通常用いられてきた。サファイアは、発光ダイオードを製造する場合に一般的に役立つIII族窒化物に対する適当な結晶格子整合、熱安定性、及び透明性を提供する。しかしながら、サファイアには、絶縁物であるという難点がある。このことは、LED中を流れて発光を発生させる電流がサファイア基板中に指向できないことを意味している。而して、LEDに対する他のタイプの接続、例えば、いわゆる「横型」配置のLEDチップの同じ側にデバイスのカソード及びアノードの両方を配置する接続を作製しなければならない。一般的に、好ましくは、LEDでは、オームコンタクトをデバイスの両端に配置できるように、導電性基板を作製する。いわゆる「縦型」デバイスと呼ばれる前記デバイスは、横型デバイスに比して製造がより容易であるなどの多くの理由により好ましい。
本発明の態様による方法は、所定の導電型と、第一表面及び第二表面とを有するSiCウェーハを提供する工程;1つ以上の所定のドーパント濃度及び注入エネルギーにおいて、SiCウェーハの第一表面中に、所定の導電型のドーパント原子を注入して、ドーパントプロファイルを形成する工程;その注入されたウェーハをアニールする工程;及び基板の注入第一表面上にエピタキシャル層を成長させる工程を含む。本発明の態様による他の方法は、所定の導電型と、第一表面及び第二表面とを有するSiCウェーハを提供する工程;そのウェーハの第一表面上にキャッピング層を形成する工程;1つ以上の所定のドーパント濃度及び注入エネルギーにおいて、キャッピング層と、SiCウェーハの第一表面との中に、所定の導電型のドーパント原子を注入して、ドーパントプロファイルを形成する工程;その注入されたウェーハをアニールする工程;キャッピング層を除去する工程;及び基板の注入第一表面上にエピタキシャル層を成長させる工程を包含する。
この態様の一つの欠点は、ドーパントプロファイルが、基板内のいくつかの深さで最大に達する(注入ドーズ量及び注入エネルギーによって決まる)傾向を有する点である。すなわち、表面における注入濃度が、基板内の最大濃度を下回っている。注入ドーパント濃度は、約5E21cm−3未満を維持していなければならない、そうでないと、注入原子によって、基板12の結晶格子が、望ましくない回復不可能な損傷を受ける。
Claims (31)
- 1つ以上の所定のドーパント濃度及び注入エネルギーで、注入イオンと同じ導電型を有する導電性炭化珪素ウェーハの第一表面中に第一導電型のドーパント原子を注入して、ドーパントプロファイルを形成する工程;
該注入されたウェーハをアニールする工程;及び
該ウェーハの該注入第一表面上にエピタキシャル層を成長させる工程
を含む、その上に存在する改良エピタキシャル堆積のために且つ発光ダイオードのようなデバイスを製造する場合に前駆体として用いるために炭化珪素基板を処理する方法。 - 薄層として制御可能に堆積させることができ、該炭化珪素ウェーハと同じ導電型を有するイオンを注入することができ、及び該ウェーハの下に位置する表面を実質的に損傷せずに除去することができる材料から、該導電性炭化珪素ウェーハの該第一表面上にキャッピング層を形成する工程;
1つ以上の所定のドーパント濃度及び注入エネルギーにおいて、該キャッピング層中に且つ該キャッピング層を通して、及び該炭化珪素ウェーハ中に、該ドーパント原子を注入して、ドーパントプロファイルを形成する工程;
該注入されたウェーハをアニールする工程;
該キャッピング層を除去する工程;及び
該基板ウェーハの該注入第一表面上に該エピタキシャル層を成長させる工程
を含む請求項1記載の方法。 - 該炭化珪素ウェーハの該注入第一表面上に導電性バッファー領域を形成する工程;
該導電性バッファー領域上に活性領域を形成する工程;
該活性領域上に第一オームコンタクトを形成する工程;及び
該炭化珪素の該第二表面上に第二オームコンタクトを形成する工程
を更に含む、発光ダイオードを形成する請求項1記載の方法。 - ドーパント原子を注入する該工程が、該ウェーハ内において所定の深さまで比較的平らな注入プロファイルを付与するために、様々なドーズ量及びエネルギーレベルで複数の注入工程を行うことを含む請求項1、2又は3記載の方法。
- 該注入工程が、約1E19〜5E21cm−3の注入ドーパント原子のピーク濃度まで、該注入領域においてドーパント原子を注入することを含む請求項4記載の方法。
- 該注入工程が、 約1E21cm−3の注入ドーパント原子のピーク濃度まで且つ約500オングストロームの該炭化珪素ウェーハ内の深さまで、該注入領域においてドーパント原子を注入することを含む請求項4記載の方法。
- 該注入工程が、2E15cm−2の第一ドーパント濃度且つ25keVの注入エネルギーで、更に3.6E15cm−2の第二ドーパント濃度且つ50keVの注入エネルギーで、燐ドナー原子を該炭化珪素ウェーハに注入することを含む請求項4記載の方法。
- 該注入されたウェーハを、1300℃の温度で90分間、アルゴン中でアニールする請求項1、2又は3記載の方法。
- 窒素及び燐から成る群より選択されるドーパント原子を、n型炭化珪素ウェーハ中に注入する工程を含む請求項1、2又は3記載の方法。
- 硼素及びアルミニウムから成る群より選択されるドーパント原子を、p型炭化珪素ウェーハ中に注入する工程を含む請求項1、2又は3記載の方法。
- 窒化珪素、二酸化珪素、及び金属層から成る群から該キャッピング層を形成する工程を含む請求項2記載の方法。
- プラズマ強化化学的堆積法を用いて、該炭化珪素ウェーハ上に該キャッピング層を堆積させる工程を含む請求項11記載の方法。
- 約500オングストロームの厚さまで該キャッピング層を二酸化珪素から形成する工程を含む請求項2記載の方法。
- 25keVの注入エネルギーにおいて約4E12cm−2 〜1E15cm−2のドーパント濃度を有する第一ドーズ量で、更に、50keVの注入エネルギーにおいて約7E12cm−2 〜1.8E15cm−2のドーパント濃度を有する第二ドーズ量で、該二酸化珪素層中に且つ該二酸化珪素を通して、及び該炭化珪素ウェーハ中に、窒素原子を注入する工程を含む請求項13記載の方法。
- ウェット化学エッチングで該キャッピング層を除去する工程を含む請求項2記載の方法。
- 単一ヘテロ構造、二重ヘテロ構造、単一量子井戸、多重量子井戸、及びそれらの組合せから成る群より該活性層を作製する工程を更に含む請求項3記載の方法。
- 第一表面と第二表面とを有し、且つ所定の導電型と初期キャリア濃度とを有する炭化珪素ウェーハ;
該第一表面から該炭化珪素ウェーハ中へと所定の深さまで延びている注入ドーパント原子の領域、該領域は該ウェーハの残部における該初期キャリア濃度に比べて高いキャリア濃度を有する;及び
該炭化珪素ウェーハの該第一表面上に存在するエピタキシャル層
を含む、発光ダイオードのような電子デバイスを製造する場合に基板として用いるのに適する炭化珪素構造。 - 薄層として制御可能に堆積させることができ、該炭化珪素ウェーハと同じ導電型を有するイオンを注入することができ、及び該ウェーハの下に位置する表面を実質的に損傷せずに除去することができる材料から形成された該炭化珪素ウェーハの該第一表面上に存在するキャッピング層;及び
該キャッピング層を完全に貫通し、且つ該第一表面を通って該炭化珪素ウェーハ中へと所定の深さまで延びている注入ドーパント原子の領域、該領域は該ウェーハの残部における該初期キャリア濃度に比べて高いキャリア濃度を有する
を更に含む請求項17記載の炭化珪素前駆体構造。 - 該導電性炭化珪素ウェーハの該第一表面上に導電性バッファー領域;
該導電性バッファー領域上に活性領域;
該活性領域に対する第一オームコンタクト;及び
該炭化珪素ウェーハの該第二表面上に第二オームコンタクト
を更に含む請求項17記載の基板を組み込んでいる発光ダイオード。 - 該炭化珪素ウェーハが、n型6H炭化珪素又はn型4H炭化珪素を含む請求項17、18又は19記載の炭化珪素構造。
- 該炭化珪素ウェーハを、約5E17〜3E18cm−2濃度の窒素ドナー原子でドープする請求項20記載の炭化珪素構造。
- 注入ドーパント原子の該領域が、約1E19〜5E21cm−3の濃度で燐を含む請求項17、18又は19記載の炭化珪素構造。
- 注入ドーパント原子の該領域が、約1E19〜5E21cm−3の濃度で窒素を含む請求項17、18又は19記載の炭化珪素構造。
- 注入ドーパント原子の該領域が、約1E21cm−3の濃度で燐を含む請求項23記載の炭化珪素構造。
- 注入ドーパント原子の該領域が、該第一表面から該炭化珪素ウェーハ中へ約10〜5000オングストロームの深さまで延びている請求項17、18又は19記載の炭化珪素構造。
- 注入ドーパント原子の該領域が、約1E19〜5E21cm−3の注入ドーパント原子のピーク濃度を有する請求項25記載の炭化珪素構造。
- 注入ドーパント原子の該領域が、約1E21cm−3の注入ドーパント原子のピーク濃度を有していて、且つ該第一表面から該炭化珪素ウェーハ中へと約500オングストロームの深さまで延びている請求項26記載の炭化珪素構造。
- 該注入領域における注入原子の該ピーク濃度が、該炭化珪素基板の該第一表面で又はその近傍で生成する請求項17、18又は19記載の炭化珪素構造。
- 該キャッピング層が、窒化珪素、二酸化珪素、及び金属から成る群より選択される材料を含む請求項18記載の炭化珪素構造。
- 該キャッピング層が、約500オングストロームの厚さを有する請求項29記載の炭化珪素構造。
- 該活性層を、単一ヘテロ構造、二重ヘテロ構造、単一量子井戸、多重量子井戸、及びそれらの組合せから成る群より選択する請求項19記載のLED。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US35503402P | 2002-02-08 | 2002-02-08 | |
US60/355,034 | 2002-02-08 | ||
PCT/US2003/003602 WO2003067637A2 (en) | 2002-02-08 | 2003-02-07 | Methods of treating a silicon carbide substrate for improved epitaxial deposition |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010000117A Division JP5528120B2 (ja) | 2002-02-08 | 2010-01-04 | 改良エピタキシャル堆積のために炭化珪素基板を処理する方法、及びその方法によって得られる構造とデバイス |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005517296A true JP2005517296A (ja) | 2005-06-09 |
JP4846981B2 JP4846981B2 (ja) | 2011-12-28 |
Family
ID=27734454
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003566885A Expired - Lifetime JP4846981B2 (ja) | 2002-02-08 | 2003-02-07 | 改良エピタキシャル堆積のために炭化珪素基板を処理する方法、及びその方法によって得られる構造とデバイス |
JP2010000117A Expired - Lifetime JP5528120B2 (ja) | 2002-02-08 | 2010-01-04 | 改良エピタキシャル堆積のために炭化珪素基板を処理する方法、及びその方法によって得られる構造とデバイス |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010000117A Expired - Lifetime JP5528120B2 (ja) | 2002-02-08 | 2010-01-04 | 改良エピタキシャル堆積のために炭化珪素基板を処理する方法、及びその方法によって得られる構造とデバイス |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP1488450B1 (ja) |
JP (2) | JP4846981B2 (ja) |
KR (1) | KR20040093712A (ja) |
CN (2) | CN102163664B (ja) |
AU (1) | AU2003210882A1 (ja) |
CA (1) | CA2474883A1 (ja) |
WO (1) | WO2003067637A2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013183064A (ja) * | 2012-03-02 | 2013-09-12 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101673673B (zh) * | 2009-09-22 | 2013-02-27 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 外延片形成方法及使用该方法形成的外延片 |
KR101926694B1 (ko) * | 2012-05-30 | 2018-12-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 탄화규소 에피 웨이퍼 및 이의 제조 방법 |
DE102016107557A1 (de) * | 2016-04-22 | 2017-10-26 | Nexwafe Gmbh | Siliziumwafer für ein elektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
CN110006727A (zh) * | 2019-04-10 | 2019-07-12 | 深圳市锐骏半导体股份有限公司 | 一种离子注入机稳定性的监控方法 |
CN112522781B (zh) * | 2021-02-18 | 2021-04-23 | 中芯集成电路制造(绍兴)有限公司 | 碳化硅衬底上的缓冲层及其形成方法 |
EP4324961A1 (en) * | 2022-08-17 | 2024-02-21 | SiCrystal GmbH | Method for producing a bulk sic single crystal with improved quality using a sic seed crystal with a temporary protective oxide layer, and sic seed crystal with protective oxide layer |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02240988A (ja) * | 1989-03-15 | 1990-09-25 | Hitachi Ltd | 半導体レーザ |
JPH08222812A (ja) * | 1995-02-17 | 1996-08-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 窒化ガリウム系化合物半導体の結晶成長方法 |
JPH08288500A (ja) * | 1995-04-20 | 1996-11-01 | Hitachi Ltd | 炭化珪素半導体素子とその製造法及び用途 |
JPH098353A (ja) * | 1995-06-14 | 1997-01-10 | Hitachi Cable Ltd | エピタキシャルウェハ及びその製造方法並びに発光ダイオード |
JP2000012482A (ja) * | 1998-06-22 | 2000-01-14 | Fuji Electric Co Ltd | 炭化けい素半導体素子の製造方法 |
JP2000040858A (ja) * | 1998-05-18 | 2000-02-08 | Fujitsu Ltd | 光半導体装置、その製造方法、および半導体ウェハ |
DE19944144A1 (de) * | 1999-09-15 | 2001-04-12 | Rossendorf Forschzent | Verfahren zur Herstellung von Kontakten und Leitbahnen in oder auf kristallinen Siliziumkarbid-Halbleitersubstraten |
JP2001291900A (ja) * | 2000-04-06 | 2001-10-19 | Denso Corp | 半導体発光装置およびその製造方法 |
JP2001332508A (ja) * | 2000-05-23 | 2001-11-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体素子の製造方法 |
JP2002016013A (ja) * | 2000-06-27 | 2002-01-18 | Nissan Motor Co Ltd | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
JP2002223040A (ja) * | 2001-01-29 | 2002-08-09 | Ricoh Co Ltd | 半導体発光素子 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63104324A (ja) * | 1986-10-20 | 1988-05-09 | Fujitsu Ltd | 半導体結晶の成長方法 |
JPH07326793A (ja) * | 1994-05-31 | 1995-12-12 | Showa Denko Kk | 化合物半導体発光ダイオード |
US5523589A (en) * | 1994-09-20 | 1996-06-04 | Cree Research, Inc. | Vertical geometry light emitting diode with group III nitride active layer and extended lifetime |
US6201262B1 (en) * | 1997-10-07 | 2001-03-13 | Cree, Inc. | Group III nitride photonic devices on silicon carbide substrates with conductive buffer interlay structure |
US6459100B1 (en) * | 1998-09-16 | 2002-10-01 | Cree, Inc. | Vertical geometry ingan LED |
US6329088B1 (en) * | 1999-06-24 | 2001-12-11 | Advanced Technology Materials, Inc. | Silicon carbide epitaxial layers grown on substrates offcut towards <1{overscore (1)}00> |
JP2001237248A (ja) * | 2000-02-21 | 2001-08-31 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP3889910B2 (ja) * | 2000-03-10 | 2007-03-07 | 三菱化学株式会社 | 半導体発光装置およびその製造方法 |
KR100522758B1 (ko) * | 2000-06-28 | 2005-10-21 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 제조 방법 |
-
2003
- 2003-02-07 JP JP2003566885A patent/JP4846981B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2003-02-07 CN CN201110068455.3A patent/CN102163664B/zh not_active Expired - Lifetime
- 2003-02-07 WO PCT/US2003/003602 patent/WO2003067637A2/en active Application Filing
- 2003-02-07 AU AU2003210882A patent/AU2003210882A1/en not_active Abandoned
- 2003-02-07 KR KR10-2004-7012250A patent/KR20040093712A/ko not_active Application Discontinuation
- 2003-02-07 CN CN038034689A patent/CN1628370B/zh not_active Expired - Lifetime
- 2003-02-07 EP EP03737679.5A patent/EP1488450B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-02-07 CA CA002474883A patent/CA2474883A1/en not_active Abandoned
-
2010
- 2010-01-04 JP JP2010000117A patent/JP5528120B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02240988A (ja) * | 1989-03-15 | 1990-09-25 | Hitachi Ltd | 半導体レーザ |
JPH08222812A (ja) * | 1995-02-17 | 1996-08-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 窒化ガリウム系化合物半導体の結晶成長方法 |
JPH08288500A (ja) * | 1995-04-20 | 1996-11-01 | Hitachi Ltd | 炭化珪素半導体素子とその製造法及び用途 |
JPH098353A (ja) * | 1995-06-14 | 1997-01-10 | Hitachi Cable Ltd | エピタキシャルウェハ及びその製造方法並びに発光ダイオード |
JP2000040858A (ja) * | 1998-05-18 | 2000-02-08 | Fujitsu Ltd | 光半導体装置、その製造方法、および半導体ウェハ |
JP2000012482A (ja) * | 1998-06-22 | 2000-01-14 | Fuji Electric Co Ltd | 炭化けい素半導体素子の製造方法 |
DE19944144A1 (de) * | 1999-09-15 | 2001-04-12 | Rossendorf Forschzent | Verfahren zur Herstellung von Kontakten und Leitbahnen in oder auf kristallinen Siliziumkarbid-Halbleitersubstraten |
JP2001291900A (ja) * | 2000-04-06 | 2001-10-19 | Denso Corp | 半導体発光装置およびその製造方法 |
JP2001332508A (ja) * | 2000-05-23 | 2001-11-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体素子の製造方法 |
JP2002016013A (ja) * | 2000-06-27 | 2002-01-18 | Nissan Motor Co Ltd | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
JP2002223040A (ja) * | 2001-01-29 | 2002-08-09 | Ricoh Co Ltd | 半導体発光素子 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013183064A (ja) * | 2012-03-02 | 2013-09-12 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1628370B (zh) | 2011-05-18 |
JP5528120B2 (ja) | 2014-06-25 |
CN102163664A (zh) | 2011-08-24 |
CA2474883A1 (en) | 2003-08-14 |
JP2010118672A (ja) | 2010-05-27 |
EP1488450A2 (en) | 2004-12-22 |
KR20040093712A (ko) | 2004-11-08 |
CN102163664B (zh) | 2014-07-23 |
CN1628370A (zh) | 2005-06-15 |
WO2003067637A2 (en) | 2003-08-14 |
AU2003210882A8 (en) | 2003-09-02 |
EP1488450B1 (en) | 2015-04-08 |
AU2003210882A1 (en) | 2003-09-02 |
WO2003067637A3 (en) | 2004-01-15 |
JP4846981B2 (ja) | 2011-12-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7294859B2 (en) | Methods of treating a silicon carbide substrate for improved epitaxial deposition and resulting structures and devices | |
US7728348B2 (en) | Substrate having thin film of GaN joined thereon and method of fabricating the same, and a GaN-based semiconductor device and method of fabricating the same | |
JP5528120B2 (ja) | 改良エピタキシャル堆積のために炭化珪素基板を処理する方法、及びその方法によって得られる構造とデバイス | |
JP4127463B2 (ja) | Iii族窒化物系化合物半導体の結晶成長方法及びiii族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法 | |
US7646027B2 (en) | Group III nitride semiconductor stacked structure | |
KR20100055187A (ko) | 산화갈륨기판 제조방법, 발광소자 및 발광소자 제조방법 | |
EP3157068B1 (en) | Semiconductor multilayer structure and method for producing same | |
CN111599901A (zh) | 一种生长在Si衬底上的紫外LED外延片及其制备方法 | |
CN108281514A (zh) | 一种发光二极管外延片的制备方法 | |
CN109686821B (zh) | 一种发光二极管的外延片的制备方法 | |
CN212542464U (zh) | 一种生长在Si衬底上的紫外LED外延片 | |
KR100814920B1 (ko) | 수직구조 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법 | |
KR20050035325A (ko) | 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법 | |
JP2018154553A (ja) | GaN基板 | |
CN104037285B (zh) | 一种生长在Si衬底上的GaN薄膜及其制备方法和应用 | |
JP2018058767A (ja) | 窒化ガリウム基板 | |
JP2010177281A (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体基板及びその製造方法、並びに半導体素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20051115 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090114 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20090414 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20090421 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20090514 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20090521 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20090612 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20090619 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090714 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090904 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20110411 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20110414 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20110610 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20110616 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110629 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20111013 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141021 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4846981 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |