JP2018154553A - GaN基板 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 窒化ガリウムの単結晶からなり、自立可能に構成されたGaN基板であって、最大の欠陥密度が3×106/cm2以下であり、面内における最小の欠陥密度に対する最大の欠陥密度の比が10倍以下であり、GaN基板上に、n型GaN層と、Mgがイオン注入されたp型GaN層と、を順に積層させ、n型GaN層とp型GaN層とが形成するpn接合に電圧を印加した際に、3.0eV以上のフォトンエネルギーにピークを有するエレクトロルミネセンス発光が得られる。
【選択図】図6
Description
n型GaN層と、
前記n型GaN層上に形成され、Mgがイオン注入されたp型GaN層と
を有し、
前記n型GaN層と前記p型GaN層とが形成するpn接合に電圧を印加することにより、3.0eV以上のフォトンエネルギーにピークを有するエレクトロルミネセンス発光を示す半導体積層構造が提供される。
2 エピタキシャル成長GaN層、n型GaN層
3 Mgイオン注入GaN層、p型GaN層
4 注入保護膜
5 アニール保護膜
6p p側電極
6n n側電極
Claims (5)
- 窒化ガリウムの単結晶からなり、自立可能に構成されたGaN基板であって、
面内における最大の欠陥密度が3×106/cm2以下であり、面内における最小の欠陥密度に対する前記最大の欠陥密度の比が10倍以下であり、
前記GaN基板上に、n型GaN層と、Mgがイオン注入されたp型GaN層と、を順に形成し、前記n型GaN層と前記p型GaN層とが形成するpn接合に電圧を印加した際に、3.0eV以上のフォトンエネルギーにピークを有するエレクトロルミネセンス発光が得られるGaN基板。 - 前記ピークは、前記エレクトロルミネセンス発光のスペクトルにおいて、発光強度が最大のピークである請求項1に記載のGaN基板。
- 前記ピークは、半値全幅が0.6eV以下のピークである請求項1または2に記載のGaN基板。
- 前記ピークは、前記エレクトロルミネセンス発光のスペクトルにおいて、Mgアクセプタと酸素とに関連する発光の強度よりも高い発光強度を有する請求項1〜3のいずれか1項に記載のGaN基板。
- 面内における平均欠陥密度が2×106/cm2以下である請求項1〜4のいずれか1項に記載のGaN基板。
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JP2018154553A true JP2018154553A (ja) | 2018-10-04 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111613527A (zh) * | 2020-05-20 | 2020-09-01 | 南京大学 | 一种基于Mg离子注入与高温退火工艺实现氮化镓p型掺杂的方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5657335A (en) * | 1993-11-01 | 1997-08-12 | The Regents, University Of California | P-type gallium nitride |
JP2006290676A (ja) * | 2005-04-11 | 2006-10-26 | Hitachi Cable Ltd | Iii−v族窒化物半導体基板およびその製造方法 |
JP2014086698A (ja) * | 2012-10-26 | 2014-05-12 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 窒化物半導体装置の製造方法 |
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2018
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Patent Citations (3)
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