FI111322B - Elektroluminenssilaminaatti, johon kuuluu dielektrinen paksukalvo - Google Patents
Elektroluminenssilaminaatti, johon kuuluu dielektrinen paksukalvo Download PDFInfo
- Publication number
- FI111322B FI111322B FI945257A FI945257A FI111322B FI 111322 B FI111322 B FI 111322B FI 945257 A FI945257 A FI 945257A FI 945257 A FI945257 A FI 945257A FI 111322 B FI111322 B FI 111322B
- Authority
- FI
- Finland
- Prior art keywords
- layer
- dielectric
- dielectric layer
- substrate
- laminate
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/26—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
- H05B33/28—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode of translucent electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/26—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10S117/903—Dendrite or web or cage technique
- Y10S117/904—Laser beam
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/917—Electroluminescent
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
- Y10S438/94—Laser ablative material removal
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Description
111322
ELEKTROLUMINESENSSILAMINAATTI, JOHON KUULUU DIELEKTRI-NEN PAKSUKALVO
Keksinnön kohteena on patenttivaatimuksen 1 johdanto-osassa määritelty elektroluminesenssilaminaat-5 ti. Edelleen keksinnön kohteena on patenttivaatimuksen 43 johdanto-osassa määritelty menetelmä. Edelleen keksinnön kohteena on patenttivaatimuksen 93 johdanto-osassa määritelty menetelmä. Edelleen keksinnön kohteena on patenttivaatimuksen 111 johdanto-osassa määri-4 10 telty menetelmä. Edelleen keksinnön kohteena on patent tivaatimuksen 120 johdanto-osassa määritelty elekt-roluminesenssilaminaatti. Edelleen keksinnön kohteena on patenttivaatimuksen 127 johdanto-osassa määritelty menetelmä.
15 Tämä keksintö liittyy elektroluminesenssilami- naattiin ja menetelmään sen valmistamiseksi. Lisäksi keksintö liittyy elektroluminesenssinäyttöpaneeleihin, joissa on sähköinen yhteys elektroluminesenssilaminaa-tista jänniteohjauspiiriin. Edelleen keksintö liittyy 20 kuvion, kuten elektroluminesenssilaminaatin läpinäkyvän elektrodin osoitelinjat, laserpiirtämiseen tasolami-naattiin.
Elektroluminesenssi (EL) on valon emissio , fosforista sähkökentän vaikutuksesta. Elektrolumine- 25 senssilaitteita käytetään lamppuina ja näyttöinä. Nykyään elektroluminesenssilaitteita käytetään ohutpaneeli-näyttöjärjestelmissä, joissa on joko ennalta määrätyt merkkikuviot tai yksilölliset osoitettavat kuvapisteet suorakulmaisessa matriisissa.
30 Pioneerityö elektroluminesenssissa tehtiin GTE
Sylvaniassa. AC jännite kytkettiin pulveri- tai disper-siotyyppisiin EL-laitteisiin, joissa valoa lähettävä fosforijauhe upotettiin orgaaniseen sidosaineeseen . lasisubstraatin pinnalle asennettuna ja peitettynä 35 läpinäkyvällä elektrodilla. Nämä jauhe- tai disper-siotyyppiset EL-laitteet tunnetaan yleisesti alhaisesta kirkkaudesta ja muista ongelmista, jotka ovat estäneet 111322 2 laajalle levinneen käytön.
Kalvoelektroluminesenssilaitteet (TFEL) kehitettiin 1950-luvulla. AC ohutkerros EL laminaatin perusrakenne on hyvin tunnettu, katso esim. Törnqvist, 5 R.O. "Thin-film Electroluminescent Displays", Society for Information Display, 1989, International Symposium Seminar Lecture Notes ja U.S. Patent 4,857,802 Fuyama et ai. Fosforikerros kerrostetaan elektrodiparin väliin ja erotetaan elektrodeista vastaavalla eriste-10 /dielektrisellä kerroksella. Useimmiten fosforimateri-aali on ZnS:ää, johon on sisällytetty Mn:a katalyytiksi (seostusaine). ZnS:Mn TFEL on keltaista lähettävä aine. Muun värisiä fosforeita on kehitetty.
Perinteisen TFEL-laminaatin kerrokset asenne-15 taan substraatille, tavallisesti lasille. Kerrosten asentaminen tehdään jaksoittaisesti tunnetulla ohutkal-votekniikalla, esimerkiksi elektronisäde(EB)tyhjöhaih-dutuksella tai viiruttamalla tai uusimmalla menetelmällä, atomikerrosepitaksialla (ALE). Koko EL-laminaatin 20 paksuus on luokkaa vain yksi tai kaksi mikronia.
Fosforikerroksen erottamiseksi ja sähköiseksi eristämiseksi tunnetaan ja käytetään eri eriste-/dielektrisiä materiaaleja, kuten tässä esitetään myöhemmin yksityiskohtaisemmin.
; 25 Kumpikin kahdesta elektrodista ovat eroavia, riippuen onko elektrodi "taka" vai "etu" (näkyvä) puolella laitetta. Heijastavaa metallia, kuten alumiinia käytetään tyypillisesti takaelektrodina. Suhteellisen ohutta optisesti läpäisevää kerrosta indiumtinaoksidia 30 (ITO) käytetään tyypillisesti etuelektrodina. Lamppuso-velluksissa kummatkin elektrodit saavat jatkuvan kerroksen muodon, näin alistaen koko fosforikerroksen elektrodien väliseen sähkökenttään. Tyypillisessä näyt-tösovelluksessa etu- ja takaelektrodit on sopivasti 35 kuvioitu sähköisesti johtavilla osoitelinjoilla, jotka määrittävät rivi- ja sarake-elektrodit. Kuvapisteet määritellään rivien ja sarakkeiden leikkauspisteisiin.
111322 3
Erilaiset elektroniset näytönohjaimet ovat hyvin tunnettuja ja ne osoittavat yksittäistä kuvapistettä ener-gisoimalla yhden rivielektrodin ja yhden sarake-elektrodin kerrallaan.
5 Vaikkakin laite on rakenteeltaan yksinkertai nen, niin ohutkalvoelektroluminesenssilaitteiden kehitys on kohdannut useita käytännön ongelmia. Ensimmäinen ongelma tulee esiin, kun laitteet muodostetaan yksilöllisistä laminaattikerroksista, jotka asennetaan ohut-, 10 kalvotekniikalla, mikä on aikaa vievä ja kallis tek niikka. Erittäin pieni virhe tietyssä kerroksessa voi aiheuttaa vian koko laitteessa. Toiseksi nämä ohutkal-volaitteet toimivat yleensä suhteellisen korkeilla jännitteillä, kuten 300 - 450 volttia huipusta huip- 15 puun. Itse asiassa nämä jännitteet ovat sellaisia, että fosforikerros toimii oman dielektrisen läpilyönti-jännitteensä yläpuolella, saaden sen johtamaan. Ohut-kalvodielektriset kerrokset kummallakin puolella fosforikerrosta vaaditaan rajoittamaan tai ehkäisemään 20 elektrodien välinen johtaminen. Suurten sähkökenttien kytkeminen voi aiheuttaa sähköisen läpilyönnin elektrodien välillä, mikä johtaa laitteen vioittumiseen.
Esillä oleva keksintö on erityisesti suunnattu elektroluminesenssilaitteiden kerrosten erottami-25 seen/eristämiseen ja fosforikerroksen yli tapahtuvien sähköpurkausten ehkäisyyn. Elektroluminesenssilaitteen onnistuneelle toiminnalle on vaatimuksena, että elektrodit (osoitelinjat) eristetään sähköisesti fosforikerroksesta. Tämä toiminta saadaan aikaan erottamal-30 la/eristämällä kerrokset. Tyypillisesti erotus-/eristekerrokset järjestetään toiselle puolelle fosforikerrosta ja muodostetaan alumiinioksidista, ytt-riumoksidista, piidioksidista, piinitridistä tai muista dielektrisistä aineista. Laitteen toiminnan aikana 35 eristekerroksen ja fosforikerroksen välistä tulevat elektronit kiihdytetään sähkökentällä elektronien läpäistessä fosforikerrosta ja ne törmäävät seosatomien 111322 4 kanssa fosforikerroksessa lähettäen valoa törmäyspro-sessin tuloksena. Perinteisessä TFEL-laitteessa riittävän voimakkaan sähkökentän syntymisen fosforikerroksen yli varmistetaan niin, että dielektristen kerrosten 5 paksuus pidetään tavallisesti pienempänä tai vastaavana kuin fosforikerros. Jos dielektriset kerrokset ovat liian paksuja, niin suuri osa osoitelinjojen yli kytketystä jännitteestä on dielektrisen kerroksen yli, eikä fosforikerroksen yli.
10 On tärkeää, että dielektrinen aine on yhteen sopiva fosforikerroksen kanssa. "Yhteensopivalla", jota käytetään selityksessä ja patenttivaatimuksissa, tarkoitetaan ensinnäkin, että se mahdollistaa hyvän injek-tointiliitynnän eli "kuumien" elektronien lähde fosfo-15 riliitynnässä, jota voidaan edistää tai tunneloida fosforin johtavuusvyölle johtamisen ja valosäteilyn alustamiseksi fosforikerroksessa sähkökentän vaikutuksesta. Toiseksi yhteensopivuus merkitsee, että dielektrisen aineen on oltava kemiallisesti pysyvä niin, että 20 se ei reagoi viereisten fosfori- tai elektrodikerrosten kanssa.
Tyypillisessä TFEL:ssä riittävän valotehon saavuttamiseksi kytkettävä jännite on erittäin lähellä jännitettä, jolla eristeen sähköinen läpilyönti tapah-25 tuu. Näin valmistuksen ohjaus eriste- ja fosforikerrosten paksuuksissa ja laadussa on oltava tarkasti kont-; rolloitua sähköisen läpilyönnin ehkäisemiseksi. Tämä vaatimus puolestaan vaikeuttaa suurta saantoa valmistuksessa.
30 Tyypillinen TFEL-rakenne muodostetaan etupuo lelta (näkyvä) taakse. Ohutkerrokset asennetaan peräkkäin sopivalle substraatille. Lasisubstraatteja käytetään läpinäkyvyyden vuoksi. Läpinäkyvä etuelektrodi (ITO osoitelinjat) asennetaan lasisubstraatille ruis-35 kuttamalla noin 0.2 mikronin vahvuiseksi. Seuraavat eriste - fosfori - eristekerrokset sijoitetaan tämän jälkeen tavallisesti ruiskuttamalla tai höyryttämällä.
111322 5
Fosforikerroksen paksuus on tyypillisesti noin 0.5 mikronia. Fosforikerrokset ovat tyypillisesti noin 0.4 mikronia paksuja. Fosforikerros tyypillisesti lämpökä-sitellään asennuksen jälkeen noin 450 °C lämmöllä.
5 Tämän jälkeen lisätään takaelektrodi, tyypillisesti alumiiniosoitelinjoina paksuudella 0.1 mikronia. Lopullinen TFEL-laminaatti koteloidaan ulkoiselta kosteudelta suojautumiseksi. Kotelointiin käytetään epoksilami-noitua peittolasia tai piiöljykotelointia. Koska alku-10 peräisesti pinnoitukseen käytettävä substraatti on tyypillisesti lasia, aineet ja pinnoitustekniikat, joita käytetään TFEL-laminaatin muodostamisessa, eivät voi olla korkeita lämpötiloja vaativia prosesseja.
TFEL-laitteen toiminnassa käytettävät vöirnak-15 kaat sähkökentät asettavat korkeat vaatimukset dielekt-risille kerroksille. Korkeat eristelujuudet vaaditaan sähköisen läpilyönnin estämiseksi. Eristeitä, joilla on iso dielektrisyysvakio, pidetään parempana valovoimakkuuden osalta pienimmällä mahdollisella ohjausjännit-20 teellä. Kuitenkin yritykset suuren dielektrisyysvakion omaavien aineiden käyttämiseksi eivät ole johtaneet tyydyttäviin tuloksiin.
TFEL-elementtien ohjausjännitteiden pienentämiseksi eristekerrokset on muodostettu isomman dielekt-25 risyysvakion omaavista aineista, esim. SrTi03, PbTi03 ja BaTa203/ kuten esitetään U.S. patentissa 4,857,802, Fuyama et ai. Kuitenkaan nämä aineet eivät ole toimineet hyvin, josta todisteena alhaiset sähköiset läpi-lyöntivoimakkuudet. U.S. patentissa 4,857,802, eriste-30 kerros muodostetaan perovskiittikiderakenteesta kontrolloidulla ohutkalvopäällystystekniikalla paremman (111) tasokohdistuksen saamiseksi. Patentti tuo esille suurempia eristelujuuksia (yli noin 8.0 x 105 - noin 1.0 x 106 V/cm), jolloin eristekerroksen paksuus on 35 noin 0.5 mikronia ja aineena käytetään SrTi03, PbTi03 ja BaTi03 tai kaikkia aineita, joilla on korkea dielektrisyysvakio ja perovskiittikiderakenne. Kuitenkin 111322 6 tällä laiteella on haittapuolena monimutkainen ja vaikea ohutkalvopinnoitetekniikan hallinta eristekerrok-sella.
Lisäksi on yritetty kehittää TFEL-laitteita, 5 joissa käytetään paksua keraamista eristekerrosta ja ohutkalvoelektroluminesenssikerrosta, katso Miyata, T et ai. , SID 91 Digest, pp 70 - 73 ja 286 - 289. Laite rakennetaan BaTi03 keraamialustalle. Alusta muodostetaan sulattamalla hienoa BaTi03 jauhetta levyiksi (hal-10 kaisija 20 mm) perinteisellä kulta-paino menetelmillä.
Levyt sintrataan ilmassa 1300 °C lämpötilassa ja sitten pohjustetaan ja kiillotetaan levyiksi, joiden paksuus on noin o.2 mm. Lähettävä kerros pinnoitetaan levylle ohutkalvossa käyttämällä kemiallista höyrytys-15 pinnoitusta tai RF-magnetroni metallointia. Sopivat elektrodikerrokset pinnoitetaan ohutkalvotekniikalla toiselta puolelta rakennetta. Vaikka laite toteuttaa tietyt halutut ominaisuudet, ei siitä ole järkevää valmistaa kaupallista TFEL-laitetta kiinteällä keraami-20 sella alustalla. Suuremman keraamisen levyn hionta ja kiillotus 0.2 mm:n vahvuiseksi ei ole käytännössä ta-! loudellista.
Lisäksi on tunnettua käyttää useita ero-tus/eristekerroksia kummallakin puolella fosforikerros-25 ta. Esim. U.S. patentti 4,897,319 Sun esittää TFEL:n, . ; johon kuuluu fosforikerros, joka on kerrostettu eriste- : : pinoparien väliin, joissa toinen tai molemmat eriste- pinoparit sisältää ensimmäisen piioxynitridikerroksen (SiON) ja toisen, paksumman bariumtantalaattikerroksen 30 (BTO). Ensimmäisellä, SiON-kerroksella on parempi re- sistiivisyys, kun taas toisella, BTO-kerroksella on suurempi dielektrisyysvakio. Yleisesti, rakenne on suunniteltu' fosforikerroksen valovoimakkuuden parantamiseksi perinteisillä jännitteillä. Kuitenkin eriste-35 kerrokset asennetaan RF-metalloinnilla, jolla on tässä myöhemmin kuvattavat ohutkalvotekniikan haittapuolet.
On olemassa tarve TFEL-laitteelle, jolla on 111322 7 korkeampi valovoimakkuus ja alempi toimintajännite kuin perinteisillä TFEL-laitteilla sopivan rakenteen silti säilyessä. Tämä voidaan saavuttaa eristekerroksella, jonka eristelujuus on laitteen ohjaamiseen vaadittavaa 5 sähkökenttää suurempi.
Elektrodikuvioiden valmistaminen läpinäkyvään materiaaliin, kuten indiumtinaoksidiin käsittää usein laajan ja kalliin maskauksen, valoiitografiän ja kemiallisen syövytysprosessin. Lasereita on suunniteltu 10 tällaisten läpinäkyvien johdinmateriaalien viiruttami-seen. Yleisesti käytetään hiilidioksidi-, argon ja YAG-lasereita. Tällaiset laserit tuottavat valoa elektromagneettisen spektrin näkyvällä ja infrapuna-alueella (yleisesti yli 400 nm) . Kuitenkin elektrodikuvioiden 15 viiruttamisessa on ongelmia tämän mittaista aallonpituutta käytettäessä, erityisesti kun läpinäkyvä johtava materiaali on asennettu toiselle läpinäkyvälle alustalle. Perinteisissä TFEL-näytöissä läpinäkyvä elektrodi-aine, tyypillisesti indiumtinaoksidi (ITO) asennetaan 20 läpinäkyvälle lasinäytölle (substraatti) ennen EL-laminaatin jäljellä olevien kerrosten asentamista.
. Eristeessä tai puolijohdeaineessa ei valo, jolla on pidempi aallonpituus kuin elektronikaistaeron energiaa aineessa vastaava aallonpituus, absorboidu voimakkaas-25 ti. Optisesti läpinäkyvällä aineilla kaistaeroa vastaava aallonpituus on lyhyempi kuin näkyvälle valolle. Siksi läpinäkyvät elektrodiaineet absorboivat heikosti laservaloa johtuen sekä pitkästä aallonpituudesta että kerroksen ohuudesta, jolloin laserenergian käyttö on 30 hankalaa suoraan elektrodiosoitelinjojen poistossa.
’ U.S. patentit 4,292,092, Hanak ja 4,667,058,
Catano et ai esittävät prosessin, jolla kuvioidaan läpinäkyvään toiselle läpinäkyvälle elektrodille asennettuun elektrodiin kuvio aurinkoparistossa. Patentit 35 esittävät elektrodin kuvioinnin käyttämällä pulssattua YAG-laseria, joka tuottaa valoa, jonka aallonpituus on niin suuri, että valo ei merkittävästi absorboidu yh- 111322 8 teenkään läpinäkyvään kerrokseen. Alhaisen absorboitumisen kompensoimiseksi, käytetään korkean huipputehon laseria läpinäkyvän elektrodin lämpöhöyryttämiseksi. Neodyymi YAG-laserilla toimitaan 4 - 5 W teholla, puls-5 sinopeudella 36 kHz ja pyyhkäisynopeudella 20 cm/s. Patentin esimerkeissä esitetään lasille asennetun ITO-kerroksen viiruttaminen kuvatulla tavalla. Kuitenkin viirutetut linjat kuvataan olevan paikoittain epätäy-dellisesti viiruttuneita ITOtssa, ja sulaneet lasiin 10 muutaman sadan ängströmin syvyyteen. Jäljelle jäänyt ITO on tämän jälkeen poistettava seuraavalla etsausvai-heella.
Muut menetelmät elektrodikuvioiden muodostamiseksi läpinäkyvään elektrodiaineeseen liittyvät lyhyem-15 pää aallonpituutta, sähkömagneettisen spektrin ultra-violettialueella, tuottavan excimer-laserin käyttöön. Tällä aallonpituudella laserenergia voi absorboitua läpinäkyvään aineeseen. Tämän tyyppisten lasereiden oletetaan muodostavan johtavia kuvioita nestekidenäyt-20 töille (U.S. patentit 4,970,366, Imatou et ai. ja 4,927,493 Yamazaki et ai.), fotojänniteakuille (U.S. patentit 4,783,421, Carlson et ai. ja 4,854,974 Yamazaki et ai.), kuvantamisantureihin (U.S. 5,043,567, Saka-ma et ai.) ja integroituihin piireihin (U.S. patentti 25 5,109,149, Leung). WO 90/0970, julkaistu elokuu 23, 1990, Autodisplays A/S, esittää prosessin elektrodipis-tematriisikuvion viiruttamiseksi excimer-laserilla läpinäkyvään johtimeen, joka on läpinäkyvällä substraa-: tiliä.
30 Koska excimer-laser tuottaa valoa, jonka aal lonpituus on riittävän pieni absorboitumaan läpinäkyvään elektrodiin niin, että elektrodi voidaan kuvioida suoraan poistamalla, ovat tällaiset laserit suhteellisen kalliita ja viirutusprosessia on huolellisesti 35 kontrolloitava allaolevan lasin sulamisen tai poistumisen estämiseksi. Edelleen sellainen prosessi saattaa johtaa läpinäkyvän aineen ylimääräiseen tai epätäydel- 111322 9 liseen irtoamiseen. Esimerkiksi WO 90/0970 julkaisussa osoitetaan, että poistettavana olevan aineen osittain poistuessa, voidaan jäljelle jäävät osat poistaa kemikaaleilla tai plasmaetsauksella.
5 Toinen kohdattu ongelma läpinäkyvien elektro- diaineiden viiruttamisessa läpinäkyvällä alustalla tulee esille U.S. patentissa 4,937,129, Yamazaki. Leviämisen tai poikkisaastumisen välttämiseksi kerrosten välillä, järjestetään kerrosten liityntään leviämises-10 teitä.
Muissa patenteissa on esitetty läpinäkyvän elektrodiaineen pintakäsittelyä, jolla laajennetaan laservalon absorboitumista. Esimerkiksi U.S. patentti 4,909,895, Cusano, esittää metallikalvopinnan oksidoi-15 misen niin, että se heijastaa vähemmän laservaloa. U.S. patentti 4,568,409, Caplan esittää läpinäkyvän kerroksen päällystämisen väriä valinnaisesti absorboivalla laservalolla poistamista varten vaativissa kohteissa.
Ohjauspiiri EL-näytön ohjaamiseksi on kehitet-20 ty. Lähtökohtaisesti piiri muuntaa sarjavideodataa rinnakkaiseksi dataksi jännitteen kytkemiseksi näytön ; . riveihin ja sarakkeisiin. Nykyään on saatavilla näyttö jen rivi- ja sarakeohjauskomponentteja (chippejä).
Epäsymmetrisiä ja symmetrisiä ohjausmenetelmiä 25 käytetään EL-näytöissä. Epäsymmetrisessä ohjausmenetel--mässä EL-paneeliin järjestetään ohjauspulsseja kytke-/ : mällä negatiivinen aiikynnysjännite yhteen riviin ker rallaan. Kunkin rivin pyyhkimisen aikana positiivinen pulssi kytketään valittuihin sarakkeisiin (eli niihin, 30 joiden halutaan loistavan) ja nollajännite kytketään ei-valittuihin sarakkeisiin (eli niihin, joiden ei haluta loistavan). Valittujen sarakkeiden ja rivien risteyksessä rivin ai ikynnys jännitteen ja sarakkeen ;V positiivisen pulssijännitteen summan suuruinen jännite 35 kytketään kuvapisteen yli aiheuttaen valoemission. Kun paneelin kaikki rivit on osoitettu, polariteeteiltaan positiiviset virkistyspulssit kytketään kuhunkin riviin 111322 10 samanaikaisesti ja kaikki sarakkeet pidetään 0 V:ssa.
Symmetrisessä ohjauskaaviossa virkistyspulssi poistetaan. Sensijaan vastaava joukko ohjauspulsseja, jotka ovat polariteetiltaan vastakkaismerkkisiä, kytke-5 tään paneeliin. Paneelin pitämiseksi toiminnassa rivejä pyyhkäistään pulsseilla, joiden polariteetti vaihtelee parillisilla ja parittomilla riveillä. Vaihtuva polariteetti aiheuttaa nettovarauksen nolla kaikilla näytön kuvapisteillä.
10 Korkeajänniteohjauskomponentteja (chippejä) on saatavilla sekä epäsymmetriseen että symmetriseen ohjaukseen.
Vaihtoehtoisia ohjauspiirejä ja -komponentteja EL-näyttöihin tunnetaan tai on kehitteillä, katso esim. 15 K. Shoji et ai., Bidirectional Push-Pull Symmetric Driving Method of TFEL Display, Springer Proceedings in Physics, Vol. 38, 1989, 324; ja Sutton S. et al. , Re cent Developments and Trends in Thin-Film Electroluminescent Display Drivers, Springer Proceedings in 20 Physics, Vol. 38, 1989, 318; ja Bolger et al., A Second
Generation Chip Set for Driving El Panels, SID, 1985, 229.
Yllä olevia ohjauskaavioita kutsutaan multi -pleksatuiksi (passiivi) matriisiosoituskaavioiksi. 25 Teoreettisesti muun tyyppisiä ohjauskaavioita, kuten aktiivimatriisi osoituskaavioita, voitaisiin käyttää EL-näytöissä. Kuitenkaan niitä ei ole vielä kehitetty. Sellaiset vaihtoehtoiset ohjauskaaviot voidaan ottaa huomioon ja voivat olla merkitseviä muotojänniteohjaus-30 piirissä, kuten otetaan huomioon tässä hakemuksessa.
Perinteisissä EL-näytöissä yksi menetelmä sarake- ja riviosoitelinjojen kytkemiseksi ohjauspiiriin, on puristaa polymeerinauha, joka sisältää erittäin monta lähekkäin asetettua metallilevyä kontaktiri-35 vien välissä yhdistettynä ohjauspiirin ohjauskomponent- teihin, joka ohjauspiiri muodostetaan erilliselle piirilevylle (katso U.S. patentti 4,508,990, Essinger).
111322 11
Polymeerinauha on kerrostettu elastomeerinen elementti (LEE), joka tunnetaan kauppanimillä STAX ja ZEBRA. LEE on muodostettu vaihtelevista kerroksista johtavia ja ei-johtavia elastomeerisia aineita. Polymeerinauhalla 5 vältytään satojen yksittäisten työläiden johtojen käyttämiseltä juotetuissa tai hitsatuissa liitännöissä. Kuitenkin tämä liitäntäteknologia on epäluotettava, eikä toimi hyvin korkeissa lämpötiloissa, jotka voivat aiheuttaa polymeeriaineen kutistumisen.
10 Toinen yleisesti käytetty menetelmä sarakkei den ja rivien liittämiseksi ohjauspiiriin nestekidenäytöissä (LCD), tulee esille elektroluminesenssinäytöis-sä, nimittäin chippi-lasilla (Chip-on-glass,COG) teknologia. Ohjauskomponentit (chipit), joihin osoitelinjat 15 on kytkettävä, asennetaan lähelle näytön oheen. LCD-näyttöjen yhteydessä osoitelinjat, jotka höyrytetään näyttölasin takapuolelle, laajennetaan näytön aktiiviselta alueelta niin, että ne päättyvät liitintäpliin, jotka on järjestetty sellaiseen kuvioon, että chipit 20 voidaan johdottaa täpliin. Johdinsidos kiinnittää asentaen chipit näyttölasille ja tämän jälkeen ohuet kultajohtimet hitsataan lähtötäpliin piirillä ja osoi-telinjojen liitintäpliin.
COG teknologian etu on, että kontaktien luku-25 määrä näyttölasin ja ohjauspiirin välillä vähenee olennaisesti, koska toistaiseksi suurin kontaktien määrä on ohjaussirujen ja osoitelinjojen välillä. Ohjaussirujen ja muun ohjauspiirin välillä on vain noin 20 - 30 liityntää, kun vastakohtaisesti osoitelinjoihin on noin 30 2000 liityntää.
Eräs COG teknologian suurin haitta on, että ongelmia koetaan ohjauspiirien johdottamisessa niiden liittämiseksi ohutkalvotäpliin osoitelinjoilla, mikä johtaa huonoon valmistussaantoon. Toinen haitta on, 35 että näytön ohessa vaaditaan tilaa ohjaussirujen asentamiseksi, mikä kasvattaa näytön kokoa eliminoiden mahdollisuuden yhdistää useita näyttöjä suuremman näy- 111322 12 tön toteuttamiseksi.
Läpireikä teknologia suorissa piiriliitännöis-sä on laajalti tunnettua puolijohdetekniikassa (katso esim U.S. patentti 3,641,390, Nakamura). U.S. patentti 5 4,710,395, Young et ai. kuvaa menetelmän ja laitteen läpireikäsubstraatin painamiseen säädettävällä tyhjiöllä. Kuitenkaan läpireikäpainantaa, keksijöiden tiedon mukaan, ei ole menestyksekkäästi sovellettu EL-näyttöihin.
10 U.S. patentti 3,504,214 Lake et ai. kuvaa segmentoidun muistityyppisen EL-laitteen, jossa kuva-pisteet sytytetään valolla fosforikerroksen vieressä olevan valoa johtavan kerroksen saamiseksi sähköä johtavaksi. Monimutkaiset läpivientireikäjohtimet kuva-15 taan. Patentti osoittaa, että tavalliset läpireikä liitynnät eivät toimi korkean tarkkuuden TFEL-näytöissä, koska johtava aine saattaa reagoida fosforin kanssa heikentäen näin näytön suorituskykyä.
Keksinnön mukaiselle elektroluminesenssila-20 minaatille tunnusomaiset seikat ilmenevät patenttivaatimuksesta 1. Edelleen keksinnön mukaiselle menetelmälle tunnusomaiset seikat ilmenevät patenttivaatimuksesta 43. Edelleen keksinnön mukaiselle menetelmälle tunnusomaiset seikat ilmenevät patenttivaatimuksesta 93. 25 Edelleen keksinnön mukaiselle menetelmälle tunnusomaiset seikat ilmenevät patenttivaatimuksesta 111. Edelleen keksinnön mukaiselle elektroluminesenssilaminaa-tille tunnusomaiset seikat ilmenevät patenttivaatimuksesta 120. Edelleen keksinnön mukaiselle menetelmälle 30 tunnusomaiset seikat ilmenevät patenttivaatimuksesta 127.
Elektroluminesenssilaminaatin kerroksilla on erilaiset dielektrisyysvakiot. Potentiaaliero kerrosten välillä jaetaan suhteessa jokaisen kerroksen yli kunkin 35 kerroksen paksuuden mukaisesti ja käänteisesti suhteessa aineiden dielektrisyysvakioon. Esimerkiksi jos yhden kerroksen paksuus ja dielektrisyysvakio, jotka ovat 111322 13 kumpikin kaksinkertaiset toisen kerroksen vastaaviin verrattuna, jaetaan jännite tasan kummankin kerroksen kesken. Esillä oleva keksintö käyttää tätä ominaisuutta yhdistäessään paksun eristekerroksen, jolla on korkea 5 dielektrisyysvakio, ohuemman fosforikerroksen, jolla on pienempi dielektrisyysvakio, kanssa. Tällä tavalla, ennen johtamisen alustusta fosforikerroksen läpi, järjestettynä eristekerroksella on riittävän suuri dielektrisyysvakio ja kuvapisteen yli oleva jännite voi 10 olla laajemmin fosforikerroksen yli.
Esillä oleva keksintö tuo esille EL-laminaatin, johon kuuluu uusi ja kehittynyt eristeker-ros, ja menetelmän laminaatin valmistamiseksi. Eriste-kerros muodostetaan sintratusta keraamisesta aineesta 15 niin, että: - eristelujuus on suurempi kuin noin 1.0 x 106 V/m; - dielektrisyysvakion suhde dielektrisen aineen dielektrisyysvakion (k2) ja fosforikerroksen di- 20 elektrisyysvakion (ki) välillä on suurempi kuin noin 50:1 (edullisesti suurempi kuin 100:1); - eristekerroksen paksuus on sellainen, että dielektrisen kerroksen paksuuden suhde fosforikerroksen paksuuteen on alueella noin 20:1 - 500:1 (edullisesti 25 40:1 - 300:1); ja - eristekerroksen pinta on yhteydessä fosfori- kerrokseen, joka on yhteensopiva fosforikerroksen kanssa ja riittävän tasainen niin, että fosforikerros va- · laisee tasaisesti annetulla viritysjännitteellä.
30 Laminaattiin kuuluva esillä olevan keksinnön mukainen eristekerros on edullisimmin kerros, jossa fosforikerros on ohutkaivokerros. Tyypillisesti ohut-kalvofosforikerros muodostetaan ZnS:Mn:stä, jonka paksuus on noin 0.2 - 2.0 mikronia, tyypillisesti noin 0.5 35 mikronia. ZnS:Mn:n dielektrisyysvakio on noin 5 - 10. Teoreettisten laskutoimitusten mukaan, jotka perustuvat kaikkein edullisimpaan fosforikerrokseen (katso perus- 111322 14 teluja yllä), esillä olevan keksinnön mukaisen eriste-kerroksen dielektrisyysvakio on suurempi kuin noin 500 ja edullisimmin suurempi kuin noin 1000, ja paksuus alueella noin 10 - 300 mikronia ja edullisesti noin 20 5 - 150 mikronia. Suuren dielektrisyysvakion aikaansaami seksi, ferrosähköiset aineet ovat etusijalla, kaikkein edullisimmin ne, joilla on perovskiittikiderakenne. Esimerkkiaineisiin kuuluu PbNb03, BaTio3, SrTi03 ja PbTi03.
10 Keksinnön mukainen eristekerros muodostetaan laminaattiin, joka edullisesti on koottu takaosasta etuosaan, jolloin takaelektrodi asennetaan substraatille, edullisimmin keraamille, kuten alumiini, joka kestää suurempia lämpötiloja valmistuksessa kuin la-15 sisubstraatit (joita käytetään edestä taakse TFEL-rakenteessa etuosan läpinäkyvyyden vuoksi). Tämän jälkeen esillä olevan keksinnön mukainen eristekerros asennetaan paksukalvotekniikalla takaelektrodille. Tämän jälkeen se sintrataan korkeassa lämpötilassa, 20 kuitenkin sellaisessa, jonka substraatti ja takaelektrodi kestävät. Paksukalvotekniikan käyttö ja korkean lämpötilan sintraus ovat tärkeitä eristekerroksen ominaisuuksille, koska näin saavutetaan tiheä kerros, jolla on vahva kristallirakenne, mikä parantaa kerrok-25 sen dielektrisyysvakiota ja eristelujuutta kokonaisuudessaan.
Käytännössä keksijät ovat havainneet, että on vaikeaa saada aikaan haluttu eristepinta yhteydessä fosforikerrokseen (eli yhteensopiva ja tasainen) nyky-30 ään saatavilla olevista keraamisista aineista. Näin esillä olevan keksinnön edullisessa sovelluksessa eristekerros muodostetaan kahdesta kerroksesta, joista ensimmäinen eristekerros muodostetaan takaelektrodille .V, ja jolla on edullisesti, kuten yllä on esitetty, suuri 35 eristelujuus ja dielektrisyysvakio, ja toisesta eriste-kerroksesta, jonka avulla saadaan yllä esitetty kontakti fosforikerrokseen.
111322 15
Esillä olevan keksinnön edullisessa sovelluksessa ensimmäinen eristekerros asennetaan paksukalvo-tekniikalla (edullisesti silkkipainannalla), jota seuraa sintraus korkeassa lämpötilassa (edullisesti alle 5 kaikkien alempien kerrosten sulamislämpötilan, tyypillisesti alle 1000°C). Massoille, jotka sisältävät fer-rosähköisiä keraameja, joilla edullisesti on perovs-kiittikiderakenne, kuten yllä on esitetty ovat edullisia aineita, järjestetty massaformulointi mahdollistaa 10 sintrauksen korkeassa sintrauslämpötilassa. Toinen eristekerros asennetaan edullisesti dispersiogeelitek-niikalla, jota seuraa korkean lämpötilan sintraus, tasaisen pinnan aikaansaamiseksi. Toisessa kerroksessa käytetty aine edullisesti antaa korkean dielektrisyys-15 vakion (edullisesti suuremman kuin 20, edullisimmin suurempi kuin 100) ja paksuuden, joka on suurempi kuin 2 mikronia (edullisesti 2-10 mikronia). Ferrosähköi-set keraamit, joilla on perovskiittikiderakenne ovat etusijalla.
20 Keksintöä on demonstroitu niin, että ensimmäi- ,, nen eristekerros on silkkipainettu lyijyniobaatista, ; , jonka paksuus 30 mikronia, ja toinen eristekerros on ; : : kiertoasennettu dispersiona lyijyzirkonaattititaanista, ’> jonka paksuus on 2 - 3 mikronia. Dispersiogeelikerrosta 25 on myös demonstroitu kastamalla niin, että muodostuu ; useita kerroksia, joiden yhteinen paksuus on 6 - 10 mikronia. Myös lyijylantaanizirkonaattititaania on demonstroitu dispersiogeelikerroksena.
;v, Kahden eristekerroksen käytöllä, vaikka se ei 30 ole olennaista, on etunsa. Kun ensimmäinen eristekerros i’ muodostetaan paksuna kerroksena, jolla on tarvittava suuri eristelujuus ja dielektrisyysvakio, ei toinen : kerros ole niin rajoitettu. Järjestetyssä toisessa kerroksessa on haluttu yhteensopivuus ja tasainen pin-35 ta, se voidaan muodostaa ohuena kerroksena eri aineista kuin ne, joita käytetään ensimmäisessä kerroksessa. Eriste - fosforiliitynnän ominaisuuksien muuntamiseksi 111322 16 on tehty paljon tutkimustyötä, esimerkiksi kemiallisen pysyvyyden tai injektoituvuuden parantamiseksi. Aineita tai asennustekniikoita, jotka sisältävät nämä parannukset, voidaan käyttää keksinnön ensimmäisessä ja/tai 5 toisessa eristekerroksessa, esimerkiksi ensimmäisessä tai toisessa kerroksessa aineiden tai asennustekniikoi-den valinnassa, toisen kerroksen pintaa muuntamalla tai lisäämällä lisäohutkalvokerroksen kolmannesta aineesta ensimmäisen ja toisen kerroksen päälle.
10 Esillä olevan keksinnön mukaisesti valmistet tuja laminaatteja on esitelty hyvän valaistusvoimakkuu-den osoittamiseksi ilman läpilyöntiä alhaisilla toimin-tajännitteillä. Edulliset paksukalvo- ja dispersiogee-liasennustekniikat eristekerrokse(i)lie ovat yleensä 15 yksinkertaisia ja halpoja tekniikoita verrattuna yllä kuvattuihin ohutkalvotekniikoihin. Toinen etu esillä olevan keksinnön mukaisessa kerrokseti)ssa on, että laminaatit, joihin sisältyy kerros/kerrokset, eivät vaadi lisäeristekerroksia fosforikerroksen ja toisen 20 eristekerroksen välissä, vaikkakin sellainen lisäkerros voidaan järjestää haluttaessa.
Näin, yhdessä laajassa näkökannassa, keksintö tuo esiin eristekerroksen elektroluminesenssilaminaa-tissa, johon kuuluu fosforikerros kerrostettuna etu- ja 25 takaelektrodin väliin, joka takaelektrodi edullisesti | muodostetaan substraatille ja joka fosforikerros erote taan takaelektrodista eristekerroksella. Eristekerrok-seen kuuluu tasomainen kerros, joka muodostetaan sint-ratusta keraamisesta aineesta, joka antaa suuremman 30 kuin noin 1.0 x 106 V/m eristelujuuden ja dielekt-^ risyysvakion niin, että k2/k1 on suurempi kuin noin 50:1, ja eristekerroksen paksuus on sellainen, että eristekerroksen paksuuden suhde fosforikerroksen paksuuteen on alueella noin 20:1 - 500:1 ja eristekerrok-35 sen pinta on yhteydessä fosforikerrokseen, joka on yhteensopiva fosforikerroksen kanssa ja riittävän tasainen niin, että fosforikerros valaisee tasaisesti 111322 17 annetulla viritysjännitteellä.
Lisäksi keksintö liittyy menetelmään eriste-kerroksen muodostamiseksi elektroluminesenssilaminaat-tiin, johon kuuluu fosforikerros kerrostettuna etu- ja 5 takaelektrodin väliin, joka takaelektrodi muodostetaan substraatille ja joka fosforikerros erotetaan taka-elektrodista eristekerroksella. Menetelmässä takaelektrodi pinnoitetaan paksukalvotekniikalla, jota seuraa sintraus, keraamisella aineella, jolla on dielekt-10 risyysvakio niin, että k2/kx on suurempi kuin noin 50:1, ja eristekerroksen paksuus on sellainen, että d2/d! on alueella noin 20:1 - 500:1 ja eristekerroksen pinta on yhteydessä fosforikerrokseen, joka on yhteensopiva fosforikerroksen kanssa ja riittävän tasainen 15 niin, että fosforikerros valaisee tasaisesti annetulla viritysjännitteellä.
Lisäksi keksintö tuo laajalti esille prosessin kuvion laserviiruttamiseksi tasomaiseen laminaattiin, johon kuuluu ainakin yksi pintakerros ja ainakin yksi 20 pohjakerros, jossa prosessissa suunnataan tarkennettu lasersäde laminaatin päällyskerrokseen, jonka lasersäteen aallonpituus on olennaisesti absorboitumaton päällyskerrokseen, mutta on absorboituva aluskerrokseen niin, että ainakin osa ' 25 aluskerroksesta poistetaan suoraan ja päällyskerros poistetaan epäsuorasti koko paksuudeltaan.
EL-laminaatin yhteydessä päällyskerrokset ovat läpinäkyvää johtavaa materiaalia ja fosforia, pohjakerrokset ovat yksi tai useampi eristekerros ja kuvio on 30 elektrodi, joka muodostuu rinnakkain sijoitetuista osoitelinjöistä.
Selityksessä ja vaatimuksissa pätee seuraava määritelmä:
Absorptio esiintyy aineessa, kun neljännes 35 säteilyenergiasta on yhtenevä aineen sallitun siirtymän korkeammalle energiatasolle kanssa, esimerkiksi elektronien siirtyminen ko. aineen energiaraon yli.
111322 18
Aineen suora poistaminen laservalolla esiintyy, kun poistumisen hallitseva aiheuttaja on hajoaminen ja/tai lasersäteen absorboituminen aineeseen.
Aineen epäsuora poistaminen laservalolla 5 esiintyy, kun poistumisen hallitseva aiheuttaja on höyrystyminen, joka aiheutuu syntyvästä ja siirretystä lämmöstä lähellä olevassa aineessa, joka absorboi lasersäteen säteilyenergiaa.
Lisäksi keksintö liittyy elektroluminesenssi-10 näyttöpaneeliin, jossa on sähköinen liityntä tasomai sesta elektroluminesenssilaminaatista yhden tai useamman läpivientiliittimiä käyttävän ohjauspiirin jännite-ohjauskomponentin lähtöön. Näyttöpaneeliin kuuluu: - elektroluminesenssilaminaatti, joka muodos- 15 tetaan takasubstraatille ja johon kuuluu etu- ja taka- ryhmät risteäviä osoitelinjoja, kuten on tunnettua; - joukko läpivientireikiä, jotka on muodostettu substraatille osoitelinjojen päiden läheisyyteen; ja välineet johtavan reitin muodostamiseksi 20 kunkin läpivientireiän läpi substraatissa kunkin osoi- telinjan päähän sähköisen liitynnän muodostamiseksi osoitelinjojen ja ohjauspiirin jänniteohjauskomponentin välille.
Edullisesti näyttöpaneelin elektroluminesens-25 silaminaattiin kuuluu keksinnön mukainen paksukal- voeristekerros. Eristekerros mahdollistaa laminaatin toteuttamisen takasubstraatilta kohti edessä olevaa näkyvää puolta, joka vuorostaan mahdollistaa läpivien-tiliittimien ja paksukalvopiirikuvioiden liittämisen 30 jänniteohjauskomponentteihin ja osoitelinjoihin, jotka muodostetaan limittämällä piirin valmistusvaiheet elektroluminesenssilaminaatin valmistusvaiheisiin.
Tällaisia vaiheita ei voida helposti toteuttaa perinteisen elektroluminesenssilaminaatin valmistuksessa, 35 koska kerrokset asennetaan etunäyttölasille, joka ei kestä paksukalvojohdinmassojen kuumentamisessa olevia lämpötiloja.
111322 19
Esillä olevan keksinnön mukaisesti jänniteoh-jauskomponentit tai koko ohjauspiiri voidaan muodostaa takasubstraatin takapuolelle (kääntöpuolelle). Läpi-vientiliittimien käyttö mahdollistaa suoremman, luotet-5 tavamman liitynnän osoitelinjojen ja ohjauspiirin välillä. Ei-aktiivista kehää näyttöpaneelin ympärillä ei tarvita, kuten tunnetussa tekniikassa. Tämä helpottaa suurten näyttöjen kokoamista yksittäisistä näyttöpanee-leista ilman tummaa rajapintaa modulien välissä.
10 Kuva 1 on kaavamainen poikkileikkaus laminaat tirakenteesta, johon kuuluu kaksi keksinnön mukaista eristekerrosta; ja kuva 2 on kuvan 1 laminaattirakenne päältä nähtynä.
15 Kuva 3 on kaavamainen poikkileikkaus laminaat tirakenteesta sarake-elektrodia pitkin esittäen rivi-ja sarake-elektrodiosoitelinjojen edullista liittämistä jänniteohjauspiirin jänniteohjauskomponenttiin; kuva 4 on takasubstraatti, jossa on edullinen 20 läpivientikuvio osoitelinjojen sähköiseksi kytkemiseksi jänniteohjauspiirin jänniteohjauskomponenttiin, ylhäältä nähtynä; ·’ : kuva 5 on edullinen ohjauspiirikuvio, joka on painettu takasubstraatin takapuolelle, ylhäältä nähty-25 nä; kuva 6 on rivielektrodit ja saraketäplät, : : jotka on painettu takasubstraatin etupuolelle, ylhäältä nähtynä; kuva 7 on piirijuotospisteen vahvistuskuvio, 30 joka edullisesti painetaan kuvan 5 ohjauspiirin yli, ylhäältä nähtynä; kuva 8 on tiivistelasikuvio, joka edullisesti on painettu kuvien 5 ja 7 ohjauspiirikuvion ja piiri-juotospisteen vahvistuskuvion päälle, ylhäältä nähtynä; 35 kuva 9 on sarake-elektrodikuvio ylhäältä näh tynä ; j a kuva 10 on sähköiset kytkennät, jotka on pai- 111322 20 nettu kuvan 9 sarakelinjojen ja kuvan 6 sarakejuotos-pisteiden väliin, ylhäältä nähtynä.
EL-laminaatti 10, johon kuuluu kaksi kerroksinen eriste esillä olevan keksinnön mukaisesti, esite-5 tään kuvissa 1 ja 2. Laminaatti 10 rakennetaan takaosalta substraatille 12. Takaelektrodikerros 14 muodostetaan substraatille 12. Kuten esitetään kuvissa, näyt-tösovelluksissa takaelektrodi 14 käsittää rivejä johtavia osoitelinjoja keskitettynä substraatille 12 ja 10 sijoitettuna substraatin reunoilta alkaen. Sähköä johtava päätekaistale 16 työntyy esiin elektrodista 14. Ensimmäinen paksumpi eristekerros 18 muodostetaan taka-elektrodin 14 yläpuolelle, mitä seuraa toinen, ohuempi eristekerros 20. Fosforikerros 22 muodostetaan toisen 15 eristekerroksen 20 yläpuolelle, mitä seuraa läpinäkyvä elektrodikerros 24. Etuelektrodikerros esitetään kuvisr sa kiinteänä, mutta todellisuudessa näyttösovelluksissa se käsittää osoitelinjasarakkeita, jotka ovat kohtisuorassa takaelektrodin 14 osoitelinjoihin nähden. 20 Laminaatti 10 koteloidaan läpinäkyvällä tiivistekerrok-sella 26 kosteuden estämiseksi. Sähkökontakti 28 järjestetään toiseen elektrodiin 24.
EL-laminaattia 10 käytetään kytkemällä AC-teholähde elektrodikontakteihin 16, 28. Keksinnön mu- 25 kaista EL-laminaattia käytetään lampuissa tai näytöissä, vaikkakin useimmiten sen sovellukset liittyvät näyttöihin.
Ammattimiehelle on selvää, että useampia li-mittäisiä kerroksia voidaan sisällyttää laminaattiin 10 30 poikkeamatta esillä olevasta keksinnöstä.
Menetelmä kaksoiseristekerroksen valmistamiseksi EL-laminaatissa .kuvataan seuraavassa edullisilla aineilla ja prosessivaiheilla.
Laminaatti 10 valmistetaan takapuolelta etu-35 puolelle (näkyvä). Laminaatti 10 muodostetaan sopivalle substraatille 12. Edullisesti substraatti 12 on keraamista ainetta, joka kestää korkeita sintrauslämpötiloja 111322 21 (tyypillisesti 1000°C), joita käytetään eristekerrok-sessa. Alumiinia pidetään edullisimpana.
Substraatille 12 on asennetaan ensiksi taka-elektrodi 14. Ohuiden osoitelinjarivien asentamiseksi 5 tunnetaan useita tekniikoita ja aineita. Edullisesti johtavat metalliosoitelinjat silkkipainetaan Ag/Pt metalliseosmassasta, käyttäen emulsiota, joka voidaan pestä pois alueilta, joihin massa painetaan. Tämän jälkeen massa kuivataan ja kuumennetaan. Vaihtoehto!-10 sesti takaelektrodi 14 voidaan muodostaa muista jalometalleista, kuten kulta, tai muista metalleista, kuten kromi, volframi, molybdeeni, tantaali tai näiden metallien yhdisteistä.
Ensimmäinen eristekerros 18 asennetaan taka-15 elektrodille tunnetulla paksukalvotekniikalla. Ensimmäinen eristekerros 18 on edullisesti muodostettu fer-rosähköisestä aineesta, edullisimmin aineesta, jolla on perovskiittikiderakenne, jotta saadaan korkea dielekt-risyysvakio verrattuna fosforikerroksen 22 dielekt-20 risyysvakioon. Aineella dielektrisyysvakio on pienim-millään 500 koko laminaatin reaalisen toimintalämpöti-’ , lan alueella, joka yleisesti on 20 - 100°C. Edullisem min ensimmäisen eristekerroksen dielektrisyysvakio on 1000 tai suurempi. Ensimmäisen eristekerroksen esimerk-25 kiaineisiin kuuluu PbNb03, BaTio3, SrTi03 ja PbTi03, joista PbNb03 on erityisen edullinen.
; ;; Kuten ammattimiehelle on selvää, keraamisen aineen (eli sähköisesti eristävän aineen, jonka sula-mispiste on riittävän korkea laminaatin muiden kerrok-30 sien valmistamisen sallimiseksi) valinnassa ensimmäiseen eristekerrokseen 18 valitaan aineet, joilla tiedetään olevan korkea dielektrisyysvakio ja eristelujuus. Nämä ovat aineiden olennaisia ominaisuuksia, kuitenkin aivot yleensä annetaan irtotavaralle, joka esiintyy 35 tiiviissä, erittäin kristallimaisessa muodossa. Käytetyt päällystystekniikat voivat muuttaa näitä ominaisuuksia. Suhteessa aineen dielektrisyysvakioon, paksu- 111322 22 kalvopäällystysmenetelmät, joita seuraa sintraus korkeassa lämpötilassa, säilyttävät yleisesti suuren hiuk-kaskoon (alueella noin 1-2 mikronia) ja tiheän kris-tallirakenteen niin, ettei dielektrisyysvakio merkittä-5 västi pienene verrattuna alkuperäisen aineen dielekt-risyysvakioon. Vastaavasti korkea eristelujuus saavutetaan käyttämällä paksukalvopäällystystekniikoita, joita seuraa korkean lämpötilan sintraus. Kuitenkin kerrokseen eristelujuus on lopullisesti mitattava kytkemäl-10 lä toimintajännite valmiin laminaatin yli.
Paksukalvopäällystystekniikat ovat tunnettua tekniikkaa, kuten yllä esitetään. Sellaisilla tekniikoilla eristekerros asennetaan takaelektrodikerrokselle 14 halutun vahvuiseksi ja peitoltaan tasaiseksi. Paksu-15 kalvopäällystystekniikoita käytetään säännöllisesti elektronisten piirien ja keraamisten substraattien valmistuksessa. Silkkipainanta on edullisin tekniikka. Kaupallisesti saatavilla olevia eristemassoja voidaan käyttää massan valmistajien suosittelemien sintrausvai-20 heiden kanssa. Massat on valittava tai muodostettava niin, että ne sallivat sintrauksen korkeassa lämpötilassa, tyypillisesti noin 1000°C. Kuitenkin muilla tekniikoilla voidaan saavuttaa vastaavat tulokset. Yksi vaihtoehtoinen paksukalvotekniikka on käyttää eristettä 25 "tuoreteippinä" (green tape) niin, että se voidaan asentaa takaelektrodille 14. Tuoreteippiin kuuluu eris-: tejauhe polymeerimatriisissa, joka voidaan kuumentaa puhtaaksi seuraavien sintrausvaiheiden aikana. Teippi on joustavaa ennen sintrausta ja se voidaan rullata tai 30 painaa elektrodikerrokselle 14. Eräs mahdollinen etu tuoreteipistä on silkkipainettuun eristeeseen verrattuna, että tuoreteippi voi olla mahdollisesti tiiviimpi ja siinä voi olla vähemmän huokosia kuumentamisen jälkeen. Tällä hetkellä tuoreteippiä ei ole kovin laajalti 35 saatavilla. Eristepaksukalvomassat voidaan myös rullata takaelektrodikerroksen 14 päällysteeksi tai asentaa kaavaimen avulla. Monimutkaisempia tekniikoita, kuten 111322 23 eristejauheen sähköstaattinen päällystys, jota seuraa välitön sintraus ennen kuin jauhe menettää sähköstaattisen varauksensa, voidaan myös käyttää.
Kuten on osoitettu, ensimmäinen eristekerros 5 18 edullisesti silkkipainetaan massasta. Päällystäminen useassa kerroksessa, jota seuraa sintraus korkeassa lämpötilassa, on edullinen alhaisen huokoisuuden, hyvän kristallimaisuuden ja pienen murtumisen saavuttamiseksi. Sintrauslämpötila riippuu tietystä käytetystä ai-10 neesta, mutta ei ylitä lämpötilaa, jonka takaelektrodi tai substraatti kestää. 1000°C:een lämpötila on tyypillisesti suurin sallittu useimmille elektrodiaineille. Ensimmäisen eristekerroksen 18 paksuus vaihtelee yhdessä sen dielektrisyysvakion ja fosforikerroksen 22 ja 15 toisen eristekerroksen 20 dielektrisyysvakion ja paksuuden kanssa. Yleisesti ensimmäisen eristekerroksen 18 paksuus on alueella 10 - 300 mikronia, edullisesti 20 -150 mikronia ja edullisemmin 30 - 100 mikronia. Arvioidaan, että yleisesti eristekerrokse(i)n paksuuden ja 20 dielektrisyysvakion toteutus lasketaan niin, että saavutetaan riittävä eristelujuus minimitoimintajännitteellä. Kriteerit ovat keskinäisessä suhteessa alla kuvatulla tavalla. Annetulla tyypillisellä fosforikerroksen paksuudella (di) välillä noin 0.2 - 2.0, di- 25 elektrisyysvakio (ki) fosforikerrokselle on väliltä noin 5 - 10 ja eristelujuus eristekerrokse(i)lie noin 106 - 107, voidaan seuraavia vastaavuuksia ja laskelmia käyttää määritettäessä esillä olevan keksinnön eriste-kerroksen tyypillistä paksuutta (d2) ja dielektrisyys-30 vakiota (k2) . Näitä vastaavuuksia ja laskelmia voidaan käyttää ohjeena d2:n ja k2:n määrittämisessä, poikkeamatta esillä olevan keksinnön piiristä, voivat tyypilliset tässä esitetyt arvot vaihdella merkittävästi.
Kaksoiskerroksen, johon kuuluu tasainen eris-35 tekerros ja tasainen ei-johtava fosforikerros kerrostettuna kahden johtavan elektrodin väliin, yli oleva jännite saadaan yhtälöstä 1: 111322 24 V = E2 * d2 + Ei * di, (1) jossa E2 on sähkökentän voimakkuus eristekerrokses- sa; 5 Ei on sähkökentän voimakkuus fosforikerrokses sa; d2 on eristekerroksen paksuus; ja di on fosforin paksuus.
Näissä laskutoimituksissa sähkökentän suunta 10 on kohtisuorassa fosforikerroksen ja eristekerroksen liitokseen. Yhtälö 1 on voimassa jännitteille, jotka ovat alle kynnysjännitteen., jolla sähkökentän voimakkuus fosforikerroksessa on riittävän suuri, jotta fosfori alkaa hajoamaan sähköisesti ja laite alkaa lähet-15 tämään valoa.
Sähkömagneettiteorian perusteella sähkövuon tiheyden komponentti, joka on kohtisuorassa kahden eristävän aineen, joilla on eri dielektrisyysvakio, liitokseen, on jatkuva liitoksen yli. Tämä sähkötihey-20 den komponentti aineessa määritetään dielektrisyysvaki-on ja sähkökentän samansuuntaisen komponentin tulona. Tästä riippuvuudesta saadaan yhtälö kaksikerrosraken-teen liitoskohdalle: k2 * E2 = kj. * Ea, (2) 25 missä k2 on eristemateriaalin dielektrisyysvakio; ja : ; : kx on fosforiaineen dielektrisyysvakio.
Yhtälöt 1 ja 2 voidaan yhdistää yhtälön 3 saamiseksi: 30 V = (ki * d2 / k2 + di) * e2 (3)
Kynnysjännitteen minimoimiseksi, on ensimmäisen termin yhtälössä 3 oltava niin pieni kuin on käytännöllistä. Toinen termi on kiinteä vaatimuksesta valita fosforipaksuus fosforivalolähdön maksimoimisek-35 si. Tässä arvioinnissa ensimmäinen termi otetaan huomioon kymmenen kertaa pienempänä kuin toinen termi. Korvaamalla tämä tilanne yhtälöön 3 saadaan yhtälö 4: 111322 25 d2 / k2 = 0.1 * di / ka (4)
Yhtälö 4 käyttää eristekerroksen paksuuden suhdetta kerroksen dielektrisyysvakioon fosforin ominaisuuksien valossa. Tämä paksuus määritetään itsenäi-5 sesti ilman, että kerroksen eristelujuus on riittävä kestämään koko kytketyn jännitteen, fosforikerroksen tullessa johtavaksi kynnysjännitteen yläpuolella. Paksuus lasketaan käyttäen yhtälöä 5: d2 = V/S, (5) 10 missä S on eristeaineen lujuus. Yllä olevien yhtälöiden käyttö ja sopivat arvot di:lie, k]. : Ile ja S:lie antavat tässä selityksessä ja patenttivaatimuksissa esitetyn alueen eristekerroksen paksuudelle ja dielektrisyysva-kiolle.
15 Kuten aikaisemmin on esitetty, toista eriste- kerrosta 20 ei tarvita, jos ensimmäinen, eristekerros tarjoaa pinnan fosforikerrokselle, joka pinta on riittävän tasainen (eli jälkeenpäin päällystetty fosfori-kerros säteilee valoa yleisesti tasaisesti annetulla 20 viritysjännitteellä) ja on yhteensopiva fosforikerrok-- sen 22 kanssa. Yleisesti pintakohokuvio, joka ei vaih- tele enempää kuin noin 0.5 mikronia yli noin 1000 mikronissa (joka vastaa arviolta kuvapisteen leveyttä) on riittävä. 0.1 - 0.2 mikronin pintakohokuvio yli tuon : 25 etäisyyden on edullinen. Jos ensimmäinen eristekerros 18 antaa riittävän tasaisen pinnan, mutta ei anna ha-; luttua yhteensopivuutta fosforikerroksen 22 kanssa, (edullisesti, mutta ei välttämättä eristeainetta) voidaan yhteensopivuuden saamiseksi lisätä lisäainekerros, 30 esimerkiksi ohutkalvotekniikalla.
Tilanteessa, jossa toista eristekerrosta 20 * tarvitaan, se muodostetaan ensimmäiselle eristekerrok-selle 18. Toisella kerroksella 2 0 voi olla pienempi ,V., dielektrisyysvakio ja se voidaan tyypillisesti muodos- . 35 taa paljon ohuemmaksi kerrokseksi (edullisesti suurempi kuin 2 mikronia ja edullisemmin 2-10 mikronia). Toisen eristekerroksen haluttu paksuus on yleensä tasai- 111322 26 suuden funktio, eli kerros voi olla niin ohut kuin mahdollista tasaisen pinnan saavuttamiseksi. Tasaisen pinnan järjestämiseksi on edullista käyttää disper-siogeelitekniikkaa, jota seuraa korkean lämpötilan 5 sintraus. Dispersiogeelitekniikat ovat tunnettua tekniikkaa, katso esim. "Fundamental Principles of Sol Gel Technology", R.W Jones, The Institute of Metals, 1989. Yleisesti dispersiogeeliprosessi mahdollistaa aineiden sekoittamisen molekyylitasolla dispersiona, ennen kuin 10 ne tuodaan pois liuoksesta joko kolloidisena geelinä tai polymeerisenä makromolekyyliverkkona, pysyen yhä liuoksena. Liuos pysyy poistettaessa kiinteänä ollen erittäin hienohuokoista, kasvattaen näin pintavapaan energian arvoa mahdollistaen kiinteän aineen sintraami-15 sen ja tiivistämisen alemmassa lämpötilassa kuin muita menetelmiä käytettäessä.
Dispersiogeeliaineet asennetaan ensimmäiselle eristekerrokselle 18 niin, että saadaan sileä pinta. Lisäksi sileän pinnan aikaansaamiseksi dispersiogeeli-20 prosessi helpottaa huokosten täyttymistä sintratussa paksukalvokerroksessa. Näitä menetelmiä on puolijohde-teollisuudessa käytetty useita vuosia, pääasiassa valo-litografiaprosesseissa. Kiertopinnoituksessa disper-siomateriaali pudotetaan ensimmäiselle eristekerroksel-25 le 18, joka pyörii suurella nopeudella, tyypillisesti muutama tuhat kierrosta minuutissa (RPM). Dispersio : : voidaan asettaa useissa vaiheissa, jos niin halutaan.
Kerroksen 20 paksuutta ohjataan dispersiogeelin visko-siteettia muuttamalla ja vaihtamalla kierrosnopeutta. 30 Pyörittämisen jälkeen ohut kerros märkädispersiogeeliä muodostuu pinnalle. Dispersiogeelikerros 20 sintrataan ’ yleensä ainakin 1000°C:ssa keraamisen pinnan muodosta miseksi. Dispersio voidaan asentaa myös kastamalla.
, Pinnoitettava pinta kastetaan dispersioon ja vedetään ; 35 pois vakionopeudella, tavallisesti erittäin hitaasti.
Kerroksen paksuutta ohjataan dispersion viskositeettia ja vetonopeutta muuttamalla. Dispersio voidaan silkki- 111322 27 painaa tai ruiskupinnoittaa, vaikkakin näillä menetelmillä kerroksen paksuuden ohjaaminen on vaikeampaa.
Toisessa eristekerroksessa 20 käytettävä aine on edullisesti ferrosähköistä keraamista ainetta, jolla 5 on edullisesti perovskiittikiderakenne korkean dielekt-risyysvakion saamiseksi. Dielektrisyysvakio on edullisesti ensimmäisen eristekerroksen dielektrisyysvakiota vastaava jännitevaihteluiden välttämiseksi kahden eristekerroksen 18, 20 yli. Kuitenkin toisessa kerroksessa 10 20 käytettävällä ohuemmalla kerroksella voidaan käyttää niinkin alhaista dielektrisyysvakiota kuin noin 20, mutta edullisesti se on suurempi kuin noin 100. Esi-merkkiaineisiin kuuluu lyijyzirkonaattititaani (PZT), lyijylantaanizirkonaattititaani (PLZT) ja titaaniyhdis-15 teet Sr:n, Pb:n ja Ba:n kanssa, joita käytetään ensimmäisessä eristekerroksessa, PZT:n ja PLZT:n ollessa kaikkein suositeltavimmat.
PZT ja PLZT asennetaan edullisesti disper-siogeelinä kiertopäällystyksellä, jota seuraa sintraus 20 ainakin 600°C:een lämmössä, sileän seuraavan kerroksen asentamiselle sopivan keraamisen kerroksen saamiseksi.
Seuraava asennettava kerros on tyypillisesti fosforikerros 22, kuitenkin, kuten yllä esitetään keksinnön piirissä sisältäväksi lisäkerroksen toisen eris-25 tekerroksen 20 yllä liitoksen fosforikerrokseen edelleen parantamiseksi. Esimerkiksi voidaan käyttää ohut-kalvokerrosta aineesta, jonka tiedetään antavan hyvän ruiskutettavuuden ja yhteensopivuuden.
Fosforikerros 22 asennetaan tunnetulla ohut-30 kalvoasennusmenetelmällä, kuten tyhjöhöyryttämällä elektronisädehöyrystimellä, ruiskuttamalla jne. Edullinen fosforiaine on ZnS:Mn, mutta muita fosforiaineita, jotka lähettävät eri väristä valoa tunnetaan. Fosfori-kerroksen 22 paksuus on tyypillisesti noin 0.5 mikronia 35 ja dielektrisyysvakio välillä noin 5-10.
Läpinäkyvää lisäkerrosta fosforikerroksen 22 yllä ei tarvita, mutta se voidaan haluttaessa lisätä.
111322 28
Etuelektrodi 24 asennetaan suoraan fosforikerrokselle 22 (tai mahdolliselle lisäeristekerrokselle). Etuelektrodi on läpinäkyvä ja edullisesti se muodostetaan in-diumtinaoksidista (ITO) tunnetuilla ohutkalvoasennusme-5 netelmillä, kuten tyhjöhöyryttämällä elektronisäde-höyrystimellä. Tyypillisesti laminaatti 10 lämpökäsi-tellään ja tiivistetään tiivistekerroksella 26, kuten lasilla.
Edullinen laminaatti takaosasta etuosaan esil-10 lä olevan keksinnön mukaisesti, sisältäen tyypilliset paksuudet, on seuraavanlainen:
Substraattikerros - alumiini
Takaelektrodi - Ag/Pt osoitelinjat - 10 mikronia Ensimmäinen eristekerros - lyijyniobaatti - 30 mikronia 15 Toinen eristekerros - lyijyzirkonaattititääni - 2 mikronia
Fosforikerros - ZnS:Mn - 0.5 mikronia Etuelektrodi - ITO - 0.1 mikronia Tiivistekerros - Lasi - 10 - 20 mikronia.
20 Suuremmissa EL-näytöissä kerrosten paksuus voi vaihdella. Esimerkiksi dispersiogeelikerroksen paksuus kasvaa tyypillisesti noin 6-10 mikroniin halutun tasaisuuden saamiseksi. Vastaavasti ITO-kerroksen paksuutta voidaan kasvattaa 0.3 mikroniin suuremmissa 25 näytöissä.
Esillä olevan keksinnön mukaisesti etu- ja takaosoitelinjojen liityntä elektroluminesenssilaminaa-tissa jänniteohjauspiiriin saadaan edullisesti käyttämällä läpivientireikiä takasubstraatissa. Edullisimmin 30 EL-laminaattiin kuuluu keksinnön mukainen paksu eriste-kerros, vaikkakaan se ei ole välttämätön.
Jänniteohjauspiiriin kuuluu jänniteohjauskom-ponentit (tyypillisesti suurjänniteohjauspiirejä), joiden lähdöt kytketään taka- ja etuelektrodien yksi-35 täisiin rivi- ja sarakeosoitelinjoihin kuvapisteiden aktivoimiseksi valinnaisesti video-ohjaussignaalin mukaisesti. Jänniteohjauspiirit ja -komponentit ovat 111322 29 yleisesti tunnettua tekniikkaa. Esillä olevan keksinnön valaisemiseksi, läpivientikytkennät järjestettiin tunnettuihin, pakattuihin korkeajänniteohjaussiruihin, jotka pinta-asennettiin takasubstraatille tunnetulla 5 reflow-juotosmenetelmällä. Tällaisia suurjänniteohjaus-siruja tunnetaan perinteiselle symmetriselle pulssioh-jauskaaviolle ja epäsymmetriselle pulssiohjauskaaviol-le.
Kuitenkin ammattimiehen on ymmärrettävä, että 10 tietyt ohjauspiirit tai ohjauskomponentit voivat vaihdella ja se voi luonnollisesti vaikuttaa läpivienti-reikien kuvioihin ja piirikuvioihin, jotka on järjestetty ohjauspiirin kytkemiseksi. Keksinnöllä on sovellus joko koko ohjauspiirille tai sen osalle asermetta-15 vaksi takasubstraatille. Esimerkiksi pakattujen korkea-jännitesirujen käytön sijaan, on mahdollista käyttää paljasta piisirua substraatilla käyttäen perinteisiä sirun liittämismenetelmiä ja käyttämällä perinteisiä johdotusmenetelmiä sirujen liittämiseksi ohjauspiiriin 20 substraatilla. Tässä tapauksessa ohjaussirut tarvitsevat paljon pienemmän pinta-alan, jolloin on mahdollista sijoittaa koko ohjauspiiri substraatille. Tuloksena on ultraohut näyttöpaneeli, joka voidaan liittää suoraan videosignaaliin ja kytkeä suoraan dc-teholähteeseen. 25 Sellaiset näytöt ovat käytännöllisiä ultraohuissa kannettavissa tuotteissa, jotka vaativat näytön. Tietenkin ohjauspiirin asennusmahdollisuus takasubstraatille on sidottu kokonaisen näytön kokoon, suurten näyttöjen tarjotessa enemmän tilaa ohjauspiirille suoraan sub-30 straatin taakse.
Keksinnön näkökulma piirikytkentään esitetään kuvissa 3 - 10. Kuten yllä on osoitettu, tietyt läpi-vientireiät ja piirikuviot tuodaan esille korkeajänni-tesirujen 30 asentamisen valottamiseksi takasubstraatin 35 kääntöpuolelle. Valitut sirut olivat Supertex HV7022PJ kytkettynä riviosoitelinjoihin 14 ja Supertex HV8308PJ ja HV8408PJ (Supertex Inc. sijaitsee Sunnyvalessa Cali- 111322 30 forniassa) sarakeosoitelinjojen 24 kytkemiseksi. Kaksi jälkimmäistä sirua eroavat siten, että toisen johtoku-vio on toisen johtokuvion peilikuva.
Viitaten kuviin, EL-laminaatti on edullisesti, 5 mutta ei välttämättä, konstruoitu kahdella keksinnön mukaisella eristekerroksella 18, 20 ja siten konstruoitu takasubstraatilta 12 kohti näkyvää etupuolta. Taka-elektrodiin 12 porataan läpivientireiät 32 sellaiseen kuvioon, että ne kohtaavat osoitelinjojen 14, 24 (jäl-10 keenpäin muodostettu) päät. Vaihtoehtoisesti lisäreikiä voidaan järjestää sijoitettuna suhteessa osoitelinjoja pitkin. Tämä saattaa olla käytännöllistä kytkennän järjestämiseksi edessä oleviin ITO-osoitelinjoihin, joilla on korkea resistiivisyys. Kuvan 4 kuvio tuo 15 esiin kontaktin EL-laminaattiin 10 .suorakulmaisella substraatilla 12 riviosoitelinjojen 14 (takaelektrodi) kanssa pitkin pidempää sivua ja sarakeosoitelinjojen 24 (etuelektrodi) kanssa pitkin lyhyempää sivua.
Läpivientireiät 32 ovat edullisesti muodostet-20 tu laserilla. Reiät ovat tyypillisesti leveämpiä toiselta puolelta johtuen laserporauksen luonteesta, joka toinen puoli valitaan taka- tai kääntöpuoleksi johtavan aineen reikiin virtauksen helpottamiseksi.
EL-laminaatissa käytetyn substraatin on kes-25 tettävä seuraavissa menetelmävaiheissa kohdattavat lämpötilat. Tyypillisesti substraatteina käytetään - sellaisia aineita, joilla on riittävä lujuus laminaatin tukemiseksi ja jotka kestävät 850°C:een tai suuremmissa lämpötiloissa seuraavat kuumennussintrausvaiheet paksu-30 kalvomassoille ja dispersiogeeliaineille. Substraatin on oltava läpinäkyvä myös laservalolle, läpivienti -reikien 32 laserporauksen sallimiseksi. Lopulta substraatin on annettava hyvä liityntä paksukalvomassoil-le, joita käytetään seuraavissa vaiheissa. Kristallisia 35 keraamisia aineita ja läpinäkyviä lasisia aineita voidaan käyttää. Alumiini on erityisen edullinen.
Johtavan aineen piirikuvio 34 painetaan sub- 111322 31 straatin 12 takapuolelle kuvassa 5 esitetyssä kuviossa. Tässä vaiheessa johtava aine vedetään läpivientireikien 32 läpi esitettävällä tavalla. Substraatin 12 takapuolella oleva piirikuvio 32 muodostuu takajohdinjuotos-5 pisteistä 36 kunkin läpivientireiän ympärillä, sirulii-tospisteistä korkeajänniteohjauspiirien (ei esitetty) lähtöjä varten ja sähköisistä johtimista (ei nimetty) useiden liitospisteiden välissä, kuten esitetään.
Johtava aine on edullisesti johtavaa paksukal-10 vomassaa, joka asennetaan silkkipainamalla. Ho-pea/platina paksukalvomassat ovat edullisia.
Johtavan reitin muodostamiseksi kunkin läpivientireiän 32 läpi, muodostetaan tyhjiö substraatin 12 etupuolelle, kun taas piiri 34 painetaan takapuolelle. 15 Tämä suoritetaan edullisesti asettamalla substraatti 12 tyhjiöalustalle ohjauslevyn, johon kuuluu kuvassa 4 esitetyn kuvion mukaisesti poratut reiät, ollessa substraatin ja tyhjiön välissä. Reiät ohjauslevyssä on kohdistettu substraatin 12 reikien kokoiseksi ja niiden 20 mukaisesti. Tyhjiötä ei käytetä ennen kuin piiri on painettu, jotta varmistetaan tyhjiön tasainen vaikutus. Tyhjiötä ylläpidetään kunnes johtava aine on vedetty läpivientireikien läpi substraatin 12 etupuolelle. Tässä vaiheessa pieni määrä johtavaa ainetta vedetään !,; 25 läpi substraatin 12 etupuolelle, jolloin läpivienti- j reikien seinämät pinnoittuvat. Tämän jälkeen paksukal- vomassa kuumennetaan tunnettujen prosessien mukaisesti.
Tämän vaiheen jälkeen piirijuotospisteen vah-vistuskuvio 42 on edullista, mutta ei välttämätöntä, 30 painaa kuten esitetään kuvassa 7. Vastaavien johtavien aineiden painamis- ja kuumentamisvaiheet ovat seuraa-vaksi.
Riviosoitelinjat 14 ja liitinjuotospisteet 40a ja 40b muodostetaan substraatin 12 etupuolelle, edulli-35 sesti silkkipainamalla paksukalvomassa, kuten ho-pea/platinamassa. Osoitelinjakuvio sisältäen rivit pitkin substraatin pituuslinjaa pitkin ja päättyen 111322 32 etuliitosjuotospisteisiin (rivi) 40a esitetään kuvassa 6. Tämän saman vaiheen aikana, etu(sarake)liitosjuotospisteet 40b painetaan sarake-osoitelinjojen lopullisen kytkennän järjestämiseksi 5 ohjauspiiriin läpivientireikien kautta. Johtava massa vedetään edullisesti läpivientireikien 32 läpi tyhjiöllä, joka järjestetään substraatin taka-, piiripuolelta, kuten yllä.
Koska välineet johtavan reitin muodostamiseksi 10 läpivientireikien 32 läpi on muodostettu johtavista paksukalvomassoista, kuten yllä on esitetty, voidaan johtavat reitit myös muodostaa metallipäällysteisinä reikinä tai kemiallisen pinnoituksen avulla muodostetuilla rei'illä, kuten on tunnettua, järjestämällä 15 aineliitokset huolellisesti substraattiin ja liittämällä seuraavat kerrokset pinnoitettuun liittimeen.
Keksinnön mukainen paksukalvoeristekerros 18 - edullisesti muodostetaan ja kuumennetaan yllä kuvatulla tavalla.
20 Substraatin takapiiripuoli tiivistetään edul lisesti takatiivisteellä 44, esimerkiksi silkkipaina-malla paksukalvolasimassalla, jättäen liitinjuotospis-teet puhtaiksi korkeajänniteohjaussirujen ja liitinnas-tojen 45 liittämiseksi jäljellä olevaan ohjauspiiriin : 25 (ei esitetty). Tiivistekuvio esitetään kuvassa 8. Tämän jälkeen EL-laminaatti saatetaan loppuun dispersiogeeli-: kerroksella 20, fosforikerroksella 22 ja etusarakeosoi- telinjoilla 24, kuten yllä kuvattiin. Etuosoitelinjojen kuvio esitetään kuvassa 9 muodostuen rinnakkaista sa-, 30 rakkeista koko substraatin 12 leveydellä ja päättyen likimääräisesti etuliitinjuotospisteisiin 40 (sarake).
Sähköiset liitynnät 46 sarakeosoitelinjojen 24 ja etu(sarake)liitinjuotospisteiden 40 välillä järjestetään luotettavan sähköisen kytkennän saamiseksi. Ne 35 muodostetaan edullisesti painamalla johtavaa ainetta, kuten hopeaa, peittomaskin läpi kuvassa 10 esitetyn kuvion mukaisesti.
111322 33
Etutiivistekerros 26, kuten aikaisemmin kuvattiin, järjestetään kosteuden tunkeutumisen estämiseksi.
Esillä olevan keksinnön mukaisesti EL-laminaatin 10 etummaiset ITO-osoitelinjat 24 muodoste-5 taan edullisesti laserviiruttamalla. Tämä laserviiru-tustekniikka esitetään alla olevassa, keksinnön mukaisen edullisen EL-laminaatin yhteydessä. Kuitenkin on ymmärrettävä, että laserviirutustekniikalla on laajempi käyttö kuvioitaessa tasomaista laminaattia, jolla on 10 pinta- ja pohjakerros. Tässä suhteessa ITO- ja fosfori-kerrokset 24, 22 ovat kuvaavia pintakerroksia, jotka eivät absorboi laservaloa mitenkään merkittävissä määrin, ja lyijyniobaatti eristekerros 18 ja dispersiogee-likerros 20 lyijyzirkonaattititaanista ovat esimerkkejä 15 pohjakerroksista, jotka absorboivat laservaloa. Muihin tyypillisiin läpinäkyviin johdinaineisiin kuuluu Sn02 ja ln203.
Yleisesti, keksinnön laajassa merkityksessä, pintakerros on ainetta, joka on läpinäkyvää näkyvälle 20 valolle ja pohjakerros on ainetta, joka on läpinäkymätöntä näkyvälle valolle. Näin pohjakerrosaine voidaan suoraan poistaa ja pintakerrosaine voidaan poistaa epäsuorasti, käyttämällä lasersädettä, .jonka aallonpituus on elektromagneettisen spektrin näkyvällä tai : 25 infrapuna-alueella. Tämä laserpoistomenetelmä soveltuu laajalti läpinäkyvien johdinmateriaalien kuviointiin, : ; ; puolijohteissa, nestekidenäytössä, aurinkopaneeleissa ja EL-näytöissä. Laserviiruttamisen hienosäädön ja resoluution ohjaamiseksi (leikkausten syvyys ja leve-30 ys) , uudelleenlaminoitumisen ja kerrosten välisen keskinäisen diffuusion välttämiseksi, on aineiden tiettyjä ominaisuuksia ja kerrosten paksuutta tarkkailtava.
Kaksikerroksisessa laminaatissa, on seuraavan relaation oltava voimassa: 3 5 0(u Tu > Oio Tq , missä: au = dielektrisen pohjakerroksen absorptiokerroin; 111322 34 α0 = läpinäkyvän kerroksen absorptiokerroin;
Tu = dielektrisen pohjakerroksen paksuus; ja T0 = läpinäkyvän kerroksen paksuus.
Edullisemmin tulo au Tu on paljon suurempi 5 kuin tulo ασ T0.
Kun läpinäkyviä pintakerroksia ja/tai himmeitä pohjakerroksia on joukko, tulojen au Tu summa kullekin kerrokselle on oltava suurempi kuin tulojen ασ TD summa kullekin kerrokselle, eli 10 XiiOiui Tui > ΣίΟίοΐ Toi
Jos yllä oleva relaatio on voimassa, voi olla mahdollista suoraan poistaa vain osa pohjakerroksesta, leikkaamatta koko sen paksuuden läpi ja epäsuorasti poistaa koko pintakerroksen läpi keksinnön mukaisen 15 prosessin mukaisesti.
Räjähtävä uudelleenlaminoituminen voi olla seurauksena, jos kaasupaine muodostuu pohjakerroksessa ennen kuin pintakerrosta voidaan pehmentää ja/tai höy-ryttää epäsuorasti poistamalla. Näin ollen pintakerros-20 aineen sulamisen ja höyryyntymisen on tapahduttava alemmassa lämpötilassa kuin pohjakerroksen.
Suuren resoluution leikkausominaisuuksien parantamiseksi, pohjakerrosaineen lämmönjohtokyky on edullisesti pienempi kuin pintakerroksen. Kummankin 25 kerroksen lämmön johtokyky on oltava sellainen, että lämpö ei merkittävästi johdu pois poistettavalta alu-:eelta sinä aikana kun alueeseen kohdistetaan lasersäde.
Kerrosten välisen massadiffuusion välttämiseksi, on diffuusioaika sellaiselle prosessille oltava 30 suurempi kuin aika, jona alueeseen kohdistetaan laser-- säde.
Yllä olevat edulliset ominaisuudet tunnetaan yleisesti aineille, mikä mahdollistaa ennustamisen, mitkä aineet ovat sopivia keksinnön mukaiselle laser-35 viirutusprosessille.
Laserleikkausten resoluutioon, räjähtävään uudelleen laminoitumiseen ja kerrosten väliseen dif- 111322 35 fuusioon vaikutetaan myös lasersäteen aallonpituudella, teholla ja pyyhkaisynopeudella. Kuitenkin jos ylläolevat relaatiot ja ominaisuudet ovat yleisesti voimassa, voidaan näitä muita laserin ominaisuuksia ohjata vaih-5 taa haluttujen tulosten saavuttamiseksi suorassa ja epäsuorassa poistamisessa.
Laserit, joista saadaan lasersädettä näkyvällä tai infrapuna-alueella, ovat tunnettua tekniikkaa. Hiilidioksidi-, argon- ja YAG-laserit ovat esimerkkei-10 nä. Kaikkien aallonpituus on suurempi kuin noin 400 nm. Pulssattuja tai jatkuva-aaltoisia (CW) lasereita voidaan käyttää, jälkimmäisten ollessa edullisempia teräviin korkean resoluution leikkauksiin. Lasersäde fokusoidaan soveltuvalla tunnetulla linssijärjestelmällä 15 halutun resoluution saamiseksi ja riittävän paikallisen tehotiheyden saavuttamiseksi pintakerroksen poistamiseksi täydellisesti. Yleisesti lasersäteen tehotiheys asetetaan niin, että ura, joka leikataan, on merkittävästi suurempi kuin läpinäkyvän pintakerroksen paksuus. 20 Kun läpinäkyvä kerros sisältää osoitelinjat, se varmistaa, että osoitelinjat määritellään selvästi ja eristetään sähköisesti.
Viiruttaminen voidaan suorittaa joko liikuttamalla lasersädettä viirutettavan aineen suhteen tai 25 vielä edullisemmin asettamalla viirutettava aine X-Y koordinaatistotaulukkoon, joka on liikutettava lasersäteen suhteessa. Osoitelinjojen viiruttamiseksi, X-suunnassa liikutettava taulukko (eli kohtisuorassa :\\ viirutettaviin linjoihin) on edullinen lasersäteen 30 ollessa liikutettava Y-suunnassa, eli linjoja pitkin.
Aine, jota höyrytetään tai liuotetaan laser-viirutusprosessin aikana, voidaan poistaa virutettavasta aineesta lasersäteen läheisyyteen sijoitetulla tyhjiöllä.
35 Esillä olevan keksinnön mukaisessa edullisessa EL-laminaatissa 10, ohut indiumtinaoksidikerros 24 asennetaan tunnetuilla menetelmillä fosforikerroksen 22 111322 36 yläpuolelle. Tyhjiöpäällystysmenetelmät tai disper-siogeelimenetelmät ITO:n asentamiseksi esitetään U.S. patenteissa 4,568,578 ja 4,849,252. Muita aineita kuin ITO:a voidaan käyttää, esimerkiksi fluorilla seostettua 5 tinaoksidia. Vaihtoehtoinen läpinäkyvä eristekerros voidaan järjestää ITO- ja fosforikerroksen 24, 22 vä liin. Edullinen dispersiogeelikerros 20 PZT:stä ja paksukalvoeristekerros 18 lyijyniobaatista sijaitsevat fosforikerroksen alla. EL-laminaatti 10 muodostetaan 10 käänteisessä järjestyksessä perinteisille TFEL- laitteille, kuten esitettiin yllä. Tämä jättää sopivasti ITO-kerroksen 24 ja fosforikerroksen 22 ylemmiksi (pinta) läpinäkyviksi kerroksiksi alempien (pohja) himmeiden kerrosten 18, 20 (lyijyniobaatti ja PZT) 15 yllä, sopien esillä olevan keksinnön mukaiselle laser-viiruttamiselle. Yksittäiset osoitelinjat 24 ovat la-serviirutettuja, kuten yllä kuvattiin. Lasersäde poistaa suoraan ainakin osan dispersiogeelikerroksesta 20 ja mahdollisesti pienemmän osan paksusta pohjaeriste-20 kerroksesta 18 ja epäsuoraan ITO- ja fosforikerrokset 24, 22 niiden paksuudelta. Tämä jättää luotettavan eristerajan viereisten osoitelinjojen välille.
Sarakeosoitelinjat 24 yhdistetään ohjauspiiriin kuten yllä kuvattiin. Erityisesti yllä kuvatun 25 läpivientireikäprosessin mukaan, sähköiset liitynnät 46 muodostetaan, (ennen laserviiruttamista) höyryttämällä hopeaa kuvassa 10 esitetyn kuvion mukaisesti ITO-kerroksen osien peittokohdista, jotka lopulta muodostavat osoitelinjat. Tämän jälkeen osoitelinjat viirute-30 taan yllä kuvatulla tavalla.
Lopullinen EL-laminaatti 10 voidaan tiivistää ruiskuttamalla suojaava polymeeritiiviste näkyvälle etupuolelle tai liittämällä lasisubstraatti 26 etupinnalle, kuten yllä kuvattiin.
35 Useita etuja saavutetaan käyttämällä epäsuoraa poistoa läpinäkyvien aineiden viiruttamisessa. Suhteellisen pienitehoista näkyällä aallonpituusalueella ole- 111322 37 vaa valoa tuottavaa laseria voidaan käyttää pulssatun ultraviolettilaserin, jolla on suuri hetkellinen teho, sijaan. Tämä ei ainoastaan pienennä laserin kuluja, vaan tuottaa tasaisempia reunoja poistettuihin leikka-5 uksiin. Se on erityisen tärkeää korkean resoluution EL- näytöissä. Läpinäkyvien aineiden suora poistaminen vaatii suuren hetkellisen lasertehon tarpeellisen energian kohdistamiseksi poistamiseen riittävän lyhyessä ajassa, lämmön diffusoitumiseksi pois poistoalueelta. 10 Tunnetussa tekniikassa on yrityksiä läpinäkyvälle sub straatille asennettujen johtimien poistamiseksi suoraan, kuitenkin vain pieni osa lasertehosta absorboituu suoraan läpinäkyvään aineeseen; suurin osa valosta läpäisee kummatkin läpinäkyvät kerrokset. Useissa tapa-15 uksissa voidaan epäsuoralla poistamisella minimoida kerrosten välinen diffuusio, koska läpinäkyvien kerros·^· ten höyrytyslämpö tulee läpinäkyvien kerrosten pohjalta. Tämä edistää poistettavan aineen irtoamista ulkoisesti ja ylöspäin höyrystyneen aineen höyryssä, mie-20 luummin kuin aineen diffuusioitumista pohjakerrokseen.
Tämä on erityisen tärkeää eriste- ja fosforikerrosten laadun säilyttämiseksi EL-näytöissä.
Esillä olevaa keksintöä kuvataan edelleen seuraavilla ei-rajoittavilla esimerkeillä.
25 ESIMERKKI 1 Tämän esimerkin avulla esitetään, että yksinkertainen silkkipainettu paksu bariumtitaanikerros (ainetta käytetään keraamisena levynä Miyata et ai. 30 viitteessä) saavuttaa sähköisen läpilyönnin alle noin 200 V toimintaolosuhteissa. Yksittäiskuvapisteinen elektroluminesenssilaite rakennettiin alumiinisubstraa-tille (5 cm:n neliö, 0.1 cm paksu), jonka toimittaja on Coors Ceramics (Grand Junction, Colorado, U.S.A.). 35 Takaelektrodikerros sovitettiin keskelle substraattia, mutta sijoitettuna reunoilta alkaen. Käytetty aine oli hopea/platinajohdin, joka painettiin osoitelinjoiksi, 111322 38 kuten elektroniikassa yleensä. Erityisesti, Cermalloy # C4740 (saatavilla Cermalloy, Conshohocken, Pa) silkki-painettiin paksukalvomassana 320 reikäisen ruostumattoman teräsverkon läpi ja päällystettiin emulsiolla.
5 Emulsio altistettiin ultraviolettivalolle valomaskin lävitse, emulsion niiden alueiden, jotka jätettiin painamista varten, altistamiseksi. Altistumaton emulsio poistettiin vedellä paikoista, johon massa painettiin verkon läpi. Jäljelle jäävää emulsiota kovetettiin 10 edelleen lisävalotuksella. Painettu massa kuivattiin uunissa 150°C:ssa muutaman minuutin ajan ja kuumennettiin ilmassa BTU hihnauunissa mallia TFF 142-790A24 massan valmistajan suosittelemalla lämpöprofiililla. Suurin prosessointilämpötila oli 850°C. Saadun kuumen-15 netun elektrodijohdinkerroksen paksuus oli noin 9 mikronia.
Eristekerros muodostettiin tälle elektrodiker-rokselle seuraavasti. Eristemassa, joka sisältää ba-riumtitaania (ESL # 4520, toimittajana Electroscience 20 Laboratories, King of Prussia, PennysyIvania, dielekt-risyysvakio 2500 - 3000) painettiin 200 reikäisen verkon läpi neliökuvioon niin, että kaikki muu paitsi sähköiset liitostäplät elektrodin reunalla peittyivät. Painettu eristemassa kuumennettiin ilmassa BTU hihnauu-25 nissa massan valmistajan suosittelemalla lämpöprofiililla (maksimilämpötila 900 - 1000°C). Saadun kuumennetun eristeen paksuus oli alueella noin 12 - 15 mikronia. Toinen ja kolmas eristekerros painettiin ja kuumennettiin ensimmäisen kerroksen päälle samalla taval-30 la. Kolmen painetun ja sintratun kerroksen kokonaispaksuus oli 40 - 50 mikronia.
Fosforikerros asennettiin suoraan eristeker-rokselle tunnettujen ohutkalvomenetelmien avulla. Erityisesti 0.5 mikronin vahvuinen sinkkisulfidikerros, 35 johon on lisätty 1 mooliprosentti mangaania, höyrytettiin eristekerrokselle käyttäen elektronisädehöyrytintä, UHV instrumentti, Model 6000. Kerroksia kuumennet- 111322 39 tiin tyhjiössä höyryttimellä 150°C:een lämmössä höyry-tysprosessin ajan, mikä kesti noin 2 minuuttia. Fosforikerros päällystettiin läpinäkyvällä 0.5 mikronin sähköjohdinkerroksella, joka sisältää indiumtinaoksi-5 dia. Tämä kerros asennettiin tunnetuilla ohutkalvopääl-lystysmenetelmillä, erityisesti käyttäen elektronisäde-höyrystintä tyhjiössä 400°C:een lämpötilassa.
Seuraavaksi laminaatti lämpökäsiteltiin ilmassa 15 minuutin ajan 450°C fosforikerroksen ja indium-10 tinajohdinkerroksien lämpökäsittelemiseksi. Indium- juotosliitos järjestettiin ITO-kerrokseen. Laite tiivistettiin silikonitiivisteellä (Silicon Resin Clear Lacquer, cat. #419, M. G Chemicals).
Laite testattiin kytkemällä 200 voltin tasa-15 jännite kahden elektrodin yli. Laitteen huomattiin toimivan virheellisesti jännitteen kytkennän vuoksi syntyneestä eristekerroksen sähköisestä läpilyönnistä alueella, joka on indiumtinaoksidin ympärillä.
Sitoumuksetta uskotaan, että laitteen virhe 20 syntyi, koska eristekerros ei ollut riittävän tasainen fosforikerrokselle. Mikrohalkeamia voidaan havaita pinnalla. Tämä saattaa kuitenkin johtua vahingollisten ' aineiden läsnäolosta kaupallisessa eristemassassa ja ei siten osoita, että bariumtitaania ei voi käyttää yksit-; 25 täisenä tai ensimmäisenä esillä olevan keksinnön mukai sena eristekerroksena.
ESIMERKKI 2 Tämän esimerkin avulla esitetään, että silkki-30 painettu eristekerros massasta, joka sisältää lyi- jyniobaattia, aine jolla tiedetään olevan suuri di-elektrisyysvakio ja alempi sintrauslämpötila kuin ba-riumtitaanilla, antaa riittävän eristelujuuden, mutta ei luminesenssia.
35 Rakennettu laite oli vastaavanlainen kuin esimerkissä 1, mutta eristekerros muodostettiin eriste-massasta, joka sisältää lyijyniobaattia, Cermalloy # 111322 40 IP9333 (dielektrisyysvakio noin 3500, paksuus kuten esimerkissä 1). Laitteessa ei ollut sähköistä läpilyöntiä testattaessa 400 voltin tasajännitteellä. Kuitenkin sen valovoimakkuus oli huono kytkettäessä vaihtojänni-5 te.
Sitoumuksetta uskotaan, että valovoimakkuus-virhe johtui yhteensopivuusongelmista liitynnässä fosforikerrokseen. Näin tätä esimerkkiä ei pidä ajatella niin, että lyijyniobaattia ei voi käyttää yksittäisenä 10 tai ensimmäisenä esillä olevan keksinnön mukaisena eristekerroksena.
ESIMERKKI 3 .
Tämä esimerkki esittää kaksikerroksisen eris-15 teen, joka on muodostettu esillä olevan keksinnön mukaan niin, että ensimmäinen kerros on lyijyniobaattia (kuten esimerkissä 2) ja toinen kerros on zirkonaatti-titaania. Suositeltava valovoimakkuus syntyi.
Esimerkin 2 laitteelle identtinen laite toteu-20 tettiin, mutta lisävaiheessa lisättiin lyijyzirkonaat-tititaanikerros (PZT) painettuun ja kuumennettuun eristekerrokseen käyttäen dispersiogeeliprosessia ennen fosforikerroksen lisäämistä. Dispersio valmistettiin seuraavalla tavalla. Asetaattihaposta poistettiin vettä 25 105°C:ssa 5 minuutin ajan. 12 grammaa lyijyasetaattia liuotettiin 7 ml:aan happoon, josta on poistettu vettä, 80°C:ssa värittömän liuoksen muodostamiseksi. Nesteen annettiin jäähtyä, ja 5.54 grammaa zirkoniumpropoksidia sekoitettiin nesteeseen vaaleankeltaisen nesteen muo-30 dostamiseksi. Nestettä pidettiin 60°C - 80°C:ssa viisi minuuttia, jonka jälkeen lisättiin 2.18 grammaa isopro-poksidia sekoittamalla. Saatu liuos asetettiin noin 20 minuutiksi ultraäänikylpyyn kaiken jäljellä olevan . kiinteän aineen liuottamiseksi. Tämän jälkeen lisättiin 35 noin 1.75 ml liuosta , jossa on etyleeniglykolia, propanolia ja vettä suhteessa 4:2:1, stabiilin liuoksen saamiseksi. Etyleeniglykolia lisättiin ennen päällystä- 111322 41 mistä viskositeetin säätämiseksi haluttuun arvoon kier-topäällystämistä tai kastamista varten. Valmis eriste-kerros oli kiertopäällystettyä toisessa tapauksessa ja kastettua toisessa tapauksessa. Kiertopäällystystapauk-5 sessa liuos tiputettiin ensimmäiselle eristekerroksel-le, joka pyöri vaakatasossa 3000 kierrosta minuutissa. Kastamistapauksessa käytettiin suurempaa viskositeettia. Kastettaessa substraattia vedettiin liuoksesta 5 cm minuutissa. Tämän jälkeen päällystetty osa kuumen-10 nettiin ilmassa uunin avulla 600°C:een lämpötilassa 30 minuutin ajan nesteen muuntamiseksi PZT-.ksi. PZT-kerroksen paksuus oli noin 2-3 mikronia. PZT-kerroksen pinnan havaittiin olevan huomattavasti tasaisempi kuin silkkipainettu ja sintrattu ensimmäinen 15 eristekerros. .
PZT-kerroksen seuraavassa sovelluksessa fosfori- ja eristekerros asennettiin kuten esimerkissä 1.
Valmis laminaatti suoriutui hyvin testattaessa valovoimakkuutta jännitteen funktiona ominaisuuksien 20 ollessa vastaavia tai parempia kuin julkaisussa Miyata et ai on raportoitu. Kynnysjännite näytön minimilumi-nanssille. oli 110 V. Valovoimakkuus 50 V kynnysjännit-teen yläpuolella (eli 160 V 60 Hz) oli 194 kandelaa/m2 (57 neliö lambertia).
25 ESIMERKKI 4 : ; Esimerkki on otettu tähän esittämään, että.
eristekerroksen paksuuden vaihtelut vaikuttavat sekä näytön toimintajännitteeseen että valovoimakkuuteen.
30 Näyttö rakennettiin kuten esimerkissä 3, pait si että kolmen silkkipainetun eristekerroksen sijaan asennettiin vain kaksi. Ensimmäisen eristekerroksen paksuutta pienennettiin vastaavasti 25 - 30 mikronia.
Näyttö toimi hyvin. Kynnysjännite minimi valo-35 voimakkuudelle oli 70 V (110 V esimerkissä 3), joka oli odotettua teoreettisista laskelmista. Valovoimakkuus 50 V kynnysjännitteen arvon yläpuolella pieneni myös 119 111322 42 kandelaan neliömetrillä (35 neliölambertia) (vastaavasti 194 kandelaa per neliömetri (57 neliölambertia) esimerkissä 3).
5 ESIMERKKI 5 Tämä esimerkki kuvaa edullista sovellusta EL-laminaatin rivi- ja sarakeosoitelinjojen kytkemiseksi ohjauspiiriin käyttämällä läpivientireikiä.
Osoitettava EL-laminaatti rakennettiin käyttä-10 en samaa kerrosasennusjärjestystä kuin esimerkissä 3. Substraatti oli 0.0635 cm (0.025 tuumaa) paksu suorakulmainen alumiini levy, jonka toimitti Coors Ceramics (Grand Junction, Colorado, U.S.A.) ja jonka mitat ovat; pituus 15 cm (6 tuumaa)ja leveys 5 cm (2 tuumaa). Sub-15 straattiin porattiin kuvassa 4 esitetyn kuvion mukaisesti 0.015 cm:n (0.006 tuumaa) läpivientireiät käyttäen hiilidioksidilaseria. Levy tutkittiin ja varmistettiin, että kaikki reiät ovat puhtaita. Reikien halkaisijan havaittiin olevan noin 0.02 cm (0.008 tuumaa) 20 laserin puolella levyä ja noin 0.015 cm (0;006 tuumaa) vastakkaisella puolella. Puoli, jossa reiät olivat suurempia, valittiin substraatin takapuoleksi helpottamaan johtavan aineen virtausta reikien läpi.
Tämän jälkeen kuvassa 5 esitetty piirikuvio 25 painettiin substraatin takapuolelle läpi ruostumattoman teräslevyn, jossa on 128 johtoa senttimetrillä (325 reikäinen ruostumaton teräsverkko), käyttäen Cermalloy #4740 hopeaplatinamassaa. Painoprosessin aikana, substraatti kohdistettiin ohjauslevyyn, jossa oli 0.10 30 cm:n (0.040 tuumaa) reiät porattuna kuvan 4 mukaiseen kuvioon, ja tyhjiö järjestettiin ohjauslevyn alle johtavan massan vetämiseksi substraatin läpivientireikien läpi (eli läpi substraatin näkyvän etupuolen) . Tässä vaiheessa muodostettiin kuvan 5 kuvio sekä johtava 35 reitti kunkin läpivientireiän läpi substraatissa. Tyhjiön tasaisen vaikutuksen varmistamiseksi, tyhjiö pidettiin niin kauan kun substraatti oli painettu. Osa 111322 43 tutkittiin ja varmistettiin, että läpivientireiät olivat täyttyneet.
Painamisen jälkeen substraatti kuumennettiin ilmassa BTU hihnauunissa mallia TFF 142-790A24 massan 5 valmistajan suosittelemalla lämpöprofiililla. Suurin prosessointilämpötila oli 850°C. Tämän vaiheen jälkeen kuvassa 7 esitetty piirin vahvistuskuvio painettiin ja kuumennettiin taakse, substraatin piiripuolelle (käyttäen samaa Cermalloy johdinmassaa). Tämä vaihe teki 10 piirin ohuemmaksi tietyiltä alueilta, jonne liitokset lopulta tehdään.
Riviosoitelinjat ja etupuolen rivi- ja sarake liitintäplät painettiin tämän jälkeen substraatin etummaiselle, näkyvälle puolelle. Linjat laajenivat sub-15 straatin yli riviliitintäpliin kuvassa 6 esitetyn kuvion mukaisesti. Sarakeliitintäplät, kuten esitetään kuvassa 6, painettiin samassa vaiheessa. Riviosoitelin-jat ja liitintäplät muodostettiin samasta johdinmassas-ta (Cermalloy #4740) käyttäen samoja painanta- ja kuu-20 mennusolosuhteita. Substraatti sijoitettiin samalle ohjauslevylle, jossa on kuvan 4 kuvion mukaiset reiät ja tyhjiö järjestettiin alapuolelle johtavan massan .vetämiseksi läpivientireikien läpi kohti substraatin takapuolta. Kuumennetun elektrodikerroksen paksuus oli - 25 noin 8 mikrometriä. Siinä oli 20 osoitelinjaa sentti metrillä (5.2 tuumalla) ja osoitelinjojen kokonaismäärä oli 68. Osa tarkastettiin ja varmistettiin, että läpivientireiät olivat täyttyneet.
Eristemassan 3 kerrosta (Cermalloy #IP9333) 30 painettiin ja kuumennettiin kuten esimerkissä 3 esitettiin, paksuudeltaan noin 50 mikronin eristekerroksen muodostamiseksi.
Substraatin takapuoli, piiripuoli tiivistettiin tämän jälkeen. Paksukalvolasimassa (Heraeus 35 IP9028, Heraeus-Cermalloy, Conshohocken, Pa) silkki- painettiin käyttämällä verkkoa, jossa on 98 johtoa senttimetrillä (250 reikäinen verkko) kuvassa 8 esite- 111322 44 tyn kuvion mukaisesti. Liitintäplät korkeajänniteoh-jaussirujen ja muiden ohjauspiirien liittämiseksi jätettiin peittämättä. Tämän jälkeen lasitiiviste kuumennettiin BTU hihnauunissa massan valmistajan suosittele-5 maila lämpöprofiililla suurimman lämpötilan ollessa 700°C.
Yllä mainittujen kuumennusvaiheiden aikana substraattia tuettiin keraamisilla kappaleilla toiselta puolelta, jolla estettiin kontakti piirille painetun 10 aineen ja nauhan välillä.
Sitten dispersiogeelikerrokset muodostettiin kastamalla olennaisesti esimerkissä 3 esitetyllä tavalla. Tyypillisesti käytettiin kolmea tai neljää kerrosta vetonopeuksilla 4-10 s/cm (10 -25 s/in) seoksesta, 15 jonka viskositeetti mitattiin upotuspalloviskometrilla olevan 100 cp. Kerrosten kastamisien välillä, disper-siogeeliä kuivattiin 110°C:n lämmössä 10 minuutin ajan. Tyhjiökiinnitin asetettiin laminaatin aktiivisen alueen päälle ja dispersiogeeli pestiin laminaatin ylijääviltä 20 osilta pois. Sitten levyä kuumennettiin noin 600°c:ssa nauhauunissa 25 minuutin ajan. Dispersiogeelikerroksen kokonaispaksuus välillä 3-10 mikrometriä saavutettiin. Tätä seurasi esimerkin 3 mukainen paksuudeltaan 0.5 - 1.0 mikrometrin fosforikerros, jossa käytettiin 25 sinkkisulfidia, johon oli sekoitettu 1% mangaania.
Tämän jälkeen asennettiin sarakeosoitelinjat, jotka ovat indiumtinaoksidia, kuten esimerkissä 3 esitettiin, kuvan 9 esittämän kuvion mukaiseen muotoon. Siinä oli 20 sarakeosoitelinjaa senttimetrillä (52 30 sarakeosoitelinjaa per tuuma) ja 256 saraketta. Linjojen välinen etäisyys oli 0.0025 cm (0.001 tuumaa) ja viivan leveys oli 0.05 cm (0.019 tuumaa) (keskeltä keskelle).
, Hopea höyrytettiin peittomaskin läpi kuvassa 35 10 esitetyn kuvion mukaisesti, sarakeosoitelinjojen sähköiseksi liittämiseksi sarakeliitintäpliin ja läpivienti reiki in.
111322 45
Laminaatin näkyvä osa tiivistettiin silikonitiivisteellä, joka ruiskutettiin koko näytön etupuolelle. Käytetty tiiviste oli Silicone Resin Clear Lacquer, Cat. #419, toimittaja M.G. Chemicals.
5 Valmis näyttö testattiin liittämällä pulssi- generaattori, joka antaa 160 V neliöaaltosignaalia 60 Hz:n taajuudella rivi- ja sareketäpläparien yli ta-kasubstraatille asetetulla piirillä. Näytön kunkin kuvapisteen havaittiin syttyvän itsenäisesti ja esimer-10 kissä 3 mitatun intensiteetin kanssa yhdenmukaisena jännitteen kytkeytyessä. Väärin toimivia kuvapisteitä ei löytynyt yhteensä 17408 kuvapisteen joukosta.
ESIMERKKI 6 ' 15 Tämä esimerkki esittää edullisen sovellutuksen keksinnön mukaisen EL-laminaatin indiumtinaoksidiosoi-telinjojen laserviiruttamiseksi.
Osoitettava matriisinäyttö rakennettiin keraamiselle alustalle käyttäen seuraavaa menetelmää. Sub-20 straatti oli 0.064 cm (0.025 tuumaa) paksu suorakulmainen alumiinilevy, jonka pituus oli 15 cm (6 tuumaa) ja leveys 5 cm (2 tuumaa) ja jonka toimitti Coors Ceramics (Grand Junction, Colorado, U.S.A.). Substraattiin porattiin kuvassa 4 esitetyn kuvion mukaisesti 0.015 cm:n I 25 (0.006 tuumaa) läpivientireiät käyttäen hiilidioksidi- ,, laseria. Levy tutkittiin ja varmistettiin, että kaikki 1 reiät ovat puhtaita.
Tämän vaiheen jälkeen kuvassa 5 esitetty pii-: rikuvio painettiin läpi ruostumattoman teräslevyn, 30 jossa on 128 johtoa senttimetrillä (325 reikäinen ruos tumaton teräsverkko), käyttäen Cermalloy #4740 hopea-platinamassaa. Painoprosessin aikana, substraatti kohdistettiin ohjauslevyyn, jossa oli 0.10 cm:n (0.040 tuumaa) reiät porattuna samaan kuvioon kuin substraa-35 tissa. Tyhjiö imi massaa reikien läpi johtavien reittien muodostumisen helpottamiseksi läpi keraamisen substraatin, osan kuumentamisen jälkeen. Tämän jälkeen osa 111322 46 kuumennettiin BTU hihnauunissa massan valmistajan suosittelemalla lämpöprofiililla suurimman lämpötilan ollessa 850°C.
Tämän vaiheen jälkeen kuvassa 7 esitetty pii-5 rin vahvistuskuvio painettiin ja kuumennettiin taakse, substraatin piiripuolelle (käyttäen samaa Cermalloy johdinmassaa). Tämä vaihe teki piirin ohuemmaksi tietyiltä alueilta, jonne liitokset lopulta tehdään.
Tämän jälkeen joukko etupuolen riviosoitelin-10 joja ja liitintäplät painettiin substraatin etummaiselle näkyvälle puolelle. Linjat laajenivat substraatin pituussuunnassa riviliitintäpliin (kuten kuvassa 6 esitetään). Lisäksi sarakeliitintäplät muodostettiin samassa vaiheessa, kuten esitetään kuvassa 6. Riviosoi-15 telinjat ja rivi- ja sarakeliitintäplät muodostettiin samasta hopeaplatinamassasta käyttäen samoja painanta-ja kuumennus-olosuhteita. Substraatti sijoitettiin samalle ohjauslevylle, jossa on kuvan 4 kuvion mukaiset reiät, ja tyhjiö järjestettiin alapuolelle johtavan 20 massan vetämiseksi läpivientireikien läpi kohti sub straatin takapuolta. Kuumennetun elektrodikerroksen paksuus oli noin 8 mikrometriä. Siinä oli 20 osoitelin-jaa senttimetrillä (52 tuumalla) ja osoitelinjojen kokonaismäärä oli 68.
25 Seuraavat kolme kerrosta lyijyniobaattieriste- massaa (Cermalloy #IP9333) painettiin vaiheittain ja kuumennettiin BTU hihnauunissa massan valmistajan suosittelemalla lämpöprofiililla (maksimi lämpötila 850°C) riviosoitelinjojen päälle (kuten esitettiin esimerkissä 30 3). Eristekerrosten kokonaispaksuus oli 50 mikrometriä.
Substraatin takapuoli, piiripuoli tiivistettiin tämän jälkeen, kuten esitetään esimerkissä 5, kuvassa 8 esitetyn kuvion mukaan.
Seuraavaksi 3-10 mikrometriä paksu lyijyzir-35 konaattititaanikerros (PZT) asennettiin lyijyniobaatti- kerrokselle tasaisen pinnan muodostamiseksi. Disper-siogeelitekniikka kastamalla, kuten esitettiin esimer- 111322 47 kissa 5, oli käytössä. Tämän jälkeen asennettiin ohut-kalvofosforikerros käyttämällä tunnettuja elektro-nisädehöyrystysmenetelmiä. Fosforikerros oli paksuudeltaan 0.5 - 1.0 mikrometrin kerros, jossa käytettiin 5 sinkkisulfidia, johon oli sekoitettu 1% mangaania.
Seuraavassa vaiheessa asennettiin 300 nanomet-rin vahvuinen kerros indiumtinaoksidia (ITO) fosfori-kerrokselle käyttämällä tunnettuja elektronisädehöyrys-tysmenetelmiä.
10 Tämän jälkeen ITO-kerrokseen kuvioitiin 256 osoitelinjaa käyttämällä 2 W:n CW (jatkuva aaltoinen) argonionilaseria, jonka aallonpituus on 514.5 nanomet-riä. EL-laminaatti asennettiin liikutettavaan X-koordinaattitauluun, joka liikutti laminaattia koh-15 tisuorassa suunnassa laserilla alapuolelle viirutetta-viin linjoihin nähden. Lasersädettä liikutettiin Y-suunnassa linjojen viiruttamiseksi. Lasersäde tarkennettiin 12 mikrometrin keilaksi ja laserteho säädettiin niin, että indiumtinaoksidi, pohjafosforikerros ja noin 20 10% yhdistetyistä eristekerroksista irtosi kohdista, joissa lasersäde oli pyyhkäissyt (noin 1.8 W). Pyyh-käisynopeutta ohjattiin noin 100 mm:iin ja 500 mm:iin sekunnissa, jotta saatiin osoitelinjat, joiden väli oli noin 40 tai 25 mikrometriä vastaavasti ja osoitelinjo-25 jen syvyys 6-8 tai 3-4, vastaavasti. Osoitelinjojen välillä oli (eli linjojen keskustien välillä) noin 500 mikrometriä. Substraatin läheisyydessä oleva tyhjiö imi höyrystettyä ja poistettua ainetta. Läpinäkyvien elektrodien kuviot, poistamisen jälkeen, olivat kuvassa 9 30 esitetyn mukaiset. Valmiissa näytössä oli noin 20 sara-keosoitelinjaa senttimetrillä (50 sarakeosoitelinjaa tuumalla) ja yhteensä 256 saraketta.
Ennen ITO-sarakeosoitelinjojen viiruttamista, hopealiitynnät etu(sarake)osoiteliitintäplien ja lopul-35 listen ITO-osoitelinjojen välillä, silkkipainettiin hopeasta peittomaskin läpi kuvassa 10 esitettyyn kuvioon.
111322 48
Laserviiruttamisen jälkeen, valmiin näytön näkyvä etupuoli suihkutettiin suojaavalla polymeeripin-noitteella (Silicone Resin Clear Lacquer, cat #419, MG Chemicals).
5 Tämän jälkeen näyttö testattiin kytkemällä jännite valittujen kuvapisteiden yli yhdistämällä näyttöön pulssattu jännitelähde, joka antaa 160 V:n jänni-tepulsseja 64 Hz:n toistotaajuudella. Kukin kuvapiste syttyi luotettavasti ja valovoimakkuus oli edellisen 10 yksittäiskuvapistelaitteen laitteen valovoimakkuutta vastaava.
Tämän esimerkin osoitelinjojen resoluutio on paljon parempi kuin mitä voidaan saavuttaa tunnetuilla valolitografiamenetelmillä. Kaupallisissa laitteissa 15 ITO-osoitelinjojen leveydet ovat tyypillisesti 180 - 205 mikrometriä ja linjojen väli 65 - 80 mikrometriä. Kuten yllä esitettiin, esillä olevan keksinnön mukaisesti, saatiin 25 ja 40 mikrometrin välit, riippuen laserin pyyhkäisynopeudesta. Tämä korkeampi resoluutio 20 mahdollistaa korkeamman aktiivialueen suhteessa koko näytön alueeseen, koska voidaan käyttää leveämpiä osoitelinjoj a kapeimmilla etäisyyksillä.
ESIMERKKI 7 25 Tämä esimerkki esittää kaksikerroksisen eris- teen, joka on muodostettu esillä olevan keksinnön mukaan, mutta ensimmäinen eristekerros on muodostettu massasta, jolla on suurempi dielektrisyysvakio kuin massalla, jota käytettiin esimerkeissä 3 ja 4.
30 Laite rakennettiin esillä olevan keksinnön mukaisesti esimerkissä 3 esitetyllä tavalla, mutta ensimmäinen eristekerros muodostettiin lyijyniobaatti-massasta, jota toimittaa Electroscience Laboratories suuren K kapasitorin massana numerolla 4210. Sintratun 35 massan dielektrisyysvakio on noin 10,000. Ensimmäisen eristekerroksen paksuus oli 50 mikronia. PZT-dispersiogeelikerros asennettiin, kuten esitettiin 111322 49 esimerkissä 3, noin 5 mikronin vahvuisena.
Laite toimi hyvin kynnysjännitteen ollessa 91 volttia minimiluminanssille ja valovoimakkuuden ollessa 150 V:lla 170 kandelaa neliöllä (50 neliölambertia).
5 ESIMERKKI 8 Tämä esimerkki esittää kaksikerroksisen eristeen, jonka ensimmäinen eristekerros on muodostettu lyijyniobaattimassasta ja toinen eristekerros on muo-10 dostettu lyijylantaanizirkonaattititaanista (PLZT).
PLZT:n dielektrisyysvakio on noin 1,000. PLZT:n molaa-riset suhteet zirkoniumia, titaania ja lantaania on 52:32:16.
Laite toteutettiin, kuten esitettiin eSimer-15 kissa 3, dispersiogeelikerros valmistettuna seuraavasti.
50 ml:aan jääetikkaa liuotettiin 120 grammaa 99.5% puhdasta lyijyasetaattia. Saatu liuos kuumennettiin 90°C:ksi ja pidettiin tässä lämpötilassa 2 minuut-20 tia ennen jäähdyttämistä 70°C:een. Seuraavaksi lisättiin 55.4 grammaa zirkoniumpropoksidia. ja saatua liuosta lämmitettiin 80?C:een pitäen lämpötilaa yhden minuutin ajan. Jäähdyttämisen 70°C:seksi jälkeen lisättiin 21.8 grammaa titaani-isopropoksidia. Seuraavaksi liuo-25 tettiin 11.4 grammaa lantaniumnitraattia 20 ml:aan jääetikkaa ja se lisättiin liuokseen. Lopulta liuoksen stabilisoimiseksi ja viskositeetin säätämiseksi sopivaan arvoon, lisättiin 10 ml etyleeniglykolia, 5 ml propan-2-olia ja 2.5 ml mineraalitonta vettä.
30 PLZT dispersiogeeli lisättiin ensimmäiseen eristekerrokseen vastaavalla tavalla kastamalla kuin esimerkissä 3. Kastetut osat kuumennettiin 600°C:ssa toisen kerroksen muuntamiseksi PLZT:ksi. Neljä PLZT-päällystettä lisättiin peräkkäin kastamalla ja kuumen-35 tamalla, valmistaen tällä tavalla sopivan tasaisen pinnan fosforikerrokselle. Näin 5 mikronin kokonaispaksuus saavutettiin.
111322 50
Laite toimi hyvin kynnysjännitteen ollessa 75 V ja valovoimakkuuden ollessa 94 kandelaa neliöllä (37 neliölambertia) 150 voltilla.
Kaikki tässä selityksessä esitetyt julkaisut 5 osoittavat ammattimiehille esillä olevan keksinnön mukaisen tekniikan tasoa. Kaikki julkaisut liitetään tähän viittauksena saman laajuisena kuin yksittäinen julkaisu esitettiin erityisesti ja yksittäisesti liitettävänä viittauksena.
10 Termejä ja ilmaisuja, joita käytetään tässä selityksessä, käytetään kuvaavina eikä rajoittavina. Aikomuksena ei ole, käytettäessä sellaisia termejä ja ilmauksia, jättää pois esitettyjen ja kuvattujen ominaisuuksien ekvivalentteja, sen ollessa selvää, että 15 keksinnön suojapiiri määritellään ja rajoitetaan aino astaan seuraavilla patenttivaatimuksilla.
Claims (136)
111322 51
1. Elektroluminesenssilaminaatti, tunnettu siitä, että laminaattiin kuuluu jäykkä takasubstraatti ja seuraavat sen päälle 5 muodostetut kerrokset: tasomainen fosforikerros; tasomaiset etu- ja takaelektrodi kummallakin puolella fosforikerrosta; tasomainen eristekerros takaelektrodin ja 10 fosforikerroksen välissä, joka eristekerros muodostetaan sintratusta keraamisesta materiaalista niin, että eristekerroksella on eristelujuus S, joka on suurempi kuin noin 1.0 x 106 V/m ja sellainen dielektrisyysva-kio, että suhde eristekerroksen dielektrisyysvakion ja 15 fosforikerroksen dielektrisyysvakion välillä on suurempi kuin noin 50:1 ja jonka eristekerroksen paksuus on riittävä estämään eristeen läpilyönti käytön aikana määritettynä kaavalla d2= V/S, missä d2 on eristekerroksen paksuus ja V on käytettävä maksimijännite, ja 20 eristekerroksella on pinta, joka on fosforikerroksen läheisyydessä ja riittävän tasainen niin, että fosfori-kerros valaisee olennaisen tasaisesti annetulla viri-’ tysjännitteellä, ja jossa eristekerros on joko koske tuksessa fosforikerrokseen tai erotettuna siitä ainakin 25 yhdellä lisäkerroksella, joka itsessään on kosketuksessa fosforikerroksen kanssa ja jossa fosforikerroksen kanssa kosketuksissa oleva kerros on yhteensopiva fosforikerroksen kanssa.
2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen laminaatti, 30 tunnettu siitä, että d2 on alueella 10 - 300 mikronia, tai d2 on alueella 20 - 150 mikronia.
3. Patenttivaatimuksen 1 tai 2 mukainen lami- ; naatti, tunnettu siitä, että fosforikerroksen paksuus on alueella 0,2-2 mikronia.
4. Patenttivaatimuksen 3 mukainen laminaatti, tunnettu siitä, että eristekerroksen paksuus on sellainen, että eristekerroksen paksuuden suhde fosfo- 111322 52 rikerroksen paksuuteen on alueella noin 20:1 - 500:1.
5. Patenttivaatimuksen 4 mukainen laminaatti, tunnettu siitä, että eristekerroksen dielekt-risyysvakion ja fosforikerroksen dielektrisyysvakion 5 välinen suhde on suurempi kuin noin 100:1; ja että eristekerroksen paksuus on sellainen, että eristekerroksen paksuuden suhde fosforikerroksen paksuuteen on alueella noin 40:1 - 300:1.
6. Patenttivaatimuksen 3 mukainen laminaatti, 10 tunnettu siitä, että fosforikerros on etuelekt- rodin ja takaelektrodin väliin kerrostettu ohut kalvo-kerros, etuelektrodin ollessa läpinäkyvä, ja fosfori-kerros on erotettu takaelektrodista eristekerroksella.
7. Patenttivaatimuksen 6 mukainen laminaatti, 15 tunnettu siitä, että eristekerroksen dielekt- risyysvakio on suurempi kuin noin 500.
8. Patenttivaatimuksen 7 mukainen laminaatti, tunnettu siitä, että eristekerrokseen kuuluu ainakin kaksi kerrosta, ensimmäinen eristekerros, joka 20 on muodostettu takaelektrodin päälle ja jonka eristelu-juus ja dielektrisyysvakio ovat patenttivaatimuksessa 7 esitetyn mukaiset, ja toinen eristekerros, joka on muodostettu ensimmäisen eristekerroksen päälle ja jolla on pinta, joka on fosforikerroksen läheisyydessä, joka 25 fosforikerros on riittävän tasainen niin, että fosfori-kerros valaisee tasaisesti annetulla viritysjannitfceel-; lä, ja jossa toinen eristekerros on joko kosketuksessa fosforikerrokseen tai erotettuna irti siitä ainakin > yhdellä lisäkerroksella, joka on kosketuksessa fosfori- 30 kerrokseen, ja jossa kerros, joka on kosketuksessa . fosforikerrokseen on yhteensopiva fosforikerroksen kanssa; että ensimmäisen ja toisen eristekerroksen kokonaispaksuus d2 on patenttivaatimuksessa 7 esitetyn mukainen; ja jossa S on yhdistettyjen ensimmäisen ja 35 toisen eristekerroksen eristelujuus.
9. Patenttivaatimuksen 8 mukainen laminaatti, tunnettu siitä, että ensimmäinen ja toinen eris- 111322 53 tekerros on muodostettu ferrosähköisistä keraamisista materiaaleista.
10. Patenttivaatimuksen 9 mukainen laminaatti, tunnettu siitä, että toisen eristekerroksen di- 5 elektrisyysvakio on ainakin 20 ja paksuus on ainakin noin 2 mikronia.
11. Patenttivaatimuksen 10 mukainen laminaatti, tunnettu siitä, että ensimmäisen eristekerroksen dielektrisyysvakio on ainakin 1000 ja toisen 10 eristekerroksen dielektrisyysvakio on ainakin 100.
12. Patenttivaatimuksen 11 mukainen laminaatti, tunnettu siitä, että toisen eristekerroksen paksuus on: alueella noin 2 - 10 mikronia.
13. Patenttivaatimuksen 12 mukainen laminaat-15 ti, tunnettu siitä, että ensimmäinen ja toinen eristekerros on muodostettu ferrosähköisistä keraamisista materiaaleista, joilla on perovskiittikideraken-ne.
14. Patenttivaatimuksen 1 tai 13 mukainen 20 laminaatti, tunnettu siitä, että takasubstraa- tilla on riittävä jäykkyys laminaatin tukemiseksi ja se kykenee kestämään eristekerroksen sintrauslämpötiloja.
15. Patenttivaatimuksen 14 mukainen laminaatti,tunnettu siitä, että substraatti ja taka- 25 elektrodi on muodostettu materiaaleista, jotka kestävät noin 850°C lämpötiloja; ja että ensimmäinen eristekerros on muodostettu paksukalvotekniikalla ja sintrattu substraatin ja takaelektrodin sulamislämpötilaa pienemmässä lämpötilassa.
16. Patenttivaatimuksen 14 tai 15 mukainen laminaatti, tunnettu siitä, että ensimmäinen eristekerros on muodostettu silkkipainatuksella.
17. Patenttivaatimuksen 15 tai 1-6 mukainen laminaatti, tunnettu siitä, että toinen eriste-35 kerros on muodostettu dispersiogeelitekniikalla ja sintrattu substraatin ja takaelektrodin sulamislämpötilaa pienemmässä lämpötilassa. 111322 54
18. Patenttivaatimuksen 15 tai 16 mukainen laminaatti, tunnettu siitä, että toinen eriste-kerros on muodostettu dispersiogeelitekniikalla, johon sisältyy pyörintäkerrostus tai kastamiskerrostus (dip- 5 ping), ja sintrattu substraatin ja takaelektrodin sula-mislämpötilaa pienemmässä lämpötilassa.
19. Jonkin patenttivaatimuksista 8, 14 tai 18 mukainen laminaatti, tunnettu siitä, että ensimmäinen eristekerros on muodostettu lyijyniobaatista; ja 10 että toinen eristekerros on muodostettu lyijyzirkonaat-tititaanista tai lyijylantaanizirkonaattititaanista.
20. Jonkin patenttivaatimuksista 14, 18 tai 19 mukainen laminaatti, tunnettu siitä, että substraatti on alumiinioksidia.
21. Patenttivaatimuksen 18 tai 20 mukainen laminaatti, tunnettu siitä, että eristekerroksen pinnalla, joka on fosforikerroksen läheisyydessä, on pinnanmuoto, jonka vaihtelu ei ylitä 0.5 mikronia yli noin 1000 mikronin.
22. Patenttivaatimuksen 21 mukainen laminaat ti, t u n n e t t u siitä, että takaelektrodi on muodostettu kuumennetuista hopea/platina osoitelinjöistä alumiinioksidisubstraatille ja etuelektrodi on muodostettu indiumtinaoksidiosoitelinjoista.
23. Patenttivaatimuksen 22 mukainen laminaat ti, tunnettu siitä, että laminaattiin kuuluu :';J.; tiivistekerros etuelektrodin päällä.
24. Jonkin patenttivaatimuksista 1, 2 tai 7 mukainen laminaatti, tunnettu siitä, että eris- 30 tekerros on kosketuksissa ja yhteensopiva fosforikerroksen kanssa. : 25. Jonkin patenttivaatimuksista 8, 14 tai 21 ; mukainen laminaatti, tunnettu siitä, että toinen eristekerros on kosketuksissa ja yhteensopiva fosfori- 35 kerroksen kanssa.
26. Patenttivaatimuksen 1 mukainen laminaatti, tunnettu siitä, että eristekerros on muodostettu 111322 55 ainakin kahdesta kerroksesta, ensimmäisestä eristeker-roksesta, joka on muodostettu takaelektrodin päälle, ja toisesta eristekerroksesta, joka on muodostettu ensimmäisen eristekerroksen päälle, ja joka toinen eriste-5 kerros muodostaa pinnan, joka on riittävän tasainen niin, että fosforikerros valaisee tasaisesti annetulla viritysjännitteellä; että ensimmäinen ja toinen eriste-kerros on muodostettu sintratuista keraamisista materiaaleista yhdistettyjen ensimmäisen ja toisen eristeker- 10 roksen eristelujuuden S aikaansaamiseksi, joka eriste-lujuus on suurempi kuin noin 1.0 x 106 V/m ja sellaisen dielektrisyysvakion aikaansaamiseksi, että suhde eristekerroksen dielektrisyysvakion ja fosforikerroksen dielektrisyysvakion välillä on suurempi kuin 50:1; ja 15 että ensimmäisen ja toisen eristekerroksen yhdistetty paksuus on riittävä estämään eristeen läpilyönti käytön aikana määritettynä kaavalla d2= V/S, missä d2 on ensimmäisen ja toisen eristekerroksen yhteinen paksuus ja V on käytettävä jännite.
27. Patenttivaatimuksen 26 mukainen laminaat- ti, tunnettu siitä, että d2 on alueella 10 - 300 mikronia, tai d2 on alueella 20-150 mikronia.
28. Patenttivaatimuksen 27 mukainen laminaat-ti, tunnettu siitä, että fosforikerroksen pak- 1 ' 25 suus on alueella 0,2-2 mikronia.
29. Patenttivaatimuksen 27 mukainen laminaat- ti, t u n n e t t u siitä, että eristekerroksen paksuus on sellainen, että eristekerroksen paksuuden suhde fosforikerroksen paksuuteen on alueella noin 20:1 - 30 500:1.
30. Patenttivaatimuksen 29 mukainen laminaat-ti, tunnettu siitä, että eristekerroksen dielektrisyysvakion ja fosforikerroksen dielektrisyysvakion välinen suhde on suurempi kuin noin 100:1; ja että 35 eristekerroksen paksuus on sellainen, että eristekerroksen paksuuden suhde fosforikerroksen paksuuteen on alueella noin 40:1 - 300:1. 111322 56
31. Patenttivaatimuksen 28 mukainen laminaat-ti, tunnettu siitä, että ensimmäisen eristeker-roksen dielektrisyysvakio on suurempi kuin noin 500; ja että toisen eristekerroksen dielektrisyysvakio on aina- 5 kin 20 ja paksuus ainakin 2 mikronia.
32. Patenttivaatimuksen 31 mukainen laminaat-ti, tunnettu siitä, että ensimmäinen ja toinen eristekerros on muodostettu ferrosähköisistä keraamisista materiaaleista.
33. Patenttivaatimuksen 32 mukainen laminaat- ti, tunnettu siitä, että ensimmäisen eristekerroksen dielektrisyysvakio on ainakin 1000 ja toisen eristekerroksen dielektrisyysvakio on ainakin 100.
34. Patenttivaatimuksen 33 mukainen laminaat- 15 ti, tunnettu siitä, että toisella eristekerrok- sella on paksuus, joka on välillä noin 2-10 mikronia.
35. Patenttivaatimuksen 31 mukainen laminaat-ti, tunnet t u siitä, että ensimmäinen ja toinen eristekerros on muodostettu ferrosähköisistä keraami- 20 sista materiaaleista, joilla on perovskiittikideraken-teet.
36. Patenttivaatimuksen 28 tai 35 mukainen la-minaatti, tunnettu siitä, että takasubstraatilla on riittävä jäykkyys laminaatin tukemiseksi.
37. Patenttivaatimuksen 36 mukainen laminaat- ti, tunnettu siitä, että ensimmäinen eristekerros on muodostettu takaelektrodin päälle paksukalvotek-niikalla, ja sintrattu takaelektrodin tai substraatin sulamislämpötilaa pienemmässä lämpötilassa.
38. Patenttivaatimuksen 36 mukainen laminaat- ti, tunnettu siitä, että ensimmäinen eristekerros on muodostettu silkkipainatuksella ja sintrattu takaelektrodin tai substraatin sulamislämpötilaa pienemmässä lämpötilassa.
39. Patenttivaatimuksen 36 tai 38 mukainen la- minaatti, tunnettu siitä, että toinen eristekerros on muodostettu dispersiogeelitekniikalla ja sint- -111322 57 rattu takaelektrodin ja substraatin sulamislämpötilaa pienemmässä lämpötilassa.
40. Patenttivaatimuksen 39 mukainen laminaat-ti, tunnettu siitä, että dispersiogeelitekniik- 5 kaan kuuluu pyörintäkerrostus tai kastamiskerrostus.
41. Jonkin patenttivaatimuksista 28, 36 tai 40 laminaatti, tunnettu siitä, että. ensimmäinen erityskerros on muodostettu lyijyniobaatista; ja että toinen eristekerros on muodostettu lyijyzirkonaattiti- 10 taanista tai lyijylantaanizirkonaattititaanista.
42. Patenttivaatimuksen 28 tai 41 mukainen laminaatti, tunnettu siitä, että toisen eristeker-roksen pinnalla on pinnanmuoto, jonka vaihtelu ei ylitä 0.5 mikronia yli noin 1000 mikronissa.
43. Menetelmä eristekerroksen muodostamiseksi elektroluminesenssilaminaattiin, johon kuuluu etu- ja takaelektrodin väliin kerrostettu fosforikerros ja joka fosforikerros on erotettu takaelektrodista eristeker-roksella, tunnettu siitä, että menetelmässä 20 pinnoitetaan keraaminen materiaali yhteen tai useampaan kerrokseen jäykän substraatin päälle, joka : muodostaa takaelektrodin, paksukalvotekniikalla ja/tai dispersiogeelitekniikalla ja sintraamalla eristekerroksen muodostamiseksi, jolla eristekerroksella on eriste-25 lujuus S, joka on suurempi kuin noin 1.0 x 106 V/m ja sellainen dielektrisyysvakio, että suhde eristekerroksen dielektrisyysvakion ja fosforikerroksen dielekt-risyysvakion välillä on suurempi kuin noin 50:1 ja - . jonka eristekerroksen paksuus on sellainen, että eris- 30 tekerroksen paksuuden suhde fosforikerroksen paksuuteen on riittävä estämään eristeen läpilyönti käytön aikana määritettynä kaavalla d2= V/S, missä d2 on eristekerroksen paksuus ja V on käytettävä jännite, ja eriste-kerroksella on pinta, joka on fosforikerroksen lähei-35 syydessä ja riittävän tasainen niin, että fosforikerros valaisee olennaisen tasaisesti annetulla viritysjännitteellä, ja jossa eristekerros on joko kosketuksessa - 111322 58 fosforikerrokseen tai erotettuna siitä ainakin yhdellä lisäkerroksella, joka itsessään on kosketuksessa fosforikerroksen kanssa ja jossa fosforikerroksen kanssa oleva kerros on yhteensopiva fosforikerroksen kanssa.
44. Patenttivaatimuksen 43 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että d2 on alueella 10 - 300 mikronia, tai d2 on alueella 20 - 150 mikronia.
45. Patenttivaatimuksen 44 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että fosforikerroksen paksuus on 10 alueella 0,2 - 2 mikronia.
46. Patenttivaatimuksen 44 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että eristekerroksen paksuus on sellainen, että eristekerroksen paksuuden suhde fosforikerroksen paksuuteen on alueella noin 20:1 - 500:1.
47. Patenttivaatimuksen 46 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että eristekerroksen dielekt-risyysvakion ja fosforikerroksen dielektrisyysvakion välinen suhde on suurempi kuin noin 100:1; ja että eristekerroksen paksuus on sellainen, että eristeker- 20 roksen paksuuden suhde fosforikerroksen paksuuteen on alueella noin 40:1 - 300:1.
48. Patenttivaatimuksen 45 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että muodostetaan eristekerros elektroluminesenssilaminaattiin, johon kuuluu ohut 25 fosforikalvokerros, joka on kerrostettu etuelektrodin ja takaelektrodin väliin erotettuna takaelektrodista eristekerroksella etuelektrodin ollessa läpinäkyvä.
49. Patenttivaatimuksen 48 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että eristekerroksen dielekt- 30 risyysvakio on suurempi kuin noin 500.
50. Patenttivaatimuksen 49 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että eristekerros muodostetaan ainakin kahdesta kerroksesta, ensimmäisestä eristeker-roksesta, joka muodostetaan takaelektrodin päälle ja 35 jonka eristelujuus ja dielektrisyysvakio ovat patenttivaatimuksessa 49 esitetyn mukaiset, ja toisesta eriste-kerroksesta, joka muodostetaan ensimmäisen eristeker- 111322 59 roksen päälle muodostamaan pinta, joka on fosforikerroksen läheisyydessä, ja joka fosforikerros on riittävän tasainen niin, että fosforikerros valaisee tasaisesti annetulla viritysjännitteellä; että toinen eris-5 tekerros on joko kosketuksessa fosforikerrokseen tai erotettuna siitä ainakin yhdellä lisäkerroksella, joka itsessään on kosketuksessa fosforikerrokseen ja fosforikerroksen kanssa kosketuksessa oleva kerros on yhteensopiva fosforikerroksen kanssa; että ensimmäisen ja 10 toisen eristekerroksen yhteinen paksuus d2 on patenttivaatimuksessa 49 esitetyn mukainen; ja jossa S on yhdistettyjen ensimmäisen ja toisen eristekerroksen eris-telujuus.
51. Patenttivaatimuksen 50 mukainen menetelmä, 15 tunnettu siitä, että ensimmäinen ja toinen eris- tekerros on muodostettu ferrosähköisistä keraamisista materiaaleista.
52. Patenttivaatimuksen 51 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että toisen eristekerroksen di- 20 elektrisyysvakio on ainakin 20 ja paksuus on. ainakin : , noin 2 mikronia.
53. Patenttivaatimuksen 52 mukainen menetelmä, Ti tunnettu siitä, että ensimmäisen eristekerroksen dielektrisyysvakio on ainakin 1000 ja toisen eristeker-25 roksen dielektrisyysvakio on ainakin 100.
54. Patenttivaatimuksen 53 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että toisen eristekerroksen paksuus on alueella noin 2-10 mikronia.
55. Patenttivaatimuksen 54 mukainen menetelmä, 30 tunnettu siitä, että ensimmäinen ja toinen eris- tekerros on muodostettu ferrosähköisistä keraamisista materiaaleista, joilla on perovskiittikiderakenne.
56. Patenttivaatimuksen 43 tai 55 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että takaelektrodi 35 muodostetaan takasubstraatin päälle, jolla substraatilla on riittävä jäykkyys laminaatin tukemiseksi.
57. Patenttivaatimuksen 56 mukainen menetelmä, 111322 60 tunnettu siitä, että substraatti ja takaelektro-di muodostetaan materiaaleista, jotka kestävät noin 850 °C lämpötiloja; ja että ensimmäinen eristekerros muodostetaan paksukalvotekniikalla ja sintrataan sub-5 straatin ja takaelektrodin sulamislämpötilaa pienemmässä lämpötilassa.
58. Patenttivaatimuksen 56 tai 57 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että ensimmäinen eristekerros muodostetaan silkkipainatuksella.
59. Patenttivaatimuksen 57 tai 58 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että toinen eriste-kerros muodostetaan dispersiogeelitekniikalla ja sintrataan substraatin ja takaelektrodin sulamislämpötilaa pienemmässä lämpötilassa.
60. Patenttivaatimuksen 59 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että toinen eristekerros muodostetaan dispersiogeelitekniikalla, johon sisältyy pyö-rintäkerrostus tai kastamiskerrostus (dipping), ja sintrataan substraatin ja takaelektrodin sulamislämpö- 20 tilaa pienemmässä lämpötilassa.
61. Jonkin patenttivaatimuksista 50, 56 tai 60 : mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että ensim mäinen eristekerros muodostetaan lyijyniobaatista; ja että toinen eristekerros muodostetaan lyijyzirkonaatti- 25 titaanista tai lyijylantaanizirkonaattititaanista.
62. Patenttivaatimuksen 56, 60 tai 61 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että substraatti on alumiinioksidia.
63. Patenttivaatimuksen 56, 60 tai 62 mukainen 30 menetelmä, tunnettu siitä, että fosforikerroksen läheisyydessä olevan eristekerroksen pinta, joka on kosketuksessa fosforikerrokseen, on yhteensopiva fosforikerroksen kanssa, ja sillä on pinnanmuoto, jonka vaihtelu ei ylitä 0.5 mikronia yli noin 1000 mikronin.
64. Patenttivaatimuksen 63 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että eristekerros muodostetaan laminaattiin, jossa on takaelektrodi, joka on muodos- 111322 61 tettu kuumennetuista hopea/platina osoitelinjoista alumiinioksidisubstraatille, ja etuelektrodi on muodostettu indiumtinaoksidiosoitelinjöistä.
65. Patenttivaatimuksen 64 mukainen menetelmä, 5 tunnettu siitä, että eristekerros muodostetaan laminaattiin, johon kuuluu tiivistekerros etuelektrodin yllä.
66. Patenttivaatimuksen 43, 44 tai 49 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että eristekerros on 10 kosketuksessa ja yhteensopiva fosforikerroksen kanssa.
67. Patenttivaatimuksen 50, 56 tai 65 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että toinen eriste-kerros on kosketuksessa ja yhteensopiva fosforikerroksen kanssa.
68. Patenttivaatimuksen 43, 50 tai 63 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että ennen eristeker-roksen muodostamista: järjestetään substraatti, jolla on riittävä jäykkyys laminaatin tukemiseksi; ja 20 muodostetaan takaelektrodi substraatin päälle paksukalvotekniikalla ja sintrataan.
69. Patenttivaatimuksen 68 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että substraatti ja takaelektrodi muodostetaan materiaaleista, jotka kestävät noin 850 25 °C lämpötiloja; ja että ensimmäinen eristekerros muodostetaan paksukalvotekniikalla ja sintrataan taka-elektrodin tai substraatin sulamislämpötilaa pienemmässä lämpötilassa.
70. Patenttivaatimuksen 43 mukainen menetelmä, 30 tunnettu siitä, että eristekerros muodostetaan elektroluminesenssinäyttöpaneelin elektroluminesenssi-laminaattiin, jossa laminaatti on sähköisesti kytketty jänniteohjauspiiriin, ja jossa laminaattiin kuuluu risteävien osoitelinjojen etu- ja takaryhmien väliin 35 kerrostettu fosforikerros, jotka takaosoitelinjat muodostetaan substraatille, jolla on riittävä jäykkyys laminaatin tukemiseksi, ja joka fosforikerros erotetaan 111322 62 takaosoitelinjoista ja valinnaisesti etuosoitelinjoista yhdellä tai usealla dielektrisellä kerroksella; ja että menetelmään kuuluu vaiheet: (a) järjestetään substraatti, jolla on riittä-5 vä jäykkyys laminaatin tukemiseksi ja johon on muodostettu joukko läpimeneviä reikiä sellaiseen muotoon, että ne ovat likimäärin seuraavaksi muodostettavien osoitelinjojen päiden kohdalla; (b) muodostetaan johtava reitti kunkin sub- 10 straatissa olevan läpimenevän reiän läpi, sähköisen liitynnän järjestämiseksi kunkin jäljessä muodostetun osoitelinjan ja jänniteohjauspiirin välille; (c) muodostetaan takaosoitelinjat substraatille, joista kunkin takaosoitelinjan toinen pää päättyy 15 läpimenevän reiän läheisyyteen ja on sähköisesti kytketty reiän läpikulkevaan johtavaan reittiin; (d) muodostetaan eristekerros takaosoitelinjo-jen päälle paksukalvotekniikalla ja sintrataan; (e) muodostetaan fosforikerros eristekerroksen 20 ylle; (f) vaihtoehtoisesti muodostetaan läpinäkyvä eristekerros fosforikerroksen päälle; ja tämän jälkeen (g) muodostetaan etuosoitelinjat alla olevan fosforikerroksen tai läpinäkyvän eristekerroksen pääl- 25 le, joiden etuosoitelinjojen toinen pää päättyy läpimenevän reiän läheisyyteen niin, että se voidaan sähköisesti kytkeä reiän läpikulkevaan johtavaan reittiin.
71. Patenttivaatimuksen 70 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että jänniteohjauspiiriin kuuluu 30 jänniteohjauskomponentteja; ja että vaiheessa <b) piirin kuvio painetaan substraatin taakse sellaiseen kuvioon, että jänniteohjauskomponentit voidaan asentaa piirikuvioon substraatin taakse niin, että piirien lähdöt kytketään etu- ja takaosoitelinjoihin kunkin 35 reiän läpikulkevan johtavan reitin avulla.
72. Patenttivaatimuksen 71 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että vaiheessa (b) johtavaa ma- 111322 63 teriaalia asennetaan kuhunkin läpimenevään reikään etuja takaliittimien johdintäplien muodostamiseksi substraatin molemmille puolille, jotka takaliittimien johdintäplät järjestävät takaosoitelinjojen kytkemisen 5 jänniteohjauskomponentteihin takapiirilevyn kuvion kautta; ja että vaiheissa (c) ja (g) kunkin etu- ja takaosoitelinjan toinen pää joko limittyy etuliitintäp-lään tai lisää johtavaa ainetta asetetaan etuliitintäp-län ja kunkin etu- ja takaosoitelinjan yhden toisen 10 pään välille.
73. Patenttivaatimuksen 72 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että substraatti ja takaosoite-linjat muodostetaan materiaaleista, jotka kestävät noin 850°C lämpötiloja.
74. Patenttivaatimuksen 73 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että substraatti on valoa läpäisemätön; ja että läpimenevät reiät muodostetaan laserilla.
75. Patenttivaatimuksen 74 mukainen menetelmä, 20 tunnettu siitä, että substraatti on alumiinioksidia.
76. Patenttivaatimuksen 73 tai 75 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että substraatti on yleisesti suorakulmainen; ja että läpimenevät reiät 25 muodostetaan substraatin kehän ympärille lähelle jäl-. ; jessä muodostettuja etu- ja takaosoitelinjoja ainakin kahdelle puolelle substraattia.
77. Patenttivaatimuksen 76 mukainen menetelmä, ; tunnettu siitä, että vaiheissa (b) ja (c) käy- 30 tettävä johtava materiaali on kuumennettua paksukalvo-massaa.
78. Patenttivaatimuksen 77 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että johtavassa reitissä oleva johtava materiaali, takapiirikuvio ja etu- ja takalii- 35 tintäplät ovat kuumennettua hopea/platinamassaa ja johtava materiaali, jota käytetään yhdistämään osoite-linjat etuliitintäpliin, on hopeaa. 111322 64
79. Patenttivaatimuksen 78 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että vaiheessa (b) johtava reitti kunkin läpimenevän reiän kautta muodostetaan johtavasta paksukalvomassasta, joka on painettu piirikuvioon 5 substraatin takana, vetämällä läpi läpimenevän reiän substraatissa etu- ja takaliitintäplien järjestämiseksi kummallekin puolelle substraattia ja tämän jälkeen kuumentamalla, takaliitintäplien järjestäessä sähköisen liitännän jänniteohjauspiiriin ja etuliitintäplien 10 järjestäessä sähköisen liitännän takaosoitelinjoihin vaiheessa (c) ; ja että vaiheessa (g) osoitelinjat yhdistetään etuliitintäpliin toisella johtavalla materiaalilla.
80. Patenttivaatimuksen 79 mukainen menetelmä, 15 tunnettu siitä, että substraatti ja takaosoite- linjat muodostetaan materiaaleista, jotka kestävät noin 850°C lämpötiloja.
81. Patenttivaatimuksen 79 tai 80 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että substraatti on 20 yleisesti suorakulmainen; ja että läpimenevät reiät muodostetaan substraatin kehän ympärille lähelle etuja takaosoitelinjojen päitä ainakin kahdelle puolelle substraattia.
82. Patenttivaatimuksen 81 mukainen menetelmä, 25 tunnettu siitä, että paksukalvomassa vaiheissa (b) ja (c) on kuumennettua hopeaplatinamassaa; ja että toinen johtava materiaali vaiheessa (g) on hopea.
83. Patenttivaatimuksen 70 tai 82 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että eristekerros 30 muodostetaan ainakin kahdesta kerroksesta, ensimmäisestä eristekerroksesta, joka muodostetaan takaelektrodin päälle paksukalvotekniikalla ja sintrataan ja jonka eristyslujuus ja dielektrisyysvakio ovat patenttivaatimuksessa 70 esitetyn mukaiset, ja toisesta eristeker-35 roksesta, joka muodostetaan ensimmäisen eristekerroksen päälle dispersiogeelitekniikalla ja sintrataan aikaansaamaan fosforikerroksen läheinen pinta patenttivaati- 111322 65 muksen 70 mukaisesti; ja että ensimmäisen ja toisen eristekerroksen kokonaispaksuus on patenttivaatimuksessa 70 esitetyn mukainen.
84. Patenttivaatimuksen 83 mukainen menetelmä, 5 tunnettu siitä, että ensimmäinen ja toinen eris- tekerros muodostetaan ferrosähköisistä keraamisista materiaaleista, joilla on perovskiittikiderakenne; että ensimmäisen eristekerroksen dielektrisyysvakio on ainakin 1000; ja että toisen eristekerroksen dielektrisyys-10 vakio on ainakin 100 ja toisen eristekerroksen paksuus on alueella noin 2-10 mikronia.
85. Patenttivaatimuksen 84 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että ensimmäinen eristekerros muodostetaan silkkipainannalla ja sintraamalla paksu- 15 kalvoeristemassa ja toinen eristekerros muodostetaan dispersiogeelitekniikalla ja sintrataan.
86. Patenttivaatimuksen 85 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että ensimmäinen eristekerros muodostetaan lyijyniobaatista; ja että toinen eriste- 20 kerros muodostetaan lyijyzirkonaattititaanista tai lyijylantaanizirkonaattititaanista.
87. Patenttivaatimuksen 43 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että yksi tai useampi eristeker-roksista muodostetaan elektroluminesenssilaminaattiin, ; ' 25 johon kuuluu fosforikerros, joka on kerrostettuna ris- : teävien etu- ja takaosoitelinjajoukkojen väliin, jotka takaosoitelinjat on muodostettu takasubstraattiin, ja fosforikerros on erotettu takaosoitelinjoista yhdellä tai useammalla eristekerroksella, ja etuosoitelinjat on 30 muodostettu läpinäkyvästä johtavasta materiaalista, ja ’ jossa menetelmässä: kohdistetaan fokusoitu lasersäde läpinäkyvässä johtavassa materiaalissa poistettavaan kuvion alueeseen, jonka lasersäteen aallonpituus on olennaisesti 35 absorboitumaton läpinäkyvään johtavaan materiaaliin, mutta on absorboituva yhteen tai useampaan eristeker-rokseen tai fosforikerrokseen niin, että fosforikerros 111322 66 suoraan sulaa koko paksuudeltaan, yhden tai useamman eristekerroksen osa suoraan sulaa, ja läpinäkyvä johtava materiaali sulaa epäsuorasti koko paksuudeltaan sulamisen tapahtuessa poistettavan kuvion alueella: 5 muodostetaan elektrodikuvio liikuttamalla laminaattia ja/tai lasersädettä toistensa suhteen elektrodikuviossa.
88. Patenttivaatimuksen 87 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että eristekerros muodostetaan 10 ainakin kahdesta kerroksesta, ensimmäisestä eristeker-roksesta, joka muodostetaan takaelektrodin päälle ja jonka dielektrisyysvakio on suurempi kuin noin 500, ja toisesta eristekerroksesta, joka muodostetaan ensimmäisen eristekerroksen päälle ja jonka pinta on fosfori-15 kerroksen läheisyydessä kuten patenttivaatimuksessa 87 on esitetty; ja että ensimmäisen ja toisen eristekerroksen kokonaispaksuus on alueella 10 - 300 mikronia, ja jossa eristelujuus S on yhdistettyjen ensimmäisen ja toisen eristekerroksen eristelujuus.
89. Patenttivaatimuksen 88 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että ensimmäinen ja toinen eristekerros muodostetaan ferrosähköisistä keraamisista materiaaleista, joilla on perovskiittikiderakenne; -että ensimmäisen eristekerroksen dielektrisyysvakio on aina-25 kin 1000; ja että toisen eristekerroksen dielektrisyysvakio on ainakin 100 ja toisen eristekerroksen paksuus on alueella noin 2-10 mikronia.
90. Patenttivaatimuksen 89 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että ensimmäinen eristekerros 30 muodostetaan silkkipainannalla ja sintraamalla paksu-kalvoeristemassa ja toinen eristekerros muodostetaan dispersiogeelitekniikalla ja sintraamalla.
91. Patenttivaatimuksen 90 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että ensimmäinen eristekerros 35 muodostetaan lyijyniobaatista; ja että toinen eriste-kerros muodostetaan lyijyzirkonaattititaanista tai lyijylantaanizirkonaattititaanista. 111322 67
92. Patenttivaatimuksen 87 tai 91 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että läpinäkyvä johtava materiaali on indiumtinaoksidia.
93. Menetelmä elektroluminesenssinäyttöpanee-5 Iin, joka on muodostettu jänniteohjauspiiriin sähköisesti kytketystä elektroluminesenssilaminaatista, valmistamiseksi, jossa elektroluminesenssilaminaatissa on risteävien osoitelinjojen etu- ja takaryhmien väliin kerrostettu fosforikerros, jotka takaosoitelinjat muo- 10 dostetaan substraatille, jolla on riittävä jäykkyys laminaatin tukemiseksi, ja joka fosforikerros erotetaan takaosoitelinjöistä ja valinnaisesti etuosoitelinjoista yhdellä tai usealla dielektrisellä kerroksella; ja että menetelmään kuuluu vaiheet: 15 (a) järjestetään substraatti, jolla on riittävä jäykkyys elektroluminesenssilaminaatin tukemiseksi ja johon on muodostettu joukko läpimeneviä reikiä sellaiseen muotoon, että ne ovat likimäärin seuraavaksi muodostettavien osoitelinjojen päiden kohdalla; 20 (b) muodostetaan johtava reitti kunkin sub straatissa olevan läpimenevän reiän läpi, sähköisen liitynnän järjestämiseksi kunkin jäljessä muodostetun osoitelinjan ja jänniteohjauspiirin välille; (c) muodostetaan takaosoitelinjat substraatil- 25 le, joista kunkin takaosoitelinjan toinen pää päättyy läpimenevän reiän läheisyyteen ja on sähköisesti kytketty reiän läpikulkevaan johtavaan reittiin; (d) muodostetaan eristekerros takaosoitelinjo-jen päälle paksukalvotekniikalla ja sintrataan; 30 (e) muodostetaan fosforikerros eristekerroksen ylle; (f) vaihtoehtoisesti muodostetaan läpinäkyvä eristekerros fosforikerroksen päälle; ja tämän jälkeen (g) muodostetaan etuosoitelinjat alla olevan 35 fosforikerroksen tai läpinäkyvän eristekerroksen päälle, joiden etuosoitelinjojen toinen pää päättyy läpimenevän reiän läheisyyteen niin, että se voidaan sähköi- 111322 68 sesti kytkeä reiän läpikulkevaan johtavaan reittiin.
94. Patenttivaatimuksen 93 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että jänniteohjauspiiriin kuuluu jänniteohjauskomponentteja; ja että vaiheessa (b) pii-5 rin kuvio painetaan substraatin taakse sellaiseen kuvi-. oon, että jänniteohjauskomponentit voidaan asentaa piirikuvioon substraatin taakse niin, että piirien lähdöt kytketään etu- ja takaosoitelinjoihin kunkin reiän läpikulkevan johtavan reitin avulla.
95. Patenttivaatimuksen 94 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että vaiheessa (b) johtavaa materiaalia asennetaan kuhunkin läpimenevään reikään etu·1· ja takaliittimien johdintäplien muodostamiseksi substraatin molemmille puolille, jotka takaliittimien 15 johdintäplät järjestävät takaosoitelinjojen kytkemisen jänniteohjauskomponentteihin takapiirilevykuvion kautta; ja että vaiheissa (c) ja (g) kunkin etu- ja taka-osoitelinjan toinen pää joko limittyy etuliitintäplään tai lisää johtavaa ainetta asetetaan etuliitintäplän ja 20 kunkin etu- ja takaosoitelinjan yhden toisen pään välille.
96. Patenttivaatimuksen 95 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että substraatti ja takaosoite-linjat muodostetaan materiaaleista, jotka kestävät noin ’ 25 850°C lämpötiloja.
97. Patenttivaatimuksen 96 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että substraatti on valoa läpäisemätön; ja että läpimenevät reiät muodostetaan laserilla.
98. Patenttivaatimuksen 97 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että substraatti on alumiinioksidia.
99. Patenttivaatimuksen 96 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että substraatti on yleisesti 35 suorakulmainen; ja että läpimenevät reiät muodostetaan substraatin kehän ympärille lähelle jäljessä muodostettuja etu- ja takaosoitelinjoja ainakin kahdelle puolel- 111322 69 le substraattia.
100. Patenttivaatimuksen 99 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että vaiheissa (b) ja (c) käytettävä johtava materiaali on kuumennettua paksukal- 5 vomassaa.
101. Patenttivaatimuksen 100 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että johtavassa reitissä oleva johtava materiaali, takapiirikuvio ja etu- ja takaliitintäplät ovat kuumennettua hopea/platinamassaa 10 ja johtava materiaali, jota käytetään yhdistämään osoi-telinjat etuliitintäpliin, on hopeaa.
102. Patenttivaatimuksen 94 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että vaiheessa (b) johtava reitti kunkin läpimenevän reiän kautta muodostetaan 15 johtavasta paksukalvomassasta, joka on painettu piiri-kuvioon substraatin takana, vetämällä läpi läpimenevän reiän substraatissa etu- ja takaliitintäplien järjestämiseksi kummallekin puolelle substraattia ja tämän jälkeen kuumentamalla, takaliitintäplien järjestäessä 20 sähköisen liitännän jänniteohjauspiiriin ja etuliitin-. täplien järjestäessä sähköisen liitännän takaosoitelin- joihin vaiheessa (c); ja että vaiheessa (g) osoitelin-jat yhdistetään etuliitintäpliin toisella johtavalla materiaalilla.
103. Patenttivaatimuksen 102 mukainen menetel mä, tunnettu siitä, että substraatti ja taka-osoitelinjat muodostetaan materiaaleista, jotka kestävät noin 850°C lämpötiloja.
104. Patenttivaatimuksen 103 mukainen menetel- 30 mä, tunnettu siitä, että substraatti on yleisesti suorakulmainen; ja että läpimenevät reiät muodostetaan substraatin kehän ympärille lähelle etu- ja taka-osoitelinjojen päitä ainakin kahdelle puolelle substraattia.
105. Patenttivaatimuksen 104 mukainen menetel mä, tunnettu siitä, että paksukalvomassa vaiheissa (b) ja (c) on kuumennettua hopeaplatinamassaa; -111322 70 ja että toinen johtava materiaali vaiheessa (g) on hopea.
106. Patenttivaatimuksen 102 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että vaiheessa (d) eriste-5 kerros muodostetaan päällystämällä keraamista materiaalia takaelektrodin päälle paksukalvotekniikalla ja sintraamalla eristekerroksen muodostamiseksi, jolla eristekerroksella on eristelujuus S, joka on suurempi kuin noin 1.0 x 106 V/m ja sellainen dielektrisyysva-10 kio, että suhde eristekerroksen dielektrisyysvakion ja fosforikerroksen dielektrisyysvakion välillä on suurempi kuin noin 50:1 ja jonka eristekerroksen paksuus on riittävä estämään eristeen läpilyönti käytön aikana määritettynä kaavalla d2= V/S, missä d2 on eristeker-15 roksen paksuus ja V on käytettävä jännite, ja eriste-kerroksella on pinta, joka on fosforikerroksen läheisyydessä ja riittävän tasainen niin, että fosforikerros valaisee olennaisen tasaisesti annetulla viritysjännitteellä, ja jossa eristekerros on joko kosketuksessa 20 fosforikerrokseen tai erotettuna siitä ainakin yhdellä lisäkerroksella, joka itsessään on kosketuksessa fosforikerroksen kanssa ja jossa fosforikerroksen kanssa kosketuksissa oleva kerros on yhteensopiva fosforikerroksen kanssa.
107. Patenttivaatimuksen 106 mukainen menetel mä, tunnettu siitä, että eristekerros muodostetaan ainakin kahdesta kerroksesta, ensimmäisestä eris-tekerroksesta, joka muodostetaan takaelektrodin päälle paksukalvotekniikalla ja sintrataan ja jonka eristyslu-30 juus ja dielektrisyysvakio ovat patenttivaatimuksessa 106 esitetyn mukaiset ja eristelujuuden ollessa yhdistettyjen ensimmäisen ja toisen eristekerroksen eriste-lujuus, ja toisesta eristekerroksesta, joka muodostetaan ensimmäisen eristekerroksen päälle dispersiogeeli-35 tekniikalla ja sintrataan aikaansaamaan fosforikerroksen läheinen pinta patenttivaatimuksen 106 mukaisesti; ja ensimmäisen ja toisen eristekerroksen kokonaispak- -111322 71 suus on patenttivaatimuksessa 106 esitetyn mukainen.
108. Patenttivaatimuksen 107 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että ensimmäinen ja toinen eristekerros muodostetaan ferrosähköisistä keraamisista 5 materiaaleista, joilla on perovskiittikiderakenne; että ensimmäisen eristekerroksen dielektrisyysvakio on ainakin 1000; ja että toisen eristekerroksen dielektrisyysvakio on ainakin 100 ja toisen eristekerroksen paksuus on alueella noin 2-10 mikronia.
109. Patenttivaatimuksen 108 mukainen menetel mä, tunnettu siitä, että ensimmäinen eristekerros muodostetaan silkkipainannalla ja sintraamalla paksukalvoeristemassa ja toinen eristekerros muodostetaan dispersiogeelitekniikalla ja sintrataan.
110. Patenttivaatimuksen 109 mukainen menetel mä, tunnettu siitä, että ensimmäinen eristekerros muodostetaan lyijyniobaatista; ja että toinen eristekerros muodostetaan lyijyzirkonaattititaanista tai lyijylantaanizirkonaattititaanista.
111. Menetelmä elektroluminesenssilaminaatin muodostamiseksi, tunnettu siitä, että laminaat-tiin kuuluu risteävien osoitelinjojen etu- ja takaryh-mien väliin kerrostettu fosforikerros, jotka takaosoi-telinjat muodostetaan takasubstraatille ja joka fosfo-25 rikerros erotetaan takaosoitelinjoista ja valinnaisesti etuosoitelinjöistä yhdellä tai usealla eristekerroksel-' la; ja johon menetelmään kuuluu vaiheet: (a) muodostetaan takaosoitelinjat substraatille, jonka jäykkyys on riittävä laminaatin tukemiseksi; 30 (b) muodostetaan eristekerros takaosoitelinjo jen päälle; (c) muodostetaan fosforikerros eristekerroksen ylle; (d) valinnaisesti muodostetaan läpinäkyvä 35 eristekerros fosforikerrokselle; ja (e) muodostetaan etuosoitelinjat fosforipohja-kerrokselle tai läpinäkyvälle eristekerrokselle asetta- 72 111222 maila kerros läpinäkyvää johtavaa materiaalia pohjakerroksen päälle ja piirtämällä osoitelinjat kohdistamalla fokusoitu lasersäde pitkin läpinäkyvän johtavan materiaalin alueita muodostettavien osoitelinjojen välissä, 5 jonka lasersäteen aallonpituus on olennaisesti absor-boitumaton läpinäkyvään johtavaan materiaaliin, läpinäkyvään eristekerrokseen ja fosforikerrokseen, mutta on absorboituva dielektriseen pohjakerrokseen niin, että osa dielektrisestä pohjakerroksesta poistetaan 10 suoraan lasersäteellä ja päällysfosfori, valinnainen läpinäkyvä eristekerros ja läpinäkyvä johtava materiaali poistetaan epäsuorasti koko paksuudeltaan osoitelinjojen välisiltä alueilta.
112. Patenttivaatimuksen 111 mukainen menetel-15 mä, tunnettu siitä, että lasersäteen aallonpituus on suurempi kuin 400 nm.
113. Patenttivaatimuksen 112 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että kerrosten rakenne ja paksuus on sellainen, että: 20 2i«di Tdi > Eiöti Ttit jossa oid = dielektrisen pohjakerroksen absorptiokerroin; at = läpinäkyvän kerroksen absorptiokerroin; Td = dielektrisen pohjakerroksen paksuus; ja Tt = läpinäkyvän kerroksen paksuus. ' 25 114. Patenttivaatimuksen 113 mukainen menetel- >'· mä, tunnettu siitä, että läpinäkyvä johtava ma teriaali on indiumtinaoksidia.
115. Patenttivaatimuksen 114 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että fosforikerroksen alla 30 olevaan dielektriseen pohjakerrokseen kuuluu: tasokerros, joka muodostetaan sintratusta keraamisesta materiaalista niin, että eristekerroksella on eristelujuus S, joka on suurempi kuin noin 1.0 x 106 V/m ja sellainen dielektrisyysvakio, että eristemateri-35 aalin dielektrisyysvakion ja fosforikerroksen dielekt-risyysvakion suhde on suurempi kuin noin 50:1 ja jonka eristekerroksen paksuus on riittävä estämään eristeen 111322 73 läpilyönti käytön aikana määritettynä kaavalla d2= V/S, missä d2 on eristekerroksen paksuus ja V on käytettävä jännite, ja eristekerroksella on pinta, joka on fosforikerroksen läheisyydessä ja riittävän tasainen niin, 5 että fosforikerros valaisee olennaisen tasaisesti annetulla viritysjännitteellä, ja jossa eristekerros on joko kosketuksessa fosforikerrokseen tai erotettuna siitä ainakin yhdellä lisäkerroksella, joka itsessään on kosketuksessa fosforikerroksen kanssa ja jossa fös-10 forikerroksen kanssa kosketuksissa oleva kerros oh yhteensopiva fosforikerroksen kanssa.
116. Patenttivaatimuksen 115 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että eristekerros muodostetaan ainakin kahdesta kerroksesta, ensimmäisestä eris- 15 tekerroksesta, joka muodostetaan takaelektrodin päälle ja jonka dielektrisyysvakio on suurempi kuin noin 500, ja toisesta dielektrisestä kerroksesta, joka muodostetaan ensimmäisen eristekerroksen päälle ja jonka pinta on fosforikerroksen läheisyydessä kuten patenttivaati-20 muksessa 115 on esitetty; ja että ensimmäisen ja toisen eristekerroksen S kokonaispaksuus d2 on alueella 10 - 300 mikronia, ja jossa S on yhdistettyjen ensimmäisen ja toisen eristekerroksen eristelujuus.
117. Patenttivaatimuksen .116 mukainen menetel- ’ : 25 mä, tunnettu siitä, että ensimmäinen ja toinen eristekerros muodostetaan ferrosähköisistä keraamisista v ' materiaaleista, joilla on perovskiittikiderakenne; että ensimmäisen eristekerroksen dielektrisyysvakio on aina-' ; kin 1000; ja että toisen eristekerroksen dielektrisyys- ; 30 vakio on ainakin 100 ja toisen eristekerroksen paksuus ' , on alueella noin 2-10 mikronia.
118. Patenttivaatimuksen 117 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että ensimmäinen eristekerros muodostetaan silkkipainannalla ja sintraamalla 35 paksukalvoeristemassa ja toinen eristekerros muodostetaan dispersiogeelitekniikalla ja sintraamalla.
119. Patenttivaatimuksen 118 mukainen menetel- 111322 74 mä, tunnettu siitä, että ensimmäinen eristeker-ros muodostetaan lyijyniobaatista; ja että toinen eris-tekerros muodostetaan lyijyzirkonaattititaanista tai lyijylantaanizirkonaattititaanista.
120. Elektroluminesenssilaminaatti, tun nettu siitä, että laminaattiin kuuluu takasubstraatti; joukko rinnakkaisia takaosoitelinjoja ta-kasubstraati11a; 10 eristekerros takaosoitelinjojen päällä; fosforikerros eristekerroksen päällä; valinnainen läpinäkyvä eristekerros fosfori-kerroksen päällä; etumainen, läpinäkyvä joukko rinnakkaisia 15 osoitelinjoja fosforikerroksen yläpuolella, jotka etu-osoitelinjat risteävät takaosoitelinjojen kanssa niin, että kuvapisteet muodostuvat leikkauspisteisiin ja jotka etuosoitelinjat erotetaan laserpiirretyillä urilla, jotka ulottuvat pohjafosforikerroksen läpi ja poh-20 jän eristekerroksen sisään ulottumatta pohjan eriste-kerroksen läpi.
121. Patenttivaatimuksen 120 mukainen lami-naatti', tunnettu siitä, että takaosoitelinjojen päällä olevaan eristekerrokseen kuuluu: 1 25 tasokerros, joka on muodostettu sintratusta keraamisesta materiaalista niin, että eristekerroksella on eristelujuus S, joka on suurempi kuin noin 1.0 x 106 V/m ja sellainen dielektrisyysvakio, että eristekerrok-; sen dielektrisyysvakion ja fosforikerroksen dielekt- 30 risyysvakion suhde on suurempi kuin noin 50:1 ja jonka eristekerroksen paksuus on riittävä estämään eristeen läpilyönti käytön aikana määritettynä kaavalla d2= V/S, missä d2 on eristekerroksen paksuus. ja V on käytettävä jännite, ja eristekerroksella on pinta, joka on fosfo-35 rikerroksen läheisyydessä ja riittävän tasainen niin, että fosforikerros valaisee olennaisen tasaisesti annetulla viritysjännitteellä, ja jossa eristekerros on 111322 75 joko kosketuksessa fosforikerrokseen tai erotettuna siitä ainakin yhdellä lisäkerroksella, joka itsessään on kosketuksessa fosforikerroksen kanssa ja jossa fosforikerroksen kanssa kosketuksissa oleva kerros on 5 yhteensopiva fosforikerroksen kanssa.
122. Patenttivaatimuksen 121 mukainen lami-naatti, tunnettu siitä, että eristekerros on muodostettu ainakin kahdesta kerroksesta, ensimmäisestä eristekerroksesta, joka on muodostettu takaelektro- 10 din päälle ja jonka dielektrisyysvakio on suurempi kuin noin 500, ja toisesta dielektrisestä kerroksesta, joka . muodostetaan ensimmäisen eristekerroksen päälle ja jonka pinta on yhteydessä fosforikerrokseen kuten patenttivaatimuksessa 121 on esitetty; että ensimmäisen 15 ja toisen eristekerroksen kokonaispaksuus d2 on alueella 10 - 300 mikronia; ja jossa eristelujuus S on yhdistettyjen ensimmäisen ja toisen eristekerroksen eristelujuus.
123. Patenttivaatimuksen 122 mukainen lami- 20 naatti, tunnettu siitä, että ensimmäinen ja toinen eristekerros on muodostettu ferrosähköisistä keraamisista materiaaleista, joilla on perovskiittikidera-kenne; että ensimmäisen eristekerroksen dielektrisyysvakio on ainakin 1000; ja että toisen eristekerroksen 25 dielektrisyysvakio on ainakin 100 ja toisen eristekerroksen paksuus on alueella noin 2-10 mikronia.
124. Patenttivaatimuksen 123 mukainen lami- naatti, tunnettu siitä, että ensimmäinen eriste-kerros on muodostettu silkkipainannalla ja sintraamalla 30 paksukalvoeristemassa ja toinen eristekerros on muodostettu dispersiogeelitekniikalla ja sintraamalla.
125. Patenttivaatimuksen 124 mukainen lami- naatti, tunnettu siitä, että ensimmäinen eriste-kerros on muodostettu lyijyniobaatista; ja että toinen 35 eristekerros on muodostettu lyijyzirkonaattititaanista tai lyijylantaanizirkonaattititaanista.
126. Patenttivaatimuksen 125 mukainen lami- - 111322 76 naatti, tunnettu siitä, että toinen eristekerros on kosketuksissa ja yhteensopiva fosforikerroksen kanssa.
127. Menetelmä kuvion laserpiirtämiseksi taso- 5 maiseen laminaattiin, johon kuuluu ainakin yksi pääl- lyskerros ja ainakin yksi pohjakerros, tunnettu siitä, että suunnataan fokusoitu lasersäde laminaatin päällyskerroksessa kuvion poistettavalle alueelle, 10 jonka lasersäteen aallonpituus on olennaisesti absor- boitumaton päällyskerrokseen, mutta on absorboituva aluskerrokseen niin, että ainakin osa aluskerroksesta poistetaan suoraan ja päällyskerros on epäsuorasti poistettu koko paksuudeltaan kuvion poistettavalla 15 alueella.
128. Patenttivaatimuksen 127 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että päällyskerros läpäisee näkyvää valoa ja pohjakerros on läpikuultamaton näkyvälle valolle; ja että lasersäteen aallonpituus on 20 sähkömagneettisen spektrin näkyvällä tai infrapuna- alueella.
129. Patenttivaatimuksen 127 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että kerrosten rakenne' ja , paksuus on sellainen, että:
25 Zi^ui Tui > Ei«oi , missä; au = pohjakerroksen absorptiokerroin; a0 = päällyskerroksen absorptiokerroin; Tu = pohjakerroksen paksuus; ja : 30 T0 = päällyskerroksen paksuus.
130. Patenttivaatimuksen 129 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että kerrosten rakenne on sellainen, että päällyskerros höyrystyy alemmassa lämpötilassa kuin pohjakerros.
131. Patenttivaatimuksen 130 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että kerrosten rakenne on sellainen, että päällyskerroksella on suurempi lämpö- 111322 77 johtavuus kuin pohjakerroksella.
132. Patenttivaatimuksen 127 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että päällyskerros on läpinäkyvää johtavaa materiaalia, johon elektrodikuvio 5 piirretään.
133. Patenttivaatimuksen 132 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että elektrodikuvio muodostetaan liikuttamalla toista tai kumpaakin, laminaattia ja lasersädettä suhteessa toiseen.
134. Patenttivaatimuksen 133 mukainen menetel mä, tunnettu siitä, että laminaatti on elektroluminesenssilaminaatti, johon kuuluu risteävien osoitelinjojen etu- ja takaosien väliin kerrostettu fosforikerros, jotka takaosoite-15 linjat muodostetaan takasubstraatille ja joka fosfori-kerros erotetaan takaosoitelinjöistä yhdellä tai usealla eristekerroksella; päällyskerrokseen kuuluu etuosoitelinjoja, jotka on muodostettu läpinäkyvästä johtavasta materiaa-20 lista, ja fosforikerros; pohjakerrokseen kuuluu yksi tai useampia eris-tekerroksia; ja elektrodikuvio käsittää joukon rinnakkaisia osoitelinjoja läpinäkyvästä johtavasta materiaalista.
135. Patenttivaatimuksen 134 mukainen menetel mä, tunnettu siitä, että osa eristekerroksesta poistetaan suoraan ja fosfori ja läpinäkyvä johtava materiaali poistetaan epäsuorasti koko paksuudeltaan.
136. Patenttivaatimuksen 135 mukainen menetelmä, 30 tunnettu siitä, että läpinäkyvä johtava materiaali on indiumtinaoksidia. 111322 78
Applications Claiming Priority (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US88043692A | 1992-05-08 | 1992-05-08 | |
US88043692 | 1992-05-08 | ||
US99654792A | 1992-12-24 | 1992-12-24 | |
US99654792 | 1992-12-24 | ||
US08/052,702 US5432015A (en) | 1992-05-08 | 1993-04-30 | Electroluminescent laminate with thick film dielectric |
US5270293 | 1993-04-30 | ||
CA9300195 | 1993-05-06 | ||
PCT/CA1993/000195 WO1993023972A1 (en) | 1992-05-08 | 1993-05-06 | Electroluminescent laminate with thick film dielectric |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
FI945257A0 FI945257A0 (fi) | 1994-11-08 |
FI945257A FI945257A (fi) | 1994-11-08 |
FI111322B true FI111322B (fi) | 2003-06-30 |
Family
ID=27368254
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
FI945257A FI111322B (fi) | 1992-05-08 | 1994-11-08 | Elektroluminenssilaminaatti, johon kuuluu dielektrinen paksukalvo |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (5) | US5432015A (fi) |
EP (3) | EP0639319B1 (fi) |
AU (1) | AU4055293A (fi) |
CA (1) | CA2118111C (fi) |
DE (2) | DE69313632T2 (fi) |
ES (1) | ES2109490T3 (fi) |
FI (1) | FI111322B (fi) |
HK (2) | HK1002845A1 (fi) |
WO (1) | WO1993023972A1 (fi) |
Families Citing this family (205)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
IT1263084B (it) * | 1993-04-20 | 1996-07-24 | Luciano Abbatemaggio | Documento di riconoscimento ad effetto di elettroluminescenza ed il procedimento per la sua realizzazione. |
GB9317408D0 (en) * | 1993-08-20 | 1993-10-06 | Ultra Silicon Techn Uk Ltd | Ac thin film electroluminescent device |
JP3308695B2 (ja) * | 1994-02-02 | 2002-07-29 | ローム株式会社 | 出力装置 |
DE69425436T2 (de) * | 1994-03-31 | 2001-02-08 | Orion Electric Co. Ltd., Kumi | Flache anzeige und herstellungsverfahren derselben |
US5704921A (en) * | 1995-05-17 | 1998-01-06 | Carilli; Brian D. | Prefilled hypodermic syringe system |
US5644327A (en) * | 1995-06-07 | 1997-07-01 | David Sarnoff Research Center, Inc. | Tessellated electroluminescent display having a multilayer ceramic substrate |
US5877735A (en) * | 1995-06-23 | 1999-03-02 | Planar Systems, Inc. | Substrate carriers for electroluminescent displays |
US5830270A (en) * | 1996-08-05 | 1998-11-03 | Lockheed Martin Energy Systems, Inc. | CaTiO3 Interfacial template structure on semiconductor-based material and the growth of electroceramic thin-films in the perovskite class |
EP1388767B1 (en) * | 1996-09-24 | 2006-04-26 | Seiko Epson Corporation | Projector display comprising light source units |
KR100265859B1 (ko) * | 1996-12-21 | 2000-09-15 | 정선종 | 전계방출 디스플레이용 발광입자 |
JPH10261484A (ja) * | 1997-03-19 | 1998-09-29 | Minolta Co Ltd | 有機エレクトロルミネセンス素子およびその製造方法 |
DE19715658A1 (de) * | 1997-04-16 | 1998-10-22 | Philips Leiterplatten At Gmbh | Multifunktions-Leiterplatte mit opto-elektronisch aktivem Bauelement |
EP0923094B1 (en) * | 1997-12-03 | 2006-09-20 | TDK Corporation | Multilayer ceramic electronic element and manufacturing method therefor |
US5966855A (en) * | 1997-12-16 | 1999-10-19 | Miner; Race K. | Cryophotonic back-lit sign |
US6379509B2 (en) * | 1998-01-20 | 2002-04-30 | 3M Innovative Properties Company | Process for forming electrodes |
US6225740B1 (en) * | 1998-01-28 | 2001-05-01 | Screen Sign Arts, Ltd. | Electroluminescent lamps |
US6004686A (en) * | 1998-03-23 | 1999-12-21 | Micron Technology, Inc. | Electroluminescent material and method of making same |
JP3110374B2 (ja) * | 1998-03-27 | 2000-11-20 | 静岡日本電気株式会社 | Elランプの取付構造 |
US6066830A (en) * | 1998-06-04 | 2000-05-23 | Astronics Corporation | Laser etching of electroluminescent lamp electrode structures, and electroluminescent lamps produced thereby |
JP2000075836A (ja) * | 1998-09-02 | 2000-03-14 | Sharp Corp | 有機el発光装置とその駆動方法 |
US6084217A (en) * | 1998-11-09 | 2000-07-04 | Illinois Tool Works Inc. | Heater with PTC element and buss system |
JP2000208255A (ja) * | 1999-01-13 | 2000-07-28 | Nec Corp | 有機エレクトロルミネセント表示装置及びその製造方法 |
US6323067B1 (en) * | 1999-01-28 | 2001-11-27 | Infineon Technologies North America Corp. | Light absorption layer for laser blown fuses |
US6605834B1 (en) * | 1999-02-08 | 2003-08-12 | Lg Electronics Inc. | Dielectric for plasma display panel and composition thereof |
JP2000353591A (ja) * | 1999-04-07 | 2000-12-19 | Tdk Corp | 複合基板、これを用いた薄膜発光素子、およびその製造方法 |
JP4252665B2 (ja) | 1999-04-08 | 2009-04-08 | アイファイヤー アイピー コーポレイション | El素子 |
ES1042791Y (es) * | 1999-04-15 | 2000-03-01 | Oriel Tecnologicas S A | Rotulo luminoso. |
US6354000B1 (en) * | 1999-05-12 | 2002-03-12 | Microconnex Corp. | Method of creating an electrical interconnect device bearing an array of electrical contact pads |
US6771019B1 (en) * | 1999-05-14 | 2004-08-03 | Ifire Technology, Inc. | Electroluminescent laminate with patterned phosphor structure and thick film dielectric with improved dielectric properties |
US6603257B1 (en) * | 1999-05-27 | 2003-08-05 | University Of North Carolina At Charlotte | Cathodo-/electro-luminescent device and method of fabricating a cathodo-/electro-luminescent device using porous silicon/porous silicon carbide as an electron emitter |
TW556357B (en) * | 1999-06-28 | 2003-10-01 | Semiconductor Energy Lab | Method of manufacturing an electro-optical device |
US6376691B1 (en) | 1999-09-01 | 2002-04-23 | Symetrix Corporation | Metal organic precursors for transparent metal oxide thin films and method of making same |
US6174213B1 (en) | 1999-09-01 | 2001-01-16 | Symetrix Corporation | Fluorescent lamp and method of manufacturing same |
JP4345153B2 (ja) | 1999-09-27 | 2009-10-14 | ソニー株式会社 | 映像表示装置の製造方法 |
KR100595501B1 (ko) * | 1999-10-19 | 2006-07-03 | 엘지전자 주식회사 | 반도체 표시소자의 제조방법 |
US6639355B1 (en) * | 1999-12-20 | 2003-10-28 | Morgan Adhesives Company | Multidirectional electroluminescent lamp structures |
US6621212B1 (en) * | 1999-12-20 | 2003-09-16 | Morgan Adhesives Company | Electroluminescent lamp structure |
EP1173047A4 (en) * | 2000-02-07 | 2009-05-27 | Ifire Ip Corp | COMPOSITE SUBSTRATE, THIN-FILM ELECTROLUMINESCENT DEVICE COMPRISING THE SAME, AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME |
US6448950B1 (en) | 2000-02-16 | 2002-09-10 | Ifire Technology Inc. | Energy efficient resonant switching electroluminescent display driver |
US6509546B1 (en) * | 2000-03-15 | 2003-01-21 | International Business Machines Corporation | Laser excision of laminate chip carriers |
US6495709B1 (en) | 2000-03-16 | 2002-12-17 | Symetrix Corporation | Liquid precursors for aluminum oxide and method making same |
AT500481B8 (de) | 2000-05-04 | 2007-02-15 | Schoenberg Elumic Gmbh | Anzeigevorrichtung mit mindestens einer elektrolumineszierenden fläche |
KR100369118B1 (ko) * | 2000-05-13 | 2003-01-24 | 한국과학기술연구원 | 스크린 프린팅에 의한 고밀도 세라믹 후막 제조방법 |
US6995753B2 (en) | 2000-06-06 | 2006-02-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method of manufacturing the same |
JP2002072963A (ja) | 2000-06-12 | 2002-03-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光モジュールおよびその駆動方法並びに光センサ |
GB0016660D0 (en) * | 2000-07-06 | 2000-08-23 | Cambridge Display Tech Ltd | Method of producing an organic light-emitting device |
US6641696B1 (en) | 2000-07-11 | 2003-11-04 | David A. Edgerton | Method and apparatus for laminating ceramic tile |
JP3906653B2 (ja) * | 2000-07-18 | 2007-04-18 | ソニー株式会社 | 画像表示装置及びその製造方法 |
US6624383B1 (en) | 2000-08-30 | 2003-09-23 | Parker-Hannifin Corporation | Using laser etching to improve surface contact resistance of conductive fiber filler polymer composites |
US20020122895A1 (en) * | 2000-09-14 | 2002-09-05 | Cheong Dan Daeweon | Magnesium barium thioaluminate and related phosphor materials |
US6885138B1 (en) * | 2000-09-20 | 2005-04-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Ferroelectric emitter |
JP2002110344A (ja) * | 2000-09-29 | 2002-04-12 | Tdk Corp | 薄膜el素子及びその製造方法 |
US6455823B1 (en) | 2000-10-06 | 2002-09-24 | Illinois Tool Works Inc. | Electrical heater with thermistor |
US6577059B2 (en) * | 2000-11-17 | 2003-06-10 | Tdk Corporation | Thin-film EL device, and its fabrication process |
KR100716958B1 (ko) * | 2000-11-30 | 2007-05-10 | 삼성전자주식회사 | 마이크로미러 액추에이터 제조방법 |
JP2002170989A (ja) * | 2000-12-04 | 2002-06-14 | Sharp Corp | 窒化物系化合物半導体発光素子 |
TW525216B (en) | 2000-12-11 | 2003-03-21 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor device, and manufacturing method thereof |
US6677059B2 (en) * | 2000-12-12 | 2004-01-13 | Tdk Corporation | EL device and making method |
US6803122B2 (en) * | 2000-12-12 | 2004-10-12 | Tdk Corporation | EL device |
SG111923A1 (en) | 2000-12-21 | 2005-06-29 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device and method of manufacturing the same |
US6610352B2 (en) | 2000-12-22 | 2003-08-26 | Ifire Technology, Inc. | Multiple source deposition process |
US6589674B2 (en) | 2001-01-17 | 2003-07-08 | Ifire Technology Inc. | Insertion layer for thick film electroluminescent displays |
US6762124B2 (en) | 2001-02-14 | 2004-07-13 | Avery Dennison Corporation | Method for patterning a multilayered conductor/substrate structure |
AU2002250286A1 (en) * | 2001-03-12 | 2002-09-24 | University Of Cincinnati | Electroluminescent display device |
US6486682B1 (en) * | 2001-05-18 | 2002-11-26 | Advanced Micro Devices, Inc. | Determination of dielectric constants of thin dielectric materials in a MOS (metal oxide semiconductor) stack |
US6447654B1 (en) | 2001-05-29 | 2002-09-10 | Ifire Technology Inc. | Single source sputtering of thioaluminate phosphor films |
US6617782B2 (en) | 2001-05-30 | 2003-09-09 | Ifire Technology Inc. | Thioaluminate phosphor material with a gadolinium co-activator |
US6686062B2 (en) | 2001-06-13 | 2004-02-03 | Ifire Technology Inc. | Magnesium calcium thioaluminate phosphor |
US6670280B2 (en) * | 2001-06-15 | 2003-12-30 | University Of Southampton | Methods of microstructuring ferroelectric materials |
US6635306B2 (en) * | 2001-06-22 | 2003-10-21 | University Of Cincinnati | Light emissive display with a black or color dielectric layer |
US20030011108A1 (en) * | 2001-07-12 | 2003-01-16 | Matthies Dennis L. | Assembly display modules |
FR2827991A1 (fr) * | 2001-07-27 | 2003-01-31 | Thomson Licensing Sa | Panneau de visualisation d'images forme d'une matrice de cellules electroluminescentes a effet memoire |
JP2003168558A (ja) * | 2001-09-18 | 2003-06-13 | Seiko Precision Inc | El複合部材 |
KR100497213B1 (ko) * | 2001-10-29 | 2005-06-28 | 더 웨스타임 코퍼레이션 | 복합기판 및 이를 사용한 el패널과 그 제조방법 |
US6541296B1 (en) * | 2001-11-14 | 2003-04-01 | American Trim, Llc | Method of forming electroluminescent circuit |
WO2003055276A1 (en) * | 2001-12-20 | 2003-07-03 | Ifire Technology Inc | Stabilized electrodes in electroluminescent displays |
AU2002347164A1 (en) * | 2001-12-21 | 2003-07-15 | Ifire Technology Inc. | Method of laser ablation for patterning thin film layers for electroluminescent displays |
EP1459601B1 (en) * | 2001-12-21 | 2009-04-08 | iFire IP Corporation | Low firing temperature thick film dielectric layer for electroluminescent display |
US6819308B2 (en) | 2001-12-26 | 2004-11-16 | Ifire Technology, Inc. | Energy efficient grey scale driver for electroluminescent displays |
ITTO20020033A1 (it) | 2002-01-11 | 2003-07-11 | Fiat Ricerche | Dispositivo elettro-luminescente. |
KR20030069707A (ko) * | 2002-02-22 | 2003-08-27 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계발광 소자 및 그의 제조방법 |
AU2003212168A1 (en) * | 2002-03-27 | 2003-10-08 | Ifire Technology Inc. | Yttrium substituted barium thioaluminate phosphor materials |
US6838114B2 (en) | 2002-05-24 | 2005-01-04 | Micron Technology, Inc. | Methods for controlling gas pulsing in processes for depositing materials onto micro-device workpieces |
JP4443865B2 (ja) * | 2002-06-24 | 2010-03-31 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
US6955725B2 (en) | 2002-08-15 | 2005-10-18 | Micron Technology, Inc. | Reactors with isolated gas connectors and methods for depositing materials onto micro-device workpieces |
DE10238054B4 (de) | 2002-08-20 | 2007-08-09 | Fer Fahrzeugelektrik Gmbh | Elektrolumineszenz-Schild, insbesondere Kraftfahrzeug-Kennzeichenschild |
EP1552726A2 (en) * | 2002-10-18 | 2005-07-13 | iFire Technology Corp. | Color electroluminescent displays |
KR100844803B1 (ko) * | 2002-11-19 | 2008-07-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광소자 |
US7306283B2 (en) | 2002-11-21 | 2007-12-11 | W.E.T. Automotive Systems Ag | Heater for an automotive vehicle and method of forming same |
CA2508523A1 (en) * | 2002-12-16 | 2004-07-01 | Ifire Technology Corp. | Composite sputter target and phosphor deposition method |
JP2006511045A (ja) * | 2002-12-20 | 2006-03-30 | アイファイアー・テクノロジー・コープ | 厚膜誘電性エレクトロルミネッセンスディスプレイ用のバリア層 |
WO2004057925A1 (en) * | 2002-12-20 | 2004-07-08 | Ifire Technology Corp. | Aluminum nitride passivated phosphors for electroluminescent displays |
US20040227705A1 (en) * | 2003-02-13 | 2004-11-18 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | AC operating electroluminescence device |
KR100908234B1 (ko) * | 2003-02-13 | 2009-07-20 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 전계 발광 표시 장치 및 이의 제조방법 |
EP1641322A1 (en) * | 2003-06-13 | 2006-03-29 | Toyota Industries Corporation | El device, process for manufacturing the same, and liquid crystal display employing el device |
US7065820B2 (en) * | 2003-06-30 | 2006-06-27 | Nike, Inc. | Article and method for laser-etching stratified materials |
US7424783B2 (en) * | 2003-06-30 | 2008-09-16 | Nike, Inc. | Article of apparel incorporating a stratified material |
GB2404774B (en) * | 2003-08-07 | 2007-02-14 | Pelikon Ltd | Electroluminescent displays |
EP1654911A2 (en) * | 2003-08-07 | 2006-05-10 | Pelikon Limited | Electroluminescent displays |
JP2005085571A (ja) * | 2003-09-08 | 2005-03-31 | Fuji Photo Film Co Ltd | エレクトロルミネッセンス材料 |
JP4943152B2 (ja) * | 2003-10-03 | 2012-05-30 | アイファイアー・アイピー・コーポレーション | エレクトロルミネセント・ディスプレイをテストする装置 |
US7581511B2 (en) | 2003-10-10 | 2009-09-01 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and methods for manufacturing microfeatures on workpieces using plasma vapor processes |
JP4495952B2 (ja) * | 2003-11-25 | 2010-07-07 | 東北パイオニア株式会社 | 有機el表示装置及びその駆動方法 |
US7622149B2 (en) * | 2004-03-04 | 2009-11-24 | Ifire Ip Corporation | Reactive metal sources and deposition method for thioaluminate phosphors |
KR100581634B1 (ko) * | 2004-03-04 | 2006-05-22 | 한국과학기술연구원 | 고분자 나노 절연막을 함유한 고효율 고분자 전기발광 소자 |
US8057856B2 (en) * | 2004-03-15 | 2011-11-15 | Ifire Ip Corporation | Method for gettering oxygen and water during vacuum deposition of sulfide films |
CA2559971A1 (en) * | 2004-03-22 | 2005-09-22 | W.E.T. Automotive Systems Ag | Heater for an automotive vehicle and method of forming same |
US7741773B2 (en) * | 2004-04-09 | 2010-06-22 | Ifire Ip Corporation | Thick film dielectric structure for thick dielectric electroluminescent displays |
JP2005317251A (ja) * | 2004-04-27 | 2005-11-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光素子及び表示装置 |
US8133554B2 (en) | 2004-05-06 | 2012-03-13 | Micron Technology, Inc. | Methods for depositing material onto microfeature workpieces in reaction chambers and systems for depositing materials onto microfeature workpieces |
US7122489B2 (en) * | 2004-05-12 | 2006-10-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Manufacturing method of composite sheet material using ultrafast laser pulses |
US7625501B2 (en) * | 2004-05-18 | 2009-12-01 | Ifire Ip Corporation | Color-converting photoluminescent film |
US7699932B2 (en) | 2004-06-02 | 2010-04-20 | Micron Technology, Inc. | Reactors, systems and methods for depositing thin films onto microfeature workpieces |
TWI257564B (en) * | 2004-06-11 | 2006-07-01 | Youeal Electronics Co Ltd | Metallic keypad and method for making the same |
US20060011617A1 (en) * | 2004-07-13 | 2006-01-19 | Ricardo Covarrubias | Automated laser cutting of optical lenses |
US7812522B2 (en) * | 2004-07-22 | 2010-10-12 | Ifire Ip Corporation | Aluminum oxide and aluminum oxynitride layers for use with phosphors for electroluminescent displays |
WO2006045195A1 (en) * | 2004-10-29 | 2006-05-04 | Ifire Technology Corp. | Novel thiosilicate phosphor compositions and deposition methods using barium-silicon vacuum deposition sources for deposition of thiosilicate phosphor films |
GB0426682D0 (en) * | 2004-12-06 | 2005-01-05 | Plastic Logic Ltd | Top pixel patterning |
US20060138944A1 (en) * | 2004-12-27 | 2006-06-29 | Quantum Paper | Addressable and printable emissive display |
EP1836879A2 (en) * | 2004-12-27 | 2007-09-26 | Quantum Paper, Inc. | Addressable and printable emissive display |
US20060138948A1 (en) * | 2004-12-27 | 2006-06-29 | Quantum Paper, Inc. | Addressable and printable emissive display |
US7025607B1 (en) * | 2005-01-10 | 2006-04-11 | Endicott Interconnect Technologies, Inc. | Capacitor material with metal component for use in circuitized substrates, circuitized substrate utilizing same, method of making said circuitized substrate, and information handling system utilizing said circuitized substrate |
CN101124618B (zh) * | 2005-01-24 | 2010-06-16 | 伊菲雷知识产权公司 | 用于电致发光显示器的能量有效列驱动器 |
US7323699B2 (en) * | 2005-02-02 | 2008-01-29 | Rave, Llc | Apparatus and method for modifying an object |
KR100696693B1 (ko) * | 2005-04-13 | 2007-03-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR100696691B1 (ko) | 2005-04-13 | 2007-03-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
JP5355076B2 (ja) * | 2005-04-15 | 2013-11-27 | アイファイアー・アイピー・コーポレーション | 誘電厚膜エレクトロルミネッセンスディスプレイ用の酸化マグネシウム含有障壁層 |
JP4849829B2 (ja) * | 2005-05-15 | 2012-01-11 | 株式会社ソニー・コンピュータエンタテインメント | センタ装置 |
KR20080063794A (ko) * | 2005-09-28 | 2008-07-07 | 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 유기 다이오드 디바이스 및 그 형성 방법 |
US8193705B2 (en) * | 2005-11-02 | 2012-06-05 | Ifire Ip Corporation | Laminated conformal seal for electroluminescent displays |
WO2007059623A1 (en) * | 2005-11-23 | 2007-05-31 | Ifire Technology Corp. | Colour conversion and optical enhancement layers for electroluminescent displays |
US7582000B2 (en) * | 2006-01-07 | 2009-09-01 | Electro-Luminx Lighting Corporation | Method of making an electroluminescent light |
US20070272666A1 (en) * | 2006-05-25 | 2007-11-29 | O'brien James N | Infrared laser wafer scribing using short pulses |
WO2007145390A1 (en) * | 2006-06-12 | 2007-12-21 | Doo-Ill Kim | Method of manufacturing polymer light-emitting sheet |
US20080074046A1 (en) * | 2006-09-26 | 2008-03-27 | Nanolumens Acquisition, Inc. | Electroluminescent Display Apparatus and Methods |
CN101536235B (zh) * | 2006-10-31 | 2012-10-03 | 康宁股份有限公司 | 微切削加工的电解质片材,使用该电解质片材的燃料电池器件,以及用于制造燃料电池器件的微切削加工法 |
US9431598B2 (en) * | 2006-11-06 | 2016-08-30 | Drexel University | Sol-gel precursors and methods for making lead-based perovskite films |
US8420978B2 (en) * | 2007-01-18 | 2013-04-16 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | High throughput, low cost dual-mode patterning method for large area substrates |
CA2676269A1 (en) | 2007-01-29 | 2008-10-09 | Drexel University | Energy harvesting device |
WO2008102559A1 (ja) | 2007-02-23 | 2008-08-28 | Panasonic Corporation | 表示装置 |
US8330177B2 (en) * | 2007-02-27 | 2012-12-11 | Panasonic Corporation | Display device |
WO2008111967A2 (en) * | 2007-03-08 | 2008-09-18 | Nanolumens Acquisition, Inc. | Electroluminescent nixels and elements with single-sided electrical contacts |
US8003300B2 (en) * | 2007-04-12 | 2011-08-23 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Methods for fabricating complex micro and nanoscale structures and electronic devices and components made by the same |
JP2010525530A (ja) * | 2007-04-30 | 2010-07-22 | アイファイアー・アイピー・コーポレーション | 厚膜誘電性エレクトロルミネセントディスプレイ用の積層厚膜誘電体構造 |
US8384630B2 (en) | 2007-05-31 | 2013-02-26 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Light emitting, photovoltaic or other electronic apparatus and system |
US9018833B2 (en) | 2007-05-31 | 2015-04-28 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Apparatus with light emitting or absorbing diodes |
US9419179B2 (en) | 2007-05-31 | 2016-08-16 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Diode for a printable composition |
US8674593B2 (en) | 2007-05-31 | 2014-03-18 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Diode for a printable composition |
US8877101B2 (en) | 2007-05-31 | 2014-11-04 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Method of manufacturing a light emitting, power generating or other electronic apparatus |
US8846457B2 (en) | 2007-05-31 | 2014-09-30 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Printable composition of a liquid or gel suspension of diodes |
US8809126B2 (en) | 2007-05-31 | 2014-08-19 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Printable composition of a liquid or gel suspension of diodes |
US9425357B2 (en) | 2007-05-31 | 2016-08-23 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc. | Diode for a printable composition |
US9534772B2 (en) | 2007-05-31 | 2017-01-03 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Apparatus with light emitting diodes |
US8415879B2 (en) | 2007-05-31 | 2013-04-09 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Diode for a printable composition |
US8852467B2 (en) | 2007-05-31 | 2014-10-07 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Method of manufacturing a printable composition of a liquid or gel suspension of diodes |
US8889216B2 (en) * | 2007-05-31 | 2014-11-18 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Method of manufacturing addressable and static electronic displays |
US9343593B2 (en) | 2007-05-31 | 2016-05-17 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Printable composition of a liquid or gel suspension of diodes |
US20090006198A1 (en) * | 2007-06-29 | 2009-01-01 | David George Walsh | Product displays for retail stores |
US8652763B2 (en) * | 2007-07-16 | 2014-02-18 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Method for fabricating dual damascene profiles using sub pixel-voting lithography and devices made by same |
GB0713811D0 (en) * | 2007-07-17 | 2007-08-29 | Rolls Royce Plc | Laser drilling components |
US20090081512A1 (en) * | 2007-09-25 | 2009-03-26 | William Cortez Blanchard | Micromachined electrolyte sheet, fuel cell devices utilizing such, and micromachining method for making fuel cell devices |
US8498464B2 (en) * | 2007-09-27 | 2013-07-30 | Siemens Medical Solutions Usa, Inc. | Intrinsic co-registration for modular multimodality medical imaging systems |
US7775122B1 (en) * | 2007-10-17 | 2010-08-17 | Lsp Technologies, Inc. | Tape overlay for laser bond inspection |
US8546067B2 (en) * | 2008-03-21 | 2013-10-01 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Material assisted laser ablation |
US8127477B2 (en) | 2008-05-13 | 2012-03-06 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Illuminating display systems |
US7992332B2 (en) * | 2008-05-13 | 2011-08-09 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc. | Apparatuses for providing power for illumination of a display object |
US8168265B2 (en) * | 2008-06-06 | 2012-05-01 | Applied Materials, Inc. | Method for manufacturing electrochromic devices |
US8456082B2 (en) | 2008-12-01 | 2013-06-04 | Ifire Ip Corporation | Surface-emission light source with uniform illumination |
US8187795B2 (en) * | 2008-12-09 | 2012-05-29 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Patterning methods for stretchable structures |
CN101848610A (zh) * | 2009-03-27 | 2010-09-29 | 深圳富泰宏精密工业有限公司 | 壳体及其制作方法 |
JP5665773B2 (ja) | 2009-04-15 | 2015-02-04 | ドルビー ラボラトリーズ ライセンシング コーポレイション | 空間的に可変なバックライトをもつ薄型ディスプレイ |
GB2472613B (en) | 2009-08-11 | 2015-06-03 | M Solv Ltd | Capacitive touch panels |
JP5021701B2 (ja) | 2009-08-19 | 2012-09-12 | リンテック株式会社 | 発光シート |
JP5478147B2 (ja) | 2009-08-19 | 2014-04-23 | リンテック株式会社 | 発光シート及びその製造方法 |
WO2011066367A1 (en) * | 2009-11-30 | 2011-06-03 | Esi-Pyrophotonics Lasers, Inc. | Method and apparatus for scribing a line in a thin film using a series of laser pulses |
WO2011149680A1 (en) | 2010-05-27 | 2011-12-01 | W.E.T. Automotive Systems, Ltd. | Heater for an automotive vehicle and method of forming same |
US8211731B2 (en) | 2010-06-07 | 2012-07-03 | Sunpower Corporation | Ablation of film stacks in solar cell fabrication processes |
US8263899B2 (en) | 2010-07-01 | 2012-09-11 | Sunpower Corporation | High throughput solar cell ablation system |
US9191997B2 (en) | 2010-10-19 | 2015-11-17 | Gentherm Gmbh | Electrical conductor |
KR101811341B1 (ko) * | 2010-12-09 | 2017-12-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
US8586403B2 (en) | 2011-02-15 | 2013-11-19 | Sunpower Corporation | Process and structures for fabrication of solar cells with laser ablation steps to form contact holes |
DE102012000977A1 (de) | 2011-04-06 | 2012-10-11 | W.E.T. Automotive Systems Ag | Heizeinrichtung für komplex geformte Oberflächen |
US8692111B2 (en) | 2011-08-23 | 2014-04-08 | Sunpower Corporation | High throughput laser ablation processes and structures for forming contact holes in solar cells |
DE102011121979A1 (de) | 2011-09-14 | 2012-11-22 | W.E.T. Automotive Systems Ag | Temperier-Einrichtung |
US8822262B2 (en) | 2011-12-22 | 2014-09-02 | Sunpower Corporation | Fabricating solar cells with silicon nanoparticles |
US10201039B2 (en) | 2012-01-20 | 2019-02-05 | Gentherm Gmbh | Felt heater and method of making |
US8513045B1 (en) | 2012-01-31 | 2013-08-20 | Sunpower Corporation | Laser system with multiple laser pulses for fabrication of solar cells |
DE202013003491U1 (de) | 2012-06-18 | 2013-09-20 | W.E.T. Automotive Systems Ag | Flächengebilde mit elektrischer Funktion |
US20140009429A1 (en) * | 2012-07-03 | 2014-01-09 | Chimei Innolux Corporation | Method of producing capacitive coplanar touch panel devices with laser ablation |
DE102012017047A1 (de) | 2012-08-29 | 2014-03-06 | W.E.T. Automotive Systems Ag | Elektrische Heizeinrichtung |
DE102012024903A1 (de) | 2012-12-20 | 2014-06-26 | W.E.T. Automotive Systems Ag | Flächengebilde mit elektrischen Funktionselementen |
GB2509985A (en) | 2013-01-22 | 2014-07-23 | M Solv Ltd | Method of forming patterns on coatings on opposite sides of a transparent substrate |
KR101774798B1 (ko) | 2013-05-02 | 2017-09-05 | 젠썸 캐나다 유엘씨 | 액체 저항성 발열 요소 |
US20150053459A1 (en) | 2013-08-20 | 2015-02-26 | Carestream Health, Inc. | Patterning of electrically conductive films |
US20150107878A1 (en) | 2013-10-21 | 2015-04-23 | Carestream Health, Inc. | Invisible patterns for transparent electrically conductive films |
US10312731B2 (en) | 2014-04-24 | 2019-06-04 | Westrock Shared Services, Llc | Powered shelf system for inductively powering electrical components of consumer product packages |
US9312251B2 (en) * | 2014-06-19 | 2016-04-12 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Display panel and manufacturing method thereof |
JP6507729B2 (ja) * | 2015-03-10 | 2019-05-08 | 日本電気硝子株式会社 | 透明導電膜付ガラス基板及びその製造方法 |
CN105163412B (zh) * | 2015-06-19 | 2018-06-15 | 北京大学深圳研究生院 | 一种平面电致发光器件及其应用 |
RU2605088C1 (ru) * | 2015-07-10 | 2016-12-20 | Акционерное общество "ТВЭЛ" (АО "ТВЭЛ") | Устройство для электропитания синхронного гистерезисного двигателя |
DE112017005518T5 (de) | 2016-11-01 | 2019-08-22 | Gentherm Incorporated | Flexible heizung und verfahren zur integration |
WO2018106784A2 (en) | 2016-12-07 | 2018-06-14 | Djg Holdings, Llc | Preparation of large area signage stack |
JP7090608B2 (ja) * | 2016-12-27 | 2022-06-24 | エルジー・ケム・リミテッド | 液晶変色素子の配線部の形成方法および液晶変色素子 |
US10448481B2 (en) * | 2017-08-15 | 2019-10-15 | Davorin Babic | Electrically conductive infrared emitter and back reflector in a solid state source apparatus and method of use thereof |
WO2023200778A1 (en) * | 2022-04-12 | 2023-10-19 | The Regents Of The University Of Colorado, A Body Corporate | Systems, methods, storage medium for inkjet‑printed gel‑electronic |
Family Cites Families (92)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2497912A (en) * | 1945-08-13 | 1950-02-21 | Owens Corning Fiberglass Corp | Acoustic wall treatment with replaceable facing |
US3475640A (en) * | 1965-08-19 | 1969-10-28 | Avco Corp | Electroluminescent device utilizing interconnected electrically conductive particles within a dielectric medium |
DE1290974B (de) * | 1966-12-14 | 1969-03-20 | Telefunken Patent | Steuerschaltung fuer ein Elektrolumineszenz-Anzeigeelement |
CA854886A (en) * | 1967-01-13 | 1970-10-27 | West Colin | Electroluminescent device and their manufacture |
DE1729320B1 (de) * | 1967-04-22 | 1971-07-01 | Mannesmann Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung poroeser duennwandiger Rohre aus Teilchen von Polyaethylen durch Sintern |
US3573530A (en) * | 1967-05-19 | 1971-04-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Electroluminescent panel display device |
US3543083A (en) * | 1967-09-15 | 1970-11-24 | Bendix Corp | Method and means for providing a display of moving bands of light |
US3543086A (en) * | 1968-04-19 | 1970-11-24 | Gen Telephone & Elect | Impedance controlling circuit for a load element |
US3641390A (en) * | 1968-07-09 | 1972-02-08 | Ise Electronics Corp | Solid-state letter display device |
US3828215A (en) * | 1972-06-30 | 1974-08-06 | Ibm | Integrated packaging arrangement for gas panel display device |
GB1431889A (en) * | 1972-09-14 | 1976-04-14 | Secr Defence | Fabrication of electrooptic display panels |
US3889151A (en) * | 1973-08-02 | 1975-06-10 | Rca Corp | Energizing technique for electroluminescent devices |
JPS5258494A (en) * | 1975-11-10 | 1977-05-13 | Nec Home Electronics Ltd | Production of enameled type el |
US4280107A (en) * | 1979-08-08 | 1981-07-21 | Xerox Corporation | Apertured and unapertured reflector structures for electroluminescent devices |
US4292092A (en) * | 1980-06-02 | 1981-09-29 | Rca Corporation | Laser processing technique for fabricating series-connected and tandem junction series-connected solar cells into a solar battery |
US4468659A (en) * | 1980-08-25 | 1984-08-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Electroluminescent display panel assembly |
FI61983C (fi) * | 1981-02-23 | 1982-10-11 | Lohja Ab Oy | Tunnfilm-elektroluminensstruktur |
FI62448C (fi) * | 1981-04-22 | 1982-12-10 | Lohja Ab Oy | Elektroluminensstruktur |
DE3131463C2 (de) * | 1981-08-08 | 1986-02-06 | Fischer, Karl, 7519 Oberderdingen | Elektrische Kochplatte mit einem metallischen Kochplattenkörper |
JPS5871589A (ja) * | 1981-10-22 | 1983-04-28 | シャープ株式会社 | 薄膜el素子 |
US4482841A (en) * | 1982-03-02 | 1984-11-13 | Texas Instruments Incorporated | Composite dielectrics for low voltage electroluminescent displays |
WO1983004339A1 (en) * | 1982-05-28 | 1983-12-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Thin film electric field light-emitting device |
US4508990A (en) * | 1982-09-17 | 1985-04-02 | Sigmatron Associates | Thin-film EL panel mounting unit |
DE3300589A1 (de) * | 1983-01-11 | 1984-07-12 | Schott Glaswerke, 6500 Mainz | Verfahren zur herstellung von indiumoxid-zinnoxid-schichten |
DE3324647A1 (de) * | 1983-07-08 | 1985-01-17 | Schott Glaswerke, 6500 Mainz | Tauchverfahren zur herstellung transparenter, elektrisch leitfaehiger, dotierter indiumoxidschichten |
US4568409A (en) * | 1983-11-17 | 1986-02-04 | Chronar Corp. | Precision marking of layers |
JPS60124396A (ja) * | 1983-12-09 | 1985-07-03 | 松下電器産業株式会社 | 薄膜発光素子 |
JPS60133792A (ja) * | 1983-12-21 | 1985-07-16 | 松下電器産業株式会社 | スル−ホ−ル印刷装置 |
US4617195A (en) * | 1984-03-26 | 1986-10-14 | Microlite, Inc. | Shielded electroluminescent lamp |
DE3511886A1 (de) * | 1984-04-02 | 1985-10-03 | Sharp K.K., Osaka | Treiberschaltung zum ansteuern eines duennfilm-el-displays |
JPS60216333A (ja) * | 1984-04-12 | 1985-10-29 | Asahi Glass Co Ltd | エレクトロクロミツク表示素子 |
US4593228A (en) * | 1984-05-15 | 1986-06-03 | Albrechtson Loren R | Laminated electroluminescent lamp structure and method of manufacturing |
JPS60247693A (ja) * | 1984-05-23 | 1985-12-07 | シャープ株式会社 | 薄膜el表示装置の駆動方法 |
JPS60247694A (ja) * | 1984-05-23 | 1985-12-07 | シャープ株式会社 | 薄膜el表示装置の駆動回路 |
US4713518A (en) * | 1984-06-08 | 1987-12-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device manufacturing methods |
US4665342A (en) * | 1984-07-02 | 1987-05-12 | Cordis Corporation | Screen printable polymer electroluminescent display with isolation |
US4614668A (en) * | 1984-07-02 | 1986-09-30 | Cordis Corporation | Method of making an electroluminescent display device with islands of light emitting elements |
JPS6183596A (ja) * | 1984-09-28 | 1986-04-28 | シャープ株式会社 | 薄膜el表示装置の駆動方法 |
CN1004245B (zh) * | 1984-10-29 | 1989-05-17 | 株式会社半导体能源研究所 | 电子器件的制造方法 |
FR2574616B1 (fr) * | 1984-12-07 | 1987-01-23 | Radiotechnique Compelec | Matrice d'element electro-luminescents et son procede de fabrication |
JPS61168895A (ja) * | 1985-01-22 | 1986-07-30 | 松下電器産業株式会社 | El表示素子の製造法 |
US4721631A (en) * | 1985-02-14 | 1988-01-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing thin-film electroluminescent display panel |
JPS61202454A (ja) * | 1985-03-05 | 1986-09-08 | Mitsubishi Electric Corp | アルミニウム配線の被切断回路の構造と切断方法 |
US4783421A (en) * | 1985-04-15 | 1988-11-08 | Solarex Corporation | Method for manufacturing electrical contacts for a thin-film semiconductor device |
US4757235A (en) * | 1985-04-30 | 1988-07-12 | Nec Corporation | Electroluminescent device with monolithic substrate |
US4667058A (en) * | 1985-07-01 | 1987-05-19 | Solarex Corporation | Method of fabricating electrically isolated photovoltaic modules arrayed on a substrate and product obtained thereby |
US4849674A (en) * | 1987-03-12 | 1989-07-18 | The Cherry Corporation | Electroluminescent display with interlayer for improved forming |
GB2177838B (en) * | 1985-07-12 | 1989-08-16 | Cherry Electrical Prod | Electroluminescent display with enhanced contrast |
US4915982A (en) * | 1985-10-10 | 1990-04-10 | Quantex Corporation | Method of making thin film photoluminescent articles |
JPH0744069B2 (ja) * | 1985-12-18 | 1995-05-15 | キヤノン株式会社 | 電場発光素子の製造方法 |
JPH0679513B2 (ja) * | 1985-12-25 | 1994-10-05 | 株式会社日本自動車部品総合研究所 | 薄膜エレクトロルミネセンス素子の製造方法 |
US4880475A (en) * | 1985-12-27 | 1989-11-14 | Quantex Corporation | Method for making stable optically transmissive conductors, including electrodes for electroluminescent devices |
US4693906A (en) * | 1985-12-27 | 1987-09-15 | Quantex Corporation | Dielectric for electroluminescent devices, and methods for making |
US4794302A (en) * | 1986-01-08 | 1988-12-27 | Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho | Thin film el device and method of manufacturing the same |
US4710395A (en) * | 1986-05-14 | 1987-12-01 | Delco Electronics Corporation | Method and apparatus for through hole substrate printing |
US4749840A (en) * | 1986-05-16 | 1988-06-07 | Image Micro Systems, Inc. | Intense laser irradiation using reflective optics |
JPH0820638B2 (ja) * | 1986-08-08 | 1996-03-04 | 株式会社半導体エネルギ−研究所 | 液晶装置およびその作製方法 |
US4786358A (en) * | 1986-08-08 | 1988-11-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for forming a pattern of a film on a substrate with a laser beam |
JPS6353892A (ja) * | 1986-08-22 | 1988-03-08 | クラリオン株式会社 | 電場発光素子 |
US4857802A (en) * | 1986-09-25 | 1989-08-15 | Hitachi, Ltd. | Thin film EL element and process for producing the same |
JPS6384789A (ja) * | 1986-09-26 | 1988-04-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光加工方法 |
US4705698A (en) * | 1986-10-27 | 1987-11-10 | Chronar Corporation | Isolation of semiconductor contacts |
FR2608817B1 (fr) * | 1986-12-22 | 1989-04-21 | Thioulouse Pascal | Afficheur electroluminescent a memoire a tensions d'entretien multiples dephasees |
JPS63182892A (ja) * | 1987-01-24 | 1988-07-28 | 株式会社ケンウッド | 厚膜ハイブリツドicのスル−ホ−ル形成方法 |
JPH0793196B2 (ja) * | 1987-03-25 | 1995-10-09 | 株式会社日立製作所 | El素子およびその製造法 |
JPH04504923A (ja) * | 1987-05-20 | 1992-08-27 | プレイナー システムス インコーポレーテッド | 多色tfelパネルの形成方法 |
US4839563A (en) * | 1987-05-28 | 1989-06-13 | Gte Products Corporation | Pulse burst panel drive for electroluminescent displays |
US4877481A (en) * | 1987-05-28 | 1989-10-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Patterning method by laser scribing |
US4943710A (en) * | 1987-06-25 | 1990-07-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Image sensor and manufacturing method for the same |
US4854974A (en) * | 1987-06-29 | 1989-08-08 | Solarex Corporation | Electrical contacts for a thin-film semiconductor device |
EP0308851A3 (en) * | 1987-09-24 | 1990-03-21 | Air Products And Chemicals, Inc. | A process for the manufacture of copper thick-film conductors using an infrared furnace |
US4937129A (en) * | 1988-01-06 | 1990-06-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film pattern structure formed on a glass substrate |
US5200277A (en) * | 1988-02-29 | 1993-04-06 | Hitachi, Ltd. | Electroluminescent device |
JPH01236687A (ja) * | 1988-03-17 | 1989-09-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スルホール印刷基板の製造方法 |
JPH01245993A (ja) * | 1988-03-27 | 1989-10-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 薄膜加工装置 |
JPH01272095A (ja) * | 1988-04-21 | 1989-10-31 | Uchiji Minami | エレクトロルミネッセンス素子及びその製造法 |
US4927490A (en) * | 1988-05-23 | 1990-05-22 | Hamilton Standard Controls, Inc. | Method of manufacturing an electroluminescent display |
JPH077713B2 (ja) * | 1988-05-27 | 1995-01-30 | セントラル硝子株式会社 | 薄膜el素子 |
US4897319A (en) * | 1988-07-19 | 1990-01-30 | Planar Systems, Inc. | TFEL device having multiple layer insulators |
JPH0233890A (ja) * | 1988-07-22 | 1990-02-05 | Hitachi Ltd | 薄膜el素子の製造方法 |
JPH0238890A (ja) * | 1988-07-27 | 1990-02-08 | Toshiba Glass Co Ltd | 線量計用ガラス素子保持器 |
JPH0244691A (ja) * | 1988-08-04 | 1990-02-14 | Mitsubishi Mining & Cement Co Ltd | エレクトロルミネセンス発光素子の製造方法 |
US4885448A (en) * | 1988-10-06 | 1989-12-05 | Westinghouse Electric Corp. | Process for defining an array of pixels in a thin film electroluminescent edge emitter structure |
US4996523A (en) * | 1988-10-20 | 1991-02-26 | Eastman Kodak Company | Electroluminescent storage display with improved intensity driver circuits |
NO894656L (no) * | 1989-02-07 | 1990-08-08 | Autodisplay As | Fremgangsmaate for fremstilling av et elektrodemoenster paa et substrat. |
US4909895A (en) * | 1989-04-11 | 1990-03-20 | Pacific Bell | System and method for providing a conductive circuit pattern utilizing thermal oxidation |
US5198269A (en) * | 1989-04-24 | 1993-03-30 | Battelle Memorial Institute | Process for making sol-gel deposited ferroelectric thin films insensitive to their substrates |
JPH03105894A (ja) * | 1989-09-20 | 1991-05-02 | Hitachi Ltd | 薄膜el素子 |
US4970365A (en) * | 1989-09-28 | 1990-11-13 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for bonding components leads to pads located on a non-rigid substrate |
US5131877A (en) * | 1989-10-12 | 1992-07-21 | Alps Electric Co., Ltd. | Electroluminescent device |
US5057664A (en) * | 1989-10-20 | 1991-10-15 | Electro Scientific Industries, Inc. | Method and apparatus for laser processing a target material to provide a uniformly smooth, continuous trim profile |
US5109149A (en) * | 1990-03-15 | 1992-04-28 | Albert Leung | Laser, direct-write integrated circuit production system |
-
1993
- 1993-04-30 US US08/052,702 patent/US5432015A/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-05-06 DE DE69313632T patent/DE69313632T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1993-05-06 ES ES93909709T patent/ES2109490T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1993-05-06 EP EP93909709A patent/EP0639319B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-05-06 EP EP96203180A patent/EP0758836B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-05-06 CA CA002118111A patent/CA2118111C/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-05-06 EP EP01202627A patent/EP1182909B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-05-06 WO PCT/CA1993/000195 patent/WO1993023972A1/en active IP Right Grant
- 1993-05-06 AU AU40552/93A patent/AU4055293A/en not_active Abandoned
- 1993-05-06 DE DE69332174T patent/DE69332174T2/de not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-11-08 FI FI945257A patent/FI111322B/fi active
-
1995
- 1995-04-28 US US08/430,729 patent/US5756147A/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-05-23 US US08/447,458 patent/US5679472A/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-05-23 US US08/449,507 patent/US5702565A/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-05-23 US US08/447,404 patent/US5634835A/en not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-02-27 HK HK98101573A patent/HK1002845A1/xx not_active IP Right Cessation
-
2002
- 2002-08-26 HK HK02106277.9A patent/HK1046807A1/zh unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5702565A (en) | 1997-12-30 |
CA2118111A1 (en) | 1993-11-25 |
US5634835A (en) | 1997-06-03 |
US5756147A (en) | 1998-05-26 |
CA2118111C (en) | 1999-06-15 |
WO1993023972A1 (en) | 1993-11-25 |
EP1182909A3 (en) | 2003-09-03 |
HK1002845A1 (en) | 1998-09-18 |
EP0639319B1 (en) | 1997-09-03 |
DE69313632D1 (de) | 1997-10-09 |
AU4055293A (en) | 1993-12-13 |
DE69332174D1 (de) | 2002-09-05 |
US5432015A (en) | 1995-07-11 |
EP0639319A1 (en) | 1995-02-22 |
EP1182909A2 (en) | 2002-02-27 |
DE69332174T2 (de) | 2003-03-13 |
EP1182909B1 (en) | 2008-07-23 |
EP0758836B1 (en) | 2002-07-31 |
US5679472A (en) | 1997-10-21 |
EP0758836A3 (en) | 1997-02-26 |
FI945257A0 (fi) | 1994-11-08 |
DE69313632T2 (de) | 1998-03-26 |
EP0758836A2 (en) | 1997-02-19 |
FI945257A (fi) | 1994-11-08 |
ES2109490T3 (es) | 1998-01-16 |
HK1046807A1 (zh) | 2003-01-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
FI111322B (fi) | Elektroluminenssilaminaatti, johon kuuluu dielektrinen paksukalvo | |
JP3663600B2 (ja) | Elラミネート誘電層構造体および該誘電層構造体生成方法ならびにレーザパターン描画方法およびディスプレイパネル | |
DE60027426T2 (de) | Elektrolumineszenter verbundstoff mit phosphormusterstruktur und dickfilmdielektrikum mit verbesserten dielektrischen eigenschaften | |
US20030193289A1 (en) | Thin-film EL device and composite substrate | |
US6672922B2 (en) | Composite substrate preparing method, composite substrate, and EL device | |
KR100267208B1 (ko) | 후막 이엘시트 및 그 제조방법 | |
CA2214066C (en) | Electroluminescent display panel with thick film dielectric formed on rigid rear substrate | |
CA2492892C (en) | Process of forming electroluminescent display panel with through hole connectors | |
KR0180070B1 (ko) | 습기에 강한 형광체의 제조방법과, 이를 이용한 유기분산형 전계발광소자 및 그 제조방법 | |
EP1471774A2 (en) | Electroluminescent laminate with patterned phosphor structure and thick film dielectric with improved dielectric properties | |
KR20050008026A (ko) | 가압공정을 통한 고효율 후막 무기 이엘 제조 방법 | |
WO1998047183A1 (de) | Verfahren zum strukturieren von transparenten, leitfähigen schichten | |
KR900006800B1 (ko) | 직류 구동형 el 평면소자 | |
JP2009163886A (ja) | 蛍光体、無機el表示素子、及び、それらの製造方法 | |
JP2004006288A (ja) | 薄膜el素子および複合基板 | |
JPS63108698A (ja) | 薄膜電子ルミネセンス表示素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PC | Transfer of assignment of patent |
Owner name: IFIRE TECHNOLOGY CORP. Free format text: IFIRE TECHNOLOGY CORP. |
|
PC | Transfer of assignment of patent |
Owner name: IFIRE IP CORPORATION Free format text: IFIRE IP CORPORATION |