JPS61168895A - Ｅｌ表示素子の製造法 - Google Patents
Ｅｌ表示素子の製造法Info
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- JPS61168895A JPS61168895A JP60010160A JP1016085A JPS61168895A JP S61168895 A JPS61168895 A JP S61168895A JP 60010160 A JP60010160 A JP 60010160A JP 1016085 A JP1016085 A JP 1016085A JP S61168895 A JPS61168895 A JP S61168895A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明はＥＬ表示素子の製造法に関し、とシわけ、メ
タルマスクやフォトリングラフィ技術を用いずに、螢光
体薄膜を所望のパターンに形成する方法に関する。
タルマスクやフォトリングラフィ技術を用いずに、螢光
体薄膜を所望のパターンに形成する方法に関する。
従来の技術
ＯＡ機器などに用いる表示装置として、ＥＬ表示素子が
盛んに研究されている。現在実用化されているＥＬ表示
素子は螢光体薄膜として、黄橙色発光のＺｎＳ：Ｍｎ薄
膜のみを用いたモノカラー表示である。多くの情報を見
やすく表示するためには老色表示が必要であるため、多
色表示可能なＥＬ表示素子の研究も活発に行われている
。多色表示可能なＥＬ表示素子は、従来フォトリングラ
フィ技術を用いて、螢光体薄膜の形成、螢光体薄膜上へ
のフォトレジストハターンの形成および螢光体薄膜の不
要部のエツチングによる除去を繰シ返すこ、とによシ発
光色の異なる螢光体薄膜を所望のパターンに形成したり
、特開昭５９−１２３１９３に記載のように、発光母体
薄膜に、複数種の発光中心となる金属イオンを、フォト
レジストヲマスクとして各領域を規定しながら注入して
所定パターンの発光中心を含む螢光体薄膜を形成してい
た。
盛んに研究されている。現在実用化されているＥＬ表示
素子は螢光体薄膜として、黄橙色発光のＺｎＳ：Ｍｎ薄
膜のみを用いたモノカラー表示である。多くの情報を見
やすく表示するためには老色表示が必要であるため、多
色表示可能なＥＬ表示素子の研究も活発に行われている
。多色表示可能なＥＬ表示素子は、従来フォトリングラ
フィ技術を用いて、螢光体薄膜の形成、螢光体薄膜上へ
のフォトレジストハターンの形成および螢光体薄膜の不
要部のエツチングによる除去を繰シ返すこ、とによシ発
光色の異なる螢光体薄膜を所望のパターンに形成したり
、特開昭５９−１２３１９３に記載のように、発光母体
薄膜に、複数種の発光中心となる金属イオンを、フォト
レジストヲマスクとして各領域を規定しながら注入して
所定パターンの発光中心を含む螢光体薄膜を形成してい
た。
発明が解決しようとする問題点
従来のフォトリングラフィ技術を用いて同一基板上に所
望のパターンの複数種の螢光体薄膜を形成した場合、エ
ツチングやイオン注入時のマスクとして用いるフォトレ
ジストに生じた微小欠陥によシ、除去すべきでない部分
の螢光体薄膜がエツチングされたシ、注入すべきでない
イオンが注入されるという問題点、フォトレジストによ
る螢光体薄膜の汚染、あるいは製造工程が複雑になると
いう問題点があった。このようなフォトリングラフィ技
術を用いることなく、同一基板上に所望のパターンの螢
光体薄膜を半成することが本発明の目的である。
望のパターンの複数種の螢光体薄膜を形成した場合、エ
ツチングやイオン注入時のマスクとして用いるフォトレ
ジストに生じた微小欠陥によシ、除去すべきでない部分
の螢光体薄膜がエツチングされたシ、注入すべきでない
イオンが注入されるという問題点、フォトレジストによ
る螢光体薄膜の汚染、あるいは製造工程が複雑になると
いう問題点があった。このようなフォトリングラフィ技
術を用いることなく、同一基板上に所望のパターンの螢
光体薄膜を半成することが本発明の目的である。
問題点を解決するための手段
複数の透明電極を配設した透明基板上に、真空蒸着法、
スパッタリング法９分子線エピタキシー法、気相成長法
などで螢光体薄膜を形成する際、前記複数の透明電極を
通電加熱制御することにより、基板表面に所望の温度分
布パターンを形成し、基板温度による前記螢光体の成膜
速度の差違を利用して所望のパターンの螢光体薄膜を基
板上に形成する。
スパッタリング法９分子線エピタキシー法、気相成長法
などで螢光体薄膜を形成する際、前記複数の透明電極を
通電加熱制御することにより、基板表面に所望の温度分
布パターンを形成し、基板温度による前記螢光体の成膜
速度の差違を利用して所望のパターンの螢光体薄膜を基
板上に形成する。
作 用
基板上に薄膜を形成する場合、基板表面の温度により成
膜速度が大きく異なる。たとえば真空蒸着法、スパッタ
リング法、あるいは分子線エピタキシー法などでは基板
表面温度が高くなる程成膜速度は減少し、気相成長法で
は基板表面温度が高くなる程成膜速度は増大する。この
ような基板表面の温度による成膜速度の差違を、利用す
ることにより本発明の目的を達成することができる。
膜速度が大きく異なる。たとえば真空蒸着法、スパッタ
リング法、あるいは分子線エピタキシー法などでは基板
表面温度が高くなる程成膜速度は減少し、気相成長法で
は基板表面温度が高くなる程成膜速度は増大する。この
ような基板表面の温度による成膜速度の差違を、利用す
ることにより本発明の目的を達成することができる。
実施例
第１図に、本発明による多色ＥＬ表示素子の製造法を説
明するための素子断面図を示す。ガラス基板１上に、ス
パッタリング法によシ長さ３００℃ｍの錫添加酸化イン
ジウム（ＩＴＯ）の薄膜を形成し、フォトリソグラフィ
技術を用いてストライプ状のＩＴＯ透明電極２ａ、２ｂ
を形成した。その上に、酸素を含むアルゴン雰囲気中で
Ｓ ｒ Ｔ Ｉ Ｏｓ焼結体ターゲットを高周波スパッ
タリングすることにより、厚さ６００ ｎｍの第１絶縁
体層３を形成した。第１絶縁体層３の上に螢光体薄層・
を選択的に形成する際、最初に透明電極２ｂのみを通電
加熱制御し、その上の部分の第１絶縁体層３の表面温度
を３５０℃に保ち、透明電極２ａ上の第１絶縁体層３の
表面温度は１８０℃となるように赤外ランプで加熱し、
７ツ化テルビウムを４重量％添加した硫化亜鉛焼結体を
電子ビーム加熱蒸着した。このとき透明電極２ｂ上の第
１絶縁体層３表面には、フッ化テルビウムを含む硫化亜
鉛膜がほとんど形成されず、透明電極２ｂ上の第１絶縁
体層３表面には４００ ｎｍの厚さのフッ化ルビウムを
含む硫化亜鉛層４ａが形成された。次に透明電極２＆を
通電加熱制御し、その上の第１絶縁体層３の表面温度を
３６０℃に保ち、透明電極２ｂ上の第１絶縁体層の表面
温度は１８０℃となるように赤外ランプで加熱保持した
。その状態でフッ化すマリウムを１重量％添加した硫化
亜鉛焼結体を電子ビーム加熱蒸着し、透明電極２ｂ上の
第１絶縁体層３表面にのみ厚さ４００ ｎｍの７フ化サ
マリウムを含む硫化亜鉛層４ｂを形成した。その後真空
中、６００℃で１時間熱処理を行った。熱処理後、硫化
亜鉛層４上に、電子ビーム加熱蒸着法により、厚さ１１
００ｎの酸化イツトリウムからなる第２絶縁体層５を形
成した。最後に真空蒸着法により厚さ２００ ｎｍのＡ
ｔ薄膜を形成し、フォトリングラフィ技術を用いて、透
明電極２．とは直交する方向にストライプ状の背面電極
ｅを形成した。
明するための素子断面図を示す。ガラス基板１上に、ス
パッタリング法によシ長さ３００℃ｍの錫添加酸化イン
ジウム（ＩＴＯ）の薄膜を形成し、フォトリソグラフィ
技術を用いてストライプ状のＩＴＯ透明電極２ａ、２ｂ
を形成した。その上に、酸素を含むアルゴン雰囲気中で
Ｓ ｒ Ｔ Ｉ Ｏｓ焼結体ターゲットを高周波スパッ
タリングすることにより、厚さ６００ ｎｍの第１絶縁
体層３を形成した。第１絶縁体層３の上に螢光体薄層・
を選択的に形成する際、最初に透明電極２ｂのみを通電
加熱制御し、その上の部分の第１絶縁体層３の表面温度
を３５０℃に保ち、透明電極２ａ上の第１絶縁体層３の
表面温度は１８０℃となるように赤外ランプで加熱し、
７ツ化テルビウムを４重量％添加した硫化亜鉛焼結体を
電子ビーム加熱蒸着した。このとき透明電極２ｂ上の第
１絶縁体層３表面には、フッ化テルビウムを含む硫化亜
鉛膜がほとんど形成されず、透明電極２ｂ上の第１絶縁
体層３表面には４００ ｎｍの厚さのフッ化ルビウムを
含む硫化亜鉛層４ａが形成された。次に透明電極２＆を
通電加熱制御し、その上の第１絶縁体層３の表面温度を
３６０℃に保ち、透明電極２ｂ上の第１絶縁体層の表面
温度は１８０℃となるように赤外ランプで加熱保持した
。その状態でフッ化すマリウムを１重量％添加した硫化
亜鉛焼結体を電子ビーム加熱蒸着し、透明電極２ｂ上の
第１絶縁体層３表面にのみ厚さ４００ ｎｍの７フ化サ
マリウムを含む硫化亜鉛層４ｂを形成した。その後真空
中、６００℃で１時間熱処理を行った。熱処理後、硫化
亜鉛層４上に、電子ビーム加熱蒸着法により、厚さ１１
００ｎの酸化イツトリウムからなる第２絶縁体層５を形
成した。最後に真空蒸着法により厚さ２００ ｎｍのＡ
ｔ薄膜を形成し、フォトリングラフィ技術を用いて、透
明電極２．とは直交する方向にストライプ状の背面電極
ｅを形成した。
このように形成した素子の透明電極２と背面電極６どの
間に、１２０Ｖの交流電圧を印加することにより、それ
らの電極の交点が発光した。たとえば透明電極として２
ａを選択することによシ緑色で表示ができ、２ｂを選択
することにより赤橙色で表示することができた。
間に、１２０Ｖの交流電圧を印加することにより、それ
らの電極の交点が発光した。たとえば透明電極として２
ａを選択することによシ緑色で表示ができ、２ｂを選択
することにより赤橙色で表示することができた。
本実施例では、螢光体膜として硫化亜鉛を用いた場合に
ついて説明したが、基板温度により成膜速度が変化する
材料であれば本発明を実施することが可能で１）、硫化
亜鉛以外に、セレン化亜鉛。
ついて説明したが、基板温度により成膜速度が変化する
材料であれば本発明を実施することが可能で１）、硫化
亜鉛以外に、セレン化亜鉛。
硫化カルシウム、硫化ストロンチウムや、これらのうち
２種以上を主成分とする螢光体材料を用いても本発明を
実施することができた。
２種以上を主成分とする螢光体材料を用いても本発明を
実施することができた。
また〜本実施例では２種類の螢光体膜を同一基板上に形
成した場合について説明したが、同様の操作を繰り返す
ことによシ３種類以上の螢光体膜でも同一基板上に所望
のパターンに形成することができた。
成した場合について説明したが、同様の操作を繰り返す
ことによシ３種類以上の螢光体膜でも同一基板上に所望
のパターンに形成することができた。
発明の効果
以上で説明したように、本発明によればフォトリソグラ
フィ技術を用いることなく、同一基板上に所望のパター
ンの螢光体膜を形成することができ、またフォトリンゲ
ラフィブロセス中の汚染による特性劣化をも皆無にする
ことができ、実用的価値は大きい。
フィ技術を用いることなく、同一基板上に所望のパター
ンの螢光体膜を形成することができ、またフォトリンゲ
ラフィブロセス中の汚染による特性劣化をも皆無にする
ことができ、実用的価値は大きい。
図は本発明の一実施例を説明するためのＥＬ素子断面図
を示す。 １・・・・・・ガラス基板、２ａ、２ｂ・・・・・・透
明電極、３・・・・・・絶縁体層、＋ａ、 ４ｂ・・・
・・・螢光体層、６・・・・・・絶縁体層、６・・・・
・・背面電極。
を示す。 １・・・・・・ガラス基板、２ａ、２ｂ・・・・・・透
明電極、３・・・・・・絶縁体層、＋ａ、 ４ｂ・・・
・・・螢光体層、６・・・・・・絶縁体層、６・・・・
・・背面電極。
Claims (3)
- （１）複数の透明電極を配設した透明基板上に、真空蒸
着法，スパッタリング法，分子線エピタキシー法，気相
成長法などで螢光体薄膜を形成するＥＬ表示素子の製造
法において、前記複数の透明電極を選択的に通電加熱制
御することにより、基板表面に所望の温度分布パターン
を形成し、基板温度による前記螢光体の成膜速度の差違
に応じた所望のパターンの螢光体薄膜を基板上に形成す
ることを特徴とするＥＬ表示素子の製造法。 - （２）螢光体薄膜が硫化亜鉛，セレン化亜鉛，硫化カル
シウム，硫化ストロンチウムのうち，１種または２種以
上を主成分とすることを特徴とする特許請求の範囲第１
項に記載のＥＬ表示素子の製造法。 - （３）螢光体薄膜の形成を繰り返すことにより、同一基
板上に、発光色の異なる複数種の螢光体薄膜を所望のパ
ターンに形成することを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載のＥＬ表示素子の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60010160A JPS61168895A (ja) | 1985-01-22 | 1985-01-22 | Ｅｌ表示素子の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60010160A JPS61168895A (ja) | 1985-01-22 | 1985-01-22 | Ｅｌ表示素子の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61168895A true JPS61168895A (ja) | 1986-07-30 |
Family
ID=11742526
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60010160A Pending JPS61168895A (ja) | 1985-01-22 | 1985-01-22 | Ｅｌ表示素子の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61168895A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5432015A (en) * | 1992-05-08 | 1995-07-11 | Westaim Technologies, Inc. | Electroluminescent laminate with thick film dielectric |
| JP2011124213A (ja) * | 2009-12-10 | 2011-06-23 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 有機発光ディスプレイ装置及びその製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56109491A (en) * | 1980-01-31 | 1981-08-29 | Sharp Kk | Method of manufacturing thin film el element |
-
1985
- 1985-01-22 JP JP60010160A patent/JPS61168895A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56109491A (en) * | 1980-01-31 | 1981-08-29 | Sharp Kk | Method of manufacturing thin film el element |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5432015A (en) * | 1992-05-08 | 1995-07-11 | Westaim Technologies, Inc. | Electroluminescent laminate with thick film dielectric |
| US5634835A (en) * | 1992-05-08 | 1997-06-03 | Westaim Technologies Inc. | Electroluminescent display panel |
| US5679472A (en) * | 1992-05-08 | 1997-10-21 | Westaim Technologies, Inc. | Electroluminescent laminate and a process for forming address lines therein |
| US5702565A (en) * | 1992-05-08 | 1997-12-30 | Westaim Technologies, Inc. | Process for laser scribing a pattern in a planar laminate |
| US5756147A (en) * | 1992-05-08 | 1998-05-26 | Westaim Technologies, Inc. | Method of forming a dielectric layer in an electroluminescent laminate |
| JP2011124213A (ja) * | 2009-12-10 | 2011-06-23 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 有機発光ディスプレイ装置及びその製造方法 |
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