JPS61202454A - アルミニウム配線の被切断回路の構造と切断方法 - Google Patents
アルミニウム配線の被切断回路の構造と切断方法Info
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- JPS61202454A JPS61202454A JP60045077A JP4507785A JPS61202454A JP S61202454 A JPS61202454 A JP S61202454A JP 60045077 A JP60045077 A JP 60045077A JP 4507785 A JP4507785 A JP 4507785A JP S61202454 A JPS61202454 A JP S61202454A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は、半導体装置において不良ビット救済等のた
めにアルミニウム配線が切断されるアルミニウム被切断
回路の構造およびその切断方法の改良に関する。
めにアルミニウム配線が切断されるアルミニウム被切断
回路の構造およびその切断方法の改良に関する。
［従来の技術］
従来、半導体メモリ素子における不良ピットを救済する
などのためにアルミニウム配線が切断される回路の構造
として、下地絶縁膜の平坦な面上にアルミニウム配線を
形成した構造が用いられている。また、そのアルミニウ
ム配線の切断方法として、切断しようとするアルミニウ
ム配線部分にレーザ光ビームを照射し、アルミニウムを
蒸発させて配線を切断していた。
などのためにアルミニウム配線が切断される回路の構造
として、下地絶縁膜の平坦な面上にアルミニウム配線を
形成した構造が用いられている。また、そのアルミニウ
ム配線の切断方法として、切断しようとするアルミニウ
ム配線部分にレーザ光ビームを照射し、アルミニウムを
蒸発させて配線を切断していた。
第６図は、従来のアルミニウム配線の被切断回路の構造
を示す斜視図である。第６図において、従来の被切断回
路３００は、切断されるべきアルミニウム配線１が下地
絶縁膜３上に形成されて構成される。以下、第６図を参
照して従来のアルミニウム配線の切断について説明する
。
を示す斜視図である。第６図において、従来の被切断回
路３００は、切断されるべきアルミニウム配線１が下地
絶縁膜３上に形成されて構成される。以下、第６図を参
照して従来のアルミニウム配線の切断について説明する
。
切断されるべきアルミニウム配ＷＡ１の所定の領域にレ
ーザ光ビーム４が照射されて、その部分のアルミニウム
が蒸発してアルミニウム配線１が切断される。ここで、
切断に用いられるレーザ光ビーム４は、比較的多量のア
ルミニウムを蒸発させるため、かなり大きいパワー強度
を有し、かつ比較的長い照射時間を有していた。
ーザ光ビーム４が照射されて、その部分のアルミニウム
が蒸発してアルミニウム配線１が切断される。ここで、
切断に用いられるレーザ光ビーム４は、比較的多量のア
ルミニウムを蒸発させるため、かなり大きいパワー強度
を有し、かつ比較的長い照射時間を有していた。
［発明が解決しようとする問題点］
上述の従来のアルミニウム配線の被切断回路の構造とそ
の切断方法においては、以下に述べるような問題点があ
った。
の切断方法においては、以下に述べるような問題点があ
った。
第７図は従来のものの問題点を示すための斜視図であり
、配線を切断した場合に生じる飛散アルミニウムの様子
を示す図である。第７図において、下地絶縁１１３上に
切断されたアルミニウム配１１１と、アルミニウム配線
切断により生じた飛散アルミニウム９とが示される。
、配線を切断した場合に生じる飛散アルミニウムの様子
を示す図である。第７図において、下地絶縁１１３上に
切断されたアルミニウム配１１１と、アルミニウム配線
切断により生じた飛散アルミニウム９とが示される。
従来は、アルミニウム配線１の切断すべき箇所のアルミ
ニウムがすぐに蒸発するように、かなり大きいパワー強
度のレーザ光ビームを照射していた。その結果、蒸発し
たアルミニウムは切断箇所の周辺にかなりの広い範囲に
わたって飛散・凝結し、この飛散アルミニウム９がその
範囲内のアルミニウム配線間のリークやショートといっ
た不良を誘起するという問題点があった。
ニウムがすぐに蒸発するように、かなり大きいパワー強
度のレーザ光ビームを照射していた。その結果、蒸発し
たアルミニウムは切断箇所の周辺にかなりの広い範囲に
わたって飛散・凝結し、この飛散アルミニウム９がその
範囲内のアルミニウム配線間のリークやショートといっ
た不良を誘起するという問題点があった。
それゆえ、この発明の目的は上述の欠点を除去し、アル
ミニウム配線の切断時にアルミニウムが飛散せず、アル
ミニウム配線間のリークやショート等の生じないアルミ
ニウム配線の被切断回路の構造およびその切断方法を提
供することである。
ミニウム配線の切断時にアルミニウムが飛散せず、アル
ミニウム配線間のリークやショート等の生じないアルミ
ニウム配線の被切断回路の構造およびその切断方法を提
供することである。
［問題点を解決するための手段］
この発明においては、切断されるべきアルミニウム配線
部分を水素を含有するプラズマ窒化シリコン絶縁膜で覆
った構造を用い、このプラズマ窒化シリコン絶縁膜を通
してアルミニウム配線の切断すべき箇所へパワー強度お
よび照射時間の異なるレーザ光ビームを順次照射する。
部分を水素を含有するプラズマ窒化シリコン絶縁膜で覆
った構造を用い、このプラズマ窒化シリコン絶縁膜を通
してアルミニウム配線の切断すべき箇所へパワー強度お
よび照射時間の異なるレーザ光ビームを順次照射する。
［作用］
周知のごとく、プラズマ窒化シリコン絶縁膜は、アンモ
ニア−モノシラン−’１１Ｍ＜またはアルゴン）からな
るガス系を用いて形成され、水素を多く含んでおり、こ
れらのガス流量比・圧力やプラズマの周波数・パワーを
変えることにより水素をより多く含ませることもできる
。この水素は、プラズマ窒化シリコン絶縁膜を昇温する
と、この絶縁膜の外へ放出される。また、水素は比較的
低温状態でアルミニウムに吸蔵されやすく、逆に高温状
態ではこの吸蔵された水素はアルミニウムから容易に放
出される。さらに、アルミニウムは、そのヤング率がプ
ラズマ窒化シリコン絶縁膜のそれよりも小さく、組成変
形しゃすい性質を持っている。
ニア−モノシラン−’１１Ｍ＜またはアルゴン）からな
るガス系を用いて形成され、水素を多く含んでおり、こ
れらのガス流量比・圧力やプラズマの周波数・パワーを
変えることにより水素をより多く含ませることもできる
。この水素は、プラズマ窒化シリコン絶縁膜を昇温する
と、この絶縁膜の外へ放出される。また、水素は比較的
低温状態でアルミニウムに吸蔵されやすく、逆に高温状
態ではこの吸蔵された水素はアルミニウムから容易に放
出される。さらに、アルミニウムは、そのヤング率がプ
ラズマ窒化シリコン絶縁膜のそれよりも小さく、組成変
形しゃすい性質を持っている。
したがって、次のような作用によってアルミニウム配線
を切断することができる。
を切断することができる。
まず、アルミニウム配線の切断すべき箇所の上にあるプ
ラズマ窒化シリコン絶縁膜を比較的低温で加熱して、プ
ラズマ窒化シリコン絶縁膜より水素を放出させるととも
にアルミニウム配線の切断すべき箇所へその水素を吸蔵
させる。このとき水素を吸蔵した部分のアルミニウムの
密度は低下し、水素吸蔵による体積増加分はプラズマ窒
化シリコン絶縁膜の形成されていないアルミニウム配線
部分へしわ寄せされる。次に、同じ箇所を急速に比較的
高温かつ短時間加熱する。この急速・高温加熱によりプ
ラズマ窒化シリコン絶縁膜から急速に多量の水素が放出
されるとともに、アルミニウム内部に吸蔵されていた水
素も放出される。このとき、水素を吸蔵している部分の
アルミニウムの密度は増加して体積収縮が起き、典型的
には下地絶縁膜とアルミニウム配線との間に小さな隙間
が生じる。この小さな隙間を形作る閉曲面における表面
自由エネルギは隙間以外の部分における自由エネルギよ
りも小さいので、放出されたこれらの水素はこの隙間へ
集結し、この箇所でアルミニウムに対し大きい圧力を持
つこととなり、アルミニウムを塑性変形させて空洞を作
る。ここで、最近の半導体装置に用いられているアルミ
ニウム配線の配線幅および厚みはともに小さい。したが
って、こうした空洞を発生させると配線は断線状態とな
り、容易にアルミニウム配線を切断することができる。
ラズマ窒化シリコン絶縁膜を比較的低温で加熱して、プ
ラズマ窒化シリコン絶縁膜より水素を放出させるととも
にアルミニウム配線の切断すべき箇所へその水素を吸蔵
させる。このとき水素を吸蔵した部分のアルミニウムの
密度は低下し、水素吸蔵による体積増加分はプラズマ窒
化シリコン絶縁膜の形成されていないアルミニウム配線
部分へしわ寄せされる。次に、同じ箇所を急速に比較的
高温かつ短時間加熱する。この急速・高温加熱によりプ
ラズマ窒化シリコン絶縁膜から急速に多量の水素が放出
されるとともに、アルミニウム内部に吸蔵されていた水
素も放出される。このとき、水素を吸蔵している部分の
アルミニウムの密度は増加して体積収縮が起き、典型的
には下地絶縁膜とアルミニウム配線との間に小さな隙間
が生じる。この小さな隙間を形作る閉曲面における表面
自由エネルギは隙間以外の部分における自由エネルギよ
りも小さいので、放出されたこれらの水素はこの隙間へ
集結し、この箇所でアルミニウムに対し大きい圧力を持
つこととなり、アルミニウムを塑性変形させて空洞を作
る。ここで、最近の半導体装置に用いられているアルミ
ニウム配線の配線幅および厚みはともに小さい。したが
って、こうした空洞を発生させると配線は断線状態とな
り、容易にアルミニウム配線を切断することができる。
次に、この空洞部にアルミニウムの残漬があった場合を
考慮して、同じ箇所をさらに高温かつ短時間加熱処理し
、空洞部に残存するわずかなｌのアルミニウムを空洞内
で蒸発させるとアルミニウム配線は確実に切断される。
考慮して、同じ箇所をさらに高温かつ短時間加熱処理し
、空洞部に残存するわずかなｌのアルミニウムを空洞内
で蒸発させるとアルミニウム配線は確実に切断される。
上述の加熱は、レーザ光ビームを照射する方法で行なう
ことができる。レーザ光ビームはパワー強度とパワー出
力時間をともに迅速・容易に変えることができるので、
適切な加熱温度と加熱時間に精密かつ正確に制御するこ
とができる。
ことができる。レーザ光ビームはパワー強度とパワー出
力時間をともに迅速・容易に変えることができるので、
適切な加熱温度と加熱時間に精密かつ正確に制御するこ
とができる。
［発明の実施例］
以下、この発明の実施例を図について説明する。
第１図はこの発明によるアルミニウム配線の被切断回路
の構造の一実施例の斜視図である。第１図において、被
切断回路１００は、切断されるべきアルミニウム配線１
と、アルミニウム配線１の切断すべき箇所の上に形成さ
れる水素を含有したプラズマ窒化シリコン絶縁膜２と、
アルミニウム配線の下地絶縁１１３とから構成される。
の構造の一実施例の斜視図である。第１図において、被
切断回路１００は、切断されるべきアルミニウム配線１
と、アルミニウム配線１の切断すべき箇所の上に形成さ
れる水素を含有したプラズマ窒化シリコン絶縁膜２と、
アルミニウム配線の下地絶縁１１３とから構成される。
第２図は、アルミニウム配線の被切断回路を切断するた
めに用いられるレーザ光ビームのパワー強度と照射時間
のシーケンスを示す図である。レーザ光ビームは、たと
えば波長が１．０６μｍのＹＡＧレーザのような、アル
ミニウムで光エネルギーが吸収されやすいレーザ光を光
学系を用いてビーム状にしたものである。
めに用いられるレーザ光ビームのパワー強度と照射時間
のシーケンスを示す図である。レーザ光ビームは、たと
えば波長が１．０６μｍのＹＡＧレーザのような、アル
ミニウムで光エネルギーが吸収されやすいレーザ光を光
学系を用いてビーム状にしたものである。
第２図に示されるように、レーザ光ビーム照射のシーケ
ンスは、比較的低いパワー強度でかつ長い照射時間の第
１の段階＜ａ ＞と、第１の段階（ａ ）よりも比較的
高いパワー強度でかつ短い照射時間の第２の段階（ｂ
）と、第２段階（ｂ）よりもさらに大きいパワー強度で
かつ短い照射時間の第３の段階（Ｃ）とから構成される
。
ンスは、比較的低いパワー強度でかつ長い照射時間の第
１の段階＜ａ ＞と、第１の段階（ａ ）よりも比較的
高いパワー強度でかつ短い照射時間の第２の段階（ｂ
）と、第２段階（ｂ）よりもさらに大きいパワー強度で
かつ短い照射時間の第３の段階（Ｃ）とから構成される
。
第３八図ないし第３Ｄ図は第１図の実施例におけるアル
ミニウム配線の切断方法を示す断面図であり、第１図の
ＡＢＯ３面に沿った断面における主要工程の状態を示す
。以下、第３八図ないし第３Ｄ図を参照してこの発明の
一実施例におけるアルミニウム配線の切断方法について
説明する。
ミニウム配線の切断方法を示す断面図であり、第１図の
ＡＢＯ３面に沿った断面における主要工程の状態を示す
。以下、第３八図ないし第３Ｄ図を参照してこの発明の
一実施例におけるアルミニウム配線の切断方法について
説明する。
第３Ａ図は、レーザ光ビームが照射されていない状態を
示し、下地絶縁ｌ１ＩＳ上に切断されるべきアルミニウ
ム配線１と、切断されるべき箇所の上に形成される水素
を含有するプラズマ窒化シリコン絶ｔ＆膜２が形成され
ている。
示し、下地絶縁ｌ１ＩＳ上に切断されるべきアルミニウ
ム配線１と、切断されるべき箇所の上に形成される水素
を含有するプラズマ窒化シリコン絶ｔ＆膜２が形成され
ている。
第３Ｂ図において、第２図に示される第１段階（ａ＞の
比較的低いパワー強度でかつ長い照射時間のレーザ光ビ
ーム４をプラズマ窒化シリコン絶縁ｌ１１２を通してア
ルミニウム配線１の切断すべき箇所へ照射する。この結
果、アルミニウム配置！！１の切断されるべき箇所は、
レーザ光ビーム４の光エネルギーを吸収し、発熱して比
較的低い濃度に昇渇する。このときの熱はアルミニウム
配Ｉ１１の切断すべき箇所の近傍のプラズマ窒化シリコ
ン絶縁ｙ！２へ伝わりそこを加熱する。応じて、プラズ
マ窒化シリコン絶縁膜２から比較的少量の水素５が発生
・放出されるとともに、この水素５はアルミニウム配置
ｉ１１の切断されるべき箇所に吸蔵される。
比較的低いパワー強度でかつ長い照射時間のレーザ光ビ
ーム４をプラズマ窒化シリコン絶縁ｌ１１２を通してア
ルミニウム配線１の切断すべき箇所へ照射する。この結
果、アルミニウム配置！！１の切断されるべき箇所は、
レーザ光ビーム４の光エネルギーを吸収し、発熱して比
較的低い濃度に昇渇する。このときの熱はアルミニウム
配Ｉ１１の切断すべき箇所の近傍のプラズマ窒化シリコ
ン絶縁ｙ！２へ伝わりそこを加熱する。応じて、プラズ
マ窒化シリコン絶縁膜２から比較的少量の水素５が発生
・放出されるとともに、この水素５はアルミニウム配置
ｉ１１の切断されるべき箇所に吸蔵される。
第３Ｃ図において、まず第２図の第２段階（ｂ）のよう
な第１段階（ａ ）よりも比較的高いパワー強度でかつ
短い照射時間のレーザ光ビーム４を同じ箇所へ照射する
。この結果、アルミニウム配線１の切断されるべき箇所
は急速かつ高温に昇渇し、その熱によりその上のプラズ
マ窒化シリコン絶縁ＦＪ２から水素５が多量に放出され
る。またこれと同時に、既にアルミニウム配＠１の切断
されるべき箇所に吸蔵されていた水素５も放出され、応
じて、典型的には下地絶ＲＭ３とアルミニウム配線１と
の界面に小さな隙間が形成される。これらの水素５は前
述のようにその隙間に集まりやすい傾向があるので、ア
ルミニウムに対し大きい圧力を持つガスの塊となり、ア
ルミニウム配線１の切断されるべき箇所を圧迫する。プ
ラズマ窒化シリコン絶＄１１１１２よりもヤング率が小
さく塑性変形しやすいアルミニウムは、この内部圧力に
よって押圧され、水素５を内包する空洞６が形成される
。この空洞６の田川によって、アルミニウム配線１の切
断されるべき箇所はほぼ完全に切断されるが、わずかな
残存アルミニウム７が空洞内のプラズマ窒化シリコン絶
縁膜２または下地絶縁！！Ａ３の面に取り残される場合
のような不完全な切断状態も考えられる。
な第１段階（ａ ）よりも比較的高いパワー強度でかつ
短い照射時間のレーザ光ビーム４を同じ箇所へ照射する
。この結果、アルミニウム配線１の切断されるべき箇所
は急速かつ高温に昇渇し、その熱によりその上のプラズ
マ窒化シリコン絶縁ＦＪ２から水素５が多量に放出され
る。またこれと同時に、既にアルミニウム配＠１の切断
されるべき箇所に吸蔵されていた水素５も放出され、応
じて、典型的には下地絶ＲＭ３とアルミニウム配線１と
の界面に小さな隙間が形成される。これらの水素５は前
述のようにその隙間に集まりやすい傾向があるので、ア
ルミニウムに対し大きい圧力を持つガスの塊となり、ア
ルミニウム配線１の切断されるべき箇所を圧迫する。プ
ラズマ窒化シリコン絶＄１１１１２よりもヤング率が小
さく塑性変形しやすいアルミニウムは、この内部圧力に
よって押圧され、水素５を内包する空洞６が形成される
。この空洞６の田川によって、アルミニウム配線１の切
断されるべき箇所はほぼ完全に切断されるが、わずかな
残存アルミニウム７が空洞内のプラズマ窒化シリコン絶
縁膜２または下地絶縁！！Ａ３の面に取り残される場合
のような不完全な切断状態も考えられる。
第３Ｄ図において、この残存アルミニウム７を除去する
ために、第２図の第３段階（０）のような、第２段１１
（ｂ）よりもさらに大きいパワー強度でかつ短い照射時
間のレーザ光ビーム４を同じ箇所へ照射して、残存アル
ミニウム７を完全に除去する。この残存アルミニウム７
は蒸発して切断されたアルミニウム配線の側壁に吸着し
、アルミニウム配置１１は確実に切断される。
ために、第２図の第３段階（０）のような、第２段１１
（ｂ）よりもさらに大きいパワー強度でかつ短い照射時
間のレーザ光ビーム４を同じ箇所へ照射して、残存アル
ミニウム７を完全に除去する。この残存アルミニウム７
は蒸発して切断されたアルミニウム配線の側壁に吸着し
、アルミニウム配置１１は確実に切断される。
なお、空洞６内部に水素５のガスが内蔵されていても、
水素５ガスは電気的に高絶縁性であるから何ら差し支え
はない。
水素５ガスは電気的に高絶縁性であるから何ら差し支え
はない。
第４図はこの発明のアルミニウム配線の被切断回路の構
造の他の実施例を示す斜視図である。第４図において、
被切断回路２００は、アルミニウム配置１１１の切断さ
れるべき箇所に対応する下地絶縁ｌＩ３の領域に段差８
が設けられる。この段差８の幅寸法は、好ましくは、ア
ルミニウム配ｌ１１１の幅寸法と同程度またはそれ以下
である。レーザ光ビーム４は段差８またはその近傍に向
けて照射される。
造の他の実施例を示す斜視図である。第４図において、
被切断回路２００は、アルミニウム配置１１１の切断さ
れるべき箇所に対応する下地絶縁ｌＩ３の領域に段差８
が設けられる。この段差８の幅寸法は、好ましくは、ア
ルミニウム配ｌ１１１の幅寸法と同程度またはそれ以下
である。レーザ光ビーム４は段差８またはその近傍に向
けて照射される。
第５八図ないし第５Ｄ図は、第４図の実施例におけるア
ルミニウム配ｓ＋ｔｉの切断方法を示す断面図である。
ルミニウム配ｓ＋ｔｉの切断方法を示す断面図である。
第５八図ないし第５Ｄ図は、第４図におけるＥＦＧＨ面
における断面図であり、第２図と同様のパワー強度と照
射時間のシーケンスのレーザ光ビーム４を用い、第３八
図ないし第３Ｄ図を参照して説明したものと同様の過程
でアルミニウム配置１が切断される経過を示す。以下、
第４図、第５Ａ図〜第５Ｄ図を参照してこの発明の他の
実施例について説明する。
における断面図であり、第２図と同様のパワー強度と照
射時間のシーケンスのレーザ光ビーム４を用い、第３八
図ないし第３Ｄ図を参照して説明したものと同様の過程
でアルミニウム配置１が切断される経過を示す。以下、
第４図、第５Ａ図〜第５Ｄ図を参照してこの発明の他の
実施例について説明する。
レーザ光ビーム４の照射によりアルミニウム配線１の切
断されるべき箇所およびプラズマ窒化シリコン絶縁膜２
が昇濃し、水素が放出される（第５Ｂ図）。このときア
ルミニウム配置１の切断されるべき箇所には段差８が設
けられているので、アルミニウム配４１！１の切断され
るべき箇所に発生する熱応力は、段差８のない場合より
も大きくなり、この段差８の近くにあるアルミニウムに
対しさらに大きい圧力が加わってアルミニウムが塑性変
形しやすくなるとともに、前述の小さな隙間が極めて容
易に形成されやすくなる。したがって水ｊｌｌ１５はこ
の隙間へ容易に集中して、確実に空洞６を形成しく第５
Ｃ図）、残存アルミニウム７の発生のほとんどないアル
ミニウム配１１の切断を行なうことができる（第５Ｄ図
）。
断されるべき箇所およびプラズマ窒化シリコン絶縁膜２
が昇濃し、水素が放出される（第５Ｂ図）。このときア
ルミニウム配置１の切断されるべき箇所には段差８が設
けられているので、アルミニウム配４１！１の切断され
るべき箇所に発生する熱応力は、段差８のない場合より
も大きくなり、この段差８の近くにあるアルミニウムに
対しさらに大きい圧力が加わってアルミニウムが塑性変
形しやすくなるとともに、前述の小さな隙間が極めて容
易に形成されやすくなる。したがって水ｊｌｌ１５はこ
の隙間へ容易に集中して、確実に空洞６を形成しく第５
Ｃ図）、残存アルミニウム７の発生のほとんどないアル
ミニウム配１１の切断を行なうことができる（第５Ｄ図
）。
なお、図示しないが、第１図および第４図の実施例にお
いて、アルミニウム配線の被切断回路上の全面にさらに
表面保１を膜を設けた実施例としてもよい。従来のもの
においては、表面保護膜を設けても、アルミニウムを蒸
発させるために非常に強いレーザ光ビーム４を用いなけ
ればならなかったので、表面保護膜に穴があき、そこか
ら、アルミニウム蒸気が噴出し、前に述べたショート・
リ−り等を起こすおそれがあった。これに対し、この発
明による実施例においては、いずれも主としてプラズマ
窒化シリコン絶Ｉｉ膜２からの水素５の圧力によるアル
ミニウムの塑性変形の性質を応用しているので、従来よ
りも弱いパワー強度のレーザ光ビームでよく、表面保護
膜に穴があくことはない。
いて、アルミニウム配線の被切断回路上の全面にさらに
表面保１を膜を設けた実施例としてもよい。従来のもの
においては、表面保護膜を設けても、アルミニウムを蒸
発させるために非常に強いレーザ光ビーム４を用いなけ
ればならなかったので、表面保護膜に穴があき、そこか
ら、アルミニウム蒸気が噴出し、前に述べたショート・
リ−り等を起こすおそれがあった。これに対し、この発
明による実施例においては、いずれも主としてプラズマ
窒化シリコン絶Ｉｉ膜２からの水素５の圧力によるアル
ミニウムの塑性変形の性質を応用しているので、従来よ
りも弱いパワー強度のレーザ光ビームでよく、表面保護
膜に穴があくことはない。
［発明の効果］
以上詳しく述べたようにこの発明によれば、水素を含有
するプラズマ窒化シリコン絶ＲＭの温度による性質、わ
ずかな隙間があればそこへ水素ガスが終結し水素ガス圧
力の高まる性質、下地絶縁膜の段差付近は熱応力が大き
くなる性質、およびアルミニウムの塑性変形しやすい性
質等を用いてアルミニウム配線を切断しているので、レ
ーザ光ビームは従来よりも小さいパワー強度でよく、プ
ラズマ窒化シリコン絶縁膜や表面保ｒ！Ｉ膜に穴があく
ことがないので、他のアルミニウム配線の間でショート
やリークの不良が発生することはない。
するプラズマ窒化シリコン絶ＲＭの温度による性質、わ
ずかな隙間があればそこへ水素ガスが終結し水素ガス圧
力の高まる性質、下地絶縁膜の段差付近は熱応力が大き
くなる性質、およびアルミニウムの塑性変形しやすい性
質等を用いてアルミニウム配線を切断しているので、レ
ーザ光ビームは従来よりも小さいパワー強度でよく、プ
ラズマ窒化シリコン絶縁膜や表面保ｒ！Ｉ膜に穴があく
ことがないので、他のアルミニウム配線の間でショート
やリークの不良が発生することはない。
特に、下地絶縁膜に段差を設けた構造においては上述の
効果は顕著である。
効果は顕著である。
第１図はこの発明によるアルミニウム配線の被切断回路
の構造の一実施例の斜視図である。第２図はアルミニウ
ム配線の被切断回路を切断するために用いられるレーザ
光ビームのパワー強度と照射時間のシーケンスを示す図
である。第３Ａ図〜第３Ｄ図は第１図の実施例における
アルミニウム配線の切断方法を示す断面図である。第４
図はこへの発明によるアルミニウム配線の被切断回路の
構造の他の実施例を示す斜視図である。第５Ａ図〜第５
Ｄ図は第４図の実施例におけるアルミニウム配線の切断
方法を示す断面図である。第６図は従来のアルミニウム
配線の被切断回路の構造の斜視図である。第７図はこの
第６図の被切断回路の問題点を示す斜視図である。 図において、１００．２００はこの発明によるアルミニ
ウム配線の被切断回路、３００は従来のアルミニウム配
線の被切断回路、１は切断されるべきアルミニウム配線
、２はプラズマ窒化シリコン絶縁摸、３は下地絶ｌ１Ｗ
ＩＡ、４はレーザ光ビーム、５は水素、６は空洞、７は
残存アルミニウム、８は段差、９は飛散アルミニウムで
ある。 なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。 代 理 人 大 岩 増 雄篤１図 篤２図 １：切断−れるべＳアルミニウム配服 ２：プラＸ′？！イｊ＋：／ｌｌコン糎すみ遵（３：下
地絶縁Ｉｔ更 ７：すｄすフルミニワヘ 萬牛図 １：ｖ）吋（れるべ♂アｌレミニウム、内己捧２：）゛
ラス゛マ引乙シリコン絶着（８叉３：下坩」色味η天 ３：ｊ支 亙 ７；代仔ア２レミニ７ム ３：攻先
の構造の一実施例の斜視図である。第２図はアルミニウ
ム配線の被切断回路を切断するために用いられるレーザ
光ビームのパワー強度と照射時間のシーケンスを示す図
である。第３Ａ図〜第３Ｄ図は第１図の実施例における
アルミニウム配線の切断方法を示す断面図である。第４
図はこへの発明によるアルミニウム配線の被切断回路の
構造の他の実施例を示す斜視図である。第５Ａ図〜第５
Ｄ図は第４図の実施例におけるアルミニウム配線の切断
方法を示す断面図である。第６図は従来のアルミニウム
配線の被切断回路の構造の斜視図である。第７図はこの
第６図の被切断回路の問題点を示す斜視図である。 図において、１００．２００はこの発明によるアルミニ
ウム配線の被切断回路、３００は従来のアルミニウム配
線の被切断回路、１は切断されるべきアルミニウム配線
、２はプラズマ窒化シリコン絶縁摸、３は下地絶ｌ１Ｗ
ＩＡ、４はレーザ光ビーム、５は水素、６は空洞、７は
残存アルミニウム、８は段差、９は飛散アルミニウムで
ある。 なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。 代 理 人 大 岩 増 雄篤１図 篤２図 １：切断−れるべＳアルミニウム配服 ２：プラＸ′？！イｊ＋：／ｌｌコン糎すみ遵（３：下
地絶縁Ｉｔ更 ７：すｄすフルミニワヘ 萬牛図 １：ｖ）吋（れるべ♂アｌレミニウム、内己捧２：）゛
ラス゛マ引乙シリコン絶着（８叉３：下坩」色味η天 ３：ｊ支 亙 ７；代仔ア２レミニ７ム ３：攻先
Claims (4)
- （１）切断されるべき領域を有するアルミニウム配線が
下地絶縁膜上に形成されてなるアルミニウム配線の被切
断回路の構造において、 少なくとも前記切断されるべき領域が水素を含有するプ
ラズマ窒化シリコン絶縁膜によつて覆われることを特徴
とするアルミニウム配線の被切断回路の構造。 - （２）前記下地絶縁膜の前記切断されるべき領域に対応
する領域に段差が設けられることを特徴とする、特許請
求の範囲第１項記載のアルミニウム配線の被切断回路の
構造。 - （３）切断されるべき領域が水素を含有するプラズマ窒
化シリコン膜で被覆されたアルミニウム配線を備えるア
ルミニウム配線の被切断回路におけるアルミニム配線の
切断方法であつて、そのパワー強度・照射時間がそれぞ
れ弱強度・長時間の第１段階、中強度・短時間の第２段
階、強強度・最短時間の第３段階の各段階を順次経るレ
ーザ光ビームを前記切断されるべき領域へ照射すること
を特徴とするアルミニウム配線の切断方法。 - （４）前記アルミニウム配線は下地絶縁膜上に形成され
ており、前記下地絶縁膜の前記切断されるべき領域に対
応する領域には段差が設けられる、特許請求の範囲第３
項記載のアルミニウム配線の切断方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60045077A JPS61202454A (ja) | 1985-03-05 | 1985-03-05 | アルミニウム配線の被切断回路の構造と切断方法 |
| US06/823,091 US4691078A (en) | 1985-03-05 | 1986-01-21 | Aluminum circuit to be disconnected and method of cutting the same |
| US07/061,436 US4723062A (en) | 1985-03-05 | 1987-06-15 | Aluminum circuit to be disconnected and method of cutting the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60045077A JPS61202454A (ja) | 1985-03-05 | 1985-03-05 | アルミニウム配線の被切断回路の構造と切断方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61202454A true JPS61202454A (ja) | 1986-09-08 |
Family
ID=12709270
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60045077A Pending JPS61202454A (ja) | 1985-03-05 | 1985-03-05 | アルミニウム配線の被切断回路の構造と切断方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US4691078A (ja) |
| JP (1) | JPS61202454A (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4855871A (en) * | 1987-03-05 | 1989-08-08 | Optical Materials, Inc. | Thin film semiconductor interconnect module |
| US4908525A (en) * | 1989-02-03 | 1990-03-13 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Cut-only CMOS switch for discretionary connect and disconnect |
| US5432015A (en) * | 1992-05-08 | 1995-07-11 | Westaim Technologies, Inc. | Electroluminescent laminate with thick film dielectric |
| US5580473A (en) * | 1993-06-21 | 1996-12-03 | Sanyo Electric Co. Ltd. | Methods of removing semiconductor film with energy beams |
| US5539174A (en) * | 1994-05-26 | 1996-07-23 | Lsi Logic Corporation | Clean laser cutting of metal lines on microelectronic circuit substrates using reactive gases |
| US5619018A (en) * | 1995-04-03 | 1997-04-08 | Compaq Computer Corporation | Low weight multilayer printed circuit board |
| LU93248B1 (en) | 2016-10-04 | 2018-04-05 | Soremartec Sa | Laser treatment of wrapping materials |
| KR102530258B1 (ko) * | 2017-07-13 | 2023-05-08 | 셀링크 코포레이션 | 인터커넥트 회로 방법 및 장치 |
| CN110944459B (zh) * | 2019-11-11 | 2021-06-18 | 广州兴森快捷电路科技有限公司 | 一种去除fpc覆盖膜的方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4217570A (en) * | 1978-05-30 | 1980-08-12 | Tektronix, Inc. | Thin-film microcircuits adapted for laser trimming |
| US4259367A (en) * | 1979-07-30 | 1981-03-31 | International Business Machines Corporation | Fine line repair technique |
| US4344064A (en) * | 1979-12-06 | 1982-08-10 | Western Electric Co., Inc. | Article carrying a distinctive mark |
| US4424621A (en) * | 1981-12-30 | 1984-01-10 | International Business Machines Corporation | Method to fabricate stud structure for self-aligned metallization |
-
1985
- 1985-03-05 JP JP60045077A patent/JPS61202454A/ja active Pending
-
1986
- 1986-01-21 US US06/823,091 patent/US4691078A/en not_active Expired - Fee Related
-
1987
- 1987-06-15 US US07/061,436 patent/US4723062A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4691078A (en) | 1987-09-01 |
| US4723062A (en) | 1988-02-02 |
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