TWI725364B - 具有孔洞之透明基板及其製造方法 - Google Patents

具有孔洞之透明基板及其製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI725364B
TWI725364B TW107144817A TW107144817A TWI725364B TW I725364 B TWI725364 B TW I725364B TW 107144817 A TW107144817 A TW 107144817A TW 107144817 A TW107144817 A TW 107144817A TW I725364 B TWI725364 B TW I725364B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
transparent substrate
hole
laser beam
diameter
protection layer
Prior art date
Application number
TW107144817A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202021705A (zh
Inventor
洪詳竣
陳坤山
黃文翰
Original Assignee
鈦昇科技股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 鈦昇科技股份有限公司 filed Critical 鈦昇科技股份有限公司
Priority to TW107144817A priority Critical patent/TWI725364B/zh
Publication of TW202021705A publication Critical patent/TW202021705A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI725364B publication Critical patent/TWI725364B/zh

Links

Images

Landscapes

  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Re-Forming, After-Treatment, Cutting And Transporting Of Glass Products (AREA)

Abstract

本發明係有關一種具有孔洞之透明基板及其製造方法,將透明基板設置於光學保護層之透光面之上,以脈衝雷射光束聚焦於該透明基板製作該貫穿孔,此時沿著該貫穿孔外圍產生該改質區,而加工殘留之該脈衝雷射光束透射至該光學保護層之該透光面,由該光學保護層將加工殘留之該脈衝雷射光束導引至該光學保護層之一導光面,最後該貫穿孔貫通於該透明基板。

Description

具有孔洞之透明基板及其製造方法
本發明係關於一種透明基板結構及加工方法,特別關於在透明基板結構加工製作穿孔之結構和方法,尤其改善穿孔製程造成的前後段孔洞過度外闊問題。
近年來在智能手機、5G通信和物聯網等應用開發的先進封裝技術必須滿足以下要求:a)高性能;b)微型化;c)成本低;d)多功能;承上,而導致有以下原因,在一個芯片中實現所有系統功能存在基本挑戰:a)分離的功能塊之間的干擾;b)不同技術節點的設計複雜性和過程限制;c)成本考慮;因此,已經提出了垂直互連的3D IC堆疊,以實現比傳統2D封裝技術更高的性能,更低的功耗和更小的佔用面積。
目前的中介層材料主要基於矽或塑料;其中,採用矽通孔(Through-Silicon Vias,TSV)製造的矽中介層可以實現所需的佈線和I/O密度,但不具成本效益;另,塑料中介層提供了成本有效的解決方案,但由於其較差的尺寸穩定性和與硅晶片不匹配的熱膨脹係數(Coefficient of thermal expansion,CTE)而面臨若干挑戰;因此,由於其有利的材料特性,已經使用玻璃作為替代中介層;玻璃的熱膨脹係數低且與硅類似,這提供了良好的熱穩定性;此外,玻璃具有高電阻率,與硅相比,導致更低的插入損耗和串擾;且,玻璃的優異機械強度提供了超薄和柔韌基板的可能性, 並且玻璃具有成本效益;因此,所有這些特性都表明玻璃將是一種出色的電子中介材料。
儘管玻璃具有如上所述的許多優點,但仍然存在許多需要解決的挑戰;玻璃的基本材料限制是它是脆性材料,並且它具有非常低的導熱性。
其中,在實作常見的穿孔加工,因穿孔加工常導致裂紋形成,然而裂紋形成對結構性和可靠性有深遠的影響;玻璃穿孔可以通過多種方式實施,最常見者為玻璃中的孔洞經受高功率雷射燒蝕的照射以形成通孔。因此,需深入研究了不同類型的雷射和光束各類製程以減少裂紋形成。
TGV雷射鑽孔技術對短距離和高通孔密度的需求提供了可行性,並通過玻璃基板的低導熱性改善了熱管理;為此,它進一步增加了無裂紋通孔製作的挑戰。另外,玻璃和銅金屬化之間的熱膨脹係數不匹配導致界面處的高熱機械應力;這種應力可能在可靠性試驗期間引起疲勞相關的失效問題,特別是在表面裂紋存在的情況下。
此外,在金屬化期間可以在通孔中形成空隙,其受到通孔的表面粗糙度和通孔的幾何形狀的影響。通過金屬層的沉積,金屬原子在一定的錐角內朝向目標表面移動,因此更難以在深溝槽處獲得金屬化的完全覆蓋;這種空洞或所謂的“釘頭”在通孔中形成金屬化會引起電流擁擠和額外的“熱點”,依據研究,這些熱機械應力會導致通孔的退化;因此,需要一種錐形通孔,在通孔處具有一定的傾斜側壁。
雷射已被廣泛用於進行材料的燒蝕和表面處理;通常,多脈 衝雷射束聚焦到物體表面或物體內部的一個點,接著消融的狀況取決於吸收機制和雷射參數,例如波長和脈衝持續時間。當激發時間短於材料中的熱化時間時,可發生非熱與光化學燒蝕,其中直接電離和緻密電子空穴等離子體的形成可導致直接斷裂,並且晶格爆炸性崩解通過Bremsstrahlung(電子排斥)。材料去除伴隨著從輻射區域噴射的高度定向的羽流。緻密蒸汽羽流可包含固體和液體的材料簇。
通常,較短的脈衝雷射,能量更快地施加到材料中,導致更快速的材料噴射;由雷射直接激發的材料體積在噴射之前將能量轉移到周圍材料的時間較短;因此,燒蝕體積由雷射的空間輪廓和光學穿透深度更精確地限定,並且剩餘材料具有更少的殘餘能量,這減少了玻璃中裂縫的形成。然而,當使用多脈衝雷射光束來燒蝕材料時,材料的表面紋理,形態和化學的累積變化可能發生,甚至可以在具有高於閾值的過剩能量的單個雷射脈衝發生。這通常被認為是由雷射照射引起的材料改變。在玻璃的情況下,這些材料改質可用於進一步的玻璃加工,例如化學蝕刻,以在玻璃中產生某些圖案或通孔。
然而,用於玻璃應用的無裂紋和精確限定範圍的材料改質區,在理想情況下需要使用超高速雷射,如皮秒或飛秒脈衝雷射,只需一次射擊即可在整個基板上形成通道,並且熱影響體積最小,能量剛好超過閾值能量是燒蝕玻璃的有利雷射條件。其中聚焦的高斯光束,由於橫向擴展,高強度可以維持的距離相對較短,再根據Rayleigh準則,焦深(DOF)是波長的問題,與數值孔徑(NA)和束腰直徑相反的問題;因此,焦深(DOF)隨著腰部直徑(或增加的峰值強度)和數值孔徑(NA)值而減小,具有高 NA透鏡的高斯光束形成將輻射聚焦成微米尺寸的光斑。另,貝塞爾光束引入了一種更有效的方法,只需一個脈衝即可生成這種長孔洞,有利於將準貝塞爾光束雷射用於諸如玻璃的透明材料的燒蝕應用。
準貝塞爾雷射光束的主要特徵是焦點是一個焦點線,而不是一個點;理想的貝塞爾光束需要焦距無限遠的透鏡直徑,並且包含無限能量,因此是不現實的;而,近似貝塞爾光束或準貝塞爾光束可以通過截斷理想平面波來實現,從而產生有限的焦距;在實踐中,已經使用不同的方法來生成準貝塞爾光束;這些包括通過將高斯光束與軸錐透鏡聚焦以產生貝塞爾高斯光束,在凸透鏡的焦平面中放置環形孔徑並使用空間光調製器(Spatial Light Mmodulator,SLM)或衍射光束整形元件(Diffractive Optical Beam Shaping Element,DOE)用於在雷射光束上施加相位分佈。
以下例舉數篇先前技術文獻,多個相關專利如下:US 13/958,346揭示一種藉由雷射絲化作用在材料加工穿孔之裝置、系統及方法,該雷射絲化作用係使用一種將入射雷射光束以一分散方式沿縱向光束軸聚焦的光學組態。這分散式聚焦方法可在多段距離上形成絲,且該雷射及聚焦參數係調整成可決定該絲的增長及結束點,以產生一單/雙端封閉孔,或一貫穿孔。由一堆疊或套疊組態選擇之透明基板可具有在不影響相鄰基板之情形下形成在其中或穿過其中之多數孔。這些分散式聚焦方法將支持在硼矽玻璃及類似的易碎材料及半導體中形成具有遠超過十毫米的多種長度之絲。
US 61/871,440揭示藉由雷射鑽孔及酸蝕刻在玻璃基板中形成通孔之方法。在一個實施例中,一種在玻璃基板中形成通孔之方法包括 以下步驟:自該玻璃基板之入射表面雷射鑽鑿該通孔穿過該玻璃基板之厚度的至少一部分。該方法進一步包括以下步驟:蝕刻該玻璃基板歷時蝕刻持續時間以增大該通孔之入射開口之直徑,且在該蝕刻持續時間的至少一部分期間將超音波能量施加至該玻璃基板。所施加的超音波能量具有在40kHz與192kHz之間的頻率。
US 61/418,152揭示一種在玻璃中製造高密度的孔洞陣列的方法,該方法包含以下步驟:提供具有前表面的玻璃塊(glass piece),隨後以UV雷射束照射該玻璃塊的該前表面,該UV雷射束被聚焦到焦點,該焦點在該玻璃塊的該前表面的+/- 100μm內,最期望是在該前表面的+/- 50μm內。聚焦該雷射的該透鏡具有數值孔徑,對於0.3mm至0.63mm之間的玻璃厚度而言,期望上該數值孔徑是在從0.1至0.4的範圍內,更期望是在0.1至0.15的範圍內,更加期望是在0.12至0.13的範圍內,以便產生開啟的孔洞,該等開啟的孔洞從該玻璃塊的該前表面102延伸進入該玻璃塊100,該等孔洞具有範圍從5μm至15μm的直徑及至少20:1的深寬比。對於較薄的玻璃而言(範圍在0.1-0.3mm),該數值孔徑期望上是從0.25至0.4,更期望是從0.25至0.3,而該雷射束較佳為聚焦至該玻璃的該前表面的+/-30μm之內。期望上是以約15kHz以下的重覆速率操作雷射。因此產生的孔洞陣列可隨後透過蝕刻而擴大。如果需要,則該前表面可在蝕刻之前受到研磨。
然而,當預期連續孔洞加工如第6a圖所示,極易因雷射孔洞射出段呈現擴孔問題呈現如第6b圖狀況,為解決此問題,本發明之主要目的係在提供一種具有孔洞之透明基板及其製造方法,以改善上述問題。
有鑑於以上問題,本發明係提供一種具有孔洞之透明基板及其製造方法,由一光學保護層將雷射導引到透明基板之外區域。
因此,本發明之主要目的係在提供一種具有孔洞之透明基板及其製造方法,經由光學保護層將多餘雷射引導到透明基板之外區域,減少加工孔洞出現擴孔現象。
本發明再一目的係在提供一種具有孔洞之透明基板及其製造方法,藉由改善雷射加工之擴孔現象,使後段加工良率提升。
本發明再一目的係在提供一種具有孔洞之透明基板及其製造方法,利用減少雷射折射到透明基板,可達成更小孔徑的挖孔。
本發明再一目的係在提供一種具有孔洞之透明基板及其製造方法,憑藉簡單於透明基板下方設置光學保護層,可不需增加工時情況下完成品質提升。
為達到上述目的,本發明所使用的主要技術手段是採用以下技術方案來實現的。本發明為一種具有孔洞之透明基板,其包含:一透明基板包含一貫穿孔及一改質區,該透明基板的材料為玻璃、藍寶石、氧化鋅之透明材料;其特徵在於:當該透明基板置於一光學保護層之一透光面之上,以一脈衝雷射光束聚焦於該透明基板製作該貫穿孔,此時沿著該貫穿孔外圍產生該改質區,而加工殘留之該脈衝雷射光束透射至該光學保護層之該透光面,由該光學保護層將加工殘留之該脈衝雷射光束導引至該光學保護層之一導光面,最後該貫穿孔貫通於該透明基板。
本發明的目的及解決其技術問題還可採用以下技術措施步驟進一步實現。
前述的透明基板,其中該光學保護層可以是水、雷射保護液、膠帶、光阻液、膠之液體或固體材料。
前述的透明基板,該貫穿孔的直徑小於或等於80μm。
前述的透明基板,該貫穿孔的直徑小於或等於60μm。
前述的透明基板,該貫穿孔的直徑小於或等於40μm。
前述的透明基板,該貫穿孔的直徑小於或等於30μm。
前述的透明基板,該貫穿孔的中段直徑大於表面直徑的50%。
另,為達成上述目地,本發明所使用的再一主要技術手段是採用以下技術方案來實現的。本發明為一種具有孔洞之透明基板製造方法,包含:步驟1:將一透明基板置於一光學保護層之一透光面之上;步驟2:以一脈衝雷射光束聚焦於該透明基板製作一貫穿孔,此時沿著該貫穿孔外圍產生一改質區;步驟3:當加工殘留之該脈衝雷射光束透射至該光學保護層之該透光面,由該光學保護層將加工殘留之該脈衝雷射光束導引至該光學保護層之一導光面;步驟4:以該脈衝雷射光束聚焦形成該貫穿孔貫通於該透明基板。
本發明的目的及解決其技術問題還可採用以下技術措施步驟進一步實現。
前述的方法,在步驟4之後,將該透明基板浸泡在一酸液中,以使該貫穿孔擴大。
前述的方法,其中該光學保護層可以是水、雷射保護液、膠帶、光阻液、膠之液體或固體材料。
前述的方法,其中該酸液具有氟化氫成分。
前述的方法製得之透明基板,其中:該透明基板的材料為玻璃、藍寶石、氧化鋅之透明材料;於該脈衝雷射光束貫通該透明基板,該貫穿孔形成於該透明基板中;該貫穿孔的直徑小於30μm,該貫穿孔的中段直徑大於表面直徑的50%。
相較於習知技術,本發明具有功效在於:(1)利用光學保護層將多餘雷射引導到透明基板之外區域,減少加工孔洞出現擴孔現象缺點;(2)藉由改善雷射加工之擴孔現象,使後段加工良率提升;(3)減少雷射折射到透明基板,可達成更小孔徑的挖孔;(4)憑藉簡單於透明基板下方設置光學保護層,可不需增加工時情況下完成品質提升。
10:透明基板
11:貫穿孔
12:改質區
20:光學保護層
21:透光面
22:導光面
30:脈衝雷射光束
31:對焦點
32:散射雷射光束
33:折射雷射光束
40:酸液
51:步驟1
52:步驟2
53:步驟3
54:步驟4
55:步驟5
第1a圖:為本發明之第一流程圖;第1b圖:為本發明之第二流程圖;第2圖:為本發明之最佳實施型態之第一示意圖;第3a圖:為本發明之最佳實施型態之第二示意圖;第3b圖:為本發明之最佳實施型態之第三示意圖;第4a圖:為本發明之最佳實施型態之第一剖面圖;第4b圖:為本發明之最佳實施型態之第二剖面圖;第4c圖:為本發明之最佳實施型態之第三剖面圖;第4d圖:為本發明之最佳實施型態之第四剖面圖;第4e圖:為本發明之最佳實施型態之第五剖面圖;第5a圖:為本發明之最佳實施型態之第一雷射示意圖; 第5b圖:為本發明之最佳實施型態之第二雷射示意圖;第5c圖:為本發明之最佳實施型態之第三雷射示意圖;第6a圖:為本發明之先前技術之預期示意圖;第6b圖:為本發明之先前技術之實際示意圖;第7圖:為本發明之最佳實施型態之第四示意圖。
為了讓本發明之目的、特徵與功效更明顯易懂,以下特別列舉本發明之較佳實施型態:請先參考第3a圖所示,本發明一種具有孔洞之透明基板包含一透明基板(10)、一光學保護層(20)及一脈衝雷射光束(30)。
具體而言,該透明基板(10)的材料為玻璃、藍寶石、氧化鋅等透明材料;而,該光學保護層(20)可以是水、雷射保護液、膠帶、光阻液、膠等液體或固體材料;該脈衝雷射光束(30)係為『雷射加工』實行之聚焦後之雷射,其中『雷射加工』是利用雷射光的高強度、高平行度的特徵以聚焦鏡等光學裝置將之聚為功率密度達103~109瓦/平方公分的光點後,在工件的表面產生局部的加熱熔化、氣化等熱效應而達到加工的目的。由於從光能轉換成熱能的時間非常短,加上功率密度相當高,在單位時間、單位面積內提供極高的光能,使得材料的表面在瞬間內便可獲得大量的熱能。此種使材料表面升溫的速度一般可達每秒數千度,在雷射加工的過程極容易發生『液體/氣體』或『固體/氣體』的混合模式。
其中,該透明基板(10)包含一貫穿孔(11)及一改質區(12);其貫穿孔(11)係指設於該透明基板(10)表面最終須貫通之加工孔洞, 該貫穿孔(11)先行由雷射方式貫通;該改質區(12)係指是指該貫穿孔(11)於雷射加工過程產生於貫穿孔(11)周遭之區域,其因為該透明基板(10)接受雷射光線照射如以上『雷射加工』解釋,導致該貫穿孔(11)周圍材料被改質,導致該改質區(12)材料密度產生變化,該改質區(12)之外徑約為1~20微米(μm,Micrometer)。
再,依本案結構加工,該貫穿孔(11)的直徑可小於或等於80μm;或,該貫穿孔(11)的直徑可小於或等於60μm;或,該貫穿孔(11)的直徑可小於或等於40μm;或,該貫穿孔(11)的直徑可小於或等於30μm。
請參閱第5a圖所示,此圖係為脈衝雷射光束(30)聚焦表示,可見脈衝雷射光束(30)聚焦在對焦點(31),同時有複數散射雷射光束(32)從脈衝雷射光束(30)周遭分離;接著,請看第5b圖當複數散射雷射光束(32)遇到大氣內各類介質產生折射雷射光束(33),而折射雷射光束(33)極有可能導致雷射加工目標外的破壞;而見第5c圖所示,可在複數散射雷射光束(32)路徑上設置光學保護層(20)將折射雷射光束(33)引導到雷射加工目標外。
請再參考第1圖所示,該圖為本案之主要方法,其包含:首先,請參考第1圖之步驟1(51)與第2圖表示,步驟1(51)係將一透明基板(10)置於一光學保護層(20)之一透光面(21)之上。
在此步驟1(51)目的係為將透明基板(10)與光學保護層(20)之透光面(21)貼合,避免空氣殘留。
接著,再參考第1圖之步驟2(52)、第3a與3b圖表示,步驟2(52)係以一脈衝雷射光束(30)聚焦於該透明基板(10)製作一貫穿孔 (11),此時沿著該貫穿孔(11)外圍產生一改質區(12)。
在此步驟2(52)目的係為由脈衝雷射光束(30)加工於該透明基板(10)產生貫穿孔(11)與改質區(12);其貫穿孔(11)在該透明基板(10)剖面狀態可參閱第4a圖,可見在透明基板(10)表面產生直徑T0之貫穿孔(11)。
再,可參考第1圖之步驟3(53),其狀態在第4b圖時,步驟3(53)係當加工殘留之該脈衝雷射光束(30)透射至該光學保護層(20)之該透光面(21),由該光學保護層(20)將加工殘留之該脈衝雷射光束(30)導引至該光學保護層(20)之一導光面(22)。
在此步驟3(53)目的係為將加工殘留之脈衝雷射光束(30)導引至該光學保護層(20)之一導光面(22),避免空氣折射導致透明基板(10)承接加工殘留之脈衝雷射光束(30)。
又,請再參考第1圖之步驟4(54)、第4c與4d圖表示,步驟4(54)係以該脈衝雷射光束(30)聚焦形成該貫穿孔(11)貫通於該透明基板(10)。
在此步驟4(54)目的係為承上步驟3(53)貫通該透明基板(10);其加工過程從步驟3(53)之第4a圖開始,在第4b圖中透明基板(10)表面產生直徑T1之貫穿孔(11),有光學保護層(20)在透明基板(10)下方可見第4d圖位於透明基板(10)背面之貫穿孔(11)呈現直徑D1之狀態;另,如無光學保護層(20)在透明基板(10)下方可見第4c圖位於透明基板(10)背面之貫穿孔(11)呈現直徑D0之擴孔狀態。
依以上方法製得之透明基板具有以下特徵。該透明基板的材 料為玻璃、藍寶石、氧化鋅等透明材料;於該脈衝雷射光束貫通該透明基板,該貫穿孔形成於該透明基板中;該貫穿孔的直徑小於30μm,該貫穿孔的中段直徑大於表面直徑的50%(可見第4e圖該貫穿孔的中段直徑C1大於該貫穿孔的表面直徑T3或D2的50%)。
一般而言,可參考第1b圖會在在步驟4(54)之後接續步驟5(55),該步驟4(54)係將該透明基板(10)浸泡在一酸液(40)中,以使該貫穿孔(11)擴大。
在此步驟5(55)目的係為將第3b圖所示之改質區(12)藉由第7圖之酸液(40)將該透明基板(10)之該貫穿孔(11)周遭之改質區(12)腐蝕,貫穿孔(11)狀態由第4d圖轉變為第4e圖;其中,該酸液(40)具有氟化氫成分。
為更加明確表示本實施例,以下將依序介紹實際實行概況。
首先,如第2圖所示,將一透明基板(10)置於一光學保護層(20)之一透光面(21)之上,使透明基板(10)與光學保護層(20)之透光面(21)貼合,無空氣於兩者間。
接著,參考第3a圖,脈衝雷射光束(30)聚焦於該透明基板(10)製作一貫穿孔(11)如第4a圖,此時沿著該貫穿孔(11)外圍產生一改質區(12)如第3b圖;此時,透明基板(10)表面產生直徑T0之貫穿孔(11)。
又,在第4b圖時,當該脈衝雷射光束(30)透射至該光學保護層(20)之該透光面(21),如5c圖表達由該光學保護層(20)將該脈衝雷射光束(30)產生之散射雷射光束(32)導引至該光學保護層(20)之 一導光面(22),避免空氣折射導致透明基板(10)承接加工殘留之散射雷射光束(32);此時,透明基板(10)表面產生直徑T1之貫穿孔(11)。
再,第4d圖中,以該脈衝雷射光束(30)聚焦形成該貫穿孔(11)貫通於該透明基板(10);此時,透明基板(10)表面貫穿孔(11)為直徑T2,透明基板(10)背面貫穿孔(11)為直徑D1,可見第4e圖該貫穿孔的中段直徑C0大於該貫穿孔的表面直徑T2或D1的50%。
最後,如第7圖將該透明基板(10)浸泡在酸液(40)中,以使該貫穿孔(11)擴大狀態由第4d圖轉變為第4e圖。
因此本發明之功效有別於一般透明基板製作穿孔方法,此於半導體業內當中實屬首創,符合發明專利要件,爰依法俱文提出申請。
惟,需再次重申,以上所述者僅為本發明之較佳實施型態,舉凡應用本發明說明書、申請專利範圍或圖式所為之等效變化,仍屬本發明所保護之技術範疇,因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
10:透明基板
20:光學保護層
21:透光面
30:脈衝雷射光束

Claims (11)

  1. 一種具有孔洞之透明基板,其包含:一透明基板包含一貫穿孔及一改質區,該透明基板的材料為玻璃、藍寶石、氧化鋅之透明材料;其特徵在於:當該透明基板置於一光學保護層之一透光面之上,以一脈衝雷射光束聚焦於該透明基板製作該貫穿孔,此時沿著該貫穿孔外圍產生該改質區,而加工殘留之該脈衝雷射光束透射至該光學保護層之該透光面,由該光學保護層將加工殘留之該脈衝雷射光束導引至該光學保護層之一導光面,最後該貫穿孔貫通於該透明基板。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之透明基板,其中該光學保護層可以是水、雷射保護液、膠帶、光阻液、膠之液體或固體材料。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之透明基板,該貫穿孔的直徑小於或等於80μm。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之透明基板,該貫穿孔的直徑小於或等於60μm。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之透明基板,該貫穿孔的直徑小於或等於40μm。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之透明基板,該貫穿孔的直徑小於或等於30μm。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之透明基板,該貫穿孔的中段直徑大於表面直徑的50%。
  8. 一種具有孔洞之透明基板製造方法,包含:步驟1:將一透明基板置於一光學保護層之一透光面之上;步驟2:以一脈衝雷射光束聚焦於該透明基板製作一貫穿孔,此時沿著該貫穿孔外圍產生一改質區;步驟3:當加工殘留之該脈衝雷射光束透射至該光學保護層之該透光面,由該光學保護層將加工殘留之該脈衝雷射光束導引至該光學保護層之一導光面;步驟4:以該脈衝雷射光束聚焦形成該貫穿孔貫通於該透明基板;步驟5:將該透明基板浸泡在一酸液中,以使該貫穿孔擴大。
  9. 一種如專利範圍第8項所述之方法製得之透明基板,其中:該透明基板的材料為玻璃、藍寶石、氧化鋅之透明材料;於該脈衝雷射光束貫通該透明基板,該貫穿孔形成於該透明基板中;該貫穿孔的直徑小於30μm,該貫穿孔的中段直徑大於表面直徑的50%。
  10. 如專利範圍第8項所述之方法,其中該光學保護層可以是水、雷射保護液、膠帶、光阻液、膠之液體或固體材料。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之方法,其中該酸液具有氟化氫成分。
TW107144817A 2018-12-12 2018-12-12 具有孔洞之透明基板及其製造方法 TWI725364B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW107144817A TWI725364B (zh) 2018-12-12 2018-12-12 具有孔洞之透明基板及其製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW107144817A TWI725364B (zh) 2018-12-12 2018-12-12 具有孔洞之透明基板及其製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202021705A TW202021705A (zh) 2020-06-16
TWI725364B true TWI725364B (zh) 2021-04-21

Family

ID=72175552

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107144817A TWI725364B (zh) 2018-12-12 2018-12-12 具有孔洞之透明基板及其製造方法

Country Status (1)

Country Link
TW (1) TWI725364B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI744135B (zh) * 2020-12-15 2021-10-21 鈦昇科技股份有限公司 貫通孔的多焦點雷射形成方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1845812A (zh) * 2003-07-31 2006-10-11 康宁股份有限公司 在透明体中钻出至少一个孔的方法和用该方法制成的器件
CN106029286A (zh) * 2013-12-17 2016-10-12 康宁股份有限公司 在玻璃中进行快速激光钻孔的方法和由其制备的产品

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1845812A (zh) * 2003-07-31 2006-10-11 康宁股份有限公司 在透明体中钻出至少一个孔的方法和用该方法制成的器件
CN106029286A (zh) * 2013-12-17 2016-10-12 康宁股份有限公司 在玻璃中进行快速激光钻孔的方法和由其制备的产品

Also Published As

Publication number Publication date
TW202021705A (zh) 2020-06-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104339083B (zh) 激光成丝在透明材料中非烧蚀光声压缩加工的方法和装置
KR101333518B1 (ko) 레이저 가공 방법 및 절단 방법 및 다층 기판을 가지는 구조체의 분할 방법
Wang et al. A review on laser drilling and cutting of silicon
CN107755904A (zh) 借助激光从平坦基板中切割轮廓的设备及方法
JP2009544145A (ja) 短パルスを使用する赤外線レーザによるウェハスクライビング
JP2017502901A (ja) 超高速レーザビーム光学系、破壊層および他の層を用いたスタック透明材料の切断
KR20060099517A (ko) 국부적으로 가열된 대상 물질의 레이저 처리
TW201141646A (en) Method and apparatus for scribing a line in a thin film using a series of laser pulses
KR20110110238A (ko) 전자부품 제조용 절단장치 및 절단방법
CN115666003B (zh) 一种线路板盲槽制作方法及系统
TWI725364B (zh) 具有孔洞之透明基板及其製造方法
CN107030377A (zh) 晶片的加工方法
TWI237532B (en) Carbon dioxide laser processing method for laminated material
JP2011228495A (ja) 半導体デバイス貫通電極形成用のガラス基板の製造方法および半導体デバイス貫通電極形成用のガラス基板
TWI698401B (zh) 玻璃基板之穿孔製作方法
TWI715138B (zh) 具有可變焦長機制的貝塞爾雷射系統
US20170131556A1 (en) Laser via drilling apparatus and methods
Martens et al. Laser-based target preparation in 3D integrated electronic packages
RU2546719C1 (ru) Способ получения рельефа на поверхности
US20240112970A1 (en) Singulation of integrated circuit package substrates with glass cores
US20240113072A1 (en) Singulation of integrated circuit package substrates with glass cores
US20240112971A1 (en) Singulation of integrated circuit package substrates with glass cores
Franz et al. Ultrashort Pulsed Laser Drilling of Printed Circuit Board Materials. Materials 2022, 15, 3932
JP2004223533A (ja) レーザ加工方法
Dahal et al. Sub-surface laser damage in sapphire and silicon: A path towards laser wafering