EA030900B1 - Устройство для конверсии метана с использованием реактора со сверхзвуковым потоком - Google Patents

Устройство для конверсии метана с использованием реактора со сверхзвуковым потоком Download PDF

Info

Publication number
EA030900B1
EA030900B1 EA201500256A EA201500256A EA030900B1 EA 030900 B1 EA030900 B1 EA 030900B1 EA 201500256 A EA201500256 A EA 201500256A EA 201500256 A EA201500256 A EA 201500256A EA 030900 B1 EA030900 B1 EA 030900B1
Authority
EA
Eurasian Patent Office
Prior art keywords
reactor
shell
supersonic
stream
methane
Prior art date
Application number
EA201500256A
Other languages
English (en)
Other versions
EA201500256A1 (ru
Inventor
Роберт Л. Бедард
Кристофер Нонхеймер
Гэвин П. Таулер
Лаура Е. Леонард
Грегори О. Вудкок
Доналд Л. Миттендорф
Original Assignee
Юоп Ллк
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Юоп Ллк filed Critical Юоп Ллк
Publication of EA201500256A1 publication Critical patent/EA201500256A1/ru
Publication of EA030900B1 publication Critical patent/EA030900B1/ru

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J3/00Processes of utilising sub-atmospheric or super-atmospheric pressure to effect chemical or physical change of matter; Apparatus therefor
    • B01J3/008Processes carried out under supercritical conditions
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J19/00Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J19/02Apparatus characterised by being constructed of material selected for its chemically-resistant properties
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J19/00Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J19/24Stationary reactors without moving elements inside
    • B01J19/2415Tubular reactors
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J19/00Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J19/26Nozzle-type reactors, i.e. the distribution of the initial reactants within the reactor is effected by their introduction or injection through nozzles
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J6/00Heat treatments such as Calcining; Fusing ; Pyrolysis
    • B01J6/008Pyrolysis reactions
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07CACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C2/00Preparation of hydrocarbons from hydrocarbons containing a smaller number of carbon atoms
    • C07C2/76Preparation of hydrocarbons from hydrocarbons containing a smaller number of carbon atoms by condensation of hydrocarbons with partial elimination of hydrogen
    • C07C2/78Processes with partial combustion
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C10PETROLEUM, GAS OR COKE INDUSTRIES; TECHNICAL GASES CONTAINING CARBON MONOXIDE; FUELS; LUBRICANTS; PEAT
    • C10GCRACKING HYDROCARBON OILS; PRODUCTION OF LIQUID HYDROCARBON MIXTURES, e.g. BY DESTRUCTIVE HYDROGENATION, OLIGOMERISATION, POLYMERISATION; RECOVERY OF HYDROCARBON OILS FROM OIL-SHALE, OIL-SAND, OR GASES; REFINING MIXTURES MAINLY CONSISTING OF HYDROCARBONS; REFORMING OF NAPHTHA; MINERAL WAXES
    • C10G50/00Production of liquid hydrocarbon mixtures from lower carbon number hydrocarbons, e.g. by oligomerisation
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2219/00Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J2219/00049Controlling or regulating processes
    • B01J2219/00051Controlling the temperature
    • B01J2219/00074Controlling the temperature by indirect heating or cooling employing heat exchange fluids
    • B01J2219/00087Controlling the temperature by indirect heating or cooling employing heat exchange fluids with heat exchange elements outside the reactor
    • B01J2219/00094Jackets
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2219/00Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J2219/00049Controlling or regulating processes
    • B01J2219/00051Controlling the temperature
    • B01J2219/00121Controlling the temperature by direct heating or cooling
    • B01J2219/00123Controlling the temperature by direct heating or cooling adding a temperature modifying medium to the reactants
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2219/00Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J2219/00049Controlling or regulating processes
    • B01J2219/00051Controlling the temperature
    • B01J2219/00157Controlling the temperature by means of a burner
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2219/00Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J2219/02Apparatus characterised by their chemically-resistant properties
    • B01J2219/0204Apparatus characterised by their chemically-resistant properties comprising coatings on the surfaces in direct contact with the reactive components
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2219/00Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J2219/02Apparatus characterised by their chemically-resistant properties
    • B01J2219/0204Apparatus characterised by their chemically-resistant properties comprising coatings on the surfaces in direct contact with the reactive components
    • B01J2219/0236Metal based
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2219/00Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J2219/02Apparatus characterised by their chemically-resistant properties
    • B01J2219/025Apparatus characterised by their chemically-resistant properties characterised by the construction materials of the reactor vessel proper
    • B01J2219/0263Ceramic
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2219/00Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J2219/02Apparatus characterised by their chemically-resistant properties
    • B01J2219/025Apparatus characterised by their chemically-resistant properties characterised by the construction materials of the reactor vessel proper
    • B01J2219/0277Metal based
    • B01J2219/0281Metal oxides
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2219/00Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J2219/02Apparatus characterised by their chemically-resistant properties
    • B01J2219/025Apparatus characterised by their chemically-resistant properties characterised by the construction materials of the reactor vessel proper
    • B01J2219/0277Metal based
    • B01J2219/0286Steel
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2219/00Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J2219/02Apparatus characterised by their chemically-resistant properties
    • B01J2219/025Apparatus characterised by their chemically-resistant properties characterised by the construction materials of the reactor vessel proper
    • B01J2219/0277Metal based
    • B01J2219/029Non-ferrous metals
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C10PETROLEUM, GAS OR COKE INDUSTRIES; TECHNICAL GASES CONTAINING CARBON MONOXIDE; FUELS; LUBRICANTS; PEAT
    • C10GCRACKING HYDROCARBON OILS; PRODUCTION OF LIQUID HYDROCARBON MIXTURES, e.g. BY DESTRUCTIVE HYDROGENATION, OLIGOMERISATION, POLYMERISATION; RECOVERY OF HYDROCARBON OILS FROM OIL-SHALE, OIL-SAND, OR GASES; REFINING MIXTURES MAINLY CONSISTING OF HYDROCARBONS; REFORMING OF NAPHTHA; MINERAL WAXES
    • C10G2300/00Aspects relating to hydrocarbon processing covered by groups C10G1/00 - C10G99/00
    • C10G2300/10Feedstock materials
    • C10G2300/1025Natural gas
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C10PETROLEUM, GAS OR COKE INDUSTRIES; TECHNICAL GASES CONTAINING CARBON MONOXIDE; FUELS; LUBRICANTS; PEAT
    • C10GCRACKING HYDROCARBON OILS; PRODUCTION OF LIQUID HYDROCARBON MIXTURES, e.g. BY DESTRUCTIVE HYDROGENATION, OLIGOMERISATION, POLYMERISATION; RECOVERY OF HYDROCARBON OILS FROM OIL-SHALE, OIL-SAND, OR GASES; REFINING MIXTURES MAINLY CONSISTING OF HYDROCARBONS; REFORMING OF NAPHTHA; MINERAL WAXES
    • C10G2400/00Products obtained by processes covered by groups C10G9/00 - C10G69/14
    • C10G2400/24Acetylene and homologues

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Combustion & Propulsion (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Production Of Liquid Hydrocarbon Mixture For Refining Petroleum (AREA)

Abstract

Устройство и способы для конверсии метана, содержащегося в сырьевом потоке, в ацетилен. Углеводородный поток вводят в сверхзвуковой реактор и подвергают пиролизу для конверсии по меньшей мере части метана в ацетилен. Выходящий из реактора поток может быть подвергнут обработке для конверсии ацетилена в другой углеводородный продукт.

Description

Настоящая заявка испрашивает приоритет согласно предварительной заявки на патент США № 61/691321, поданной 21.08.2012, и заявки на патент США № 13/967391, поданной 15.08.2013.
Область техники, к которой относится изобретение
Описаны устройство для конверсии метана и способ конверсии метана, содержащегося в потоке углеводородов, в ацетилен, использующие реактор со сверхзвуковым потоком.
Уровень техники
В нефтехимической промышленности значительная часть мирового спроса приходится на материалы, содержащие легкие олефины, включающие этилен и пропилен. Легкие олефины используют при производстве многочисленных химических продуктов посредством полимеризации, олигомеризации, алкилирования и других хорошо известных химических реакций. Эти легкие олефины являются важными компонентами для современной нефтехимической и химической промышленностей. В связи с этим производство больших количеств материала, содержащего легкие олефины, экономичным способом является важной задачей в нефтехимической промышленности. Основным источником этого материала в современной нефтепереработке является паровой крекинг нефтяного сырья.
Крекинг углеводородов, осуществляемый путем нагревания исходного сырья в печи, давно используется для производства полезных продуктов, включающих, например, олефиновые продукты. В частности, этилен, который относится к более важным продуктам в химической промышленности, может быть произведен путем пиролиза исходного сырья в интервале от легких парафинов, таких как этан и пропан, до тяжелых фракций, таких как нафта. Обычно более легкое исходное сырье позволяет получить более высокий выход этилена (50-55% в случае использования в качестве сырья этана по сравнению с 25-30% при использовании нафты). Однако при выборе используемого сырья определяющим фактором является, скорее всего, его стоимость. В течение многих лет крекинг нафты служит крупнейшим источником получения этилена, после которого следует отметить пиролиз этана и пропана, крекинг или дегидрогенизацию. Вследствие значительной потребности в этилене и других легких олефиновых материалах стоимость указанных традиционных типов сырья непрерывно возрастает.
Потребление энергии является другим фактором, влияющим на стоимость производства химических продуктов методом пиролиза из различного типа исходного сырья. В течение нескольких прошлых десятилетий были достигнуты значительные усовершенствования в части повышения эффективности процесса пиролиза, что уменьшило производственные затраты. В типичной или традиционной пиролизной установке исходное сырье проходит через множество труб теплообменника, в которых оно нагревается до температуры пиролиза за счет внешнего подвода теплоты от продуктов сгорания нефтяного топлива или природного газа и воздуха. Одним из более важных этапов, проведенных для минимизации производственных затрат, было снижение времени пребывания сырья в трубах теплообменника, размещенного в пиролизной печи. Снижение времени пребывания сырья в трубах теплообменника повышает выход желаемого продукта и в то же время уменьшает образование тяжелых побочных продуктов, которые имеют тенденцию осаждаться на стенках труб для пиролиза. Однако в традиционных процессах пиролиза остается мало возможностей для снижения времени нахождения сырья в теплообменнике или общего потребления энергии.
Предпринятые в последнее время попытки уменьшить затраты на производство легких олефинов включали использование альтернативных процессов и/или сырьевых потоков. Согласно одному предложению в качестве альтернативного сырья для производства продуктов, содержащих легкие олефины, используют оксигенаты из углеводородов и, в частности, метанол или диметилэфир (DME). Оксигенаты могут быть получены из доступных материалов, таких как уголь, природный газ, утилизированные полимерные материалы (пластмассы), потоки различных углеродсодержащих отходов из промышленных предприятий и различные продукты и побочные продукты сельскохозяйственного производства. Производство метанола и других оксигенатов из этих типов сырьевого материала хорошо разработано и обычно включает один или более общеизвестных процессов, таких как производство синтетического газа с использованием никелевого или кобальтового катализатора на стадии парового риформинга, после которого проводят стадию синтеза метанола при относительного высоком давлении с использованием катализатора на основе меди.
Технологический процесс, проводимый непосредственно после образования оксигенатов, включает каталитическую конверсию оксигенатов, таких как метанол, в желаемые легкие олефины в процессе конверсии оксигената в олефин (ОТО). Методы конверсии оксигенатов, в частности метанола в легкие олефины (МТО), раскрыты в патентном документе US 4387263, в котором описан процесс получения легких олефинов с использованием зоны каталитической конверсии, содержащей цеолитный катализатор, подобный ZSM-5. С другой стороны, в патентных документах US 5095163, US 5126308 и US 5191141 описан технологический процесс конверсии МТО, в котором в качестве материала для катализатора используется нецеолитное молекулярное сито, в частности молекулярное сито из алюмофосфатов металлов (ELAPO). Процессы ОТО и МТО, хотя они и эффективные, используют косвенный способ образования желаемого углеводородного продукта, осуществляемый посредством первоначального превращения сырья в оксигенат и последующей конверсии оксигената в углеводородный продукт. Этот непрямой путь производства часто связан с потерями энергии и увеличением производственных затрат, что в большин
- 1 030900 стве случаев уменьшает преимущество, достигаемое за счет использования менее дорогостоящего сырьевого материала.
В последнее время были предприняты попытки использования пиролиза для конверсии природного газа в этилен. В документе US 7183451 описано нагревание природного газа до температуры, при которой некоторая его часть превращается в водород и углеводородный продукт, такой как ацетилен и этилен. Поток полученного продукта затем быстро охлаждают (подвергают закалке) для прекращения дальнейшей реакции и последующего реагирования в присутствии катализатора с образованием подлежащей транспортированию жидкой фракции. Полученная в конечном счете жидкая фракция включает нафту, бензин и дизельное топливо. Несмотря на то, что этот способ, возможно, является более эффективным для конверсии части природного газа в ацетилен или этилен, считается, что он может обеспечивать только 40% выхода ацетилена из потока метанового сырья. Хотя было установлено, что более высокие температуры в сочетании с коротким временем пребывания в реакционной зоне могут повысить количество полученного продукта, дальнейшему усовершенствованию рассмотренного способа в этом отношении препятствуют технические ограничения.
Несмотря на то, что описанные выше традиционные пиролизные системы обеспечивают конверсию этана и пропана в другие полезные углеводородные продукты, они показывают и подтверждают неэффективность или неэкономичность конверсии метана в другие продукты, такие, например, как этилен. Хотя вышеуказанная технология МТО является весьма перспективной, известные способы могут быть дорогостоящими вследствие использования косвенного пути образования желаемого продукта. Из-за непрерывного увеличения стоимости сырья для проведения традиционных способов, такого как этан и нафта, и избыточной подачи и соответствующей низкой стоимости природного газа и других располагаемых источников метана, например, обладающего в последнее время большой доступностью сланцевого газа, желательно обеспечить оправданные и экономически эффективные в коммерческом отношении пути использования метана в качестве сырья для производства этилена и других полезных продуктов.
Подробное описание
Одна предложенная альтернатива предшествующим способам производства олефинов, которые не имеют большой коммерческой привлекательности, включает транспортирование углеводородного сырья в сверхзвуковой реактор и ускорение потока до сверхзвуковой скорости для получения кинетической энергии, которая может быть превращена в тепловую энергию, обеспечивающую протекание эндотермической реакции пиролиза. Варианты такого способа изложены в патентных документах US 4136015, US 4724272 и SU392723A и включают сжигание исходного сырья или текучей среды-носителя в условиях избытка кислорода для повышения температуры сырья и его ускорения до сверхзвуковых скоростей. В реакторе образуется скачок уплотнения, что инициирует процесс пиролиза или крекинга сырья.
Позднее был предложен подобный способ, в котором используется реактор со скачком уплотнения для приобретения кинетической энергии, необходимой для инициирования пиролиза природного газа с получением ацетилена (патентные документы US 5219530 и US 5300216). Более конкретно, этот способ включает прохождение водяного пара через секцию нагревателя для получения перегретого пара и ускорения до скорости близкой к сверхзвуковой. Нагретую текучую среду транспортируют в сопло, в котором текучая среда-носитель расширяется с повышением скорости до сверхзвуковой и снижением температуры. Исходное этановое сырье проходит через компрессор и нагреватель и инжектируется форсунками для смешивания со сверхзвуковым потоком теплоносителя в условиях турбулентного смешения при скорости 2,8 Маха и температуре 427°С. Температура на участке смешения остается достаточно низкой для исключения преждевременного пиролиза. Реактор со скачком уплотнения содержит участок пиролиза с постепенно увеличивающейся площадью поперечного сечения, на котором формируется прямой скачок уплотнения за счет противодавления в реакторе, обусловленного изменением сечения потока на выходе. Скачок уплотнения резко снижает скорость текучей среды, и соответственно резко повышается температура смеси за счет превращения кинетической энергии потока в тепловую энергию. Это непосредственно инициирует пиролиз этанового сырья и его конверсию в другие продукты.
Теплообменник быстрого охлаждения (закалки) затем принимает подвергнутую пиролизу смесь и останавливает реакцию пиролиза.
Ниже описаны, в общих чертах, способы и устройство для конверсии углеводородных компонентов, содержащихся в потоках метанового сырья, использующие сверхзвуковой реактор. Используемый здесь термин поток метанового сырья включает любой сырьевой поток, содержащий метан. Потоки метанового сырья, направляемые на обработку в сверхзвуковом реакторе, обычно содержат метан и образуют по меньшей мере часть обрабатываемого потока. Описанные здесь устройство и способы обеспечивают конверсию по меньшей мере части метана в желаемое углеводородное соединение с получением потока продукта, имеющего более высокую концентрацию полученного углеводородного соединения по отношению к сырьевому потоку.
Используемый здесь термин углеводородный поток относится к одному или большему числу потоков, которые образуют по меньшей мере часть потока метанового сырья, поступающего в описанный здесь сверхзвуковой реактор или полученного в сверхзвуковом реакторе из потока метанового сырья, независимо от того, проводят ли дальнейшую обработку такого углеводородного потока. Со ссылкой на
- 2 030900 пример, углеводородный поток может включать поток метанового сырья, поток продукта, выходящего из сверхзвукового реактора, поток желаемого продукта, выходящего после проведения ниже по потоку процесса конверсии углеводородов, или любые промежуточные потоки или потоки побочных продуктов, полученных при проведении описанных здесь технологических процессов. Углеводородный поток может быть транспортирован через линию технологического потока, которая включает линии для транспортирования каждой из частей технологического потока, описанные ниже. Используемый здесь термин технологический поток означает углеводородный поток, а также может означать поток текучей среды-носителя, поток топлива, поток источника кислорода или любые потоки, используемые в системах и описанных здесь способах. Технологический поток может быть транспортирован через трубопроводную линию для технологического потока, которая содержит линии для транспортирования каждой из частей технологического потока. Любой из потока метанового сырья, потока топлива и потока источника кислорода может быть предварительно нагрет, например, с помощью одного или большего числа нагревателей.
Предшествующие попытки конверсии сырьевых потоков, содержащих легкие парафины или алканы, включая этановые и пропановые сырьевые потоки, в другие углеводороды, используя для конверсии реакторы со сверхзвуковым потоком, показали перспективу в достижении более высокого выхода желаемых продуктов из конкретного сырьевого потока, по сравнению с другими более традиционными пиролизными установками. Способность таких способов конверсии обеспечить весьма высокие температуры реакции при очень коротком соответствующем времени пребывания потока в реакторе предполагает значительный шаг вперед по сравнению с традиционными способами пиролиза. В последнее время было установлено, что способы с использованием реакторов со сверхзвуковым потоком могут также обеспечить конверсию метана в ацетилен и другие полезные углеводороды, в то время как более традиционные способы пиролиза были неспособны или неэффективны для проведения таких процессов конверсии.
Однако большинство проведенных ранее работ с системами (установками), содержащими сверхзвуковой реактор, было основано на теории или научных исследованиях и, следовательно, они не были направлены на решение проблем, связанных с практическим осуществлением процесса пиролиза в промышленном масштабе. Кроме того, многие из ранее опубликованных сведений или сообщений не рассматривали вопрос использования сверхзвуковых реакторов для осуществления пиролиза потока метанового сырья и были сфокусированы, главным образом, на пиролизе этана и пропана. Одна проблема, которая была недавно выявлена в отношении применения реактора со сверхзвуковым потоком для пиролиза легких алканов и, в частности, пиролиза метанового сырья с получением из него ацетилена и других полезных продуктов, заключается в негативных разрушающих воздействиях, которые могут оказывать на реактор со сверхзвуковым потоком и другое связанное с ним оборудование жесткие рабочие параметры проведения пиролиза метана. Проведенные ранее работы не принимали полностью во внимание или не были направлены на решение проблемы, связанной с жесткими рабочими параметрами процесса пиролиза. Например, сверхзвуковой реактор может работать при температурах вплоть до 3000°С или выше наряду с высокими давлениями. Эти высокие температуры и давления создают опасность механических повреждений (разрушений) стенок реактора в результате плавления, образования трещин или деформации ползучести. В частности, при высокой температуре было обнаружено, что образовавшиеся горячие пятна на стенках могут указывать на плавление корпуса. Кроме того, даже в случае выполнения стенок охлаждаемыми может происходить разрушение, связанное с химическими процессами, такими, например, как окислительно-восстановительные реакции, образующие не пассивные химически реагирующие продукты, которые захватываются газовым потоком, что приводит к рецессии. Помимо этого, может происходить окисление переходных металлов с образованием неадгезивных оксидов, которые захватываются газовым потоком.
Кроме того, поток носителя и сырьевой поток могут проходить через реактор со сверхзвуковой скоростью, что может быстро привести к эрозии многих материалов, которые могут быть использованы для изготовления корпуса реактора. К тому же, определенные вещества и примеси, которые могут присутствовать в потоке углеводородов, могут вызвать процессы коррозии, окисления и/или восстановления на стенках корпуса реактора и в других оборудовании или компонентах реактора. Факторами, создающими проблемы коррозии, окисления и/или восстановления, могут быть, например, такие вещества, как сероводород, вода, метантиол, арсин, пары ртути, а также карбидизация посредством реагирования с самим топливом или водородное охрупчивание. Другая проблема, которая может существовать при высоких температурах, заключается в реагировании с переходными частицами, такими как радикалы, например, гидроксид.
В соответствии с описанными здесь воплощениями обеспечиваются устройство и способы для конверсии метана, содержащегося в потоках углеводородов, в ацетилен и другие продукты. Устройство в соответствии с настоящим описанием и его использование рассмотрены здесь с точки зрения улучшения всего процесса пиролиза сырья, содержащего легкие алканы, включая метановой сырье, с получением ацетилена и других полезных продуктов. Описанные здесь устройство и способы, кроме того, улучшают способность устройства и относящихся к нему компонентов и оборудования оказывать сопротивление ухудшению состояния и возможному разрушению из-за экстремальных рабочих условий внутри реакто
- 3 030900 ра.
В соответствии с одним воплощением описанные здесь устройство и способы используются для обработки технологического углеводородного потока путем конверсии по меньшей мере части метана, содержащегося в технологическом потоке углеводородов, в ацетилен. Указанный технологический углеводородный поток включает поток метанового сырья, подводимого в систему, который содержит метан и, кроме того, может содержать этан и пропан. Поток метанового сырья может также содержать смеси метана, этана и пропана с различными концентрациями и может, кроме того, содержать другие углеводородные соединения, а также примеси. В соответствии с одним воплощением поток углеводородного сырья представляет собой природный газ. Природный газ может поступать из широкого круга источников, включающих, не в качестве ограничения, месторождения природного газа, нефтяные месторождения, угольные пласты, гидроразрыв сланцевых месторождений нефти, биомассу, биогаз. Согласно другому воплощению поток метанового сырья может представлять собой поток, отведенный из одного из участков нефтеперерабатывающего предприятия или нефтехимической установки. Например, легкие алканы, включающие метан, в большинстве случаев разделяют во время переработки сырой нефти на различные продукты, и поток метанового сырья может поступать от одного из таких источников сырья. Эти потоки могут быть обеспечены из одного и того же нефтеперерабатывающего предприятия или из различных нефтеперерабатывающих предприятий или в виде газообразных отходов нефтеперерабатывающего предприятия. Поток сырьевого метана может представлять собой также поток, полученный из сочетания различных источников.
В соответствии с описанными здесь способами и системами поток метанового сырья может быть направлен из удаленного места или обеспечен в месте или местах размещения и использования описанных здесь систем и способов. Источник потока метанового сырья может находиться на том же нефтеперерабатывающем предприятии или предприятии химической переработки углеводородов, где осуществляются описанные здесь способы и системы, например, поток метанового сырья может быть получен в результате другого, осуществляемого на месте, процесса конверсии углеводородов или может поступать из местного газового месторождения. В то же время поток метанового сырья может быть обеспечен из удаленного источника с помощью магистральных трубопроводных линий или других средств транспортирования. Например, сырьевой поток может поступать из удаленного нефтеперерабатывающего предприятия или предприятия химической переработки углеводородов и может быть использован в качестве сырья для описанных здесь систем и способов. Первоначальная обработка метанового потока может быть произведена вблизи удаленного источника с целью извлечения из потока метанового сырья определенных примесей (загрязнений). В том случае, если такая первоначальная обработка осуществляется, её можно рассматривать как составляющую описанных здесь способов и систем. Поток метанового сырья, подаваемый для рассматриваемых здесь систем и способов, может иметь различные уровни содержания примесей, в зависимости от того, будет ли произведена предварительная обработка потока метанового сырья выше по ходу движения потока.
В одном примере поток метанового сырья имеет содержание метана в интервале от 65 до 100 мол.%. В другом примере содержание метана в углеводородном сырье находится в интервале от 80 до 100 мол.%. Ещё в одном примере содержание метана в углеводородном сырье находится в интервале от 90 до 100 мол.%.
В одном примере содержание этана в метановом сырье находится в интервале от 0 до 35 мол.%, в другом примере от 0 до 10 мол.%. В одном примере содержание пропана в метановом сырье находится в интервале от 0 до 5 мол.% и в другом примере от 0 до 1 мол.%.
Поток метанового сырья может также содержать тяжелые углеводороды, в частности, ароматические углеводороды, парафиновые, олефиновые и нафтеновые углеводороды. Эти тяжелые углеводороды, если они присутствуют, будут, вероятно, присутствовать с концентрациями в интервале от 0 до 100 мол.%. В другом примере они могут присутствовать с концентрациями в интервале от 0 до 10 мол.% и могут присутствовать с концентрациями в интервале от 0 до 2 мол.%.
Описанные здесь устройство и способ для получения ацетилена из потока метанового сырья используют реактор со сверхзвуковым потоком для пиролиза метана, содержащегося в сырьевом потоке, с образованием ацетилена. Реактор со сверхзвуковым потоком может включать в себя один или большее число реакторов, способных создавать сверхзвуковой поток текучей среды-носителя и потока метанового сырья и расширение потока текучей среды-носителя для инициирования реакции пиролиза. Согласно одному воплощению способ может включать использование сверхзвукового реактора, описанного в общих чертах в патентном документе US 4724272, включенном полностью в настоящее описание посредством ссылки. Согласно другому воплощению способ и система могут содержать сверхзвуковой реактор, в частности, реактор со скачком уплотнения, такой как описан в патентных документах US 5219530 и US 5300216, которые включены полностью в настоящее описание посредством ссылки. В соответствии с ещё одним воплощением сверхзвуковой реактор, известный как реактор со скачком уплотнения, может представлять собой реактор, описанный в докладе Supersonic Injection and Mixing in the Shock Wave Reactor Robert G. Cerff, University of Washington Graduate School, 2010.
Хотя в предложенном способе могут быть использованы различные реакторы со сверхзвуковым по
- 4 030900 током, в качестве примера показан сверхзвуковой реактор. Сверхзвуковой реактор содержит корпус реактора, образующий большей частью реакционную камеру. Хотя реактор показан в виде единственного реактора, следует понимать, что он может быть выполнен из модулей или отдельных корпусов. Если реактор выполнен из модулей или в виде отдельных компонентов, эти модули или отдельные компоненты реактора могут быть соединены вместе постоянно или на временной основе, или могут быть отделены друг от друга, при этом текучие среды могут находиться в них за счет использования других средств, таких, например, как регулирование разности давления между соответствующими модулями или компонентами. Реактор содержит зону горения или камеру сгорания для сжигания топлива и образования текучей среды-носителя с желаемой температурой и расходом. По усмотрению, реактор может содержать входное отверстие для текучей среды-носителя для ввода в реактор дополнительной текучей средыносителя. Для инжектирования сжигаемого топлива, например водорода, в камеру сгорания реактор снабжен одной или большим количеством топливных форсунок (топливных инжекторов). Для инжектирования в камеру источника кислорода, способствующего сжиганию топлива, могут быть использованы те же или другие форсунки. Топливо и источник кислорода могут быть инжектированы в осевом направлении, тангенциальном направлении, радиальном направлении или ином направлении, включая сочетание указанных направлений. Топливо и кислород сжигают с получением потока горячего газа-носителя, обычно имеющего температуру в интервале от 1200°С до 3500°С в одном примере, от 2000°С до 3500°С в другом примере и от 2500°С до 3200°С ещё в одном примере. Кроме того, предполагается получением потока текучей среды-носителя с помощью других известных способов, включая способы без сжигания топлива. В соответствии с одним примером поток текучей среды -носителя имеет давление 1 атм или выше, в другом примере давление составляет 2 атм или выше, и ещё в одном примере - более 4 атм.
Поток горячей текучей среды-носителя из зоны горения проходит через сверхзвуковое расширительное устройство, которое представляет собой сужающееся-расширяющееся сопло для ускорения потока текучей среды-носителя до скорости более 1,0 Маха в одном примере, до скорости в интервале от 1,0 до 4,0 Маха в другом примере и от 1,5 до 3,5 Маха ещё в одном примере. При этом время нахождения газа-носителя в указанной части реактора со сверхзвуковым потоком в одном примере составляет 0,5-100 мс, в другом примере 1,0-50 мс и ещё в одном примере 1,5-20 мс. Температура потока газа-носителя, проходящего через указанное сверхзвуковое расширительное устройство, в одном примере находится в интервале от 1000°С до 3500°С, в другом примере от 1200°С до 2500°С и ещё в одном примере от 1200°С до 2000°С.
Для инжектирования потока метанового сырья в реактор, где он смешивается с текучей средойносителем, служит устройство для подачи сырья. Устройство для подачи сырья может содержать один или большее количество инжекторов для инжекции исходного сырья в сопло, в зону смешивания, в зону диффузора или реакционную зону или камеру. Инжектор может быть выполнен в виде распределительного коллектора, содержащего, например, множество инжекционных отверстий или сопел для инжекции сырья в реактор.
Согласно одному воплощению реактор может содержать зону смешения для смешивания текучей среды-носителя и сырьевого потока. Согласно одному воплощению, реактор может содержать отдельную зону смешения, расположенную, например, между сверхзвуковым расширительным устройством и зоной расположения диффузора, в то время как в соответствии с другим решением зона смешения включена в диффузорный участок, и смешение может происходить в сопле, зоне расширения или в реакционной зоне реактора. Зона расширения образована расширяющейся стенкой для быстрого уменьшения скорости проходящих через неё газов, для превращения кинетической энергии потока теплоносителя в тепловую энергию с дополнительным нагреванием потока и инициированием пиролиза метана, содержащегося в сырье, что может происходить в зоне расширения и/или ниже по ходу движения потока от реакционной зоны реактора. Текучая среда быстро охлаждается в зоне быстрого охлаждения для прекращения реакции пиролиза, т.е. предотвращения дальнейшей конверсии желаемого продукта - ацетилена в другие химические соединения. Для ввода охлаждающей текучей среды, например, воды или водяного пара в зону быстрого охлаждения могут быть использованы форсунки.
Поток продукта (эффлюента) выходит из реактора через выпускное отверстие и, как отмечено выше, образует часть углеводородного потока. Указанный поток продукта будет иметь более высокую концентрацию ацетилена, чем сырьевой поток, и пониженную концентрацию метана по отношению к сырьевому потоку. Поток полученного в реакторе продукта может быть здесь именован также потоком ацетилена, т.к. он имеет повышенное содержание ацетилена. Поток ацетилена может быть промежуточным потоком в процессе образования другого углеводородного продукта, или он может быть подвергнут дополнительной обработке и извлечен в качестве потока продукта, содержащего ацетилен. В одном примере поток полученного в реакторе продукта имеет перед вводом охлаждающей среды концентрацию ацетилена в интервале от 2 до 30 мол.%. В другом примере концентрация ацетилена находится в интервале от 5 до 25 мол.% и в ещё одном примере от 8 до 23 мол.%.
Корпус реактор содержит оболочку. Следует отметить, что термин оболочка реактора относится к стенке или стенкам, образующим корпус реактора, который образует реакционную камеру. Оболочка
- 5 030900 реактора обычно имеет кольцевую структуру, в целом образующую полую внутри центральную реакционную камеру. Оболочка реактора может содержать единственный слой материала, структуру с единственным композитом или ряд оболочек, при этом одна или большее количество оболочек размещены в одной или большем количестве других оболочек. Оболочка реактора может также содержать различные зоны, компоненты и/или модули сверхзвукового реактора, указанные выше и дополнительно описанные ниже. Оболочка реактора может быть выполнена в виде одного единственного элемента, образующего все различные зоны реактора и его компоненты, или оболочка может быть модульной, состоящей из различных модулей, образующих различные зоны реактора и/или компоненты.
В соответствии с одним воплощением один или большее количество участков стенки реактора или оболочки сформованы посредством литья. При этом указанные один или большее количество участков могут быть не образованы с помощью сварки или формования или других способов изготовления, хотя на отливке может быть осуществлена дополнительная обработка, как это описано ниже. Без привлечения какой-либо теории предполагается, что поскольку сварные швы в большинстве случаев имеют остаточные напряжения, формированием стенки или стенок реактора с помощью сварки можно изготовить реактор, который в большей степени может быть подвержен повреждению и разрушению при высоких температурах и давлениях. Кроме того, благодаря изменению микроструктуры и возможным градиентам состава сварные швы в большей степени могут быть подвержены коррозии и разрушению. Подобным образом, считается, что формование стенок реактора может привести к значительным остаточным напряжениям в стенках реактора, что обуславливает подобные проблемы функционирования реактора при высоких температурах и давлениях. Таким образом, за счет формования части оболочки реактора посредством литья обеспечивается более изотропная микроструктура. Литая часть оболочки реактора может обеспечить коррозионную стойкость по сравнению с подобными элементами конструкции, изготовленными с помощью других способов, таких как сварка или штамповка. Формование оболочки реактора с помощью литья может также обеспечить большую равномерность теплового потока и большую равномерность температуры в указанном элементе реактора. Формирование части оболочки реактора из отливки может, кроме того, обеспечить лучшую характеристику высокотемпературной ползучести, более равномерную высокотемпературную ползучесть и большее сопротивление разрушению (большую прочность) по сравнению с формированием оболочки с помощью других методов.
В соответствии с одним воплощением литье может включать направленное литье для обеспечения повышенной термостойкости и стойкости к ползучести при повышенных реакционных температурах и давлениях. Согласно одному воплощению отливка содержит структуру из столбчатых кристаллов. Согласно другому воплощению отливка содержит монокристаллическую структуру.
Отливка может быть получена из одного или большего числа материалов, как это более подробно описано ниже. Литая часть реактора может быть дополнительно обработана с помощью различных способов, известных в уровне техники. Например, литая оболочка реактора может быть, покрыта так, как это описано здесь дополнительно, подвергнута тепловой обработке, отпуску, обуглерожена, азотирована или обработана другими известными способами для улучшения её свойств.
Для формирования всей оболочки реактора может быть использована единственная отливка, или же оболочка реактора может содержать отдельно отлитые компоненты или модули, более подробно описанные ниже, которые объединены с образованием оболочки реактора. Кроме того, если оболочка реактора содержит различные слои, включая покрытия, внутреннюю и внешнюю оболочки и т.п., описанные более подробно ниже, эти слои могут быть отлиты отдельно или заодно, и после этого поддерживаются отдельно друг от друга или могут быть соединены вместе.
В соответствии с другими различными воплощениями одна или большее количество частей оболочки сверхзвукового реактора могут быть образованы известными способами, иными, чем литье, например, с использованием порошковой металлургии, и в этом случае плотность указанной части оболочки может быть повышена с помощью горячего изостатического прессования, позволяющего спрессовать порошок с основой, или посредством лазерного спекания порошка, или других подходящих способов спекания; или указанная часть оболочки может быть получена из заготовки посредством механической обработки на станке.
В одном воплощении по меньшей мере часть оболочки реактора выполнена из материала, имеющего высокую температуру плавления для того, чтобы она выдерживала высокие рабочие температуры в сверхзвуковом реакторе. Согласно одному воплощению один или большее число материалов, образующих часть оболочки реактора, могут иметь продолжительную малоцикловую усталостную долговечность, высокий предел прочности на растяжение, сопротивление ползучести и механическому разрушению, сопротивляемость к окислению и совместимость с охлаждающей средой и топливами. В одном примере по меньшей мере часть оболочки реактора выполнена из материала, имеющего температуру плавления в интервале от 1200°С до 4000°С, в другом примере от 1200°С до 4000°С, и ещё в одном примере от 1800°С до 3500°С. Используемые материалы, кроме того, могут демонстрировать стабильность микроструктуры при проведении различных процессов тепловой и механической обработки, совместимость с процессами термосварки и хорошую адгезию стойких к окислению покрытий. Некоторые пред
- 6 030900 почтительные материалы для формования по меньшей мере части оболочки реактора включают суперсплавы (высоколегированные сплавы) и алюминиды никеля и гамма алюминиды титана. Согласно одному воплощению указанный суперсплав представляет собой суперсплав на основе никеля, и в одном воплощении суперсплав представляет собой суперсплав на основе железа.
Согласно одному воплощению оболочка реактора или часть стенки выполнена из суперсплава. При этом стенка может обеспечить исключительную механическую прочность и сопротивление ползучести при температурах горения и пиролиза, имеющих место в реакторе. В результате предложенное устройство может также ограничить возможность плавления и повреждения, обусловленного рабочими температурами и давлениями в камере реактора.
В соответствии с другим воплощением часть оболочки реактора выполнена из материала, выбранного из группы, включающей карбид, нитрид, диборид титана, сиалоновую керамику, диоксид циркония, диоксид тория, углерод-углеродный композит, вольфрам, тантал, молибден, хром, никель и их сплавы.
В соответствии с ещё одним воплощением часть оболочки реактора выполнена в виде отливки, которая содержит компонент, выбранный из группы, включающей двухфазную (или дуплексную) нержавеющую сталь, супер двухфазную нержавеющую сталь и высокотемпературный сплав на основе никеля, обладающий низкой ползучестью.
Для обеспечения хорошей коррозионной стойкости в состав материала могут быть включены хром и никель.
В соответствии с другим воплощением стенки реактора выполнены из материала, обладающего высокой теплопроводностью. Поэтому тепло от реакционной камеры может быть быстро отведено. Это может предотвратить нагревание внутренней поверхности оболочки реактора до поверхностной температуры равной или близкой температуре в реакторе, что может привести к плавлению, химическому возгоранию или другому повреждению стенок оболочки реактора. В одном примере один или большее число участков реактора могут быть выполнены из материала, имеющего коэффициент теплопроводности в интервале от около 200 до около 500 Вт/м-К. В другом примере коэффициент теплопроводности находится в интервале от около 300 до около 450 Вт/м-К. В следующем примере коэффициент теплопроводности находится в интервале от около 200 до около 346 Вт/м-К и ещё в одном примере - от около 325 до около 375 Вт/м-К.
Было установлено, что в соответствии с рассматриваемым воплощением оболочка реактора может быть изготовлена из материала, имеющего относительно низкую температуру плавления, при условии, что он имеет весьма высокую теплопроводность. Поскольку в рассматриваемом воплощении теплота от реакционной камеры быстро отводится, оболочка реактора не подвержена в значительной степени воздействию температуры, имеющей место в реакторе. По этой причине за счет выполнения части оболочки реактора из материала, обладающего высокой теплопроводностью, этот материал может иметь температуру плавления ниже температуры в реакционной камере. В одном примере часть оболочки реактора выполнена из материала, имеющего температуру плавления в интервале от 500 до 2000°С. В другом примере часть оболочки реактора выполнена из материала, имеющего температуру плавления в интервале от 800 до 1300°С, и ещё в одном примере может быть выполнена из материала с температурой плавления от 1000 до 1200°С.
Согласно одному воплощению материал, обладающий высокой теплопроводностью, представляет собой металл или металлический сплав. В одном воплощении одна или большее число частей оболочки реактора могут быть выполнены из материала, выбранного из группы, включающей медь, серебро, алюминий, цирконий, ниобий, и их сплавы. В этой связи необходимо отметить, что один или более из перечисленных материалов могут быть использованы также для изготовления покрытия для основы оболочки реактора или для изготовления слоя многослойной оболочки реактора. Согласно одному воплощению часть оболочки реактора содержит медь или сплав меди. В одном примере часть оболочки реактора выполнена из материала, выбранного из группы, включающей сплав меди с хромом, сплав меди с цинком и хромом, сплав меди с хромом и ниобием, сплав меди с никелем и сплав меди с никелем и вольфрамом. В другом примере, часть оболочки реактора выполнена из сплава ниобия с серебром. Для интенсификации отвода теплоты от реакционной камеры может быть использовано охлаждение, обеспечивающее ускорение отвода теплоты от реакционной камеры так, чтобы температура оболочки реактора поддерживалась более низкой и была допустимой температурой.
Согласно другому воплощению оболочка реактора может содержать ряд слоев. Оболочка реактора содержит внутренний слой, образующий реакционную камеру, и внешний слой, образованный вокруг внутреннего слоя. Хотя оболочка реактора для упрощения пояснения содержит два слоя, следует понимать, что оболочка реактора может содержать три или большее количество слоев, включая один или большее число промежуточных слоев между внутренним слоем и внешним слоем. Кроме того, один или большее количество дополнительных слоев могут быть размещены снаружи внешнего слоя. Один или большее количество дополнительных слоев могут быть размещены внутри относительно внутреннего слоя.
Согласно одному воплощению внутренний слой представляет собой покрытие на внутренней по
- 7 030900 верхности внешнего слоя или любого из переходных промежуточных слоев. При этом внешний слой образует основу, на которую нанесено покрытие, формирующее внутренний слой. В качестве альтернативы внутренние слои могут обеспечить основу, на которую нанесено покрытие, формирующее внешний слой. В соответствии с этим воплощением один или оба из внутреннего слоя и внешнего слоя могут быть выполнены в виде отливки, как отмечено выше, или выполнены другими известными способами.
В одном воплощении по меньшей мере часть внутреннего слоя содержит материал с высокой температурой плавления, указанный выше. В соответствии с другим воплощением внутренний слой содержит материал, выбранный из группы, включающей карбид, нитрид, диборид титана, сиалоновую керамику, диоксид циркония, диоксид тория, углерод-углеродный композит, вольфрам, тантал, молибден, хром, никель и их сплавы. Согласно ещё одному воплощению внутренний слой выполнен из суперсплава, а согласно другому воплощению выполнен из материала, выбранного из группы, включающей двухфазную (или дуплексную) нержавеющую сталь, супер двухфазную нержавеющую сталь и высокотемпературный сплав на основе никеля, обладающий низкой ползучестью. При этом материал внутреннего слоя может быть выбран так, чтобы обеспечить подходящие рабочие характеристики реактора, в особенности, в связи с тем, что этот слой подвержен в реакционной камере воздействию жестких рабочих условий, включающих высокую температуру в камере.
В другом воплощении по меньшей мере часть внутреннего слоя содержит материал, обладающий высокой теплопроводностью, такой как указан выше. В соответствии с другим воплощением внутренний слой выполнен из материала, выбранного из группы материалов, включающей медь, серебро, алюминий, цирконий, ниобий и их сплавы. Согласно ещё одному воплощению внутренний слой выполнен из материала, выбранного из группы материалов, включающей сплав меди с хромом, сплав меди с цинком и хромом, сплав меди с хромом и ниобием, сплав меди с никелем и сплав меди с никелем и вольфрамом. В другом примере, часть оболочки реактора выполнена из сплава, содержащего ниобий и серебро. При этом материал внутреннего слоя может быть выбран так, чтобы обеспечить подходящие рабочие характеристики, в особенности, в связи с тем, что этот слой подвержен в реакционной камере воздействию жестких рабочих условий, включающих высокую температуру в камере.
Согласно одному воплощению внешний слой может быть выполнен из иного материала, чем внутренний слой. Материал внешнего слоя может быть выбран с возможностью выполнения функции несущего элемента конструкции или обеспечения другого желаемого свойства оболочки реактора. В одном примере внешний слой или промежуточный слой выполнен из коррозионно-стойкой стали. Другие подходящие материалы для образования внешнего слоя оболочки реактора включают, но не в качестве ограничения, двухфазную нержавеющую сталь, супер двухфазную нержавеющую сталь, высокотемпературный суперсплав на основе никеля, обладающий низкой ползучестью, высокотемпературный суперсплав Nimonic™ на основе никеля, обладающий низкой ползучестью, сплавы Inco™ 718, Haynes™ 230 или другие никелевые сплавы, в частности, Mar-М-247.
Согласно одному воплощению внутренний слой снабжен теплозащитным покрытием. Теплозащитное покрытие может быть выполнено из материала, который обладает желаемыми свойствами для использования в реакционной камере, такими, например, как высокая температура плавления, чтобы реактор выдерживал высокие температуры, имеющие место в реакционной камере. Например, теплозащитное покрытие может содержать диоксид циркония, стабилизированный оксидом иттрия, лантан и гексаалюминат лантана, легированный редкоземельными элементами, карбид гафния или вольфрам, поскольку указанные материалы имеют высокие температуры плавления, хорошие механические свойства при высоких рабочих температурах и дополнительно низкую теплопроводность.
В соответствии с одним воплощением между внутренним слоем и поверхностью внешнего слоя размещен соединительный слой, представляющий собой теплозащитное покрытие согласно одному воплощению. Соединительный слой может содержать сплавы NiCrAlY, NiCoCrAlY, которые нанесены на металлическую поверхность с помощью плазменного напыления или электронно-лучевого нанесения покрытия методом осаждения из паровой фазы (ЕВ/ PVD), или с помощью других способов, известных в уровне техники. Другие соединительные слои для медных сплавов могут включать слой NiAl, нанесенный с помощью плазменного напыления при низком давлении или плазменного напыления в вакууме, или с помощью других методов, известных в уровне техники.
Слоистая оболочка реактора может быть изготовлена любым известным способом, известным в уровне техники. Согласно одному воплощению покрытие внутреннего диаметра, полученное на оправке, может быть использовано для образования слоистой оболочки реактора за счет размещения покрытия на материале основы. В соответствии с другим воплощением для получения слоистой оболочки реактора на основе может быть образовано покрытие с помощью горячего изостатического прессования. В соответствии с другим воплощением для создания покрытия на основе может быть использован плакирующий слой. В соответствии с ещё одним воплощением внутренний слой и внешние слои могут быть образованы по отдельности и соединены друг с другом. Пример в этом воплощении включает раздельное литье внешнего слоя и внешнего слоя и соединение их с помощью сваркопайки с образованием слоистой оболочки реактора. Кроме того, может быть использовано бинарное литье при литье второго сплава вокруг первого сплава.
- 8 030900
Согласно другому воплощению по меньшей мере часть оболочки реактора может содержать внутреннюю оболочку и отделенную от неё внешнюю оболочку. Подобно описанной выше слоистой оболочке реактора, оболочка реактора, содержащая разделенные внутреннюю оболочку и внешнюю оболочку, позволяет внутренней оболочке выдерживать рабочие параметры реакционной камеры, в то время как внешняя оболочка обеспечивает основу структуры и/или другие желаемые свойства оболочки реактора.
В соответствии с одним воплощением по меньшей мере часть внутренней оболочки содержит материал с высокой температурой плавления из числа указанных выше. Согласно другому воплощению по меньшей мере часть внутренней оболочки выполнена из материала, выбранного из группы, включающей карбид, нитрид, диборид титана, сиалоновой керамики, диоксида циркония, диоксида тория, углеродуглеродного композита, вольфрамам, тантала, молибдена, хрома, никеля и их сплавов. Согласно ещё одному воплощению по меньшей мере часть внутреннего слоя выполнена из суперсплава, а согласно другому воплощению выполнена из материала, выбранного из группы, включающей двухфазную нержавеющую сталь, супер двухфазную нержавеющую сталь и высокотемпературный суперсплав на основе никеля, обладающий низкой ползучестью. При этом внутренняя оболочка может быть выбрана с возможностью обеспечения выгодных рабочих характеристик, в особенности, если она подвержена воздействию жестких рабочих параметров в реакционной камере.
В соответствии с другим воплощением по меньшей мере часть внутренней оболочки выполнена из материала с высокой теплопроводностью. Согласно другому воплощению внутренняя оболочка выполнена из материала, выбранного из группы, включающей медь, серебро, алюминий, цирконий, ниобий и их сплавы. Согласно ещё одному воплощению внутренняя оболочка выполнена из материала, выбранного из группы материалов, включающей сплав меди с хромом, сплав меди с цинком и хромом, сплав меди с хромом и ниобием, сплав меди с никелем и сплав меди с никелем и вольфрамом. В другом примере, внутренняя оболочка может быть выполнена из сплава, содержащего ниобий и серебро. В следующем воплощении внутренняя оболочка может быть выполнена из материала, содержащего медный сплав, подвергнутый дисперсионному твердению с выделением частиц второй фазы, которые позволяют сохранить высокую теплопроводность. При этом внутренняя оболочка может быть выбрана так, чтобы обеспечить подходящие рабочие характеристики, в особенности, в связи с тем, что в реакционной камере она находится под воздействием жестких рабочих условий, включающих высокую температуру в камере.
Согласно одному воплощению внешняя оболочка может быть выполнена из иного материала, чем внутренняя оболочка. Внешняя оболочка может быть выбрана для обеспечения функции несущего элемента конструкции или других желаемых свойств оболочки реактора. В одном примере внешняя оболочка внешнего слоя оболочки реактора включают, но не в качестве ограничения, двухфазную нержавеющую сталь, супер двухфазную нержавеющую сталь и высокотемпературный суперсплав на основе никеля, обладающий низкой ползучестью, высокотемпературный суперсплав на основе никеля, обладающий низкой ползучестью сплав Nimonic™ , Inco™ 718, Haynes™ 230 или другие никелевые сплавы, в частности, Mar-М-247.
В соответствии с одним воплощением один или оба из внутренней оболочки и внешней оболочки выполнены в виде отливки, как это описано выше.
Согласно одному воплощению внешняя оболочка включает в себя трубную доску. В соответствии с этим воплощением с внутренней стороны внешней оболочки размещена по меньшей мере одна дополнительная внутренняя оболочка с образованием второй реакционной камеры. В этом случае ряд реакций пиролиза могут происходить в ряде образованных реакционных камер. В таком воплощении каждая из внутренних оболочек может содержать некоторые или все компоненты, описанные выше, относящиеся к сверхзвуковому реактору, или некоторые компоненты отдельных внутренних оболочек могут быть выполнены как одно целое.
В соответствии с одним воплощением некоторые из внутренних оболочек реактора могут быть ориентированы в противоположных направлениях. В этом случае любое осевое усилие, создаваемое высокоскоростными потоками, протекающими через внутренние оболочки, будет компенсировано за счет ориентированных в противоположном направлении внутренних оболочек реактора.
Согласно одному воплощению внутренняя оболочка размещена на определенном расстоянии от внешней оболочки с образованием между ними канала. В соответствии с этим воплощением канал может образовать зону повышенного давления. Зона повышенного давления находится под давлением, которое поддерживается в ней приблизительно равным давлению в реакционной камере. При этом внутренняя оболочка может быть сконфигурирована так, что она не должна выдерживать большую разность давления между её внутренней поверхностью и внешней поверхностью. Внутренняя оболочка, следовательно, может быть выполнена из материала, имеющего относительно низкое максимально допустимое давление и/или имеет относительно тонкую стенку. Следовательно, внешняя оболочка может обеспечить основу конструкции, а также может служить сосудом высокого давления, выдерживающим разность между давлением в зоне повышенного давления и давлением снаружи внешней оболочки. В другом воплощении (не показано) внутренняя оболочка может примыкать к внешней оболочке.
В одном воплощении в канале дополнительно может быть размещен один или большее число датчиков. Эти датчики могут обнаруживать или измерять переменную величину, например, одно или боль- 9 030900 шее число веществ или параметров в канале. Примеры датчиков включают датчики давления, датчики температуры, химические датчики, в частности датчики газа, датчики водорода, датчики углеводородов, датчики метана и другие датчики. Датчики могут быть электрически соединены с одним или большим числом систем индикации, мониторинга или контроля. В одном воплощении канал дополнительно снабжен одним или большим числом опорных элементов для удерживания внутренней оболочки на определенном расстоянии от внешней оболочки.
В соответствии с другим воплощением внутри по меньшей мере части оболочки реактора может быть размещена футеровка, препятствующая повреждению части оболочки реактора вследствие воздействия жестких рабочих параметров в камере реактора. Футеровка может проходить вдоль внутренней поверхности оболочки реактора и может прилегать к оболочке реактора или может быть отделена от неё зазором.
В одном воплощении футеровка размещена с возможностью её удаления. Указанная удаляемая футеровка может содержать углерод, причем в виде углерод-углеродного композита, пиролитического углерода, стекловидного углерода, или других видов углерода, или высокотемпературный сплав, и после повреждения футеровка может быть удалена и заменена. Указанная удаляемая футеровка может защищать оболочку реактора от воздействия жестких рабочих условий в реакционной камере.
В соответствии с другим воплощением футеровка представляет собой самовосстанавливающуюся футеровку и способна восстанавливаться во время работы сверхзвукового реактора и/или когда сверхзвуковой реактор временно выведен из эксплуатации. В одном воплощении самовосстанавливающаяся футеровка содержит углерод, который катализируют, что способствует образованию углерода или кокса вдоль внутренней поверхности оболочки реактора для восстановления углеродной футеровки. В другом воплощении самовосстанавливающаяся футеровка содержит наноструктурированный слой кокса. Согласно ещё одному воплощению самовосстанавливающаяся футеровка представляет собой футеровку с наноструктурированным слоем графена. В другом воплощении наноструктурированный слой обладает направленной теплопроводностью для быстрого отвода теплоты от реакционной камеры во время работы реактора.
В одном воплощении футеровка представляет собой покрытие с низкой теплопроводностью, которое обеспечивает защиту используемых металлических сплавов за счет снижения теплопередачи. В другом воплощении может быть использована свободнолежащая удерживаемая футеровка, изготовленная из материалов, обладающих стойкостью к высоким температурам и низкой теплопроводностью. Такая футеровка может уменьшить теплопередачу и эрозию. Свободнолежащая удерживаемая футеровка может быть сформирована посредством плазменного напыления HfC или рения в вакууме на подходящую оправку, механически обработанную до окончательной формы и размеров, соответствующих требуемому внешнему диаметру футеровки. За напыленным покрытием из HfC или рения может быть расположен слой вольфрама, способный поддерживать структуру оболочки при необходимых температурах. За слоем вольфрама может следовать структурный слой молибдена и возможно другой структурный слой из вольфрама и/или никеля, кобальта, хрома, иттрий-алюминия. Все слои могут быть нанесены с помощью плазменного напыления в вакууме и будут представлять собой отдельные слои после химического травления внутреннего диаметра оправки.
В одном воплощении одна или большее количество частей оболочки реактора обеспечена активным охлаждением для отвода теплоты от камеры реактора и ограничения плавления и другого повреждения оболочки реактора вследствие высоких температур и других условий функционирования. В одном воплощении активное охлаждение обеспечивает система активного охлаждения, которая содержит множество сквозных проходов, выполненных в оболочке реактора для циркуляции охлаждающего агента по длине оболочки реактора для отвода от неё теплоты. Система активного охлаждения может также содержать источник охлаждающего агента, обеспечивающий прохождение сжатого охлаждающего агента через проходы. Проходы могут быть выполнены в целом по периферии вокруг оболочки реактора, которая в одном воплощении имеет в целом кольцевую конфигурацию. Для подачи охлаждающего агента в сквозные проходы и отвода из этих проходов могут быть также использованы коллекторные трубы.
В одном воплощении проходы могут представлять собой один или множество каналов, выполненных в поверхности оболочки реактора. В другом воплощении проходы для охлаждения могут представлять собой одну или множество труб или в целом полые туннели, выполненные в оболочке реактора для протекания через них охлаждающей текучей среды. Сквозные проходы могут проходить вдоль одной или более поверхностей реактора, или они могут быть выполнены в стенке оболочки реактора. Сквозные проходы могут быть выполнены с различной ориентацией и могут проходить в осевом направлении оболочки реактора, по периферии вокруг оболочки реактора, в радиальном направлении через оболочку реактора, по спирали вокруг кольцевой оболочки реактора или могут иметь иную ориентацию, известную в уровне техники.
Согласно ещё одному воплощению сквозные проходы для охлаждения могут представлять собой один или большее число зазоров между внутренними и внешними слоями, футеровками, внутренними и внешними оболочками, описанными выше, для образования одного или большего числа каналов охлаждения, например, канала. Кроме того, в зазоре между внутренним и внешним слоями, футеровками или
- 10 030900 оболочками может быть установлен переключатель потока, обеспечивающий возможность направления охлаждающей текучей среды по желаемому пути движения. В зазоре между внутренним и внешним слоями для увеличения площади поверхности охлаждения могут быть размещены выступающие элементы, например, шипы, ребра или другие выступающие элементы. Кроме того, система охлаждения может включать комбинацию различных указанных выше типов сквозных проходов для охлаждения. Например, сквозные проходы для охлаждения могут включать канал охлаждения между слоями оболочки реактора наряду с каналами, выполненными в поверхности одного из внутреннего слоя и внешнего слоя так, что хладагент, протекающий через охлаждающие каналы, проходит также через каналы оболочки реактора.
Сквозные проходы для охлаждения могут быть образованы различными способами. В одном воплощении указанные сквозные проходы для охлаждения получены в оболочке реактора путем машинной механической обработки. В другом воплощении вдоль поверхности (поверхностей) одного или большего количества описанных выше слоев, или оболочек, оболочки реактора могут быть выполнены части проходов, а полностью завершенные проходы могут быть образованы между слоями или оболочками при соединении указанных слоев и/или оболочек друг с другом. Подобным образом, части проходов могут быть выполнены на поверхности стенки реактора или слоя, и на указанные части проходов могут быть нанесены покрытие или футеровка для образования полностью завершенных проходов между стенкой реактора или слоем и покрытием или футеровкой. Согласно ещё одному воплощению покрытие или футеровка могут быть нанесены с конфигурацией, образующей полностью завершенный проход или часть прохода. Такие завершенные проходы или части сквозных проходов могут быть выполнены, как указано выше, с помощью машинной механической обработки, литья или во время нанесения определенного покрытия, слоя или футеровки, или с помощью другого средства. Сквозные проходы для охлаждения, кроме того, могут быть образованы с помощью других способов, широко известных в уровне техники. С целью увеличения площади поверхности охлаждения внутри сквозных проходов могут быть размещены шипы или ребра или другие выступающие элементы. На футеровку может быть нанесено покрытие с низкой теплопроводностью с целью защиты используемого металлического сплава, уменьшения теплопередачи к элементам активного охлаждения и повышения эффективности системы охлаждения. Для примера, покрытием может быть никелевый или медный сплав, который наносят с помощью вакуумного плазменного напыления на внутреннюю футеровку, начиная с соединительного слоя, который обеспечивает адгезию металла с низкой теплопроводностью на несущем металле. Соединительный слой может содержать никель, хром, кобальт, алюминий и/или иттрий, после которых следует молибден и вольфрам, и после них, наконец, HfC или HfO2.
Стенки, которые образуют сквозные проходы, могут способствовать передаче теплоты циркулирующему охлаждающему агенту, действуя в качестве теплоотводов, и, кроме того, воспринимают нагрузки, обусловленные давлением хладагента. В одном воплощении толщина стенки, нагреваемой горячим газом (часть стенки оболочки реактора, между охлаждающим агентом и горячими продуктами сгорания), оптимизирована для минимизации сопротивления тепловому потоку, проходящему через стенку футеровок в каналы с хладагентом, и обеспечения в то же время целостности конструкции в отношении нагрузок, создаваемых давлением, и тепловых нагрузок. В одном примере толщина стенки, нагреваемой горячим газом, находится в интервале от 0,254 см (0,10 дюйма) до 0,9525 см (0,375 дюйма), в другом примере в интервале от 0,381 см (0,15 дюйма) до 0,5715 см (0,225 дюйма). В другом воплощении стенки между проходами для охлаждения оптимизированы как теплоотводы для обеспечения низкого термического сопротивления при передаче теплоты от горячей стенки к охлаждающему агенту, а также сохранения целостности конструкции.
В другом воплощении проходы для охлаждающего агента снабжены интенсификаторами потока, которые интенсифицируют поток охлаждающего агента для повышения коэффициента теплоотдачи и увеличения теплового потока от стенки к охлаждающему агенту. Согласно одному воплощению интенсификаторы потока представляют собой ребра, ориентированные перпендикулярно или расположенные под меньшим углом к направлению потока хладагента для разрушения и повторного нарастания пограничного слоя хладагента, что увеличивает коэффициент теплопередачи и тепловой поток от стенки к хладагенту. Вихри, создаваемые ребрами, расположенными под углом менее 90 градусов, будут создавать вихревую составляющую скорости, перемешивание охлаждающего агента и интенсивность передачи тепла от стенки к охлаждающему агенту.
После завершения сборки оболочки реактора трубы коллекторов и сеть каналов с охлаждающим агентом соединяют с образованием системы циркуляции охлаждающего агента, обеспечивающей отвод теплоты, выделяемой в процессе сжигания топлива в сверхзвуковом реакторе, в количестве, необходимом для поддержания температуры стенок реакторов на допустимом уровне.
В одном воплощении охлаждающий агент сжимают до относительно высокого давления так, чтобы охлаждающий агент, протекающий через часть оболочки реактора, находился под избыточным давлением в интервале от около 23,8 атм (350 psig) до около 217,6 атм (3200 psig), в другом воплощении - от около 68 атм (1000 psig) до около 136 атм (2000 psig) и ещё в одном воплощении от около 102 атм (1500 psig) до около 108,8 атм (1600 psig). Относительно высокое давление уменьшает проблему, возникаю
- 11 030900 щую при циркуляции охлаждающего агента, поскольку позволяет избежать фазового изменения при использовании в качестве охлаждающей текучей среды, например, воды. Давление охлаждающего агента, расход циркуляции и температуру устанавливают так, чтобы обеспечить скорость потока охлаждающего агента, достаточную для отвода части теплоты, генерируемой в реакционной камере, для поддержания допустимой температуры стенок реактора, в частности, в процессе сжигания топлива и расширения сверхзвукового потока теплоносителя. В одном примере расход охлаждающего агента через вышеупомянутые проходы находится в интервале от около 28000 фунт/ч до около 47000 фунт/ч, и в другом примере расход охлаждающего агента составляет от около 33500 фунт/ч до около 80000 фунт/ч. В одном примере входная температура охлаждающего агента находится в интервале от около 10°С (50°F) до около 121°С (250°F), в другом примере составляет от около 29°С (85°F) до около 66°С (150°F). В одном примере выходная температура охлаждающего агента находится в интервале от около 38°С (100°F) до около 371°С (700°F), в другом примере составляет от около 121°С (250°F) до около 315°С (600°F). При этом могут быть использованы разнообразные охлаждающие агенты, известные в уровне техники. В одном примере охлаждающим агентом является вода. В другом примере, в качестве охлаждающего агента используют водяной пар, водород или метан, и, кроме того, охлаждающий агент может содержать смесь текучих сред.
В одном воплощении в качестве активного охлаждения может быть использовано инжекционное охлаждение для отвода теплоты от реакционной камеры и ограничения возможности плавления или другого повреждения оболочки реактора вследствие высоких температур и других условий функционирования реактора. Для инжекционного охлаждения может быть использован газ или жидкость. В одном воплощении для инжекционного охлаждения, обеспечивающего эффективную теплопередачу, может быть использован ряд инжекционных струй. Например, на охлаждаемую оболочку могут быть направлены высокоскоростные струи. При контактировании охлаждающей струи с оболочкой она отклоняется во всех направлениях параллельно поверхности оболочки. Инжекционные сопла могут быть размещены вокруг оболочки, например, хаотично или в определенном порядке. Для инжекционного охлаждения могут быть использованы технические средства, например, высокоэффективные инжекционные системы, использующие расширение пара для охлаждения горячей стенки, инжектирование жидкости на стенку и газовое эффузионное охлаждение.
В одном воплощении в качестве средства активного охлаждения может быть использована тепловая труба. Тепловые трубы могут передавать потоки тепловой энергии в 250 раз большие, чем могут передавать сплошные медные теплопередающие элементы.
В одном воплощении может быть использована защитная пленка (защитный тонкий слой), образованная вдоль внутренней поверхности по меньшей мере одного участка оболочки реактора для создания, по меньшей мере, частичного защитного барьера для реакционной камеры. Защитная пленка может препятствовать повреждению оболочки реактора, например, вследствие плавления, эрозии или коррозии оболочки из-за высоких температур, расходов и других жестких рабочих параметров, имеющих место в реакционной камере.
В одном воплощении защитная пленка представляет собой защитный барьер из холодной текучей среды. Используемое здесь выражение холодный защитный барьер из текучей среды относится к температуре защитного барьера из текучей среды в сравнении с температурой реакционной камеры. При этом холодный защитный барьер из текучей среды может иметь высокую температуру, но по отношению к камере реактора является холодным. В одном воплощении температура холодного защитного барьера из текучей среды находится в интервале от около 1649°С (3000°F) до около 2760°С (5000°F). В другом примере температура холодного барьера из текучей среды находится в интервале от около 1982°С (3600°F) до около 2538°С (4600°F).
В одном примере холодный защитный барьер из текучей среды может представлять собой защитный барьер из холодных паров. В другом примере холодный защитный барьер из текучей среды может представлять собой защитный барьер из расплавленного металла. В другом примере холодный защитный барьер из текучей среды может содержать воду или водяной пар. В другом примере холодный защитный барьер из текучей среды может содержать воздух или водород. Согласно ещё одному примеру холодный защитный барьер из текучей среды может содержать метан. Холодной защитный барьер из текучей среды может содержать также другие текучие среды, известные в уровне техники, или комбинацию текучих сред. В одном примере холодный защитный барьер образован текучей средой, которая представляет собой по меньшей мере часть технологического потока.
Защитная пленка может быть образована поверх внутренней поверхности части оболочки реактора различными путями. В одном примере оболочка реактора содержит сквозные отверстия, проходящие по меньшей мере через часть оболочки, которые обеспечивают протекание через них холодной текучей среды и образование холодного защитного барьера из текучей среды. Эти отверстия могут иметь форму щелевых отверстий, которые выходят в реакционную камеру, через которую проходит основной поток. В другом воплощении оболочка реактора может содержать пористую стенку, которая способствует протеканию через неё холодной текучей среды с образованием из текучей среды защитного барьера. В одном
- 12 030900 воплощении оболочка реактора может содержать сквозные проходы (не показаны), подобные описанным выше для системы активного охлаждения, и через них может быть пропущена холодная текучая среда для создания холодного защитного барьера из текучей среды. В этом воплощении для ввода холодной текучей среды через сквозные проходы или отверстия может быть использована разветвленная система трубопроводов. В другом воплощении оболочка реактора может содержать внутреннюю оболочку и внешнюю оболочку, как это было описано выше, при этом внутренняя оболочка может содержать отверстия или содержать пористую стенку по меньшей мере на части внутренней оболочки. В этом воплощении через канал или сквозные проходы, образованные между внешней оболочкой и внутренней оболочкой может быть пропущена холодная текучая среда, так что она протекает через пористую стенку внутренней оболочки с образованием холодного защитного барьера из текучей среды поверх внутренней поверхности части внутренней оболочки. Подобным образом, в том случае, если внутри оболочки реактора размещена футеровка, описанная выше, эта футеровка может быть пористой или проницаемой для того, чтобы обеспечить прохождение через футеровку холодной текучей среды и создать на её внутренней поверхности холодный защитный барьер из текучей среды. Защитная пленка может быть также образована вдоль внутренней поверхности части оболочки реактора с помощью других, известных в уровне техники способов.
В другом воплощении стенка может содержать множество небольших отверстий, через которые текучая среда проходит в защитный слой, образуя охлаждаемую поверхность, полностью покрытую тонким защитным слоем.
В другом воплощении стенка может быть выполнена со щелями или прорезями, в которые поступает охлаждающий агент с образованием охлаждающей пленки при протекании охлаждающего агента вдоль стенки в направлении вниз по ходу движения потока. Защитный барьер в виде пленки может быть также образован вдоль внутренней поверхности части оболочки реактора с помощью других способов, включающих известные в уровне техники.
В другом воплощении метод инжектирования может быть скомбинирован с методом охлаждения за счет полного покрытия пленкой, при этом инжектируемая текучая среда после воздействия на горячую стенку отводится через выполненные в стенке отверстия для пленочного охлаждения, и тем самым создается два эффекта охлаждения.
Таким образом, за счет создания защитного барьера в виде пленки поверх внутренней поверхности по меньшей мере части оболочки реактора может быть предотвращено повреждение оболочки реактора во время работы сверхзвукового реактора. Указанный защитный барьер в виде пленки может уменьшить температуру, воздействию которой подвергается оболочка реактора во время его работы, за счет создания такого защитного барьера для движущейся внутри реактора горячей текучей среды и конвективного охлаждения стенки с помощью пленки при температуре охлаждающей пленки.
Для достижения наибольшей эффективности функционирования реактора система охлаждения может включать различные описанные выше средства с обеспечением их оптимального сочетания.
Вышеприведенное описание раскрывает различные воплощения, касающиеся выполнения оболочки реактора или части оболочки реактора. При этом следует понимать, что по меньшей мере часть оболочки реактора может быть соотнесена со всей оболочкой реактора или менее, чем со всей оболочкой реактора, как это будет ниже описано более подробно. В связи с этим вышеприведенное описание путей усовершенствования конструкции и/или функционирования по меньшей мере части оболочки реактора можно применить, вообще, к любой части оболочки реактора и/или можно применить к подробно описанным ниже конкретным частям оболочки реактора.
Было установлено, что определенные участки или компоненты оболочки реактора могут находиться в особо жестких рабочих условиях, или для них могут возникать определенные проблемы, которые присущи данному участку или компоненту конструкции. Следовательно, в соответствии с различными воплощениями определенные аспекты приведенного выше описания могут быть применимы только к тем участкам или компонентам, для которых было выявлено существование определенной проблемы.
Участки вокруг топливного инжектора (инжекторов) и инжектора (инжекторов) исходного сырья являются примерами участков, на которые оказывает благоприятное воздействие использование локальных барьеров из защитной пленки или пленочного охлаждения, или инжектирования, или локально расположенных проходов (каналов) для конвективного охлаждения.
Одной зоной сверхзвукового реактора, в которой существуют особо жесткие рабочие условия, является зона горения. В зоне горения поток топлива сжигают в присутствии кислорода с образованием высокотемпературного потока теплоносителя. Температуры в зоне горения могут быть самыми высокими температурами, реализуемыми в реакционной камере, которые могут достигать величин в интервале от около 2000°С до около 3500°С в одном примере и от около 2000°С до около 3200°С в другом примере. В результате конкретная проблема, выявленная в зоне горения, заключается в плавлении оболочки реактора в зоне горения и окислении стенок камеры сгорания в среде кислорода. Часть оболочки реактора, находящаяся в зоне горения, может быть именована камерой сгорания.
Другой зоной сверхзвукового реактора, в которой существуют особо жесткие рабочие условия, является зона расширения сверхзвукового потока, и, в особенности, размещенное в этой зоне сверхзвуко
- 13 030900 вое сопло. В частности, из-за высоких температур газообразного носителя, движущегося через сопло расширительного устройства со скоростью близкой к сверхзвуковой или со сверхзвуковой, указанное сопло расширительного устройства и/или другие участки зоны расширения сверхзвукового потока могут быть, в особенности, подвержены эрозии.
Подобным образом, и другие участки сверхзвукового реактора, включающие зону диффузора, зону смешения, реакционную зону и зону быстрого охлаждения, могут находиться в жестких рабочих условиях при функционировании сверхзвукового реактора. Также могут быть подвержены действию тяжелых рабочих условий и необходимости решения подобных проблем дополнительное оборудование или компоненты, используемые во взаимосвязи и взаимодействии со сверхзвуковым реактором, включая, но не в качестве ограничения, форсунки, трубопроводные линии, смесители и теплообменники.
В связи с существованием специфически проблем и рабочих условий, которым могут быть подвержены отдельные участки или компоненты сверхзвукового реактора, эти отдельные участки или компоненты могут быть выполнены, могут работать или могут быть использованы в соответствии с рассмотренными здесь различными воплощениями, в то время как другие участки или компоненты могут быть выполнены, могут работать или могут быть использованы в соответствии с другими воплощениями, которые здесь могут или не могут быть описаны.
Поскольку различные компоненты и участки сверхзвукового реактора могут быть образованы или могут работать различным образом, сверхзвуковой реактор, включая оболочку реактора, может быть изготовлен из отдельных деталей, собранных вместе с образованием сверхзвукового реактора или оболочки реактора. При этом сверхзвуковой реактор и/или оболочка реактора могут представлять собой модульную конструкцию, в которой отдельные модули или компоненты могут быть собраны вместе. В одном воплощении, по меньшей мере, некоторые участки или компоненты сборной конструкции реактора или оболочки реактора могут быть не присоединены друг к другу, вместе с тем газы или текучие среды могут находиться в них за счет регулирования разности давления между компонентами реактора или оболочки. В других воплощениях модули и компоненты могут быть соединены друг с другом, например, с помощью фланцев, уплотненных в охлаждаемых местах контакта поверхностей компонентов. Подобным образом, различным компонентам, участкам или модулям могут быть присущи различные особенности, раскрытые в данном описании выше. Например, некоторые модули или компоненты могут быть обеспечены активным охлаждением, барьером в виде защитной пленки, внутренними и внешними слоями, внутренними и внешними оболочками или другими, раскрытыми выше особенностями выполнения, в то же время другие участки, модули или компоненты могут иметь различные другие особенности выполнения.
В соответствии с одним воплощением один или большее число компонентов или модулей могут быть удалены и заменены во время работы сверхзвукового реактора или во время перерыва в его работе. Например, поскольку сопло для расширения сверхзвукового потока может быть повреждено быстрее, чем другие компоненты реактора, указанное сопло может быть выполнено с возможностью удаления, и при повреждении оно может быть заменено новым соплом. В одном воплощении ряд сверхзвуковых реакторов может быть установлен параллельно или последовательно, при этом один или большее число сверхзвуковых реакторов работают, в то время как один или большее число сверхзвуковых реакторов находятся в состоянии готовности (дежурный режим). Поэтому в случае необходимости осуществления технического обслуживания и замены одного или большего числа компонентов работающего сверхзвукового реактор проведение технологического процесса может быть переключено на другой сверхзвуковой реактор, находящийся в состоянии готовности, и процесс может быть продолжен.
Кроме того, сверхзвуковые реакторы могут быть ориентированы горизонтально или вертикально (не показано). В том случае, если реактор ориентирован вертикально, поток теплоносителя и проходящие через реактор сырьевые потоки могут быть направлены в одном воплощении вертикально вверх. В другом воплощении поток теплоносителя и сырьевые потоки могут быть направлены вертикально вниз. В одном воплощении сверхзвуковой реактор может быть ориентирован так, что обеспечивается свободное стекание жидкости, чтобы предотвратить её накапливание в зоне быстрого охлаждения. В другом воплощении реактор может быть ориентирован вертикально (90° относительно горизонтали) или горизонтально (0° относительно горизонтали), как указано выше, или может быть ориентирован под углом в интервале от 0° до 90°, при этом входное отверстие реактора находится на уровне выше выходного отверстия реактора. В другом воплощении выходное отверстие может включать в себя два или большее число выходных отверстий, включая основное выходное отверстие для потока основной паровой фазы и вспомогательное выпускное отверстие для слива жидкости. В одном воплощении в зону быстрого охлаждения инжектируют жидкость, и она полностью не испаряется. Это может происходить во время переходного или стационарного установившегося режима работы. Вспомогательное выпускное отверстие может функционировать непрерывно или периодически, при необходимости.
В одном воплощении оболочка реактора герметизирована на одном конце и содержит камеру на противоположном конце.
В одном воплощении оболочка реактора может быть снабжена устройством для сброса давления. В
- 14 030900 одном воплощении устройство для сброса давления представляет собой разрушающуюся мембрану. В другом воплощении устройство для сброса давления представляет собой клапан сброса давления.
В одном воплощении сверхзвуковой реактор может содержать запорный клапан, установленный на его входе. Сверхзвуковой реактор может также содержать систему контроля для выявления изменения давления в случае внезапного разрыва оболочки и выброса газа. Система контроля может быть выполнена с возможностью изолирования в этом случае входа. В одном воплощении таким входом является вход для потока топлива.
В соответствии с одним воплощением сверхзвуковой реактор снабжен средствами магнитного удержания для удерживания реагентов в реакционной камере.
Согласно другому воплощению сверхзвуковой реактор может генерировать водород из потока, выходящего из реактора.
В одном примере выходящий из реактора поток после пиролиза в сверхзвуковом реакторе имеет по сравнению с сырьевым метановым потоком пониженное содержание метана, находящееся в интервале от приблизительно 15 мол.% до приблизительно 95 мол.%. В другом примере содержание метана находится в интервале от приблизительно 40 мол. % до приблизительно 90 мол. % и ещё в одном примере от приблизительно 45 мол. % до приблизительно 85 мол. %.
В одном примере выход ацетилена, полученного в сверхзвуковом реакторе из метана, содержащегося в сырьевом потоке, составляет от приблизительно 40% до приблизительно 95%. В другом примере выход ацетилена, полученного в сверхзвуковом реакторе из метана, содержащегося в сырьевом потоке, составляет от приблизительно 50% до приблизительно 90%. Таким образом, обеспечивается более высокий выход ацетилена, чем расчетный выход 40%, достигаемый в предшествующих, более традиционных воплощениях пиролиза.
Согласно одному воплощению выходящий из реактора поток подвергают химическому реагированию для получения другого углеводородного соединения. Для этого часть выходящего из реактора потока углеводородов может быть направлена с выхода реактора на дальнейшую обработку путем проведения процесса конверсии углеводородов ниже по ходу движения потока. В то же время необходимо понимать, что выходящий из реактора поток может быть подвергнут различным промежуточным стадиям обработки, таким, например, как удаление воды, адсорбция и/или абсорбция для получения потока концентрированного ацетилена, однако эти промежуточные стадии не будут здесь рассмотрены более подробно.
Выходящий из реактора поток, имеющий более высокую концентрацию ацетилена, может быть направлен в находящуюся ниже по потоку зону конверсии углеводородов, в которой ацетилен может быть превращен в другой углеводородный продукт. Находящаяся ниже по потоку зона конверсии углеводородов может содержать реактор для конверсии углеводородов, в котором осуществляется конверсия ацетилена в другой углеводородный продукт. Следует понимать, что в указанной зоне конверсии углеводородов могут быть проведены различные другие процессы конверсии углеводородов, вместо или в дополнение к использованию реактора гидрогенизации, или комбинация процессов конверсии углеводородов. Подобным образом, типовые операции, проводимые на установке, могут быть модифицированы или исключены, они показаны лишь в иллюстративных целях и не направлены на ограничение описанных здесь систем и способов. В частности, было установлено, что различные другие процессы конверсии углеводородов, отличающиеся от описанных выше воплощений, могут быть осуществлены ниже по потоку от сверхзвукового реактора, включая процессы конверсии ацетилена в другие углеводороды, включающие, но не в качестве ограничения: алкены, алканы, метан, акролеин, акриловую кислоту, акрилаты, акриламид, альдегиды, полиацетилиды, бензол, толуол, стирол, анилин, циклогексанон, капролактам, пропилен, бутадиен, бутин-диол, бутандиол, углеводородные соединения С24, этиленгликоль, дизельное топливо, диациды, диолы, пирролидины и пирролидоны.
Зона удаления примесей, предназначенная для удаления одной или большего числа примесей из потока углеводородов или технологического потока, может быть размещена на различных участках вдоль движения потока углеводородов или технологического потока, в зависимости от воздействия конкретной примеси на продукт или технологический процесс и от причины необходимости удаления примеси, что более подробно описано ниже. Например, определенные примеси, как было установлено, ухудшают работу реактора со сверхзвуковым потоком и/или приводят к образованию отложений в реакторе со сверхзвуковым потоком. Так, согласно одному воплощению зона удаления примесей расположена выше по потоку от реактора со сверхзвуковым потоком и служит для удаления примесей из потока метанового сырья перед его вводом в сверхзвуковой реактор. Другие примеси, как было установлено, ухудшают проведение процессов обработки или процесса конверсии углеводородов ниже по ходу движения потока, и в этом случае зона удаления примесей может быть размещена выше по потоку от сверхзвукового реактора или между сверхзвуковым реактором и местом проведения соответствующей стадии обработки ниже по потоку. Были установлены ещё одни примеси, подлежащие удалению для удовлетворения технических требований (стандартов), которым должен соответствовать конкретный продукт. Там, где желательно удаление многочисленных примесей из потока углеводородов или обработанного потока, различные зоны удаления примесей могут быть расположены в различных местах по ходу движения потока
- 15 030900 углеводородов или технологического потока. Согласно другим воплощениям зона удаления примесей может перекрывать зону проведения другого процесса или может быть объединена с ней в пределах технологической системы, и в этом случае определенная примесь может быть удалена во время прохождения другого участка технологического процесса, включая, но не в качестве ограничения, сверхзвуковой реактор или зону конверсии углеводородов ниже по ходу движения потока. Это может быть осуществлено с проведением или без проведения модификации этих конкретных зон, реакторов или процессов. Следует понимать, что зона удаления примесей в соответствии с настоящим изобретением может быть расположена выше по потоку от реактора со сверхзвуковым потоком, между реактором со сверхзвуковым потоком и зоной конверсии углеводородов, или ниже по потоку от зоны конверсии углеводородов, или вдоль пути движения других потоков, включающих, например, поток текучей среды-носителя, поток топлива, поток источника кислорода или любые потоки, используемые в описанных здесь системах и процессах.
Хотя выше были иллюстрированы и описаны конкретные воплощения и аспекты изобретения, следует принимать во внимание, что многочисленные изменения и модификации будут очевидны для специалистов в данной области техники, и предполагается, что приложенные пункты формулы охватывают все эти изменения и модификации, осуществляемые в пределах объема и сущности настоящего изобретения.

Claims (10)

  1. ФОРМУЛА ИЗОБРЕТЕНИЯ
    1. Устройство для производства ацетилена из потока метанового сырья, содержащее сверхзвуковой реактор для приема потока метанового сырья и нагревания потока метанового сырья до температуры пиролиза;
    оболочку сверхзвукового реактора, образующую реакционную камеру;
    зону горения сверхзвукового реактора для сжигания источника топлива с получением высокотемпературного газа-носителя, проходящего через пространство реактора со сверхзвуковой скоростью для нагревания и ускорения потока метанового сырья до температуры пиролиза;
    при этом оболочка содержит внешний слой для обеспечения основы структуры оболочки и внутренний слой, имеющий коэффициент теплопроводности в интервале от около 200 до около 500 Вт/м-град К для отвода теплоты из реакционной камеры, при этом внутренний слой содержит, по меньшей мере, сплав меди с хромом, сплав меди с цинком и хромом, сплав меди с хромом и ниобием, сплав меди с никелем и сплав меди с никелем и вольфрамом и их смеси.
  2. 2. Устройство по п.1, в котором внутренний слой снабжен покрытием.
  3. 3. Устройство по п.1, в котором оболочка реактора представляет собой структуру, содержащую внутренний и внешний слои.
  4. 4. Устройство по п.1, в котором внутренний слой содержит покрытие по внутреннему диаметру, полученное на оправке.
  5. 5. Устройство по п.1, в котором внутренний слой содержит покрытие, образованное путем горячего изостатического прессования.
  6. 6. Устройство по п.1, в котором внутренний слой содержит покрытие, образованное путем плакирования футеровки.
  7. 7. Устройство по п.1, в котором внутренний слой и внешний слой представляют собой отдельные отливки и указанные отливки соединены друг с другом посредством сварки/пайки твердым припоем.
  8. 8. Устройство по п.1, дополнительно содержащее один или большее число промежуточных слоев между внешним слоем и внутренним слоем.
  9. 9. Устройство по п.1, дополнительно содержащее один или большее число слоев, расположенных снаружи внешнего слоя.
  10. 10. Устройство по п.1, дополнительно содержащее один или большее число слоев, расположенных с внутренней стороны внутреннего слоя.
EA201500256A 2012-08-21 2013-08-19 Устройство для конверсии метана с использованием реактора со сверхзвуковым потоком EA030900B1 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201261691321P 2012-08-21 2012-08-21
US13/967,391 US9707530B2 (en) 2012-08-21 2013-08-15 Methane conversion apparatus and process using a supersonic flow reactor
PCT/US2013/055514 WO2014031512A2 (en) 2012-08-21 2013-08-19 Methane conversion apparatus and process using a supersonic flow reactor

Publications (2)

Publication Number Publication Date
EA201500256A1 EA201500256A1 (ru) 2015-12-30
EA030900B1 true EA030900B1 (ru) 2018-10-31

Family

ID=50148147

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
EA201500256A EA030900B1 (ru) 2012-08-21 2013-08-19 Устройство для конверсии метана с использованием реактора со сверхзвуковым потоком

Country Status (5)

Country Link
US (2) US9707530B2 (ru)
EP (1) EP2888211A4 (ru)
EA (1) EA030900B1 (ru)
WO (1) WO2014031512A2 (ru)
ZA (1) ZA201501731B (ru)

Families Citing this family (302)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
EA031840B1 (ru) * 2013-11-19 2019-02-28 Юниверсити Оф Вашингтон Тру Итс Сентер Фор Коммершлайзейшн Системы реакторов на основе сверхзвуковой ударной волны и способы синтезирования олефин-углеводородных газов
US10683571B2 (en) * 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US10106419B2 (en) * 2014-08-11 2018-10-23 Graphene Nanochem Plc Method of making graphene nanocomposites by multiphase fluid dynamic dispersion
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
US10381226B2 (en) 2016-07-27 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of processing substrate
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
CA3051697A1 (en) 2017-01-31 2018-08-09 Standing Wave Reformers Llc Hydrocarbon wave reformer and methods of use
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
JP7206265B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-17 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. クリーン・ミニエンバイロメントを備える装置
CN111316417B (zh) 2017-11-27 2023-12-22 阿斯莫Ip控股公司 与批式炉偕同使用的用于储存晶圆匣的储存装置
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 沈積方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US11685991B2 (en) 2018-02-14 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR20190128558A (ko) 2018-05-08 2019-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
WO2020003000A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
KR20210024462A (ko) 2018-06-27 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 필름 및 구조체
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR20200002519A (ko) 2018-06-29 2020-01-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP2020096183A (ja) 2018-12-14 2020-06-18 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TW202104632A (zh) 2019-02-20 2021-02-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
JP2020133004A (ja) 2019-02-22 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材を処理するための基材処理装置および方法
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP2021015791A (ja) 2019-07-09 2021-02-12 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
CN112242296A (zh) 2019-07-19 2021-01-19 Asm Ip私人控股有限公司 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202129060A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Asm Ip控股公司 基板處理裝置、及基板處理方法
TW202115273A (zh) 2019-10-10 2021-04-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
KR20210045930A (ko) 2019-10-16 2021-04-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210078405A (ko) 2019-12-17 2021-06-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 바나듐 나이트라이드 층을 포함하는 구조
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
JP2021109175A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR20210095050A (ko) 2020-01-20 2021-07-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Asm Ip控股公司 專用於零件清潔的系統
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
US11124717B1 (en) 2020-03-16 2021-09-21 Saudi Arabian Oil Company Hydroprocessing units and methods for preventing corrosion in hydroprocessing units
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
TW202140831A (zh) 2020-04-24 2021-11-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成含氮化釩層及包含該層的結構之方法
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
US11649762B2 (en) 2020-05-06 2023-05-16 New Wave Hydrogen, Inc. Gas turbine power generation systems using hydrogen-containing fuel produced by a wave reformer and methods of operating such systems
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202200837A (zh) 2020-05-22 2022-01-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於在基材上形成薄膜之反應系統
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
TW202212623A (zh) 2020-08-26 2022-04-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
CN112473611B (zh) * 2020-11-10 2022-03-18 华中科技大学 一种用于研究生物质三组分热解交互反应的反应器
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
US11773777B2 (en) 2020-12-18 2023-10-03 New Wave Hydrogen, Inc. Zero-emission jet engine employing a dual-fuel mix of ammonia and hydrogen using a wave
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
WO2022226648A1 (en) 2021-04-27 2022-11-03 New Wave Hydrogen, Inc. Improved conversion system for wave-rotor reactor system
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
US20230122914A1 (en) * 2021-10-14 2023-04-20 Nuscale Power, Llc Methods of manufacturing structures from coated metal grain materials, such as for use in nuclear reactor systems, and related structures and systems

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4426248A (en) * 1983-05-20 1984-01-17 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Process for coating rifle tubes
US4724272A (en) * 1984-04-17 1988-02-09 Rockwell International Corporation Method of controlling pyrolysis temperature
US6443354B1 (en) * 1999-02-05 2002-09-03 Plansee Aktiengesellschaft Process for the production of a composite component that can resist high thermal stress
US20020154741A1 (en) * 2000-12-04 2002-10-24 Rigali Mark J. Composite components for use in high temperature applications
US7000306B2 (en) * 2002-12-18 2006-02-21 Honeywell International, Inc. Spun metal form used to manufacture dual alloy turbine wheel
US20110114285A1 (en) * 2009-11-17 2011-05-19 Buxbaum Robert E Copper-niobium, copper-vanadium, or copper-chromium nanocomposites, and the use thereof in heat exchangers
RU2438083C2 (ru) * 2007-07-30 2011-12-27 Сименс Акциенгезелльшафт Крышка для печи для приема расплавленного материала, в частности металла, и печь для приема расплавленного материала

Family Cites Families (223)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA642560A (en) 1962-06-12 H. Acomb Byron Method of and apparatus for cutting metal and glass
GB283163A (ru)
US748091A (en) 1902-10-11 1903-12-29 Nethery Hydraulic Valve Company Pressure-regulating valve.
GB334193A (en) 1929-02-23 1930-08-25 Ig Farbenindustrie Ag Improvements in the manufacture and production of valuable products from gaseous acetylene hydrocarbons or aldehydes
GB332258A (en) 1929-03-18 1930-07-18 Ig Farbenindustrie Ag Improvements in the manufacture and production of nitrogenous condensation products from acetylene and ammonia
GB451794A (en) 1935-03-01 1936-08-12 Ig Farbenindustrie Ag Improvements in the manufacture and production of valuable heterocyclic compounds
US2581102A (en) 1948-10-25 1952-01-01 Standard Oil Dev Co Removal of oxygenated organic compounds from hydrocarbons
US2822410A (en) 1952-06-11 1958-02-04 Olin Mathieson Process for utilizing mixtures of ethylene and acetylene without separation thereof
US2985698A (en) * 1957-09-27 1961-05-23 Hoechst Ag Process for pyrolyzing hydrocarbons
GB1090278A (en) * 1964-08-24 1967-11-08 Kureha Chemical Ind Co Ltd A thermal cracking method of hydrocarbons
US3400070A (en) 1965-06-14 1968-09-03 Hercules Inc High efficiency plasma processing head including a diffuser having an expanding diameter
US3414247A (en) * 1966-06-07 1968-12-03 Chemical Construction Corp Synthesis gas quencher
DE1643811A1 (de) 1966-10-14 1971-03-11 Chepos Zd Y Chemickeho A Potra Verfahren und Anlage zur Durchfuehrung von Pyrolysereaktionen
US3615164A (en) 1968-01-10 1971-10-26 Bernard S Baker Process for selective removal by methanation of carbon monoxide from a mixture of gases containing carbon dioxide
US3565940A (en) 1969-02-20 1971-02-23 Grace W R & Co Process for preparing acetonitrile
SU280739A1 (ru) 1969-04-24 1976-02-15 В. И. Майоров , А. Ф. Харитонов Процесс окислительного дегидрировани
SU392723A1 (ru) 1971-06-14 1983-07-15 Институт газа АН УССР Способ совместного получени ацетилена и этилена
GB1358862A (en) 1971-11-18 1974-07-03 Ici Ltd Lactams
SU410596A1 (ru) 1971-12-03 1983-07-15 Институт газа АН УССР Реактор дл пиролиза углеводородов
JPS5631345B2 (ru) * 1972-01-27 1981-07-21
US3816975A (en) 1972-11-14 1974-06-18 Union Carbide Corp Purification of hydrocarbon feedstocks
US4009219A (en) 1975-04-28 1977-02-22 Tamers Murry A Total synthesis of benzene from non-hydrocarbon materials
DE2656803C2 (de) 1975-12-18 1986-12-18 Institut Français du Pétrole, Rueil-Malmaison, Hauts-de-Seine Verfahren zur Entfernung von in einem Gas oder in einer Flüssigkeit vorhandenem Quecksilber
JPS541306A (en) 1977-06-07 1979-01-08 Chiyoda Chem Eng & Constr Co Ltd Hydrogenation of heavy hydrocarbon oil
US4136015A (en) 1977-06-07 1979-01-23 Union Carbide Corporation Process for the thermal cracking of hydrocarbons
US4181662A (en) 1978-03-29 1980-01-01 Chevron Research Company 2-Pyrrolidone production
EP0011707B1 (en) 1978-11-03 1982-09-15 Allied Corporation Lithium dicyclopentadienyl titanium hydride compositions, a process for producing them and their use as catalysts in the production of 1-butene and in polymerizing acetylene
SU803969A1 (ru) 1978-11-09 1981-02-15 Всесоюзный Научно-Исследовательскийи Проектный Институт По Переработкегаза Катализатор дл гидратации олефинов
US4278446A (en) * 1979-05-31 1981-07-14 Avco Everett Research Laboratory, Inc. Very-high-velocity entrained-bed gasification of coal
IT1121808B (it) 1979-06-15 1986-04-23 Sisas S P A Procedimento per la preparazione di 1,4-butindiolo e relativo catalizzatore
US4356124A (en) 1979-10-05 1982-10-26 The Standard Oil Company Process for the production of pyrrolidones
US4375002A (en) 1980-05-09 1983-02-22 Air Products And Chemicals, Inc. Amines via the amination of olefins
US4357228A (en) 1980-12-30 1982-11-02 Occidental Research Corporation Recovery of hydrocarbon values from pyrolytic vapors
US4387263A (en) 1982-05-14 1983-06-07 Hoechst Aktiengesellschaft Process for mixing olefins
US4493715A (en) 1982-12-20 1985-01-15 Phillips Petroleum Company Removal of carbon dioxide from olefin containing streams
DE3327000A1 (de) 1983-07-27 1985-02-07 Basf Ag, 6700 Ludwigshafen Verfahren zur herstellung von aminen
JPS6046976A (ja) 1983-08-19 1985-03-14 工業技術院長 セラミツクスの接着方法
JPS6082602A (ja) * 1983-10-07 1985-05-10 Natl Aerospace Lab ロケツト燃焼器外筒製作法
JPS60129552A (ja) 1983-12-19 1985-07-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 熱交換器
GB8421918D0 (en) 1984-08-30 1984-10-03 Bp Chem Int Ltd Selective adsorption of carbon dioxide
US4587373A (en) 1984-12-12 1986-05-06 Mobil Oil Corporation Dimethylether recovery and/or recycle in an MTC conversion plant
US4544792A (en) 1984-12-13 1985-10-01 Mobil Oil Corporation Upgrading Fischer-Tropsch olefins
CS261302B1 (en) 1985-10-10 1989-01-12 Petr Vesely Furnace for hydrocarbons' thermal cracking
JPS62129698A (ja) * 1985-11-28 1987-06-11 Kansai Electric Power Co Inc:The 復水器における防食・防汚管理装置
DE3604715A1 (de) * 1986-02-14 1987-08-20 Joseph Plannerer Vergaser fuer verbrennungsmotoren sowie leerlaufeinbauteil hierfuer
DE3633033A1 (de) 1986-09-29 1988-04-07 Huels Chemische Werke Ag Verfahren und katalysatorsystem zur trimerisierung von acetylen und acetylenverbindungen
US4744221A (en) 1987-06-29 1988-05-17 Olin Corporation Zeolite based arsine storage and delivery system
JPH01132535A (ja) 1987-11-19 1989-05-25 Toho Asechiren Kk アセチレンガス濃縮方法
US4929789A (en) 1988-01-15 1990-05-29 The Standard Oil Company Process for pyrolyzing or thermal cracking a gaseous or vaporized hydrocarbon feedstock using a novel gas-solids contacting device and an oxidation catalyst
JPH01277196A (ja) 1988-04-27 1989-11-07 Daikin Ind Ltd 流動層を用いた熱交換器
GB2220674A (en) 1988-06-29 1990-01-17 Nat Science Council Alloys useful at elevated temperatures
US4892567A (en) 1988-08-15 1990-01-09 Mobil Oil Corporation Simultaneous removal of mercury and water from fluids
GB8823182D0 (en) * 1988-10-03 1988-11-09 Ici Plc Reactor elements reactors containing them & processes performed therein
US4962239A (en) 1988-10-06 1990-10-09 Mobil Oil Corp. Process for preparing ethers
NL8901239A (nl) 1989-05-18 1990-12-17 Meern Bv Engelhard De Katalysator voor hydrogenering en/of dehydrogenering.
RU1778146C (ru) 1989-05-24 1992-11-30 Государственный Научно-Исследовательский И Проектный Институт Хлорной Промышленности С Опытным Заводом И Конструкторским Бюро Реактор термоокислительного пиролиза метана
US5259856A (en) * 1989-09-06 1993-11-09 Sumitomo Electric Industrial, Ltd. Method of producing glass preform in furnace for heating glass
US5026935A (en) 1989-10-02 1991-06-25 Arco Chemical Technology, Inc. Enhanced production of ethylene from higher hydrocarbons
RU1776652C (ru) 1990-01-31 1992-11-23 Ташкентский Политехнический Институт Им.А.Р.Бируни Способ получени смеси пиридиновых оснований, используемой в качестве ингибитора коррозии
US5232474A (en) 1990-04-20 1993-08-03 The Boc Group, Inc. Pre-purification of air for separation
US5219350A (en) 1990-10-05 1993-06-15 Emerson Clarence A Medical instrument
US5096470A (en) 1990-12-05 1992-03-17 The Boc Group, Inc. Hydrogen and carbon monoxide production by hydrocarbon steam reforming and pressure swing adsorption purification
US5219530A (en) 1991-02-15 1993-06-15 Board Of Regents Of The University Of Washington Apparatus for initiating pyrolysis using a shock wave
US5095163A (en) 1991-02-28 1992-03-10 Uop Methanol conversion process using SAPO catalysts
US5248408A (en) * 1991-03-25 1993-09-28 Mobil Oil Corporation Catalytic cracking process and apparatus with refluxed spent catalyst stripper
US5191141A (en) 1991-11-13 1993-03-02 Uop Process for converting methanol to olefins using an improved metal aluminophosphate catalyst
US5126308A (en) 1991-11-13 1992-06-30 Uop Metal aluminophosphate catalyst for converting methanol to light olefins
US5227570A (en) 1991-12-02 1993-07-13 Taiwan Styrene Monomer Corporation Process for separation of ethylbenzene or ethylbenzene/p-xylene from a xylene isomers mixture
DE4203527A1 (de) 1992-02-07 1993-08-12 Akzo Nv Verfahren zur herstellung von pyrrolidon und n-alkylpyrrolidonen
US5720163A (en) * 1992-02-14 1998-02-24 Precision Combustion, Inc. Torch assembly
US6277499B1 (en) * 1992-04-23 2001-08-21 United Technologies Corporation Oxidation resistant coatings for copper
US6134785A (en) * 1992-05-18 2000-10-24 The Boeing Company Method of fabricating an article of manufacture such as a heat exchanger
US5276257A (en) 1992-07-09 1994-01-04 The Dow Chemical Company Process for converting butadiene to styrene or ethylbenzene or both using catalysts containing molybdenum
JPH08501551A (ja) * 1992-09-22 1996-02-20 イー・アイ・デュポン・ドゥ・ヌムール・アンド・カンパニー 高度にフッ素化されたアルカンの製造のための耐蝕性装置
US5278344A (en) 1992-12-14 1994-01-11 Uop Integrated catalytic reforming and hydrodealkylation process for maximum recovery of benzene
US5419884A (en) 1993-02-19 1995-05-30 Mobil Oil Corporation Regenerative mercury removal process
RU2065866C1 (ru) 1993-07-27 1996-08-27 Специализированное проектно-конструкторское и технологическое бюро Территориального производственного специализированного транспортного объединения "Спецтранс" Реактор термоокислительного пиролиза метана
ZA945342B (en) 1993-12-08 1995-03-01 Chemical Res & Licensin Selective hydrogenation of highly unsaturated compounds in hydrocarbon streams
JP2633484B2 (ja) 1993-12-22 1997-07-23 三井石油化学工業株式会社 液体炭化水素分中の水銀の除去方法
BE1007944A3 (nl) 1993-12-30 1995-11-21 Dsm Nv Werkwijze voor de bereiding van 5-formylvaleriaanzuur en -ester.
US5446232A (en) 1994-02-14 1995-08-29 Occidental Chemical Corporation Removing oxygen from hydrocarbon gases
ATE187227T1 (de) * 1994-04-14 1999-12-15 Precision Combustion Inc Brennstoffeinspritz- und zündeinheit
WO1996002792A2 (en) 1994-07-15 1996-02-01 Aalborg Industries A/S A fluid-bed heat exchanger, fluid-bed combustion reactor systems and methods for the operation of a fluid-bed heat exchanger and a fluid-bed combustion reactor system
ZA96178B (en) 1995-01-18 1997-06-30 Exxon Chemical Patents Inc Organic compounds and processes for their manufacture
US5615627A (en) * 1995-02-23 1997-04-01 Biocon, Incorporated Method and apparatus for destruction of waste by thermal scission and chemical recombination
US6821500B2 (en) 1995-03-14 2004-11-23 Bechtel Bwxt Idaho, Llc Thermal synthesis apparatus and process
US6210791B1 (en) 1995-11-30 2001-04-03 General Electric Company Article with a diffuse reflective barrier coating and a low-emissity coating thereon, and its preparation
US5659069A (en) 1996-03-20 1997-08-19 Nexstar Pharmaceuticals, Inc. Method for the cyclotrimerization of alkynes in aqueous solutions
US5873950A (en) * 1996-06-13 1999-02-23 Inco Alloys International, Inc. Strengthenable ethylene pyrolysis alloy
DE19626484C2 (de) 1996-07-02 2000-05-04 Linde Ag Werksgruppe Tech Gase Verfahren zur Entfernung von Schwefelwasserstoff, Ammoniak, Phosphor- und Arsenwasserstoff aus Acetylen
US5990372A (en) 1998-01-12 1999-11-23 United Catalysts Inc. Adsorbent for the removal of trace quantities from a hydrocarbon stream and process for its use
RU2145516C1 (ru) 1998-01-20 2000-02-20 Акционерное общество "Ангарская нефтехимическая компания" Состав для очистки карбидного ацетилена от примесей
WO1999067435A1 (en) * 1998-06-23 1999-12-29 Siemens Aktiengesellschaft Directionally solidified casting with improved transverse stress rupture strength
US6217286B1 (en) * 1998-06-26 2001-04-17 General Electric Company Unidirectionally solidified cast article and method of making
DE19840372A1 (de) 1998-09-04 2000-03-09 Basf Ag Katalysator und Verfahren zur Reinigung von Stoffströmen
US6321449B2 (en) * 1998-11-12 2001-11-27 General Electric Company Method of forming hollow channels within a component
EA004226B1 (ru) 1998-12-31 2004-02-26 Шелл Интернэшнл Рисерч Маатсхаппий Б.В. Способ удаления конденсирующихся паров из потока природного газа у устья скважины, устройство для его осуществления и устьевой узел, включающий такое устройство
RU2158840C2 (ru) 1999-01-21 2000-11-10 Открытое акционерное общество "НПО Энергомаш им. акад. В.П. Глушко" Корпус камеры жидкостного ракетного двигателя
EP1053789B1 (en) 1999-05-21 2004-07-14 Evc Technology Ag Catalyst and oxychlorination process using it
AUPQ078899A0 (en) * 1999-06-04 1999-06-24 Ceramic Fuel Cells Limited A fuel cell gas separator
US6190623B1 (en) 1999-06-18 2001-02-20 Uop Llc Apparatus for providing a pure hydrogen stream for use with fuel cells
RU2170617C2 (ru) 1999-07-06 2001-07-20 Шокин Владимир Васильевич Универсальная противоточная струйная установка для высокотемпературной обработки сырья
US6468069B2 (en) * 1999-10-25 2002-10-22 Jerome H. Lemelson Automatically optimized combustion control
CA2391441A1 (en) 1999-11-22 2001-06-14 The Dow Chemical Company Process for vinyl chloride manufacture from ethane and ethylene with immediate hcl recovery from reactor effluent
WO2001046067A1 (en) 1999-12-21 2001-06-28 Bechtel Bwxt Idaho, Llc Hydrogen and elemental carbon production from natural gas and other hydrocarbons
RU2158747C1 (ru) 2000-03-21 2000-11-10 Зао "Тк Сибур Нн" Способ прямого пиролиза метана
CA2348145C (en) * 2001-05-22 2005-04-12 Surface Engineered Products Corporation Protective system for high temperature metal alloys
US6699604B1 (en) * 2000-06-20 2004-03-02 Honeywell International Inc. Protective coating including porous silicon nitride matrix and noble metal
US6767505B2 (en) * 2000-07-12 2004-07-27 Utron Inc. Dynamic consolidation of powders using a pulsed energy source
KR100619351B1 (ko) 2000-07-26 2006-09-06 에스케이 주식회사 탄화수소 열분해 반응기 튜브 내벽에 코크 저감을 위한 코팅방법
US6482311B1 (en) * 2000-08-01 2002-11-19 Tda Research, Inc. Methods for suppression of filamentous coke formation
RU2187768C2 (ru) 2000-09-18 2002-08-20 Бычков Юрий Максимович Способ интенсификации теплообмена при сжигании твердого, жидкого и газообразного топлива и нагревательное устройство для его осуществления (варианты)
BR0114715A (pt) 2000-10-21 2004-10-19 Bp Chemical Ltd Processo para a hidratação de olefinas
US6444012B1 (en) 2000-10-30 2002-09-03 Engelhard Corporation Selective removal of nitrogen from natural gas by pressure swing adsorption
CH695290A5 (de) 2000-12-08 2006-03-15 Uop Llc Adsorbentien fuer die Reinigung von Kohlenwasserstoffstroemen.
JP4421100B2 (ja) * 2000-12-21 2010-02-24 不二越機械工業株式会社 シリコンウェーハの研磨砥粒液の温度調整方法
US6478535B1 (en) 2001-05-04 2002-11-12 Honeywell International, Inc. Thin wall cooling system
RU2204434C2 (ru) 2001-05-08 2003-05-20 Институт катализа им. Г.К. Борескова СО РАН Катализатор и способ получения смеси водорода и оксида углерода
JP3829917B2 (ja) 2001-05-28 2006-10-04 信越化学工業株式会社 アセチレンの製造装置及びその製造方法
US6620457B2 (en) * 2001-07-13 2003-09-16 General Electric Company Method for thermal barrier coating and a liner made using said method
US6764602B2 (en) 2001-11-29 2004-07-20 Exxonmobil Chemical Patents Inc. Process of removing oxygenated contaminants from an olefin composition
GB0129611D0 (en) 2001-12-11 2002-01-30 Bp Chem Int Ltd Process for production of styrene
US6761777B1 (en) 2002-01-09 2004-07-13 Roman Radon High chromium nitrogen bearing castable alloy
US6695077B2 (en) 2002-02-20 2004-02-24 Q'max Solutions Inc. Thermal process for treating hydrocarbon-contaminated drill cuttings
US6610124B1 (en) 2002-03-12 2003-08-26 Engelhard Corporation Heavy hydrocarbon recovery from pressure swing adsorption unit tail gas
JP2005521731A (ja) 2002-04-03 2005-07-21 サビック ハイドロカーボンズ ビー.ブイ. 吸着剤を用いて炭化水素流からアルシンを除去する方法
RU2222569C2 (ru) 2002-04-08 2004-01-27 НИУ "Институт теоретической и прикладной механики СО РАН" Способ проведения газофазных реакций
US6705831B2 (en) 2002-06-19 2004-03-16 United Technologies Corporation Linked, manufacturable, non-plugging microcircuits
US6774148B2 (en) * 2002-06-25 2004-08-10 Chevron U.S.A. Inc. Process for conversion of LPG and CH4 to syngas and higher valued products
US6688100B1 (en) 2002-07-16 2004-02-10 The Boeing Company Combustion chamber having a multiple-piece liner and associated assembly method
US6749829B2 (en) * 2002-07-23 2004-06-15 Bp Corporation North America Inc. Hydrogen to steam reforming of natural gas to synthesis gas
US6789288B2 (en) 2002-10-25 2004-09-14 Membrane Technology And Research, Inc. Natural gas dehydration process and apparatus
AU2003283525A1 (en) * 2002-11-04 2004-06-07 Doncasters Limited High temperature resistant alloys
DE10252859A1 (de) 2002-11-12 2004-05-27 Basf Ag Verfahren zur Herstellung von 1,2-Dichlorethan und von Vinylchlorid
US20040192983A1 (en) 2003-02-18 2004-09-30 Chevron Phillips Chemical Co. Acetylene hydrogenation catalyst with segregated palladium skin
US7442350B1 (en) 2003-04-17 2008-10-28 Uop Llc Plate design for mixer sparger
DE10320966A1 (de) 2003-05-09 2004-11-25 Linde Ag Wärmeisolierter Hochtemperaturreaktor
SE526673C2 (sv) 2003-08-28 2005-10-25 Sandvik Intellectual Property Användning av en metallförstoftningsresistent kopparlegering
US7919431B2 (en) 2003-09-03 2011-04-05 Synfuels International, Inc. Catalyst formulation for hydrogenation
US7045670B2 (en) 2003-09-03 2006-05-16 Synfuels International, Inc. Process for liquid phase hydrogenation
US20050058851A1 (en) * 2003-09-15 2005-03-17 Smith Gaylord D. Composite tube for ethylene pyrolysis furnace and methods of manufacture and joining same
US7183451B2 (en) 2003-09-23 2007-02-27 Synfuels International, Inc. Process for the conversion of natural gas to hydrocarbon liquids
US7208647B2 (en) 2003-09-23 2007-04-24 Synfuels International, Inc. Process for the conversion of natural gas to reactive gaseous products comprising ethylene
US6948455B2 (en) * 2003-10-08 2005-09-27 Riverside Hydronics, Llc Finned tube heat exchanger and method
FR2861403B1 (fr) 2003-10-27 2006-02-17 Inst Francais Du Petrole Procede de purification d'un gaz naturel par adsorption des mercaptans
US20070217995A1 (en) * 2004-02-18 2007-09-20 Chi Matsumura Hydrogen Producing Method and Apparatus
US7619125B2 (en) * 2004-03-31 2009-11-17 Kanto Kagaku Kabushiki Kaisha Hydrogenation promoter, hydrogenation catalyst, and process for producing alkene compound
US20060038044A1 (en) * 2004-08-23 2006-02-23 Van Steenkiste Thomas H Replaceable throat insert for a kinetic spray nozzle
US20060283780A1 (en) 2004-09-01 2006-12-21 Sud-Chemie Inc., Desulfurization system and method for desulfurizing a fuel stream
JP4266196B2 (ja) * 2004-09-17 2009-05-20 株式会社日立製作所 強度、耐食性及び耐酸化特性に優れたニッケル基超合金
EP1650160A1 (en) * 2004-10-20 2006-04-26 Stichting Energieonderzoek Centrum Nederland Process for the production of synthesis gas and reactor for such process
US7682574B2 (en) * 2004-11-18 2010-03-23 Applied Materials, Inc. Safety, monitoring and control features for thermal abatement reactor
CN101084188B (zh) 2004-12-21 2013-04-03 巴斯福股份公司 由来自发酵液的琥珀酸盐制备吡咯烷酮的方法
US6987152B1 (en) 2005-01-11 2006-01-17 Univation Technologies, Llc Feed purification at ambient temperature
DE102005002127A1 (de) 2005-01-17 2006-07-20 Basf Ag Verfahren zur Herstellung von Butadien aus n-Butan
US7253328B2 (en) 2005-01-24 2007-08-07 John Stauffer Method for producing vinyl chloride monomer
US8013197B2 (en) 2005-02-18 2011-09-06 Synfuels International, Inc. Absorption and conversion of acetylenic compounds
US20060198774A1 (en) 2005-03-03 2006-09-07 Cross Joseph B Mercury Removal sorbent
FR2883574B1 (fr) * 2005-03-23 2008-01-18 Snecma Moteurs Sa "procede de depot par projection thermique d'un revetement anti-usure"
EP1741691A1 (en) 2005-07-06 2007-01-10 Saudi Basic Industries Corporation Process for the production of ethylene
US8313056B2 (en) 2005-07-19 2012-11-20 United Technologies Corporation Engine heat exchanger with thermoelectric generation
US7759288B2 (en) 2005-07-27 2010-07-20 Air Products And Chemicals, Inc. Co-formed base-treated aluminas for water and CO2 removal
US7900692B2 (en) * 2005-10-28 2011-03-08 Nakamura Seisakusho Kabushikigaisha Component package having heat exchanger
DE102005062010A1 (de) 2005-12-22 2007-06-28 Basf Ag Verfahren der heterogen katalysierten partiellen Gasphasenoxidation von Propylen zu Acrylsäure
US7846401B2 (en) 2005-12-23 2010-12-07 Exxonmobil Research And Engineering Company Controlled combustion for regenerative reactors
ES2382568T3 (es) 2006-01-23 2012-06-11 Saudi Basic Industries Corporation Inc. Proceso para la producción de etileno a partir de gas natural con integración de calor
US7655135B2 (en) 2006-03-14 2010-02-02 Syntroleum Corporation Process for removing solid particles from a hydroprocessing feed
US20070260101A1 (en) * 2006-05-02 2007-11-08 Innovene Usa Llc Membrane reactor process for chemical conversions
US20090000184A1 (en) * 2006-07-21 2009-01-01 Garwood Anthony J Method of processing bio-mass matter into renewable fluid fuels (synthetic diesel)
US20100314788A1 (en) * 2006-08-18 2010-12-16 Cheng-Hung Hung Production of Ultrafine Particles in a Plasma System Having Controlled Pressure Zones
US7763163B2 (en) 2006-10-20 2010-07-27 Saudi Arabian Oil Company Process for removal of nitrogen and poly-nuclear aromatics from hydrocracker feedstocks
RU2443758C2 (ru) 2006-11-21 2012-02-27 ДАУ ГЛОБАЛ ТЕКНОЛОДЖИЗ ЭлЭлСи Способ удаления ртути из углеводородного исходного сырья
CA2676629A1 (en) 2007-01-29 2008-08-07 The University Of Nottingham A sorbent composition
EP2121549B1 (de) 2007-02-15 2017-06-07 Basf Se Verfahren zur herstellung von 1,4-butandiol
JP5563976B2 (ja) * 2007-05-25 2014-07-30 タイアックス エルエルシー 燃料燃焼システム、燃焼方法及びバーナー
EP2014635A1 (en) 2007-06-12 2009-01-14 Bp Oil International Limited Process for converting ethane into liquid alkane mixtures
US9617196B2 (en) 2007-08-03 2017-04-11 Hitachi Zosen Corporation Catalyst for methanation of carbon oxides, preparation method of the catalyst and process for the methanation
EP2022772A1 (en) 2007-08-09 2009-02-11 Bp Oil International Limited Process for converting methane into liquid alkane mixtures
EP2234952A1 (en) 2007-12-20 2010-10-06 DSM IP Assets B.V. Cyclohexanone production process with modified post-distillation
RU2373178C2 (ru) 2008-01-09 2009-11-20 Анатолий Васильевич Жуков Способ переработки углекарбонатного минерального сырья
RU2363521C1 (ru) 2008-02-04 2009-08-10 Федор Егорович Калуцкий Способ очистки отработавших промышленных газов от твердых частиц для подготовки их к использованию в замкнутом цикле, установка для его осуществления и фильтрующее устройство, используемое в установке
US20090211255A1 (en) * 2008-02-21 2009-08-27 General Electric Company Gas turbine combustor flame stabilizer
US8057707B2 (en) * 2008-03-17 2011-11-15 Arkems Inc. Compositions to mitigate coke formation in steam cracking of hydrocarbons
EP2106854B1 (en) 2008-04-04 2011-05-25 Saudi Basic Industries Corporation Catalyst for oligomerization of ethylene, method for preparation thereof and process for oligomerization using it
ES2728670T3 (es) * 2008-06-16 2019-10-28 Nippon Steel Corp Aleación austenítica resistente al calor, miembro a presión resistente al calor que comprende la aleación, y método para la fabricación del mismo miembro
CH699205A1 (de) * 2008-07-25 2010-01-29 Alstom Technology Ltd Schutzrohre für Thermoelemente.
US7901486B2 (en) 2008-10-02 2011-03-08 Conocophillips Company Removal of heavy metals from hydrocarbon gases
US8748686B2 (en) 2008-11-25 2014-06-10 Exxonmobil Chemical Patents Inc. Conversion of co-fed methane and low hydrogen content hydrocarbon feedstocks to acetylene
PT2373765T (pt) 2008-12-08 2018-10-08 Plagazi Ab Sistema para a produção de hidrogénio
EP2196559A1 (en) * 2008-12-15 2010-06-16 ALSTOM Technology Ltd Thermal barrier coating system, components coated therewith and method for applying a thermal barrier coating system to components
RU2011133062A (ru) 2009-01-08 2013-02-20 Шелл Интернэшнл Рисерч Маатсхаппий Б.В. Способ удаления газообразных примесей из потока газа, содержащего газообразные примеси, и устройство для его осуществления
NO2396089T3 (ru) * 2009-02-11 2018-01-06
ATE543920T1 (de) 2009-02-13 2012-02-15 Dalmine Spa Superlegierung auf nickelbasis und herstellungsverfahren dafür
WO2010094134A1 (en) 2009-02-23 2010-08-26 Metafoam Technologies Inc. Metal tube with porous metal liner
US9068743B2 (en) * 2009-02-26 2015-06-30 8 Rivers Capital, LLC & Palmer Labs, LLC Apparatus for combusting a fuel at high pressure and high temperature, and associated system
CA2657127C (en) 2009-03-05 2016-07-05 The Governors Of The University Of Alberta Removal of carbon dioxide from paraffins
SG174856A1 (en) 2009-03-12 2011-11-28 Shell Int Research Process for the conversion of lower alkanes to aromatic hydrocarbons
US8211312B2 (en) 2009-03-27 2012-07-03 Uop Llc Separation system and method
US8137476B2 (en) 2009-04-06 2012-03-20 Synfuels International, Inc. Secondary reaction quench device and method of use
US20100254433A1 (en) 2009-04-06 2010-10-07 Shahrnaz Azizi Techniques to format a symbol for transmission
EP2258674A1 (en) 2009-05-06 2010-12-08 Saudi Basic Industries Corporation Method for removal of an organic amine from a hydrocarbon stream
US8512663B2 (en) * 2009-05-18 2013-08-20 Exxonmobile Chemical Patents Inc. Pyrolysis reactor materials and methods
US8398747B2 (en) 2009-06-23 2013-03-19 Praxair Technology, Inc. Processes for purification of acetylene
PL2462088T3 (pl) 2009-08-03 2017-01-31 Shell Internationale Research Maatschappij B.V. Sposób wytwarzania metanu
RU2427608C2 (ru) 2009-08-10 2011-08-27 Федеральное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Астраханский государственный технический университет" (ФГОУ ВПО "АГТУ") Способ демеркаптанизации углеводородного сырья
GB0914272D0 (en) 2009-08-17 2009-09-30 Johnson Matthey Plc Sorbent
US8221524B2 (en) 2009-10-23 2012-07-17 Guild Associates, Inc. Oxygen removal from contaminated gases
WO2011081836A2 (en) 2009-12-15 2011-07-07 Uop Llc Mercury removal from cracked gas
US8608949B2 (en) 2009-12-30 2013-12-17 Uop Llc Process for removing metals from vacuum gas oil
RU2451658C2 (ru) 2010-04-22 2012-05-27 Ольга Игоревна Лаврова Способ и устройство для получения ацетилена
CN102247876B (zh) 2010-05-19 2013-06-26 中国科学院大连化学物理研究所 一种乙炔选择性催化加氢制乙烯的方法
US9120985B2 (en) * 2010-05-26 2015-09-01 Exxonmobil Research And Engineering Company Corrosion resistant gasifier components
CN101928217A (zh) 2010-05-27 2010-12-29 国电英力特能源化工集团股份有限公司 电石乙炔法合成醋酸乙烯的新方法
CN103003394B (zh) 2010-07-09 2015-04-29 埃克森美孚化学专利公司 集成的减压渣油至化学品的转化方法
US8480769B2 (en) * 2010-07-29 2013-07-09 Air Products And Chemicals, Inc. Method for gasification and a gasifier
RU2440962C1 (ru) 2010-07-29 2012-01-27 Общество с ограниченной ответственностью "УНИСИТ" (ООО "УНИСИТ") Одностадийный способ получения бутадиена
US8534040B2 (en) * 2010-11-11 2013-09-17 General Electric Company Apparatus and method for igniting a combustor
KR101796792B1 (ko) 2011-02-09 2017-11-13 에스케이이노베이션 주식회사 촉매를 이용하여 수소화 처리 반응을 통해 황 및 수은이 포함된 탄화수소 원료로부터 이들을 동시에 제거하는 방법
AU2012283922A1 (en) * 2011-07-19 2013-05-09 Velocys, Inc. Microchannel reactors and fabrication processes
US8636958B2 (en) * 2011-09-07 2014-01-28 Marathon Oil Canada Corporation Nozzle reactor and method of use
RU116365U1 (ru) 2011-11-21 2012-05-27 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А." (СГТУ имени Гагарина Ю.А.) Установка очистки природного газа от твердых частиц
JP6046976B2 (ja) 2012-05-17 2016-12-21 株式会社アルバック 露光装置
US20140116669A1 (en) * 2012-10-25 2014-05-01 Institute Of Nuclear Energy Research Atomic Energy Council, Executive Yuan Heat-conducting structure and heat exchanger and heat-exchanging system using thereof

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4426248A (en) * 1983-05-20 1984-01-17 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Process for coating rifle tubes
US4724272A (en) * 1984-04-17 1988-02-09 Rockwell International Corporation Method of controlling pyrolysis temperature
US6443354B1 (en) * 1999-02-05 2002-09-03 Plansee Aktiengesellschaft Process for the production of a composite component that can resist high thermal stress
US20020154741A1 (en) * 2000-12-04 2002-10-24 Rigali Mark J. Composite components for use in high temperature applications
US7000306B2 (en) * 2002-12-18 2006-02-21 Honeywell International, Inc. Spun metal form used to manufacture dual alloy turbine wheel
RU2438083C2 (ru) * 2007-07-30 2011-12-27 Сименс Акциенгезелльшафт Крышка для печи для приема расплавленного материала, в частности металла, и печь для приема расплавленного материала
US20110114285A1 (en) * 2009-11-17 2011-05-19 Buxbaum Robert E Copper-niobium, copper-vanadium, or copper-chromium nanocomposites, and the use thereof in heat exchangers

Also Published As

Publication number Publication date
EP2888211A2 (en) 2015-07-01
US9707530B2 (en) 2017-07-18
ZA201501731B (en) 2016-10-26
WO2014031512A2 (en) 2014-02-27
US10195574B2 (en) 2019-02-05
US20170274337A1 (en) 2017-09-28
WO2014031512A3 (en) 2014-04-17
EA201500256A1 (ru) 2015-12-30
US20140056770A1 (en) 2014-02-27
EP2888211A4 (en) 2016-06-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10195574B2 (en) Methane conversion apparatus and process using a supersonic flow reactor
US20140058178A1 (en) Methane conversion apparatus and process using a supersonic flow reactor
US10166524B2 (en) Methane conversion apparatus and process using a supersonic flow reactor
US10029957B2 (en) Methane conversion apparatus and process using a supersonic flow reactor
US20140058170A1 (en) Methane conversion apparatus and process using a supersonic flow reactor
EP2888214B1 (en) Methane conversion apparatus using a supersonic flow reactor
US20140056767A1 (en) Methane Conversion Apparatus and Process Using a Supersonic Flow Reactor
RU2767113C2 (ru) Устройство и способ конверсии метана с использованием сверхзвукового проточного реактора
US20140058158A1 (en) Methane conversion apparatus and process using a supersonic flow reactor
US20170015606A1 (en) Methane conversion apparatus and process using a supersonic flow reactor
EA031402B1 (ru) Устройство и способ конверсии метана с использованием реактора со сверхзвуковым потоком
US20140056768A1 (en) Methane conversion apparatus and process using a supersonic flow reactor
US20140058174A1 (en) Methane conversion apparatus and process using a supersonic flow reactor
US20140058169A1 (en) Methane conversion apparatus and process using a supersonic flow reactor
US20140058175A1 (en) Methane conversion apparatus and process using a supersonic flow reactor
US20140058171A1 (en) Methane conversion apparatus and process using a supersonic flow reactor
WO2018236851A1 (en) METHANE CONVERTING APPARATUS AND METHOD USING A SUPERSONIC FLOW REACTOR
US10160697B2 (en) Methane conversion apparatus and process using a supersonic flow reactor
US20140058172A1 (en) Methane conversion apparatus and process using a supersonic flow reactor

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Lapse of a eurasian patent due to non-payment of renewal fees within the time limit in the following designated state(s)

Designated state(s): AM AZ BY KG TJ

MM4A Lapse of a eurasian patent due to non-payment of renewal fees within the time limit in the following designated state(s)

Designated state(s): KZ

MM4A Lapse of a eurasian patent due to non-payment of renewal fees within the time limit in the following designated state(s)

Designated state(s): TM RU