DE69736374T2 - Photoresistzusammensetzungen, die Copolymere als Bindemittel enthalten - Google Patents

Photoresistzusammensetzungen, die Copolymere als Bindemittel enthalten Download PDF

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Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • 1. Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf Photoresistzusammensetzungen, insbesondere chemisch verstärkte positiv wirkende Resiste.
  • 2. Stand der Technik
  • Photoresiste sind lichtempfindliche Filme zur Übertragung von Bildern auf ein Substrat. Auf einem Substrat wird eine Überzugsschicht aus einem Photoresist gebildet und die Photoresistschicht anschließend durch eine Photomaske mit einer Quelle aktivierender Strahlung belichtet. Die Photomaske besitzt Bereiche, die für aktivierende Strahlung undurchlässig sind, und andere Bereiche, die für aktivierende Strahlung durchlässig sind. Die Belichtung mit aktivierender Strahlung führt zu einer licht-induzierten chemischen Umwandlung des Photoresistüberzugs und damit zur Übertragung des Photomaskenmusters auf das mit dem Photoresist überzogene Substrat. Nach der Belichtung wird der Photoresist entwickelt, so dass ein Reliefbild entsteht, das die selektive Bearbeitung eines Substrates erlaubt.
  • Ein Photoresist kann entweder positiv wirkend oder negativ wirkend sein. Bei den meisten negativ wirkenden Photoresisten polymerisieren oder vernetzen diejenigen Bereiche der Überzugsschicht, die mit aktivierender Strahlung belichtet werden, in einer Reaktion zwischen einer photoaktiven Verbindung und polymerisierbaren Reagenzien der Photoresistzusammensetzung. Dementsprechend sind die belichteten Bereiche des Überzugs in einer Entwicklerlösung weniger löslich als die nicht belichteten Bereiche. Bei einem positiv wirkenden Photoresist sind die belichteten Bereiche in einer Entwicklerlösung stärker löslich, wohingegen die nicht belichteten Bereiche in einem Entwickler vergleichsweise weniger löslich sind.
  • Im Allgemeinen umfassen Photoresistzusammensetzungen mindestens eine Harzbindemittelkomponente und eine photoaktive Substanz.
  • Photoresistzusammensetzungen sind in Deforest, Photoresist Materials and Processes, McGraw Hill Book Company, New York, Kapitel 2, 1975 und Moreau, Semiconductor Lithography, Principles, Practices and Materials, Plenum Press, New York, Kapitel 2 und 4 beschrieben.
  • Die EP-0 701 171 A1 offenbart eine Resistzusammensetzung, die ein alkalilösliches Harz, einen Lösungsinhibitor und eine unter Lichteinwirkung Säure erzeugende Substanz umfasst. Das alkali-lösliche Harz ist typischerweise ein teilweise t-butoxycarbonylisiertes Polyhydroxystyrol. Der Lösungsinhibitor kann ein Hydroxystyrol-Copolymer, nicht substituiertes oder substituiertes Styrol wie z.B. t-Butoxystyrol, t-Butylacrylat und Acrylsäure sein. Der Molprozentsatz der zuvor erwähnten Einheiten liegt im Bereich von 0 bis 90, mehr als 0 bis 90, mehr als 0 bis 90 bzw. 0 bis 50, wobei die Summe der Molprozent 100 ist. Die unter Lichteinwirkung Säure erzeugende Substanz ist vorzugsweise ein Iodonium- oder Sulphoniumsalz. Die Resistzusammensetzung ist angeblich bei der Bildung eines Resistfilms wirksam, der mittels hochenergetischer Strahlung wie z.B. einem KrF-Excimer-Laser genau und fein gemustert werden kann.
  • Darüber hinaus bezieht sich die EP 0 440 374 auf chemisch verstärkte Resistmaterialien aus einem Polymer mit einer Monomereinheit mit einer speziellen funktionellen Gruppe, einer Monomereinheit mit einer Phenolhydroxygruppe und, falls notwendig, einer dritten Monomereinheit. Die Monomereinheit mit einer speziellen funktionellen Gruppe wird aus p- oder m-Hydroxystyrolderivaten mit Schutzgruppen, die bei Einwirkung einer Säure freigesetzt werden, gewonnen. Die eventuell vorliegende dritte Monomereinheit kann z.B. t-Butylmethacrylat sein. Ein Synthesebeispiel bezieht sich auf ein Terpolymer von p-Hydroxystyrol, p-tert-Butoxystyrol und tert-Butylmethacrylat in einem Copolymerisationsverhältnis von 48 Prozent, 32 Prozent bzw. 20 Prozent.
  • Die JP 7003116 A bezieht sich auf eine unter Lichteinwirkung härtende Harzzusammensetzung, die eine photoaktive Komponente und ein Terpolymer von p-Hydroxystyrol, Styrol und Glycidylmethacrylat in einem Copolymerisationsverhältnis von 20 Prozent, 20 Prozent bzw. 60 Prozent umfasst, sowie eine Epoxidverbindung als reaktives Verdünnungsmittel.
  • Die JP 07261377 A offenbart eine chemisch verstärkte Photoresistzusammensetzung, die eine strahlungsempfindliche, Säure erzeugende Substanz und ein Harz mit unter Säureeinwirkung zerfallenden Gruppen umfasst. Diesbezüglich bezieht sich eines der Arbeitsbeispiele auf ein Terpolymer von Hydroxystyrol, Styrol und tert-Butylacrylat in einem Copolymerisationsverhältnis von 40 Prozent, 20 Prozent bzw. 40 Prozent. Die Photoresistzusammensetzung wird in einem Methyl-β-methoxyisobutyrat enthaltenden Lösungsmittel gelöst.
  • Zwar eignen sich derzeit erhältliche Photoresiste für zahlreiche Anwendungszwecke, doch aktuelle Resiste können auch signifikante Nachteile aufweisen, insbesondere bei Hochleistungsanwendungen wie der Bildung hochaufgelöster Merkmale im Submikrometer- und Subhalbmikrometerbereich.
  • Es können beispielsweise Probleme beim Ätzen einer durch ein entwickeltes Resistreliefbild definierten freigelegten Substratoberfläche auftreten. Insbesondere beim Ätzen von Aluminium, Siliziumoxid und anderen Substraten herrschen häufig stringente Bedingungen. Es werden oftmals gasförmige Ätzmittel auf Chlor- und Fluorbasis verwendet und während des Ätzens kommt es häufig zu einer starken lokalen Erwärmung. Als Folge kann der gemusterte Photoresistüberzug auf dem Substrat schrumpfen oder anderweitig zerfallen. Ein solcher Zerfall kann die Auflösung des in das Substrat geätzten Merkmals reduzieren und das Substrat sogar für seinen Verwendungszweck unbrauchbar machen.
  • Probleme können auch bei der Verwendung positiv wirkender chemisch verstärkter Resiste auftreten. Diese Resiste nutzen eine Entschützungs- oder Abspaltungsreaktion einer Harzbindemittelkomponente, um Löslichkeitsunterschiede zwischen den belichteten und unbelichteten Bereichen zu erzeugen. Diese Entschützungsreaktion kann zu einer Abspaltung einer erheblichen Masse des Resists führen, die wiederum ein signifikantes Schrumpfen derjenigen Schichtbereiche des Resistüberzuges, die mit aktivierender Strahlung belichtet wurden, bewirken kann. Ein solches Schrumpfen kann die Auflösung des Bildes, das in der Photoresistüberzugsschicht ein Muster bildet, gefährden (für eine Diskussion der Resistharzbindemittel mit säurelabilen Gruppen, die in Gegenwart einer unter Lichteinwirkung Säure erzeugenden Substanz Entschützungs- oder Abspaltungsreaktionen durchlaufen, siehe z.B. US-Patente Nr. 4,968,581, 4,883,740, 4,810,613 und 4,491,628).
  • Ein weiterer fortbestehender Nachteil der aktuellen Resiste ist die schlechte Auflösung "isolierter" Resistlinien oder anderer Merkmale, insbesondere bei der Verwendung eines positiven Resists. Eine entwickelte Resistlinie oder ein anderes Merkmal gilt allgemein als "isoliert", wenn es von dem am nächsten angrenzenden Resistmerkmal um das zwei- oder mehrfache der Linienbreite beabstandet ist. Wird also beispielsweise eine Linie einer Breite von 0,25 μm gedruckt, gälte die Linie als isoliert (nicht als dicht), wenn das als nächstes angrenzende Resistmerkmal mindestens etwa 0,50 μm von der Linie beabstandet ist. Häufige Auflösungsprobleme bei isolierten Linien sind abgerundete Spitzen und Unterätzung.
  • Es wäre daher wünschenswert, neue Photoresistzusammensetzungen zu haben, insbesondere Resistzusammensetzungen, die eine erhöhte Stabilität bzw. Beständigkeit gegenüber ätzenden Umgebungen aufweisen. Es wäre weiterhin wünschenswerte, neue chemisch verstärkte positive Photoresistzusammensetzungen zu haben, die während der Belichtung und anderer Bearbeitungsschritte nicht signifikant schrumpfen. Es wäre außerdem wünschenswert, neue positive Photoresistzusammensetzungen zu haben, die hochaufgelöste isolierte Linien bilden.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Die vorliegende Erfindung stellt Photoresistzusammensetzungen bereit, die, wie in Anspruch 1 definiert, eine photoaktive Komponente und eine Harzbindemittelkomponente umfassen.
  • Es hat sich überraschenderweise herausgestellt, dass als Photoresist-Harzbindemittelkomponenten eingesetzte Copolymere eine erheblich verbesserte Beständigkeit gegenüber aggressiven ätzenden Umgebungen wie z.B. Ätzmitteln auf Chlor- und Fluorbasis aufweisen (siehe z.B. die Ergebnisse des nachfolgenden Beispiels 9).
  • Darüber hinaus hat sich ganz unerwarteterweise herausgestellt, dass die erfindungsgemäßen Resiste bei isolierten Linien eine verbesserte Leistungsfähigkeit aufweisen, d.h. die erfindungsgemäßen Resiste bilden isolierte Reliefmerkmale verbesserter Auflösung, z.B. isolierte Linien mit im Wesentlichen quadratischen Profilen ohne Unterätzung. In der Tat stellen Photoresistzusammensetzungen mit diesen Copolymeren als Harzbindemittelkomponente hochaufgelöste gemusterte Bilder mit Abmessungen im Submikrometer- und Subhalbmikrometerbereich bereit, z.B. hochaufgelöste isolierte Linien einer Breite von weniger als etwa 0,40 μm oder sogar etwa 0,25 μm oder weniger.
  • Weiterhin weisen die Harze gute Lösungsgeschwindigkeiten auf, die hochaufgelöste Resistbilder ermöglichen. Resiste mit einer zu hohen Lösungsgeschwindigkeit können eine relativ verminderte Auflösung aufweisen, insbesondere beim Drucken von Merkmalen im Mikrometer- oder Submikrometerbereich.
  • Es hat sich weiterhin herausgestellt, dass die als Photoresist-Harzbindemittelkomponenten verwendeten Polymere in Relation zu vergleichbaren Resisten mit einem Harzbindemittel, das ein Polymer nur aus Einheiten von Phenolgruppen und säurelabilen Gruppen enthält, erheblich weniger schrumpfen (siehe die Ergebnisse des nachfolgenden Beispiels 10).
  • Die Erfindung stellt darüber hinaus Verfahren zur Bildung von Reliefbildern bereit, darunter Verfahren zur Bildung eines hochaufgelösten Reliefbildes wie z.B. eines Linienmusters, bei dem jede Linie im Wesentlichen senkrechte Seitenwände und eine Linienbreite von etwa 0,40 μm oder weniger oder sogar etwa 0,25 μm oder weniger aufweist. Die Erfindung stellt weiterhin Substrate umfassende Herstellungsgegenstände wie z.B. Mikroelektronik-Wafer oder Flüssigkristallanzeigen oder andere Flachschirmanzeigen mit Überzügen aus den erfindungsgemäßen Photoresisten und Reliefbildern bereit. Andere Aspekte der Erfindung werden nachfolgend offenbart.
  • Detaillierte Beschreibung der Erfindung
  • Das erfindungsgemäß nützliche Copolymer entspricht der folgenden Formel I:
    Figure 00060001
    worin R der Einheiten 1) ein verzweigtes Alkyl mit bis zu 10 Kohlenstoffatomen, noch typischer bis zu 6 Kohlenstoffen ist. Das verzweigte Alkyl wie z.B. tert-Butyl ist im Allgemeinen eine bevorzugte R-Gruppe. Das Polymer kann außerdem ein Gemisch aus verschiedenen R-Gruppen umfassen, z.B. durch Verwendung einer Vielzahl von Acrylatmonomeren während der Polymersynthese.
  • Wie in der obigen Formel I dargestellt, kann sich die Hydroxylgruppe der Einheiten 3) an den ortho-, meta- oder para-Positionen in dem Copolymer befinden. Die para- oder meta-Substitution ist im Allgemeinen bevorzugt.
  • Jeder der Substituenten R3, R4 und R5 kann unabhängig Wasserstoff oder Methyl sein.
  • In der obigen Formel I sind x, y und z die Molfraktionen oder -prozentsätze der Einheiten 3), 2) bzw. 1) in dem Copolymer. Diese Molfraktionen können variieren; beispielsweise liegt x zwischen 65 und 75, y zwischen 10 und 20 und z zwischen 10 und 20 Prozent.
  • Die Copolymere schließen diejenigen ein, bei denen die einzigen Polymereinheiten den allgemeinen Strukturen der oben genannten Einheiten 1), 2) und 3) entsprechen und die Summe der Molprozentsätze x, y und z Hundert ergibt.
  • Die erfindungsgemäß eingesetzten Polymere können durch Polymerisation freier Radikale hergestellt werden, z.B., wie zuvor diskutiert, durch Umsetzen einer Vielzahl von Monomeren zur Bereitstellung der verschiedenen Einheiten in Gegenwart eines Radikalinitiators unter einer inerten Atmosphäre (z.B. N2 oder Argon) und bei erhöhten Temperaturen von etwa 70 °C oder mehr, auch wenn die Reaktionstemperaturen je nach der Reaktivität der speziellen eingesetzten Reagenzien und dem Siedepunkt des Reaktionslösungsmittels (sofern ein solches eingesetzt wird) variieren können (für beispielhafte Reaktionsbedingungen siehe die nachfolgenden Beispiele 1 und 2). Geeignete Reaktionstemperaturen für ein bestimmtes System lassen sich vom Fachmann basierend auf der vorliegenden Offenbarung leicht empirisch bestimmen.
  • Falls gewünscht, kann ein Reaktionslösungsmittel eingesetzt werden. Geeignete Lösungsmittel sind z.B. Alkohole wie Propanole und Butanole sowie aromatische Lösungsmittel wie Benzol, Chlorbenzol, Toluol und Xylol. Dimethylsulfoxid und Dimethylformamid eignen sich ebenfalls. Die Polymerisationsreaktion kann auch lösungsmittelfrei erfolgen.
  • Zur Herstellung der erfindungsgemäß eingesetzten Copolymere kann eine Vielzahl freier Radikalinitiatoren eingesetzt werden. Es können z.B. Azoverbindungen wie Azo-bis-2,2'-isobutyronitril (AIBN) und 1,1'-Azobis(cyclohexancarbonitril) eingesetzt werden. Peroxide, Perester, Persäuren und Persulfate können ebenfalls verwendet werden.
  • Vorzugsweise besitzt das Copolymer ein massegemitteltes Molekulargewicht (Mw) von 1.000 bis etwa 100.000, noch bevorzugter etwa 2.000 bis etwa 30.000 mit einer Molekulargewichtsverteilung (Mw/Mn) von etwa 3 oder weniger, noch bevorzugter einer Molekulargewichtsverteilung von etwa 2 oder weniger. Die Molekulargewichte (entweder Mw oder Mn) der Polymere werden geeigneterweise durch Gelpermeationschromatographie bestimmt.
  • Wie zuvor diskutiert, sind die erfindungsgemäß eingesetzten Copolymere als Harzbindemittelkomponente in Photoresistzusammensetzungen, insbesondere chemisch verstärkten positiven Resisten sehr nützlich. Die erfindungsgemäßen Photoresiste umfassen im Allgemeinen eine photoaktive Komponente und eine Harzbindemittelkomponente, die das zuvor beschriebene Copolymer umfasst.
  • Die Harzbindemittelkomponente sollte in einer Menge verwendet werden, die ausreicht, eine Überzugsschicht aus dem Resist mit einem wässrigen alkalischen Entwickler entwickelbar zu machen.
  • Die erfindungsgemäßen Resistzusammensetzungen umfassen außerdem eine unter Lichteinwirkung Säure erzeugende Substanz (d.h. "PAG"), die geeigneterweise in einer Menge eingesetzt wird, die ausreicht, bei Belichtung mit aktivierender Strahlung ein Latentbild in einer Überzugsschicht aus dem Resist zu erzeugen.
  • Im Allgemeinen sind Sulfonatverbindungen bevorzugte PAGs, insbesondere Sulfonatsalze. Zwei besonders bevorzugte Substanzen sind die folgenden PAGs 1 und 2:
  • Figure 00080001
  • Solche Sulfonatverbindungen können, wie in dem nachfolgenden Beispiel 8 (Details zur Synthese der obigen PAG1) offenbart, hergestellt werden. Die obige Sulfonat-PAG2 lässt sich nach denselben Verfahren wie in dem nachfolgenden Beispiel 8 herstellen, mit der Ausnahme, dass in etwa molare Äquivalente von t-Butylbenzol und Benzol im ersten Schritt zusammen mit Essigsäureanhydrid und KIO3 umgesetzt werden.
  • Andere geeignete Sulfonat-PAGs sind beispielsweise sulfonierte Ester und Sulfonyloxyketone (zur Offenbarung geeigneter Sulfonat-PAGs, z.B. Benzointosylat, t-Butylphenyl-alpha-(p-toluolsulfonyloxy)acetat und t-Butyl-alpha-(p-toluolsulfonyloxy)acetat siehe J. of Photopolymer Science and Technology, 4(3):337–340 (1991)). Bevorzugte Sulfonat-PAGs sind auch in dem US-Patent 5,344,742 von Sinta et al. offenbart.
  • Oniumsalze sind ebenfalls allgemein bevorzugte unter Lichteinwirkung Säure erzeugende Substanzen der erfindungsgemäßen Zusammensetzungen. Es hat sich herausgestellt, dass Oniumsalze mit schwach nukleophilen Anionen besonders geeignet sind. Beispiele für solche Anionen sind die Halogenkomplexanionen zwei- bis siebenwertiger Metalle oder Nichtmetalle, z.B. Sb, Sn, Fe, Bi, Al, Ga, In, Ti, Zr, Sc, D, Cr, Nf und Cu sowie B, P und As. Beispiele für geeignete Oniumsalze sind Diaryldiazoniumsalze und Oniumsalze der Gruppe Va und B, Ia und B sowie I des Periodensystems, z.B. Haloniumsalze, quaternäre Ammonium-, Phosphonium- und Arsoniumsalze, aromatische Sulfoniumsalze und Sulfoxoniumsalze oder Selensalze. Beispiele für geeignete bevorzugte Oniumsalze finden sich in den US-Patenten 4,442,197, 4,603,101 und 4,624,912.
  • Weitere nützliche unter Lichteinwirkung Säure erzeugende Substanzen schließen die Familie der Nitrobenzylester sowie s-Triazinderivate ein. Geeignete unter Lichteinwirkung Säure erzeugende s-Triazin-Substanzen sind z.B. in dem US-Patent 4,189,323 offenbart.
  • Es können auch halogenierte, nicht-ionische unter Lichteinwirkung Säure erzeugende Verbindungen geeignet sein, z.B. 1,1-Bis[p-chlorphenyl]-2,2,2-trichlorethan (DDT), 1,1-Bis[p-methoxyphenyl]-2,2,2-trichlorethan, 1,2,5,6,9,10-Hexabromcyclodecan, 1,10-Dibromdecan, 1,1-Bis[p-chlorphenyl]-2,2-dichlorethan, 4,4-Dichlor-2-(trichlormethyl)benzhydrol (Kelthane), Hexachlordimethylsulfon, 2-Chlor-6-(trichlormethyl)pyridin, o,o-Diethyl-o-(3,5,6-trichlor-2-pyridyl)phosphorothionat, 1,2,3,4,5,6-Hexachlorcyclohexan, N(1,1-Bis[p-chlorphenyl]-2,2,2-trichlorethyl)acetamin, Tris[2,3-dibrompropyl]isocyanurat, 2,2-Bis[p-chlorphenyl]-1,1-dichlorethylen, Tris[trichlormethyl]s-triazin und deren Isomere, Analoge, Homologe und Restverbindungen. Geeignete unter Lichteinwirkung Säure erzeugende Substanzen sind auch in den europäischen Patentanmeldungen Nr. 0164248 und 0232972 offenbart. Für die Belichtung mit fernem UV-Licht bevorzugte unter Lichteinwirkung Säure erzeugende Substanzen sind z.B. 1,1-Bis[p-chlorphenyl]-2,2,2-trichlorethan (DDT), 1,1-Bis[p-methoxyphenol]-2,2,2-trichlorethan, 1,1-Bis(chlorphenyl)-2,2,2-trichlorethanol, Tris(1,2,3-methansulfonyl)benzol und Tris(trichlormethyl)triazin.
  • Eine bevorzugte, wahlweise einsetzbare Komponente der erfindungsgemäßen Resistzusammensetzungen ist eine Farbstoffkomponente. Bevorzugte Farbstoffe können die Auflösung des gemusterten Resistbildes typischerweise durch Reduktion von Reflexionen und deren Auswirkungen (z.B. „Notching") bei der Belichtung mit Strahlung verstärken. Bevorzugte Farbstoffe sind z.B. substituierte und nicht substituierte Phenothiazin-, Phenoxazin-, Anthracen- und Anthrarobinverbindungen. Bevorzugte Substituenten von substituiertem Phenothiazin, Phenoxazin, Anthracen und Anthrarobin sind z.B. Halogen, C1-12-Alkyl, C1-12-Alkoxy, C2-12-Alkylen, C1-12-Alkanoyl wie z.B. Acetyl, Aryl wie z.B. Phenyl, usw. Copolymere solcher Verbindungen können ebenfalls als Farbstoff verwendet werden, z.B. ein Anthracenacrylatpolymer oder -copolymer. Für einige Anwendungszwecke kann auch ein Curcuminfarbstoff verwendet werden. Neben der Reduktion von Reflexionen bei der Belichtung mit fernem UV-Licht kann der Einsatz eines Farbstoffes die Spektralreaktion der erfindungsgemäßen Zusammensetzungen auf mehr als 248 nm oder andere Wellenlängen des fernen UV-Lichts, z.B. Belichtungswellenlängen von 365 nm oder 436 nm ausweiten.
  • Ein weiterer bevorzugter, wahlweise einsetzbarer Zusatzstoff ist eine zugesetzte Base, insbesondere Tetrabutylammoniumhydroxid (TBAH) oder das Lactatsalz von TBAH, das die Auflösung eines entwickelten Resistreliefbildes verstärken kann. Die zugesetzte Base wird geeigneterweise in relativ kleinen Mengen, z.B. etwa 1 bis 20 Gew.-% der photoaktiven Komponente (PAG) verwendet.
  • Die erfindungsgemäßen Photoresiste können auch andere wahlweise einsetzbare Materialien enthalten. Andere wahlweise einsetzbare Zusatzstoffe sind z.B. Mittel gegen Streifenbildung, Weichmacher, Lichtempfindlichkeitsverstärker, usw. Solche wahlweise einsetzbaren Zusatzstoffe liegen typischerweise in einer Photoresistzusammensetzung in einer geringen Konzentration vor, mit Ausnahme von Füllstoffen und Farbstoffen, die in relativ großen Konzentrationen, z.B. in Mengen von etwa 5 bis 30 Gew.-% des Gesamtgewichts der trockenen Resistkomponenten vorliegen können.
  • Die erfindungsgemäßen Zusammensetzungen lassen sich vom Fachmann leicht herstellen. Eine erfindungsgemäße Photoresistzusammensetzung kann z.B. durch Lösen der Photoresistkomponenten in einem geeigneten Lösungsmittel, z.B. Ethyllactat, einem Glycolether wie 2-Methoxyethylether (Diglyme), Ethylenglycolmonomethylether, Propylenglycolmonomethylether, einem Cellosolve-Ester wie Methylethylketon und 3-Ethoxyethylpropionat hergestellt werden. Typischerweise variiert der Feststoffanteil der Zusammensetzung zwischen etwa 5 und 35 Gew.-% des Gesamtgewichts der Photoresistzusammensetzung. Das Harzbindemittel und die PAG-Komponenten sollten in Mengen vorliegen, die ausreichen, eine Filmüberzugsschicht sowie Latent- und Reliefbilder guter Qualität zu erzeugen (für beispielhafte bevorzugte Mengen der Resistkomponenten siehe das nachfolgende Beispiel 8).
  • Die erfindungsgemäßen Zusammensetzungen werden gemäß allgemein bekannten Verfahren eingesetzt. Die erfindungsgemäßen flüssigen Überzugszusammensetzungen werden mittels Schleuderbeschichten, Tauchbeschichten, Walzbeschichten oder einer anderen herkömmlichen Beschichtungstechnik auf ein Substrat aufgebracht. Beim Schleuderbeschichten kann der Feststoffanteil der Überzugslösung so eingestellt werden, dass basierend auf der spezifischen verwendeten Schleuderbeschichtungsvorrichtung, der Viskosität der Lösung, der Drehzahl der Schleuder und der Schleuderzeit eine gewünschte Filmdicke entsteht.
  • Die erfindungsgemäßen Resistzusammensetzungen werden geeigneterweise auf herkömmlicherweise bei Prozessen mit Photoresistbeschichtung verwendete Substrate aufgebracht. Die Zusammensetzung kann z.B. auf Silizium- oder Siliziumdioxid-Wafer zur Herstellung von Mikroprozessoren und anderen Bauteilen mit integrierten Schaltungen aufgebracht werden. Aluminium-Aluminiumoxid-, Galliumarsenid-, Keramik-, Quarz- oder Kupfersubstrate können ebenfalls eingesetzt werden. Für Flüssigkristallanzeigen und andere Flachschirmanzeigen verwendete Substrate, z.B. Glassubstrate, Indiumzinnoxid- beschichtete Substrate und dergleichen, werden ebenfalls geeigneterweise eingesetzt.
  • Nach dem Beschichten der Oberfläche mit dem Photoresist wird dieser zur Entfernung des Lösungsmittels durch Erwärmen getrocknet, bis der Photoresistüberzug vorzugsweise nicht mehr klebt. Danach wird er durch eine Maske auf herkömmliche Weise mit einem Bild versehen. Die Belichtung reicht aus, um die photoaktive Komponente des Photoresistsystems wirksam zu aktivieren, so dass ein gemustertes Bild in der Resistüberzugsschicht entsteht; insbesondere reicht die Belichtungsenergie je nach Belichtungsvorrichtung und den Komponenten der Photoresistzusammensetzung typischerweise von etwa 1 bis 300 mJ/cm2.
  • Überzugsschichten der erfindungsgemäßen Resistzusammensetzungen werden vorzugsweise durch eine Belichtungswellenlänge im fernen UV-Lichtbereich, d.h. 350 nm oder weniger, noch typischer im Bereich von etwa 300 nm oder weniger, typischerweise etwa 150 bis 300 oder 450 nm photaktiviert. Eine besonders bevorzugte Belichtungswellenlänge ist etwa 248 nm.
  • Nach der Belichtung wird die Filmschicht der Zusammensetzung vorzugsweise bei Temperaturen von etwa 70 °C bis etwa 160 °C einer Wärmebehandlung unterzogen. Danach wird der Film entwickelt. Der belichtete Resistfilm wird durch Einsatz eines polaren Entwicklers, vorzugsweise eines Entwicklers auf Wasserbasis wie z.B. eines anorganischen Alkalis wie Natriumhydroxid, Kaliumhydroxid, Natriumcarbonat, Natriumbicarbonat, Natriumsilicat, Natriummetasilicat, quaternäre Ammoniumhydroxid-Lösungen wie tetra-Alkylammoniumhydroxid-Lösung, verschiedene Aminlösungen wie Ethylamin, n-Propylamin, Diethylamin, Di-n-propylamin, Triethylamin oder Methyldiethylamin, Alkoholamine wie Diethanolamin oder Triethanolamin, zyklische Amine wie Pyrrol, Pyridin, usw. positiv wirkend gemacht. Im Allgemeinen erfolgt die Entwicklung nach im Stand der Technik bekannten Verfahren.
  • Nach der Entwicklung des Photoresistüberzugs auf dem Substrat kann das entwickelte Substrat in den resistfreien Bereichen z.B. durch chemisches Ätzen oder Beschichten nach im Stand der Technik bekannten Verfahren selektiv bearbeitet werden. Geeignete Ätzmittel für die Herstellung von mikroelektronischen Substraten, z.B. Siliziumdioxid-Wafern, sind z.B. gasförmige Ätzmittel wie Ätzmittel auf Chlor- oder Fluorbasis, z.B. CF4- oder CF4/CHF3-Ätzmittel, die als Plasmastrom aufgetragen werden. Wie zuvor diskutiert, sind die erfindungsgemäßen Zusammensetzungen gegenüber solchen Ätzmitteln höchst beständig, was die Herstellung hochaufgelöster Merkmale wie Linien mit Submikrometerbreite ermöglicht (siehe auch die Ergebnisse des nachfolgenden Beispiels 9). Nach dieser Bearbeitung kann der Resist aus dem bearbeiteten Substrat mittels bekannter Abziehverfahren entfernt werden.
  • Die folgenden nicht einschränkenden Beispiele veranschaulichen die Erfindung.
  • Beispiele 1–6 – Herstellung der erfindungsgemäß eingesetzten Copolymere
  • Beispiel 1 – Synthese mittels Acetoxystyol ("maskiertes" Monomer)
  • 4-Acetoxystyrol (115,7 g, 0,714 Mol), Styrol (21,1 g, 0,204 Mol) und t-Butylacrylat (12,8 g, 0,102 Mol) wurden in 375 ml Isopropylalkohol gelöst. Dann wurde die Reaktionslösung durch 20-minütiges sanftes Durchsprudeln der gerührten Lösung mit einem N2-Strom und anschließende Platzierung unter einer N2-Decke desoxidiert. Die Polymerisationslösung wurde nun einem sanften Rückfluss unterzogen. Dann wurden dem Gemisch unter sanftem Rückfluss 5 Minuten lang 6,69 g (0,273 Mol) in 20 ml Acetonitril gelöstes Azo-bis-2,2'-isobutyronitril (AIBN) zugesetzt. Die Polymerisation wurde dann 24 Stunden lang unter Rühren einem Rückfluss unterzogen.
  • Nach Abschluss der Polymerisation wurde die 4-Acetoxystyrol-Grundeinheit durch Deacetylierung mit einer Base quantitativ in 4-Hydroxystyol umgewandelt. Der einem Rückfluss unterzogenen Polymerisationslösung wurde 15 Minuten lang in 26 ml Wasser gelöstes Ammoniumacetat (110,1 g, 0,499 Mol) zugesetzt. Nach der Zugabe wurde das Reaktionsgemisch 18 Stunden lang einem sanften Rückfluss unterzogen; dabei ging das Polymer in Lösung. Anschließend wurde das Polymer filtriert, gründlich mit Wasser gewaschen und in Wasser (2000 ml) 2 Stunden lang aufgeschlämmt. Schließlich wurde das Terpolymer filtriert, gründlich mit Wasser gewaschen und über Nacht im Vakuumofen bei 50 °C getrocknet. Die Zusammensetzung und andere Eigenschaften des Terpolymers sind in der nachfolgenden Tabelle 1 dargestellt.
  • Beispiel 2 – Synthese mittels Hydroxystyol
  • 4-Hydroxystyrol (17,50 g, 0,146 Mol), Styrol (7,6 g, 0,073 Mol) und t-Butylacrylat (9,3 g, 0,073 Mol) wurden in 85 ml Isopropylalkohol gelöst. Dann wurde die Reaktionslösung durch 20-minütiges sanftes Durchsprudeln der gerührten Lösung mit einem N2-Strom und anschließende Platzierung unter einer N2-Decke desoxidiert. Die Polymerisationslösung wurde nun einem sanften Rückfluss unterzogen. Dann wurden dem Gemisch unter sanftem Rückfluss 5 Minuten lang in 5 ml Acetonitril gelöstes Azo-bis-2,2'-isobutyronitril (AIBN) (0,48 g, 0,003 Mol) zugesetzt. Die Polymerisation wurde dann 24 Stunden lang unter Rühren einem Rückfluss unterzogen. Nach Abschluss der Polymerisation wurde das Polymer durch Ausfällen in Wasser (1000 ml) isoliert, filtriert, gründlich mit Wasser gewaschen und über Nacht im Vakuumofen bei 50 °C getrocknet. Die Zusammensetzung und andere Eigenschaften des Terpolymers sind in der nachfolgenden Tabelle 1 dargestellt.
  • Beispiele 3–6 und Vergleichsbeispiel
  • Es wurden weitere erfindungsgemäße Terpolymere (Copolymere der Beispiele 3–6) nach ähnlichen Verfahren wie in den Beispielen 1–2 offenbart hergestellt. Ein Vergleichsbeispiel (Copolymer ohne Einheiten 2)) wurde ebenfalls hergestellt. Die Zusammensetzung und andere Eigenschaften dieser Polymere sind in der nachfolgenden Tabelle 1 dargestellt (das Vergleichsbeispiel bezieht sich auf das Material des Vergleichsbeispiels). Die Gewichtsverlustwerte wurde mittels Thermogravimetrie über einen Temperaturbereich bestimmt. Niedrigere Gewichtsverlustwerte deuten auf ein vermindertes Schrumpfen eines das Copolymer als Harzbindemittelkomponente enthaltenden Photoresists. In der nachfolgenden Tabelle 1 sind x, y und z, wie durch die folgende Formel dargestellt, die molprozentuale Zusammensetzung des Copolymers aus den Einheiten 4-Phenol, Phenyl bzw. t-Butylacrylat.
  • Figure 00150001
  • Tabelle 1
    Figure 00150002
    • a: Werte in runden Klammern mittels 13C-NMR bestimmt.
  • Beispiel 8 – Herstellung und lithographische Bearbeitung der erfindungsgemäßen Photoresiste
  • Es wurden sechs Photoresistzusammensetzungen ("Resiste 1 bis 6") hergestellt. Die Resiste 1 bis 6 enthielten jeweils die Copolymere der Beispiele 1 bis 6 als Harzbindemittelkomponente. Resist 1 wurde durch Mischen der vorgeschriebenen Komponenten in durch Gewichtsteile ausgedrückten Mengen, bezogen auf das Gesamtgewicht der Zusammensetzung, hergestellt.
    Komponente Menge
    Harzbindemittel
    Terpolymer (70% Hydrostyrol, 10% Styrol) 20% tert-Butylacrylat, Copolymer von Beispiel 1 4,604
    Photoaktive Komponente
    Di-t-butylphenyliodoniumkampfersulfonat 0,186
    Zugesetzte Base
    Tetrabutylammoniumlactat 0,014
    Tensid
    Polymethoxysilan, vertrieben als Silwet L-4604 (Union Carbide) 0,025
    Lösungsmittel
    Ethyllactat 25,197
  • Die Resiste 2 bis 6 wurden auf dieselbe Weise wie Resist 1 mit denselben Komponenten in im Wesentlichem denselben Mengen, aber mit Substitution des Terpolymers der Beispiele 2 bis 6 als Harzbindemittel für die Resiste 2 bis 6 hergestellt (d.h. Resist 2 enthielt das Terpolymer von Beispiel 2 als Harzbindemittel, Resist 3 enthielt das Terpolymer von Beispiel 3, usw.).
  • Die Resiste wurden mittels Schleuderbeschichten auf 4 Inch große, vorab mit HMDS bedampfte freigelegte Siliziumwafer aufgebracht und auf einer Vakuumheizplatte bei 140 °C 60 Sekunden lang einem Softbake unterzogen, so dass eine Nominaldicke von 830 nm (8.300 Å) entstand. Diese Resiste wurden mit einer GCA XLS DUV-Belichtungseinheit mit einer numerischen Apertur von 0,53 belichtet. Zur Bestimmung der Klärenergie (Eo) der Resistfilme wurde eine 10 × 10-Belichtungsmatrix eingesetzt. Die belichteten Filme wurden nach dem Belichten auf einer Vakuumheizplatte bei 140 °C 90 Sekunden lang einer Wärmebehandlung unterzogen.
  • Die Resistentwicklung erfolgte mittels 45-sekündiger Bahnentwicklung mit einem Doppelsprühpuddel-Programm. Der Entwickler war MF CD-26 (0,26N).
  • Die Resistbilder wurden mit dem 1,6-Fachen der Klärdosis als Startpunkt einer 13-Punkte-Belichtungsmatrix erzeugt. SEM-Mikrophotographien deuteten darauf hin, dass die Resiste eine hervorragende Leistungsfähigkeit bei isolierten Linien einer Merkmalgröße von 0,25 μm lieferten, und zeigten eine signifikante Verbesserung des Bildprofils und der Brennpunktweite in Relation zu einem vergleichbaren Resistsystem, das ein Harzbindemittel mit einem Copolymer nur aus Polyhydroxystyrol- und Tributylacrylateinheiten enthielt.
  • Die PAGs der Resiste können wie folgt hergestellt werden. Ein 3-halsiger 2 l- Rundkolben wurde mit Kaliumjodat (214,00 g, 1,00 Mol), t-Butylbenzol (268,44 g, 2,00 Mol) und Essigsäureanhydrid (408,36 g, 4,00 Mol) befüllt. Der Kolben wurde mit einem effizienten Overhead-Paddelrührer, einem Thermometer und einem Druckausgleichstropftrichter mit N2-Waschflasche ausgerüstet. Das Reaktionsgemisch wurde in einem Eiswasserbad auf 10 °C abgekühlt; dann wurde durch den Zugabetrichter tropfenweise konzentrierte Schwefelsäure (215,78 g, 2,20 Mol) zugesetzt. Die Zugabe erfolgte mit einer solchen Geschwindigkeit, dass die Reaktionstemperatur von etwa 25 °C aufrecht erhalten werden konnte, und dauerte 2 Stunden. Im Laufe der Zugabe wurde die weiße Ausgangssuspension orange-gelb. Sobald die Zugabe abgeschlossen war, wurde das Reaktionsgemisch bei Raumtemperatur (20 °C) weitere 22 Stunden lang gerührt. Das Reaktionsgemisch wurde auf 5–10 °C abgekühlt; dann wurde über einen Zeitraum von 30 Minuten tropfenweise Wasser (600 ml) zugesetzt, so dass die Temperatur unter 30 °C blieb. (Achtung: Die ersten 75 ml sollten besonders langsam zugesetzt werden, um die anfängliche Exotherme zu steuern; danach kann das restliche Wasser schneller zugesetzt werden.) Dieses trübe Gemisch wurde in einem 2 l-Scheidetrichter mit Hexan (3 × 100 ml) gewaschen (zur Entfernung nicht umgesetzten t-Butylbenzols und einiger 4-t-Butyljodbenzol-Nebenprodukte) und die wässrige Diaryliodoniumhydrogensulfat-Lösung in ein 3 l-Reaktionsgefäß übertragen. Die Lösung wurde auf 5–10 °C abgekühlt, unter Rühren mit (±)-10-Kampfersulfonsäure (232,30 g, 1,00 Mol) (gesamte Menge auf einmal) versetzt und anschließend mit Ammoniumhydroxid (620 ml, 9,20 Mol) neutralisiert. Die Menge der verwendeten Base war die zur Neutralisation aller Säurespezies in dem Gefäß notwendige theoretische Menge (unter Annahme einer quantitativen Reaktion). Die Zugabe der Base erfolgt mit einer solchen Geschwindigkeit, dass die Temperatur unter 25 °C gehalten werden kann, und dauert etwa 1 Stunde. Kurz vor Abschluss der Zugabe und Erreichen eines pH-Wertes des Reaktionsgemisches von 7 fällt das rohe Diaryliodoniumkampfersulfonat als brauner Feststoff aus. Diese Suspension wurde bei Raumtemperatur 3 Stunden lang gerührt und das Material wie folgt isoliert: Der braune Feststoff wurde durch Saugfiltration gesammelt, in noch feuchtem Zustand in Dichlormethan (1 l) aufgenommen und dann zuerst mit 1 × 200 ml verdünntem Ammoniumhydroxid (2,5 Gew.-%, 5 ml, 14,8N NH4OH + 195 ml H2O) bis zum Erreichen eines pH-Bereiches der Waschlaugen von 7–8 und anschließend zur Wiederherstellung eines pH-Wertes von etwa 7 mit Wasser (2 × 200 ml) gewaschen. Nach dem Trocknen (MgSO4) wurde das Dichlormethan unter reduziertem Druck entfernt und der Rückstand in vacuo bei 50 °C 16 Stunden lang weiter getrocknet, so dass das Rohprodukt als brauner Feststoff (390,56 g) entstand. Dieser wurde anschließend durch Umkristallisation auf folgende Weise gereinigt. Der braune Feststoff wurde in der Mindestmenge Rückfluss-Isopropanol (375 g PAG in 1150 ml IPA) in einem 2 l-Rundkolben gelöst, so dass eine homogene dunkelrote Lösung entstand. Die heiße Lösung wurde in einen 2 l-Erlenmeyerkolben übertragen, wo man sie abkühlen ließ. Während diese Lösung noch warm war, wurde Hexan (500 ml) zugesetzt; kurz danach bildeten sich Kristalle. Man ließ das Kristallisationsgemisch auf Raumtemperatur abkühlen und bewahrte es 4 Stunden lang auf. Das Kristallisationsgemisch wurde in einem Eiswasserbad 1,5 Stunden lang auf 5 °C abgekühlt und der Feststoff anschließend mittels Saugfiltration gesammelt und mit sehr kaltem Isopropanol-Hexan (1:3, 2 × 200 ml, hergestellt durch Abkühlen des Lösungsmittelgemisches in einem Trockeneis-Aceton-Bad vor dem Gebrauch) gewaschen, bis es weiß wurde. Der weiße Feststoff wurde unter einem Saugvakuum 1 Stunde lang getrocknet, bis die PAG (Di-(4-t-butylphenyl)iodonium-(±)-10-kampfersulfonat) als frei fließendes weißes Pulver isoliert war. In diesem Stadium wurden etwa 285 g PAG gewonnen. Eine zweite Umkristallisation kann auf ähnliche Weise erfolgen.
  • Ein Lactatsalz von TBAH (tetra-n-Butylammonium)d/l-lactatsalz [(CH3CH2CH2CH2)4NO(CO)CH(OH)CH3] kann wie folgt hergestellt werden. Eine Lösung von tetra-n-Butylammoniumbromid (16,12 g, 50,0 mMol) in Wasser (50 ml) wurde mit einer grauen Suspension von Silberlactat (9,85 g, 50,0 mMol) in Wasser (100 ml) versetzt. Im Verlauf der Zugabe fiel ein gräulich-weißer Feststoff, vermutlich Silberbromid, aus der Lösung aus. Die entstandene Suspension wurde bei Raumtemperatur 15 Stunden lang gerührt, der Feststoff abfiltriert und mit Wasser (3 × 50 ml) gewaschen. Das kombinierte Filtrat und die Waschlaugen wurden unter reduziertem Druck konzentriert und das restliche Öl in vacuo bei 50 °C 24 Stunden lang getrocknet, so dass die Titelverbindung als farbloses Öl (16,62 g, 99%) entstand. Dieses Öl bildete, nachdem es bei Raumtemperatur gestanden hatte, später einen wachsartigen Semifeststoff.
  • Beispiel 9 – Ätzbeständigkeit der erfindungsgemäßen Photoresiste
  • Reliefbilder der Resiste 1 bis 6 wurden einer aggressiven ätzenden Umgebung ausgesetzt; insbesondere wurde die bei der Entwicklung freigelegte Wafer-Oberfläche 180 Sekunden lang mit einem CF4/CHF3-Plasmaätzmittel geätzt. Bei den Resisten 1 bis 6 waren jeweils weniger als 750 nm (7.500 Å) während des Ätzens entfernt worden. Bei Resist 5 waren weniger als 730 nm (7.300 Å) und bei Resist 6 etwa 730 nm (7.300 Å) während des Ätzens entfernt worden. Bei zwei im Handel erhältlichen Resistformulierungen, die ein Harzbindemittel mit einem Copolymer nur aus Polyhydroxystyrol- und Tributylacrylateinheiten enthielten, wurden mehr als 770 nm (7.700 Å) während des Ätzens entfernt. Bei einem dieser Vergleichsresiste wurden mehr als 785 nm (7.850 Å), bei einem anderen Vergleichsresist mehr als 800 nm (8.000 Å) während des Ätzens entfernt.
  • Ähnliche Unterschiede bei der Ätzbeständigkeit zwischen den erfindungsgemäßen Resisten und Vergleichsresisten mit einem Copolymer nur aus Polyhydroxystyrol- und Tributylacrylateinheiten waren bei 30-sekündigem Ätzen mit CF4 und dort, wo eine Antireflexschicht mit den Resisten überzogen war, zu beobachten.
  • Beispiel 10 – Reduziertes Schrumpfen der erfindungsgemäßen Photoresiste
  • Es wurden sechs Photoresistzusammensetzungen ("Resiste 1 bis 6") aus Ethyllactatlösungen hergestellt, die jeweils dieselbe Menge einer PAG von Di-t-butylphenyliodoniumkampfersulfonat sowie ein Harzbindemittel des folgenden Copolymers enthielten.
    Resist 1: ein Terpolymer mit 65 Mol-% 4-Hydroxystyroleinheiten, 15 Mol-% Styroleinheiten und 20 Mol-% t-Butylacrylateinheiten;
    Resist 2: 65 Mol-% 4-Hydroxystyroleinheiten, 20 Mol-% Styroleinheiten und 15 Mol-% t-Butylacrylateinheiten;
    Resist 3: 70 Mol-% 4-Hydroxystyroleinheiten, 10 Mol-% Styroleinheiten und 20 Mol-% t-Butylacrylateinheiten;
    Resist 4: 70 Mol-% 4-Hydroxystyroleinheiten, 20 Mol-% Styroleinheiten und 10 Mol-% t-Butylacrylateinheiten;
    Resist 5: 75 Mol-% 4-Hydroxystyroleinheiten, 10 Mol-% Styroleinheiten und 15 Mol-% t-Butylacrylateinheiten;
    Resist 6: 75 Mol-% 4-Hydroxystyroleinheiten, 15 Mol-% Styroleinheiten und 10 Mol-% t-Butylacrylateinheiten.
  • Außerdem wurde ein Vergleichsresist hergestellt, der dieselbe PAG und als Harzbindemittel ein Copolymer aus 65 Mol-% 4-Hydroxystyroleinheiten und 35 Mol-% t-Butylacrylateinheiten enthielt.
  • Überzugsschichten der Resiste 1 bis 6 und des Vergleichsresists wurden in einer Trockenzustandsdicke von etwa 830 nm (8.300 Å) aufgebracht. Diese getrockneten Überzugsschichten wurden unter einer N2-Decke mit ferner UV-Strahlung einer Belichtungsenergie von 64 mJ/cm2 belichtet und nach dem Belichten auf einer Vakuumheizplatte bei 140 °C 90 Sekunden lang einer Wärmebehandlung unterzogen. Die Dicke der Resistschicht wurde erneut gemessen. Die Überzugsschichten der Resiste 1 bis 6 wiesen ein Schrumpfen von weniger als etwa 80 nm (800 Å) auf. Die Überzugsschichten der Resiste 4 und 6 wiesen einen Dickeverlust von weit unter 50 nm (500 Å) auf. Die Überzugsschicht des Vergleichsresists wies einen Dickeverlust (Schrumpfen) von etwa 140 nm (1.400 Å) nach der der Belichtung folgenden Wärmebehandlung auf.

Claims (9)

  1. Photoresistzusammensetzung, die eine photoaktive Komponente und ein Harzbindemittel umfasst, wobei das Harzbindemittel ein Copolymer der Formel
    Figure 00210001
    ist, worin R ein verzweigtes Alkyl mit bis zu 10 Kohlenstoffatomen ist, R3, R4 und R5 jeweils Wasserstoff oder Methyl ist, x 65 bis 75 Molprozent ist, y 10 bis 20 Molprozent ist, z 10 bis 20 Molprozent ist und die Summe von x, y und z 100 Prozent ergibt.
  2. Photoresistzusammensetzung nach Anspruch 1, bei der R tert-Butyl ist.
  3. Photoresistzusammensetzung nach Anspruch 1, bei der das Copolymer eine Struktur der folgenden Formel besitzt:
    Figure 00210002
  4. Photoresistzusammensetzung nach einem der vorangegangenen Ansprüche, bei der die photoaktive Komponente eine unter Lichteinwirkung Säure erzeugende Substanz umfasst, die eine Oniumverbindung ist.
  5. Photoresistzusammensetzung nach einem der vorangegangenen Ansprüche, wobei die Photoresistzusammensetzung aus der photoaktiven Komponente, dem Copolymer und mindestens einer der folgenden Substanzen besteht: einem Lösungsmittel, einer Farbstoffverbindung, einer zugesetzten Base, einem Mittel gegen Streifenbildung, einem Weichmacher, einem Lichtempfindlichkeitsverstärker und einem Tensid.
  6. Verfahren zur Bildung eines positiven Photoresistreliefbildes, das Folgendes umfasst: a) Auftragen einer Überzugsschicht aus der Photoresistzusammensetzung nach Anspruch 1 auf ein Substrat; b) Belichten und Entwickeln der Photoresistschicht zur Erzeugung eines Reliefbildes.
  7. Verfahren nach Anspruch 6, das weiterhin das Ätzen von Substratbereichen umfasst, die während des Entwickelns freigelegt wurden.
  8. Herstellungsgegenstand, der ein mit dem Photoresist nach Anspruch 1 überzogenes Substrat umfasst.
  9. Herstellungsgegenstand nach Anspruch 8, bei dem das Substrat ein Mikroelektronikwafer ist.
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