DE19964382B4

DE19964382B4 - Verwendung einer Beschichtungszusammensetzung zur Herstellung einer nicht reflektierenden Beschichtung und Verfahren zur Herstellung der Beschichtungszusammensetzung

Info

Publication number: DE19964382B4
Application number: DE19964382A
Authority: DE
Inventors: Min-Ho Jung; Sung-Eun Hong; Ki-Ho Baik
Original assignee: Hyundai Electronics Industries Co Ltd
Current assignee: SK Hynix Inc
Priority date: 1999-04-23
Filing date: 1999-12-23
Publication date: 2008-08-14
Anticipated expiration: 2019-12-24
Also published as: JP2001098024A; ITTO991099A0; US6368768B1; FR2793254A1; ITTO991099A1; US20020132183A1; NL1014997C2; GB9927833D0; KR100395904B1; DE19962784A1; IT1308674B1; FR2792633A1; FR2793254B1; GB2349148B; FR2793244A1; CN1215094C; GB2349148A; TW546318B; FR2793255B1; NL1014997A1

Abstract

Verwendung einer Beschichtungszusammensetzung, umfassend ein Polymer mit wiederkehrenden Einheiten der folgenden allgemeinen Formel III:

worin R^III für Wasserstoff oder -CH₃ und R₀ für -CH₃ oder -CH₂CH₃ stehen, wobei die Zusammensetzung weiterhin enthält
– ein Polymer der folgenden allgemeinen Formel I:

worin
R und R^I, die gleich oder verschieden sind, jeweils für Wasserstoff oder CH₃;
R₁ bis R₉, die gleich oder verschieden sind, jeweils für Wasserstoff, Hydroxy, Methoxycarbonyl, Carboxyl, Hydroxymethyl oder substituiertes bzw. unsubstituiertes, geradkettiges oder verzweigtes C₁-C₆-Alkyl- oder -Alkoxyalkyl;
x und y jeweils für einen Molanteil im Bereich von 0,01 bis 0,99 stehen; und m 1 oder 2 und n eine ganze Zahl von 2 bis 4 ist, oder
– ein Polymer der folgenden allgemeinen Formel II:

worin
R, R^I und R^II, die gleich oder verschieden sind, jeweils für Wasserstoff oder -CH₃,
R₁ bis R₉, die gleich oder verschieden sind, jeweils für Wasserstoff,...

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf die Verwendung einer Beschichtungszusammensetzung zur Herstellung einer organischen, nicht reflektierenden Beschichtung, die die stabile Ausbildung ultrafeiner Muster erlaubt, die für 64 M, 256 M, 1 G, 4 G und 16 G DRAM-Halbleitervorrichtungen geeignet sind. Insbesondere enthält die Beschichtungszusammensetzung ein Chromophor mit hoher Extinktion bei den für die Submikrolithographie brauchbaren Wellenlängen. Eine Schicht aus diesem nicht reflektierenden Material kann während eines submikrolithographischen Verfahrens unter Verwendung einer 248 nm KrF-, 193 nm ArF oder 157 nm F₂-Laserlichtquelle eine Rückreflexion von Licht aus unteren Schichten oder der Oberfläche des Halbleiter-Chips verhindern und außerdem stehende Wellen in der Photoresist-Schicht beseitigen. Zudem bezieht sich die Erfindung auch noch auf ein Verfahren zur Herstellung der Beschichtungszusammensetzung.
Bei einem submikrolithographischen Verfahren, einem der wichtigsten Verfahren zur Herstellung hochintegrierter Halbleiter, treten aufgrund der optischen Eigenschaften unterer Schichten, die auf den Wafer aufgebracht sind, und wegen Änderungen der Dicke des darauf aufgetragenen lichtempfindlichen Films zwangsläufig stehende Wellen und Reflexionseinkerbungen der Wellen auf. Zusätzlich tritt beim submikrolithographischen Verfahren allgemein das Problem auf, daß die CD (critical dimension = kritische Große) durch gestreutes und reflektiertes Licht aus den unteren Schichten verändert wird.
Um diese Probleme zu überwinden, wurde die Einführung eines Films, der als nicht reflektierende Beschichtung (nachfolgend gelegentlich "ARC" genannt) bezeichnet wird, zwischen dem Substrat und dem lichtempfindlichen Film vorgeschlagen. Allgemein werden ARCs in Abhängigkeit von den verwendeten Materialien in "organische" und "anorganische" ARCs und in Abhängigkeit von ihrem Funktionsmechanismus als "absorbierend" und als interferierende ARCs bezeichnet. Bei mikrolithographischen Verfahren unter Verwendung einer I-Linienstrahlung (365 nm Wellenlänge) werden anorganische ARCs, z. B. Beschichtungen aus TiN oder amorphem Kohlenstoff, eingesetzt, wenn ein Absorptionsmechanismus genutzt wird, und SiON-Beschichtungen kommen zum Einsatz, wenn ein Interferenz-Mechanismus angewandt wird. Die SiON-ARCs eignen sich auch für submikrolithographische Verfahren, die mit KrF-Lichtquellen arbeiten.
Jüngst wurde und wird auch weiterhin eine umfangreiche und intensive Forschung durchgeführt, die auf die Anwendung organischer ARCs für eine derartige Submikrolithographie gerichtet ist. Angesichts des gegenwärtigen Entwicklungsstandes müssen organische ARCs die folgenden grundlegenden Erfordernisse erfüllen, um brauchbar zu sein:
Zunächst sollte das Ablösen der Photorestist-Schicht durch Lösen in Lösungsmitteln der organischen ARC nicht erfolgen, wenn ein Lithographie-Verfahren durchgeführt wird. in dieser Hinsicht müssen die organischen ARC-Materialien so gestaltet sein, daß ihre ausgehärteten Filme eine vernetzte Struktur aufweisen, ohne Nebenprodukte zu bilden.
Zweitens sollte keine Migration von chemischen Substanzen, wie Aminen oder Säuren, in die ARCs hinein und aus diesen heraus erfolgen. Falls Säuren aus der ARC migrieren, werden die lichtempfindlichen Muster unterschnitten, während das Migrieren der Basen, z. B. Amine, ein Fußphänomen bewirkt.
Drittens sollten in der ARC schnellere Ätzraten erreicht werden, als im oberen lichtempfindlichen Film, so daß ein Ätzverfahren reibungslos durchgeführt werden kann, wobei der lichtempfindliche Film als Maske dient.
Schließlich sollten die organischen ARCs so dünn wie möglich sein und gleichzeitig eine herausragende Rolle bei der Verhinderung von Lichtreflexen spielen.
Trotz der Vielfalt an ARC-Materialien wurden solche, die zufriedenstellend für submikrolithographische Verfahren unter Verwendung von ArF-Licht anwendbar sind, bisher noch nicht gefunden. Was anorganische ARCs betrifft, so gibt es keine Berichte über Materialien, welche die Interferenz bei der ArF-Wellenlänge, d. h. bei 193 nm, kontrollieren können. Dies hat dazu geführt, daß Forschung betrieben wurde, um organische Materialien zu entwickeln, die als hervorragende ARCs dienen. Tatsächlich werden in den meisten Fällen der Submikrolithographie lichtempfindliche Schichten, zwingend von organischen ARCs begleitet, welche stehende Wellen und Reflexionseinkerbungen verhindern, die bei der Belichtung auftreten, und den Einfluß der Rückstreuung und der Reflexion von Licht aus den unteren Schichten beseitigen. Daher ist die Entwicklung eines solchen ARC-Materials, das gute Absorptionseigenschaften gegenüber spezifischen Wellenlängen aufweist, eines der aktuellsten und dringlichsten Probleme auf diesem Gebiet.
In der FR 2 791 056 sind Bispolymere zur Herstellung von nicht refklektierenden Beschichtungen beschrieben, wobei die Polymere Anthracenderivate umfassen. Die EP 0 813 114 B1 beschreibt reflektionshemmende Beschichtungszusammensetzungen, die einen Vernetzer und ein Harz als Bindemittel umfassen, wobei das Bindemittel ein Anthracenderivate enthaltendes Polymer aufweist. In der EP 0 418 917 A2 sind Polymere beschrieben, die aus Acetal- und Aldehydgruppen enthaltenden Monomeren hergestellt werden.
Die US 4,910,122 beschreibt eine ARC, die unter lichtempfindlichen Schichten zwischengelegt ist, um Defekte zu eliminieren, die durch reflektiertes Licht verursacht wurden. Die darin beschriebene Beschichtung kann dünn, glatt und gleichmäßig ausgebildet werden und enthält einen lichtabsorbierenden Farbstoff, der viele der durch reflektiertes Licht verursachten Defekte beseitigt, was zu einer erhöhten Schärfe der Abbildungen in den lichtempfindlichen Materialien führt. Diese Arten von ARCs weisen jedoch die Nachteile auf, daß sie kompliziert zu formulieren, bezüglich der Wahl des Materials äußerst eingeschränkt und schwierig für eine Photolithographie unter Verwendung von tiefer Ultraviolett (DUV)-Strahlung anwendbar sind. Beispielsweise umfaßt die ARC der obigen Druckschrift 4 Farbstoffverbindungen, einschließlich Polyaminsäure, Curcumin, Bixin und Sudan Orange G, und 2 Lösungsmittel, einschließlich Cyclohexanon und N-Methyl-2-pyrrolidon. Dieses Mehrkomponenten-System läßt sich nicht leicht formulieren und kann sich mit der auf dieses aufgetragenen Resist-Zusammensetzung vermischen, was zu unerwünschten Ergebnissen führt.
Der vorliegenden Erfindung liegt somit die Aufgabe zugrunde, die Probleme des Standes der Technik zu lösen und eine neue Verwendung einer Beschichtungszusammensetzung zur Herstellung einer nicht reflektierenden Beschichtung bereitzustellen, die als eine ARC für die Submikrolithographie unter Verwendung von 193 nm ArF-, 248 nm KrF- und 157 nm F₂-Lasern eingesetzt werden kann.
Ferner soll ein Verfahren zur Herstellung einer ARC-Zusammensetzung, die eine solche Diffusions-/Reflektions-hemmende Verbindung enthält, geschaffen werden.
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf die Verwendung von Acrylatpolymerharzen zur Herstellung von ARC. Bevorzugte Polymerharze enthalten ein Chromophor, das eine hohe Extinktion bei Wellenlängen von 193 nm und 248 nm zeigt. Ein Vernetzungsmechanismus zwischen Alkoholgruppen und anderen funktionellen Gruppen wird in die Polymerharze so eingeführt, daß eine Vernetzungsreaktion stattfindet, wenn Beschichtungen aus den Polymerharzen "ofengehärtet" werden, wodurch die Form-, Dichte- und Löslichkeitseigenschaften der ARCs stark verbessert werden. Insbesondere werden durch die vorliegende Erfindung eine optimale Wirksamkeit der Vernetzungsreaktion und eine optimale Lagerstabilität erzielt. Die ARC-Harze der vorliegenden Erfindung zeigen überlegene Löslichkeit in allen Kohlenwasserstoff-Lösungsmitteln und dennoch eine so hohe Lösungsmittelbeständigkeit nach dem Ofenhärten, daß sie in keinem Lösungsmittel mehr löslich sind. Diese Vorteile lassen es zu, daß die Harze problemlos aufgetragen werden können, und die Beschichtung verhindert die Probleme des Unterschneidens und des Fußens, die beim Erzeugen von Bildern auf lichtempfindlichen Materialien auftreten können.
Ferner weisen die aus den Acrylatpolymeren der vorliegenden Erfindung hergestellten Beschichtungen eine höhere Ätzrate als lichtempfindliche Filme auf, wodurch das Ätz-Wahlverhältnis zwischen diesen verbessert wird.
Die ARC-Harze der vorliegenden Erfindung umfassen Acrylatpolymere mit wiederkehrenden Einheiten der folgenden allgemeinen Formel III und weiterhin ein Polymer der allgemeinen Formel I oder der allgemeinen Formel II:

worin
R, R^I, R^II und R^III unabhängig voneinander für Wasserstoff oder eine Methylgruppe, R₀ für eine Methyl- oder eine Ethylgruppe,
R₁ bis R₉, die gleich oder verschieden sind, jeweils für Wasserstoff, Hydroxy, Methoxycarbonyl, Carboxyl, Hydroxymethyl oder substituiertes bzw. unsubstituiertes, geradkettiges oder verzweigtes C₁-C₆-Alkyl oder -Alkoxyalkyl,
x, y und z jeweils für einen Molanteil im Bereich von 0,01 bis 0,99, sowie m und n unabhängig voneinander für eine ganze Zahl von 1 bis 4 stehen. Bei einer bevorzugten Verbindung der Formel II stehen m für 1 oder 2 und n für eine ganze Zahl von 2 bis 4.
Die Polymere der vorliegenden Erfindung dienen dazu, eine größere Extinktion bei Wellenlängen von 193 nm und 248 nm zu liefern. Um zu diesem Ergebnis zu gelangen, wird ein Chromophor-Substituent, der Licht bei einer Wellenlänge von 193 nm sowie von 248 nm absorbieren kann, auf die Hauptkette des Polymers aufgepfropft.
Das Polymer der allgemeinen Formel I kann, wie in der folgenden Reaktionsformel dargestellt, durch Polymerisation von Monomeren des 9-Anthracenmethylacrylat-Types (I) und des Hydroxyalkylacrylat-Types (II) mit Hilfe eines Initiators in einem Lösungsmittel hergestellt werden. Jedes der Monomere weist einen Molanteil im Bereich von 0,01 bis 0,99 auf.
worin R, R^I, R₁ bis R₉, x, y, m und n jeweils wie oben definiert sind.
Die Polymere der allgemeinen Formel II können in ähnlicher Weise wie die Polymere der allgemeinen Formel I, d. h. unter Verwendung von Monomeren des 9-Anthracenmethylacrylat-Types (I), des Hydroxyalkylacrylat-Types (II) und des Methylmethacrylat-Types (III) bei einem Molanteil von 0,01 bis 0,99 für jedes Monomer, wie in der nachfolgenden Reaktionsformel 2, hergestellt werden:
worin R, R^I, R^II, R₁ bis R₉, x, y, z, m und n jeweils wie oben definiert sind.
Die Herstellung des Polymers der allgemeinen Formel III ist in der nachfolgenden Reaktionsformel 3 illustriert. Wie gezeigt, wird zunächst Methacryloylchlorid (IV) mit 4-Hydroxybenzaldehyd (V) zu 4-Formylphenylmethacrylat (VI) umgesetzt, das dann mit Hilfe eines Initiators in einem Lösungsmittel polymerisiert wird. Anschließend werden die 4-Formylphenyl-Gruppen mit Methanol oder Ethanol substituiert:
worin R^III und R₀ jeweils wie oben definiert sind.
Zum Initiieren der Polymerisationsreaktion für die Polymere der allgemeinen Formeln I, II und III können herkömmliche Initiatoren verwendet werden, wobei 2,2-Azobisisobutyronitril (AIBN), Acetylperoxid, Laurylperoxid und t-Butylperoxid bevorzugt werden. Für die Polymerisation können auch herkömmliche Lösungsmittel verwendet werden. Das Lösungsmittel ist vorzugsweise aus der Gruppe Tetrahydrofuran, Toluol, Benzol, Methylethylketon und Dioxan ausgewählt.
Die Polymerisation der Polymere der allgemeinen Formeln I und II wird vorzugsweise bei 50 bis 90°C durchgeführt.
Die 9-Anthracenalkylacrylat-Monomere (I), die zur Herstellung der Polymere der allgemeinen Formeln I und II verwendet werden, sind neue Verbindungen, die durch Umsetzung von 9-Anthracenalkohol mit Acryloylchlorid-Verbindungen in einem Lösungsmittel, wie in der nachfolgenden Reaktionsformel 4 gezeigt, hergestellt werden können:
worin R, R₁ bis R₉ und n jeweils wie vorstehend definiert sind. Die Hydroxyalkylacrylat-Monomere (II) und Methylmethacrylat-Monomere (III), die in den obigen Reaktionen verwendet werden, sind kommerziell erhältlich oder können unter Anwendung bekannter Herstellungsverfahren hergestellt werden.
Außerdem bezieht sich die vorliegende Erfindung auf die Herstellung einer ARC-Zusammensetzung, die auf einem Polymergemisch basiert, das das Polymer der allgemeinen Formel oder II und das Polymer der allgemeinen Formel III in Kombination mit wenigstens einem Additiv umfaßt, das aus der Gruppe der in der nachstehenden Tabelle I angegebenen Anthracen-Derivate ausgewählt ist.
TABELLE 1
In Tabelle 1 stehen R₁₁, R₁₂, R₁₃, R₁₄ und R₁₅ unabhängig voneinander für Wasserstoff, Hydroxy, Hydroxymethyl oder substituiertes bzw. unsubstituiertes, geradkettiges oder verzweigtes C₁-C₅-Alkyl oder -Alkoxyalkyl.
ARC-Zusammensetzungen gemäß der vorliegenden Erfindung können hergestellt werden durch (i) Lösen eines Polymers der allgemeinen Formel I oder II und eines Polymers der allgemeinen Formel III in einem Lösungsmittel, um eine Lösung zu bilden, (ii) wahlweises Zugeben einer Verbindung, die aus Tabelle 1 ausgewählt ist, zur Lösung in einer Menge von 0,1 bis 30 Gew.-% und (iii) Filtrieren der Lösung.
Zur Herstellung der Zusammensetzung können herkömmliche organische Lösungsmittel verwendet werden, wobei Ethyl-3-ethoxypropionat, Methyl-3-methoxypropionat, Cyclohexanon und Propylenmethyletheracetat bevorzugt sind. Das Lösungsmittel wird vorzugsweise in einer Menge von 200 bis 5000 Gew.-%, bezogen auf das Gesamtgewicht der eingesetzten ARC-Harzpolymere, verwendet.
Bei einem anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung wird eine ARC aus der oben beschriebenen Beschichtungszusammensetzung hergestellt. Nach dem Filtrieren kann diese Beschichtungszusammensetzung in üblicher Weise auf einen Wafer aufgebracht und dann "ofengehärtet" (d. h. für 10 bis 1000 Sekunden auf eine Temperatur von 100 bis 300°C erwärmt) werden, um eine vernetzte ARC zu bilden. Unter Verwendung der ARCs der vorliegenden Erfindung können hochwertige Halbleiter hergestellt werden, da diese vernetzte Struktur der ARC optisch stabile Belichtungsbedingungen bei der Erzeugung einer Abbildung in der lichtempfindlichen Schicht bietet.
Es wurde festgestellt, daß die ARCs der vorliegenden Erfindung eine hohe Leistung bei submikrolithographischen Verfahren unter Verwendung von 248 nm KrF-, 193 nm ArF- und 157 nm F₂-Lasern als Lichtquellen zeigen. Dies traf auch zu, wenn 157 nm Elektronenstrahlen, EUV(Extrem-Ultraviolett)- und Ionenstrahlen als Lichtquellen verwendet werden.
Durch die folgenden Beispiele, die zur Veranschaulichung der vorliegenden Erfindung dienen, diese jedoch nicht einschränken sollen, wird die vorliegende Erfindung noch besser verständlich.
BEISPIEL
SYNTHESE EINES POLY[9-ANTHRACENMETHYLACRYLAT-(2-HYDROXYETHYLACRYLAT)]-COPOLYMERS
Synthese von 9-Anthracenmethylacrylat
0,5 mol 9-Anthracenmethanol und 0,5 mol Pyridin werden in Tetrahydrofuran gelöst, und anschließend werden 0,5 mol Acryloylchlorid zugegeben. Nach Vervollständigung der Reaktion wird das Produkt abfiltriert und mit Ethylacetat extrahiert. Der Extrakt wird mehrmals mit destilliertem Wasser gewaschen und durch Destillation im Vakuum getrocknet, wodurch 9-Anthracenmethylacrylat, dargestellt durch die folgende chemische Formel 19, erhalten wird. Ausbeute 84%.
Synthese eines binären Poly[9-anthracenmethylacrylat-(2-hydroxyethylacrylat)]-Copolymers
In einen 500 ml Rundkolben werden 0,5 mol 9-Anthracenmethylacrylat und 0,5 mol 2-Hydroxyethylacrylat gegeben. Dieses Gemisch wird unter Rühren zu 300 g separat hergestelltem Tetrahydrofuran (THF) gegeben. Danach wird in Gegenwart von 0,1 bis 3 g 2,2'-Azobisisobutyronitril (AIBN) für 5 bis 20 Stunden eine Polymerisation bei 60 bis 75°C in einer Stickstoffatmosphäre durchgeführt. Nach Vervollständigung der Polymerisation wird die Lösung mit Ethylether oder n-Hexan präzipitiert, und das Präzipitat wird abfiltriert und getrocknet, wodurch ein Poly[9-anthracenmethylacrylat-(2-hydroxyethylacrylat)]-Copolymer, d. h. ein Polymer gemäß der vorliegenden Erfindung, das durch die nachfolgende Formel 20 dargestellt ist, in einer Ausbeute von 83% erhalten wird.
BEISPIEL II
SYNTHESE EINES BINÄREN POLY[9-ANTHRACENMETHYLACRYLAT-(3-HYDROXYPROPYLACRYLAT)]-COPOLYMERS
In einen 500 ml Rundkolben werden 0,5 mol des in Beispiel I synthetisierten 9-Anthracenmethylacrylates und 0,5 mol 3-Hydroxypropylacrylat gegeben. Dieses Gemisch wird unter Rühren zu 300 g separat hergestelltem THF gegeben. Danach wird in Gegenwart von 0,1 bis 3 g AIBN für 5 bis 20 Stunden eine Polymerisation bei 60 bis 75°C in einer Stickstoffatmosphäre durchgeführt. Nach Vervollständigung der Polymerisation wird die Lösung mit Ethylether oder in n-Hexan präzipitiert, und das Präzipitat wird abfiltriert und getrocknet, wodurch ein Poly[9-anthracenmethylacrylat-(3-hydroxypropylacrylat)]-Copolymer, d. h. ein Polymer gemäß der vorliegenden Erfindung, das durch die nachfolgende Formel 21 dargestellt ist, in einer Ausbeute von 82% erhalten wird.
BEISPIEL III
SYNTHESE EINES POLY[9-ANTHRACENMETHYLACRYLAT-(4-HYDROXYBUTYLACRYLAT)]-COPOLYMERS
In einen 500 ml Rundkolben werden 0,5 mol 9-Anthracenmethylacrylat und 0,5 mol 4-Hydroxybutylacrylat gegeben. Dieses Gemisch wird unter Rühren zu 300 g separat hergestelltem THF gegeben. Danach wird in Gegenwart von 0,1 bis 3 g AIBN für 5 bis 20 Stunden einer Polymerisation bei 60 bis 75°C in einer Stickstoffatmosphäre durchgeführt. Nach Vervollständigung der Polymerisation wird die Lösung mit Ethylether oder in n-Hexan präzipitiert, und das Präzipitat wird abfiltriert und getrocknet, wodurch ein Poly[9-anthracenmethylacrylat-(4-hydroxybutylacrylat)]-Copolymer, d. h. ein Polymer gemäß der vorliegenden Erfindung, das durch die nachfolgende Formel 22 dargestellt ist, erhalten wird. Ausbeute 81%.
BEISPIEL IV
SYNTHESE EINES BINÄREN POLY[9-ANTHRACENMETHYLMETHACRYLAT-(2-HYDROXYETHYLACRYLAT)]-COPOLYMERS
Synthese von 9-Anthracenmethylmethacrylat
0,5 mol 9-Anthracenmethanol und 0,5 mol Pyridin werden in THF gelöst, und anschließend werden 0,5 mol Methacryloylchlorid zugegeben. Nach Vervollständigung der Reaktion wird das Produkt abfiltriert und mit Ethylacetat extrahiert. Der Extrakt wird mehrmals mit destilliertem Wasser gewaschen und durch Destillation im Vakuum getrocknet, wodurch 9-Anthracenmethylmethacrylat, dargestellt durch die folgende chemische Formel 23, erhalten wird. Ausbeute 83%.
Synthese eines binären Poly[9-anthracenmethylmethacrylat-(2-hydroxyethylacrylat)]-Copolymers
In einen 500 ml Rundkolben werden 0,5 mol 9-Anthracenmethylmethacrylat und 0,5 mol 2-Hydroxyethylacrylat gegeben. Dieses Gemisch wird unter Rühren zu 300 g separat hergestelltem THF gegeben. Danach wird in Gegenwart von AIBN für 5 bis 20 Stunden eine Polymerisation bei 60 bis 75°C in einer Stickstoffatmosphäre durchgeführt. Nach Vervollständigung der Polymerisation wird die Lösung mit Ethylether oder in n-Hexan präzipitiert, und das Präzipitat wird abfiltriert und getrocknet, wodurch ein Poly[9-anthracenmethylmethacrylat-(2-hydroxyethylacrylat)]-Copolymer, d. h. ein Harz gemäß der vorliegenden Erfindung, das durch die nachfolgende Formel 24 dargestellt ist, in einer Ausbeute von 79% erhalten wird.
BEISPIEL V
SYNTHESE EINES BINÄREN POLY[9-ANTHRACENMETHYLMETHACRYLAT-(3-HYDROXYPROPYLACRYLAT)]-COPOLYMERS
In einen 500 ml Rundkolben werden 0,5 mol des in Beispiel IV synthetisierten 9-Anthracenmethylmethacrylates und 0,5 mol 3-Hydroxypropylacrylat gegeben. Dieses Gemisch wird unter Rühren zu 300 g separat hergestelltem THF gegeben. Danach wird in Gegenwart von 0,1 bis 3 g AIBN für 5 bis 20 Stunden eine Polymerisation bei 60 bis 75°C in einer Stickstoffatmosphäre durchgeführt. Nach Vervollständigung der Polymerisation wird die Lösung mit Ethylether oder in n-Hexan präzipitiert, und das Präzipitat wird abfiltriert und getrocknet, wodurch ein Poly[9-anthracenmethylmethacrylat-(2-hydroxypropylacrylat)]-Copolymer, d. h. ein Polymer gemäß der vorliegenden Erfindung, das durch die nachfolgende Formel 25 dargestellt ist, erhalten wird. Ausbeute 81%.
BEISPIEL VI
SYNTHESE EINES BINÄREN POLY[9-ANTHRACENMETHYLMETHACRYLAT-(4-HYDROXYBUTYLACRYLAT)]-COPOLYMERS
In einen 500 ml Rundkolben werden 0,5 mol des in Beispiel IV synthetisierten 9-Anthracenmethylmethacrylates und 0,5 mol 4-Hydroxybutylacrylat gegeben. Dieses Gemisch wird unter Rühren zu 300 g separat hergestelltem THF gegeben. Danach wird in Gegenwart von 0,1 bis 3 g AIBN für 5 bis 20 Stunden eine Polymerisation bei 60 bis 75°C in einer Stickstoffatmosphäre durchgeführt. Nach Vervollständigung der Polymerisation wird die Lösung mit Ethylether oder in n-Hexan präzipitiert, und das Präzipitat wird filtriert und getrocknet, wodurch ein Poly[9- anthracenmethylmethacrylat-(4-hydroxybutylacrylat)]-Copolymer, d. h. ein Polymer gemäß der vorliegenden Erfindung, das durch die nachfolgende Formel 26 dargestellt ist, in einer Ausbeute von 81% erhalten wird.
BEISPIEL VII
SYNTHESE EINES TERNÄREN POLY[9-ANTHRACENMETHYLACRYLAT-(2-HYDROXYETHYLACRYLAT)-METHYLMETHACRYLAT]-COPOLYMERS
In einen 500 ml Rundkolben werden 0,3 mol 9-Anthracenmethylacrylat, 0,5 mol 2-Hydroxyethylacrylat und 0,2 mol Methylmethacrylat gegeben. Dieses Gemisch wird unter Rühren zu 300 g separat hergestelltem THF gegeben, und anschließend wird in Gegenwart von 0,1 bis 3 g AIBN für 5 bis 20 Stunden eine Polymerisation bei 60 bis 75°C in einer Stickstoffatmosphäre durchgeführt. Nach Vervollständigung der Polymerisation wird die Lösung mit Ethylether oder in n-Hexan präzipitiert, und das Präzipitat wird filtriert und getrocknet, wodurch ein Poly[9-anthracenmethylacrylat-(2-hydroxyethyl)methylmethacrylat)]-Copolymer, d. h. ein Polymer gemäß der vorliegenden Erfindung, das durch die nachfolgende Formel 27 dargestellt ist, erhalten wird. Ausbeute 80%.
BEISPIEL VIII
SYNTHESE EINES TERNÄREN POLY[9-ANTHRACENMETHYLACRYLAT-(3-HYDROXYPROPYLACRYLAT)-METHYLMETHACRYLAT]-COPOLYMERS
In einen 500 ml Rundkolben werden 0,3 mol 9-Anthracenmethylacrylat, 0,5 mol 3-Hydroxypropylacrylat und 0,2 mol Methylmethacrylat gegeben. Dieses Gemisch wird unter Rühren zu 300 g separat hergestelltem THF gegeben, und anschließend wird in Gegenwart von 0,1 bis 3 g AIBN für 5 bis 20 Stunden eine Polymerisation bei 60 bis 75°C in einer Stickstoffatmosphäre durchgeführt. Nach Vervollständigung der Polymerisation wird die Lösung mit Ethylether oder in n-Hexan präzipitiert, und das Präzipitat wird filtriert und getrocknet, wodurch ein Poly[9-anthracenmethylacrylat-(3-hydroxypropyl)methylmethacrylat)]-Copolymer, d. h. ein Polymer gemäß der vorliegenden Erfindung, das durch die nachfolgende Formel 28 dargestellt ist, in einer Ausbeute von 82% erhalten wird.
BEISPIEL IX
SYNTHESE EINES TERNÄREN POLY[9-ANTHRACENMETHYLACRYLAT-(4-HYDROXYBUTYLACRYLAT)-METHYLMETHACRYLAT]-COPOLYMERS
In einen 500 ml Rundkolben werden 0,3 mol 9-Anthracenmethylacrylat, 0,5 mol 4-Hydroxybutylacrylat und 0,2 mol Methylmethacrylat gegeben. Dieses Gemisch wird unter Rühren zu 300 g separat hergestelltem THF gegeben, und anschließend wird in Gegenwart von 0,1 bis 3 g AIBN für 5 bis 20 Stunden eine Polymerisation bei 60 bis 75°C in einer Stickstoffatmosphäre durchgeführt. Nach Vervollständigung der Polymerisation wird die Lösung mit Ethylether oder in n-Hexan präzipitiert, und das Präzipitat wird filtriert und getrocknet, wodurch ein Poly[9-anthracenmethylacrylat-(4-hydroxybutyl)methylmethacrylat)]-Copolymer, d. h. ein Polymer gemäß der vorliegenden Erfindung, das durch die nachfolgende Formel 29 dargestellt ist, erhalten wird. Die Ausbeute betrug 81%.
BEISPIEL X
SYNTHESE EINES TERNÄREN POLY[9-ANTHRACENMETHYLMETHACRYLAT-(2-HYDROXYETHYLACRYLAT)-METHYLMETHACRYLAT]-COPOLYMERS
In einen 500 ml Rundkolben werden 0,3 mol des in Beispiel IV synthetisierten 9-Anthracenmethylmethacrylates, 0,5 mol 2-Hydroxyethylacrylat und 0,2 mol Methylmethacrylat gegeben. Dieses Gemisch wird unter Rühren zu 300 g separat hergestelltem THF gegeben, und anschließend wird in Gegenwart von 0,1 bis 3 g AIBN für 5 bis 20 Stunden eine Polymerisation bei 60 bis 75°C in einer Stickstoffatmosphäre durchgeführt. Nach Vervollständigung der Polymerisation wird die Lösung mit Ethylether oder in n-Hexan präzipitiert, und das Präzipitat wird filtriert und getrocknet, wodurch ein Poly[9-anthracenmethylmethacrylat-(2-hydroxyethyl)methylmethacrylat)]-Copolymer, d. h. ein Polymer gemäß der vorliegenden Erfindung, das durch die nachfolgende Formel 30 dargestellt ist, erhalten wird. Die Ausbeute betrug 82%.
BEISPIEL XI
SYNTHESE EINES TERNÄREN POLY[9-ANTHRACENMETHYLACRYLAT-(3-HYDROXYPROPYLACRYLAT)-METHYLMETHACRYLAT]-COPOLYMERS
In einen 500 ml Rundkolben werden 0,3 mol des in Beispiel IV synthetisierten 9-Anthracenmethylacrylates, 0,5 mol 3-Hydroxypropylacrylat und 0,2 mol Methylmethacrylat gegeben. Dieses Gemisch wird unter Rühren zu 300 g separat hergestelltem THF gegeben, und anschließend wird in Gegenwart von 0,1 bis 3 g AIBN für 5 bis 20 Stunden eine Polymerisation bei 60 bis 75°C in einer Stickstoffatmosphäre durchgeführt. Nach Vervollständigung der Polymerisation wird die Lösung mit Ethylether oder in n-Hexan präzipitiert, und das Präzipitat wird filtriert und getrocknet, wodurch ein Poly[9-anthracenmethylmethacrylat-(3-hydroxypropyl)methylmethacrylat)]-Copolymer, d. h. ein Polymer gemäß der vorliegenden Erfindung, das durch die nachfolgende Formel 31 dargestellt ist, in einer Ausbeute von 81% erhalten wird.
BEISPIEL XII
SYNTHESE EINES TERNÄREN POLY[9-ANTHRACENMETHYLMETHACRYLAT-(4-HYDROXYBUTYLACRYLAT)-METHYLMETHACRYLAT]-COPOLYMERS
In einen 500 ml Rundkolben werden 0,3 mol des in Beispiel IV synthetisierten 9-Anthracenmethylacrylates, 0,5 mol 4-Hydroxybutylacrylat und 0,2 mol Methylmethacrylat gegeben. Dieses Gemisch wird unter Rühren zu 300 g separat hergestelltem THF gegeben, und anschließend wird in Gegenwart von 0,1 bis 3 g AIBN für 5 bis 20 Stunden eine Polymerisation bei 60 bis 75°C in einer Stickstoffatmosphäre durchgeführt. Nach Vervollständigung der Polymerisation wird die Lösung mit Ethylether oder in n-Hexan präzipitiert, und das Präzipitat wird filtriert und getrocknet, wodurch ein Poly[9-anthracenmethylmethacrylat-(4-hydroxybutyl) methylmethacrylat)]-Copolymer, d. h. ein Polymer gemäß der vorliegenden Erfindung, das durch die nachfolgende Formel 32 dargestellt ist, erhalten wird. Die Ausbeute betrug 80%.
BEISPIEL XIII
SYNTHESE EINES BINÄREN POLY[9-ANTHRACENETHYLACRYLAT-(2-HYDROXYETHYLACRYLAT)]-COPOLYMERS
Synthese von 9-Anthracenethylacrylat
0,5 mol 9-Anthracenethanol und 0,5 mol Pyridin werden in THF gelöst, und anschließend werden 0,5 mol Acryloylchlorid zugegeben. Nach Vervollständigung der Reaktion wird das Produkt abfiltriert und mit Ethylacetat extrahiert. Der Extrakt wird mehrmals mit destilliertem Wasser gewaschen und durch Destillation im Vakuum getrocknet, wodurch 9-Anthracenmethylacrylat, dargestellt durch die folgende chemische Formel 33, erhalten wird. Die Ausbeute betrug 80%.
Synthese eines binären Poly[9-anthracenethylacrylat-(2-hydroxyethylacrylat)]-Copolymers
In einen 500 ml Rundkolben werden 0,5 mol 9-Anthracenethylacrylat und 0,5 mol 2-Hydroxyethylacrylat gegeben. Dieses Gemisch wird unter Rühren zu 300 g separat hergestelltem THF gegeben. Danach wird in Gegenwart von AIBN für 5 bis 20 Stunden eine Polymerisation bei 60 bis 75°C in einer Stickstoffatmosphäre durchgeführt. Nach Vervollständigung der Polymerisation wird die Lösung mit Ethylether oder in n-Hexan präzipitiert, und das Präzipitat wird abfiltriert und getrocknet, wodurch ein Poly[9-anthracenethylacrylat-(2-hydroxyethylacrylat)]-Copolymer, d. h. ein Harz gemäß der vorliegenden Erfindung, das durch die nachfolgende Formel 34 dargestellt ist, in einer Ausbeute von 82% erhalten wird.
BEISPIEL XIV
SYNTHESE EINES BINÄREN POLY[9-ANTHRACENETHYLACRYLAT-(3-HYDROXYPROPYLACRYLAT)]-COPOLYMERS
In einen 500 ml Rundkolben werden 0,5 mol des in Beispiel XIII synthetisierten 9-Anthracenethylacrylates und 0,5 mol 3-Hydroxypropylacrylat gegeben. Dieses Gemisch wird unter Rühren zu 300 g separat hergestelltem THF gegeben. Danach wird in Gegenwart von 0,1 bis 3 g AIBN für 5 bis 20 Stunden eine Polymerisation bei 60 bis 75°C in einer Stickstoffatmosphäre durchgeführt. Nach Vervollständigung der Polymerisation wird die Lösung mit Ethylether oder in n-Hexan präzipitiert, und das Präzipitat wird abfiltriert und getrocknet, wodurch ein Poly[9-anthracenethylacrylat-(3-hydroxypropylacrylat)]-Copolymer, d. h. ein Polymer gemäß der vorliegenden Erfindung, das durch die nachfolgende Formel 35 dargestellt ist, in einer Ausbeute von 81% erhalten wird.
BEISPIEL XV
SYNTHESE EINES POLY[9-ANTHRACENETHYLACRYLAT-(4-HYDROXYBUTYLACRYLAT)]-COPOLYMERS
In einen 500 ml Rundkolben werden 0,5 mol 9-Anthracenethylacrylat und 0,5 mol 4-Hydroxybutylacrylat gegeben. Dieses Gemisch wird unter Röhren zu 300 g separat hergestelltem THF gegeben. Danach wird in Gegenwart von 0,1 bis 3 g AIBN für 5 bis 20 Stunden eine Polymerisation bei 60 bis 75°C in einer Stickstoffatmosphäre durchgeführt. Nach Vervollständigung der Polymerisation wird die Lösung mit Ethylether oder in n-Hexan präzipitiert, und das Präzipitat wird filtriert und getrocknet, wodurch ein Poly[9-anthracenethylacrylat-(4-hydroxybutylacrylat)]-Copolymer, d. h. ein Polymer gemäß der vorliegenden Erfindung, das durch die nachfolgende Formel 36 dargestellt ist, erhalten wird. Die Ausbeute betrug 80%.
BEISPIEL XVI
SYNTHESE VON POLY[4-(1,1-DIMETHOXYMETHYL)PHENYLMETHACRYLAT]
Synthese von Poly(4-formylphenylmethacrylat)
In einem 300 ml-Rundkolben werden 31,3 g (0,3 mol) Methacryloyl unter Rühren vollständig in 200 g THF gelöst und 26 g Pyridin zugegeben. Zu dieser Lösung werden 36,6 g (0,3 mol) 4-Hydroxybenzaldehyd getropft, und anschließend werden diese Reaktanden für 24 Stunden oder länger zur Reaktion gebracht. Die Produktlösung wird mit deionisiertem Wasser gewaschen, um eine wäßrige Schicht abzutrennen, aus der die gewünschte Verbindung extrahiert und getrocknet wird.
0,4 mol des so erhaltenen 4-Formylphenylmethacrylates werden zusammen mit 300 g THF in einen 500 ml Rundkolben gefüllt, und 0,1 bis 3 g AIBN werden unter Rühren zugegeben. Die Polymerisation wird für 5 bis 20 Stunden bei 60 bis 75°C in einer Stickstoffatmosphäre durchgeführt. Nach Vervollständigung der Polymerisation wird die Lösung mit Ethylether oder in n-Hexan präzipitiert, und das Präzipitat filtriert und getrocknet, wodurch ein Poly[4-formylphenylmethacrylat]-Polymer in einer Ausbeute von 80% erhalten wird.
Synthese von Poly[4-(1,1-dimethoxymethyl)phenylmethacrylat]
In einen 400 ml Erlenmeyer-Kolben werden 15 g des oben erhaltenen Polymers und 200 ml THF gefüllt. Anschließend werden 100 g Methanol zusammen mit 0,5 g HCl zugegeben, wonach diese Reaktanden für etwa 12 Stunden bei 60°C zur Reaktion gebracht werden. Die Produktlösung wird mit Ethylether oder mit Normalhexan präzipitiert, und das Präzipitat wird filtriert und getrocknet, wodurch Poly[4-(1,1-dimethoxymethyl)phenylmethacrylat], ein Polymer gemäß der vorliegenden Erfindung, das durch die nachfolgende chemische Formel 37 dargestellt ist, erhalten wird. Die Ausbeute betrug 82%.
BEISPIEL XVII
SYNTHESE VON POLY[4-(1,1-DIETHOXYMETHYL)PHENYLMETHACRYLAT]
In einen 400 ml Erlenmeyer-Kolben werden 15 g des in Beispiel XVI synthetisierten Formylmethacrylates und 200 ml THF gegeben, und dann werden 150 g Ethanol zusammen mit 0,5 g HCl zugegeben, wonach diese Reaktanden für etwa 12 Stunden bei 60°C zur Reaktion gebracht werden. Die Produktlösung wird mit Ethylether oder n-Hexan präzipitiert, und das Präzipitat wird filtriert und getrocknet, wodurch Poly[4-(1,1-diethoxymethyl)phenylmethacrylat], ein Harz gemäß der vorliegenden Erfindung, das durch die nachfolgende chemische Formel 38 dargestellt ist, erhalten wird. Die Ausbeute betrug 80%.
BEISPIEL XVIII
HERSTELLUNG EINER ARC
Ein in jedem der Beispiele I bis XV hergestelltes Polymer und ein in Beispiel XVI oder XVII hergestelltes Polymer werden in Propylenglykolmethyletheracetat (PGMEA) gelöst. Diese Lösung wird, alleine oder in Kombination mit 0,1 bis 30 Gew.-% wenigstens eines unter den Verbindungen der Tabelle 1 ausgewählten Additivs, filtriert, auf einen Wafer aufgebracht und bei 100 bis 300°C für 10 bis 1000 Sekunden ofengehärtet, um eine ARC zu bilden. Auf die so gebildete ARC kann ein lichtempfindliches Material aufgebracht und in üblicher Weise mit ultrafeinen Mustern versehen werden.
Wie zuvor beschrieben, enthält die ARC der vorliegenden Erfindung, die aus einem Gemisch erhalten wird, welches ein Polymer der allgemeinen Formel I oder II und ein Polymer der allgemeinen Formel III umfaßt, alleine oder in Kombination mit einem Additiv der chemischen Formeln 1 bis 18 in Tabelle 1, ausreichend Chromophor-Substituenten, um eine Extinktion bei für die Submikrolithographie brauchbaren Wellenlängen zu zeigen.
Insbesondere bietet die ARC der vorliegenden Erfindung eine maximale Vernetzungsreaktions-Effizienz und Lagerstabilität. Die ARC-Polymerharze der vorliegenden Erfindung zeigen hervorragende Löslichkeit in allen Kohlenwasserstoff-Lösungsmitteln, aber sie weisen nach dem Ofenhärten eine derart hohe Lösungsmittelbeständigkeit auf, daß sie in keinem Lösungsmittel mehr gelöst werden können. Aufgrund dieser Vorteile können die Harze ohne jedes Problem beschichtet werden, und die resultierende Beschichtung verhindert ein Unterschneidungs- und Fuß-Probleme, die bei der Erzeugung von Abbildungen auf lichtempfindlichen Materialien auftreten können. Ferner verfügen die Acrylatpolymere der vorliegenden Erfindung über eine höhere Ätzrate als lichtempfindliche Filme, wodurch das Ätzwahlverhältnis zwischen diesen verbessert wird.
Somit können die ARCs der vorliegenden Erfindung eine herausragende Rolle bei der Ausbildung ultrafeiner Muster spielen. Beispielsweise können sie während eines submikrolithographischen Verfahrens unter Verwendung eines 248 nm KrF-, 193 nm ArF- oder 157 nm F₂-Lasers Rückreflexionen von Licht aus unteren Schichten oder von der Oberfläche des Halbleiterelementes verhindern und auch stehende Wellen vermeiden, die durch Licht und die Veränderungen der Dicke der Photorestist-Schicht selbst verursacht werden. Dies führt zu einer stabilen Ausbildung ultrafeiner Muster, die für 64 M, 256 M, 1 G, 4 G und 16 G DRAM-Halbleiter geeignet sind, und zu einer deutlichen Verbesserung der Produktausbeute.
Die vorliegende Erfindung wurde in einer veranschaulichenden Weise beschrieben, und es versteht sich, daß die verwendete Terminologie eher zur Beschreibung als zur Einschränkung dienen soll. Im Rahmen der obigen Lehre sind auch zahlreiche Modifikationen und Änderungen der vorliegenden Erfindung möglich. Daher versteht sich, daß die Erfindung im Rahmen der beigefügten Ansprüche auch anders als im einzelnen beschrieben ausgeführt werden kann.

Claims

Verwendung einer Beschichtungszusammensetzung, umfassend ein Polymer mit wiederkehrenden Einheiten der folgenden allgemeinen Formel III:
worin R^III für Wasserstoff oder -CH₃ und R₀ für -CH₃ oder -CH₂CH₃ stehen, wobei die Zusammensetzung weiterhin enthält – ein Polymer der folgenden allgemeinen Formel I:
worin R und R^I, die gleich oder verschieden sind, jeweils für Wasserstoff oder CH₃; R₁ bis R₉, die gleich oder verschieden sind, jeweils für Wasserstoff, Hydroxy, Methoxycarbonyl, Carboxyl, Hydroxymethyl oder substituiertes bzw. unsubstituiertes, geradkettiges oder verzweigtes C₁-C₆-Alkyl- oder -Alkoxyalkyl; x und y jeweils für einen Molanteil im Bereich von 0,01 bis 0,99 stehen; und m 1 oder 2 und n eine ganze Zahl von 2 bis 4 ist, oder – ein Polymer der folgenden allgemeinen Formel II:
worin R, R^I und R^II, die gleich oder verschieden sind, jeweils für Wasserstoff oder -CH₃, R₁ bis R₉, die gleich oder verschieden sind, jeweils für Wasserstoff, Hydroxy, Methoxycarbonyl, Carboxyl, Hydroxymethyl oder substituiertes bzw. unsubstituiertes, geradkettiges oder verzweigtes C₁-C₆-Alkyl oder -Alkoxyalkyl, x, y und z jeweils für einen Molanteil im Bereich von 0,01 bis 0,99 und m für 1 oder 2 sowie n für eine ganze Zahl von 2 bis 4 stehen, zur Herstellung einer nicht reflektierenden Beschichtung.
Verwendung nach Anspruch 1, wobei beim Polymer der Formel I R₁-R₉ jeweils für Wasserstoff, R^I für Wasserstoff, x und y jeweils für 0,5, m für 1 und n für 2 stehen.
Verwendung nach Anspruch 1, wobei beim Polymer der Formel I R₁ bis R₉ jeweils für Wasserstoff, R^I für Wasserstoff, x und y jeweils für 0,5, m für 1 und n für 3 stehen.
Verwendung nach Anspruch 1, wobei beim Polymer der Formel I R₁ bis R₉ jeweils für Wasserstoff, R^I für Wasserstoff, x und y jeweils für 0,5, m für 1 und n für 4 stehen.
Verwendung nach Anspruch 1, wobei beim Polymer der Formel I R₁ bis R₉ jeweils für Wasserstoff, R^I für -CH₃, x und y jeweils für 0,5, m für 1 und n für 2 stehen.
Verwendung nach Anspruch 1, wobei beim Polymer der Formel I R₁ bis R₉ jeweils für Wasserstoff, R^I für -CH₃, x und y jeweils für 0,5, m für 1 und n für 3 stehen.
Verwendung nach Anspruch 1, wobei beim Polymer der Formel I R₁ bis R₉ jeweils für Wasserstoff, R^I für -CH₃, x und y jeweils für 0,5, m für 1 und n für 4 stehen.
Verwendung nach Anspruch 1, wobei beim Polymer der Formel I R₁ bis R₉ jeweils für Wasserstoff, R^I für Wasserstoff, x und y jeweils für 0,5, m für 2 und n für 2 stehen.
Verwendung nach Anspruch 1, wobei beim Polymer der Formel I R₁ bis R₉ jeweils für Wasserstoff, R^I für Wasserstoff, x und y jeweils für 0,5, m für 2 und n für 3 stehen.
Verwendung nach Anspruch 1, wobei beim Polymer der Formel I R₁ bis R₉ jeweils für Wasserstoff, R^I für Wasserstoff, x und y jeweils für 0,5, m für 2 bzw. n für 4 stehen.
Verwendung nach Anspruch 1, wobei beim Polymer der Formel II R₁ bis R₉ jeweils für Wasserstoff, R^I für Wasserstoff, x, y und z für 0,3, 0,5 bzw. 0,2 sowie m für 1 und n für 2 stehen.
Verwendung nach Anspruch 1, wobei beim Polymer der Formel II R₁ bis R₉ jeweils für Wasserstoff, R^I für Wasserstoff, x, y und z für 0,3, 0,5 bzw. 0,2 sowie m für 1 und n für 3 stehen.
Verwendung nach Anspruch 1, wobei beim Polymer der Formel II R₁ bis R₉ jeweils für Wasserstoff, R^I für Wasserstoff, x, y und z für 0,3, 0,5 bzw. 0,2 sowie m für 1 und n für 4 stehen.
Verwendung nach Anspruch 1, wobei beim Polymer der Formel II R₁ bis R₉ jeweils für Wasserstoff, R^I für -CH₃, x, y und z für 0,3, 0,5 bzw. 0,2 sowie m für 1 und n für 2 stehen.
Verwendung nach Anspruch 1, wobei beim Polymer der Formel II R₁ bis R₉ jeweils für Wasserstoff, R^I für -CH₃, x, y und z für 0,3, 0,5 bzw. 0,2 sowie m für 1 und n für 3 stehen.
Verwendung nach Anspruch 1, wobei beim Polymer der Formel II R₁ bis R₉ jeweils für Wasserstoff, R^I für -CH₃, x, y und z für 0,3, 0,5 bzw. 0,2 sowie m für 1 und n für 4 stehen.
Verwendung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Zusammensetzung ferner ein Anthracen-Derivat umfaßt.
Verwendung nach Anspruch 17, bei der das Anthracenderivat ausgewählt ist aus der Gruppe Anthracen, 9-Anthracen-methanol, 9-Anthracencarbonitril, 9-Anthracencarbonsäure, Dithranol, 1,2,10-Anthracentriol, Anthraflavinsäure, 9-Anthraldehydoxim, 9-Anthraldehyd, 2-Amino-7-methyl-5-oxo-5H-[1]-benzopyrano[2,3-b]pyridin-3-carbonitril, 1-Aminoanthrachinon, Anthrachinon-2-carbonsäure, 1,5-Dihydroxyanthrachinon, Anthron, 9-Anthryltrifluormethylketon, 9-Alkylanthracenderivate der nachfolgenden Formel 16, 9-Carboxylanthracenderivate der nachfolgenden Formel 17, 1-Carboxylanthracenderivate der nachfolgenden Formel 18 und deren Kombinationen:
worin R₁₁, R₁₂, R₁₃, R₁₄ und R₁₅, die gleich oder verschieden sind, jeweils für -H, -OH, -CH₃, -CH₂OH, -(CH₂)pCH₃, wobei p eine ganze Zahl von 1 bis 3 ist, oder für substituiertes bzw. unsubstituiertes, geradkettiges oder verzweigtes Alkyl oder Alkoxyalkyl mit 1 bis 5 Kohlenstoffatomen stehen.
Verfahren zur Herstellung der Beschichtungszusammensetzung nach einem der Ansprüche 1 bis 18, bei dem ein Gemisch des Polymers der Formel III mit einem Polymer der Formel I oder mit einem Polymer der Formel II in einem organischen Lösungsmittel gelöst und anschließend gegebenenfalls ein Anthracenderivat-Additiv zugegeben wird, das insbesondere ausgewählt ist aus der Gruppe Anthracen, 9-Anthracen-methanol, 9-Anthracencarbonitril, 9-Anthracencarbonsäure, Dithranol, 1,2,10-Anthracentriol, Anthraflavinsäure, 9-Anthraldehydoxim, 9-Anthraldehyd, 2-Amino-7-methyl-5-oxo-5H-[1]-benzopyrano[2,3-b]pyridin-3-carbonitril, 1-Aminoanthrachinon, Anthrachinon-2-carbonsäure, 1,5-Dihydroxyanthrachinon, Anthron, 9-Anthryltrifluormethylketon, 9-Alkylanthracenderivate der nachfolgenden Formel 16, 9-Carboxylanthracenderivate der nachfolgenden Formel 17, 1-Carboxylanthracenderivate der nachfolgenden Formel 18 und deren Kombinationen:
worin R₁₁, R₁₂, R₁₃, R₁₄ und R₁₅, die gleich oder verschieden sind, jeweils für -H, -OH, -CH₃, -CH₂OH, -(CH₂)_pCH₃, wobei p eine ganze Zahl von 1 bis 3 ist, oder für substituiertes bzw. unsubstituiertes, geradkettiges oder verzweigtes Alkyl oder Alkoxyalkyl mit 1 bis 5 Kohlenstoffatomen stehen.
Verfahren nach Anspruch 19, bei dem das Anthracenderivat-Additiv in einer Menge von 0,1 bis 30 Gew.-% eingesetzt wird.
Verfahren nach Anspruch 19 oder 20, bei dem das organische Lösungsmittel ausgewählt ist aus der Gruppe Ethyl-3-ethoxypropionat, Methyl-3-ethoxypropionat, Cyclohexanon und Propylenglykolmethyletheracetat.
Verwendung nach einem der Ansprüche 1 bis 18 bei der die Zusammensetzung auf einen Wafer aufgetragen und der Wafer bei 80 bis 300°C gehärtet wird.