DE10133717B4 - Organische Antireflex-Beschichtungspolymere, solche Polymere umfassende Antireflex-Beschichtungszusammensetzungen und Verfahren zur Herstellung derselben - Google Patents

Organische Antireflex-Beschichtungspolymere, solche Polymere umfassende Antireflex-Beschichtungszusammensetzungen und Verfahren zur Herstellung derselben Download PDF

Info

Publication number
DE10133717B4
DE10133717B4 DE10133717A DE10133717A DE10133717B4 DE 10133717 B4 DE10133717 B4 DE 10133717B4 DE 10133717 A DE10133717 A DE 10133717A DE 10133717 A DE10133717 A DE 10133717A DE 10133717 B4 DE10133717 B4 DE 10133717B4
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
methyl
acrylate
hydrogen
compound
methacrylate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE10133717A
Other languages
English (en)
Other versions
DE10133717A1 (de
Inventor
Jae-chang Icheon Jung
Sung-eun Seongnam Hong
Min-ho Icheon Jung
Geun-su Icheon Lee
Ki-Ho Icheon Baik
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SK Hynix Inc
Original Assignee
Hynix Semiconductor Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hynix Semiconductor Inc filed Critical Hynix Semiconductor Inc
Publication of DE10133717A1 publication Critical patent/DE10133717A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE10133717B4 publication Critical patent/DE10133717B4/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/09Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/091Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F220/00Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
    • C08F220/02Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
    • C08F220/10Esters
    • C08F220/34Esters containing nitrogen, e.g. N,N-dimethylaminoethyl (meth)acrylate
    • C08F220/36Esters containing nitrogen, e.g. N,N-dimethylaminoethyl (meth)acrylate containing oxygen in addition to the carboxy oxygen, e.g. 2-N-morpholinoethyl (meth)acrylate or 2-isocyanatoethyl (meth)acrylate
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/1053Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
    • Y10S430/1055Radiation sensitive composition or product or process of making
    • Y10S430/106Binder containing
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/1053Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
    • Y10S430/1055Radiation sensitive composition or product or process of making
    • Y10S430/106Binder containing
    • Y10S430/111Polymer of unsaturated acid or ester

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Architecture (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Paints Or Removers (AREA)

Abstract

Verbindung mit der Struktur der folgenden Formel 1: Formel 1
Figure 00000001
wobei gilt:
Ra bis Rd sind jeweils unabhängig Wasserstoff oder Methyl;
Ra bis Rd und R1 bis R9 sind jeweils unabhängig ausgewählt aus der Gruppe, die aus -H, -OH, -OCOCH3, -COOH, -CH2OH, Alkyl mit 1 bis 5 Kohlenstoffatomen und Alkoxy-Alkyl mit 1 bis 5 Kohlenstoffatomen besteht;
l, m und n stellen jeweils eine ganze Zahl dar, die aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus 1, 2, 3, 4 und 5 besteht;
w, x, y und z stellen jeweils einen Molenbruch im Bereich von 0,01 bis 0,99 dar.

Description

  • HINTERGRUND
  • Technisches Gebiet
  • Ein organisches Antireflex-Polymer und sein Herstellungsverfahren werden offenbart, welches eine Rückreflexion von tieferen Filmschichten verhindert und stehende Wellen eliminiert, die aufgrund einer Dickenänderung des Photoresist und Licht stattfindet, in einem Verfahren zur Herstellung von Ultrafein-Strukturen, das einen Photoresist zur Lithographie einsetzt, unter Verwendung von 248 nm KrF und 193 nm ArF. Insbesondere ist das offenbarte organische Antireflex-Polymer zur Herstellung ultrafeiner Strukturen von 64M, 256M, 1G und 4G DRAM Halbleiter-Vorrichtungen nützlich. Ebenfalls offenbart werden eine Zusammensetzung, die derartige organische Antireflex-Polymere enthält, eine daraus hergestellte Antireflex-Überzugsschicht und ein Verfahren zur Herstellung derselben.
  • Beschreibung des technologischen Hintergrundes
  • In einem Herstellungsverfahren für ultrafeine Schichten zur Herstellung von Halbleiter-Vorrichtungen kommt es unvermeidlich zu stehenden Wellen und reflektiver Auskerbung („notching") aufgrund der optischen Eigenschaften der unteren Filmschichten auf dem Wafer und aufgrund der Dickenänderung im photosensitiven Film. Zusätzlich gibt es ein weiteres Problem, dahingehend, dass eine CD-Änderung (Änderung der kritischen Dimension) durch von den unteren Filmschichten diffraktiertes und reflektiertes Licht hervorgerufen wird. Es ist dementsprechend vorgeschlagen worden, eine Antireflex-Beschichtung einzuführen, die eine Rückreflexion an einer unteren Filmschicht verhindert, indem organisches Material eingeführt wird, welches eine hohe Extinktion („absorbance") im Wellenlängenbereich des Lichtes besitzt, das als Lichtquelle eingesetzt wird.
  • Antireflex-Beschichtungen werden in anorganische und organische Antireflex-Beschichtungen eingeteilt, abhängig von dem verwendeten Material, oder in absorptive und interferierende Antireflex-Beschichtungen, basierend auf dem Wirkungsmechanismus. Für die Mikrolithographie unter Verwendung von I-Linien-Strahlung (365 nm Wellenlänge) werden vornehmlich anorganische Antireflex-Beschichtungen verwendet, währen TiN und amorpher Kohlenstoff als absorptives System und SiON als interferierendes System eingesetzt werden.
  • In einem Herstellungsverfahren für ultrafeine Strukturen unter Verwendung eines KrF-Lasers wurde als anorganischer Antireflex-Film hauptsächlich SiON eingesetzt. Jedoch war im Fall eines anorganischen Antireflex-Filmes kein Material bekannt gewesen, welches die Kontrolle der Interferenz bei 193 nm, der Wellenlänge der Lichtquelle, ermöglicht. Dementsprechend wurden große Anstrengungen unternommen, um eine organische Verbindung als Antireflex-Beschichtung einzusetzen.
  • Damit es sich um eine gute organische Antireflex-Beschichtung handelt, müssen die folgenden Bedingungen erfüllt sein. Erstens darf bei der Durchführung eines lithographischen Verfahrens kein Abschälen der Photoresist-Schicht aufgrund der Auflösung in einem Lösungsmittel stattfinden. Um dieses Ziel zu erreichen, muss eine Formbeschichtung (Molded Coating) vorgesehen werden, die ohne Erzeugung eines chemischen Nebenproduktes eine vernetzte Struktur bildet. Zweitens dürfen Chemikalien wie Säuren oder Amine in die Antireflex-Beschichtung nicht eintreten oder aus ihr austreten. Der Grund hierfür ist, dass, wenn Säuren aus einer Antireflex-Beschichtung herausmigrieren, es in einem unteren Teil der Struktur zu Unterschneidungen kommt, während eine Fußbildung (Footing) stattfinden kann, wenn eine Base, wie zum Beispiel ein Amin, migriert. Drittens sollte die Ätzgeschwindigkeit der Antireflex-Beschichtung schneller sein als das Ätzen des oberen photosensitiven Filmes, um so den Ätzprozess unter Verwendung eines photosensitiven Filmes als Maske zu erleichtern. Schließlich muss die Antireflex-Beschichtung so dünn wie möglich sein, in einem Maße, in dem sie ausreichend eine Rolle als Antireflex-Beschichtung spielen kann.
  • Die existierenden organischen Antireflex-Materialien werden hauptsächlich in zwei Typen unterschieden: (1) Polymere, die ein Chromophor, ein Vernetzungsmittel (einzelnes Molekül), welches die Polymere vernetzt, und ein Additiv (chemisch variables Oxidationsmittel) enthalten sowie (2) Polymere, die miteinander selbst vernetzen können und Chromophore und ein Additiv (thermisch variables Oxidationsmittel) enthalten. Aber diese zwei Typen von Antireflex-Material sind insoweit problematisch, als die Kontrolle des k-Wertes nahezu unmöglich ist, weil der Anteil des Chromophoren gemäss dem Verhältnis, wie es ursprünglich zum Zeitpunkt der Polymerisation eingestellt war, festgelegt ist. Falls es also erwünscht ist, den k-Wert zu ändern, muss das Polymer noch einmal synthetisiert werden.
  • Die nachveröffentlichten Dokumente DE 10028345 und DE 10063263 offenbaren Verbindungen, die keine Acrylsäureaminooxybindung and Acrylanthracen-Monomere enthalten. Die EP 62611 wiederum offenbart ein Polymerisationsverfahren unter Verwendung von Anthracen-Monomeren. Dabei werden die Anthracen-Monomere in die Polymerkette selbst einpolymerisiert.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER OFFENBARUNG
  • Es wird ein neues organisches Polymer für Antireflex-Beschichtungen und das Verfahren zu seiner Herstellung offenbart.
  • Es werden auch eine Antireflex-Beschichtungszusammensetzung, welche das zuvor genannte Polymer umfasst, und ein Verfahren zu deren Herstellung offenbart.
  • Es wird auch eine Halbleiter-Vorrichtung offenbart, auf der mittels Submikrolithographie eine Struktur aus einer solchen Antireflex-Beschichtung gebildet ist.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER GEGENWÄRTIG BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
  • Die folgenden Verbindungen der Formeln 1 bzw. 2 werden angegeben, die in Antireflex-Beschichtungen eingesetzt werden können. Formel 1
    Figure 00040001
    Formel 2
    Figure 00040002
  • Das Polymer der oben strukturell angegebenen Formel 1 wird ausgehend von der Verbindung der nachfolgenden Formel 10 synthetisiert. Formel 10
    Figure 00050001
  • In den obigen Formeln 1, 2 und 10 gilt:
    Ra bis Rd sind jeweils unabhängig Wasserstoff oder Methyl;
    Ra bis Rd und R1 bis R9 sind jeweils unabhängig –H, -OH, -OCOCH3, -COOH, -CH2OH oder substituiertes oder unsubstituiertes oder geradkettiges oder verzweigtes Alkyl oder Alkoxy-Alkyl mit 1 bis 5 Kohlenstoffatomen;
    l, m und n stellen jeweils eine ganze Zahl dar, die aus 1, 2, 3, 4 und 5 ausgewählt ist;
    w, x, y und z stellen jeweils einen Molenbruch von 0,01 bis 0,99 dar;
    R10 und R11 sind jeweils unabhängig geradkettiges oder verzweigtes substituiertes C1-10 Alkoxy; und
    R12 ist Wasserstoff oder Methyl.
  • Die Verbindung der Formel 2 wird hergestellt, indem (Meth)Acrolein polymerisiert wird, um Poly(Meth)Acrolein zu erhalten, gefolgt von einer Reaktion des erhaltenen polymeren Produktes mit verzweigtem oder geradkettigem substituiertem Alkylalkohol mit 1 bis 10 Kohlenstoffatomen.
  • Im Detail wird (Meth)Acrolein zunächst in einem organischen Lösungsmittel aufgelöst und hierzu dann ein Polymerisationsinitiator zugesetzt, um unter Vakuum bei einer Temperatur im Bereich zwischen ungefähr 60 und ungefähr 70°C für einen Zeitraum im Bereich zwischen ungefähr 4 und ungefähr 6 Stunden eine Polymerisation durchzuführen. Das erhaltene polymere Produkt wird dann mit verzweigtem oder geradketti gem substituiertem Alkylalkohol mit 1 bis 10 Kohlenstoffatomen umgesetzt, in Gegenwart von Trifluormethylsulfonsäure als Katalysator bei Raumtemperatur für 20 bis 30 Stunden.
  • In dem obigen Verfahren wird das geeignete organische Lösungsmittel aus der Gruppe ausgewählt, die aus Tetrahydrofuran (THF), Cyclohexanon, Dimethylformamid, Dimethylsulfoxid, Dioxan, Methylethylketon, Benzol, Toluol, Xylol und deren Mischungen besteht. Als Polymerisationsinitiator können erwähnt werden 2,2-Azobisisobutyronitril (AIBN), Benzoylperoxid, Acetylperoxid, Laurylperoxid, t-Butylperacetat, t-Butylhydroperoxid oder di-t-Butylperoxid. Ein bevorzugtes Beispiel des besagten Alkylalkohols mit 1 bis 10 Kohlenstoffatomen ist Ethanol oder Methanol.
  • Eine bevorzugte Verbindung der Formel 2 ist aus der Gruppe ausgewählt, die aus den Verbindungen der folgenden Formeln 3 bis 6 besteht. Formel 3
    Figure 00060001
    Formel 4
    Figure 00060002
    Formel 5
    Figure 00070001
    Formel 6
    Figure 00070002
  • Die obigen Verbindungen der Formeln 3 bis 6 werden leicht in Gegenwart von Säuren und anderen Polymeren mit Alkohol-Gruppe ausgehärtet.
  • Das Polymer der Formel 1 wird hergestellt durch Reaktion von 9-Anthracen-Methylenaminooxyalkyl(meth)acrylatmonomer, Hydroxyalkyl(meth)acrylatmonomer, Glycidylalkyl(meth)acrylatmonomer und Methyl(meth)acrylatmonomer in einem organischen Lösungsmittel und dann Polymerisieren der erhaltenen Verbindung mit einem Polymerisationsinitiator. Jedes konventionelle organische Lösungsmittel kann in diesem Verfahren eingesetzt werden, aber ein bevorzugtes Lösungsmittel ist ausgewählt aus der Gruppe, die aus Tetrahydrofuran, Toluol, Benzol, Methylethylketon, Dioxan und Mischungen dieser Lösungsmittel besteht. Als Polymerisationsinitiator kann jeder konventionelle radikalische Polymerisationsinitiator verwendet werden, aber es wird bevorzugt, eine Verbindung einzusetzen, die aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus 2,2'-Azobisisobutyronitril, Acetylperoxid, Laurylperoxid und t-Butylperoxid besteht. Die obige Polymerisationsreaktion wird vorzugsweise bei einer Temperatur im Bereich von ungefähr 50 bis ungefähr 90°C durchgeführt, und der Molenbruch jedes Monomeren fällt in den breiten Bereich von 0,01 bis 0,99.
  • Eine Antireflex-Beschichtungszusammensetzung kann ein Polymer der Formel 1 und ein Polymer der Formel 2 umfassen.
  • Des Weiteren kann eine Antireflex-Beschichtungszusammensetzung ein Polymer der Formel 1, eine Verbindung der Formel 2 und ein Anthracen-Derivat als Additiv umfassen. Erläuternde, nicht beschränkende Beispiele der Anthracen-Derivate (hiernach „Anthracen-Derivat-Additive") sind aus der Gruppe ausgewählt, die aus Anthracen, 9-Anthracenmethanol, 9-Anthracencarbonitril, 9-Anthracen-Carbonsäure, Ditranol, 1,2,10-Anthracentriol, Anthraflavonsäure, 9-Anthraldehydoxim, 9-Anthraldehyd, 2-Amino-7-methyl-5-oxo-5H-[1]benzo-pyrano[2,3-b]pyridin-3-carbonitril, 1-Aminoanthrachinon, Anthrachinon-2-carbonsäure, 1,5-Dihydroxyanthrachinon, Anthron, 9-Anthryl-trifluoro-methylketon, 9-Alkylanthracen-Derivate der folgenden Formel 7, 9-Carboxylanthracen-Derivate der folgenden Formel 8, 1-Carboxylanthracen-Derivate der folgenden Formel 9, und deren Mischungen besteht. Formel 7
    Figure 00080001
    Formel 8
    Figure 00080002
    Formel 9
    Figure 00090001
    worin R1 bis R5 -H, -OH, -CH2OH oder substituiertes oder unsubstituiertes, geradkettiges oder verzweigtes Alkyl oder Alkoxyalkyl mit 1 bis 5 Kohlenstoffatomen sind.
  • Ein Herstellungsverfahren für eine organische Antireflex-Beschichtung umfasst die Schritte: Auflösen eines Polymers der Formel 1 und einer Verbindung der Formel 2 in einem organischen Lösungsmittel, Filtrieren der erhaltenen Lösung alleine oder in Kombination mit zumindest einem Anthracen-Derivat-Additiv wie zuvor erwähnt, Schichtapplizieren des Filtrates auf eine untere Schicht und Hartbacken der Überzugsschicht. Insbesondere schließt ein Beispiel des in diesem Verfahren eingesetzten organischen Lösungsmittels Ethyl-3-ethoxypropionat, Methyl-3-methoxypropionat, Cyclohexanon und Propylenglycolmethylether-Acetat ein. Es wird vorgezogen, dass das vorgenannte Lösungsmittel in einer Menge im Bereich von ungefähr 200 bis ungefähr 5000 Gew.% eingesetzt wird, bezogen auf das Gesamtgewicht des eingesetzten Antireflex-Beschichtungsharzes. Der bevorzugte Temperaturbereich für das Hartbacken liegt zwischen ungefähr 100 und ungefähr 300°C.
  • Eine bevorzugte Halbleiter-Vorrichtung kann unter Verwendung irgendeiner der vorgenannten Antireflex-Beschichtungszusammensetzungen hergestellt werden.
  • Zunächst wurde ein Monomer mit einem groß bemessenen Chromophor synthetisiert, um es zu ermöglichen, dass ein aus ihm hergestelltes Polymer eine hohe Extinktion bei einer Wellenlänge von 248 nm aufweist. Des Weiteren wurde, um einer hergestellten organischen Antireflex-Beschichtung verbesserte Eigenschaften zu verleihen, wie zum Beispiel gute Formeigenschaften (Molding Property), Luft-Dichtigkeit und Auflösungswiderstandsfähigkeit, eine Epoxy-Gruppe eingeführt, um während eines Hartback- Schritts, der einem Beschichtungs-Schritt folgt, eine Vernetzungsreaktion zu bewirken. Das erhaltene Polymer wird als primäres Polymer (die Verbindung der Formel 1) bezeichnet. Zusätzlich wurde ein sekundäres Polymer (die Verbindung der Formel 2) synthetisiert, eine Verbindung, die in der Lage ist, nach Reaktion mit einer Alkoholgruppe im Harz eine Vernetzung zu bilden, um mittels thermischer Reaktion ein vernetztes Produkt mit dem primären Polymer zu bilden. Des Weiteren wurde in das primäre Polymer eine Methacrylat-Gruppe eingeführt, um es hydrophober zu machen und EBR (Edge Bead Removal) zu erleichtern.
  • Insbesondere liegen die benutzten Vernetzungsmittel in Form eines Polymers vor und sind dazu ausgelegt, die Effizienz der Vernetzungsreaktion zu maximieren. Insbesondere ist es möglich, den k-Wert der Antireflex-Beschichtung frei zu justieren, indem der Anteil des primären Polymers gesteuert wird.
  • Des Weiteren besitzt das Antireflex-Beschichtungsharz eine gute Löslichkeit in allen Kohlenwasserstoff-Lösungsmitteln, während es eine Auflösungs-Widerstandsfähigkeit in allen Lösungsmitteln während eines Hartback-Schritts besitzt. Zusätzlich kommt es bei einem Herstellungsverfahren für Strukturen nicht zu Unterschneidungen oder einer Fußbildung. Insbesondere wird die Ätzselektivität verbessert, weil das Antireflex-Beschichtungsharz der vorliegenden Erfindung aus Acrylat-Polymer hergestellt wird, welches eine höhere Atz-Geschwindigkeit relativ zu der des photosensitiven Filmes während eines Ätz-Prozesses ermöglicht.
  • Die folgenden Beispiele werden dargelegt, um einem Fachmann die offenbarten Prinzipien und die offenbarten Verfahrensweisen näher zu erläutern. Als solche sind sie nicht beabsichtigt, um die Offenbarung zu beschränken, sondern sind illustrativ für bevorzugte Ausführungsbeispiele.
  • Beispiele
  • Beispiel 1: Herstellung von Poly[9-Anthracenmethylenaminooxyethylacrylat-(2-hydroxyethylacrylat)-glycidylmethacrylat-methylmethacrylat]
  • Ein 500 ml Rundkolben wurde unter Rühren mit 0,3 Mol 9-Anthracenmethylenaminooxyethylacrylat-Monomer/0,3 Mol 2-Hydroxyethylacrylat/0,2 Mol Gly cidylmethacrylat/0,2 Mol Methylmethacrylat befüllt, und 300 g separat hergestelltes Tetrahydrofuran wurden zu einer vollständigen Mischung hinzugegeben. Danach wurden zwischen ungefähr 0,1 und ungefähr 3,0 g 2,2'-Azobisisobutyronitril hinzugegeben, um eine Polymerisations-Reaktion bei einer Temperatur im Bereich von ungefähr 60 bis ungefähr 75°C unter einer Stickstoffatmosphäre für einen Zeitraum im Bereich von ungefähr 5 bis ungefähr 20 Stunden zu erlauben. Nach Abschluss der Reaktion wurde die erhaltene Lösung mit Ethylether- oder n-Hexan-Lösungsmittel zum Ausfällen gebracht und dann filtriert und getrocknet, um Poly[9-Anthracenmethylenaminooxyethylacrylat-(2-hydroxyethylacrylat)-glycidylmethacrylat-methylmethacrylat]-Harz der folgenden Formel 11 zu erhalten (Ausbeute: 80%). Formel 11
    Figure 00110001
  • Beispiel 2: Herstellung von Poly[9-Anthracenmethylenaminooxyethylacrylat-(3-hydroxypropylacrylat)-glycidylmethacrylat-methylmethacrylat]
  • Ein 500 ml Rundkolben wurde unter Rühren mit 0,3 Mol 9-Anthracenmethylenaminooxyethylacrylat-Monomer/0,3 Mol 3-Hydroxypropylacrylat/0,2 Mol Glycidylmethacrylat/0,2 Mol Methylmethacrylat befüllt, und 300 g separat hergestelltes Tetrahydrofuran wurden zu einer vollständigen Mischung hinzugegeben. Danach wurden zwischen ungefähr 0,1 und ungefähr 3,0 g 2,2'-Azobisisobutyronitril hinzugegeben, um eine Polymerisations-Reaktion bei einer Temperatur im Bereich von ungefähr 60 bis ungefähr 75°C unter einer Stickstoffatmosphäre für einen Zeitraum im Bereich von ungefähr 5 bis ungefähr 20 Stunden zu erlauben. Nach Abschluss der Reaktion wurde die erhaltene Lösung mit Ethylether- oder n-Hexan-Lösungsmittel zum Ausfällen gebracht und dann filtriert und getrocknet, um Poly[9-Anthracenmethylenaminooxyethylacrylat-(3-hydroxypropylacrylat)-glycidylmethacrylat-methylmethacrylat]-Harz der folgenden Formel 12 zu erhalten (Ausbeute: 79%). Formel 12
    Figure 00120001
  • Beispiel 3: Herstellung von Poly[9-Anthracenmethylenaminooxyethylacrylat-(2-hydroxyethylacrylat)-glycidylacrylat-methylmethacrylat]
  • Ein 500 ml Rundkolben wurde unter Rühren mit 0,3 Mol 9-Anthracenmethylenaminooxyethylacrylat-Monomer/0,3 Mol 2-Hydroxyethylacrylat/0,2 Mol Glycidylacrylat/0,2 Mol Methylmethacrylat befüllt, und 300 g separat hergestelltes Tetrahydrofuran wurden zu einer vollständigen Mischung hinzugegeben. Danach wurden zwischen ungefähr 0,1 und ungefähr 3,0 g 2,2'-Azobisisobutyronitril hinzugegeben, um eine Polymerisations-Reaktion bei einer Temperatur im Bereich von ungefähr 60 bis ungefähr 75°C unter einer Stickstoffatmosphäre für einen Zeitraum im Bereich von ungefähr 5 bis ungefähr 20 Stunden zu erlauben. Nach Abschluss der Reaktion wurde die erhaltene Lösung mit Ethylether- oder n-Hexan-Lösungsmittel zum Ausfällen gebracht und dann filtriert und getrocknet, um Poly[9-Anthracenmethylenaminooxyethylacrylat-(2-hydroxyethylacrylat)-glycidylacrylat-methylmethacrylat]-Harz der folgenden Formel 13 zu erhalten (Ausbeute: 81%). Formel 13
    Figure 00130001
  • Beispiel 4: Herstellung von Poly[9-Anthracenmethylenaminooxyethylacrylat-(3-hydroxypropylacrylat)-glycidylacrylat-methylmethacrylat]
  • Ein 500 ml Rundkolben wurde unter Rühren mit 0,3 Mol 9-Anthracenmethylenaminooxyethylacrylat-Monomer/0,3 Mol 3-Hydroxypropylacrylat/0,2 Mol Glycidylacrylat/0,2 Mol Methylmethacrylat befüllt, und 300 g separat hergestelltes Tetrahydrofuran wurden zu einer vollständigen Mischung hinzugegeben. Danach wurden zwischen ungefähr 0,1 und ungefähr 3,0 g 2,2'-Azobisisobutyronitril hinzugegeben, um eine Polymerisations-Reaktion bei einer Temperatur im Bereich von ungefähr 60 bis ungefähr 75°C unter einer Stickstoffatmosphäre für einen Zeitraum im Bereich von ungefähr 5 bis ungefähr 20 Stunden zu erlauben. Nach Abschluss der Reaktion wurde die erhaltene Lösung mit Ethylether- oder n-Hexan-Lösungsmittel zum Ausfällen gebracht und dann filtriert und getrocknet, um Poly[9-Anthracenmethylenaminooxyethylacrylat-(3-hydroxypropylacrylat)-glycidylacrylat-methylmethacrylat]-Harz der folgenden Formel 14 zu erhalten (Ausbeute: 79%). Formel 14
    Figure 00140001
  • Beispiel 5: Herstellung von Poly[9-Anthracenmethylenaminooxyethylacrylat-(4-hydroxybutylacrylat)-glycidylacrylat-methylmethacrylat]
  • Ein 500 ml Rundkolben wurde unter Rühren mit 0,3 Mol 9-Anthracenmethylenaminooxyethylacrylat-Monomer/0,3 Mol 4-Hydroxybutylacrylat/0,2 Mol Glycidylacrylat/0,2 Mol Methylmethacrylat befüllt, und 300 g separat hergestelltes Tetrahydrofuran wurden zu einer vollständigen Mischung hinzugegeben. Danach wurden zwischen ungefähr 0,1 und ungefähr 3,0 g 2,2'-Azobisisobutyronitril hinzugegeben, um eine Polymerisations-Reaktion bei einer Temperatur im Bereich von ungefähr 60 bis ungefähr 75°C unter einer Stickstoffatmosphäre für einen Zeitraum im Bereich von ungefähr 5 bis ungefähr 20 Stunden zu erlauben. Nach Abschluss der Reaktion wurde die erhaltene Lösung mit Ethylether- oder n-Hexan-Lösungsmittel zum Ausfällen gebracht und dann filtriert und getrocknet, um Poly[9-Anthracenmethylenaminooxyethylacrylat-(4-hydroxybutylacrylat)-glycidylacrylat-methylmethacrylat]-Harz der folgenden Formel 15 zu erhalten (Ausbeute: 80%). Formel 15
    Figure 00150001
  • Beispiel 6: Herstellung von Poly[9-Anthracenmethylenaminooxyethylmethacrylat-(2-hydroxyethylacrylat)-glycidylmethacrylat-methylmethacrylat]
  • Ein 500 ml Rundkolben wurde unter Rühren mit 0,3 Mol 9-Anthracenmethylenaminooxyethylmethacrylat-Monomer/0,3 Mol 2-Hydroxyethylacrylat/0,2 Mol Glycidylmethacrylat/0,2 Mol Methylmethacrylat befüllt, und 300 g separat hergestelltes Tetrahydrofuran wurden zu einer vollständigen Mischung hinzugegeben. Danach wurden zwischen ungefähr 0,1 und ungefähr 3,0 g 2,2'-Azobisisobutyronitril hinzugegeben, um eine Polymerisations-Reaktion bei einer Temperatur im Bereich von ungefähr 60 bis ungefähr 75°C unter einer Stickstoffatmosphäre für einen Zeitraum im Bereich von ungefähr 5 bis ungefähr 20 Stunden zu erlauben. Nach Abschluss der Reaktion wurde die erhaltene Lösung mit Ethylether- oder n-Hexan-Lösungsmittel zum Ausfällen gebracht und dann filtriert und getrocknet, um Poly[9-Anthracenmethylenaminooxyethylmethacrylat-(2-hydroxyethylacrylat)-glycidylmethacrylat-methylmethacrylat]-Harz der folgenden Formel 16 zu erhalten (Ausbeute: 80%). Formel 16
    Figure 00160001
  • Beispiel 7: Herstellung von Poly[9-Anthracenmethylenaminooxyethylmethacrylat-(3-hydroxypropylacrylat)-glycidylmethacrylat-methylmethacrylat]
  • Ein 500 ml Rundkolben wurde unter Rühren mit 0,3 Mol 9-Anthracenmethylenaminooxyethylmethacrylat-Monomer/0,3 Mol 3-Hydroxypropylacrylat/0,2 Mol Glycidylmethacrylat/0,2 Mol Methylmethacrylat befüllt, und 300 g separat hergestelltes Tetrahydrofuran wurden zu einer vollständigen Mischung hinzugegeben. Danach wurden zwischen ungefähr 0,1 und ungefähr 3,0 g 2,2'-Azobisisobutyronitril hinzugegeben, um eine Polymerisations-Reaktion bei einer Temperatur im Bereich von ungefähr 60 bis ungefähr 75°C unter einer Stickstoffatmosphäre für einen Zeitraum im Bereich von ungefähr 5 bis ungefähr 20 Stunden zu erlauben. Nach Abschluss der Reaktion wurde die erhaltene Lösung mit Ethylether- oder n-Hexan-Lösungsmittel zum Ausfällen gebracht und dann filtriert und getrocknet, um Poly[9-Anthracenmethylenaminooxyethylmethacrylat-(3-hydroxypropylacrylat)-glycidylmethacrylat-methylmethacrylat)-Harz der folgenden Formel 17 zu erhalten (Ausbeute: 78%). Formel 17
    Figure 00170001
  • Beispiel 8: Herstellung von Poly[9-Anthracenmethylenaminooxyethylmethacrylat-(4-hydroxybutylacrylat)-glycidylmethacrylat-methylmethacrylat]
  • Ein 500 ml Rundkolben wurde unter Rühren mit 0,3 Mol 9-Anthracenmethylenaminooxyethylmethacrylat-Monomer/0,3 Mol 4-Hydroxybutylacrylat/0,2 Mol Glycidylmethacrylat/0,2 Mol Methylmethacrylat befüllt, und 300 g separat hergestelltes Tetrahydrofuran wurden zu einer vollständigen Mischung hinzugegeben. Danach wurden zwischen ungefähr 0,1 und ungefähr 3,0 g 2,2'-Azobisisobutyronitril hinzugegeben, um eine Polymerisations-Reaktion bei einer Temperatur im Bereich von ungefähr 60 bis ungefähr 75°C unter einer Stickstoffatmosphäre für einen Zeitraum im Bereich von ungefähr 5 bis ungefähr 20 Stunden zu erlauben. Nach Abschluss der Reaktion wurde die erhaltene Lösung mit Ethylether- oder n-Hexan-Lösungsmittel zum Ausfällen gebracht und dann filtriert und getrocknet, um Poly[9-Anthracenmethylenaminooxyethylmethacrylat-(4-hydroxybutylacrylat)-glycidylmethacrylat-methylmethacrylat]-Harz der folgenden Formel 18 zu erhalten (Ausbeute: 81%). Formel 18
    Figure 00180001
  • Beispiel 9: Herstellung von Poly[9-Anthracenmethylenaminooxyethylmethacrylat-(2-hydroxyethylacrylat)-glycidylacrylat-methylmethacrylat]
  • Ein 500 ml Rundkolben wurde unter Rühren mit 0,3 Mol 9-Anthracenmethylenaminooxyethylmethacrylat-Monomer/0,3 Mol 2-Hydroxyethylacrylat/0,2 Mol Glycidylacrylat/0,2 Mol Methylmethacrylat befüllt, und 300 g separat hergestelltes Tetrahydrofuran wurden zu einer vollständigen Mischung hinzugegeben. Danach wurden zwischen ungefähr 0,1 und ungefähr 3,0 g 2,2'-Azobisisobutyronitril hinzugegeben, um eine Polymerisations-Reaktion bei einer Temperatur im Bereich von ungefähr 60 bis ungefähr 75°C unter einer Stickstoffatmosphäre für einen Zeitraum im Bereich von ungefähr 5 bis ungefähr 20 Stunden zu erlauben. Nach Abschluss der Reaktion wurde die erhaltene Lösung mit Ethylether- oder n-Hexan-Lösungsmittel zum Ausfällen gebracht und dann filtriert und getrocknet, um Poly[9-Anthracenmethylenaminooxyethylmethacrylat-(2-hydroxyethylacrylat)-glycidylacrylat-methylmethacrylat]-Harz der folgenden Formel 19 zu erhalten (Ausbeute: 79%). Formel 19
    Figure 00190001
  • Beispiel 10: Herstellung von Poly[9-Anthracenmethylenaminooxyethylmethacrylat-(3-hydroxypropylacrylat)-glycidylacrylat-methylmethacrylat]
  • Ein 500 ml Rundkolben wurde unter Rühren mit 0,3 Mol 9-Anthracenmethylenaminooxyethylmethacrylat-Monomer/0,3 Mol 3-Hydroxypropylacrylat/0,2 Mol Glycidylacrylat/0,2 Mol Methylmethacrylat befüllt, und 300 g separat hergestelltes Tetrahydrofuran wurden zu einer vollständigen Mischung hinzugegeben. Danach wurden zwischen ungefähr 0,1 und ungefähr 3,0 g 2,2'-Azobisisobutyronitril hinzugegeben, um eine Polymerisations-Reaktion bei einer Temperatur im Bereich von ungefähr 60 bis ungefähr 75°C unter einer Stickstoffatmosphäre für einen Zeitraum im Bereich von ungefähr 5 bis ungefähr 20 Stunden zu erlauben. Nach Abschluss der Reaktion wurde die erhaltene Lösung mit Ethylether- oder n-Hexan-Lösungsmittel zum Ausfällen gebracht und dann filtriert und getrocknet, um Poly[9-Anthracenmethylenaminooxyethylmethacrylat-(3-hydroxypropylacrylat)-glycidylacrylat-methylmethacrylat]-Harz der folgenden Formel 20 zu erhalten (Ausbeute: 81%). Formel 20
    Figure 00200001
  • Beispiel 11: Herstellung von Poly[9-Anthracenmethylenaminooxyethylmethacrylat-(4-hydroxybutylacrylat)-glycidylacrylat-methylmethacrylat]
  • Ein 500 ml Rundkolben wurde unter Rühren mit 0,3 Mol 9-Anthracenmethylenaminooxyethylmethacrylat-Monomer/0,3 Mol 4-Hydroxybutylacrylat/0,2 Mol Glycidylacrylat/0,2 Mol Methylmethacrylat befüllt, und 300 g separat hergestelltes Tetrahydrofuran wurden zu einer vollständigen Mischung hinzugegeben. Danach wurden zwischen ungefähr 0,1 und ungefähr 3,0 g 2,2'-Azobisisobutyronitril hinzugegeben, um eine Polymerisations-Reaktion bei einer Temperatur im Bereich von ungefähr 60 bis ungefähr 75°C unter einer Stickstoffatmosphäre für einen Zeitraum im Bereich von ungefähr 5 bis ungefähr 20 Stunden zu erlauben. Nach Abschluss der Reaktion wurde die erhaltene Lösung mit Ethylether- oder n-Hexan-Lösungsmittel zum Ausfällen gebracht und dann filtriert und getrocknet, um Poly[9-Anthracenmethylenaminooxyethylmethacrylat-(4-hydroxybutylacrylat)-glycidylacrylat-methylmethacrylat]-Harz der folgenden Formel 21 zu erhalten (Ausbeute: 80%). Formel 21
    Figure 00210001
  • Beispiel 12: Herstellung einer Antireflex-Beschichtungslösung
  • Ein Polymer der Formel 1 wie hergestellt in einem der Beispiele 1 bis 11 und ein Polymer der Formel 2 wurden in Propylenglycolmethylether-acetat aufgelöst. Die erhaltene Lösung, alleine oder in Kombination mit 0,1 bis ungefähr 0 Gew.% zumindest eines der vorgenannten Anthracen-Derivat-Additive, um die Auflösung zu vervollständigen, wurde filtriert, auf einen Wafer schichtappliziert und bei einer Temperatur im Bereich von ungefähr 100 bis ungefähr 300°C für einen Zeitraum im Bereich von ungefähr 10 bis ungefähr 1000 Sekunden hartgebacken. Dann wurde darauf ein photosensitiver Film appliziert, und es folgte ein Routineverfahren zur Herstellung einer Ultrafeinstruktur.
  • Das verwendete Vernetzungsmittel liegt in Form eines Polymers vor und ist dazu ausgestaltet, die Vernetzungseffizienz zu maximieren. Des Weiteren ist es möglich, den k-Wert einer organischen Antireflex-Beschichtung durch Steuerung des Anteils eines Primär-Polymers frei zu modifizieren. Das Problem aus dem Stand der Technik, wonach die Steuerung des k-Wertes nicht möglich war, wurde also überwunden.
  • Darüber hinaus enthält das offenbarte Antireflex-Beschichtungsharz ein Monomer mit einem groß bemessenen Chromophor, wodurch es möglich ist, dass ein daraus hergestelltes Polymer eine hohe Extinktion bei einer Wellenlänge von 248 nm aufweist. Das offenbarte Antireflex-Beschichtungsharz enthält auch eine Epoxy-Gruppe, die eine Vernetzung ermöglicht. Des Weiteren wird durch Einführen einer Methacrylat-Gruppe in eines seiner primären Polymere seine Hydrophobizität erhöht, was wiederum EBR (Edge Bead Removal) erleichtert.
  • Des Weiteren löst sich das offenbarte Antireflex-Beschichtungsharz gut in allen Kohlenwasserstofflösungsmitteln, während es sich nicht in irgendeinem der Lösungsmittel während eines Hartback-Schritts auflöst, und es führt nicht zu einem Unterschneiden und einer Fußbildung (Footing) in einem Herstellungsverfahren für Strukturen. Insbesondere, weil das Antireflex-Beschichtungsharz der vorliegenden Erfindung aus Acrylat-Polymer zusammengesetzt ist, ist seine Atz-Geschwindigkeit höher als die eines photosensitiven Films, und deshalb kann die Ätz-Selektivität verbessert werden.
  • Die vorliegende Erfindung wurde auf illustrierende Weise beschrieben, und man muss verstehen, dass die verwendete Terminologie eher nach Art einer Beschreibung zu verstehen ist, denn als Beschränkung. Man muss verstehen, dass viele Modifikationen und Variationen der vorliegenden Erfindung im Lichte der obigen Lehren möglich sind. Deshalb muss man verstehen, dass innerhalb des Bereiches der beigefügten Ansprüche die Erfindung auf andere Weise als spezifisch beschrieben durchgeführt werden kann.

Claims (23)

  1. Verbindung mit der Struktur der folgenden Formel 1: Formel 1
    Figure 00230001
    wobei gilt: Ra bis Rd sind jeweils unabhängig Wasserstoff oder Methyl; Ra bis Rd und R1 bis R9 sind jeweils unabhängig ausgewählt aus der Gruppe, die aus -H, -OH, -OCOCH3, -COOH, -CH2OH, Alkyl mit 1 bis 5 Kohlenstoffatomen und Alkoxy-Alkyl mit 1 bis 5 Kohlenstoffatomen besteht; l, m und n stellen jeweils eine ganze Zahl dar, die aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus 1, 2, 3, 4 und 5 besteht; w, x, y und z stellen jeweils einen Molenbruch im Bereich von 0,01 bis 0,99 dar.
  2. Verbindung nach Anspruch 1, bei der es sich um Poly[9-Anthracenmethylenaminooxyethylacrylat-(2-hydroxyethylacrylat)-glycidylmethacrylat-methylmethacrylat] handelt, wobei Ra und Rb jeweils Wasserstoff sind, Rc und Rd jeweils Methyl sind, Ra bis Rd und R1 bis R9 jeweils Wasserstoff sind, l = 2, m = 2, n = 1, w = 0,3, x = 0,3, y = 0,2 und z = 0,2.
  3. Verbindung nach Anspruch 1, bei der es sich um Poly[9-Anthracenmethylenaminooxyethylacrylat-(3-hydroxypropylacrylat)-glycidylmethacrylat-methylmethacrylat] handelt, wobei Ra und Rb jeweils Wasserstoff sind, Rc und Rd jeweils Methyl sind, Ra bis Rd und R1 bis R9 jeweils Wasserstoff sind, l = 2, m = 3, n = 1, w = 0,3, x = 0,3, y = 0,2 und z = 0,2.
  4. Verbindung nach Anspruch 1, bei der es sich um Poly[9-Anthracenmethylenaminooxyethylacrylat-(2-hydroxyethylacrylat)-glycidylacrylat-methylmethacrylat] handelt, wobei Ra, Rb und Rc jeweils Wasserstoff sind, Rd Methyl ist, Ra bis Rd und R1 bis R9 jeweils Wasserstoff sind l = 2, m = 2, n = 1, w = 0,3, x = 0,3, y = 0,2 und z = 0,2.
  5. Verbindung nach Anspruch 1, bei der es sich um Poly[9-Anthracenmethylenaminooxyethylacrylat-(3-hydroxypropylacrylat)-glycidylacrylat-methylmethacrylat] handelt, wobei Ra, Rb und Rc jeweils Wasserstoff sind, Rd Methyl ist, Ra bis Rd und R1 bis R9 jeweils Wasserstoff sind, l = 2, m = 3, n = 1, w = 0,3, x = 0,3, y = 0,2 und z = 0,2.
  6. Verbindung nach Anspruch 1, bei der es sich um Poly[9-Anthracenmethylenaminooxyethylacrylat-(4-hydroxybutylacrylat)-glycidylacrylat-methylmethacrylat] handelt, wobei Ra, Rb und Rc jeweils Wasserstoff sind, Rd Methyl ist, Ra bis Rd und R1 bis R9 jeweils Wasserstoff sind, l = 2, m = 4, n = 1, w = 0,3, x = 0,3, y = 0,2 und z = 0,2.
  7. Verbindung nach Anspruch 1, bei der es sich um Poly[9-Anthracenmethylenaminooxyethylmethacrylat-(2-hydroxyethylacrylat)-glycidylmethacrylat-methylmethacrylat] handelt, wobei Ra, Rc und Rd jeweils Methyl sind, Rb Wasserstoff ist, Ra bis Rd und R1 bis R9 jeweils Wasserstoff sind, l = 2, m = 2, n = 1, w = 0,3, x = 0,3, y = 0,2 und z = 0,2.
  8. Verbindung nach Anspruch 1, bei der es sich um Poly[9-Anthracenmethylenaminooxyethylmethacrylat-(3-hydroxypropylacrylat)-glycidylmethacrylat-methylmethacrylat] handelt, wobei Ra, Rc und Rd jeweils Methyl sind, Rb Wasserstoff ist, Ra bis Rd und R1 bis R9 jeweils Wasserstoff sind, l = 2, m = 3, n = 1, w = 0,3, x = 0,3, y = 0,2 und z = 0,2.
  9. Verbindung nach Anspruch 1, bei der es sich um Poly[9-Anthracenmethylenaminooxyethylmethacrylat-(4-hydroxybutylacrylat)-glycidylmethacrylat-methylmethacrylat] handelt, wobei Ra, Rc und Rd jeweils Methyl sind, Rb Wasserstoff ist, Ra bis Rd und R1 bis R9 jeweils Wasserstoff sind, l = 2, m = 4, n = 1, w = 0,3, x = 0,3, y = 0,2 und z = 0,2.
  10. Verbindung nach Anspruch 1, bei der es sich um Poly[9-Anthracenmethylenaminooxyethylmethacrylat-(2-hydroxyethylacrylat)-glycidylacrylat-methylmethacrylat] handelt, wobei Ra und Rd jeweils Methyl sind, Rb und Rc jeweils Wasserstoff sind, Ra bis Rd und R1 bis R9 jeweils Wasserstoff sind, l = 2, m = 2, n = 1, w = 0,3, x = 0,3, y = 0,2 und z = 0,2.
  11. Verbindung nach Anspruch 1, bei der es sich um Poly[9-Anthracenmethylenaminooxyethylmethacrylat-(3-hydroxypropylacrylat)-glycidylacrylat-methylmethacrylat] handelt, wobei Ra und Rd jeweils Methyl sind, Rb und Rc jeweils Wasserstoff sind, Ra bis Rd und R1 bis R9 jeweils Wasserstoff sind, l = 2, m = 3, n = 1, w = 0,3, x = 0,3, y = 0,2 und z = 0,2.
  12. Verbindung nach Anspruch 1, bei der es sich um Poly[9-Anthracenmethylenaminooxyethylmethacrylat-(4-hydroxybutylacrylat)-glycidylacrylat-methylmethacrylat] handelt, wobei Ra und Rd jeweils Methyl sind, Rb und Rc jeweils Wasserstoff sind, Ra bis Rd und R1 bis R9 jeweils Wasserstoff sind, l = 2, m = 4, n = 1, w = 0,3, x = 0,3, y = 0,2 und z = 0,2.
  13. Verfahren zur Herstellung einer Verbindung der Formel 1 gemäss Anspruch 1, umfassend: Reagieren lassen von 9-Anthracenmethylenaminooxyalkyl(meth)acrylat-Monomer, Hydroxyalkyl(meth)acrylat-Monomer, Glycidylalkyl(meth)acrylat-Monomer und Methyl(meth)acrylat-Monomer in einem Lösungsmittel, um ein Produkt zu erhalten; und Polymerisieren des Produktes mit einem Polymerisationsinitiator.
  14. Verfahren nach Anspruch 13, in dem das besagte Lösungsmittel ausgewählt ist aus der Gruppe, die aus Tetrahydrofuran, Toluol, Benzol, Methylethylketon, Dioxan und deren Mischungen besteht.
  15. Verfahren nach Anspruch 13, in dem der Polymerisationsinitiator aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus 2,2'-Azobisisobutyronitril, Acetylperoxid, Laurylperoxid, t-Butylperoxid und deren Mischungen besteht.
  16. Verfahren nach Anspruch 13, in dem die Polymerisations-Reaktion bei einer Temperatur im Bereich von 50 bis 90°C durchgeführt wird.
  17. Antireflex-Beschichtungszusammensetzung, umfassend die Verbindung der Formel 1 gemäss Anspruch 1 und eine Verbindung der folgenden Formel 2: Formel 2
    Figure 00260001
    wobei R10 und R11 jeweils C1-10 Alkoxy sind und R12 Wasserstoff oder Methyl ist.
  18. Zusammensetzung nach Anspruch 17, weiter umfassend ein Anthracen-Derivat-Additiv, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Anthracen, 9-Anthra cenmethanol, 9-Anthracencarbonitril, 9-Anthracen-Carbonsäure, Ditranol, 1,2,10-Anthracentriol, Anthraflavonsäure, 9-Anthraldehydoxim, 9-Anthraldehyd, 2-Amino-7-methyl-5-oxo-5H-[1]benzo-pyrano[2,3-b]pyridin-3-carbonitril, 1-Aminoanthrachinon, Anthrachinon-2-Carbonsäure, 1,5-Dihydroxyanthrachinon, Anthron, 9-Anthryl-trifluoromethylketon, 9-Alkylanthracen-Derivaten, 9-Carboxylanthracen-Derivaten, 1-Carboxylanthracen-Derivaten und deren Mischungen besteht.
  19. Verfahren zur Herstellung einer Antireflex-Beschichtung, umfassend die Schritte: Auflösen der Verbindung der Formel 1 gemäss Anspruch 1 und der Verbindung der Formel 2 des Anspruchs 17 in einem organischen Lösungsmittel, um eine Lösung zu erhalten; Filtrieren der Lösung alleine oder in Kombination mit einem Anthracen-Derivat-Additiv, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Anthracen, 9-Anthracenmethanol, 9-Anthracencarbonitril, 9-Anthracen-Carbonsäure, Ditranol, 1,2,10-Anthracentriol, Anthraflavonsäure, 9-Anthraldehydoxim, 9-Anthraldehyd, 2-Amino-7-methyl-5-oxo-5H-[1]benzo-pyrano[2,3-b]pyridin-3-carbonitril, 1-Aminoanthrachinon, Anthrachinon-2-Carbonsäure, 1,5-Dihydroxyanthrachinon, Anthron, 9-Anthryl-trifluoromethylketon, 9-Alkylanthracen-Derivaten, 9-Carboxylanthracen-Derivaten, 1-Carboxylanthracen-Derivaten und deren Mischungen besteht, um ein Filtrat zu erhalten; Schichtapplizieren des Filtrates auf eine untere Schicht, um eine Überzugsschicht zu erhalten; und Hartbacken der Überzugsschicht.
  20. Verfahren nach Anspruch 19, in dem das besagte organische Lösungsmittel aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Ethyl-3-ethoxypropionat, Methyl-3-methoxypropionat, Cyclohexanon und Propylenglycolmethyletheracetat besteht und in einer Menge im Bereich von 200 bis 5000 Gew.% eingesetzt wird, bezogen auf das Gesamtgewicht des verwendeten Antireflex-Beschichtungsharzes.
  21. Verfahren nach Anspruch 19, in dem der Hartback-Schritt bei einer Temperatur im Bereich von 100 bis 300°C durchgeführt wird.
  22. Halbleiter-Vorrichtung, hergestellt unter Verwendung der Antireflex-Beschichtungszusammensetzung nach Anspruch 17.
  23. Halbleiter-Vorrichtung, hergestellt unter Verwendung der Antireflex-Beschichtungszusammensetzung nach Anspruch 18.
DE10133717A 2000-06-30 2001-06-28 Organische Antireflex-Beschichtungspolymere, solche Polymere umfassende Antireflex-Beschichtungszusammensetzungen und Verfahren zur Herstellung derselben Expired - Fee Related DE10133717B4 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR2000-37271 2000-06-30
KR1020000037271A KR100687850B1 (ko) 2000-06-30 2000-06-30 유기반사방지막 조성물 및 그의 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE10133717A1 DE10133717A1 (de) 2002-01-24
DE10133717B4 true DE10133717B4 (de) 2008-01-03

Family

ID=19675505

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE10133717A Expired - Fee Related DE10133717B4 (de) 2000-06-30 2001-06-28 Organische Antireflex-Beschichtungspolymere, solche Polymere umfassende Antireflex-Beschichtungszusammensetzungen und Verfahren zur Herstellung derselben

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6599678B2 (de)
JP (1) JP3602077B2 (de)
KR (1) KR100687850B1 (de)
CN (2) CN1974697B (de)
DE (1) DE10133717B4 (de)
GB (1) GB2364317B (de)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100574486B1 (ko) * 2000-06-30 2006-04-27 주식회사 하이닉스반도체 유기반사방지막 조성물 및 그의 제조방법
KR20030068729A (ko) * 2002-02-16 2003-08-25 삼성전자주식회사 반사 방지용 광흡수막 형성 조성물 및 이를 이용한 반도체소자의 패턴 형성 방법
KR100486499B1 (ko) * 2002-09-28 2005-04-29 엘지전자 주식회사 전계방출 디스플레이의 빔 왜곡 방지방법
TWI346838B (en) * 2003-04-02 2011-08-11 Nissan Chemical Ind Ltd Epoxy compound and carboxylic acid compound containing composition for forming sublayer coating for use in lithography
US7361447B2 (en) * 2003-07-30 2008-04-22 Hynix Semiconductor Inc. Photoresist polymer and photoresist composition containing the same
TWI363251B (en) * 2003-07-30 2012-05-01 Nissan Chemical Ind Ltd Sublayer coating-forming composition for lithography containing compound having protected carboxy group
CN100351309C (zh) * 2003-07-30 2007-11-28 日产化学工业株式会社 含有具有被保护的羧基的化合物的形成光刻用下层膜的组合物
KR100574490B1 (ko) * 2004-04-27 2006-04-27 주식회사 하이닉스반도체 상부 반사방지막 중합체, 이의 제조방법 및 이를 함유하는상부 반사방지막 조성물
KR100574491B1 (ko) * 2004-04-27 2006-04-27 주식회사 하이닉스반도체 상부 반사방지막 중합체, 이의 제조방법 및 이를 함유하는상부 반사방지막 조성물
KR101115089B1 (ko) 2005-03-02 2012-02-29 주식회사 동진쎄미켐 유기 반사방지막 형성용 유기 중합체 및 이를 포함하는 유기 조성물
US7488771B2 (en) * 2005-09-02 2009-02-10 International Business Machines Corporation Stabilization of vinyl ether materials
US7419611B2 (en) * 2005-09-02 2008-09-02 International Business Machines Corporation Processes and materials for step and flash imprint lithography
US20090035704A1 (en) * 2007-08-03 2009-02-05 Hong Zhuang Underlayer Coating Composition Based on a Crosslinkable Polymer
US8039201B2 (en) 2007-11-21 2011-10-18 Az Electronic Materials Usa Corp. Antireflective coating composition and process thereof
JP4786636B2 (ja) * 2007-12-26 2011-10-05 Azエレクトロニックマテリアルズ株式会社 反射防止膜形成用組成物およびそれを用いたパターン形成方法
JP7297559B2 (ja) * 2019-06-28 2023-06-26 東京応化工業株式会社 硬化性樹脂組成物及び硬化物

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0062611A2 (de) * 1981-04-02 1982-10-13 Ciba-Geigy Ag Photopolymerisationsverfahren
DE19962663A1 (de) * 1999-03-15 2000-09-21 Hyundai Electronics Ind Organisches, nicht reflektierendes Beschichtungsmaterial und dessen Herstellung
DE19962784A1 (de) * 1999-04-23 2000-10-26 Hyundai Electronics Ind Organisches, nicht reflektierendes Beschichtungsmaterial und dessen Herstellung
DE10028345A1 (de) * 1999-06-22 2001-01-25 Hyundai Electronics Ind Organisches,nicht-reflektierendes Polymer und Verfahren zu dessen Herstellung
DE10063263A1 (de) * 1999-12-23 2001-06-28 Hyundai Electronics Ind Organisches nicht reflektierendes Beschichtungspolymer und dessen Herstellungsverfahren

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3100077A1 (de) 1981-01-03 1982-08-05 Hoechst Ag, 6000 Frankfurt Lichtempfindliches gemisch, das einen naphthochinondiazidsulfonsaeureester enthaelt, und verfahren zur herstellung des naphthochinondiazidsulfonsaeureesters
US4822718A (en) 1982-09-30 1989-04-18 Brewer Science, Inc. Light absorbing coating
US5674648A (en) 1984-08-06 1997-10-07 Brewer Science, Inc. Anti-reflective coating
US5225457A (en) * 1990-06-05 1993-07-06 The Goodyear Tire & Rubber Company Reinforced polymer matrix and product containing micro and macro reinforcement
US5576359A (en) * 1993-07-20 1996-11-19 Wako Pure Chemical Industries, Ltd. Deep ultraviolet absorbent composition
US5525457A (en) 1994-12-09 1996-06-11 Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. Reflection preventing film and process for forming resist pattern using the same
US5693691A (en) * 1995-08-21 1997-12-02 Brewer Science, Inc. Thermosetting anti-reflective coatings compositions
TW406215B (en) * 1996-08-07 2000-09-21 Fuji Photo Film Co Ltd Composition for anti-reflective coating material in lithographic process, and process for forming resist pattern
US5733714A (en) * 1996-09-30 1998-03-31 Clariant Finance (Bvi) Limited Antireflective coating for photoresist compositions
US5939236A (en) * 1997-02-07 1999-08-17 Shipley Company, L.L.C. Antireflective coating compositions comprising photoacid generators
US5919599A (en) * 1997-09-30 1999-07-06 Brewer Science, Inc. Thermosetting anti-reflective coatings at deep ultraviolet
JP4053631B2 (ja) * 1997-10-08 2008-02-27 Azエレクトロニックマテリアルズ株式会社 反射防止膜又は光吸収膜用組成物及びこれに用いる重合体
TW457403B (en) 1998-07-03 2001-10-01 Clariant Int Ltd Composition for forming a radiation absorbing coating containing blocked isocyanate compound and anti-reflective coating formed therefrom
GB2351588B (en) * 1999-07-01 2003-09-03 Ibm Security for network-connected vehicles and other network-connected processing environments
US6187506B1 (en) * 1999-08-05 2001-02-13 Clariant Finance (Bvi) Limited Antireflective coating for photoresist compositions
KR100359862B1 (ko) * 1999-12-23 2002-11-09 주식회사 하이닉스반도체 난반사 방지막용 중합체와 그 제조방법
FR2803850B1 (fr) * 2000-06-13 2002-05-17 Hyundai Electronics Ind Composition de revetement anti-reflechissant, procede de preparation et dispositif a semiconducteur
KR100721182B1 (ko) * 2000-06-30 2007-05-23 주식회사 하이닉스반도체 유기반사방지막 조성물 및 그의 제조방법

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0062611A2 (de) * 1981-04-02 1982-10-13 Ciba-Geigy Ag Photopolymerisationsverfahren
DE19962663A1 (de) * 1999-03-15 2000-09-21 Hyundai Electronics Ind Organisches, nicht reflektierendes Beschichtungsmaterial und dessen Herstellung
DE19962784A1 (de) * 1999-04-23 2000-10-26 Hyundai Electronics Ind Organisches, nicht reflektierendes Beschichtungsmaterial und dessen Herstellung
DE10028345A1 (de) * 1999-06-22 2001-01-25 Hyundai Electronics Ind Organisches,nicht-reflektierendes Polymer und Verfahren zu dessen Herstellung
DE10063263A1 (de) * 1999-12-23 2001-06-28 Hyundai Electronics Ind Organisches nicht reflektierendes Beschichtungspolymer und dessen Herstellungsverfahren

Also Published As

Publication number Publication date
KR100687850B1 (ko) 2007-02-27
CN1974697A (zh) 2007-06-06
JP2002097231A (ja) 2002-04-02
US6599678B2 (en) 2003-07-29
CN1974697B (zh) 2011-11-09
CN100398571C (zh) 2008-07-02
GB2364317A (en) 2002-01-23
US20020127789A1 (en) 2002-09-12
KR20020002907A (ko) 2002-01-10
DE10133717A1 (de) 2002-01-24
CN1331256A (zh) 2002-01-16
GB2364317B (en) 2002-06-05
JP3602077B2 (ja) 2004-12-15
GB0115810D0 (en) 2001-08-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE19964382B4 (de) Verwendung einer Beschichtungszusammensetzung zur Herstellung einer nicht reflektierenden Beschichtung und Verfahren zur Herstellung der Beschichtungszusammensetzung
DE10133717B4 (de) Organische Antireflex-Beschichtungspolymere, solche Polymere umfassende Antireflex-Beschichtungszusammensetzungen und Verfahren zur Herstellung derselben
DE19962663A1 (de) Organisches, nicht reflektierendes Beschichtungsmaterial und dessen Herstellung
DE10133718B4 (de) Organische Antireflex-Beschichtungspolymere, solche Polymere umfassende Antireflex-Beschichtungszusammensetzungen und Verfahren zur Herstellung derselben
DE69819466T2 (de) Zusammensetzung für antireflexbeschichtung oder licht absorbierende beschichtung und polymer dafür
DE69736374T2 (de) Photoresistzusammensetzungen, die Copolymere als Bindemittel enthalten
DE69718974T2 (de) Neue Polymere und Photoresistzusammensetzungen
DE4409220C2 (de) Musterbildungsmaterial und Musterbildungsverfahren
DE19912047B4 (de) Resistzusammensetzung des Negativtyps
DE10028345A1 (de) Organisches,nicht-reflektierendes Polymer und Verfahren zu dessen Herstellung
DE19940320A1 (de) Nicht reflektierende Beschichtungspolymere und Verfahren zu deren Herstellung
DE19860767A1 (de) Halbleitervorrichtung unter Verwendung eines polymerhaltigen Photoresists und Verfahren zu dessen Herstellung
DE19919795A1 (de) Polymer und dessen Verwendung in einem Verfahren zur Bildung eines Mikromusters
DE19860654A1 (de) Copolymerharz, seine Herstellung und ein Photoresist, welches dieses verwendet
DE69828138T2 (de) Licht-absorbierendes polymer, zusammensetzung die licht-absorbierende beschichtungen bildet, licht-absorbierende beschichtungen und daraus hergestellte antireflektionsbeschichtungen
DE10063263A1 (de) Organisches nicht reflektierendes Beschichtungspolymer und dessen Herstellungsverfahren
DE10133715B4 (de) Organisches Antireflex-Beschichtungspolymer, eine ein solches Polymer umfassende Antireflex-Beschichtungszusammensetzung und Verfahren zur Herstellung derselben
US20030087188A1 (en) Organic anti-reflective coating material and preparation thereof
DE10207182A1 (de) Organische Antireflex-Beschichtungspolymere, solche Polymere umfassende Antireflex-Beschichtungszusammensetzung und Verfahren zur Herstellung derselben
DE19860832A1 (de) Copolymerharz, seine Herstellung und ein Photoresist, welches dieses verwendet
DE10133719B4 (de) Organisches Antireflex-Beschichtungspolymer, Antireflex-Beschichtungszusammensetzung und Verfahren zur Herstellung derselben
DE10133716B4 (de) Organische Antireflex-Beschichtungspolymere, solche Polymere umfassende Antireflex-Beschichtungszusammensetzungen und Verfahren zur Herstellung derselben
DE10028344A1 (de) Organisches,nicht reflektierendes Überzugspolymer und dessen Herstellungsverfahren
DE10028487A1 (de) Organisches nicht reflektierendes Polymer und dessen Herstellung
DE112009001389T5 (de) Polymer für lithografische Zwecke und Verfahren zur Herstellung derselben

Legal Events

Date Code Title Description
8110 Request for examination paragraph 44
8127 New person/name/address of the applicant

Owner name: MAGNACHIP SEMICONDUCTOR, LTD., CHEONGJU, KR

8127 New person/name/address of the applicant

Owner name: HYNIX SEMICONDUCTOR INC., ICHON, KYONGGI, KR

8364 No opposition during term of opposition
R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee