DE10133717A1 - Organische Antireflex-Beschichtungspolymere, solche Polymere umfassende Antireflex-Beschichtungszusammensetzungen und Verfahren zur Herstellung derselben - Google Patents

Organische Antireflex-Beschichtungspolymere, solche Polymere umfassende Antireflex-Beschichtungszusammensetzungen und Verfahren zur Herstellung derselben

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Abstract

Organisches Antireflex-Polymer der folgenden Formel 1, dessen Herstellungsverfahren, eine Antireflex-Beschichtungszusammensetzung, welche das besagte organische Antireflex-Polymer umfasst, sowie ein Herstellungsverfahren für eine Antireflex-Beschichtung, die daraus hergestellt wird. Die Antireflex-Beschichtung, die das offenbarte Polymer umfasst, eliminiert stehende Wellen, die durch die optischen Eigenschaften unterer Schichten auf dem Wafer und durch die Dickenänderungen des Photoresists verursacht werden, verhindert eine Rückreflektion und eine CD-Änderung, die durch das von solchen unteren Schichten diffraktierte und reflektierte Lichtverursacht wird. Solche Vorteile ermöglichen die Bildung stabiler ultrafeiner Strukturen, die für 64M, 256M, 1G, 4G und 16G DRAM Halbleiter-Vorrichtungen geeignet sind, und verbessern die Produktionsausbeuten. Des Weiteren ist es möglich, den k-Wert zu steuern, und die erhöhte Hydrophobizität erleichtert EBR (Edge Bead Removal). DOLLAR F1

Description

HINTERGRUND Technisches Gebiet
Ein organisches Antireflex-Polymer und sein Herstellungsverfahren werden offenbart, welches eine Rückreflexion von tieferen Filmschichten verhindert und stehende Wellen eliminiert, die aufgrund einer Dickenänderung des Photoresist und Licht stattfindet, in einem Verfahren zur Herstellung von Ultrafein-Strukturen, das einen Photoresist zur Lithographie einsetzt, unter Verwendung von 248 nm KrF und 193 nm ArF. Insbeson­ dere ist das offenbarte organische Antireflex-Polymer zur Herstellung ultrafeiner Struk­ turen von 64M, 256M, 1G und 4G DRAM Halbleiter-Vorrichtungen nützlich. Ebenfalls offenbart werden eine Zusammensetzung, die derartige organische Antireflex- Polymere enthält, eine daraus hergestellte Antireflex-Überzugsschicht und ein Verfah­ ren zur Herstellung derselben.
Beschreibung des technologischen Hintergrundes
In einem Herstellungsverfahren für ultrafeine Schichten zur Herstellung von Halbleiter- Vorrichtungen kommt es unvermeidlich zu stehenden Wellen und reflektiver Ausker­ bung ("notching") aufgrund der optischen Eigenschaften der unteren Filmschichten auf dem Wafer und aufgrund der Dickenänderung im photosensitiven Film. Zusätzlich gibt es ein weiteres Problem, dahingehend, dass eine CD-Änderung (Änderung der kriti­ schen Dimension) durch von den unteren Filmschichten diffraktiertes und reflektiertes Licht hervorgerufen wird. Es ist dementsprechend vorgeschlagen worden, eine Antire­ flex-Beschichtung einzuführen, die eine Rückreflexion an einer unteren Filmschicht verhindert, indem organisches Material eingeführt wird, welches eine hohe Extinktion ("absorbance") im Wellenlängenbereich des Lichtes besitzt, das als Lichtquelle einge­ setzt wird.
Antireflex-Beschichtungen werden in anorganische und organische Antireflex- Beschichtungen eingeteilt, abhängig von dem verwendeten Material, oder in absorptive und interferierende Antireflex-Beschichtungen, basierend auf dem Wirkungsmecha­ nismus. Für die Mikrolithographie unter Verwendung von I-Linien-Strahlung (365 nm Wellenlänge) werden vornehmlich anorganische Antireflex-Beschichtungen verwendet, währen TiN und amorpher Kohlenstoff als absorptives System und SiON als interferie­ rendes System eingesetzt werden.
In einem Herstellungsverfahren für ultrafeine Strukturen unter Verwendung eines KrF- Lasers wurde als anorganischer Antireflex-Film hauptsächlich SiON eingesetzt. Jedoch war im Fall eines anorganischen Antireflex-Filmes kein Material bekannt gewesen, welches die Kontrolle der Interferenz bei 193 nm, der Wellenlänge der Lichtquelle, er­ möglicht. Dementsprechend wurden große Anstrengungen unternommen, um eine organische Verbindung als Antireflex-Beschichtung einzusetzen.
Damit es sich um eine gute organische Antireflex-Beschichtung handelt, müssen die folgenden Bedingungen erfüllt sein. Erstens darf bei der Durchführung eines lithogra­ phischen Verfahrens kein Abschälen der Photoresist-Schicht aufgrund der Auflösung in einem Lösungsmittel stattfinden. Um dieses Ziel zu erreichen, muss eine Formbe­ schichtung (Molded Coating) vorgesehen werden, die ohne Erzeugung eines chemi­ schen Nebenproduktes eine vernetzte Struktur bildet. Zweitens dürfen Chemikalien wie Säuren oder Amine in die Antireflex-Beschichtung nicht eintreten oder aus ihr austre­ ten. Der Grund hierfür ist, dass, wenn Säuren aus einer Antireflex-Beschichtung he­ rausmigrieren, es in einem unteren Teil der Struktur zu Unterschneidungen kommt, während eine Fußbildung (Footing) stattfinden kann, wenn eine Base, wie zum Beispiel ein Amin, migriert. Drittens sollte die Ätzgeschwindigkeit der Antireflex-Beschichtung schneller sein als das Ätzen des oberen photosensitiven Filmes, um so den Ätzprozess unter Verwendung eines photosensitiven Filmes als Maske zu erleichtern. Schließlich muss die Antireflex-Beschichtung so dünn wie möglich sein, in einem Maße, in dem sie ausreichend eine Rolle als Antireflex-Beschichtung spielen kann.
Die existierenden organischen Antireflex-Materialien werden hauptsächlich in zwei Ty­ pen unterschieden: (1) Polymere, die ein Chromophor, ein Vernetzungsmittel (einzel­ nes Molekül), welches die Polymere vernetzt, und ein Additiv (chemisch variables Oxi­ dationsmittel) enthalten sowie (2) Polymere, die miteinander selbst vernetzen können und Chromophore und ein Additiv (thermisch variables Oxidationsmittel) enthalten. Aber diese zwei Typen von Antireflex-Material sind insoweit problematisch, als die Kontrolle des k-Wertes nahezu unmöglich ist, weil der Anteil des Chromophoren ge­ mäss dem Verhältnis, wie es ursprünglich zum Zeitpunkt der Polymerisation eingestellt war, festgelegt ist. Falls es also erwünscht ist, den k-Wert zu ändern, muss das Poly­ mer noch einmal synthetisiert werden.
ZUSAMMENFASSUNG DER OFFENBARUNG
Es wird ein neues organisches Polymer für Antireflex-Beschichtungen und das Ver­ fahren zu seiner Herstellung offenbart.
Es werden auch eine Antireflex-Beschichtungszusammensetzung, welche das zuvor genannte Polymer umfasst, und ein Verfahren zu deren Herstellung offenbart.
Es wird auch eine Halbleiter-Vorrichtung offenbart, auf der mittels Submikrolithographie eine Struktur aus einer solchen Antireflex-Beschichtung gebildet ist.
DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER GEGENWÄRTIG BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
Die folgenden Verbindungen der Formeln 1 bzw. 2 werden angegeben, die in Anti­ reflex-Beschichtungen eingesetzt werden können.
Formel 1
Formel 2
Das Polymer der oben strukturell angegebenen Formel 1 wird ausgehend von der Ver­ bindung der nachfolgenden Formel 10 synthetisiert.
Formel 10
In den obigen Formeln 1 bis 3 gilt:
Ra bis Rd sind jeweils unabhängig Wasserstoff oder Methyl;
Ra bis Rd und R1 bis R9 sind jeweils unabhängig -H, -OH, -OCOCH3, -COOH, -CH2OH oder substituiertes oder unsubstituiertes oder geradkettiges oder verzweigtes Alkyl oder Alkoxy-Alkyl mit 1 bis 5 Kohlenstoffatomen;
l, m und n stellen jeweils eine ganze Zahl dar, die aus 1, 2, 3, 4 und 5 ausgewählt ist; w, x, y und z stellen jeweils einen Molenbruch von 0,01 bis 0,99 dar;
R10 und R11 sind jeweils unabhängig geradkettiges oder verzweigtes substituiertes C1-10 Alkoxy; und R12 ist Wasserstoff oder Methyl.
Die Verbindung der Formel 2 wird hergestellt, indem (Meth)Acrolein polymerisiert wird, um Poly(Meth)Acrolein zu erhalten, gefolgt von einer Reaktion des erhaltenen poly­ meren Produktes mit verzweigtem oder geradkettigem substituiertem Alkylalkohol mit 1 bis 10 Kohlenstoffatomen.
Im Detail wird (Meth)Acrolein zunächst in einem organischen Lösungsmittel aufgelöst und hierzu dann ein Polymerisationsinitiator zugesetzt, um unter Vakuum bei einer Temperatur im Bereich zwischen ungefähr 60 und ungefähr 70°C für einen Zeitraum im Bereich zwischen ungefähr 4 und ungefähr 6 Stunden eine Polymerisation durchzu­ führen. Das erhaltene polymere Produkt wird dann mit verzweigtem oder geradketti­ gem substituiertem Alkylalkohol mit 1 bis 10 Kohlenstoffatomen umgesetzt, in Gegen­ wart von Trifluormethylsulfonsäure als Katalysator bei Raumtemperatur für 20 bis 30 Stunden.
In dem obigen Verfahren wird das geeignete organische Lösungsmittel aus der Gruppe ausgewählt, die aus Tetrahydrofuran (THF), Cyclohexanon, Dimethylformamid, Di­ methylsulfoxid, Dioxan, Methylethylketon, Benzol, Toluol, Xylol und deren Mischungen besteht. Als Polymerisationsinitiator können erwähnt werden 2,2-Azobisisobutyronitril (AlBN), Benzoylperoxid, Acetylperoxid, Laurylperoxid, t-Butylperacetat, t-Butylhydro­ peroxid oder di-t-Butylperoxid. Ein bevorzugtes Beispiel des besagten Alkylalkohols mit 1 bis 10 Kohlenstoffatomen ist Ethanol oder Methanol.
Eine bevorzugte Verbindung der Formel 2 ist aus der Gruppe ausgewählt, die aus den Verbindungen der folgenden Formeln 3 bis 6 besteht.
Formel 3
Formel 4
Formel 5
Formel 6
Die obigen Verbindungen der Formeln 3 bis 6 werden leicht in Gegenwart von Säuren und anderen Polymeren mit Alkohol-Gruppe ausgehärtet.
Das Polymer der Formel 1 wird hergestellt durch Reaktion von 9-Anthracen-Methyl­ iminalkylacrylatmonomer, Hydroxyalkylacrylatmonomer, Glycidylalkylacrylatmonomer und Methylmethacrylatmonomer in einem organischen Lösungsmittel und dann Poly­ merisieren der erhaltenen Verbindung mit einem Polymerisationsinitiator. Jedes kon­ ventionelle organische Lösungsmittel kann in diesem Verfahren eingesetzt werden, aber ein bevorzugtes Lösungsmittel ist ausgewählt aus der Gruppe, die aus Tetra­ hydrofuran, Toluol, Benzol, Methylethylketon, Dioxan und Mischungen dieser Lösungs­ mittel besteht. Als Polymerisationsinitiator kann jeder konventionelle radikalische Po­ lymerisationsinitiator verwendet werden, aber es wird bevorzugt, eine Verbindung ein­ zusetzen, die aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus 2,2'-Azobisisobutyronitril, Acetyl­ peroxid, Laurylperoxid und t-Butylperoxid besteht. Die obige Polymerisationsreaktion wird vorzugsweise bei einer Temperatur im Bereich von ungefähr 50 bis ungefähr 90°C durchgeführt, und der Molenbruch jedes Monomeren fällt in den breiten Bereich von 0,01 bis 0,99.
Eine Antireflex-Beschichtungszusammensetzung kann ein Polymer der Formel 1 und ein Polymer der Formel 2 umfassen.
Des Weiteren kann eine Antireflex-Beschichtungszusammensetzung ein Polymer der Formel 1, eine Verbindung der Formel 2 und ein Anthracen-Derivat als Additiv um­ fassen. Erläuternde, nicht beschränkende Beispiele der Anthracen-Derivate (hiernach "Anthracen-Derivat-Additive") sind aus der Gruppe ausgewählt, die aus Anthracen, 9- Anthracenmethanol, 9-Anthracencarbonitril, 9-Anthracen-Carbonsäure, Ditranol, 1,2,10-Anthracentriol, Anthraflavonsäure, 9-Anthraldehydoxim, 9-Anthraldehyd, 2- Amino-7-methyl-5-oxo-5H-[1]benzo-pyrano[2,3-b]pyridin-3-carbonitril, 1-Amino­ anthrachinon, Anthrachinon-2-carbonsäure, 1,5-Dihydroxyanthrachinon, Anthron, 9- Anthryl-trifluoromethylketon, 9-Alkylanthracen-Derivate der folgenden Formel 7,9- Carboxylanthracen-Derivate der folgenden Formel 8, 1-Carboxylanthracen-Derivate der folgenden Formel 9, und deren Mischungen besteht.
Formel 7
Formel 8
Formel 9
worin R1 bis R5 -H, -OH, -CH2OH oder substituiertes oder unsubstituiertes, geradketti­ ges oder verzweigtes Alkyl oder Alkoxyalkyl mit 1 bis 5 Kohlenstoffatomen sind.
Ein Herstellungsverfahren für eine organische Antireflex-Beschichtung umfasst die Schritte: Auflösen eines Polymers der Formel 1 und einer Verbindung der Formel 2 in einem organischen Lösungsmittel, Filtrieren der erhaltenen Lösung alleine oder in Kombination mit zumindest einem Anthracen-Derivat-Additiv wie zuvor erwähnt, Schichtapplizieren des Filtrates auf eine untere Schicht und Hartbacken der Überzugs­ schicht. Insbesondere schließt ein Beispiel des in diesem Verfahren eingesetzten or­ ganischen Lösungsmittels Ethyl-3-ethoxypropionat, Methyl-3-methoxypropionat, Cyclo­ hexanon und Propylenglycolmethylether-Acetat ein. Es wird vorgezogen, dass das vorgenannte Lösungsmittel in einer Menge im Bereich von ungefähr 200 bis ungefähr 5000 Gew.-% eingesetzt wird, bezogen auf das Gesamtgewicht des eingesetzten Anti­ reflex-Beschichtungsharzes. Der bevorzugte Temperaturbereich für das Hartbacken liegt zwischen ungefähr 100 und ungefähr 300°C.
Eine bevorzugte Halbleiter-Vorrichtung kann unter Verwendung irgendeiner der vorge­ nannten Antireflex-Beschichtungszusammensetzungen hergestellt werden.
Zunächst wurde ein Monomer mit einem groß bemessenen Chromophor synthetisiert, um es zu ermöglichen, dass ein aus ihm hergestelltes Polymer eine hohe Extinktion bei einer Wellenlänge von 248 nm aufweist. Des Weiteren wurde, um einer hergestellten organischen Antireflex-Beschichtung verbesserte Eigenschaften zu verleihen, wie zum Beispiel gute Formeigenschaften (Molding Property), Luft-Dichtigkeit und Auflösungs­ widerstandsfähigkeit, eine Epoxy-Gruppe eingeführt, um während eines Hartback- Schritts, der einem Beschichtungs-Schritt folgt, eine Vernetzungsreaktion zu bewirken. Das erhaltene Polymer wird als primäres Polymer (die Verbindung der Formel 1) be­ zeichnet. Zusätzlich wurde ein sekundäres Polymer (die Verbindung der Formel 2) syn­ thetisiert, eine Verbindung, die in der Lage ist, nach Reaktion mit einer Alkoholgruppe im Harz eine Vernetzung zu bilden, um mittels thermischer Reaktion ein vernetztes Produkt mit dem primären Polymer zu bilden. Des Weiteren wurde in das primäre Po­ lymer eine Methacrylat-Gruppe eingeführt, um es hydrophober zu machen und EBR (Edge Bead Removal) zu erleichtern.
Insbesondere liegen die benutzten Vernetzungsmittel in Form eines Polymers vor und sind dazu ausgelegt, die Effizienz der Vernetzungsreaktion zu maximieren. Insbeson­ dere ist es möglich, den k-Wert der Antireflex-Beschichtung frei zu justieren, indem der Anteil des primären Polymers gesteuert wird.
Des Weiteren besitzt das Antireflex-Beschichtungsharz eine gute Löslichkeit in allen Kohlenwasserstoff-Lösungsmitteln, während es eine Auflösungs-Widerstandsfähigkeit in allen Lösungsmitteln während eines Hartback-Schritts besitzt. Zusätzlich kommt es bei einem Herstellungsverfahren für Strukturen nicht zu Unterschneidungen oder einer Fußbildung. Insbesondere wird die Ätzselektivität verbessert, weil das Antireflex- Beschichtungsharz der vorliegenden Erfindung aus Acrylat-Polymer hergestellt wird, welches eine höhere Ätz-Geschwindigkeit relativ zu der des photosensitiven Filmes während eines Ätz-Prozesses ermöglicht.
Die folgenden Beispiele werden dargelegt, um einem Fachmann die offenbarten Prin­ zipien und die offenbarten Verfahrensweisen näher zu erläutern. Als solche sind sie nicht beabsichtigt, um die Offenbarung zu beschränken, sondern sind illustrativ für be­ vorzugte Ausführungsbeispiele.
Beispiele Beispiel 1 Herstellung von Poly[9-Anthracenmethyliminethylacrvlat-(2-hydroxyethyl­ acrvlat)-glycidylmethacrylat-methylmethacrylat]
Ein 500 ml Rundkolben wurde unter Rühren mit 0,3 Mol 9-Anthracenmethyliminethyl­ acrylat-Monomer / 0,3 Mol 2-Hydroxyethylacrylat / 0,2 Mol Glycidylmethacrylat / 0,2 Mol Methylmethacrylat befüllt, und 300 g separat hergestelltes Tetrahydrofuran wurden zu einer vollständigen Mischung hinzugegeben. Danach wurden zwischen ungefähr 0,1 und ungefähr 3,0 g 2,2'-Azobisisobutyronitril hinzugegeben, um eine Polymerisations- Reaktion bei einer Temperatur im Bereich von ungefähr 60 bis ungefähr 75°C unter einer Stickstoffatmosphäre für einen Zeitraum im Bereich von ungefähr 5 bis ungefähr 20 Stunden zu erlauben. Nach Abschluss der Reaktion wurde die erhaltene Lösung mit Ethylether- oder n-Hexan-Lösungsmittel zum Ausfällen gebracht und dann filtriert und getrocknet, um Poly[9-Anthracenmethyliminethylacrylat-(2-hydroxyethylacrylat)- glycidylmethacrylat-methylmethacrylatj-Harz der folgenden Formel 11 zu erhalten (Ausbeute: 80%).
Formel 11
Beispiel 2 Herstellung von Poly[9-Anthracenmeth liminethylacrylat-(3-hydroxypropyl­ acrylat)-glycidylmethacrylat-methylmethacrylat]
Ein 500 ml Rundkolben wurde unter Rühren mit 0,3 Mol 9-Anthracenmethyliminethyl­ acrylat-Monomer / 0,3 Mol 3-Hydroxypropylacrylat / 0,2 Mol Glycidylmethacrylat / 0,2 Mol Methylmethacrylat befüllt, und 300 g separat hergestelltes Tetrahydrofuran wurden zu einer vollständigen Mischung hinzugegeben. Danach wurden zwischen ungefähr 0,1 und ungefähr 3,0 g 2,2'-Azobisisobutyronitril hinzugegeben, um eine Polymerisations- Reaktion bei einer Temperatur im Bereich von ungefähr 60 bis ungefähr 75°C unter einer Stickstoffatmosphäre für einen Zeitraum im Bereich von ungefähr 5 bis ungefähr 20 Stunden zu erlauben. Nach Abschluss der Reaktion wurde die erhaltene Lösung mit Ethylether- oder n-Hexan-Lösungsmittel zum Ausfällen gebracht und dann filtriert und getrocknet, um Poly[9-Anthracenmethyliminethylacrylat-(3-hydroxypropylacrylat)- glycidylmethacrylat-methylmethacrylat]-Harz der folgenden Formel 12 zu erhalten (Ausbeute: 79%).
Formel 12
Beispiel 3 Herstellung von Poly[9-Anthracenmethyliminethylacrvlat-(2-hvdroxyethyl­ acrylat)-glycidylacrylat-methylmethacrylat]
Ein 500 ml Rundkolben wurde unter Rühren mit 0,3 Mol 9-Anthracenmethyliminethyl­ acrylat-Monomer / 0,3 Mol 2-Hydroxyethylacrylat / 0,2 Mol Glycidylacrylat / 0,2 Mol Methylmethacrylat befüllt, und 300 g separat hergestelltes Tetrahydrofuran wurden zu einer vollständigen Mischung hinzugegeben. Danach wurden zwischen ungefähr 0,1 und ungefähr 3,0 g 2,2'-Azobisisobutyronitril hinzugegeben, um eine Polymerisations- Reaktion bei einer Temperatur im Bereich von ungefähr 60 bis ungefähr 75°C unter einer Stickstoffatmosphäre für einen Zeitraum im Bereich von ungefähr 5 bis ungefähr 20 Stunden zu erlauben. Nach Abschluss der Reaktion wurde die erhaltene Lösung mit Ethylether- oder n-Hexan-Lösungsmittel zum Ausfällen gebracht und dann filtriert und getrocknet, um Poly[9-Anthracenmethyliminethylacrylat-(2-hydroxyethylacrylat)- glycidylacrylat-methylmethacrylat]-Harz der folgenden Formel 13 zu erhalten (Ausbeu­ te: 81%).
Formel 13
Beispiel 4 Herstellung von Poly[9-Anthracenmethyliminethylacryfat-(3-hydroxypropyl­ acrvlat)-glycidylacrvlat-methylmethacryfat]
Ein 500 ml Rundkolben wurde unter Rühren mit 0,3 Mol 9-Anthracenmethyliminethyl­ acrylat-Monomer / 0,3 Mol 3-Hydroxypropylacrylat / 0,2 Mol Glycidylacrylat / 0,2 Mol Methylmethacrylat befüllt, und 300 g separat hergestelltes Tetrahydrofuran wurden zu einer vollständigen Mischung hinzugegeben. Danach wurden zwischen ungefähr 0,1 und ungefähr 3,0 g 2,2'-Azobisisobutyronitril hinzugegeben, um eine Polymerisations- Reaktion bei einer Temperatur im Bereich von ungefähr 60 bis ungefähr 75°C unter einer Stickstoffatmosphäre für einen Zeitraum im Bereich von ungefähr 5 bis ungefähr 20 Stunden zu erlauben. Nach Abschluss der Reaktion wurde die erhaltene Lösung mit Ethylether- oder n-Hexan-Lösungsmittel zum Ausfällen gebracht und dann filtriert und getrocknet, um Poly[9-Anthracenmethyliminethylacrylat-(3-hydroxypropylacrylat)- glycidylacrylat-methylmethacrylat]-Harz der folgenden Formel 14 zu erhalten (Ausbeu­ te: 79%).
Formel 14
Beispiel 5 Herstellung von Poly[9-Anthracenmethyliminethylacrylat-(4-hydroxvbutyl­ acrylat)-glycidylacrylat-methylmethacrylat]
Ein 500 ml Rundkolben wurde unter Rühren mit 0,3 Mol 9-Anthracenmethyliminethyl­ acrylat-Monomer / 0,3 Mol 4-Hydroxybutylacrylat / 0,2 Mol Glycidylacrylat / 0,2 Mol Methylmethacrylat befüllt, und 300 g separat hergestelltes Tetrahydrofuran wurden zu einer vollständigen Mischung hinzugegeben. Danach wurden zwischen ungefähr 0,1 und ungefähr 3,0 g 2,2'-Azobisisobutyronitril hinzugegeben, um eine Polymerisations- Reaktion bei einer Temperatur im Bereich von ungefähr 60 bis ungefähr 75°C unter einer Stickstoffatmosphäre für einen Zeitraum im Bereich von ungefähr 5 bis ungefähr 20 Stunden zu erlauben. Nach Abschluss der Reaktion wurde die erhaltene Lösung mit Ethylether- oder n-Hexan-Lösungsmittel zum Ausfällen gebracht und dann filtriert und getrocknet, um Poly[9-Anthracenmethyliminethylacrylat-(4-hydroxybutylacrylat)- glycidylacrylat-methylmethacrylat]-Harz der folgenden Formel 15 zu erhalten (Ausbeu­ te: 80%).
Formel 15
Beispiel 6 Herstellung von Poly[9-Anthracenmethyliminethylmethacrylat-(2-hydroxy­ ethylacrylat)-glycidylmethacrylat-methylmethacrylat]
Ein 500 ml Rundkolben wurde unter Rühren mit 0,3 Mol 9-Anthracenmethyliminethyl­ methacrylat-Monomer / 0,3 Mol 2-Hydroxyethylacrylat / 0,2 Mol Glycidylmethacrylat I 0,2 Mol Methylmethacrylat befüllt, und 300 g separat hergestelltes Tetrahydrofuran wurden zu einer vollständigen Mischung hinzugegeben. Danach wurden zwischen un­ gefähr 0,1 und ungefähr 3,0 g 2,2'-Azobisisobutyronitril hinzugegeben, um eine Poly­ merisations-Reaktion bei einer Temperatur im Bereich von ungefähr 60 bis ungefähr 75°C unter einer Stickstoffatmosphäre für einen Zeitraum im Bereich von ungefähr 5 bis ungefähr 20 Stunden zu erlauben. Nach Abschluss der Reaktion wurde die erhalte­ ne Lösung mit Ethylether- oder n-Hexan-Lösungsmittel zum Ausfällen gebracht und dann filtriert und getrocknet, um Poly[9-Anthracenmethyliminethylmethacrylat-(2- hydroxyethylacrylat)-glycidylmethacrylat-methylmethacrylat]-Harz der folgenden Formel 16 zu erhalten (Ausbeute: 80%).
Formel 16
Beispiel 7 Herstellung von Poly[9-Anthracenmethyliminethylmethacrvlat-(3-hydroxy­ propylacrvlat)-glycidylmethacrylat-methylmethacrvlat]
Ein 500 ml Rundkolben wurde unter Rühren mit 0,3 Mol 9-Anthracenmethyliminethyl­ methacrylat-Monomer / 0,3 Mol 3-Hydroxypropylacrylat / 0,2 Mol Glycidylmethacrylat / 0,2 Mol Methylmethacrylat befüllt, und 300 g separat hergestelltes Tetrahydrofuran wurden zu einer vollständigen Mischung hinzugegeben. Danach wurden zwischen un­ gefähr 0,1 und ungefähr 3,0 g 2,2'-Azobisisobutyronitril hinzugegeben, um eine Poly­ merisations-Reaktion bei einer Temperatur im Bereich von ungefähr 60 bis ungefähr 75°C unter einer Stickstoffatmosphäre für einen Zeitraum im Bereich von ungefähr 5 bis ungefähr 20 Stunden zu erlauben. Nach Abschluss der Reaktion wurde die erhalte­ ne Lösung mit Ethylether- oder n-Hexan-Lösungsmittel zum Ausfällen gebracht und dann filtriert und getrocknet, um Poly[9-Anthracenmethyliminethylmethacrylat-(3- hydroxypropylacrylat)-glycidylmethacrylat-methylmethacrylat]-Harz der folgenden For­ mel 17 zu erhalten (Ausbeute: 78%).
Formel 17
Beispiel 8 Herstellung von Poly[9-Anthracenmethyliminethylmethacrylat-(4-hydroxy­ butvlacrylat)-glycidylmethacrylat-methylmethacrylat]
Ein 500 ml Rundkolben wurde unter Rühren mit 0,3 Mol 9-Anthracenmethyliminethyl­ methacrylat-Monomer / 0,3 Mol 4-Hydroxybutylacrylat / 0,2 Mol Glycidylmethacrylat / 0,2 Mol Methylmethacrylat befüllt, und 300 g separat hergestelltes Tetrahydrofuran wurden zu einer vollständigen Mischung hinzugegeben. Danach wurden zwischen un­ gefähr 0,1 und ungefähr 3,0 g 2,2'-Azobisisobutyronitril hinzugegeben, um eine Poly­ merisations-Reaktion bei einer Temperatur im Bereich von ungefähr 60 bis ungefähr 75°C unter einer Stickstoffatmosphäre für einen Zeitraum im Bereich von ungefähr 5 bis ungefähr 20 Stunden zu erlauben. Nach Abschluss der Reaktion wurde die erhalte­ ne Lösung mit Ethylether- oder n-Hexan-Lösungsmittel zum Ausfällen gebracht und dann filtriert und getrocknet, um Poly[9-Anthracenmethyliminethylmethacrylat-(4- hydroxybutylacrylat)-glycidylmethacrylat-methylmethacrylat]-Harz der folgenden Formel 18 zu erhalten (Ausbeute: 81%).
Formel 18
Beispiel 9 Herstellung von Poly[9-Anthracenmethyliminethylmethacrylat-(2-hydroxy­ ethylacrvlat)-glycidylacrvlat-methylmethacrylat]
Ein 500 ml Rundkolben wurde unter Rühren mit 0,3 Mol 9-Anthracenmethyliminethyl­ methacrylat-Monomer / 0,3 Mol 2-Hydroxyethylacrylat / 0,2 Mol Glycidylacrylat / 0,2 Mol Methylmethacrylat befüllt, und 300 g separat hergestelltes Tetrahydrofuran wurden zu einer vollständigen Mischung hinzugegeben. Danach wurden zwischen ungefähr 0,1 und ungefähr 3,0 g 2,2'-Azobisisobutyronitril hinzugegeben, um eine Polymerisations- Reaktion bei einer Temperatür im Bereich von ungefähr 60 bis ungefähr 75°C unter einer Stickstoffatmosphäre für einen Zeitraum im Bereich von ungefähr 5 bis ungefähr 20 Stunden zu erlauben. Nach Abschluss der Reaktion wurde die erhaltene Lösung mit Ethylether- oder n-Hexan-Lösungsmittel zum Ausfällen gebracht und dann filtriert und getrocknet, um Poly[9-Anthracenmethyliminethylmethacrylat-(2-hydroxyethylacrylat)- glycidylacrylat-methylmethacrylat]-Harz der folgenden Formel 19 zu erhalten (Ausbeu­ te: 79%).
Formel 19
Beispiel 10 Herstellung von Poly[9-Anthracenmethyliminethylmethacrylat-(3-hydroxy­ propylacrylat)-glycidylacrylat-methylmethacrylat]
Ein 500 ml Rundkolben wurde unter Rühren mit 0,3 Mol 9-Anthracenmethyliminethyl­ methacrylat-Monomer / 0,3 Mol 3-Hydroxypropylacrylat / 0,2 Mol Glycidylacrylat / 0,2 Mol Methylmethacrylat befüllt, und 300 g separat hergestelltes Tetrahydrofuran wurden zu einer vollständigen Mischung hinzugegeben. Danach wurden zwischen ungefähr 0,1 und ungefähr 3,0 g 2,2'-Azobisisobutyronitril hinzugegeben, um eine Polymerisations- Reaktion bei einer Temperatur im Bereich von ungefähr 60 bis ungefähr 75°C unter einer Stickstoffatmosphäre für einen Zeitraum im Bereich von ungefähr 5 bis ungefähr 20 Stunden zu erlauben. Nach Abschluss der Reaktion wurde die erhaltene Lösung mit Ethylether- oder n-Hexan-Lösungsmittel zum Ausfällen gebracht und dann filtriert und getrocknet, um Poly[9-Anthracenmethyliminethylmethacrylat-(3-hydroxypropylacrylat)- glycidylacrylat-methylmethacrylat]-Harz der folgenden Formel 20 zu erhalten (Ausbeu­ te: 81%).
Formel 20
Beispiel 11 Herstellung von Poly[9-Anthracenmethyliminethylmethacrylat-(4-hydroxy­ butylacrylat)-glycidylacrylat-methylmethacrylat]
Ein 500 ml Rundkolben wurde unter Rühren mit 0,3 Mol 9-Anthracenmethyliminethyl­ methacrylat-Monomer / 0,3 Mol 4-Hydroxybutylacrylat / 0,2 Mol Glycidylacrylat / 0,2 Mol Methylmethacrylat befüllt, und 300 g separat hergestelltes Tetrahydrofuran wurden zu einer vollständigen Mischung hinzugegeben. Danach wurden zwischen ungefähr 0,1 und ungefähr 3,0 g 2,2'-Azobisisobutyronitril hinzugegeben, um eine Polymerisations- Reaktion bei einer Temperatur im Bereich von ungefähr 60 bis ungefähr 75°C unter einer Stickstoffatmosphäre für einen Zeitraum im Bereich von ungefähr 5 bis ungefähr 20 Stunden zu erlauben. Nach Abschluss der Reaktion wurde die erhaltene Lösung mit Ethylether- oder n-Hexan-Lösungsmittel zum Ausfällen gebracht und dann filtriert und getrocknet, um Poly[9-Anthracenmethyliminethylmethacrylat-(4-hydroxybutylacrylat)- glycidylacrylat-methylmethacrylat]-Harz der folgenden Formel 21 zu erhalten (Ausbeu­ te: 80%).
Formel 21
Beispiel 12 Herstellung einer Antireflex-Beschichtungslösung
Ein Polymer der Formel 1 wie hergestellt in einem der Beispiele 1 bis 11 und ein Poly­ mer der Formel 2 wurden in Propylenglycolmethyletheracetat aufgelöst. Die erhaltene Lösung, alleine oder in Kombination mit 0,1 bis ungefähr 0 Gew.-% zumindest eines der vorgenannten Anthracen-Derivat-Additive, um die Auflösung zu vervollständigen, wur­ de filtriert, auf einen Wafer schichtappliziert und bei einer Temperatur im Bereich von ungefähr 100 bis ungefähr 300°C für einen Zeitraum im Bereich von ungefähr 10 bis ungefähr 1000 Sekunden hartgebacken. Dann wurde darauf ein photosensitiver Film appliziert, und es folgte ein Routineverfahren zur Herstellung einer Ultrafeinstruktur.
Das verwendete Vernetzungsmittel liegt in Form eines Polymers vor und ist dazu aus­ gestaltet, die Vernetzungseffizienz zu maximieren. Des Weiteren ist es möglich, den k- Wert einer organischen Antireflex-Beschichtung durch Steuerung des Anteils eines Primär-Polymers frei zu modifizieren. Das Problem aus dem Stand der Technik, wo­ nach die Steuerung des k-Wertes nicht möglich war, wurde also überwunden.
Darüber hinaus enthält das offenbarte Antireflex-Beschichtungsharz ein Monomer mit einem groß bemessenen Chromophor, wodurch es möglich ist, dass ein daraus her­ gestelltes Polymer eine hohe Extinktion bei einer Wellenlänge von 248 nm aufweist. Das offenbarte Antireflex-Beschichtungsharz enthält auch eine Epoxy-Gruppe, die eine Vernetzung ermöglicht. Des Weiteren wird durch Einführen einer Methacrylat-Gruppe in eines seiner primären Polymere seine Hydrophobizität erhöht, was wiederum EBR (Edge Bead Removal) erleichtert.
Des Weiteren löst sich das offenbarte Antireflex-Beschichtungsharz gut in allen Koh­ lenwasserstofflösungsmitteln, während es sich nicht in irgendeinem der Lösungsmittel während eines Hartback-Schritts auflöst, und es führt nicht zu einem Unterschneiden und einer Fußbildung (Footing) in einem Herstellungsverfahren für Strukturen. Insbe­ sondere, weil das Antireflex-Beschichtungsharz der vorliegenden Erfindung aus Acry­ lat-Polymer zusammengesetzt ist, ist seine Ätz-Geschwindigkeit höher als die eines photosensitiven Films, und deshalb kann die Ätz-Selektivität verbessert werden. Die vorliegende Erfindung wurde auf illustrierende Weise beschrieben, und man muss verstehen, dass die verwendete Terminologie eher nach Art einer Beschreibung zu verstehen ist, denn als Beschränkung. Man muss verstehen, dass viele Modifikationen und Variationen der vorliegenden Erfindung im Lichte der obigen Lehren möglich sind. Deshalb muss man verstehen, dass innerhalb des Bereiches der beigefügten An­ sprüche die Erfindung auf andere Weise als spezifisch beschrieben durchgeführt wer­ den kann.

Claims (23)

1. Verbindung mit der Struktur der folgenden Formel 1:
Formel 1
wobei gilt:
Ra bis Rd sind jeweils unabhängig Wasserstoff oder Methyl;
Ra bis Rd und R1 bis R9 sind jeweils unabhängig ausgewählt aus der Gruppe, die aus -H, -OH, -OCOCH3, -COOH, -CH2OH, Alkyl mit 1 bis 5 Kohlenstoffatomen und Alkoxy- Alkyl mit 1 bis 5 Kohlenstoffatomen besteht;
l, m und n stellen jeweils eine ganze Zahl dar, die aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus 1, 2, 3, 4 und 5 besteht;
w, x, y und z stellen jeweils einen Molenbruch im Bereich von ungefähr 0,01 bis unge­ fähr 0,99 dar.
2. Verbindung nach Anspruch 1, bei der es sich um Poly[9-Anthracenmethyl­ iminethylacrylat-(2-hydroxyethylacrylat)-glycidylmethacrylat-methylmethacrylat] han­ delt, wobei Ra und Rb jeweils Wasserstoff sind, Rc und Rd jeweils Methyl sind, Ra bis Rd und R1 bis R9 jeweils Wasserstoff sind, l, m und n 2, 2 bzw. 1 sind und w, x, y und z 0,3, 0,3, 0,2 bzw. 0,2 sind.
3. Verbindung nach Anspruch 1, bei der es sich um Poly[9-Anthracenmethyl­ iminethylacrylat-(3-hydroxypropylacrylat)-glycidylmethacrylat-methylmethacrylat] han­ delt, wobei Ra und Rb jeweils Wasserstoff sind, Rc und Rd jeweils Methyl sind, Ra bis Rd und R1 bis R9 jeweils Wasserstoff sind, l, m und n 2, 3 bzw. 1 sind und w, x, y und z 0,3, 0,3, 0,2 bzw. 0,2 sind.
4. Verbindung nach Anspruch 1, bei der es sich um Poly[9-Anthracenmethyl­ iminethylacrylat-(2-hydroxyethylacrylat)-glycidylacrylat-methylmethacrylat] handelt, wobei Ra, Rb und Rc jeweils Wasserstoff sind, Rd Methyl ist, Ra bis Rd und R1 bis R9 jeweils Wasserstoff sind, l, m und n 2, 2 bzw. 1 sind und w, x, y und z 0,3, 0,3, 0,2 bzw. 0,2 sind.
5. Verbindung nach Anspruch 1, bei der es sich um Poly[9-Anthracenmethyl­ iminethylacrylat-(3-hydroxypropylacrylat)-glycidylacrylat-methylmethacrylat] handelt, wobei Ra, Rb und Rc jeweils Wasserstoff sind, Rd Methyl ist, Ra bis Rd und R1 bis R9 jeweils Wasserstoff sind, l, m und n 2, 3 bzw. 1 sind und w, x, y und z 0,3, 0,3, 0,2 bzw. 0,2 sind.
6. Verbindung nach Anspruch 1, bei der es sich um Poly[9-Anthracenmethyl­ iminethylacrylat-(4-hydroxybutylacrylat)-glycidylacrylat-methylmethacrylat] handelt, wobei Ra, Rb und Rc jeweils Wasserstoff sind, Rd Methyl ist, Ra bis Rd und R1 bis R9 jeweils Wasserstoff sind, l, m und n 2, 4 bzw. 1 sind und w, x, y und z 0,3, 0,3, 0,2 bzw. 0,2 sind.
7. Verbindung nach Anspruch 1, bei der es sich um Poly[9-Anthracenmethyl­ iminethylmethacrylat-(2-hydroxyethylacrylat)-glycidylmethacrylat-methylmethacrylat] handelt, wobei Ra, Rc und Rd je¼eils Methyl sind, Rb Wasserstoff ist, Ra bis Rd und R1 bis R9 jeweils Wasserstoff sind, l, m und n 2, 2 bzw. 1 sind und w, x, y und z 0,3, 0,3, 0,2 bzw. 0,2 sind.
8. Verbindung nach Anspruch 1, bei der es sich um Poly[9-Anthracenmethyl­ iminethylmethacrylat-(3-hydroxypropylacrylat)-glycidylmethacrylat-methylmethacrylat] handelt, wobei Ra, Rc und Rd jeweils Methyl sind, Rb Wasserstoff ist, Ra bis Rd und R1 bis R9 jeweils Wasserstoff sind, l, m und n 2, 3 bzw. 1 sind und w, x, y und z 0,3, 0,3, 0,2 bzw. 0,2 sind.
9. Verbindung nach Anspruch 1, bei der es sich um Poly[9-Anthracenmethyl­ iminethylmethacrylat-(4-hydroxybutylacrylat)-glycidylmethacrylat-methylmethacrylat] handelt, wobei Ra, Rc und Rd jeweils Methyl sind, Rb Wasserstoff ist, Ra bis Rd und R1 bis R9 jeweils Wasserstoff sind, l, m und n 2, 4 bzw. 1 sind und w, x, y und z 0,3, 0,3, 0,2 bzw. 0,2 sind.
10. Verbindung nach Anspruch 1, bei der es sich um Poly[9-Anthracenmethyl­ iminethylmethacrylat-(2-hydroxyethylacrylat)-glycidylacrylat-methylmethacrylat] han­ delt, wobei Ra und Rd jeweils Methyl sind, Rb und Rc jeweils Wasserstoff sind, Ra bis Rd und R1 bis R9 jeweils Wasserstoff sind, l, m und n 2, 2 bzw. 1 sind und w, x, y und z 0,3, 0,3, 0,2 bzw. 0,2 sind.
11. Verbindung nach Anspruch 1, bei der es sich um Poly[9-Anthracenmethyl­ iminethylmethacrylat-(3-hydroxypropylacrylat)-glycidylacrylat-methylmethacrylat] han­ delt, wobei Ra und Rd jeweils Methyl sind, Rb und Rc jeweils Wasserstoff sind, Ra bis Rd und R1 bis R9 jeweils Wasserstoff sind, l, m und n 2, 3 bzw. 1 sind und w, x, y und z 0,3, 0,3, 0,2 bzw. 0,2 sind.
12. Verbindung nach Anspruch 1, bei der es sich um Poly[9-Anthracenmethyl­ iminethylmethacrylat-(4-hydroxybutylacrylat)-glycidylacrylat-methylmethacrylat] han­ delt, wobei Ra und Rd jeweils Methyl sind, Rb und Rc jeweils Wasserstoff sind, Ra bis Rd und R1 bis R9 jeweils Wasserstoff sind, l, m und n 2, 4 bzw. 1 sind und w, x, y und z 0,3, 0,3, 0,2 bzw. 0,2 sind.
13. Verfahren zur Herstellung einer Verbindung der Formel 1 gemäss Anspruch 1, umfassend:
Reagieren lassen von 9-Anthracenmethyfiminalkylacrylat-Monomer, Hydroxyalkylacry­ lat-Monomer, Glycidylalkylacrylat-Monomer und Methylmethacrylat-Monomer in einem Lösungsmittel, um ein Produkt zu erhalten; und
Polymerisieren des Produktes mit einem Polymerisationsinitiator.
14. Verfahren nach Anspruch 13, in dem das besagte Lösungsmittel ausgewählt ist aus der Gruppe, die aus Tetrahydrofuran, Toluol, Benzol, Methylethylketon, Dioxan und deren Mischungen besteht.
15. Verfahren nach Anspruch 13, in dem der Polymerisationsinitiator aus der Grup­ pe ausgewählt ist, die aus 2,2'-Azobisisobutyronitril, Acetylperoxid, Laurylperoxid, t- Butylperoxid und deren Mischungen besteht.
16. Verfahren nach Anspruch 13, in dem die Polymerisations-Reaktion bei einer Temperatur im Bereich von ungefähr 50 bis ungefähr 90°C durchgeführt wird.
17. Antireflex-Beschichtungszusammensetzung, umfassend die Verbindung der Formel 1 gemäss Anspruch 1 und eine Verbindung der folgenden Formel 2:
Formel 2
wobei
R10 und R11 jeweils C1-10 Alkoxy sind und R12 Wasserstoff oder Methyl ist.
18. Zusammensetzung nach Anspruch 17, weiter umfassend ein Anthracen- Derivat-Additiv, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Anthracen, 9-Anthra­ cenmethanol, 9-Anthracencarbonitril, 9-Anthracen-Carbonsäure, Ditranol, 1,2,10- Anthracentriol, Anthraflavonsäure, 9-Anthraldehydoxim, 9-Anthraldehyd, 2-Amino-7- methyl-5-oxo-5H-[1]benzo-pyrano[2,3-b]pyridin-3-carbonitril, 1-Aminoanthrachinon, Anthrachinon-2-Carbonsäure, 1,5-Dihydroxyanthrachinon, Anthron, 9-Anthryl-tri­ fluoromethylketon, 9-Alkylanthracen-Derivaten, 9-Carboxylanthracen-Derivaten, 1- Carboxylanthracen-Derivaten und deren Mischungen besteht.
19. Verfahren zur Herstellung einer Antireflex-Beschichtung, umfassend die Schrit­ te:
Auflösen der Verbindung der Formel 1 gemäss Anspruch 1 und der Verbindung der Formel 2 des Anspruchs 17 in einem organischen Lösungsmittel, um eine Lösung zu erhalten;
Filtrieren der Lösung alleine oder in Kombination mit einem Anthracen-Derivat-Additiv, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Anthracen, 9-Anthracenmethanol, 9- Anthracencarbonitril, 9-Anthracen-Carbonsäure, Ditranol, 1,2,10-Anthracentriol, Anthraflavonsäure, 9-Anthraldehydoxim, 9-Anthraldehyd, 2-Amino-7-methyl-5-oxo-5H- [1]benzo-pyrano[2,3-b]pyridin-3-carbonitril, 1-Aminoanthrachinon, Anthrachinon-2- Carbonsäure, 1,5-Dihydroxyanthrachinon, Anthron, 9-Anthryl-trifluoromethylketon, 9- Alkylanthracen-Derivaten, 9-Carboxylanthracen-Derivaten, 1-Carboxylanthracen- Derivaten und deren Mischungen besteht, um ein Filtrat zu erhalten;
Schichtapplizieren des Filtrates auf eine untere Schicht, um eine Überzugsschicht zu erhalten; und
Hartbacken der Überzugsschicht.
20. Verfahren nach Anspruch 19, in dem das besagte organische Lösungsmittel aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Ethyl-3-ethoxypropionat, Methyl-3-methoxy­ propionat, Cyclohexanon und Propylenglycolmethyletheracetat besteht und in einer Menge im Bereich von ungefähr 200 bis ungefähr 5000 Gew.-% eingesetzt wird, be­ zogen auf das Gesamtgewicht des verwendeten Antireflex-Beschichtungsharzes.
21. Verfahren nach Anspruch 19, in dem der Hartback-Schritt bei einer Temperatur im Bereich von ungefähr 100 bis ungefähr 300°C durchgeführt wird.
22. Halbleiter-Vorrichtung, hergestellt unter Verwendung der Antireflex- Beschichtungszusammensetzung nach Anspruch 17.
23. Halbleiter-Vorrichtung, hergestellt unter Verwendung der Antireflex- Beschichtungszusammensetzung nach Anspruch 18.
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Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100574486B1 (ko) * 2000-06-30 2006-04-27 주식회사 하이닉스반도체 유기반사방지막 조성물 및 그의 제조방법
KR20030068729A (ko) * 2002-02-16 2003-08-25 삼성전자주식회사 반사 방지용 광흡수막 형성 조성물 및 이를 이용한 반도체소자의 패턴 형성 방법
KR100486499B1 (ko) * 2002-09-28 2005-04-29 엘지전자 주식회사 전계방출 디스플레이의 빔 왜곡 방지방법
WO2004090640A1 (ja) * 2003-04-02 2004-10-21 Nissan Chemical Industries, Ltd. エポキシ化合物及びカルボン酸化合物を含むリソグラフィー用下層膜形成組成物
US7361447B2 (en) * 2003-07-30 2008-04-22 Hynix Semiconductor Inc. Photoresist polymer and photoresist composition containing the same
TWI363251B (en) * 2003-07-30 2012-05-01 Nissan Chemical Ind Ltd Sublayer coating-forming composition for lithography containing compound having protected carboxy group
CN100351309C (zh) * 2003-07-30 2007-11-28 日产化学工业株式会社 含有具有被保护的羧基的化合物的形成光刻用下层膜的组合物
KR100574490B1 (ko) * 2004-04-27 2006-04-27 주식회사 하이닉스반도체 상부 반사방지막 중합체, 이의 제조방법 및 이를 함유하는상부 반사방지막 조성물
KR100574491B1 (ko) * 2004-04-27 2006-04-27 주식회사 하이닉스반도체 상부 반사방지막 중합체, 이의 제조방법 및 이를 함유하는상부 반사방지막 조성물
KR101115089B1 (ko) 2005-03-02 2012-02-29 주식회사 동진쎄미켐 유기 반사방지막 형성용 유기 중합체 및 이를 포함하는 유기 조성물
US7488771B2 (en) * 2005-09-02 2009-02-10 International Business Machines Corporation Stabilization of vinyl ether materials
US7419611B2 (en) * 2005-09-02 2008-09-02 International Business Machines Corporation Processes and materials for step and flash imprint lithography
US20090035704A1 (en) * 2007-08-03 2009-02-05 Hong Zhuang Underlayer Coating Composition Based on a Crosslinkable Polymer
US8039201B2 (en) 2007-11-21 2011-10-18 Az Electronic Materials Usa Corp. Antireflective coating composition and process thereof
JP4786636B2 (ja) * 2007-12-26 2011-10-05 Ａｚエレクトロニックマテリアルズ株式会社 反射防止膜形成用組成物およびそれを用いたパターン形成方法
JP7297559B2 (ja) * 2019-06-28 2023-06-26 東京応化工業株式会社 硬化性樹脂組成物及び硬化物

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3100077A1 (de) 1981-01-03 1982-08-05 Hoechst Ag, 6000 Frankfurt Lichtempfindliches gemisch, das einen naphthochinondiazidsulfonsaeureester enthaelt, und verfahren zur herstellung des naphthochinondiazidsulfonsaeureesters
US4413052A (en) * 1981-02-04 1983-11-01 Ciba-Geigy Corporation Photopolymerization process employing compounds containing acryloyl group and anthryl group
US4822718A (en) 1982-09-30 1989-04-18 Brewer Science, Inc. Light absorbing coating
US5674648A (en) 1984-08-06 1997-10-07 Brewer Science, Inc. Anti-reflective coating
US5225457A (en) * 1990-06-05 1993-07-06 The Goodyear Tire & Rubber Company Reinforced polymer matrix and product containing micro and macro reinforcement
US5576359A (en) * 1993-07-20 1996-11-19 Wako Pure Chemical Industries, Ltd. Deep ultraviolet absorbent composition
US5525457A (en) 1994-12-09 1996-06-11 Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. Reflection preventing film and process for forming resist pattern using the same
US5693691A (en) * 1995-08-21 1997-12-02 Brewer Science, Inc. Thermosetting anti-reflective coatings compositions
TW406215B (en) * 1996-08-07 2000-09-21 Fuji Photo Film Co Ltd Composition for anti-reflective coating material in lithographic process, and process for forming resist pattern
US5733714A (en) * 1996-09-30 1998-03-31 Clariant Finance (Bvi) Limited Antireflective coating for photoresist compositions
US5939236A (en) * 1997-02-07 1999-08-17 Shipley Company, L.L.C. Antireflective coating compositions comprising photoacid generators
US5919599A (en) * 1997-09-30 1999-07-06 Brewer Science, Inc. Thermosetting anti-reflective coatings at deep ultraviolet
JP4053631B2 (ja) * 1997-10-08 2008-02-27 Ａｚエレクトロニックマテリアルズ株式会社 反射防止膜又は光吸収膜用組成物及びこれに用いる重合体
TW457403B (en) 1998-07-03 2001-10-01 Clariant Int Ltd Composition for forming a radiation absorbing coating containing blocked isocyanate compound and anti-reflective coating formed therefrom
KR100465864B1 (ko) * 1999-03-15 2005-01-24 주식회사 하이닉스반도체 유기 난반사방지 중합체 및 그의 제조방법
KR100395904B1 (ko) * 1999-04-23 2003-08-27 주식회사 하이닉스반도체 유기 반사방지 중합체 및 그의 제조방법
KR100310252B1 (ko) * 1999-06-22 2001-11-14 박종섭 유기 반사방지 중합체 및 그의 제조방법
GB2351588B (en) * 1999-07-01 2003-09-03 Ibm Security for network-connected vehicles and other network-connected processing environments
US6187506B1 (en) * 1999-08-05 2001-02-13 Clariant Finance (Bvi) Limited Antireflective coating for photoresist compositions
KR100359862B1 (ko) * 1999-12-23 2002-11-09 주식회사 하이닉스반도체 난반사 방지막용 중합체와 그 제조방법
KR100427440B1 (ko) * 1999-12-23 2004-04-17 주식회사 하이닉스반도체 유기 반사방지 화합물 및 그의 제조방법
FR2803850B1 (fr) * 2000-06-13 2002-05-17 Hyundai Electronics Ind Composition de revetement anti-reflechissant, procede de preparation et dispositif a semiconducteur
KR100721182B1 (ko) * 2000-06-30 2007-05-23 주식회사 하이닉스반도체 유기반사방지막 조성물 및 그의 제조방법

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