JP4808597B2 - 有機反射防止重合体およびその製造方法 - Google Patents

有機反射防止重合体およびその製造方法 Download PDF

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Description

本発明は半導体素子の製造工程中、248nm KrF、193nm ArF、および157nm F2レーザーによるリソグラフィー用フォトレジストを使用する超微細パタ
ーンの形成工程において、下部膜層の反射を防止してArF光およびフォトレジスト自体の厚さの変化によって生じる定在波を除去できる反射防止用の有機物質に関する。より詳しくは、64M、256M、1G、4G、16G DRAMの超微細パターンの形成時に、使用できる有機反射防止重合体およびその製造方法に関する。更に、本発明はこのような有機反射防止重合体を含む反射防止用の組成物、これを利用した反射防止膜およびその製造方法に関する。
半導体の製造工程中、超微細パターンの形成工程ではワイパー上の下部膜層の光学的性質および感光膜厚さの変動による定在波(standing wave)、反射ノッチ(reflective notching)と下部膜からの回折光および反射光によるCD(critical dimension)の変動が不回避に起こる。したがって、露光源で使用する光の波長帯において光を良好に吸収する有機物質を導入し、下部膜層で反射を防止できる膜層を導入することが提案されている。この膜が反射防止膜である。
反射防止膜は、使用される物質の種類によって大きく無機系反射防止膜と有機系反射防止膜に区分されるか、或いはその機構(mechanism)によって吸収系反射防止膜と干渉系反射防止膜に分類される。365nm波長のI-線(I-line)を用いた微細パターンの形成工程では主に無機系反射防止膜が使用され、吸収系としてはTiNおよび無定形カーボン(Amorphous C)が、干渉系としては主にSiONが使用されてきた。
KrF光を用いた超微細パターンの形成工程では主に無機系としてSiONが使用されてきたが、近年の趨勢では、反射防止膜に有機系化合物が使用されるようになってきている。今までの動向に鑑みる時、有機反射防止膜の多くは次のような基本条件を要する。
第一に、工程適用の際、フォトレジストが溶媒により溶解されて剥がれる現象が起こらないようにする。このためには成形膜が架橋構造をなすように設計される必要があり、この時の副産物として、化学物質が生じてはならない。
第二に、反射防止膜への酸またはアミンなどの化学物質の出入りがあってはならない。反射防止膜へ酸が移行する場合にはパターンの下部にアンダーカッティングが発生し、アミンのような塩基が移行する場合にはフッティング現象が生ずる傾向があるからである。
第三に、反射防止膜は上部の感光膜に比べてより速いエッチング速度を持つようにする。これによって、エッチング時に感光膜をマスクとして円滑なエッチング工程を行うことができる。
第四に、反射防止膜は薄膜で充分な反射防止膜として機能すべきである。一方、ArF光を用いる超微細パターンの形成時においてはまだ適切な反射防止膜が開発されていない。更に、無機系反射防止膜の場合には193nm光源からの干渉現象を制御する物質が知られていないので、最近は、有機系反射防止膜を使用しようとする研究が進められている。
したがって、すべての感光膜において、露光の際に生じる定在波および光反射を防止し
、下部層からの後面回折および反射光の影響を除去するために、特定波長に対する光吸収度の大きい有機反射防止物質の使用および開発が必要とされる。
そこで、本発明の目的は、半導体素子の製造工程中、193nm ArFおよび248nm KrF光を用いて超微細パターンを形成する際、反射防止膜に使用できる新規の有機化合物質を含む反射防止用の組成物およびその製造方法を提供することにある。
更に、本発明の他の目的は、このような乱反射防止用の組成物を使用して形成された乱反射防止膜およびその形成方法を提供することにある。
本発明では、重合体自体が193nmおよび248nm KrF波長で光を吸収できるように吸光度の大きい発色団を含むようにし、有機反射防止膜の成形性、気密性、耐溶解性を与えるために、コーティングの後のハードベーキング時に架橋反応が起こるように、樹脂内のアルコール基と官能基との間の架橋メカニズムを導入した。特に、本発明では架橋反応の効率性および貯蔵安定性が増大され、本発明の反射防止膜樹脂はハイドロカーボン系のすべての溶媒に対して溶解性が優れており、ハードベーキング時にいかなる溶媒にも溶解されない耐溶解性を持っている。したがって、感光膜の塗布時には何らの問題も発生しない。更にパターンの形成時に、アンダーカッティングおよびフッティングが生じなく、特にアクリレート系の高分子で形成されているので、エッチングの際、感光膜に比べて優れたエッチング速度を持つことによって、エッチングの選択比が向上された。
本発明の目的を達成するために本発明の有機反射防止膜に用いられる樹脂の基本式は下記の化学式1および化学式2のように示される。
Figure 0004808597
Figure 0004808597
上式中、Ra、Rb、Rc、Rdはそれぞれ水素またはメチル基、
1〜R9はそれぞれ水素、ヒドロキシ、メトキシカルボニル、カルボキシル、ヒドロキシメチル、またはC1〜C5の置換若しくは非置換された直鎖若しくは分岐鎖のアルキル、アルコキシアルキル、
w、x、y、zはそれぞれ0.01〜0.99のモル比
m、nはそれぞれ1乃至5の定数を示している。
本発明に係る重合体は193nmおよび248nmで吸収が起こるように193nmおよび248nm波長で吸光度の大きい発色団を導入することによって、前記波長で吸収が起きるように設計されたものである。
本発明に係る前記化学式1の重合体は9-アントラアルデヒドオキシムアクリレート系単量体、ヒドロキシアルキルアクリレート系単量体、グリシジルアクリレート系単量体を開始剤と共に溶媒の中で重合反応させることによって得られ、この時、各単量体のモル比は0.01〜0.99である。
また化学式2の重合体は9-アントラアルデヒドオキシムアクリレート系単量体、ヒドロキシアルキルアクリレート系単量体、グリシジルアクリレート系単量体およびメチルメタクリレートを開始剤と共に溶媒の中で重合反応させることによって得られ、この時、各単量体のモル比は0.01〜0.99である。
本発明に係る化学式1および化学式2の重合体を製造する際、使用する開始剤は、一般的なラジカル開始剤であり、好ましくは2,2-アゾビスイソブチロニトリル(AIBN)、過酸化アセチル、過酸化ラウリル、およびt−過酸化ブチルから成るグループの中から選択された少なくともいずれか1つである。また、使用する溶媒は、一般的な有機溶媒であり、好ましくはテトラヒドロフラン、トルエン、ベンジン、メチルエチルケトンおよびジオキサンから成るグループの中から選択された少なくともいずれか1つである。
重合反応は、50〜80℃の温度範囲でおこなわれることが望ましい。
また、前記化学式1または化学式2の重合体と、下記表に記載のアントラセン誘導体から成るグループの中から選択されたいずれか1つまたは2つ以上の添加剤とを含んでなる反射防止膜の組成物を提供する。
Figure 0004808597
表中、R1、R2、またはR3はそれぞれ独立的に水素、ヒドロキシ、アルキル、ヒドロ
キシメチル、またはC1〜C5の置換若しくは非置換された直鎖若しくは分岐鎖のアルキル、アルコキシアルキルを示している。
本発明に係る反射防止膜の組成物は前記化学式1または化学式2の重合体を有機溶媒に溶解させた後、この溶液を、または前記表1から選択された化合物を0.1〜30重量%添加した溶液をフィルターリングした後、ワイパーに塗布してハードベーキングすることによって、反射防止膜樹脂を架橋させて製造し、これを利用して半導体素子を生産する。
この時に使用する有機溶媒は、通常の有機溶媒であり、好ましくはエチル3-エトキシプロピオネート、メチル3-メトキシプロピオネート、シクロヘキサノン、およびプロピレン
グリコールメチルエーテルアセテートから成るグループの中から選択された少なくともいずれか1つである。また使用量は、反射防止膜樹脂重合体の重量当たり200〜5000重量%が望ましい。
本発明に係る反射防止膜重合体は248nm KrF、193nm ArFおよび157nm F2レーザーを使用する超微細パターンの形成工程の有機反射防止膜で、優れた性能を示すことが確認された。また、ArF光の以外に露光源としてE-ビーム、EUV(extremely ultraviolet)、イオンビームなどを使用する場合にも優れた反射防止効果を示すことが確認された。
以下、本発明に係る実施例について説明する。
実施例1
ポリ[9-アントラアルデヒドオキシムアクリレート−(2-ヒドロキシエチルアクリレート)−グリシジルメタクリレート]共重合体の合成
9-アントラアルデヒドオキシムアクリレートの合成
9-アントラアルデヒドオキシム0.5モルとピリジン0.5モルをテトラヒドロフランに溶解させた後、アクリロイルクロリド0.5モルを加えた。反応溶液を濾過した後、またエチルアセテートで抽出した後、蒸溜水で何度も洗って減圧蒸留器を利用して乾燥させると、下記の化学式21で表される9-アントラアルデヒドオキシムアクリレートが得られた。この時、歩留り率は80%であった。
Figure 0004808597
ポリ[9-アントラアルデヒドオキシムアクリレート−(2-ヒドロキシエチルアクリレート)−グリシジルメタクリレート]共重合体の合成
9-アントラアルデヒドオキシムアクリレート単量体0.5モル、2-ヒドロキシエチルアクリレート0.3モル、グリシジルメタクリレート0.2モルを500mlの丸底フラスコに入れて攪拌しながら、予め用意したテトラヒドロフラン(THF)300gを入れて完全
に混合し、2,2'-アゾビスイソブチロニトリル(AIBN)を0.1〜3g入れた後、窒素雰
囲気下で60〜75℃温度で5〜20時間反応させた。反応終了後、この溶液をエチルエーテルまたはノーマルヘキサン溶媒に沈殿させた後、濾過して乾燥させると、化学式22のポリ[9-アントラアルデヒドオキシムアクリレート−(2-ヒドロキシエチルアクリレート)−グリシジルメタクリレート]樹脂が得られた。この時の歩留り率は81%であった。
Figure 0004808597
実施例2
ポリ[9-アントラアルデヒドオキシムアクリレート−(3-ヒドロキシプロピルアクリレート)−グリシジルメタクリレート]共重合体の合成
実施例1で合成した9-アントラアルデヒドオキシムアクリレート単量体0.5モル、3-ヒドロキシプロピルアクリレート0.3モル、グリシジルメタクリレート0.2モルを500mlの丸底フラスコに入れて攪拌しながら、予め用意したテトラヒドロフラン(THF)
300gを入れて完全に混合し、2,2'-アゾビスイソブチロニトリル(AIBN)を0.1〜
3g入れた後、窒素雰囲気下で60〜75℃温度で5〜20時間反応させた。反応終了後、この溶液をエチルエーテルまたはノーマルヘキサン溶媒に沈殿させた後、濾過して乾燥させると、化学式23のポリ[9-アントラアルデヒドオキシムアクリレート−(3-ヒドロキシプロピルアクリレート)−グリシジルメタクリレート]樹脂が得られた。この時の歩留り率は78%であった。
Figure 0004808597
実施例3
ポリ[9-アントラアルデヒドオキシムアクリレート−(2-ヒドロキシエチルアクリレート)−グリシジルアクリレート]共重合体の合成
9-アントラアルデヒドオキシムアクリレート単量体0.5モル、2-ヒドロキシエチルアクリレート0.3モル、グリシジルメタクリレート0.2モルを500mlの丸底フラスコに入れて攪拌しながら、予め用意したテトラヒドロフラン(THF)300gを入れて完全
に混合し、2,2'-アゾビスイソブチロニトリル(AIBN)を0.1〜3g入れた後、窒素雰
囲気下で60〜75℃温度で5〜20時間反応させた。反応終了後、この溶液をエチルエーテルまたはノーマルヘキサン溶媒に沈殿させた後、濾過して乾燥させると、化学式24のポリ[9-アントラアルデヒドオキシムアクリレート−(2-ヒドロキシエチルアクリレート)−グリシジルアクリレート]樹脂が得られた。この時の歩留り率は80%であった。
Figure 0004808597
実施例4
ポリ[9-アントラアルデヒドオキシムアクリレート−(3-ヒドロキシプロピルアクリレート)−グリシジルアクリレート]共重合体の合成
9-アントラアルデヒドオキシムアクリレート単量体0.5モル、3-ヒドロキシプロピルアクリレート0.3モル、グリシジルアクリレート0.2モルを500mlの丸底フラスコに入れて攪拌しながら、予め用意したテトラヒドロフラン(THF)300gを入れて完全
に混合し、2,2'-アゾビスイソブチロニトリル(AIBN)を0.1〜3g入れた後、窒素雰
囲気下で60〜75℃温度で5〜20時間反応させた。反応終了後、この溶液をエチルエーテルまたはノーマルヘキサン溶媒に沈殿させた後、濾過して乾燥させると、化学式25のポリ[9-アントラアルデヒドオキシムアクリレート−(3-ヒドロキシプロピルアクリレート)−グリシジルアクリレート]樹脂が得られた。この時の歩留り率は80%であった。
Figure 0004808597
実施例5
ポリ[9-アントラアルデヒドオキシムアクリレート−(4-ヒドロキシブチルアクリレー
ト)−グリシジルアクリレート]共重合体の合成
9-アントラアルデヒドオキシムアクリレート単量体0.5モル、4-ヒドロキシブチルアクリレート0.3モル、グリシジルアクリレート0.2モルを500mlの丸底フラスコに入れて攪拌しながら、予め用意したテトラヒドロフラン(THF)300gを入れて完全に
混合し、2,2'-アゾビスイソブチロニトリル(AIBN)を0.1〜3g入れた後、窒素雰囲
気下で60〜75℃温度で5〜20時間反応させた。反応終了後、この溶液をエチルエーテルまたはノーマルヘキサン溶媒に沈殿させた後、濾過して乾燥させると、化学式26のポリ[9-アントラアルデヒドオキシムアクリレート−(4-ヒドロキシブチルアクリレート)−グリシジルアクリレート]樹脂が得られた。この時の歩留り率は81%であった。
Figure 0004808597
実施例6
ポリ[9-アントラアルデヒドオキシムメタクリレート−(2-ヒドロキシエチルアクリレート)−グリシジルメタクリレート]共重合体の合成
9-アントラアルデヒドオキシムメタクリレートの合成
9-アントラアルデヒドオキシム0.5モルとピリジン0.5モルをテトラヒドロフランに溶解させた後、メタクリロイルクロリド0.5モルを加えた。反応溶液を濾過した後、またエチルアセテートで抽出した後、蒸溜水で何度も洗って減圧蒸留器を利用して乾燥させると、下記の化学式27で表される9-アントラアルデヒドオキシムメタクリレートが得られた。この時、歩留り率は82%であった。
Figure 0004808597
ポリ[9-アントラアルデヒドオキシムメタクリレート−(2-ヒドロキシエチルアクリレ
ート)−グリシジルメタクリレート]共重合体の合成
9-アントラアルデヒドオキシムメタクリレート単量体0.5モル、2-ヒドロキシエチルアクリレート0.3モル、グリシジルメタクリレート0.2モルを500mlの丸底フラスコに入れて攪拌しながら、予め用意したテトラヒドロフラン(THF)300gを入れて完
全に混合し、2,2'-アゾビスイソブチロニトリル(AIBN)を0.1〜3g入れた後、窒素
雰囲気下で60〜75℃温度で5〜20時間反応させた。反応終了後、この溶液をエチルエーテルまたはノーマルヘキサン溶媒に沈殿させた後、濾過して乾燥させると、化学式28のポリ[9-アントラアルデヒドオキシムメタクリレート−(2-ヒドロキシエチルアクリレート)−グリシジルメタクリレート]樹脂が得られた。この時の歩留り率は78%であった。
Figure 0004808597
実施例7
ポリ[9-アントラアルデヒドオキシムメタクリレート−(3-ヒドロキシプロピルアクリレート)−グリシジルメタクリレート]共重合体の合成
実施例6で合成した9-アントラアルデヒドオキシムメタクリレート単量体0.5モル、3-ヒドロキシプロピルアクリレート0.3モル、グリシジルメタクリレート0.2モルを500mlの丸底フラスコに入れて攪拌しながら、予め用意したテトラヒドロフラン(THF
)300gを入れて完全に混合し、2,2'-アゾビスイソブチロニトリル(AIBN)を0.1
〜3g入れた後、窒素雰囲気下で60〜75℃温度で5〜20時間反応させた。反応終了後、この溶液をエチルエーテルまたはノーマルヘキサン溶媒に沈殿させた後、濾過して乾燥させると、化学式29のポリ[9-アントラアルデヒドオキシムメタクリレート−(3-ヒドロキシプロピルアクリレート)−グリシジルメタクリレート]樹脂が得られた。この時の歩留り率は81%であった。
Figure 0004808597
実施例8
ポリ[9-アントラアルデヒドオキシムメタクリレート−(4-ヒドロキシブチルアクリレート)−グリシジルメタクリレート]共重合体の合成
9-アントラアルデヒドオキシムメタクリレート単量体0.5モル、(4-ヒドロキシブチルアクリレート、グリシジルメタクリレート0.2モルを500mlの丸底フラスコに入れて攪拌しながら、予め用意したテトラヒドロフラン(THF)300gを入れて完全に混合
し、2,2'-アゾビスイソブチロニトリル(AIBN)を0.1〜3g入れた後、窒素雰囲気下
で60〜75℃温度で5〜20時間反応させた。反応終了後、この溶液をエチルエーテルまたはノーマルヘキサン溶媒に沈殿させた後、濾過して乾燥させると、化学式30のポリ[9-アントラアルデヒドオキシムメタクリレート−(4-ヒドロキシブチルアクリレート)−グリシジルメタクリレート]樹脂が得られた。この時の歩留り率は81%であった。
Figure 0004808597
実施例9
ポリ[9-アントラアルデヒドオキシムメタクリレート−(2-ヒドロキシエチルアクリレート)−グリシジルアクリレート]共重合体の合成
9-アントラアルデヒドオキシムメタクリレート単量体0.5モル、2-ヒドロキシエチルアクリレート0.3モル、グリシジルアクリレート0.2モルを500mlの丸底フラスコに入れて攪拌しながら、予め用意したテトラヒドロフラン(THF)300gを入れて完全
に混合し、2,2'-アゾビスイソブチロニトリル(AIBN)を0.1〜3g入れた後、窒素雰
囲気下で60〜75℃温度で5〜20時間反応させた。反応終了後、この溶液をエチルエーテルまたはノーマルヘキサン溶媒に沈殿させた後、濾過して乾燥させると、化学式31のポリ[9-アントラアルデヒドオキシムメタクリレート−(2-ヒドロキシエチルアクリレート)−グリシジルアクリレート]樹脂が得られた。この時の歩留り率は78%であった。
Figure 0004808597
実施例10
ポリ[9-アントラアルデヒドオキシムメタクリレート−(3-ヒドロキシプロピルアクリレート)−グリシジルアクリレート]共重合体の合成
9-アントラアルデヒドオキシムメタクリレート単量体0.5モル、3-ヒドロキシプロピルアクリレート0.3モル、グリシジルアクリレート0.2モルを500mlの丸底フラスコに入れて攪拌しながら、予め用意したテトラヒドロフラン(THF)300gを入れて完
全に混合し、2,2'-アゾビスイソブチロニトリル(AIBN)を0.1〜3g入れた後、窒素
雰囲気下で60〜75℃温度で5〜20時間反応させた。反応終了後、この溶液をエチルエーテルまたはノーマルヘキサン溶媒に沈殿させた後、濾過して乾燥させると、化学式32のポリ[9-アントラアルデヒドオキシムメタクリレート−(3-ヒドロキシプロピルアクリレート)−グリシジルアクリレート]樹脂が得られた。この時の歩留り率は80%であった。
Figure 0004808597
実施例11
ポリ[9-アントラアルデヒドオキシムメタクリレート−(4-ヒドロキシブチルアクリレート)−グリシジルアクリレート]共重合体の合成
9-アントラアルデヒドオキシムメタクリレート単量体0.5モル、4-ヒドロキシブチルアクリレート0.3モル、グリシジルアクリレート0.2モルを500mlの丸底フラスコに入れて攪拌しながら、予め用意したテトラヒドロフラン(THF)300gを入れて完全
に混合し、2,2'-アゾビスイソブチロニトリル(AIBN)を0.1〜3g入れた後、窒素雰
囲気下で60〜75℃温度で5〜20時間反応させた。反応終了後、この溶液をエチルエーテルまたはノーマルヘキサン溶媒に沈殿させた後、濾過して乾燥させると、化学式33のポリ[9-アントラアルデヒドオキシムメタクリレート−(4-ヒドロキシブチルアクリレート)−グリシジルアクリレート]樹脂が得られた。この時の歩留り率は80%であった。
Figure 0004808597
実施例12
ポリ[9-アントラアルデヒドオキシムアクリレート−(2-ヒドロキシエチルアクリレート)−グリシジルメタクリレート−メチルメタクリレート]共重合体の合成
9-アントラアルデヒドオキシムアクリレート単量体0.3モル、2-ヒドロキシエチルアクリレート0.3モル、グリシジルメタクリレート0.2モル、メチルメタクリレート0.2モルを500mlの丸底フラスコに入れて攪拌しながら、予め用意したテトラヒドロフラン(THF)300gを入れて完全に混合し、2,2'-アゾビスイソブチロニトリル(AIBN)を0.1〜3g入れた後、窒素雰囲気下で60〜75℃温度で5〜20時間反応させた。反応終了後、この溶液をエチルエーテルまたはノーマルヘキサン溶媒に沈殿させた後、濾過して乾燥させると、化学式34のポリ[9-アントラアルデヒドオキシムアクリレート−(2-ヒドロキシエチルアクリレート)−グリシジルメタクリレート−メチルメタクリレート]樹脂が得られた。この時の歩留り率は80%であった。
Figure 0004808597
実施例13
ポリ[9-アントラアルデヒドオキシムアクリレート−(3-ヒドロキシプロピルアクリレート)−グリシジルメタクリレート−メチルメタクリレート]共重合体の合成
9-アントラアルデヒドオキシムアクリレート単量体0.3モル、3-ヒドロキシプロピルアクリレート0.3モル、グリシジルメタクリレート0.2モル、メチルメタクリレート0.2モルを500mlの丸底フラスコに入れて攪拌しながら、予め用意したテトラヒドロフラン(THF)300gを入れて完全に混合し、2,2'-アゾビスイソブチロニトリル(AIBN)を0.1〜3g入れた後、窒素雰囲気下で60〜75℃温度で5〜20時間反応させた。反応終了後、この溶液をエチルエーテルまたはノーマルヘキサン溶媒に沈殿させた後、濾過して乾燥させると、化学式35のポリ[9-アントラアルデヒドオキシムアクリレート−(3-ヒドロキシプロピルアクリレート)−グリシジルメタクリレート−メチルメタクリレート]樹脂が得られた。この時の歩留り率は79%であった。
Figure 0004808597
実施例14
ポリ[9-アントラアルデヒドオキシムアクリレート−(2-ヒドロキシエチルアクリレート)−グリシジルアクリレート−メチルメタクリレート]共重合体の合成
9-アントラアルデヒドオキシムアクリレート単量体0.3モル、2-ヒドロキシエチルアクリレート0.3モル、グリシジルアクリレート0.2モル、メチルメタクリレート0.2モルを500mlの丸底フラスコに入れて攪拌しながら、予め用意したテトラヒドロフラン(THF)300gを入れて完全に混合し、2,2'-アゾビスイソブチロニトリル(AIBN)を
0.1〜3g入れた後、窒素雰囲気下で60〜75℃温度で5〜20時間反応させた。反応終了後、この溶液をエチルエーテルまたはノーマルヘキサン溶媒に沈殿させた後、濾過して乾燥させると、化学式36のポリ[9-アントラアルデヒドオキシムアクリレート−(2-ヒドロキシエチルアクリレート)−グリシジルアクリレート−メチルメタクリレート]樹脂が得られた。この時の歩留り率は81%であった。
Figure 0004808597
実施例15
ポリ[9-アントラアルデヒドオキシムアクリレート−(3-ヒドロキシプロピルアクリレート)−グリシジルアクリレート−メチルメタクリレート]共重合体の合成
9-アントラアルデヒドオキシムアクリレート単量体0.3モル、3-ヒドロキシプロピルアクリレート0.3モル、グリシジルアクリレート0.2モル、メチルメタクリレート0.2モルを500mlの丸底フラスコに入れて攪拌しながら、予め用意したテトラヒドロフラン(THF)300gを入れて完全に混合し、2,2'-アゾビスイソブチロニトリル(AIBN)を0.1〜3g入れた後、窒素雰囲気下で60〜75℃温度で5〜20時間反応させた。反応終了後、この溶液をエチルエーテルまたはノーマルヘキサン溶媒に沈殿させた後、濾過して乾燥させると、化学式37のポリ[9-アントラアルデヒドオキシムアクリレート−(3-ヒドロキシプロピルアクリレート)−グリシジルアクリレート−メチルメタクリレート]樹脂が得られた。この時の歩留り率は79%であった。
Figure 0004808597
実施例16
ポリ[9-アントラアルデヒドオキシムアクリレート−(4-ヒドロキシブチルアクリレート)−グリシジルアクリレート−メチルメタクリレート]共重合体の合成
9-アントラアルデヒドオキシムアクリレート単量体0.3モル、4-ヒドロキシブチルアクリレート0.3モル、グリシジルアクリレート0.2モル、メチルメタクリレート0.2モルを500mlの丸底フラスコに入れて攪拌しながら、予め用意したテトラヒドロフラン(THF)300gを入れて完全に混合し、2,2'-アゾビスイソブチロニトリル(AIBN)を0.1〜3g入れた後、窒素雰囲気下で60〜75℃温度で5〜20時間反応させた。反応終了後、この溶液をエチルエーテルまたはノーマルヘキサン溶媒に沈殿させた後、濾過して乾燥させると、化学式38のポリ[9-アントラアルデヒドオキシムアクリレート−(4-ヒドロキシブチルアクリレート)−グリシジルアクリレート−メチルメタクリレート]樹脂が得られた。この時の歩留り率は80%であった。
Figure 0004808597
実施例17
ポリ[9-アントラアルデヒドオキシムメタクリレート−(2-ヒドロキシエチルアクリレート)−グリシジルメタクリレート−メチルメタクリレート]共重合体の合成
9-アントラアルデヒドオキシムメタクリレート単量体0.3モル、2-ヒドロキシエチルアクリレート0.3モル、グリシジルメタクリレート0.2モル、メチルメタクリレート0.2モルを500mlの丸底フラスコに入れて攪拌しながら、予め用意したテトラヒドロフラン(THF)300gを入れて完全に混合し、2,2'-アゾビスイソブチロニトリル(AIBN)を0.1〜3g入れた後、窒素雰囲気下で60〜75℃温度で5〜20時間反応させた。反応終了後、この溶液をエチルエーテルまたはノーマルヘキサン溶媒に沈殿させた後、濾過して乾燥させると、化学式39のポリ[9-アントラアルデヒドオキシムメタクリレート−(2-ヒドロキシエチルアクリレート)−グリシジルメタクリレート−メチルメタクリレート]樹脂が得られた。この時の歩留り率は80%であった。
Figure 0004808597
実施例18
ポリ[9-アントラアルデヒドオキシムメタクリレート−(3-ヒドロキシプロピルアクリレート)−グリシジルメタクリレート−メチルメタクリレート]共重合体の合成
9-アントラアルデヒドオキシムメタクリレート単量体0.3モル、3-ヒドロキシプロピルアクリレート0.3モル、グリシジルメタクリレート0.2モル、メチルメタクリレート0.2モルを500mlの丸底フラスコに入れて攪拌しながら、予め用意したテトラヒドロフラン(THF)300gを入れて完全に混合し、2,2'-アゾビスイソブチロニトリル(AIBN)を0.1〜3g入れた後、窒素雰囲気下で60〜75℃温度で5〜20時間反応させた。反応終了後、この溶液をエチルエーテルまたはノーマルヘキサン溶媒に沈殿させた後、濾過して乾燥させると、化学式40のポリ[9-アントラアルデヒドオキシムメタクリレート−(3-ヒドロキシプロピルアクリレート)−グリシジルメタクリレート−メチルメタクリレート]樹脂が得られた。この時の歩留り率は78%であった。
Figure 0004808597
実施例19
ポリ[9-アントラアルデヒドオキシムメタクリレート−(4-ヒドロキシブチルアクリレート)−グリシジルメタクリレート−メチルメタクリレート]共重合体の合成
9-アントラアルデヒドオキシムメタクリレート単量体0.3モル、(4-ヒドロキシブチルアクリレート0.3モル、グリシジルメタクリレート0.2モル、メチルメタクリレート0.2モルを500mlの丸底フラスコに入れて攪拌しながら、予め用意したテトラヒドロフラン(THF)300gを入れて完全に混合し、2,2'-アゾビスイソブチロニトリル(AI
BN)を0.1〜3g入れた後、窒素雰囲気下で60〜75℃温度で5〜20時間反応させた。反応終了後、この溶液をエチルエーテルまたはノーマルヘキサン溶媒に沈殿させた後、濾過して乾燥させると、化学式41のポリ[9-アントラアルデヒドオキシムメタクリレート−(4-ヒドロキシブチルアクリレート)−グリシジルメタクリレート−メチルメタクリレート]樹脂が得られた。この時の歩留り率は81%であった。
Figure 0004808597
実施例20
ポリ[9-アントラアルデヒドオキシムメタクリレート−(2-ヒドロキシエチルアクリレート)−グリシジルアクリレート−メチルメタクリレート]共重合体の合成
9-アントラアルデヒドオキシムメタクリレート単量体0.3モル、2-ヒドロキシエチルアクリレート0.3モル、グリシジルアクリレート0.2モル、メチルメタクリレート0.2モルを500mlの丸底フラスコに入れて攪拌しながら、予め用意したテトラヒドロフラン(THF)300gを入れて完全に混合し、2,2'-アゾビスイソブチロニトリル(AIBN)を0.1〜3g入れた後、窒素雰囲気下で60〜75℃温度で5〜20時間反応させた。反応終了後、この溶液をエチルエーテルまたはノーマルヘキサン溶媒に沈殿させた後、濾過して乾燥させると、化学式42のポリ[9-アントラアルデヒドオキシムメタクリレート−(2-ヒドロキシエチルアクリレート)−グリシジルアクリレート−メチルメタクリレート]樹脂が得られた。この時の歩留り率は79%であった。
Figure 0004808597
実施例21
ポリ[9-アントラアルデヒドオキシムメタクリレート−(3-ヒドロキシプロピルアクリレート)−グリシジルアクリレート−メチルメタクリレート]共重合体の合成
9-アントラアルデヒドオキシムメタクリレート単量体0.3モル、3-ヒドロキシプロピルアクリレート0.3モル、グリシジルアクリレート0.2モル、メチルメタクリレート0.2モルを500mlの丸底フラスコに入れて攪拌しながら、予め用意したテトラヒドロフラン(THF)300gを入れて完全に混合し、2,2'-アゾビスイソブチロニトリル(AIBN)を0.1〜3g入れた後、窒素雰囲気下で60〜75℃温度で5〜20時間反応させた。反応終了後、この溶液をエチルエーテルまたはノーマルヘキサン溶媒に沈殿させた後、濾過して乾燥させると、化学式43のポリ[9-アントラアルデヒドオキシムメタクリレート−(3-ヒドロキシプロピルアクリレート)−グリシジルアクリレート−メチルメタクリレート]樹脂が得られた。この時の歩留り率は81%であった。
Figure 0004808597
実施例22
ポリ[9-アントラアルデヒドオキシムメタクリレート−(4-ヒドロキシブチルアクリレート)−グリシジルアクリレート−メチルメタクリレート]共重合体の合成
9-アントラアルデヒドオキシムメタクリレート単量体0.3モル、4-ヒドロキシブチルアクリレート0.3モル、グリシジルアクリレート0.2モル、メチルメタクリレート0.2モルを500mlの丸底フラスコに入れて攪拌しながら、予め用意したテトラヒドロフラン(THF)300gを入れて完全に混合し、2,2'-アゾビスイソブチロニトリル(AIBN)を0.1〜3g入れた後、窒素雰囲気下で60〜75℃温度で5〜20時間反応させた。反応終了後、この溶液をエチルエーテルまたはノーマルヘキサン溶媒に沈殿させた後、濾過して乾燥させると、化学式44のポリ[9-アントラアルデヒドオキシムメタクリレート−(4-ヒドロキシブチルアクリレート)−グリシジルアクリレート−メチルメタクリレート]樹脂が得られた。この時の歩留り率は80%であった。
Figure 0004808597
実施例23
反射防止膜の製造
化学式1または化学式2を基本構造とする実施例1乃至22で得られた樹脂から選択されたいずれか1つを樹脂重合体の重量当たり200乃至5000重量%のプロピレングリコールメチルエーテルアセテート(PGMEA)に溶解させた後、この溶液を単独に用いるか
または前記表1の化学式3乃至20から選択されたいずれか1種の添加剤を0.1〜30重量%加えて完全に溶解させた後、濾過した溶液をワイパーに塗布して100−300℃の温度で10〜1000秒の間ハードベーキングを行った。次に、感光膜を塗布して微細パターンの形成工程を行った。
以上のように、本発明に係る前記化学式1または2を基本構造とする重合体と化学式3乃至20から選択された添加剤とを含む反射防止膜は、発色団を樹脂自体に含有しているので、反射防止膜として持つべき十分な吸光度を有する。
特に、本発明による重合体は架橋反応の効率性および貯蔵安定性が増大され、本発明の反射防止膜樹脂はハイドロカーボン系のすべての溶媒に対して溶解性が優秀であり、ハードベーキング時にはいかなる溶媒にも溶解されない耐溶解性を持っている。したがって、感光膜の塗布時には何らの問題も発生しない。更にパターンの形成時に、アンダーカッティングおよびフッティングが生じないだけでなく、特にアクリレート系の高分子で形成されているので、エッチングの際、感光膜に比べて優れたエッチング速度を持つことによって、エッチングの選択比が向上する効果がある。
したがって、本発明による重合体を半導体の製造工程中、超微細パターンの形成時に反射防止膜に使用することによって、248nm KrF、193nm ArF、および 157nm F2光を用いるリソグラフィー工程において下部膜層の反射を防止できるの
みならず、光およびフォトレジスト自体の厚さの変化による定在波を除去することによって64M、256M、1G、4G、16G DRAMの安定した超微細パターンを形成することができるので、製品の歩留り率が増大される。

Claims (11)

  1. 下記の化学式1の化合物を含む反射防止膜用の組成物。
    Figure 0004808597
    (上式中、Ra、Rb、Rcはそれぞれ水素またはメチル基、
    1〜R9はそれぞれ水素、ヒドロキシ、メトキシカルボニル、カルボキシル、ヒドロキシメチル、またはC1〜C6の置換若しくは非置換された直鎖若しくは分岐鎖のアルキル、アルコキシアルキル、
    w、x、yはそれぞれ0.01〜0.99のモル比
    m、nはそれぞれ1乃至5の定数を示している。)
  2. 下記の化学式2の化合物を含む反射防止膜用の組成物。
    Figure 0004808597
    (上式中、Ra、Rb、RcおよびRdはそれぞれ水素またはメチル基、
    1〜R9はそれぞれ水素、ヒドロキシ、メトキシカルボニル、カルボキシル、ヒドロキシメチル、またはC1〜C6の置換若しくは非置換された直鎖若しくは分岐鎖のアルキル、アルコキシアルキル、
    w:x:y:zはそれぞれ0.01〜0.99のモル比
    m、nはそれぞれ1乃至5の定数を示している。)
  3. 下記の表1での化学式3乃至20から成るグループの中から選択された1つまたは2つ以上の添加剤がさらに添加された請求項1または請求項2に記載の反射防止膜用の組成物。
    Figure 0004808597
    (表1で、R1、R2、およびR3はそれぞれ独立的に水素、ヒドロキシ、ヒドロキシメチル、またはC1〜C6の置換若しくは非置換された直鎖若しくは分岐鎖のアルキルを示している。)
  4. 請求項1に記載の化学式1の化合物または請求項2に記載の化学式2の化合物のうちのいずれかを有機溶媒に溶解させた後、この溶液を濾過して下部層に塗布してハードベーキングして形成される反射防止膜の製造方法。
  5. 前記有機溶媒はエチル−3-エトキシプロピオネート、メチル−3-メトキシプロピオネート、シクロヘキサノン、およびプロピレングリコールメチルエーテルアセテートから成るグループの中から選択された少なくともいずれか1つを使用し、前記有機溶媒は反射防止膜
    樹脂の200〜5000重量%の量で使用する請求項4に記載の反射防止膜の製造方法。
  6. ハードベーキング時の温度は100〜300℃である請求項4に記載の反射防止膜の製造方法。
  7. 請求項1に記載の化学式1の化合物または請求項2に記載の化学式2の化合物の中でいずれかを有機溶媒に溶解させた後、請求項3に記載の表1から選択された1または2以上の添加剤を添加した溶液を濾過して下部層に塗布してハードベーキングして形成される反射防止膜の製造方法。
  8. 前記有機溶媒はエチル3-エトキシプロピオネート、メチル3-メトキシプロピオネート、シクロヘキサノン、およびプロピレングリコールメチルエーテルアセテートから成るグループの中から選択された少なくともいずれか1つを使用し、前記有機溶媒は反射防止膜樹脂の200〜5000重量%の量で使用する請求項7に記載の反射防止膜の製造方法。
  9. 前記ハードベーキングは、100〜300℃の温度で行う請求項7に記載の反射防止膜の製造方法。
  10. 前記添加剤は0.1〜30重量%を使用する請求項7に記載の反射防止膜の製造方法。
  11. 請求項1または請求項2に記載の組成物を使用して製造される半導体素子。
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