JP4024456B2 - 有機反射防止重合体およびその製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体素子の製造工程中、193nm ArFレーザーによるリソグラフィー用フォトレジストを使用する超微細パターンの形成工程において、下部膜層の反射を防止してArF光およびフォトレジスト自体の厚さの変化によって生じる定在波を除去できる反射防止用の有機物質に関する。より詳しくは、64M、256M、1G、4G、16G DRAMの超微細パターンの形成時に、使用できる有機反射防止重合体およびその製造方法に関する。更に、本発明はこのような有機反射防止重合体を含む反射防止用の組成物、これを利用した反射防止膜およびその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体の製造工程中、超微細パターンの形成工程ではワイパー上の下部膜層の光学的性質および感光膜の厚さの変動による定在波(standing wave)、反射ノッチ(reflective notching)と下部膜からの回折光および反射光によるCD(critical dimension)の変動が不回避に起こる。したがって、露光源で使用する光の波長帯において光を良好に吸収する有機物質を導入し、下部膜層で反射を防止できる膜層を導入することが提案されている。この膜が反射防止膜である。
【0003】
反射防止膜は、使用される物質の種類によって大きく無機系反射防止膜と有機系反射防止膜に区分されるか、或いはその機構(mechanism)によって吸収系反射防止膜と干渉系反射防止膜とに分類される。365nm波長のI-線(I-line)を用いた微細パターンの形成工程では主に無機系反射防止膜が使用され、吸収系としてはTiNおよび無定形カーボン(Amorphous C)が、干渉系としては主にSiONが使用されてきた。
【0004】
KrF光を用いた超微細パターンの形成工程では主に無機系としてSiONが使用されてきたが、近年の趨勢では、反射防止膜に有機系化合物が使用されるようになってきている。今までの動向に鑑みる時、有機反射防止膜の多くは次のような基本条件を要する。
【0005】
第一に、工程適用の際、フォトレジストが溶媒により溶解されて剥がれる現象が起こらないようにする。このためには成形膜が架橋構造をなすように設計される必要があり、この時副産物として、化学物質が生じてはならない。
【0006】
第二に、反射防止膜への酸またはアミンなどの化学物質の出入りがあってはならない。反射防止膜へ酸が移行する場合にはパターンの下部に「アンダーカッティング」が発生し、アミンのような塩基が移行する場合には「フッティング」現象が生ずる傾向があるからである。
【0007】
第三に、反射防止膜は上部の感光膜に比べてより速いエッチング速度を持つようにする。これによって、エッチング時に感光膜をマスクとして円滑なエッチング工程を行うことができる。
【0008】
第四に、反射防止膜はなるべく薄膜で、充分反射防止膜として機能すべきである。一方、ArF光を用いる超微細パターンの形成工程においてはまだ適切な反射防止膜が開発されていない。更に、無機系反射防止膜の場合には193nm光源からの干渉現象を制御する物質が知られていないので、現在でも有機系反射防止膜を反射防止膜として使用しようとする研究が進められている。
【0009】
したがって、すべての感光膜において、露光の際に生じる定在波および光反射を防止し、下部層からの後面回折および反射光の影響を除去するために、特定波長に対する光吸収度の大きい有機反射防止物質の使用および開発が必要とされる。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
そこで、本発明の目的は半導体素子の製造工程中、193nm ArF光を用いて超微細パターンを形成する際に、反射防止膜に使用できる新規の有機化合物質を提供することにある。
【0011】
本発明の他の目的は、乱反射を防止することができる有機化合物質の製造方法を提供することにある。
本発明のまた別の目的は、このような反射防止用の化合物を含む反射防止用の組成物およびその製造方法を提供することにある。
【0012】
更に、本発明の他の目的は、このような乱反射防止用の組成物を使用して形成された乱反射防止膜およびその形成方法を提供することにある。
【0013】
【課題を解決するための手段】
本発明では重合体自体が、193nm波長で光の吸収が起こるように吸光度の大きいフェニル基およびアミド結合を含むようにし、有機反射防止膜の成形性、気密性、耐溶解性を与えるためにコーティングの後ハードベーキング架橋反応が起こるように樹脂内のエポキシ構造の開環反応で架橋させる架橋メカニズムを導入した。特に、本発明では架橋反応の効率性および貯蔵安定性が増大され、本発明の反射防止膜樹脂はハイドロカーボン系のすべての溶媒に対して溶解性が優れており、ハードベーキング時にはいかなる溶媒にも溶解されない耐溶解性を持っている。したがって、感光膜の塗布時には何らの問題も発生しない。更にパターンの形成時に、「アンダーカッティング」および「フッティング」が生じなく、特にアクリレート系の高分子で形成されているので、エッチングの際、感光膜に比べて優れたエッチング速度を持つことによって、エッチングの選択比が向上した。
【0014】
本発明の目的を達成するために本発明の有機反射防止膜に用いられる樹脂は、193nm波長で吸光度の大きいフェニル基およびアミド結合を導入することによって、この193nm波長で吸収が起こるように設計されたもので、基本式は下記の一般式(i)および一般式(ii)のようである。
【0015】
【化6】
上式中、Ra、Rb、RcおよびRdはそれぞれ水素またはメチル基、R1は水素、ヒドロキシ、またはC1〜C5の置換若しくは非置換された直鎖若しくは分岐鎖のアルキル、シクロアルキル、アルコキシアルキル、若しくはシクロアルコキシアルキル、w、x、y、zはそれぞれ0.01〜0.99のモル比、n1、n2はそれぞれ1〜4を示している。
【0016】
【化7】
上式中、Ra、Rb、Rcはそれぞれ水素またはメチル基、R1は水素、ヒドロキシ、またはC1〜C5の置換若しくは非置換された直鎖若しくは分岐鎖のアルキル、シクロアルキル、アルコキシアルキル、若しくはシクロアルコキシアルキル、x、y、zはそれぞれ0.01〜0.99のモル比、nは1〜4を示している。
【0017】
本発明に係る重合体は吸光度の大きいフェニル基およびアミド結合を導入することによって193nmで吸収が起きるように設計されたものであり、本発明に係る前記一般式(i)の重合体は下記の反応式(I)のように、p-トシルアルキルアクリレート系単量体、ヒドロキシアルキルアクリレート系単量体、メチルアクリレート系単量体、グリシジルアクリレート系単量体を開始剤と共に溶媒の中で重合反応させることによって得られ、この時、各単量体のモル比は0.01〜0.99である。
【0018】
【化8】
上式中、Ra、Rb、RcおよびRdはそれぞれ水素またはメチル基、R1は水素、ヒドロキシ、またはC1〜C5の置換若しくは非置換された直鎖若しくは分岐鎖のアルキル、シクロアルキル、アルコキシアルキル、若しくはシクロアルコキシアルキル、n1、n2はそれぞれ1〜4を示している。
【0019】
また一般式(ii)の重合体は下記の反応式(II)のように、p-トシルアルキルアクリレート系単量体、ヒドロキシアルキルアクリレート系単量体、メチルアクリレート系単量体を開始剤と共に溶媒の中で重合反応させることによって得られ、この時、各単量体のモル比は0.01〜0.99である。
【0020】
【化9】
上式中、Ra、Rb、Rcはそれぞれ水素またはメチル基、R1は水素、ヒドロキシ、またはC1〜C5の置換若しくは非置換された直鎖若しくは分岐鎖のアルキル、シクロアルキル、アルコキシアルキル、若しくはシクロアルコキシアルキル、nは1〜4を示している。
【0021】
本発明に係る前記一般式(i)および一般式(ii)の重合体を製造する際、使用する開始剤は、一般的なラジカル開始剤であり、好ましくは2,2-アゾビスイソブチロニトリル(AIBN)、過酸化アセチル、過酸化ラウリル、t−過酸化ブチルから成るグループの中から選択された少なくともいずれか1つである。また、使用する溶媒は、一般的な有機溶媒であり、好ましくはテトラヒドロフラン、トルエン、ベンジン、メチルエチルケトンまたはジオキサンから成るグループの中から選択された少なくともいずれか1つを使用する。
【0022】
重合反応は、50〜80℃の温度範囲でおこなわれることが望ましい。
また前記一般式(i)の重合体を適当な有機溶媒に溶解させた後濾過した溶液、或いは前記一般式(ii)の重合体を適当な有機溶媒に溶解させた後、1種以上の添加剤を0.1〜30重量%添加してから濾過した溶液を、ワイパーに塗布してハードベーキングすることによって、反射防止膜樹脂を架橋させて製造し、これを利用して半導体素子を生産する。
【0023】
この時に使用する有機溶媒は、通常的な有機溶媒であり、好ましくはエチル-3-エトキシプロピオネート、メチル-3-メトキシプロピオネート、シクロヘキサノン、プロピレングリコールメチルエーテルアセテートから成るグループの中から選択された少なくともいずれか1つである。また使用量は、反射防止膜樹脂重合体の重量当たり200〜5000重量%が望ましい。
【0024】
添加剤は、アクロレインジメチルアセタール、アクロレインジエチルアセタールおよびメラミン系の架橋剤から成るグループの中から選択される。
本発明に係る反射防止膜重合体は193nm ArFレーザーを使用する超微細パターンの形成工程の有機反射防止膜で優れた性能を示すことを確認した。また、ArF光の以外に248nmKrF、157nmF2レーザーおよび露光源としてE-ビーム、EUV(extremely ultraviolet)、イオンビームなどを使用する場合にも優れた反射防止効果を示すことを確認した。
【0025】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施例を通じてより具体的に説明する。しかし、本実施例は本発明の権利範囲を限定するものではなく、ただ例示として提示されたものである。
【0026】
実施例1
p-トシルメチルアクリルアミド単量体の合成
水に溶解しているN-ヒドロキシメチルアクリルアミド単量体48重量%をジエチルエーテルまたはノーマル−ヘキサンに添加して沈殿させた後、これを分離、乾燥して準備した。準備したN-ヒドロキシメチルアクリルアミド30.33g(0.3モル)とp-トルエンスルホニルクロライド66.73g(0.35モル)をトリエチルアミン40.48g(0.4モル)に2分して各々入れて完全に溶解させて混合した後、N-ヒドロキシメチルアクリルアミド/トリエチルアミン溶液をまず500mlの丸底フラスコに入れて窒素雰囲気下で撹拌しながらp-トルエンスルホニルクロライド/トリエチルアミン溶液をゆっくり入れて反応させた。反応を24時間以上続けた。反応させながらTLCで反応度を点検し、反応が終了すると、1N硫酸水溶液で中和させた後、脱イオン水で洗浄して有機溶媒層の反応物を抽出し、MgSO4で有機溶媒中の水を除去して減圧蒸留して下記化学式1の単量体が得られた。この時、歩留り率は85乃至90%であった。
【0027】
【化10】
実施例2
p-トシルメチルメタクリルアミド単量体の合成
水に溶解しているN-ヒドロキシメチルメタクリルアミド単量体52.6重量%をジエチルエーテルまたはノーマル−ヘキサンに添加して沈殿させた後、これを分離、乾燥して準備した。準備したN-ヒドロキシメチルアクリルアミド34.54g(0.3モル)とp-トルエンスルホニルクロライド66.73g(0.35モル)をトリエチルアミン40.48g(0.4モル)に2分して各々入れて完全に溶解させて混合した後、N-ヒドロキシメチルメタクリルアミド/トリエチルアミン溶液をまず500mlの丸底フラスコに入れて窒素雰囲気下で撹拌しながらp-トルエンスルホニルクロライド/トリエチルアミン溶液をゆっくり入れて反応させた。反応を24時間以上続けた。反応させながらTLCで反応度を点検し、反応が終了すると、1N硫酸水溶液で中和させた後、脱イオン水で洗浄して有機溶媒層の反応物を抽出し、MgSO4で有機溶媒中の水を除去して減圧蒸留して下記化学式2の単量体が得られた。この時、歩留り率は85乃至90%であった。
【0028】
【化11】
実施例3
ポリ(トシルメチルアクリルアミド−ヒドロキシエチルアクリレート−メチルメタクリレート−グリシジルメタクリレート)4元共重合体の合成
p-トシルメチルアクリルアミド71.78g(0.3モル)、ヒドロキシエチルアクリレート29g(0.25モル)、メチルメタクリレート10.01g(0.1モル)、グリシジルメタクリレート42.65g(0.3モル)を500mlの丸底フラスコに入れて攪拌しながら、予め用意したテトラヒドロフラン(THF)300gを入れて完全に混合し、2,2'−アゾビスイソブチロニトリル(AIBN)を0.1〜3g入れた後、窒素雰囲気下で60〜75℃温度で5〜20時間反応させた。反応終了後、この溶液をエチルエーテルまたはノーマル−ヘキサン溶媒に沈殿させた後、濾過して乾燥させると、下記化学式3のポリ(トシルメチルアクリルアミド−ヒドロキシエチルアクリレート−メチルメタクリレート−グリシジルメタクリレート)樹脂が得られた。この時の歩留り率は70乃至75%であった。
【0029】
【化12】
実施例4
ポリ(トシルメチルアクリルアミド−ヒドロキシエチルメタクリレート−メチルメタクリレート−グリシジルメタクリレート)4元共重合体の合成
p-トシルメチルアクリルアミド78.96g(0.33モル)、ヒドロキシエチルメタクリレート26g(0.2モル)、メチルメタクリレート15.17g(0.15モル)、グリシジルメタクリレート42.65g(0.3モル)を500mlの丸底フラスコに入れて攪拌しながら、予め用意したテトラヒドロフラン(THF)300gを入れて完全に混合し、2,2'−アゾビスイソブチロニトリル(AIBN)を0.1〜3g入れた後、窒素雰囲気下で60〜75℃温度で5〜20時間反応させた。反応終了後、この溶液をエチルエーテルまたはノーマル−ヘキサン溶媒に沈殿させた後、濾過して乾燥させると、化学式4のポリ(トシルメチルアクリルアミド−ヒドロキシエチルメタクリレート−メチルメタクリレート−グリシジルメタクリレート)樹脂が得られた。この時の歩留り率は70乃至75%であった。
【0030】
【化13】
実施例5
ポリ(トシルメチルアクリルアミド−ヒドロキシプロピルアクリレート−メチルメタクリレート−グリシジルメタクリレート)4元共重合体の合成
p-トシルメチルアクリルアミド71.78g(0.3モル)、ヒドロキシプロピルアクリレート32.54g(0.25モル)、メチルメタクリレート10.01g(0.1モル)、グリシジルメタクリレート42.65g(0.3モル)を500mlの丸底フラスコに入れて攪拌しながら、予め用意したテトラヒドロフラン(THF)300gを入れて完全に混合し、2,2'−アゾビスイソブチロニトリル(AIBN)を0.1〜3g入れた後、窒素雰囲気下で60〜75℃の温度で5〜20時間反応させた。反応終了後、この溶液をエチルエーテルまたはノーマル−ヘキサン溶媒に沈殿させた後、濾過して乾燥させると、化学式5のポリ(トシルメチルアクリルアミド−ヒドロキシプロピルアクリレート−メチルメタクリレート−グリシジルメタクリレート)樹脂が得られた。この時の歩留り率は70乃至75%であった。
【0031】
【化14】
実施例6
ポリ(トシルメチルアクリルアミド−ヒドロキシプロピルメタクリレート−メチルメタクリレート−グリシジルメタクリレート)4元共重合体の合成
p-トシルメチルアクリルアミド71.78g(0.3モル)、ヒドロキシプロピルメタクリレート33.14g(0.23モル)、メチルメタクリレート10.01g(0.1モル)、グリシジルメタクリレート42.65g(0.3モル)を500mlの丸底フラスコに入れて攪拌しながら、予め用意したテトラヒドロフラン(THF)300gを入れて完全に混合し、2,2'−アゾビスイソブチロニトリル(AIBN)を0.1〜3g入れた後、窒素雰囲気下で60〜75℃温度で5〜20時間反応させた。反応終了後、この溶液をエチルエーテルまたはノーマル−ヘキサン溶媒に沈殿させた後、濾過して乾燥させると、化学式6のポリ(トシルメチルアクリルアミド−ヒドロキシプロピルメタクリレート−メチルメタクリレート−グリシジルメタクリレート)樹脂が得られた。この時の歩留り率は70乃至75%であった。
【0032】
【化15】
実施例7
ポリ(トシルメチルアクリルアミド−ヒドロキシブチルアクリレート−メチルメタクリレート−グリシジルメタクリレート)4元共重合体の合成
p-トシルメチルアクリルアミド71.78g(0.3モル)、ヒドロキシブチルアクリレート28.83g(0.2モル)、メチルメタクリレート10.01g(0.1モル)、グリシジルメタクリレート42.65g(0.3モル)を500mlの丸底フラスコに入れて攪拌しながら、予め用意したテトラヒドロフラン(THF)300gを入れて完全に混合し、2,2'−アゾビスイソブチロニトリル(AIBN)を0.1〜3g入れた後、窒素雰囲気下で60〜75℃温度で5〜20時間反応させた。反応終了後、この溶液をエチルエーテルまたはノーマル−ヘキサン溶媒に沈殿させた後、濾過して乾燥させると、化学式7のポリ(トシルメチルアクリルアミド−ヒドロキシブチルアクリレート−メチルメタクリレート−グリシジルメタクリレート)樹脂が得られた。この時の歩留り率は65乃至70%であった。
【0033】
【化16】
実施例8
ポリ(トシルメチルメタクリルアミド−ヒドロキシエチルメタクリレート−メチルアクリレート−グリシジルメタクリレート)4元共重合体の合成
p-トシルメチルメタクリルアミド75.99g(0.3モル)、ヒドロキシエチルメタクリレート29.03g(0.25モル)、メチルアクリレート15.02g(0.15モル)、グリシジルメタクリレート42.65g(0.3モル)を500mlの丸底フラスコに入れて攪拌しながら、予め用意したテトラヒドロフラン(THF)300gを入れて完全に混合し、2,2'−アゾビスイソブチロニトリル(AIBN)を0.1〜3g入れた後、窒素雰囲気下で60〜75℃温度で5〜20時間反応させた。反応終了後、この溶液をエチルエーテルまたはノーマル−ヘキサン溶媒に沈殿させた後、濾過して乾燥させると、化学式8のポリ(トシルメチルメタクリルアミド−ヒドロキシエチルメタクリレート−メチルアクリレート−グリシジルメタクリレート)樹脂が得られた。この時の歩留り率は70乃至75%であった。
【0034】
【化17】
実施例9
ポリ(トシルメチルメタクリルアミド−ヒドロキシエチルアクリレート−メチルメタクリレート−グリシジルメタクリレート)4元共重合体の合成
p-トシルメチルメタクリルアミド75.99g(0.3モル)、ヒドロキシエチルアクリレート26.3g(0.2モル)、メチルメタクリレート12.91g(0.15モル)、グリシジルメタクリレート42.65g(0.3モル)を500mlの丸底フラスコに入れて攪拌しながら、予め用意したテトラヒドロフラン(THF)300gを入れて完全に混合し、2,2'−アゾビスイソブチロニトリル(AIBN)を0.1〜3g入れた後、窒素雰囲気下で60〜75℃の温度で5〜20時間反応させた。反応終了後、この溶液をエチルエーテルまたはノーマル−ヘキサン溶媒に沈殿させた後、濾過して乾燥させると、化学式9のポリ(トシルメチルメタクリルアミド−ヒドロキシエチルアクリレート−メチルメタクリレート−グリシジルメタクリレート)樹脂が得られた。この時の歩留り率は70乃至75%であった。
【0035】
【化18】
実施例10
ポリ(トシルメチルメタクリルアミド−ヒドロキシプロピルメタクリレート−メチルメタクリレート−グリシジルメタクリレート)4元共重合体の合成
p-トシルメチルメタクリルアミド75.99g(0.3モル)、ヒドロキシプロピルメタクリレート32.54g(0.25モル)、メチルメタクリレート15.02g(0.15モル)、グリシジルメタクリレート42.65g(0.3モル)を500mlの丸底フラスコに入れて攪拌しながら、予め用意したテトラヒドロフラン(THF)300gを入れて完全に混合し、2,2'−アゾビスイソブチロニトリル(AIBN)を0.1〜3g入れた後、窒素雰囲気下で60〜75℃の温度で5〜20時間反応させた。反応終了後、この溶液をエチルエーテルまたはノーマル−ヘキサン溶媒に沈殿させた後、濾過して乾燥させると、化学式10のポリ(トシルメチルメタクリルアミド−ヒドロキシプロピルメタクリレート−メチルメタクリレート−グリシジルメタクリレート)樹脂が得られた。この時の歩留り率は70乃至75%であった。
【0036】
【化19】
実施例11
ポリ(トシルメチルメタクリルアミド−ヒドロキシプロピルメタクリレート−メチルアクリレート−グリシジルメタクリレート)4元共重合体の合成
p-トシルメチルメタクリルアミド75.99g(0.3モル)、ヒドロキシプロピルメタクリレート31.72g(0.22モル)、メチルアクリレート12.91g(0.15モル)、グリシジルメタクリレート42.65g(0.3モル)を500mlの丸底フラスコに入れて攪拌しながら、予め用意したテトラヒドロフラン(THF)300gを入れて完全に混合し、2,2'−アゾビスイソブチロニトリル(AIBN)を0.1〜3g入れた後、窒素雰囲気下で60〜75℃の温度で5〜20時間反応させた。反応終了後、この溶液をエチルエーテルまたはノーマル−ヘキサン溶媒に沈殿させた後、濾過して乾燥させると、化学式11のポリ(トシルメチルメタクリルアミド−ヒドロキシプロピルメタクリレート−メチルアクリレート−グリシジルメタクリレート)樹脂が得られた。この時の歩留り率は65乃至70%であった。
【0037】
【化20】
実施例12
ポリ(トシルメチルメタクリルアミド−ヒドロキシブチルアクリレート−メチルメタクリレート−グリシジルメタクリレート)4元共重合体の合成
p-トシルメチルメタクリルアミド75.99g(0.3モル)、ヒドロキシブチルアクリレート28.83g(0.2モル)、メチルメタクリレート10.01g(0.1モル)、グリシジルメタクリレート42.65g(0.3モル)を500mlの丸底フラスコに入れて攪拌しながら、予め用意したテトラヒドロフラン(THF)300gを入れて完全に混合し、2,2'−アゾビスイソブチロニトリル(AIBN)を0.1〜3g入れた後、窒素雰囲気下で60〜75℃の温度で5〜20時間反応させた。反応終了後、この溶液をエチルエーテルまたはノーマル−ヘキサン溶媒に沈殿させた後、濾過して乾燥させると、化学式12のポリ(トシルメチルメタクリルアミド−ヒドロキシブチルアクリレート−メチルメタクリレート−グリシジルメタクリレート)樹脂が得られた。この時の歩留り率は65乃至70%であった。
【0038】
【化21】
実施例13
ポリ(トシルメチルアクリルアミド−ヒドロキシエチルアクリレート−メチルメタクリレート)3元共重合体の合成
p-トシルメチルアクリルアミド71.78g(0.3モル)、ヒドロキシエチルアクリレート29g(0.25モル)、メチルメタクリレート10.01g(0.1モル)を500mlの丸底フラスコに入れて攪拌しながら、予め用意したテトラヒドロフラン(THF)300gを入れて完全に混合し、2,2'−アゾビスイソブチロニトリル(AIBN)を0.1〜3g入れた後、窒素雰囲気下で60〜75℃の温度で5〜20時間反応させた。反応終了後、この溶液をエチルエーテルまたはノーマル−ヘキサン溶媒に沈殿させた後、濾過して乾燥させると、化学式13のポリ(トシルメチルアクリルアミド−ヒドロキシエチルアクリレート−メチルメタクリレート)樹脂が得られた。この時の歩留り率は70乃至75%であった。
【0039】
【化22】
実施例14
ポリ(トシルメチルアクリルアミド−ヒドロキシエチルメタクリレート−メチルメタクリレート)3元共重合体の合成
p-トシルメチルアクリルアミド78.96g(0.33モル)、ヒドロキシエチルメタクリレート26g(0.2モル)、メチルメタクリレート15.17g(0.15モル)を500mlの丸底フラスコに入れて攪拌しながら、予め用意したテトラヒドロフラン(THF)300gを入れて完全に混合し、2,2'−アゾビスイソブチロニトリル(AIBN)を0.1〜3g入れた後、窒素雰囲気下で60〜75℃の温度で5〜20時間反応させた。反応終了後、この溶液をエチルエーテルまたはノーマル−ヘキサン溶媒に沈殿させた後、濾過して乾燥させると、化学式14のポリ(トシルメチルアクリルアミド−ヒドロキシエチルメタクリレート−メチルメタクリレート)樹脂が得られた。この時の歩留り率は70乃至75%であった。
【0040】
【化23】
実施例15
ポリ(トシルメチルアクリルアミド−ヒドロキシプロピルアクリレート−メチルメタクリレート)3元共重合体の合成
p-トシルメチルアクリルアミド71.78g(0.3モル)、ヒドロキシプロピルアクリレート32.54g(0.25モル)、メチルメタクリレート10.01g(0.1モル)を500mlの丸底フラスコに入れて攪拌しながら、予め用意したテトラヒドロフラン(THF)300gを入れて完全に混合し、2,2'−アゾビスイソブチロニトリル(AIBN)を0.1〜3g入れた後、窒素雰囲気下で60〜75℃の温度で5〜20時間反応させた。反応終了後、この溶液をエチルエーテルまたはノーマル−ヘキサン溶媒に沈殿させた後、濾過して乾燥させると、化学式15のポリ(トシルメチルアクリルアミド−ヒドロキシプロピルアクリレート−メチルメタクリレート)樹脂が得られた。この時の歩留り率は70乃至75%であった。
【0041】
【化24】
実施例16
ポリ(トシルメチルアクリルアミド−ヒドロキシプロピルメタクリレート−メチルメタクリレート)3元共重合体の合成
p-トシルメチルアクリルアミド71.78g(0.3モル)、ヒドロキシプロピルメタクリレート33.14g(0.23モル)、メチルメタクリレート10.01g(0.1モル)を500mlの丸底フラスコに入れて攪拌しながら、予め用意したテトラヒドロフラン(THF)300gを入れて完全に混合し、2,2'−アゾビスイソブチロニトリル(AIBN)を0.1〜3g入れた後、窒素雰囲気下で60〜75℃の温度で5〜20時間反応させた。反応終了後、この溶液をエチルエーテルまたはノーマル−ヘキサン溶媒に沈殿させた後、濾過して乾燥させると、化学式16のポリ(トシルメチルアクリルアミド−ヒドロキシプロピルメタクリレート−メチルメタクリレート)樹脂が得られた。この時の歩留り率は70乃至75%であった。
【0042】
【化25】
実施例17
ポリ(トシルメチルアクリルアミド−ヒドロキシブチルアクリレート−メチルメタクリレート)3元共重合体の合成
p-トシルメチルアクリルアミド71.78g(0.3モル)、ヒドロキシブチルアクリレート28.83g(0.2モル)、メチルメタクリレート10.01g(0.1モル)を500mlの丸底フラスコに入れて攪拌しながら、予め用意したテトラヒドロフラン(THF)300gを入れて完全に混合し、2,2'−アゾビスイソブチロニトリル(AIBN)を0.1〜3g入れた後、窒素雰囲気下で60〜75℃の温度で5〜20時間反応させた。反応終了後、この溶液をエチルエーテルまたはノーマル−ヘキサン溶媒に沈殿させた後、濾過して乾燥させると、化学式17のポリ(トシルメチルアクリルアミド−ヒドロキシブチルアクリレート−メチルメタクリレート)樹脂が得られた。この時の歩留り率は65乃至70%であった。
【0043】
【化26】
実施例18
ポリ(トシルメチルメタクリルアミド−ヒドロキシエチルアクリレート−メチルメタクリレート)3元共重合体の合成
p-トシルメチルメタクリルアミド75.99g(0.3モル)、ヒドロキシエチルアクリレート29.03g(0.25モル)、メチルメタクリレート15.02g(0.15モル)を500mlの丸底フラスコに入れて攪拌しながら、予め用意したテトラヒドロフラン(THF)300gを入れて完全に混合し、2,2'−アゾビスイソブチロニトリル(AIBN)を0.1〜3g入れた後、窒素雰囲気下で60〜75℃の温度で5〜20時間反応させた。反応終了後、この溶液をエチルエーテルまたはノーマル−ヘキサン溶媒に沈殿させた後、濾過して乾燥させると、化学式18のポリ(トシルメチルメタクリルアミド−ヒドロキシエチルアクリレート−メチルメタクリレート)樹脂が得られた。この時の歩留り率は70乃至75%であった。
【0044】
【化27】
実施例19
ポリ(トシルメチルメタクリルアミド−ヒドロキシエチルメタクリレート−メチルメタクリレート)3元共重合体の合成
p-トシルメチルメタクリルアミド75.99g(0.3モル)、ヒドロキシエチルメタクリレート26.3g(0.2モル)、メチルメタクリレート12.91g(0.15モル)を500mlの丸底フラスコに入れて攪拌しながら、予め用意したテトラヒドロフラン(THF)300gを入れて完全に混合し、2,2'−アゾビスイソブチロニトリル(AIBN)を0.1〜3g入れた後、窒素雰囲気下で60〜75℃の温度で5〜20時間反応させた。反応終了後、この溶液をエチルエーテルまたはノーマル−ヘキサン溶媒に沈殿させた後、濾過して乾燥させると、化学式19のポリ(トシルメチルメタクリルアミド−ヒドロキシエチルメタクリレート−メチルメタクリレート)樹脂が得られた。この時の歩留り率は70乃至75%であった。
【0045】
【化28】
実施例20
ポリ(トシルメチルメタクリルアミド−ヒドロキシプロピルアクリレート−メチルメタクリレート)3元共重合体の合成
p-トシルメチルメタクリルアミド75.99g(0.3モル)、ヒドロキシプロピルアクリレート32.54g(0.25モル)、メチルメタクリレート15.02g(0.15モル)を500mlの丸底フラスコに入れて攪拌しながら、予め用意したテトラヒドロフラン(THF)300gを入れて完全に混合し、2,2'−アゾビスイソブチロニトリル(AIBN)を0.1〜3g入れた後、窒素雰囲気下で60〜75℃の温度で5〜20時間反応させた。反応終了後、この溶液をエチルエーテルまたはノーマル−ヘキサン溶媒に沈殿させた後、濾過して乾燥させると、化学式20のポリ(トシルメチルメタクリルアミド−ヒドロキシプロピルアクリレート−メチルメタクリレート)樹脂が得られた。この時の歩留り率は70乃至75%であった。
【0046】
【化29】
実施例21
ポリ(トシルメチルメタクリルアミド−ヒドロキシプロピルメタクリレート−メチルメタクリレート)3元共重合体の合成
p-トシルメチルメタクリルアミド75.99g(0.3モル)、ヒドロキシプロピルメタクリレート31.72g(0.22モル)、メチルメタクリレート12.91g(0.15モル)を500mlの丸底フラスコに入れて攪拌しながら、予め用意したテトラヒドロフラン(THF)300gを入れて完全に混合し、2,2'−アゾビスイソブチロニトリル(AIBN)を0.1〜3g入れた後、窒素雰囲気下で60〜75℃の温度で5〜20時間反応させた。反応終了後、この溶液をエチルエーテルまたはノーマル−ヘキサン溶媒に沈殿させた後、濾過して乾燥させると、化学式21のポリ(トシルメチルメタクリルアミド−ヒドロキシプロピルメタクリレート−メチルメタクリレート)樹脂が得られた。この時の歩留り率は70乃至75%であった。
【0047】
【化30】
実施例22
ポリ(トシルメチルメタクリルアミド−ヒドロキシブチルアクリレート−メチルメタクリレート)3元共重合体の合成
p-トシルメチルメタクリルアミド75.99g(0.3モル)、ヒドロキシブチルアクリレート28.83g(0.2モル)、メチルメタクリレート10.01g(0.1モル)を500mlの丸底フラスコに入れて攪拌しながら、予め用意したテトラヒドロフラン(THF)300gを入れて完全に混合し、2,2'−アゾビスイソブチロニトリル(AIBN)を0.1〜3g入れた後、窒素雰囲気下で60〜75℃の温度で5〜20時間反応させた。反応終了後、この溶液をエチルエーテルまたはノーマル−ヘキサン溶媒に沈殿させた後、濾過して乾燥させると、化学式22のポリ(トシルメチルメタクリルアミド−ヒドロキシブチルアクリレート−メチルメタクリレート)樹脂が得られた。この時の歩留り率は65乃至70%であった。
【0048】
【化31】
実施例23
反射防止膜の製造
一般式(i)を基本構造とする実施例3乃至12で得られた樹脂から選択されたいずれか1つを樹脂重合体の重量当たり200乃至5000重量%のプロピレングリコールメチルエーテルアセテート(PGMEA)に溶解させた後、濾過した溶液をワイパーに塗布して100−300℃の温度で10〜1000秒の間ハードベーキングを行う。次に、感光膜を塗布して微細パターンの形成工程を行う。
【0049】
実施例24
反射防止膜の製造
一般式(ii)を基本構造とする実施例13乃至22で得られた樹脂から選択されたいずれか1つを樹脂重合体の重量当たり200乃至5000重量%のプロピレングリコールメチルエーテルアセテート(PGMEA)に溶解させた後、この溶液を単独に用いるか、或いはアクロレインジメチルアセタール、アクロレインジエチルアセタールおよびメラミン系架橋剤から選択されたいずれか1種の添加剤を0.1〜30重量%加えて完全に溶解させた後、濾過した溶液をワイパーに塗布して100−300℃の温度で10〜1000秒の間ハードベーキングを行う。次に、感光膜を塗布して微細パターンの形成工程を行う。
【0050】
【発明の効果】
以上のように、本発明に係る前記一般式(i)および(ii)を基本構造とする化学式3乃至22の重合体樹脂から構成された反射防止膜は、193nm波長で良好に吸収できるように吸光度の大きいフェニル基およびアミド結合を樹脂自体に含んでいるので、反射防止膜として持つべきの十分な吸光度を有している。したがって、本発明による重合体を半導体の製造工程中、超微細パターンの形成時に反射防止膜に使用することによって、193nm ArF光を用いるリソグラフィー工程において下部膜層の反射を防止できるのみならず、光およびフォトレジスト自体の厚さの変化による定在波を除去することによって64M、256M、1G、4G、16G DRAMの安定した超微細パターンを形成することができるので、製品の歩留り率が増大される。
Claims (41)
- Ra、Rb、RcおよびRdはそれぞれ水素またはメチル基、R1はメチル基、w、x、y、zはそれぞれ0.01〜0.99のモル比、n1、n2はそれぞれ1〜4を示している請求項1に記載の重合体化合物。
- ポリ(トシルメチルアクリルアミド−ヒドロキシエチルアクリレート−メチルメタクリレート−グリシジルメタクリレート)であり、各単量体のモル比は0.3:0.25:0.1:0.3である請求項1に記載の重合体化合物。
- ポリ(トシルメチルアクリルアミド−ヒドロキシエチルメタクリレート−メチルメタクリレート−グリシジルメタクリレート)であり、各単量体のモル比は0.33:0.2:0.15:0.3である請求項1に記載の重合体化合物。
- ポリ(トシルメチルアクリルアミド−ヒドロキシプロピルアクリレー
ト−メチルメタクリレート−グリシジルメタクリレート)であり、各単量体のモル比は0.3:0.25:0.1:0.3である請求項1に記載の重合体化合物。 - ポリ(トシルメチルアクリルアミド−ヒドロキシプロピルメタクリレート−メチルメタクリレート−グリシジルメタクリレート)であり、各単量体のモル比は0.3:0.23:0.1:0.3である請求項1に記載の重合体化合物。
- ポリ(トシルメチルアクリルアミド−ヒドロキシブチルアクリレート−メチルメタクリレート−グリシジルメタクリレート)であり、各単量体のモル比は0.3:0.2:0.1:0.3である請求項1に記載の重合体化合物。
- ポリ(トシルメチルメタクリルアミド−ヒドロキシエチルアクリレート−メチルアクリレート−グリシジルメタクリレート)であり、各単量体のモル比は0.3:0.25:0.15:0.3である請求項1に記載の重合体化合物。
- ポリ(トシルメチルメタクリルアミド−ヒドロキシエチルアクリレート−メチルメタクリレート−グリシジルメタクリレート)であり、各単量体のモル比は0.3:0.2:0.15:0.3である請求項1に記載の重合体化合物。
- ポリ(トシルメチルメタクリルアミド−ヒドロキシプロピルメタクリレート−メチルメタクリレート−グリシジルメタクリレート)であり、各単量体のモル比は0.3:0.25:0.15:0.3である請求項1に記載の重合体化合物。
- ポリ(トシルメチルメタクリルアミド−ヒドロキシプロピルメタクリレート−メチルアクリレート−グリシジルメタクリレート)であり、各単量体のモル比は0.3:0.22:0.15:0.3である請求項1に記載の重合体化合物。
- ポリ(トシルメチルメタクリルアミド−ヒドロキシブチルアクリレート−メチルメタクリレート−グリシジルメタクリレート)であり、各単量体のモル比は0.3:0.2:0.1:0.3である請求項1に記載の重合体化合物。
- Ra、Rb、Rc、Rdは水素またはメチル、R1はメチルをそれぞれ示し、各単量体のモル比はそれぞれ0.01〜0.99である請求項13に記載の製造方法。
- 前記開始剤は2,2-アゾビスイソブチロニトリル(AIBN)、過酸化アセチル、過酸化ラウリルおよびt−過酸化ブチルから成るグループの中から選択された少なくともいずれか1つである請求項13に記載の製造方法。
- 前記溶媒はテトラヒドロフラン、トルエン、ベンジン、メチルエチルケトンおよびジオキサンから成るグループの中から選択された少なくともいずれか1つである請求項13に記載の製造方法。
- 前記重合反応は50〜80℃の温度範囲で行うことを特徴とする請求項13に記載の製造方法。
- Ra、Rb、RcおよびRdはそれぞれ水素またはメチル基、R1はメチル、x、y、zはそれぞれ0.01〜0.99のモル比、nは1〜4を示している請求項18に記載の重合体化合物。
- ポリ(トシルメチルアクリルアミド−ヒドロキシエチルアクリレート−メチルメタクリレート)であり、各単量体のモル比は0.3:0.3:0.25である請求項18に記載の重合体化合物。
- ポリ(トシルメチルアクリルアミド−ヒドロキシエチルメタクリレート−メチルメタクリレート)であり、各単量体のモル比は0.33:0.35:0.25である請求項18に記載の重合体化合物。
- ポリ(トシルメチルアクリルアミド−ヒドロキシプロピルアクリレート−メチルメタクリレート)であり、各単量体のモル比は0.3:0.33:0.22である請求項18に記載の重合体化合物。
- ポリ(トシルメチルアクリルアミド−ヒドロキシプロピルメタクリレート−メチルメタクリレート)であり、各単量体のモル比は0.3:0.33:0.25である請求項18に記載の重合体化合物。
- ポリ(トシルメチルアクリルアミド−ヒドロキシブチルアクリレート−メチルメタクリレート)であり、各単量体のモル比は0.3:0.3:0.3である請求項18に記載の重合体化合物。
- ポリ(トシルメチルメタクリルアミド−ヒドロキシエチルアクリレート−メチルメタクリレート)であり、各単量体のモル比は0.3:0.25:0.3である請求項18に記載の重合体化合物。
- ポリ(トシルメチルメタクリルアミド−ヒドロキシエチルメタクリレート−メチルメタクリレート)であり、各単量体のモル比は0.3:0.32:0.3である請求項18に記載の重合体化合物。
- ポリ(トシルメチルメタクリルアミド−ヒドロキシプロピルアクリレート−メチルメタクリレート)であり、各単量体のモル比は0.3:0.33:0.3である請求項18に記載の重合体化合物。
- ポリ(トシルメチルメタクリルアミド−ヒドロキシプロピルメタクリレート−メチルメタクリレート)であり、各単量体のモル比は0.3:0.3:0.3である請求項18に記載の重合体化合物。
- ポリ(トシルメチルメタクリルアミド−ヒドロキシブチルアクリレート−メチルメタクリレート)であり、各単量体のモル比は0.3:0.33:0.3である請求項18に記載の重合体化合物。
- Ra、RbおよびRcは水素またはメチル、R1はメチル、各単量体のモル比はそれぞれ0.01〜0.99である請求項30に記載の製造方法。
- 前記開始剤は2,2-アゾビスイソブチロニトリル(AIBN)、過酸化アセチル、過酸化ラウリルおよびt−過酸化ブチルから成るグループの中から選択された少なくともいずれか1つである請求項30に記載の製造方法。
- 前記溶媒はテトラヒドロフラン、トルエン、ベンジン、メチルエチルケトンおよびジオキサンから成るグループの中から選択された少なくともいずれか1つである請求項30に記載の製造方法。
- 前記重合反応は50〜80℃の温度範囲で行うことを特徴とする請求項30に記載の製造方法。
- 前記一般式(i)の重合体化合物のうちのいずれかを含んで構成される反射防止膜組成物。
- 前記一般式(i)を重合体化合物を重量当たり200〜5000重量%の有機溶媒に溶解させた後、この溶液を濾過する段階と、
その結果物をワイパーに塗布して100−300℃の温度範囲で10〜1000秒の間ハードベーキングする段階と
から成る反射防止膜組成物の製造方法。 - 前記有機溶媒はエチル-3-エトキシプロピオネート、メチル-3-メトキシプロピオネート、シクロヘキサノン、プロピレングリコールメチルエーテルアセテートのから成るグループの中から選択される少なくともいずれか1つである請求項36に記載の反射防止膜組成物の製造方法。
- 前記一般式(ii)の重合体化合物と、アクロレインジメチルアセタール、アクロレインジエチルアセタールおよびメラミン系の架橋剤から成るグループの中から選択されたいずれか1つの添加剤とを含む反射防止膜組成物。
- 前記一般式(ii)の重合体化合物を重量当たり200〜5000重量%の有機溶媒に溶解させた後、アクロレインジメチルアセタール、アクロレインジエチルアセタールおよびメラミン系の架橋剤から成るグループの中から選択されたいずれか1つの添加剤を添加して完全に溶解させる段階と、
この溶液を濾過する段階と、
その結果物をワイパーに塗布して100−300℃の温度範囲で10〜1000秒の間ハードベーキングする段階と
から成る反射防止膜組成物の製造方法。 - 前記有機溶媒はエチル3-エトキシプロピオネート、メチル3-メトキシプロピオネート、シクロヘキサノン、プロピレングリコールメチルエーテルアセテートから成るグループの中から選択される少なくともいずれか1つである請求項39に記載の製造方法。
- 前記添加剤は重量当たり0.1〜30重量%を使用することを特徴とする請求項39に記載の製造方法。
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