NL1015506C2

NL1015506C2 - Organische anti-reflecterende deklaagpolymeren en werkwijze ter bereiding hiervan.

Info

Publication number: NL1015506C2
Application number: NL1015506A
Authority: NL
Inventors: Min-Ho Jung; Sung-Eun Hong; Ki-Ho Baik
Original assignee: Hyundai Electronics Ind
Priority date: 1999-06-26
Filing date: 2000-06-23
Publication date: 2001-04-09
Also published as: IT1320211B1; GB2351731A; US6423797B1; GB2351731B; ITTO20000613A0; DE10028344A1; JP2001048859A; CN1290713A; KR100400243B1; FR2795417A1; FR2795417B1; TW552270B; ITTO20000613A1; GB0014259D0; NL1015506A1; KR20010003934A; JP4024456B2

Description

Korte aanduiding: Organische anti-reflecterende deklaagpolymeren en werkwijze ter bereiding hiervan.

De onderhavige uitvinding heeft betrekking op organische 5 polymeren die geschikt zijn om te worden toegepast in anti-reflecterende deklagen voor halfgeleiderinstrumenten en op werkwijze ter bereiding hiervan. Meer in het bijzonder kunnen de polymeren volgens de onderhavige uitvinding worden toegepast ter vorming van een laag die de reflectie van licht afkomstig van ondergelegen lagen, aangebracht op een halfgeleider-10 chip, kan voorkomen indien foto!ithografische processen onder gebruikmaking van golflengten van 193 nm (ARF) worden toegepast gedurende het vervaardigen van 64M, 256M, 1G, 4G en 16G DRAM halfgeleiderinstrumenten. Anti-reflecterende deklagen, die de polymeren volgens de onderhavige uitvinding omvatten, elimineren ook het staande golfeffect indien een ArF-15 stralingsbron wordt toegepast, en reflectie-diffractie die door veranderingen in de dikte van de fotoresistlaag zelf worden veroorzaakt. De onderhavige uitvinding heeft ook betrekking op anti-reflecterende samenstellingen die deze polymeren bevatten en op anti-reflecterende deklagen die uit deze samenstellingen zijn gevormd, alsook op de werkwijzen 20 ter bereiding hiervan.

In fotolithografische processen ter vorming van ultrafijne patronen gedurende het vervaardigen van halfgeleiders is het onvermijdelijk dat er sprake is van het reflecterend door elkaar lopen van de staande golf van de belichtende straling. Dit effect wordt 25 toegeschreven aan de spectroscopische eigenschappen van de ondergelegen lagen die zijn aangebracht op de halfgeleiderwafer, veranderingen in de fotoresistlaag en variaties in de kritische dimensie (CD) ten gevolge van afgebogen en gereflecteerd licht van de ondergelegen laag. Aldus is gesuggereerd dat een laag, een anti-reflecterende deklaag genaamd, moet 30 worden geïntroduceerd in het halfgeleiderinstrument ter voorkoming van de reflectie van licht van de ondergelegen lagen. Deze anti-reflecterende deklaag omvat gebruikelijk een organisch materiaal dat licht in het golflengtegebied van de lichtstralingsbron absorbeert die in het lithografisch proces wordt toegepast.

35 Anti-reflecterende deklagen worden ingedeeld in anorganische en organische anti-reflecterende deklagen, afhankelijk van de toegepaste deklaagmaterialen, of in lichtabsorberende en lichtinterfere-rende deklagen, afhankelijk van het mechanisme.

.1015506 2

Een anorganische anti-reflecterende deklaag wordt hoofdzakelijk toegepast in het proces van de vorming van ultrafijne patronen onder gebruikmaking van i-1ijnbestraling met een golflengte van 365 nm. TiN en amorfe koolstof zijn veelvuldig toegepast in 1 ichtabsorbe-5 rende deklagen, en SiON is toegepast in lichtinterfererende deklagen.

Anorganisch SiON is toegepast voor anti-reflecterende deklagen in processen ter vorming van ultrafijne patronen onder gebruikmaking van een KrF-lichtbron. Een recente trend is het proberen van het toepassen van organische verbindingen in een anti-reflecterende 10 deklaag geweest. Op basis van de huidige kennis zijn de volgende aspecten voorwaarden waaraan een adequate organische anti-reflecterende deklaag moet voldoen.

Ten eerste mag tijdens het proces van patroonformatie de fotoresist niet loslaten van het substraat door het oplossen in het 15 in de organische anti-reflecterende deklaag toegepaste oplosmiddel. Daarom moeten de organische anti-reflecterende deklagen zodanig zijn ontworpen dat zij een verknoopte structuur vormen en zij mogen geen chemicaliën als bijproducten vormen.

Ten tweede mogen zuren of amineverbindingen niet in 20 of uit de anti-reflecterende deklaag migreren. De reden hiervoor is omdat er sprake is van een neiging voor het ondermijnen bij de beneden gelegen zijde van het patroon indien een zuur migreert, en er is een neiging voor het ontstaan van een voetfenomeen indien een base, zoals een amine, migreert.

25 Ten derde moet de anti-reflecterende deklaag een hogere etssnelheid bezitten dan de fotoresist!aag zodat het etsproces efficiënt kan worden uitgevoerd onder gebruikmaking van de fotoresist!aag als een masker.

Ten vierde moet de anti-reflecterende deklaag met een 30 minimale dikte functioneren.

Tot nu toe zijn geschikte anti-reflecterende deklagen om te worden toegepast in processen ter vorming van een ultrafijn patroon onder gebruikmaking van een ArF-stralingsbron, niet ontwikkeld. Omdat er geen anorganische anti-reflecterende deklaag bekend is die de interferentie 35 van een lichtbron met een golflengte van 193 nm controleert, wordt bovendien de toepassing van organische chemicaliën in anti-reflecterende deklagen op dit moment onderzocht.

110155 06 3

Aldus is het gewenst organische anti-reflecterende deklagen toe te passen en te ontwikkelen die bij specifieke golflengten licht sterk absorberen ter voorkoming van het staande golf-effect en lichtreflectie in lithografische processen en om de achter- of terug-5 diffractie en gereflecteerd licht van de ondergelegen lagen te el imineren.

De onderhavige uitvinding voorziet in nieuwe chemische verbindingen die geschikt zijn om te worden toegepast in anti-reflecterende deklagen in fotolithografische processen ter vorming van ultrafijne patronen onder gebruikmaking van 193 nm (ARF) en 248 nm (KrF) lichtbronnen 10 voor het vervaardigen van halfgeleiderinstrumenten.

De onderhavige uitvinding voorziet verder in bereidingsmethoden voor chemische verbindingen om te worden toegepast in anti-reflecterende deklagen.

De onderhavige uitvinding voorziet ook in anti-15 reflecterende dekl aagsamenstell ingen die de hiervoor genoemde verbindingen bevatten en in werkwijzen ter bereiding hiervan. De onderhavige uitvinding voorziet ook in anti-reflecterende deklagen die zijn gevormd onder gebruikmaking van de hiervoor genoemde anti-reflecterende samenstelling en in werkwijzen voor de formatie hiervan.

20 De polymeren volgens de onderhavige uitvinding omvatten een monomeer met een fenylgroep en een aminebinding met een hoge absorptie bij een golflengte van 193 nm zodat het polymeerhars absorbeert bij licht met een golflengte van 193 nm. Een verknopingsmechanisme onder toepassing van een ringopeningreactie wordt geïntroduceerd in de voorkeur verdienende 25 polymeerharsen volgens de onderhavige uitvinding door toevoeging van een ander monomeer met een epoxistructuur zodat een verknopingsreactie plaatsvindt indien deklagen van de polymeerharsen worden onderworpen aan "hard bakken", te weten verwarmd bij een temperatuur van 100-300 °C gedurende 10-1000 seconden. Dienovereenkomstig kan een grote verbetering 30 tot stand worden gebracht in de formatie, nauws!uitendheid en oplossingsei-genschappen van de anti-reflecterende deklagen onder gebruikmaking van polymeren volgens de onderhavige uitvinding. In het bijzonder worden een maximaal verknopingsreactierendement en opslagstabiliteit door de onderhavige uitvinding tot stand gebracht. De anti-reflecterende 35 deklaagharsen volgens de onderhavige uitvinding bezitten een voortreffelij-ke oplosbaarheid in alle koolwaterstofoplosmiddel en ter vorming van een deklaagsamenstelling, maar bezitten een zodanig hoge bestandheid tegen oplosmiddelen na het hard bakken dat zij in geen enkel oplosmiddel worden .1015506 4 opgelost. Deze voordelen maken het mogelijk dat de harsen zonder enig probleem in een laag kunnen worden aangebracht ter vorming van een anti-reflecterende deklaag die ondermijnings- en voetvormingsproblemen voorkomt, indien beelden op de overliggende, voor lichtgevoelige laag, worden 5 gevormd. Bovendien zijn de uit de acrylaatpolymeren volgens de onderhavige uitvinding vervaardigde deklagen voorzien van een hogere etssnelheid dan de voor lichtgevoelige filmdeklagen waardoor de etsselectieverhouding hiertussen wordt verbeterd.

De bij voorkeur toegepaste copolymeerharsen volgens 10 de onderhavige uitvinding worden weergegeven door de volgende algemene formule 1: -fct-fe-c—ttCHj-c—j—fcHj-c—Wen,—c—\

Λ iloA-A è-οΛν WxV W

i i i 1

NH O O O

^ (»«„, 15 ? °H ho 0§0 ^ R' (algemene formule 1) 20 waarin geldt:

Ra, Rb, Rc en Rd geven elk waterstof of methyl weer;

Rj geeft waterstof, hydroxi, een al of niet gesubstitueerd, recht of vertakt Cj-C5-alkyl, cycloalkyl, alkoxialkyl of cycloalkoxi-alkyl weer; 25 w, x, y en z geven elk een mol fractie van 0,01-0,99 weer; en n2 en n2 geven elk een geheel getal van 1 tot 4 weer.

en door de volgende algemene formule 2: R» . / R»> \ i ?c \

30 -fat—C j-fCHs-C-ttCHj-C-W

\ c=0'* ' c=*o 'y' c=*0'z NH o o U (CH2)n O*

<p OH

o*=s=o 35 (algemene formule 2) 1015506 5 waarin geldt:

Ra, Rb en Rc geven elk waterstof of methyl weer;

Rj geeft waterstof, hydroxi, een al of niet gesubstitueerd, recht of vertakt Cj-^-alkyl, cycloalkyl, alkoxialkyl of cycloalkoxi-5 alkyl weer; x, y en z geven elk een mol fractie van 0,01-0,99 weer; en n geeft een geheel getal van 1 tot 4 weer.

De polymeerharsen volgens de onderhavige uitvinding 10 zijn in het bijzonder geschikt om te worden toegepast in organische anti-reflecterende deklagen omdat zij een monomeer met een fenylgroep en een amidebinding met een voortreffelijke absorptie bij bestraling met een golflengte van 193 nm omvatten. Bij voorkeur toegepaste monomeren omvatten een monomeer van het type p-tosylalkyl acrylamide volgens de volgende 15 chemische formule 3:

R

CH.-C

c-o l

NH

20 f o

* I

o-s-o Φ CHi (algemene formule 3) 25 waarin geldt: R is waterstof of methyl.

De door algemene formule 1 weergegeven polymeren kunnen worden bereid in overeenstemming met de hierna weergegeven reactievergel i j-30 king 1, waarbij een monomeer van het type p-tosyl alkyl acryl amide, een monomeer van het type hydroxialkyl acryl aat, een monomeer van het type methyl acrylaat en een monomeer van het type glycidylacrylaat worden gepolymeriseerd met behulp van een initiator in een oplosmiddel. Elk van de monomeren bezit een mol fractie variërend van 0,01 tot 0,99.

35 1015506 6 r. η» "« I I I 1

CH, = C CHa*=C CHa-C CHa-C

1 1 L L

+ ^“° + f ° + ί ° ~” algemene formule 1 c NH o O o 5 I I I 1 CHa (CHa)m CHa (CHa)na I · k 0 OH > O-S-0 10 (Ql (reactievergelijking 1)

Rt waarin geldt:

Ra> Rt» Rc en Rd geven elk waterstof of methyl weer; R2 geeft waterstof, hydroxi, een al of niet gesubstitu-15 eerd, recht of vertakt CrC5-al kyl, cycl oal kyl, al koxi al kyl of cycl oal koxi -alkyl weer; en nj en n2 geven elk een geheel getal van 1 tot 4 weer; De hiervoor door algemene formule 2 weergegeven polymeren kunnen worden bereid in overeenstemming met de hierna weergegeven 20 reactievergelijking 2, waarbij een monomeer van het type p-tosylalkyl-acrylamide, een monomeer van het type hydroxi al kyl acryl aat en een monomeer van het type methyl acrylaat worden gepolymeriseerd met behulp van een initiator in een oplossmiddel. Elk van de monomeren bezit een molfractie variërend van 0,01 tot 0,99.

25

Ra Rb Rc

! I I

CHa”C CH»”C CHi»C

I I I

c-o C-0 C“0

I + I + I

30 NH o o L L L, algemene formule 2

I I

0 OH

0=s=0 35 (Q^ (reactievergelijking 2)

Kt 1015506 7 waarin geldt:

Ra, Rb en Rc geven elk waterstof of methyl weer;

Rj geeft waterstof, hydroxi, een al of niet gesubstitueerd, recht of vertakt CrC5-alkyl, cycloalkyl, alkoxialkyl of cycloalkoxi-5 alkyl weer; en n geeft een geheel getal van 1 tot 4 weer;

Gebruikelijke radicaalinitiatoren, bij voorkeur 2,2-azobisisobutyronitril (AIBN), acetylperoxide, laurylperoxide of t-butylperoxide, kunnen worden toegepast voor het initiëren van de 10 polymerisatiereactie ter vorming van de polymeren volgens algemene formules 1 en 2. Ook conventionele oplosmiddelen kunnen worden toegepast voor de polymerisatie, bij voorkeur tetrahydrofuran, tolueen, benzeen, methylethyl-keton of dioxaan. Bij voorkeur wordt de polymerisatie voor de polymeren volgens algemene formules 1 en 2 uitgevoerd bij 50-80 °C.

15 Halfgeleiderinstrumenten volgens de onderhavige uitvinding kunnen zoals hierna zal worden beschreven, worden vervaardigd. Het copolymeer volgens algemene formule 1 of formule 2 kan worden opgelost in een geschikt oplosmiddel alleen, of met een verknopingstoevoegmiddel, gekozen uit acroleïne, diëthylacetaal en melamine-type verknopingsmiddelen, 20 in een hoeveelheid van 0,1 tot 30 gew.%. De oplossing wordt gefiltreerd en in een laag aangebracht op een wafer en vervolgens aan hard bakken onderworpen ter vorming van een verknoopte, anti-reflecterende deklaag. Halfgeleiderinstrumenten kunnen vervolgens hieruit volgens de gebruikelijke wijze worden vervaardigd.

25 Gebruikelijke organische oplosmiddelen kunnen worden toegepast ter bereiding van de anti-reflecterende deklaagsamenstelling, waarbij de voorkeur wordt gegeven aan ethyl-3-ethoxipropionaat, methyl-3-methoxipropionaat, cyclohexanon of propeenglycolmethyletheracetaat. Het oplosmiddel wordt bij voorkeur toegepast in een hoeveelheid van 200 tot 30 5000 gew.%, op basis van het gewicht van het toegepaste, anti-reflecterende deklaagharscopolymeer.

Er is gevonden dat de anti-reflecterende deklagen volgens de onderhavige uitvinding een hoge prestatie in fotol ithografische processen voor het vormen van ultrafijne patronen onder gebruikmaking van 35 193 nm ArF-bestraling vertonen. Dit was ook van toepassing indien 248 nm

KrF, 157 nm F2-laser, E-stralingen, EUV (extreem ultraviolet) en ionstralingen worden toegepast als lichtbronnen.

1015506 s 8

De volgende voorbeelden zijn weergegeven om de principes en de uitvoering van de onderhavige uitvinding voor de deskundigen op dit gebied meer duidelijk weer te geven. Zij zijn als zodanig niet beoogd om de onderhavige uitvinding te beperken maar dienen slechts als toelichting 5 op bepaalde, de voorkeur verdienende uitvoeringsvormen.

VOORBEELD 1: Bereiding van p-tosylmethyl acrylamidemono- meer

Nadat 48 % (w/w) N-hydroximethylacrylamidemonomeer, opgelost in water, is toegevoegd aan diëthylether of normaal hexaan, wordt 10 de oplossing neergeslagen, gescheiden en gedroogd. Een hoeveelheid van 30,33 g (0,3 mol) N-hydroximethyl acryl amide en 66,73 g (0,35 mol) p-tolueensulfonylchloride worden elk respectievelijk toegevoegd aan 40,48 g (0,4 mol) triëthylamine en de mengsels worden volledig opgelost. In een rond bodemkolf met een volume van 500 ml wordt in een stikstofatmosfeer 15 het N-hydroximethylacrylamide/triëthylaminemengsel in reactie gebracht met het p-tolueensulfonylchloride/tri ëthyl aminemengsel dat langzaam hieraan wordt toegevoegd onder roeren. De reactie wordt voortgezet gedurende meer dan 24 uren. Terwijl de reactie wordt uitgevoerd, wordt de voortzetting van de reactie onderzocht door middel van TLC. Na de voltooiing van de 20 reactie wordt het mengsel geneutraliseerd met zwavelzuur en gewassen met gedeïoniseerd water. Het reactantmateriaal in de organische oplosmiddellaag wordt geëxtraheerd, het water in het organische oplosmiddel wordt verwijderd met MgS04 en het residu wordt gedestilleerd onder verlaagde druk ter vorming van het door de volgende chemische formule 1 weergegeven 25 monomeer. De opbrengst bedraagt 85-90 %.

ch2=(j;h ?=o

NH

<|>fe

O

30 o=s=o φ ci-b (chemische formule 1) 35 VOORBEELD 2: Bereiding van p-tosyl methyl methacryl amide monomeer

Nadat 52,6 % (w/w) N-hydroximethylmethacrylamidemonomeer, opgelost in water, is toegevoegd aan diëthylether of normaal hexaan, 1 n 1 κ 5 n r 9 wordt.de oplossing neergeslagen, gescheiden en gedroogd. Een hoeveelheid van 34,54 g (0,3 mol) N-hydroximethylmethacrylamide en 65,73 g (0,35 mol) p-tolueensulfonylchloride worden elk respectievelijk toegevoegd aan 40,48 g (0,4 mol) triëthylamine en de mengsels worden volledig opgelost. Daarna 5 wordt in een rondbodemkolf met een volume van 500 ml het N-hydroximethyl-methacrylamide/triëthylamine in reactie gebracht met het p-tolueensulfo-nylchloride/triëthylamine dat langzaam hieraan wordt toegevoegd onder roeren in een stikstofatmosfeer. De reactie wordt voortgezet gedurende meer dan 24 uren. Terwijl de reactie wordt voortgezet, wordt de voort-10 zetting van de reactie onderzocht door middel van TLC. Na de voltooiing van de reactie wordt het mengsel geneutraliseerd met zwavelzuur en gewassen met gedeïoniseerd water. En het reactantmateriaal in de organische oplosmiddellaag wordt geëxtraheerd, het water in het organische oplosmiddel wordt verwijderd met MgS04 en het residu wordt gedestilleerd onder 15 verlaagde druk ter vorming van het door de volgende chemische formule 2 weergegeven monomeer. De opbrengst bedraagt 85-90 %.

PHj CHj=<p c=o 20 ft 0 0=5—0 ra o-b (chemische formule 2) 25 VOORBEELD 3: Bereiding van het copolymeer poly(tosyl-methyl acryl amide-hydroxi ëthyl acryl aat-methyl methacryl aat-glycidylmethacry-laat)

In een rondbodemkolf met een volume van 500 ml worden 30 71,78 g (0,3 mol) p-tosylmethylacryl amide, 29 g (0,25 mol) hydroxiëthyl- acrylaat, 10,01 g (0,1 mol) methylmethacrylaat en 42,65 g (0,3 mol) glycidylmethacrylaat overgebracht. Dit mengsel wordt toegevoegd aan 300 g afzonderlijk bereid tetrahydrofuran (THF) onder roeren en volledig gemengd. Daarna wordt in aanwezigheid van 0,1 g - 3 g 2,2’-azobisisobutyro-35 nitril (AIBN) de reactie onderworpen aan polymerisatie bij 60-75 °C gedurende 5-20 uren in een stikstofatmosfeer. Na voltooiing van de polymerisatie wordt de oplossing neergeslagen in ethyl ether of normaal hexaan en het precipitaat wordt gefiltreerd en gedroogd ter vorming van 1015506 5 10 poly (tosylmethyl acryl amide-hydroxiëthyl acryl aat-methylmethacryl aat-glycidylmethacrylaat), weergegeven door chemische formule 3. De opbrengst bedraagt 70-75 %.

NH J> ί ? CH) CHi OH b°

o-s—O

ö T (chemische formule3) CHi 10 VOORBEELD 4: Bereiding van het copolymeer poly(tosyl-methyl acryl amide-hydroxiëthylmethacryl aat-methylmethacryl aat-glycidylmetha-crylaat)

In een rondbodemkolf met een volume van 500 ml worden 15 78,96 g (0,33 mol) p-tosylmethylacrylamide, 26 g (0,2 mol) hydroxiethylme- thacrylaat, 15,17 g (0,15 mol) methylmethacrylaat en 42,65 g (0,3 mol) glycidylmethacrylaat overgebracht. Dit mengsel wordt toegevoegd aan 300 g afzonderl ijk bereid tetrahydrofuran (THF) onder roeren en volledig gemengd. Daarna wordt in aanwezigheid van 0,1 g-3 g AIBN de reactie onderworpen 20 aan polymerisatie bij 60-75 °C gedurende 5-20 uren in een stikstofatmo-sfeer. Na voltooiing van de polymerisatie wordt de oplossing neergeslagen in ethylether of normaal hexaan en het precipitaat wordt gefiltreerd en gedroogd ter vorming van poly(tosylmethyl acryl amide-hydroxiëthylmethacry-1 aat-methylmethacryl aat-glycidyl methacrylaat), weergegeven door chemische 25 formule 4. De opbrengst bedraagt 70-75 %.

NH Ö O ^ CH, CU, CH2 \ 0H b° o—s-o

30 rS

(chemi sche formul e 4) CH, VOORBEELD 5: Bereiding van het copolymeer poly(tosylme-thyl acryl amide-hydroxi propyl acryl aat-methylmethacryl aat-glycidylmethacry-35 laat)

In een rondbodemkolf met een volume van 500 ml worden 71,78 g (0,3 mol) p-tosylmethyl acryl amide, 32,54 g (0,25 mol) hydroxipro-pylacrylaat, 10,01 g (0,1 mol) methylmethacrylaat en 42,65 g (0,3 mol) 1 n 1 s ,ς n ft 11 glycidylmethacrylaat overgebracht. Dit mengsel wordt toegevoegd aan 300 g afzonderl ijk bereid tetrahydrofuran (THF) onder roeren en volledig gemengd. Daarna wordt in aanwezigheid van 0,1 g-3 g AIBN de reactie onderworpen aan polymerisatie bij 60-75 °C gedurende 5-20 uren in een stikstofatmo-5 sfeer. Na voltooiing van de polymerisatie wordt de oplossing neergeslagen in ethylether of normaal hexaan en het precipitaat wordt gefiltreerd en gedroogd ter vorming van poly(tosylmethyl acrylamide-hydroxipropyl acrylaat-methylmethacrylaat-glycidylmethacrylaat), weergegeven door chemische formule 5. De opbrengst bedraagt 70-75 %.

I ? ? ? CH> CF%

O-S-O

15 (chemische formule 5) VOORBEELD 6: Bereiding van het copolymeer poly(tosylme-thyl acryl amide-hydroxi propyl methacryl aat-methylmethacrylaat-glycidylmetha-crylaat) 20 In een rondbodemkolf met een volume van 500 ml worden 71,78 g (0,33 mol) p-tosylmethyl acryl amide, 33,14 g (0,23 mol) hydroxipro-pylmethacrylaat, 10,01 g (0,1 mol) methylmethacrylaat en 42,65 g (0,3 mol) glycidylmethacrylaat overgebracht. Dit mengsel wordt toegevoegd aan 300 g afzonderl ijk bereid tetrahydrofuran (THF) onder roeren en vol 1 edi g gemengd.

25 Daarna wordt in aanwezigheid van 0,1 g-3 g AIBN de reactie onderworpen aan polymerisatie bij 60-75 °C gedurende 5-20 uren in een stikstofatmo-sfeer. Na voltooiing van de polymerisatie wordt de oplossing neergeslagen in ethylether of normaal hexaan en het precipitaat wordt gefiltreerd en gedroogd ter vorming van poly(tosylmethylacrylamide-hydroxipropylmethacry- 30 1 aat-methyl methacryl aat-glycidyl methacryl aat), weergegeven door chemi sche formule 6. De opbrengst bedraagt 70-75 %.

35 ^ h t?o o— s—o ö (chemi sche formul e 6) 1 n 1 k s n r 12 VOORBEELD 7: Bereiding van het copolymeer poly(tosylme-thyl acryl amide-hydroxi butyl acryl aat-methylmethacryl aat-glycidylmethacry-1 aat)

In een rondbodemkolf met een volume van 500 ml worden 5 71,78 g (0,3 mol) p-tosylmethyl acryl amide, 28,83 g (0,2 mol) hydroxibutyl- acrylaat, 10,01 g (0,1 mol) methylmethacrylaat en 42,65 g (0,3 mol) glycidylmethacrylaat overgebracht. Dit mengsel wordt toegevoegd aan 300 g afzonder! ijk bereid tetrahydrofuran (THF) onder roeren en volledig gemengd. Daarna wordt in aanwezigheid van 0,1 g-3 g AIBN de reactie onderworpen 10 aan polymerisatie bij 60-75 °C gedurende 5-20 uren in een stikstofatmo-sfeer. Na voltooiing van de polymerisatie wordt de oplossing neergeslagen in ethyl ether of normaal hexaan en het precipitaat wordt gefiltreerd en gedroogd ter vorming van poly(tosylmethyl acryl amide-hydroxi butyl acryl aat-methylmethacryl aat-glycidylmethacryl aat), weergegeven door chemische 15 formule 7. De opbrengst bedraagt 65-70 %, I* cj«4 o* 6 OM |> - . o—s—o

20 I

(chemische formule 7) VOORBEELD 8: Bereiding van het copolymeer poly(tosylmethyl methacryl amide-hydroxi ethylmethacryl aat-methyl acrylaat-glycidylmetha-25 crylaat)

In een rondbodemkolf met een volume van 500 ml worden 75,99 g (0,3 mol) p-tosylmethylmethacrylamide, 29,03 g (0,25 mol) hydroxiëthylmethacrylaat, 15,02 g (0,15 mol) methyl acrylaat en 42,65 g (0,3 mol) glycidylmethacrylaat overgebracht. Dit mengsel wordt toegevoegd 30 aan 300 g afzonderlijk bereid tetrahydrofuran (THF) onder roeren en volledig gemengd. Daarna wordt in aanwezigheid van 0,1 g-3 g AIBN de reactie onderworpen aan polymerisatie bij 60-75 °C gedurende 5-20 uren in een stikstofatmosfeer. Na voltooiing van de polymerisatie wordt de oplossing neergeslagen in ethylether of normaal hexaan en het precipitaat 35 wordt gefiltreerd en gedroogd ter vorming van poly (tosyl methyl methacryl amide-hydroxiëthyl methacryl aat-methylacrylaat-glycidylmethacrylaat), weergegeven door chemische formule 8. De opbrengst bedraagt 70-75 %.

1n ΐςςη» 13 vH γ ? ? P»1 CHb \ OH bo o-«s—o 5 (fc\ (chemi sche formule 8) VOORBEELD 9: Bereiding van het copolymeer poly(tosylme-thylmethacrylamide-hydroxiethyl acryl aat-methylmethacryl aat-glycidylmetha-10 crylaat)

In een rondbodemkolf met een volume van 500 ml worden 75.99 g (0,3 mol) p-tosylmethylmethacrylamide, 26,3 g (0,2 mol) hydroxiëthylacrylaat, 12,91 g (0,15 mol) methylmethacrylaat en 42,65 g (0,3 mol) glycidylmethacrylaat overgebracht. Dit mengsel wordt toegevoegd 15 aan 300 g afzonderlijk bereid tetrahydrofuran (THF) onder roeren en volledig gemengd. Daarna wordt in aanwezigheid van 0,1 g-3 g AIBN de reactie onderworpen aan polymerisatie bij 60-75 °C gedurende 5-20 uren in een stikstofatmosfeer. Na voltooiing van de polymerisatie wordt de oplossing neergeslagen in ethylether of normaal hexaan en het precipitaat 20 wordt gefiltreerd en gedroogd ter vorming van poly(tosylmethylmethacrylami-de-hydroxiethyl acrylaat-methylmethacrylaat-glycidylmethacrylaat), weergegeven door chemische formule 9. De opbrengst bedraagt 70-75 %.

25 Γ ? ? ? f* OJKfe), CH» CHt ? °n b° O—s—o Φ

Chb (chemische formule 9) 30 VOORBEELD 10: Bereiding van het copolymeer poly(tosylme- thyl methacryl ami de-hydroxi propyl methacryl aat-methyl methacryl aat-gl yci dyl me-thacrylaat)

In een rondbodemkolf met een vol urne-van 500 ml worden 75.99 g (0,3 mol) p-tosylmethylmethacrylamide, 32,54 g (0,25 mol) 35 hydroxi propyl methacryl aat, 15,02 g (0,15 mol) methylmethacrylaat en 42,65 g (0,3 mol) glycidylmethacrylaat overgebracht. Dit mengsel wordt toegevoegd aan 300 g afzonderlijk bereid tetrahydrofuran (THF) onder roeren en volledig gemengd. Daarna wordt in aanwezigheid van 0,1 g-3 g AIBN de 1015506 14 reactie onderworpen aan polymerisatie bij 60-75 °C gedurende 5-20 uren in een stikstofatmosfeer. Na voltooiing van de polymerisatie wordt de oplossing neergeslagen in ethylether of normaal hexaan en het precipitaat wordt gefiltreerd en gedroogd ter vorming van poly(tosylmethylmethacrylami-5 de-hydroxi propylmethacryl aat-methylmethacryl aat-glycidylmethacryl aat), weergegeven door chemische formule 10. De opbrengst bedraagt 70-75 %.

NH O O Q

4hi «pHï)3 CHs ïo 0H b° o—s—o (chemische formule 10) CHj VOORBEELD 11: Bereiding van het copolymeer poly(tosylme-15 thylmethacrylamide-hydroxipropylmethacrylaat-methylacrylaat-glycidylmetha cryl aat)

In een rondbodemkolf met een volume van 500 ml worden 75,99 g (0,3 mol) p-tosylmethylmethacrylamide, 31,72 g (0,22 mol) hydroxipropylmethacrylaat, 12,91 g (0,15 mol) methyl acrylaat en 42,65 g 20 (0,3 mol) glycidylmethacrylaat overgebracht. Dit mengsel wordt toegevoegd aan 300 g afzonderlijk bereid tetrahydrofuran (THF) onder roeren en volledig gemengd. Daarna wordt in aanwezigheid van 0,1 g-3 g AIBN de reactie onderworpen aan polymerisatie bij 60-75 °C gedurende 5-20 uren in een stikstofatmosfeer. Na voltooiing van de polymerisatie wordt de 25 oplossing neergeslagen in ethylether of normaal hexaan en het precipitaat wordt gefiltreerd en gedroogd ter vorming van poly(tosylmethylmethacrylami-de-hydroxi propylmethacrylaat-methyl acrylaat-glycidylmethacrylaat), weergegeven door chemische formule 11. De opbrengst bedraagt 65-70 %.

v <ρ-θ'°ι ' C-0 'ojj C-Oo.i»N

r ? ? ? CH? (άΗ,), CHj <fHz 0H bo

O—S—O

(chemische formule 11) 35 ^ 10 15506 15 VOORBEELD 12: Bereiding van het copolymeer poly(tosylme-thyl methacryl amide-hydroxi butyl acryl aat-methyl methacryl aat-glyci dyl metha-crylaat)

In een rondbodemkolf met een volume van 500 ml worden 5 75,99 g (0,3 mol) p-tosylmethylmethacrylamide, 28,83 g (0,2 mol) hydroxibutyl acrylaat, 10,01 g (0,15 mol) methylmethacrylaat en 42,65 g (0,3 mol) glycidylmethacrylaat overgebracht. Dit mengsel wordt toegevoegd aan 300 g afzonderlijk bereid tetrahydrofuran (THF) onder roeren en volledig gemengd. Daarna wordt in aanwezigheid van 0,1 g-3 g AIBN de 10 reactie onderworpen aan polymerisatie bij 60-75 °C gedurende 5-20 uren in een stikstofatmosfeer. Na voltooiing van de polymerisatie wordt de oplossing neergeslagen in ethyl ether of normaal hexaan en het precipitaat wordt gefiltreerd en gedroogd ter vorming van pol y(tosyl methyl methacryl amide-hydroxi butyl acrylaat-methylmethacryl aat-glycidylmethacrylaat), 15 weergegeven door chemische formule 12. De opbrengst bedraagt 65-70 %.

(9>«, CHj 6¾ ? °H b°

O—S—O

20 ά (chemische formule 12) VOORBEELD 13: Bereiding van het copolymeer poly(tosylme-thylacrylamide-hydroxiëthylacrylaat-methylmethacrylaat) 25 In een rondbodemkolf met een volume van 500 ml worden 71,78 g (0,3 mol) p-tosylmethylacryl amide, 34,84 g (0,3 mol) hydroxiëthyl-acrylaat en 25,03 g (0,25 mol) methylmethacrylaat overgebracht. Dit mengsel wordt toegevoegd aan 300 g afzonderlijk bereid tetrahydrofuran (THF) onder roeren en volledig gemengd. Daarna wordt in aanwezigheid van 0,1 g-3 g 30 AIBN de reactie onderworpen aan polymerisatie bij 60-75 °C gedurende 5-20 uren in een stikstofatmosfeer. Na voltooiing van de polymerisatie wordt de oplossing neergeslagen in ethyl ether of normaal hexaan en het precipitaat wordt gefiltreerd en gedroogd ter vorming van poly(tosyl-methylacrylamide-hydroxiëthylacrylaat-methylmethacrylaat), weergegeven 35 door chemische formule 13. De opbrengst bedraagt 70-75 %>.

1Ω 15 5 06 16

\ C-O'OJ ' C“0 ΟΛ <p"“u O.W

ψ* ? ? «f1*5* CH*

I OH

5 o—s—o (chemische formule 13) ó CHj VOORBEELD 14: Bereiding van het copolymeer poly(tosylme-10 thylacrylamide-hydroxiëthylmethacrylaat-methylmethacrylaat)

In een rondbodemkolf met een volume van 500 ml worden 78,96 g (0,33 mol) p-tosylmethyl acryl amide, 45,55 g (0,35 mol) hydroxi-ethylmethacrylaat en 25,03 g (0,25 mol) methylmethacrylaat overgebracht. Dit mengsel wordt toegevoegd aan 300 g afzonderlijk bereid tetrahydrofuran 15 (THF) onder roeren en volledig gemengd. Daarna wordt in aanwezigheid van 0,1 g-3 g AIBN de reactie onderworpen aan polymerisatie bij 60-75 °C gedurende 5-20 uren in een stikstofatmosfeer. Na voltooiing van de polymerisatie wordt de oplossing neergeslagen in ethylether of normaal hexaan en het precipitaat wordt gefiltreerd en gedroogd ter vorming van 20 pol y(tosyl methyl acryl amide-hydroxiëthylmethacryl aat-methylmethacryl aat), weergegeven door chemische formule 14. De opbrengst bedraagt 70-75 %.

-/ofe—i-V/cHz—(p ' C-O <p—do.a Γ (L (chemische formule 14) 25 ^ oh * o—s—o Φ CHj VOORBEELD 15: Bereiding van het copolymeer poly(tosylme-30 thylacrylamide-hydroxipropyl acrylaat-methylmethacrylaat)

In een rondbodemkolf met een volume van 500 ml worden 71,78 g (0,3 mol) p-tosylmethylacryl amide, 42,95 g (0,33 mol) hydroxipro-pylacrylaat en 22,03 g (0,22 mol) methylmethacrylaat overgebracht. Dit mengsel wordt toegevoegd aan 300 g afzonderlijk bereid tetrahydrofuran 35 (THF) onder roeren en volledig gemengd. Daarna wordt in aanwezigheid van 0,1 g-3 g AIBN de reactie onderworpen aan polymerisatie bij 60-75 °C gedurende 5-20 uren in een stikstofatmosfeer. Na voltooiing van de polymerisatie wordt de oplossing neergeslagen in ethylether of normaal m i55ne 17 hexaan en het precipitaat wordt gefiltreerd en gedroogd ter vorming van poly(tosylmethyl acryl amide-hydroxi propyl acryl aat-methylmethacrylaat), weergegeven door chemische formule 15. De opbrengst bedraagt 70-75 %.

' O—O'O* X C-O 'om ό—ΟοΛ NH O (j) «fHz (pt), CH>

(j> OH

o-s—o

Q

10 I (chemische formule 15) VOORBEELD 16: Bereiding van het copolymeer poly(tosylme-thyl acrylamide-hydroxipropylmethacrylaat-methylmethacrylaat)

In een rondbodemkolf met een volume van 500 ml worden 15 71,78 g (0,3 mol) p-tosylmethylacryl amide, 47,58 g (0,33 mol) hydroxipro- pylmethacrylaat en 25,03 g (0,25 mol) methylmethacrylaat overgebracht. Dit mengsel wordt toegevoegd aan 300 g afzonderlijk bereid tetrahydrofuran (THF) onder roeren en volledig gemengd. Daarna wordt in aanwezigheid van 0,1 g-3 g AIBN de reactie onderworpen aan polymerisatie bij 60-75 °C 20 gedurende 5-20 uren in een stikstof atmosfeer. Na voltooiing van de polymerisatie wordt de oplossing neergeslagen in ethylether of normaal hexaan en het precipitaat wordt gefiltreerd en gedroogd ter vorming van pol y (tosy 1 methyl acryl ami de-hydroxi propyl methacryl aat-methyl methacryl aat), weergegeven door chemische formule 16. De opbrengst bedraagt 70-75 %.

-(cHa-f---) (ci-b-C^-V .

V <ρ-θ'ο.Λ C—O 'oju C-OVm nh o <p (chemische formule 16) cp-fe), ob oh o—s—o 30 ^ VOORBEELD 17: Bereiding van het copolymeer poly(tosylme-thylacryl ami de-hydroxi butyl acrylaat-methylmethacrylaat) 35 In een rondbodemkolf met een volume van 500 ml worden 71,78 g (0,3 mol) p-tosylmethyl acryl amide, 43,25 g (0,3 mol) hydroxi butyl a-crylaat en 25,03 g (0,25 mol) methyl methacryl aat overgebracht. Dit mengsel wordt toegevoegd aan 300 g afzonderlijk bereid tetrahydrofuran (THF) onder 1015506 18 roeren en volledig gemengd. Daarna wordt in aanwezigheid van 0,1 g-3 g AIBN de reactie onderworpen aan polymerisatie bij 60-75 °C gedurende 5-20 uren in een stikstofatmosfeer. Na voltooiing van de polymerisatie wordt de oplossing neergeslagen in ethylether of normaal hexaan en het 5 precipitaat wordt gefiltreerd en gedroogd ter vorming van poly(tosylmethy-1 acrylamide-hydroxibutyl acrylaat-methylmethacrylaat), weergegeven door chemische formule 17. De opbrengst bedraagt 70-75 %.

10 VH ? Y, QHz (9H2), CHs

<j> OH

o-s—o Φ in, (chemische formule 17) 15 VOORBEELD 18: Bereiding van het copolymeer poly(tosylme-thylmethacrylamide-hydroxiëthylacrylaat-methylmethacrylaat)

In een rondbodemkolf met een volume van 500 ml worden 75,99 g (0,3 mol) p-tosylmethylmethacrylamide, 29,03 g (0,25 mol) 20 hydroxi ëthyl acryl aat en 29,03 g (0,25 mol) methyl methacryl aat overgebracht.

Dit mengsel wordt toegevoegd aan 300 g afzonderlijk bereid tetrahydrofuran (THF) onder roeren en volledig gemengd. Daarna wordt in aanwezigheid van 0,1 g-3 g AIBN de reactie onderworpen aan polymerisatie bij 60-75 °C gedurende 5-20 uren in een stikstofatmosfeer. Na voltooiing van de 25 polymerisatie wordt de oplossing neergeslagen in ethylether of normaal hexaan en het precipitaat wordt gefiltreerd en gedroogd ter vorming van poly (tosyl methyl methacryl amide-hydroxi ëthyl acryl aat-methylmethacryl aat), weergegeven door chemische formule 18. De opbrengst bedraagt 70-75 %.

30 \ (ρ-0'ο.Λ 4-0 Vb* C-c/oj Ψ* . ? ? f* (OH*)* Ch,

O <->H

Y_ (chemische formule 18) 35 Φ .1015506 19 VOORBEELD 19: Bereiding van het copolymeer poly(tosylme-thylmethacrylami de-hydroxiethylmethacrylaat-methylmethacrylaat)

In een rondbodemkolf met een volume van 500 ml worden 75.99 g (0,3 mol) p-tosylmethylmethacrylamide, 41,64 g (0,32 mol) 5 hydroxiëthylmethacrylaat en 25,03 g (0,3 mol) methylmethacrylaat overgebracht. Dit mengsel wordt toegevoegd aan 300 g afzonderlijk bereid tetrahydrofuran (THF) onder roeren en volledig gemengd. Daarna wordt in aanwezigheid van 0,1 g-3 g AIBN de reactie onderworpen aan polymerisatie bij 60-75 °C gedurende 5-20 uren in een stikstofatmosfeer. Na voltooiing 10 van de polymerisatie wordt de oplossing neergeslagen in ethylether of normaal hexaan en het precipitaat wordt gefiltreerd en gedroogd ter vorming vanpoly (tosyl methyl methacryl ami de-hydroxi ëthyl methacryl aat-methyl methacry-laat), weergegeven door chemische formule 19. De opbrengst bedraagt 70-75 %.

15 ' <p"*Ooj r ? ? CH2 ÓH,

<j> OH

O—s—O

20 φ CH» (chemische formule 19) VOORBEELD 20: Bereiding van het copolymeer poly(tosylme-thylmethacrylami de-hydroxi propyl acrylaat-methylmethacrylaat) 25 In een rondbodemkolf met een volume van 500 ml worden 75.99 g (0,3 mol) p-tosylmethylmethacrylamide, 42,95 g (0,33 mol) hydroxi propyl acryl aat en 25,03 g (0,3 mol) methylmethacrylaat overgebracht. Dit mengsel wordt toegevoegd aan 300 g afzonderlijk bereid tetrahydrofuran (THF) onder roeren en volledig gemengd. Daarna wordt in aanwezigheid van

30 0,1 g-3 g AIBN de reactie onderworpen aan polymerisatie bij 60-75 °C

gedurende 5-20 uren in een stikstofatmosfeer. Na voltooiing van de polymerisatie wordt de oplossing neergeslagen in ethylether of normaal hexaan en het precipitaat wordt gefiltreerd en gedroogd ter vorming van pol y (tosyl methyl methacryl ami de-hydroxi propyl acryl aat-methyl methacryl aat), 35 weergegeven door chemische formule 20. De opbrengst bedraagt 70-75 %.

1015506 20 iChkJjp.j\ —^Zot-^Λ- v <p—0^> ' Wl'u 9“(/».* r ? ? ?Hi «pHfe), CH,

tj, OH

5 o—s—o

O

T (chemische formule 20) VOORBEELD 21: Bereiding van het copolymeer poly(tosylme-10 thylmethacrylamide-hydroxipropylmethacrylaat-methylmethacrylaat)

In een rondbodemkolf met een volume van 500 ml worden 75.99 g (0,3 mol) p-tosyl methyl methacrylamide, 43,25 g (0,3 mol) hydroxipropylmethacrylaat en 25,03 g (0,3 mol) methylmethacrylaat overgebracht. Dit mengsel wordt toegevoegd aan 300 g afzonderlijk bereid 15 tetrahydrofuran (THF) onder roeren en volledig gemengd. Daarna wordt in aanwezigheid van 0,1 g-3 g AIBN de reactie onderworpen aan polymerisatie bij 60-75 °C gedurende 5-20 uren in een stikstof atmosfeer. Na voltooiing van de polymerisatie wordt de oplossing neergeslagen in ethyl ether of normaal hexaan en het precipitaat wordt gefiltreerd en gedroogd ter vorming 20 van poly (tosylmethylmethacryl amide-hydroxi propylmethacryl aat-methylmetha- crylaat), weergegeven door chemische formule 21. De opbrengst bedraagt 70-75 %.

v f-o'»·*' c-0',,.Λ c-c/e.j

NH Ö O

25 9* ch,

<j> ,0H

O—S—o ó ch» (chemische formule 21) 30 VOORBEELD 22: Bereiding van het copolymeer poly(tosylme-thyl methacrylami de-hydroxi butyl acrylaat-methylmethacrylaat)

In een rondbodemkolf met een volume van 500 ml worden 75.99 g (0,3 mol) p-tosylmethylmethacrylamide, 47,58 g (0,33 mol) 35 hydroxi butyl acryl aat en 25,03 g (0,3 mol) methyl methacryl aat overgebracht.

Dit mengsel wordt toegevoegd aan 300 g afzonderlijk bereid tetrahydrofuran (THF) onder roeren en volledig gemengd. Daarna wordt in aanwezigheid van 0,1 g-3 g AIBN de reactie onderworpen aan polymerisatie bij 60-75 °C

1015506 21 gedurende 5-20 uren in een stikstof atmosfeer. Na voltooiing van de polymerisatie wordt de oplossing neergeslagen in ethylether of normaal hexaan en het precipitaat wordt gefiltreerd en gedroogd ter vorming van poly(tosylmethylmethacrylamide-hydroxi butyl acrylaat-methylmethacrylaat), 5 weergegeven door chemische formule 22. De opbrengst bedraagt 65-70 %.

-X>Hr-<P· X /o-fe—c-^-/chfe-C^-V

\ c-o-ia' C“0 uj φ-c/oj r ? ? CH»

OH

Ji V O—S—O

Ö T (chemische formule 22) en» VOORBEELD 23: Bereiding van anti-reflecterende 15 deklaagfilm.

Een hars met de chemische structuur volgens algemene formule 1, verkregen in elk van de voorbeelden 5 tot 12, wordt opgelost in 200-5000 % (w/w) propeenglycolmethyletheracetaat (PGMEA). Deze oplossing wordt gefiltreerd, in een laag aangebracht op een wafer en aan hard bakken 20 onderworpen bij 100-300 °C gedurende 10-1000 seconden. Vervolgens wordt een fotoresistfilm in een laag aangebracht over de aldus gevormde, anti-reflecterende deklaag en belicht ter vorming van ultrafijne patronen.

VOORBEELD 24: Bereiding van anti-reflecterende deklaagfilm.

25 Een hars met chemische structuur volgens algemene formule 2, verkregen in elk van de voorbeelden 13 tot 22, wordt opgelost in 200-5000 % (w/w) propeenglycolmethyletheracetaat (PGMEA). Deze oplossing, alleen of in combinatie met 0,1-30 gew.% van ten minste een verknopingsmiddel, gekozen uit acroleïnedimethylacetaal, acroleïnediethyl- 30 acetaal en melamine-type verknopingsmiddelen, wordt gefiltreerd, in een laag aangebracht op een wafer en aan hard bakken onderworpen bij 100-300 °C gedurende 10-1000 seconden. Vervolgens wordt een fotoresistfilm in een laag aangebracht op de aldus gevormde, anti-reflecterende deklaag en belicht ter vorming van ultrafijne patronen.

35 Zoals hiervoor is beschreven, bevatten de anti- reflecterende deklaagpolymeren volgens formule 1 of 2, bijvoorbeeld de copolymeerharsen volgens chemische formules 3 tot 22, fenyl- en amidebindingen die een voortreffelijke stralingsabsorptie bij een 1015506 22 golflengte van 193 nm vertonen en daardoor geschikt zijn voor anti-reflecterende deklagen. Indien de polymeren volgens de onderhavige uitvinding worden toegepast als anti-reflecterende deklagen in het formatieproces van ultrafijne patronen voor het vervaardigen van 5 halfgel eiders, wordt de productopbrengst verhoogd omdat de van ondergeiegen lagen afkomstige CD-variatie wordt geëlimineerd, en stabiele 64M, 256M, 1G, 4G, 16 G DRAM ultrafijne patronen worden gevormd.

10 1015506

Claims

1. Polymeer, omvattende een monomeer weergegeven door de volgende algemene formule 3: 5 ft CHa-C c-o NH CH» 10 > 0-8-0 Φ ch, (algemene formule 3) 15 waarin geldt: R is waterstof of methyl.

2. Werkwijze voor het bereiden van een monomeer weergegeven door de volgende algemene formule 3: 20. n CH.-C C-O NH CH· 25 o.L Φ T (algemene formule 3) CH» waarin geldt: 30. is waterstof of methyl, welke werkwijze omvat het oplossen van N-hydroximethylacryl amide of N-hydroximethylmethacrylamide in triëthylamine ter vorming van een eerste oplossing; het oplossen van p-tolueensulfonylchloride in triëthylamine ter vorming van een tweede oplossing; het samen in reactie brengen van de eerste en tweede oplossing 35 in een stikstofatmosfeer; het neutraliseren en wassen van het reactantmate-riaal; het extraheren van de organische oplosmiddellaag en het hieruit verwijderen van water, en het destilleren van het residu onder verlaagde druk. 101550¾

3. Polymeer weergegeven door algemene formule 1: _ v c-=o'w^ c-o-'x ' c«(jy ' c=-c/z 5. i i T VH ? ? ? <h Chb CC^)nj ? OH bo 0«=S“0 ^ (algemene formule 1) 10 waarin geldt: Ra, Rb, Rc en Rd geven elk waterstof of methyl weer;Ra geeft waterstof, hydroxi, een al of niet gesubstitueerd, recht of vertakt Cj-C^-alkyl, cycloalkyl, alkoxialkyl of cycloalkoxialkyl weer; w, x, y en 15 z geven elk een molfractie van 0,01-0,99 weer; en nj en n2 geven elk een geheel getal van 1 tot 4 weer.

4. Polymeer volgens conclusie 3, waarbij Rj methyl weergeeft.

5. Polymeer volgens conclusie 3, waarbij het polymeer 20 pol y (tosyl methyl acryl amide-hydroxiëthylacrylaat-methylmethacryl aat- glycidylmethacrylaat) is en de verhouding w:x:y:z 0,3:0,25:0,1:0,3 bedraagt.

6. Polymeer volgens conclusie 3, waarbij het polymeer poly(tosylmethyl acrylamide-hydroxiethyl methacrylaat-methylmethacrylaat- 25 glycidylmethacrylaat) is en de verhouding w:x:y:z 0,3:0,2:0,1:0,3 bedraagt.

7. Polymeer volgens conclusie 3, waarbij het polymeer poly(tosylmethyl acrylamide-hydroxipropyl acrylaat-methylmethacrylaat-glycidylmethacrylaat) is en de verhouding w:x:y:z 0,3:0,25:0,1:0,3 bedraagt.

8. Polymeer volgens conclusie 3, waarbij het polymeer poly (tosylmethyl acryl amide-hydroxi propyl methacryl aat-methyl methacryl aat-glycidylmethacrylaat) is en de verhouding w:x:y:z 0,3:0,23:0,1:0,3 bedraagt.

9. Polymeer volgens conclusie 3, waarbij het polymeer 35 poly(tosylmethyl acryl amide-hydroxibutyl acrylaat-methylmethacrylaat- glycidylmethacrylaat) is en de verhouding w:x:y:z 0,3:0,2:0,1:0,3 bedraagt.

10. Polymeer volgens conclusie 3, waarbij het polymeer poly (tosylmethylmethacrylamide-hydroxiëthylmethacrylaat-methylacrylaat- 1015506 glycidylmethacrylaat) is en de verhouding w:x:y:z 0,3:0,25:0,15:0,3 bedraagt.

11. Polymeer volgens conclusie 3, waarbij het polymeer poly(tosylmethylmethacrylamide-hydroxiëthylacry laat-methylmethacrylaat- 5 glycidylmethacrylaat) is en de verhouding w:x:y:z 0,3:0,2:0,1:0,3 bedraagt.

12. Polymeer volgens conclusie 3, waarbij het polymeer poly(tosylmethylmethacrylamide-hydroxipropylmethacrylaat-methylmethacry-laat-glycidylmethacrylaat) is en de verhouding w:x:y:z 0,3:0,25:0,15:0,3 bedraagt.

13. Polymeer volgens conclusie 3, waarbij het polymeer poly(tosylmethylmethacrylamide-hydroxipropylmethacrylaat-methyl acryl aat-glycidylmethacrylaat) is en de verhouding w:x:y:z 0,3:0,22:0,15:0,3 bedraagt.

14. Polymeer volgens conclusie 3, waarbij het polymeer 15 pol y(tosyl methyl methacryl amide-hydroxibutyl acrylaat-methylacryl aat- glycidylmethacrylaat) is en de verhouding w:x:y:z 0,3:0,2:0,15:0,3 bedraagt.

15. Werkwijze voor het bereiden van een polymeer volgens conclusie 3, welke werkwijze omvat het polymeriseren van een monomeer van 20 het type tosyl alkyl acryl amide, een monomeer van het type hydroxi alkyl acry-laat, een monomeer van het type al kyl acryl aat en een monomeer van het type glycidylmethacrylaat in een oplosmiddel in aanwezigheid van een initiator, zoals weergegeven in de volgende reactievergelijking 1: r. r· »· I I I I CH»-C CH,-C CHi-C CH,-C I 1 1 1 o c-o c-o oo c-o | + I + I + 1 nh o o o algemene formule 1 CH, (CH,)n. CH* <CHt)n» 1. k 30 ° 0H O o-s-o (reactievergelijking 1) 35 waarin geldt: Ra, Rb, Rc en Rd geven elk waterstof of methyl weer; Rj geeft waterstof, hydroxi, een al of niet gesubstitueerd, recht of vertakt 1015506 Cj-Cg-alkyl, cycloalkyl, alkoxialkyl of cycloalkoxialkyl weer; en ηα en n2 geven elk een geheel getal van 1 tot 4 weer.

16. Werkwijze volgens conclusie 15, waarbij Rj methyl weergeeft en de molfractie van elk monomeer 0,01-0,99 is.

17. Werkwijze volgens conclusie 15, waarbij de initiator wordt gekozen uit de groep bestaande uit 2,2-azobisisobutyronitril (AIBN), acetyl peroxide, laurylperoxide en t-butylperoxide.

18. Werkwijze volgens conclusie 15, waarbij het oplosmiddel wordt gekozen uit de groep bestaande uit tetrahydrofuran, tolueen, benzeen, 10 methyl ethylketon en dioxaan.

19. Werkwijze volgens conclusie 15, waarbij de polymerisa-tiereactie wordt uitgevoerd bij 50-80 °C.

20. Polymeer weergegeven door algemene formule 2: 15 -fcHj-c—V-jcHj-c-V(ot-c—V· ' c—O'X ' C—O 7y\ 0=0'z NH O O CHi (CHz)n CHj <j> OH o-s—o 20 (algemene formule 2) Rt waarin geldt: Ra, Rb, en Rc geven elk waterstof of methyl weer; Rx geeft waterstof, hydroxi, een al of niet gesubstitueerd, recht of vertakt 25 CrC5-alkyl, cycloalkyl, alkoxialkyl of cycloalkoxi alkyl weer; x, y en z geven elk een molfractie van 0,01-0,99 weer; en n geeft een geheel getal van 1 tot 4 weer.

21. Polymeer volgens conclusie 20, waarbij R} methyl weergeeft.

22. Polymeer volgens conclusie 20, waarbij het polymeer poly(tosylmethyl acrylamide-hydroxiëthylacrylaat-methylmethacryl aat) is en de verhouding x:y:z 0,33:0,35:0,25 bedraagt.

23. Polymeer volgens conclusie 20, waarbij het polymeer poly(tosylmethyl acrylamide-hydroxi ëthylmethacryl aat-methylmethacrylaat) 35 is en de verhouding x:y:z 0,3:0,33:0,22 bedraagt.

24. Polymeer volgens conclusie 20, waarbij het polymeer poly(tosylmethyl acryl ami de-hydroxi propyl acrylaat-methylmethacrylaat) is en de verhouding x:y:z 0,3:0,33:0,22 bedraagt. 10 155*? 0

25. Polymeer volgens conclusie 20, waarbij het polymeer poly(tosylmethyl acryl amide-hydroxipropylmethacrylaat-methylmethacrylaat) is en de verhouding x:y:z 0,3:0,33:0,25 bedraagt.

26. Polymeer volgens conclusie 20, waarbij het polymeer 5 poly(tosylmethylacrylamide-hydroxibutyl acrylaat-methylmethacrylaat) is en de verhouding x:y:z 0,3:0,3:0,3 bedraagt.

27. Polymeer volgens conclusie 20, waarbij het polymeer poly(tosylmethylmethacrylami de-hydroxi ëthylacrylaat-methylmethacrylaat) is en de verhouding x:y:z 0,3:0,25:0,3 bedraagt.

28. Polymeer volgens conclusie 20, waarbij het polymeer poly(tosylmethylmethacrylamide-hydroxiëthylmethacrylaat-methylmethacryl aat) is en de verhouding x:y:z 0,3:0,32:0,3 bedraagt.

29. Polymeer volgens conclusie 20, waarbij het polymeer poly (tosylmethyl methacryl amide-hydroxi propyl acryl aat-methylmethacrylaat) 15 is en de verhouding x:y:z 0,3:0,33:0,3 bedraagt.

30. Polymeer volgens conclusie 20, waarbij het polymeer poly (tosyl methyl methacryl ami de-hydroxi propyl methacryl aat-methyl methacry-laat) is en de verhouding x:y:z 0,3:0,3:0,3 bedraagt.

31. Polymeer volgens conclusie 20, waarbij het polymeer 20 poly(tosylmethylmethacrylamide-hydroxibutyl acrylaat-methylmethacrylaat) is en de verhouding x:y:z 0,3:0,33:0,3 bedraagt.

32. Werkwijze voor het bereiden van een polymeer volgens conclusie 20, welke werkwijze omvat het polymeriseren van een monomeer van het type tosyl alkyl acryl ami de, een monomeer van het type hydroxialkyl- 25 acrylaat en een monomeer van het type alkylacrylaat in een oplosmiddel in aanwezigheid van een initiator, zoals weergegeven in de volgende reactievergelijking 2: R# A* Re III CHi-C CH*-C CH,-C I I I c-o c-o c-o 30 j + | + j __ NH O O I I I OHa <CHa)» CH® « λ to I I algemene formule 2

0 OH o-s-o 35 (reactievergelijking 2) waarin geldt: Ra, Rb en Rc geven elk waterstof of methyl weer; R: geeft waterstof, hydroxi, een al of niet gesubstitueerd, recht of vertakt CrC5- io 155 06 alkyl,. cycloalkyl, alkoxialkyl of cycloalkoxialkyl weer; en n geeft een geheel getal van 1 tot 4 weer, en de mol fractie van elk monomeer bedraagt 0,01-0,99.

33. Werkwijze volgens conclusie 32, waarbij R2 methyl 5 weergeeft.

34. Werkwijze volgens conclusie 32, waarbij de initiator wordt gekozen uit de groep bestaande uit 2,2-azobisisobutyronitril (AIBN), acetyl peroxide, laurylperoxide en t-butylperoxide.

35. Werkwijze volgens conclusie 32, waarbij het oplosmiddel 10 wordt gekozen uit de groep bestaande uit tetrahydrofuran, tolueen, benzeen,methyl ethylketon en dioxaan.

36. Werkwijze volgens conclusie 32, waarbij de polymerisa-tiereactie wordt uitgevoerd bij 50-80 °C.

37. Anti-reflecterende deklaagsamenstelling, omvattende 15 een polymeer volgens conclusie 3.

38. Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderin-strument dat een anti-reflecterende laag bevat, welke werkwijze omvat het oplossen van een polymeer volgens conclusie 3 in een organisch oplosmiddel in een hoeveelheid van 200-5000 % (w/w) ter vorming van een deklaagsamen- 20 stelling, het filtreren van de samenstelling, het in een laag aanbrengen van de samenstelling op een wafer en het onderwerpen van de wafer aan hard bakken gedurende 10 tot 1000 seconden bij een temperatuur van 100-300 °C.

39. Werkwijze volgens conclusie 38, waarbij het organische oplosmiddel wordt gekozen uit de groep bestaande uit ethyl-3-ethoxipropio- 25 naat, methyl-3-methoxipropionaat, cyclohexanon en propeenglycolmethyl- etheracetaat.

40. Anti-reflecterende deklaagsamenstelling, omvattende een polymeer volgens conclusie 20 en een toevoegmiddel gekozen uit de groep bestaande uit acrolei'nedimethylacetaal-, acroleïnediëthylacetaal- en 30 melamine-type verknopingsmiddelen.

41. Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderin-strument dat een anti-reflecterende laag bevat, welke werkwijze omvat het oplossen van een polymeer volgens conclusie 20 in een organisch oplosmiddel in een hoeveelheid van 200-5000 % (w/w), het hierin oplossen van een 35 toevoegmiddel gekozen uit de groep bestaande uit acrolei'nedimethylacetaal-, acroleïnediëthylacetaal- en melamine-type verknopingsmiddelen ter vorming van een anti-reflecterende deklaagsamenstelling, het filtreren van de samenstelling, het in een laag aanbrengen van de samenstelling op een wafer 11015506 en het onderwerpen van de wafer aan hard bakken gedurende 10 tot 1000 seconden bij een temperatuur van 100-300 °C.

42. Werkwijze volgens conclusie 41, waarbij het oplosmiddel wordt gekozen uit de groep bestaande uit ethyl-3-ethoxipropionaat, methyl- 5 3-methoxipropionaat, cyclohexanon, propeenglycolmethyletheracetaat.

43. Werkwijze volgens conclusie 41, waarbij het toevoegmid-del wordt toegepast in een hoeveelheid van 0,1-30 % (w/w).

44. Halfgeleiderinstrument, omvattende een anti-reflecterende deklaagsamenstelling volgens conclusie 37 of 40. 10 .1015506