TW552270B - Organic anti-reflective coating polymers and the preparation method thereof - Google Patents

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Description

552270 五、發明說明（l) 本案是有關於1999年6月26曰申請的韓國專利申請案 號No. 1 999-24470，並主張該優先權。 本發明係有關於適用於半導體裝置的抗反射塗層之有 機聚合物以及其製造方法。特別是當製造641^、256M、
1G、4G及16G DRAM半導體裝置時所用的使用l93nm(ArF)波 長之微影技術時，本發明之聚合物可用來形成層狀物而預 防之來自塗佈於半導體晶片上的較低層之光反射。包括本 發明之聚合物的抗反射塗層亦可減低使用A r F射線之駐波 效果，以及光阻層本身厚度變化造成的反射/衍射。本發 明亦有關於包括上述聚合物的抗反射組成物，以及由上述 組合物形成之抗反射塗層以及其製備方法。 在製造半導體之形成微細圖案的微影製程中，無可避 免的有曝光雷射之駐波的反射凹槽。這是來自塗佈於半導 體晶圓較低層的分光特性，光阻層的變化以及來自較低層 的衍射及反射光所造成的關鍵尺寸CD (critical dimension )的改變。因此已有提案揭示在半導體裝置中 採用抗反射塗層以預防來自較低層的光反射。該抗反射塗 層通常包括可吸收在微影技術中所使用的光源波長範圍的 光之有機材料。
根據所使用的塗層材料，抗反射塗層分類為有機和無 機，或根據機制而分類為光吸收和光干涉之塗層。 無機抗反射塗層通常用於使用具有波長365 nm之I -、線 光源的微米微影製程中。T i N或非結晶質碳塗層已廣為使 用於吸收光塗層，而SiON塗層則使用在光干涉塗層。
第5頁 552270 五、發明說明（2) " 該無機Si 0N已使用於利用KrF光源的次微米微影製 私。近來的趨勢是嘗試在抗反射塗層中使用有機化合物。 根據目前的技術，下列為有機抗反射塗層之基本要求广。 首先’當以有機抗反射塗層進行微影製程時，不鹿 生溶解在溶劑所造成的光阻層脫落。在這方面，該有^ : 反射塗層材料之設計必須在固化膜的的狀態具有交聯結几 構，而不產生副產品。 第二’在進出該抗反射塗層之間不應有化學材料， 如或胺類化合物的轉移。這是因為如果酸從該塗層轉 移’該感光圖案將從下部切除（un(jercut)，而驗，例如 胺的轉移，將造成基腳（f00ting )問題。 第三’該抗反射塗層的蝕刻速度必須大於光阻膜，而 可以該光阻膜為光罩有效率地進行蝕刻製程。 第四，該有機抗反射塗層應該盡可能的薄。 到目前為止，尚未找到滿足使用ArF光之次微米微影 製程的抗反射塗層。而由於沒有無機抗反射材料可控制在 ArF光波長1 93 nm的干涉，因此已有積極的研究發展以有 機材料為抗反射塗層。 事灵上’在大部分的次微米微影製程中，感光層必須 伴著有機抗反射塗層，其預防當曝光產生的駐波及反射凹 槽’並減低來自較低層回衍射及反射的影響。因此，必須 使用並發展對特定波長具有高吸收性質的抗反射塗層材料 以預防微影製程的駐玻效果及光反射，並減少來自較低層 的後衍射及反射光。
第6頁 552270 五、發明說明（3) 本發明提供一新穎化合物，可適用於製造半導體之使 用193 nm ( ArF )及248 nm (KrF )光射線之微影技術的 4几反射塗層。 本發明更提供作為抗反射塗層之化合物之製備方法。 本發明亦提供一包含上述化合物之抗反射塗層組合 物’以及製備該抗反射塗層組合物的方法。本發明亦提供 上述抗反射組合物形成的抗反射塗層，以及其製造方法。 本發明之聚合物包括對光波|193ηπι具有高吸收度之 具有苯基以及隨胺鏈鎖之單體，以使該聚合物樹酯吸收 19 3nm波長光。藉由加入另一具有環氧基之單體，而在本 $明之聚合物樹酯中導入使用開環反應之交聯機制，因此 當該聚合物樹醋之塗層固化時，也就是加熱至1〇〇 — 3〇(pc 達1 0-1 000秒會發生交聯反應。結果是使用本發明之聚合 物可大幅改善本發明之抗反射塗層的形成、堅固及溶解 性。特別是本發明之製造可達到最大的交聯反應效率以及 儲存穩定性。本發明之抗反射塗層樹酯在所有的碳水溶劑 中f有優秀的溶解度，以形成塗層組成物，但在固化後具 有高抗溶劑性而一點都不會溶解在任何溶劑中。 使被塗佈之樹醋可沒有問題地形成抗反射塗層，而預=當 ，像形成於覆盍的光阻層上時的從下部切除及基腳的問 題。，且，本發明之丙烯酸酯聚合物製成的塗層具有比光 阻層鬲的蝕刻率，因此而改進其中的蝕刻選擇率。 根據本發明之較佳共聚合物樹酯如下列化學式 所示：
第7頁 552270 五、發明說明（4) NH 0 〇 〇 ^ (?H2)n 丨 C?^)n2 ? OH b〇 化學式1 其中，Ra、Rb、Rc及Rd分別為氫或甲基；匕代表氫、羥、曱 氧羰基、羧基、羥甲基、取代或未取代、線型或支狀的烷 基或Ch烧氧烧基（alkoxyalkyl) ;w、x、y及z是從0.01至 0· 99之莫耳比；以及化及112分別是1至4的整數；以及下列 化學式2 ··
Rc 、 i-V u 化學式2 其中，Ra、Rb及1分別為氫或甲基；Ri代表氫、羥、甲 氧羰基、羧基、羥甲基、取代或未取代、線型或支狀的烷 基或(V5烷氧烷基；X、y及z是從(K 01至0. 99之莫耳比； 以及h是1至4的整數。 本發明之聚合物樹酯由於包括對193nm波長具有優良
第8頁 552270 五、發明說明（5) 吸收度之苯基以及醯胺鏈鎖之單體，因此特別適用於該有 機抗反射塗層。較佳的單體包括下列化學式3之p-甲苯磺 醯烷基丙烯醯胺型單體：
CMa 化學式3 其中，R為氫或甲基。 化學式1之聚合物可以下列反應式1製備，其中p-曱苯 磺醯烷基丙烯醯胺型單體、羥烷丙烯酸酯型單體、甲基丙 烯酸酯型單體以及環氧丙烯酸酯型單體是在溶劑中起始劑 的幫忙下聚合。每個單體之莫耳比範圍為〇. 〇1至〇. 99。
R·I V 丨c=0—i—CH2—o 丨0=s=-<^
o ^ b M = H R iI=—IIc:I o -(cI
PCI=cI c— οICHS
ch2*c I c=丨 + I (Chb) n 2 general formula 反應式1
第9頁 552270 五、發明說明（6) 其中，、Rb、Rc及Rd分別為氫或甲基；R!代表氳、 羥、取代或未取代、線型或支狀的C15烷基、環烷基、烷 氧烷基或環烧氧烷基；以及ηι及％分別是1至4的整數。 化學式2之聚合物可以下列反應式2製備，其中p-甲苯 石黃酿炫基丙烯酿胺型單體、經烧丙稀酸醋型單體、以及甲 基丙烯酸S旨型單體是在溶劑中起始劑的幫忙下聚合。每個 單體之莫耳比範圍為〇. 〇1至q. 99。 ch2 I ο ch2=c
ο I (CH丄 I OH
CH2*C
general formula CH3 2 反應式2 、其中，Ra、Rb及Rc分別為氫或甲基；&代表氫、羥、取 ，或未取代、線型或支狀的烷基或匕_5烷基、環烷基、烷 氧烷基或環烷氧烷基；以及n是丨至4的整數。 為了起始該聚合反應以製備化學式1及2之聚合物，可 使用一般自由基起始劑，較佳為選自2，2偶氮二異丁腈 ίΒΥ )、過氧乙酿、過氧月桂基以及t-過氧丁基所組成 的、、、，中此外亦可使用一般溶劑進行聚合，較佳為選 自四氫呋喃、f苯、苯、甲乙基丙酮及二噚烷所組成的組
第10頁 552270 五、發明說明（7) 群中。a亥化學式1及2之聚合物的聚合反應較佳為在5〇一8〇 °C中進行。 本發明之半導體裝置可以下述製成。單獨將化學式1 或2之共聚合物溶解在適當的溶劑中，或與〇 · 1至3 〇重量％ 之選自丙烯酸、雙乙基縮盤（diethylacetai)以及三聚 氰胺（melamine )型交聯劑。過濾該得到的試液並塗佈在 晶圓後’再加以固化烘烤（hard-baked )而形成交聯抗反 射塗層。再以傳統方式製成半導體裝置。 一般有機溶劑可甩來製備該組成物，例如選自乙基3 一 乙氧丙酸醋、曱基3-曱氧丙酸酯、環己烷及丙烯乙二醇曱 基醚乙酸醋（propyleneglycol methyletheracetate)的 組群中。該溶劑的使用量較佳為抗反射塗層聚合物樹酯使 用重量的20 0至5000%。 已發現本發明之抗反射塗層在使闬iggnn] ArF雷射為 光源之次微米微影製程中具有高效能。使用248nni KrF、 157nm F2雷射、電子束、ElJv (extremely UV)以及離子 束為光源時亦有相同效果。 為使本發明之優點及特徵對熟悉此項技術者更清楚可 見’兹舉出貫施例詳細說明之，惟該些實施例並非用以限 定本發明之專利範圍，僅用為說明數個較佳實施例。 實施例1 :丄苯磺醯曱某丙烯醯胺單體之合成） 在溶解於水之48% (w/w)之N-羥曱基丙烯醯胺單體加 入二乙基鍵或正己烷之後，過濾該試液，分離並乾燥。分 別將30.33g (〇·3 m〇ie)之N-羥甲基丙烯醯胺以及66.73g
552270 五、發明說明（8) (0·35 mole)之P一甲笨石黃醯基氣化物加入40.48g (0.4 mole)之三乙基胺，並完全將該混和物溶解。在一 500毫 升圓底燒瓶中之氮氣裡，將該N-羥甲基丙烯醯胺/三乙基 胺混和物緩慢攪拌加入與p-甲苯磺醯基氯化物/三乙基胺 混和物反應。該反應持續超過24小時。當該反應進行時， 以TLC檢測反應速度。在反應完成後，以硫酸中和並以去 離子水清洗，再將該有機溶劑中的反應物萃取。以硫酸鎮 移除該有機溶劑中的水並將該殘留物在低壓下蒸餾製成如 下列化學式1所示的單體。其產率為85-90%。
=CH ?«0 NH
I 0==3=0
CHq 化學式1 實施例2 : (p-曱茉磺醯甲基曱基丙烯醯胺單體之合 將溶於水之52· 6%(w/w)N-羥曱基曱基丙烯醯胺單體加 入二乙基醚或正己烷中，將該溶液沈澱、分離並乾燥。於 4〇.48g ((K35mole)之三乙基胺加入 34.54g (0.35 mole) 之N-羥甲基甲基丙烯醯胺和66.73g (0·35 mole)之p-甲笨 石黃醯基氯化物並將該混和物完全溶解。於一500毫升圓底 燒瓶中在氮氣中慢慢授掉P 一曱苯續酿基氯化物/三乙基烧 混和物於N-羥曱基甲基丙烯醯胺/三乙基烷混和物反應。
552270 五、發明說明（9) 該反應持續超過24小時。當該反應進行時，以TLC測驗其 反應速度。在反應完成後，以硫酸中和並以去離子水清 洗，再將該有機溶劑中的反應物萃取。以硫酸鎂移除該有 機溶劑中的水並在低壓下蒸餾該殘留物製成如下列化學式 2所示的單體。其產率為85-90 %。
化學式2 實施例3 :共聚合物聚（曱笑碏醯甲某丙烯醯胺-羥乙 烯酸酯-曱基丙烯酸甲酯-瑷氣丙締醢甲酯之合成） 在一 500毫升圓底燒瓶中放入71. 78g (0· 3mole)的p — 曱苯磺醯曱基丙烯醯胺，29g (0.25mole)的羥乙基丙烯酸 酯、lO.Olg (O.imole)的曱基丙烯酸曱酯及42.65g (0 · 3mo 1 e )的環氧丙烯酸甲酯。將該混和物分開地攪拌加 入300公克的THF ’並完全混和。然後，在〇·1-3公克的偶 氮二異丁腈存在下，將該反應試液在氮氣氣體中以60-75 °C進行5 - 2 0小時的聚合反應。聚合反應完成後，在乙g旨或 正己烷中沈澱該試液，再將沈澱物過濾乾燥得到聚（曱笨 磺醯基甲基丙烯醯胺-羥乙基丙烯酸酯-曱基丙烯酸曱酯-環氧丙烯酸曱酯），以下列化學式3所示。其產率為70-75
第13頁 552270 五、發明說明（ίο) % 。
化學式3 實施例4 :聚（曱笨磺醯基曱基丙烯醯胺-羥乙基丙烯酸曱 酯-曱基丙烯酸曱酯-環氣丙烯酸甲酯）共聚合物之合成） 在一 500毫升圓底燒瓶中放入78.96g (0.33mole)的 曱苯磺醯基甲基丙烯醯胺，26g(0.2moie) 的羥乙基丙烯 酸甲酯、15.17g (0.15111〇16)的曱基丙烯酸甲酯及42.652 (0 · 3mo 1 e )的環氧丙烯酸曱酯。將該混和物分開地攪拌加 入3 0 0公克的T H F，並完全混和。然後，在0 . 1 - 3公克的偶 氮二異丁腈存在下，將該反應試液在氮氣氣體中以60-75 °C進行5-20小時的聚合反應。聚合反應完成後，在乙酯或 正己烷中沈澱該試液，再將沈澱物過濾乾燥得到聚（曱笨 磺醯基曱基丙烯醯胺-羥乙基丙烯酸甲酯-曱基丙烯酸甲酯 -環氧丙烯酸甲酯），以下列化學式4所示。其產率為 70-75 % 〇
第14頁 552270 五、發明說明（π)
化學式4 實施例5 :聚（曱苯磺醯基甲基丙烯醯胺-羥丙基丙烯酸酉旨 -甲基丙烯酸甲酯-環氧丙烯酸曱酯）共聚合物之合成） 在一 500毫升圓底燒瓶中放入71.78g (0.3mole)的甲 苯磺醯基甲基丙烯醯胺，32. 54g (0.25 mole)的羥丙基丙 烯酸酯、lO.Olg (O.lmole)的甲基丙烯酸曱酯及42.65g (0. 3mo 1 e )的環氧丙烯酸甲酯。將該混和物分開地攪拌加 入3 0 0公克的T H F，並完全混和。然後，在0. 1 - 3公克的偶 氮二異丁腈存在下，將該反應試液在氮氣氣體中以60-75 °C進行5-20小時的聚合反應。聚合反應完成後，在乙酯或 正己烷中沈澱該試液，再將沈澱物過濾乾燥得到聚（甲苯 磺醯基甲基丙烯醯胺-羥丙基丙烯酸酯-甲基丙烯酸甲酯-環氧丙烯酸甲酯），以下列化學式5所示。其產率為70-75 %。
552270 案號89110843 年月 a 修正___- 五、發明說明（12) 實施例6 :聚（曱笨磺醯篡曱基丙烯醯胺-羥丙基丙烯 能-甲基丙婦酸甲酯-環氧丙稀酸曱酯）共聚合物之合威 在一 500毫升圓底燒瓶中放入7l.78g (〇.3mole)的甲 笨磺醯基曱基丙烯醯胺，33. 14g ( 〇. 23m〇le)的羥丙基丙 烯酸甲酯、10· Olg (0· lm〇le)的曱基丙烯酸曱酯及42. 65g (0 · 3 m ο 1 e )的環氧丙烯酸曱酯。將該混和物分開地授拌加 入3 0 〇公克的T H F ’並完全混和。然後，在0 · 1 - 3么克的偶 氮二異丁腈存在下，將該反應試液在氮氣氣體中以60〜75 。(：進行5-20小時的聚合反應。聚合反應完成後，在乙酯或 正己烷中沈澱該試液，再將沈澱物過濾乾燥得到聚（甲笨 石黃醢基曱基丙稀醯胺-經丙烯酸乙S旨-甲基丙稀酸甲®曰〜環 氧丙烯酸曱酯），以下列化學式6所示。其產率為7 0 — 7 5
化學式6
實施例7 :聚（曱笨磺醢W -甲基丙烯酸甲酯-環氧酸雖）基一笔舍物之 在一 5〇〇毫升圓底燒瓶中放入71.7W (〇.3m〇le)的曱 苯磺醯基曱基丙烯醯胺，28. 83g (0· 2m〇le)的羥丁基丙烯
5142-3245-PFl.ptc 第16頁 2^^2.06^7 552270 五、發明說明（13) 酸酯、lO.Olg (O.lmole)的甲基丙烯酸甲酯及42.65容（0· 3m〇 1 e)的環氧丙烯酸甲酯。將該混和物分開地攪拌加入 30 0公克的THF，並完全混和。然後，在〇· 1 _3公克的偶氮 二異丁膳存在下，將該反應試液在氮氣氣體中以60-75 C 進行5 _ 2 0小時的聚合反應。聚合反應完成後，在乙酯或正 己烷中沈澱該試液，再將沈澱物過濾乾燥得到聚（曱笨磺 醯基甲基丙烯醯胺-羥丙烯酸乙酯-甲基丙烯酸甲酯—環氧 丙稀酸甲S旨）’以下列化學式7所示。其產率為65-70%。
化學式7 實施例δ :聚（曱笨磺醯某甲某甲1丙烯醯胺_羥乙 酸甲酯-甲基_丙烯酸酯-環氧丙烯酸甲酯）共聚合物忐
在一 500毫升圓底燒瓶中放入75.99g (0.3mole)的ρ〜 曱苯續醯基曱基甲基丙晞醯胺，29.03g (0.25mole)的罗里 乙基丙烯酸甲酯、15· 02g (〇· 15mole)的甲基丙烯酸s旨及 4 2. 6 5g (0· 3mole)的環氧丙烯酸甲酯。將該混和物分開地 攪拌加入300公克的THF，並完全混和。然後，在〇· 1〜3公 克的偶氮一異丁膳存在下，將該反應試液在氮氣氣體中以
第17頁 552270 五、發明說明（14) 60-75 °C進行5-20小時的聚合反應。聚合反應完成後，在 乙酯或正己烷中沈澱該試液，再將沈澱物過濾乾燥得到聚 (甲苯磺醯基甲基甲基丙烯醯胺-羥乙基丙烯酸甲酯-甲基 丙烯酸酯-環氧丙烯酸甲酯），以下列化學式8所示。其產 率為 70-75 %。
1
(祆)2 ^ U OH 化學式8 實施例g ··聚（曱策旖st基曱基甲基丙雖胺—羥乙基丙差 II酯-甲基丙烯酸甲酯-瑗氣丙烯酸.丄共聚合物之舍^ 1 在一 500毫升圓底燒瓶中放入75.99g (0.3mole)的甲 笨磺醯基曱基甲基丙烯酸甲酯，26· 3g (〇· 2mole)的羥乙 基丙烯酸酯、12.91g (〇.15mole)的甲基丙烯酸甲酯及42. 6 5 g ( 〇 · 3mo 1 e )的環氧丙稀酸甲酯。將該混和物分開地擾 拌加入300公克的THF，並完全混和。然後，在0.卜3公克 的偶氮二異丁腈存在下，將該反應試液在氮氣氣體中以 6 〇 - 7 5 °C進行5 - 2 0小時的聚合反應。聚合反應完成後，在 乙酯或正己烷中沈澱該試液，再將沈澱物過濾乾燥得到聚 (甲苯磺酸基甲基甲基丙稀龜胺-經乙基丙烯酸醋—甲基丙
第18頁 552270 五、發明說明（15) 烯酸甲酯-環氧丙烯酸甲酯），以下列化學式9所示。其虞 率為 70-75 %。
化學式9 實施例1 0 :聚（甲茉礒醯基甲篡甲基丙丙 旆酸甲酯-甲基丙烯酸甲酯-環氣丙烯)-ϋ舍 金成） 在一 500毫升圓底燒瓶中放入7 5. 99g (〇· 3mole)的Ρ一 甲苯磺醯基曱基曱基丙烯醯胺，32.54g (〇·25 mole)的羥 丙基丙烯酸甲酯、15· 02g (〇· 15mole )的甲基丙烯酸甲 酉旨及42· 6 5g ( 0· 3m〇l e)的環氧丙烯酸甲酯 開地攪拌加入300公克的THF，並完全混和。然後，在 二異丁腈存在下，將該反應試液在氮氣 :體中以60-75 c進行5_2〇小時的 成後，在乙酯或正己烷中冲寧分_、、广 ^ K 口反應70 '/尤邊又该σ式液’再將沈仏 燥得到聚（曱笨磺醯美甲其田其石ρ林于，疋我物過濾乾 ，、啊巷T基甲基丙烯醯胺-羥 甲酯-甲基丙烯酸甲舻声^ ^ m ^内基丙烯酸 又T酉日—％氧丙烯酸曱酯），以下石,， 1〇所示。其產率為70-75y M下列化學式
552270 五、發明說明（16)
化學式1 0 實施例11 :聚（甲笨磺醯基甲基甲基丙烯醯胺-羥丙基丙 烯酸甲酯-曱基丙烯酸酯-環氧丙烯酸曱酯）共聚合物之合 成） 在一 500毫升圓底燒瓶中放入75.99g (0.3mole)的曱 苯磺醯基甲基甲基丙烯醯胺，31.72g (0.22mole)的羥丙 基丙烯酸甲酯、12.91g (0· 15mole)的甲基丙烯酸甲酯及 4 2 · 6 5 g ( 0 · 3 m ο 1 e )的環氧丙稀酸曱S旨。將該混和物分開地 攪拌加入30 0公克的THF，並完全混和。然後，在0. 1-3公 克的偶氮二異丁腈存在下，將該反應試液在氮氣氣體中以 6 0-75 °C進行5-20小時的聚合反應。聚合反應完成後，在 乙酯或正己烷中沈澱該試液，再將沈澱物過濾乾燥得到聚 (曱苯磺醯基甲基甲基丙烯醯胺-羥丙基丙烯酸甲酯-甲基 丙烯酸曱酯-環氧丙烯酸甲酯），以下列化學式11所示。 其產率為65-70 %。
第20頁 552270 五、發明說明（17) 忾 <9^)3 M f2 令 OH t^° 化學式11 實施例1 2 :聚（甲笑碏醯基甲基甲基-羥丁基否 歸酸S旨-甲基丙煉酸甲醋-環氧丙婦酸共聚合物之舍 成） 在一 500毫升圓底燒瓶中放入75· 99g (0· 3mole)的曱 笨磺醯基甲基曱基丙烯醯胺、28.83g (〇·2 mole)的羥丁基 丙烯酸酯、10· Olg (〇· 15mole)的甲基丙烯酸甲酯及 42· 65g (0· 3mole)的環氧丙烯酸甲酯。將該混和物分開地 攪拌加入300公克的THF，並完全混和。然後，在〇·卜3公 克的偶氮二異丁腈存在下，將該反應試液在氮氣氣體中以 6〇〜75 °C進行5-20小時的聚合反應。聚合反應完成後，在 乙酯或正己烷中沈澱該試液，再將沈澱物過濾乾燥得到聚 (甲笨磺醯基曱基甲基丙烯醯胺-羥丙基丙烯酸酯-曱基丙 烯酸曱酯-環氧丙烯酸甲酯），以下列化學式1 2所示。其 產率為65_70%。
第21頁 552270 五、發明說明（18)
化學式1 2 實施例1 3 :聚（甲苯磺醯基甲基丙烯醯胺-羥乙基丙烯酸 酯-曱基丙烯酸曱酯）共聚合物之合成） 在一 500毫升圓底燒瓶中放入71. 78g (0. 3mole)的甲 苯磺醯基甲基丙烯酸酯、34· 84g ( 0· 3mole)的羥乙基丙烯 酸酯及25. 03g (0· 25mole)的甲基丙烯酸甲酯。將該混和 物分開地攪拌加入300公克的THF，並完全混和。然後，在 0.卜3公克的偶氮二異丁腈存在下，將該反應試液在氮氣 氣體中以60-75 °C進行5-20小時的聚合反應。聚合反應完 成後，在乙酯或正己烷中沈澱該試液，再將沈澱物過濾乾 燥得到聚（曱苯磺醯基甲基丙烯醯胺-羥乙基丙烯酸酯-甲 基丙烯酸甲酯），以下列化學式13所示。其產率為70-75 % 〇
化學式1 3 552270 五、發明說明（19) 實施例14 : K甲笨磺醯基曱基丙嬌醯胺-_1呈乙 甲酶二_.甲基丙_稀酸甲酯）共聚合物之合成） 在一 500毫升圓底燒瓶中放入78.96g (〇.33mole)的甲 苯績醯基甲基丙烯醯胺、45.55g (0.35m〇le)的羥乙基丙 稀酸曱酯及25.03g (0.25mole)的甲基丙稀酸甲酯。將該 混和物分開地攪拌加入300公克的THF，並完全混和。然 後，在0 · ：1 - 3公克的偶氮二異丁腈存在下，將該反應試液 在氮氣氣體中以60-75 °C進行5-20小時的聚合反應。聚合 反應完成後，在乙酯或正己烷中沈澱該試液，再將沈澱物 過濾乾燥得到聚（甲苯磺醯基甲基丙烯醯胺-羥乙基丙婦 酸甲醋-甲基丙婦酸甲醋），以下列化學式1 4所示。其產 率為 70-75 %。
化學式14 實施例1 5 :聚（甲茉碏醯基甲基丙烯鱗丙身^ J旨-甲基丙烯酸曱醋）共聚合物之合成」- 在一 500毫升圓底燒瓶中放入71· 78g (〇· 3m〇le)的甲 苯磺醯基曱基丙烯酸酯、42.95g (0.33m〇le)的羥丙基丙 烯酸酯及22. 03g (0· 22m〇le)的曱基丙稀酸甲酿。將該混 552270 _____ 五、發明說明（20) 和物分開地攪拌加入300公克的THF，旅完全混和。然後， 在0.1-3公克的偶氮二異丁腈存在下，將該反應試液在氮 氣氣體中以60-75 °C進行5-20小時的聚合反應°聚合反應 完成後，在乙酯或正己烷中沈澱該試浪’再將；尤；殿物過濾 乾燥得到聚（甲苯磺醯基甲基丙烯醯胺# m丙基丙稀酸酯〜 曱基丙烯酸甲酯），以下列化學式1 5所示°其產率為 70-75 % ° 七
化學式1 5 實施例1 6 :聚（甲笨旙醯某甲基丙烯丙基丙 曱酯-甲基丙烯酸甲酯）共聚合物之 在一 500毫升圓底燒瓶中放入71.78g (0.3mole)的曱 苯磺醯基甲基丙烯酸酯、46.58g (0.33m〇le)的經丙基丙 烯酸甲酯及25. 03g (0· 25m〇le)的甲基丙烯酸甲酯。將該 混和物分開地攪拌加入3 0 0公克的τ H F，旅完全混和。然 後，在0· 1-3公克的偶氮二異丁腈存在下，將該反應試液 在氮氣氣體中以60-75 °C進行5-20小時的聚合反應。聚合 反應完成後，在乙酯或正己烷中沈澱該試液，再將沈澱物 過濾乾燥得到聚（甲苯磺醯基甲基丙烯醯胺—羥丙基丙烯
第24頁 552270 五、發明說明（21) 酸曱S旨-甲基丙稀酸甲醋） 率為 70-75 %。 以 下列彳b學式1 6所示。其 產
化學式16 實施例17 :聚（一甲_苯磺醯某甲基丙烯 酉旨-甲基丙嫌酸甲自旨）共聚合物之合成 在一 500毫升圓底燒瓶中放入71.78g (〇.3mole)的甲 苯磺醯基甲基丙烯酸酯、43.25g (0.3m〇le)的羥丁基丙烯 酸酯及2 5 · 0 3g ( 0 · 3mo 1 e )的甲基丙烯酸甲醋。將該混和物 分開地攪拌加入300公克的THF，並完全混和。然後，在〇· 1 - 3公克的偶氮二異丁腈存在下’將該反應試液在氮氣氣 體中以6 0 - 7 5 °C進行5 - 2 0小時的聚合反應。聚合反應完成 後，在乙酯或正己烷中沈澱該試液’再將沈澱物過濾乾燥 得到聚（甲苯磺醯基曱基丙稀酸Sl —經丁基丙烯酸_ —曱基 丙稀酸甲酯）’以下列化學式Η所示。其產率為70-75 %。 ΙΕ^ 第25頁 552270 五、發明說明（22)
化學式1 7 實施例1 8 :聚（甲笨碏醯基甲基甲基透醯胺二一每_〇-基..一内 烯酸酯-曱基丙烯酴甲酯）共聚合物 在一 500毫升圓底燒瓶中放入7 5.99g (〇.3mole)的曱 苯磺醯基甲基曱基丙烯醯胺、29.03g (〇.25mole)的羥乙 基丙烯酸酯及29· 03g (〇· 25mole)的甲基丙烯酸甲酯。將 該混和物分開地攪拌加入3〇 〇公克的THf，並完全混和。然 後’在0.1-3公克的偶氮二異丁腈存在下，將該反應試液
過渡乾燥得到聚（甲 丙烯酸_-甲基丙烯酸甲醋），以下列化學式18所示。其 i小時的聚合反應。聚合 酷或正己烷中沈澱該試液，再將沈澱物 甲笨磺醯基曱基甲基丙烯醯胺—羥乙基 產率為70-75 %。
化學式I 8
第26頁 552270 五、發明說明（23) 實施例1 9 :聚（甲笨磺醯基曱基甲基丙烯醯胺-羥乙基丙 烯酸甲酯-曱基丙烯酸曱酯）共聚合物之合成） 在一 500毫升圓底燒瓶中放入75.99g (0.3mole)的甲 苯石黃S备基甲基甲基丙烯醯胺、41.64g (0.32mole)的經乙 基丙烯酸曱酯及2 5. 0 3g (0· 3mole)的甲基丙烯酸甲酯。將 該混和物分開地攪拌加入3 0 0公克的THF，並完全混和。然 後，在0 .：[ - 3公克的偶氮二異丁腈存在下，將該反應試液 在氮氣氣體中以60-75 °C進行5-20小時的聚合反應。聚合 反應完成後，在乙酯或正己烷中沈澱該試液，再將沈澱物 過濾乾燥得到聚（曱苯磺醯基甲基甲基丙烯醯胺-羥乙基 丙烯酸甲酯-曱基丙烯酸甲酯），以下列化學式1 9所示。 其產率為70-75 %。
化學式1 9 實施例2 0 :聚（甲笨磺醯基曱基曱基丙烯醯胺-羥丙基丙 烯酸酯-曱基丙烯酸甲酯）共聚合物之合成 在一 500毫升圓底燒瓶中放入75.99g (0.3mole)的甲 苯績醯基甲基甲基丙烯驢胺、42.95g ((K33mole)的經丙 基丙烯酸酯及25.03g (0.3mole)的甲基丙烯酸甲酯。將該
552270 五、發明說明（24) 混和物分開地攪拌加入300公克的THF ’並完全混和。然 後，在0 · 1 - 3公克的偶氮二異丁腈存在下’將該反應試液 在氮氣氣體中以6 〇 - 7 5 °C進行5 - 2 0小時的聚合反應。聚合 反應完成後，在乙醋或正己烧中沈丨殿該試液’再將沈;殿物 過滤乾燥得到聚（甲苯石黃驢基甲基甲基丙烯驢胺—經丙基 丙烯酸酯-甲基丙烯酸甲酯），以下列化學式2 〇所示。其 產率為70-75 %。
化學式20 實施例2 3 :聚（曱菜碏醯基曱基曱基丙烯醯茶-羥丙基丙 烯酸甲酯-甲基丙烯酸甲酯）共聚合物之合成_ ) 在一 500毫升圓底燒瓶中放入75.99g (0.3mole)的甲 苯磺醯基甲基曱基丙烯醯胺、43.25g (0.3 mole)的羥丙基 丙烯酸曱酯及25· 〇3g (〇· 3mole)的甲基丙烯酸甲酯。將該 混和物分開地攪拌加入3 〇 0公克的τ H F，並完全混和。然 後’在0 · 1 - 3公克的偶氮二異丁腈存在下，將該反應試液 在氣氣氣體中以60-75Τ：進行5〜20小時的聚合反應。聚合 反應完成後，在乙酯或正己烷中沈澱該試液，再將沈澱物 過濾乾燥得到聚（曱苯磺醯基甲基曱基丙烯醯胺-羥丙基 552270 五、發明說明（25) 丙烯酸甲酯-甲基丙烯酸甲酯），以下列化學式2 1所示。 其產率為70-75 %。
化學式21 實施例2 2 :聚（甲笨磺醯基甲基甲基丙烯醯胺-羥丁基丙 烯酸酯-甲基丙烯酸曱酯）共聚合物之合成） 在一 500毫升圓底燒瓶中放入75.99g (0.3mole)的甲 苯磺醯基甲基甲基丙烯醯胺、47.58g (0.33mole)的羥丁 基丙烯酸酯及25. 03g (0· 3mole)的甲基丙烯酸甲酯。將該 混和物分開地攪拌加入30 0公克的THF，並完全混和。然 後，在0.卜3公克的偶氮二異丁腈存在下，將該反應試液 在氮氣氣體中以60-75 °C進行5-20小時的聚合反應。聚合 反應完成後，在乙酯或正己烷中沈澱該試液，再將沈澱物 過濾乾燥得到聚（甲苯磺醯基甲基甲基丙烯醯胺-羥丁基 丙烯酸酯-曱基丙烯酸甲酯），以下列化學式2 2所示。其 產率為6 5-70 %。
552270 五、發明說明（26)
化學式22 實施例2 3 ··製備抗反射塗層
在200-5000wt%的丙浠乙二醇甲基醚乙酸酯（pgmeA) 中溶解實施例5至1 2之具有化學式1的樹酯。將該試液過渡 塗佈在晶圓上並固化烘烤（在1 0 0-3 00 °C下固化烘烤 1 0 - 1 0 0 0秒）。在形成的抗反射塗層上塗上光阻材料，並 以一般方法施加圖案而形成微細圖案。 實施例24 ··製備抗反射塗層 在200 - 5000wt%的丙烯乙二醇曱基醚乙酸酯（PGMEA)
中溶解實施例1 3至22之具有化學式2的樹酯。將該試液單 獨或與0·1-30重量％之至少一種選自丙烯醛雙甲基縮醛 (acroleindimethylacetal )、丙稀酸雙乙基縮酸 (acroleindiethylacetal )以及三聚氰胺型交聯劑之添 加劑混和，將其過濾塗佈在晶圓上並固化烘烤（在 1 0 0-30 0 °c下固化烘烤1 0 - 1 0 00秒）。在形成的抗反射塗層 上塗上光阻材料，並以一般方法施加圖案而形成微細圖 案0 如上所述，化學式1或2之抗反射塗層聚合物，例如化
第30頁 552270 五、發明說明（27)
學式3至22的聚合物 優的吸收度之I发3、，，、所包含之在1 93nm波長具有極 i當本發明2:”胺鏈鎖，因此是適合的抗反射塗 製程之抗反射塗屉° ^作為製造半導體中的微細圖案形成
而增加，而形成心會因來自較低層的cd變化降低 微細圖案。心疋的64M、256M、1G、4G以及16G DRAM 雖然本發明以特定較佳實施例說明如上，但可在本發 明之精神及標的内做各式更動與潤飾。本發明之專利範圍 當視後敘之申請專利範圍為準。
第31頁

Claims (1)

  1. B2m 公告^ 89110843 年 3 補充 六2主綠臬烈範圍」 1. 一種聚合物，其真學式3所示之單體 :. o-s-o Φ 化學式3 其中，R為氫或曱基。 2. —種製備如化學式3所示之單體的方法， o-s-o Φ 化學式3 其中R為氫或甲基；其包括： 在三乙基胺中溶解N-羥曱基丙烯氨或N-羥曱基曱基丙 烯氨形成第一溶液；在三乙基胺中溶解P-曱苯磺醯基氣化 物形成第二溶液；在氮氣氣體中反應該第一及第二溶液； 中和並洗清該反應物；淬取該有機溶劑層並從中移除水 分；以及在減壓下蒸餾該殘留物。 3 · —種聚合物，如化學式1所示：
    5142-3245-PFl.ptc 第32頁 2002. 12. 06.033 552270 _案號89110843_年月日_修正 六、申請專利範圍
    其中，Ra、Rb、Re及匕是氫或甲基；心代表氫、羥、取 代或未取代、線型或支狀的匕_5烷基、環烷基、烷氧烷基 或環烷氧烷基；w、x、y及z分別是從0.01至0.99之莫耳 比；以及h以及n2是1至4的整數。 4. 如申請專利範圍第3項所述之聚合物，其中該匕代 表甲基。 5. 如申請專利範圍第3項所述之聚合物，其包括聚· (曱苯磺醯基曱基丙烯醯胺-羥丙烯酸乙酯-曱基丙烯酸曱 酯-環氧丙烯酸曱酯），其中曱苯磺醯基曱基丙烯醯胺： 羥丙烯酸乙酯：曱基丙烯酸曱酯：環氧丙烯酸曱酯的莫耳 比為 0·3 :0.25 :0·1 :0.3。 6. 如申請專利範圍第3項所述之聚合物，其包括聚 (甲苯磺醯基曱基丙烯醯胺-羥乙基丙烯酸曱酯-曱基丙烯 酸甲酯-環氧丙烯酸曱酯），其中曱苯磺醯基甲基丙烯醯 胺：羥乙基丙烯酸曱酯：甲基丙烯酸曱酯：環氧丙烯酸曱 酯的莫耳比為0.3 :0.2 :0.1 :0.3。 7. 如申請專利範圍第3項所述之聚合物，其包括聚 (曱苯磺醯基曱基丙烯醯胺-羥丙烯酸丙酯-曱基丙烯酸曱
    5142-3245-PFl.ptc 第33頁 2002. 12. 06. 034 552270 案號 89110843 曰 修正 六、申請專利範圍 酯-環氧丙烯酸甲酯），其中曱苯磺醯基曱基丙烯si胺： 羥丙烯酸丙酯：曱基丙烯酸曱酯：環氧丙烯酸曱酯的莫耳 比為 0 · 3 : 0 · 2 5 ·· 0 · 1 ·· 0 · 3。 8. 如申請專利範圍第3項所述之聚合物，其包括聚 (曱苯磺醯基甲基丙烯醯胺-羥丙基丙烯酸甲酯-曱基丙烯 酸曱酯-環氧丙烯酸曱酯），其中甲苯磺醯基曱基丙烯醯 胺：羥丙基丙烯酸曱酯：曱基丙烯酸甲酯：環氧丙烯酸甲 酯的莫耳比為0.3 :0.23 :0.1 :0.3。
    9. 如申請專利範圍第3項所述之聚合物，其包括聚 (曱苯磺醯基曱基丙烯醯胺-羥丙烯酸丁酯-曱基丙烯酸曱 酯-環氧丙烯酸曱酯），其中曱苯磺醯基曱基丙烯醯胺： 羥丙烯酸丁酯：甲基丙烯酸曱酯：環氧丙烯酸甲酯的莫耳 比為 0 · 3 : 0 · 2 ·· 0 · 1 ·· 0 · 3。 1 0.如申請專利範圍第3項所述之聚合物，其包括聚 (甲苯磺醯基甲基曱基丙烯醯胺-羥乙基丙烯酸甲酯-曱基 丙烯酸曱酯-環氧丙烯酸曱酯），其中甲苯磺醯基曱基曱 基丙烯醯胺：羥乙基丙烯酸曱酯：甲基丙烯酸甲酯：環氧 丙烯酸曱酯的莫耳比為0.3 :0.25 :0.15 :0.3。
    1 1.如申請專利範圍第3項所述之聚合物，其包括聚 (甲苯磺醯基甲基甲基丙烯醯胺-羥乙基丙烯酸酯-曱基丙 烯酸曱酯-環氧丙烯酸曱酯），其中曱苯磺醯基曱基甲基 丙烯醯胺：羥乙基丙烯酸酯：曱基丙烯酸曱酯：環氧丙烯 酸曱酯的莫耳比為0. 3 ·· 0. 2 ·· 0. 1 5 : 0 · 3。 1 2.如申請專利範圍第3項所述之聚合物，其包括聚
    5142-3245-PFl.ptc 第34頁 2002. 12. 06. 035 552270 案號 89110843 曰 修正 六、申請專利範圍 (甲笨磺醯基曱基曱基丙烯醯胺-羥丙基丙烯酸甲醋-甲基 丙烯酸甲酯-環氧丙烯酸甲酯），其中甲苯磺醯基甲基曱 基丙烯醯胺：羥丙基丙烯酸曱酯：曱基丙烯酸曱酯：環氧 丙烯酸甲酯的莫耳比為0 · 3 : 0 · 2 5 : 0 · 1 5 ·· 0. 3。 1 3.如申請專利範圍第3項所述之聚合物，其包括聚 (甲苯磺醯基曱基曱基丙烯醯胺-羥丙基丙烯酸曱酯-曱基 丙烯酸曱酯-環氧丙烯酸曱酯），其中曱苯磺醯基曱基曱 基丙烯醯胺：羥丙基丙烯酸曱酯··曱基丙烯酸曱酯：環氧 丙烯酸曱酯的莫耳比為0.3 :0.22 :0.15 :0.3。
    14.如申請專利範圍第3項所述之聚合物，其包括聚 (曱苯磺醯基曱基曱基丙烯醯胺-羥丁基丙烯酸酯-甲基丙 烯酸曱酯-環氧丙烯酸曱酯），其中曱苯磺醯基曱基曱基 丙烯醯胺：羥丁基丙烯酸酯：曱基丙烯酸曱酯：環氧丙烯 酸曱酯的莫耳比為0. 3 ·· 0 · 2 : 0. 1 ·· 0 · 3。 1 5. —種製備如申請專利範圍第3項所述之聚合物的方 法，其包括：在起始劑的存在下於溶劑中聚合曱苯磺醯基 烷基丙烯醯胺型單體、羥烷基丙烯酸酯型單體、烷基丙烯 酸酯型單體以及環氧丙烯酸曱酯型單體，如下列反應式1 所示：
    5142-3245-PFl.ptc 第35頁 2002.12. 06. 036 552270 ”、申請專利範 89110843 年 曰 修正 圍 CH, CHa (CHj)ni CHj (CHi) 〇Jb° 〇eneri (〇rmu( O-S-O ά A ΓΛ 泊爲；Rl代表虱、經、取 其中，Ra、Rb、Rc及心是氫戒肀秦'.^ / 代或未取代、線型或支狀的k炫基H H炫基 或環烷氧烷基；w、xAy分別是從〇.01至〇.9之莫耳比， 以及h以及n2是1至4的整數。 ’ 1 〇 . . , 1之方法，其中&代表 1 6 ·如申請專利範圍第丨5項所也 甲基。 1 7上由μ古 々方法’其中遠起始劑 1 7·如申睛專利範圍第1 5項述之万口 7护、A〆 為選自2、9便" 田 、、過乳乙Si&、過氣月 ㈢z 2 —偶虱二異丁腈（AIBN) 桂以及t—過氧丁基的組群中。 18.如申請專利範圍第15項戶斤述之方法，其B中該j容劑 為選自四氫呋喃、曱笨、苯、甲基乙基丙酮以及一b烷的 組群中。 μ.如申請專利範圍第15項所述之方法’其中該聚合 反應是在50-80。(：的溫度下進行。 20.—種如化學式2所示之聚合物：
    第36貢 2002. 12.06. 037 552270 案號 89110843 年 月 曰 修正 六、申請專利範圍
    其中，Ra、Rb及1是氫或甲基；心代表氫、羥、取代或 未取代、線型或支狀的q_5烷基、環烷基、烷氧烷基或環 烷氧烷基；X、y及z分別是從0· 01至0· 99之莫耳比；以及 h和仏分別是1至4的整數。 2 1.如申請專利範圍第2 0項所述之聚合物，其中心代 表曱基。 2 2.如申請專利範圍第20項所述之聚合物，其包括聚 (曱笨磺醯基甲基丙烯醯胺-羥丙烯酸乙酯-曱基丙烯酸曱 酯），其中甲苯磺醯基甲基丙烯醯胺：羥丙烯酸乙酯：曱 基丙烯酸曱酯的莫耳比為0.3 :0.3 :0.25。 2 3.如申請專利範圍第20項所述之聚合物，其包括聚 (曱笨磺醯基曱基丙烯醯胺-羥乙基丙烯酸曱酯-甲基丙烯 酸曱酯），其中曱苯磺醯基曱基丙烯醯胺：羥乙基丙烯酸 甲酯：曱基丙烯酸曱酯的莫耳比為0.33 :0.35 :0.25。 2 4.如申請專利範圍第20項所述之聚合物，其包括聚 (曱苯磺醯基曱基丙烯醯胺-羥丙烯酸丙酯-曱基丙烯酸曱 酯），其中曱苯磺醯基甲基丙烯醯胺：羥丙烯酸丙酯：曱 基丙烯酸曱酯的莫耳比為0.3 :0.33 :0.22。
    5142-3245-PFl.ptc 第37頁 2002. 12.06.038 552270 案號 89110843 _η 曰 修正 六、申請專利範圍 2 5.如申請專利範圍第2 0項所述之聚合物，其包括聚 (甲笨磺醯基甲基丙烯醯胺-羥丙基丙烯酸曱酯-曱基丙烯 酸甲酯），其中曱苯磺醯基甲基丙烯醯胺：羥丙基丙烯酸 甲酯：甲基丙烯酸曱酯的莫耳比為0.3 :0.33 :0.25。 2 6.如申請專利範圍第2 0項所述之聚合物，其包括聚 (甲笨磺醯基甲基丙烯醯胺-羥乙基丙烯酸酯-甲基丙烯酸 曱酯），其中曱苯磺醯基曱基丙烯醯胺：羥乙基丙烯酸 酯··曱基丙烯酸曱酯的莫耳比為0 · 3 : 0. 3 ·· 0. 3。
    2 7.如申請專利範圍第20項所述之聚合物，其包括聚 (甲苯磺醯基曱基曱基丙烯醯胺-羥乙基丙烯酸曱酯-曱基 丙烯酸甲酯），其中曱苯磺醯基曱基呷基丙烯醯胺··羥乙 基丙烯酸曱酯：曱基丙烯酸曱酯的莫耳比為0.3 :0.25 : 2 8.如申請專利範圍第20項所述之聚合物，其包括聚 (曱苯磺醯基曱基甲基丙烯醯胺-羥乙基丙烯酸曱酯-曱基 丙烯酸曱酯），其中曱苯磺醯基曱基曱基丙烯醯胺：羥 乙基丙烯酸曱酯：曱基丙烯酸曱酯的莫耳比為0.3 : 0·32 : 0· 3 。
    29.如申請專利範圍第20項所述之聚合物，其包括聚 (甲苯磺醯基曱基曱基丙烯醯胺-羥丙基丙烯酸酯-曱基丙 烯酸曱酯），其中甲苯磺醯基曱基曱基丙烯醯胺：羥丙基 丙烯酸酯：曱基丙烯酸曱酯的莫耳比為0.3 :0.33 :0.3。 3 0.如申請專利範圍第2 0項所述之聚合物，其包括聚 (曱苯磺醯基甲基甲基丙烯醯胺-羥丙基丙烯酸甲酯-甲基
    5142-3245-PFl.ptc 第38頁 2002.12.06.039 552270 _案號89110843_年月日_^_ 六'申請專利範圍 丙烯酸曱酯），其中曱苯磺醯基曱基曱基丙烯醯胺：：羥丙 基丙烯酸曱酯：曱基丙烯酸曱酯的莫耳比為0.3 :0.3 :0· 3 〇 31.如申請專利範圍第20項所述之聚合物，其包括聚 (曱笨磺醯基甲基甲基丙烯醯胺-羥丁基丙烯酸酯-甲基丙 烯酸曱酯），其中曱苯磺醯基曱基曱基丙烯醯胺：羥丁基 丙烯酸酯：甲基丙烯酸曱酯的莫耳比為0.3 :0.33 :0.3。
    3 2. —種製備如申請專利範圍第2 0項所述之聚合物的 方法，其包括：在起始劑的存在下於溶劑中聚合曱苯磺醯 基烷基、羥烷基丙烯酸酯型單體以及烷基丙烯酸酯型單 體，如下列反應式2所示： ’
    其中，Ra、Rb及匕是氫或曱基；心代表氫、羥、取代或 未取代、線型或支狀的Cp5烷基、環烷基、烷氧烷基或環 烷氧烷基；η是1至4的整數；以及每個單體的莫耳比為0. 01-0. 99 〇 3 3.如申請專利範圍第3 2項所述之方法，其中心代表 曱基。
    5142-3245-PFl.ptc 第39頁 2002.12.06.040 552270
    _案號 89110843 六、申請專利範圍 3 4 ·製備如申請專利範圍第3 2頊所述之方法’莫中該 起始劑為選自2、2-偶氮二異丁腈（AlBN)、過氧乙酿、 過氧月桂以及t-過氧丁基的組群中。 35.如申請專利範圍第32項所述之方法，其中該溶劑 為選自四氫呋喃、曱笨、笨、甲基乙基丙酮以及二噚烷的 組群中。 3 6 ·如申請專利範圍第3 2項所述之方法，其中該聚合 反應是在50-80 °C的溫度下進行。
    3 7 · —種包含申請專利範圍第3項所述之聚合物的抗反 射塗層。 3 8 · —種製備包括抗反射塗層之半導體裝置的方法， 其包括溶解200-5000%(w/w)之中請專利範圍第3項所多之 聚合物於有機溶劑中而形成塗層組成物；過濾該組成物並 塗佈於晶圓上；以及將該塗佈之晶圓於1 0 0-30 0 °C下固化 烘烤1 0 - 1 0 〇 〇秒。 3 9 ·如申請專利範圍第3 8項所述之方法，其中該有機 溶劑是選自3 -曱氧丙酸酯、環己烷以及丙烯乙二醇甲基醚 乙酸醋的組群中。
    4〇· —種抗反射塗層，其包括申請專利範圍第20項所 述之聚合物以及0.1至30% (w/w)之一選自丙烯醛雙曱基縮 搭、丙烯醛雙乙基縮醛以及三聚氰胺型交聯劑之添加劑。 41· 一種製備包括抗反射塗層之半導體裝置的方法， 其包括溶解200-5000%(w/w)之申請專利範圍第20項所述 之聚合物於有機溶劑中；將〇· 1至30%(w/w)選自丙烯醛雙
    5142-3245-PFl.ptc 第40頁 2002.12.06.041 552270 _案號89110843_年月曰 修正_ 六、申請專利範圍 甲基縮醛、丙烯醛雙乙基縮醛以及三聚氰胺型交聯劑之添 加劑完全溶於其中而形成抗反射塗層組成物；過濾該組成 物，並將該組成物塗佈於晶圓上；以及將該塗佈之晶圓於 1 0 0 - 3 0 0 °C下固化烘烤1 0 - 1 0 0 0秒。 4 2.如申請專利範圍第41項所述之方法，其中該有機 溶劑為選自3 -曱氧丙酸酯、環己烷以及丙烯乙二醇曱基醚 乙酸酯的組群中。
    5142-3245-PFl.ptc 第41頁 2002. 12. 06. 042
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