JP4107937B2 - 反射防止膜の組成物、反射防止膜の製造方法及び半導体素子 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は193nm ArFを用いたリソグラフィー用フォトレジストを使用する超微細パターンの形成工程において、下部膜層の反射を防止して光およびフォトレジスト自体の厚さの変化による定在波(standing wave)を除去することができる反射防止用有機物質に関するもので、特に64M、256M、1G、4G DRAMの超微細パターンの形成時に使用できる有機反射防止の重合体およびその製造方法に関するものである。また、本発明はこのような有機反射防止の重合体を含む有機反射防止の組成物と、これを用いた有機反射防止膜およびその製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
半導体の製造工程のうち、超微細パターンの形成工程ではウェーハ上の下部膜層の光学的性質および感光膜の厚さの変動による定在波及び反射ノッチング(reflective notching)と、下部膜からの回折光および反射光によるCD(critical dimension)の変動が不可避に起こる。従って、露光源として使用する光の波長帯において光を良好に吸収する有機物質を導入して、下部膜層からの反射が防止できるようにする反射防止膜の導入が提案されてきた。
【0003】
このような反射防止膜は、使用する物質の種類によって無機系反射防止膜と有機系反射防止膜に分けられ、その仕組み(mechanism)に基づき、更に吸収系反射防止膜と干渉系反射防止膜に分けられる。
【0004】
ところで、従来の微細パターンの形成工程では主に無機系反射防止膜が使われてきたが、例えば、I−線(I-line;365nm波長)を用いた微細パターンの形成工程においては、前述のような無機系反射防止膜の中でも吸収系反射防止膜の一種であるTiNおよび無定型カーボン(Amorphous C)や、干渉系反射防止膜の一種であるSiONを主に使用してきており、従来のKrF光を利用する超微細パターンの形成工程においてもまた無機界反射防止膜のうち、干渉計反射防止膜に属するSiONを主に使用してきた。
【0005】
しかし、前述のような従来の無機系反射防止膜の場合には、光源である193nmにおける干渉現状を制御する物質がまだ発表されておらず、近年になって反射防止膜として有機系化合物を使用しようとする努力が続いている。
【0006】
但し、このような有機系反射防止膜は次のような基本条件を要する。
【0007】
第一に、工程適用の際、フォトレジストが溶媒によって溶解されて剥がれる現象があってはならない。また、そのためには成形膜が架橋構造をなすように設計される必要があり、この時副産物として化学物質が生じてはならない。
【0008】
第二に、反射防止膜からの酸またはアミン等の化学物質の出入があってはならない。万一、反射防止膜から酸が移行すればパターンの下面にアンダーカッティング(undercutting)が発生し、アミン等の塩基が移行しながらフッティング(footing)現象を誘発する傾向があるためである。
【0009】
第三に、エッチングの時、感光膜をマスクとして使用してエッチング工程を円滑に行なうためには、反射防止膜は上部の感光膜に比べて相対的に速いエッチング速度を持たなければならない。
【0010】
第四に、この様な条件により反射防止膜はできるだけ薄膜でも十分に反射防止としての役割を果たさなければならない。
【0011】
従って、近年では干渉現象が適切に制御できると共に、前述のような条件を満たす有機反射防止膜に対する多くの研究が行われたことによって多数の有機反射防止膜が開発されてきた。
【0012】
但し、このような通常の有機反射防止膜は、第一に、発色団を含有した重合体とこれらを互に架橋させる架橋剤(単分子物)及び添加剤(熱変酸化剤)、または第二に、自ら架橋反応が可能で、発色団を含有する重合体及び添加剤(熱変酸化剤)の2種類の形態で大きく分けられるが、前記2種類の形態の有機反射防止膜は全て重合反応時に予め設計された比率によって発色団の含有量が決まるので、k値の調節が殆ど不可能であり、k値を変化させるためには再び合成しなければならない問題点が事実上起こっていた。
【0013】
このために、193nm光源を使用する場合、起こる干渉現象が適切に調節できると共に、簡単な反応濃度の変化だけでもk値の調節が自由な有機反射防止膜物質が切実に要求されてきた。
【0014】
【発明が解決しようとする課題】
前述の問題点を解決するための本発明は、新規の反射防止膜用重合体及びその製造方法と、前記重合体を用いた反射防止膜の組成物及びその製造方法を提供することにその目的がある。
【0015】
また、本発明の他の目的は、反射防止膜の組成物を含む反射防止膜とその製造方法及びこの反射防止膜を使用して製造した半導体素子を提供することにある。
【0016】
【課題を解決するための手段】
これらの目的を達成するために、本発明においては下記の化学式[化3]及び化学式[化4]の構造を有する重合体化合物を含む反射防止膜の組成物を提供する。
【0017】
【化3】
(上式中、Ra、Rbは水素またはメチル基、R’ないしR″はそれぞれ−H、nは1ないし5の整数、x、yはそれぞれ0.01ないし0.99のモル比をそれぞれ示す。)
【0018】
【化4】
(上式中、R10及びR11はそれぞれ側鎖または直鎖のC1ないしC10のアルコキシアルキル基、R12は水素またはメチル基をそれぞれ示す。)
【0019】
上記化学式[化4]の重合体は、まず(メト)アクロレインを重合させてポリ(メト)アクロレインを製造した後、次に製造した前記結果物を側鎖または直鎖の炭素数1ないし10のアルキルアルコールと反応させて製造する。
【0020】
より詳しく述べると、まず(メト)アクロレインを有機溶媒に溶かし、ここに重合開始剤を添加して、真空状態下で60ないし70℃の温度で4ないし6時間重合反応させてポリ(メト)アクロレインを製造する。次に、前記結果物に側鎖または直鎖の炭素数1ないし10のアルキルアルコールを、トリフルオロメチルスルホン酸を触媒として常温で20ないし30時間反応させて製造する。
【0021】
前記製造過程における有機溶媒としては、テトラヒドロフラン(THF)、サイクロヘキサノン、ジメチルホルムアミド、ジメチルサルホキシド、ジオキサン、メチルエチルケトン、ベンゼン、トルエン及びザイレンで構成されるグループから選択されるいずれか1種またはそれ以上を混合して使用することが好ましく、重合開始剤としては、2、2−アゾビスイソブチロニトリル(AIBN)、過酸化ベンゾイル、過酸化アセチル、過酸化ラウリル、t−ブチルパーアセテート、t−ブチルヒドロキパーオキサイド及びジ−t−過酸化ブチルで構成されるグループから選択されたものを使用することが好ましい。また、前記炭素数1ないし10のアルキルアルコールはメタノールまたはエタノールを使用することが好ましい。
【0022】
前記化学式[化4]の重合体は下記化学式[化5]ないし化学式[化8]の構造を有する重合体で構成されるグループから選択されたものを使用することが好ましい。
【0023】
【化5】
【化6】
【化7】
【化8】
【0024】
上記化学式[化5]ないし化学式[化8]の重合体は、アルコール基を有する他の重合体と酸の存在下で硬化が非常に起こりやすく、上記化学式[化3]による重合体と反応を起こして、架橋結合を形成することができる。
【0025】
また、本発明に係る上記化学式[化3]に示す重合体化合物は、アルコキシスチレン系モノマーとヒドロキシアルキルアクリレート系モノマーを溶媒に溶かして混合させた後、前記結果物に開始剤を入れて重合反応させて製造する。この時、前記溶媒としては通常の溶媒を使用することができるが、テトラヒドロフラン、トルエン、ベンゼン、メチルエチルケトン及びジオキサンで構成されたグループから選択された1種以上を使用することが好ましい。また、前記開始剤としては通常のラジカル開始剤を使用することができ、2、2’−アゾビスイソブチロニトリル、過酸化アセチル、過酸化ラウリル及びt−過酸化ブチルで構成されるグループから選択されたものを使用することが好ましい。そして、前記重合反応は50ないし90℃で行うことが好ましく、各単量体のモル比は0.01ないし0.99とする。
【0026】
本発明に係る反射防止膜の組成物は、上記化学式[化3]の構造を有する重合体化合物のうちのいずれかと上記化学式[化4]の構造を有する重合体化合物のうちのいずれかを含む。
【0027】
また、本発明に係る反射防止膜の製造方法は、上記化学式[化3]の構造を有する重合体化合物のうちのいずれかと前記化学式[化4]の構造を有する重合体化合物のうちのいずれかを有機溶媒に溶解させた後、この溶液を濾過して下部層に塗布した後にハードベーキングすることを特徴とする。この時、前記有機溶媒は通常の有機溶媒を使用することができるが、エチル−3−エトキシプロピオネート、メチル−3−メトキシプロピオネート、サイクロヘキサノン、プロピレングリコールメチルエーテルアセテートで構成されるグループから選択されたものを使用することが好ましく、前記溶媒は反射防止膜の組成物の200〜5000重量%の量を使用することが好ましい。また、ハードベーク時の温度は100〜300℃とすることが好ましい。
【0028】
また、本発明に係る半導体素子は、本発明の反射防止膜の組成物のうちのいずれかを使用して製造することを特徴とする。
【0029】
このような構成の本発明では、まず重合体自体が193nmの波長で吸収が円滑に起こるように吸光度が大きい発色団を有すると共に、架橋結合が可能な2種類の単量体(ヒドロキシアルキルアクリレート系モノマー、アルコキシスチレン系モノマー)を合成して高分子の第1重合体(化学式[化3]の構造を有する重合体)を生成した。また、有機反射防止膜の成形性、気密性、耐溶解性等を与えるため、コーティング後のハードベーク時に架橋反応が起こるように樹脂内のアルコール基と反応して架橋結合が可能な高分子の第2重合体(化学式[化4]の構造を有する重合体)を合成して、前記第1重合体と合わせて熱反応により架橋物を形成するものである。このような方法で化学式[化3]及び化学式[化4]による重合体を使用し、有機反射防止膜を形成することによって193nmの光源で干渉現象を適切に制御することができる。
【0030】
特に、本発明に使われる架橋剤(化学式[化4]の構造を有する重合体)などは、重合体の形態として架橋反応において効率性が極大化するように設計したため、本発明に係る反射防止膜の組成物に含まれた前記第1重合体の比率を調節することによって、有機反射防止膜のk値を自由に調節することが可能であり、それによって、従来の技術のように重合体を新たに合成しなくても、反射防止膜のk値を自由に調節することができる。
【0031】
また、本発明の反射防止膜樹脂は、ハイドロカーボン系の全ての溶媒に対して優れた溶解性を有し、ハードベーク時にはいかなる溶媒にも溶解されない耐溶解性を有する。更にパターンの形成時、アンダーカッティング及びフッティングが起こらないだけでなく、特にアクリレート系の高分子で形成されているので、エッチング時感光膜に比べて優れたエッチング速度を有することによってエッチング選択比を増加させた。
【0032】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好ましい実施例について詳しく説明する。
【0033】
(合成例1)ポリ[メトキシスチレン-(2-ヒドロキシエチルアクリレート)]共重合体の合成
メトキシスチレン単量体0.1モル/2-ヒドロキシエチルアクリレート0.1モルを500mlの丸底フラスコに入れて撹拌すると同時に、予め用意したテトラヒドロフラン300gを入れ、完全に混ぜ合わさったら2、2’−アゾビスイソブチルロニトリルを0.1g−3.0g入れた後、窒素雰囲気下で60ないし75℃温度で5ないし20時間反応させた。反応完了後、前記溶液をエチルエーテルあるいはノルマルヘキサン溶媒に沈殿させた後に、濾過及び乾燥させて下記化学式[化9]に示されるポリ[メトキシスチレン-(2-ヒドロキシエチルアクリレート)]樹脂を得た。(歩留り率:82%)
【0034】
【化9】
【0035】
(合成例2)ポリ[メトキシスチレン-(3-ヒドロキシプロピルアクリレート)]共重合体の合成
メトキシスチレン単量体0.1モル/3-ヒドロキシプロピルアクリレート0.1モルを500mlの丸底フラスコに入れて撹拌すると同時に、予め用意したテトラヒドロフラン300gを入れ、完全に混ぜ合わさったら2、2’-アゾビスイソブチルロニトリルを0.1−3.0g入れた後、窒素雰囲気下で60ないし75℃温度で5ないし20時間反応させた。反応完了後、前記溶液をエチルエーテルあるいはノルマルヘキサン溶媒に沈殿させた後に、濾過及び乾燥させて下記化学式10に示されるポリ[メトキシスチレン-(3-ヒドロキシプロピルアクリレート)]樹脂を得た。(歩留り率:79%)
【0036】
【化10】
【0037】
(合成例3)ポリ[メトキシスチレン-(4-ヒドロキシブチルアクリレート)]共重合体の合成
メトキシスチレン単量体0.1モル/4-ヒドロキシブチルアクリレート0.1モルを500mlの丸底フラスコに入れて撹拌すると同時に、予め用意したテトラヒドロフラン300gを入れ、完全に混ぜ合わさったら2、2’-アゾビスイソブチルロニトリルを0.1−3.0g入れた後、窒素雰囲気下で60ないし75℃温度で5ないし20時間反応させた。反応完了後、前記溶液をエチルエーテルあるいはノルマルヘキサン溶媒に沈殿させた後に、濾過及び乾燥させて下記化学式11に示されるポリ[メトキシスチレン-(4-ヒドロキシブチルアクリレート)]樹脂を得た。(歩留り率:78%)
【0038】
【化11】
【0039】
(合成例4)ポリ[メトキシスチレン-(2-ヒドロキシエチルメタクリレート)]共重合体の合成
メトキシスチレン単量体0.1モル/2-ヒドロキシエチルメタクリレート0.1モルを500mlの丸底フラスコに入れて撹拌すると同時に、予め用意したテトラヒドロフラン300gを入れ、完全に混ぜ合わさったら2、2’-アゾビスイソブチルロニトリルを0.1−3.0g入れた後、窒素雰囲気下で60ないし75℃温度で5ないし20時間反応させた。反応完了後、前記溶液をエチルエーテルあるいはノルマルヘキサン溶媒に沈殿させた後に、濾過及び乾燥させて下記化学式[化12]で示されるポリ[メトキシスチレン-(2-ヒドロキシエチルメタクリレート)]樹脂を得た。(歩留り率:83%)
【0040】
【化12】
【0041】
(合成例5)ポリ[メトキシスチレン-(3-ヒドロキシプロピルメタクリレート)]共重合体の合成
メトキシスチレン単量体0.1モル/3-ヒドロキシプロピルメタクリレート0.1モルを500mlの丸底フラスコに入れて撹拌すると同時に、予め用意したテトラヒドロフラン300gを入れ、完全に混ぜ合わさったら2、2’-アゾビスイソブチルロニトリルを0.1−3.0g入れた後、窒素雰囲気下で60ないし75℃温度で5ないし20時間反応させた。反応完了後、前記溶液をエチルエーテルあるいはノルマルヘキサン溶媒に沈殿させた後に、濾過及び乾燥させ下記化学式[化13]に示されるポリ[メトキシスチレン-(3-ヒドロキシプロピルメタクリレート)]樹脂を得た。(歩留り率:81%)
【0042】
【化13】
【0043】
(合成例6)ポリ[メトキシスチレン-(4-ヒドロキシブチルメタクリレート)]共重合体の合成
メトキシスチレン単量体0.1モル/4-ヒドロキシブチルメタクリレート0.1モルを500ml丸底フラスコに入れて撹拌すると同時に、予め用意したテトラヒドロフラン300gを入れ、完全に混ぜ合わさったら2、2’-アゾビスイソブチルロニトリルを0.1−3.0g入れた後、窒素雰囲気下で60ないし75℃温度で5ないし20時間反応させた。反応完了後、前記溶液をエチルエーテルあるいはノルマルヘキサン溶媒に沈殿させた後に、濾過及び乾燥させて下記化学式[化14]に示されるポリ[メトキシスチレン-(4-ヒドロキシブチルメタクリレート)]樹脂を得た。(歩留り率:78%)
【0044】
【化14】
【0045】
(実施例1)反射防止膜の製造
化学式[化3]の構造を有する合成例1ないし6により製造された重合体化合物のうちの一つと、前記化学式[化4]の構造を有する重合体化合物のうちのいずれか一つをプロピレングリコールメチルエーテルアセテート(PGMEA)に溶かした後、前記溶液を濾過してウェーハに塗布して100〜300℃で10−1000秒間ハードベーキングを行ない、以後、感光膜を塗布して微細パターンの形成工程を行う。
【0046】
【発明の効果】
本発明に使われる架橋剤は、重合体の形態として架橋反応における効率性が極大化するように設計されており、第1重合体の比率を調節することによって有機反射防止膜のk値を自由に調節することができるようになっており、通常の有機反射防止膜におけるk値の調節が不可能であった従来の問題点を解決した。
【0047】
また、本発明の反射防止膜樹脂は重合体自体が193nmの波長で吸収が円滑に起こるように、吸光度が大きい発色団を有する2種類の単量体を含んでおり、このうち、一つの発色団は弱い塩基性を持っているので、成膜後の酸度の不均衡によるアンダーカッティングを防止する効果を示す。
【0048】
さらに、本発明の反射防止膜樹脂は、ハイドロカーボン系の全ての溶媒に対して優れた溶解性を有し、ハードベーク時にはいかなる溶媒にも溶解されない耐溶解性を有するだけでなく、パターンの形成時、アンダーカッティング及びフッティングが起こらず、特にアクリレート系の高分子で形成されているので、エッチング時の感光膜に比べて優れたエッチング速度を有することによって、エッチング選択比を増加させた。
Claims (7)
- Ra は水素、Rbは水素またはメチル基、nは2ないし4の整数、x、yはそれぞれ0.5である請求項1に記載の反射防止膜の組成物。
- 前記請求項1または2に記載の反射防止膜の組成物を有機溶媒で溶解させた後、この溶液を濾過して下部層に塗布した後のハードベーキングから構成することを特徴とする反射防止膜の製造方法。
- 前記有機溶媒は、エチル3−エトキシプロピオネート、メチル3−メトキシプロピオネート、サイクロヘキサノン、プロピレングリコールメチルエーテルアセテートで構成されるグループから選択されたいずれかを使用することを特徴とする請求項3に記載の反射防止膜の製造方法。
- 前記有機溶媒は前記反射防止膜の組成物の200ないし5000重量%の量で使用することを特徴とする請求項3または請求項4に記載の反射防止膜の製造方法。
- 前記ハードベーキング時の温度は、100〜300℃であることを特徴とする請求項3に記載の反射防止膜の製造方法。
- 請求項1または2に記載の反射防止膜の組成物を使用して製造することを特徴とする半導体素子。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR2001-66346 | 2001-10-26 | ||
KR10-2001-0066346A KR100465866B1 (ko) | 2001-10-26 | 2001-10-26 | 유기반사방지막 조성물 및 그의 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003183329A JP2003183329A (ja) | 2003-07-03 |
JP4107937B2 true JP4107937B2 (ja) | 2008-06-25 |
Family
ID=19715418
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002308186A Expired - Fee Related JP4107937B2 (ja) | 2001-10-26 | 2002-10-23 | 反射防止膜の組成物、反射防止膜の製造方法及び半導体素子 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6803172B2 (ja) |
JP (1) | JP4107937B2 (ja) |
KR (1) | KR100465866B1 (ja) |
TW (1) | TW591243B (ja) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6933227B2 (en) | 2003-10-23 | 2005-08-23 | Freescale Semiconductor, Inc. | Semiconductor device and method of forming the same |
US20050214674A1 (en) * | 2004-03-25 | 2005-09-29 | Yu Sui | Positive-working photoimageable bottom antireflective coating |
US20050255410A1 (en) | 2004-04-29 | 2005-11-17 | Guerrero Douglas J | Anti-reflective coatings using vinyl ether crosslinkers |
US20070215195A1 (en) | 2006-03-18 | 2007-09-20 | Benyamin Buller | Elongated photovoltaic cells in tubular casings |
US20100132765A1 (en) | 2006-05-19 | 2010-06-03 | Cumpston Brian H | Hermetically sealed solar cells |
US7914974B2 (en) | 2006-08-18 | 2011-03-29 | Brewer Science Inc. | Anti-reflective imaging layer for multiple patterning process |
US7625695B2 (en) * | 2006-08-24 | 2009-12-01 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Polymers for anti-reflective coatings, anti-reflective coating compositions and methods of forming a pattern using the same |
US8088548B2 (en) | 2007-10-23 | 2012-01-03 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Bottom antireflective coating compositions |
KR101647158B1 (ko) | 2008-01-29 | 2016-08-09 | 브레우어 사이언스 인코포레이션 | 다중 다크 필드 노출에 의한, 하드마스크 패턴화를 위한 온-트랙 공정 |
US8455176B2 (en) * | 2008-11-12 | 2013-06-04 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Coating composition |
US9640396B2 (en) | 2009-01-07 | 2017-05-02 | Brewer Science Inc. | Spin-on spacer materials for double- and triple-patterning lithography |
US8632948B2 (en) | 2009-09-30 | 2014-01-21 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Positive-working photoimageable bottom antireflective coating |
US20110086312A1 (en) * | 2009-10-09 | 2011-04-14 | Dammel Ralph R | Positive-Working Photoimageable Bottom Antireflective Coating |
KR101590608B1 (ko) | 2015-08-12 | 2016-02-01 | 로움하이텍 주식회사 | 신규한 이소시아누레이트 화합물 및 이를 포함하는 반사방지막 조성물 |
CN108147675B (zh) * | 2018-02-12 | 2020-10-09 | 揭阳市宏光镀膜玻璃有限公司 | 一种减反射镀膜玻璃制备方法 |
CN114181342B (zh) * | 2021-12-28 | 2024-02-23 | 宁波南大光电材料有限公司 | 193nmBARC树脂及其制备方法 |
KR102465032B1 (ko) | 2022-06-24 | 2022-11-10 | 로움하이텍 주식회사 | 신규한 폴리이소시아누레이트, 이를 포함하는 반사 방지막 조성물 및 이를 채용하는 반사 방지막의 제조방법 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2374078A (en) * | 1940-11-18 | 1945-04-17 | Du Pont | Vinyl compounds and polymers therefrom |
DE3100077A1 (de) * | 1981-01-03 | 1982-08-05 | Hoechst Ag, 6000 Frankfurt | Lichtempfindliches gemisch, das einen naphthochinondiazidsulfonsaeureester enthaelt, und verfahren zur herstellung des naphthochinondiazidsulfonsaeureesters |
US4822718A (en) * | 1982-09-30 | 1989-04-18 | Brewer Science, Inc. | Light absorbing coating |
US5674648A (en) * | 1984-08-06 | 1997-10-07 | Brewer Science, Inc. | Anti-reflective coating |
TW211080B (ja) * | 1991-12-12 | 1993-08-11 | American Telephone & Telegraph | |
DE69322946T2 (de) * | 1992-11-03 | 1999-08-12 | International Business Machines Corp., Armonk, N.Y. | Photolackzusammensetzung |
JP2988268B2 (ja) * | 1994-08-05 | 1999-12-13 | ソマール株式会社 | 感放射線樹脂組成物 |
US5525457A (en) * | 1994-12-09 | 1996-06-11 | Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. | Reflection preventing film and process for forming resist pattern using the same |
JP3948795B2 (ja) * | 1997-09-30 | 2007-07-25 | ダイセル化学工業株式会社 | 放射線感光材料及びそれを用いたパターン形成方法 |
US20020102483A1 (en) * | 1998-09-15 | 2002-08-01 | Timothy Adams | Antireflective coating compositions |
KR100367399B1 (ko) * | 1998-12-30 | 2003-04-21 | 주식회사 하이닉스반도체 | 유기난반사방지중합체및그의제조방법 |
KR100363695B1 (ko) * | 1998-12-31 | 2003-04-11 | 주식회사 하이닉스반도체 | 유기난반사방지중합체및그의제조방법 |
KR100419962B1 (ko) * | 2001-03-07 | 2004-03-03 | 주식회사 하이닉스반도체 | 유기반사방지막 조성물 및 그의 제조방법 |
-
2001
- 2001-10-26 KR KR10-2001-0066346A patent/KR100465866B1/ko active IP Right Grant
-
2002
- 2002-10-14 TW TW091123560A patent/TW591243B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-10-16 US US10/271,877 patent/US6803172B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-10-23 JP JP2002308186A patent/JP4107937B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20030034671A (ko) | 2003-05-09 |
TW591243B (en) | 2004-06-11 |
KR100465866B1 (ko) | 2005-01-13 |
JP2003183329A (ja) | 2003-07-03 |
US6803172B2 (en) | 2004-10-12 |
US20030087188A1 (en) | 2003-05-08 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040726 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070207 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070327 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20070626 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20070629 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070925 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071030 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080128 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080311 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080401 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110411 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110411 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120411 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130411 Year of fee payment: 5 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |