DE10133718B4 - Organische Antireflex-Beschichtungspolymere, solche Polymere umfassende Antireflex-Beschichtungszusammensetzungen und Verfahren zur Herstellung derselben - Google Patents

Organische Antireflex-Beschichtungspolymere, solche Polymere umfassende Antireflex-Beschichtungszusammensetzungen und Verfahren zur Herstellung derselben Download PDF

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Abstract

Verbindung mit der Struktur der folgenden Formel 1: Formel 1
Figure 00000001
wobei gilt:
Ra bis Rd sind jeweils unabhängig Wasserstoff oder Methyl;
Ra bis Rd und R1 bis R18 sind jeweils unabhängig -H, -OH, -OCOCH3, -COOH, -CH2OH oder substituiertes oder unsubstituiertes oder geradkettiges oder verzweigtes Alkyl oder Alkoxy-Alkyl mit 1 bis 5 Kohlenstoffatomen;
l, m und n stellen jeweils eine ganze Zahl dar, die aus 1, 2, 3, 4 und 5 ausgewählt ist;
w, x, y und z stellen jeweils einen Molenbruch von 0,01 bis 0,99 dar.

Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • 1. Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein organisches Antireflex-Polymer und sein Herstellungsverfahren. Das organische Antireflex-Polymer der vorliegenden Erfindung verhindert eine Rückreflexion von tieferen Filmschichten und eliminiert stehende Wellen, die aufgrund einer Dickenänderung des Photoresist und Licht stattfindet, in einem lithographischen Verfahren unter Verwendung von 248 nm KrF- und 193 nm ArF-Laserlichtquellen zur Herstellung von Ultrafein-Strukturen. Insbesondere ist das organische Antireflex-Polymer der vorliegenden Erfindung zur Herstellung ultrafeiner Strukturen von 64 M, 256 M, 1 G und 4 G DRAM Halbleiter-Vorrichtungen nützlich. Die vorliegende Erfindung stellt auch eine Zusammensetzung, die derartige organische Antireflex-Polymere enthält, eine daraus hergestellte Antireflex-Überzugsschicht und ein Verfahren zur Herstellung derselben zur Verfügung.
  • 2. Beschreibung des technologischen Hintergrundes
  • In einem Herstellungsverfahren für ultrafeine Strukturen zur Herstellung von Halbleiter-Vorrichtungen kommt es unvermeidlich zu stehenden Wellen und reflektiver Auskerbung („notching") aufgrund der optischen Eigenschaften der unteren Filmschichten auf dem Wafer und aufgrund der Dickenänderung des photosensitiven Filmes. Zusätzlich gibt es das weitere Problem der CD-Änderung (Änderung der kritischen Dimension), welche durch von den unteren Filmschichten diffraktiertes und reflektiertes Licht hervorgerufen wird. Es ist dementsprechend vorgeschlagen worden, eine Antireflex-Beschichtung einzuführen, die es ermöglicht, eine Rückreflexion an einer unteren Filmschicht zu verhindern, indem organisches Material eingeführt wird, welches eine hohe Extinktion („absorbance") im Wellenlängenbereich des Lichtes besitzt, das als Lichtquelle eingesetzt wird.
  • Antireflex-Beschichtungen werden in anorganische und organische Antireflex-Beschichtungen eingeteilt, abhängig von dem verwendeten Material, oder in absorptive und interferierende Antireflex-Beschichtungen, basierend auf dem Wirkungsmechanismus. Für die Mikrolithographie unter Verwendung von I-Linien-Strahlung (365 nm Wellenlänge) wird vornehmlich die anorganische Antireflex-Beschichtung verwendet, während TiN und amorpher Kohlenstoff als absorptives System und SiON als interferierendes System eingesetzt werden.
  • In einem Herstellungsverfahren für ultrafeine Strukturen unter Verwendung eines KrF-Lasers wurde als anorganischer Antireflex-Film hauptsächlich SiON eingesetzt. Jedoch war im Fall eines anorganischen Antireflex-Filmes kein Material bekannt gewesen, welches die Kontrolle der Interferenz bei 193 nm, der Wellenlänge der Lichtquelle, ermöglicht. Dementsprechend wurden große Anstrengungen unternommen, um eine organische Verbindung als Antireflex-Beschichtung einzusetzen.
  • Damit es sich um eine gute organische Antireflex-Beschichtung handelt, müssen die folgenden Bedingungen erfüllt sein:
    • (1) Bei der Durchführung eines lithographischen Verfahrens darf kein Abschälen der Photoresist-Schicht aufgrund der Auflösung in einem Lösungsmittel stattfinden. Um dieses Ziel zu erreichen, muss eine Formbeschichtung (Molded Coating) vorgesehen werden, die ohne Erzeugung irgendwelcher Chemikalien als Nebenprodukt eine vernetzte Struktur bildet.
    • (2) Chemikalien wie Säuren oder Amine dürfen in die Antireflex-Beschichtung nicht eintreten oder aus ihr austreten. Der Grund hierfür ist, dass, wenn Säuren aus einer Antireflex-Beschichtung herausmigrieren, es in einem unteren Teil der Struktur zu Unterschneidungen kommt, während eine Fußbildung (Footing) stattfinden kann, wenn eine Base, wie zum Beispiel ein Amin, migriert.
    • (3) Die Ätzgeschwindigkeit der Antireflex-Beschichtung sollte schneller sein als die des oberen photosensitiven Filmes, um so den Ätzprozess unter Verwendung eines photosensitiven Filmes als Maske zu erleichtern.
    • (4) Die Antireflex-Beschichtung muss deshalb so dünn wie möglich sein, in einem Maße, in dem sie ausreichend eine Rolle als Antireflex-Beschichtung spielen kann.
  • Die existierenden organischen Antireflex-Materialien werden hauptsächlich in zwei Typen unterschieden, und zwar in (1) Polymere, die ein Chromophor, ein Vernetzungsmittel (einzelnes Molekül), welches die Polymere vernetzt, und ein Additiv (thermisch variables Oxidationsmittel) enthalten sowie (2) Polymere, die miteinander selbst vernetzen können und Chromophore und ein Additiv (thermisch variables Oxidationsmittel) enthalten. Aber diese zwei Typen von Antireflex-Material haben insoweit ein Problem, als die Kontrolle des k-Wertes nahezu unmöglich ist, weil der Anteil des Chromophoren gemäss dem Verhältnis, wie es ursprünglich zum Zeitpunkt der Polymerisation eingestellt war, festgelegt ist. Falls es also erwünscht ist, den k-Wert zu ändern, muss es noch einmal synthetisiert werden.
  • Die nachveröffentlichten Dokumente DE 100 28 345 und DE 100 63 263 offenbaren Verbindungen, die keine Acrylsäureaminooxybindung and Acrylanthracen-Monomere enthalten. Die EP 62611 wiederum offenbart ein Polymerisationsverfahren unter Verwendung von Anthracen-Monomeren. Dabei werden die Anthracen-Monomere in die PoLymerkette selbst einpolymerisiert.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Es ist deshalb ein Ziel der vorliegenden Erfindung, ein neues organisches Polymer für Antireflex-Beschichtungen und das Verfahren zu seiner Herstellung bereitzustellen.
  • Es ist ein weiteres Ziel der vorliegenden Erfindung, eine Antireflex-Beschichtungszusammensetzung, welche das zuvor genannte Polymer umfasst, und ein Verfahren zu deren Herstellung bereitzustellen.
  • Es ein weiteres Ziel der vorliegenden Erfindung, eine Halbleiter-Vorrichtung bereitzustellen, auf der mittels Submikrolithographie eine Struktur aus einer solchen Antireflex-Beschichtung gebildet ist.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG
  • Erfindungsgemäss werden die folgenden Verbindungen der Formeln 1 bzw. 2 angegeben, die in Antireflex-Beschichtungen eingesetzt werden können.
  • Formel 1
    Figure 00040001
  • Formel 2
    Figure 00040002
  • In obigen Formeln 1 und 2 gilt:
    Ra bis Rd sind jeweils unabhängig Wasserstoff oder Methyl;
    Ra bis Rd und R1 bis R18 sind jeweils unabhängig -H, -OH, -OCOCH3, -COOH, -CH2OH oder substituiertes oder unsubstituiertes oder geradkettiges oder verzweigtes Alkyl oder Alkoxy-Alkyl mit 1 bis 5 Kohlenstoffatomen;
    l, m und n stellen jeweils eine ganze Zahl dar, die aus 1, 2, 3, 4 und 5 ausgewählt ist;
    w, x, y und z stellen jeweils einen Molenbruch von 0,01 bis 0,99 dar;
    R19 und R20 sind jeweils unabhängig geradkettiges oder verzweigtes substituiertes C1-10 Alkoxy;
    und
    R21 ist Wasserstoff oder Methyl.
  • Die Verbindung der Formel 2 wird hergestellt, indem (Meth)Acrolein polymerisiert wird, um Poly(Meth)Acrolein zu erhalten, gefolgt von einer Reaktion des erhaltenen polymeren Produktes mit verzweigtem oder geradkettigem substituiertem Alkylalkohol mit 1 bis 10 Kohlenstoffatomen.
  • Im Detail wird (Meth)Acrolein zunächst in einem organischen Lösungsmittel aufgelöst und hierzu dann ein Polymerisationsinitiator zugesetzt, um unter Vakuum bei 60 bis 70°C für 4 bis 6 Stunden eine Polymerisation durchzuführen. Das erhaltene polymere Produkt wird dann mit verzweigtem oder geradkettigem substituiertem Alkylalkohol mit 1 bis 10 Kohlenstoffatomen umgesetzt, in Gegenwart von Trifluormethylsulfonsäure als Katalysator bei Raumtemperatur für 20 bis 30 Stunden.
  • In dem obigen Verfahren wird das geeignete organische Lösungsmittel aus der Gruppe ausgewählt, die aus Tetrahydrofuran (THF), Cyclohexanon, Dimethylformamid, Dimethylsulfoxid, Dioxan, Mehtylethylketon, Benzol, Toluol, Xylol und deren Mischungen besteht. Als Polymerisationsinitiator können erwähnt werden 2,2-Azobisisobutyronitril (AIBN), Benzoylperoxid, Acetylperoxid, Laurylperoxid, t-Butylperacetat, t-Butylhydroperoxid oder di-t-Butylperoxid. Ein bevorzugtes Beispiel des besagten Alkylalkohols mit 1 bis 10 Kohlenstoffatomen ist Ethanol oder Methanol.
  • Eine bevorzugte Verbindung der Formel 2 ist aus der Gruppe ausgewählt, die aus den Verbindungen der folgenden Formeln 3 bis 6 besteht.
  • Formel 3
    Figure 00060001
  • Formel 4
    Figure 00060002
  • Formel 5
    Figure 00060003
  • Formel 6
    Figure 00060004
  • Die obigen Verbindungen der Formeln 3 bis 6 werden leicht in Gegenwart von Säuren und anderen Polymeren mit Alkohol-Gruppe ausgehärtet.
  • Das Polymer der Formel 1 wird hergestellt durch Reaktion von 9-Anthracen-Methylenaminooxyalkyl(meth)acrylatmonomer, Hydroxyalkyl(meth)acrylatmonomer, Glycidylalkyl(meth)acrylatmonomer und 9-Anthracenmethyl(meth)acrylat in einem organischen Lösungsmittel und dann Polymerisieren der erhaltenen Verbindung mit einem Polymerisationsinitiator. Jedes konventionelle organische Lösungsmittel kann in diesem Verfahren eingesetzt werden, aber ein bevorzugtes Lösungsmittel ist ausgewählt aus der Gruppe, die aus Tetrahydrofuran, Toluol, Benzol, Methylethylketon, Dioxan und Mischungen dieser Lösungsmittel besteht. Als Polymerisationsinitiator kann jeder konventionelle radikalische Polymerisationsinitiator verwendet werden, aber es wird bevorzugt, eine Verbindung einzusetzen, die aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus 2,2'-Azobisisobutyronitril, Acetylperoxid, Laurylperoxid und t-Butylperoxid besteht. Die obige Polymerisationsreaktion wird vorzugsweise bei 50 bis 90°C durchgeführt, und jedes der Monomeren besitzt einen Molenbruch im Bereich von 0,01 bis 0,99.
  • Die vorliegende Erfindung stellt auch eine Antireflex-Beschichtungszusammensetzung zur Verfügung, die ein Polymer der Formel 1 und ein Polymer der Formel 2 umfasst.
  • Des Weiteren stellt die vorliegende Erfindung auch eine Antireflex-Beschichtungszusammensetzung zur Verfügung, die ein Polymer der Formel 1, eine Verbindung der Formel 2 und ein Anthracen-Derivat als Additiv umfasst. Erläuternde, nicht beschränkende Beispiele der Anthracen-Derivate (hiernach „Anthracen-Derivat-Additive") sind aus der Gruppe ausgewählt, die aus Anthracen, 9-Anthracenmethanol, 9-Anthracencarbonitril, 9-Anthracen-Carbonsäure, Ditranol, 1,2,10-Anthracentriol, Anthraflavonsäure, 9-Anthraldehydoxim, 9-Anthraldehyd, 2-Amino-7-methyl-5-oxo-5H-[1]benzo-pyrano[2,3-b]pyridin-3-carbonitril, 1-Aminoanthrachinon, Anthrachinon-2-carbonsäure, 1,5-Dihydroxyanthrachinon, Anthron, 9-Anthryl-trifluoro-methylketon, 9-Alkylanthracen-Derivate der folgenden Formel 7, 9-Carboxylanthracen-Derivate der folgenden Formel 8, 1-Carboxylanthracen-Derivate der folgenden Formel 9, und deren Mischungen besteht. Formel 7
    Figure 00080001
    Formel 8
    Figure 00080002
    Formel 9
    Figure 00080003
    worin R1 bis R5 -H, -OH, -CH2OH oder substituiertes oder unsubstituiertes, geradkettiges oder verzweigtes Alkyl oder Alkoxyalkyl mit 1 bis 5 Kohlenstoffatomen sind.
  • Die vorliegende Erfindung stellt auch ein Herstellungsverfahren für eine organische Antireflex-Beschichtung zur Verfügung, welches die Schritte umfasst: Auflösen eines Polymers der Formel 1 und einer Verbindung der Formel 2 in einem organischen Lö sungsmittel, Filtrieren der erhaltenen Lösung alleine oder in Kombination mit zumindest einem Anthracen-Derivat-Additiv wie zuvor erwähnt, Schichtapplizieren des Filtrates auf eine untere Schicht und Hartbacken der Überzugsschicht. Insbesondere kann jedes organische Lösungsmittel im vorliegenden Herstellungsverfahren eingesetzt werden, aber es wird vorgezogen, das organische Lösungsmittel aus der Gruppe auszuwählen, die aus Ethyl-3-ethoxypropionat, Methyl-3-methoxypropionat, Cyclohexanon und Propylenglycolmethylether-Acetat besteht. Das vorgenannte organische Lösungsmittel wird vorzugsweise in einer Menge von 200 bis 5000 Gew.% eingesetzt, bezogen auf das Gesamtgewicht des eingesetzten Antireflex-Beschichtungsharzes. Der bevorzugte Temperaturbereich für das Hartbacken ist 100 bis 300°C.
  • Die vorliegende Erfindung stellt auch eine Halbleiter-Vorrichtung zur Verfügung, die unter Verwendung irgendeiner der vorgenannten Antireflex-Beschichtungszusammensetzungen der vorliegenden Erfindung hergestellt ist.
  • Erfindungsgemäss wurden zunächst zwei Monomere, die jeweils ein Chromophor mit hoher Extinktion besaßen (Anthracenmethylenaminooxy(meth)acrylat-Monomer und Anthracenmethyl(meth)acrylat-Monomer) synthetisiert, um es zu ermöglichen, dass ein aus ihnen hergestelltes Polymer eine hohe Extinktion bei einer Wellenlänge von 248 nm aufweist. Das aus diesen zwei Monomeren hergestellte Polymer wird als primäres Polymer (Verbindung der Formel 1) bezeichnet. Da eines dieser zwei Monomeren, die Chromophore besitzen, schwach basisch ist, stellt man sich vor, dass jedes Unterschneiden aufgrund einer nicht ausgeglichenen Acidität nach Abschluss des Beschichtens verhindert ist. Des Weiteren wurde, um einer hergestellten organischen Antireflex-Beschichtung verbesserte Eigenschaften zu verleihen, wie zum Beispiel gute Formeigenschaften (Molding Property), Luft-Dichtigkeit und Auflösungs-Widerstandsfähigkeit, ein sekundäres Polymer (die Verbindung der Formel 2) synthetisiert, das in der Lage ist, nach Reaktion mit einer Alkoholgruppe im Harz eine Vernetzung zu bilden, um während eines Hartback-Schritts, der dem Beschichtungs-Schritt folgt, eine Vernetzungsreaktion zu bewirken. Das sekundäre Polymer, das mit dem primären Polymer vermischt wird, kann durch thermische Reaktion ein vernetztes Produkt bilden.
  • Insbesondere ist es möglich, den k-Wert der Antireflex-Beschichtung frei zu justieren, indem der Anteil des primären Polymers gesteuert wird, weil die in Form eines Poly mers vorliegenden Vernetzungsmittel dazu ausgelegt sind, die Effizienz der Vernetzungsreaktion zu maximieren.
  • Des Weiteren besitzt das Antireflex-Beschichtungsharz der vorliegenden Erfindung eine gute Löslichkeit in allen Kohlenwasserstoff-Lösungsmitteln, während es eine Auflösungs-Widerstandsfähigkeit in allen Lösungsmitteln während eines Hartback-Schrittes besitzt. Zusätzlich kommt es bei einem Herstellungsverfahren für Strukturen unter Verwendung desselben nicht zu Unterschneidungen oder einer Fußbildung. Insbesondere wird, weil das Antireflex-Beschichtungsharz der vorliegenden Erfindung aus Acrylatpolymer hergestellt wird, welches eine höhere Ätzgeschwindigkeit relativ zu der des photosensitiven Filmes während eines Ätzprozesses ermöglicht, die Ätzselektivität verbessert.
  • Die folgenden Beispiele werden dargelegt, um einem Fachmann die Prinzipien und die Durchführung der vorliegenden Erfindung näher zu erläutern. Als solche sind sie nicht beabsichtigt, um die Erfindung zu beschränken, sondern sind illustrativ für bevorzugte Ausführungsbeispiele.
  • Beispiele
  • Beispiel 1: Herstellung von Poly[9-Anthracenmethylenaminooxyethylacrylat-(2-hydroxyethylacrylat)-glycidylmethylmethacrylat-(9-anthracenmethylmeth-acrylat)]
  • Ein 500 ml-Rundkolben wurde unter Rühren mit 0,1 Mol 9-Anthracenmethylenaminooxyethylacrylat-Monomer/0,3 Mol 2-Hydroxyethylacrylat/0,3 Mol Glycidylmethylmethacrylat/0,3 Mol 9-Anthracenmethyl-methacrylat befüllt, und 300 g separat hergestelltes Tetrahydrofuran wurden zu einer vollständigen Mischung hinzugegeben. Danach wurden 0,1 bis 3,0 g 2,2'-Azobisisobutyronitril hinzugegeben, um eine Polymerisations-Reaktion bei 60 bis 75°C unter einer Stickstoffatmosphäre für 5 bis 20 Stunden zu erlauben. Nach Abschluss der Reaktion wurde die erhaltene Lösung mit Ethylether- oder n-Hexan-Lösungsmittel zum Ausfällen gebracht und dann filtriert und getrocknet, um Poly[9-Anthracenmethylenaminooxyethylacrylat-(2-hydroxyethyl-acrylat)-glycidylmethylmethacrylat-(9-anthracenmethylmethacrylat)]-Harz der folgenden Formel 10 zu erhalten. (Ausbeute: 83%).
  • Formel 10
    Figure 00110001
  • Beispiel 2: Herstellung von Poly(9-Anthracenmethylenaminooxyethylmeth-acrylat-(2-hydroxyethylmethacrylat)-glycidylmethylacrylat-(9-anthracenmethylmeth-acrylat)]
  • Ein 500 ml-Rundkolben wurde unter Rühren mit 0,1 Mol 9-Anthracenmethylenaminooxyethylacrylat-Monomer/0,3 Mol 2-Hydroxyethylmethacrylat/0,3 Mol Glycidylmethylacrylat/0,3 Mol 9-Anthracenmethylmethacrylat befüllt, und 300 g separat hergestelltes Tetrahydrofuran wurden zu einer vollständigen Mischung hinzugegeben. Danach wurden 0,1 bis 3,0 g 2,2'-Azobisisobutyronitril hinzugegeben, um eine Polymerisations-Reaktion bei 60 bis 75°C unter einer Stickstoffatmosphäre für 5 bis 20 Stunden zu erlauben. Nach Abschluss der Reaktion wurde die erhaltene Lösung mit Ethylether- oder n-Hexan-Lösungsmittel zum Ausfällen gebracht und dann filtriert und getrocknet, um Poly[9-Anthracenmethylenaminooxyethylmethacrylat-(2-hydroxyethylmethacrylat)-glycidylmethylacrylat-(9-anthracenmethylmethacrylat)]-Harz der folgenden Formel 11 zu erhalten. (Ausbeute: 84%).
  • Formel 11
    Figure 00120001
  • Beispiel 3: Herstellung von Poly[9-Anthracenmethylenaminooxygropyl-acrylat-(3-hydroxypropylacrylat)-glycidylmethylmethacrylat-(9-anthracenmethylmeth-acrylat)]
  • Ein 500 ml-Rundkolben wurde unter Rühren mit 0,1 Mol 9-Anthracenmethylenaminooxypropylacrylat-Monomer/0,3 Mol 3-Hydroxypropylacrylat/0,3 Mol Glycidylmethylmethacrylat/0,3 Mol 9-Anthracenmethylmethacrylat befüllt, und 300 g separat hergestelltes Tetrahydrofuran wurden zu einer vollständigen Mischung hinzugegeben. Danach wurden 0,1 bis 3,0 g 2,2'-Azobisisobutyronitril hinzugegeben, um eine Polymerisations-Reaktion bei 60 bis 75°C unter einer Stickstoffatmosphäre für 5 bis 20 Stunden zu erlauben. Nach Abschluss der Reaktion wurde die erhaltene Lösung mit Ethylether- oder n-Hexan-Lösungsmittel zum Ausfällen gebracht und dann filtriert und getrocknet, um Poly[9-Anthracenmethylenaminooxypropylacrylat-(3-hydroxypropylacrylat)-glycidylmethylmethacrylat-(9-anthracenmethylmethacrylat)]-Harz der folgenden Formel 12 zu erhalten. (Ausbeute: 84%).
  • Formel 12
    Figure 00130001
  • Beispiel 4: Herstellung von Poly[9-Anthracenmethylenaminooxypropylmeth-acrylat-(2-hydroxyethylmethacrylat)-glycidylmethylmethacrylat-(9-anthracenmethylmeth-acrylat)]
  • Ein 500 ml-Rundkolben wurde unter Rühren mit 0,1 Mol 9-Anthracenmethylenaminooxypropylacrylat-Monomer/0,3 Mol 2-Hydroxyethylmethacrylat/0,3 Mol Glycidylmethylmethacrylat/0,3 Mol 9-Anthracenmethylmethacrylat befüllt, und 300 g separat hergestelltes Tetrahydrofuran wurden zu einer vollständigen Mischung hinzugegeben. Danach wurden 0,1 bis 3,0 g 2,2'-Azobisisobutyronitril hinzugegeben, um eine Polymerisations-Reaktion bei 60 bis 75°C unter einer Stickstoffatmosphäre für 5 bis 20 Stunden zu erlauben. Nach Abschluss der Reaktion wurde die erhaltene Lösung mit Ethylether- oder n-Hexan-Lösungsmittel zum Ausfällen gebracht und dann filtriert und getrocknet, um Poly[9-Anthracenmethylenaminooxypropylacrylat-(2-hydroxyethylmethacrylat)-glycidylmethylmethacrylat-(9-anthracenmethylmethacrylat)]-Harz der folgenden Formel 13 zu erhalten. (Ausbeute: 83%).
  • Formel 13
    Figure 00140001
  • Beispiel 5: Herstellung von Poly[9-Anthracenmethylenaminooxypropylmethacrylat-(3-hydroxypropylacrylat)-glycidylmethylmethacrylat-(9-anthracenmethylmeth-acrylat)]
  • Ein 500 ml-Rundkolben wurde unter Rühren mit 0,1 Mol 9-Anthracenmethylenaminooxypropylmethacrylat-Monomer/0,3 Mol 3-Hydroxypropylacrylat/0,3 Mol Glycidylmethylmethacrylat/0,3 Mol 9-Anthracenmethylmethacrylat befüllt, und 300 g separat hergestelltes Tetrahydrofuran wurden zu einer vollständigen Mischung hinzugegeben. Danach wurden 0,1 bis 3,0 g 2,2'-Azobisisobutyronitril hinzugegeben, um eine Polymerisations-Reaktion bei 60 bis 75°C unter einer Stickstoffatmosphäre für 5 bis 20 Stunden zu erlauben. Nach Abschluss der Reaktion wurde die erhaltene Lösung mit Ethylether- oder n-Hexan-Lösungsmittel zum Ausfällen gebracht und dann filtriert und getrocknet, um Poly[9-Anthracenmethylenaminooxypropylmethacrylat-(3-hydroxypropylacrylat)-glycidylmethylmethacrylat-(9-anthracenmethylmethacrylat)]-Harz der folgenden Formel 14 zu erhalten. (Ausbeute: 83%).
  • Formel 14
    Figure 00150001
  • Beispiel 6: Herstellung von Poly[9-Anthracenmethylenaminooxypropylmethacrylat-(4-hydroxybutylacrylat)-glycidylmethylmethacrylat-(9-anthracenmethylmeth-acrylat)]
  • Ein 500 ml-Rundkolben wurde unter Rühren mit 0,1 Mol 9-Anthracenmethylenaminooxypropylacrylat-Monomer/0,3 Mol 4-Hydroxybutylacrylat/0,3 Mol Glycidylmethylmethacrylat/0,3 Mol 9-Anthracenmethylmethacrylat befüllt, und 300 g separat hergestelltes Tetrahydrofuran wurden zu einer vollständigen Mischung hinzugegeben. Danach wurden 0,1 bis 3,0 g 2,2'-Azobisisobutyronitril hinzugegeben, um eine Polymerisations-Reaktion bei 60 bis 75°C unter einer Stickstoffatmosphäre für 5 bis 20 Stunden zu erlauben. Nach Abschluss der Reaktion wurde die erhaltene Lösung mit Ethylether- oder n-Hexan-Lösungsmittel zum Ausfällen gebracht und dann filtriert und getrocknet, um Poly[9-Anthracenmethylenaminooxypropylmethacrylat-(4-hydroxybutylacrylat)-glycidylmethylmethacrylat-(9-anthracenmethylmethacrylat)]-Harz der folgenden Formel 15 zu erhalten. (Ausbeute: 80%).
  • Formel 15
    Figure 00160001
  • Beispiel 7: Herstellung einer Antireflex-Beschichtungslösung
  • Ein Polymer der Formel 1 wie hergestellt in einem der Beispiele 1 bis 6 und ein Polymer der Formel 2 wurden in Propylenglycolmethylether-acetat aufgelöst. Die erhaltene Lösung, alleine oder in Kombination mit 0,1 bis 30 Gew.% zumindest eines der vorgenannten Anthracen-Derivat-Additive, um die Auflösung zu vervollständigen, wurde filtriert, auf einen Wafer schichtappliziert und bei 100 bis 300°C für 10 bis 1000 Sekunden hartgebacken. Dann wurde darauf ein photosensitiver Film appliziert, und es folgte ein Routineverfahren zur Herstellung einer Ultrafeinstruktur.
  • Das in der vorliegenden Erfindung verwendete Vernetzungsmittel, das in Form eines Polymers vorliegt, ist dazu ausgestaltet, die Vernetzungseffizienz zu maximieren. Des Weiteren ist es möglich, den k-Wert einer organischen Antireflex-Beschichtung durch Veränderung des Anteils eines Primär-Polymers frei zu steuern. Die vorliegende Erfindung bewältigt also das Problem aus dem Stand der Technik, wonach die Steuerung des k-Wertes nicht möglich war.
  • Darüber hinaus enthält das Antireflex-Beschichtungsharz der vorliegenden Erfindung zwei Monomere, die jeweils ein Chromophor mit hoher Extinktion besitzen, wodurch es möglich ist, dass ein daraus hergestelltes Polymer eine hohe Extinktion bei einer Wellenlänge von 248 nm aufweist. Weil eines dieser zwei Chromophoren schwach basisch ist, ist es möglich, ein Unterschneiden zu vermeiden, welches durch eine unausgeglichene Acidität nach Fertigstellung der Beschichtung bewirkt wird.
  • Des Weiteren löst sich das Antireflex-Beschichtungsharz der vorliegenden Erfindung gut in allen Kohlenwasserstofflösungsmitteln, während es sich nicht in irgendeinem der Lösungsmittel während eines Hartback-Schrittes auflöst, und es führt nicht zu einem Unterschneiden und einer Fußbildung (Footing) in einem Herstellungsverfahren für Strukturen. Insbesondere, weil das Antireflex-Beschichtungsharz der vorliegenden Erfindung aus Acrylat-Polymer zusammengesetzt ist, ist seine Ätzgeschwindigkeit höher als die eines photosensitiven Films, und deshalb kann die Ätz-Selektivität verbessert werden.
  • Die vorliegende Erfindung wurde auf illustrierende Weise beschrieben, und man muss verstehen, dass die verwendete Terminologie eher nach Art einer Beschreibung zu verstehen ist, denn als Beschränkung. Man muss verstehen, dass viele Modifikationen und Variationen der vorliegenden Erfindung im Lichte der obigen Lehren möglich sind. Deshalb muss man verstehen, dass innerhalb des Bereiches der beigefügten Ansprüche die Erfindung auf andere Weise als spezifisch beschrieben durchgeführt werden kann.

Claims (17)

  1. Verbindung mit der Struktur der folgenden Formel 1: Formel 1
    Figure 00180001
    wobei gilt: Ra bis Rd sind jeweils unabhängig Wasserstoff oder Methyl; Ra bis Rd und R1 bis R18 sind jeweils unabhängig -H, -OH, -OCOCH3, -COOH, -CH2OH oder substituiertes oder unsubstituiertes oder geradkettiges oder verzweigtes Alkyl oder Alkoxy-Alkyl mit 1 bis 5 Kohlenstoffatomen; l, m und n stellen jeweils eine ganze Zahl dar, die aus 1, 2, 3, 4 und 5 ausgewählt ist; w, x, y und z stellen jeweils einen Molenbruch von 0,01 bis 0,99 dar.
  2. Verbindung nach Anspruch 1, bei der es sich um Poly[9-Anthracenmethylenaminooxyethylacrylat-(2-hydroxyethylacrylat)-glycidylmethylmethacrylat-(9-anthracenmethylmethacrylat)] handelt, wobei Ra und Rb Wasserstoff, Rc und Rd Methyl, Ra bis Rd und R1 bis R18 Wasserstoff sind, l, m und n 2 darstellen und w ist 0,1, x ist 0,3, y ist 0,3 und z ist 0,3.
  3. Verbindung nach Anspruch 1, bei der es sich um Poly[9-Anthracenmethylenaminooxyethylmethacrylat-(2-hydroxyethylmethacrylat)-glycidylmethylacrylat-(9-anthracenmethylmethacrylat)] handelt, wobei Ra, Rb und Rd jeweils Methyl. sind, Rc H darstellt, Ra bis Rd und R1 bis R18 jeweils Wasserstoff sind, l, m und n jeweils 2 darstellen und w ist 0,1, x ist 0,3, y ist 0,3 und z ist 0,3.
  4. Verbindung nach Anspruch 1, bei der es sich um Poly[9-Anthracenmethylenaminooxypropylacrylat-(3-hydroxypropylacrylat)-glycidylmethylmethacrylat-(9-anthracenmethylmethacrylat)] handelt, wobei Ra und Rb jeweils Wasserstoff sind, Rc und Rd jeweils Methyl darstellen, Ra bis Rd und R1 bis R18 jeweils Wasserstoff sind, l ist 3, m ist 3, n ist 2, w ist 0,1, x, y, z jeweils 0,3 sind.
  5. Verbindung nach Anspruch 1, bei der es sich um Poly[9-Anthracenmethylenaminooxypropylmethacrylat-(2-hydroxyethylmethacrylat)-glycidylmethylmeth-acrylat-(9-anthracenmethylmethacrylat)] handelt, wobei Ra, Rb, Rc und Rd jeweils Methyl sind, Ra bis Rd und R1 bis R18 jeweils Wasserstoff sind, l ist 3, m ist 2, n ist 2, w ist 0,1, x, y, z jeweils 0,3 sind.
  6. Verbindung nach Anspruch 1, bei der es sich um Poly[9-Anthracenmethylenaminooxypropylmethacrylat-(3-hydroxypropylacrylat)-glycidylmethylmethacrylat-(9-anthracenmethylmethacrylat)] handelt, wobei Ra, Rc und Rd jeweils Methyl darstellt, Rb Wasserstoff darstellt, Ra bis Rd und R1 bis R18 jeweils Wasserstoff sind, l ist 3, m ist 3, n ist 2, w ist 0,1, x, y, z jeweils 0,3 sind.
  7. Verbindung nach Anspruch 1, bei der es sich um Poly[9-Anthracenmethylenaminooxypropylmethacrylat-(4-hydroxybutylacrylat)-glycidylmethylmethacrylat-(9-anthracenmethylmethacrylat)] handelt, wobei Ra, Rc und Rd jeweils Methyl sind, Rb Wasserstoff darstellt, Ra bis Rd und R1 bis R18 jeweils Wasserstoff sind, l ist 3, m ist 4, n ist 2, w ist 0,1, x, y, z jeweils 0,3 sind.
  8. Verfahren zur Herstellung einer Verbindung gemäss Anspruch 1, umfassend die Schritte: Reagieren lassen von 9-Anthracenmethylenaminooxyalkyl(meth)acrylat-Monomer, Hydroxyalkyl(meth)acrylat, Glycidylalkyl(meth)acrylat-Monomer und 9-Anthracenmethyl(meth)acrylat in einem Lösungsmittel und Polymerisieren des erhaltenen Produktes mit einem Polymerisationsinitiator.
  9. Verfahren nach Anspruch 8, in dem das besagte Lösungsmittel ausgewählt ist aus der Gruppe, die aus Tetrahydrofuran, Toluol, Benzol, Methylethylketon, Dioxan und deren Mischungen besteht.
  10. Verfahren nach Anspruch 8, in dem der besagte Polymerisationsinitiator aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus 2,2'-Azobisisobutyronitril, Acetylperoxid, Laurylperoxid, t-Butylperoxid und deren Mischungen besteht.
  11. Verfahren nach Anspruch 8, in dem die besagte Polymerisations-Reaktion bei 50 bis 90°C durchgeführt wird.
  12. Antireflex-Beschichtungszusammensetzung, umfassend eine Verbindung gemäss Anspruch 1 und eine Verbindung der folgenden Formel 2: Formel 2
    Figure 00210001
    wobei R19 und R20 jeweils unabhängig geradkettiges oder verzweigtes substituiertes C1-10 Alkoxy sind; und R21 Wasserstoff oder Methyl ist.
  13. Zusammensetzung nach Anspruch 12, weiter umfassend ein Anthracen-Derivat-Additiv, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Anthracen, 9-Anthracenmethanol, 9-Anthracencarbonitril, 9-Anthracen-Carbonsäure, Ditranol, 1,2,10-Anthracentriol, Anthraflavonsäure, 9-Anthraldehydoxim, 9-Anthraldehyd, 2-Amino-7-methyl-5-oxo-5H-[1]benzo-pyrano[2,3-b]pyridin-3-carbonitril, 1-Aminoanthrachinon, Anthrachinon-2-Carbonsäure, 1,5-Dihydroxyanthrachinon, Anthron, 9-Anthryl-trifluoromethylketon, 9-Alkylanthracen-Derivaten, 9-Carboxylanthracen-Derivaten, 1-Carboxylanthracen-Derivaten und deren Mischungen besteht.
  14. Verfahren zur Herstellung einer Antireflex-Beschichtung, umfassend die Schritte: Auflösen der besagten Verbindung nach Anspruch 1 und der besagten Verbindung gemäss Formel 2 in einem organischen Lösungsmittel; Filtrieren der erhaltenen Lösung alleine oder in Kombination mit einem Anthracen-Derivat-Additiv, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Anthracen, 9-Anthracenmethanol, 9-Anthracencarbonitril, 9-Anthracen-Carbonsäure, Ditranol, 1,2,10-Anthracentriol, Anthraflavonsäure, 9-Anthraldehydoxim, 9-Anthraldehyd, 2-Amino-7-methyl-5-oxo-5H-[1]benzo-pyrano[2,3-b]pyridin-3-carbonitril, 1-Aminoanthrachinon, Anthrachinon-2-Carbonsäure, 1,5-Dihydroxyanthrachinon, Anthron, 9-Anthryl-trifluoromethylketon, 9-Alkylanthracen-Derivaten, 9-Carboxyl anthracen-Derivaten, 1-Carboxylanthracen-Derivaten und deren Mischungen besteht; Schichtapplizieren des Filtrates auf eine untere Schicht; und Hartbacken der Überzugsschicht.
  15. Verfahren nach Anspruch 14, in dem das besagte organische Lösungsmittel aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Ethyl-3-ethoxypropionat, Methyl-3-methoxypropionat, Cyclohexanon und Propylenglycolmethyletheracetat besteht und in einer Menge von 200 bis 5000 Gew.% eingesetzt wird, bezogen auf das Gesamtgewicht des verwendeten Antireflex-Beschichtungsharzes.
  16. Verfahren nach Anspruch 14, in dem der Hartback-Schritt bei 100 bis 300°C durchgeführt wird.
  17. Halbleiter-Vorrichtung, hergestellt unter Verwendung der Antireflex-Beschichtungszusammensetzung nach Anspruch 12 oder 13.
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Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100721181B1 (ko) * 2000-06-30 2007-05-23 주식회사 하이닉스반도체 유기반사방지막 조성물 및 그의 제조방법
KR100687850B1 (ko) * 2000-06-30 2007-02-27 주식회사 하이닉스반도체 유기반사방지막 조성물 및 그의 제조방법
KR100734249B1 (ko) * 2000-09-07 2007-07-02 삼성전자주식회사 축합환의 방향족 환을 포함하는 보호기를 가지는 감광성폴리머 및 이를 포함하는 레지스트 조성물
JP3597523B2 (ja) * 2002-08-27 2004-12-08 東京応化工業株式会社 リソグラフィー用下地材
US7056826B2 (en) * 2003-01-07 2006-06-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method of forming copper interconnects
CN100351309C (zh) * 2003-07-30 2007-11-28 日产化学工业株式会社 含有具有被保护的羧基的化合物的形成光刻用下层膜的组合物
TWI363251B (en) * 2003-07-30 2012-05-01 Nissan Chemical Ind Ltd Sublayer coating-forming composition for lithography containing compound having protected carboxy group
US7361447B2 (en) * 2003-07-30 2008-04-22 Hynix Semiconductor Inc. Photoresist polymer and photoresist composition containing the same
US7078336B2 (en) * 2003-11-19 2006-07-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method and system for fabricating a copper barrier layer with low dielectric constant and leakage current
KR101156969B1 (ko) 2005-03-02 2012-06-20 주식회사 동진쎄미켐 유기 반사방지막 형성용 유기 중합체 및 이를 포함하는 유기 조성물
CN100425630C (zh) * 2006-04-19 2008-10-15 苏州市成技新材料开发有限公司 含硅偶联剂共聚物成膜树脂及其有机防反射涂膜
KR100870746B1 (ko) * 2006-11-27 2008-11-26 삼성전자주식회사 패턴 형성 방법 및 이를 이용한 커패시터 제조 방법
JP5746824B2 (ja) * 2009-02-08 2015-07-08 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーRohm and Haas Electronic Materials LLC 上塗りフォトレジストと共に使用するのに好適なコーティング組成物
US9556094B2 (en) 2012-12-26 2017-01-31 Cheil Industries, Inc. Monomer, hardmask composition including monomer, and method for forming pattern by using hardmask composition
TWI662370B (zh) * 2015-11-30 2019-06-11 南韓商羅門哈斯電子材料韓國公司 與外塗佈光致抗蝕劑一起使用之塗料組合物

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0062611A2 (de) * 1981-04-02 1982-10-13 Ciba-Geigy Ag Photopolymerisationsverfahren
DE19962663A1 (de) * 1999-03-15 2000-09-21 Hyundai Electronics Ind Organisches, nicht reflektierendes Beschichtungsmaterial und dessen Herstellung
DE19962784A1 (de) * 1999-04-23 2000-10-26 Hyundai Electronics Ind Organisches, nicht reflektierendes Beschichtungsmaterial und dessen Herstellung
DE10028345A1 (de) * 1999-06-22 2001-01-25 Hyundai Electronics Ind Organisches,nicht-reflektierendes Polymer und Verfahren zu dessen Herstellung
DE10063263A1 (de) * 1999-12-23 2001-06-28 Hyundai Electronics Ind Organisches nicht reflektierendes Beschichtungspolymer und dessen Herstellungsverfahren

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3100077A1 (de) 1981-01-03 1982-08-05 Hoechst Ag, 6000 Frankfurt Lichtempfindliches gemisch, das einen naphthochinondiazidsulfonsaeureester enthaelt, und verfahren zur herstellung des naphthochinondiazidsulfonsaeureesters
US4822718A (en) 1982-09-30 1989-04-18 Brewer Science, Inc. Light absorbing coating
US5674648A (en) 1984-08-06 1997-10-07 Brewer Science, Inc. Anti-reflective coating
US5576359A (en) * 1993-07-20 1996-11-19 Wako Pure Chemical Industries, Ltd. Deep ultraviolet absorbent composition
US5525457A (en) 1994-12-09 1996-06-11 Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. Reflection preventing film and process for forming resist pattern using the same
US5886102A (en) * 1996-06-11 1999-03-23 Shipley Company, L.L.C. Antireflective coating compositions
JP3743134B2 (ja) * 1997-07-25 2006-02-08 Jsr株式会社 反射防止膜形成用組成物
US5919599A (en) * 1997-09-30 1999-07-06 Brewer Science, Inc. Thermosetting anti-reflective coatings at deep ultraviolet
JP4053631B2 (ja) * 1997-10-08 2008-02-27 Azエレクトロニックマテリアルズ株式会社 反射防止膜又は光吸収膜用組成物及びこれに用いる重合体
JPH11249311A (ja) * 1998-03-03 1999-09-17 Jsr Corp 反射防止膜形成用組成物
TW457403B (en) 1998-07-03 2001-10-01 Clariant Int Ltd Composition for forming a radiation absorbing coating containing blocked isocyanate compound and anti-reflective coating formed therefrom
GB2351588B (en) * 1999-07-01 2003-09-03 Ibm Security for network-connected vehicles and other network-connected processing environments
KR100359862B1 (ko) * 1999-12-23 2002-11-09 주식회사 하이닉스반도체 난반사 방지막용 중합체와 그 제조방법
FR2803850B1 (fr) * 2000-06-13 2002-05-17 Hyundai Electronics Ind Composition de revetement anti-reflechissant, procede de preparation et dispositif a semiconducteur
KR100687851B1 (ko) * 2000-06-30 2007-02-27 주식회사 하이닉스반도체 유기반사방지막 조성물 및 그의 제조방법
KR100721181B1 (ko) * 2000-06-30 2007-05-23 주식회사 하이닉스반도체 유기반사방지막 조성물 및 그의 제조방법

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0062611A2 (de) * 1981-04-02 1982-10-13 Ciba-Geigy Ag Photopolymerisationsverfahren
DE19962663A1 (de) * 1999-03-15 2000-09-21 Hyundai Electronics Ind Organisches, nicht reflektierendes Beschichtungsmaterial und dessen Herstellung
DE19962784A1 (de) * 1999-04-23 2000-10-26 Hyundai Electronics Ind Organisches, nicht reflektierendes Beschichtungsmaterial und dessen Herstellung
DE10028345A1 (de) * 1999-06-22 2001-01-25 Hyundai Electronics Ind Organisches,nicht-reflektierendes Polymer und Verfahren zu dessen Herstellung
DE10063263A1 (de) * 1999-12-23 2001-06-28 Hyundai Electronics Ind Organisches nicht reflektierendes Beschichtungspolymer und dessen Herstellungsverfahren

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