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Hintergrund
der Erfindung
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Die
vorliegende Erfindung betrifft ein Polymer, das als Bestandteil
einer Resistzusammensetzung für ein
bei der Herstellung von Halbleiterelementen verwendeten Verfahren
zur Auflösung
von Oberflächen brauchbar
ist, und eine Resistzusammensetzung, bei der dieses Polymer verwendet
wird.
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Zur
Einhaltung der Anforderungen an eine ultrafeine Verarbeitung gemäß der hohen
Integration von Halbleiter-Bauelementen ist die zur Belichtung in
Lithographieverfahren verwendete Lichtquelle kürzlich von Strahlen der i-Linie
(365 nm) zu einer mit einer kürzeren
Wellenlänge,
wie einem KrF-Excimerlaser
(248 nm) und einem ArF-Excimerlaser (193 nm) und weiterhin zu einem
F2-Excimerlaser (157 nm) und EB (Elektronenstrahlen)
geändert
worden.
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Mit
der Änderung
der für
die Belichtung verwendeten Lichtquelle hat sich das Hauptmuster
der Strukturbildung zu einem verschoben, bei dem eine so genannte
Resistzusammensetzung vom chemisch verstärkten Typ verwendet wird, bei
der ein Polymer durch die Einwirkung einer als Katalysator dienenden
Säure,
die aus einer lichtempfindlichen Verbindung erzeugt wird, chemisch
so verändert
wird, dass es alkalilöslich
ist, gefolgt von der Entwicklung in einer alkalischen Entwicklerlösung. Bei
dieser Strukturbildung ist aufgrund der Bildung der Struktur unter
Verwendung einer alkalischen Entwicklerlösung bei der Tendenz zur maßstäblichen Verkleinerung
ein schwerwiegendes Problem dahingehend aufgetreten, als durch die
Oberflächenspannung beim
Verdampfen des in den Resiststrukturen verbleibenden Wassers die
Struktur kollabiert und die Form der Strukturoberseite abgerundet
wird, was dazu führt,
dass die gewünschte
Form der ultrafeinen Struktur nicht erhalten wird.
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Um
diese Art von Problem zu lösen,
ist ein Verfahren zur Auflösung
von Oberflächen
untersucht worden, das statt der Verwendung einer alkalischen Entwicklungslösung und
der anschließenden
trockenen Entwicklung mittels der Sauerstoffplasma-Ätztechnik
die Silylierung einer chemisch veränderten Oberfläche eines Resists
umfasst (hiernach als Verfahren zur Auflösung einer silylierten Oberfläche bezeichnet).
Bei der Durchführung
dieses Verfahrens zur Auflösung
einer silylierten Oberfläche
sind unter Verwendung der bisher bekannten Resistzusammensetzungen
vom chemisch verstärkten
Typ jedoch viele Probleme festgestellt worden. Wenn nämlich das
in US-A-4 552 833 offenbarte Poly(p-tert-butoxycarbonyloxystyrol),
das in EP-A-0 264 908 offenbarte Poly(p-tert-butoxycarbonyloxystyrol/N-methylmaleimid),
das in EP-A-0 284
864 offenbarte Poly(p-tert-butoxystyrol/methylmethacrylat), das
in JP-A-223858/1991 offenbarte Poly(p-tert-butoxystyrol/fumaronitril)
in diesem Verfahren als Polymerkomponente verwendet werden, wird
dahingehend ein Problem festgestellt, dass diese Polymere kaum für chemische Änderung
anfällig
sind, die durch die durch Beleuchtung erzeugte Säure bewirkt wird, wodurch eine
nur unzureichende chemische Änderung
des beleuchteten Bereichs und eine unzureichende Silylierungsreaktion
in der nächsten
Verfahrensstufe bewirkt wird, wodurch kein hoher Kontrast erhalten
werden kann. Wenn andererseits das in JP-A-171262/1996 offenbarte
Poly[p-(1-ethoxyethoxystyrol)],
das gegenüber
einer chemischen Änderung
durch die Säure
leicht anfällig
ist, bei diesem Verfahren verwendet wird, sind dahingehend Probleme
festgestellt worden, dass eine Silylierung infolge der chemischen Änderung
sogar in einem Teil nicht belichteter Bereiche erfolgte, was keinen
hohen Kontrast ergab, und aufgrund der niedrigen Wärmebeständigkeit
des Polymers selbst keine ausreichende Strukturbildung erhalten
wird. Weiterhin besteht im Fall von Polymeren, die viele gegenüber einer
Silylierung anfällige
Monomereinheiten enthalten, zum Beispiel bei den Monomereinheiten,
die von Hydroxystyrol stammen (z.B. Poly[p-(1-Ethoxyethoxystyrol)/p- hydroxystyrol]) wie
der in JP-A-273934/1994 und JP-A-24682/1993 offenbarten Resistzusammensetzung,
dahingehend ein Problem, dass eine Silylierung auch in unbelichteten
Bereichen erfolgt, wodurch der erforderliche Kontrast nicht erhalten
wird. Noch weiter wird bei einer Resistzusammensetzung, bei der
ein Polymer verwendet wird, das ursprünglich Si in seinem Molekül enthält, wie
das in J. C. McFarland et al., Proc. SPIE, 920, 162 (1988) offenbarte
Poly(p-trimethylsilyloxystyrol/p-hydroxystyrol), auch dahingehend
ein Problem festgestellt, dass durch die Silylierung kein ausreichender
Kontrast gegenüber
unbelichteten Bereichen erfolgt, wodurch die Bildung der gewünschten
ultrafeinen Struktur nicht erfolgt. Insbesondere bei demjenigen
Lithographie-Verfahren, bei dem ein ArF-Excimerlaser (193 nm) als
Lichtquelle zur Belichtung verwendet wird, wird, wenn das Polymer
nur aus Monomereinheiten vom Styroltyp konstruiert ist [z.B. p-(1-Ethoxyethoxystyrol),
p-tert-Butoxycarbonyloxystyrol,
Styrol], wird dahingehend ein Problem festgestellt, dass das Polymer
eine sehr niedrige Durchlässigkeit
gegenüber
dem ArF-Excimerlaser
aufweist, wodurch die Anfälligkeit
des Teils für
eine chemische Änderung
auf nur einen kleinen Teil der Oberfläche eines Resits beschränkt wird
und eine ungleichmäßige chemische Änderung
an der Kante der Struktur, die eine niedrigere Belichtung als die
Mitte aufweist, bewirkt wird, was zu einer ungleichmäßigen Silylierungsreaktion
führt. Aus
diesen Gründen
ist im Fall der Durchführung
eines Ätzverfahrens
nach der Silylierung ein Problem dahingehend erkannt worden, dass
die Kante der Struktur ungleichmäßig geätzt ist,
wodurch die Kantenrauheit vergrößert ist.
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EP-A-0
789 279 offenbart ein Polymer für
Resistzusammensetzungen, das dem Polymer der vorliegenden Erfindung
mit derjenigen Ausnahme ähnlich
ist, dass der Gehalt der Hydroxygruppen tragenden Styrol-Monomereinheiten
wenigstens 10 % beträgt.
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Daher
sind jetzt die Entwicklung eines Polymers, das dazu fähig ist,
eine ultrafeine Struktur mit einer hervorragenden rechteckigen Form
durch das Verfahren der Auflösung
einer silylierten Oberfläche
zu ergeben, und die Entwicklung einer Resistzusammensetzung, bei
der das Polymer verwendet wird, zum gegenwärtigen Zeitpunkt stark erwünscht.
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KURZBESCHREIBUNG
DER ERFINDUNG
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Die
vorliegende Erfindung ist unter Berücksichtigung der oben erwähnten Situation
bewerkstelligt worden, und ihre Aufgabe besteht in der Bereitstellung
eines Polymers, das dazu fähig
ist, in einem Verfahren zur Auflösung
einer silylierten Oberfläche
unter Verwendung einer Resistzusammensetzung vom chemisch verstärkten Typ
eine ultrafeine Struktur mit einer hervorragenden rechteckigen Form
als einzige Schicht oder bei mehreren Schichten in der obersten
Schicht zu bilden, und eine Resistzusammensetzung, bei der das Polymer verwendet
wird.
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Die
Erfinder der vorliegenden Erfindung haben umfangreiche Untersuchungen
zur Lösung
der oben erwähnten
Probleme vorgenommen, die bei einem Verfahren zur Auflösung einer
silylierten Oberfläche
bei der Verwendung von bekannten Resistzusammensetzungen festgestellt
wurden, und sind zu dem Befund gekommen, dass die Verwendung einer
Resistzusammensetzung, die die durch die allgemeine Formel [1] veranschaulichten
Polymere enthält,
einen hohen Kontrast zwischen den belichteten Bereichen und unbelichteten Bereichen
ergeben kann, wodurch eine wärmebeständige, rechteckige,
ultrafeine Struktur erhalten wird, und die vorliegende Erfindung
ist auf der Grundlage dieses Befundes bewerkstelligt worden.
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Zur
Lösung
der oben erwähnten
Aufgabe umfasst die vorliegende Erfindung die folgenden Merkmale.
- (1) Ein Polymer, das durch die folgende allgemeine
Formel [1] veranschaulicht
ist [wobei R1 ein Wasserstoffatom oder eine
Methylgruppe ist, R2 und R3 unabhängig voneinander
jeweils ein Wasserstoffatom oder eine geradkettige oder verzweigtkettige
Alkylgruppe mit 1 bis 6 Kohlenstoffatomen sind (mit Ausnahme eines
Falls, in dem sowohl R2 als auch R3 Wasserstoffatome sind), R4 eine
geradkettige, verzweigte oder cyclische Alkylgruppe mit 1 bis 6
Kohlenstoffatomen, eine Aralkylgruppe oder eine Phenylgruppe ist,
und R2 und R3, R2 und R4 bzw. R3 und R4 zusammen
einen Ring bilden können,
R5 ein Wasserstoffatom, eine geradkettige,
verzweigte oder cyclische Alkylgruppe mit 1 bis 6 Kohlenstoffatomen,
eine geradkettige, verzweigte oder cyclische Alkoxygruppe mit 1
bis 6 Kohlenstoffatomen, eine tert-Butoxycarbonyloxygruppe, eine Tetrahydropyranyloxy-Gruppe,
eine Acetyloxygruppe oder eine -OCH2COOC(CH3)3-Gruppe ist, R6 ein Wasserstoffatom oder eine Cyanogruppe
ist, R7 eine -COOR8-Gruppe
(wobei R8 eine geradekettige, verzweigte
oder cyclische Alkylgruppe mit 1 bis 6 Kohlenstoffatomen oder eine
verbrückte
alicyclische Kohlenwasserstoffgruppe mit 7 bis 12 Kohlenstoffatomen
ist), eine Cyanogruppe oder eine durch die folgende allgemeine Formel
[8] veranschaulichte Gruppe ist
(wobei R9 ein Wasserstoffatom, eine geradkettige,
verzweigte oder cyclische Alkylgruppe mit 1 bis 6 Kohlenstoffatomen
oder eine geradkettige, verzweigte oder cyclische Alkoxygruppe mit
1 bis 6 Kohlenstoffatomen ist) und R6 und
R7 zusammen eine -CO-O-CO-- oder eine -CO-NR10-CO--Gruppe bilden können (wobei R10 ein
Wasserstoffatom, eine geradkettige, verzweigtkettige oder cyclische
Alkylgruppe mit 1 bis 6 Kohlenstoffatomen oder eine geradkettige,
verzweigtkettige oder cyclische Alkoxygruppe mit 1 bis 6 Kohlenstoffatomen
ist), k eine positive ganze Zahl ist, l, m und n jeweils unabhängig 0 oder
eine positive ganze Zahl sind (mit der Maßgabe, dass 0,1 ≦ k / (k +
l + m + n) ≦ 0,9,
0 ≦ l / (k
+ l + m + n) ≦ 0,9,
0 ≦ m / (k
+ l + m + n) ≦ 0,8
und 0 ≦ n
/ (k + l + m + n) < 0,1,
mit der Maßgabe,
dass ein Fall, in dem sowohl l als auch m 0 sind, ausgeschlossen
ist)].
- (2) Ein Polymer für
eine Resistzusammensetzung, das das als das obige (1) erwähnte Polymer
umfasst.
- (3) Eine Resistzusammensetzung, die das als das obige (1) erwähnte Polymer
umfasst.
- (4) Eine Resistzusammensetzung, die ein Polymer, das durch die
folgende allgemeine Formel [1] veranschaulicht ist, eine Verbindung,
die dazu fähig
ist, eine Säure
durch Bestrahlung mit aktinischer Strahlung zu erzeugen, und ein
Lösungsmittel,
das dazu fähig
ist, sie zu lösen,
umfasst [wobei
R1 ein Wasserstoffatom oder eine Methylgruppe
ist, R2 und R3 unabhängig voneinander
jeweils ein Wasserstoffatom oder eine geradkettige oder verzweigtkettige
Alkylgruppe mit 1 bis 6 Kohlenstoffatomen sind (mit Ausnahme eines
Falls, in dem sowohl R2 als auch R3 Wasserstoffatome sind), R4 eine
geradkettige, verzweigte oder cyclische Alkylgruppe mit 1 bis 6
Kohlenstoffatomen, eine Aralkylgruppe oder eine Phenylgruppe ist,
und R2 und R3, R2 und R4 bzw. R3 und R4 zusammen
einen Ring bilden können,
R5 ein Wasserstoffatom, eine geradkettige,
verzweigte oder cyclische Alkylgruppe mit 1 bis 6 Kohlenstoffatomen,
eine geradkettige, verzweigte oder cyclische Alkoxygruppe mit 1
bis 6 Kohlenstoffatomen, eine tert-Butoxycarbonyloxygruppe, eine
Tetrahydropyranyloxy-Gruppe, eine Acetyloxygruppe oder eine -OCH2COOC(CH3)3-Gruppe ist, R6 ein
Wasserstoffatom oder eine Cyanogruppe ist, R7 eine
-COOR8-Gruppe (wobei R8 eine
geradkettige, verzweigte oder cyclische Alkylgruppe mit 1 bis 6
Kohlenstoffatomen oder eine verbrückte alicyclische Kohlenwasserstoffgruppe
mit 7 bis 12 Kohlenstoffatomen ist), eine Cyanogruppe oder eine
durch die folgende allgemeine Formel [8] veranschaulichte Gruppe ist
(wobei R9 ein Wasserstoffatom, eine geradkettige,
verzweigte oder cyclische Alkylgruppe mit 1 bis 6 Kohlenstoffatomen
oder eine geradkettige, verzweigte oder cyclische Alkoxygruppe mit
1 bis 6 Kohlenstoffatomen ist) und R6 und
R7 zusammen eine -CO-O-CO-- oder eine -CO-NR10-CO--Gruppe bilden können (wobei R10 ein
Wasserstoffatom, eine geradkettige, verzweigtkettige oder cyclische
Alkylgruppe mit 1 bis 6 Kohlenstoffatomen oder eine geradkettige,
verzweigtkettige oder cyclische Alkoxygruppe mit 1 bis 6 Kohlenstoffatomen
ist), k eine positive ganze Zahl ist, l, m und n jeweils unabhängig 0 oder
eine positive ganze Zahl sind (mit der Maßgabe, dass 0,1 ≦ k / (k +
l + m + n) ≦ 0,9,
0 ≦ l / (k
+ l + m + n) ≦ 0,9,
0 ≦ m / (k
+ l + m + n) ≦ 0,8
und 0 ≦ n
/ (k + l + m + n) < 0,1,
mit der Maßgabe,
dass ein Fall, in dem sowohl l als auch m 0 sind, ausgeschlossen
ist)].
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KURZBESCHREIBUNG
DER MEHREREN ANSICHTEN DER ZEICHNUNGEN
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1 ist
ein Querschnitt der guten Form einer L- und S-Strukturform, die
unter Verwendung einer Resistzusammensetzung erhalten wird, wobei
das Polymer der vorliegenden Erfindung verwendet wird.
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2 ist
ein Querschnitt der in schlechter Auflösung vorliegenden Form einer
L- und S-Strukturform, die unter Verwendung einer Resistzusammensetzung
erhalten wird, bei der das Polymer der vorliegenden Erfindung nicht
verwendet wird.
-
3 ist
ein Querschnitt der guten Form einer L- und S-Strukturform, die
unter Verwendung einer Resistzusammensetzung erhalten wird, wobei
das Polymer der vorliegenden Erfindung verwendet wird.
-
4 ist
ein Querschnitt der in schlechter Auflösung vorliegenden Form einer
L- und S-Strukturform, die unter Verwendung einer Resistzusammensetzung
erhalten wird, bei der das Polymer der vorliegenden Erfindung nicht
verwendet wird.
-
5 ist
ein Querschnitt der guten Form einer L- und S-Strukturform, die
unter Verwendung einer Resistzusammensetzung erhalten wird, wobei
das Polymer der vorliegenden Erfindung verwendet wird.
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6 ist
ein Querschnitt der nicht aufgelösten
Form einer L- und S-Strukturform,
die unter Verwendung einer Resistzusammensetzung erhalten wird,
bei der das Polymer der vorliegenden Erfindung nicht verwendet wird.
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BESCHREIBUNG
DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
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Bei
dem in der vorliegenden Erfindung verwendeten Polymer handelt es
sich um eines, das als wesentliche Grundeinheiten die durch die
folgende, allgemeine Formel [2] und [3] und/oder [4] veranschaulichten Monomereinheiten
und weiterhin gegebenenfalls die durch die allgemeine Formel [5] veranschaulichte
Monomereinheit enthält,
und noch spezieller kann es durch eine Kombination der Monomereinheit
der allgemeinen Formel [2] mit derjenigen der allgemeinen Formel
[3], eine Kombination der Monomereinheit der allgemeinen Formel
[2] und mit derjenigen der allgemeinen Formel [4], eine Kombination
der Monomereinheit der allgemeinen Formel [2] mit derjenigen der
allgemeinen Formel [3] und derjenigen der allgemeinen Formel [4],
eine Kombination der Monomereinheit der allgemeinen Formel [2],
derjenigen der allgemeinen Formel [3] mit derjenigen der allgemeinen
Formel [5], eine Kombination der Monomereinheit der allgemeinen
Formel [2], derjenigen der allgemeinen Formel [4] mit der derjenigen
der allgemeinen Formel [5] und eine Kombination der Monomereinheit
der allgemeinen Formel [2], derjenigen der allgemeinen Formel [3]
mit derjenigen der allgemeinen Formel [4] und derjenigen der allgemeinen
Formel [5] veranschaulicht werden.
(wobei R
1,
R
2, R
3 und R
4 dieselbe Bedeutung wie oben haben)
(wobei R
1 und
R
5 dieselbe Bedeutung wie oben haben)
(wobei R
1,
R
6 und R
7 dieselbe
Bedeutung wie oben haben)
(wobei R
1 dieselbe
Bedeutung wie oben hat).
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Von
diesen Polymeren sind diejenigen Polymere, die durch die folgende
allgemeine Formel [1'],
[6], [6'], [6"], [6'''],
[6''''],
[7], [7'], [17]
und [17'] veranschaulicht
sind, bevorzugt, und die allgemeinen Formeln [6], [6''''], [7], [7'], [17] und [17'] sind besonders
bevorzugt, weil nach der Bildung einer Struktur in solchen Harzen kaum
ein Rest auf einem Substrat verbleibt. (In anderen Worten kann die
Resistzusammensetzung auf der Substratoberfläche nach dem Ätzen fast
vollständig
entfernt werden.) Wenn ein KrF-Excimerlaser als Lichtquelle verwendet
wird, ist es zum Erhalt einer hohen Auflösung bevorzugt, dass das Zusammensetzungsverhältnis der
durch die allgemeine Formel [2] veranschaulichten Monomereinheiten
in den oben erwähnten
Polymeren 10 % bis 70 % beträgt
und das Zusammensetzungsverhältnis
der durch die allgemeine Formel [4] veranschaulichten Monomereinheiten
70 % oder weniger, vorzugsweise 60 % oder weniger beträgt. Weiterhin
ist es, wenn ArF-Excimerlaser als Lichtquelle verwendet wird, bevorzugt,
dass das Zusammensetzungsverhältnis der
durch die allgemeine Formel [4] in den oben erwähnten Polymeren veranschaulichten
Monomereinheiten 30 % bis 70 %, vorzugsweise 40 % bis 60 % beträgt, damit
eine hohe Durchlässigkeit
gegenüber
dem ArF-Excimerlaser erreicht wird. Von diesen bevorzugten Polymeren
sind die durch die folgende allgemeine Formel [17] veranschaulichten
Polymere besonders bevorzugt, weil nach der Bildung einer Struktur
in solchen Harzen kaum ein Rest auf einem Substrat verbleibt (In
anderen Worten kann die Resistzusammensetzung auf der Substratoberfläche nach
dem Ätzen
fast vollständig
entfernt werden) und die Polymere, die eine hohe Durchlässigkeit
gegenüber
einem ArF-Excimerlaser haben, leicht erhalten werden. Für den oben
erwähnten
Zweck beträgt
das Zusammensetzungsverhältnis
der Monomereinheiten, die durch die allgemeine Formel [4] in demjenigen
Polymer veranschaulicht werden, das durch die allgemeinen Formeln
[6] und [17] veranschaulicht ist, 30 % bis 70 %, vorzugsweise 40
% bis 60 %.
[wobei
R
4' eine
Methylgruppe oder eine Ethylgruppe ist, R
5' ein Wasserstoffatom,
eine t-Butoxygruppe, eine t-Butoxycarbonyloxygruppe oder eine Tetrahydropyranyloxygruppe
ist, R
1' ein
Wasserstoffatom oder eine Methylgruppe ist, R
7' eine Methoxycarbonylgruppe,
eine Cyclohexyloxycarbonylgruppe oder eine Isobornyloxycarbonylgruppe
ist und k, l, m und n dieselbe Bedeutung wie oben haben].
[wobei
m' eine positive
ganze Zahl ist und R
1, R
2,
R
3, R
4, R
5, R
6, R
7,
k und l dieselbe Bedeutung wie oben haben].
[wobei
l' eine positive
ganze Zahl ist und R
1, R
2,
R
3, R
4, R
5, k und n dieselbe Bedeutung wie oben haben].
[wobei
R
1, R
2, R
3, R
4, R
6,
R
7, k, m' und
n dieselbe Bedeutung wie oben haben].
[wobei
R
5' ein
Wasserstoffatom, eine t-Butoxygruppe, eine t-Butoxycarbonyloxygruppe oder eine Tetrahydropyranyloxygruppe
ist und k, l' und
n dieselbe Bedeutung wie oben haben].
[wobei
R
4' eine
Methylgruppe oder eine Ethylgruppe ist, R
5' ein Wasserstoffatom,
eine t-Butoxygruppe, eine t-Butoxycarbonyloxygruppe oder eine Tetrahydropyranyloxygruppe
ist, R
1' ein
Wasserstoffatom oder eine Methylgruppe ist, R
7' eine Methoxycarbonylgruppe,
eine Cyclohexyloxycarbonylgruppe oder eine Isobornyloxycarbonylgruppe
ist und k und m' dieselbe
Bedeutung wie oben haben].
[wobei R
1,
R
2, R
3, R
4, R
5, k und l' dieselbe Bedeutung
wie oben haben, mit der Maßgabe,
dass 0,1 ≦ k/(k
+ l') ≦ 0,9].
[wobei R
1,
R
2, R
3, R
4, R
6, R
7,
k und m' dieselbe
Bedeutung wie oben haben, mit der Maßgabe, dass 0,2 ≦ k/(k + m') ≦ 0,9, 0,1 ≦ m'/(k + m') ≦ 0,8].
[wobei R
4' eine Methylgruppe
oder eine Ethylgruppe ist, R
5' ein Wasserstoffatom, eine t-Butoxygruppe,
eine t-Butoxycarbonyloxygruppe oder eine Tetrahydropyranyloxygruppe
ist und k und l' dieselbe
Bedeutung wie oben haben].
wobei R
4' eine Methylgruppe
oder eine Ethylgruppe ist, R
1' ein Wasserstoffatom oder eine
Methylgruppe ist, R
7' eine Methoxycarbonylgruppe, eine Cyclohexyloxycarbonylgruppe
oder eine Isobornyloxycarbonylgruppe ist und k und m' dieselbe Bedeutung
wie oben haben].
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In
der allgemeinen Formel [1], [2], [3], [4], [6], [6'], [6"], [7] und [17] umfasst
die geradkettige, verzweigte oder cyclische Alkylgruppe mit 1 bis
6 Kohlenstoffatomen, die durch R2, R3, R4, R5,
R8, wenn R7 -COORR8 ist, R9, wenn R7 eine Gruppe ist, die durch die allgemeine
Formel [8] veranschaulicht ist, oder R10,
wenn R6 und R7 zusammen
eine -CO-NR10-CO--Gruppe bilden, veranschaulicht
ist, eine Methylgruppe, Ethylgruppe, n-Propylgruppe, Isopropylgruppe,
Cyclopropylgruppe, n-Butylgruppe, Isobutylgruppe, sec-Butylgruppe, tert-Butylgruppe,
n-Pentylgruppe, Isopentylgruppe, Cyclopentylgruppe, n-Hexylgruppe,
Cyclohexylgruppe. In der allgemeinen Formel [1], [3], [4], [6],
[6'], [6"], [7] und [17] umfasst
die geradkettige, verzweigte oder cyclische Alkoxygruppe mit 1 bis
6 Kohlenstoffatomen, die durch R5, R9, wenn R7 eine Gruppe
ist, die durch die allgemeine Formel [8] veranschaulicht ist, oder
R10, wenn R6 und
R7 zusammen eine -CO-NR10-CO--Gruppe
bilden, veranschaulicht ist, eine Methoxygruppe, Ethoxygruppe, n-Propoxygruppe,
Isopropoxygruppe, Cyclopropoxygruppe, n-Butoxygruppe, sec-Butoxygruppe,
Isobutoxygruppe, tert-Butoxygruppe, n-Pentyloxygruppe, Isopentyloxygruppe,
Cyclopentyloxygruppe, n-Hexyloxygruppe, Cyclohexyloxygruppe. In
der allgemeinen Formel [1], [4], [6], [6"] und [17] umfasst die verbrückte alicyclische
Kohlenwasserstoffgruppe, die durch R8 veranschaulicht ist,
wenn R7 -COOR8 ist,
eine mit 7 bis 12 Kohlenstoffatomen, wie eine 1-Adamantylgruppe, 2-Adamantylgruppe,
Tricyclo[5,2,1,02,6]decanylgruppe, Norbornylgruppe, Isobornylgruppe,
Bicyclo[3,3,1]nonylgruppe und Bicyclo[3,2,1]octylgruppe. In der
allgemeinen Formel [1], [2], [6], [6'], [6"], [7] und [17] umfasst die durch R4 veranschaulichte Aralkylgruppe eine Benzylgruppe,
Phenethylgruppe, Phenylpropylgruppe, Methylbenzylgruppe, Methylphenethylgruppe,
Ethylbenzylgruppe. Der von R2 und R3 gebildete Ring umfasst einen Cycloalkanring wie
einen Cycloheptanring und einen Cyclohexanring, und der von R2 und R3 oder von
R3 und R4 gebildete Ring
umfasst einen sauerstoffhaltigen, gesättigten, heterocyclischen Ring
wie einen Tetrahydrofuranring und einen Tetrahydropyranring.
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Die
speziellen Beispiele für
Polymere der vorliegenden Erfindung, die durch die allgemeine Formel
[1] veranschaulicht sind, sind Poly(p-1-ethoxyethoxystyrol/p-tert-butoxystyrol),
Poly(p-1-methoxyethoxystyrol/p-tert-butoxystyrol),
Poly(p-1-ethoxyethoxystyrol/p-isopropoxystyrol), Poly(p-1-ethoxypropoxystyrol/p-tert-butoxystyrol),
Poly(p-1-ethoxyethoxystyrol/p-tetrahydropyranyloxystyrol),
Poly(p-1-ethoxyethoxystyrol/p-tert-butoxycarbonyloxystyrol), Poly(p-1-cyclohexyloxyethoxystyrol/p-tert-butoxystyrol),
Poly(p-1-phenyloxyethoxystyrol/styrol), Poly(p-1-ethoxyethoxystyrol/p-tert-butoxystyrol/methylmethacrylat),
Poly(p-1-benzyloxyethoxystyrol/p-methoxystyrol/fumaronitril), Poly(p-1-ethoxyethoxystyrol/styrol/cyclohexylmethacrylat),
Poly(p-1-ethoxyethoxystyrol/p-tert-butoxystyrol/p-hydroxystyrol),
Poly(p-1-ethoxyethoxystyrol/1-adamantylmethacrylat), Poly(p-1-ethoxyethoxystyrol/styrol/isobornylacrylat),
Poly(p-1-ethoxyethoxystyrol/2-adamantylacrylat), Poly(p-1-ethoxyethoxystyrol/isobornylacrylat),
Poly(p-1-ethoxyethoxystyrol/2-adamantylacrylat/p-hydroxystyrol),
Poly(p-1-ethoxyethoxystyrol/isobornylacrylat/p-hydroxystyrol), Poly(p-1-cyclohexyloxyethoxystyrol/cyclohexylacrylat/p-hydroxystyrol),
Poly(p-1-methoxy-1-methylethoxystyrol/fumaronitril/p-hydroxystyrol), Poly(p-1-ethoxyethoxystyrol/cyclohexylmethacrylat/p-hydroxystyrol),
Poly(p-1-ethoxyethoxystyrol/tricyclo[5,2,1,02,6]decanylacrylat/p-hydroxystyrol),
Poly(p-1-ethoxyethoxystyrol/bicyclo[3,3,1]nonylacrylat/p-hydroxystyrol),
Poly(p-1-ethoxyethoxystyrol/p-acetyloxystyrol/p-hydroxystyrol),
Poly(p-1-methoxy-1-methylethoxystyrol/bicyclo[3,2,1]octylmethacrylat/p-hydroxystyrol),
Poly(m-1-ethoxyethoxystyrol/m-hydroxystyrol/isobornylmethacrylat),
Poly(p-1-isobutoxyethoxystyrol/p-acetyloxystyrol), Poly(p-1-cyclohexyloxyethoxystyrol/p-tetrahydropyranyloxystyrol),
Poly(p-1-cyclohexyloxyethoxystyrol/p-tert-butoxycarbonyloxystyrol),
Poly(p-1-ethoxyethoxystyrol/p-tert-butoxystyrol), Poly(p-1-ethoxyethoxystyrol/maleinsäureanhydrid),
Poly(p-1-methoxy-1-methylethoxystyrol/isobornylacrylat), Poly(p-1-cyclohexyloxyethoxystyrol/maleinsäureanhydrid),
Poly(p-1-isobutoxyethoxystyrol/norbornylmethacrylat), Poly(p-1-ethoxypropoxystyrol/cyclohexylacrylat),
Poly(p-1-ethoxyethoxystyrol/bicyclo[3,2,1]nonylacrylat), Poly(p-1-ethoxyethoxystyrol/p-tert-butoxystyrol/cyclohexylacrylat),
Poly(p-1-cyclohexyloxyethoxystyrol/p-acetyloxy styrol/isobornylacrylat),
Poly(p-1-cyclohexyloxyethoxystyrol/p-tert-butoxystyrol/isobornylacrylat),
Poly(p-1-cyclohexyloxyethoxystyrol/p-tert-butoxycarbonyloxystyrol/isobornylacrylat),
Poly(p-1-ethoxyethoxystyrol/p-tert-butoxystyrol/isobornylacrylat), Poly(p-1-ethoxypropoxystyrol/p-tert-butylstyrol/isobornylacrylat),
Poly(p-1-methoxyethoxystyrol/p-tert-butoxystyrol/p-hydroxystyrol), Poly(p-1-ethoxyethoxystyrol/p-isopropoxystyrol/p-hydroxystyrol),
Poly(p-1-ethoxypropoxystyrol/p-tert-butoxystyrol/p-hydroxystyrol),
Poly(p-1-ethoxyethoxystyrol/p-tetrahydropyranyloxystyrol/p-hydroxystyrol),
Poly(p-1-ethoxyethoxystyrol/p-tert-butoxycarbonyloxystyrol/p-hydroxystyrol),
Poly(p-1-cyclohexyloxyethoxystyrol/p-tert-butoxystyrol/p-hydroxystyrol),
Poly(p-1-phenyloxyethoxystyrol/styrol/p-hydroxystyrol), Poly(p-1-ethoxyethoxystyrol/p-tert-butoxystyrol/methylmethacrylat/p-hydroxystyrol),
Poly(p-1-benzyloxyethoxystyrol/p-methoxystyrol/fumaronitril/p-hydroxystyrol),
Poly(p-1-ethoxyethoxystyrol/styrol/cyclohexylmethacrylat/p-hydroxystyrol).
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Das
durch die allgemeine Formel [1] dargestellte Polymer der vorliegenden
Erfindung kann leicht hergestellt werden, indem die vier Verfahren
auf die in JP-A-211258/1992, JP-A-249682/1993, JP-A-53621/1998 beschriebene
Weise befolgt werden.
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[Verfahren A]
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Bei
Verwendung des durch die folgende allgemeine Formel [2'], [3'] und [4'] veranschaulichten
Monomers als Ausgangsstoff werden eine an sich bekannte radikalische
Polymerisation unter Verwendung eines organischen Peroxids oder
einer Azoverbindung als Polymerisationsinitiator, eine an sich bekannte
Polymerisation mit einem lebenden Anion unter Verwendung von n-Butyllithium oder
Kaliumnaphthalin oder eine Polymerisation mit einem lebenden Radikal
unter Verwendung von 2-Hydroxyethyldichloracetat, α,α-Dichloracetophenon
oder einer anderen Halogenverbindung oder einem organischen Peroxid,
einer Azoverbindung als Initiator und einem Rutheniumkomplex, Eisenkomplex,
Kupferkomplex oder einem anderen Übergangsme tallkomplex als Katalysator
durchgeführt,
gefolgt von einer auf übliche
Weise erfolgenden Nachbehandlung, wodurch das Zielpolymer erhalten
werden kann.
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[Verfahren B]
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Bei
Verwendung des kommerziell erhältlichen
p-tert-Butoxystyrols und der durch die allgemeinen Formeln [3'] und [4'] veranschaulichten
Monomere als Ausgangsstoffe wird eine Polymerisation auf dieselbe
Weise wie beim obigen Verfahren A durchgeführt, und eine geeignete Menge
der tert-Butylgruppen wird vom resultierenden Polymer in Gegenwart
eines sauren Katalysators auf übliche
Weise entfernt, und dann wird eine geeignete Menge einer Ethenylverbindung
oder eines Derivats davon mit der phenolischen Hydroxygruppe des
resultierenden Polymers auf übliche
Weise umgesetzt, wodurch das Zielpolymer erhalten werden kann.
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[Verfahren C]
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Bei
Verwendung des kommerziell erhältlichen
p-Acetoxystyrols und der durch die allgemeine Formel [3'] und [4'] veranschaulichten
Monomere als Ausgangsstoffe wird eine Polymerisation auf dieselbe
Weise wie beim obigen Verfahren A durchgeführt, und eine geeignete Menge
der Acetylgruppen wird in Gegenwart eines basischen Katalysators
auf übliche
Weise vom resultierenden Polymer entfernt, und dann wird eine geeignete Menge
einer Ethenylverbindung oder eines Derivats davon mit der phenolischen
Hydroxygruppe des resultierenden Polymers auf übliche Weise umgesetzt, wodurch
das Zielpolymer erhalten werden kann.
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[Verfahren D]
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Bei
Verwendung des kommerziell erhältlichen
p-tert-Butoxystyrols und bei Bedarf des durch die allgemeine Formel
[4'] veranschaulichten
Monomers als Ausgangsstoffe wird eine Polymerisation auf dieselbe
Weise wie beim obigen Verfahren A durchgeführt, und die tert-Butylgruppe
wird in Gegenwart eines sauren Katalysators vom resultierenden Polymer
entfernt, wodurch Poly(p-hydroxystyrol)
oder ein Polymer erhalten wird, das eine von p-Hydroxystyrol stammende
Monomereinheit und eine von der durch die allgemeine Formel [4'] veranschaulichten
Formel stammende Monomereinheit umfasst, dann wird eine geeignete
Menge einer Ethenylverbindung oder eines Derivats davon auf übliche Weise
mit der phenolischen Hydroxygruppe des resultierenden Polymers umgesetzt,
und der resultierende Stoff wird einer tert-Butoxycarbonylierung oder Tetrahydrofuranylierung
unterzogen, wodurch das Zielpolymer erhalten werden kann. Poly(p-hydroxystyrol)
oder ein Polymer, das eine von p-Hydroxystyrol stammende Monomereinheit
und eine von der durch die allgemeine Formel [4'] veranschaulichten Formel stammende
Monomereinheit umfasst, kann auf übliche Weise auch erhalten werden,
indem eine Polymerisation unter Verwendung eines kommerziell erhältlichen
p-Acetoxystyrols und bei Bedarf eines durch die allgemeine Formel
[4'] veranschaulichten
Monomers als Ausgangsstoffe auf dieselbe Weise wie beim obigen Verfahren
A durchgeführt
wird, gefolgt von einer Entfernung der Acetylgruppen in Gegenwart
eines basischen Katalysators, erhalten werden.
(wobei R
1,
R
2 und R
4 dieselbe
Bedeutung haben)
(wobei R
1 und
R
5 dieselbe Bedeutung wie oben haben)
(wobei R
4,
R
6 und R
7 dieselbe
Bedeutung wie oben haben).
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Die
Ethenylverbindung oder ein Derivat davon, die in den oben erwähnten Verfahren
verwendet wird, umfasst eine, die durch die folgende allgemeine
Formel [18] veranschaulicht ist.
(wobei R
2' eine Alkylidengruppe
ist und R
3 und R
4 dieselbe
Bedeutung wie oben haben).
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In
der allgemeinen Formel [18] kann die durch R
2' veranschaulichte
Alkylidengruppe geradkettig oder verzweigt sein und vorzugsweise
1 bis 6 Kohlenstoffatome haben und wird insbesondere durch eine
Methylidengruppe, Ethylidengruppe, n-Propylidengruppe, Isopropylidengruppe,
n-Butylidengruppe, Isobutylidengruppe, sec-Butylidengruppe, tert-Butylidengruppe,
n-Pentylidengruppe,
Isopentylidengruppe, n-Hexylidengruppe veranschaulicht. Von diesen
ist die Ethenylverbindung oder ein Derivat davon, dargestellt durch
die folgende allgemeine Formel [18'], bevorzugt.
(wobei R
4' dieselbe Bedeutung
wie oben hat).
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Die
speziellen Beispiele für
die Ethenylverbindung oder ein Derivat davon, veranschaulicht durch
die allgemeine Formel [18], sind Ethylvinylether, Cyclohexylvinylether.
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Bei
den oben erwähnten
Verfahren ist die typische Reaktion der durch die allgemeine Formel
[18'] veranschaulichten
Verbindung als Ethenylverbindung oder Derivat davon mit Poly(p-hydroxystyrol),
das vom resultierenden Polymer stammt, das durch die Polymerisation
unter Verwendung eines kommerziell erhältlichen p-tert-Butoxystyrols
oder p-Acetoxystyrols und den durch die allgemeine Formel [3'] und [4'] veranschaulichten Monomere
als Ausgangsstoffe erhalten wird, in der unten erwähnten [Gleichung
1] dargestellt.
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Die
Molmasse des durch die allgemeine Formel [1] der vorliegenden Erfindung
veranschaulichten Polymers beträgt
gewöhnlich
3000 bis 500 000, vorzugsweise 5000 bis 200 000, bezogen auf das
mittels einer GPC-Messung unter Verwendung von Polystyrol als Standard
bestimmte Massenmittel der Molmasse, und die Polydispersität (Verhältnis des
Massenmittels der Molmasse zum Zahlenmittel der Molmasse) des Polymers beträgt gewöhnlich 1,00
bis 3,00, vorzugsweise 1,02 bis 2,00.
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Die
lichtempfindliche Verbindung, die durch Bestrahlung mit einer aktinischen
Strahlung zur Erzeugung einer Säure
fähig ist,
kann jede sein, die durch die Einwirkung mittels einer Bestrahlung
mit einem KrF-Excimerlaser und anderen Strahlen im tiefen UV-Bereich
oder durch Bestrahlung mit Röntgenstrahlen, Elektronenstrahlen
etc. eine Säure
erzeugen kann und keinen schlechten Einfluss auf die Bildung von
Resistmustern hat, und eine, die in der vorliegenden Erfindung besonders
bevorzugt ist, umfasst eine, die durch die folgende allgemeine Formel
[9], [10], [12], [13], [14], [16] etc. veranschaulicht ist.
[wobei R
11 und
R
12 jeweils unabhängig eine Alkylgruppe oder
Haloalkylgruppe sind und A' eine
Sulfonylgruppe oder Carbonylgruppe ist].
[wobei R
13 ein
Wasserstoffatom, Halogenatom, eine Alkylgruppe, Alkoxygruppe oder
Haloalkylgruppe ist und R
14 eine Alkylgruppe,
Haloalkylgruppe oder eine Gruppe der folgenden allgemeinen Formel
[11]
ist {wobei R
15 ein
Wasserstoffatom, Halogenatom, eine Alkylgruppe, Alkoxygruppe oder
Haloalkylgruppe ist und q 0 oder eine ganze Zahl von 1 bis 3 ist}].
[wobei R
16 ein
Wasserstoffatom, Halogenatom, eine Alkylgruppe oder Trifluormethylgruppe
ist und R
17 eine Alkylgruppe, Aralkylgruppe,
Alkoxygruppe, Phenylgruppe oder Tolylgruppe ist].
[wobei R
18 eine
Alkylgruppe, Phenylgruppe, substituierte Phenylgruppe oder eine
Aralkylgruppe ist, R
19 und R
20 jeweils
unabhängig
ein Wasserstoffatom, eine Alkylgruppe, Phenylgruppe, substituierte
Phenylgruppe oder Aralkylgruppe sind und R
21 eine
Fluoralkylgruppe, Trifluormethylphenylgruppe, Methylgruppe, Naphthylgruppe oder
Tolylgruppe ist].
[wobei R
22 eine
Alkylgruppe, Fluoralkylgruppe, Phenylgruppe, substituierte Phenylgruppe
oder Aralkylgruppe ist, Q' eine
Sulfonylgruppe oder Carbonylgruppe ist und R
23 und
R
24 jeweils unabhängig ein Wasserstoffatom, eine
Methylgruppe, eine Methoxygruppe, Nitrogruppe, Cyanogruppe, Hydroxygruppe
oder eine durch die folgende allgemeine Formel [15] veranschaulichte
Gruppe
ist (wobei R
26 eine
Alkylgruppe, Fluoralkylgruppe, Phenylgruppe, substituierte Phenylgruppe
oder Aralkylgruppe ist, Q' eine
Sulfonylgruppe oder Carbonylgruppe ist) und R
25 ein
Wasserstoffatom, eine Methylgruppe oder eine Ethylgruppe ist].
[wobei R
27 eine
Alkylgruppe, Fluoralkylgruppe, Phenylgruppe, substituierte Phenylgruppe
oder Aralkylgruppe ist, R
28 ein Wasserstoffatom,
eine Methylgruppe, Fluoralkylgruppe, Methoxygruppe, Nitrogruppe,
Cyanogruppe, Hydroxygruppe oder eine durch die obige allgemeine
Formel [15] dargestellte Gruppe ist].
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In
der allgemeinen Formel [9] kann die Alkylgruppe oder die Alkylgruppe
in der Haloalkylgruppe, veranschaulicht durch R11 und
R12, geradkettig, verzweigt oder cyclisch
sein und vorzugsweise 1 bis 10 Kohlenstoffatome haben, was insbesondere
durch eine Methylgruppe, Ethylgruppe, n-Propylgruppe, Isopropylgruppe, Cyclopropylgruppe,
n-Butylgruppe, Isobutylgruppe, tert-Butylgruppe, sec-Butylgruppe,
n-Pentylgruppe, Isopentylgruppe, tert-Pentylgruppe, 1-Methylpentylgruppe,
Cyclopentylgruppe, n-Hexylgruppe,
Isohexylgruppe, Cyclohexylgruppe, Heptylgruppe, Octylgruppe, Nonylgruppe,
Decylgruppe veranschaulicht ist.
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Das
Halogen in der Haloalkylgruppe umfasst Chlor, Brom, Fluor und Iod.
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In
der allgemeinen Formel [10] kann die Alkylgruppe oder Alkylgruppe
in der Haloalkylgruppe, veranschaulicht durch R13,
geradkettig, verzweigt oder cyclisch und vorzugsweise eine mit 1
bis 5 Kohlenstoffatomen sein, die insbesondere durch eine Methylgruppe,
Ethylgruppe, n-Propylgruppe, Isopropylgruppe, n-Butylgruppe, Isobutylgruppe,
tert-Butylgruppe, sec-Butylgruppe,
n-Pentylgruppe, Isopentylgruppe, tert-Pentylgruppe, 1-Methylpentylgruppe
etc. veranschaulicht ist, und das Halogenatom oder das Halogen in
der durch R13 veranschaulichten Haloalkylgruppe
umfasst Chlor, Brom, Fluor und Iod. Die durch R13 veranschaulichte
Alkoxygruppe kann geradkettig oder verzweigt sein und vorzugsweise
1 bis 5 Kohlenstoffatome haben, und sie wird insbesondere durch
eine Methoxygruppe, Ethoxygruppe, n-Propoxygruppe, Isopropoxygruppe,
n-Butoxygruppe, Isobutoxygruppe, tert-Butoxygruppe, sec-Butoxygruppe, n-Pentyloxygruppe,
Isopentyloxygruppe veranschaulicht. Die Alkylgruppe oder die Alkylgruppe
in der durch R14 veranschaulichten Haloalkylgruppe
kann geradkettig, verzweigt oder cyclisch sein, hat vorzugsweise
1 bis 10 Kohlenstoffatome und wird durch eine Methylgruppe, Ethylgruppe,
n-Propylgruppe, Isopropylgruppe, Cyclopropylgruppe, n-Butylgruppe,
Isobutylgruppe, tert-Butylgruppe, sec-Butylgruppe, n-Pentylgruppe,
Isopentylgruppe, tert-Pentylgruppe, 1-Methylpentylgruppe, Cyclopentylgruppe,
n-Hexylgruppe, Isohexylgruppe, Cyclohexylgruppe, Heptylgruppe, Octylgruppe, Nonylgruppe,
Decylgruppe veranschaulicht, und das Halogen in der Haloalkylgruppe
umfasst Chlor, Brom, Fluor und Iod.
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In
der allgemeinen Formel [11] kann die Alkylgruppe oder die Alkylgruppe
in der Haloalkylgruppe, veranschaulicht durch R15,
geradkettig oder verzweigt sein, vorzugsweise 1 bis 6 Kohlenstoffatome
haben und wird insbesondere durch eine Methylgruppe, Ethylgruppe,
n-Propylgruppe, Isopropylgruppe, n-Butylgruppe, Isobutylgruppe, tert-Butylgruppe,
sec-Butylgruppe, n-Pentylgruppe,
Isopentylgruppe, tert-Pentylgruppe, 1-Methylpentylgruppe, n-Hexylgruppe, Isohexylgruppe
veranschaulicht. Die durch R15 veranschaulichte
Alkoxygruppe mit 1 bis 6 Kohlenstoffatomen kann geradkettig oder
verzweigt sein und hat vorzugsweise 1 bis 5 Kohlenstoffatome und
wird insbesondere durch eine Methoxygruppe, Ethoxygruppe, n-Propoxygruppe,
Isopropoxygruppe, n-Butoxygruppe, Isobutoxygruppe, tert-Butoxygruppe,
sec-Butoxygruppe,
n-Pentyloxygruppe, Isopentyloxygruppe, n-Hexyloxygruppe, Isohexyloxygruppe
veranschaulicht, und das Halogenatom oder das Halogen in der Haloalkylgruppe,
veranschaulicht durch R15, umfasst Chlor,
Brom, Fluor und Iod.
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In
der allgemeinen Formel [12] kann die durch R16 veranschaulichte
Alkylgruppe geradkettig oder verzweigt sein, hat vorzugsweise 1
bis 5 Kohlenstoffatome und wird insbesondere durch eine Methylgruppe, Ethylgruppe,
n-Propylgruppe, Isopropylgruppe, n-Butylgruppe, Isobutylgruppe,
tert-Butylgruppe,
sec-Butylgruppe, n-Pentylgruppe, Isopentylgruppe, tert- Pentylgruppe, 1-Methylpentylgruppe
veranschaulicht, und das durch R16 veranschaulichte
Halogenatom umfasst Chlor, Brom, Fluor und Iod. Die durch R17 veranschaulichte Alkylgruppe kann geradkettig,
verzweigt oder cyclisch sein, hat vorzugsweise 1 bis 10 Kohlenstoffatome
und wird insbesondere durch eine Methylgruppe, Ethylgruppe, n-Propylgruppe,
Isopropylgruppe, Cyclopropylgruppe, n-Butylgruppe, Isobutylgruppe,
tert-Butylgruppe, sec-Butylgruppe,
n-Pentylgruppe, Isopentylgruppe, tert-Pentylgruppe, 1-Methylpentylgruppe,
Cyclopentylgruppe, n-Hexylgruppe, Isohexylgruppe, Cyclohexylgruppe,
Heptylgruppe, Octylgruppe, Nonylgruppe, Decylgruppe veranschaulicht.
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Die
durch R17 veranschaulichte Aralkylgruppe
umfasst eine Benzylgruppe, Phenethylgruppe, Phenylpropylgruppe,
Methylbenzylgruppe, Methylphenethylgruppe, Ethylbenzylgruppe. Die
durch R17 veranschaulichte Alkoxygruppe
kann geradkettig oder verzweigtkettig sein und ist durch eine mit
1 bis 6 Kohlenstoffatomen, wie eine Methoxygruppe, Ethoxygruppe,
n-Propoxygruppe,
Isopropoxygruppe, n-Butoxygruppe, Isobutoxygruppe, tert-Butoxygruppe, sec-Butoxygruppe,
n-Pentyloxygruppe, Isopentyloxygruppe, n-Hexyloxygruppe, Isohexyloxygruppe, veranschaulicht.
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Die
durch R18, R19 und
R20 veranschaulichte Alkylgruppe in der
allgemeinen Formel [13] kann geradkettig, verzweigt oder cyclisch
sein, hat vorzugsweise 1 bis 8 Kohlenstoffatome und wird insbesondere
durch eine Methylgruppe, Ethylgruppe, n-Propylgruppe, Isopropylgruppe,
Cyclopropylgruppe, n-Butylgruppe, Isobutylgruppe, tert-Butylgruppe,
sec-Butylgruppe, n-Pentylgruppe, Isopentylgruppe, tert-Pentylgruppe,
1-Methylpentylgruppe, Cyclopentylgruppe, n-Hexylgruppe, Isohexylgruppe,
Cyclohexylgruppe, Heptylgruppe, Octylgruppe veranschaulicht, und
die substituierte Phenylgruppe umfasst eine Tolylgruppe, Ethylphenylgruppe, tert-Butylphenylgruppe,
Chlorphenylgruppe. Die Aralkylgruppe umfasst eine Benzylgruppe,
Phenethylgruppe, Phenylpropylgruppe, Methylbenzylgruppe, Methylphenethylgruppe,
Ethylbenzylgruppe. Die Alkylgruppe in der durch R21 veranschaulichten
Fluoralkylgruppe kann geradkettig oder verzweigt sein, hat vorzugsweise
1 bis 8 Kohlenstoffatome und wird insbesondere durch eine Methylgruppe,
Ethylgruppe, n-Propylgruppe,
Isopropylgruppe, n-Butylgruppe, Isobutylgruppe, tert-Butylgruppe, sec-Butylgruppe,
n-Pentylgruppe, Isopentylgruppe, tert-Pentylgruppe, 1-Methylpentylgruppe,
n-Hexylgruppe, Isohexylgruppe, Heptylgruppe, Octylgruppe veranschaulicht,
und die Gesamtzahl der substituierten Fluoratome beträgt vorzugsweise
1 bis 17.
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In
der allgemeinen Formel [14] kann die durch R22 veranschaulichte
Alkylgruppe geradkettig, verzweigt oder cyclisch sein, hat vorzugsweise
1 bis 6 Kohlenstoffatome und wird insbesondere durch eine Methylgruppe,
Ethylgruppe, n-Propylgruppe, Isopropylgruppe, n-Butylgruppe, Isobutylgruppe,
tert-Butylgruppe, sec-Butylgruppe, n-Pentylgruppe, Isopentylgruppe,
Cyclopentylgruppe, n-Hexylgruppe, Cyclohexylgruppe veranschaulicht,
die substituierte Phenylgruppe umfasst eine Tolylgruppe, Ethylphenylgruppe,
tert-Butylphenylgruppe, Chlorphenylgruppe,
und die Aralkylgruppe umfasst eine Benzylgruppe, Phenethylgruppe,
Phenylpropylgruppe, Methylbenzylgruppe, Methylphenethylgruppe, Ethylbenzylgruppe.
Die Alkylgruppe in der Fluoralkylgruppe kann geradkettig oder verzweigt
sein, hat vorzugsweise 1 bis 8 Kohlenstoffatome und wird insbesondere
durch eine Methylgruppe, Ethylgruppe, n-Propylgruppe, Isopropylgruppe,
n-Butylgruppe, Isobutylgruppe, tert-Butylgruppe, sec-Butylgruppe, n-Pentylgruppe,
Isopentylgruppe, n-Hexylgruppe,
Heptylgruppe, Octylgruppe veranschaulicht. Die Gesamtzahl der substituierten
Fluoratome beträgt
vorzugsweise 1 bis 17.
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In
der allgemeinen Formel [15] kann die durch R26 veranschaulichte
Alkylgruppe geradkettig, verzweigt oder cyclisch sein, hat vorzugsweise
1 bis 6 Kohlenstoffatome und wird insbesondere durch eine Methylgruppe,
Ethylgruppe, n-Propylgruppe, Isopropylgruppe, n-Butylgruppe, Isobutylgruppe,
tert-Butylgruppe, sec-Butylgruppe, n-Pentylgruppe, Isopentylgruppe,
Cyclopentylgruppe, n-Hexylgruppe, Cyclohexylgruppe veranschaulicht,
die substituierte Phenylgruppe umfasst eine Tolylgruppe, Ethylphenylgruppe,
tert-Butylphenylgruppe, Chlorphenylgruppe,
und die Aralkylgruppe umfasst eine Benzylgruppe, Phenethylgruppe,
Phenylpropylgruppe, Methylbenzylgruppe, Methylphenethylgruppe, Ethylbenzylgruppe.
Die Alkylgruppe in der Fluoralkylgruppe kann geradkettig oder verzweigt
sein, hat vorzugsweise 1 bis 8 Kohlenstoffatome und wird insbesondere
durch eine Methylgruppe, Ethylgruppe, n-Propylgruppe, Isopropylgruppe,
n-Butylgruppe, Isobutylgruppe, tert-Butylgruppe, sec-Butylgruppe, n-Pentylgruppe,
Isopentylgruppe, n-Hexylgruppe,
Heptylgruppe, Octylgruppe veranschaulicht. Die Gesamtzahl der substituierten
Fluoratome beträgt
vorzugsweise 1 bis 17.
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In
der allgemeinen Formel [16] kann die durch R26 veranschaulichte
Alkylgruppe geradkettig, verzweigt oder cyclisch sein, hat vorzugsweise
1 bis 6 Kohlenstoffatome und wird insbesondere durch eine Methylgruppe,
Ethylgruppe, n-Propylgruppe, Isopropylgruppe, n-Butylgruppe, Isobutylgruppe,
tert-Butylgruppe, sec-Butylgruppe, n-Pentylgruppe, Isopentylgruppe,
Cyclopentylgruppe, n-Hexylgruppe, Cyclohexylgruppe veranschaulicht,
die substituierte Phenylgruppe umfasst eine Tolylgruppe, Ethylphenylgruppe,
tert-Butylphenylgruppe, Chlorphenylgruppe,
und die Aralkylgruppe umfasst eine Benzylgruppe, Phenethylgruppe,
Phenylpropylgruppe, Methylbenzylgruppe, Methylphenethylgruppe, Ethylbenzylgruppe.
Die Alkylgruppe in der durch R27 und R28 veranschaulichten Fluoralkylgruppe kann
geradkettig oder verzweigt sein, hat vorzugsweise 1 bis 8 Kohlenstoffatome
und wird insbesondere durch eine Methylgruppe, Ethylgruppe, n-Propylgruppe,
Isopropylgruppe, n-Butylgruppe,
Isobutylgruppe, tert-Butylgruppe, sec-Butylgruppe, n-Pentylgruppe, Isopentylgruppe,
n-Hexylgruppe, Heptylgruppe, Octylgruppe veranschaulicht. Die Gesamtzahl
der substituierten Fluoratome beträgt vorzugsweise 1 bis 17.
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Die
speziellen bevorzugten Beispiele der in der vorliegenden Erfindung
verwendeten Säurebildner sind
wie folgt; einer, der durch die allgemeine Formel [9] veranschaulicht
ist, umfasst 1-Cyclohexylsulfonyl(1,1-dimethylethylsulfonyl)diazomethan,
Bis(1,1-dimethylethylsulfonyl)diazomethan, Bis(1-methylethylsulfonyl)diazomethan, Bis(cyclohexylsulfonyl)diazomethan,
1-Cyclohexylsulfonyl-1-cyclohexylcarbonyldiazomethan,
1-Diazo-1-cyclohexylsulfonyl-3,3-dimethylbutan-2-on, 1-Diazo-1-methylsulfonyl-4-phenylbutan-2- on, 1-Diazo-(1-(1,1-dimethylethylsulfonyl)-3,3-dimethyl-2-butanon,
1-Acetyl-1-(1-methylethylsulfonyl)diazomethan;
einer, der durch die allgemeine Formel [10] veranschaulicht wird,
umfasst bis(p-toluolsulfonyl)diazomethan, Bis(2,4-dimethylbenzolsulfonyl)diazomethan,
Methylsulfonyl-p-toluolsulfonyldiazomethan, Bis(p-tert-butylphenylsulfonyl)diazomethan,
Bis(p-chlorbenzolsulfonyl)diazomethan,
Cyclohexylsulfonyl-p-toluolsulfonyldiazomethan; einer, der durch
die allgemeine Formel [12] veranschaulicht ist, umfasst 1-p-Toluolsulfonyl-1-cyclohexylcarbonyldiazomethan,
1-Diazo-1-(p-toluolsulfonyl)-3,3-dimethylbutan-2-on,
1-Diazo-1-Benzolsulfonyl-3,3-dimethylbutan-2-on, 1-Diazo-1-(p-toluolsulfonyl)-3-methylbutan-2-on;
einer, der durch die allgemeine Formel [13] veranschaulicht ist,
umfasst Triphenylsulfonium/trifluormethansulfonat, Triphenylsulfonium/perfluoroctansulfonat,
Diphenyl-p-tolylsulfonium/perfluoroctansulfonat, Tris(p-tolyl)sulfonium/perfluoroctansulfonat, Tris(p-chlorbenzol)sulfonium/trifluormethansulfonat,
Tris(p-tolyl)sulfonium/trifluormethansulfonat, Trimethylsulfonium/trifluormethansulfonat,
Dimethylphenylsulfonium/trifluormethansulfonat, Dimethyl-p-tolylsulfonium/trifluormethansulfonat,
Dimethyl-p-tolylsulfonium/perfluoroctansulfonat, Triphenylsulfonium/p-toluolsulfonat,
Triphenylsulfonium/methansulfonat, Triphenylsulfonium/10-camphersulfonat,
Diphenyl-p-tolylsulfonium/trifluormethansulfonat,
Diphenyl-p-tolylsulfonium/methansulfonat, Diphenyl-p-tolylsulfonium/p-toluolsulfonat,
Diphenyl-p-tolylsulfonium/p-trifluormethylphenylsulfonat, Diphenyl-p-tolylsulfonium/2-naphthalinsulfonat, Diphenyl-p-tolylsulfonium/10-camphersulfonat,
Diphenyl-p-tert-butylphenylsulfonium/trifluormethansulfonat, Diphenyl-p-tert-butylsulfonium/p-toluolsulfonat,
Diphenyl-p-tert-butylphenylsulfonium/perfluoroctansulfonat, Diphenyl-p-tert-butylphenylsulfonium/10-camphersulfonat,
Diphenyl-p-tert-Butoxyphenylsulfonium/trifluormethansulfonat, Diphenyl-p-tert-Butoxyphenylsulfonium/p-toluolsulfonat,
Diphenyl-p-tert-Butoxyphenylsulfonium/perfluoroctansulfonat, Diphenyl-p-tert-Butylphenylsulfonium/10-camphersulfonat,
Diphenyl-p-tert-Butoxycarbonyloxyphenylsulfonium/10-camphersulfonat,
Diphenyl-p-tert-Butoxycarbonyloxyphenylsulfonium/trifluormethansulfonat,
Diphenyl-p-tert-Butoxycarbonyloxyphenylsulfonium/p-toluolsulfonat, Diphenyl-p-tert-butoxycarbonyloxyphenylsulfonium/perfluor octansulfonat,
Diphenyl-p-cyclohexylphenylsulfonium/trifluormethansulfonat, Diphenyl-p-cyclohexylphenylsulfonium/p-toluolsulfonat,
Diphenyl-p-cyclohexylphenylsulfonium/perfluoroctansulfonat, Diphenyl-p-cyclohexylphenylsulfonium/10-camphersulfonat;
einer, der durch die allgemeine Formel [14] veranschaulicht ist,
umfasst 2,6-Di-trifluormethansulfonyloxyacetophenon, 2,6-Ditrifluormethansulfonyloxypropiophenon,
2,3,4-Tristrifluormethansulfonyloxyacetophenon, 2,6-Dimethansulfonyloxyacetophenon,
2,6-Dimethansulfonyloxypropiophenon,
2,3,4-Trismethansulfonyloxyacetophenon, 2-Trifluormethansulfonyloxyacetophenon,
2-Methansulfonyloxyacetophenon, 2-n-Butansulfonyloxyacetophenon,
2,6-Di-n-Butansulfonyloxyacetophenon, 2,3,4-Tris-n-Butansulfonyloxyacetophenon,
2,6-Diperfluorpropancarboxyacetophenon, 2,3,4-Trisperfluorpropancarboxyacetophenon,
2,6-Di-p-toluolsulfonylacetophenon,
2,6-Di-p-toluolsulfonylpropiophenon, 2,6-Ditrifluoracetyloxyacetophenon, 2-Trifluoracetyloxy-6-methoxyacetophenon,
6-Hydroxy-2-perfluorbutansulfonyloxyacetophenon, 2-Trifluoracetyloxy-6-nitroacetophenon,
2,3,4-Tristrifluoracetyloxyacetophenon, 2,6-Diperfluorpropanoyloxyacetophenon;
einer, der durch die allgemeine Formel [16] veranschaulicht ist,
umfasst 1,2,3-Trismethansulfonyloxybenzol, 1,2,3-Tris-p-toluolsulfonyloxybenzol, 1,2,3-Tristrifluormethansulfonyloxybenzol,
1,2,3-Trisperfluorbutansulfonyloxybenzol,
1,2,3-Triscyclohexylsulfonyloxybenzol, 1,2-Dimethansulfonyloxy-3-nitrobenzol,
2,3-Dimethansulfonyloxyphenyol, 1,2,4-Tris-p-toluolsulfonyloxybenzol,
1,2,4-Trismethansulfonyloxybenzol, 1,2,4-Tristrifluormethansulfonyloxybenzol,
1,2,4-Triscyclohexylsulfonyloxybenzol, 1,2-Di-n-butansulfonyloxy-3-nitrobenzol,
1,2,3-Trisperfluoroctansulfonyloxybenzol, 1,2-Diperfluorbutansulfonyloxyphenol.
Diese Säurebildner
können
allein oder in Kombination von zwei oder mehr davon verwendet werden.
Der Säurebildner
der vorliegenden Erfindung kann leicht durch Verfahren erhalten
werden, die in JP-A-210960/1992, 211258/1992, 249682/1993 offenbart
sind.
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Das
Verhältnis
des Polymerbestandteils zum Säurebildner
in der Resistzusammensetzung der vorliegenden Erfindung beträgt gewöhnlich 1
bis 30 Gew.-Teile, vorzugsweise 1 bis 20 Gew.-Teile des Säurebildners auf
100 Gew.-Teile des Polymers.
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Das
Lösungsmittel
der vorliegenden Erfindung kann jedes beliebige sein, das das Polymer
der vorliegenden Erfindung, den Säurebildner und andere Bestandteile,
die nach Bedarf verwendet werden, wie eine basische Verbindung,
ein Tensid, ein UV-Strahlen-Absorptionsmittel und einen Auflösungsbeschleuniger,
lösen kann,
und gewöhnlich
werden diejenigen verwendet, die eine gute Filmbildungseigenschaft
aufweisen, einschließlich
Methyl-Cellosolveacetat,
Ethyl-Cellosolveacetat, Propylenglycolmonomethyletheracetat, Propylenglycolmonoethyletheracetat,
Ethyllactat, Methylpyruvat, Ethylpyruvat, Methyl-3-methoxypropionat,
N-Methyl-2-pyrrolidon, 2-Heptanon,
Cyclohexanon, Diethylenglycolmonoethylether, Diethylenglycoldimethylether.
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Das
Verhältnis
des Polymerbestandteils zum Lösungsmittel
in der Resistzusammensetzung der vorliegenden Erfindung beträgt gewöhnlich 3
bis 30 Gew.-Teile, vorzugsweise 5 bis 20 Gew.-Teile des Lösungsmittels,
bezogen auf 1 Gew.-Teil des Polymers. Das Lösungsmittel kann allein oder
in Kombinationen von zwei oder mehr verwendet werden.
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Ein
Empfindlichkeitsstellmittel, das in der Resistzusammensetzung der
vorliegenden Erfindung nach Bedarf verwendet wird, umfasst Polyvinylpyridin,
Poly(vinylpyridin/methylmethacrylat), Pyridin, N-Methyl-2-pyrrolidon,
Monoalkylamine [wobei die Alkylgruppe geradkettige, verzweigte oder
cyclische mit 1 bis 12 Kohlenstoffatomen einschließt, wie
2-Methylcyclohexyl und 4-6-Butylcyclohexyl,],
Dialkylamine [wobei die Alkylgruppe geradkettige, verzweigte oder
cyclische mit 1 bis 12 Kohlenstoffatomen einschließt, wie
Dicyclohexylamin und Di-N-octylamin als bevorzugte spezielle Beispiele],
Trialkylamine [wobei die Alkylgruppe geradkettige, verzweigte oder
cyclische mit 1 bis 12 Kohlenstoffatomen einschließt, wie
Tri-n-propylamin, Tri-n-butylamin,
Trihexylamin, Dicyclohexylmethylamin, Dioctylmethylamin und Dimethyloctyl-amin
als bevorzugte spezielle Beispiele], Mono-, Di- oder Trialkanolamine
[insbesondere Triisopropanolamin als bevorzugtes spezielles Beispiel],
Tetraalkylammoniumhydroxid [wobei die Alkylgruppe geradkettige,
verzweigte oder cyclische mit 1 bis 12 Kohlenstoffatomen einschließt, wie
Tetramethylammoniumhydroxid und Tetra-n-butylammoniumhydroxid als
bevorzugte spezielle Beispiele].
-
Die
zu verwendende Menge des Empfindlichkeitsstellmittels beträgt vorzugsweise
0,001 bis 10 Gew.-Teile, noch mehr bevorzugt 0,01 bis 5 Gew.-Teile,
bezogen auf 100 Gew.-Teile des Polymers. Das Empfindlichkeitsstellmittel
kann allein oder in Kombinationen von zwei oder mehreren verwendet
werden.
-
Ein
Tensid, das bei Bedarf in der Resistzusammensetzung der vorliegenden
Erfindung verwendet wird, umfasst ein nichtionisches, wie Polyethylenglycoldistearat,
Polyethylenglycoldilaurat, Polyethylenglycol, Polypropylenglycol,
Polyoxyethylenstearylether und Polyoxyethylencetylether, ein fluorhaltiges
kationisches, ein fluorhaltiges nichtionisches, ein fluorhaltiges
anionisches, ein kationisches, ein anionisches. Unter den obigen sind
in der vorliegenden Erfindung diejenigen besonders bevorzugt, die
eine gute Fähigkeit
zur Bildung einer Resistmembran zeigen, wie ein fluorhaltiges nichtionisches
Tensid, das Fluorad (eine Handelsbezeichnung von Sumitomo 3M, Ltd.)
Surflon (eine Handelsbezeichnung der Asahi Glass Co., Ltd.), Unidyne
(eine Handelsbezeichnung von Daikin Industries, Ltd.), Megafac (eine
Handelsbezeichnung von Dainippon Ink & Chemicals, Incorp.) und Eftop (eine
Handelsbezeichnung der Tohkem Products Corp.) einschließt.
-
Die
zu verwendende Menge des Tensids beträgt 0,001 bis 10 Gew.-Teile,
vorzugsweise 0,005 bis 5 Gew.-Teile, bezogen auf 100 Gew.-Teile
des Polymers.
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Das
UV-Strahlen-Absorptionsmittel, das nach Bedarf in der Resistzusammensetzung
der vorliegenden Erfindung verwendet wird, umfasst 9-Diazofluorenon, 9-(2-Methoxyethoxymethyl)anthracen,
9-(2-Ethoxyethoxy methyl)anthracen, 9-Fluorenon, 2-Hydroxycarbazol,
ein o-Naphthochinondiazidderivat, 4-Diazo-1,7-diphenylpentan-3,5-dion.
Sie können
allein oder in Kombination von zwei oder mehr davon verwendet werden.
-
Die
Menge des in der vorliegenden Erfindung zu verwendenden UV-Strahlen-Absorptionsmittels
kann aus einem Bereich ausgewählt
sein, der gewöhnlich
in dieser Art des technischen Gebiets verwendet wird.
-
Der
in der Restistzusammensetzung der vorliegenden Erfindung verwendete
Auflösungsbeschleuniger
umfasst N,N-Dimethylformamid, N,N-Dimethylacetamid, γ-Butyrolacton.
Sie können
allein oder in Kombination von zwei oder mehr davon verwendet werden.
-
Die
Menge des in der vorliegenden Erfindung zu verwendenden Auflösungsbeschleunigers
kann aus einem Bereich ausgewählt
sein, der gewöhnlich
in dieser Art des technischen Gebiets verwendet wird.
-
Die
Resistzusammensetzung der vorliegenden Erfindung ist für eine einzige
Schicht oder die oberste Schicht von mehreren Schichten in einem
Verfahren zur Auflösung
von Oberflächen,
nämlich
dem Verfahren zur Auflösung
einer silylierten Oberfläche,
umfassend das Silylieren einer chemisch veränderten Resistoberfläche und
dann das Einwirkenlassen einer Trockenentwicklung durch Sauerstoff-Trockenplasmaätzen darauf, besonders
geeignet.
-
Eine
Strukturbildung durch das Verfahren zur Auflösung einer silylierten Oberfläche umfasst
das Folgende.
-
Die
Resistzusammensetzung der vorliegenden Erfindung wird nämlich auf
eine Halbleitersubstratplatte aufgetragen, gefolgt von einem Härten, wodurch
eine Resistmembran erhalten wird, es wird mit aktinischer Strahlung
selektiv durch eine Maske bestrahlt, gefolgt von einem bei Bedarf
erfolgenden Härten
und dann einer Silylierung der freiliegenden Fläche durch ein In-Kontakt-Bringen mit
einem geeigneten Silylierungsmittel, gefolgt von einer Trockenätzentwicklung,
wodurch das gewünschte
Muster gebildet werden kann.
-
Insbesondere
kann die folgende Ausführungsform
erwähnt
werden.
-
Die
Bildung einer Struktur unter Verwendung der Resistzusammensetzung
vom chemisch verstärkten Typ
der vorliegenden Erfindung als eine einzige Schicht durch ein Verfahren
zur Auflösung
einer silylierten Oberfläche
kann wie folgt durchgeführt
werden.
-
Die
Resistzusammensetzung der vorliegenden Erfindung wird nämlich auf
eine Halbleiter-Substratplatte wie SiO2 (oxidierte
Membran), Polysilicon, SiN, SiON, TiN etc. durch Schleuderbeschichten
aufgetragen und auf einer Heizplatte bei 50 bis 120 °C für 0,5 bis
2 min erwärmt,
wodurch eine Resistmembran mit einer Dicke von 0,3 bis 2 μm erhalten
wird. Dann wird mit aktinischer Strahlung (z.B. KrF-Excimerlaser
mit 248,4 nm, tiefer UV-Strahlung von weniger als 300 nm, Elektronenstrahlen,
weichen Röntgenstrahlen)
durch eine Maske selektiv bestrahlt und bei Bedarf auf einer Heizplatte
bei 50 bis 150 °C
für 0,5
bis 2 min (Nachhärten)
gehärtet, und
das Resultierende wird mit einem Dampf eines Silylierungsmittels
wie HMDS (Hexamethyldisilazan), Tetramethyldisilazan, DMSDMA (Dimethylsilyldimethylamin),
Dimethylsilyldiethylamin, N,N-Diethylaminotrimethylsilan und N,N-Dimethylaminotrimethylsilan
für 1 bis
10 min in Kontakt gebracht, wodurch die freiliegenden Flächen silyliert
werden, gefolgt von einer Trockenätzentwicklung unter Verwendung
von O2-Plasma vom Typ der parallelen flachen
Platten (RIE; reaktives Ionenätzen),
ECR-Ätzen,
wodurch die gewünschte
Struktur gebildet wird.
-
Nachfolgend
wird die vorliegende Erfindung unter Bezugnahme auf Beispiele und
Vergleichsbeispiele ausführlich
erläutert.
-
Ein
Teil der in den Beispielen und Vergleichsbeispielen verwendeten
Polymere und Säurebildner
wurde gemäß der in
JP-A-210960/1992 (US-A-5216135), JP-A-211258/1992 (US-A-5350660,
EP-A-0440374), JP-A-249682/1993 (EP-A-0520642), JP-A-251259/1992, Y. Endo
et al., Chem. Pharm. Bull., 29 (12), 3753 (1981), M. Desbois et
al., Bull. Chem. Soc. France, 1974, 1956 oder C.D. Beard et al.
J. Org. Chem., 38, 3673 (1973) synthetisiert.
-
BEISPIELE
-
Beispiel 1
-
Synthese von Poly(p-tert-butoxystyrol/p-1-ethoxyethoxystyrol)
-
- (1) Zu 100 g (0,567 mol) p-tert-Butoxystyrol
wurden 3 g 2,2'-Azobis(methyl-2-methylpropionat)
gegeben, gefolgt von der Durchführung
einer 6-stündigen
Polymerisationsreaktion in 1,4-Dioxan unter einem Stickstoffstrom
bei 80 °C.
Nach dem Abkühlen
wurde die Reaktionslösung
zum Ausfällen
in 5000 ml einer wässrigen
Methanollösung
gegossen. Der Kristall wurde durch Filtration isoliert und unter
vermindertem Druck getrocknet, wodurch 95,5 g Poly(p-tert-butoxystyrol)
als weißer,
pulveriger Kristall erhalten wurden. Mittels einer GPC-Messung unter
Verwendung von Polystyrol als Standard wurde festgestellt, dass
das Massenmittel der Molmasse etwa 20 000 betrug.
- (2) In 1,4-Dioxan wurden 70 g des im obigen (1) erhaltenen Poly(p-tert-butoxystyrol) gelöst, und
70 ml konzentrierte Salzsäure
wurden dazugegeben, gefolgt von der Durchführung einer bei 70 °C für 2 h unter
Rühren
erfolgenden Reaktion. Nach dem Abkühlen wurde die Reaktionslösung zur
Ausfällung
in 3000 ml innenausgetauschtes Wasser gegossen. Der Kristall wurde
durch Filtration entfernt, mit Wasser gewaschen und unter vermindertem
Druck getrocknet, wodurch 48,7 g Poly(p-tert-butoxystyrol/p-hydroxystyrol)
als weißer,
pulveriger Kristall erhalten wurden. Mittels einer 1H-Messung
wurde festgestellt, dass das Verhältnis der p-tert-Butoxystyrol-Einheit
zur p-Hydroxystyrol-Einheit
im erhaltenen Polymer 35:65 betrug.
- (3) In 150 ml 1,4-Dioxan wurden 15 g des im obigen (2) erhaltenen
Poly(p-tert-butoxystyrol/p-hydroxystyrol) und
8 g Ethylvinylether gelöst,
und weiterhin eine katalytische Menge von Pyridinium-p-toluolsulfonat
dazugegeben, gefolgt von der Durchführung einer bei Raumtemperatur
für 24
h unter Rühren
erfolgenden Reaktion. Nach der Reaktion wurde die Reaktionslösung zur
Ausfällung
in 2000 ml innenausgetauschtes Wasser gegossen. Der Kristall wurde
durch Filtration isoliert, mit Wasser gewaschen und unter vermindertem Druck
getrocknet, wodurch 14,7 g Poly(p-tert-butoxystyrol/p-1-ethoxyethoxystyrol)
als weißer,
pulveriger Kristall erhalten wurden. Mittels einer 1H-Messung
wurde festgestellt, dass das Verhältnis der p-tert-Butoxystyrol-Einheit
zur p-1-Ethoxyethoxystyrol-Einheit des erhaltenen Polymers 35:65
betrug, und das mittels einer GPC-Messung unter Verwendung von Polystyrol
als Standard bestimmte Massenmittel der Molmasse des Polymers betrug
etwa 20 000.
-
Beispiel 2
-
Synthese von Poly(p-tert-butoxycarbonyloxystyrol/p-1-Ethoxyethoxystyrol/Cyclohexylacrylat)
-
- (1) Zu 50 g (0,284 mol) p-tert-Butoxystyrol
und 43,8 g (0,284 mol) Cyclohexylacrylat wurden 3 g 2,2'-Azobis(methyl-2-methylpropionat)
gegeben, gefolgt von der Durchführung
einer in 1,4-Dioxan unter einem Stickstoffgasstrom bei 80 °C für 6 h erfolgenden
Polymerisationsreaktion. Nach dem Abkühlen wurde die Reaktionslösung zum
Ausfällen
in 5000 ml einer wässrigen
Methanollösung
gegeben. Der Kristall wurde durch Filtration isoliert und unter
vermindertem Druck getrocknet, wodurch 89,2 g Poly(p-tert-butoxystyrol/cyclohexylacrylat)
als weißer,
pulveriger Kristall erhalten wurden. Das mittels einer GPC-Messung
unter Verwendung von Polystyrol als Standard bestimmte Massenmittel
der Molmasse des Polymers betrug etwa 21 000.
- (2) In 1,4-Dioxan wurden 80 g des im obigen (1) erhaltenen Poly(p-tert-butoxystyrol/cyclohexylacrylats)
gelöst,
und 70 ml konzentrierte Salzsäure
wurden dazugegeben, gefolgt von der Durchführung einer bei 70 °C für 3 h unter
Rühren
erfolgenden Reaktion. Nach dem Abkühlen wurde die Reaktionslösung zum
Ausfällen
in 3000 ml innenausgetauschtes Wasser gegossen. Der Kristall wurde
durch Filtration isoliert, mit Wasser gewaschen und unter vermindertem
Druck getrocknet, wodurch 65,4 g Poly(p-hydroxystyrol/cyclohexylacrylat)
als weißer,
pulveriger Kristall erhalten wurden. Mittels einer 1H-NMR-Messung
wurde festgestellt, dass das Verhältnis der p-Hydroxystyrol-Einheit zur Cyclohexylacrylat-Einheit
des erhaltenen Polymers 50:50 betrug.
- (3) In 150 ml 1,4-Dioxan wurden 20 g des im oben (2) erhaltenen
Poly(p-hydroxystyrol/cyclohexylacrylats) und
3,5 g Ethylvinylether gelöst,
und weiterhin wurde eine katalytische Menge Pyridinium-p-toluolsulfonat dazugegeben,
gefolgt von der Durchführung
einer bei Raumtemperatur für
24 h unter Rühren
erfolgenden Reaktion. Nach der Reaktion wurde die Reaktionslösung zum
Ausfällen
in 2000 ml ionenausgetausches Wasser gegossen. Der Kristall wurde
durch Filtration isoliert, mit Wasser gewaschen und unter vermindertem
Druck getrocknet, wodurch 22,7 g Poly(p-hydroxystyrol/p-1-ethoxyethoxystyrol/cyclohexylacrylat)
als weißer,
pulveriger Kristall erhalten wurden. Mittels einer 1H-NMR-Messung
wurde festgestellt, dass das Verhältnis der p-1-Ethoxyethoxystyrol-Einheit,
der p-Hydroxystyrol-Einheit
und der Cyclohexylacrylat-Einheit des erhaltenen Polymers 30:20:50
betrug, und das mittels einer GPC-Messung unter Verwendung von Polystyrol
als Standard bestimmte Massenmittel der Molmasse des Polymers betrug
etwa 20 000.
- (4) In 100 ml Ethylacetat wurden 20 g des im obigen (3) erhaltenen
Poly(p-hydroxystyrol/p-1-ethoxyethoxystyrol/cyclohexylacrylats)
gelöst,
und 6,5 g Di-tert-butyldicarbonat und 4,8 g wasserfreies Kaliumcarbonat wurden
dazugegeben, gefolgt von der Durchführung einer bei Raumtemperatur
für 6 h
unter Rühren
erfolgenden Reaktion. Nach der Reaktion wurde die Reaktionslö sung zum
Ausfällen
in 1000 ml ionenausgetausches Wasser gegossen. Der Kristall wurde
durch Filtration isoliert, mit Wasser gewaschen und unter vermindertem
Druck getrocknet, wodurch 19,2 g Poly(p-tert-butoxycarbonyloxystyrol/p-1-ethoxyethoxystyrol/cyclohexylacrylat)
als weißer,
pulveriger Kristall erhalten wurden. Mittels einer 1H-NMR-Messung
wurde festgestellt, dass das Verhältnis der p-tert-Butoxycarbonyloxystyrol-Einheit, der p-1-Ethoxyethoxystyrol-Einheit
und der Cyclohexylacrylat-Einheit des erhaltenen Polymers 30:20:50
betrug, und das mittels einer GPC-Messung unter Verwendung von Polystyrol
als Standard bestimmte Massenmittel der Molmasse des Polymers betrug
etwa 21 000.
-
Beispiel 3
-
Synthese von Poly(p-tetrahydropyranyloxystyrol/p-1-methoxyethoxystyrol/isobornylacrylat)
-
- (1) Zu 70 g (0,397 mol) p-tert-Butoxystyrol
und 35,4 g (0,170 mol) Isobornylacrylat wurden 1,5 g 2,2'-Azobis(methyl-2-methylpropionat)
gegeben, gefolgt von der Durchführung
einer in 1,4-Dioxan unter einem Stickstoffstrom bei 80 °C für 6 h erfolgenden
Polymerisationsreaktion. Nach dem Abkühlen wurde die Reaktionslösung zum
Ausfällen
in 5000 ml einer wässrigen
Methanollösung
gegossen. Der Kristall wurde durch Filtration isoliert und unter
vermindertem Druck getrocknet, wodurch 102,2 g Poly(p-tert-butoxystyrol/isobornylacrylat)
als weißer,
pulveriger Kristall erhalten wurden. Das mittels einer GPC-Messung
unter Verwendung von Polystyrol als Standard bestimmte Massenmittel
der Molmasse betrug etwa 56 000.
- (2) In 1,4-Dioxan wurden 80 g des im obigen (1) erhaltenen Poly(p-tert-butoxystyrol/isobornylacrylats)
gelöst,
und 80 ml konzentrierte Salzsäure
wurden dazugegeben, gefolgt von der Durchführung einer bei 70 °C für 3 h unter
Rühren
erfolgenden Reaktion. Nach dem Abkühlen wurde die Reaktionslösung zum
Ausfällen
in 3000 ml innenausgetauschtes Wasser gegossen. Der Kristall wurde
durch Filtration isoliert, mit Wasser gewaschen und unter vermindertem
Druck getrocknet, wodurch 52,3 g Poly(p-hydroxystyrol/isobornylacrylat)
als weißer,
pulveriger Kristall erhalten wurden. Mittels einer 1H-NMR-Messung
wurde festgestellt, dass das Verhältnis der p-Hydroxystyrol-Einheit zur Isobornylacrylat-Einheit
des erhaltenen Polymers 70:30 betrug.
- (3) In 150 ml 1,4-Dioxan wurden 15 g des im obigen (2) erhaltenen
Poly(p-hydroxystyrol/isobornylacrylats) gelöst, und
weiterhin wurden 6 g Ethylvinylether und 3,2 g 3,4-Dihydro-2H-pyran
und eine katalytische Menge Pyridinium-p-toluolsulfonat zugegeben,
gefolgt von der Durchführung
einer bei Raumtemperatur für
24 h unter Rühren
erfolgenden Reaktion. Nach der Reaktion wurde die Reaktionslösung zum
Ausfällen
in 2000 ml ionenausgetausches Wasser gegossen. Der Kristall wurde
durch Filtration isoliert, mit Wasser gewaschen und unter vermindertem
Druck getrocknet, wodurch 14,7 g Poly(p-tetrahydropyranyloxystyrol/p-1-methoxyethoxystyrol/isobornylacrylat)
als weißer,
pulveriger Kristall erhalten wurden. Mittels einer 1H-NMR-Messung wurde festgestellt,
dass das Verhältnis
der p-Tetrahydropyranyloxystyrol-Einheit, der p-1-Methoxyethoxystyrol-Einheit
und der Isobornylacrylat-Einheit des erhaltenen Polymers 20:50:30
betrug, und das mittels einer GPC-Messung unter Verwendung von Polystyrol
als Standard bestimmte Massenmittel der Molmasse des Polymers betrug
etwa 57 000.
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Beispiel 4
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Synthese von Poly(p-1-ethoxyethoxystyrol/isobornylacrylat)
-
- (1) Zu 50 g (0,284 mol) p-tert-Butoxystyrol
und 58,9 g (0,284 mol) Isobornylacrylat wurden 3 g 2,2'-Azobis(methyl-2-methylpropionat)
gegeben, gefolgt von der Durchführung
einer in 1,4-Dioxan unter einem Stickstoffstrom bei 80 °C für 6 h erfolgenden
Polymerisationsreaktion. Nach dem Abkühlen wurde die Reaktionslösung zum
Ausfällen
in 5000 ml einer wässrigen
Methanollösung
gegossen. Der Kristall wurde durch Filtration isoliert und unter
vermindertem Druck getrocknet, wodurch 105,4 g Poly(p-tert- butoxystyrol/isobornylacrylat)
als weißer,
pulveriger Kristall erhalten wurden. Das mittels einer GPC-Messung
unter Verwendung von Polystyrol als Standard bestimmte Massenmittel
der Molmasse betrug etwa 22 000.
- (2) In 1,4-Dioxan wurden 80 g des im obigen (1) erhaltenen Poly(p-tert-butoxystyrol/isobornylacrylats)
gelöst,
und 70 ml konzentrierte Salzsäure
wurden dazugegeben, gefolgt von der Durchführung einer bei 70 °C für 3 h unter
Rühren
erfolgenden Reaktion. Nach dem Abkühlen wurde die Reaktionslösung zum
Ausfällen
in 3000 ml innenausgetauschtes Wasser gegossen. Der Kristall wurde
durch Filtration isoliert, mit Wasser gewaschen und unter vermindertem
Druck getrocknet, wodurch 58,1 g Poly(p-hydroxystyrol/isobornylacrylat)
als weißer,
pulveriger Kristall erhalten wurden. Mittels einer 1H-NMR-Messung
wurde festgestellt, dass das Verhältnis der p-Hydroxystyrol-Einheit zur Isobornylacrylat-Einheit
des erhaltenen Polymers 50:50 betrug.
- (3) In 150 ml 1,4-Dioxan wurden 15 g des im obigen (2) erhaltenen
Poly(p-hydroxystyrol/isobornylacrylats) gelöst, und
weiterhin wurden 3,5 g Ethylvinylether und eine katalytische Menge
Pyridinium-p-toluolsulfonat dazugegeben, gefolgt von der Durchführung einer
bei Raumtemperatur für
24 h unter Rühren
erfolgenden Reaktion. Nach der Reaktion wurde die Reaktionslösung zum
Ausfällen
in 2000 ml ionenausgetausches Wasser gegossen. Der Kristall wurde
durch Filtration isoliert, mit Wasser gewaschen und unter vermindertem
Druck getrocknet, wodurch 14,7 g Poly(p-1-ethoxyethoxystyrol/isobornylacrylat)
als weißer,
pulveriger Kristall erhalten wurden. Mittels einer 1N-NMR-Messung
wurde festgestellt, dass das Verhältnis der p-1-Ethoxyethoxystyrol-Einheit
zur Isobornylacrylat-Einheit des erhaltenen Polymers 50:50 betrug,
und das mittels einer GPC-Messung unter Verwendung von Polystyrol
als Standard bestimmte Massenmittel der Molmasse des Polymers betrug
etwa 21 000.
-
Beispiel 5
-
Es
wurde eine Resistzusammensetzung hergestellt, die die folgenden
Bestandteile umfasste.
Poly[p-tert-butoxystyrol/p-(1-ethoxyethoxystyrol)styrol]
(35:65) | 4,5
g |
Bis(cyclohexylsulfonyl)diazomethan | 0,3
g |
Bis(p-toluolsulfonyl)diazomethan | 0,15
g |
Fluorhaltiges,
nichtionisches Tensid (kommerziell erhältlich) | 0,003
g |
Tri-n-Propylamin | 0,05
g |
Propylenglycolmonomethyletheracetat | 27
g |
-
Die
obigen Bestandteile wurden miteinander vermischt und durch einen
0,2-μm-Porenfilter
filtriert, wodurch eine Resistzusammensetzung erhalten wurde. Eine
Strukturbildung wurde unter Verwendung dieser Zusammensetzung durch
das folgende Verfahren durchgeführt.
-
Die
obige Zusammensetzung wurde durch Schleuderbeschichten auf einen
Silicium-Wafer aufgetragen, gefolgt von einem bei 90 °C für 90 s auf
einer Heizplatte erfolgenden Härten,
wodurch eine Resistmembran mit einer Dicke von 0,5 μm erhalten
wurde. Sie wurde mit einem KrF-Excimer-Laser mit 248,2 nm (NA = 0,55)
durch eine Maske selektiv belichtet, gefolgt von einem bei 105 °C für 90 s auf
einer Heizplatte erfolgenden Nachhärten. Das Resultat wurde schließlich für 3 min
mit HMDS- (Hexamethyldisilazan-)Dampf in Kontakt gebracht, um die
freiliegenden Bereiche zu silylieren, und dann wurde eine durch Ätzen erfolgende
Trockenentwicklung unter Verwendung von O2-Plasma vom Typ der
flachen Platten (RIE) durchgeführt.
Das obige Verfahren ergab gemäß der Veranschaulichung
in 1 eine rechteckige und senkrechte Struktur mit
0,12 μm
L und 5. Die Belichtungsdosis betrug 42 mJ/cm2.
-
Beispiele 6 bis 8
-
Eine
Resistzusammensetzung gemäß Tabelle
1 wurde hergestellt, und die Bildung einer Struktur wurde wie in
Beispiel 5 durchgeführt.
-
-
-
Vergleichsbeispiel 1
-
Unter
Verwendung von Poly(p-tert-butoxycarbonyloxystyrol) statt des Polymers
in Beispiel 1 wurde die folgende Resistzusammensetzung hergestellt,
und die Bildung einer Struktur wurde auf dieselbe Weise wie in Beispiel
1 durchgeführt.
Poly[p-tert-butoxycarbonyloxystyrol] | 4,5
g |
Bis(cyclohexylsulfonyl)diazomethan | 0,3
g |
Bis(p-toluolsulfonyl)diazomethan | 0,15
g |
Fluorhaltiges,
nichtionisches Tensid (kommerziell erhältlich) | 0,005
g |
Tri-n-Propylamin | 0,05
g |
Propylenglycolmonomethyletheracetat | 27
g |
-
Als
Ergebnis wurden 0,18 μm
L & S aufgelöst, wobei
das feine Muster aber schlechter war, weil es aufgrund eines mangelnden
Kontrasts nicht aufgelöst
war, wie in 2 veranschaulicht ist.
-
Beispiel 9
-
Die
folgende Resistzusammensetzung wurde hergestellt.
Poly[p-tert-butoxycarbonyloxystyrol/p-(1-ethoxyethoxy)styrol/isobornylacrylat]
(20:30:50) | 2,2
g |
Diphenyl-p-trylsulfonium/Perfluoroctansulfonat | 0,11
g |
Fluorhaltiges,
nichtionisches Tensid (kommerziell erhältlich) | 0,002
g |
Tri-n-Butylamin | 0,01
g |
Propylenglycolmonomethyletheracetat | 53
g |
-
Die
obigen Bestandteile wurden miteinander vermischt und durch einen
Filter mit einer Porengröße von 0,2 μm filtriert,
wodurch eine Resistzusammensetzung erhalten wurde. Unter Verwendung
dieser Zusammensetzung wurde die Bildung einer Struktur durch das
folgende Verfahren durchgeführt.
-
Ein
Resist, bei dem Novolak-Harz als Hauptharzkomponente verwendet wurde,
wurde durch Schleuderbeschichten auf einen Siliciumwafer aufgetragen,
gefolgt von einem bei 200 °C
auf einer Heizplatte für
120 s erfolgenden Nachhärten,
wodurch eine Resistmembran von 0,5 μm erhalten wurde. Dann wurde
die obige Zusammensetzung durch Schleuderbeschichtung auf einen
Silicium-Wafer aufgetragen, wodurch eine Schicht von 0,1 μm gebildet
wurde, gefolgt von einem bei 90 °C
für 90
s auf einer Heizplatte erfolgenden Härten, wodurch eine Resistmembran
mit einer Dicke von 0,6 μm
erhalten wurde. Sie wurde mit einem ArF-Excimerlaser von 193,0 nm
(NA = 0,60) selektiv durch eine Maske belichtet, gefolgt von einem
bei 105 °C
für 90
s auf einer Heizplatte erfolgenden Nachhärten. Das Resultat wurde schließlich für 3 min
mit HMDS- (Hexamethyldisilazan-)Dampf in Kontakt gebracht, um die
freiliegenden Bereiche zu silylieren, und dann wurde eine durch Ätzen erfolgende
Trockenentwicklung unter Verwendung von O2-Plasma
vom Typ der flachen Platten (RIE) durchgeführt. Das obige Verfahren ergab
gemäß der Veranschaulichung
in 3 eine rechteckige und senkrechte Struktur mit
0,10 μm
L und S. Die Belichtungsdosis betrug 13 mJ/cm2.
-
Beispiele 10 bis 12
-
Die
Resistzusammensetzungen von Tabelle 3 wurden hergestellt, und die
Bildung einer Struktur wurde auf dieselbe Weise wie in Beispiel
9 durchgeführt.
-
-
-
-
Veraleichsbeispiel 2
-
Unter
Verwendung von Poly(p-1-ethoxyethoxystyrol) statt des Polymers von
Beispiel 8 wurde die folgende Resistzusammensetzung hergestellt,
und die Bildung einer Struktur wurde auf dieselbe Weise wie in Beispiel
8 durchgeführt.
Poly(p-1-ethoxyethoxystyrol) | 2,2
g |
Triphenylsulfonium/trifluormethansulfonat | 0,11
g |
Fluorhaltiges
nichtionisches Tensid (kommerziell erhältlich) | 0,002
g |
Tri-n-propylamin | 0,01
g |
Propylenglycolmonomethyletheracetat | 53
g |
-
Als
Ergebnis wurden 0,15 μm
L und S aufgelöst,
wobei das feine Muster aber schlechter war, weil es aufgrund eines
fehlenden Kontrasts nicht aufgelöst
war, wie in 4 veranschaulicht ist.
-
Beispiel 14
-
Die
folgende Resistzusammensetzung wurde hergestellt.
Poly[styrol/p-(1-ethoxyethoxy)styrol/p-hydroxystyrol] (30:65:5) | 2,2
g |
Triphenylsulfonium/trifluormethansulfonat | 0,11
g |
Fluorhaltiges
nichtionisches Tensid (kommerziell erhältlich) | 0,002
g |
Trihexylamin | 0,01
g |
Propylenglycolmonomethyletheracetat | 53
g |
-
Die
obigen Bestandteile wurden miteinander vermischt und durch einen
Filter mit einer Porengröße von 0,2 μm filtriert,
wodurch eine Resistzusammensetzung erhalten wurde. Unter Verwendung
dieser Zusammensetzung wurde die Bildung einer Struktur durch das
folgende Verfahren durchgeführt.
-
Ein
Resist, bei dem Novolakharz als die Haupt-Harzkomponenten verwendet
wurde, wurde durch Schleuderbeschichten auf einen Siliciumwafer
aufgetragen, gefolgt von einem bei 200 °C für 120 s auf einer Heizplatte
erfolgenden Nachhärten,
wodurch eine Resistmembran von 0,5 μm erhalten wurde. Dann wurde
die obige Zusammensetzung durch Schleuderbeschichten auf die Oberfläche aufgetragen,
wodurch eine Schicht von 0,1 μm
erhalten wurde, befolgt von einem bei 90 °C für 90 s auf einer Heizplatte
erfolgenden Härten,
wodurch eine Resistmembran mit einer Dicke von 0,6 μm erhalten
wurde. Dann wurde das Resultat unter Verwendung einer Elektronenstrahl-Bestrahlungsvorrichtung
selektiv bestrahlt, gefolgt von einem bei 105 °C für 90 s auf einer Heizplatte
erfolgenden Nachhärten.
Das Resultat wurde schließlich
3 min lang mit HMDS- (Hexamethyldisilazan-)Dampf in Kontakt gebracht,
um die freiliegenden Flächen
zu silylieren, und dann wurde eine durch Ätzen erfolgende Trockenentwicklung
unter Verwendung von O2-Plasma vom Typ der
flachen Platten (RIE) durchgeführt.
Das obige Verfahren ergab gemäß der Veranschaulichung
in 5 eine rechteckige und senkrechte Struktur mit
0,05 μm
L und S. Die Belichtungsdosis betrug 8 μC/cm2.
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Beispiele 15 und 16
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Die
Resistzusammensetzungen von Tabelle 5 wurden hergestellt, und die
Bildung einer Struktur wurde auf dieselbe Weise wie in Beispiel
12 durchgeführt.
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Vergleichsbeispiel 3
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Unter
Verwendung von Poly(p-1-ethoxyethoxystyrol/p-hydroxystyrol) statt
des Polymers von Beispiel 12 wurde die folgende Resistzusammensetzung
hergestellt, und die Bildung einer Struktur wurde auf dieselbe Weise
wie in Beispiel 12 durchgeführt.
Poly(p-1-ethoxyethoxystyrol/p-hydroxystyrol)
(30:70) | 2,2
g |
Bis(cyclohexylsulfonyl)diazomethan | 0,15
g |
Fluorhaltiges
nichtionisches Tensid (kommerziell erhältlich) | 0,07
g |
Tri-n-propylamin | 0,02
g |
Propylenglycolmonomethyletheracetat | 53
g |
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Als
Ergebnis wurde aufgrund eines fehlenden Kontrasts keine Struktur
aufgelöst,
wie in 6 veranschaulicht ist.
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Beispiel 17 und Vergleichsbeispiele
4 und 5
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Unter
Verwendung der Resistzusammensetzungen in Tabelle 7, die statt des
Polymers in Beispiel 4 hergestellt wurden, wurde die Bildung einer
Struktur durchgeführt.
Das Ergebnis ist in Tabelle 8 aufgeführt. In Tabelle 8 ist auch
das Ergebnis von Beispiel 4 dargestellt.
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Wie
aus dem Ergebnis von Tabelle 8 hervorgeht, wird die Menge des Rückstands
auf einem Substrat nach der Bildung einer Struktur umso höher, je
höher das
Verhältnis
der von p-Hydroxystyrol im Polymer stammenden Monomereinheit wird,
und es gilt als vereinbart, dass die Einstellung des Verhältnisses
auf 10 % oder weniger bevorzugt ist.
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Die
vorliegende Erfindung macht ein Polymer und eine Resistzusammensetzung
verfügbar,
die in einem Verfahren zur Auflösung
einer silylierten Oberfläche
brauchbar sind, und durch die Durchführung des Verfahrens zur Auflösung einer
silylierten Oberfläche
unter Verwendung der Resistzusammensetzung der vorliegenden Erfindung
wird der Silylierungskontrast höher,
und der Erhalt einer ultrafeinen Struktur wird unabhängig von
der Art der Bestrahlungsenergie möglich, und somit kann die vorliegende
Erfindung auf bemerkenswerte Weise zur Herstellung von ultrahoch
integrierten Schaltkreisen beitragen.