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Die
vorliegende Erfindung betrifft ein Copolymer für ein Resist mit chemischer
Verstärkung,
das strahlungsempfindlich ist, und eine dieses enthaltende Resistzusammensetzung.
Insbesondere betrifft die vorliegende Erfindung ein strahlungsempfindliches
Copolymer, das als Matrixharz für
die Erzeugung von Mikromustern vorteilhaft ist, und eine Resistzusammensetzung
mit chemischer Verstärkung,
die auf diesem Copolymer basiert, wodurch es möglich ist, ein Submikron-Lithographieverfahren
unter Anwendung von tiefem UV-Licht, wie einem KrF-Excimerlaser
oder einem ArF-Excimerlaser, Röntgenstrahlen,
wie einer Synchrotronstrahlung oder Strahlen aus geladenen Partikeln,
wie Elektronenstrahlen, durchzuführen.
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Ein
Lithographieverfahren, das bei der Herstellung von Halbleitervorrichtungen
verwendet wird, umfaßt
im allgemeinen das Aufbringen eines Resistfilms bzw. einer Resistschicht
auf ein Substrat, wie einen Silicium-Wafer, das Belichten der Beschichtung
und das Entwickeln dieser, wodurch ein Positiv- oder Negativmuster
erzeugt wird. Der gegenwärtige
Vorstoß bei
der hohen Integration von Halbleitervorrichtungen basiert sicher
stark auf den Vorteilen bei der Mikrolithographie. Ultrafeine Muster
mit Submikrongröße, z.B.
0,2 μm oder
weniger, sind z.B. für
die Herstellung von Ultra-LSI erforderlich. Die gegenwärtig für die Erzeugung der
feinen Muster verwendeten Lichtquellen haben eine immer kürzere Wellenlänge, z.B.
von der g-Linie oder I-Linie bis zu tiefem UV-Licht, einschließlich einem
KrF-Excimerlaser und einem ArF-Excimerlaser, hin bis zu Röntgenstrahlen
und schließlich
Elektronenstrahlen.
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Bei
nahem UV-Licht, wie der I-Linie, die bei der herkömmlichen
Lithographie verwendet wird, lassen sich Mikromuster mit weniger
als ein Viertel Mikron (0,25 μm)
praktisch unmöglich
verwirklichen. Ein solches Mikromuster erfordert kürzere Wellenlängen, wozu
Excimerlaser mit tiefem UV-Licht, Röntgenstrahlen und Elektronenstrahlen
gehören.
Von diesen haben KrF- und ArF-Excimerlaser die Aufmerksamkeit der
Forscher erzielt, da sie solche Vorzüge zeigen, und wurden als Lichtquelle
entwickelt, die neue Photoresists erfordern. Nunmehr werden für tiefes
UV-Licht vorwiegend Photoresists mit chemischer Verstärkung verwendet.
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Eine
Resistzusammensetzung mit chemischer Verstärkung, die für tiefes
UV-Licht geeignet ist, umfaßt grundsätzlich ein
Polymer mit einer durch Säure
dissoziierbaren funktionellen Gruppe, eine Verbindung, die eine
Säure erzeugt
(hier nachstehend als "Verbindung,
die mittels Licht eine Säure
erzeugt" bezeichnet)
und ein Lösungsmittel
und hilft sich beim Effekt der chemischen Verstärkung in der Lithographie selbst.
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Die
offengelegte Japanische Patentveröffentlichung Nr. Heisei 227,660
schlägt
eine Resistzusammensetzung mit chemischer Verstärkung vor, die auf einem Gemisch
von einem Polymer, das eine Carbonsäure-t-butylester- oder Phenyl-t-butylcarbonatgruppe
enthält,
und einer Verbindung basiert, die mittels Licht eine Säure erzeugt.
Diese Zusammensetzung nutzt die Tatsache aus, daß die Säure, die von der Verbindung
erzeugt wird, die mittels Licht eine Säure erzeugt, beim Bestrahlen
die t-Butylester- oder t-Butylcarbonatgruppe von der Hauptkette
dissoziiert, und es die so gebildete Hydroxylgruppe ermöglicht,
daß sich
der belichtete Bereich leicht in einer alkalischen Entwicklungslösung löst.
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Die
meisten Resists mit chemischer Verstärkung, die KrF-Excimerlaser
verwenden, basieren auf Phenolharzen. Sie sind jedoch für ArF-Excimerlaser ungeeignet,
da ihre aromatischen Ringe bei der Wellenlänge der Lichtquelle (193 nm)
deutliche Absorptionspeaks zeigen.
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Somit
besteht ein deutlicher Bedarf nach einem Material, das Licht wenig
absorbiert, das zu diesen Wellenlängenbereichen gehört. Als
Reaktion auf diesen Bedarf zielt eine rege Forschung auf die Entwicklung von
Photoresists mit chemischer Verstärkung, die auf Polyacrylat-Derivaten
basieren (offengelegte Japanische Patentveröffentlichung Nr. Heisei 4-226,461,
Proc. SPIE, 1996, Bd. 2724, S. 377).
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Polyacrylat-Derivate
zeigen eine geringe Absorption bei 193 nm, haben jedoch den großen Nachteil, daß sie bei
der Trockenätzbeständigkeit
weit unterlegen sind. Kürzlich
wurden große
Anstrengungen unternommen, um diesen Nachteil zu überwinden,
dazu gehört
das Einführen
von alicyclischen Derivaten in Polyacrylat. Das Einführen von
alicyclischen Derivaten führt
sicher zu einer Verbesserung der Trockenätzbeständigkeit, verursacht jedoch
ein deutliches Problem beim Entwicklungsverfahren, da deren Hydrophobie
einen negativen Einfluß auf
die Affinität
für Entwicklungslösungen hat.
Bei der Erzeugung von Mustern mit 0,2 μm oder weniger spielt die Haftung
einer Resistzusammensetzung an einem Substrat eine wichtige Rolle.
Carbonsäure
wurde in die Seitenketten der Matrixpolymere eingeführt, um
die Haftung zu verbessern (Proc. SPIE, 1997, Bd. 3049, S. 126).
Mit Carbonsäure
gepfropfte Matrixpolymere erfordern jedoch eine Änderung der Basizität der Entwicklungslösungen,
da die Carbonsäure
die Löslichkeit
der Matrixpolymere in wäßrigen alkalischen
Lösungen
verbessert.
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Es
ist bekannt, daß Copolymere
von Maleinsäureanhydrid
und Olefin als Matrixharze verwendet werden können, die nicht nur Hydrophylie
sondern auch Ätzbeständigkeit
zeigen (Proc. SPIE, 1997, Bd. 3049, S. 126). In diesen Copolymeren
dient Maleinsäureanhydrid,
das für
die Hydrophylie verantwortlich ist, als Promotor, der es ermöglicht,
daß Olefinmonomere
bei niedrigen Temperaturen und geringem Druck copolymerisiert werden
können.
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Angesichts
dieses Hintergrundes führte
die intensive und gründliche
Forschung, die von den hier genannten Erfindern wiederholt durchgeführt wurde,
um ein Basisharz für
ein Photoresist zu entwickeln, zu der Erkenntnis, daß Monomere
aus einem carboxylhaltigen Norbornen-Derivat und Monomere aus Maleinsäureanhydrid
bei deren Polymeren einen großen
Beitrag zur Verbesserung der Haftung am Substrat, der Transparenz
bei tiefem UV-Licht und der Trockenätzbeständigkeit als auch der Lichtempfindlichkeit,
der Auflösung
und des Entwicklungsvermögens
leisten.
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Folglich
kann eine bevorzugte Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung ein Copolymer als Basisharz für ein Photoresist
bereitstellen, mit dem unter Verwendung von tiefem UV-Licht, wie
einem KrF-Excimerlaser und einem ArF-Excimerlaser, ausreichend feine
Muster für
die hohe Integration von Halbleitervorrichtungen erhalten werden
können.
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Nach
einem weiteren Gesichtspunkt stellt die vorliegende Erfindung eine
Photoresistzusammensetzung mit chemischer Verstärkung bereit, die im wesentlichen
aus dem Harz und einer Verbindung besteht, die mittels Licht eine
Säure erzeugt.
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Um
die Probleme zu vermeiden oder zu verringern, die herkömmliche
Resists mit chemischer Verstärkung
bei der Haftung am Substrat, der Trockenätzbeständigkeit und dem Entwicklungsvermögen aufweisen, wird
gemäß der vorliegenden
Erfindung eine cyclische Struktur, die aus einem Maleinsäureanhydrid
und Norbornen-Derivaten besteht, in die Hauptkette eingeführt, wobei
Hydroxylgruppen und durch Säure
dissoziierbare funktionelle Gruppen gepfropft werden. Die cyclische
Struktur verbessert die Trockenätzbeständigkeit,
während
die Hydroxylgruppe dafür
verantwortlich ist, daß die
Haftung am Substrat verbessert wird. Die durch Säure dissoziierbaren funktionellen
Gruppen übernehmen
die Verantwortung bei der Verbesserung der Lichtemp findlichkeit
und der Auflösung.
Insbesondere wird der große
Vorteil bei der senkrechten Form der Resistmuster und der Empfindlichkeit
der Resistmuster, der bei der vorliegenden Erfindung erreicht wird,
dem eingeführten, Carbonsäure enthaltenden
Norbornen-Derivat zugeschrieben.
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Folglich
betrifft die vorliegende Erfindung ein Polymer, das im wesentlichen
aus Maleinsäureanhydrid, einem
Carbonsäure
enthaltenden Norbornen-Derivat und einem eine durch Säure dissoziierbare
funktionelle Gruppe enthaltenden Norbornen-Derivat besteht, und
eine Positiv-Resistzusammensetzung mit chemischer Verstärkung, die
strahlungsempfindlich ist.
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Weitere
Einzelheiten der vorliegenden Erfindung sind nachstehend aufgeführt.
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Polymer
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Das
in der vorliegenden Erfindung vorteilhafte Polymer weist eine Struktureinheit
auf, die aus einem mit Carbonsäure
gepfropften Norbornen-Derivat, einem mit einer durch Säure dissoziierbaren
funktionellen Gruppe gepfropften Norbornen-Derivat und einem Maleinsäureanhydrid
besteht. Das Polymer selbst ist in wäßrigen alkalischen Lösungen unlöslich oder
schwer löslich
und enthält
zumindest eine Schutzgruppe, die durch Säure dissoziieren kann.
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Die
Alkalilöslichkeit
des Polymers wird primär
durch den Gehalt der Säure-funktionellen
Gruppen bestimmt, die durch Säure
dissoziieren können.
Folglich sind die Resisteigenschaften des Polymers, einschließlich der
Haftung am Substrat, der Lichtempfindlichkeit, der Auflösung und
dgl., von der Art und Menge der im Polymer verwendeten Norbornen-Derivate
abhängig.
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Das
erfindungsgemäße Polymer
ist ein vielgliedriges Copolymer der folgenden allgemeinen Formel
I:
wobei
X ein durch Säure
dissoziierbares, gepfropftes Norbornen-Derivat ist, das aus der
Gruppe ausgewählt ist,
die aus den folgenden allgemeinen Formeln II und III besteht; Y
ein mit Carbonsäure
gepfropftes Norbornen-Derivat der folgenden Formel IV ist:
wobei
R
1 aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus geradkettigen
oder verzweigten Alkylgruppen, cyclischen oder polycyclischen Alkylgruppen,
Alkylcarbonylgruppen, verzweigten Alkylcarbonylgruppen und cyclischen oder
polycyclischen Alkylcarbonylgruppen mit jeweils 1 bis 10 Kohlenstoffatomen
besteht, die z.B. t-Butyloxycarbonyl, Acetyl, Cyclohexancarbonyl,
Adamantancarbonyl, Bicyclo[2.2.1]heptanmethylcarbonyl und dgl. sind; R
2 unabhängig
von X und Y aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Wasserstoff,
geradkettigem Alkyloxycarbonyl, verzweigtem Alkyloxycarbonyl, Alkoxyalkylcarbonyl,
cyclischem Alkyloxycarbonyl und polycyclischem Alkyloxycarbonyl
mit jeweils 1 bis 10 Kohlenstoffatomen besteht; und R
3 aus
geradkettigem oder verzweigtem Alkyl und cyclischem oder polycyclischem
Alkyl mit jeweils 1 bis 10 Kohlenstoffatomen ausgewählt ist,
die z.B. Methyl, Ethyl, t-Butyl, Isopropyl, Adamantyl, Bicylo[2.2.1]heptanmethyl
und dgl. sind; und
l, m, n und o jeweils eine Wiederholungszahl
mit nicht mehr als 0,5 sind, die die Bedingung erfüllt, daß l+ m + n
+ o = 1 und 0,4 ≤ o ≤ 0,5; und
l im Bereich > 0 bis
0,5 liegt und m im Bereich von 0 bis 0,5 liegt, wobei 0,15 ≤ l + m ≤ 0,5 und n
im Bereich von 0,01 bis 0,20 liegt. Bei der Bestimmung der Wiederholungszahlen
l, m und n werden die Resisteigenschaften, wie Haftung am Substrat,
Lichtempfindlichkeit und Auflösung,
in Betracht gezogen.
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Die
Monomere der allgemeinen Formel II können z.B. sein: 3-Acetoxy-3-bicyclo[2.2.1]-hept-5-en-2-ylprpionsäure-t-butylester,
Cyclohexancarbonsäure-1-bicyclo[2.2.1]hept-5-en-2-ylbutoxycarbonylethylester
und Adamantan-1-carbonsäure-1-bicyclo[2.2.1]-hept-5-en-2-yl-2-t-butoxycaronylethylester.
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Zu
konkreten Beispielen des Monomers der allgemeinen Formel III gehören Bicyclo[2.2.1]hept-5-en-2-carbonsäuremethoxymethylester,
Bicyclo[2.2.1]hept-5-en-2-carbonsäureethoxymethylester, Bicyclo[2.2.1]hept-5-en-2-carbonsäurebicyclo[2.2.1]hept-2-ylmethoxymethylester,
3-Bicyclo[2.2.1]hept-5-en-2,3-dicarbonsäure-2-t-butylester-3-methoxymethylester,
Bicyclo[2.2.1]hept-5-en-2,3-dicarbonsäurebismethoxymethylester, Bicyclo[2.2.1]hept-5-en-2,3-dicarbonsäurebisethoxymethylester,
Bicyclo[2.2.1]hept-5-en-2,3-dicarbonsäure-2-bicyclo[2.2.1]hept-2-ylmethylester-3-methoxymethylester,
Bicyclo[2.2.1]hept-5-en-2,3-dicarbonsäure-2-bicyclo[2.2.1]hept-2-ylmethylester-3-ethoxymethylester,
Bicyclo[2.2.1]hept-5-en-2,3-carbonsäure-2-(bicyclo[2.2.1]hept-2-ylmethoxymethyl)ester-3-bicyclo[2.2.1]hept-2-ylmethylester,
Bicyclo[2.2.1]hept-5-en-2,3-dicarbonsäure-2-methoxymethylester-3-(1,7,7-trimethylbicyclo[2.2.1]hept-2-yl)ester,
Bicyclo[2.2.1]hept-5-en-2,3-dicarbonsäure-2-ethoxymethylester-3-(1,7,7-trimethylbicyclo[2,2,1]hept-2-yl)ester
und Bicyclo[2.2.1]hept-5-en-2,3-dicarbonsäure-2-(bicyclo[2.2.1]hept-2-ylmethoxymethyl)ester-3-(1,7,7-trimethylbicyclo[2.2.1]hept-2-yl)ester.
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Zu
Beispielen des Monomers der allgemeinen Formel IV gehören Bicyclo[2.2.1]hept-5-en-2-carbonsäure, 3-Bicyclo[2.2.1]hept-5-en-2,3-dicarbonsäuremono-t-butylester,
3-Formylbicyclo[2.2.1]hept-5-en-2-carbonsäurebicyclo[2.2.1]hept-2-ylmethylester
und Bicyclo[2.2.1]hept-5-en-2,3-dicarbonsäuremono-(1,7,7-trimethylbicyclo[2.2.1]hept-2-yl)ester.
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Die
Struktureinheit der Formel I kann hergestellt werden, indem ein
Norbornen-Derivat der allgemeinen Formel II oder III, ein Carbonsäure enthaltendes
Norbornen-Derivat der folgenden Strukturformel IV, ein Maleinsäureanhydrid
der folgenden allgemeinen Formel V und 3-Bicyclo[2.2.1]hept-5-en-2-yl-3-hydroxypropionsäure-t-butylester
(hier nachstehend als "BHP" bezeichnet) der
folgenden Strukturformel VI in Gegenwart eines Polymerisationskatalysators
polymerisieren:
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Bei
der Bestimmung der Menge dieser Monomere müssen die Haftung am Substrat,
die Empfindlichkeit und die Auflösung
beachtet werden.
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Wenn
die Einheiten X und Y selbst in der allgemeinen Formel I auftreten,
wird die Struktureinheit des Polymers mit den folgenden allgemeinen
Formeln VII bis XII angegeben:
wobei
R
1 aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus geradkettigen
oder verzweigten Alkylgruppen, cyclischen oder polycyclischen Alkylgruppen,
Alkylcarbonylgruppen, verzweigten Alkylcarbonylgruppen und cyclischen oder
polycyclischen Alkylcarbonylgruppen mit jeweils 1 bis 10 Kohlenstoffatomen
besteht, die z.B. t-Butyloxycarbonyl, Acetyl, Cyclohexancarbonyl,
Adamantancarbonyl, Bicyclo[2.2.1]heptanmethylcarbonyl und dgl. sind; R
2, R
3, R
4 und
R
5 unabhängig
voneinander aus der Gruppe ausgewählt sind, die aus geradkettigem
oder verzweigtem Alkyl und cyclischem oder polycyclischem Alkyl
mit jeweils 1 bis 10 Kohlenstoffatomen besteht, die z.B. Methyl,
Ethyl, t-Butyl,
Isopropyl, Adamantyl, Bicylo[2.2.1]heptanmethyl und dgl. sind; und
l, m, n und o jeweils eine Wiederholungszahl mit nicht mehr als
0,5 sind, die die Bedingung erfüllt,
daß l
+ m + n + o = 1 und 0,4 ≤ o ≤ 0,5; und
l im Bereich > 0 bis
0,5 liegt und m im Bereich von 0 bis 0,5 liegt, wobei 0,15 ≤ l + m ≤ 0,5 und n
im Bereich von 0,01 bis 0,20 liegt. Bei der Bestimmung der Wiederholungszahlen
l, m und n werden die Resisteigenschaften, wie Haftung am Substrat,
Lichtempfindlichkeit und Auflösung,
in Betracht gezogen.
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Diese
mehrgliedrigen Polymere können
in Form eines Blockcopolymers, eines statistischen Copolymers oder
eines Pfropfcopolymers vorliegen. Bevorzugt ist ein alternierendes
Copolymer von Maleinsäureanhydrid
und den Norbornen-Derivaten oder ein statistisches Copolymer zwischen
diesen. Sie können
in herkömmlichen
Polymerisationsverfahren und vorzugsweise unter Einwirkung eines
Radikalbildners hergestellt werden. Ein verfügbarer Initiator für diese
Radikalpolymerisation kann Azobisisobutyronitril (AIBN), Benzoylperoxid
(BPO), Laurylperoxid, Azobisisocapronitril, Azobisisovaleronitril
oder t-Butylhydroperoxid sein, er ist jedoch nicht besonders darauf
begrenzt. Die Polymerisation der Monomere kann nach der Art einer
Blockpolymerisation, einer Lösungspolymerisation,
einer Suspensionspolymerisation, einer Block-Suspensionspolymerisation
oder einer Emulsionspolymerisation erfolgen. Zu Beispielen vorteilhafter
Polymerisationslösungsmittel gehören Benzol,
Toluol, Xylol, Halogenbenzol, Diethylether, Tetrahydrofuran, Acetate,
Ester, Lactone, Ketone, Amide und Gemische davon.
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Die
Temperatur der Polymerisation hängt
vom verwendeten Polymerisationskatalysator ab. Wenn z.B. Azobisisobutyronitril
als Polymerisationskatalysator verwendet wird, wird die Polymerisation
vorzugsweise bei einer Temperatur von etwa 60 bis 90°C durchgeführt.
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Das
Molekulargewicht des hergestellten Polymers kann geregelt werden,
indem die Menge des Polymerisationsinitiators und der Polymerisationszeitraum
geändert
werden. Nach Abschluß der
Polymerisation werden die Monomerrückstände, die unreagiert im Reaktionsgemisch
zurückbleiben,
und Nebenprodukte vorzugsweise durch Fällen mit einem Lösungsmittel
entfernt. Das Polymer der Formel I hat vorzugsweise ein auf Polystyrol
reduziertes Gewichtsmittel des Molekulargewichts (hier nachstehend
als "Mw" abgekürzt) im
Bereich von etwa 1000 100000, das durch Gelpermeationschromatographie
(GPC) gemessen wird, und stärker
bevorzugt von etwa 3000 bis 50000, wenn die Empfindlichkeit, das
Entwicklungsvermögen,
die Beschichtbarkeit und die Wärmebeständigkeit
in Betracht gezogen werden, die für einen Photoresist erforderlich
sind. Wenn das Polymer z.B. ein Mw von weniger
als 1000 aufweist, sind die Beschichtbarkeit und das Entwicklungsvermögen der entstehenden
Photoresistzusammensetzung sehr schlecht. Wenn das Mw andererseits
100000 übersteigt, kommt
es zu einer Beeinträchtigung
der Empfindlichkeit, der Auflösung
und des Entwicklungsvermögens.
Die Molekulargewichtsverteilung des erfindungsgemäßen Polymers
liegt vorzugsweise im Bereich von 1,0 bis 5,0 und stärker bevorzugt
von 1,0 bis 2,0.
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"Auf Polystyrol reduziertes
Gewichtsmittel des Molekulargewichts" bedeutet, daß das durchschnittliche Molekulargewicht
auf einen Polystyrolstandard bezogen berichtigt ist. Wie vorstehend
erläutert,
wurden das Molekulargewicht und die Molekulargewichtsverteilung
der erhaltenen Polymere unter Anwendung der GPC mit dem Modell HLC-8020, von TOSHO hergestellt,
das mit den Säulen
G2000HXL, G3000HXL und G4000HXL ausgestattet war, bei einer Temperatur
der Säule
von 40°C
mit einem üblichen
monodispergierten Polystyrol gemessen, wobei mit Tetrahydrofuran
mit einer Strömungsrate
von 1,0 ml/min eluiert wurde.
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In
der vorliegenden Erfindung kann für den Resist nur ein erhaltenes
Polymer oder ein Gemisch dieser verwendet werden.
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Verbindung, die mittels
Licht eine Säure
erzeugt
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Unter
Verwendung der erfindungsgemäßen Polymere
können
vorteilhaft Photoresistmuster mit einer Feinheit von 0,2 μm erzeugt
werden. Deshalb betrifft die vorliegende Erfindung auch eine Photoresistzusammensetzung
mit chemischer Verstärkung,
die dieses Polymer und eine Verbindung umfaßt, die mittels Licht eine
Säure erzeugt.
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Als
Verbindung, die mittels Licht eine Säule erzeugt, die in der vorliegenden
Erfindung vorteilhaft ist, sind ein Oniumsalz, wie Iodo nium, Sulfonium,
Phosphonium, Diazonium und Pyridonium ausreichend. Zu konkreten,
besonders wirksamen, jedoch nicht begrenzenden Beispielen des Oniumsalzes
gehören
Triphenylsulfoniumtriflat, Diphenyl(4-methylphenyl)sulfoniumtriflat,
Diphenyl(4-t-butylphenyl)sulfoniumtriflat, Diphenyl(4-methoxyphenyl)sulfoniumtriflat,
Dibutyl(naphthalin-1-yl)sulfoniumtriflat, Triphenylsulfoniumhexafluorantimonat,
Diphenyliodoniumtriflat, Diphenyliodoniummethylbenzolsulfonat, Bis(cyclohexylsulfonyl)diazomethan und
Bis(2,4-dimethylphenylsulfonyl)diazomethan. Als Verbindung, die
mittels Licht eine Säure
erzeugt, kann auch eine Halogenverbindung verwendet werden, die
z.B. 1,1-Bis(4-chlorphenyl)-2,2,2-trichlorethan, Phenyl-bis(trichlormethyl)-s-triazin
oder Naphthylbis(trichlormethyl)-s-triazin ist. Außerdem können Diazoketonverbindungen,
wie 1,3-Diketo-2-diazo, Diazobenzochinon und Diazonaphthochinon,
Sulfonverbindungen, Sulfonsäureverbindungen
und Nitrobenzylverbindungen Kandidaten für die Verbindung darstellen,
die mittels Licht eine Säure
erzeugt. Stärker
bevorzugt sind die Oniumverbindungen und die Diazoketonverbindungen.
Die Verbindungen, die mittels Licht eine Säure erzeugen, können einzeln
oder in Kombinationen verwendet werden.
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Im
Gegensatz zu üblichen
Verbindungen, die mittels Licht eine Säure erzeugen, dienen die Oniumsalze
der folgenden allgemeinen Formeln XIII und XIV nicht nur als Mittel
zur Verhinderung der Auflösung
in den unbelichteten Bereichen, sondern bewirken auch eine Förderung
der Auflösung
in den belichteten Bereichen:
wobei
R
1 und R
2, die gleich
oder verschieden sein können,
jeweils ein Alkyl oder ein Aryl darstellen; R
3 und
R
4, die gleich oder verschieden sein können, jeweils
ein Wasserstoffatom, ein Alkyl oder ein Alkoxcy darstellen; und
n eine ganze Zahl von 0 bis 14 ist.
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Die
Verbindungen, die mittels Licht eine Säure erzeugen, werden in einer
Menge von etwa 0,1 bis 30 Gew.-Teilen, bezogen auf 100 Gew.-Teile des Feststoffgehalts
der Photoresistzusammensetzung, und vorzugsweise in einer Menge
von 0,3 bis 10 Gew.-Teilen verwendet. Sie können allein oder in einem Gemisch
von mindestens zwei Arten verwendet werden.
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Falls
erforderlich kann in der vorliegenden Erfindung eine Verbindung
verwendet werden, die durch Säure
zersetzt wird, wodurch das Auflösung
des Photoresists in einer Entwicklungslösung gefördert wird. Als eine solche
funktionelle Gruppe, die mittels Säure zersetzt wird und das Auflösen fördert, ist
t-Butylester am besten geeignet. Deshalb können in der vorliegenden Erfindung
alicyclische Derivate gewählt
werden, die einen t-Butylester enthalten. Beim Formulieren können sie
in einer Menge von etwa 3 bis 60 Gew.-Teilen, bezogen auf 100 Gew.-Teile
des Feststoffgehalts der Photoresistzusammensetzung, und vorzugsweise
mit etwa 5 bis 40 Gew.-Teilen zugesetzt werden.
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Die
erfindungsgemäße Photoresistzusammensetzung
kann gegebenenfalls Zusätze,
wie ein oberflächenaktives
Mittel, eine Azoverbindung, einen Lichthofinhibitor, ein Hafthilfsmittel,
einen Konservierungsstabilisator, ein Schaumverhütungsmittel und dgl., enthalten.
Als oberflächenaktives
Mittel können
z.B. Polyoxylaurylether, Polyoxystearylether, Polyoxyethylenoleylether,
Polyethylenglycoldilaurylat usw. genannt werden. Das oberflächenaktive
Mittel wird vorzugsweise in einer Menge von 2 Gew.-Teilen oder weniger,
bezogen auf 100 Gew.-Teile des Feststoffgehalts der Photoresistzusammensetzung,
verwendet.
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Um
eine gleichmäßige und
ebene Photoresistbeschichtung zu erhalten, muß das verwendete Lösungsmittel
eine angemessene Vedampfungsrate und Viskosität aufweisen. Zu Beispielen
eines solchen Lösungsmittels
gehören
Ethylenglycolmonomethylether, Ethylenglycolmonoethylether, Ethylenglycolmonopropylether,
Methylcellosolve-acetat, Ethylcellosolve-acetat, Propylenglycolmonomethyletheracetat,
Propylenglycolmonoethyletheracetat, Propylenglycolmonopropyletheracetat,
Methylethylketon, Cyclohexanon, Methyl-2-hydroxypropionat, Ethyl-2-hydroxypropionat,
2-Heptanon, Ethyllactat und γ-Butyrolacton. Sie
können falls
erforderlich allein oder in Kombinationen verwendet werden. In Abhängigkeit
von seinen physikalischen Eigenschaften, wie Flüchtigkeit und Viskosität, wird
das Lösungsmittel
in einer solchen geeigneten Menge verwendet, daß auf einem Wafer eine gleichmäßige und
ebene Photoresistbeschichtung erzeugt werden kann.
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Die
Photoresistschicht wird typischerweise erhalten, indem die Photoresistlösung auf
einem Wafer aufgebracht und getrocknet wird. Nach dem Filtrieren
kann die Photoresistlösung
unter Anwendung eines Schleuderbeschichtungs-, Flutbeschichtungs-
oder Walzenbeschichtungsverfahrens aufgebracht werden.
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Dann
wird die aufgebrachte Photoresistschicht selektiv bestrahlt, wodurch
feine Muster erhalten werden. Obwohl die verfügbare Strahlung nicht besonders
begrenzt ist, kann sie UV-Licht, wie die I-Linie, tiefes UV-Licht,
wieKrF- oder ArF-Excimerlaser, Röntgenstrahlen
oder Strahlen von geladenen Partikeln, wie Elektronenstrahlen, sein,
wobei dies von der verwendeten Verbindung abhängt, die mittels Licht eine
Säure erzeugt.
Nach dem Bestrahlen kann die gegebenenfalls eine Wärmebehandlung
durchgeführt
werden, um die Empfindlichkeit der Schicht zu verbessern.
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Die
Erzeugung des Photoresistmusters wird schließlich im allgemeinen in einer
Entwicklungslösung beendet.
Zu Beispielen der Entwicklungslösung
gehören
wäßrige Lösungen von
Natriumhydroxid, Kaliumhydroxid, Natriumcarbonat, Natriumsilicat,
Natriummetasilicat, Ammoniakwasser, Ethylamin, n-Propylamin, Triethylamin,
Tetramethylammoniumhydroxid und Tetraethylammoniumhydroxid, wobei
Tetramethylammoniumhydroxid besonders bevorzugt ist. Falls erforderlich,
können
Zusätze,
wie oberflächenaktive
Mittel und wäßrige Alkohole,
zugegeben werden.
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Die
vorliegende Erfindung kann anhand der folgenden Beispiele besser
verständlich
sein, die aufgeführt
sind, um die vorliegende Erfindung zu erläutern, jedoch nicht um sie
einzuschränken.
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Synthese der
Monomere Synthesebeispiel I
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In
einen 4-Hals-Kolben, der mit einem Rührer und einem Rückflußkondensator
ausgestattet war, wurden 50 g eines Zn-Cu-Paars und 90 ml Tetrahydrofuran
gegeben, darauf folgte die langsame Zugabe einer Lösung von
53 ml t-Butylbromacetat und 36 ml 5-Norbornen-2-carboxyaldehyd in
180 ml Tetrahydrofuran. Nach Abschluß der Zugabe wurde die Lösung 2 Stunden
bei 70°C
unter Rückfluß erhitzt
und danach auf Raumtemperatur abgekühlt. Das Zn-Cu-Paar wurde abfiltriert,
danach wurde die Lösung
gewaschen und mit dem gleichen Lösungsmittel
extrahiert und vakuumdestilliert, wodurch 39 g des Monomers 3-Bicyclo[2.2.1]hept-5-en-2-yl-3-hydroxypropionsäure-t-butylester (BHP)
erhalten wurden, das mit der folgenden Strukturformel M-I angegeben
wird.
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Synthesebeispiel II
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Einer
Lösung
von 50 g BHP in Methylenchlorid wurden bei 0°C 37 g Cyclohexancarbonylchlorid
zugesetzt, und danach wurden langsam 32 g Triethylamin zugegeben.
Während
das Triethylamin als Katalysator für die Reaktion diente, konnte
die Lösung
1 Stunde unter Rühren
bei der gleichen Temperatur reagieren, und das Lösungsmittel wurde durch Vakuumdestillation
entfernt. Das mit Ether verdünnte
Reaktionsgemisch wurde mit einer wäßrigen Natriumcarbonatlösung und
danach mit Salzlösung
gewaschen. Die so gebildete organische Schicht wurde abgetrennt
und über
Magnesiumsulfat getrocknet, und das vollständige Entfernen des Lösungsmittels
ergab 66 g des Monomers Cyclohexancarbonsäure-1-bicyclo[2.2.1]hept-5-en-2-ylbutoxycarbonylethylester,
das mit der folgenden Strukturformel M-II angegeben wird:
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Synthesebeispiel III
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30
g Norbornencarbonsäure,
in Methylenchlorid gelöst,
wurden auf 0°C
abgekühlt,
und es wurden 21 g Chlormethylmethylether und danach langsam 28
g Triethylamin zugegeben. In Gegenwart dieses basischen Katalysators
konnten die Reaktanten 1 Stunde unter Rühren bei der gleichen Temperatur
reagieren, und das Lösungsmittel
wurde durch Vakuumdestillation entfernt. Das in Ether verdünnte Reaktionsgemisch
wurde mit einer wäßrigen Natriumcarbonatlösung und
danach mit Salzlösung
gewaschen. Die so gebildete organische Schicht wurde abgetrennt
und über
Magnesiumsulfat getrocknet, und das vollständige Entfernen des Lösungsmittels
ergab 35 g Bicyclo[2.2.1]hept-5-en-2-carbonsäuremethodymethylester, der
mit der folgenden Strukturformel M-III angegeben wird:
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Synthesebeispiel IV
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67
g cis-S-Norbornen-endo-2,3-dicarbonsäureanhydrid und 50 g Diphenylaminopyridin
wurden in 154 ml t-Butanol gelöst
und 15 Stunden bei 80°C
gerührt.
Nach dem Neutralisieren mit einem Überschuß einer 5 %igen wäßrigen HCl-Lösung wurde
das Reaktionsgemisch mit Ethylacetat extrahiert und über Magnesiumsulfat
getrocknet. Es wurde eine Vakuumdestillation durchgeführt, um
das Lösungsmittel
vollständig
zu entfernen, wodurch 91 g Bicyclo[2.2.1]-5-hepten-2,3-dicarbonsäuremono-t-butylester erzeugt
wurden.
-
Danach
wurde das Verfahren von Synthesebeispiel III wiederholt, wobei 52
g Bicyclo[2.2.1]-5-hepten-2,3-dicarbonsäuremono-t-butylester anstelle
von 30 g Norbornencarbonsäure
verwendet wurden, wodurch 51 g des Monomers 3-Bicyclo[2.2.1]hept-5-en-2,3-dicarbonsäure-2-tert.-butylester-3-methoxymethylester
erhalten wurden, das mit der folgenden Strukturformel M-IV angegeben
wird:
-
Synthesebeispiel V
-
50
g 5-Norbornen-2,3-dicarbonsäureanhydrid
und 47 g Isoborneol wurden in Dimethylacetamid gelöst und 15
Stunden bei 80°C
unter Rühren
in Gegenwart von 44 g 4-Dimethylaminopyridin umgesetzt. Nach Abschluß der Reaktion
wurde die Lösung
auf Raumtemperatur abgekühlt
und mit konzentrierter Salzsäure
neutralisiert. Diese neutralisierte Reaktion wurde in Ethylether
verdünnt
und dreimal mit destilliertem Wasser gewaschen. Die erhaltene organische
Schicht wurde über
Magnesiumsulfat getrocknet und filtriert, wodurch 65 g des Monomers
Bicyclo[2.2.1]hept-5-en-2,3-dicarbonsäuremono-(1,7,7-trimethylbicyclo[2.2.1]hept-2-yl)ester erhalten
wurden, das mit der folgenden Strukturformel M-V angegeben wird:
-
Synthesebeispiel VI
-
Das
gleiche Verfahren wie im Synthesebeispiel 5 wurde wiederholt, außer daß anstelle
von 47 g Isoborneol 37,9 g 2-Norbornanmethanol verwendet wurden,
wodurch 64,4 g des Monomers 3-Formylbicyclo[2.2.1]hept-5-en-2-carbonsäurebicyclo[2.2.1]hept-2-ylmethylester
erhalten wurden, das mit der folgenden Strukturformel M-VI angegeben
wird:
-
Synthesebeispiel VII
-
In
Dimethylacetamid wurden 23,2 g der im Synthesebeispiel VI erhaltenen
Verbindung M-VI gelöst, und
es wurden 7,7 g Chlormethylmethylester zugesetzt. Nach dem Abkühlen auf
0°C wurden
der Lösung
langsam unter Rühren
12,1 g Triethylamin zugesetzt, und danach wurde sie 1 Stunde unter
Rührer
bei der gleichen Temperatur umgesetzt. Die Reaktion wurde in Ethylether
verdünnt
und mit einer wäßrigen Na
2CO
3-Lösung und Wasser
gewaschen. Die gebildete organische Schicht wurde abgetrennt, über Magnesiumsulfat
getrocknet und filtriert, wodurch 20,7 g des Monomers Bicyclo[2.2.1]hept-5-en-2,3-dicarbonsäure-2-Bicyclo[2.2.1]hept-2-ylmethylester-3-methoxymethyl ester
möglich
wurden, das mit der folgenden Strukturformel M-VII angegeben wird:
-
Synthesebeispiel VIII
-
Es
wurde das gleiche Verfahren wie im Synthesebeispiel VII wiederholt,
außer
daß anstelle
von 7,7 g Chlormethylmethylether 12,7 g 2-(Chlormethoxymethyl)bicyclo[2.2.1]heptan
verwendet wurden, wodurch 26,2 g des Monomers Bicyclo[2.2.1]hept-5-en-2,3-dicarbonsäure-2-(bicyclo[2.2.1]hept-2-ylmethoxymethyl)ester-3-bicyclo[2.2.1]hept-2-ylmethylester
erhalten wurden, das mit der folgenden Strukturformel M-VIII angegeben
wird:
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Synthese von Polymeren
-
Polymerisationsbeispiel
I
-
In
einen 2-Hals-Rundkolben, der mit einem Rührer und einem Rückflußkondensator
ausgestattet war, wurden 3,10 g des im Synthesebeispiel I synthetisierten
Monomers M-I, 12,20 des im Synthesebeispiel II synthetisierten Monomers
M-II, 4,90 g Maleinsäureanhydrid
und 0,28 g Norbornencarbonsäure
zusammen mit 40,95 g Toluol und 0,82 g AIBN gegeben. Unter einer
Argonatmosphäre
wurde die Lösung
gut gemischt, indem sie 2 Stunden bei Raumtemperatur gerührt wurde.
Die Polymerisation wurde eingeleitet, indem der Initiator bei 70°C aktiviert
wurde. 20 Stunden nach der Polymerisation wurde die Reaktion auf
Raumtemperatur abgekühlt. Diese
polymerisierte Lösung
wurde mit Tetrahydrofuran verdünnt,
und es wurde ein Überschuß von Methanol/destilliertem
Wasser (4:1) zugesetzt, wodurch Niederschläge erhalten wurden. Diese wurden
filtriert, und das Filtrat wurde einige Male mit dem gleichen gemischten
Lösungsmittel
gewaschen und vakuumgetrocknet, wodurch 12,70 g des Polymers der
folgenden Strukturformel P1 erhalten wurden. Es hatte ein auf Polystyrol reduziertes
Gewichtsmittel des Molekulargewichts von etwa 5800.
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-
Polymerisationsbeispiel
II
-
Das
Verfahren von Polymerisationsbeispiel I wurde wiederholt, wobei
5,48 g des Monomers M-I, 4,19 g des im Synthesebeispiel III synthetisierten
Monomers M-III, 4,90 g Maleinsäureanhydrid,
1,88 g Norbornencarbonsäure
zusammen mit 0,82 g AIBN als Polymerisationsinitiator und 32,26
g Toluol als Lösungsmittel
verwendet wurden, wodurch 9,68 g des Polymers möglich wurden, das mit der folgenden
Strukturformel P2 angegeben wird. Dieses Polymer hatte ein auf Polystyrol
reduziertes Gewichtsmittel des Molekulargewichts von 6200.
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-
Polymerisationsbeispiel
III
-
Die
Polymerisation wurde in ähnlicher
Weise wie die im Polymerisationsbeispiel I durchgeführt, wobei 5,24
g des Monomers M-I, 7,06 g des im Synthesebeispiel IV synthetisierten
Monomers M-IV, 4,90 g Maleinsäureanhydrid
und 0,41 g Norbornencarbonsäure
zusammen mit 0,82 g AIBN und 35,24 g Toluol verwendet wurden, wodurch
10,57 g des Polymers möglich
wurden, das mit der folgenden Strukturformel P3 angegeben wird.
Dieses Polymer hatte ein auf Polystyrol reduziertes Gewichtsmittel
des Molekulargewichts von 6000.
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Polymerisationsbeispiel
IV
-
5,96
g des Monomers M-I, 7,36 g des im Synthesebeispiel VII synthetisierten
Monomers M-VII, 4,90 g Maleinsäureanhydrid
und 0,41 g Norbornencarbonsäure
wurden in Gegenwart von 0,82 g AIBN in 37,27 g Toluol ähnlich wie
im Polymerisationsbeispiel I polymerisiert, wodurch 9,46 g des Polymers
möglich
wurden, das mit der fol genden Strukturformel P4 angegeben wird,
das ein auf Polystyrol reduziertes Gewichtsmittel des Molekulargewichts
von 5700 hat.
-
-
Polymerisationsbeispiel
V
-
5,96
g des Monomers M-I, 9,43 g des im Synthesebeispiel VIII synthetisierten
Monomers M-VIII, 4,90 g Maleinsäureanhydrid
und 0,41 g Norbornencarbonsäure
wurden in Gegenwart von 0,82 g AIBN in 41,41 g Toluol in ähnlicher
Weise wie im Polymerisationsbeispiel I polymerisiert, wodurch 12,01
g des Polymers möglich
wurden, das mit der folgenden Strukturformel P5 angegeben wird,
das ein auf Polystyrol reduziertes Gewichtsmittel des Molekulargewichts
von 5500 hat.
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Polymerisationsbeispiel
VI
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In
einen 2-Hals-Rundkolben, der mit einem Rührer und einem Rückflußkondensator
ausgestattet war, wurden 4,77 g des im Synthesebeispiel I synthetisierten
Monomers M-I, 9,41 g des im Synthesebeispiel II synthetisierten
Monomers M-II, 4,90 g Maleinsäureanhydrid
und 0,41 Norbornencarbonsäure
zusammen mit 0,49 AIBN eines Polymerisationsinitiator und 38,99
g Ethylacetat als Reaktionslösung
gegeben. Die Lösung
wurde unter einer Argonatmosphäre
gut gemischt, indem sie 2 Stunden bei Raumtemperatur gerührt wurde.
Die Polymerisation wurde 20 Stunden lang durchgeführt, wobei
die Reaktionstemperatur bei 65°C
gehalten wurde. Nach Abschluß der
Polymerisation wurde die Reaktion auf Raumtemperatur abgekühlt. Diese
polymerisierte Lösung
wurde mit Tetrahydrofuran verdünnt,
und es wurde ein Überschuß von Isopropylalkohol
zugesetzt, wodurch Niederschläge
erhalten wurden. Diese wurden filtriert, und das Filtrat wurde einige
Male mit dem gleichen gemischten Lösungsmittel gewaschen und vakuumgetrocknet,
wodurch 10,55 g des Polymers der folgenden Strukturformel P6 erhalten
wurden. Es hatte ein auf Polystyrol reduziertes Gewichtsmittel des
Molekulargewichts von etwa 6400.
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-
Polymerisationsbeispiel
VII
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5,96
g des Monomers M-I, 4,01 g des im Synthesebeispiel VIII synthetisierten
Monomers M-III, 4,90 g Maleinsäureanhydrid
und 0,41 g Norbornencarbonsäure
wurden in Gegenwart von 0,49 g AIBN in 30,57 g Ethylacetat in ähnlicher
Weise wie im Polymerisationsbeispiel VI polymerisiert, wodurch 8,56
g des Polymers der folgenden Strukturformel P7 möglich wurden, das ein auf Polystyrol
reduziertes Gewichtsmittel des Molekulargewichts von 6800 hat.
-
-
Polymerisationsbeispiel
VIII
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3,57
g des Monomers M-I, 11,50 g des im Synthesebeispiel II synthetisierten
Monomers M-II, 4,90 g des im Synthesebeispiel V synthetisierten
Monomers M-V und 0,64 g Maleinsäureanhydrid
wurden in Gegenwart von 0,49 g AIBN in 41,23 Ethylacetat in ähnlicher
Weise wie im Polymerisationsbeispiel VI polymerisiert, wodurch 11,54
g des Polymers der folgenden Strukturformel P8 möglich wurden, das ein auf Polystyrol
reduziertes Gewichtsmittel des Molekulargewichts von 6500 hat.
-
-
Polymerisationsbeispiel
IX
-
4,77
g des Monomers M-I, 4,74 g des im Synthesebeispiel III synthetisierten
Monomers M-III, 4,90 g des im Synthesebeispiel M-VI synthetisierten
Monomers und 1,16 g Maleinsäureanhydrid
wurde in Gegenwart von 0,49 g AIBN in 31,14 g Ethylacetat nach dem
im Polymerisationsbeispiel VI aufgeführten Verfahren polymerisiert,
wodurch 9,03 g des Polymers der folgenden Strukturformel P9 möglich wur den,
das ein auf Polystyrol reduziertes Gewichtsmittel des Molekulargewichts
von 6700 hat.
-
-
Polymerisationsbeispiel
X
-
Es
wurde das gleiche Verfahren wie im Polymerisationsbeispiel VI wiederholt,
wobei 5,96 g des Monomers M-I, 0,64 g des im Synthesebeispiel V
synthetisierten Monomers M-V, 7,69 g des im Synthesebeispiel VIII
synthetisierten Monomers M-VIII und 4,90 g Maleinsäureanhydrid
zusammen mit 0,49 g AIBN und 38,38 Ethylacetat verwendet wurden.
Als Ergebnis wurde das mit der folgenden Formel P10 angegebene Polymer in
einer Menge von 10,36 g erhalten, bei dem ein auf Polystyrol reduziertes
Gewichtsmittel des Molekulargewichts von 6300 gemessen wurde.
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Polymerisationsbeispiel
XI
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Das
gleiche Verfahren wie im Polymerisationsbeispiel I wurde wiederholt,
wobei 4,77 g des Monomers M-I, 10,45 g des im Synthesebeispiel II
synthetisierten Monomers M-II und 4,90 Maleinsäureanhydrid zusammen mit 0,82
g AIBN und 40,25 g Toluol verwendet wurden.
-
Als
Ergebnis wurde das mit der folgenden Formel P11 angegebene Polymer
in einer Menge von 12,27 g erhalten, bei dem ein auf Polystyrol
reduziertes Gewichtsmittel des Molekulargewichts von 5700 gemessen wurde.
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-
Polymerisationsbeispiel
XII
-
Es
wurde das gleiche Verfahren wie im Polymerisationsbeispiel I wiederholt,
wobei 5,96 g des Monomers M-I, 4,56 g des im Synthesebeispiel III
synthetisierten Monomers M-III und 4,90 g Maleinsäureanhydrid zusammen
mit 0,82 g AIBN und 30,83 g Toluol verwendet wurden. Als Ergebnis
wurde das mit der folgenden Formel P12 angegebene Polymer in einer
Menge von 9,56 g erhalten, bei dem ein auf Polystyrol reduziertes Gewichtsmittel
des Molekulargewichts von 5900 gemessen wurde.
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Polymerisationsbeispiel
XIII
-
Es
wurde das gleiche Verfahren wie im Polymerisationsbeispiel VI wiederholt,
wobei 15,68 g des im Synthesebeispiel II synthetisierten Monomers
M-II, 1,59 g des im Synthesebeispiel V synthetisierten Monomers
M-V und 4,90 Maleinsäureanhydrid
zusammen mit 0,49 g AIBN und 44,35 g Ethylacetat verwendet wurden.
Als Ergebnis wurde das mit der folgenden Formel P13 angegebene Polymer
in einer Menge von 11,53 g erhalten, bei dem ein auf Polystyrol
reduziertes Gewichtsmittel des Molekulargewichts von 6100 gemessen wurde.
-
-
Resistformulierung und
Prüfung
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Beispiel I
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100
Gew.-Teile des im Polymerisationsbeispiel I erhaltenen Harzes P1
wurden zusammen mit 1,2 Gew.-Teilen Diphenyl(4-methylphenyl)sulfoniumtriflat
und 0,02 Gew.-Teilen Methylammoniumhydroxid in 460 Gew.-Teilen Propylenglycolmethyletheracetat
gelöst,
und diese Lösung
wurde durch eine 0,2 μm
Membran filtriert.
-
Die
so erhaltene Resistlösung
wurde unter Verwendung einer Schleuderbeschichtungsvorrichtung auf ein
Substrat aufgebracht und 90 Sekunden bei 110°C getrocknet, wodurch eine 0,5 μm dicke Beschichtung erzeugt
wurde. Diese Beschichtung wurde mit einem ArF-Excimerlaser-Stepper
(steper) belichtet, wobei das Diphenyl(4-methylphenyl)sulfoniumtriflat
und das Methylammoniumhydroxid als Verbindung, die mittels Licht eine
Säure erzeugt,
bzw. Mittel zur Verhinderung der Säurediffusion wirkten, und danach
90 Sekunden bei 130°C
getrocknet. Dann wurde die belichtete Beschichtung zum Entwickeln
60 Sekunden in eine wäßrige Tetramethylammoniumhydroxidlösung mit
2,38 Gew.-% getaucht, gewaschen und getrocknet, wodurch ein Resistmuster
erzeugt wurde.
-
Bei
einer Empfindlichkeit von 10 mJ/cm2 wurde
für das
Resistmuster eine gute Haftung am Substrat festgestellt, und es
zeigte eine Auflösung
von 0,13 μm.
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Das
nach dem Entwickeln erzeugte Muster mit 0,2 μm Linien-Zwischenräumen (L/S)
wurde mit einem Rasterelektronenmikroskop beobachtet, um seine Haftung
am Substrat zu überprüfen. Wenn
schlechte Bedingungen, wie ein abgelöster oder lockerer Zustand,
festgestellt wurden, wurde die Haftung am Substrat mit "schlecht" bestimmt, wenn dies
nicht festgestellt wurde, wurde die Haftung am Substrat mit "gut" bestimmt.
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Empfindlichkeit:
Wenn das Muster mit 0,2 μm
Linien-Abständen
(L/S) erzeugt worden war, bei dem die Linien die gleiche Breite
hatten, war die verwendete Belichtungsenergie die optimale Energie
und wurde als die Empfindlichkeit für das Muster angesehen. Eine
Abmessung des Musters, bei der das Muster bei der optimalen Energie
so minimal wie möglich
aufgelöst
werden konnte, wurde als Auflösung
für das
Muster definiert.
-
Beispiele
II bis XIII
-
Die
in den Polymerisationsbeispielen II bis XIII erhaltenen Harze wurden
zusammen mit einer Verbindung, die mittels Licht eine Säure erzeugt,,
und einem Basenzusatz in einem Lösungsmittel
gelöst
und durch 0,2 μm
Membranen filtriert, wodurch Resistzusammensetzungen hergestellt
wurden, wie sie in der nachstehenden Tabelle 1 angegeben sind.
-
Mit
einem ArF-Excimerlaser-Stepper (numerische Linsenöffnung 0,60)
wurden aus diesen Resistzusammensetzungen Positiv-Resistmuster erzeugt,
die wie in Beispiel I getestet wurden. Die Testergebnisse sind in
der nachfolgenden Tabelle 1 aufgeführt.
-
-
Es
wurde auch eine Beobachtung vorgenommen, um die Verformung der Resistmuster
durch Wärme zu überprüfen, nachdem
sie auf einer Heizplatte bei 110°C
erwärmt
worden waren, was zu der Schlußfolgerung
führte,
daß nirgendwo
verformte Muster festgestellt wurden und ihre Wärmebeständigkeit hervorragend ist.
-
Beispiele XIV bis XIX
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Die
in den vorstehend aufgeführten
Poiymerisationsbeispielen erhaltenen Harze P1, P3 und P11 bis P13
wurden einzeln oder in Kombinationen zusammen mit Verbindungen,
die mittels Licht eine Säure
erzeugen und Basenzusätzen
in einem Lösungsmittel
gelöst
und durch 0,2 μm
Membranen filtriert, wodurch Resistzusammensetzungen erzeugt wurden,
wie sie in der nachstehenden Tabelle 2 angegeben sind. Mit einem ArF-Excimerlaser-Stepper
(numerische Linsenöffnung
0,60) wurden aus diesen Resistzusammensetzungen Positiv-Resistmuster
erzeugt, die wie in Beispiel I getestet wurden. Die Testergebnisse
sind in der nachfolgenden Tabelle 2 aufgeführt.
-
-
Es
wurde auch eine Beobachtung vorgenommen, um die Verformung der Resistmuster
durch Wärme zu überprüfen, nachdem
sie auf einer Heizplatte bei 110°C
erwärmt
worden waren, was zu der Schluß folgerung
führte,
daß nirgendwo
verformte Muster festgestellt wurden und ihre Wärmebeständigkeit hervorragend ist.
-
Wie
bereits beschrieben kann bei den erfindungsgemäßen Resistzusammensetzungen
mit chemischer Verstärkung
die Empfindlichkeit leicht gesteuert werden, indem der Gehalt und
die Art der Carbonsäure enthaltenden
Norbornen-Derivate in den Matrixpolymeren geregelt wird, außerdem sind
sie in bezug auf die Haftung am Substrat und die Trockenätzbeständigkeit
hervorragend. Mit diesen Vorteilen können die Resistzusammensetzungen
mit chemischer Verstärkung
zu Resistmustern mit viel besserer Transparenz, Lichtempfindlichkeit
und Auflösung
geformt werden. Folglich können
die erfindungsgemäßen Resistzusammensetzungen
mit chemischer Verstärkung
somit bei der Herstellung von Halbleitervorrichtungen vorteilhaft
sein, bei denen eine weitere Miniaturisierung erwartet wird. Insbesondere
sind die Resistzusammensetzungen für Krf- und ArF-Excimerlaser
geeignet, wodurch ein Submirkon-Lithographieverfahren möglich wird,
das so ausgezeichnet wie 0,2 μm
oder weniger ist.
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Die
vorliegende Erfindung wurde erläuternd
beschrieben, und es soll selbstverständlich sein, daß die benutzte
Terminologie entsprechend der Art der Beschreibung und nicht als
Einschränkung
gedacht ist. Angesichts der vorangegangenen Beschreibung sind viele
Modifikationen und Abänderungen
der vorliegenden Erfindung möglich.
Folglich soll es selbstverständlich
sein, daß die
Erfindung im Umfang der zugehörigen
Ansprüche
auf anderer Weise in die Praxis umgesetzt werden kann, als es hier
besonders beschrieben ist.