JP2011175241A - フォトレジストおよびその使用方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明のフォトレジストは、低Tg成分を含む新規のフォトレジストであり、これを用いることでSiON、酸化ケイ素、窒化ケイ素および他の無機表面のような下地無機表面に対して良好な解像度、接着性を示し、イオン注入リソグラフィ用途に特に有用であり、サブ300nm、および200nm、例えば248nm、193nmおよびEUVをはじめとする短波長像形成に有用である。
【選択図】なし
Description
1)248nmでの像形成に特に好適な、化学増幅ポジ型レジストを提供できる酸不安定基を含むフェノール樹脂。この種類の特に好ましい樹脂には以下のものが挙げられる:i)ビニルフェノールおよびアクリル酸アルキルの重合単位を含むポリマー、このポリマーにおいては、重合されたアクリル酸アルキル単位は光酸の存在下でデブロッキング(deblocking)反応を受けうる。典型的には、光酸誘起デブロッキング反応を受けうるアクリル酸アルキルには、例えば、アクリル酸t−ブチル、メタクリル酸t−ブチル、アクリル酸メチルアダマンチル、メタクリル酸メチルアダマンチル、および光酸誘起反応を受けうる他の非環式アルキルおよび脂環式アクリラートが挙げられ、例えば、米国特許第6,042,997号および第5,492,793号(参照により本明細書に組み込まれる)におけるポリマーが挙げられる;ii)ビニルフェノール、場合によって置換された(ただし、ヒドロキシまたはカルボキシ環置換基を含まない)ビニルフェニル(例えば、スチレン)、および上記ポリマーi)について記載されるデブロッキング基のもののようなアクリル酸アルキルの重合単位を含むポリマー、例えば、米国特許第6,042,997号(参照により本明細書に組み込まれる)に記載されているポリマー;並びに、iii)光酸と反応しうるアセタールまたはケタール部分を含む繰り返し単位を含み、および場合によって芳香族繰り返し単位、例えば、フェニルもしくはフェノール性基などを含むポリマー;
2)実質的にまたは完全にフェニルまたは他の芳香族基を含まない樹脂、これは193nmのようなサブ200nm波長での像形成に特に好適な化学増幅ポジ型レジストを提供できる。特に好ましいこの種類の樹脂には以下のものが挙げられる;i)場合によって置換されたノルボルネンのような、非芳香族環式オレフィン(環内二重結合)の重合単位を含むポリマー、例えば、米国特許第5,843,624号(参照により本明細書に組み込まれる)に記載されているポリマー;ii)アクリル酸アルキル単位、例えば、アクリル酸t−ブチル、メタクリル酸t−ブチル、アクリル酸メチルアダマンチル、メタクリル酸メチルアダマンチル、および他の非環式アルキルおよび脂環式アクリラートを含むポリマー;例えば、米国特許第6,057,083号に記載されているポリマー。
上述のように、ここで、本発明者は、1)光酸不安定基を好適に含むことができる樹脂成分;2)1種以上の光酸発生剤化合物;および3)低Tg樹脂;を好適に含む新規のフォトレジストを提供する。好ましくは、これらの成分1)、2)および3)は別個であり、すなわち共有結合されておらず、かつそれぞれ異なる物質である。本発明の好ましいフォトレジストはポジ型レジストであり、特に化学増幅型レジストである。本発明は、ネガ型フォトレジストも含み、この場合、このレジストは、本明細書において開示されるように、樹脂、架橋機能およびフェノール系成分を含むことができる。
1.樹脂
フォトレジストの樹脂(すぐ上の構造中の樹脂1として特定される)が上に示され、そこでは、ターポリマーの各繰り返し単位の右にある数値はターポリマーにおけるその単位の(その樹脂合成中の添加モノマーに基づく)重量での量を表す。この樹脂は、流体フォトレジストの全重量の12.0重量パーセントの量で存在する。
2.光酸発生剤化合物(PAG)
PAGは、流体フォトレジストの全重量の2.5重量パーセントで存在するt−ブチルフェニルテトラメチレンスルホニウムペルフルオロブタンスルホナートである。
3.塩基性添加剤
塩基性添加剤は、フォトレジスト組成物の全重量を基準にして0.017重量%の量のN−アルキルカプロラクタムである。
4.低Tg樹脂
このフォトレジストの低Tg樹脂は上に示され、そこでは、ターポリマーの各繰り返し単位の右にある数値は、ターポリマーにおける単位の(その樹脂合成中の添加モノマーに基づく)重量での量を表す。この低Tg樹脂は流体フォトレジストの全重量の8重量パーセントの量で存在する。
5.溶媒
溶媒は乳酸エチルであり、レジストの残部を提供する。
実施例1の配合されたレジスト組成物はSiONウェハ表面上にスピンコートされ、90℃で60秒間、真空ホットプレートでソフトベークされる。レジスト塗膜層は、フォトマスクを通した193nmで露光され、次いで、露光された塗膜層は110℃で露光後ベークされる。コーティングされたウェハは、次いで0.26Nのテトラブチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で処理されて、像形成されたレジスト層を現像する。
フォトレジストレリーフ像の形成後、基体(レジストマスクを有する)は高エネルギー(>20eV、減圧環境)リンイオン注入処理にかけられる。
Claims (10)
- 1)樹脂、2)光活性成分、および3)樹脂1)よりも少なくとも約5℃低いTgを有する樹脂;を含む化学増幅ポジ型フォトレジスト組成物のレリーフ像を半導体基体上にコーティングした半導体基体を提供し;並びに
イオンを前記基体に適用する;
ことを含む、イオン注入された半導体基体を提供する方法。 - 1)樹脂、2)光活性成分、および3)ペンダントヒドロキシ(C2−20)アルキルおよび/またはペンダントC1−20アルコキシ部分を含む樹脂;を含む化学増幅ポジ型フォトレジスト組成物のレリーフ像を半導体基体上にコーティングした半導体基体を提供し;並びに
イオンを前記基体に適用する;
ことを含む、イオン注入された半導体基体を提供する方法。 - 樹脂3)が約8,000以下の重量平均分子量を有する、請求項1または2に記載の方法。
- 樹脂3)が約5,000以下の重量平均分子量を有する、請求項1または2に記載の方法。
- 1)樹脂、2)光活性成分、および3)樹脂1)よりも少なくとも約5℃低いTgを有する樹脂;を含む化学増幅ポジ型フォトレジスト組成物のレリーフ像を半導体ウェハ上にコーティングした半導体ウェハであって;
ドーパントイオンを適用した前記ウェハ;
を含むコーティングされた基体。 - 1)樹脂、2)光活性成分、および3)ペンダントヒドロキシ(C2−20)アルキルおよび/またはペンダントC1−20アルコキシ部分を含む樹脂;を含む化学増幅ポジ型フォトレジスト組成物のレリーフ像を半導体ウェハ上にコーティングした半導体ウェハであって;
ドーパントイオンを適用した前記ウェハ;
を含むコーティングされた基体。 - (a)1)樹脂、2)光活性成分、および3)樹脂1)よりも少なくとも約5℃低いTgを有する樹脂;を含むフォトレジストを基体上に適用し;並びに
(b)フォトレジスト塗膜層をパターン化された活性化放射線に露光する;
ことを含む、フォトレジストレリーフ像を形成する方法。 - (a)1)樹脂、2)光活性成分、および3)ペンダントヒドロキシ(C2−20)アルキルおよび/またはペンダントC1−20アルコキシ部分を含む樹脂;を含むフォトレジストを基体上に適用し;並びに
(b)フォトレジスト塗膜層をパターン化された活性化放射線に露光する;
ことを含む、フォトレジストレリーフ像を形成する方法。 - 1)放射線が193nmの波長を有し、および/または2)フォトレジスト組成物が無機表面上に適用される、請求項7または8に記載の方法。
- 1)樹脂、2)光活性成分、並びに3)i)樹脂1)よりも少なくとも約5℃低いTgを有する樹脂、および/またはii)ペンダントヒドロキシ(C2−20)アルキルおよび/またはペンダントC1−20アルコキシ部分を含む樹脂;を含むフォトレジスト組成物。
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