JP2011175241A5 - - Google Patents
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Description
低Ｔｇ樹脂は、典型的には、他のレジスト成分、例えば、光酸不安定またはデブロッキング樹脂、光酸発生剤、塩基性添加剤、界面活性剤／レベラー、可塑剤および／または溶媒とはさらに別個のレジスト成分であることができる。
表面上へのフォトレジストのコーティングに続いて、フォトレジストは、好ましくはフォトレジスト塗膜が粘着性でなくなるまで、加熱により乾燥させられて溶媒を除去することができる。
次いで、フォトレジスト層は像形成性放射線に露光される。液浸リソグラフィプロセスが使用されても良い。本明細書における「液浸露光」または他の類似の用語についての言及は、露光ツールと塗布されたフォトレジスト組成物層との間に挿入された液体層（例えば、水または添加剤を含む水）を用いて露光が行われることを示す。
Claims (9)
- １）樹脂、２）光活性成分、および３）８，０００以下の重量平均分子量を有し、かつ樹脂１）よりも少なくとも５℃低いＴｇを有する樹脂；を含む化学増幅ポジ型フォトレジスト組成物のレリーフ像を半導体基体上にコーティングした半導体基体を提供し；並びに
イオンを前記基体に適用する；
ことを含む、イオン注入された半導体基体を提供する方法。 - 樹脂３）が５，０００以下の重量平均分子量を有する、請求項１に記載の方法。
- 樹脂３）が、重合単位として、エチレングリコールメタクリラート、エチレングリコールアクリラート、ジエチレングリコールメタクリラート、ジエチレングリコールアクリラート、およびこれらの対応する低級アルキルエーテル、並びに４個以上の炭素原子を有するアルキルアクリラート、およびヒドロキシアルキル置換基が１〜２０個の炭素原子を有するヒドロキシアルキルメタクリラートもしくはアクリラートからなる群から選択される軟質モノマーを含む、請求項１に記載の方法。
- １）樹脂、２）光活性成分、および３）８，０００以下の重量平均分子量を有し、かつ樹脂１）よりも少なくとも５℃低いＴｇを有する樹脂；を含む化学増幅ポジ型フォトレジスト組成物のレリーフ像を半導体ウェハ上にコーティングした半導体ウェハであって；
ドーパントイオンを適用した前記ウェハ；
を含むコーティングされた基体。 - 樹脂３）が、重合単位として、エチレングリコールメタクリラート、エチレングリコールアクリラート、ジエチレングリコールメタクリラート、ジエチレングリコールアクリラート、およびこれらの対応する低級アルキルエーテル、並びに４個以上の炭素原子を有するアルキルアクリラート、およびヒドロキシアルキル置換基が１〜２０個の炭素原子を有するヒドロキシアルキルメタクリラートもしくはアクリラートからなる群から選択される軟質モノマーを含む、請求項４に記載のコーティングされた基体。
- （ａ）１）樹脂、２）光活性成分、および３）８，０００以下の重量平均分子量を有し、かつ樹脂１）よりも少なくとも５℃低いＴｇを有する樹脂；を含むフォトレジストを基体上に適用し；並びに
（ｂ）フォトレジスト塗膜層をパターン化された活性化放射線に露光する；
ことを含む、フォトレジストレリーフ像を形成する方法。 - 樹脂３）が、重合単位として、エチレングリコールメタクリラート、エチレングリコールアクリラート、ジエチレングリコールメタクリラート、ジエチレングリコールアクリラート、およびこれらの対応する低級アルキルエーテル、並びに４個以上の炭素原子を有するアルキルアクリラート、およびヒドロキシアルキル置換基が１〜２０個の炭素原子を有するヒドロキシアルキルメタクリラートもしくはアクリラートからなる群から選択される軟質モノマーを含む、請求項６に記載のフォトレジストレリーフ像を形成する方法。
- １）樹脂、２）光活性成分、並びに３）ｉ）８，０００以下の重量平均分子量を有し、かつ樹脂１）よりも少なくとも５℃低いＴｇを有する樹脂；を含むフォトレジスト組成物。
- 樹脂３）が、重合単位として、エチレングリコールメタクリラート、エチレングリコールアクリラート、ジエチレングリコールメタクリラート、ジエチレングリコールアクリラート、およびこれらの対応する低級アルキルエーテル、並びに４個以上の炭素原子を有するアルキルアクリラート、およびヒドロキシアルキル置換基が１〜２０個の炭素原子を有するヒドロキシアルキルメタクリラートもしくはアクリラートからなる群から選択される軟質モノマーを含む、請求項８に記載のフォトレジスト組成物。
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