JP2011227448A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011227448A5 JP2011227448A5 JP2010279128A JP2010279128A JP2011227448A5 JP 2011227448 A5 JP2011227448 A5 JP 2011227448A5 JP 2010279128 A JP2010279128 A JP 2010279128A JP 2010279128 A JP2010279128 A JP 2010279128A JP 2011227448 A5 JP2011227448 A5 JP 2011227448A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoresist
- exposure
- photoacid
- photoacid labile
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 6
- FAYMLNNRGCYLSR-UHFFFAOYSA-M Triphenylsulfonium triflate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)F.C1=CC=CC=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 FAYMLNNRGCYLSR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004036 acetal group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000000671 immersion lithography Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
Description
フェノール系成分は、典型的には、他のレジスト成分、例えば、光酸不安定またはデブロッキング樹脂、光酸発生剤、塩基性添加剤、界面活性剤／レベラー、可塑剤および／または溶媒とはさらに別個のレジスト成分であることができる。よって、少なくとも特定の形態においては、レジストにおける使用に好適なフェノール系成分は、フォトレジスト露光工程の結果としてデブロッキング反応を受ける光酸不安定エステルまたはアセタール基のような光酸不安定部分を含まなくても良い。
表面上へのフォトレジストのコーティングに続いて、フォトレジストは、好ましくはフォトレジスト塗膜が粘着性でなくなるまで、加熱により乾燥させられて溶媒を除去することができる。
次いで、フォトレジスト層は像形成性放射線に露光される。液浸リソグラフィプロセスが使用されても良い。本明細書における「液浸露光」または他の類似の用語についての言及は、露光ツールと塗布されたフォトレジスト組成物層との間に挿入された液体層（例えば、水または添加剤を含む水）を用いて露光が行われることを示す。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US28675609P | 2009-12-15 | 2009-12-15 | |
| US61/286756 | 2009-12-15 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2015048537A Division JP6121464B2 (ja) | 2009-12-15 | 2015-03-11 | フォトレジストおよびその使用方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2011227448A JP2011227448A (ja) | 2011-11-10 |
| JP2011227448A5 true JP2011227448A5 (ja) | 2015-05-07 |
| JP5753681B2 JP5753681B2 (ja) | 2015-07-22 |
Family
ID=43752182
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2010279128A Active JP5753681B2 (ja) | 2009-12-15 | 2010-12-15 | フォトレジストおよびその使用方法 |
| JP2015048537A Active JP6121464B2 (ja) | 2009-12-15 | 2015-03-11 | フォトレジストおよびその使用方法 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2015048537A Active JP6121464B2 (ja) | 2009-12-15 | 2015-03-11 | フォトレジストおよびその使用方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US8815754B2 (ja) |
| EP (1) | EP2336827B1 (ja) |
| JP (2) | JP5753681B2 (ja) |
| KR (1) | KR101877360B1 (ja) |
| CN (1) | CN102201333B (ja) |
| TW (1) | TWI468865B (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5776580B2 (ja) * | 2011-02-25 | 2015-09-09 | 信越化学工業株式会社 | ポジ型レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法 |
| JP6241035B2 (ja) * | 2011-12-26 | 2017-12-06 | 東レ株式会社 | 感光性樹脂組成物および半導体素子の製造方法 |
| TWI721371B (zh) * | 2013-12-26 | 2021-03-11 | 日商旭化成電子材料股份有限公司 | 感光性樹脂組合物及感光性樹脂積層體 |
| US10365322B2 (en) | 2016-04-19 | 2019-07-30 | Analog Devices Global | Wear-out monitor device |
| US10677822B2 (en) | 2016-09-27 | 2020-06-09 | Analog Devices Global Unlimited Company | Electrical overstress detection device |
| US11112436B2 (en) | 2018-03-26 | 2021-09-07 | Analog Devices International Unlimited Company | Spark gap structures for detection and protection against electrical overstress events |
| CN109164685B (zh) * | 2018-09-26 | 2022-06-28 | 珠海雅天科技有限公司 | 一种euv光刻胶及其制备方法与应用 |
Family Cites Families (36)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4491628A (en) | 1982-08-23 | 1985-01-01 | International Business Machines Corporation | Positive- and negative-working resist compositions with acid generating photoinitiator and polymer with acid labile groups pendant from polymer backbone |
| US4564575A (en) * | 1984-01-30 | 1986-01-14 | International Business Machines Corporation | Tailoring of novolak and diazoquinone positive resists by acylation of novolak |
| US4968581A (en) | 1986-02-24 | 1990-11-06 | Hoechst Celanese Corporation | High resolution photoresist of imide containing polymers |
| US4810613A (en) | 1987-05-22 | 1989-03-07 | Hoechst Celanese Corporation | Blocked monomer and polymers therefrom for use as photoresists |
| DE3721741A1 (de) | 1987-07-01 | 1989-01-12 | Basf Ag | Strahlungsempfindliches gemisch fuer lichtempfindliche beschichtungsmaterialien |
| DE68926019T2 (de) | 1988-10-28 | 1996-10-02 | Ibm | Positiv arbeitende hochempfindliche Photolack-Zusammensetzung |
| DE4112970A1 (de) | 1991-04-20 | 1992-10-22 | Hoechst Ag | Saeurespaltbare strahlungsempfindliche verbindungen, diese enthaltendes strahlungsempfindliches gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial |
| US5186383A (en) | 1991-10-02 | 1993-02-16 | Motorola, Inc. | Method for forming solder bump interconnections to a solder-plated circuit trace |
| EP0605089B1 (en) | 1992-11-03 | 1999-01-07 | International Business Machines Corporation | Photoresist composition |
| US5902472A (en) | 1996-01-30 | 1999-05-11 | Naganoken And Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Aqueous solution for forming metal complexes, tin-silver alloy plating bath, and process for producing plated object using the plating bath |
| US5843624A (en) | 1996-03-08 | 1998-12-01 | Lucent Technologies Inc. | Energy-sensitive resist material and a process for device fabrication using an energy-sensitive resist material |
| US5861231A (en) | 1996-06-11 | 1999-01-19 | Shipley Company, L.L.C. | Copolymers and photoresist compositions comprising copolymer resin binder component |
| US6099713A (en) | 1996-11-25 | 2000-08-08 | C. Uyemura & Co., Ltd. | Tin-silver alloy electroplating bath and tin-silver alloy electroplating process |
| JPH10254137A (ja) * | 1997-03-11 | 1998-09-25 | Nec Corp | 化学増幅系レジスト |
| KR100219806B1 (ko) | 1997-05-27 | 1999-09-01 | 윤종용 | 반도체장치의 플립 칩 실장형 솔더 범프의 제조방법, 이에 따라 제조되는 솔더범프 및 그 분석방법 |
| US5990564A (en) | 1997-05-30 | 1999-11-23 | Lucent Technologies Inc. | Flip chip packaging of memory chips |
| US6057083A (en) | 1997-11-04 | 2000-05-02 | Shipley Company, L.L.C. | Polymers and photoresist compositions |
| US6365321B1 (en) * | 1999-04-13 | 2002-04-02 | International Business Machines Corporation | Blends of hydroxystyrene polymers for use in chemically amplified positive resist formulations |
| US6890448B2 (en) * | 1999-06-11 | 2005-05-10 | Shipley Company, L.L.C. | Antireflective hard mask compositions |
| US6638847B1 (en) | 2000-04-19 | 2003-10-28 | Advanced Interconnect Technology Ltd. | Method of forming lead-free bump interconnections |
| US6593182B2 (en) * | 2001-03-19 | 2003-07-15 | Macronix International Co., Ltd. | Method for forming multiple gate oxide layer with the plasma oxygen doping |
| KR100393230B1 (ko) * | 2001-08-16 | 2003-07-31 | 삼성전자주식회사 | 잔막율을 조절할 수 있는 포토레지스트 패턴의 형성방법 |
| US7297616B2 (en) | 2003-04-09 | 2007-11-20 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Methods, photoresists and substrates for ion-implant lithography |
| JP4570910B2 (ja) * | 2004-06-08 | 2010-10-27 | 東京応化工業株式会社 | 重合体およびポジ型レジスト組成物 |
| US7433004B2 (en) * | 2004-06-11 | 2008-10-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Color filter substrate, method of making the color filter substrate and display device including the color filter substrate |
| US20060172223A1 (en) * | 2004-11-24 | 2006-08-03 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Photoresist compositions |
| JP4789599B2 (ja) * | 2004-12-06 | 2011-10-12 | ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ，エル．エル．シー． | フォトレジスト組成物 |
| US7081327B2 (en) | 2004-12-29 | 2006-07-25 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Chemically amplified positive photoresist composition for thick film, thick-film photoresist laminated product, manufacturing method for thick-film resist pattern, and manufacturing method for connection terminal |
| JP4533756B2 (ja) * | 2005-01-07 | 2010-09-01 | 富士フイルム株式会社 | イオン注入工程用ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたイオン注入方法 |
| JP5047502B2 (ja) * | 2005-01-19 | 2012-10-10 | ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ，エル．エル．シー． | 樹脂混合物を含むフォトレジスト組成物 |
| JP4663459B2 (ja) * | 2005-09-07 | 2011-04-06 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
| WO2008023750A1 (fr) * | 2006-08-24 | 2008-02-28 | Jsr Corporation | Procédé d'implantation d'ions et composition de résine sensible au rayonnement pour une utilisation dans celui-ci |
| JP4798027B2 (ja) * | 2007-01-18 | 2011-10-19 | Ｊｓｒ株式会社 | イオンインプランテーション用感放射線性樹脂組成物、及びイオンインプランテーション用パターン形成方法 |
| JP5032362B2 (ja) * | 2007-03-12 | 2012-09-26 | ローム アンド ハース カンパニー | ヒドロキシフェニルアクリレート系モノマーおよびポリマー |
| JP5260094B2 (ja) * | 2007-03-12 | 2013-08-14 | ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ，エル．エル．シー． | フェノール系ポリマー及びこれを含有するフォトレジスト |
| JP2009063823A (ja) * | 2007-09-06 | 2009-03-26 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ポジ型ホトレジスト組成物、積層体およびパターン形成方法 |
-
2010
- 2010-12-15 EP EP10195067.3A patent/EP2336827B1/en not_active Not-in-force
- 2010-12-15 KR KR1020100128671A patent/KR101877360B1/ko active IP Right Grant
- 2010-12-15 CN CN201010625281.1A patent/CN102201333B/zh active Active
- 2010-12-15 JP JP2010279128A patent/JP5753681B2/ja active Active
- 2010-12-15 TW TW99143922A patent/TWI468865B/zh not_active IP Right Cessation
- 2010-12-15 US US12/969,183 patent/US8815754B2/en active Active
-
2014
- 2014-08-25 US US14/467,630 patent/US9502254B2/en active Active
-
2015
- 2015-03-11 JP JP2015048537A patent/JP6121464B2/ja active Active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2011186432A5 (ja) | ||
| JP2011227448A5 (ja) | ||
| JP2016040382A5 (ja) | ||
| JP2019163463A5 (ja) | ||
| JP2016189006A5 (ja) | ||
| JP2008509554A5 (ja) | ||
| JP5590364B2 (ja) | フォトレジスト剥離液組成物 | |
| JP2008309878A5 (ja) | ||
| JP2014149409A5 (ja) | ||
| JP2010503016A5 (ja) | ||
| JP2014143415A5 (ja) | ||
| JP2014071424A5 (ja) | ||
| JP6706530B2 (ja) | レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 | |
| JP2006350325A5 (ja) | ||
| JP2012103679A5 (ja) | ||
| JP2014164177A5 (ja) | ||
| ATE533833T1 (de) | Wässrige reinigungszusammensetzung und verwendungsmethode | |
| CN104919370A (zh) | 上层膜形成用组合物以及使用其的抗蚀图案形成方法 | |
| JP6048679B2 (ja) | ポリマー含有現像液 | |
| JP2015014791A (ja) | ドライフィルムレジスト剥離剤組成物及びそれを用いたドライフィルムレジストの除去方法 | |
| JP2009115835A5 (ja) | ||
| JP2022191267A (ja) | フォトレジストリムーバ組成物 | |
| JP2015121816A5 (ja) | ||
| CN105190441B (zh) | 上层膜形成用组合物以及使用了其的抗蚀图案形成方法 | |
| KR20180018359A (ko) | 반도체용 레지스트 하층막 형성 조성물, 레지스트 하층막, 레지스트 하층막의 형성 방법 및 패터닝 기판의 제조 방법 |