JP6241035B2 - 感光性樹脂組成物および半導体素子の製造方法 - Google Patents
感光性樹脂組成物および半導体素子の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6241035B2 JP6241035B2 JP2012558088A JP2012558088A JP6241035B2 JP 6241035 B2 JP6241035 B2 JP 6241035B2 JP 2012558088 A JP2012558088 A JP 2012558088A JP 2012558088 A JP2012558088 A JP 2012558088A JP 6241035 B2 JP6241035 B2 JP 6241035B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polysiloxane
- group
- resin composition
- photosensitive resin
- carbon atoms
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/34—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies not provided for in groups H01L21/0405, H01L21/0445, H01L21/06, H01L21/16 and H01L21/18 with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/42—Bombardment with radiation
- H01L21/423—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/425—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
- H01L21/426—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation using masks
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0047—Photosensitive materials characterised by additives for obtaining a metallic or ceramic pattern, e.g. by firing
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
- G03F7/023—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
- G03F7/0233—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binders or the macromolecular additives other than the macromolecular quinonediazides
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
- G03F7/032—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
- G03F7/0388—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable with ethylenic or acetylenic bands in the side chains of the photopolymer
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/075—Silicon-containing compounds
- G03F7/0757—Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
Description
また、ポジ型またはネガ型の感光性を示し、イオン注入工程におけるマスクとして使用される感光性樹脂組成物であって、樹脂として(A)ポリシロキサンを含有し、さらに(C)無機粒子を含有し、前記(C)無機粒子の含有量が、感光性樹脂組成物中の溶剤を除く全固形分に対して15重量%以上であって、前記(A)ポリシロキサンが、オルガノシランと無機粒子を反応させて得た、無機粒子含有ポリシロキサンであり、前記(C)無機粒子がシリカ粒子である、感光性樹脂組成物を適用する。
また、ポジ型またはネガ型の感光性を示し、イオン注入工程におけるマスクとして使用される感光性樹脂組成物であって、樹脂として(A)ポリシロキサンを含有し、さらに(C)無機粒子を含有し、前記(C)無機粒子の含有量が、感光性樹脂組成物中の溶剤を除く全固形分に対して15重量%以上であって、さらに、(F)光重合性化合物を含有する、感光性樹脂組成物を適用する。
一般式(2)で表されるオルガノシランにおいて、式中、R3〜R6はそれぞれ独立に水素、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数2〜6のアシル基および炭素数6〜15のアリール基から選ばれる基を表す;これらのアルキル基、アシル基、およびアリール基は無置換体および置換体のどちらでもよい;mは1〜8の整数を表す。
1−フェニルプロパン−1,2−ジオン−2−(O−エトキシカルボニル)オキシム、
アシルオキシイミノ化合物の具体例としては、例えば、アセトフェノン−O−プロパノイルオキシム、ベンゾフェノン−O−プロパノイルオキシム、アセトン−O−プロパノイルオキシム、アセトフェノン−O−ブタノイルオキシム、ベンゾフェノン−O−ブタノイルオキシム、アセトン−O−ブタノイルオキシム、ビス(アセトフェノン)−O,O’−ヘキサン−1,6−ジオイルオキシム、ビス(ベンゾフェノン)−O,O’−ヘキサン−1,6−ジオイルオキシム、ビス(アセトン)−O,O’−ヘキサン−1,6−ジオイルオキシム、アセトフェノン−O−アクリロイルオキシム、ベンゾフェノン−O−アクリロイルオキシム、アセトン−O−アクリロイルオキシムなどが挙げられる。
(F)光重合性化合物の含有量は、特に制限はないが、(A)ポリシロキサン100重量部に対して、1〜50重量部であることが好ましい。なお、(A)ポリシロキサンが、オルガノシランと無機粒子を反応させて得た無機粒子含有ポリシロキサンの場合、オルガノシランと反応させた無機粒子の量と、ポリシロキサンの量とを合計して、100重量部とする。含有量が上記好ましい範囲であると、感度に優れ、焼成膜の硬度や耐薬品性に優れる。
DPHA:「KAYARAD(登録商標) DPHA」(商品名、日本化薬(株)製、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート)
F−477:「メガファック(登録商標) F−477」(商品名、大日本インキ化学工業(株)製)
GBL:γ−ブチロラクトン
GPC:ゲルパーミエーションクロマトグラフィー
HMDS:ヘキサメチルジシラザン
IC−907:「IRGACURE(登録商標) 907」(商品名、BASF製、2−メチル−1−[4−(メチルチオ)フェニル]−2−モルホリノプロパン−1−オン)
IPA:イソプロピルアルコール
L&S:ライン・アンド・スペース
MeOH:メタノール
MDRM:Multi−Density Resolution Mask
MDT:N−トリフルオロメチルスルホニルオキシ−5−ノルボルネン−2,3−ジカルボキシイミド(商品名、ヘレウス(株)製)
NMD−W:2.38wt%TMAH水溶液(商品名、東京応化工業(株)製)
OXE−01:「IRGACURE(登録商標) OXE−01」(商品名、BASF製、1−[4−(フェニルチオ)フェニル]オクタン−1,2−ジオン−2−(O−ベンゾイル)オキシム)
PGME:プロピレングリコールモノメチルエーテル
PGMEA:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
Ph−cc−AP:1−(3,4−ジヒドロキシフェニル)−1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−フェニルエタン(商品名、本州化学工業(株)製)
PL−2L:「クォートロン(登録商標) PL−2L」(商品名、扶桑化学工業(株)製、分散溶液が水である粒子径15〜20nmのシリカ粒子)
PL−2L−DAA:「クォートロン(登録商標) PL−2L−DAA」(商品名、扶桑化学工業(株)製、ジアセトンアルコールを分散媒とした粒子径15〜20nmのシリカ粒子)
PL−2L−IPA:「クォートロン(登録商標) PL−2L−IPA」(商品名、扶桑化学工業(株)製、イソプロピルアルコールを分散媒とした粒子径15〜20nmのシリカ粒子)
PL−2L−MA:「クォートロン(登録商標) PL−2L−MA」(商品名、扶桑化学工業(株)製、メタノールを分散媒とした粒子径15〜20nmのシリカ粒子)
PL−2L−PGME:「クォートロン(登録商標) PL−2L−PGME」(商品名、扶桑化学工業(株)製、プロピレングリコールモノメチルエーテルを分散媒とした粒子径15〜20nmのシリカ粒子)
SI−200:「サンエイド(登録商標) SI−200」(商品名、三新化学工業(株)製、4−(メトキシカルボニルオキシ)フェニルジメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート)
THF:テトラヒドロフラン
TMAH:水酸化テトラメチルアンモニウム
TrisP−HAP:1,1,1−トリス(4−ヒドロキシフェニル)エタン(商品名、本州化学工業(株)製)
TrisP−PA:1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−1−[4−[1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル]フェニル]エタン(商品名、本州化学工業(株)製)
XPS−4958G:「ノボラック樹脂 XPS−4958G」(商品名、群栄化学工業(株)製)。
三口フラスコにフェニルトリメトキシシランを69.40g(83.3mol%)、3−トリメトキシシリルプロピルコハク酸無水物を18.36g(16.7mol%)、PL−2L−MA(22.5wt%のMeOH溶液)を74.69g(シリカ粒子含有ポリシロキサンの重量に対して21.7wt%)、DAAを113.92g仕込んだ。フラスコ内に窒素を0.05L/minで流し、混合溶液を撹拌しながらオイルバスで40℃に加熱した。混合溶液をさらに撹拌しながら、水23.97gにリン酸1.08gを溶かしたリン酸水溶液を10分かけて添加した。添加終了後、40℃で30分間撹拌して、シラン化合物を加水分解させた。その後、バス温を70℃に設定して1時間撹拌した後、続いてバス温を115℃まで昇温した。昇温開始後、約1時間後に溶液の内温が100℃に到達し、そこから1〜3時間加熱撹拌した(内温は100〜110℃)。1〜3時間加熱撹拌して得られた樹脂溶液を氷浴にて冷却した後、陰イオン交換樹脂および陽イオン交換樹脂を、それぞれ樹脂溶液に対して2wt%加えて12時間撹拌した。撹拌後、陰イオン交換樹脂および陽イオン交換樹脂をろ過して除去し、ポリシロキサン溶液(A−1)を得た。得られたポリシロキサン溶液(A−1)の固形分濃度は46wt%、水分率は3.5wt%、ポリシロキサンの重量平均分子量は3200であった。ポリシロキサン中のフェニル基を有するオルガノシラン単位の含有比率は、ポリシロキサン全体のオルガノシラン由来のSi原子モル数に対するSi原子モル比で83.3mol%であった。
メチルトリメトキシシランを54.49g(40mol%)、フェニルトリメトキシシランを99.15g(50mol%)、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシランを24.64g(10mol%)、DAAを179.48g、水を55.86g、リン酸を0.535g使用し、合成例1と同様に重合をして、ポリシロキサン溶液(A−2)を得た。得られたポリシロキサン溶液(A−2)の固形分濃度は43wt%、水分率は2.4wt%、ポリシロキサンの重量平均分子量は4200であった。ポリシロキサン中のフェニル基を有するオルガノシラン単位の含有比率は、ポリシロキサン全体のオルガノシラン由来のSi原子モル数に対するSi原子モル比で50mol%であった。
メチルトリメトキシシランを10.90g(16.4mol%)、フェニルトリメトキシシランを79.32g(82mol%)、3−トリメトキシシリルプロピルコハク酸無水物を2.10g(1.6mol%)、PL−2L(19.7wt%の水溶液)を85.19g(シリカ粒子含有ポリシロキサンの重量に対して22.2wt%)、DAAを180.05g、リン酸を0.683g使用し、合成例1と同様に重合をして、ポリシロキサン溶液(A−3)を得た。得られたポリシロキサン溶液(A−3)の固形分濃度は30wt%、水分率は2.8wt%、ポリシロキサンの重量平均分子量は3000であった。ポリシロキサン中のフェニル基を有するオルガノシラン単位の含有比率は、ポリシロキサン全体のオルガノシラン由来のSi原子モル数に対するSi原子モル比で82mol%であった。
三口フラスコにメチルトリメトキシシランを8.17g(40mol%)、フェニルトリメトキシシランを14.87g(50mol%)、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシランを3.70g(10mol%)、PL−2L−MA(22.5wt%のMeOH溶液)を22.28g(シリカ粒子含有ポリシロキサンの重量に対して23wt%)、DAAを40.48g仕込んだ。フラスコ内に空気を0.05L/minで流し、混合溶液を撹拌しながらオイルバスで40℃に加熱した。混合溶液をさらに撹拌しながら、水8.38gにリン酸0.160gを溶かしたリン酸水溶液を10分かけて添加した。添加終了後、40℃で30分間撹拌して、シラン化合物を加水分解させた。加水分解終了後、バス温を70℃にして1時間撹拌した後、続いてバス温を120℃まで昇温した。昇温開始後、約1時間後に溶液の内温が100℃に到達し、そこから1〜3時間加熱撹拌した(内温は105〜115℃)。1〜3時間加熱撹拌して得られた樹脂溶液を氷浴にて冷却した後、陰イオン交換樹脂および陽イオン交換樹脂を、それぞれ樹脂溶液に対して2wt%加えて12時間撹拌した。撹拌後、陰イオン交換樹脂および陽イオン交換樹脂をろ過して除去し、ポリシロキサン溶液(A−4)を得た。得られたポリシロキサン溶液(A−4)の固形分濃度は35wt%、水分率は2.6wt%、ポリシロキサンの重量平均分子量は1400であった。
メチルトリメトキシシランを10.22g(10mol%)、フェニルトリメトキシシランを74.36g(50mol%)、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシランを9.24g(5mol%)、ビニルトリメトキシシランを22.23g(20mol%)、テトラメトキシシランを17.12g(15mol%)、PGMEAを119.26g、MeOHを13.25g、水を43.25g、リン酸を0.400g使用し、合成例1と同様に重合をして、ポリシロキサン溶液(A−5)を得た。得られたポリシロキサン溶液(A−5)の固形分濃度は44wt%、水分率は1.6wt%、ポリシロキサンの重量平均分子量は4500であった。ポリシロキサン中のフェニル基を有するオルガノシラン単位の含有比率は、ポリシロキサン全体のオルガノシラン由来のSi原子モル数に対するSi原子モル比で50mol%であった。
メチルトリメトキシシランを8.17g(40mol%)、フェニルトリメトキシシランを14.87g(50mol%)、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシランを3.70g(10mol%)、PL−2L−MA(22.5wt%のMeOH溶液)を40.16g(シリカ粒子含有ポリシロキサンの重量に対して35wt%)、DAAを47.95g、水を8.38g、リン酸を0.160g使用し、合成例4と同様に重合をして、ポリシロキサン溶液(A−6)を得た。得られたポリシロキサン溶液(A−6)の固形分濃度は36wt%、水分率は2.4wt%、ポリシロキサンの重量平均分子量は1400であった。
三口フラスコにメチルトリメトキシシランを8.17g(40mol%)、フェニルトリメトキシシランを14.87g(50mol%)、PL−2L−MA(22.5wt%のMeOH溶液)を40.74g(シリカ粒子含有ポリシロキサンの重量に対して35wt%)、DAAを48.63g仕込んだ。フラスコ内に空気を0.05L/minで流し、混合溶液を撹拌しながらオイルバスで40℃に加熱した。混合溶液をさらに撹拌しながら、水8.38gにリン酸0.189gを溶かしたリン酸水溶液を10分かけて添加した。添加終了後、40℃で30分間撹拌して、シラン化合物を加水分解させた。加水分解終了後、3−トリメトキシシリルプロピルコハク酸無水物を3.93g(10mol%)添加した。その後、バス温を70℃にして1時間撹拌した後、続いてバス温を120℃まで昇温した。昇温開始後、約1時間後に溶液の内温が100℃に到達し、そこから1〜3時間加熱撹拌した(内温は105〜115℃)。1〜3時間加熱撹拌して得られた樹脂溶液を氷浴にて冷却した後、陰イオン交換樹脂および陽イオン交換樹脂を、それぞれ樹脂溶液に対して2wt%加えて12時間撹拌した。撹拌後、陰イオン交換樹脂および陽イオン交換樹脂をろ過して除去し、ポリシロキサン溶液(A−7)を得た。得られたポリシロキサン溶液(A−7)の固形分濃度は36wt%、水分率は2.8wt%、ポリシロキサンの重量平均分子量は1400であった。
メチルトリメトキシシランを8.17g(40mol%)、4−トリルトリメトキシシランを15.92g(50mol%)、PL−2L−MA(22.5wt%のMeOH溶液)を43.25g(シリカ粒子含有ポリシロキサンの重量に対して35wt%)、DAAを51.64g、水を8.38g、リン酸を0.224g、3−トリメトキシシリルプロピルコハク酸無水物を3.93g(10mol%)使用し、合成例7と同様に重合をして、ポリシロキサン溶液(A−8)を得た。得られたポリシロキサン溶液(A−8)の固形分濃度は37wt%、水分率は2.8wt%、ポリシロキサンの重量平均分子量は1400であった。
メチルトリメトキシシランを8.17g(40mol%)、1−ナフチルトリメトキシシラン(50wt%のIPA溶液)を37.25g(50mol%)、PL−2L−MA(22.5wt%のMeOH溶液)を49.72g(シリカ粒子含有ポリシロキサンの重量に対して35wt%)、DAAを59.36g、水を8.38g、リン酸を0.154g、3−トリメトキシシリルプロピルコハク酸無水物を3.93g(10mol%)使用し、合成例7と同様に重合をして、ポリシロキサン溶液(A−9)を得た。得られたポリシロキサン溶液(A−9)の固形分濃度は35wt%、水分率は3.1wt%、ポリシロキサンの重量平均分子量は1300であった。
エチルトリメトキシシランを9.02g(40mol%)、1−ナフチルトリメトキシシラン(50wt%のIPA溶液)を37.25g(50mol%)、PL−2L−MA(22.5wt%のMeOH溶液)を51.74g(シリカ粒子含有ポリシロキサンの重量に対して35wt%)、DAAを61.77g、水を8.38g、リン酸を0.158g、3−トリメトキシシリルプロピルコハク酸無水物を3.93g(10mol%)使用し、合成例7と同様に重合をして、ポリシロキサン溶液(A−10)を得た。得られたポリシロキサン溶液(A−10)の固形分濃度は33wt%、水分率は2.9wt%、ポリシロキサンの重量平均分子量は1200であった。
メチルトリメトキシシランを8.17g(40mol%)、1−ナフチルトリメトキシシラン(50wt%のIPA溶液)を37.25g(50mol%)、PL−2L−MA(22.5wt%のMeOH溶液)を27.58g(シリカ粒子含有ポリシロキサンの重量に対して23wt%)、DAAを50.11g、水を8.38g、リン酸を0.154g、3−トリメトキシシリルプロピルコハク酸無水物を3.93g(10mol%)使用し、合成例7と同様に重合をして、ポリシロキサン溶液(A−11)を得た。得られたポリシロキサン溶液(A−11)の固形分濃度は35wt%、水分率は2.9wt%、ポリシロキサンの重量平均分子量は1400であった。
メチルトリメトキシシランを8.17g(40mol%)、1−ナフチルトリメトキシシラン(50wt%のIPA溶液)を37.25g(50mol%)、PL−2L−MA(22.5wt%のMeOH溶液)を81.89g(シリカ粒子含有ポリシロキサンの重量に対して47wt%)、DAAを72.80g、水を8.38g、リン酸を0.154g、3−トリメトキシシリルプロピルコハク酸無水物を3.93g(10mol%)使用し、合成例7と同様に重合をして、ポリシロキサン溶液(A−12)を得た。得られたポリシロキサン溶液(A−12)の固形分濃度は33wt%、水分率は2.3wt%、ポリシロキサンの重量平均分子量は1200であった。
メチルトリメトキシシランを8.17g(40mol%)、1−ナフチルトリメトキシシラン(50wt%のIPA溶液)を37.25g(50mol%)、PL−2L−MA(22.5wt%のMeOH溶液)を138.51g(シリカ粒子含有ポリシロキサンの重量に対して60wt%)、DAAを96.46g、水を8.38g、リン酸を0.154g、3−トリメトキシシリルプロピルコハク酸無水物を3.93g(10mol%)使用し、合成例7と同様に重合をして、ポリシロキサン溶液(A−13)を得た。得られたポリシロキサン溶液(A−13)の固形分濃度は33wt%、水分率は2.1wt%、ポリシロキサンの重量平均分子量は1200であった。
三口フラスコにメチルトリメトキシシランを8.17g(40mol%)、1−ナフチルトリメトキシシラン(50wt%のIPA溶液)を37.25g(50mol%)、PL−2L(19.7wt%の水溶液)を56.79g(シリカ粒子含有ポリシロキサンの重量に対して35wt%)、DAAを53.42g仕込んだ。フラスコ内に空気を0.05L/minで流し、混合溶液を撹拌しながらオイルバスで40℃に加熱した。混合溶液をさらに撹拌しながら、DAA5.94gにリン酸0.154gを溶かしたリン酸DAA溶液を10分かけて添加した。添加終了後、40℃で30分間撹拌して、シラン化合物を加水分解させた。加水分解終了後、3−トリメトキシシリルプロピルコハク酸無水物を3.93g(10mol%)添加した。その後、バス温を70℃にして1時間撹拌した後、続いてバス温を120℃まで昇温した。昇温開始後、約1時間後に溶液の内温が100℃に到達し、そこから1〜3時間加熱撹拌した(内温は105〜115℃)。1〜3時間加熱撹拌して得られた樹脂溶液を氷浴にて冷却した後、陰イオン交換樹脂および陽イオン交換樹脂を、それぞれ樹脂溶液に対して2wt%加えて12時間撹拌した。撹拌後、陰イオン交換樹脂および陽イオン交換樹脂をろ過して除去し、ポリシロキサン溶液(A−14)を得た。得られたポリシロキサン溶液(A−14)の固形分濃度は37wt%、水分率は5.0wt%、ポリシロキサンの重量平均分子量は1000であった。
メチルトリメトキシシランを8.17g(40mol%)、1−ナフチルトリメトキシシラン(50wt%のIPA溶液)を37.25g(50mol%)、PL−2L−IPA(25.1wt%のIPA溶液)を44.57g(シリカ粒子含有ポリシロキサンの重量に対して35wt%)、DAAを59.36g、水を8.38g、リン酸を0.154g、3−トリメトキシシリルプロピルコハク酸無水物を3.93g(10mol%)使用し、合成例7と同様に重合をして、ポリシロキサン溶液(A−15)を得た。得られたポリシロキサン溶液(A−15)の固形分濃度は34wt%、水分率は2.8wt%、ポリシロキサンの重量平均分子量は1300であった。
メチルトリメトキシシランを8.17g(40mol%)、1−ナフチルトリメトキシシラン(50wt%のIPA溶液)を37.25g(50mol%)、PL−2L−PGME(25.2wt%のPGME溶液)を44.39g(シリカ粒子含有ポリシロキサンの重量に対して35wt%)、DAAを59.36g、水を8.38g、リン酸を0.154g、3−トリメトキシシリルプロピルコハク酸無水物を3.93g(10mol%)使用し、合成例7と同様に重合をして、ポリシロキサン溶液(A−16)を得た。得られたポリシロキサン溶液(A−16)の固形分濃度は34wt%、水分率は2.9wt%、ポリシロキサンの重量平均分子量は1300であった。
メチルトリメトキシシランを8.17g(40mol%)、1−ナフチルトリメトキシシラン(50wt%のIPA溶液)を37.25g(50mol%)、PL−2L−DAA(26.4wt%のDAA溶液)を42.38g(シリカ粒子含有ポリシロキサンの重量に対して35wt%)、DAAを59.36g、水を8.38g、リン酸を0.154g、3−トリメトキシシリルプロピルコハク酸無水物を3.93g(10mol%)使用し、合成例7と同様に重合をして、ポリシロキサン溶液(A−17)を得た。得られたポリシロキサン溶液(A−17)の固形分濃度は34wt%、水分率は2.8wt%、ポリシロキサンの重量平均分子量は1300であった。
メチルトリメトキシシランを8.17g(40mol%)、1−ナフチルトリメトキシシラン(50wt%のIPA溶液)を37.25g(50mol%)、テトラメトキシシランを1.14g(5mol%)、PL−2L−MA(22.5wt%のMeOH溶液)を46.85g(シリカ粒子含有ポリシロキサンの重量に対して35wt%)、DAAを55.93g、水を8.38g、リン酸を0.120g、3−トリメトキシシリルプロピルコハク酸無水物を1.97g(5mol%)使用し、合成例7と同様に重合をして、ポリシロキサン溶液(A−18)を得た。得られたポリシロキサン溶液(A−18)の固形分濃度は34wt%、水分率は2.0wt%、ポリシロキサンの重量平均分子量は1400であった。
メチルトリメトキシシランを7.15g(35mol%)、1−ナフチルトリメトキシシラン(50wt%のIPA溶液)を37.25g(50mol%)、テトラメトキシシランを2.28g(10mol%)、PL−2L−MA(22.5wt%のMeOH溶液)を46.72g(シリカ粒子含有ポリシロキサンの重量に対して35wt%)、DAAを55.78g、水を8.51g、リン酸を0.120g、3−トリメトキシシリルプロピルコハク酸無水物を1.97g(5mol%)使用し、合成例7と同様に重合をして、ポリシロキサン溶液(A−19)を得た。得られたポリシロキサン溶液(A−19)の固形分濃度は34wt%、水分率は1.8wt%、ポリシロキサンの重量平均分子量は1400であった。
メチルトリメトキシシランを8.17g(40mol%)、1−ナフチルトリメトキシシラン(50wt%のIPA溶液)を37.25g(50mol%)、テトラエトキシシランを1.56g(5mol%)、PL−2L−MA(22.5wt%のMeOH溶液)を47.85g(シリカ粒子含有ポリシロキサンの重量に対して35wt%)、DAAを57.13g、水を8.38g、リン酸を0.121g、3−トリメトキシシリルプロピルコハク酸無水物を1.97g(5mol%)使用し、合成例7と同様に重合をして、ポリシロキサン溶液(A−20)を得た。得られたポリシロキサン溶液(A−20)の固形分濃度は33wt%、水分率は1.9wt%、ポリシロキサンの重量平均分子量は1400であった。
メチルトリメトキシシランを8.17g(40mol%)、1−ナフチルトリメトキシシラン(50wt%のIPA溶液)を37.25g(50mol%)、ジメチルジメトキシシランを0.90g(5mol%)、PL−2L−MA(22.5wt%のMeOH溶液)を47.10g(シリカ粒子含有ポリシロキサンの重量に対して35wt%)、DAAを56.23g、水を8.11g、リン酸を0.089g、3−トリメトキシシリルプロピルコハク酸無水物を1.97g(5mol%)使用し、合成例7と同様に重合をして、ポリシロキサン溶液(A−21)を得た。得られたポリシロキサン溶液(A−21)の固形分濃度は35wt%、水分率は2.9wt%、ポリシロキサンの重量平均分子量は1300であった。
メチルトリメトキシシランを5.11g(25mol%)、1−ナフチルトリメトキシシラン(50wt%のIPA溶液)を37.25g(50mol%)、ジメチルジメトキシシランを3.61g(20mol%)、PL−2L−MA(22.5wt%のMeOH溶液)を47.48g(シリカ粒子含有ポリシロキサンの重量に対して35wt%)、DAAを56.68g、水を7.70g、リン酸を0.088g、3−トリメトキシシリルプロピルコハク酸無水物を1.97g(5mol%)使用し、合成例7と同様に重合をして、ポリシロキサン溶液(A−22)を得た。得られたポリシロキサン溶液(A−22)の固形分濃度は33wt%、水分率は2.1wt%、ポリシロキサンの重量平均分子量は1200であった。
メチルトリメトキシシランを8.17g(40mol%)、1−ナフチルトリメトキシシラン(50wt%のIPA溶液)を37.25g(50mol%)、ジフェニルジメトキシシランを1.83g(5mol%)、PL−2L−MA(22.5wt%のMeOH溶液)を49.33g(シリカ粒子含有ポリシロキサンの重量に対して35wt%)、DAAを58.89g、水を8.11g、リン酸を0.092g、3−トリメトキシシリルプロピルコハク酸無水物を1.97g(5mol%)使用し、合成例7と同様に重合をして、ポリシロキサン溶液(A−23)を得た。得られたポリシロキサン溶液(A−23)の固形分濃度は34wt%、水分率は2.5wt%、ポリシロキサンの重量平均分子量は1300であった。
メチルトリメトキシシランを7.15g(35mol%)、1−ナフチルトリメトキシシラン(50wt%のIPA溶液)を37.25g(50mol%)、ジメチルジメトキシシランを0.90g(5mol%)、テトラメトキシシランを1.14g(5mol%)、PL−2L−MA(22.5wt%のMeOH溶液)を46.97g(シリカ粒子含有ポリシロキサンの重量に対して35wt%)、DAAを56.08g、水を8.24g、リン酸を0.119g、3−トリメトキシシリルプロピルコハク酸無水物を1.97g(5mol%)使用し、合成例7と同様に重合をして、ポリシロキサン溶液(A−24)を得た。得られたポリシロキサン溶液(A−24)の固形分濃度は34wt%、水分率は2.3wt%、ポリシロキサンの重量平均分子量は1400であった。
メチルトリメトキシシランを47.68g(35mol%)、フェニルトリメトキシシランを39.66g(20mol%)、3−トリメトキシシリルプロピルコハク酸無水物を26.23g(10mol%)、3−アクリロキシプロピルトリメトキシシランを82.01g(35mol%)、DAAを124.28g、水を55.86g、リン酸を0.391g使用し、合成例1と同様に重合をして、ポリシロキサン溶液(A−25)を得た。得られたポリシロキサン溶液(A−25)の固形分濃度は40wt%、水分率は1.6wt%、ポリシロキサンの重量平均分子量は5500であった。
メチルトリメトキシシランを47.68g(35mol%)、1−ナフチルトリメトキシシラン(50wt%のIPA溶液)を99.34g(20mol%)、3−トリメトキシシリルプロピルコハク酸無水物を26.23g(10mol%)、3−アクリロキシプロピルトリメトキシシランを82.01g(35mol%)、DAAを133.91g、水を55.86g、リン酸を0.411g使用し、合成例1と同様に重合をして、ポリシロキサン溶液(A−26)を得た。得られたポリシロキサン溶液(A−26)の固形分濃度は39wt%、水分率は1.8wt%、ポリシロキサンの重量平均分子量は5300であった。
三口フラスコにメチルトリメトキシシランを7.15g(35mol%)、フェニルトリメトキシシランを5.95g(20mol%)、3−アクリロキシプロピルトリメトキシシランを12.30g(35mol%)、PL−2L−MA(22.5wt%のMeOH溶液)を46.38g(シリカ粒子含有ポリシロキサンの重量に対して35wt%)、DAAを44.72g仕込んだ。フラスコ内に窒素を0.05L/minで流し、混合溶液を撹拌しながらオイルバスで40℃に加熱した。混合溶液をさらに撹拌しながら、水8.38gにリン酸0.059gを溶かしたリン酸水溶液を10分かけて添加した。添加終了後、40℃で30分間撹拌して、シラン化合物を加水分解させた。加水分解終了後、3−トリメトキシシリルプロピルコハク酸無水物を3.93g(10mol%)添加した。その後、バス温を70℃にして1時間撹拌した後、続いてバス温を120℃まで昇温した。昇温開始後、約1時間後に溶液の内温が100℃に到達し、そこから1〜3時間加熱撹拌した(内温は105〜115℃)。1〜3時間加熱撹拌して得られた樹脂溶液を氷浴にて冷却した後、陰イオン交換樹脂および陽イオン交換樹脂を、それぞれ樹脂溶液に対して2wt%加えて12時間撹拌した。撹拌後、陰イオン交換樹脂および陽イオン交換樹脂をろ過して除去し、ポリシロキサン溶液(A−27)を得た。得られたポリシロキサン溶液(A−27)の固形分濃度は35wt%、水分率は2.4wt%、ポリシロキサンの重量平均分子量は2400であった。
メチルトリメトキシシランを7.15g(35mol%)、1−ナフチルトリメトキシシラン(50wt%のIPA溶液)を14.90g(20mol%)、3−アクリロキシプロピルトリメトキシシランを12.30g(35mol%)、PL−2L−MA(22.5wt%のMeOH溶液)を49.97g(シリカ粒子含有ポリシロキサンの重量に対して35wt%)、DAAを48.19g、水を8.38g、リン酸を0.062g、3−トリメトキシシリルプロピルコハク酸無水物を3.93g(10mol%)使用し、合成例27と同様に重合をして、ポリシロキサン溶液(A−28)を得た。得られたポリシロキサン溶液(A−28)の固形分濃度は34wt%、水分率は2.5wt%、ポリシロキサンの重量平均分子量は2300であった。
メチルトリメトキシシランを7.15g(35mol%)、1−ナフチルトリメトキシシラン(50wt%のIPA溶液)を14.90g(20mol%)、3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシランを13.04g(35mol%)、PL−2L−MA(22.5wt%のMeOH溶液)を51.73g(シリカ粒子含有ポリシロキサンの重量に対して35wt%)、DAAを49.89g、水を8.38g、リン酸を0.063g、3−トリメトキシシリルプロピルコハク酸無水物を3.93g(10mol%)使用し、合成例27と同様に重合をして、ポリシロキサン溶液(A−29)を得た。得られたポリシロキサン溶液(A−29)の固形分濃度は34wt%、水分率は2.7wt%、ポリシロキサンの重量平均分子量は2200であった。
乾燥窒素気流下、フラスコにTrisP−PAを21.23g(0.05mol)、5−ナフトキノンジアジドスルホン酸クロリドを37.62g(0.14mol)秤量し、1,4−ジオキサン450gに溶解させて室温にした。ここに、1,4−ジオキサン50gとトリエチルアミン15.58g(0.154mol)の混合溶液を、系内が35℃以上にならないように撹拌しながら滴下した。滴下終了後、混合溶液を30℃で2時間撹拌した。撹拌後、析出したトリエチルアミン塩をろ過によって除去し、ろ液を水に投入して撹拌した。その後、析出した沈殿をろ過して採取した。得られた固体を減圧乾燥によって乾燥させ、下記構造のナフトキノンジアジド化合物(D−1)を得た。
Ph−cc−APを15.32g(0.05mol)、5−ナフトキノンジアジドスルホン酸クロリドを37.62g(0.14mol)、1,4−ジオキサンを450g、および1,4−ジオキサンを50g、トリエチルアミンを15.58g(0.154mol)使用し、合成例30と同様の方法で、下記構造のナフトキノンジアジド化合物(D−2)を得た。
TrisP−HAPを15.32g(0.05mol)、5−ナフトキノンジアジドスルホン酸クロリドを37.62g(0.14mol)、1,4−ジオキサンを450g、および1,4−ジオキサンを50g、トリエチルアミンを15.58g(0.154mol)使用し、合成例30と同様の方法で、下記構造のナフトキノンジアジド化合物(D−3)を得た。
重量を測定したアルミカップにポリシロキサン溶液を1g秤量し、ホットプレート「HP−1SA」(商品名、アズワン(株)製)を用いて250℃で30分間加熱して蒸発乾固させた。加熱後、固形分が残存したアルミカップの重量を測定し、加熱前後の重量の差分から残存した固形分の重量を算出し、ポリシロキサン溶液の固形分濃度を求めた。
カールフィッシャー水分率計「MKS−520」(商品名、京都電子工業(株)製)を用い、滴定試薬としてカールフィッシャー試薬「HYDRANAL(登録商標)−コンポジット5」(商品名、Sigma−Aldrich製)を用いて、「JIS K0113(2005)」に基づき、容量滴定法により、水分率測定を行った。
GPC分析装置「HLC−8220」(東ソー(株)製)を用い、流動層としてTHFを用いてGPC測定を行い、ポリスチレン換算により求めた。
29Si−NMRの測定を行い、オルガノシラン由来のSi全体の積分値に対する、特定のオルガノシラン単位由来のSiの積分値の割合を算出して、それらの含有比率を計算した。試料(液体)は、直径10mm のテフロン(登録商標)製NMRサンプル管に注入して測定に用いた。29Si−NMR測定条件を以下に示す。
装置:核磁気共鳴装置「JNM−GX270」(日本電子(株)製)
測定法:ゲーテッドデカップリング法
測定核周波数:53.6693MHz(29Si核)
スペクトル幅:20000Hz
パルス幅:12μs(45°パルス)
パルス繰り返し時間:30.0s
溶媒:アセトン−d6
基準物質:テトラメチルシラン
測定温度:室温
試料回転数:0.0Hz。
4H−SiCウェハ(東レ・ダウコーニング(株)製)は、ホットプレート「HP−1SA」(商品名、アズワン(株)製)を用いて、130℃で2分間加熱して脱水ベーク処理して使用した。Siウェハ((株)エレクトロニクス エンド マテリアルズ コーポレーション製)は、ホットプレート「HP−1SA」(商品名、アズワン(株)製)を用いて、130℃で2分間加熱して脱水ベーク処理をし、次いで、HMDS処理装置(関西ティーイーケィ(株)製)を用いて、80℃で50秒間、HMDSによる表面疎水化処理をして使用した。単層Crをスパッタにより成膜したガラス基板「単層Cr成膜基板」(製品名、(株)倉元製作所製、以下、Cr基板と呼称する)は、前処理をせずに使用した。
下記、実施例1記載の方法で、高温イナートガスオーブン「INH−9CD−S」(商品名、光洋サーモシステム(株)製)を用いて、感光性樹脂組成物の焼成膜を作製した。焼成条件は、500℃で焼成する場合、窒素気流下、50℃で30分間保持してオーブン内を窒素パージし、次に30分かけて220℃に昇温させ、220℃で30分間保持した。その後1時間かけて500℃に昇温させ、500℃で30分間焼成し、2時間30分かけて50℃まで冷却して、焼成膜を作製した。450℃で焼成する場合、窒素気流下、50℃で30分間保持してオーブン内を窒素パージし、次に30分かけて220℃に昇温させ、220℃で30分間保持した。その後1時間かけて450℃に昇温させ、450℃で30分間焼成し、2時間かけて50℃まで冷却して、焼成膜を作製した。400℃で焼成する場合、窒素気流下、50℃で30分間保持してオーブン内を窒素パージし、次に30分かけて220℃に昇温させ、220℃で30分間保持した。その後45分かけて400℃に昇温させ、400℃で30分間焼成し、2時間かけて50℃まで冷却して、焼成膜を作製した。350℃で焼成する場合、窒素気流下、50℃で30分間保持してオーブン内を窒素パージし、次に30分かけて220℃に昇温させ、220℃で30分間保持した。その後30分かけて350℃に昇温させ、350℃で30分間焼成し、1時間30分かけて50℃まで冷却して、焼成膜を作製した。300℃で焼成する場合、窒素気流下、50℃で30分間保持してオーブン内を窒素パージし、次に30分かけて220℃に昇温させ、220℃で30分間保持した。その後20分かけて300℃に昇温させ、350℃で30分間焼成し、1時間15分かけて50℃まで冷却して、焼成膜を作製した。
光干渉式膜厚測定装置「ラムダエース VM−1030」(商品名、大日本スクリーン製造(株)製)を用いて、屈折率を1.55に設定して測定した。
現像時の未露光部の膜厚減少値は、以下の式に従って算出した。
未露光部の膜厚減少値=現像前の未露光部の膜厚値−現像後の未露光部の膜厚値。
下記、実施例1記載の方法で、両面アライメント片面露光装置「マスクアライナー PEM−6M」(商品名、ユニオン光学(株)製)を用いて、感度測定用のグレースケールマスク「MDRM MODEL 4000−5−FS」(商品名、Opto−Line International製)を介して、超高圧水銀灯のj線(波長313nm)、i線(波長365nm)、h線(波長405nm)およびg線(波長436nm)でパターニング露光した後、フォトリソ用小型現像装置「AD−2000」(滝沢産業(株)製)を用いて現像した。現像後、得られた解像パターンをFPD検査顕微鏡「MX−61L」(商品名、オリンパス(株)製)を用いて観察した。露光時間を変えて、前記のように露光および現像を行い、10μm幅のL&Sパターンを1対1の幅に形成できる露光量(i線照度計の値、以下、これを最適露光量と呼称する)を感度とした。
下記、実施例1記載の方法で、縮小投影型露光装置「i線ステッパー NSR−2005i9C」(商品名、(株)ニコン製)を用いてパターニング露光し、フォトリソ用小型現像装置「AD−2000」(滝沢産業(株)製)を用いて現像した後、高温イナートガスオーブン「INH−9CD−S」(商品名、光洋サーモシステム(株)製)を用いて焼成した。焼成後、得られた焼成膜の解像パターンをFPD検査顕微鏡「MX−61L」(商品名、オリンパス(株)製)を用いて観察した。露光時間を変えて、前記のように露光、現像および焼成を行い、最適露光量において得られた最小パターンの寸法を解像度とした。
上記、(10)と同様に、下記実施例1記載の方法で感光性樹脂組成物の焼成膜を作製した。焼成後、得られた焼成膜の解像パターンの断面形状を電界放出形走査電子顕微鏡「S−4800」(商品名、(株)日立ハイテクノロジーズ製)を用いて観察した。
下記、実施例1記載と同様の方法で、Cr基板上に感光性樹脂組成物の焼成膜を作製した。作製した焼成膜を基板から削りとり、アルミセルに約10mg入れた。このアルミセルを、熱重量測定装置「TGA−50」(商品名、(株)島津製作所製)を用い、窒素雰囲気中、30℃にて10分間保持した後、昇温速度10℃/minで800℃まで昇温しながら熱重量分析を行った。重量減少が1%となる、1%重量減少温度(Td1%)を測定し、それぞれの温度Td1%を比較した。Td1%が高いほど、耐熱性が良好であることを示す。
下記、実施例1記載と同様の方法で、1.0〜6.0μmまでの膜厚でSiウェハ上に感光性樹脂組成物の焼成膜を作製した。焼成後、焼成膜表面におけるクラック発生の有無を、FPD検査顕微鏡「MX−61L」(商品名、オリンパス(株)製)を用いて観察した。クラックが発生しなかった焼成膜の最大膜厚値を耐クラック膜厚とし、それぞれの耐クラック膜厚を比較した。耐クラック膜厚が大きいほど、耐クラック性が良好であることを示す。
下記、実施例1記載と方法で、Siウェハ上に感光性樹脂組成物の焼成膜、およびAlイオン注入膜を作製した。Alイオン注入の注入条件を以下に示す。焼成温度とイオン注入温度が等しくなる条件にて、Alイオン注入を行った。
装置:イオン注入装置「MODEL 2100 Ion Implanter」(商品名、Veeco製)
イオン種:Al
ドーズ量:1E+14ions/cm2
エネルギー量:180keV
注入温度:500℃、450℃、400℃、350℃、300℃、または120℃
真空度:2E−6Torr
Alイオン注入後、膜厚に対するAlイオン濃度を、SIMS分析装置「SIMS4550」(商品名、FEI製)を用いて測定した。Alイオン濃度の深さプロファイルについて、それぞれのピークトップの膜厚値を比較した。ピークトップの膜厚値が小さいほど、Alイオン注入に対するマスク性能が高いことを表す。SIMS測定の測定条件を以下に示す。
注目元素:Al
1次イオン種:O2 +
1次イオン加速エネルギー:5keV
2次イオン極性:Positive
質量分解能:Normal
酸素リーク:No
帯電補償:E−gun。
黄色灯下、合成例30で得られたナフトキノンジアジド化合物(D−1)を0.458g秤量し、溶剤としてDAAを2.118gおよびPGMEAを7.200g添加し、撹拌して溶解させた。次いで、合成例1で得られたポリシロキサン溶液(A−1)を14.222g添加して撹拌し、均一溶液とした。その後、得られた溶液を0.45μmのフィルターでろ過し、組成物1を調製した。
組成物1と同様に、組成物2〜43を表3〜6に記載の組成にて調製した。得られた各組成物を用いて、上記、実施例1と同様に感光特性および焼成膜の特性の評価を行った。それらの結果を、まとめて表3〜6に示す。比較例1においては、(A)ポリシロキサンの代わりにノボラック樹脂であるXPS−4958Gを用いた。比較例1において、実施例1と同様に500℃、450℃、400℃または350℃で焼成したが、耐熱性が不足していたため、所望の焼成膜を作製することができなかった。
2 n−型SiCエピ層
3 第1の感光性イオン注入マスクパターン
4 p型ベース領域
5 第2の感光性イオン注入マスクパターン
6 n型ソース領域
7 ゲート絶縁膜
8 ゲート電極
21 SiCウェハ
22 SiO2膜
23 感光性レジスト
24 フォトマスク
25 UV
26 イオン注入領域
27 イオン注入マスク用感光性樹脂組成物
Claims (15)
- ポジ型またはネガ型の感光性を示し、イオン注入工程におけるマスクとして使用される感光性樹脂組成物であって、樹脂として(A)ポリシロキサンを含有し、さらに(C)無機粒子を含有し、前記(C)無機粒子の含有量が、感光性樹脂組成物中の溶剤を除く全固形分に対して15重量%以上であって、前記(A)ポリシロキサンが、さらに、カルボキシ基、酸無水物基、スルホン酸基、フェノール性水酸基及びヒドロキシイミド基からなる群より選ばれる一種以上の酸性基を有するオルガノシラン単位を含有する、感光性樹脂組成物。
- ポジ型またはネガ型の感光性を示し、イオン注入工程におけるマスクとして使用される感光性樹脂組成物であって、樹脂として(A)ポリシロキサンを含有し、さらに(C)無機粒子を含有し、前記(C)無機粒子の含有量が、感光性樹脂組成物中の溶剤を除く全固形分に対して15重量%以上であって、前記(A)ポリシロキサンが、オルガノシランと無機粒子を反応させて得た、無機粒子含有ポリシロキサンであり、前記(C)無機粒子がシリカ粒子である、感光性樹脂組成物。
- ポジ型またはネガ型の感光性を示し、イオン注入工程におけるマスクとして使用される感光性樹脂組成物であって、樹脂として(A)ポリシロキサンを含有し、さらに(C)無機粒子を含有し、前記(C)無機粒子の含有量が、感光性樹脂組成物中の溶剤を除く全固形分に対して15重量%以上であって、さらに、(F)光重合性化合物を含有する、感光性樹脂組成物。
- 前記(A)ポリシロキサンが、下記一般式(1)で表されるオルガノシランおよび下記一般式(2)で表されるオルガノシランから選ばれる1種以上のオルガノシランを加水分解し、縮合させることによって得られるポリシロキサンである、請求項1〜3のいずれかに記載の感光性樹脂組成物:
一般式(2)で表されるオルガノシランにおいて、式中、R3〜R6はそれぞれ独立に水素、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数2〜6のアシル基および炭素数6〜15のアリール基から選ばれる基を表す;これらのアルキル基、アシル基、およびアリール基は無置換体および置換体のどちらでもよい;mは1〜8の整数を表す。 - 前記(C)無機粒子がシリカ粒子である、請求項1または3に記載の感光性樹脂組成物。
- 前記(A)ポリシロキサンが、オルガノシランと無機粒子を反応させて得た、無機粒子含有ポリシロキサンである、請求項1または3に記載の感光性樹脂組成物。
- 前記(A)ポリシロキサンが、さらに、酸性基を有するオルガノシラン単位を含有する、請求項2または3に記載の感光性樹脂組成物。
- さらに、(B1)光酸発生剤、(B2)光塩基発生剤、(B3)熱酸発生剤、および(B4)熱塩基発生剤から選ばれたいずれか1つ以上を含有する、請求項1〜7のいずれかに記載の感光性樹脂組成物。
- さらに、(D)ナフトキノンジアジド化合物を含有する、請求項1または2に記載の感光性樹脂組成物。
- さらに、(E1)光重合開始剤および(E2)光増感剤から選ばれた化合物を含有する、請求項1〜8のいずれかに記載の感光性樹脂組成物。
- さらに、(F)光重合性化合物を含有する、請求項1または2に記載の感光性樹脂組成物。
- (A)ポリシロキサン、(C)無機粒子および(D)ナフトキノンジアジド化合物を含有する感光性樹脂組成物であって、(A)ポリシロキサンが、一般式(1)で表されるオルガノシランおよび一般式(2)で表されるオルガノシランから選ばれるオルガノシランの1種以上、および、カルボキシ基、酸無水物基、スルホン酸基、フェノール性水酸基及びヒドロキシイミド基からなる群より選ばれる一種以上の酸性基を有するオルガノシランを加水分解し、脱水縮合させることによって得られるポリシロキサンであり、(C)無機粒子の含有量が、感光性樹脂組成物中の溶剤を除く全固形分に対して15重量%以上である感光性樹脂組成物;
一般式(2)で表されるオルガノシランにおいて、式中、R3〜R6はそれぞれ独立に水素、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数2〜6のアシル基および炭素数6〜15のアリール基から選ばれる基を表す;これらのアルキル基、アシル基、およびアリール基は無置換体および置換体のどちらでもよい;mは1〜8の整数を表す。 - 半導体基板上に、ポジ型またはネガ型の感光性を示し、イオン注入工程におけるマスクとして使用される感光性樹脂組成物であって、樹脂として(A)ポリシロキサンを含有する感光性樹脂組成物、または(A)ポリシロキサン、(C)無機粒子および(D)ナフトキノンジアジド化合物を含有する感光性樹脂組成物であって、(A)ポリシロキサンが、一般式(1)で表されるオルガノシランおよび一般式(2)で表されるオルガノシランから選ばれるオルガノシランの1種以上、および酸性基を有するオルガノシランを加水分解し、脱水縮合させることによって得られるポリシロキサンであり、(C)無機粒子の含有量が、感光性樹脂組成物中の溶剤を除く全固形分に対して15重量%以上である感光性樹脂組成物のパターンを形成する工程、前記樹脂組成物のパターンを焼成して焼成パターンを得る工程、前記焼成パターンをイオン注入マスクとして、前記半導体基板の焼成パターンが存在しない領域にイオン注入を行う工程、および前記イオン注入マスクを剥離する工程を含む、半導体素子の製造方法;
一般式(2)で表されるオルガノシランにおいて、式中、R3〜R6はそれぞれ独立に水素、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数2〜6のアシル基および炭素数6〜15のアリール基から選ばれる基を表す;これらのアルキル基、アシル基、およびアリール基は無置換体および置換体のどちらでもよい;mは1〜8の整数を表す。 - イオン注入する工程を200〜1000℃で行う請求項13に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記半導体基板が、炭化ケイ素基板、窒化ガリウム基板、またはダイヤモンド基板である、請求項13または14に記載の半導体素子の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011282963 | 2011-12-26 | ||
JP2011282963 | 2011-12-26 | ||
PCT/JP2012/083186 WO2013099785A1 (ja) | 2011-12-26 | 2012-12-21 | 感光性樹脂組成物および半導体素子の製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017018181A Division JP6394714B2 (ja) | 2011-12-26 | 2017-02-03 | 感光性樹脂組成物および半導体素子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2013099785A1 JPWO2013099785A1 (ja) | 2015-05-07 |
JP6241035B2 true JP6241035B2 (ja) | 2017-12-06 |
Family
ID=48697272
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012558088A Active JP6241035B2 (ja) | 2011-12-26 | 2012-12-21 | 感光性樹脂組成物および半導体素子の製造方法 |
JP2017018181A Active JP6394714B2 (ja) | 2011-12-26 | 2017-02-03 | 感光性樹脂組成物および半導体素子の製造方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017018181A Active JP6394714B2 (ja) | 2011-12-26 | 2017-02-03 | 感光性樹脂組成物および半導体素子の製造方法 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9704724B2 (ja) |
EP (1) | EP2799928B1 (ja) |
JP (2) | JP6241035B2 (ja) |
KR (1) | KR101997485B1 (ja) |
CN (2) | CN104011596A (ja) |
MY (1) | MY171248A (ja) |
SG (1) | SG11201402918VA (ja) |
TW (1) | TWI559091B (ja) |
WO (1) | WO2013099785A1 (ja) |
Families Citing this family (38)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20150346601A1 (en) * | 2013-04-26 | 2015-12-03 | Chi Mei Corporation | Photosensitive polysiloxane composition, protective film and element having the protective film |
US9989852B2 (en) * | 2013-07-02 | 2018-06-05 | Toray Industries, Inc. | Positive photosensitive resin composition, cured film formed by curing same, and optical device equipped with same |
US20150293449A1 (en) * | 2013-08-13 | 2015-10-15 | Chi Mei Corporation | Photosensitive polysiloxane composition and uses thereof |
TWI518460B (zh) * | 2013-08-13 | 2016-01-21 | Chi Mei Corp | Photosensitive polysiloxane compositions and their use |
JP6255806B2 (ja) * | 2013-09-04 | 2018-01-10 | Jsr株式会社 | ゲート絶縁膜、感放射線性樹脂組成物、硬化膜、ゲート絶縁膜の形成方法、半導体素子および表示装置 |
CN106133876A (zh) * | 2014-03-26 | 2016-11-16 | 东丽株式会社 | 半导体器件的制造方法及半导体器件 |
WO2016043203A1 (ja) * | 2014-09-17 | 2016-03-24 | 富士フイルム株式会社 | ポジ型感光性樹脂組成物、硬化膜の製造方法、硬化膜、液晶表示装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびタッチパネル |
CN107077070B (zh) * | 2014-09-30 | 2020-06-16 | 东丽株式会社 | 感光性树脂组合物、固化膜、具备固化膜的元件及半导体器件的制造方法 |
KR102329586B1 (ko) * | 2014-11-21 | 2021-11-22 | 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 | 포지티브형 감광성 수지 조성물 및 이로부터 제조된 경화막 |
KR102369410B1 (ko) * | 2014-11-28 | 2022-03-02 | 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 | 감광성 수지 조성물 및 이로부터 제조된 경화막 |
CN105739239B (zh) * | 2014-12-10 | 2020-04-03 | 太阳油墨(苏州)有限公司 | 光固化性热固化性树脂组合物、干膜、固化物、及印刷电路板 |
KR102375191B1 (ko) * | 2015-01-05 | 2022-03-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 포지티브형 감광성 실록산 수지 조성물 및 이를 포함하는 표시 장치 |
KR20160111805A (ko) * | 2015-03-17 | 2016-09-27 | 동우 화인켐 주식회사 | 감광성 수지 조성물, 이로부터 형성된 광경화 패턴 및 이를 포함하는 화상 표시 장치 |
WO2017007010A1 (ja) * | 2015-07-09 | 2017-01-12 | 東京応化工業株式会社 | ケイ素含有樹脂組成物 |
JP2017075203A (ja) * | 2015-10-13 | 2017-04-20 | 日本タングステン株式会社 | 深紫外光用封止材料、深紫外発光装置および深紫外発光装置の製造方法 |
JP6506198B2 (ja) * | 2015-11-17 | 2019-04-24 | 富士フイルム株式会社 | 感光性組成物、硬化物の製造方法、硬化膜、表示装置、及び、タッチパネル |
TWI630458B (zh) * | 2015-12-14 | 2018-07-21 | 奇美實業股份有限公司 | 感光性樹脂組成物、保護膜以及液晶顯示元件 |
JP6715597B2 (ja) | 2015-12-29 | 2020-07-01 | 帝人株式会社 | 感光性樹脂組成物及び半導体デバイス製造方法 |
JP2017151209A (ja) | 2016-02-23 | 2017-08-31 | アーゼッド・エレクトロニック・マテリアルズ(ルクセンブルグ)ソシエテ・ア・レスポンサビリテ・リミテ | ポジ型感光性シロキサン組成物 |
JP6842864B2 (ja) * | 2016-02-25 | 2021-03-17 | 帝人株式会社 | イオン注入マスク形成用分散体及び半導体デバイス製造方法 |
JP2017173741A (ja) * | 2016-03-25 | 2017-09-28 | アーゼッド・エレクトロニック・マテリアルズ(ルクセンブルグ)ソシエテ・ア・レスポンサビリテ・リミテ | 感光性シロキサン組成物 |
JP6575429B2 (ja) * | 2016-05-02 | 2019-09-18 | 横浜ゴム株式会社 | 密着付与剤及び硬化性樹脂組成物 |
CN110419001B (zh) * | 2017-03-21 | 2023-07-07 | 东丽株式会社 | 感光性树脂组合物、感光性树脂组合物膜、绝缘膜及电子部件 |
JP2018189738A (ja) * | 2017-04-28 | 2018-11-29 | メルク、パテント、ゲゼルシャフト、ミット、ベシュレンクテル、ハフツングMerck Patent GmbH | ポジ型感光性シロキサン組成物、およびそれを用いて形成した硬化膜 |
JP2018189732A (ja) | 2017-04-28 | 2018-11-29 | メルク、パテント、ゲゼルシャフト、ミット、ベシュレンクテル、ハフツングMerck Patent GmbH | ポジ型感光性シロキサン組成物、およびそれを用いて形成した硬化膜 |
JP2018205598A (ja) * | 2017-06-07 | 2018-12-27 | メルク、パテント、ゲゼルシャフト、ミット、ベシュレンクテル、ハフツングMerck Patent GmbH | 感光性シロキサン組成物、およびそれを用いて形成した硬化膜 |
JP2019061166A (ja) * | 2017-09-27 | 2019-04-18 | メルク、パテント、ゲゼルシャフト、ミット、ベシュレンクテル、ハフツングMerck Patent GmbH | ポジ型感光性シロキサン組成物およびこれを用いた硬化膜 |
KR102654731B1 (ko) * | 2017-09-28 | 2024-04-03 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 감방사선성 수지 조성물 및 그의 용도 |
JP2019095695A (ja) * | 2017-11-27 | 2019-06-20 | メルク、パテント、ゲゼルシャフト、ミット、ベシュレンクテル、ハフツングMerck Patent GmbH | ネガ型感光性シロキサン組成物、ならびにそれを用いた硬化膜および電子素子の製造方法 |
JP6988470B2 (ja) * | 2017-12-28 | 2022-01-05 | 三菱ケミカル株式会社 | フォトレジスト及びフォトリソグラフィ |
US11789363B2 (en) * | 2018-03-30 | 2023-10-17 | Toray Industries, Inc. | Positive photosensitive resin composition, cured film therefrom, and solid state image sensor comprising the same |
CN112368336A (zh) * | 2018-08-31 | 2021-02-12 | 东丽株式会社 | 树脂组合物、其固化膜 |
KR102500455B1 (ko) * | 2018-09-27 | 2023-02-16 | 후지필름 가부시키가이샤 | 감광성 수지 조성물, 경화막, 적층체, 경화막의 제조 방법, 반도체 디바이스 |
US10937869B2 (en) * | 2018-09-28 | 2021-03-02 | General Electric Company | Systems and methods of masking during high-energy implantation when fabricating wide band gap semiconductor devices |
CN111443573B (zh) * | 2019-01-16 | 2023-06-06 | 台湾永光化学工业股份有限公司 | 负型感光性树脂组合物及其用途 |
WO2020196601A1 (ja) * | 2019-03-26 | 2020-10-01 | 東レ株式会社 | ポジ型感光性樹脂組成物、その硬化膜およびそれを具備する光学デバイス |
CN112967986B (zh) * | 2020-10-19 | 2022-06-21 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 一种转移构件及其制备方法、转移头 |
WO2024070963A1 (ja) * | 2022-09-30 | 2024-04-04 | 富士フイルム株式会社 | 膜の製造方法、感光性樹脂組成物、硬化物の製造方法、硬化物、及び積層体 |
Family Cites Families (53)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3655457A (en) * | 1968-08-06 | 1972-04-11 | Ibm | Method of making or modifying a pn-junction by ion implantation |
US4889901A (en) * | 1988-11-16 | 1989-12-26 | Desoto, Inc. | Ultraviolet-curable blends of acrylated polyurethanes and silsesquioxane oligomers having improved adhesion to glass |
US5114826A (en) * | 1989-12-28 | 1992-05-19 | Ibm Corporation | Photosensitive polyimide compositions |
JP2652095B2 (ja) * | 1991-09-27 | 1997-09-10 | 富士写真フイルム株式会社 | 感光性組成物 |
US5260172A (en) * | 1991-12-17 | 1993-11-09 | International Business Machines Corporation | Multilayer photoresist comprising poly-(vinylbenzoic acid) as a planarizing layer |
JP2726348B2 (ja) * | 1992-02-03 | 1998-03-11 | 沖電気工業株式会社 | 放射線感応性樹脂組成物 |
JP3607028B2 (ja) | 1996-12-27 | 2005-01-05 | 新日本無線株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
EP1071821A4 (en) * | 1998-04-20 | 2005-06-29 | Affymetrix Inc | METHOD FOR REDUCING NON-SPECIFIC BINDING TO A NUCLEIC ACID EMBROIDERY ARRAY |
JP4357672B2 (ja) | 1998-11-11 | 2009-11-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 露光装置および露光方法および半導体装置の作製方法 |
JP4557328B2 (ja) * | 1999-02-01 | 2010-10-06 | 富士フイルム株式会社 | ポジ型フォトレジスト組成物 |
KR100707767B1 (ko) * | 1999-09-28 | 2007-04-17 | 후지필름 가부시키가이샤 | 포지티브 포토레지스트 조성물 |
US6420247B1 (en) | 2000-04-10 | 2002-07-16 | Motorola, Inc. | Method of forming structures on a semiconductor including doping profiles using thickness of photoresist |
TWI300516B (ja) * | 2001-07-24 | 2008-09-01 | Jsr Corp | |
JP4373082B2 (ja) * | 2001-12-28 | 2009-11-25 | 富士通株式会社 | アルカリ可溶性シロキサン重合体、ポジ型レジスト組成物、レジストパターン及びその製造方法、並びに、電子回路装置及びその製造方法 |
EP2378544A3 (en) | 2003-04-25 | 2013-02-27 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Semiconductor device fabricating method |
JP4371220B2 (ja) * | 2004-05-11 | 2009-11-25 | 信越化学工業株式会社 | 微細パターン転写用原版及びその作製方法 |
JP2006041166A (ja) | 2004-07-27 | 2006-02-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | イオン注入マスクの形成方法及び炭化珪素デバイス |
JP4942134B2 (ja) | 2005-05-20 | 2012-05-30 | 日産自動車株式会社 | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
JP2007042803A (ja) | 2005-08-02 | 2007-02-15 | Honda Motor Co Ltd | イオン注入マスクおよびその製造方法、並びにイオン注入マスクを用いた炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
JP4687315B2 (ja) * | 2005-08-04 | 2011-05-25 | 東レ株式会社 | 感光性樹脂組成物、それから形成された硬化膜、および硬化膜を有する素子 |
JP4655914B2 (ja) * | 2005-12-13 | 2011-03-23 | 東レ株式会社 | 感光性シロキサン組成物、それから形成された硬化膜、および硬化膜を有する素子 |
DE102006033280A1 (de) * | 2006-07-18 | 2008-01-24 | Leibniz-Institut Für Neue Materialien Gemeinnützige Gmbh | Kompositzusammensetzung für mikrostrukturierte Schichten |
JP4509080B2 (ja) * | 2006-09-28 | 2010-07-21 | 信越化学工業株式会社 | シルセスキオキサン系化合物混合物及び加水分解性シラン化合物、その製造方法及びそれを用いたレジスト組成物並びにパターン形成方法及び基板の加工方法 |
JP4853228B2 (ja) * | 2006-10-25 | 2012-01-11 | 東レ株式会社 | 感光性シロキサン組成物、それから形成された硬化膜、および硬化膜を有する素子、並びにパターン形成方法 |
JP5014734B2 (ja) | 2006-10-25 | 2012-08-29 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2008208342A (ja) | 2007-01-31 | 2008-09-11 | Toray Ind Inc | 樹脂組成物、硬化膜、および硬化膜を有するカラーフィルタ |
KR101428718B1 (ko) * | 2007-02-02 | 2014-09-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 감광성 유기물, 이의 도포 방법, 이를 이용한 유기막 패턴형성 방법, 이로써 제조되는 표시 장치 |
JPWO2009011329A1 (ja) * | 2007-07-19 | 2010-09-24 | 株式会社カネカ | 硬化性組成物 |
JP2009042422A (ja) * | 2007-08-08 | 2009-02-26 | Toray Ind Inc | 感光性シロキサン組成物、それから形成された硬化膜、および硬化膜を有する素子 |
JP5099140B2 (ja) * | 2007-08-24 | 2012-12-12 | 東レ株式会社 | 感光性組成物、それから形成された硬化膜、および硬化膜を有する素子 |
US20090081579A1 (en) * | 2007-09-24 | 2009-03-26 | International Business Machines Corporation | Functionalized carbosilane polymers and photoresist compositions containing the same |
US20090142694A1 (en) * | 2007-11-30 | 2009-06-04 | Braggone Oy | Siloxane polymer compositions and methods of using the same |
JP5136777B2 (ja) * | 2008-04-25 | 2013-02-06 | 信越化学工業株式会社 | ポリオルガノシロキサン化合物、これを含む樹脂組成物及びこれらのパターン形成方法 |
JP5343649B2 (ja) * | 2008-06-23 | 2013-11-13 | 東レ株式会社 | 感光性組成物、それから形成された硬化膜、および硬化膜を有する素子 |
JP2010032996A (ja) | 2008-06-27 | 2010-02-12 | Jgc Catalysts & Chemicals Ltd | シリカ系塗膜のパターニング方法および該方法から得られるシリカ系塗膜 |
JP2010026360A (ja) * | 2008-07-23 | 2010-02-04 | Toray Ind Inc | ネガ型感光性シロキサン樹脂組成物 |
JP5503916B2 (ja) * | 2008-08-04 | 2014-05-28 | 富士フイルム株式会社 | レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
CN101661886B (zh) * | 2008-08-25 | 2011-06-22 | 上海华虹Nec电子有限公司 | 半导体制备中源漏注入结构的制备方法 |
EP2360194B1 (en) * | 2008-11-27 | 2015-03-11 | Toray Industries, Inc. | Siloxane resin composition and protective film for touch panel using same |
JP5533232B2 (ja) * | 2009-06-29 | 2014-06-25 | Jsr株式会社 | ポジ型感放射線性組成物、硬化膜、層間絶縁膜、層間絶縁膜の形成方法、表示素子、及び層間絶縁膜形成用のシロキサンポリマー |
CN102472964B (zh) * | 2009-09-29 | 2013-08-07 | 东丽株式会社 | 正型感光性树脂组合物、使用其的固化膜及光学设备 |
TWI468865B (zh) * | 2009-12-15 | 2015-01-11 | 羅門哈斯電子材料有限公司 | 光阻劑及其使用方法 |
WO2011078106A1 (ja) | 2009-12-22 | 2011-06-30 | 東レ株式会社 | ポジ型感光性樹脂組成物、それから形成された硬化膜、および硬化膜を有する素子 |
CN102135727A (zh) * | 2010-01-21 | 2011-07-27 | 上海华虹Nec电子有限公司 | 在超低透光率干法刻蚀工艺中改善图形缺陷的方法 |
SG184526A1 (en) * | 2010-04-14 | 2012-11-29 | Toray Industries | Negative photosensitive resin composition, and protective film and touch panel member using the same |
KR101761181B1 (ko) | 2010-06-09 | 2017-07-25 | 도레이 카부시키가이샤 | 감광성 실록산 조성물, 그것으로부터 형성된 경화막 및 경화막을 갖는 소자 |
CN103068884B (zh) * | 2010-08-13 | 2015-06-17 | 旭化成电子材料株式会社 | 感光性有机硅树脂组合物 |
DE102010039704A1 (de) * | 2010-08-24 | 2012-03-01 | Wacker Chemie Ag | Emulsionen von Organopolysiloxane mit sauren und basischen Gruppen und deren Herstellung |
TWI398489B (zh) * | 2010-08-31 | 2013-06-11 | Chi Mei Corp | 光硬化性聚矽氧烷組成物及其所形成之基材保護膜 |
TWI432895B (zh) * | 2010-12-01 | 2014-04-01 | Chi Mei Corp | 感光性聚矽氧烷組成物及其所形成之基材保護膜 |
US20120196225A1 (en) * | 2011-01-27 | 2012-08-02 | Namitek Specialty Materials Corp. | Photo Patternable Coating Compositions of Silicones and Organic-Inorganic Hybrids |
JP5561189B2 (ja) * | 2011-01-27 | 2014-07-30 | Jsr株式会社 | 感放射線性組成物、硬化膜及びその形成方法 |
JP5785121B2 (ja) * | 2011-04-28 | 2015-09-24 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成方法 |
-
2012
- 2012-12-21 CN CN201280064662.4A patent/CN104011596A/zh active Pending
- 2012-12-21 CN CN201910328781.XA patent/CN110095941B/zh active Active
- 2012-12-21 EP EP12861162.1A patent/EP2799928B1/en active Active
- 2012-12-21 KR KR1020147014445A patent/KR101997485B1/ko active IP Right Grant
- 2012-12-21 MY MYPI2014701731A patent/MY171248A/en unknown
- 2012-12-21 US US14/352,255 patent/US9704724B2/en active Active
- 2012-12-21 JP JP2012558088A patent/JP6241035B2/ja active Active
- 2012-12-21 WO PCT/JP2012/083186 patent/WO2013099785A1/ja active Application Filing
- 2012-12-21 SG SG11201402918VA patent/SG11201402918VA/en unknown
- 2012-12-25 TW TW101149869A patent/TWI559091B/zh not_active IP Right Cessation
-
2017
- 2017-02-03 JP JP2017018181A patent/JP6394714B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6394714B2 (ja) | 2018-09-26 |
EP2799928A4 (en) | 2015-11-04 |
EP2799928A1 (en) | 2014-11-05 |
KR20140109866A (ko) | 2014-09-16 |
US20140242787A1 (en) | 2014-08-28 |
EP2799928B1 (en) | 2019-05-22 |
CN104011596A (zh) | 2014-08-27 |
MY171248A (en) | 2019-10-04 |
TWI559091B (zh) | 2016-11-21 |
TW201329639A (zh) | 2013-07-16 |
KR101997485B1 (ko) | 2019-07-08 |
SG11201402918VA (en) | 2014-10-30 |
WO2013099785A1 (ja) | 2013-07-04 |
JP2017097378A (ja) | 2017-06-01 |
US9704724B2 (en) | 2017-07-11 |
CN110095941B (zh) | 2023-02-17 |
JPWO2013099785A1 (ja) | 2015-05-07 |
CN110095941A (zh) | 2019-08-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6394714B2 (ja) | 感光性樹脂組成物および半導体素子の製造方法 | |
TWI679500B (zh) | 感光性樹脂組成物、硬化膜、具備硬化膜的元件及半導體裝置、以及半導體裝置的製造方法 | |
JP5846335B1 (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 | |
WO2011078106A1 (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物、それから形成された硬化膜、および硬化膜を有する素子 | |
JP6318634B2 (ja) | 感光性シロキサン組成物、硬化膜及び素子 | |
JP2009169343A (ja) | 感光性組成物、それから形成された硬化膜、および硬化膜を有する素子 | |
JP5343649B2 (ja) | 感光性組成物、それから形成された硬化膜、および硬化膜を有する素子 | |
JP6569211B2 (ja) | 感光性樹脂組成物、それを硬化させてなる硬化膜ならびにそれを具備する発光素子および固体撮像素子 | |
JP5540632B2 (ja) | 感光性組成物、それから形成された硬化膜、および硬化膜を有する素子 | |
JP6172150B2 (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物、それを硬化させてなる硬化膜およびそれを具備する光学デバイス | |
JP5233526B2 (ja) | 感光性組成物、それから形成された硬化膜、および硬化膜を有する素子 | |
JP6186766B2 (ja) | 感光性シロキサン組成物、それから形成された硬化膜、およびその硬化膜を有する素子 | |
JPWO2019189387A1 (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物、その硬化膜およびそれを具備する固体撮像素子 | |
JP2013174872A (ja) | 感光性シロキサン組成物、それから形成された硬化膜、およびその硬化膜を有する素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151215 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20151215 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20161213 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170203 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170216 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170530 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170711 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20171010 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20171023 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6241035 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |