JPWO2019189387A1 - ポジ型感光性樹脂組成物、その硬化膜およびそれを具備する固体撮像素子 - Google Patents

ポジ型感光性樹脂組成物、その硬化膜およびそれを具備する固体撮像素子 Download PDF

Info

Publication number
JPWO2019189387A1
JPWO2019189387A1 JP2019517440A JP2019517440A JPWO2019189387A1 JP WO2019189387 A1 JPWO2019189387 A1 JP WO2019189387A1 JP 2019517440 A JP2019517440 A JP 2019517440A JP 2019517440 A JP2019517440 A JP 2019517440A JP WO2019189387 A1 JPWO2019189387 A1 JP WO2019189387A1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin composition
polysiloxane
photosensitive resin
coating film
positive photosensitive
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2019517440A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6648857B1 (ja
Inventor
良典 的羽
良典 的羽
利保 日比野
利保 日比野
諏訪 充史
充史 諏訪
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toray Industries Inc
Original Assignee
Toray Industries Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toray Industries Inc filed Critical Toray Industries Inc
Application granted granted Critical
Publication of JP6648857B1 publication Critical patent/JP6648857B1/ja
Publication of JPWO2019189387A1 publication Critical patent/JPWO2019189387A1/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/022Quinonediazides
    • G03F7/0226Quinonediazides characterised by the non-macromolecular additives
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/075Silicon-containing compounds
    • G03F7/0757Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F299/00Macromolecular compounds obtained by interreacting polymers involving only carbon-to-carbon unsaturated bond reactions, in the absence of non-macromolecular monomers
    • C08F299/02Macromolecular compounds obtained by interreacting polymers involving only carbon-to-carbon unsaturated bond reactions, in the absence of non-macromolecular monomers from unsaturated polycondensates
    • C08F299/08Macromolecular compounds obtained by interreacting polymers involving only carbon-to-carbon unsaturated bond reactions, in the absence of non-macromolecular monomers from unsaturated polycondensates from polysiloxanes
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04Polysiloxanes
    • C08G77/20Polysiloxanes containing silicon bound to unsaturated aliphatic groups
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/0042Photosensitive materials with inorganic or organometallic light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. inorganic resists
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/0042Photosensitive materials with inorganic or organometallic light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. inorganic resists
    • G03F7/0043Chalcogenides; Silicon, germanium, arsenic or derivatives thereof; Metals, oxides or alloys thereof
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/0047Photosensitive materials characterised by additives for obtaining a metallic or ceramic pattern, e.g. by firing
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/008Azides
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/022Quinonediazides
    • G03F7/023Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/022Quinonediazides
    • G03F7/023Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
    • G03F7/0233Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binders or the macromolecular additives other than the macromolecular quinonediazides
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G03F7/2004Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by the use of a particular light source, e.g. fluorescent lamps or deep UV light
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/38Treatment before imagewise removal, e.g. prebaking
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/40Treatment after imagewise removal, e.g. baking

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Silicon Polymers (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)

Abstract

本発明は光透過性が高く、高耐熱で、パターン加工性にすぐれたポジ型の感光性樹脂組成物を提供すること。本発明はポリシロキサン(A)、ナフトキノンジアジド化合物(B)および溶剤(C)を含有するポジ型感光性樹脂組成物であって、該ポリシロキサン(A)が、下記一般式(1)〜(3)から選ばれる1種以上の構造を含み、かつ下記一般式(4)〜(6)から選ばれる1種以上の構造を含むものであるポジ型感光性樹脂組成物である。【化1】(一般式(1)〜(3)においてR4は、炭素数2〜6の不飽和二重結合を有する炭化水素基であり、R1は単結合、または炭素数1〜4のアルキレン基、式(2)のR2は水素、または炭素数1〜4のアルキル基を示す。一般式(3)においてR3は有機基を示す。)【化2】(一般式(5)においてR2は水素、または炭素数1〜4のアルキル基。一般式(6)においてR3は有機基を示す。)

Description

本発明は、ポジ型感光性樹脂組成物、その硬化膜およびそれを具備する固体撮像素子に関する。
近年、デジタルカメラやカメラ付携帯電話等の急速な発展に伴って、固体撮像素子の小型化、高画素化が要求されている。固体撮像素子の小型化は光の利用効率の減少による感度低下を招くため、光取り込み口のカラーフィルタ上にマイクロレンズを各画素上に作製し、光を効率的に集光し、感度の低下を防いでいる。
マイクロレンズの一般的な作製方法としては、マイクロレンズ形成用材料を塗布し、硬化した後、上部にフォトレジストを塗布後、露光、現像して、マイクロレンズの大きさにパターン加工後、フォトレジストをマスクとして、マイクロレンズ形成用材料をドライエッチングにより、マイクロレンズ形状に加工している。
マイクロレンズ形成用材料には、光を効率的に集光するため高い屈折率が求められ、それと同時に、高い透過率を維持しつつ、耐湿性、耐薬品性、等に優れることが要求される。このような要求を満たす樹脂として、ポリシロキサン樹脂が用いられている。
例えば、特許文献1には、マイクロレンズ形成用ポジ型シロキサン樹脂組成物として、側鎖にビニル基、スチリル基、アクリロイルオキシ基等を有するシロキサン樹脂組成物が記載されている。また、特許文献2には、低屈折率で、フッ素原子を側鎖に含むポジ型シロキサン樹脂組成物が記載されている。
特開2009−223293号公報 特開2015−92242号公報
近年、固体撮像素子の小型化にともない、小さな面積で、出来るだけ多くの光を取り込む必要から、高屈折率で、光透過性が高い材料で、高耐熱で、パターン加工性に優れた感光性材料が求められている。特許文献1や2に記載の技術では、高屈折率材料で、パターン加工性に優れた感光性材料としては、十分ではなかった。
本発明は、高屈折率で、高耐熱で、パターン加工性に優れたポジ型の感光性樹脂組成物を提供することを目的とする。
課題を解決するために本発明は以下の構成からなる。
本発明樹脂組成物は、高屈折率で光透過性が高く、高耐熱性かつ高耐光性が良好で、パターン加工性に優れる。
本発明は、ポリシロキサン(A)、ナフトキノンジアジド化合物(B)および溶剤(C)を含有するポジ型感光性樹脂組成物であって、
該ポリシロキサン(A)が、下記一般式(1)〜(3)から選ばれる1種以上の構造を含み、かつ下記一般式(4)〜(6)から選ばれる1種以上の構造を含むものであるポジ型感光性樹脂組成物である。
Figure 2019189387
(一般式(1)〜(3)においてRは、炭素数2〜6の不飽和二重結合を有する炭化水素基であり、Rは単結合、または炭素数1〜4のアルキレン基、式(2)のRは水素、または炭素数1〜4のアルキル基を示す。一般式(3)においてRは有機基を示す。一般式(1)における酸素原子が1.5個の記載は、ケイ素の左右下に向かう3つの結合において、ひとつの結合の方向には酸素が1個存在し、他のいずれかの結合の方向には酸素が0.5個あることを意味する。一般式(2)および(3)におけるケイ素原子の右側に記載された酸素原子1個の記載は、ケイ素の左右に向かう2つの結合において、左右それぞれに酸素が0.5個あることを意味する。)
Figure 2019189387
(一般式(5)においてRは水素、または炭素数1〜4のアルキル基。一般式(6)においてRは有機基を示す。Rの炭素数としては1〜8が好ましい。一般式(4)における酸素原子が1.5個の記載は、ケイ素の左右下に向かう3つ結合において、ひとつの結合の方向には酸素が1個存在し、他のいずれかの結合の方向には酸素が0.5個あることを意味する。一般式(5)および(6)におけるケイ素原子の右側に記載された酸素原子1個の記載は、ケイ素の左右に向かう2つの結合の方向において、左右それぞれに酸素が0.5個あることを意味する。))。
<ポリシロキサン(A)>
本発明に用いられるポリシロキサンは、上記一般式(1)〜(3)のいずれかで選ばれる1種以上の構造以上含み、かつ上記一般式(4)〜(6)から選ばれる1種以上の構造を有する。
ポリシロキサンがスチリル基を有することで、硬化物に高耐熱性、耐光性、高屈折率を付与できる。さらに必要な耐熱性、耐光性が、より低い温度での硬化で実現できる。スチリル基のケイ素原子に対するモル比率は、10〜90mol%であることが好ましい。下限としては、より好ましくは20mol%以上であり、さらに好ましくは30mol%以上である。上限としては、より好ましくは85mol%以下であり、さらに好ましくは80mol%以下である。
スチリル基が直接または間接にケイ素原子に結合しているケイ素原子のみからなるポリシロキサンであると、露光、現像液による現像を行うとポリシロキサンの残渣が発生しやすい。 これはDiels alder反応による架橋反応が起きやすいからと考えた。
そこでビニル基がケイ素原子に直結したシロキサンを適量共重合することにより残渣の発生を抑制できることを見出した。そのようなポリシロキサンとしては上記一般式(4)〜(6)から選ばれる1種以上の構造を有する。
一般式(4)〜(6)に起因するケイ素原子に直結するビニル基の含有量としては、ポリシロキサン中のケイ素原子に対して、1〜20mol%であることが好ましい。下限としては、より好ましくは3mol%以上であり、さらに好ましくは5mol%以上である。上限としては、より好ましくは15mol%以下であり、さらに好ましくは10mol%以下である。割合が小さいと、プリベーク時にスチリル基の架橋反応が大幅に進み、パターン加工での解像度が悪くなる。また、多すぎると超えると、ビニル基は疎水性が高いため、パターン形成時に残渣が多くなる。
スチリル基やビニル基は熱硬化時の熱重合により、硬化物の耐熱性、耐薬品性に寄与する。一方で、これらの官能基はポリシロキサンの疎水性を高める。そのため、樹脂組成物を基板上にスピンコートすると基板の外周部では、濡れ広がりが悪くなりやすい。基板の外周部まで均一に塗布するために、ポリシロキサンに親水性基を導入することが好ましい。そこで、アルコキシシラン化合物を原料として共重合することにより、シラノール基など親水基を有するポリシロキサンとなる。その結果、樹脂組成物の基板への塗れ性が良好となる。その結果、基板の外周部をロスすることなく、歩留まりを向上させることができる。
ポリシロキサンに親水基を付与するアルコキシシラン化合物は市販されているため、入手が容易である。
スチリル基をポリシロキサンに与える原料となるアルコキシシラン化合物の具体例としては以下のものがあげられる。
スチリルトリメトキシシラン、スチリルトリエトキシシラン、スチリルトリ(メトキシエトキシ)シラン、スチリルトリ(プロポキシ)シラン、スチリルトリ(ブトキシ)シラン、スチリルメチルジメトキシシラン、スチリルエチルジメトキシシラン、スチリルメチルジエトキシシラン、スチリルメチルジ(メトキシエトキシ)シラン、 等。
ビニル基をポリシロキサンに与える原料となるアルコキシシラン化合物の具体例としては、以下のものがあげられる。
ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリ−n−プロポキシシラン、ビニルトリイソプロポキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、ビニルメチルジメトキシシラン、ビニルメチルジエトキシシラン、ビニルメチルジ−n−プロポキシシラン、ビニルメチルジ−1−
プロポキシシラン、ビニルエチルジメトキシシラン、ビニルメチルジエトキシシラン、ビニルエチルジ−n−プロポキシシラン、ビニルエチルジ−1−プロポキシシラン、ビニルフェニルジメトキシシラン、ビニルフェニルジエトキシシラン、ビニルフェニル−n−プロポキシシラン、ビニルフェニル−1−プロポキシシラン、等が好ましく用いられる。
親水基を有するアルコキシシラン化合物として、ジカルボン酸無水物基を有するアルコキシシラン化合物も好ましく用いられる。ジカルボン酸無水物基を有するアルコキシシラン化合物の例としては、下記一般式(7)〜(9)で表されるオルガノシラン化合物がある。
Figure 2019189387
(上記式中、R〜R、R〜R11およびR13〜R15は、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシル基、フェニル基、フェノキシ基またはそれらの置換体を表す。R、R12、R16は単結合、または鎖状脂肪族炭化水素基、環状脂肪族炭化水素基、カルボニル基、エーテル基、エステル基、アミド基、芳香族基、もしくはこれらのいずれかを有する2価の基を表す。これらの基は置換されていてもよい。k、hは0〜3の整数を表す。)
、R12およびR16の具体例としては、−C−、−C−、−C−、−O−、−COCHCH(OH)CHC−、−CO−、−CO−、−CONH−、また以下にあげる有機基などがある。
Figure 2019189387
上記一般式(7)〜(9)で表されるオルガノシラン化合物の具体例としては以下のものが挙げられる。
3−トリメトキシシリルプロピルコハク酸無水物、3−トリエトキシシリルプロピルコハク酸無水物、3−トリフェノキシシリルプロピルコハク酸無水物、3−トリメトキシシリルプロピルフタル酸無水物、3−トリメトキシシリルプロピルシクロヘキシルジカルボン酸無水物など。
これらのオルガノシラン化合物は単独で使用しても、2種以上を組み合わせて使用してもよい。
さらに上記以外のシラン化合物を原料として含有してもよい。かようなシラン化合物はアルコキシ基などの加水分解性基がケイ素原子に直結している。上記以外の3官能アルコキシシラン化合物としては以下のものがあげられる。
メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリプロポキシシラン、メチルトリイソプロポキシシラン、メチルトリブトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、ヘキシルトリメトキシシラン、オクタデシルトリメトキシシラン、オクタデシルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、フェニルトリイソプロポキシシラン、1−ナフチルトリメトキシシラン、1−ナフチルトリエトキシシラン、3−アミノプロピルトリエトキシシラン、N−(2−アミノエチル)−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、3−クロロプロピルトリメトキシシラン、3−(N,N−ジグリシジル)アミノプロピルトリメトキシシラン、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、γ−メタクリルオキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、N−β−(アミノエチル)−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、β−シアノエチルトリエトキシシラン、トリフルオロメチルトリメトキシシラン、トリフルオロメチルトリエトキシシラン、トリフルオロプロピルトリメトキシシラン、トリフルオロプロピルトリエトキシシラン、パーフルオロプロピルエチルトリメトキシシラン、パーフルオロプロピルエチルトリエトキシシラン、パーフルオロペンチルエチルトリメトキシシラン、パーフルオロペンチルエチルトリエトキシシラン、トリデカフルオロオクチルトリメトキシシラン、トリデカフルオロオクチルトリエトキシシラン、トリデカフルオロオクチルトリプロポキシシラン、トリデカフルオロオクチルトリイソプロポキシシラン、ヘプタデカフルオロデシルトリメトキシシラン、ヘプタデカフルオロデシルトリエトキシシランなどが挙げられる。
2官能アルコキシシラン化合物としては以下のものがあげられる。
ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン、メチルフェニルジメトキシシラン、メチルビニルジメトキシシラン、メチルビニルジエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、N−(2−アミノエチル)−3−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−メタクリルオキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−メタクリルオキシプロピルメチルジエトキシシラン、トリフルオロプロピルメチルジメトキシシラン、トリフルオロプロピルメチルジエトキシシラン、トリフルオロプロピルエチルジメトキシシラン、トリフルオロプロピルエチルジエトキシシラン、トリフルオロプロピルビニルジメトキシシラン、トリフルオロプロピルビニルジエトキシシラン、ヘプタデカフルオロデシルメチルジメトキシシラン、3−クロロプロピルメチルジメトキシシラン、3−クロロプロピルメチルジエトキシシラン、シクロヘキシルメチルジメトキシシラン、オクタデシルメチルジメトキシシラン等が挙げられる。
3官能性アルコキシシラン化合物のうち、得られる硬化膜の耐薬品性の観点から、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、およびフェニルトリエトキシシランが好ましい。
2官能性アルコキシシラン化合物のうち、得られる硬化膜に可とう性を付与させるためには、ジメチルジアルコキシシランが好ましく用いられる。
これら以外に4官能性アルコキシシラン化合物としては、例えば、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシランが挙げられる。
これらアルコキシシラン化合物は、単独で用いても、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
アルコキシシラン化合物の加水分解・縮合反応生成物、すなわちシロキサン化合物の含有量は、樹脂組成物の溶剤を除く固形分全量に対して10質量%以上が好ましく、20質量%以上がより好ましい。また、80質量%以下がより好ましい。この範囲でシロキサン化合物を含有することにより、硬化膜の光の透過率とクラック耐性とをより高めることができる。
本発明のポリシロキサンは原料となるアルコキシシラン化合物を加水分解・縮合反応させることにより得ることができる。
加水分解反応は、溶剤中、上記したアルコキシシラン化合物に酸触媒および水を添加してシラノール基を生じさせる。アルコキシシラン化合物に酸触媒および水を1〜180分かけて添加した後、室温〜110℃で1〜180分反応させることが好ましい。このような条件で加水分解反応を行うことにより、急激な反応を抑制することができる。より好ましい反応温度は40〜105℃である。
また、加水分解反応の後、縮合反応を行い本発明のポリシロキサンを得る。縮合反応は反応液を50℃以上溶剤の沸点以下で1〜100時間加熱し行うことが好ましい。また、縮合反応により得られるポリシロキサン化合物の重合度を上げるために、再加熱もしくは塩基触媒の添加を行うことも有効である。
加水分解・縮合反応における各種条件は、反応スケール、反応容器の大きさ、形状などを考慮して、たとえば酸濃度、反応温度、反応時間などを設定することによって、目的とする用途に適した物性を得ることができる。
加水分解反応に用いる酸触媒としては、塩酸、酢酸、蟻酸、硝酸、蓚酸、塩酸、硫酸、リン酸、ポリリン酸、多価カルボン酸あるいはその無水物、イオン交換樹脂などの酸触媒が挙げられる。特に蟻酸、酢酸またはリン酸を用いた酸性水溶液が好ましい。
これら酸触媒の好ましい含有量としては、加水分解反応前の全ポリシロキサン化合物100質量部に対して、好ましくは、0.05質量部以上、より好ましくは0.1質量部以上である。また、好ましくは10質量部以下、より好ましくは5質量部以下である。ここで、全ポリシロキサン化合物量とは、ケイ素原子を有する化合物であって、ポリシロキサンの原料であるアルコキシシラン化合物、その加水分解物およびその縮合物であるポリシロキサン全てを含んだ量のことを言う。その定義は以下同じとする。酸触媒の量を0.05質量部以上とすることでスムーズに加水分解が進行し、また10質量部以下とすることで加水分解反応の制御が容易となる。
加水分解・縮合反応に用いる溶剤は特に限定されないが、樹脂組成物の安定性、濡れ性、揮発性などを考慮して適宜選択する。溶剤は1種類のみならず2種類以上用いることも可能である。溶剤の具体例としては以下のものが例示される。
メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、ブタノール、イソブタノール、t−ブタノール、ペンタノール、4−メチル−2−ペンタノール、3−メチル−2−ブタノール、3−メチル−3−メトキシ−1−ブタノール、ジアセトンアルコールなどのアルコール類。
エチレングリコール、プロピレングリコールなどのグリコール類。
エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノ−t−ブチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールジブチルエーテル、ジエチルエーテルなどのエーテル類。
メチルエチルケトン、アセチルアセトン、メチルプロピルケトン、メチルブチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジイソブチルケトン、シクロペンタノン、2−ヘプタノンなどのケトン類。
ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミドなどのアミド類。
エチルアセテート、プロピルアセテート、ブチルアセテート、イソブチルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、3−メトキシブチルアセテート、3−メチル−3−メトキシブチルアセテート、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ブチルなどのアセテート類;トルエン、キシレン、ヘキサン、シクロヘキサンなどの芳香族あるいは脂肪族炭化水素。
その他にγ−ブチロラクトン、N−メチル−2−ピロリドン、ジメチルスルホキシドなど。
これらのうち、硬化膜の透過率、クラック耐性等の点で、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノ−t−ブチルエーテル、γ−ブチロラクトン等が好ましく用いられる。
また、加水分解・縮合反応終了後に、さらに溶剤を添加することにより、樹脂組成物として適切な濃度または粘度に調整することも好ましい。また、加水分解後に加熱および/または減圧下により生成したアルコール等の気化性の加水分解生成物を全量あるいは一部を留出、除去し、その後好適な溶剤を添加することもできる。
加水分解反応時に使用される溶剤の量は、全ポリシロキサン化合物100質量部に対して、好ましくは50質量部以上、より好ましくは80質量部以上であり、また、好ましくは500質量部以下、より好ましくは、200質量部以下である。溶剤の量を50質量部以上とすることでゲルの生成を抑制できる。また500質量部以下とすることで加水分解反応が速やかに進行する。
また、加水分解反応に用いる水としては、イオン交換水が好ましい。水の量は任意に選択可能であるが、アルコキシシラン化合物1モルに対して、1.0〜4.0モルの範囲で用いることが好ましい。
<金属化合物粒子(D)>
本発明の樹脂組成物は、さらに金属化合物粒子(D)を含有してもよい。金属化合物粒子(D)としては、アルミニウム化合物粒子、スズ化合物粒子、チタン化合物粒子およびジルコニウム化合物粒子から選ばれる1以上の金属化合物粒子またはアルミニウム化合物、スズ化合物、チタン化合物およびジルコニウム化合物から選ばれる1以上の金属化合物とケイ素化合物との複合粒子が例示される。
なかでも、酸化チタン粒子および酸化ジルコニウム粒子のいずれか一種以上を含有することが好ましい。これにより、屈折率を所望の範囲に調整することができる。また、硬化膜の硬度、耐擦傷性、耐クラック性を向上させることができる。
金属化合物粒子(D)の数平均粒子径は1〜200nmが好ましい。透過率の高い硬化膜を得るためには、数平均粒子径1nm〜70nmであることがより好ましい。ここで、金属化合物粒子の数平均粒子径は、ガス吸着法や動的光散乱法、X線小角散乱法、透過型電子顕微鏡や走査型電子顕微鏡により測定することができる。
酸化チタン粒子および酸化ジルコニウム粒子は、用途により適当なものを選ぶことができる。例えば、高屈折率の硬化膜を得るには酸化チタン粒子などのチタン化合物粒子や、酸化ジルコニウム粒子などのジルコニウム化合物粒子が好ましく用いられる。金属化合物粒子(D)の含有量としては、樹脂組成物中の固形分に対して、40〜70質量%であることが好ましい。下限としては、より好ましくは45質量%以上であり、さらに好ましくは50質量%以上である。上限としては、より好ましくは65質量%以下であり、さらに好ましくは60質量%以下である。40質量%未満であると、屈折率が低くなり光の集光率が低下する。また、70質量%を超えると、ポリシロキサン成分が少なくなり、パターン加工時の解像度が悪くなる。
酸化チタンには、アナタース型酸化チタンとルチル型酸化チタンのように、結晶構造の異なるものが存在するが、これら金属化合物粒子(D)の結晶構造に特に制限はなく、用途によって適当な構造の金属化合物粒子(D)を用いることができる。
また、金属化合物粒子(D)はポリマーや分散剤などで表面が被覆されていても良い。表面が被覆された金属化合物粒子(D)は分散状態が安定化し、樹脂組成物中の金属化合物粒子(D)の含有量を増やしても凝集や析出が生じにくいからである。
金属化合物粒子(D)の表面を被覆するポリマーや分散剤に特に制限はないが、ポリシロキサン(A)は金属化合物粒子(D)の分散安定化にも寄与する。ポリシロキサン(A)と金属化合物粒子(D)は相互作用しやすく、単に混合することで分散安定化の効果を得ることも可能であるが、ポリシロキサン(A)の加水分解・縮合反応の過程で混合することで、ポリシロキサン(A)と金属化合物粒子(D)が均一化し、分散安定性をさらに向上することも可能である。
さらに、アルコキシシランの加水分解反応時に金属化合物粒子(D)を混合していても良い。これにより得られるポリシロキサン(A)と金属化合物粒子(D)の混合状態が良好となり、樹脂組成物の安定性が向上する。
市販されている金属化合物粒子の例としては、酸化ケイ素−酸化チタン複合粒子の“オプトレイク(登録商標)”TR−502、“オプトレイク”TR−503、“オプトレイク”TR−504、“オプトレイク”TR−513、“オプトレイク”TR−520、“オプトレイク”TR−527、“オプトレイク”TR−528、“オプトレイク”TR−529、“オプトレイク”TR−550、酸化チタン粒子の“オプトレイク”TR−505((以上、商品名、触媒化成工業(株)製)、酸化ジルコニウム粒子((株)高純度化学研究所製)、酸化スズ−酸化ジルコニウム複合粒子(触媒化成工業(株)製)、などが挙げられる。
これら金属化合物粒子の含有量に特に制限はなく、用途によって適当な量とすることができるが、シロキサン樹脂組成物の固形分中1〜70質量%程度とするのが一般的である。
<ナフトキノンジアジド化合物(B)>
本発明のシロキサン樹脂組成物にポジ型感光性を付与するため、ナフトキノンジアジド化合物(B)を用いる。ナフトキノンジアジド化合物を用いることにより、露光部をテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で溶解することにより、ポジのレリーフパターンを得ることができる。
キノンジアジド系感光剤としては、下記一般式(10)のいずれかで示される化合物が好ましい。フェノール性水酸基を有する化合物にナフトキノンジアジドのスルホン酸がエステルで結合した化合物である。
Figure 2019189387
(上記式中、R17はフェノール性水酸基を有する化合物のエステル化後の構造を示す。)
ここで用いられるフェノール性水酸基を有する化合物としては、例えば、4,4‘−Cyclohexylidenobis phenol、4,4’−Cyclohexylidenebis[2−methylphenol]、5,5‘−(1,1’−Cyclohexylidene)bis−[1,1‘−(biphenyl)−2−ol]、4,4’−Cyclopentylidenebis phenol、4,4‘−Cyclohexylidenebis[2,6−dimethyl phenol]、4,4’−Cyclohexylidenebis[2−(1,1−dimethylethyl)phenol]、4,4‘−Cyclohexylidenebis[2−cyclohexyl phenol]、4,4’−Cyclopentylidenebis[2−methylphenol]、4,4’−(4−Methylcyclohexylidene)bis phenol4,4’−Cyclopentylidenebis[2,6−dimethylphenol]、4,4‘−[4−(1−Methylethyl)cyclohexylidene]bisphenol、4,4’−[4−(1−methylethyl)cyclohexylidene]bis[2−methylphenol]、4,4‘−[4−(1−Methylethyl)cycrohexylidene]bis[2−cycrohexyl phenol]、4,4‘−Cyclopentylidenebis[2−(1−methylethyl phenol)、4,4’−[4−(1−Methylethyl)cyclohexylidene」bis[2,6−dimethyl phenol]、4,4‘−Cyclopentylidenebis [2−(1,1−dimethylethyl)phenol]、4,4,4’、4‘Tetrakis[(1−methylethylidene)bis(1,4−cyclohexylidene)]phenol)、4,4’、4‘’−Ethylidenetris phenol、4,4‘−[1−[4−[1−(4−Hydroxyphenyl)−1−methylethyl]phenyl]ethylidene]bisphenol、Cyclohexylidenebis[2−fluoro phenol]、4,6−Bis[(4−hydroxyphenyl)methyl]−1,3−benzenediol、4,6−Bis[(3,5−dimethyl−4−hydroxyphenyl)methyl]−1,2,3−benzenetriol、2,4,6−Tris(4−hydroxyphenylmethyl)−1,3−benzenediol、2,4−Bis[(3−methyl−4−hydroxyphenyl)methyl]−6−cyclohexylphenol、2,4−Bis[(5−methyl−2−hydoxyphenyl)methyl]−6−cyclohexylphenol、2,4−Bis[(2,5−dimethyl−4−hydroxyphenyl)methyl]−6−cyclohexyl phenol、2,4−Bis[(3,5−dimethyl−4−hydroxyphenyl)methyl]−6−cyclohexyl phenol、2,4−Bis[(4−hydroxy−3−cyclohexylphenyl)methyl]−6−methylphenol、2,4−Bis[(2,3,6−trimethyl−4−hydroxyphenyl)methyl]−6−cycrohexyl phenol、4,6−Bis[3,5−dimethyl−4−hydroxyphenyl]methyl]−1,3−benzenediol、2,4−Bis[(2,4−dihydroxyphenyl)methyl]−6−cyclohexyl phenol、4−[1−(4−Hydroxyphenyl)−1−phenylethyl]−1,2−benzenediol。
BIR−OC、BIP−PC、2,6−Bis(2,4−dihydroxybenzyl)−4−methylphenol、BIR−PTBP、BIR−PCHP、BIP−BIOC−F、4PC、BIR−BIPC−F、TEP−BIP−A(以上、商品名、旭有機材工業(株)製)。
4,4’−スルホニルジフェノール(和光純薬(株)社製)、9,9−Bis(4−hydroxyphenyl)fluorene(商品名、JFEケミカル(株)製。
これらのうち、好ましいフェノール性水酸基を有する化合物としては以下のものがあげられる。4,4‘−Cyclohexylidenobis phenol、4,4,4’,4‘Tetrakis[(1−methylethylidene)bis(1,4−cyclohexylidene)]phenol、4,4’、4‘’−Ethylidenetris phenol、4,4‘−[1−[4−[1−(4−Hydroxyphenyl)−1−methylethyl]phenyl]ethylidene]bisphenol、4,4‘−Cyclohexylidenebis[2−cyclohexyl phenol]、4,4’−(4−Methylcyclohexylidene)bis phenol、4,4‘−[4−(1−Methylethyl)cyclohexylidene]bis phenol、4,4‘−[4−(1−Methylethyl)cycrohexylidene]bis[2−cycrohexyl phenol]、4,4’−Cyclopentylidenebis phenol、4,6−Bis[(4−hydroxyphenyl)methyl]−1,3−benzenediol、2,4,6−Tris(4−hydroxyphenylmethyl)−1,3−benzenediol、2,4−Bis[(5−methyl−2−hydoxyphenyl)methyl]−6−cyclohexylphenol、4,6−Bis[3,5−dimethyl−4−hydroxyphenyl]methyl]−1,3−benzenediol、4−[1−(4−Hydroxyphenyl)−1−phenylethyl]−1,2−benzenediol、BIP−PC、2,6−Bis(2,4−dihydroxybenzyl)−4−methylphenol、BIR−PTBP、BIR−BIPC−F、9,9−Bis(4−hydroxyphenyl)fluorene。
これらのうち、特に好ましいフェノール性水酸基を有する化合物としては、たとえば、4,4‘−Cyclohexylidenobis phenol、4,4,4’、4‘Tetrakis[(1−methylethylidene)bis(1,4−cyclohexylidene)]phenol、4,4’、4‘’−Ethylidenetris phenol、4,4‘−[1−[4−[1−(4−Hydroxyphenyl)−1−methylethyl]phenyl]ethylidene]bisphenol、4,6−Bis[(4−hydroxyphenyl)methyl]−1,3−benzenediol、2,4,6−Tris(4−hydroxyphenylmethyl)−1,3−benzenediol、4−[1−(4−Hydroxyphenyl)−1−phenylethyl]−1,2−benzenediol、2,6−Bis(2,4−dihydroxybenzyl)−4−methylphenol、BIR−PTBP、BIR−BIPC−F、4,4’−スルホニルジフェノール、9,9−Bis(4−hydroxyphenyl)fluoreneである。
上で説明したフェノール性水酸基を有する化合物に4−ナフトキノンジアジドスルホン酸または5−ナフトキノンジアジドスルホン酸をエステル結合で導入したものが好ましいものとして例示することができる。これ以外の化合物を使用することもできる。
ナフトキノンジアジド化合物(B)の含有量は、ポリシロキサン(A)100質量部に対して1〜50質量部、より好ましくは2〜10質量部である。1質量部以上とすることで、実用的な感度でパターン形成を行うことができる。また、50質量部以下とすることで、透過率やパターン解像性に優れた樹脂組成物が得られる。
ナフトキノンジアジド化合物の好ましい分子量は300以上、より好ましくは350以上である。また1000以下、より好ましくは800以下である。分子量を300以上とすることで、未露光部の溶解抑止効果が得られる。また分子量を1000以下とすることで、露光後、現像し、感光性樹脂組成物を除去した部分においてスカムがないレリーフパターンが得られる。
ナフトキノンジアジド化合物を添加しているので、未露光部の塗膜の中にはナフトキノンジアジド基が残留し、それが原因で加熱硬化後に膜の着色が生じることがある。透明な硬化膜を得るためには、現像後の膜の全面に紫外線を照射して、ナフトキノンジアジド化合物を分解し、その後に加熱硬化を行うことが好ましい。
<溶剤(C)>
本発明の樹脂組成物は溶剤(C)を含む。
本発明の樹脂組成物に用いられる好ましい溶剤(C)としては、以下のものがあげられる。
エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノ−t−ブチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールジブチルエーテル等のエーテル系化合物。
エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピルアセテート、ブチルアセテート、イソブチルアセテート、3−メトキシブチルアセテート、3−メチル−3−メトキシブチルアセテート等のアセテート系化合物。
乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ブチル等の乳酸エスエル。
アセチルアセトン、メチルプロピルケトン、メチルブチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロペンタノン、2−ヘプタノン、メシチルオキシド等のケトン化合物。
メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、イソブチルアルコール、ペンタノール、4−メチル−2−ペンタノール、3−メチル−2−ブタノール、3−メチル−3−メトキシ−1−ブタノール、ジアセトンアルコール等のアルコール系化合物。
トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系化合物。
そのほかγ−ブチロラクトン、N−メチルピロリジノン等。
これらは単独あるいは混合して用いても構わない。
これらのうち、特に好ましい溶剤の例は、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノ−t−ブチルエーテル、ジアセトンアルコール、γ−ブチロラクトンである。これらは単独あるいは2種以上用いてもかまわない。
本発明の樹脂組成物における全溶剤の含有量は、ポリシロキサン化合物100質量部に対して、100質量部〜9900質量部の範囲が好ましく、より好ましくは、100質量部〜5000質量部の範囲である。
<その他の成分>
本発明の樹脂組成物には、塗布時におけるフロー性や膜厚の均一性向上のために、各種界面活性剤を含有してもよい。界面活性剤の種類に特に制限はなく、例えば、フッ素系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤、ポリアルキレンオキシド系界面活性剤、ポリ(メタ)アクリレート系界面活性剤などを用いることができる。これらのうち、フロー性や膜厚均一性の観点から、フッ素系界面活性剤が特に好ましく用いられる。
フッ素系界面活性剤の具体的な例としては、1,1,2,2−テトラフロロオクチル(1,1,2,2−テトラフロロプロピル)エーテル、1,1,2,2−テトラフロロオクチルヘキシルエーテル、オクタエチレングリコールジ(1,1,2,2−テトラフロロブチル)エーテル、ヘキサエチレングリコール(1,1,2,2,3,3−ヘキサフロロペンチル)エーテル、オクタプロピレングリコールジ(1,1,2,2−テトラフロロブチル)エーテル、ヘキサプロピレングリコールジ(1,1,2,2,3,3−ヘキサフロロペンチル)エーテル、パーフロロドデシルスルホン酸ナトリウム、1,1,2,2,8,8,9,9,10,10−デカフロロドデカン、1,1,2,2,3,3−ヘキサフロロデカン、N−[3−(パーフルオロオクタンスルホンアミド)プロピル]−N,N′−ジメチル−N−カルボキシメチレンアンモニウムベタイン、パーフルオロアルキルスルホンアミドプロピルトリメチルアンモニウム塩、パーフルオロアルキル−N−エチルスルホニルグリシン塩、リン酸ビス(N−パーフルオロオクチルスルホニル−N−エチルアミノエチル)、モノパーフルオロアルキルエチルリン酸エステルなどの末端、主鎖および側鎖の少なくとも何れかの部位にフルオロアルキルまたはフルオロアルキレン基を有する化合物からなるフッ素系界面活性剤を挙げることができる。
また、市販品としては、“メガファック”(登録商標)F142D、同F172、同F173、同F183、同F410、同F477、同F553、同F554、同F556、同F557、同F559、同F560、同F563、RS−72−K、DS−21、R−41(以上、大日本インキ化学工業(株)製)、“エフトップ”(登録商標)EF301、同303、同352(新秋田化成(株)製)、“フロラード”FC−430、同FC−431(住友スリーエム(株)製)、“アサヒガード”(登録商標)AG710、“サーフロン”(登録商標)S−382、同SC−101、同SC−102、同SC−103、同SC−104、同SC−105、同SC−106(旭硝子(株)製)、“BM−1000”、“BM−1100”(裕商(株)製)、“NBX−15”、“FTX−218”((株)ネオス製)などのフッ素系界面活性剤を挙げることができる。これらの中でも、上記“メガファック”(登録商標)F477、同F556、同F563“BM−1000”、“BM−1100”、“NBX−15”、“FTX−218”がフロー性や膜厚均一性の観点から特に好ましい。
シリコーン系界面活性剤の市販品としては、“SH28PA”、“SH7PA”、“SH21PA”、“SH30PA”、“ST94PA”(いずれも東レ・ダウコーニング・シリコーン(株)製)、“BYK−333”、“BYK−352”(ビックケミー・ジャパン(株)製)、“KL−700”、“LE−302”、“LE−303”、“LE−304”(共栄社化学(株))などが挙げられる。その他の界面活性剤の例としては、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンジステアレートなどが挙げられる。
界面活性剤の含有量は、樹脂組成物中の全ポリシロキサン化合物含有量100質量部に対して、通常、0.001〜10質量部である。これらは、1種あるいは2種以上を同時に使用してもよい。
さらに、本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、例えば溶剤を気化させるためのプリベーク時の熱重合を抑制する目的で、重合禁止剤を含有しても構わない。重合禁止剤としては、例えば、フェノール、ハイドロキノン、p−メトキシフェノール、ベンゾキノン、メトキシベンゾキノン、1,2−ナフトキノン、クレゾール、p−t−ブチルカテコール等のカテコール類、アルキルフェノール類、アルキルビスフェノール類、フェノチアジン、2,5−ジ−t−ブチルハイドロキノン、2,6−ジ−t−ブチルフェノール、オクタデシル−3−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート、N,N’−ヘキサメチレンビス(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシ−ヒドロシンナマイド)、2,2’メチレンビス(4−メチル−6−t−ブチルフェノール)、4,4’メチレンビス(2,6−ジ−t−ブチルフェノール)、4,4’ブチリデンビス(3−メチル−6−t−ブチルフェノール)、2,6−ビス(2’−ヒドロキシ−3’−t−ブチル−5’−メチルベンジル)4−メチルフェノール、1,1,3−トリス(2’−メチル−5’−t−ブチル−4’−ヒドロキシフェニル)ブタン、1,3,5−トリメチル−2,4,6−トリス(3’−5’−ジ−t−ブチル−4’−ヒドロキシベンジル)ベンゼン、トリエチレングリコールビス[3−(3−t−ブチル−5−メチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート]、ペンタエリスリチルテトラキス[3−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート]、2−t−ブチル−6−(3−t−ブチル−2−ヒドロキシ−5−メチルベンジル)−4−メチルフェニルアクリレート、2,4−ジメチル−6−t−ブチルフェノール、2−t−ブチル−4−メトキシフェノール等のフェノール類、6−t−ブチル−m−クレゾール、2,6−ジ−t−ブチル−p−クレゾール、2−t−ブチルハイドロキノン、メチレンブルー、ジメチルジチオカルバミン酸銅塩、ジエチルジチオカルバミン酸銅塩、ジプロピルジチオカルバミン酸銅塩、ジブチルジチオカルバミン酸銅塩、ジブチルジチオカルバミン酸銅、サリチル酸銅、チオジプロピオン酸エステル類、メルカプトベンズイミダゾール若しくはホスファイト類これら化合物と空気等の酸素含有ガスとの併用が挙げられる。本発明のポジ型感光性樹脂組成物中の重合禁止剤含有量は、ポジ型感光性樹脂組成物全体に対して0.000005〜0.2質量%であることが好ましく、0.00005〜0.1%であることがより好ましい。また、有機溶媒以外の全成分に対して0.0001〜0.5質量%が好ましく、0.001〜0.2質量%がより好ましい。
さらに本発明の樹脂組成物には、必要に応じて、粘度調整剤、安定化剤、着色剤、紫外線吸収剤等を含有することができる。
<硬化膜の製造方法>
本発明の樹脂組成物を基材上に塗布して塗布膜を得る。これを加熱により乾燥、硬化させることにより硬化膜を形成することができる。
本発明における樹脂組成物の塗布方法としては、マイクログラビアコーティング、スピンコーティング、ディップコーティング、カーテンフローコーティング、ロールコーティング、スプレーコーティング、スリットコーティング、流し塗り法などを好ましく用いることができる。
加熱乾燥および硬化条件としては、適用される基材、および樹脂組成物に応じて適宜選択されるが、通常は室温以上、400℃以下の温度で、0.5分間から240分間の処理を行うことが好ましい。特に好ましい硬化温度としては、100〜400℃が好ましく、さらに好ましくは、150〜400℃である。
塗布膜および硬化膜の膜厚に特に制限はないが、ともに0.001〜100μmの範囲にあるのが一般的である。
本発明の実施の形態に係る硬化膜の製造方法は、以下の工程を含むことが好ましい。
(I)上記のポジ型感光性樹脂組成物を基板上に塗布して塗膜を形成する工程、
(II)該塗膜を露光する工程、
(III)該露光後の塗膜を加熱する工程。
上記各工程を順に説明する。
(I)ポジ型感光性樹脂組成物を基板上に塗布して塗膜を形成する工程
上記の樹脂組成物を、スピン塗布やスリット塗布等の公知の方法によって基板上に塗布し、ホットプレート、オーブン等の加熱装置を用いて加熱する。これをプリベークという。プリベークは、50〜150℃の温度範囲で30秒〜30分間行うことが好ましい。プリベーク後の膜厚は0.1〜15μmが好ましい。
(II)塗膜を露光する工程
プリベーク後、ステッパー、ミラープロジェクションマスクアライナー(MPA)、パラレルライトマスクアライナー(PLA)等の紫外可視露光機を用い、10〜4000J/m程度(波長365nm露光量換算)の露光量にて、塗膜全面を露光する。
(III)塗膜を加熱して硬化する工程
(I)を経た塗膜、または、(I)および(II)を経た塗膜を、ホットプレート、オーブン等の加熱装置で、150〜450℃の温度範囲で30秒〜2時間程度加熱(キュア)することで、硬化膜を得る。
また、上記の樹脂組成物でパターン加工した硬化膜を製造する場合には、以下の工程を含むことが好ましい。
(i)上記のポジ型感光性樹脂組成物を基板上に塗布して塗膜を形成する工程、
(ii)該塗膜をパターン露光工程の後、現像液で現像することにより、塗膜の露光部分を除去する工程、
(iii)該現像後残った塗膜を露光する工程、
(iv)前記露光後の塗膜を加熱する工程。
上記各工程を順に説明する。
(i)ポジ型感光性樹脂組成物を基板上に塗布して塗膜を形成する工程
上記の樹脂組成物を、スピン塗布やスリット塗布等の公知の方法によって基板上に塗布し、ホットプレート、オーブン等の加熱装置を用いて加熱する。これをプリベークという。プリベークは、50〜150℃の温度範囲で30秒〜30分間行うことが好ましい。プリベーク後の膜厚は0.1〜15μmが好ましい。
(ii)該塗膜をパターン露光工程の後、現像液で現像することにより、塗膜の露光部分を除去する工程
プリベーク後、ステッパー、ミラープロジェクションマスクアライナー(MPA)、パラレルライトマスクアライナー(pla)等の紫外可視露光機を用い、所望のマスクを介して、10〜4000J/m程度(波長365nm露光量換算)の露光量にて、パターン露光する。
露光後、現像により露光部の膜を溶解除去し、ポジパターンを得る。パターンの解像度は、好ましくは15μm以下である。現像方法としては、シャワー、ディップ、パドル等の方法が挙げられ、現像液に5秒〜10分間、膜を浸漬することが好ましい。現像液としては、公知のアルカリ現像液を用いることができ、例えば、以下のアルカリ成分の水溶液等が挙げられる。アルカリ金属の水酸化物、炭酸塩、リン酸塩、ケイ酸塩、ホウ酸塩等の無機アルカリ成分、2−ジエチルアミノエタノール、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン等のアミン類、水酸化テトラメチルアンモニウム(TMAH)、コリン等の4級アンモニウム塩。アルカリ現像液として、これらを2種以上用いてもよい。
また、現像後は水でリンスすることが好ましく、必要であれば、ホットプレート、オーブン等の加熱装置で50〜150℃の温度範囲で脱水乾燥ベークを行ってもよい。さらに、必要であれば、ホットプレート、オーブン等の加熱装置で、50〜300℃の温度範囲で30秒〜30分間加熱を行う。これをソフトベークという。
(iii)該現像後残った塗膜を露光する工程
現像後、ステッパー、ミラープロジェクションマスクアライナー(mpa)、パラレルライトマスクアライナー(pla)等の紫外可視露光機を用い、所望のマスクを介して、10〜4000J/m程度(波長365nm露光量換算)の露光量にて、パターン露光する。
(iv)前記露光後の塗膜を加熱する工程。
(iii)を経た塗膜を、ホットプレート、オーブン等の加熱装置で、150〜450℃の温度範囲で30秒〜2時間程度加熱(キュア)することで、硬化膜を得る。
本発明の実施の形態に係る樹脂組成物は、(II)露光および現像する工程において、パターン形成における生産性の観点から、露光時の感度が1500J/m以下であることが好ましく、1000J/m以下であることがより好ましい。このような高い感度は、スチリル基および/または(メタ)アクリロイル基を有するオルガノシラン化合物を用いたポリシロキサンを含有する感光性樹脂組成物により、達成することができる。
露光時の感度は、以下の方法により求められる。感光性樹脂組成物を、シリコンウェハ上に、スピンコーターを用いて任意の回転数でスピン塗布する。ホットプレートを用いて120℃で3分間、塗膜をプリベークし、膜厚1μmのプリベーク膜を作製する。マスクアライナであるPLA(キヤノン(株)製PLA−501F)を用いて、超高圧水銀灯により、感度測定用のマスクである、1〜10μmのライン・アンド・スペースパターンを有するグレースケールマスクを介してプリベーク膜を露光する。その後、自動現像装置(滝沢産業(株)製AD−2000)を用いて、2.38重量%TMAH水溶液で90秒間シャワー現像し、次いで水で30秒間リンスする。形成されたパターンにおいて、設計寸法100μmの正方形パターンが現像後に剥がれず、基板上に残って形成される露光量のうちもっとも露光量が低いもの(以下、これを最適露光量という)を感度とする。
その後、熱硬化工程として、ホットプレートを用いて220℃で5分間キュアして硬化膜を作製し、感度における最小パターン寸法をキュア後解像度として求める。
本発明の樹脂組成物およびその硬化膜は、固体撮像素子、光学フィルタ、ディスプレイ等の光学デバイスに好適に用いられる。より具体的には、裏面照射型CMOSイメージセンサなどの固体撮像素子等に形成される集光用マイクロレンズや光導波路、光学フィルタとして設置される反射防止膜、ディスプレイ用TFT基板の平坦化材、液晶ディスプレイ等のカラーフィルタおよびその保護膜、位相シフター等が挙げられる。これらの中でも、高い透明性と高い屈折率を両立できることから、固体撮像素子上に形成される集光用マイクロレンズや、集光用マイクロレンズと光センサー部を繋ぐ光導波路として特に好適に用いられる。また、半導体装置のバッファコート、層間絶縁膜や、各種保護膜として用いることもできる。本発明の感光性樹脂組成物は、エッチング法によるパターン形成が不要であるため作業の簡略化が可能であり、エッチング薬液やプラズマによる配線部の劣化を回避することができる。
以下、実施例を挙げて、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されない。合成例および実施例に用いた化合物のうち、略語を使用しているものは以下のとおりである。
<アルコキシシラン化合物>
MTMS:メチルトリメトキシシラン
PhTMS:フェニルトリメトキシシラン
StTMS:スチリルトリメトキシシラン
SuTMS: 3−トリメトキシシリルプロピルコハク酸無水物
NaTMS:1−ナフチルトリメトキシシラン
VnTMS:ビニルトリメトキシシラン。
<溶媒>
PGMEA:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
DAA:ジアセトンアルコール
EDM:ジエチレングリコールエチルメチルエーテル。
そして本実施例で行った測定方法は以下のとおりである。
<固形分濃度>
ポリシロキサン溶液の固形分濃度は、以下の方法により求めた。アルミカップにポリシロキサン溶液を1.5g秤取し、ホットプレートを用いて250℃で30分間加熱して液分を蒸発させた。加熱後のアルミカップに残った固形分を秤量して、ポリシロキサン溶液の固形分濃度を求めた。
<スチリル基およびビニル基の比率測定>
29SI−NMRの測定を行い、ケイ素原子全体の積分値に対する、各種オルガノシランのケイ素原子の積分値の割合を算出して、該当するケイ素原子の比率を計算した。試料(液体)は直径10mmの“テフロン”(登録商標)製NMRサンプル管に注入し測定に用いた。29SI−NMRの測定条件を以下に示す。
装置:日本電子社製JNM GX−270、測定法:ゲーテッドデカップリング法
測定核周波数:53.6693MHz(29SI核)、スペクトル幅:20000Hz
パルス幅:12μsec(45°パルス)、パルス繰り返し時間:30.0sec
溶媒:アセトン−d6、基準物質:テトラメチルシラン
測定温度:室温、試料回転数:0.0Hz。
<硬化膜の屈折率の測定>
得られた硬化膜について、大塚電子(株)製分光エリプソメータFE5000を用いて、22℃での633nmにおける屈折率を測定した。
<硬化膜の耐熱性評価>
得られた硬化膜の膜厚(T1)を測定した。次いで、この硬化膜付き基板をHP上にて、230℃10分間追加キュアした後、硬化膜の膜厚(T2)を測定した。追加キュア前後の膜厚変化率を下記式より算出して、下記式で膜厚変化率を算出した。
膜厚変化率(%) = (T1−T2)/T1×100
この値を耐熱性評価の指標とした。小さいほうが耐熱性が高い。
<硬化膜の耐光性評価>
得られた硬化膜の膜厚(T1)を測定した。次いで、この硬化膜付き基板をキセノン耐光性試験機(Q−SUN XenonTestChamber―Model Xe−1)にて、0.5W/m@340nm、45℃の条件下で72時間保持した後、硬化膜の膜厚(T3)を測定して、下記式で膜厚変化率を算出した。
膜厚変化率(%) = (T1−T3)/T1×100
この値を耐光性評価の指標とした。小さい方が耐光性が高い。
<解像度の評価>
得られた硬化膜について、全ての露光量での正方形パターンを観察し、抜けパターンが認められた最小のもののパターン寸法(正方形の辺の大きさ)を解像度xとした。評価基準を以下のように定めた。
A:x<20μm
B:20μm≦x<50μm
C:50μm≦x 。
<現像残渣の評価>
得られた硬化膜のパターンで、露光部は現像操作により溶解するが、露光部の溶け残りの程度により、以下のように判定した。
A:目視では溶け残りがなく、顕微鏡観察において50μm以下の微細パターンも残渣がない。
B:目視では溶け残りがなく、顕微鏡観察において50μm超のパターンには残渣がないが、50μm以下のパターンには残渣がある。
C:目視では溶け残りがないが、顕微鏡観察において50μm超のパターンに残渣がある。
D:目視で、露光部全体に溶け残りがある
実施例に使用したポリマーの合成方法は以下のとおりである。
<合成例1>
ポリシロキサンP−1の合成
500mLの三口フラスコにMTMSを10.63g(0.08mol)、StTMSを53.93g(0.24mol)、VnTMSを5.79g(0.04mol)、SuTMSを10.24g(0.04mol)、DAAを98.35g仕込み、室温で攪拌しながら水21.78gとリン酸0.40gの混合液を30分かけて添加した。その後、フラスコを70℃のオイルバスに浸けて1時間攪拌した後、オイルバスを30分かけて110℃まで昇温した。昇温開始1時間後に溶液の内温が100℃に到達し、そこから2時間加熱攪拌した。フラスコ内の温度は100〜110℃とした。反応中に副生成物であるメタノール、水が合計51g留出した。フラスコ内に残留したポリシロキサンのDAA溶液をポリシロキサンP−1のDAA溶液とした。これの固形分は34.7%であった。29SI−NMRで測定した、ポリシロキサンP−1中のスチリル基のモル量は60mol%、ビニル基のモル量は10mol%だった。
<合成例2>
ポリシロキサンP−2の合成
合成例1と同様の手順で、MTMSを13.34g(0.1mol)、StTMSを52.71g(0.23mol)、VnTMSを2.9g(0.02mol)、SuTMSを10.27g(0.04mol)、DAAを98.25g仕込み、水21.85gとリン酸0.40gの混合液を添加し、ポリシロキサンP−2を合成した。ポリシロキサンP−2のDAA溶液の固形分は34.7%であった。29SI−NMRで測定した、ポリシロキサンP−2中のスチリル基のモル量は60mol%、ビニル基のモル量は5mol%だった。
<合成例3> ポリシロキサンP−3の合成
合成例1と同様の手順で、MTMSを5.28g(0.04mol)、StTMSを52.17g(0.23mol)、VnTMSを11.49g(0.08mol)、SuTMSを10.17g、DAAを98.54g仕込み、水21.63gとリン酸0.40gの混合液を添加し、ポリシロキサンP−3を合成した。ポリシロキサンP−3のDAA溶液の固形分は35.0%であった。29SI−NMRで測定した、ポリシロキサンP−3中のスチリル基のモル量は60mol%、ビニル基のモル量は20mol%だった。
<合成例4>
ポリシロキサンP−4の合成
合成例1と同様の手順で、MTMSを2.63g(0.02mol)、StTMSを51.99g(0.23mol)、VnTMSを14.32g(0.1mol)、SuTMSを10.13g、DAAを98.64g仕込み、水21.56gとリン酸0.40gの混合液を添加し、ポリシロキサンP−4を合成した。ポリシロキサンP−4のDAA溶液の固形分は35.3%であった。29SI−NMRで測定した、ポリシロキサンP−4中のスチリル基のモル量は60mol%、ビニル基のモル量は25mol%だった。
<合成例5>
ポリシロキサンと金属化合物粒子の複合化合物BP−1の合成
合成例1と同様の手順で、MTMSを3.35g(0.02mol)、StTMSを16.56g(0.07mol)、VnTMSを1.82g(0.01mol)、SuTMSを3.23g(0.01mol)、TR−550を99.05g、DAAを68.90g仕込み、水6.87gとリン酸0.13gの混合液を添加し、ポリシロキサンと金属化合物粒子の複合化合物BP−1を合成した。ポリシロキサンと金属化合物粒子の複合化合物BP−1のDAA溶液の固形分は35.3%であった。29SI−NMRで測定した、ポリシロキサンP−5中のスチリル基のモル量は60mol%、ビニル基のモル量は10mol%だった。
比較例に使用したポリマーは以下のとおり合成した。
<合成例6>
ポリシロキサンR−1の合成
500mLの三口フラスコにMTMSを21.06g(0.15mol)、NaTMSを48.0g(0.19mol)、SuTMSを10.14g(0.04mol)、DAAを98.84g仕込み、室温で攪拌しながら水21.57gとリン酸0.40gの混合液を30分かけて添加した。その後、フラスコを70℃のオイルバスに浸けて1時間攪拌した後、オイルバスを30分かけて110℃まで昇温した。昇温開始1時間後に溶液の内温が100℃に到達し、そこから2時間加熱攪拌した(内温は100〜110℃)。反応中に副生成物であるメタノール、水が合計48g留出した。フラスコ内に残留したポリシロキサンのDAA溶液をポリシロキサンR−1のDAA溶液とした。これの固形分は35.2%であった。
<合成例7>
ポリシロキサンR−2の合成
合成例6と同様の手順でMTMSを22.53g(0.17mol)、StTMSを46.38g(0.21mol)、SuTMSを10.85g(0.04mol)、DAAを96.52g仕込み、水23.08gとリン酸0.40gの混合液を添加し、ポリシロキサンR−2を合成した。ポリシロキサンR−2のDAA溶液の固形分は35.3%であった。29SI−NMRで測定した、ポリシロキサンR−2中のスチリル基のモル量は50mol%だった。
<合成例8>
ポリシロキサンR−3の合成
500mLの三口フラスコにVnTMS19.3g(0.13mol)、MTMS53.1g(0.39mol)、PhTMS154.7g(0.78mol)、EDMを113.5g仕込み、攪拌しながら30分間かけて60℃に昇温した。これにシュウ酸5.9gとイオン交換水70.3gの混合溶液を30分間かけて連続的に添加した後、60℃で3時間反応を行なった。減圧にて反応液からメタノールと水を除去して、固形分濃度が35%になるようにEDMを添加することにより、ポリシロキサンR−3を合成した。ポリシロキサンR−3のEDM溶液の固形分は35.2%であった。29SI−NMRで測定した、ポリシロキサンR−3中のビニル基のモル量は10mol%だった。
Figure 2019189387
金属化合物粒子の溶媒置換は以下のとおり行った。
金属化合物粒子(D)として“オプトレイク”TR−550(日揮触媒化成(株)製)の溶媒をメタノールからDAAに置換した。500mlのナスフラスコに“オプトレイク”TR−550のメタノールゾル(固形分濃度20%)を100g、DAAを80g仕込み、エバポレーターにて30℃で30分間減圧し、メタノールを除去した。得られたTR−5550のDAA溶液<B−1>の固形分濃度を測定したところ、20.1%であった。
同様にして、“オプトレイク”TR−527(日揮触媒化成(株)製)の溶媒をメタノールからDAAに置換した。得られたTR−527のDAA溶液<B−2>の固形分濃度を測定したところ、20.3%であった。
硬化膜の作成は以下のとおり行った。
8インチシリコンウェハ基板上に、スピンコーター(東京エレクトロン製 型式名クリーントラックマーク7)を用いて塗布した。塗布後、100℃で3分間プリベークし、I線ステッパー露光機(NIKON(株)製)を用いて、50〜400mJ/cm(50mJ/cmステップ)の露光量でパターン露光した。その後、2.38質量%水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液で90秒間シャワー現像し、次いで水で30秒間リンスした。I線ステッパー露光機により、露光量400mJ/cmで全面露光し、最後に230℃で5分間加熱、硬化し、約1μmの硬化膜を得た。硬化膜の評価は上で説明したとおりである。
以下のとおり感光性樹脂組成物を作製した。
<実施例1>
ポリシロキサン(A)としてP−1のDAA溶液(35.3%)を7.64g、ナフトキノンジアジド化合物(B)としてTHP−17(4,4’,4”-Ethylidyne−tris phenolと1,2−ナフトキノン―2−ジアジド―5−スルホン酸とのスルホン酸エステル)(ダイトーケミックス(株)製)を0.3g、溶媒(C)としてPGMEAを1.40gおよびDAAを0.65g、黄色灯下で混合し、振とう撹拌した後0.45μm径のフィルタで濾過して組成物1を得た。
<実施例2>
ポリシロキサン(A)としてP−2のDAA溶液(34.7%)を7.78g、ナフトキノンジアジド化合物(B)としてTDF−517(4,4’,4”-Ethylidyne−tris phenolと1,2−ナフトキノン―2−ジアジド―5−スルホン酸とのスルホン酸エステル)(東洋合成工業(株)製)を0.3g、溶媒(C)としてPGMEAを1.40gおよびDAAを0.52g、黄色灯下で混合し、振とう撹拌した後0.45μm径のフィルタで濾過して組成物2を得た。
<実施例3>
ポリシロキサン(A)としてP−3のDAA溶液(35.0%)を7.71g、ナフトキノンジアジド化合物(B)としてTDF−517(東洋合成工業(株)製)を0.3g、溶媒(C)としてPGMEAを1.40gおよびDAAを0.59g、黄色灯下で混合し、振とう撹拌した後0.45μm径のフィルタで濾過して組成物3を得た。
<実施例4>
ポリシロキサン(A)としてP−4のDAA溶液(35.3%)を7.65g、ナフトキノンジアジド化合物(B)としてTDF−517(東洋合成工業(株)製)を0.3g、溶媒(C)としてPGMEAを1.40gおよびDAAを0.65g、黄色灯下で混合し、振とう撹拌した後0.45μm径のフィルタで濾過して組成物4を得た。
<比較例1>
ポリシロキサン(A)としてR−1のDAA溶液(35.2%)を7.67g、ナフトキノンジアジド化合物(B)としてTDF−517(東洋合成工業(株)製)を0.3g、溶媒(C)としてPGMEAを1.40gおよびDAAを0.63g、黄色灯下で混合し、振とう撹拌した後0.45μm径のフィルタで濾過して組成物5を得た。
<比較例2>
ポリシロキサン(A)としてR−2のDAA溶液(35.3%)を7.65g、ナフトキノンジアジド化合物(B)としてTDF−517(東洋合成工業(株)製)を0.3g、溶媒(C)としてPGMEAを1.40gおよびDAAを0.65g、黄色灯下で混合し、振とう撹拌した後0.45μm径のフィルタで濾過して組成物6を得た。
<比較例3>
ポリシロキサン(A)としてR−3のDAA溶液(35.2%)を7.65g、ナフトキノンジアジド化合物(B)としてTDF−517(東洋合成工業(株)製)を0.3g、溶媒(C)としてEDMを2.05g、黄色灯下で混合し、振とう撹拌した後0.45μm径のフィルタで濾過して組成物7を得た。
得られた組成物1〜7について、前述の方法にて硬化膜を作成し、耐熱性、耐光性、解像度、残渣の評価を行なった。組成および評価結果を表2、表3に示す。
Figure 2019189387
Figure 2019189387
実施例1〜4と比較例1〜3の対比により、本発明の樹脂組成物は耐熱性および耐光性が良好で、現像性に優れた組成物であることがわかった。
実施例5
ポリシロキサン(A)としてP−1のDAA溶液(35.3%)を2.83g、ナフトキノンジアジド化合物(B)としてTDF−517(東洋合成工業(株)製)を0.25g、溶媒(C)としてDAAを0.70g、金属化合物粒子(D)としてTR−550のDAA溶液B−1を6.22g、黄色灯下で混合し、振とう撹拌した後0.45μm径のフィルタで濾過して組成物8を得た。
実施例6
ポリシロキサン(A)としてP−1のDAA溶液(35.3%)を4.72g、ナフトキノンジアジド化合物(B)としてTDF−517(東洋合成工業(株)製)を0.25g、溶媒(C)としてDAAを2.13g、金属化合物粒子(D)としてTR−550のDAA溶液B−1を2.90g、黄色灯下で混合し、振とう撹拌した後0.45μm径のフィルタで濾過して組成物9を得た。
実施例7
ポリシロキサン(A)としてP−1のDAA溶液(35.3%)を3.54g、ナフトキノンジアジド化合物(B)としてTDF−517(東洋合成工業(株)製)を0.25g、溶媒(C)としてDAAを1.23g、金属化合物粒子(D)としてTR−550のDAA溶液B−1を4.98g、黄色灯下で混合し、振とう撹拌した後0.45μm径のフィルタで濾過して組成物10を得た。
実施例8
ポリシロキサン(A)としてP−1のDAA溶液(35.3%)を1.13g、ナフトキノンジアジド化合物(B)としてTDF−517(東洋合成工業(株)製)を0.20g、溶媒(C)としてDAAを1.70g、金属化合物粒子(D)としてTR−550のDAA溶液B−1を6.97g、黄色灯下で混合し、振とう撹拌した後0.45μm径のフィルタで濾過して組成物11を得た。
実施例9
ポリシロキサン(A)としてP−1のDAA溶液(35.3%)を0.57g、ナフトキノンジアジド化合物(B)としてTDF−517(東洋合成工業(株)製)を0.20g、溶媒(C)としてDAAを1.27g、金属化合物粒子(D)としてTR−550のDAA溶液B−1を7.96g、黄色灯下で混合し、振とう撹拌した後0.45μm径のフィルタで濾過して組成物12を得た。
実施例10
ポリシロキサン(A)としてP−1のDAA溶液(35.3%)を2.83g、ナフトキノンジアジド化合物(B)としてSBF−525(4,4’-1−[4−[1−(4−Hydroxy−5−methylphenyl)methyl]−4−methyl phenolと1,2−ナフトキノン―2−ジアジド―5−スルホン酸とのスルホン酸エステル)(AZエレクトロニックマテリアルズ(株))を0.25g、溶媒(C)としてDAAを0.76g、金属化合物粒子(D)としてTR−527のDAA溶液B−2を6.16g、黄色灯下で混合し、振とう撹拌した後0.45μm径のフィルタで濾過して組成物13を得た。
実施例11
ポリシロキサン(A)と金属化合物粒子(D)の複合化合物としてBP−1のDAA溶液(35.3%)を7.65g、ナフトキノンジアジド化合物(B)としてTDF−517(東洋合成工業(株)製)を0.30g、溶媒(C)としてPGMEAを1.40gおよびDAAを0.65g、黄色灯下で混合し、振とう撹拌した後0.45μm径のフィルタで濾過して組成物14を得た。
比較例4
ポリシロキサン(A)としてR−3のEDM溶液(35.2%)を2.71g、ナフトキノンジアジド化合物(B)としてTDF−517(東洋合成工業(株)製)を0.30g、溶媒(C)としてEDMを0.50gおよびDAAを0.30g、金属化合物粒子(D)としてTR−550のDAA溶液B−1を6.20g、黄色灯下で混合し、振とう撹拌した後0.45μm径のフィルタで濾過して組成物15を得た。
得られた組成物について、前述の方法にて硬化膜を作成し、屈折率、耐熱性、耐光性、解像度、残渣の評価を行なった。組成および評価結果を表4、表5に示す。
Figure 2019189387
Figure 2019189387
実施例5および実施例7〜11で得られた組成物8および組成物10〜14は、比較例4の組成物15に対して、屈折率が高く、耐熱性、耐光性が良好で、解像性に優れており、固体撮像素子のマイクロレンズや導波路に適した組成物であった。また、実施例6で得られた組成物9は、比較例5の組成物16に対して、屈折率が高く、耐熱性、耐光性が良好で、改造性に優れており、固体撮像素子のマイクロレンズや導波路に適した組成物であった。
本発明におけるポリシロキサン(A)、ナフトキノンジアジド化合物(B)、溶剤(C)および金属化合物粒子(D)を含有するポジ型感光性樹脂組成物から得られた硬化膜は、実施例5〜11のいずれにおいても優れた特性を示した。
金属化合物粒子(D)の含有量を増やしても、耐熱性、耐光性、解像度および残渣の特性を大きく損なうことなく、高い屈折率を達成することができた。
本発明の樹脂組成物により形成された塗膜および硬化膜は、各種電子部品、中でも、固体撮像素子、反射防止フィルム、反射防止板、光学フィルタ、ディスプレイ等の光学デバイス等に好適に用いられる。具体的な使用例としては、固体撮像素子等に形成される光導波路やマイクロレンズ、ディスプレイ用TFT基板の平坦化材、液晶ディスプレイやカラーフィルタの保護膜などが挙げられる。良好な平坦性を有することから、固体撮像素子上に形成される光導波路の平坦化材料に好適に用いられる。また、半導体装置のバッファコート、層間絶縁膜や、各種保護膜として用いることもできる。

Claims (10)

  1. ポリシロキサン(A)、ナフトキノンジアジド化合物(B)および溶剤(C)を含有するポジ型感光性樹脂組成物であって、
    該ポリシロキサン(A)が、下記一般式(1)〜(3)から選ばれる1種以上の構造を含み、かつ下記一般式(4)〜(6)から選ばれる1種以上の構造を含むものであるポジ型感光性樹脂組成物。
    Figure 2019189387
    (一般式(1)〜(3)においてRは、炭素数2〜6の不飽和二重結合を有する炭化水素基であり、Rは単結合、または炭素数1〜4のアルキレン基、式(2)のRは水素、または炭素数1〜4のアルキル基を示す。一般式(3)においてRは有機基を示す。)
    Figure 2019189387
    (一般式(5)においてRは水素、または炭素数1〜4のアルキル基。一般式(6)においてRは有機基を示す。)
  2. 前記一般式(1)〜(3)で表される構造に存在するスチリル基が、ポリシロキサン(A)中のケイ素原子に対して10〜90mol%である請求項1に記載のポジ型感光性樹脂組成物
  3. 前記一般式(4)〜(6)で表される構造に存在するビニル基が、ポリシロキサン(A)中のケイ素原子に対して1〜20mol%である請求項1または2に記載のポジ型感光性樹脂組成物。
  4. さらに金属化合物粒子(D)を含有する請求項1〜3いずれかに記載のポジ型感光性樹脂組成物。
  5. 前記金属化合物粒子(D)が、酸化チタン粒子および酸化ジルコニウム粒子から選ばれる1種以上の粒子を含む請求項4に記載のポジ型感光性樹脂組成物。
  6. 前記金属化合物粒子(D)の含有量が、全固形分に対して、40〜70質量%である請求項4または5に記載のポジ型感光性樹脂組成物。
  7. 以下の工程を順に行う硬化膜の製造方法。
    (I)請求項1〜6のいずれかに記載のポジ型感光性樹脂組成物を基板上に塗布して塗膜を形成する工程
    (II)該塗膜を露光する工程
    (III)該露光後の塗膜を加熱する工程
  8. 以下の工程を順に行う硬化膜の製造方法。
    (i)請求項1〜6のいずれかに記載のポジ型感光性樹脂組成物を基板上に塗布して塗膜を形成する工程
    (ii)該塗膜をパターン露光工程の後、現像液で現像することにより、塗膜の露光部分を除去する工程
    (iii)該現像後残った塗膜を露光する工程
    (iv)前記露光後の塗膜を加熱する工程
  9. 請求項1〜6のいずれかに記載のポジ型感光性樹脂組成物の硬化膜。
  10. 請求項9に記載の硬化膜を具備する固体撮像素子。
JP2019517440A 2018-03-30 2019-03-27 ポジ型感光性樹脂組成物、その硬化膜およびそれを具備する固体撮像素子 Active JP6648857B1 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018067923 2018-03-30
JP2018067923 2018-03-30
PCT/JP2019/013238 WO2019189387A1 (ja) 2018-03-30 2019-03-27 ポジ型感光性樹脂組成物、その硬化膜およびそれを具備する固体撮像素子

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP6648857B1 JP6648857B1 (ja) 2020-02-14
JPWO2019189387A1 true JPWO2019189387A1 (ja) 2020-04-30

Family

ID=68059134

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019517440A Active JP6648857B1 (ja) 2018-03-30 2019-03-27 ポジ型感光性樹脂組成物、その硬化膜およびそれを具備する固体撮像素子

Country Status (6)

Country Link
US (1) US11789363B2 (ja)
JP (1) JP6648857B1 (ja)
KR (1) KR102649087B1 (ja)
CN (1) CN111919173B (ja)
TW (1) TWI784152B (ja)
WO (1) WO2019189387A1 (ja)

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1942150B1 (en) 2005-10-28 2018-08-22 Toray Industries, Inc. Siloxane resin composition and method for producing same
WO2009066608A1 (ja) 2007-11-19 2009-05-28 Toagosei Co., Ltd. ポリシロキサンおよびその製造方法ならびに硬化物の製造方法
JP5240459B2 (ja) 2008-02-19 2013-07-17 Jsr株式会社 感放射線性樹脂組成物、層間絶縁膜およびマイクロレンズならびにそれらの形成方法
JP5589387B2 (ja) * 2008-11-27 2014-09-17 東レ株式会社 シロキサン樹脂組成物およびそれを用いたタッチパネル用保護膜
KR20140029444A (ko) * 2011-06-01 2014-03-10 제온 코포레이션 수지 조성물 및 반도체 소자 기판
JP5673402B2 (ja) * 2011-07-11 2015-02-18 信越化学工業株式会社 付加硬化型シリコーン接着剤組成物及び接着方法
KR101997485B1 (ko) * 2011-12-26 2019-07-08 도레이 카부시키가이샤 감광성 수지 조성물 및 반도체 소자의 제조 방법
WO2013146130A1 (ja) * 2012-03-30 2013-10-03 東レ株式会社 シランカップリング剤、感光性樹脂組成物、硬化膜及びタッチパネル部材
JP5822048B2 (ja) * 2013-04-24 2015-11-24 Dic株式会社 無機微粒子複合体とその製造方法、組成物及び硬化物
JP2014237771A (ja) * 2013-06-07 2014-12-18 旭化成イーマテリアルズ株式会社 シリコーン重合体
KR102300782B1 (ko) 2014-01-24 2021-09-13 도레이 카부시키가이샤 네거티브형 감광성 수지 조성물, 그것을 경화시켜서 이루어지는 경화막과 그 제조 방법 및 그것을 구비하는 광학 디바이스, 그리고 이면 조사형 cmos 이미지 센서
KR20160136303A (ko) * 2014-03-26 2016-11-29 도레이 카부시키가이샤 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치
WO2016047483A1 (ja) * 2014-09-26 2016-03-31 東レ株式会社 有機el表示装置
KR102443985B1 (ko) * 2014-09-30 2022-09-16 도레이 카부시키가이샤 감광성 수지 조성물, 경화막, 경화막을 구비하는 소자 및 반도체 장치의 제조 방법
US20190101828A1 (en) * 2016-04-25 2019-04-04 Toray Industries, Inc. Resin composition, cured film of same and method for manufacturing same, and solid-state image sensor

Also Published As

Publication number Publication date
CN111919173B (zh) 2024-04-02
US11789363B2 (en) 2023-10-17
US20210116812A1 (en) 2021-04-22
CN111919173A (zh) 2020-11-10
JP6648857B1 (ja) 2020-02-14
WO2019189387A1 (ja) 2019-10-03
KR102649087B1 (ko) 2024-03-20
KR20200138208A (ko) 2020-12-09
TW201942678A (zh) 2019-11-01
TWI784152B (zh) 2022-11-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6394714B2 (ja) 感光性樹脂組成物および半導体素子の製造方法
JP4973093B2 (ja) シロキサン系樹脂組成物、光学物品およびシロキサン系樹脂組成物の製造方法
JP6318634B2 (ja) 感光性シロキサン組成物、硬化膜及び素子
JP7027886B2 (ja) 樹脂組成物、その硬化膜およびその製造方法ならびに固体撮像素子
JP5418617B2 (ja) シロキサン系樹脂組成物、硬化膜および光学物品
JP5353011B2 (ja) シロキサン系樹脂組成物、これを用いた光学デバイスおよびシロキサン系樹脂組成物の製造方法
JP5343649B2 (ja) 感光性組成物、それから形成された硬化膜、および硬化膜を有する素子
WO2010047138A1 (ja) 感光性樹脂組成物、シリカ系被膜の形成方法、及びシリカ系被膜を備える装置及び部材
JP6569211B2 (ja) 感光性樹脂組成物、それを硬化させてなる硬化膜ならびにそれを具備する発光素子および固体撮像素子
TWI628233B (zh) 正型感光性樹脂組成物、硬化膜以及光學元件
JP5540632B2 (ja) 感光性組成物、それから形成された硬化膜、および硬化膜を有する素子
JP2018060191A (ja) 感光性樹脂組成物及びそれより調製される硬化膜
JP6648857B1 (ja) ポジ型感光性樹脂組成物、その硬化膜およびそれを具備する固体撮像素子
JP6186766B2 (ja) 感光性シロキサン組成物、それから形成された硬化膜、およびその硬化膜を有する素子
WO2021193221A1 (ja) 樹脂組成物、硬化膜、マイクロレンズの製造方法、固体撮像素子、マイクロレンズ、タッチパネル
JP2010262132A (ja) シリカ系被膜の形成方法、並びにシリカ系被膜を備える装置及び部材
JP2013174872A (ja) 感光性シロキサン組成物、それから形成された硬化膜、およびその硬化膜を有する素子

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190917

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20190917

A871 Explanation of circumstances concerning accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871

Effective date: 20190917

TRDD Decision of grant or rejection written
A975 Report on accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005

Effective date: 20191204

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20191217

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20191230

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 6648857

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151