JP2014143415A5 - - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 12
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 10
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 10
- FAYMLNNRGCYLSR-UHFFFAOYSA-M Triphenylsulfonium triflate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)F.C1=CC=CC=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 FAYMLNNRGCYLSR-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 4
- 229910001423 beryllium ion Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 2
- 238000002513 implantation Methods 0.000 claims description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
Description
本発明の第１の態様によれば、半導体デバイスにおいてイオン注入領域を形成する方法が提供される。この方法は、（ａ）イオン注入されるべき複数の領域を有する半導体基板を準備する段階；（ｂ）フォトレジストパターンを半導体基板に形成する段階であって、前記フォトレジストパターンが、酸不安定基を有するマトリックスポリマー、光酸発生剤および溶媒を含む化学増幅型フォトレジスト組成物から形成される段階；（ｃ）デスカミング組成物をフォトレジストパターンの上方に被覆する段階であって、前記デスカミング組成物が：マトリックスポリマー；熱酸発生剤、光酸発生剤およびそれらの組合せから選択される酸発生剤；ならびに溶媒を含む段階；（ｄ）前記被覆された半導体基板を、酸発生剤からデスカミング組成物中に酸を発生させるための条件に曝す段階；（ｅ）前記被覆された半導体基板とリンス剤を接触させて残りのデスカミング組成物およびスカムを基板から除去する段階；および（ｆ）前記フォトレジストパターンを注入マスクとして用いて前記半導体基板の複数の領域をイオン注入する段階を含む。本発明のさらなる態様によれば、本明細書に記載される方法により形成される電子デバイスが提供される。
Claims (1)
- 半導体デバイスにおいてイオン注入領域を形成する方法であって、
（ａ）イオン注入されるべき複数の領域を有する半導体基板を準備する段階と；
（ｂ）フォトレジストパターンを半導体基板に形成する段階であって、前記フォトレジストパターンが、酸不安定基を有するマトリックスポリマー、光酸発生剤および溶媒含む化学増幅型フォトレジスト組成物から形成される、段階と；
（ｃ）デスカミング組成物をフォトレジストパターンの上方に被覆する段階であって、前記デスカミング組成物が：水不溶性であるマトリックスポリマー；熱酸発生剤、光酸発生剤およびそれらの組合せから選択される酸発生剤；ならびに溶媒を含む、段階と；
（ｄ）前記被覆された半導体基板を、酸発生剤からデスカミング組成物中に酸を発生させるための条件に曝す段階と；
（ｅ）前記被覆された半導体基板とリンス剤を接触させて残りのデスカミング組成物およびスカムを前記基板から除去する段階と；
（ｆ）前記フォトレジストパターンを注入マスクとして用いて前記半導体基板の複数の領域をイオン注入する段階と
を含む、方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201261748047P | 2012-12-31 | 2012-12-31 | |
| US61/748,047 | 2012-12-31 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2014143415A JP2014143415A (ja) | 2014-08-07 |
| JP2014143415A5 true JP2014143415A5 (ja) | 2018-07-12 |
Family
ID=51040929
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2013273154A Pending JP2014143415A (ja) | 2012-12-31 | 2013-12-27 | イオン注入法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9209028B2 (ja) |
| JP (1) | JP2014143415A (ja) |
| KR (1) | KR102117302B1 (ja) |
| CN (1) | CN103915331B (ja) |
| TW (1) | TWI560754B (ja) |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6448903B2 (ja) * | 2012-12-31 | 2019-01-09 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーＲｏｈｍ ａｎｄ Ｈａａｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ＬＬＣ | イオン注入法 |
| JP6328931B2 (ja) | 2012-12-31 | 2018-05-23 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーＲｏｈｍ ａｎｄ Ｈａａｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ＬＬＣ | フォトレジストパターントリミング方法 |
| CN104749888B (zh) | 2013-12-30 | 2019-12-10 | 罗门哈斯电子材料有限公司 | 光致抗蚀剂图案修整组合物和方法 |
| US9618848B2 (en) | 2014-02-24 | 2017-04-11 | Tokyo Electron Limited | Methods and techniques to use with photosensitized chemically amplified resist chemicals and processes |
| US10020195B2 (en) * | 2014-02-25 | 2018-07-10 | Tokyo Electron Limited | Chemical amplification methods and techniques for developable bottom anti-reflective coatings and dyed implant resists |
| US9574107B2 (en) * | 2015-02-16 | 2017-02-21 | International Business Machines Corporation | Fluoro-alcohol additives for orientation control of block copolymers |
| CN107660277B (zh) * | 2015-04-13 | 2020-12-29 | 东京毅力科创株式会社 | 用于对衬底进行平坦化的系统和方法 |
| US10048594B2 (en) | 2016-02-19 | 2018-08-14 | Tokyo Electron Limited | Photo-sensitized chemically amplified resist (PS-CAR) model calibration |
| US10429745B2 (en) | 2016-02-19 | 2019-10-01 | Osaka University | Photo-sensitized chemically amplified resist (PS-CAR) simulation |
| US10551743B2 (en) | 2016-05-13 | 2020-02-04 | Tokyo Electron Limited | Critical dimension control by use of photo-sensitized chemicals or photo-sensitized chemically amplified resist |
| WO2017197288A1 (en) | 2016-05-13 | 2017-11-16 | Tokyo Electron Limited | Critical dimension control by use of a photo agent |
| US10684549B2 (en) | 2016-12-31 | 2020-06-16 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Pattern-formation methods |
| US11003074B2 (en) | 2017-05-01 | 2021-05-11 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Pattern formation methods and photoresist pattern overcoat compositions |
| US10691023B2 (en) * | 2017-08-24 | 2020-06-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method for performing lithography process with post treatment |
| US10522349B2 (en) | 2017-11-30 | 2019-12-31 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Anti-reflective coating by ion implantation for lithography patterning |
| KR20190085654A (ko) | 2018-01-11 | 2019-07-19 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자의 제조 방법 |
| KR101977886B1 (ko) * | 2018-06-18 | 2019-05-13 | 영창케미칼 주식회사 | 패턴 프로파일 개선용 화학증폭형 포지티브 포토레지스트 조성물 |
| US10796899B2 (en) * | 2018-12-28 | 2020-10-06 | Micron Technology, Inc. | Silicon doping for laser splash blockage |
| KR20220046598A (ko) | 2019-08-16 | 2022-04-14 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 확률 중심 결함 교정을 위한 방법 및 공정 |
| CN112542379B (zh) * | 2020-12-09 | 2022-11-08 | 济南晶正电子科技有限公司 | 一种薄膜图形化工艺方法、复合薄膜及电子元器件 |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6180320B1 (en) | 1998-03-09 | 2001-01-30 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing a semiconductor device having a fine pattern, and semiconductor device manufactured thereby |
| US6372829B1 (en) | 1999-10-06 | 2002-04-16 | 3M Innovative Properties Company | Antistatic composition |
| JP4329216B2 (ja) | 2000-03-31 | 2009-09-09 | Ｊｓｒ株式会社 | レジストパターン縮小化材料及びそれを使用する微細レジストパターンの形成方法 |
| US6492075B1 (en) | 2000-06-16 | 2002-12-10 | Advanced Micro Devices, Inc. | Chemical trim process |
| US6274289B1 (en) | 2000-06-16 | 2001-08-14 | Advanced Micro Devices, Inc. | Chemical resist thickness reduction process |
| JP2002006512A (ja) | 2000-06-20 | 2002-01-09 | Mitsubishi Electric Corp | 微細パターン形成方法、微細パターン形成用材料、およびこの微細パターン形成方法を用いた半導体装置の製造方法 |
| JP2002299202A (ja) | 2001-03-29 | 2002-10-11 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP3476080B2 (ja) | 2001-11-05 | 2003-12-10 | 東京応化工業株式会社 | 微細パターンの形成方法 |
| JP3953822B2 (ja) | 2002-01-25 | 2007-08-08 | 富士通株式会社 | レジストパターン薄肉化材料、レジストパターン及びその製造方法、並びに、半導体装置及びその製造方法 |
| KR100685598B1 (ko) | 2005-12-30 | 2007-02-22 | 주식회사 하이닉스반도체 | 이온주입용 마스크 패턴 형성 방법 |
| JP4642001B2 (ja) * | 2006-10-24 | 2011-03-02 | 関東化学株式会社 | フォトレジスト残渣及びポリマー残渣除去液組成物 |
| JP2009071049A (ja) * | 2007-09-13 | 2009-04-02 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体基板への不純物注入方法 |
| US7862982B2 (en) | 2008-06-12 | 2011-01-04 | International Business Machines Corporation | Chemical trim of photoresist lines by means of a tuned overcoat material |
| JP4779028B2 (ja) | 2009-02-27 | 2011-09-21 | パナソニック株式会社 | パターン形成方法 |
| TWI605310B (zh) * | 2009-12-15 | 2017-11-11 | 羅門哈斯電子材料有限公司 | 光阻劑及其使用方法 |
| KR101675458B1 (ko) * | 2010-07-27 | 2016-11-14 | 삼성전자 주식회사 | 산 확산을 이용하는 반도체 소자의 제조 방법 |
| US9122159B2 (en) | 2011-04-14 | 2015-09-01 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Compositions and processes for photolithography |
| JP6328931B2 (ja) | 2012-12-31 | 2018-05-23 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーＲｏｈｍ ａｎｄ Ｈａａｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ＬＬＣ | フォトレジストパターントリミング方法 |
| JP6448903B2 (ja) | 2012-12-31 | 2019-01-09 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーＲｏｈｍ ａｎｄ Ｈａａｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ＬＬＣ | イオン注入法 |
-
2013
- 2013-12-27 JP JP2013273154A patent/JP2014143415A/ja active Pending
- 2013-12-30 TW TW102148977A patent/TWI560754B/zh not_active IP Right Cessation
- 2013-12-31 CN CN201310757504.3A patent/CN103915331B/zh active Active
- 2013-12-31 KR KR1020130168070A patent/KR102117302B1/ko active IP Right Grant
- 2013-12-31 US US14/145,674 patent/US9209028B2/en active Active
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