JP2014170190A5 - - Google Patents

Claims (12)

1. 化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物を用いてポジ型レジストパターンを形成させる方法において、レジストパターンを太らせることによってパターンを微細化するために用いられる微細パターン形成用組成物であって、
   繰り返し単位中にアミノ基を含むポリマーと、
   溶剤と、
   酸と、
   を含んでなることを特徴とする微細パターン形成用組成物。
2. 前記アミノ基が、第一級アミノ基または第二級アミノ基である、請求項１に記載の組成物。
3. 前記繰り返し単位が、アリルアミン単位、ジアリルアミン単位、およびエチレンイミン単位からなる群から選択されるものである、請求項１に記載の組成物。
4. 前記ポリマーが、ポリビニルアミン、ポリアリルアミン、ポリジアリルアミン、ポリエチレンイミン、およびポリ（アリルアミン−ｃｏ−ジアリルアミン）からなる群から選択される、請求項１に記載の組成物。
5. 前記酸が、スルホン酸、カルボン酸、硫酸、硝酸、およびそれらの混合物からなる群から選択される、請求項１〜４のいずれか１項に記載の組成物。
6. 前記スルホン酸が、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、２−アミノメタンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸、および１０−カンファースルホン酸からなる群から選択されるものである、請求項５に記載の組成物。
7. 前記カルボン酸が、酢酸、メトキシ酢酸、グリコール酸、グルタル酸、リンゴ酸からなる群から選択されるものである、請求項５に記載の組成物。
8. ｐＨが２以上１１以下である、請求項１〜７のいずれか１項に記載の組成物。
9. 前記溶剤が水を含んでなる、請求項１〜８のいずれか１項に記載の組成物。
10. 界面活性剤をさらに含んでなる、請求項１〜９のいずれか１項に記載の組成物。
11. 半導体基板上に化学増幅型フォトレジスト組成物を塗布してフォトレジスト層を形成する工程、
    前記フォトレジスト層で被覆された前記半導体基板を露光する工程、
    前記露光後に現像液で現像してフォトレジストパターンを形成する工程、
    前記フォトレジストパターンの表面に、繰り返し単位中にアミノ基を含むポリマーと、溶剤と、酸とを含んでなる微細パターン形成用組成物を塗布する工程、
    塗布済みのフォトレジストパターンを加熱する工程、および
    過剰の微細パターン形成用組成物を洗浄して除去する工程
    を含んでなることを特徴とするポジ型レジストパターンの形成方法。
12. 前記フォトレジスト組成物が、光酸発生剤をさらに含んでなる、請求項１１に記載の微細化されたポジ型レジストパターンの形成方法。