JP2010237491A5

JP2010237491A5 -

Info

Publication number: JP2010237491A5
Application number: JP2009086038A
Authority: JP
Filing date: 2009-03-31
Publication date: 2012-05-17
Anticipated expiration: 2029-03-31

Description

すなわち、本発明は、第１観点として、下記式（ａ）乃至式（ｄ）で表される構造単位を有するポリマー、架橋剤、並びに溶媒を含む、リソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物に関する。

（式中、Ｒ¹ 乃至Ｒ ⁴はそれぞれ独立に水素原子又はメチル基を表し、
Ｑは−ＮＨ−基又は−Ｏ−基（エーテル結合）を表し、
Ｌ¹は直鎖状又は分岐状の炭素原子数１乃至２０のアルキレン基を表し、
Ｌ ² は単結合、−ＣＯＯ−基（エステル結合）、−ＣＯＮＨ−基（アミド結合）、又は直
鎖状若しくは分岐状の炭素原子数１乃至５のアルキレン基を表し、
Ｌ ³ は単結合又は直鎖状若しくは分岐状の炭素原子数１乃至２０のアルキレン基を表し、
Ａは芳香環基又は複素環式基を表し、
Ｂは直鎖状又は分岐状の炭素原子１乃至２０個を有するヒドロキシアルキル基を表し、及び、
Ｄは置換基を有していてもよいラクトン環又はアダマンタン環を表す。）

第２観点として、前記ポリマーが、下記式（ａ−１）、式（ｂ−１）、式（ｃ−１）及び式（ｄ−１）で表される構造単位を有する共重合体であることを特徴とする、第１観点記載のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物に関する。

第３観点として、第１観点又は第２観点に記載のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物を基板上に塗布し、焼成することにより得られる、リソグラフィープロセスに用いるレジスト下層膜の形成方法に関する。

第４観点として、第１観点又は第２観点に記載のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物を半導体基板上に塗布し焼成してレジスト下層膜を形成する工程、前記下層膜上にフォトレジスト膜を形成する工程、前記下層膜と前記フォトレジスト膜で被覆された半導体基板を露光する工程、露光後にアルカリ性現像液によって現像する工程を含む、フォトレジストパターンの形成方法に関する。

＜（式（ａ）で表される構造単位＞
本発明のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物に含まれるポリマーにおいて、必須の構造単位として含まれる構造単位は、下記式（ａ）で表される末端にスルホ基を有する構造単位並びに後述する式（ｂ）乃至式（ｄ）で表される構造単位である。

式中、Ｒ¹は水素原子又はメチル基を表し、Ｑは−ＮＨ−基又は−Ｏ−基（エーテル結
合）を表し、Ｌ¹は直鎖状又は分岐状の炭素原子数１乃至２０のアルキレン基を表す。

＜式（ｂ）〜式（ｄ）で表される構造単位＞
本発明のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物に含まれるポリマーは、上記式（ａ）で表される構造単位に加え、下記式（ｂ）乃至式（ｄ）で表される構造単位を有する。

式中、Ｒ²乃至Ｒ⁴はそれぞれ独立に水素原子又はメチル基を表し、Ｌ²は単結合、−Ｃ
ＯＯ−基（エステル結合）、−ＣＯＮＨ−基（アミド結合）、又は直鎖状若しくは分岐状の炭素原子数１乃至５のアルキレン基を表し、Ｌ³は単結合又は直鎖状若しくは分岐状の
炭素原子数１乃至２０のアルキレン基を表し、Ｑは−ＮＨ−基又は−Ｏ−基（エーテル結合）を表し、Ａは芳香環基又は複素環式基を表し、Ｂは直鎖状又は分岐状の炭素原子１乃至２０個を有するヒドロキシアルキル基を表し、及び、Ｄは置換基を有していてもよいラクトン環又はアダマンタン環を表す。

Claims

下記式（ａ）乃至式（ｄ）で表される構造単位を有するポリマー、架橋剤、並びに溶媒を含む、リソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。

（式中、Ｒ¹ 乃至Ｒ ⁴はそれぞれ独立に水素原子又はメチル基を表し、
Ｑは−ＮＨ−基又は−Ｏ−基を表し、
Ｌ¹は直鎖状又は分岐状の炭素原子数１乃至２０のアルキレン基を表し、
Ｌ ² は単結合、−ＣＯＯ−基、−ＣＯＮＨ−基、又は直鎖状若しくは分岐状の炭素原子数
１乃至５のアルキレン基を表し、
Ｌ ³ は単結合又は直鎖状若しくは分岐状の炭素原子数１乃至２０のアルキレン基を表し、
Ａは芳香環基又は複素環式基を表し、
Ｂは直鎖状又は分岐状の炭素原子１乃至２０個を有するヒドロキシアルキル基を表し、及び、
Ｄは置換基を有していてもよいラクトン環又はアダマンタン環を表す。）
前記ポリマーが、下記式（ａ−１）、式（ｂ−１）、式（ｃ−１）及び式（ｄ−１）で表
される構造単位を有する共重合体であることを特徴とする、請求項１記載のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。
請求項１又は請求項２に記載のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物を基板上に塗布し、焼成することにより得られる、リソグラフィープロセスに用いるレジスト下層膜の形成方法。
請求項１又は請求項２に記載のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物を半導体基板上に塗布し焼成してレジスト下層膜を形成する工程、前記下層膜上にフォトレジスト膜を形成する工程、前記下層膜と前記フォトレジスト膜で被覆された半導体基板を露光する工程、露光後にアルカリ性現像液によって現像する工程を含む、フォトレジストパターンの形成方法。