JP2000035672A5

JP2000035672A5 -

Info

Publication number: JP2000035672A5
Application number: JP1999062047A
Authority: JP
Filing date: 1999-03-09
Publication date: 2006-04-06

Description

【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の上に酸触媒化学増幅ポジ型レジストを用いてレジストパターンを形成する工程と、上記レジストパターンを含む上記半導体基板の表面に酸性成分を含有する有機膜又は塩基性成分を含有する有機膜を形成する工程と、上記有機膜を熱処理して上記レジストパターンの表面層をアルカリ現像液に可溶化させる工程と、上記熱処理後の有機膜と上記レジストパターンの表面層とをアルカリ現像液により除去する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
上記酸性成分を含有する有機膜として、酸性ポリマーを用いることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】（出願時の請求項４）
上記酸性成分を含有する有機膜として、ポリマーに酸成分を添加したことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
上記塩基性成分を含有する有機膜として、塩基性ポリマーを用いることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
上記塩基性成分を含有する有機膜として、ポリマーに塩基性成分を添加したことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
半導体基板の上に酸触媒化学増幅ポジ型レジストを用いてレジストパターンを形成する工程と、上記レジストパターンを含む上記半導体基板の表面に光照射により酸又は塩基を発生する有機膜を形成する工程と、上記有機膜に光照射して酸又は塩基を発生させ熱処理して上記レジストパターンの表面層をアルカリ現像液に可溶化させる工程と、上記光照射後に上記有機膜と上記レジストパターンの表面層とをアルカリ現像液により除去する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
上記光照射をフォトマスクを用いて選択的に行うことを特徴とする請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
上記有機膜を、純水、又は、実質的にレジストパターンを溶解することのない純水と有機溶剤との混合溶媒に可溶なポリマーを主成分として構成したことを特徴とする請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
上記光照射により酸を発生する有機膜は、ポリマーに光酸発生剤を添加して構成したことを特徴とする請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
上記光照射により酸を発生する有機膜は、光酸発生剤を含み、この光酸発生剤は上記レジストパターンの感光波長とは異なる感光波長を有することを特徴とする請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
上記光照射により塩基を発生する有機膜は、ポリマーに塩基発生剤を添加して構成したことを特徴とする請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
上記光照射により塩基を発生する有機膜は、光塩基発生剤を含み、この光塩基発生剤は上記レジストパターンの感光波長とは異なる感光波長を有することを特徴とする請求項１１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
上記有機膜に光増感剤を添加したことを特徴とする請求項６、８〜１２のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
上記アルカリ現像液として、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドの１〜５ｗｔ％のアルカリ水溶液、またはこのアルカリ水溶液に１０ｗｔ％以下のアルコールを添加したものを用いることを特徴とする請求項１又は６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
上記有機膜の形成材料の溶液として、純水、又は、実質的にレジストパターンを溶解することのない純水と有機溶剤との混合溶媒を用いることを特徴とする請求項１又は６に記載の半導体装置の製造方法。

【０００６】
【課題を解決するための手段】
この発明の請求項１に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板の上に酸触媒化学増幅ポジ型レジストを用いてレジストパターンを形成する工程と、上記レジストパターンを含む上記半導体基板の表面に酸性成分を含有する有機膜又は塩基性成分を含有する有機膜を形成する工程と、上記有機膜を熱処理して上記レジストパターンの表面層をアルカリ現像液に可溶化させる工程と、上記熱処理後の有機膜と上記レジストパターンの表面層とをアルカリ現像液により除去する工程とを含むことを特徴とするものである。

また、請求項２に係る半導体装置の製造方法は、請求項１に記載のものにおいて、上記酸性成分を含有する有機膜として、酸性ポリマーを用いることを特徴とするものである。

また、請求項３に係る半導体装置の製造方法は、請求項１に記載のものにおいて、上記酸性成分を含有する有機膜として、ポリマーに酸成分を添加したことを特徴とするものである。

また、請求項４に係る半導体装置の製造方法は、請求項１に記載のものにおいて、上記塩基性成分を含有する有機膜として、塩基性ポリマーを用いることを特徴とするものである。

また、請求項５に係る半導体装置の製造方法は、請求項１に記載のものにおいて、上記塩基性成分を含有する有機膜として、ポリマーに塩基性成分を添加したことを特徴とするものである。

また、請求項６に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板の上に酸触媒化学増幅ポジ型レジストを用いてレジストパターンを形成する工程と、上記レジストパターンを含む上記半導体基板の表面に光照射により酸又は塩基を発生する有機膜を形成する工程と、上記有機膜に光照射して酸又は塩基を発生させ熱処理して上記レジストパターンの表面層をアルカリ現像液に可溶化させる工程と、上記光照射後に上記有機膜と上記レジストパターンの表面層とをアルカリ現像液により除去する工程とを含むことを特徴とするものである。

また、請求項７に係る半導体装置の製造方法は、請求項６に記載のものにおいて、上記光照射をフォトマスクを用いて選択的に行うことを特徴とするものである。

また、請求項８に係る半導体装置の製造方法は、請求項６に記載のものにおいて、上記有機膜を、純水、又は、実質的にレジストパターンを溶解することのない純水と有機溶剤との混合溶媒に可溶なポリマーを主成分として構成したことを特徴とするものである。

また、請求項９に係る半導体装置の製造方法は、請求項６に記載のものにおいて、上記光照射により酸を発生する有機膜は、ポリマーに光酸発生剤を添加して構成したことを特徴とするものである。

また、請求項１０に係る半導体装置の製造方法は、請求項９に記載のものにおいて、上記光照射により酸を発生する有機膜は、光酸発生剤を含み、この光酸発生剤は上記レジストパターンの感光波長とは異なる感光波長を有することを特徴とするものである。

また、請求項１１に係る半導体装置の製造方法は、請求項６に記載のものにおいて、上記光照射により塩基を発生する有機膜は、ポリマーに塩基発生剤を添加して構成したことを特徴とするものである。

また、請求項１２に係る半導体装置の製造方法は、請求項１１に記載のものにおいて、上記光照射により塩基を発生する有機膜は、光塩基発生剤を含み、この光塩基発生剤は上記レジストパターンの感光波長とは異なる感光波長を有することを特徴とするものである。

また、請求項１３に係る半導体装置の製造方法は、請求項６、８〜１２のいずれかに記載のものにおいて、上記有機膜に光増感剤を添加したことを特徴とするものである。

また、請求項１４に係る半導体装置の製造方法は、請求項１又は６に記載のものにおいて、上記アルカリ現像液として、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドの１〜５ｗｔ％のアルカリ水溶液、またはこのアルカリ水溶液に１０ｗｔ％以下のアルコールを添加したものを用いることを特徴とするものである。

また、請求項１５に係る半導体装置の製造方法は、請求項１又は６に記載のものにおいて、上記有機膜の形成材料の溶液として、純水、又は、実質的にレジストパターンを溶解することのない純水と有機溶剤との混合溶媒を用いることを特徴とするものである。