JP2007102180A - ウォータマークの発生を防ぐ液浸リソグラフィ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】レジスト材料は、酸と反応した後にアルカリ性溶液に溶解するポリマーと、照射エネルギーを吸収した後に、分解して酸を形成するPAGと、酸を中和し、移動度が低いクエンチャーとを含み、クエンチャーは、レジスト内の濃度が0.5重量%よりも高い。液浸リソグラフィ方法は、基板上にレジストを形成する工程と、液浸リソグラフィシステムの流体内でレジストを露光する工程と、レジストをベーキングし、レジスト内にあるクエンチャーを液浸リソグラフィに拡散させる流体量を5×10−13モル/cm2にする工程と、露光後のレジストを現像する工程とを含む。
【選択図】図2
Description
図1は、液浸リソグラフィ露光工程を行う時の半導体デバイス100を示す断面図である。半導体デバイス100は、半導体ウェーハ又はその他適当なデバイスでもよい。本実施形態の半導体デバイス100は、有機BARC(Bottom Anti Reflecting Coating)、無機BARC、耐腐蝕有機層、密着強化有機層、様々なドープト領域、誘電体層及び多層配線を有するシリコン基板110を含む。基板は、Ge、SiGe又はGaAsを含むその他適当な半導体材料を選択的に含んでもよい。また基板は、薄膜トランジスタ液晶表示(TFT−LCD)デバイスのガラス基板などの非半導体材料を選択的に含んでもよい。半導体デバイス100は、パターニングすることのできる一つ以上の材料層をさらに含んでもよい。
レジスト層120は、ポリマーが酸と反応すると、アルカリ性溶液などの現像液に溶解するように変化するポリマー材料を含む。レジスト層120は、ポリマーが酸と反応すると、アルカリ性溶液などの現像液に溶解しないように変化するポリマー材料を含む。レジスト層120は、ポリマー内に充填される溶剤をさらに含む。この溶剤は、プリベーク工程により部分的に蒸発されてもよい。
このレジスト層120は、溶剤及び/又はポリマー内に分散されるPAG分子を有するPAG(photo-acid generator)130材料をさらに含む。光エネルギーを吸収すると、PAG130は分解して少量の酸を形成する。PAG130は、レジストポリマー120の1から15重量%の間の濃度を有してもよい。
クエンチャー140は、レジストの0.5から8重量%の間の濃度を有してもよい。或いは、露光工程を行う前のクエンチャー140の濃度は、重量%でPAG130の濃度の約四分の一でもよい。一実施形態において、クエンチャー140は、酸を中和する不対電子を有する窒素原子を含む。
液浸フォトリソグラフィパターニング中に行う露光工程において、レジスト層120は、予め定義されたパターンを有するフォトマスク(マスク又はレチクル)により、ディープUV(Deep Ultra Violet:DUV)などの照射エネルギーへ露光し、未露光フィーチャ120aなどの複数の未露光領域及び露光フィーチャ120bなどの複数の露光領域を含むレジストパターンを形成する。この照射エネルギーは、フッ化クリプトン(KrF)エキシマレーザによる248nmビームやフッ化アルゴン(ArF)エキシマレーザによる193nmビームを含んでもよい。
液浸リソグラフィは、半導体デバイス100と露光工程を行うために使用するリソグラフィシステムのレンズとの間にある液浸流体をさらに含む。液浸流体は脱イオン水(DI water)を含むものでもよい。この流体は、酸、塩又はポリマーなどの化学添加剤をさらに含んでもよい。また、この流体は、脱イオン水の屈折率1.44を超える屈折率を有するその他適当な流体から選んでもよい。そして、露光工程を行うと、図1に示すように水滴150の残留水滴がレジスト層上に残留することがあった。
そして未露光レジスト領域120a内にあるクエンチャー140は水滴内に拡散され、さらに露光レジスト領域120b内へ拡散されてもよい。そしてこれにより光発生酸の中和及び/又は露光領域内にある露光効率を低減させる。さらに露光されたPAGは、PAGアニオン及び酸に分解され、未露光のPAGよりも水に溶解しやすくなる。光発生酸は、付加的な効果を有する水滴に拡散し、レジスト層120の露光領域が低減された光発生酸を有するようにしてもよい。
そのため、レジスト層120内にあるこれら露光領域は、露光工程の後に、化学的変換(酸増幅型)を行うための十分な光発生酸がない、及び/又は、現像工程において現像溶液内に完全には溶解しないものでもよい。そのため、レジスト層120の露光領域上に予期できないT形上面レジストフィーチャ(ブリッジプロフィール又はウォータマーク)120cが形成されてもよい。露光領域の上面レジスト材料は現像溶液に溶解しない。
アルキル基は、H、CH3、C2H5、CF3、C2F5、リング型ポリマー(ring type polymer)又は窒素原子142に結合されたリングエンドを有するリング型ポリマーを含んでもよい。第1の化学グループ144及び第2の化学グループ146は、或いはその他の化学グループを含んでもよい。他の実施形態のポリマー160は、図5Bに示すような二つの炭素ユニット164、図5Cに示すような三つの炭素ユニット166又はクエンチャーの窒素142に結合されたさらに多くの炭素ユニットを含んだものでもよい。 そのような炭素構造は、鎖状の複数の炭素ユニットを有し、結合されたクエンチャー140に一定の柔軟性を提供する。ポリマーは、選択的にクエンチャー140に結合されたその他の原子ユニットを含んだものでもよい。
クエンチャー140は、物理的絡み合いを強化するため、選択的にある構造基を有するものであってもよい。例えば、クエンチャー140を物理的に絡めるかポリマー160により捕捉するため、クエンチャー140は、長テール(長鎖)や分岐基を含むものであってもよい。他の実施形態のクエンチャー140は、環構造、長鎖、分岐基又はそれらの組合せを含み、クエンチャーの移動度を低減させる目的を達成する。
図7Eに示すクエンチャーは、二つのアルキル基及び炭素鎖などの長テールを含む。図7Fに示すクエンチャーは、二つのアルキル基及び酸素原子を有する長テールを含む。図7Gに示すクエンチャーは、酸素及び二つの長鎖構造を有する一つの環構造を含む。
図7Hに示すクエンチャーは、二つのアルキル基及び二つの短テールを有する一つの分岐構造を含む。図7Iに示すクエンチャーは、二つのアルキル基及び二つの長テールを有する一つの分岐構造を含む。図7Jに示すクエンチャーは、二つのアルキル基及び三つの短テールを有する一つの分岐構造を含む。また、好適な効果を得るため、その他の組合せによりクエンチャーの移動度を調整してもよい。
200 半導体デバイス
300 半導体デバイス
400 半導体デバイス
110 基板
120 レジスト層
120a 未露光フィーチャ
120b 露光フィーチャ
120c T形上面レジストフィーチャ
130 PAG
140 クエンチャー
142 窒素原子
144 第1の化学グループ
146 第2の化学グループ
150 水滴
160 ポリマー
162 一つの炭素ユニット
164 二つの炭素ユニット
166 三つの炭素ユニット
900 液浸リソグラフィ方法
Claims (15)
- 酸と反応した後にアルカリ性溶液に溶解するポリマーと、
照射エネルギーを吸収した後に、分解して前記酸を形成するPAGと、
前記酸を中和し、移動度が低いクエンチャーとを含み、
前記クエンチャーは、レジスト内の濃度が0.5重量%よりも高いことを特徴とする液浸リソグラフィに用いるレジスト材料。 - 前記クエンチャーは、前記ポリマーへ化学的に結合することを特徴とする請求項1に記載の液浸リソグラフィに用いるレジスト材料。
- 前記クエンチャーの窒素原子と前記ポリマーの長鎖との間には少なくとも一つの炭素原子が含まれることを特徴とする請求項2に記載の液浸リソグラフィに用いるレジスト材料。
- 前記クエンチャーの化学構造は、不対電子を有する一つの窒素原子を含むことを特徴とする請求項1に記載の液浸リソグラフィに用いるレジスト材料。
- 前記クエンチャーの化学構造は、前記クエンチャーの前記窒素原子に結合された少なくとも一つの環形の構造基を含むことを特徴とする請求項4に記載の液浸リソグラフィに用いるレジスト材料。
- 前記クエンチャーの化学構造は、前記クエンチャーの前記窒素原子に結合された少なくとも一つの炭数が4以上であるアルキル基を含むことを特徴とする請求項4に記載の液浸リソグラフィに用いるレジスト材料。
- 前記クエンチャーの化学構造は、前記クエンチャーの前記窒素原子に結合された少なくとも一つの分岐鎖の構造基を含むことを特徴とする請求項4に記載の液浸リソグラフィに用いるレジスト材料。
- 前記クエンチャーは実質上疎水性であることを特徴とする請求項1に記載の液浸リソグラフィに用いるレジスト材料。
- 前記クエンチャーの化学構造は、少なくとも一つのフッ化物原子を含むことを特徴とする請求項8に記載の液浸リソグラフィに用いるレジスト材料。
- 酸と反応した後にアルカリ性溶液に溶解するポリマーと、
照射エネルギーを吸収した後に、分解して前記酸を形成する複数のPAGと、
前記酸を中和し、前記クエンチャーの移動度を低減する複数のクエンチャーとを含み、
前記クエンチャーは、前記ポリマーに化学結合されたクエンチャー、実質的に疎水性であるクエンチャー及び前記ポリマー内に物理的に捕捉されたクエンチャーからなる群から選ばれる一種以上を含むことを特徴とするレジスト材料。 - 前記クエンチャーの濃度は、前記PAGの濃度の約四分の一であることを特徴とする請求項10に記載のレジスト材料。
- 前記クエンチャーの化学構造は、不対電子を有する一つの窒素原子を含むことを特徴とする請求項10に記載のレジスト材料。
- 前記クエンチャーの化学構造は、前記クエンチャーの前記窒素原子に結合された少なくとも一つの化学グループを含み、
前記化学グループは、環形、長鎖又は分岐鎖の構造を有することを特徴とする請求項12に記載のレジスト材料。 - 基板上にレジストを形成する工程と、
液浸リソグラフィシステムの流体内で前記レジストを露光する工程と、前記レジストをベーキングし、前記レジスト内にある前記クエンチャーを液浸リソグラフィに拡散させる流体量を5×10−13モル/cm2にする工程と、露光後の前記レジストを現像する工程とを含み、
前記レジストは、酸と反応した後にアルカリ性溶液に溶解するポリマーと、照射エネルギーを吸収した後に、分解して前記酸を形成する複数のPAGと、前記酸を中和して移動度が低い複数のクエンチャーとを含むことを特徴とする液浸リソグラフィ方法。 - 前記露光工程を行った後に、前記レジスト上にある水滴のpH値を6よりも小さくする酸処理をさらに行うことを特徴とする請求項14に記載の液浸リソグラフィ方法。
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US7927779B2 (en) | 2005-06-30 | 2011-04-19 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Companym, Ltd. | Water mark defect prevention for immersion lithography |
US8383322B2 (en) | 2005-08-05 | 2013-02-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Immersion lithography watermark reduction |
US7993808B2 (en) | 2005-09-30 | 2011-08-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | TARC material for immersion watermark reduction |
US8518628B2 (en) * | 2006-09-22 | 2013-08-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Surface switchable photoresist |
GB0619041D0 (en) * | 2006-09-27 | 2006-11-08 | Imec Inter Uni Micro Electr | Watermark defect reduction by resist optimisation |
US8163468B2 (en) * | 2008-03-10 | 2012-04-24 | Micron Technology, Inc. | Method of reducing photoresist defects during fabrication of a semiconductor device |
US8841058B2 (en) | 2010-08-03 | 2014-09-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Photolithography material for immersion lithography processes |
US9159559B2 (en) | 2013-03-11 | 2015-10-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Lithography layer with quenchers to prevent pattern collapse |
US10095113B2 (en) | 2013-12-06 | 2018-10-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Photoresist and method |
US9581908B2 (en) | 2014-05-16 | 2017-02-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Photoresist and method |
KR20170135896A (ko) * | 2015-04-02 | 2017-12-08 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 듀얼 주파수 용량성 결합 플라즈마(ccp)를 사용한 euv 내성이 있는 트렌치 및 홀 패터닝 |
US20170334170A1 (en) * | 2016-03-23 | 2017-11-23 | Atieh Haghdoost | Articles including adhesion enhancing coatings and methods of producing them |
US9793183B1 (en) | 2016-07-29 | 2017-10-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | System and method for measuring and improving overlay using electronic microscopic imaging and digital processing |
US10043650B2 (en) | 2016-09-22 | 2018-08-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method and system for wet chemical bath process |
US10274818B2 (en) | 2016-12-15 | 2019-04-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Lithography patterning with sub-resolution assistant patterns and off-axis illumination |
US10573519B2 (en) | 2017-09-08 | 2020-02-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method for performing a photolithography process |
US11054742B2 (en) | 2018-06-15 | 2021-07-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | EUV metallic resist performance enhancement via additives |
US11069526B2 (en) | 2018-06-27 | 2021-07-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Using a self-assembly layer to facilitate selective formation of an etching stop layer |
US10867805B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-12-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Selective removal of an etching stop layer for improving overlay shift tolerance |
US11289376B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-03-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Methods for forming self-aligned interconnect structures |
US12009400B2 (en) | 2021-02-14 | 2024-06-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Device providing multiple threshold voltages and methods of making the same |
Family Cites Families (78)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5212047A (en) * | 1990-04-10 | 1993-05-18 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Resist material and process for use |
JP3441167B2 (ja) | 1993-06-30 | 2003-08-25 | 株式会社東芝 | 感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
JP3297199B2 (ja) | 1993-09-14 | 2002-07-02 | 株式会社東芝 | レジスト組成物 |
US5683856A (en) | 1994-10-18 | 1997-11-04 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Positive-working photosensitive composition |
US5599650A (en) * | 1995-04-28 | 1997-02-04 | Polaroid Corporation | Photoreaction quenchers in on-press developable lithographic printing plates |
JPH0916244A (ja) | 1995-07-04 | 1997-01-17 | Sanyo Electric Co Ltd | シミュレーション方法および装置 |
JP3345869B2 (ja) | 1995-12-01 | 2002-11-18 | ジェイエスアール株式会社 | 感放射線性組成物 |
TW593331B (en) * | 1997-07-25 | 2004-06-21 | Inspire Pharmaceuticals Inc | Method for large-scale production of di(uridine 5')-tetraphosphate and salts thereof |
JP3743187B2 (ja) | 1998-05-08 | 2006-02-08 | 住友化学株式会社 | フォトレジスト組成物 |
TWI250379B (en) | 1998-08-07 | 2006-03-01 | Az Electronic Materials Japan | Chemical amplified radiation-sensitive composition which contains onium salt and generator |
US6309804B1 (en) | 1998-09-21 | 2001-10-30 | Philips Semiconductor, Inc. | Reducing contamination induced scumming, for semiconductor device, by acid treatment |
FR2790005B1 (fr) * | 1999-02-22 | 2004-01-30 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication de morpholino-nucleotides, et utilisation de ceux-ci pour l'analyse et le marquage de sequences d'acides nucleiques |
JP2001009142A (ja) | 1999-06-28 | 2001-01-16 | Heiwa Corp | 遊技媒体の研磨装置 |
JP4135277B2 (ja) | 1999-10-12 | 2008-08-20 | Jsr株式会社 | 感放射線性樹脂組成物 |
JP4453138B2 (ja) * | 1999-12-22 | 2010-04-21 | 住友化学株式会社 | 化学増幅型ポジ型レジスト組成物 |
JP3821211B2 (ja) | 2000-03-21 | 2006-09-13 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP4783496B2 (ja) * | 2000-11-02 | 2011-09-28 | 株式会社トクヤマ | アミノ酸誘導体の光学異性体の分離方法 |
US6936398B2 (en) | 2001-05-09 | 2005-08-30 | Massachusetts Institute Of Technology | Resist with reduced line edge roughness |
US7192681B2 (en) * | 2001-07-05 | 2007-03-20 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Positive photosensitive composition |
KR20030035823A (ko) * | 2001-08-02 | 2003-05-09 | 스미또모 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 화학 증폭형 포지티브형 레지스트 조성물 |
JP3894001B2 (ja) | 2001-09-06 | 2007-03-14 | 住友化学株式会社 | 化学増幅型ポジ型レジスト組成物 |
US7461119B2 (en) * | 2001-09-29 | 2008-12-02 | Siebel Systems, Inc. | Method, apparatus, and system for managing status of requests in a client server environment |
JP3827556B2 (ja) | 2001-10-31 | 2006-09-27 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
US7776505B2 (en) * | 2001-11-05 | 2010-08-17 | The University Of North Carolina At Charlotte | High resolution resists for next generation lithographies |
JP3810309B2 (ja) | 2001-12-03 | 2006-08-16 | Necエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
GB0202646D0 (en) * | 2002-02-05 | 2002-03-20 | Optaglio Ltd | Secure hidden data protection optically variable label |
US6849378B2 (en) * | 2002-04-17 | 2005-02-01 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Photosensitive polymers, resist compositions comprising the same, and methods for forming photoresistive patterns |
US6713236B2 (en) * | 2002-07-03 | 2004-03-30 | Infineon Technologies North America Corp. | Lithography method for preventing lithographic exposure of peripheral region of semiconductor wafer |
JP4084235B2 (ja) * | 2002-08-22 | 2008-04-30 | 株式会社神戸製鋼所 | 保護膜積層微細構造体および該構造体を用いた微細構造体の乾燥方法 |
US6788477B2 (en) * | 2002-10-22 | 2004-09-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Apparatus for method for immersion lithography |
JP4525062B2 (ja) | 2002-12-10 | 2010-08-18 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法、露光システム |
US6781670B2 (en) * | 2002-12-30 | 2004-08-24 | Intel Corporation | Immersion lithography |
JP4434762B2 (ja) * | 2003-01-31 | 2010-03-17 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物 |
US20060154171A1 (en) | 2003-02-25 | 2006-07-13 | Taku Hirayama | Photoresist composition and method of forming resist pattern |
JP2005101498A (ja) | 2003-03-04 | 2005-04-14 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 液浸露光プロセス用浸漬液および該浸漬液を用いたレジストパターン形成方法 |
US7029832B2 (en) | 2003-03-11 | 2006-04-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Immersion lithography methods using carbon dioxide |
US6929891B2 (en) * | 2003-03-11 | 2005-08-16 | Arch Specialty Chemicals, Inc. | Photosensitive resin compositions |
JP2005099646A (ja) * | 2003-03-28 | 2005-04-14 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 液浸露光プロセス用レジスト組成物および該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法 |
JP4469561B2 (ja) * | 2003-05-09 | 2010-05-26 | 富士フイルム株式会社 | 感光性組成物 |
TWI442694B (zh) * | 2003-05-30 | 2014-06-21 | Asml Netherlands Bv | 微影裝置及元件製造方法 |
JP4346358B2 (ja) * | 2003-06-20 | 2009-10-21 | Necエレクトロニクス株式会社 | 化学増幅型レジスト組成物およびそれを用いた半導体装置の製造方法、パターン形成方法 |
JP4303044B2 (ja) * | 2003-06-23 | 2009-07-29 | Necエレクトロニクス株式会社 | 化学増幅型レジスト組成物および該化学増幅型レジスト組成物を用いた半導体集積回路装置の製造方法 |
US7090963B2 (en) * | 2003-06-25 | 2006-08-15 | International Business Machines Corporation | Process for forming features of 50 nm or less half-pitch with chemically amplified resist imaging |
US7186486B2 (en) | 2003-08-04 | 2007-03-06 | Micronic Laser Systems Ab | Method to pattern a substrate |
US20050029492A1 (en) * | 2003-08-05 | 2005-02-10 | Hoshang Subawalla | Processing of semiconductor substrates with dense fluids comprising acetylenic diols and/or alcohols |
US7700267B2 (en) * | 2003-08-11 | 2010-04-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Immersion fluid for immersion lithography, and method of performing immersion lithography |
JP4265766B2 (ja) | 2003-08-25 | 2009-05-20 | 東京応化工業株式会社 | 液浸露光プロセス用レジスト保護膜形成用材料、該保護膜形成材料からなるレジスト保護膜、および該レジスト保護膜を用いたレジストパターン形成方法 |
US7070915B2 (en) | 2003-08-29 | 2006-07-04 | Tokyo Electron Limited | Method and system for drying a substrate |
JP2005081302A (ja) | 2003-09-10 | 2005-03-31 | Japan Organo Co Ltd | 超臨界流体による電子部品部材類の洗浄方法及び洗浄装置 |
US7169530B2 (en) * | 2003-10-02 | 2007-01-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Polymer compound, resist material and pattern formation method |
JP2005136374A (ja) | 2003-10-06 | 2005-05-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体製造装置及びそれを用いたパターン形成方法 |
US7678527B2 (en) * | 2003-10-16 | 2010-03-16 | Intel Corporation | Methods and compositions for providing photoresist with improved properties for contacting liquids |
TWI286555B (en) * | 2003-10-23 | 2007-09-11 | Shinetsu Chemical Co | Polymers, resist compositions and patterning process |
JP2005128455A (ja) | 2003-10-27 | 2005-05-19 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ホトレジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
JP4609878B2 (ja) | 2003-10-28 | 2011-01-12 | 東京応化工業株式会社 | レジスト上層膜形成材料、およびこれを用いたレジストパターン形成方法 |
JP5301070B2 (ja) | 2004-02-16 | 2013-09-25 | 東京応化工業株式会社 | 液浸露光プロセス用レジスト保護膜形成用材料、および該保護膜を用いたレジストパターン形成方法 |
US20070166639A1 (en) | 2004-02-20 | 2007-07-19 | Takayuki Araki | Laminated resist used for immersion lithography |
TWI371657B (en) | 2004-02-20 | 2012-09-01 | Fujifilm Corp | Positive resist composition for immersion exposure and method of pattern formation with the same |
US7473512B2 (en) | 2004-03-09 | 2009-01-06 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Process of imaging a deep ultraviolet photoresist with a top coating and materials thereof |
US20050202351A1 (en) * | 2004-03-09 | 2005-09-15 | Houlihan Francis M. | Process of imaging a deep ultraviolet photoresist with a top coating and materials thereof |
US7906268B2 (en) | 2004-03-18 | 2011-03-15 | Fujifilm Corporation | Positive resist composition for immersion exposure and pattern-forming method using the same |
JP4220423B2 (ja) * | 2004-03-24 | 2009-02-04 | 株式会社東芝 | レジストパターン形成方法 |
KR100557222B1 (ko) | 2004-04-28 | 2006-03-07 | 동부아남반도체 주식회사 | 이머전 리소그라피 공정의 액체 제거 장치 및 방법 |
ATE450813T1 (de) * | 2004-05-17 | 2009-12-15 | Fujifilm Corp | Verfahren zur erzeugung eines musters |
KR100599081B1 (ko) * | 2004-05-27 | 2006-07-13 | 삼성전자주식회사 | 포토레지스트 조성물 및 이를 사용한 패턴 형성방법 |
JP2006024692A (ja) | 2004-07-07 | 2006-01-26 | Toshiba Corp | レジストパターン形成方法 |
US7463330B2 (en) * | 2004-07-07 | 2008-12-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8003293B2 (en) * | 2004-09-30 | 2011-08-23 | Intel Corporation | Pixelated photoresists |
KR100574993B1 (ko) * | 2004-11-19 | 2006-05-02 | 삼성전자주식회사 | 포토레지스트용 탑 코팅 조성물과 이를 이용한포토레지스트 패턴 형성 방법 |
EP1698937B1 (en) | 2005-03-04 | 2015-12-23 | FUJIFILM Corporation | Positive resist composition and pattern-forming method using the same |
JP4667273B2 (ja) | 2005-03-04 | 2011-04-06 | 富士フイルム株式会社 | ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
US20070002296A1 (en) | 2005-06-30 | 2007-01-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Immersion lithography defect reduction |
US7927779B2 (en) | 2005-06-30 | 2011-04-19 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Companym, Ltd. | Water mark defect prevention for immersion lithography |
US20070006405A1 (en) * | 2005-07-07 | 2007-01-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Systems and methods for wafer cleaning |
US8383322B2 (en) * | 2005-08-05 | 2013-02-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Immersion lithography watermark reduction |
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US7993808B2 (en) * | 2005-09-30 | 2011-08-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | TARC material for immersion watermark reduction |
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