KR100814488B1 - 이멀젼 리소그래피시 물 자국 결함 방지 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 포토레지스트 재료는 산과 반응하여 베이스 용액에 녹게 되는 폴리머와, 방사 에너지에 의해 분해되어 산을 형성하는 광-산 발생제(photo-acid generator; PAG)와, 산을 중화시킬 수 있고 저하된 이동도를 갖는 억제제를 포함한다. 이러한 포토레지스트 재료는 이멀젼 리소그래피로부터 물 자국 결함이 생기는 것을 방지할 수 있다.

Description

이멀젼 리소그래피시 물 자국 결함 방지 {WATER MARK DEFECT PREVENTION FOR IMMERSION LITHOGRAPHY}
도 1은 이멀젼 리소그래피 공정 동안 노출되는 감광층를 구비한 반도체 소자의 일 예를 나타낸 단면도,
도 2 및 도 3은 이멀젼 리소그래피 공정 동안 노출되는 감광층과 그 위에 형성된 물 자국을 갖는 반도체 소자의 일 예를 나타낸 단면도,
도 4는 화학 결합된 억제제(quenchers)를 갖는 감광층을 나타낸 개략도,
도 5a 내지 도 5c는 폴리머 및 이 폴리머에 화학 결합된 억제제를 갖는 감광층의 다양한 실시예를 나타낸 개략도,
도 6은 물리적으로 구속된(trapped) 억제제를 갖는 감광층을 나타낸 개략도,
도 7a 내지 도 7j는 이동도가 저하된 억제제를 갖는 감광층의 다양한 실시예를 나타낸 개략도,
도 8a 및 도 8b는 소수성(hydrophobic) 억제제를 갖는 감광층의 다양한 실시예를 나타낸 개략도,
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 이멀젼 포토리소그래피(사진식각공정) 패터닝 방법을 나타낸 순서도이다.
본 발명은 포토레지스트 재료에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 이멀젼 리소그래피로부터 물 자국 결함이 생기는 것을 방지한 포토레지스트 재료에 관한 것이다.
반도체 제조 기술이 더 작은 피쳐(feature) 크기, 가령 65나노미터, 45나노미터, 그리고 그 미만,로 끊임없이 발전함에 따라, 이멀젼 리소그래피(immersion lithography) 공정이 채택되고 있다. 그러나, 이멀젼 리소그래피 공정은 노출 공정 후에 물방울 잔류물을 유발한다. 이러한 물방울 잔류물은 물 자국 결함(water mark defects)을 일으키므로, 품질을 저하시키고 심지어 반도체 제조의 실패를 야기한다.
따라서, 물 자국 결함에 의한 손상을 방지하거나 감소시키는 개선된 이멀젼 리소그래피 시스템이 필요하다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 이멀젼 리소그래피로부터 물 자국 결함이 생기는 것을 방지한 포토레지스트 재료를 제공하는 데 그 목적이 있다.
아래에서는 다양한 실시예들의 다른 특징들을 나타내기 위해 많은 다른 실시예들을 제공한다. 본 발명의 내용을 단순화시키기 위해 구성요소와 배열에 대한 특 정 예를 아래에 기술하였지만, 이러한 예가 본 발명의 내용을 한정하는 것은 아니다. 예컨대, 아래에서 기술된 제1 또는 제2 특징부의 형성은, 제1 및 제2 특징부가 직접적인 접촉으로 형성되는 실시예를 포함할 수도 있고, 또는 제1 및 제2 특징부 사이에 부가적인 특징부가 개재되어 형성되어 제1 및 제2 특징부가 직접적인 접촉으로 형성되지 않는 실시예를 포함할 수도 있다. 또한, 아래의 다양한 실시예들에서는 동일한 참조번호와 문자를 사용하기도 한다. 이러한 반복은 단순화 및 명료화를 위한 것이며, 다양한 실시예 및/또는 구성 간 관계를 그대로 지시하는 것은 아니다.
도 1은 이멀젼 리소그래피 노출 공정 동안의 반도체 소자(100)를 나타낸 단면도이다. 반도체 소자(100)는 반도체 웨이퍼 또는 다른 적당한 소자가 될 수도 있다. 본 실시예에서, 반도체 소자(100)는 유기 바닥 무반사 코팅(bottom anti reflecting coating; BARC), 무기 바닥 무반사층, 에칭 저항성 유기층, 접착 강화 유기층, 다양한 도핑된 영역, 유전 특징부, 다층식 상호연결부를 구비한 실리콘 기판(110)을 포함한다. 또는, 상기 기판은 Ge, SiGe 또는 GaAs 같은 다른 적당한 반도체 재료를 포함할 수도 있다. 또는, 상기 기판은 박막 트랜지스터 액정 표시 장치(TFT-LCD)용 유리판 같은 비반도체 재료를 포함할 수도 있다. 반도체 소자(100)는 하나 또는 그 이상의 패턴화된 재료 층을 더 포함할 수도 있다.
반도체 소자(100)는 감광층(포토레지스트층 또는 레지스트층)(120)을 포함한다. 본 실시예에서 레지스트층(120)은 약 50∼5000 옹스트롬 범위 내의 두께를 가진다. 다른 실시예에서 레지스트층(120)은 약 500∼2000 옹스트롬 범위 내의 두께 를 가질 수도 있다. 레지스트층(120)은 화학 증폭(chemical amplification; CA) 레지스트 재료를 사용한다. 레지스트층(120)은 산과 반응할 때 베이스 용액 같은 현상액에 녹게 되는 폴리머 재료를 포함한다. 레지스트층(120)은 산과 반응할 때 베이스 용액 같은 현상액에 녹지 않게 되는 폴리머 재료를 포함한다. 레지스트층(120)은 폴리머 내부에 차 있는 용매를 더 함유한다. 이 용매는 사전 베이킹(pre-baking) 공정 때문에 부분적으로 증발할 수도 있다. 또한, 레지스트층(120)은 광-산 발생제(photo-acid generator; PAG)(130) 재료를 포함하는데, PAG 분자는 상기 용매 및/또는 폴리머 내부에 분포되어 있다. 빛 에너지 흡수시 PAG(130)는 분해되고 소량의 산을 형성한다. PAG(130)는 레지스트(120) 중 약 1∼15 wt% 범위의 농도를 가질 수 있다.
나아가, 레지스트층(120)은 상기 용매와 폴리머 내부에 분포한 억제제(quencher)(140) 재료도 포함한다. 억제제(140)는 기본형이고 산을 중화시킬 수 있다. 집합적으로 또는 치환적으로, 상기 억제제는 레지스트(120)의 다른 활성 성분을 방해할 수도 있는데, 가령 PAG와 광산(photo acid)이 반응하는 것을 방해한다. 억제제(140)는 상기 레지스트 중 0.5∼8 wt% 범위의 농도를 가질 수도 있다. 또는, 억제제(140)는 노출 공정 전에 무게 비율로 PAG(130) 농도의 약 1/4의 농도를 가질 수도 있다. 일 실시예에서, 억제제(140)는 산을 중화시킬 수 있는 비공유전자쌍을 갖는 질소 원자를 함유한다. 이멀젼 포토리소그래픽 패터닝 동안 노출 공정 단계에서, 레지스트층(120)은 미리 정해진 패턴을 갖는 포토마스크(마스크 또는 레티클)를 통해 딥 자외선(deep ultra-violet; DUV) 같은 방사 에너지에 노출되어, 노출되지 않은 특징부(120a) 같은 복수의 비노출 영역과 노출된 특징부(120b) 같은 복수의 노출 영역을 포함한 레지스트 패턴이 형성된다. 방사 에너지는 크립톤 불화물(KrF) 엑시머 레이저에 의한 248㎚ 빔 또는 아르곤 불화물(ArF) 엑시머 레이저에 의한 193㎚ 빔을 포함할 수도 있다. 이멀젼 리소그래피는 반도체 소자(100)와 노출 공정 단계를 수행하는 데 사용된 리소그래피 시스템의 렌즈 사이에 이멀젼 유체를 더 포함한다. 이멀젼 유체는 탈이온수(DI water 또는 DIW)를 포함할 수도 있다. 상기 유체는 산, 염 또는 폴리머 같은 화학 첨가제를 더 포함할 수도 있다. 또는, 상기 유체는 DIW의 굴절지수가 1.44보다 높은 굴절지수를 갖는 다른 적당한 유체를 포함할 수도 있다. 노출 공정 동안, 전형적인 물방울(150) 같은 물방울 잔류물이 노출 공정 후에 레지스트층 상에 남아 있을 수 있다.
이전 이멀젼 리소그래피 패터닝 공정에서, 물방울 잔류물은 도 2 및 도 3의 반도체 소자(200)의 단면도에 나타낸 것처럼 물 자국(watermark)을 형성하는 등의 문제점을 야기할 수 있다. 반도체 소자(200)의 감광층(120) 상에 남겨 진 물방울(150)은 PAG(130) 및 억제제(140)에게 경로를 제공할 수도 있다. 비노출 레지스트 영역(120a) 내의 억제제(140)는 물방울 안으로 확산하여 들어갈 수 있고, 나아가 노출된 레지스트 영역(120b) 안으로 확산하여 들어갈 수도 있다. 이리하여, 억제제는 광 발생된 산을 중화시키고, 그리고/또는 상기 노출 영역에서의 노출 효율을 감소시킨다. 또한, 노출된 PAG는 PAG 음이온과 산으로 분해되는데, 노출되지 않은 PAG보다 물에 더 잘 용해된다. 광 발생된 산은 물방울 안으로 확산해 들어갈 수도 있는데, 상기 레지스트(120)의 노출 영역이 광 발생된 산을 감소시키는 부가적 인 효과를 얻는다. 이리하여, 레지스트층(120)의 노출 영역은 상기 노출 공정 단계 후 단계적인 화학 변형(산 증폭)을 유발하는 광 발생된 산을 충분히 가지지 못하고, 그리고/또는 현상 공정 단계에서 현상 용액에서 완전히 용해될 수 없다. 이리하여, 레지스트층(120)의 노출 영역 위에 예기치 않은 T-top 레지스트 특징부(브리지 프로파일 또는 물 자국)(120c)가 형성될 수도 있는데, 여기서 노출 영역의 탑 레지스트 재료는 현상 용액에 녹지 않는다.
본 발명에 의하면, 억제제(140)는 저하된 이동도를 가져 물방울을 통한 확산이 실질적으로 감소된다. 일 예에서, 억제제의 이동도는 이멀젼 리소그래피 동안 이멀젼 유체로 억제제가 약 5×10-13 mole/㎠ 미만으로 추출될 수 있는 정도로 감소된다.
도 4에 나타낸 일 실시예에서, 억제제(140)는 폴리머(160)에 화학적으로 결합되어 있어 상기 억제제는 저하된 이동도를 갖는다. 폴리머(160)는 산과 반응 후에 현상 용액에 용해된다. 폴리머(160)는 현상 용액에 용해되는 짧은 체인 폴리머를 더 포함한다. 억제제(140)는 물방울로 확산해 들어갈 수 없어, 폴리머(160) 및/또는 억제제(140)의 연쇄 이동을 통한 이동도의 범위를 제한한다.
도 5a를 참조하면, 억제제(140)는 상기 억제제의 질소 원자(142)를 통해 폴리머(160)의 카본 유닛(162)에 결합할 수도 있다. 본 실시예에서, 질소 원자(142)는 산 또는 레지스트의 다른 활성 성분을 중화시키는 비공유전자쌍을 포함한다. 억제제(140)는 질소 원자(142)에 결합되는 알킬기 같은 제1 및 제2 화학기(144, 146)를 포함한다. 상기 제1 및 제2 화학기(144, 146)는 알킬기(예컨대, CH3, C2H5), H, CF3, C2F5, 환형 폴리머 또는 그 고리 단( ring end)이 질소 원자(142)에 결합된 환형 폴리머를 포함할 수도 있다. 또는, 제1 및 제2 화학기(144, 146)는 다른 화학기를 포함할 수도 있다. 다른 실시예에서, 폴리머(160)는 도 5b에 나타낸 바와 같이 상기 억제제의 질소(142)에 결합하는 두 개의 카본 유닛(164), 혹은 도 5c에 나타낸 바와 같이 세 개의 카본 유닛(166), 혹은 심지어 더 많은 카본 유닛을 포함할 수도 있다. 이러한 카본 구조는 연쇄적인 다수의 카본 유닛을 갖고, 상기 결합된 억제제(140)에 어느 정도의 유연성을 제공한다. 또는, 폴리머는 억제제(140)에 결합하는 다른 원자 유닛을 포함할 수도 있다.
도 6을 참조하면, 또 다른 실시예로서, 억제제(140)는 폴리머(160) 내에 (완전히 또는 부분적으로) 물리적으로 구속될 수도 있다. 억제제(140)가 폴리머(160)의 망상조직의 평균 메쉬 크기에 비해 실질적으로 큰 사이즈를 가져, 폴리머 내에 물질적으로 구속될 수도 있다. 또는, 억제제(140)가 어떤 구조적 기(group)를 가져 물리적인 얽힘을 강화할 수도 있다. 예를 들어, 억제제(140)가 긴 꼬리(긴 체인) 또는 분기된(branched) 기(그룹)를 포함하여 폴리머(160)에 의해 물리적으로 얽히거나 구속될 수도 있다. 또 다른 실시예에서, 억제제(140)가 환형 구조, 긴 체인, 분기된 그룹 또는 이들의 조합을 포함하여 억제제의 이동도를 감소시킬 수도 있다.
도 7a 내지 도 7j는 억제제 구조의 다양한 예를 도시한다. 도 7a에서 억제제는 두 개의 알킬기와 카본 링 같은 환형 구조를 포함한다. 도 7b에서 억제제는 하나의 알킬기와 두 개의 환형 구조를 포함한다. 도 7c에서 억제제는 세 개의 환형 구조를 포함한다. 도 7d에서 억제제는 두 개의 알킬기와 산소 원자를 갖는 하나의 환형 구조를 포함한다. 도 7e에서 억제제는 두 개의 알킬기와 카본 체인 같은 하나의 긴 꼬리를 포함한다. 도 7f에서 억제제는 두 개의 알킬기와 산소 원자를 갖는 하나의 긴 꼬리를 포함한다. 도 7g에서 억제제는 산소 원자를 갖는 하나의 환형 구조와 두 개의 긴 체인 구조를 포함한다. 도 7h에서 억제제는 두 개의 알킬기와 두 개의 짧은 꼬리를 갖는 하나의 분기된 구조를 포함한다. 도 7i에서 억제제는 두 개의 알킬기와 두 개의 긴 꼬리를 갖는 하나의 분기된 구조를 포함한다. 도 7j에서 억제제는 두 개의 알킬기와 세 개의 짧은 꼬리를 갖는 하나의 분기된 구조를 포함한다. 최적화된 수행을 위해 억제제의 이동도를 조정하는 데 다른 조합이 행해질 수도 있다.
도 8a 및 도 8b를 참조하면, 다른 실시예로서, 억제제는 소수성이어서 물방울로 확산하기 어렵다. 억제제는 적어도 하나의 소수기를 포함할 수도 있다. 예를 들어, 억제제는 불화물을 포함한다. 도 8a에서 억제제는 세 개의 알킬기를 포함하고, 그것들 중 적어도 하나는 불화물을 갖는다. 도 8b에서 억제제는 하나의 알킬기, 산소를 갖는 하나의 링(환), 다수의 불화물을 갖는 하나의 긴 체인을 포함한다.
또 다른 실시예에서, 레지스트층에 남아 있는 물방울은 노출 공정 직후에 산 처리될 수도 있다. 산 처리는 이멀젼 리소그래피 시스템에 필수적인 화학적 인렛(inlet)을 통해 레지스트 표면(및/또는 그 위의 물방울) 상에 산을 뿌림으로써 행해질 수 있다. 처리된 물방울의 pH 값은 약 6 미만 값으로 조절될 수도 있다. 이 리하여, 억제제가 물방울로 확산하는 비율이 감소된다. 또한, 광 발생된 산이 물방울로 확산하는 비율 또한 감소될 수 있다. 또한, 산 처리는 레지스트막 내로 확산해 들어갈 수 있고, 실질적으로 광 산의 추출을 보상한다.
다양한 실시예에서, 레지스트층 상에서 억제제의 물방울로의 이동도는 실질적으로 감소된다. 또한, 물 자국 효과도 실질적으로 감소된다. 다양한 실시예들은 최적화된 레지스트 패터닝 공정을 위해 수정되거나 결합될 수 있다.
도 9를 참조하면, 이멀젼 리소그래피법(900)의 순서도는 묘사된 대로 레지스트 패턴을 형성한다. 상기 방법(900)은 반도체 웨이퍼 상에 감광층(포토레지스트층)을 형성하는 단계(902)를 포함한다. 이 레지스트층은 도 1의 레지스트층(120)과 실질적으로 유사하고, 억제제 재료는 저하된 이동도를 갖는다. 억제제는 도 5a 내지 도 5c, 도 7a 내지 도 7j, 도 8a 및 도 8b에 도시된 것들 또는 이들의 조합에서와 유사한 구조를 가질 수 있다.
그 다음, 상기 방법(900)은 포토마스크와 이멀젼 유체를 통해 DUV 같은 방사 에너지에 레지스트층을 노출시키는 단계(904)를 더 포함한다. 이멀젼 유체는 DIW 또는 높은 반응지수를 갖는 다른 적당한 유체일 수도 있으며, 반도체 웨이퍼와 이멀젼 리소그래피 시스템의 렌즈 사이에 배치되어 상기 방법(900)을 수행한다. 억제제는 저하된 이동도를 가지므로, 노출 단계(904) 후 억제제가 레지스트층에 남아 있는 물방울로 추출되는 것이 감소된다.
그 다음, 상기 방법(900)은 레지스트층을 베이킹(post exposure bake; PEB, 후노출 베이킹)하는 단계(906)로 진행한다. 베이킹 온도는 약 80∼150℃ 범위 내일 수도 있다. 일 예로서 베이킹은 수 분 동안 행해질 수 있다. 베이킹 단계는 레지스트층에 남아 있는 물방울을 제거하는 것을 더 포함할 수도 있다.
그 다음, 상기 방법(900)은 현상 용액에서 레지스트층을 현상하는 단계(908)로 진행한다. 노출된 레지스트 영역은 실질적으로 용해된다.
상기 방법(900)은 노출 단계(904)와 베이킹 단계(906) 사이에 레지스트층에 남아 있는 물방울을 그 pH 값이 6 미만이 되도록 처리하는 단계를 더 포함할 수도 있다. 이렇게 산 처리된 물방울은 베이스 억제제가 물방울로 확산되는 것을 막을 수 있다. 이는 억제제가 물방울을 통해 노출된 레지스트 영역으로 확산하는 효과를 감소시킬 수 있고, 또한 산이 노출된 레지스트 영역으로부터 물방울 안으로 확산하는 것을 감소시킬 수 있다.
이렇게, 본 발명은 산과 반응하여 베이스 용액에 녹게 되는 폴리머를 갖는 포토레지스트 재료를 제공한다. 이 재료는 방사 에너지에 의해 분해되어 산을 형성하는 광-산 발생제(PAG)와, 산을 중화시킬 수 있고 저하된 이동도를 갖는 억제제를 포함한다.
여러 실시예들에서, 억제제는 무게 비율로 폴리머의 약 0.5% 이상의 농도를 갖는다. 이멀젼 유체로 억제제가 약 5×10-13 mole/㎠ 미만의 양으로 추출될 수도 있다. 이멀젼 유체는 물을 포함할 수도 있다. 이멀젼 유체는 1.44 보다 높은 반응지수를 갖는 적당한 유체를 포함할 수도 있다. 억제제는 폴리머에 화학적으로 결합될 수도 있다. 폴리머는 억제제에 결합되는 적어도 하나의 카본 유닛을 포함할 수도 있다. 상기 적어도 하나의 카본 유닛은 억제제의 질소 원자에 결합될 수도 있다. 억제제는 비공유전자쌍을 갖는 질소 원자를 포함할 수도 있다. 억제제는 상기 질소 원자에 부착된 적어도 하나의 환형 구조를 포함할 수도 있다. 억제제는 상기 질소 원자에 부착된 네 개의 카본 체인 중 적어도 하나를 포함할 수도 있다. 억제제는 상기 억제제의 질소 원자에 부착되는 일 유닛을 포함하며, 이 일 유닛은 적어도 네 개의 원자를 가질 수도 있다. 억제제는 상기 억제제의 질소 원자에 부착된 적어도 하나의 가지 체인(branch chain)을 포함할 수도 있다. 억제제는 실질적으로 소수성일 수도 있다. 억제제는 불화물을 포함할 수도 있다.
또한, 본 발명은 산과 반응하여 베이스 용액에 녹게 되는 폴리머를 갖는 재료를 제공한다. 상기 재료는 방사 에너지에 의해 분해되어 산을 형성하는 복수의 광-산 발생제(PAGs)와; 산을 중화시킬 수 있고, 폴리머에 화학적으로 결합되거나, 실질적으로 소수성이거나, 폴리머에 물리적으로 구속됨으로써, 혹은 상기 방법들의 조합에 의해 저하된 이동도를 갖는 복수의 억제제를 포함한다.
여러 실시예에서, 복수의 억제제는 복수의 PAGs 농도의 약 1/4의 농도를 갖는다. 상기 복수의 억제제 각각은 하나의 비공유전자쌍을 갖는 질소 원자를 포함할 수도 있다. 상기 복수의 억제제 각각은 상기 질소 원자에 결합되는 화학기를 포함할 수도 있는데, 이러한 화학기는 알킬기, 환형 구조, 긴 체인, 분기된 기(그룹) 및 이들의 조합으로 이루어진 그룹 중에서 선택된 어느 하나일 수 있다. 복수의 억제제는 이멀젼 유체로 복수의 억제제가 약 5×10-13 mole/㎠ 미만으로 추출될 수 있는 정도의 저하된 이동도를 가질 수도 있다. 상기 재료는 폴리머에 용매를 더 포함할 수도 있다.
또한, 본 발명은 이멀젼 리소그래피법을 제공한다. 상기 방법은 기판 위에 감광층을 형성하는 것을 포함한다. 여기서, 감광층은 산과 반응하여 베이스 용액에 녹게 되는 폴리머와, 방사 에너지에 의해 분해되어 산을 형성하는 복수의 광-산 발생제(PAGs)와, 산을 중화시킬 수 있고 저하된 이동도를 갖는 복수의 억제제를 포함한다. 상기 방법은 이멀젼 렌즈 시스템을 이용해 감광층을 노출시키는 것, 이멀젼 유체로 복수의 억제제를 약 5×10-13 mole/㎠ 미만으로 추출할 수 있는 감광층을 베이킹하는 것, 그리고 감광층을 현상하는 것을 포함한다. 상기 방법은 감광층을 노출시킨 후에 감광층 상의 물방울의 pH 값이 6 미만이 되도록 산 처리하는 것을 더 포함할 수도 있다. 상기 방법에서, 감광층의 베이킹은 물방울을 제거하는 것을 포함할 수도 있다.
본 발명에 의하면, 이멀젼 리소그래피로부터 물 자국 결함이 생기는 것을 방지한 포토레지스트 재료를 제공할 수 있다.
본 발명은 도시된 실시예를 중심으로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 발명이 본 발명의 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 할 수 있는 다양한 변형 및 균등한 타 실시예를 포괄할 수 있음을 이해할 것이다.

Claims (14)

  1. 산과 반응하여 베이스 용액에 녹게 되는 폴리머;
    방사 에너지에 의해 분해되어 산을 형성하는 광-산 발생제(PAG); 및
    산을 중화시킬 수 있고, 다음 1) 내지 3) 중 적어도 하나의 조건을 충족하는 억제제(quencher), 상기 억제제가 1) 상기 폴리머에 화학적으로 결합될 것, 2) 소수성을 지닐 것, 3) 이멀젼 리소그래피 동안 포토레지스트상의 이멀젼 유체로의 확산이 감소되도록 상기 폴리머에 물리적으로 구속될 것;를 포함하며,
    상기 억제제의 농도는 무게 비율로 상기 폴리머의 0.5% 이상인 것을 특징으로 하는 이멀젼 리소그래피용 포토레지스트 재료.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 억제제가 상기 폴리머에 화학적으로 결합될 때, 상기 억제제는 상기 억제제의 질소 원자를 통해 상기 폴리머의 카본 유닛 또는 상기 폴리머의 카본 이외의 원자 유닛에 결합되는 것을 특징으로 하는 이멀젼 리소그래피용 포토레지스트 재료.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 억제제는 하나의 비공유전자쌍(a lone pair electron)을 갖는 질소 원자를 포함하는 것을 특징으로 하는 이멀젼 리소그래피용 포토레지스트 재료.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 억제제는 상기 질소 원자에 부착된 적어도 하나의 환형 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 이멀젼 리소그래피용 포토레지스트 재료.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 억제제는 상기 억제제의 질소 원자에 부착되는 일 유닛을 포함하며, 이 일 유닛은 적어도 네 개의 원자를 갖는 것을 특징으로 하는 이멀젼 리소그래피용 포토레지스트 재료.
  7. 제 4 항에 있어서,
    상기 억제제는 상기 억제제의 질소 원자에 부착된 적어도 하나의 가지 체인(branch chain)을 포함하는 것을 특징으로 하는 이멀젼 리소그래피용 포토레지스트 재료.
  8. 삭제
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 억제제가 소수성을 지닐 때, 상기 억제제는 불화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 이멀젼 리소그래피용 포토레지스트 재료.
  10. 산과 반응하여 베이스 용액에 녹게 되는 폴리머;
    방사 에너지에 의해 분해되어 산을 형성하는 복수의 광-산 발생제(PAGs); 및
    산을 중화시킬 수 있고, 다음 1) 내지 3) 중 적어도 하나의 조건을 충족하는 복수의 억제제(quencher), 상기 억제제가 1) 상기 폴리머에 화학적으로 결합될 것, 2) 소수성을 지닐 것, 3) 이멀젼 리소그래피 동안 포토레지스트상의 이멀젼 유체로의 확산이 감소되도록 상기 폴리머에 물리적으로 구속될 것;를 포함하며,
    상기 복수의 억제제의 농도는 상기 복수의 PAGs의 농도의 1/4인 것을 특징으로 하는 이멀젼 리소그래피용 포토레지스트 재료.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 복수의 억제제 중 하나 이상은 하나의 비공유전자쌍을 갖는 질소 원자를 포함하는 것을 특징으로 하는 이멀젼 리소그래피용 포토레지스트 재료.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 복수의 억제제 각각은 상기 질소에 결합되는 화학기를 포함하고, 상기 화학기는 알킬기, 환형 구조, 카본 체인, 분기된 그룹(branched group) 및 이들의 조합으로 이루어진 그룹 중 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 이멀젼 리소그래피용 포토레지스트 재료.
  13. (가) 기판 위에 감광층을 형성하는 단계,
    여기서 상기 감광층은 산과 반응하여 베이스 용액에 녹게 되는 폴리머와,
    방사 에너지에 의해 분해되어 산을 형성하는 복수의 광-산 발생제(PAGs)와,
    산을 중화시킬 수 있고, 다음 1) 내지 3) 중 적어도 하나의 조건을 충족하는 복수의 억제제 - 상기 억제제가 1) 상기 폴리머에 화학적으로 결합될 것, 2) 소수성을 지닐 것, 3) 상기 폴리머에 물리적으로 구속될 것 - 를 포함함;
    (나) 상기 감광층을 이멀젼 유체를 가진 이멀젼 리소그래피 시스템에 노출시키는 단계;
    (다) 상기 이멀젼 유체 내로 상기 복수의 억제제를 5×10-13 mole/㎠ 미만의 비율로 추출할 수 있는 상기 감광층을 베이킹하는 단계; 및
    (라) 상기 노출된 감광층을 현상하는 단계;를 포함하는 이멀젼 리소그래피법.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 감광층의 노출 후 상기 감광층 상의 물방울의 pH 값이 6 미만이 되도록 산 처리하는 것을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이멀젼 리소그래피법.
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TW (1) TWI338195B (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101679926B1 (ko) 2013-12-06 2016-11-25 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 포토레지스트 및 방법
US10114286B2 (en) 2014-05-16 2018-10-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Photoresist and method

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7927779B2 (en) 2005-06-30 2011-04-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Companym, Ltd. Water mark defect prevention for immersion lithography
US8383322B2 (en) * 2005-08-05 2013-02-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Immersion lithography watermark reduction
US7993808B2 (en) 2005-09-30 2011-08-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. TARC material for immersion watermark reduction
US8518628B2 (en) * 2006-09-22 2013-08-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Surface switchable photoresist
GB0619041D0 (en) * 2006-09-27 2006-11-08 Imec Inter Uni Micro Electr Watermark defect reduction by resist optimisation
US8163468B2 (en) * 2008-03-10 2012-04-24 Micron Technology, Inc. Method of reducing photoresist defects during fabrication of a semiconductor device
US8841058B2 (en) 2010-08-03 2014-09-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photolithography material for immersion lithography processes
US9159559B2 (en) 2013-03-11 2015-10-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Lithography layer with quenchers to prevent pattern collapse
US9607834B2 (en) * 2015-04-02 2017-03-28 Tokyo Electron Limited Trench and hole patterning with EUV resists using dual frequency capacitively coupled plasma (CCP)
US20170334170A1 (en) * 2016-03-23 2017-11-23 Atieh Haghdoost Articles including adhesion enhancing coatings and methods of producing them
US9793183B1 (en) 2016-07-29 2017-10-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. System and method for measuring and improving overlay using electronic microscopic imaging and digital processing
US10043650B2 (en) 2016-09-22 2018-08-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method and system for wet chemical bath process
US10274818B2 (en) 2016-12-15 2019-04-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Lithography patterning with sub-resolution assistant patterns and off-axis illumination
US10573519B2 (en) * 2017-09-08 2020-02-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method for performing a photolithography process
US11054742B2 (en) 2018-06-15 2021-07-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. EUV metallic resist performance enhancement via additives
US11069526B2 (en) 2018-06-27 2021-07-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Using a self-assembly layer to facilitate selective formation of an etching stop layer
US10867805B2 (en) 2018-06-29 2020-12-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Selective removal of an etching stop layer for improving overlay shift tolerance
US11289376B2 (en) 2019-07-31 2022-03-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Methods for forming self-aligned interconnect structures
US12009400B2 (en) 2021-02-14 2024-06-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Device providing multiple threshold voltages and methods of making the same

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030035823A (ko) * 2001-08-02 2003-05-09 스미또모 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 화학 증폭형 포지티브형 레지스트 조성물

Family Cites Families (77)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5212047A (en) * 1990-04-10 1993-05-18 E. I. Du Pont De Nemours And Company Resist material and process for use
JP3441167B2 (ja) 1993-06-30 2003-08-25 株式会社東芝 感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP3297199B2 (ja) 1993-09-14 2002-07-02 株式会社東芝 レジスト組成物
US5683856A (en) 1994-10-18 1997-11-04 Fuji Photo Film Co., Ltd. Positive-working photosensitive composition
US5599650A (en) * 1995-04-28 1997-02-04 Polaroid Corporation Photoreaction quenchers in on-press developable lithographic printing plates
JPH0916244A (ja) 1995-07-04 1997-01-17 Sanyo Electric Co Ltd シミュレーション方法および装置
JP3345869B2 (ja) 1995-12-01 2002-11-18 ジェイエスアール株式会社 感放射線性組成物
TW593331B (en) * 1997-07-25 2004-06-21 Inspire Pharmaceuticals Inc Method for large-scale production of di(uridine 5')-tetraphosphate and salts thereof
JP3743187B2 (ja) * 1998-05-08 2006-02-08 住友化学株式会社 フォトレジスト組成物
TWI250379B (en) 1998-08-07 2006-03-01 Az Electronic Materials Japan Chemical amplified radiation-sensitive composition which contains onium salt and generator
US6309804B1 (en) 1998-09-21 2001-10-30 Philips Semiconductor, Inc. Reducing contamination induced scumming, for semiconductor device, by acid treatment
FR2790005B1 (fr) * 1999-02-22 2004-01-30 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication de morpholino-nucleotides, et utilisation de ceux-ci pour l'analyse et le marquage de sequences d'acides nucleiques
JP2001009142A (ja) 1999-06-28 2001-01-16 Heiwa Corp 遊技媒体の研磨装置
JP4135277B2 (ja) 1999-10-12 2008-08-20 Ｊｓｒ株式会社 感放射線性樹脂組成物
JP4453138B2 (ja) * 1999-12-22 2010-04-21 住友化学株式会社 化学増幅型ポジ型レジスト組成物
JP3821211B2 (ja) 2000-03-21 2006-09-13 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
JP4783496B2 (ja) * 2000-11-02 2011-09-28 株式会社トクヤマ アミノ酸誘導体の光学異性体の分離方法
US6936398B2 (en) 2001-05-09 2005-08-30 Massachusetts Institute Of Technology Resist with reduced line edge roughness
US7192681B2 (en) * 2001-07-05 2007-03-20 Fuji Photo Film Co., Ltd. Positive photosensitive composition
JP3894001B2 (ja) * 2001-09-06 2007-03-14 住友化学株式会社 化学増幅型ポジ型レジスト組成物
US7461119B2 (en) * 2001-09-29 2008-12-02 Siebel Systems, Inc. Method, apparatus, and system for managing status of requests in a client server environment
JP3827556B2 (ja) 2001-10-31 2006-09-27 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
US7776505B2 (en) * 2001-11-05 2010-08-17 The University Of North Carolina At Charlotte High resolution resists for next generation lithographies
JP3810309B2 (ja) 2001-12-03 2006-08-16 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
GB0202646D0 (en) * 2002-02-05 2002-03-20 Optaglio Ltd Secure hidden data protection optically variable label
US6849378B2 (en) * 2002-04-17 2005-02-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Photosensitive polymers, resist compositions comprising the same, and methods for forming photoresistive patterns
US6713236B2 (en) * 2002-07-03 2004-03-30 Infineon Technologies North America Corp. Lithography method for preventing lithographic exposure of peripheral region of semiconductor wafer
JP4084235B2 (ja) * 2002-08-22 2008-04-30 株式会社神戸製鋼所 保護膜積層微細構造体および該構造体を用いた微細構造体の乾燥方法
US6788477B2 (en) * 2002-10-22 2004-09-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Apparatus for method for immersion lithography
JP4525062B2 (ja) 2002-12-10 2010-08-18 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法、露光システム
US6781670B2 (en) * 2002-12-30 2004-08-24 Intel Corporation Immersion lithography
JP4434762B2 (ja) * 2003-01-31 2010-03-17 東京応化工業株式会社 レジスト組成物
EP1598701A4 (en) 2003-02-25 2009-12-09 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION AND METHOD FOR FORMING RESIN PATTERN
JP2005101498A (ja) 2003-03-04 2005-04-14 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 液浸露光プロセス用浸漬液および該浸漬液を用いたレジストパターン形成方法
US7029832B2 (en) 2003-03-11 2006-04-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Immersion lithography methods using carbon dioxide
KR20060002751A (ko) * 2003-03-11 2006-01-09 후지필름 일렉트로닉 머티리얼스 유.에스.에이., 아이엔씨. 새로운 감광성 수지 조성물들
JP2005099646A (ja) * 2003-03-28 2005-04-14 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 液浸露光プロセス用レジスト組成物および該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法
JP4469561B2 (ja) * 2003-05-09 2010-05-26 富士フイルム株式会社 感光性組成物
TWI442694B (zh) * 2003-05-30 2014-06-21 Asml Netherlands Bv 微影裝置及元件製造方法
JP4346358B2 (ja) * 2003-06-20 2009-10-21 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 化学増幅型レジスト組成物およびそれを用いた半導体装置の製造方法、パターン形成方法
JP4303044B2 (ja) * 2003-06-23 2009-07-29 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 化学増幅型レジスト組成物および該化学増幅型レジスト組成物を用いた半導体集積回路装置の製造方法
US7090963B2 (en) * 2003-06-25 2006-08-15 International Business Machines Corporation Process for forming features of 50 nm or less half-pitch with chemically amplified resist imaging
US7186486B2 (en) 2003-08-04 2007-03-06 Micronic Laser Systems Ab Method to pattern a substrate
US20050029492A1 (en) * 2003-08-05 2005-02-10 Hoshang Subawalla Processing of semiconductor substrates with dense fluids comprising acetylenic diols and/or alcohols
US7700267B2 (en) * 2003-08-11 2010-04-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Immersion fluid for immersion lithography, and method of performing immersion lithography
JP4265766B2 (ja) 2003-08-25 2009-05-20 東京応化工業株式会社 液浸露光プロセス用レジスト保護膜形成用材料、該保護膜形成材料からなるレジスト保護膜、および該レジスト保護膜を用いたレジストパターン形成方法
US7070915B2 (en) 2003-08-29 2006-07-04 Tokyo Electron Limited Method and system for drying a substrate
JP2005081302A (ja) 2003-09-10 2005-03-31 Japan Organo Co Ltd 超臨界流体による電子部品部材類の洗浄方法及び洗浄装置
US7169530B2 (en) * 2003-10-02 2007-01-30 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Polymer compound, resist material and pattern formation method
JP2005136374A (ja) 2003-10-06 2005-05-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体製造装置及びそれを用いたパターン形成方法
US7678527B2 (en) * 2003-10-16 2010-03-16 Intel Corporation Methods and compositions for providing photoresist with improved properties for contacting liquids
TWI286555B (en) * 2003-10-23 2007-09-11 Shinetsu Chemical Co Polymers, resist compositions and patterning process
JP2005128455A (ja) 2003-10-27 2005-05-19 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd ホトレジスト組成物およびレジストパターン形成方法
JP4609878B2 (ja) 2003-10-28 2011-01-12 東京応化工業株式会社 レジスト上層膜形成材料、およびこれを用いたレジストパターン形成方法
JP5301070B2 (ja) 2004-02-16 2013-09-25 東京応化工業株式会社 液浸露光プロセス用レジスト保護膜形成用材料、および該保護膜を用いたレジストパターン形成方法
TWI371657B (en) 2004-02-20 2012-09-01 Fujifilm Corp Positive resist composition for immersion exposure and method of pattern formation with the same
WO2005081063A1 (ja) 2004-02-20 2005-09-01 Daikin Industries, Ltd. 液浸リソグラフィーに用いるレジスト積層体
US7473512B2 (en) * 2004-03-09 2009-01-06 Az Electronic Materials Usa Corp. Process of imaging a deep ultraviolet photoresist with a top coating and materials thereof
US20050202351A1 (en) * 2004-03-09 2005-09-15 Houlihan Francis M. Process of imaging a deep ultraviolet photoresist with a top coating and materials thereof
US7906268B2 (en) 2004-03-18 2011-03-15 Fujifilm Corporation Positive resist composition for immersion exposure and pattern-forming method using the same
JP4220423B2 (ja) * 2004-03-24 2009-02-04 株式会社東芝 レジストパターン形成方法
KR100557222B1 (ko) 2004-04-28 2006-03-07 동부아남반도체 주식회사 이머전 리소그라피 공정의 액체 제거 장치 및 방법
ATE450813T1 (de) * 2004-05-17 2009-12-15 Fujifilm Corp Verfahren zur erzeugung eines musters
KR100599081B1 (ko) * 2004-05-27 2006-07-13 삼성전자주식회사 포토레지스트 조성물 및 이를 사용한 패턴 형성방법
US7463330B2 (en) * 2004-07-07 2008-12-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2006024692A (ja) 2004-07-07 2006-01-26 Toshiba Corp レジストパターン形成方法
US8003293B2 (en) * 2004-09-30 2011-08-23 Intel Corporation Pixelated photoresists
KR100574993B1 (ko) * 2004-11-19 2006-05-02 삼성전자주식회사 포토레지스트용 탑 코팅 조성물과 이를 이용한포토레지스트 패턴 형성 방법
US8741537B2 (en) 2005-03-04 2014-06-03 Fujifilm Corporation Positive resist composition and pattern-forming method using the same
JP4667273B2 (ja) 2005-03-04 2011-04-06 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
US7927779B2 (en) 2005-06-30 2011-04-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Companym, Ltd. Water mark defect prevention for immersion lithography
US20070002296A1 (en) 2005-06-30 2007-01-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Immersion lithography defect reduction
US20070006405A1 (en) * 2005-07-07 2007-01-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Systems and methods for wafer cleaning
US8383322B2 (en) * 2005-08-05 2013-02-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Immersion lithography watermark reduction
JP4861781B2 (ja) 2005-09-13 2012-01-25 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
US7993808B2 (en) * 2005-09-30 2011-08-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. TARC material for immersion watermark reduction
JP5407241B2 (ja) * 2007-09-28 2014-02-05 大日本印刷株式会社 エレクトロルミネッセンス素子

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030035823A (ko) * 2001-08-02 2003-05-09 스미또모 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 화학 증폭형 포지티브형 레지스트 조성물

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101679926B1 (ko) 2013-12-06 2016-11-25 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 포토레지스트 및 방법
US10095113B2 (en) 2013-12-06 2018-10-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Photoresist and method
US10365561B2 (en) 2013-12-06 2019-07-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist and method
US10514603B2 (en) 2013-12-06 2019-12-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist and method
US11073763B2 (en) 2013-12-06 2021-07-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist and method
US10114286B2 (en) 2014-05-16 2018-10-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Photoresist and method

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