DE102006045459A1 - Verhinderung von Wasser-Markierungsdefekten für Immersions-Lithographie - Google Patents
Verhinderung von Wasser-Markierungsdefekten für Immersions-Lithographie Download PDFInfo
- Publication number
- DE102006045459A1 DE102006045459A1 DE102006045459A DE102006045459A DE102006045459A1 DE 102006045459 A1 DE102006045459 A1 DE 102006045459A1 DE 102006045459 A DE102006045459 A DE 102006045459A DE 102006045459 A DE102006045459 A DE 102006045459A DE 102006045459 A1 DE102006045459 A1 DE 102006045459A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- quencher
- material according
- acid
- polymer
- photosensitive layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
- G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
Ein fotoresistentes Material mit einem Polymer, das löslich wird bezüglich einer Basenlösung in Antwort auf eine Reaktion in Säure. Das Material beinhaltet einen Fotossäuregenerator (PAG), der zerfällt, um in Antwort auf eine Strahlungsenergie eine Säure zu bilden und einen Quenscher, der in der Lage ist, eine Säure zu neutralisieren und der eine verringerte Beweglichkeit aufweist. Das fotoresistente Material kann dadurch Wassertropfendefekte der Immersions-Lithographie verhindern.
Description
- Hintergrund
- Da Halbleiter-Herstellungstechnologien fortlaufend zu einer kleineren Eigenschaft fortschreiten, werden Größen wie zum Beispiel 65 Nanometer, 45 Nanometer und darunter in der Immersions-Lithographie-Prozesse eingeführt. Immersions-Lithographie jedoch erzeugt einen Wassertropfen-Rest nach einem Aussetzungsprozess. Diese Wassertropfen-Reste können Wasser-Markierungsdefekte verursachen und deshalb die Halbleiter-Herstellung verschlechtern oder Fehler währenddessen verursachen.
- Was gebraucht wird ist ein verbessertes Immersions-Lithographiesystem, wobei der Schaden, der durch Wasser-Markierungsdefekte verursacht wird, verhindert, und/oder verringert wird.
- Kurze Beschreibung der Zeichnungen
- Aspekte der vorliegenden Offenbarung werden am besten verstanden durch die folgende detaillierte Beschreibung zusammen mit den begleitenden Figuren. Es wird angemerkt, dass in Übereinstimmung mit der gängigen Praxis in der Industrie verschiedene Eigenschaften nicht maßstabsgetreu gezeichnet sind. In Wirklichkeit können die Ausmaße der verschiedenen Figuren für die Klarheit der Erörterung beliebig vergrößert oder verkleinert werden.
-
1 veranschaulicht eine Schnittansicht eines beispielhaften Halbleiter-Bauteils100 mit einer fotoempfindlichen Schicht, die während eines Immersions-Lithographie- Prozesses ausgesetzt wird. -
2 und3 veranschaulichen Schnittansichten eines beispielhaften Halbleiter-Bauteils mit einer fotoempfindlichen Schicht und Wasser-Markierungen, die darauf geschaffen wurden während eines Immersions-Lithographie-Prozesses. -
4 veranschaulicht eine Schemazeichnung einer fotoempfindlichen Schicht mit chemisch gebundenen Quenchern. -
5a bis5c veranschaulichen Schemazeichnungen von verschieden Ausführungsformen einer fotoempfindlichen Schicht mit einem Polymer und Quenchern, die chemisch an das Polymer gebunden sind. -
6 veranschaulicht eine Schemazeichnung einer fotoempfindlichen Schicht mit physikalisch gefangenen Quenchern. -
7a bis7j veranschaulichen Schemazeichnungen von verschiedenen Ausführungsformen einer fotoempfindlichen Schicht mit Quenchern mit reduzierter Beweglichkeit. -
8a bis8b veranschaulichen Schemazeichnungen von verschiedenen Ausführungsformen einer fotoempfindlichen Schicht mit hydrophoben Quenchern. -
9 ist ein Flussdiagramm einer Ausführungsform eines Verfahrens zur Immersions-Lithographie-Nachbildung. - Detaillierte Beschreibung
- Es wird verstanden, dass die folgende Offenbarung viele verschiedene Ausführungsformen oder Beispiele für die Implementierung verschiedener Eigenschaften verschiedener Ausführungsformen vorsieht. Spezielle Bespiele von Komponenten und Anordnungen werden unten beschrieben, um die vorliegende Erfindung zu vereinfachen. Das sind natürlich bloß Beispiele und zielen nicht darauf ab, einschränkend zu sein. Die Bildung von zum Beispiel einer ersten Eigenschaft über oder auf einer zweiten Eigenschaft in der folgenden Beschreibung, kann Ausführungsformen beinhalten, in denen die erste und zweite Eigenschaft in direktem Kontakt gebildet sind, und können auch Ausführungsformen beinhalten, in denen zusätzliche Eigenschaften gebildet werden, indem man die erste und zweite Eigenschaft einfügt, so dass die erste und die zweite Eigenschaft nicht in direktem Kontakt sein können. Zusätzlich dazu kann die vorliegende Offenbarung Referenznummern und/oder Buchstaben in den verschiedenen Beispielen wiederholen. Diese Wiederholung dient dem Zweck der Einfachheit und Klarheit und schreibt kein Verhältnis zwischen den verschiedenen Ausführungsformen und/oder den erörterten Konfigurationen vor.
-
1 stellt eine Schnittansicht eines Halbleiter-Bauteils100 während eines Immersions-Lithographie -Aussetzungs-Prozesses bereit. Das Halbleiter-Bauteil100 kann ein Halbleiter-Wafer oder ein anderes geeignetes Bauteil sein. In der vorliegenden Ausführungsform beinhaltet das Halbleiter-Bauteil100 ein Silizium-Substrat110 mit einer organischen Boden-Anti-Reflexionsschicht(BARC), einer nicht-organischen Boden-Anti-Reflexionsschicht, einer ätzresistenten organischen Schicht, einer organischen Haft-Verbesserungsschicht, verschiedenartig dotierte Bereiche, dielektrische Eigenschaften, und Vielschicht-Kopplungen. Das Substrat kann alternativ anderes geeignetes Halbleitermaterial beinhalten, inklusive Ge, SiGe, oder GaAs. Das Substrat kann alternativ Nicht-Halbleitermaterial beinhalten, wie z.B. eine Glas Platte für Dünnfilm-Transistor-Flüssigkristall-Anzeige-Geräte (TFT-LCD). Das Halbleitergerät100 kann des Weiteren eine oder mehr Materialschichten beinhalten, um sie zu mustern. - Das Halbleiter-Gerät
100 beinhaltet eine fotoempfindliche Schicht (fotoresistent oder resistent) 120. In der vorliegenden Ausführungsform hat die resistente Schicht120 eine Dicke, die sich ungefähr zwischen 50 Å und 5000 Åerstreckt. In einer anderen Ausführungsform kann die resistente Schicht120 eine Dicke haben, die sich ungefähr zwischen 500 Å und 2000 Å erstreckt. Die resistente Schicht120 beinhaltet ein Polymer-Material das zu einem Entwickler löslich wird, wie z.B. eine basische Lösung, wenn das Polymer mit einer Säure reagiert. Die resistente Schicht120 beinhaltet ein Polymer-Material, das zu einem Entwickler unlöslich wird, wie z.B. eine basische Lösung, wenn das Polymer mit Säure reagiert. Das Resistente120 beinhaltet des Weiteren ein Lösungsmittel, das in das Polymer gefüllt wird. Das Lösungsmittel kann zum Teil abgedampft werden aufgrund eines vorhergehenden Trocknungsprozesses. Das Resistente120 beinhaltet auch ein Fotosäuregenerator-(PAG)-130 -Material mit PAG-Molekülen, die in der Lösung und/oder dem Polymer verteilt sind. Bei der Absorption von Fotoenergie zerfällt der PAG130 und bildet einen kleinen Betrag an Säure. Der PAG130 kann eine Konzentration haben, die sich ungefähr zwischen 1 Gew.-% und 15 Gew.-% des resistenten Polymers120 erstreckt. - In der Förderung der vorliegenden Ausführungsform beinhaltet das Resistente
120 auch ein Quencher-Material140 , das sich in der Lösung und dem Polymer verteilt. Der Quencher140 ist basisch und in der Lage, eine Säure zu neutralisieren. Insgesamt oder alternativ kann der Quencher andere aktive Komponenten des Resistenten120 von einer Reaktion abhalten, wie z.B. Abhalten von PAG und einer Fotosäure. Der Quencher140 hat eine Konzentration, die sich ungefähr zwischen 0,5 Gew.-% und 8 Gew.-% des Resistenten erstreckt. Der Quencher140 kann alternativ eine Konzentration von einem Viertel der Konzentration von PAG130 haben, durch das Gewicht vor dem Aussetzungsprozess. In einem Beispiel beinhaltet der Quencher140 ein Stickstoffatom mit einem ungepaarten Elektron, das in der Lage ist eine Säure zu neutralisieren. In einem Aussetzungs-Prozess-Schritt während einer Immersions-Lithographie-Musterung, wird die resistente Schicht120 einer Strahlungsenergie ausgesetzt, wie z.B. tief Ultra-Violett(DUV) durch eine Fotomaske (Maske oder Schablone), mit einer vordefinierten Musterung, woraus sich eine resistente Musterung bzw. Schablone ergibt, die eine Vielzahl von nicht-ausgesetzten Bereichen, wie z.B. unausgesetzte Eigenschaften120a und eine Vielzahl von ausgesetzten Bereichen, wie z.B. ausgesetzte Eigenschaften120b beinhaltet. Die Strahlungsenergie kann einen248 nm Strahl durch Krypton-Fluorid(KrF)-Excimerlaser oder einen193 nm Strahl durch Argon Fluorid(ArF)-Excimerlaser beinhalten. Die Immersions-Lithographie beinhaltet des Weiteren ein Immersions-Fluid zwischen dem Halbleiter-Bauteil100 und einer Linse eines Lithographie-Systems, das verwendet wird, um den Aussetzungs-Prozess-Schritt zu implementieren. Das Immersions-Fluid kann entionisiertes Wasser (DI-Wasser oder DIW) beinhalten. Das Fluid kann des Weiteren chemische Additive beinhalten, wie z.B. Säure, Salz, oder Polymer. Das Fluid kann alternativ andere geeignete Fluide mit einem Brechungsindex größer als 1,44 beinhalten, dem Brechungsindex von DIW. Während eines Aussetzungsprozesses kann ein Wassertropfenrest, wie z.B. ein beispielhafter Wassertropfen150 auf der resistenten Schicht nach dem Aussetzungsprozess zurückbleiben. - Im vorhergehenden Immersions-Lithographie-Musterungs-Prozess kann der Wassertropfenrest Probleme verursachen, wie z.B. Bilden einer Wassermarkierung, wie in Schnittzeichnungen des Halbleiter-Bauteils
200 von2 und3 veranschaulicht ist. Ein Wassertropfen130 , der auf einer fotoempfindlichen Schicht120 des Halbleiter-Bauteils200 zurückbleibt, kann einen Pfad zum PAG130 und dem Quencher140 bereitstellen. Der Quencher140 kann in einem nicht-ausgesetzten Bereich120a in den Wassertropfen hinein diffundieren und des Weiteren in den ausgesetzten Bereich120b hinein diffundieren, wobei er die fotoerzeugte Säure neutralisiert und/oder die Aussetzungs-Effizienz in den ausgesetzten Bereichen reduziert. Des Weiteren wird der ausgesetzte PAG zersetzt zu PAG-Anion und Säure, die besser in Wasser löslich ist als ein nicht-ausgesetzter PAG. Die fotoerzeugte Säure kann in den Wassertropfen mit einem zusätzlichen Effekt hinein diffundieren, so dass die ausgesetzten Bereiche des Resistenten120 weniger fotoerzeugte Säure haben. Diese ausgesetzten Bereiche der resistenten Schicht120 können daher nicht ausreichend fotoerzeugte Säure haben, um eine Kaskade von chemischen Transformationen (Säureverstärkung) nach dem Aussetzungs-Prozess-Schritt auszulösen, und/oder kann nicht vollständig löslich sein in der Entwicklung der Lösung bei einem Entwicklungs-Prozess-Schritt. Daher kann eine unerwartete T-Oberseiten-Resistenz-Eigenschaft (Brückenprofil oder Wassermarkierung)120c auf den ausgesetzten Bereichen der resistenten Schicht120 gebildet werden, in der das Oberseiten-Resistenz-Material des ausgesetzten Bereichs nicht in einer Entwickler-Lösung löslich ist. - Gemäß der vorliegenden Offenbarung hat der Quencher
140 eine verringerte Beweglichkeit, so dass die Diffusion durch den Wassertropfen wesentlich verringert ist. In einem Beispiel ist die Beweglichkeit des Quenchers derart verringert, dass der Quencher in der Lage ist weniger als ungefähr 10–3 Mol/cm2 zu einem Immersions-Fluid während der Immersions- Lithographie extrahiert zu werden. - In einer Ausführungsform, wie in
4 veranschaulicht, ist der Quencher140 chemisch mit einem Polymer160 verbunden, so dass der Quencher eine verringerte Beweglichkeit aufweist. Das Polymer160 wird löslich in einer Entwickler-Lösung nach dem Reagieren mit einer Säure. Das Polymer160 beinhaltet des Weiteren ein kurzkettiges Polymer das in einer Entwickler-Lösung löslich ist. Der Quencher140 ist nicht in der Lage in den Wassertropfen hinein zu diffundieren, was zu einer begrenzten Beweglichkeitsreichweite durch eine Kettenbewegung des Polymers160 und/oder des Quenchers140 führt. - Mit Bezug auf
5a kann der Quencher140 mit einer Kohlenstoffeinheit162 des Polymers160 durch ein Stickstoffatom142 des Quenchers verbunden sein. In der vorliegenden Ausführungsform beinhaltet das Stickstoffatom142 ein ungepaartes Elektron, um Säure oder andere Komponenten des Resistenten zu neutralisieren. Der Quencher140 beinhaltet erste und zweite chemische Gruppen144 ,146 wie z.B. Alkylgruppen, die an ein Stickstoffatom142 gebunden sind. Eine Alkylgruppe kann H, CH3, C2H5, CF3, C2F5, ringartiges Polymer oder ringartiges Polymer mit einem am Ringende gebundenen Stickstoffatom142 beinhalten. Die ersten und zweiten chemischen Gruppen144 und146 können alternativ andere chemische Gruppen beinhalten. In anderen Beispielen kann das Polymer160 zwei Kohlenstoffeinheiten164 in5b beinhalten, oder drei Kohlenstoffeinheiten166 in5c , oder sogar mehr Kohlenstoffeinheiten, die an dem Stickstoff142 des Quenchers gebunden sind. Diese Kohlenstoffstruktur hat viele Kohlenstoffeinheiten in einer Kette und stellt dem gebundenen Quencher140 eine bestimmte Beweglichkeit bereit. Das Polymer kann alternativ andere Atomeinheiten beinhalten, die an den Quencher140 gebunden sind. - Mit Bezug auf
6 kann der Quencher140 in einer anderen Ausführungsform physikalisch in dem Polymer160 gefangen sein (vollständig oder zum Teil). Der Quencher140 kann eine Größe haben, die sehr groß ist im Vergleich mit einer Maschengröße eines Netzes des Polymers160 , so dass der Quencher140 darin physikalisch gefangen ist. Der Quencher140 kann alternativ eine bestimmte strukturelle Gruppe haben, um die physikalische Verschränkung zu verbessern. Zum Beispiel kann der Quencher140 physikalisch verwickelt mit, oder gefangen sein durch das Polymer160 . In einer anderen Ausführungsform kann der Quencher140 eine Ringstruktur, eine lange Kette, eine verzweigte Gruppe oder Kombinationen daraus beinhalten, um die Quencher-Beweglichkeit zu verringern. -
7a bis7j veranschaulichen verschiedenartige beispielhafte Strukturen des Quenchers. Ein Quencher in7a beinhaltet zwei Alkylgruppen und eine Ringstruktur wie z.B. ein Kohlenstoffring. Ein Quencher in7b beinhaltet eine Alkylgruppe und zwei Ringstrukturen. Ein Quencher in7c beinhaltet drei Ringstrukturen. Ein Quencher in7d beinhaltet zwei Alkylgruppen und eine Ringstruktur mit einem Sauerstoffatom. Ein Quencher in7e beinhaltet zwei Alkylgruppen und einen einzelnen Schwanz wie z.B. eine Kohlenstoffkette. Ein Quencher in7f beinhaltet zwei Alkylgruppen und einen einzelnen Schwanz mit einem Sauerstoffatom. Ein Quencher in7g beinhaltet eine Ringstruktur mit einem Sauerstoff und zwei Einzel-Ketten-Strukturen. Ein Quencher in7h beinhaltet zwei Alkylgruppen und eine verzweigte Struktur mit zwei kurzen Schwänzen. Ein Quencher in7i beinhaltet zwei Alkylgruppen und eine verzweigte Struktur mit zwei langen Schwänzen. Ein Quencher in7j beinhaltet zwei Alkylgruppen und eine verzweigte Struktur mit drei kurzen Schwänzen. Andere Kombinationen können implementiert sein, um die Beweglichkeit des Quenchers für eine optimierte Leistung einzustellen. - Mit Bezug auf
8a und8b ist der Quencher in einem anderen Beispiel hydrophob und deshalb schwierig in einen Wassertropfen hinein diffundierbar. Der Quencher kann mindestens eine hydrophobe Gruppe beinhalten. Zum Beispiel beinhaltet der Quencher Fluoride. Der Quencher in8a beinhaltet drei Alkylgruppen und mindestens eine davon hat Fluoride. Der Quencher in8b beinhaltet eine Alkylgruppe, ein Ring mit Sauerstoff und eine einzelne Kette mit vielen Fluoriden. Der Quencher in8b beinhaltet eine Alkylgruppe, einen Ring mit Sauerstoff und eine einzelne Kette mit vielen Fluoriden. - In einer anderen Ausführungsform können Wassertropfen, die auf der resistenten Schicht zurückbleiben direkt nach dem Aussetzungsprozess säurebehandelt werden. Die Säurebehandlung kann ausgeführt werden durch Sprühen von Säure auf die resistente Oberfläche (und/oder den Wassertropfen darauf.) durch einen fest eingebauten chemischen Einlass zum Immersions-Lithographie-System. Der pH-Wert der behandelten Wassertropfen kann auf einen Wert unter
6 abgestimmt werden. Daher hat der Quencher eine verringerte Diffusionsrate hinein in den Wassertropfen. Des Weiteren kann die fotoerzeugte Säure auch eine verringerte Diffusionsrate hinein in den Wassertropfen haben. Die Säurebehandlung kann auch in den resistenten Film hinein diffundieren und wesentlich das Extrahieren der Fotosäure aufheben. - In verschiedenen Ausführungsformen ist die Beweglichkeit des Quenchers zum Wassertropfen auf der resistenten Schicht wesentlich verringert. Der Wassermarkierungs-Effekt ist wesentlich verringert. Verschiedene Ausführungsformen für einen optimierten Resistenz-Musterungs-Prozess können modifiziert oder kombiniert werden.
- Mit Bezug auf
9 bildet ein Flussdiagram eines Immersions-Lithographie-Verfahrens900 ein resistentes Muster, wie beschrieben. Das Verfahren900 beinhaltet einen Schritt902 , um eine fotoempfindliche (resistente) Schicht auf einem Halbleiter-Wafer zu bilden. Die resistente Schicht ist im Großen und Ganzen ähnlich zur resistenten Schicht120 von1 , wobei das Quencher-Material eine verringerte Beweglichkeit aufweist. Der Quencher kann Strukturen aufweisen, die ähnlich zu denen aus den5a ,5c ,7a , bis7j , und8a bis7b oder Kombinationen daraus sind. - Das Verfahren
900 beinhaltet des Weiteren einen Schritt904 , um die resistente Schicht einer Strahlungsenergie auszusetzen, wie z.B. DUV durch eine Fotomaske und einem Immersions-Fluid. Bei dem Immersions-Fluid kann es sich um DIW handeln oder um ein anderes geeignetes Fluid mit einem hohen Reaktionsindex und es ist angeordnet zwischen dem Halbleiter-Wafer und der Linse eines Immersions-Lithographie-Systems, um das Verfahren900 umzusetzen. Da der Quencher eine verringerte Beweglichkeit hat, hat der Quencher eine verringerte Extraktion gegenüber Wassertropfen, die auf der resistenten Schicht nach dem Aussetzungsschritt904 auf der Schicht zurückbleiben. - Das Verfahren
900 fährt dann fort zu einem Schritt906 , um die resistente Schicht zu trocknen (Post-Aussetzungs-Trocknen oder PEB). Die Trocknungstemperatur kann von ungefähr 80°C bis 150°C reichen. Das Trocknen kann eine Dauer von z.B. einigen Minuten haben. Der Trocknungsschritt kann des Weiteren das Entfernen der Wassertropfen beinhalten, die auf der resistenten Schicht zurückgeblieben sind. - Das Verfahren
900 fährt dann fort zu einem Schritt908 , um die resistente Schicht in einer Entwickler-Lösung zu entwickeln. Die ausgesetzten resistenten Bereiche werden im Wesentlichen aufgelöst. - Das Verfahren
900 kann des Weiteren einen Schritt zwischen dem Aussetzungsschritt904 und dem Trocknungsschritt906 beinhalten, um die Wassertropfen zu behandeln, die auf der resistenten Schicht zurückgeblieben sind, so dass die Wassertropfen einen pH-Wert unter6 bekommen. Diese säurebehandelten Wassertropfen können auch die Diffusion des basischen Quenchers zum Wassertropfen neutralisieren. Dies kann die Einwirkung auf die Diffusion des Quenchers zu den ausgesetzten resistenten Bereichen durch die Wassertropfen verringern und auch die Diffusion der Säure von den ausgesetzten resistenten Bereichen in die Wassertropfen hinein verringern. - Daher stellt die vorliegende Erfindung ein fotoresistentes Material mit einem Polymer bereit, das löslich bezüglich einer basischen Lösung wird, in Antwort auf eine Reaktion mit Säure. Das material beinhaltet einen Fotosäuregenerator (PAG), der zerfällt, um eine Säure in Antwort auf eine Strahlungsenergie zu bilden und einen Quencher, der in der Lage ist, die Säure zu neutralisieren und der eine verringerte Beweglichkeit aufweist.
- In einigen Ausführungsformen beinhaltet der Quencher eine Konzentration größer asl ungefähr 0,5% des Polymers nach Gewicht. Der Quencher kann in der Lage sein bei einem Betrag unter 5·10–13 Mol/cm2 zu einem Immersions-Fluid extrahiert zu werden. Das Immersions-Fluid kann Wasser beinhalten. Das Immersions-Fluid kann ein geeignetes Fluid mit einem Brechungsindex (n) größer als 1,44 beinhalten. Der Quencher kann chemisch an das Polymer gebunden sein. Das Polymer kann mindestens eine Kohlenstoffeinheit beinhalten, die an den Quencher gebunden ist. Diese mindestens eine Kohlenstoffeinheit kann an ein Stickstoffatom des Quenchers gebunden sein. Der Quencher kann ein Stickstoffatom mit einem ungepaarten Elektron beinhalten. Der Quencher kann mindestens eine Ringstruktur beinhalten, die an das Stickstoffatom angehängt ist. Der Quencher kann mindestens eine Vierer-Kohlenstoffkette beinhalten, die am Stickstoffatom des Quenchers angebracht ist. Der Quencher kann mindestens eine verzweigte Kette beinhalten, die am Stickstoffatom des Quenchers angebracht ist. Der Quencher kann im Wesentlichen hydrophob sein. Der Quencher kann Fluoride beinhalten.
- Die vorliegende Offenbarung stellt auch ein Material mit einem Polymer bereit, das löslich bezüglich einer basischen Lösung wird in Antwort auf eine Reaktion mit Säure. Das Material beinhaltet eine Vielzahl von Fotosäuregeneratoren (PAGs), die zerfallen, um eine Säure in Antwort auf eine Strahlungsenergie zu bilden; und eine Vielzahl von Quenchern, die in der Lage sind Säure zu neutralisieren und eine verringerte Beweglichkeit aufweisen durch mindestens eines aus:
an das Polymer chemisch gebunden zu sein;
im Wesentlichen hydrophob zu sein; und
physikalisch im Polymer eingeschlossen zu sein. - In einigen Ausführungsformen beinhaltet die Vielzahl von Quenchern eine Konzentration von ungefähr einem Viertel einer Konzentration der Vielzahl der PAGs. Jedes der Vielzahl von Quenchern kann ein Stickstoffatom mit einem ungepaarten Elektron beinhalten. Jedes der Vielzahl von Quenchern kann eine chemische Gruppe beinhalten, die an den Stickstoff gebunden ist, wobei die chemische Gruppe aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Alkylgruppe, einer Ringstruktur, einer langen Kette, einer verzweigten Kette, und Kombinationen daraus besteht. Die Vielzahl von Quenchern kann eine verringerte Beweglichkeit beinhalten, so dass die Vielzahl von Quenchern in der Lage ist mit weniger als 5·10–13 Mol/cm2 in ein Immersions-Fluid extrahiert zu werden. Das material kann des Weiteren ein Lösungsmittel im Polymer beinhalten.
- Die vorliegende Offenbarung stellt auch ein Verfahren zur Immersions-Lithographie bereit.
- Das Verfahren beinhaltet die Bildung einer fotoempfindlichen Schicht auf einem Substrat, wobei die fotoempfindliche Schicht beinhaltet: ein Polymer, das gegenüber einer Basen-Lösung in Antwort auf eine Reaktion mit Säure löslich wird; eine Vielzahl von Fotosäuregeneratoren (PAGs), die zerfallen, um in Antwort auf eine Strahlungsenergie eine Säure zu bilden; und eine Vielzahl von Quenchern, die in der Lage sind eine Säure zu neutralisieren und eine verringerte Beweglichkeit aufweisen. Das Verfahren beinhaltet das Aussetzen der fotoempfindlichen Schicht unter Verwendung eines Immersions-Linsen-Systems; Trocknen der fotoempfindlichen Schicht, wobei die fotoempfindliche Schicht in der Lage ist, die Vielzahl von Quenchern mit einer Rate von weniger als 5·10–13 Mol/cm2 in das Immersions-Fluid zu extrahieren; und Entwickeln der ausgesetzten fotoempfindlichen Schicht. Das Verfahren kann des Weiteren eine Säurebehandlung beinhalten, so dass nach dem Aussetzen der fotoempfindlichen Schicht ein pH-Wert von Wassertropfen auf der fotoempfindlichen Schicht weniger als 6 beträgt, nach dem Aussetzen auf der fotoempfindlichen Schicht. In dem Verfahren kann das Trocknen der fotoempfindlichen Schicht das Entfernen der Wassertropfen beinhalten.
- Das Vorhergehende hat Eigenschaften von verschiedenen Ausführungsformen skizziert, so dass ein Fachmann die folgende detaillierte Beschreibung besser versteht. Ein Fachmann sollte anerkennen, dass man bereitwillig die vorliegende Offenbarung als eine Grundlage für die Gestaltung oder die Modifizierung anderer Prozesse und Strukturen für die Ausführung der selben Ziele und/oder Erreichen der selben Vorteile der Ausführungsformen, die hier eingeführt wurden, verwenden kann. Der Fachmann sollte außerdem erkennen, dass äquivalente Konstruktionen nicht vom Geist und dem Abgrenzungsbereich der vorliegenden Offenbarung abweichen, und dass man verschiedenartige Veränderungen, Substitutionen und Umbauten hier machen kann, ohne den Geist und dem Abgrenzungsbereich der vorliegenden Offenbarung zu verlassen.
Claims (23)
- Material für eine Verwendung in einer Immersions-Lithographie, umfassend: ein Polymer, das gegenüber einer Basen-Lösung in Antwort auf eine Reaktion mit Säure löslich wird; ein Fotosäuregenerator (PAG), der zerfällt, um in Antwort auf eine Strahlungsenergie eine Säure zu bilden; und einen Quencher, der in der Lage ist eine Säure zu neutralisieren und eine verringerte Beweglichkeit aufweist.
- Material gemäß Anspruch 1, wobei der Quencher eine Konzentration größer als ungefähr 0,5 Gew.-% des Polymers umfasst.
- Material gemäß Anspruch 1, wobei der Quencher in der Lage ist bei einer Menge von weniger als ungefähr 5·10–13 Mol/cm2 in ein Fluid extrahiert zu werden, das in der Immersions-Lithographie verwendet wird.
- Material gemäß Anspruch 3, wobei das Fluid Wasser umfasst.
- Material gemäß Anspruch 3, wobei das Fluid einen Brechungsindex (n) größer als 1,44 umfasst.
- Material gemäß Anspruch 1, wobei der Quencher chemisch mit dem Polymer verbunden ist.
- Material gemäß Anspruch 6, wobei das Polymer mindestens eine Kohlenstoffeinheit umfasst, die mit dem Quencher verbunden ist.
- Material gemäß Anspruch 7, wobei die mindestens eine Kohlenstoffeinheit mit einem Stickstoffatom des Quenchers verbunden ist.
- Material gemäß Anspruch 1, wobei der Quencher ein Stickstoffatom mit einem ungepaarten Elektron umfasst.
- Material gemäß Anspruch 9, wobei der Quencher mindestens eine Ringstruktur umfasst, die am Stickstoffatom angebracht ist.
- Material gemäß Anspruch 9, wobei der Quencher mindestens vier Atomeinheiten umfasst, die an dem Stickstoffatom des Quenchers angebracht sind.
- Material gemäß Anspruch 9, wobei der Quencher mindestens eine verzweigte Kette umfasst, die am Stickstoffatom des Quenchers angebracht ist.
- Material gemäß Anspruch 1, wobei der Quencher im Wesentlichen hydrophob ist.
- Material gemäß Anspruch 13, wobei der Quencher Fluorid umfasst.
- Material umfassend: ein Polymer, das gegenüber einer Basen-Lösung in Antwort auf eine Reaktion mit Säure löslich wird; eine Vielzahl von Fotosäuregeneratoren (PAG), die zerfallen, um in Antwort auf eine Strahlungsenergie eine Säure zu bilden; und eine Vielzahl von Quenchern die in der Lage sind eine Säure zu neutralisieren und eine verringerte Beweglichkeit aufweisen durch mindestens eines aus: an das Polymer chemisch gebunden zu sein; im Wesentlichen hydrophob zu sein; und physikalisch im Polymer eingeschlossen zu sein.
- Material gemäß Anspruch 15, wobei die Vielzahl von Quenchern eine Konzentration von ungefähr einem Viertel einer Konzentration der Vielzahl von PAGs umfasst.
- Material gemäß Anspruch 15, wobei einer oder mehr aus der Vielzahl der Quencher ein Stickstoffatom mit einem ungepaarten Elektron umfasst.
- Material gemäß Anspruch 17, wobei jeder der Vielzahl der Quencher eine chemische Gruppe umfasst, die an den Stickstoff gebunden ist, wobei die chemische Gruppe ausgewählt ist aus der Gruppe, die aus einer Alkylgruppe, einer Ringstruktur, einer langen Kette, einer verzweigten Gruppe und Kombinationen daraus besteht.
- Material gemäß Anspruch 15, wobei die Vielzahl der Quencher aufgebaut ist, um eine verringerte Beweglichkeit zu zeigen, so dass die Quencher in der Lage sind, bei einer Menge von weniger als ungefähr 5·10–13 Mol/cm2 in ein Immersions-Fluid extrahiert zu werden.
- Material gemäß Anspruch 15, des Weiteren ein Lösemittel im Polymer umfassend.
- Verfahren für Immersions-Lithographie, umfassend: Erstellen einer fotoempfindlichen Schicht auf einem Substrat, wobei die fotoempfindliche Schicht einschließt: ein Polymer, das gegenüber einer Basen-Lösung in Antwort auf eine Reaktion mit Säure löslich wird; eine Vielzahl von Fotosäuregeneratoren (PAGs), die zerfallen, um in Antwort auf eine Strahlungsenergie eine Säure zu bilden; und eine Vielzahl von Quenchern, die in der Lage sind eine Säure zu neutralisieren und eine verringerte Beweglichkeit aufweisen; Aussetzen der fotoempfindlichen Schicht in einem Immersions-Lithographie-System mit einem Immersions-Fluid; Trocknen der fotoempfindlichen Schicht, wobei die fotoempfindliche Schicht in der Lage ist, die Vielzahl von Quenchern mit einer Rate von weniger als 5·10–13 Mol/cm2 in das Immersions-Fluid zu extrahieren; und Entwickeln der ausgesetzten fotoempfindlichen Schicht.
- Verfahren gemäß Anspruch 21, des Weiteren umfassend Ausführen einer Säurebehandlung, so dass nach dem Aussetzen der fotoempfindlichen Schicht ein pH-Wert von Wassertropfen auf der fotoempfindlichen Schicht weniger als 6 beträgt.
- Verfahren gemäß Anspruch 21, wobei das Trocknen der fotoempfindlichen Schicht eingerichtet ist, um eine Beseitigung von Wassertropfen zu erleichtern.
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US72264605P | 2005-09-30 | 2005-09-30 | |
US60/722,646 | 2005-09-30 | ||
US11/271,639 | 2005-11-10 | ||
US11/271,639 US7927779B2 (en) | 2005-06-30 | 2005-11-10 | Water mark defect prevention for immersion lithography |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102006045459A1 true DE102006045459A1 (de) | 2007-04-12 |
DE102006045459B4 DE102006045459B4 (de) | 2022-07-28 |
Family
ID=37882462
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102006045459.6A Active DE102006045459B4 (de) | 2005-09-30 | 2006-09-26 | Material zur Verhinderung von Wasser-Markierungsdefekten und Verfahren für die Immersions-Lithographie |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US7927779B2 (de) |
JP (1) | JP2007102180A (de) |
KR (1) | KR100814488B1 (de) |
DE (1) | DE102006045459B4 (de) |
FR (1) | FR2891630B1 (de) |
IL (1) | IL178318A (de) |
NL (2) | NL1032574C2 (de) |
SG (1) | SG131049A1 (de) |
TW (1) | TWI338195B (de) |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7927779B2 (en) | 2005-06-30 | 2011-04-19 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Companym, Ltd. | Water mark defect prevention for immersion lithography |
US8383322B2 (en) * | 2005-08-05 | 2013-02-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Immersion lithography watermark reduction |
US7993808B2 (en) | 2005-09-30 | 2011-08-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | TARC material for immersion watermark reduction |
US8518628B2 (en) * | 2006-09-22 | 2013-08-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Surface switchable photoresist |
GB0619041D0 (en) * | 2006-09-27 | 2006-11-08 | Imec Inter Uni Micro Electr | Watermark defect reduction by resist optimisation |
US8163468B2 (en) * | 2008-03-10 | 2012-04-24 | Micron Technology, Inc. | Method of reducing photoresist defects during fabrication of a semiconductor device |
US8841058B2 (en) | 2010-08-03 | 2014-09-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Photolithography material for immersion lithography processes |
US9159559B2 (en) | 2013-03-11 | 2015-10-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Lithography layer with quenchers to prevent pattern collapse |
US10095113B2 (en) | 2013-12-06 | 2018-10-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Photoresist and method |
US9581908B2 (en) | 2014-05-16 | 2017-02-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Photoresist and method |
KR20170135896A (ko) | 2015-04-02 | 2017-12-08 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 듀얼 주파수 용량성 결합 플라즈마(ccp)를 사용한 euv 내성이 있는 트렌치 및 홀 패터닝 |
US20170334170A1 (en) * | 2016-03-23 | 2017-11-23 | Atieh Haghdoost | Articles including adhesion enhancing coatings and methods of producing them |
US9793183B1 (en) | 2016-07-29 | 2017-10-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | System and method for measuring and improving overlay using electronic microscopic imaging and digital processing |
US10043650B2 (en) | 2016-09-22 | 2018-08-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method and system for wet chemical bath process |
US10274818B2 (en) | 2016-12-15 | 2019-04-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Lithography patterning with sub-resolution assistant patterns and off-axis illumination |
US10573519B2 (en) | 2017-09-08 | 2020-02-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method for performing a photolithography process |
US11054742B2 (en) | 2018-06-15 | 2021-07-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | EUV metallic resist performance enhancement via additives |
US11069526B2 (en) | 2018-06-27 | 2021-07-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Using a self-assembly layer to facilitate selective formation of an etching stop layer |
US10867805B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-12-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Selective removal of an etching stop layer for improving overlay shift tolerance |
US11289376B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-03-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Methods for forming self-aligned interconnect structures |
US12009400B2 (en) | 2021-02-14 | 2024-06-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Device providing multiple threshold voltages and methods of making the same |
Family Cites Families (78)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5212047A (en) * | 1990-04-10 | 1993-05-18 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Resist material and process for use |
JP3441167B2 (ja) | 1993-06-30 | 2003-08-25 | 株式会社東芝 | 感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
JP3297199B2 (ja) | 1993-09-14 | 2002-07-02 | 株式会社東芝 | レジスト組成物 |
US5683856A (en) | 1994-10-18 | 1997-11-04 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Positive-working photosensitive composition |
US5599650A (en) * | 1995-04-28 | 1997-02-04 | Polaroid Corporation | Photoreaction quenchers in on-press developable lithographic printing plates |
JPH0916244A (ja) | 1995-07-04 | 1997-01-17 | Sanyo Electric Co Ltd | シミュレーション方法および装置 |
JP3345869B2 (ja) | 1995-12-01 | 2002-11-18 | ジェイエスアール株式会社 | 感放射線性組成物 |
TW593331B (en) * | 1997-07-25 | 2004-06-21 | Inspire Pharmaceuticals Inc | Method for large-scale production of di(uridine 5')-tetraphosphate and salts thereof |
JP3743187B2 (ja) | 1998-05-08 | 2006-02-08 | 住友化学株式会社 | フォトレジスト組成物 |
TWI250379B (en) | 1998-08-07 | 2006-03-01 | Az Electronic Materials Japan | Chemical amplified radiation-sensitive composition which contains onium salt and generator |
US6309804B1 (en) | 1998-09-21 | 2001-10-30 | Philips Semiconductor, Inc. | Reducing contamination induced scumming, for semiconductor device, by acid treatment |
FR2790005B1 (fr) * | 1999-02-22 | 2004-01-30 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication de morpholino-nucleotides, et utilisation de ceux-ci pour l'analyse et le marquage de sequences d'acides nucleiques |
JP2001009142A (ja) | 1999-06-28 | 2001-01-16 | Heiwa Corp | 遊技媒体の研磨装置 |
JP4135277B2 (ja) | 1999-10-12 | 2008-08-20 | Jsr株式会社 | 感放射線性樹脂組成物 |
JP4453138B2 (ja) * | 1999-12-22 | 2010-04-21 | 住友化学株式会社 | 化学増幅型ポジ型レジスト組成物 |
JP3821211B2 (ja) | 2000-03-21 | 2006-09-13 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP4783496B2 (ja) * | 2000-11-02 | 2011-09-28 | 株式会社トクヤマ | アミノ酸誘導体の光学異性体の分離方法 |
US6936398B2 (en) | 2001-05-09 | 2005-08-30 | Massachusetts Institute Of Technology | Resist with reduced line edge roughness |
US7192681B2 (en) * | 2001-07-05 | 2007-03-20 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Positive photosensitive composition |
KR20030035823A (ko) * | 2001-08-02 | 2003-05-09 | 스미또모 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 화학 증폭형 포지티브형 레지스트 조성물 |
JP3894001B2 (ja) * | 2001-09-06 | 2007-03-14 | 住友化学株式会社 | 化学増幅型ポジ型レジスト組成物 |
US7461119B2 (en) * | 2001-09-29 | 2008-12-02 | Siebel Systems, Inc. | Method, apparatus, and system for managing status of requests in a client server environment |
JP3827556B2 (ja) | 2001-10-31 | 2006-09-27 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
US7776505B2 (en) * | 2001-11-05 | 2010-08-17 | The University Of North Carolina At Charlotte | High resolution resists for next generation lithographies |
JP3810309B2 (ja) | 2001-12-03 | 2006-08-16 | Necエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
GB0202646D0 (en) * | 2002-02-05 | 2002-03-20 | Optaglio Ltd | Secure hidden data protection optically variable label |
US6849378B2 (en) * | 2002-04-17 | 2005-02-01 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Photosensitive polymers, resist compositions comprising the same, and methods for forming photoresistive patterns |
US6713236B2 (en) * | 2002-07-03 | 2004-03-30 | Infineon Technologies North America Corp. | Lithography method for preventing lithographic exposure of peripheral region of semiconductor wafer |
JP4084235B2 (ja) * | 2002-08-22 | 2008-04-30 | 株式会社神戸製鋼所 | 保護膜積層微細構造体および該構造体を用いた微細構造体の乾燥方法 |
US6788477B2 (en) * | 2002-10-22 | 2004-09-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Apparatus for method for immersion lithography |
JP4525062B2 (ja) | 2002-12-10 | 2010-08-18 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法、露光システム |
US6781670B2 (en) * | 2002-12-30 | 2004-08-24 | Intel Corporation | Immersion lithography |
JP4434762B2 (ja) * | 2003-01-31 | 2010-03-17 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物 |
TWI308993B (en) | 2003-02-25 | 2009-04-21 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | Photoresist composition and method of forming the same |
JP2005101498A (ja) | 2003-03-04 | 2005-04-14 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 液浸露光プロセス用浸漬液および該浸漬液を用いたレジストパターン形成方法 |
WO2004081664A2 (en) * | 2003-03-11 | 2004-09-23 | Arch Specialty Chemicals, Inc. | Novel photosensitive resin compositions |
US7029832B2 (en) | 2003-03-11 | 2006-04-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Immersion lithography methods using carbon dioxide |
JP2005099646A (ja) * | 2003-03-28 | 2005-04-14 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 液浸露光プロセス用レジスト組成物および該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法 |
JP4469561B2 (ja) * | 2003-05-09 | 2010-05-26 | 富士フイルム株式会社 | 感光性組成物 |
TWI347741B (en) * | 2003-05-30 | 2011-08-21 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4346358B2 (ja) * | 2003-06-20 | 2009-10-21 | Necエレクトロニクス株式会社 | 化学増幅型レジスト組成物およびそれを用いた半導体装置の製造方法、パターン形成方法 |
JP4303044B2 (ja) * | 2003-06-23 | 2009-07-29 | Necエレクトロニクス株式会社 | 化学増幅型レジスト組成物および該化学増幅型レジスト組成物を用いた半導体集積回路装置の製造方法 |
US7090963B2 (en) * | 2003-06-25 | 2006-08-15 | International Business Machines Corporation | Process for forming features of 50 nm or less half-pitch with chemically amplified resist imaging |
US7186486B2 (en) | 2003-08-04 | 2007-03-06 | Micronic Laser Systems Ab | Method to pattern a substrate |
US20050029492A1 (en) * | 2003-08-05 | 2005-02-10 | Hoshang Subawalla | Processing of semiconductor substrates with dense fluids comprising acetylenic diols and/or alcohols |
US7700267B2 (en) * | 2003-08-11 | 2010-04-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Immersion fluid for immersion lithography, and method of performing immersion lithography |
JP4265766B2 (ja) | 2003-08-25 | 2009-05-20 | 東京応化工業株式会社 | 液浸露光プロセス用レジスト保護膜形成用材料、該保護膜形成材料からなるレジスト保護膜、および該レジスト保護膜を用いたレジストパターン形成方法 |
US7070915B2 (en) | 2003-08-29 | 2006-07-04 | Tokyo Electron Limited | Method and system for drying a substrate |
JP2005081302A (ja) | 2003-09-10 | 2005-03-31 | Japan Organo Co Ltd | 超臨界流体による電子部品部材類の洗浄方法及び洗浄装置 |
US7169530B2 (en) * | 2003-10-02 | 2007-01-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Polymer compound, resist material and pattern formation method |
JP2005136374A (ja) | 2003-10-06 | 2005-05-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体製造装置及びそれを用いたパターン形成方法 |
US7678527B2 (en) * | 2003-10-16 | 2010-03-16 | Intel Corporation | Methods and compositions for providing photoresist with improved properties for contacting liquids |
TWI286555B (en) * | 2003-10-23 | 2007-09-11 | Shinetsu Chemical Co | Polymers, resist compositions and patterning process |
JP2005128455A (ja) | 2003-10-27 | 2005-05-19 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ホトレジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
JP4609878B2 (ja) | 2003-10-28 | 2011-01-12 | 東京応化工業株式会社 | レジスト上層膜形成材料、およびこれを用いたレジストパターン形成方法 |
JP5301070B2 (ja) | 2004-02-16 | 2013-09-25 | 東京応化工業株式会社 | 液浸露光プロセス用レジスト保護膜形成用材料、および該保護膜を用いたレジストパターン形成方法 |
US20070166639A1 (en) | 2004-02-20 | 2007-07-19 | Takayuki Araki | Laminated resist used for immersion lithography |
TWI371657B (en) | 2004-02-20 | 2012-09-01 | Fujifilm Corp | Positive resist composition for immersion exposure and method of pattern formation with the same |
US20050202351A1 (en) * | 2004-03-09 | 2005-09-15 | Houlihan Francis M. | Process of imaging a deep ultraviolet photoresist with a top coating and materials thereof |
US7473512B2 (en) | 2004-03-09 | 2009-01-06 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Process of imaging a deep ultraviolet photoresist with a top coating and materials thereof |
US7906268B2 (en) | 2004-03-18 | 2011-03-15 | Fujifilm Corporation | Positive resist composition for immersion exposure and pattern-forming method using the same |
JP4220423B2 (ja) * | 2004-03-24 | 2009-02-04 | 株式会社東芝 | レジストパターン形成方法 |
KR100557222B1 (ko) | 2004-04-28 | 2006-03-07 | 동부아남반도체 주식회사 | 이머전 리소그라피 공정의 액체 제거 장치 및 방법 |
ATE450813T1 (de) * | 2004-05-17 | 2009-12-15 | Fujifilm Corp | Verfahren zur erzeugung eines musters |
KR100599081B1 (ko) * | 2004-05-27 | 2006-07-13 | 삼성전자주식회사 | 포토레지스트 조성물 및 이를 사용한 패턴 형성방법 |
JP2006024692A (ja) | 2004-07-07 | 2006-01-26 | Toshiba Corp | レジストパターン形成方法 |
US7463330B2 (en) * | 2004-07-07 | 2008-12-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8003293B2 (en) * | 2004-09-30 | 2011-08-23 | Intel Corporation | Pixelated photoresists |
KR100574993B1 (ko) * | 2004-11-19 | 2006-05-02 | 삼성전자주식회사 | 포토레지스트용 탑 코팅 조성물과 이를 이용한포토레지스트 패턴 형성 방법 |
TWI471699B (zh) | 2005-03-04 | 2015-02-01 | Fujifilm Corp | 正型光阻組成物及使用它之圖案形成方法 |
JP4667273B2 (ja) | 2005-03-04 | 2011-04-06 | 富士フイルム株式会社 | ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
US7927779B2 (en) | 2005-06-30 | 2011-04-19 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Companym, Ltd. | Water mark defect prevention for immersion lithography |
US20070002296A1 (en) | 2005-06-30 | 2007-01-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Immersion lithography defect reduction |
US20070006405A1 (en) * | 2005-07-07 | 2007-01-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Systems and methods for wafer cleaning |
US8383322B2 (en) * | 2005-08-05 | 2013-02-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Immersion lithography watermark reduction |
JP4861781B2 (ja) | 2005-09-13 | 2012-01-25 | 富士フイルム株式会社 | ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
US7993808B2 (en) * | 2005-09-30 | 2011-08-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | TARC material for immersion watermark reduction |
JP5407241B2 (ja) * | 2007-09-28 | 2014-02-05 | 大日本印刷株式会社 | エレクトロルミネッセンス素子 |
-
2005
- 2005-11-10 US US11/271,639 patent/US7927779B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-07-06 JP JP2006186926A patent/JP2007102180A/ja active Pending
- 2006-08-22 KR KR1020060079499A patent/KR100814488B1/ko active IP Right Grant
- 2006-09-04 SG SG200606175-8A patent/SG131049A1/en unknown
- 2006-09-25 TW TW095135424A patent/TWI338195B/zh not_active IP Right Cessation
- 2006-09-26 DE DE102006045459.6A patent/DE102006045459B4/de active Active
- 2006-09-26 NL NL1032574A patent/NL1032574C2/nl active Search and Examination
- 2006-09-26 IL IL178318A patent/IL178318A/en active IP Right Grant
- 2006-10-02 FR FR0608609A patent/FR2891630B1/fr active Active
-
2008
- 2008-03-03 NL NL2001346A patent/NL2001346A1/nl active Search and Examination
-
2011
- 2011-04-05 US US13/079,942 patent/US8415091B2/en active Active
-
2013
- 2013-04-05 US US13/857,453 patent/US8802354B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
NL1032574C2 (nl) | 2008-04-22 |
TW200712779A (en) | 2007-04-01 |
TWI338195B (en) | 2011-03-01 |
DE102006045459B4 (de) | 2022-07-28 |
US8415091B2 (en) | 2013-04-09 |
JP2007102180A (ja) | 2007-04-19 |
FR2891630B1 (fr) | 2011-11-04 |
KR100814488B1 (ko) | 2008-03-18 |
IL178318A (en) | 2013-01-31 |
SG131049A1 (en) | 2007-04-26 |
US20070077516A1 (en) | 2007-04-05 |
NL1032574A1 (nl) | 2007-04-02 |
NL2001346A1 (nl) | 2008-04-22 |
US20130216949A1 (en) | 2013-08-22 |
US8802354B2 (en) | 2014-08-12 |
KR20070037303A (ko) | 2007-04-04 |
US7927779B2 (en) | 2011-04-19 |
IL178318A0 (en) | 2011-08-01 |
FR2891630A1 (fr) | 2007-04-06 |
US20110183273A1 (en) | 2011-07-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE102006045459A1 (de) | Verhinderung von Wasser-Markierungsdefekten für Immersions-Lithographie | |
DE102006046453B4 (de) | Tarc-beschichtungsmaterial und verfahren zur immersions-lithographie | |
DE112007000997B4 (de) | Verfahren zum Verkleinern des minimalen Teilungsmaßes in einer Struktur | |
DE4214363C2 (de) | Strahlungsempfindliches Gemisch zur Ausbildung von Mustern | |
DE102006049920B4 (de) | Verfahren zum Ausbilden eines Halbleiterbauelements und Immersionslithographieverfahren | |
DE10356178A1 (de) | Reinigungslösung für Photoresist und Verfahren zur Formung von Mustern unter Verwendung derselben | |
DE102015116964B4 (de) | Verfahren zur Lithografie-Strukturierung | |
DE19843179A1 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtungund dadurch hergestellte Halbleitervorrichtung | |
EP0394741A2 (de) | Ätzresistentes deep-UV-resist system | |
DE10329867B4 (de) | Lithographieverfahren zum Verhindern einer lithographischen Belichtung des Randgebiets eines Halbleiterwafers | |
DE102007035766A1 (de) | Resiststruktur-Verdickungsmarerial, Verfahren zum Ausbilden einer Resiststruktur, Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen derselben | |
DE10328610A1 (de) | Mikromuster erzeugendes Material, Verfahren zum Erzeugen von Mikromustern und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung | |
DE112014001478T5 (de) | Nassablöseprozess für eine antireflektierende Beschichtungsschicht | |
DE10339717A1 (de) | Mikrostrukturbildender Stoff und Verfahren zum Ausbilden einer feinen Struktur | |
DE60122148T2 (de) | Photoresistzusammensetzung mit einer wasslöslichen fotosäure erzeugenden substanz | |
DE10054121B4 (de) | Verfahren zur Strukturierung einer Photolackschicht | |
DE102020115407A1 (de) | Strukturierungsverfahren einer halbleiterstruktur mit verbesserter haftung | |
DE102019134535A1 (de) | Materialien für unteren antireflexbelag | |
DE19857094A1 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung und dadurch hergestellte Halbleitervorrichtung | |
DE19706495B4 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung unter Verwendung fein getrennter Resistmuster | |
DE10307523A1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Resistmaske für die Strukturierung von Halbleitersubstraten | |
DE10120659B4 (de) | Verfahren zur Strukturierung einer Photolackschicht | |
DE102006060720A1 (de) | Verfahren zur Reduzierung der Rauhigkeit der Oberfläche einer Resistschicht | |
DE102013113175A1 (de) | Struktur mit Mehrlinien-Breite, die mittels Photolithographie erzeugt wird | |
DE10129577A1 (de) | Silylierverfahren für Fotoresists im UV-Bereich |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
R016 | Response to examination communication | ||
R016 | Response to examination communication | ||
R018 | Grant decision by examination section/examining division | ||
R020 | Patent grant now final |