FR2891630A1 - Prevention de defauts de filigrane d'eau en lithographie par immersion. - Google Patents
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Abstract
Il s'agit d'un matériau à résine photosensible ayant un polymère qui devient soluble à une solution basique en réponse à une réaction avec de l'acide. Le matériau comprend un générateur photo-acide (130) (GPA) qui se décompose pour former de l'acide en réponse à de l'énergie de rayonnement et un atténuateur (140) capable de neutraliser l'acide et d'avoir une mobilité réduite. Le matériau photosensible peut ainsi prévenir des défauts de filigrane d'eau en lithographie par immersion.
Description
PRÉVENTION DE DÉFAUTS DE FILIGRANE D'EAU EN
LITHOGRAPHIE PAR IMMERSION
DOMAINE DE L'INVENTION Avec les progrès permanents des technologies de fabrication de semi- conducteurs vers toujours plus petites tailles de dispositifs telles que 65 nanomètres, 45 nanomètres, et moins, les procédés de lithographie par immersion se généralisent. Cependant, les procédés de lithographie par immersion produisent des résidus de gouttes d'eau consécutifs à un procédé d'exposition. De tels résidus de gouttes d'eau peuvent causer des défauts de filigranes d'eau et donc dégrader voire causer des défectuosités lors de la fabrication de semi-conducteurs.
Il convient donc de disposer d'un système de lithographie par immersion amélioré où les détériorations provoquées par des défauts de filigrane d'eau sont prévenues et/ou atténuées.
BRÈVE DESCRIPTION DES FIGURES
Les différents aspects de la présente invention seront mieux compris dans la description détaillée suivante à l'aide des figures d'accompagnement. Il est à souligner que, selon la pratique courante de l'industrie, certaines caractéristiques des figures ne sont pas nécessairement dessinées à l'échelle. Les dimensions de certaines caractéristiques peuvent être arbitrairement agrandies ou réduites pour plus de clarté de la présentation.
La figure 1 est une section d'un exemple de dispositif semi-conducteur (100) ayant 30 une couche photosensible exposée au cours d'un procédé de lithographie par immersion.
Les figures 2 et 3 sont des sections d'un exemple de dispositif de semiconducteur ayant une couche photosensible et un filigrane d'eau formé dessus lors de procédés de lithographie par immersion.
La figure 4 est une vue schématique d'une couche photosensible ayant des atténuateurs chimiquement liés.
Les figures 5a à 5c sont des vues schématiques de divers modes de réalisation d'une couche photosensible ayant un polymère et des atténuateurs chimiquement liés au polymère.
La figure 6 est une vue schématique d'une couche photosensible ayant physiquement capturé des atténuateurs.
Les figures 7a à 7j sont des vues schématiques de divers modes de réalisation d'une couche photosensible ayant des atténuateurs à mobilité réduite.
Les figures 8a à 8b sont des vues schématiques de divers modes de réalisation d'une couche photosensible ayant des atténuateurs hydrophobes.
La figure 9 est un organigramme d'un mode de réalisation d'un procédé d'impression par photolithographie par immersion.
DESCRIPTION DÉTAILLÉE DE L'INVENTION
Il convient de comprendre que la présentation suivante fournit différents modes de réalisation ou exemples pour mettre en oeuvre les caractéristiques des différents modes de réalisation. Les exemples spécifiques de composants et de dispositions sont décrits ci-dessous pour simplifier la présentation de l'invention. En tant que tels, il ne s'agit que d'exemples et n'ont pas pour but d'être limitatifs.
Par exemple, la formation d'une première caractéristique sur une deuxième caractéristique dans la description suivante peut comprendre des modes de réalisation dans lesquels les première et deuxième caractéristiques sont formées en liaison directe, et peut également comprendre des modes de réalisation dans lesquels des caractéristiques supplémentaires peuvent être formées en interposant les première et deuxième caractéristiques de sorte que les première et deuxième caractéristiques n'entrent pas en contact direct. En outre, la présentation de l'invention pourra répéter des références numériques et/ou des lettres dans plusieurs exemples. Cette répétition a été réalisée dans un but de simplicité et de clarté mais n'établit en rien des relations entre les modes de réalisation et/ou les configurations décrites.
La figure 1 est une section d'un dispositif semi-conducteur (100) lors d'un procédé d'exposition par lithographie par immersion. Le dispositif semi-conducteur (100) peut être une plaque semi-conductrice ou tout autre dispositif approprié. Dans le présent mode de réalisation, le dispositif semi-conducteur (100) comprend un substrat de silicium (110) ayant un revêtement inférieur anti-réfléchissant organique, une couche inférieure anti-réfléchissante minérale, une couche organique de résine pour gravure à l'eau forte, une couche organique d'amélioration d'adhérence, diverses zones dopées, des caractéristiques diélectriques, et/ou des interconnexions multi-niveaux. Le substrat peut alternativement comprendre d'autres matériaux semi- conducteurs appropriés, y compris le Ge, le SiGe, ou le GaAs. Le substrat peut alternativement comporter un matériau non semi-conducteur tel qu'une plaque de verre pour des dispositifs d'affichage à cristal liquide TFT (transistor à couche mince). Le dispositif semi-conducteur (100) peut comprendre en outre une ou plusieurs couches de matériaux à imprimer.
Le dispositif semi-conducteur (100) comprend une couche photosensible (120) (photo-résine). Dans le présent mode de réalisation, la couche de photo-résine (120) peut avoir une épaisseur entre 50 à 5000 angstroms environ. Dans un autre mode de réalisation, la couche de photo-résine (120) peut avoir une épaisseur entre 500 et 2000 angstroms environ. La couche de photo-résine (120) utilise un matériau de photo-résine à amplification chimique. La couche de photo-résine (120) comprend un matériau polymère qui devient soluble pour un composant de développement tel qu'une solution basique, lorsque le polymère est amené à réagir avec de l'acide. La couche de photo-résine (120) comprend un matériau polymère qui devient insoluble à un composant de développement tel qu'une solution basique, lorsque le polymère est amené à réagir avec de l'acide. La photorésine (120) comprend en outre un solvant remplissant l'intérieur du polymère. Le solvant peut être partiellement évaporé au cours d'un procédé de cuisson antérieur. La photo-résine (120) comprend également un matériau générateur photo-acide (130) (GPA), dont les molécules sont distribuées à l'intérieur du solvant et/ou du polymère. En absorbant de l'énergie lumineuse, le GPA (130) se décompose et libère une petite quantité d'acide. Le GPA (130) peut avoir une concentration entre environ 1% et 15% de la masse du polymère de photo-résine (120).
En outre du présent mode de réalisation, la photo-résine (120) comprend également un matériau atténuateur (140) qui est réparti à l'intérieur du solvant et du polymère. L'atténuateur (140) est de type basique et est capable de neutraliser de l'acide. En tout ou partie, l'atténuateur peut empêcher l'autre composant actif de la photo-résine (120), tel que le GPA inhibiteur et le photo-acide d'entrer en réaction. L'atténuateur (140) peut avoir une concentration entre 0,5% et 8% en masse de la photo-résine. L'atténuateur (140) peut alternativement avoir une concentration égale à environ un quart de la concentration du GPA (130) en masse avant le procédé d'exposition. Dans un exemple, l'atténuateur (140) comprend un atome d'azote ayant un électron libre capable de neutraliser un acide. Dans une étape de procédé d'exposition pendant une impression par photolithographie par immersion, la couche de photo-résine (120) est exposée à une énergie de rayonnement telle qu'un ultra-violet profond à travers un photo-masque (masque ou réticule) au modèle prédéfini, résultant en un modèle de photo-résine qui comprend plusieurs zones nonexposées telles que les caractéristiques non-exposées (120a) et plusieurs zones exposées telles que les caractéristiques exposées (120b). L'énergie de rayonnement peut comporter un faisceau de 248 nanomètres fourni par des lasers à excimère à Fluorure de Krypton (KrF) ou un faisceau de 193 nanomètres fourni par des lasers à excimère à Fluorure d'Argon (ArF). La lithographie par immersion comprend en outre un fluide d'immersion entre le dispositif semi-conducteur (100) et un objectif d'un système de lithographie utilisé pour mettre en oeuvre l'étape du procédé d'exposition. Le fluide d'immersion peut comprendre de l'eau dé-ionisée. Le fluide peut comprendre en outre des additifs chimiques tels que de l'acide, du sel, ou du polymère. Le fluide peut alternativement comprendre un autre fluide approprié ayant un indice de réfraction supérieur à 1,44 fois l'indice de réfraction de l'eau dé-ionisée. Lors d'un procédé d'exposition, les résidus de gouttes d'eau, tels que l'exemple de gouttes d'eau (150), peuvent subsister sur la couche de photo-résine après le procédé d'exposition.
Dans les anciens procédés d'impression par lithographie par immersion, les résidus de gouttes d'eau peuvent poser des problèmes tels que la formation d'un filigrane d'eau comme indiqué dans des vues en section d'un dispositif semi-conducteur (200) des figures 2 et 3. Une goutte d'eau (130) laissée sur une couche photosensible (120) du dispositif semiconducteur (200) peut constituer un chemin pour le GPA (130) et l'atténuateur (140). L'atténuateur (140) dans la zone de photo-résine nonexposée (120a) peut être diffusé via la goutte d'eau et se répandre jusqu'à la zone de photo-résine exposée (120b), neutralisant de ce fait l'acide photo-généré et/ou réduisant l'efficacité d'exposition dans ces zones exposées. En outre, le GPA exposé est décomposée en un anion GPA et un acide, qui est plus soluble à l'eau que le GPA non exposé. L'acide photo-généré peut se diffuser à travers la goutte d'eau avec pour effet supplémentaire que ces zones de photo-résine exposée (120) ont réduit l'acide photo-généré. Ces zones exposées de la couche de photo-résine (120) peuvent ainsi ne pas avoir suffisamment d'acide photo-généré pour activer une cascade de transformations chimiques (amplification acide) après l'étape du procédé d'exposition, et/ou ne peuvent pas être entièrement solubles pour le développement de la solution à une étape de procédé de développement. Ainsi, une caractéristique inopinée de photorésine en forme de toit en T (T-top: profil de pont ou filigrane) (120c) peut être formée sur les zones exposées de la couche de photo-résine (120) dans laquelle le matériau de photo-résine supérieur de la zone exposée n'est pas soluble dans une solution de développement.
Selon la présente invention, l'atténuateur (140) a une mobilité réduite telle que la diffusion par la goutte d'eau est sensiblement réduite. Dans un exemple, la mobilité de l'atténuateur est réduite de sorte que l'atténuateur soit capable de diffuser à moins de 5x10"13 mole/cm2 vers un fluide d'immersion au cours de la lithographie par immersion.
Selon un mode de réalisation tel qu'illustré en figure 4, l'atténuateur (140) est chimiquement lié au polymère (160) tel que l'atténuateur ait une mobilité réduite. Le polymère (160) devient soluble dans une solution de développement après réaction avec l'acide. Le polymère (160) comprend en outre un polymère à chaîne courte, qui est soluble à la solution de développement. L'atténuateur (140) ne peut pas se diffuser dans la goutte d'eau, ayant pour résultat une portée de mobilité limitée par le biais d'un mouvement en chaînes du polymère (160) et/ou l'atténuateur (140).
Dans la figure 5a, l'atténuateur (140) peut être lié à un groupe de carbone (162) du polymère (160) par un atome d'azote (142) de l'atténuateur. Dans le présent mode de réalisation, l'atome d'azote (142) comprend un électron libre pour neutraliser l'acide ou tout autre composant actif de la photo-résine. L'atténuateur (140) comprend les premier et deuxième groupes de produit chimique (144), (146) tels que les groupes alcoyle liés à l'atome d'azote (142). Un groupe alcoyle peut comprendre du H, CH3, C2H5, CF3, C2F5, du polymère cyclique ou du polymère cyclique avec son extrémité de cycle liée à l'atome d'azote (142) . Les premier et deuxième groupes de produit chimique (144) et (146) peuvent alternativement comprendre d'autres groupes chimiques. Dans d'autres exemples, le polymère (160) peut comprendre deux ensembles de carbone (164) dans la figure 5b, ou trois ensembles de carbone (166) sur la figure 5c; ou davantage d'ensembles de carbone liés à l'azote (142) de l'atténuateur. Une telle structure de carbone a plusieurs ensembles de carbone dans la chaîne et procure une certaine flexibilité à l'atténuateur (140) lié. Le polymère peut alternativement comprendre d'autres groupes atomiques liés à l'atténuateur (140). Dans la figure 6 d'un autre mode de réalisation, l'atténuateur (140) peut être physiquement capturé (en tout ou partie) à l'intérieur du polymère (160). L'atténuateur (140) peut avoir un grand de taille relativement grande comparée à une maille moyenne du réseau du polymère (160) de sorte que l'atténuateur (140) soit physiquement capturé à l'intérieur. L'atténuateur (140) peut alternativement comporter un certain groupe structural pour améliorer l'incorporation physique. Par exemple, l'atténuateur (140) peut comprendre une longue extrémité (une longue chaîne) ou un groupe en ramification tels que l'atténuateur (140) soit physiquement mêlé avec ou capturé par le polymère (160). Selon un autre mode de réalisation, l'atténuateur (140) peut comprendre une structure cyclique, une chaîne, un groupe en ramification, ou toute combinaison de l'un d'eux, pour réduire la mobilité de l'atténuateur.
Les figures 7a à 7j illustrent plusieurs exemples de structures de l'atténuateur. Un atténuateur dans la figure 7a comprend deux groupes alcoyle et une structure cyclique telle qu'un carbone cyclique. Un atténuateur dans la figure 7b comprend un groupe alcoyle et deux structures cycliques. Un atténuateur dans la figure 7c comprend trois structures cycliques. Un atténuateur dans la figure 7d comprend deux groupes alcoyle et une structure cyclique munie d'un atome d'oxygène. Un atténuateur dans la figure 7e comprend deux groupes alcoyle et une seule extrémité telle qu'une chaîne de carbone. Un atténuateur dans la figure 7f comprend deux groupes alcoyle et une seule extrémité munie d'un atome d'oxygène. Un atténuateur dans la figure 7g comprend une structure cyclique munie d'un atome d'oxygène et deux structures de chaîne séparées. Un atténuateur dans la figure 7h comprend deux groupes alcoyle et une structure en ramification ayant deux extrémités courtes. Un atténuateur dans la figure 7i comprend deux groupes alcoyle et une structure en ramification ayant deux extrémités longues. Un atténuateur dans la figure 7j comprend deux groupes alcoyle et une structure en ramification ayant trois extrémités courtes. D'autres combinaisons peuvent être mises en oeuvre pour ajuster la mobilité de l'atténuateur et optimiser la performance.
Dans les figures 8a et 8b d'un autre exemple, l'atténuateur est hydrophobe et donc, difficile à diffuser à travers une goutte d'eau. L'atténuateur peut comprendre au moins un groupe hydrophobe. Par exemple, l'atténuateur comprend du fluorure. L'atténuateur de la figure 8a comprend trois groupes alcoyle dont au moins l'un d'entre eux a du fluorure. L'atténuateur de la figure 8b comprend un groupe alcoyle, un cycle ayant un atome d'oxygène, et une chaîne isolée ayant plusieurs fluorures.
Selon un autre mode de réalisation, les gouttes d'eau laissées sur la couche de photo-résine peuvent être traitées à l'acide juste après le procédé d'exposition. Le traitement à l'acide peut être mis en oeuvre en pulvérisant de l'acide sur la surface de photo-résine (et/ou les gouttes d'eau situées dessus) via un conduit d'admission de produit chimique intégré au système de lithographie par immersion. La valeur de pH des gouttes d'eau traitées peut être ajustée à une valeur inférieure à 6 environ. Ainsi, l'atténuateur a une vitesse de diffusion dans la goutte d'eau limitée. En outre, l'acide photo-généré peut également avoir une vitesse de diffusion dans la goutte d'eau limitée. Le traitement à l'acide peut également être étendu au film de photo-résine et sensiblement compenser la diffusion de photo-acide.
Selon plusieurs modes de réalisation, la mobilité de l'atténuateur de la goutte d'eau sur la couche de photo-résine est sensiblement réduite. L'effet de filigrane est également sensiblement réduit. Plusieurs modes de réalisation peuvent être modifiés ou combinés pour des procédés d'impression de photo-résine optimisés.
Dans la figure 9, un organigramme d'un procédé de lithographie par immersion (900) imprime un modèle de photo-résine comme décrit. Le procédé (900) comprend une étape (902) de formation d'une couche photosensible (photo-résine) sur une plaque semi-conductrice. La couche de photo-résine est sensiblement semblable à la couche de photo-résine (120) de la figure 1, où le matériau de l'atténuateur a une mobilité réduite. L'atténuateur peut avoir des structures semblables à celles illustrées dans les figures 5a à 5c, les figures 7a à 7j, et les figures 8a à 8b, ou toute combinaison de l'une d'elles.
Le procédé (900) comprend en outre une étape (904) pour exposer la couche de photo-résine à une énergie de rayonnement telle que de l'ultra-violet profond à travers un photomasque et un fluide d'immersion. Le fluide d'immersion peut être l'eau dé-ionisée ou tout autre fluide approprié ayant un indice de réfraction élevé et est disposé entre la plaque semiconductrice et l'objectif d'un système de lithographie par immersion pour appliquer le procédé (900). Du fait que l'atténuateur ait une mobilité réduite, l'atténuateur a une diffusion réduite vers les gouttes d'eau laissées sur la couche de photo-résine après l'étape d'exposition (904).
Le procédé (900) procède alors à une étape (906) pour cuire (cuisson de post-exposition) la couche de photo-résine. La température de cuisson peut être entre 80 C et 150 C environ. La cuisson peut durer plusieurs minutes par exemple. L'étape de traitement au four peut comprendre en outre la suppression des gouttes d'eau laissées sur la couche de photo- résine.
Le procédé (900) procède alors à une étape (908) pour développer la couche de photo-résine dans une solution de développement. Les zones de photo-résine exposées sont sensiblement dissoutes.
Le procédé (900) peut inclure en outre une étape entre l'étape d'exposition (904) et l'étape de cuisson (906) pour traiter les gouttes d'eau laissées sur la couche de photo-résine de sorte que les gouttes d'eau aient un pH inférieur à 6. De telles gouttes d'eau traitées à l'acide peuvent également neutraliser la diffusion de l'atténuateur basique vers les gouttes d'eau. Ceci peut réduire l'impact de la diffusion de l'atténuateur vers les zones de photo-résine exposées à travers les gouttes d'eau et réduire également la diffusion de l'acide des zones de photo-résine exposées vers les gouttes d'eau.
Ainsi, la présente invention fournit un matériau photosensible ayant un polymère qui devient soluble à une solution basique en réponse à une réaction avec de l'acide. Le matériau comprend un générateur photo-acide (GPA) qui se décompose pour former de l'acide en réponse à une énergie de rayonnement, et un atténuateur capable de neutraliser l'acide et d'avoir une mobilité réduite.
Dans certains modes de réalisation, l'atténuateur comprend une concentration supérieure à environ 0,5% en masse du polymère. L'atténuateur peut être capable de diffuser à moins de 5x10-13 mole/cm2 vers un fluide d'immersion. Le fluide d'immersion peut comprendre de l'eau. Le fluide d'immersion peut comprendre un fluide approprié ayant un indice de réfraction (n) supérieur à 1,44.
L'atténuateur peut être produit lié au polymère. Le polymère peut comprendre au moins un élément de carbone lié à l'atténuateur. Ce au moins un élément de carbone peut être lié à un atome d'azote de l'atténuateur. L'atténuateur peut comprendre un 2891630 -9- atome d'azote ayant un électron libre. L'atténuateur peut comprendre au moins une structure cyclique liée à l'atome d'azote. L'atténuateur peut comprendre au moins une des chaînes à quatre atomes de carbone liée à l'atome d'azote. L'atténuateur peut comporter au moins quatre éléments d'atomes liés à l'atome d'azote de l'atténuateur. L'atténuateur peut comprendre au moins une chaîne de ramification liée à l'atome d'azote de l'atténuateur. L'atténuateur peut être sensiblement hydrophobe. L'atténuateur peut comprendre du fluorure.
La présente invention fournit également un matériau ayant un polymère qui devient soluble à une solution basique en réponse à une réaction avec de l'acide. Le matériau comprend plusieurs générateurs photo-acide (GPA) qui se décomposent pour former de l'acide en réponse à l'énergie de rayonnement; et plusieurs atténuateurs capables de neutraliser l'acide et ayant une mobilité réduite en étant au moins: chimiquement lié au polymère; sensiblement hydrophobe; et physiquement capturé dans le polymère.
Dans certains modes de réalisation, des atténuateurs comprennent une concentration d'environ un quart d'une concentration de plusieurs GPA. Chacun des atténuateurs peut comprendre un atome d'azote ayant un électron libre. Chacun des atténuateurs peut comprendre un groupe chimique lié à l'atome d'azote, où le groupe chimique est choisi parmi un groupe alcoyle, une structure cyclique, une longue chaîne, un groupe en ramification, ou toute combinaison de l'un d'eux. Les atténuateurs peuvent comprendre une mobilité réduite tels que les atténuateurs soient capables d'une diffusion vers un fluide d'immersion, inférieure à 5x1013 mole/cm2. Le matériau peut en outre comprendre un solvant dans le polymère.
La présente invention fournit également un procédé pour la lithographie par immersion. Le procédé comprend la formation d'une couche photosensible sur un substrat, la couche photosensible comprenant: un polymère qui devient soluble à une solution basique en réponse à une réaction avec de l'acide; des générateurs photo-acide (GPA) qui se décomposent pour former de l'acide en réponse à de l'énergie de rayonnement; et plusieurs atténuateurs capables de neutraliser l'acide et d'avoir une mobilité réduite. Le procédé comprend: l'exposition d'une couche photosensible en utilisant un système de lentille d'immersion; la cuisson de la couche photosensible, la couche photosensible diffuser les atténuateurs à moins de 2891630 -10- 5x10-13 mole/cm2 à travers un fluide d'immersion; et le développement de la couche photosensible. Le procédé peut comprendre en outre un traitement acide tel que le pH des gouttes d'eau sur la couche photosensible soit inférieur à 6 après l'exposition de la couche photosensible. Lors du procédé, le traitement au four d'une couche photosensible peut comprendre la suppression de gouttes d'eau.
La description qui précède a présenté les caractéristiques de plusieurs modes de réalisation de sorte que l'homme de l'art pourra mieux comprendre la description détaillée qui s'ensuit. L'homme de l'art devra apprécier qu'il puisse aisément utiliser la présente invention comme base pour concevoir ou modifier d'autres procédés et structures pour atteindre les mêmes buts et/ou exploiter les mêmes avantages des modes de réalisation présentés ici. L'homme de l'art comprendra également que des dispositifs équivalents ne se départissent en rien de l'esprit ni de la portée de la présente invention et qu'elles peuvent faire l'objet de divers changements, remplacements ou modifications sans altérer l'esprit ni la portée de la présente invention.
Claims (14)
1) Matériau pour usage en lithographie par immersion, comprenant: un polymère (160) qui devient soluble à une solution basique en réponse à une réaction avec de l'acide; un générateur photo-acide (130) (GPA) qui se décompose pour former un acide en réponse à une énergie de rayonnement; et un atténuateur (140) capable de neutraliser de l'acide et d'avoir une mobilité réduite, où la concentration de l'atténuateur (140) est supérieure à 0,5% environ en masse du polymère (160).
2) Le matériau selon la revendication 1, où l'atténuateur (140) est chimiquement lié au polymère (160).
3) Le matériau selon la revendication 2, où l'atténuateur (140) est lié à au moins un groupe de carbone (162) du polymère (160) par un atome d'azote de l'atténuateur (140).
4) Le matériau selon la revendication 1, où l'atténuateur (140) comporte un atome d'azote ayant un électron libre.
5) Le matériau selon la revendication 4, où l'atténuateur (140) comporte au moins 25 une structure cyclique liée à l'atome d'azote.
6) Le matériau selon la revendication 4, où l'atténuateur (140) comporte au moins quatre ensembles d'atome attachés à l'atome d'azote de l'atténuateur (140).
7) Le matériau selon la revendication 4, où l'atténuateur (140) comporte au moins une chaîne en ramification liée à l'atome d'azote de l'atténuateur (140).
8) Le matériau selon la revendication 1, où l'atténuateur (140) est sensiblement hydrophobe.
9) Le matériau selon la revendication 8, où l'atténuateur (140) comprend du fluorure.
2891630 -12-
10)Matériau comprenant: un polymère (160) qui devient soluble à une solution basique en réponse à une réaction avec de l'acide; plusieurs générateurs photo-acide (130) qui se décomposent pour former de l'acide en réponse à une énergie de rayonnement; et plusieurs atténuateurs (140) capables de neutraliser l'acide, et d'avoir une mobilité réduite en étant au moins: chimiquement lié au polymère (160) ; essentiellement hydrophobe; et physiquement capturé dans le polymère (160) , où plusieurs atténuateurs (140) comportent une concentration d'environ un quart de la concentration desdits plusieurs générateurs photo-acide (130).
11)Le matériau selon la revendication 10, où un ou plusieurs desdits plusieurs atténuateurs (140) comprend un atome d'azote ayant un électron libre.
12)Le matériau selon la revendication 11, où chacun desdits plusieurs atténuateurs (140) comprend un groupe chimique lié à l'azote, où le groupe chimique est choisi parmi: un groupe alcoyle, une structure cyclique, une longue chaîne, un groupe à ramification, ou toute combinaison parmi d'eux.
13)Procédé pour la lithographie par immersion, comprenant les étapes suivantes: formation d'une couche photosensible (120) sur un substrat (110), la couche photosensible (120) comprenant: un polymère (160) qui devient soluble à une solution basique en réponse à une réaction avec de l'acide; plusieurs générateurs photo-acide (130) qui se décomposent pour former de l'acide en réponse à l'énergie de rayonnement; et plusieurs atténuateurs (140) capables de neutraliser de l'acide et d'avoir une mobilité réduite; exposition de la couche photosensible (120) dans un système de lithographie par immersion avec un fluide d'immersion; cuisson de la couche photosensible (120), la couche photosensible (120) pouvant diffuser lesdits plusieurs atténuateurs (140) à une vitesse inférieure à 5x10"13 mole/cm2 environ à travers le fluide d'immersion; et 2891630 -13développement de la couche photosensible (120) exposée.
14)Le procédé selon la revendication 13, comprenant en outre l'étape de traitement d'un acide tel que le pH de gouttes d'eau sur la couche photosensible (120) soit 5 inférieur à 6 après exposition de la couche photosensible.
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