NL2002950C2 - Water merk defect verhindering voor immersielithografie. - Google Patents

Description

MBX P78892NL20

Titel: Water merk defect verhindering voor immer sielithografie

Achtergrond

Aangezien halfgeleiderfabricagetechnologieën continue voortschrijden naar kleinere objectafmetingen zoals 65 nanometer, 45 nanometer en minder, worden immersielithografieprocessen.

5 Immersielithografieprocessen veroorzaken echter een residu van waterdruppels na een belichtingsproces. Dergelijk waterdruppelresidu kan watermerkdefecten veroorzaken en daarmee halfgeleiderfabricage degraderen of zelfs fouten veroorzaken tijdens halfgeleiderfabricage.

Een verbeterd immersielithografiesysteem is nodig waarbij de 10 schade die is veroorzaakt door watermerkdefecten is verhinderd en/of gereduceerd.

Korte beschrijving van de figuren

Aspecten van de huidige uiteenzetting worden het best begrepen aan de hand van de volgende gedetailleerde beschrijving gelezen met de 15 bijgevoegde figuren. Opgemerkt wordt dat, in overeenstemming met standaardgebruik in de industrie, verscheidene delen niet op schaal zijn getekend. De afmetingen van de verschillende delen kunnen na wens zijn vergroot of gereduceerd voor de duidelijkheid van de beschrijving.

Fig. 1 toont een dwarsdoorsnede van een voorbeeld van een 20 halfgeleiderinrichting 100 met een fotogevoelige laag die wordt belicht tijdens en immersielithografieproces.

Fig. 2 en 3 tonen dwarsdoorsneden van een voorbeeld van een halfgeleiderinrichting met fotogevoelige laag en daarop tijdens immersielithografieprocessen gevormd watermerk.

25 Fig. 4 toont een schematisch aanzicht van een fotogevoelige laag met chemisch gebonden quenchers.

2

Fig. 5a-5c tonen schematische aanzichten van verscheidene uitvoeringsvormen van een fotogevoelige laag met een polymeer en chemische aan het polymeer gebonden quenchers.

Fig. 6 toont een schematisch aanzicht van een fotogevoelige laag 5 met fysiek gevangen quenchers.

Fig. 7a-7j tonen schematische aanzichten van verscheidene uitvoeringsvormen van een fotogevoelige laag met quenchers met gereduceerde mobiliteit.

Fig. 8a-8b tonen schematische aanzichten van verscheidene 10 uitvoeringsvormen van een fotogevoelige laag met hydrofobe quenchers.

Fig. 9 is een stroomdiagram van een uitvoeringsvorm van een werkwijze voor immersiefotolithografie patroonvervaardiging

Gedetailleerde beschrijving

Het zal duidelijk zijn dat de hierna volgende openbaring vele 15 verschillende uitvoeringsvormen, of voorbeelden, verschaffen voor het implementeren van verschillende maatregelen van verscheidene uitvoeringsvormen. Specifieke voorbeeld van componenten en inrichtingen worden hieronder beschreven om de huidige uiteenzetting te vereenvoudigen. Deze zijn, uiteraard, uitsluitend voorbeelden en zijn niet 20 bedoeld om beperkend te zijn. Bijvoorbeeld het vormen van een eerste structuur boven of op een tweede structuur in de volgende beschrijving kan uitvoeringsvormen omvatten waarin de eerste en tweede structuur in direct contact worden gevormd en kan tevens uitvoeringsvormen omvatten waarin additionele structuren kunnen zijn gevormd tussen de eerste en tweede 25 structuren, zodat de eerste en tweede structuren niet in direct contact zijn. Additioneel kan de huidige uiteenzetting verwijzingscijfers en/of letters herhalen in de verscheidene voorbeelden. Deze herhaling dient voor de eenvoud en duidelijkheid en geeft op zichzelf geen relatie tussen de verscheidene uitvoeringsvormen en/of configuraties weer.

3

Fig. 1 verschaft een dwarsdoorsnede van een halfgeleiderinrichting 100 tijdens immersielithografie belichtingsproces. De halfgeleiderinrichting 100 kan een halfgeleiderwever of andere geschikte inrichting zijn. In de huidige uitvoeringsvorm omvat de halfgeleiderinrichting 100 een 5 siliciumsubstraat 110 met organische bodemantireflectiecoating (BAEtC), anorganische bodemantireflectielaag, etsresistentie organische laag, adhesie verbeterende organische laag, verscheidene gedoteerde gebieden, diëlektrische structuren, en multiniveauverbindingen. Het substraat kan als alternatief andere geschikte halfgeleidermaterialen omvatten, 10 waaronder Ge, SiGe of GaAs. Het substraat kan alternatief een niet-halfgeleidermateriaal omvatten zoals een glasplaat voor dunne film transistor vloeibaar kristalbeeldscherminrichtingen (TFT-LCD). De halfgeleiderinrichting 100 kan voorts één of meer materiaallagen omvatten waarin patronen moeten worden aangebracht.

15 De halfgeleiderinrichtinglOO omvat een fotogevoelige laag (fotoresist of resist) 120. In de huidige uitvoeringsvorm heeft de resistlaag 120 een dikte tussen ongeveer 50 Angstroms en 5000 Angstroms.

In een andere uitvoeringsvorm kan de resistlaag 120 een dikte hebben tussen ongeveer 500 Angstroms en 2000 Angstroms. De resistlaag 20 120 gebruikt een chemische versterking (CA) resistmateriaal. De resistlaag 120 omvat een polymeermateriaal dat oplosbaar wordt in een ontwikkelaar zoals een basische oplossing wanneer het polymeer reageert met zuur. Het resist 120 omvat voorts een oplosmiddelvulling in het polymeer. Het oplosmiddel kan gedeeltelijk verdampt zijn ten gevolge van een eerder 25 bakproces. Het resist 120 omvat ook een fotozuurgenerator (PAG) 130 materiaal, met PAG-moleculen verdeelt in het oplosmiddel en/of polymeer. Wanneer het foto-energie absorbeert, valt het PAG 130 uiteen en vormt een kleine hoeveelheid zuur. Het PAG 130 kan een concentratie hebben tussen ongeveer 1 en 15 gewichtsprocent van het resistpolymeer 120.

4

Verder in de huidige uitvoeringsvorm omvat het resist 120 tevens een quenchermateriaal 140 dat verdeelt in het oplosmiddel en polymeer. De quencher 140 is een basisch type en is in staat om zuur te neutraliseren. Collectief of alternatief kan de quencher andere actieve componenten van 5 het resist 120 remmen, zoals het verhinderen dat PAG en fotozuur reageren. De quencher 140 kan een concentratie hebben tussen 0,5 en 8 gewichtsprocent van het resist. De quencher 140 kan alternatief een concentratie hebben van ongeveer '/ van de concentratie van het PAG 130 bij gewicht voor het beliehtingsproces. In een voorbeeld omvat de quencher 10 140 een stikstofatoom met een ongepaard elektron dat in staat is een zuur te neutraliseren. In een belichtingsprocesstap tijdens een immersiefotolithografisch patroonvorming, wordt de resistlaag 120 blootgesteld aan een stralingsenergie zoals diep ultraviolet (DUV) door een fotomasker (masker of reticle) met een vooraf bepaald patroon, resulterend 15 in een resistpatroon dat een veelvoud van onbelichte gebieden omvat zoals onbelichte structuren 120 a en een veelvoud van belichte gebieden zoals belichte structuren 120b. De stralingsenergie kan een 248 nanometerbundel van Krypton Fluoride (KrF) excimeerlasers of een 193 nanometerbundel van Argon Fluoride (ArF) excimeerlasers omvatten. De immersielithografie 20 omvat voorts een immersiefluïdum tussen de halfgeleiderinrichting 100 en een lens van een lithografiesysteem dat wordt gebruikt om de belichtingsprocesstap uit te voeren. Het immersiefluïdum kan gede-ioniseerd water (Dl water of DIW) omvatten. Het fluïdum kan voorts chemische additieven omvatten zoals zuur, zout of polymeer. Het fluïdum 25 kan alternatief andere geschikte fluïda omvatten met een brekingsindex hoger dan 1,44, de brekingsindex van DIW. Tijdens een belichtingsproces, kan het waterdruppelresidu, zoals een voorbeeldwaterdruppel 150, achtergelaten worden op de resistlaag na het belichtingsproces.

In voorgaande immersielithografiepatroonvormingsprocessen kan 30 het waterdruppelresidu problemen veroorzaken zoals het vormen van een 5 watermerk zoals geïllustreerd in dwarsdoorsneden van een halfgeleiderinrichting 200 van Fig. 2 en 3. Een waterdruppel 130 die is achtergebleven op een fotogevoelige laag 120 van de halfgeleiderinrichting 200 kan een pad verschaffen voor PAG 130 en quencher 140. De quencher 5 140 kan in onbelicht resistgebied 120a in de waterdruppel diffunderen en verder diffunderen in het belichte resistgebied 120, waarbij het fotogegenereerde zuur wordt geneutraliseerd en/of belichtingsefficiency in de belichte gebieden wordt gereduceerd. Voorts valt het belichte PAG uiteen als PAG anion en zuur, welke meer oplosbaar is in water dan onbelicht 10 PAG. Het fotogegenereerde zuur kan in de waterdruppel diffunderen met additionele effecten zodat de belichte gebieden van het resist 120 gereduceerd fotogegenereerd zuur hebben. Deze belichte gebieden van de resistlaag 120 kunnen dus onvoldoende fotogegenereerd zuur hebben om een cascade van chemische transformatie (zuurversterking) te induceren na 15 de belichtingsprocesstap, en/of kunnen niet volledig oplosbaar zijn in ontwikkeloplossing bij een ontwikkelprocesstap. Aldus kan een onverwacht T-top resiststructuur (brugprofiel of watermerk) 120c worden gevormd op de belichte gebieden van de resistlaag 120 waarin het topresistmateriaal van het belichte gebied niet oplosbaar is een ontwikkeloplossing.

20 Volgens de huidige uiteenzetting heeft de quencher 140 gereduceerde mobiliteit zodat de diffusie door de waterdruppel in hoofdzaak wordt gereduceerd. In één voorbeeld is de mobiliteit van de quencher gereduceerd zodanig dat de quencher in staat is te worden uitgeloogd tot minder dan ongeveer 1013 mol per cm2 in een immersiefluïdum tijdens 25 immersielithografie.

In een uitvoeringsvorm van de uitvinding zoals getoond in Fig. 4, is de quencher 140 chemische gebonden aan een polymeer 160 zodat de quencher een gereduceerde mobiliteit heeft. Het polymeer 160 wordt oplosbaar in een ontwikkeloplossing na reactie met een zuur. Het polymeer 30 160 omvat voorts een korte ketenpolymeer, welke oplosbaar is in 6 ontwikkeloplossing. De quencher 140 is niet in staat om in de waterdruppel te diffunderen, hetgeen resulteert in een beperkt bereik van mobiliteit door een kettingbewegingen van het polymeer 160 en/of quencher 140.

Onder verwijzing naar Fig. 5a, kan de quencher 140 gebonden zijn 5 aan een koolstofeenheid 162 van het polymeer 160 door een stikstofatoom 142 van de quencher. In de huidige uitvoeringsvorm omvat het stikstofatoom 142 een ongepaard elektron om zuur of andere actieve componenten van het resist te neutraliseren. De quencher 140 omvat eerste en tweede chemische groepen 144, 146 zoals aan het stikstofatoom 142 10 gebonden alkylgroepen. Een alkylgroep kan H, CH3, C2H5, CF3, C2F5, ringtype polymeer of ringtype polymeer met het einde van de ring gebonden aan stikstofatoom 142 omvatten. De eerste en tweede chemische groepen 144 en 146 kunnen als alternatief andere chemische groepen omvatten. In andere voorbeelden kan het polymeer 160 twee koolstofeenheden 164 in Fig. 15 5b omvatten, of 3 koolstofeenheden 166 in Fig. 5c, of zelfs meer koolstofeenheden gebonden aan het stikstof 142 van de quencher. Dergelijke koolstofstructuur heeft meerdere koolstofeenheden in een keten en verschaft een zekere flexibiliteit aan de gebonden quencher 140. Het polymeer als alternatief andere atomaire eenheden omvatten gebonden aan de quencher 20 140.

Onder verwijzing naar Fig. 6, kan in een andere uitvoeringsvorm de quencher 140 fysiek zijn gevangen (volledig of ten delen) in het polymeer 160. De quencher 140 kan een afmeting hebben die in hoofdzaak groot is ten opzichte van een gemiddelde roosterafmeting van het netwerk van het 25 polymeer 160 zodat de quencher 140 fysiek binnenin is gevangen. De quencher 140 kan alternatief een zekere structurele groep hebben om fysieke verstrengeling te verbeteren. De quencher 140 kan bijvoorbeeld een lange staart (een lange keten) of een vertakte keten omvatten zodat de quencher 140 fysiek verstrengeld met of gevangen door het polymeer 160 30 kan zijn. In een andere uitvoeringsvorm kan de quencher 140 een 7 ringstructuur omvatten, een lange keten, een vertakte groep of combinaties daarvan om de quenchermobiliteit te reduceren.

Fig. 7a-7j tonen verscheidene voorbeeldstructuren van de quencher. In quencher in Fig. 7a omvat twee alkylgroepen en een 5 ringstructuur zoals een koolstofring. Een quencher in Fig. 7d omvat één alkylgroep en twee ringstructuren. Een quencher in Fig. 7b omvat drie ringstructuren. Een quencher in Fig. 7c omvat twee alkylgroepen en één ringstructuur met een zuurstofatoom. Een quencher in Fig. 7e omvat twee alkylgroepen en een lange staart zoals een koolstofketen. Een quencher in 10 Fig. 7f omvat twee alkylgroepen en een lange staart met een zuurstofatoom. Een quencher in Fig. 7g omvat één ringstructuur met een zuurstof en twee lange ketenstructuren. Een quencher in Fig. 7h omvat twee alkylgroepen en één vertakte structuur met twee korte staarten. Een quencher in Fig. 7i omvat twee alkylgroepen en één vertakte structuur met twee lange 15 staarten. Een quencher in Fig. 7j omvat twee alkylgroepen en één vertakte structuur met drie korte staarten. Andere combinaties kunnen worden geïmplementeerd om de mobiliteit van de quencher aan te passen voor optimale performance.

Onder verwijzing naar Fig. 8a en 8b is in een ander voorbeeld de 20 quencher hydrofoob en diffundeert daarom moeilijk naar een waterdruppel. De quencher kan ten minste één hydrofobe groep omvatten. De quencher omvat bijvoorbeeld een fluoride. De quencher in Fig. 8a omvat drie alkylgroepen en ten minste één daarvan heeft een fluoride. De quencher in Fig. 8b omvat een alkylgroep, één ring met een zuurstof, en een lange keten 25 met meerdere fluoride.

In een andere uitvoeringsvorm kunnen op de resistlaag achtergebleven waterdruppels met zuur worden behandeld direct na het belichtingsproces. De zuurbehandeling kan worden geïmplementeerd door zuur op het resistoppervlak (en/of de waterdruppels daarop) te sproeien 30 door een chemische inlaat die in het immersielithografiesysteem is 8 geïntegreerd. De pH-waarde van de behandelde waterdruppels kan worden aangepast tot een waarde onder ongeveer 6. Aldus heeft de quencher een gereduceerde diffusiesnelheid in de waterdruppel. Voorts kan fotogegenereerd zuur eveneens een gereduceerde diffusiesnelheid in de 5 waterdruppel hebben. De zuurbehandeling kan ook in de resistfilm diffunderen en in hoofdzaak het uitlogen van het fotozuur compenseren.

In verscheidene uitvoeringsvormen is de mobiliteit van de quencher naar de waterdruppel op de resistlaag in hoofdzaak gereduceerd. Het watermerkeffect is eveneens in hoofdzaak gereduceerd. Verscheidene 10 uitvoeringsvorm kunnen worden aangepast of gecombineerd voor een geoptimaliseerd resistpatroonvormingsproces.

Onder verwijzing naar Fig. 9 een stroomdiagram van een immersielithografie werkwijze 900 vormt een resistpatroon zoals beschreven. De werkwijze 900 omvat een stap 902 voor het vormen van een fotogevoelige 15 (resist)laag op een halfgeleiderwever. De resistlaag is in hoofdzaak gelijk aan de resistlaag 120 van Fig. 1, waarin het quenchermateriaal een gereduceerde mobiliteit heeft. De quencher kan structuren hebben soortgelijk aan die getoond in Fig. 5a-5c, Fig. 7a-7j en Fig. 8a-8b, of combinaties daarvan.

20 De werkwijze 900 omvat voorts een stap 904 voor het belichten van de resistlaag met een stralingsenergie zoals DUV door een fotomasker en een immersiefluïdum. Het immersiefluïdum kan DIW zijn of andere geschikte fluïda met een hoge brekingsindex en is tussen de halfgeleiderwever en lens van een immersielithografiesysteem geplaatst 25 voor het implementeren van de werkwijze 900. Aangezien de quencher een gereduceerde mobiliteit heeft heeft de quencher een gereduceerde uitloging in waterdruppels die zijn achtergebleven op de resistlaag na de belichtingsstap 904.

De werkwijze 900 gaat dan verder naar een stap 906 voor het 30 bakken (bakken na belichting of PEB) van de resistlaag. De 9 baktemperatuur kan liggen tussen ongeveer 80°C en 150°C. Het bakken kan een tijdsduur hebben van bijvoorbeeld enkele minuten. De bakstap kan voorts het verwijderen van op de resistlaag achtergebleven waterdruppels omvatten. De werkwijze 900 gaat dan verder naar een stap 908 voor het 5 ontwikkelen van de resistlaag in een ontwikkeloplossing. De belichte resistgebieden worden in hoofdzaak opgelost.

De werkwijze 900 kan voorts een stap tussen de belichtingsstap en de bakstap 906 omvatten voor het behandelen van de op de resistlaag achtergebleven waterdruppels zodat de waterdruppels een pH-waarde onder 10 6 hebben. Dergelijke zuurbehandelde waterdruppels kunnen tevens de diffusie van de basische quencher naar de waterdruppel neutraliseren. Dit kan de invloed van de diffusie van de quencher naar de belichte resistgebieden door de waterdruppels reduceren en kan tevens de diffusie van het zuur van de belichte resistgebieden in de waterdruppels reduceren. 15 Aldus verschaft de huidige uiteenzetting een fotoresistmateriaal met een polymeer dat oplosbaar wordt in een basische oplossing in response op reactie met zuur. Het materiaal omvat een fotozuurgenerator (PAG) dat uiteen valt om zuur te vormen in response op stralingsenergie en een quencher die in staat is om zuur te neutraliseren en een gereduceerde 20 mobiliteit heeft.

In sommige uitvoeringsvormen omvat de quencher een concentratie van meer dan ongeveer een half gewichtsprocent van het polymeer. De quencher kan in staat zijn om te worden uitgeloogd tot een hoeveelheid van minder dan ongeveer 5x 10 13 mol/cm2 in een immersiefluïdum. Het 25 immersiefluïdum kan water omvatten. Het immersiefluïdum kan een geschikt fluïdum omvatten met een brekingsindex (n) groter dan 1,44. De quencher kan chemisch aan het polymeer gebonden zijn. Het polymeer kan ten minste één koolstofeenheid omvatten die is gebonden aan de quencher. De ten minste ene koolstofeenheid kan gebonden zijn aan een stikstofatoom 30 van de quencher. De quencher kan een stikstofatoom omvatten met een 10 ongepaard elektron. De quencher kan ten minste één met het stikstofatoom verbonden ringstructuur omvatten. De quencher kan ten minste één met het stikstofatoom verbonden vier-koolstofketen omvatten. De quencher kan ten minste vier met het stikstofatoom van de quencher verbonden 5 atoomeenheden omvatten. De quencher kan ten minste één met het stikstofatoom van de quencher verbonden takketen omvatten. De quencher kan in hoofdzaak hydrofoob zijn. De quencher kan fluoride omvatten.

De huidige uiteenzetting verschaft tevens een materiaal met een polymeer dat oplosbaar wordt in een basische oplossing in response op 10 reactie met zuur. Het materiaal omvat een veelvoud van fotozuurgeneratoren (PAGs) die uiteenvallen om zuur te vormen in response op stralingsenergie; en een veelvoud van quenchers die in staat zijn zuur te neutraliseren en een gereduceerde mobiliteit hebben door tenminste: - chemisch te zijn gebonden aan het polymeer; 15 - in hoofdzaak hydrofoob te zijn; en/of - fysiek te zijn gevangen in het polymeer.

In sommige uitvoeringsvormen omvat het veelvoud van quenchers een concentratie van ongeveer M van een concentratie van het veelvoud van PAGs. Elk van het veelvoud van quenchers kan een stikstofatoom omvatten 20 met een ongepaard elektron. Elk van het veelvoud van quenchers kan een aan het stikstof verbonden chemische groep omvatten, waarbij de chemische groep is geselecteerd uit de groep die bestaat uit één alkylgroep, een ringstructuur, een lange keten, een vertakte groep, en combinaties daarvan. Het veelvoud van quenchers kan een gereduceerde mobiliteit omvatten 25 zodanig dat het veelvoud van quenchers in staat is te worden uitgeloogd minder dan ongeveerd 5x10 13 mol per cm2 in een immersiefluïdum. Het materiaal kan voorts een oplosmiddel in het polymeer omvatten.

De huidige uiteenzetting verschaft tevens een werkwijze voor immersielithografie. De werkwijze omvat het vormen van een fotogevoelige 30 laag op een substraat, waarbij de fotogevoelige laag omvat; een polymeer 11 dat oplosbaar wordt in een basische oplossing in response op reactie met zuur; een veelvoud van fotozuurgeneratoren (PAGs) die uiteenvallen om zuur te vormen in response stralingsenergie; en een veelvoud van quenchers die in staat zijn om zuur te neutraliseren en een gereduceerde mobiliteit 5 hebben. De werkwijze omvat het belichten van de fotogevoelige laag gebruikmakend van een immersielensssysteem; het bakken van de fotogevoelige laag waarbij de fotogevoelige laag in staat is om het veelvoud van quenchers uit te logen minder dan ongeveer 5xl013 mol per cm2 in een immersiefluïdum; en het ontwikkelen van de fotogevoelige laag. De 10 werkwijze kan voorts een zuurbehandeling omvatten zodanig dat pH-waarde van waterdruppels op de fotogevoelige laag lager dan 6 is na het belichten van de fotogevoelige laag. Bij de werkwijze kan het bakken van de fotogevoelige het verwijderen van waterdruppel omvatten.

Het voorgaande heeft maatregelen van verscheidene 15 uitvoeringsvormen uiteengezet zodat een vakman de gedetailleerde beschrijving beter kan begrijpen. De vakman zal begrijpen dan de huidige uiteenzetting kan worden gebruikte als een basis voor het ontwerpen of aanpassen van andere processen en structuren voor het uitvoeren van dezelfde doelen en/of het bereiken van dezelfde voordelen van de hierin 20 geïntroduceerde uitvoeringsvormen.

Claims (14)

1. Materiaal voor gebruik in immersielithografie, omvattende: een polymeer dat oplosbaar wordt in een basische oplossing in respons op reactie met zuur; een fotozuurgenerator (PAG) die uiteenvalt om een zuur te vormen 5 in respons op een stralingsenergie; en een quencher die in staat is om zuur te neutraliseren en chemisch is gebonden aan het polymeer waarbij de quencher in staat is om te worden uitgeloogd tot een hoeveelheid van minder dan 5xl013 mol/cm2 in een fluïdum gebruikt in de immersielithografie. 10

2. Materiaal volgens conclusie 1, waarbij het polymeer ten minste een koolstofeenheid omvat die gebonden is aan de quencher.

3. Materiaal volgens conclusie 1, waarbij de quencher een 15 concentratie van meer dan 0,5 gewichtsprocent van het polymeer omvat.

4. Materiaal volgens conclusie 1, waarbij de quencher een concentratie van een vierde van de concentratie van de fotozuurgenerator omvat. 20

5. Materiaal volgens conclusie 1, waarbij de quencher een stikstofatoom omvat dat is gebonden aan het polymeer.

6. Materiaal volgens conclusie 2 en 5, waarbij de ten minste ene 25 koolstofeenheid van het polymeer is gebonden aan het stikstofatoom van de quencher.

7. Materiaal volgens conclusie 1, waarbij de quencher een stikstofatoom omvat dat in staat is om zuur te neutraliseren.

8. Materiaal volgens conclusie 7, waarbij de quencher een aan het 5 stikstofatoom gerbonden chemische groep omvat, waarbij de chemische groep een alkyl-groep, een ringstructuur, een lange keten, een vertakte groep, en combinaties daarvan is.

9. Materiaal volgens conclusie 1, voorts omvattende een oplosmiddel. 10

10. Materiaal volgens conclusie 1, waarbij het fluïdum water omvat.

11. Materiaal volgens conclusie 1, waarbij het fluïdum een brekingsindex (n) van hoger dan 1.44 omvat. 15

12. Werkwijze voor immersielithografie, omvattende: het vormen van een fotogevoelige laag op een substraat, waarbij de fotogevoelige laag omvat: een polymeer dat oplosbaar wordt in een basische oplossing in 20 respons op reactie met zuur; een fotozuurgenerator (PAG) die uiteenvalt om zuur te vormen in respons op een stralingsenergie; en een quencher die in staat is om zuur te neutraliseren en chemisch is gebonden aan het polymeer; 25 het belichten van de fotogevoelige laag in een immersie- lithografiesysteem met een immersiefluïdum; het bakken van de fotogevoelige laag, waarbij de fotogevoelige laag in staat is om de quencher uit te logen te met een snelheid van minder dan 5x10 13 mol/cm2 in het immersiefluïdum; en 30 het ontwikkelen van de belichte fotogevoelige laag.

13. Werkwijze volgens conclusie 12, voorts omvattende het uitvoeren van een zuurbehandeling zodanig dat een pH-waarde van waterdruppels op de fotogevoelige laag lager is dan 6 na het belichten van de fotogevoelige 5 laag.

14. Werkwijze volgens conclusie 12, waarbij het bakken van de fotogevoelige laag is geconfigureerd om het verwijderen van waterdruppels te vereenvoudigen.