NL1032579C2 - Nieuw TARC materiaal voor immersiewatermerkreductie. - Google Patents

Description

Titel: Nieuw TARC materiaal voor immersiewatermerkreductie

Achtergrond

Aangezien halfgeleiderfabricage technologieën continue voortschrijden naar kleinere structuurafmetingen zoals 65 nanometer, 45 nanometer en daaronder, worden immersielithografieprocessen toegepast.

5 Immersielithografieprocessen echter veroorzaken waterdruppelresidu na een belichtingsproces. Dergelijk waterdruppelresidu kan watermerkdefecten veroorzaken en aldus halfgeleiderfabricage degraderen of zelfs fouten veroorzaken tijdens halfgeleiderproductie.

Een verbeterd materiaal voor het belichtte substraat is nodig zoals 10 een top anti-reflectiecoating (TARC), waarbij de schade veroorzaakt door watermerkdefecten wordt verhinderd en/of verminderd.

Korte beschrijving van de figuren

Aspecten van de huidige uiteenzetting worden het best begrepen aan de hand van de volgende gedetailleerde beschrijving wanneer gelezen 15 met de bij gevoegde figuren. Op gemerkt wordt dat in overeenstemming met standaardgewoonte in de industrie, verscheidene structuren niet op schaal zijn getekend. De dimensies van verscheidene structuren kunnen zijn vergroot of verkleind voor de duidelijkheid.

Fig. 1 toont een dwarsdoorsnede van een voorbeeld van een 20 halfgeleiderinrichting 100 met een coatingmateriaallaag voor gebruik in een immersielithografiebelichtingsproces.

Fig. 2 toont een schematische weergave van een voorbeeld reactie tussen een quencher en een chelaatverbinding.

Fig. 3 is een stroomdiagram van een uitvoeringsvorm van een 25 werkwijze voor immersiefotolithografie patroonvorming.

1032579 2

Gedetailleerde beschrijving

Het zal duidelijk zijn dat de volgende uiteenzetting vele verschillende uitvoeringsvormen, of voorbeelden, verschaft voor het implementeren van verschillende maatregelen van verscheidene 5 uitvoeringsvormen. Specifieke voorbeelden van componenten en inrichtingen worden hieronder beschreven om de huidige uiteenzetting te vereenvoudigen. Deze zijn, uiteraard, slechts voorbeelden en niet bedoeld om beperkend te zijn. Het vormen van een eerste structuur boven of op een tweede structuur in de volgende beschrijving kan bijvoorbeeld 10 uitvoeringsvormen omvatten waarin de eerste en tweede structuur in direct contact zijn gevormd, en kan tevens uitvoeringsvormen omvatten waarin additionele structuren kunnen zijn gevormd tussen de eerste en tweede structuren, zodat de eerste en tweede structuren niet in direct contact staan. Additioneel kan de huidige uiteenzetting verwijzingscijfers en/of 15 letter in de verscheidene voorbeelden herhalen. Deze herhaling dient voor eenvoud en duidelijkheid en geeft op zichzelf geen relatie tussen de verscheidene uitvoeringsvormen en/of configuraties weer.

Fig. 1 toont een dwarsdoorsnede van een halfgeleiderinrichting 100, zoals een halfgeleiderwever. De halfgeleiderinrichting 100 een 20 substraat 110 met een organische bodemantireflectiecoating (BARC), een anorganische bodemantireflectielaag een etsweerstand organische laag, een adhesieverbeterende organische laag, verscheidene gedoteerde gebieden, diëlektrische structuren, en/of multiniveauverbindingen. In de huidige uitvoeringsvorm omvat het substraat silicium, maar andere 25 uitvoeringsvormen kunnen Ge, SiGe, GaAs, enzovoort omvatten. Het substraat kan als alternatief een niet-halfgeleidermateriaal omvatten zoals een glasplaat voor dunne filmtransistor vloeibaar kristal beeldscherm (TFT-LCD) inrichtingen. De halfgeleiderinrichting 100 kan voorts één of meer materiaallagen omvatten waarop één patroon moet worden aangevraagd.

3

De halfgeleiderinrichting 100 omvat een fotogevoelige laag (fotoresist of resist) 120. In het huidige voorbeeld kan de resistlaag 120 een dikte hebben tussen ongeveer 50 angstroms en 5000 angstroms. In een ander voorbeeld kan de resistlaag 120 een dikte hebben tussen ongeveer 500 5 angstrums en 2000 angstrums. De resistlaag 120 gebruikt een chemische versterking (CA) resistmateriaal. De resistlaag 120 omvat een polymeermateriaal dat oplosbaar wordt in een ontwikkellaag, zoals een basisoplossing, wanneer het polymeer reageert met zuur. Het resist 120 omvat verder een oplosmiddelvulling in het polymeer. Het oplosmiddel kan 10 gedeeltelijk worden verdampt tijdens een bakproces. Het resist 120 omvat ook een fotozuurgenerator (PAG) 122 materiaal. De PAG moleculen zijn verspreid in het oplosmiddel en polymeer. Wanneer de foto-energie absorbeert valt het PAG 122 uiteen en vormt een kleine hoeveelheid zuur. Het PAG 122 kan een concentratie hebben tussen ongeveer 1 en 15 15 gewichtsprocent van het resistpolymeer 120.

In de huidige uitvoeringsvorm omvat het resist 120 voorts een quenchermateriaal 124 dat verdeelt binnen het oplosmiddel en polymeer. De quencher 124 is een basisch type en is in staat om zuur in hoofdzaak te neutraliseren. Collectief of als alternatief kan de quencher andere actieve 20 componenten van de resist 120 remmmen zoals het verhinderen dat PAG reageert. De quencher 124 kan en concentratie van meer dan 1 gewichtsprocent van het resistpolymeer. De quencher 124 kan alternatief een concentratie hebben van ongeveerd V* van de concentratie van het PAG 122 bij gewicht voor het belichtingsproces. In één voorbeeld omvat elk 25 molecuul van de quencher 124 een stikstofatoom met een ongepaard elektron dat in staat is een zuur te neutraliseren. De resistlaag 120 kan op het substraat 110 worden gevormd door een methode zoals spincoaten.

Een ander betrokken proces kan zacht bakken naar het coatingproces omvatten.

4

In de huidige uitvoeringsvorm ligt een coatingmateriaallaag 130 bovenop de resistlaag 120. Het coatingmateriaal 130 omvat een polymeer 132 dat in hoofdzaak onoplosbaar is in een immersiefluïdum. In een voorbeeld omvat het polymeer 132 fluoride. Het coatingmateriaal 130 omvat 5 een zuur 134. Het coatingmateriaal 130 kan een PH-waarde hebben lager dan ongeveer 5. Het zuur 134 kan chemisch gebonden zijn aan het polymeer 132. Het chemisch gebonden zuur 134 en het polymeer 132 kunnen een copolymeer vormen dat een organisch zuur functionele groep heeft. De organisch zuur functionele groep kan een carboxylische groep, 10 hydroxylgroep, een thiolgroep, een enolgroep, een fenolgroep, een sulfonylzuurgroep, een SC^OH-groep of combinaties daarvan omvatten. Het zuur 134 kan alternatief in de coatingmateriaallaag 130 zijn gedistribueerd gemengd met het polymeer. Het zuur kan voor dit doel een surfactant, additief, buffer en ander geschikt chemicaliën omvatten. De zuuradditieven 15 kunnen organisch zuur of anorganisch zuur omvatten. Het organisch zuur kan zijn geselecteerd uit de groep bestaande uit een carboxylgroep, hydroxylgroep, een thiolgroep, een enolgroep, een fenolgroep, een sulfonylzuurgroep, een S020H-groep en combinaties daarvan. Het anorganische zuur kan zijn geselecteerd uit de groep bestaande uit 20 perchloorzuur, waterstofjodide, waterstofbromide, waterstofchloride, salpeterzuur, thiocyaanzuur, chloorzuur, joodzuur, hypofosforzuur, waterstoffluoride, salpeterigzuur, cyaanzuur, hydrazozuur, hypochloridezuur, hypobromidezuur, hydrocyaanzuur, hypojodide zuur, zwavelzuur, chroomzuur, zwavelig zuur, fosforzuur, fosforigzuur, 25 pyrofosforzuur, carbonzuur, waterstofsulfide, boorzuur, en combinaties daarvan. In een ander voorbeeld kan het organisch zuur een PAG omvatten in de coatingmateriaallaag, gebonden of niet gebonden aan het polymeer 132. Het PAG in het coatingmateriaal 130 kan worden getransformeerd in een zuur bij een belichtingsproces zoals een belichtingsproces voor 30 resistpatroonvorming. De coatingmateriaallaag kan voorts een oplosmiddel 5 in het polymeer omvatten. Het oplosmiddel kan per fluor oplosmiddel omvatten zoals hydrofluorether C4F9OCH3. Het oplosmiddel kan alternatief PGME/PGMEA-mengsel op losmiddel omvatten. De mengverhouding kan liggen tussen ongeveer 10/1 tot 1/10. In een voorbeeld is de mengverhouding 5 ongeveer 7/3. Het oplosmiddel kan alcoholoplosmiddel omvatten, zoals cyclohexanol, butanol, iso-butanol, pentanol, of iso-pentanol. Het oplosmiddel kan alternatief oplosmiddel op waterbasis omvatten.

Als alternatief kan het coatingmateriaal 130 een chelaatverbinding omvatten in plaats van een zuur. De chelaatverbinding is in staat te 10 reageren met de quencher en daar chemisch mee te binden. De reactie tussen de chelaatverbinding en de quencher kan leiden tot een groter molecuul, en/of kan de quencher deactiveren door bijvoorbeeld het stikstof van de quencher te neutraliseren. De chelaatverbinding kan chemisch zijn gebonden aan het polymeer. Aldus kan de reactie tussen de quencher en de 15 chelaatverbinding leiden tot dat de quencher is gebonden aan het polymeer.

Fig. 2 toont een schematisch aanzicht van een voorbeeld van een reactie tussen een quencher en een chelaatverbinding. Een quencher 202 met een tertiaire amine kan reageren met een chelaatverbinding 204 met een halogeenalkaan en vormt een quaternair ammoniumzout 206.

20 Onder verwijzing naar Fig. 1 kan de coatinglaag geïntegreerd zijn in een top antireflectiecoatinglaag (TARC) met een verbeterde reflectie voor een stralingsenergie tijdens een belichtingsproces. De coatingmateriaallaag 130 kan alternatief zijn gevormd boven of onder een separate TARC-laag.

De coatingmateriaallaag 130 kan een meervoudige laagstructuur 25 (composietlaag) omvatten. The coatingmateriaallaag 130 kan bijvoorbeeld een dubbele laagstructuur omvatten met een eerste coatinglaag en een tweede coatinglaag die op de eerste coatinglaag is geplaatst. De eerste en tweede coatinglagen kunnen verschillende materialen omvatten die zijn aangepast voor bedoelde functies. De eerste coatinglaag kan bovenop de 30 resistlaag 120 zijn geplaatst en kan zijn ontworpen om te functioneren als 6 een quencher vanglaag voor het neutraliseren van de quencher die uit de resistlaag 120 diffundeert. Om te verhinderen dat resist vermengt tijdens het coaten, kan het oplosmiddel van de eerste coatinglaag verschillend zijn van die van de resistlaag. Indien de resistlaag een PGME/PGMEA-5 oplosmiddel is, bijvoorbeeld, kan de eerste coatinglaag een alcoholoplosmiddel gebruiken. De tweede coatinglaag kan een polymeernetwerk zijn dat verknoopt bij een bakproces, of kan een normaal oplosmiddel gebruiken zoals PGME/PGMEA-oplosmiddel voor het elimineren van vermenging. Alternatief kan de eerste coatinglaag verknoopt 10 zijn en kan de tweede coatinglaag een normaal oplosmiddel gebruiken zoals een PGME/PGMEA-oplosmiddel. De tweede coatinglaag kan zijn ontworpen voor het isoleren van de resistlaag van het immersiefluïdum, elimineren van fluïdumopname van het immersiefluïdum zoals gede-ioniseerd water (DIW). Collectief of alternatief, kan de tweede coatinglaag zijn ontworpen voor het 15 verhinderen dat resistcompositie uitloogt van de resistlaag 120. De functie van de eerste en tweede coatinglagen kan worden verwisseld om van de eerste laag een isolatie te maken en van de tweede laag een quencherneutralisator.

The coatingmateriaallaag 130 kan in hoofdzaak oplosbaar zijn in 20 een basische oplossing, een ontwikkeloplossing, of een oplosmiddel. Een voorbeeld van de basische oplossing kan een tetramethyl ammoniumhydroxide (TMAH) oplossing omvatten. Een voorbeeld van het oplosmiddel kan cyclohexanol, butanol, iso-butanol, pentanol of iso-pentanol omvatten. De resistlaag 120 kan een oplossing omvatten zoals PGMEA of 25 PGME. The coatingmateriaallaag 130 kan daarop zijn gespincoat en verder zijn gebakken. Het bakproces is geïntegreerd met het bakproces van de resistlaag 120 of onafhankelijk van het bakken van de resistlaag.

Tijdens een belichtingsproces worden de resistlaag 120 en de coatingmateriaallaag 130 blootgesteld aan een stralingsenergie zoals diep 30 ultraviolet (DUV) door een fotomasker (masker of reticle) met een vooraf 7 bepaald patroon en een immersiefluïdum, resulterend in een resistpatroon met een veelvoud van onbelichte gebieden zoals onbelichte structuren 120a en een veelvoud van behcht gebieden zoals belichte structuren 120b. De strahngsenergie kan 248 nanometerbundel van Krypton Fluoride (KrF) 5 excimeerlasers of 193 nanometerbundel van Argon Fluoride (ArF) excimeerlasers omvatten. Het immersiefluïdum kan gede-ioniseerd water (Dl water of DIW) omvatten. Het immersiefluïdum kan voorts chemische additieven omvatten zoals een zuur. Het immersiefluïdum kan alternatief andere geschikte fluïda omvatten met een brekingsindex hoger dan 1.44, de 10 brekingsindex van water. Tijdens een belichtingsproces kan waterdruppelresidu zoals een voorbeeldwaterdruppel 140, achterbhjven op de coatingmateriaallaag naar het behchtingsproces.

In voorgaande immersielithografie patroonvormingsprocessen kan het waterdruppelresidu problemen veroorzaken zoals het vormen van een 15 watermerk. Wanneer een waterdruppel achterbhjft op een resistlaag verschaft de waterdruppel een pad voor PAG en quencher. De quencher in het onbehchte resistgebied kan in de waterdruppel diffunderen en verder diffunderen naar het belichte resistgebied, foto gegenereerd zuur neutrahseren en belichtingsefficiency in deze belichte gebieden reduceren. 20 Voorts valt het belichte PAG uiteen in PAG-anion en zuur, hetgeen meer oplosbaar is in water dan onbelicht PAG. Het foto gegenereerde zuur kan eveneens in de waterdruppel diffunderen met additionele effecten zodat deze behchte gebieden gereduceerd foto gegenereerd zuur hebben. Deze belichte gebieden van de resistlaag kunnen dus onvoldoende foto 25 gegenereerd zuur hebben om een cascade van chemische transformaties (zuurversterking) te induceren naar de behchtingsproces stap, en kunnen niet volledig oplosbaar zijn in een ontwikkeloplossing bij een ontwikkelprocesstap. Aldus kan een onverwachte T-top resiststructuur (watermerk) worden gevormd op de behchte gebieden van de resistlaag 8 waarin het top resistmateriaal van het belichte gebied niet oplosbaar zijn in een ontwikkeloplossing.

Volgens de huidige uiteenzetting isoleert de coatingmateriaallaag de waterdruppels van de resistlaag 120. Wanneer de quencher 124 in de 5 coatingmateriaallaag 130 diffundeert zal het reageren met ofwel het zuur van het coatingmateriaal 130 of een chelaatverbinding zodat de gediffundeerde quencher wordt geneutraliseerd, gevangen, of getransformeerd in een molecuul met een gereduceerde mobiliteit en/of geen quenching functie. De verdere diffusie van de quencher in de waterdruppels 10 wordt dus gereduceerd of verhinderd. De coatingmateriaallaag 130 met zuur kan voorts reduceren dat foto gegenereerd zuur uit de resistlaag 120 diffundeert. Als voorbeeld kan het zuur dat is uitgeloogd in de waterdruppels minder zijn dan 10 9 mol/cm2 tijdens een immersielithografie.

In verscheidene uitvoeringsvormen, wordt de diffusie van de 15 quencher naar waterdruppels in hoofdzaak gereduceerd en wordt het watermerk dienovereenkomstig in hoofdzaak gereduceerd. Verscheidene uitvoeringsvormen kunnen worden gewijzigd of gecombineerd voor geoptimaliseerd resistpatroonvormingsproces.

Onder verwijzing naar Fig. 3 is een stroomdiagram van een 20 immersielithografie werkwijze 300 voor het vormen van een resistpatroon beschreven. De werkwijze 300 omvat een stap 302 voor het vormen van een foto gevoelige (resist)laag op een halfgeleiderwever. De resistlaag is in hoofdzaak soortgelijk aan de resistlaag 120 van Fig. 1

De werkwijze 300 omvat voorts een stap 304 voor het vormen van 25 een coatingmateriaallaag op de resistlaag waarbij de coatingmateriaallaag in hoofdzaak soortgelijk kan zijn aan de coatingmateriaallaag 130 van Fig.

1. De coatingmateriaallaag kan een zuur of chelaatverbinding omvatten die functioneert als quenchervanger Het zuur of de chelaatverbinding kan chemisch zijn gebonden aan het polymeer van het coatingmateriaal.

9

De werkwijze 300 omvat voorst een stap 306 voor het belichten van de resistlaag met een stralingsenergie zoals DUV door een fotomasker en een immersiefluïdum. Het immersiefluïdum kan DUV zijn of een ander geschikt fluïdum met een hoge brekingsindex, en is geplaatst tussen de 5 semiconducterwever en lens van een immersielithografiesysteem voor het uitvoeren van de werkwijze 300. Aangezien de coatingmateriaallaag is gevormd op de resistlaag, heeft de quencher een gereduceerde hoeveel uitloging naar waterdruppels die op of boven de coatingmateriaallaag zijn achtergebleven na de belichtingsstap.

10 De werkwijze 300 gaat dan verder naar een stap 308 voor het bakken (na belichting bakken of PEB) van de resistlaag. De baktemperatuur kan liggen tussen ongeveer 80°C en 150°C. Het bakken kan een tijdsduur hebben van ongeveer 1 tot 20 minuten in een voorbeeld. De bakstap kan verder dienen om waterdruppels te verwijderen.

15 De werkwijze 300 gaat dan verder naar een stap 310 voor het ontwikkelen van de resistlaag in een ontwikkeloplossing. De belichte resistgebieden worden in hoofdzaak opgelost. De stap 310 kan voorts een verwijderstap omvatten voor het verwijderen van de coatingmateriaallaag, separaat van of gecombineerd met het ontwikkelproces. De 20 coatingmateriaallaag kan bijvoorbeeld worden verwijderd in de ontwikkeloplossing met het belichte resistmateriaal. Het materiaal en de werkwijze zijn beschreven gebruikmakend van een positief resist als voorbeeld en kunnen worden uitgebreid tot een negatief resist.

Aldus verschaft in een uitvoeringsvorm de huidige uiteenzetting 25 een coatingmateriaal dat is geplaatst op een fotogevoelige laag voor gebruik in een immersielithografieproces. Het coatingmateriaal omvat een polymeer dat in hoofdzaak onoplosbaar is in een immersiefluïdum; en een zuur dat in staat is een basische quencher van de foto gevoelige laag te neutraliseren.

In sommige uitvooeringsvormen heeft het coatingmateriaal een 30 PH-waarde lager dan ongeveer 5. Het zuur kan chemisch zijn verbonden 10 aan het polymeer. Het zuur kan zijn geselecteerd uit de groep bestaande uit een zuur buffer chemicali en een zuur chemicali. Het zuur kan een organisch en/of een anorganisch zuur omvatten. Het organische zuur kan een organisch zuur functionele groep omvatten die is verbonden met één 5 van een alkylgroep en een aromatisch groep van het polymeer. Het organische zuur kan een fotozuurgenerator (PAG) omvatten. Het organische zuur kan een organisch zuur functionele groep omvatten zoals een carboxylgroep, hydroxylgroep, een thiolgroep, een enolgroep, een fenolgroep, een sulfonylzuurgroep, en/of een SChOH-groep. Het anorganische zuur kan 10 perchloorzuur, waterstofjodide, waterstofbromide, waterstofchloride, zwavelzuur, thiocyaanzuur, chloorzuur, joodzuur, hypofosforzuur, waterstoffluoride, salpeterigzuur, cyaanzuur, hydrazozuur, hypochloridezuur, hypobromidezuur, hydrocyaanzuur, hypojodide zuur, zwavelzuur, chroomzuur, zwavelig zuur, fosforzuur, fosforigzuur, 15 pyrofosforzuur, carbonzuur, waterstofsulfide en/of boorzuur omvatten. Het polymeer en zuurstructuur kan fluoride omvatten. Het coatingmateriaal kan in hoofdzaak oplosbaar zijn door een oplossing geselecteerd uit de groep bestaande uit een ontwikkeloplossing, een basische oplossing, en een oplosmiddel. De basische oplossing kan tetramethyl ammoniumhydroxide 20 (TMAH) oplossing omvatten. Het oplosmiddel kan cyclohexanol, iso-butanol of iso-pentanol omvatten. Het coatingmateriaal kan een meervoudige laagstructuur omvatten.

In een andere uitvoeringsvorm is een de coatingmateriaal geplaatst op een fotogevoelige laag met een quencher die in staat is zuur te 25 neutraliseren tijdens immersielithografieproces. Het coatingmateriaal omvat een polymeer dat in hoofdzaak onoplosbaar is in een immersiefluïdum en ofwel een zuur dat in staat is de quencher van de fotogevoelige laag te neutraliseren ofwel een chelaatverbinding die in staat is met de quencher van de fotogevoelige laag te binden, of beide. Het 30 coatingmateriaal kan zijn ontworpen om te functioneren als een top anti- 11 reflectiecoating (TARC) laag. De chelaatverbinding kan zijn gebonden aan het polymeer. De chelaatverbinding kan een halogeenalkaan omvatten. De chelaatverbinding kan in staat zijn te reageren met de quencher voor het vormen van quarternaire ammoniumzouten.

5 Een uitvoeringsvorm van een werkwijze voor een immersiefotolithografïeproces is eveneens openbaard. De werkwijze omvat het vormen van een fotoresistlaag op een substraat, waarbij de fotoresistlaag een quencher omvat die in staat is een zuur te neutraliseren. Een coatingmateriaallaag is gevormd boven de fotoresistlaag, waarbij de 10 coatingmateriaallaag omvat: een zuur dat in staat is de quencher van de fotogevoelige laag te neutraliseren een polymeer dat in hoofdzaak een drager is van het zuur en dat in hoofdzaak onoplosbaar is in een immersiefluïdum. De werkwijze omvat voorts het belichten van de fotoresistlaag door een van een patroon voorzien fotomasker en het 15 immersiefluïdum gebruikmakend van een immersielenssysteem. Het immersielenssysteem kan een numeriek apparatuur omvatten groter dan 0,85. De fotoresistlaag is gebakken en ontwikkeld.

Het voorgaande heeft maatregelen van verscheidene uitvoeringsvormen uiteengezet zodat de vakman de gedetailleerde 20 beschrijving beter kan begrijpen. De vakman zal begrijpen dat de huidige uiteenzetting kan worden gebruikt als basis voor het ontwerpen of aanpassen van andere processen en structuren voor het uitvoeren van dezelfde doelen en/of het bereiken van dezelfde voordelen van de uitvoeringsvormen die hierin zijn geïntroduceerd. De vakman moet zich 25 tevens realiseren dat dergelijke equivalenten constructies niet afwijken van de geest en omvang van de huidige uiteenzetting, en dat hij verscheidene wijzigingen, vervangingen en veranderingen hierin kan maken zonder af te wijken van de geest en omvang van de huidige uiteenzetting zoals verwoord in de navolgende conclusies.

1 0325 79

Claims (12)

1. Coatingmateriaal geplaatst op een fotogevoelige laag en voor gebruik in een immersielithografieproces, waarbij het coatingmateriaal omvat: een halogeenalkaan dat in staat is chemisch te binden met een 5 quencher van de fotogevoelige laag voor het vergroten van de afmeting van de quencher; en een polymeer dat in hoofdzaak onoplosbaar is in een immersiefluïdum gebruikt in het immersielithografieproces.

2. Coatingmateriaal volgens conclusie 1, waarbij het halogeenalkaan chemisch is gebonden aan het polymeer.

3. Coatingmateriaal volgens conclusie 1, waarbij het polymeer fluoride omvat. 15

4. Coatingmateriaal volgens conclusie 1, waarbij het coatingmateriaal in hoofdzaak oplosbaar is in een basische oplossing.

5. Coatingmateriaal volgens conclusie 4, waarbij de basische 20 oplossing tetramethylammoniumhydroxide (TMAH) omvat.

6. Coatingmateriaal volgens conclusie 1, waarbij het coatingmateriaal in hoofdzaak oplosbaar is in een oplosmiddel.

7. Coatingmateriaal volgens conclusie 6, waarbij het oplosmiddel cyclohexanol omvat. 1032579

8. Werkwijze voor immersielithografie, omvattende: het vormen van een fotogevoelige laag op een substraat, waarbij de fotogevoelige laag een quencher omvat die in staat is om zuur in hoofdzaak te neutraliseren; 5 het vormen van een coatingmateriaallaag bovenop de fotogevoelige laag, waarbij de coatingamateriaallaag omvat: een halogeenalkaan dat in staat is om chemisch te binden met de quencher van de fotogevoelige laag; en een polymeer dat in hoofdzaak onoplosbaar is in een 10 immersiefluïdum gebruikt in het immersielithografieproces; het belichten van de fotogevoelige laag door een fotomasker en het immersiefluïdum gebruikmakend van een immersielenssysteem; het bakken van de fotogevoelige laag; en het ontwikkelen van de belichte fotogevoelige laag. 15

9. Werkwijze volgens conclusie 8, waarbij het immersielenssysteem een numerieke apertuur omvat van groter dan 0.85.

10. Werkwijze volgens conclusie 8, waarbij het halogeenalkaan 20 chemisch bindt aan het polymeer.

11. Werkwijze volgens conclusie 8, waarbij het coatingmateriaal in hoofdzaak oplosbaar is in een basische oplossing.

12. Werkwijze volgens conclusie 8, waarbij het coatingmateriaal in hoofdzaak oplosbaar is in een oplosmiddel. 1 032579