KR20070037308A - 신규한 액침 워터마크 감소용 반사방지 탑코팅재 - Google Patents

신규한 액침 워터마크 감소용 반사방지 탑코팅재 Download PDF

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KR20070037308A
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찬 칭-유
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타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
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Abstract

액침 리소그래피 공정에 있어, 감광층 상부에 배치되는 코팅재는 액침 유체에 대체로 용해되지 않는 중합체와 상기 감광층으로부터 염기 켄쳐(quencher)를 중화할 수 있는 산을 포함한다.
반사방지 탑코팅재, 액침 리소그래피, 워터마크

Description

신규한 액침 워터마크 감소용 반사방지 탑코팅재{NOVEL TARC MATERIAL FOR IMMERSION WATERMARK REDUCTION}
본 명세서의 특징은 첨부 도면을 참조하였을 때 하기 상세한 설명으로부터 가장 잘 이해될 수 있다. 본 업계의 표준 관례에 따라, 여러 특징부를 일정한 비율로 도시하지 않음을 유념하여야 한다. 사실상, 여러 특징부의 치수는 논의의 명확성을 위해 임의대로 증가하거나 감소할 수 있다.
도 1은 액침 리소그래피 노광 공정 중에 이용되는 코팅재층을 포함하는 반도체 장치 100의 일례를 나타내는 단면도이다.
도 2는 켄쳐(quencher)와 킬레이트(chelate) 화합물 반응의 일례를 나타내는 모식도이다.
도 3은 액침 리소그래피 패턴화 방법의 일 실시양태를 나타내는 공정도이다.
본 출원은 2005년 9월 30일자로 출원된 미국 출원번호 제 60/722,316호 및 제 60/722,646호의 우선권을 주장하고, 이들 출원은 이에 의해 참조용으로 통합된다.
본 발명은 신규한 액침 워터마크 감소용 반사방지 탑코팅재에 관한 것이다. 반도체 기술 공정이 65 나노미터, 45 나노미터 및 그 이하의 작은 가공 치수(feature size)로 계속 발전함에 따라, 액침 리소그래피 공정이 채택되고 있다. 그러나, 액침 리소그래피 공정은 노광 공정 후 수적(water drop) 잔여물을 유발한다. 상기 수적 잔여물은 워터마크 결함을 야기할 수 있으므로 반도체 공정을 열화하거나, 심지어는 이를 못하게 할 수도 있다.
워터마크 결함에 의한 손상을 방지 및/또는 감소시키기 위해, 반사방지 탑코팅(TARC: Top Anti-Reflection Coating)과 같은 노광되는 기판용 재료의 개선이 필요하다.
본 발명은 액침 리소그래피 공정 중에 야기되는 워터마크 결함에 의한 손상을 감소하기 위해 반사방지용 탑코팅재를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 감광층을 기판상에 형성하는 단계, 상기 감광층 상부에 있는 코팅재층을 형성하는 단계; 상기 감광층을 포토마스크와 액침 렌즈계를 이용하는 액침 유체를 통해 노광하는 단계; 상기 감광층을 베이킹하는 단계; 및 상기 노광된 감광층을 현상하는 단계를 포함하는 액침 리소그래피법을 제공하는 것이다.
하기 기재 내용은 여러 실시양태에서 다른 특징을 부여하도록 많은 다양한 실시양태 또는 실시예를 제공함을 이해할 수 있을 것이다. 성분과 구조의 특정 실시예는 본 명세서를 간략화하기 위해 하기 기술된다. 본 발명을 실시예 만으로 한 정할 의도가 아님은 물론이다. 예를 들면, 본 명세서에서 제 1 특징부 상부에 또는 제 2 특징부 상에 형성됨은 상기 제 1 특징부와 제 2 특징부가 직접 접촉하여 형성된 양태를 포함하고, 또한 추가 특징부가 상기 제 1 특징부와 제 2 특징부 사이에 삽입되어 형성될 수 있어, 상기 제 1 특징부와 제 2 특징부가 직접 접촉하지 않은 양태를 포함할 수도 있다. 또한, 본 명세서의 다양한 실시예에서는 참조 번호 및/또는 문자가 반복될 수 있다. 이러한 반복은 간략화 및 명확화를 목적으로 하는 것이고, 논의된 다양한 실시양태 및/또는 배열 사이의 관계 그 자체만을 나타내는 것은 아니다.
도 1은 반도체 웨이퍼와 같은 반도체 장치 100의 단면도를 나타낸다. 상기 반도체 장치 100은 유기 반사방지 바닥코팅(BARC: bottom anti reflecting coating), 무기 반사방지 바닥코팅층, 에칭 내성 유기층, 부착 증강 유기층, 여러가지 도핑 영역, 절연 특징부 및/또는 다중레벨 상호연결부를 구비하는 기판 110을 포함한다. 본 실시양태에서는, 기판은 실리콘을 포함하지만, 다른 실시양태는 Ge, SiGe, GaAs 등을 포함할 수 있다. 이와는 달리, 기판은 박막 트랜지스터 액정 표시장치(TFT-LCD: Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display)용 유리판과 같은 비반도체 재료를 포함할 수 있다. 반도체 장치 100은 패턴화되는 한 개 이상의 재료 층을 추가로 포함할 수 있다.
반도체 장치 100은 감광층(포토레지스트 또는 레지스트) 120을 포함할 수 있다. 본 발명의 실시예에서, 상기 레지스트층 120의 두께는 약 50Å 내지 5000Å 범위이다. 다른 실시예에서, 레지스트층 120의 두께는 약 500Å 내지 2000Å 범위 이다. 레지스트층 120은 화학 증폭(CA: Chemical Amplication)형 레지스트 재료를 이용한다. 레지스트층 120은 산과의 반응시, 염기 용액 등의 현상제에 용해될 수 있는 중합체 재료를 포함한다. 레지스트층 120은 중합체 내에 용매 충전제를 추가로 포함한다. 상기 용매는 베이킹 공정 중에 일부 증발될 수 있다. 또한, 레지스트층 120은 광산 발생제(PAG: photo-acid generator) 122 재료를 포함한다. 광산발생제 분자는 상기 용매와 중합체 내에 분포한다. 광산발생제 122는 빛에너지를 흡수하면, 분해되어 소량의 산을 형성한다. 광산발생제 122의 농도는 상기 레지스트 중합체 120의 약 1 중량% 내지 15 중량% 범위이다.
본 발명의 실시양태에서, 상기 레지스트층 120은 상기 용매와 중합체 내에 분포하는 켄쳐(quencher material) 124를 포함한다. 켄쳐 124는 염기형이고 대체로 산을 중화할 수 있다. 이러한 특징과 함께 또는 이와는 달리, 켄쳐는 반응으로부터의 PAG 저해 등과 같이, 레지스트층 120의 다른 활성 성분을 저해할 수 있다. 켄쳐 124의 농도는 레지스트 중합체의 약 1 중량% 보다 크다. 이와는 달리, 켄쳐 124의 농도는 노광 공정 전, 광산 발생제 122의 중량당 농도의 약 1/4이다. 일실시예에서, 켄쳐 124의 모든 분자는 산을 중화할 수 있는 홀전자(unpaired electron)를 갖는 질소 원자를 포함한다. 레지스트층 120은 스핀 코팅(spin-on coating) 등의 방법으로 기판 110 상에 형성될 수 있다. 이와 관련된 다른 공정은 코팅 공정 후 소프트 베이킹(baking)을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시양태에서, 코팅재층 130은 레지스트층 120 상에 있다. 코팅재층 130은 액침 유체에 대체로 용해될 수 없는 중합체 132를 포함한다. 일실시예에 서, 중합체 132는 플루오르화물(fluoride)을 포함한다. 코팅재층 130은 산 134를 포함한다. 코팅재층 130은 약 pH 5 이하를 갖는다. 산 134은 중합체 132와 화학적으로 결합할 수 있다. 화학적으로 결합한 산 134과 중합체 132는 유기산 관능기를 포함하는 공중합체를 형성할 수 있다. 유기산 관응기는 카르복시기, 히드록시기, 티올기, 에놀기, 페놀기, 술폰닐산기, SO2OH기 또는 이들의 혼합물을 포함할 수 있다. 이와는 달리, 산 134는 중합체와 혼합된 코팅재층 130에 분포될 수 있다. 이러한 목적으로 산은 계면활성제, 첨가제, 버퍼 및 다른 적절한 화학물질을 포함할 수 있다. 산 첨가제는 유기산 또는 무기산을 포함할 수 있다. 유기산은 카르복시기, 히드록시기, 티올기, 에놀기, 페놀기, 술포닐산기, SO2OH기 및 이들의 혼합물을 포함하는 군으로부터 선택될 수 있다. 무기산은 과염소산, 요오드화수소, 브롬화수소, 염화수소, 질산, 티오시안산, 염소산, 요오드산, 하이포아인산, 불화수소, 아질산, 시안산, 하이드라조산, 하이포아염소산, 하이포아브롬산, 수소화시안산, 하이포아요오드산, 황산, 크롬산, 아황산, 인산, 아인산, 피로인산, 탄산, 황화수소, 붕산 및 이들의 혼합물을 포함하는 군으로부터 선택될 수 있다. 다른 실시예에서는, 유기산은 코팅재층 내에 중합체 132와 결합하거나 결합하지 않은 PAG를 포함할 수 있다. 코팅재층 130 내의 PAG는 레지스트 패턴을 위한 노광 공정 등의 노광 공정에서 산으로 변환될 수 있다. 코팅재층 130은 중합체 내에 용매를 추가로 포함할 수 있다. 용매는 하이드로플루오르에테르 C4F9OCH3 등의 과불소 용매를 포함할 수 있다. 이와는 달리, 용매는 PGME/PGMEA 혼합 용매를 포함할 수도 있다. 혼합비는 약 10/1 내지 약 1/10 범위에 있다. 예를 들면, 일 실시예에서 혼합비는 약 7/3이다. 용매는 사이클로헥사놀, 부탄올, 이소-부탄올, 펜타놀 또는 이소-펜타놀 등의 알코올 용매를 포함할 수 있다. 이와는 달리, 용매는 수(water)계 용매일 수 있다.
이와는 달리, 코팅재층 130은 산 대신에 킬레이트(chelate) 화합물을 포함할 수도 있다. 킬레이트 화합물은 켄쳐와 반응하여 화학적으로 결합할 수 있다. 킬레이트 화합물과 켄쳐와의 반응은 대형 분자, 켄쳐의 이동성 감소를 초래하고 및/또는 켄쳐의 질소를 중화하여 켄쳐를 불활성화할 수 있다. 킬레이트 화합물은 중합체와 화학적으로 결합할 수 있다. 따라서, 켄쳐와 킬레이트 화합물과의 반응은 켄쳐와 중합체의 결합을 가능하게 해 준다.
도 2는 켄쳐와 킬레이트 화합물 반응의 일례를 나타내는 모식도이다. 3차 아민을 갖는 켄쳐 202는 할로겐알칸을 갖는 킬레이트 착물 204과 반응하여 4차 암모늄 슬랫 206을 형성한다.
도 1에 대해 다시 언급하면, 노광 공정 중에 방사 에너지로의 반사가 높은 코팅층은 반사방지 탑코팅층(TARC)과 일체로 형성될 수 있다. 코팅재층 130은 각 TARC 층 상부 또는 하부에 선택적으로 형성될 수 있다. 코팅재층 130은 다중층 구조(복합층)를 포함할 수 있다. 예를 들면, 코팅재층 130은 제 1 코팅층, 및 상기 제 1 코팅층 상에 배치된 제 2 코팅층을 포함할 수 있다. 상기 제 1 코팅층 및 제 2 코팅층은 원하는 기능에 따라 변경된 다른 물질을 포함할 수 있다. 제 1 코팅층은 레지스트층 120의 상부에 배치되어 레지스트층 120으로부터 확산된 켄쳐를 중화하는 켄쳐 포획층으로서 작용하도록 설계될 수 있다. 코팅 중에 레지스트의 혼합을 방지하기 위해, 제 1 코팅층의 용매는 레지스트층의 용매와 다를 수 있다. 예를 들면, 레지스트층이 PGME/PGMEA 용매인 경우, 제 1 코팅층은 알코올 용매를 이용할 수 있다. 제 2 코팅층은 베이킹 공정에서 가교된 그물형 중합체이거나, 혼합을 방지하기 위해 PGME/PGMEA 용매 등의 일반 용매를 이용할 수 있다. 또는 대안적으로, 제 1 코팅층은 그물형이며, 제 2 코팅층은 PGME/PGMEA 용매 등의 일반 용매를 이용할 수 있다. 제 2 코팅층은 레지스트층이 액침 유체와 격리되도록 설계되어, 탈이온수(DIW) 등의 액침 유체로부터의 유체 흡수를 제거할 수 있다. 이러한 기능과 함께 또는 이와는 별도로, 제 2 코팅층은 레지스트 조성물이 레지스트 층 120으로부터 리칭(leaching)되지 않도록 설계될 수 있다. 제 1 코팅층과 제 2 코팅층의 기능은 제 1 코팅층은 격리 기능으로서, 제 2 코팅층은 켄쳐 중화제로서 서로 바뀔 수 있다.
코팅재층 130은 염기 용액, 현상액 또는 용매에 대체로 용해될 수 있다. 염기 용액의 예로는 테트라메틸암모늄 히드록사이드(TMAH) 용액을 포함할 수 있다. 용매의 예는 사이클로헥사놀, 부탄올, 이소-부탄올, 펜타놀 또는 이소-펜타놀을 포함할 수 있다. 레지스트 층 120은 PGMEA 또는 PGME 등의 용매를 포함할 수 있다. 코팅재층 130은 그 위에 스핀 코팅되고 추가로 베이킹될 수 있다. 상기 베이킹 공정은 레지스트 층 120의 베이킹 공정과 일체화되거나 레지스트층 베이킹과 분리된다.
노광 공정 중에, 레지스트층 120과 코팅재층 130은 미리 정해진 패턴을 갖는 포토마스크(마스크 또는 레티클(reticle))와 액침 유체를 통해 원자외선(DUV) 등의 방사 에너지에 노광되어, 비노광 특징부 120a 등의 다수의 비노광부와 노광 특징부 120b 등의 다수의 노광부를 갖는 레지스트 패턴을 얻게 된다. 방사 에너지는 불화크립톤(KrF) 엑시머 레이저에 의한 248 nm 빔이나 불화아르곤(ArF) 엑시머 레이저에 의한 193 nm 빔을 포함한다. 액침 유체는 탈이온수(DI수 또는 DIW)를 포함할 수 있다. 액침 유체는 산 등의 화학 첨가제를 추가로 포함할 수 있다. 이와는 달리, 액침 유체는 굴절률이 1.44(물의 굴절률)보다 높은 적절한 유체를 포함할 수도 있다. 노광 공정 중에, 수적 140 등의 수적 잔여물은 노광 공정 후 코팅재층 상에 남을 수 있다.
과거의 액침 리소그래피 패턴 공정에서, 수적 잔여물은 워터마크 형성 등의 문제점을 야기할 수 있었다. 수적이 레지스트 층에 남으면, 수적은 PAG와 켄쳐로의 경로를 부여한다. 레지스트 비노광부에 있는 켄쳐는 수적내로 확산될 수 있고, 또한 레지스트 노광부내로 확산되어, 광 발생된 산을 중화하고, 이들 노광부의 노광 효능을 저하한다. 또한, 상기 노광된 PAG는 PAG 양이온과 산으로 분해되어, 비노광된 PAG보다 물에 더 잘 용해될 수 있다. 또한, 광 발생된 산은 수적내로 확산되어, 부수적 효과로서 이들 노광부는 광 발생 산을 감소할 수 있다. 따라서, 이러한 레지스트 층의 노광부는 광 발생된 산이 불충분하여 노광 공정 후에 일련의 화학적 변형(산 증폭)을 유도하고, 현상 공정 단계에서 현상액에 완전히 용해되지 않게 된다. 따라서, 비노광된 T-탑 레지스트 특징부(워터마크)는 노광부의 탑 레지스트 물질이 현상액에 용해될 수 없는 레지스트층의 노광부 상에 형성될 수 있다.
본 명세서에 따르면, 코팅재층은 수적과 레지스트층 120을 격리한다. 켄쳐 124가 코팅재층내로 확산되면, 이는 상기 코팅재 130의 산 또는 킬레이트 화합물 중의 하나와 반응하여, 확산된 켄쳐는 중화되고, 트랩(trap)되거나, 이동성이 저하되고 및/또는 켄칭 기능을 상실한 분자로 변형된다. 따라서, 켄쳐의 수적내로의 추가 확산이 감소되거나 제거된다. 산을 포함하는 코팅재층 130은 상기 레지스트층 120으로부터 확산되는 광 발생된 산을 추가로 감소한다. 이를 테면, 수적내로 확산된 산은 액침 리소그래피 중에 약 10-9 mole/cm2 이하일 수 있다.
여러가지 실시양태에서, 켄쳐의 수적으로의 확산은 대체로 감소되고, 이에 따라 워터마크도 대체로 감소된다. 여러 실시양태에서는 레지스트 패턴 공정의 최적화를 위해 변형되거나 조합될 수 있다.
도 3은 레지스트 패턴을 형성하기 위한 액침 리소그래피법 300의 공정도를 나타낸다. 상기 방법 300은 반도체 웨이퍼 상에 감광(resist)층을 형성하는 단계 302를 포함한다. 상기 레지스트 층은 도 1의 레지스트 층 120과 대체로 유사하다.
액침 리소그래피법 300은 도 1의 코팅재층과 대체로 유사한 코팅재층을 상기 레지스트 층 상에 형성하는 단계 304를 추가로 포함한다. 코팅재층은 켄쳐 포획부로 작용하는 산 또는 킬레이트 화합물을 포함한다. 산 또는 킬레이트 화합물은 코팅재층의 중합체와 화학적으로 결합할 수 있다.
액침 리소그래피법 300은 포토마스크와 액침 유체를 통해 원적외선(DUV) 등의 방사 에너지에 상기 레지스트 층을 노광하는 단계 306을 추가로 포함한다. 액침 유체는 DIW 또는 굴절률이 높은 다른 적절한 유체일 수 있고, 반도체 웨이퍼와 액 침 리소그래피계의 렌즈 사이에 배치되어 상기 방법 300을 수행한다. 코팅재층은 레지스트층 상에 형성되므로, 켄쳐는 노광 단계 후 코팅재층 상에 또는 그 상부에 남는 수적으로 리칭하는 양이 감소된다.
상기 방법 300은 상기 레지스트 층을 베이킹(사후 노광 베이킹 또는 PEB)하는 단계 308로 진행된다. 베이킹 온도는 80℃ 내지 150℃ 범위일 수 있다. 베이킹은 일 실시예에서 약 1 내지 20분의 지속 시간을 갖는다. 베이킹 단계는 수적을 추가로 제거하는 역할을 한다.
상기 방법 300은 그 후 상기 레지스트층을 현상액에서 현상하는 단계 310로 진행된다. 레지스트 노광부는 대체로 용해된다. 상기 단계 310은 현상 공정과 별도로 또는 이와 조합하여 코팅재층을 제거하는 단계를 추가로 포함한다. 예를 들면, 코팅 물질층은 노광된 레지스트 재료를 포함하는 현상액에서 제거될 수 있다. 상기 재료와 방법은 일례로서 포지티브 레지스트를 이용하여 기술되고, 이는 네거티브 레지스트에 확장되어 적용될 수 있다.
따라서, 일 실시양태에서, 본 명세서는 액침 리소그래피 공정에 이용되는 감광층 상부에 배치되는 코팅재를 제공한다. 상기 코팅재는 액침 유체에 대체로 용해될 수 없는 중합체와, 감광층으로부터 염기 켄쳐를 중화할 수 있는 산을 포함한다.
다수의 실시양태에서, 코팅재는 약 pH 5 이하를 갖는다. 산은 중합체와 화학적으로 결합할 수 있다. 산은 산 버퍼 화학물질과 산 화학물질을 포함하는 군으로부터 선택될 수 있다. 산은 유기산 및/또는 무기산을 포함할 수 있다. 유기산은 중합체의 알킬기와 방향족기 중의 하나에 부착된 유기산 관능기를 포함할 수 있다. 유기산은 광산 발생제(PAG)를 포함할 수 있다. 유기산은 카르복시기, 히드록시기, 티올기, 에놀기, 페놀기, 술포닐산기 및/또는 SO2OH기 등의 유기산 관능기를 포함할 수 있다. 무기산은 과염소산, 요오드화수소, 브롬화수소, 염화수소, 질산, 티오시안산, 염소산, 요오드산, 하이포아인산, 불화수소, 아질산, 시안산, 하이드라조산, 하이포아염소산, 하이포아브롬산, 시안화수소산, 하이포아요오드산, 황산, 크롬산, 아황산, 인산, 아인산, 피로인산, 탄산, 황화수소 및/또는 붕산을 포함할 수 있다. 중합체와 산 구조는 불소를 포함한다. 코팅 물질은 현상 용액, 염기 용액 및 용매를 포함하는 군으로부터 선택된 용매에 의해 대체로 용해될 수 있다. 염기 용액은 테트라메틸암모늄 히드록사이드(TMAH) 용액을 포함할 수 있다. 용매는 사이클로헥사놀, 부탄올 또는 이소-부탄올을 포함할 수 있다. 코팅재는 다중층 구조를 포함할 수 있다.
다른 실시양태에서, 코팅재는 액침 리소그래피 공정 중에 산을 중화할 수 있는 켄쳐를 포함하는 감광층 상부에 배치된다. 코팅재는 액침 유체에 대체로 용해될 수 있는 중합체와, 감광층으로부터 켄쳐와 결합할 수 있는 산 또는 감광층으로부터 켄쳐와 결합할 수 있는 킬레이트 화합물 중의 어느 하나, 또는 산과 킬레이트 화합물 모두를 포함한다. 코팅재는 반사방지 탑코팅(TARC) 층으로서 작용하도록 설계될 수 있다. 킬레이트 화합물은 중합체와 결합할 수 있다. 킬레이트 화합물은 할로겐알칸을 포함할 수 있다. 킬레이트 화합물은 켄쳐과 반응하여 4차 암모늄염을 형성할 수 있다.
또한, 액침 리소그래피 공정법에 대한 실시양태를 기술한다. 상기 방법은 기판 상에 포토레지스트층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 포토 레지스트층은 산을 중화할 수 있는 켄쳐를 포함한다. 코팅재층은 포토레지스트층 상부에 형성되는 데, 여기서 상기 코팅재층은 상기 감광층으로부터 켄쳐를 중화할 수 있는 산과 상기 산의 실질적인 담체(carrier)이고, 액침 유체에 대체로 용해될 수 없는 중합체를 포함한다. 상기 방법은 패턴화된 포토마스크와 상기 액침 렌즈계를 이용하는 액침 유체를 통해 상기 감광층을 노광하는 단계를 추가로 포함한다. 상기 액침 렌즈계는 약 0.85 보다 큰 개구수를 포함한다. 상기 포토레지스트층은 베이킹되고 현상된다.
전술한 내용은 본 기술 분야의 당업자가 하기 상세한 설명을 잘 이해할 수 있도록 여러 실시양태 특징을 약술한 것이다. 본 기술분야의 당업자는 동일한 목적을 수행하기 위해 다른 공정과 구조를 설계 또는 변경 및/또는 여기에 도입된 실시양태의 동일한 이점을 획득하기 위한 근간으로서 본 명세서를 용이하게 이용할 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 또한, 본 기술 분야의 당업자는 이러한 동등한 구조가 본 명세서의 정신과 범주로부터 벗어나지 않으며, 본 명세서의 정신과 범주로부터 벗어나지 않으면서 다양한 변화, 대체 및 변경이 가능함을 이해하여야 한다.
본 발명에 따라 제공되는 반사방지용 탑코팅재는 감광층으로부터 염기 켄쳐를 대체로 중화할 수 있는 산과 상기 산의 실질적인 담체이고, 상기 액침 리소그래피 공정에 이용된 액침 유체에 대체로 용해될 수 없는 중합체를 포함하여, 액침 리 소그래피 공정 중에 야기되는 워터마크 결함에 의한 손상을 감소하는 효과가 있다.

Claims (15)

  1. 감광층 상부에 배치되고, 액침 리소그래피 공정 중에 이용되는 코팅재로서, 상기 코팅재는
    상기 감광층으로부터 염기 켄쳐를 대체로 중화할 수 있는 산; 및
    상기 산의 실질적인 담체이고, 상기 액침 리소그래피 공정에 이용된 액침 유체에 대체로 용해될 수 없는 중합체를 포함하는 코팅재.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 산은 상기 중합체와 화학적으로 결합하는 코팅재.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 산은 유기산을 포함하는 코팅재.
  4. 제 3항에 있어서, 상기 유기산은 술포닐산기를 포함하는 코팅재.
  5. 제 1항에 있어서, 상기 코팅재는 염기 용액에 대체로 용해될 수 있는 코팅재.
  6. 제 5항에 있어서, 상기 염기 용액은 테트라메틸암모늄 히드록사이드(TMAH) 용액을 포함하는 코팅재.
  7. 제 1항에 있어서, 상기 코팅재는 용매에 대체로 용해될 수 있는 코팅재.
  8. 제 7항에 있어서, 상기 용매는 사이클로헥사놀을 포함하는 코팅재.
  9. 감광층 상부에 배치되고, 액침 리소그래피 공정 중에 이용되는 코팅재로서, 상기 코팅재는
    상기 감광층으로부터의 켄쳐와 결합할 수 있는 할로겐알칸 화합물; 및
    상기 액침 리소그래피 공정에 이용된 액침 유체에 대체로 용해될 수 없는 중합체를 포함하는 코팅재.
  10. 제 9항에 있어서, 상기 할로겐알칸 화합물은 상기 중합체와 화학적으로 결합하는 코팅재.
  11. 산을 대체로 중화할 수 있는 켄쳐를 포함하는 감광층을 기판상에 형성하는 단계;
    상기 감광층 상부에 있는 코팅재층을 형성하는 단계를 포함하고, 여기서 상기 코팅재층은 감광층으로부터 켄쳐를 대체로 중화할 수 있는 산과; 상기 산의 실질적인 담체이고, 상기 액침 리소그래피 공정에 이용된 액침 유체에 대체로 용해될 수 없는 중합체를 포함하며,
    상기 감광층을 포토마스크와 액침 렌즈계를 이용하는 액침 유체를 통해 노광 하는 단계;
    상기 감광층을 베이킹하는 단계; 및
    상기 노광된 감광층을 현상하는 단계를 포함하는 액침 리소그래피법.
  12. 제 11항에 있어서, 상기 액침 렌즈계는 약 0.85보다 큰 개구수를 포함하는 액침 리소그래피법.
  13. 제 11항에 있어서, 상기 산은 상기 중합체와 화학적으로 결합하는 액침 리소그래피법.
  14. 제 11항에 있어서, 상기 코팅재는 염기 용액에 대체로 용해될 수 있는 액침 리소그래피법.
  15. 제 11항에 있어서, 상기 코팅재는 용매에 대체로 용해될 수 있는 액침 리소그래피법.
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