NL2002950C2

NL2002950C2 - WATER BRAND DEFECTIVE PREVENTION FOR IMMERSION LITHOGRAPHY.

Info

Publication number: NL2002950C2
Application number: NL2002950A
Authority: NL
Inventors: Ching-Yu Chang
Original assignee: Taiwan Semiconductor Mfg
Priority date: 2005-09-30
Filing date: 2009-06-02
Publication date: 2011-01-04
Also published as: NL2002950A1

Description

MBX P78892NL20MBX P78892NL20

Titel: Water merk defect verhindering voor immer sielithografieTitle: Watermark defect prevention for ever lithography

AchtergrondBackground

Aangezien halfgeleiderfabricagetechnologieën continue voortschrijden naar kleinere objectafmetingen zoals 65 nanometer, 45 nanometer en minder, worden immersielithografieprocessen.As semiconductor manufacturing technologies continuously advance to smaller object dimensions such as 65 nanometers, 45 nanometers and less, immersion lithography processes become.

5 Immersielithografieprocessen veroorzaken echter een residu van waterdruppels na een belichtingsproces. Dergelijk waterdruppelresidu kan watermerkdefecten veroorzaken en daarmee halfgeleiderfabricage degraderen of zelfs fouten veroorzaken tijdens halfgeleiderfabricage.Immersion lithography processes, however, cause a residue of water droplets after an exposure process. Such a water drop residue can cause watermark defects and thereby degrade semiconductor fabrication or even cause errors during semiconductor fabrication.

Een verbeterd immersielithografiesysteem is nodig waarbij de 10 schade die is veroorzaakt door watermerkdefecten is verhinderd en/of gereduceerd.An improved immersion lithography system is required in which the damage caused by watermark defects is prevented and / or reduced.

Korte beschrijving van de figurenBrief description of the figures

Aspecten van de huidige uiteenzetting worden het best begrepen aan de hand van de volgende gedetailleerde beschrijving gelezen met de 15 bijgevoegde figuren. Opgemerkt wordt dat, in overeenstemming met standaardgebruik in de industrie, verscheidene delen niet op schaal zijn getekend. De afmetingen van de verschillende delen kunnen na wens zijn vergroot of gereduceerd voor de duidelijkheid van de beschrijving.Aspects of the present explanation are best understood on the basis of the following detailed description read with the accompanying figures. It is noted that, in accordance with standard usage in the industry, several parts are not drawn to scale. The dimensions of the various parts may be increased or reduced as desired for clarity of description.

Fig. 1 toont een dwarsdoorsnede van een voorbeeld van een 20 halfgeleiderinrichting 100 met een fotogevoelige laag die wordt belicht tijdens en immersielithografieproces.FIG. 1 shows a cross-section of an example of a semiconductor device 100 with a photosensitive layer that is exposed during an immersion lithography process.

Fig. 2 en 3 tonen dwarsdoorsneden van een voorbeeld van een halfgeleiderinrichting met fotogevoelige laag en daarop tijdens immersielithografieprocessen gevormd watermerk.FIG. 2 and 3 show cross-sections of an example of a semiconductor device with a photosensitive layer and a watermark formed thereon during immersion lithography processes.

25 Fig. 4 toont een schematisch aanzicht van een fotogevoelige laag met chemisch gebonden quenchers.FIG. 4 shows a schematic view of a photosensitive layer with chemically bonded quenchers.

22

Fig. 5a-5c tonen schematische aanzichten van verscheidene uitvoeringsvormen van een fotogevoelige laag met een polymeer en chemische aan het polymeer gebonden quenchers.FIG. 5a-5c show schematic views of various embodiments of a photosensitive layer with a polymer and chemical quenchers bound to the polymer.

Fig. 6 toont een schematisch aanzicht van een fotogevoelige laag 5 met fysiek gevangen quenchers.FIG. 6 shows a schematic view of a photosensitive layer 5 with physically captured quenchers.

Fig. 7a-7j tonen schematische aanzichten van verscheidene uitvoeringsvormen van een fotogevoelige laag met quenchers met gereduceerde mobiliteit.FIG. 7a-7j show schematic views of various embodiments of a photosensitive layer with quenchers with reduced mobility.

Fig. 8a-8b tonen schematische aanzichten van verscheidene 10 uitvoeringsvormen van een fotogevoelige laag met hydrofobe quenchers.FIG. 8a-8b show schematic views of various embodiments of a photosensitive layer with hydrophobic quenchers.

Fig. 9 is een stroomdiagram van een uitvoeringsvorm van een werkwijze voor immersiefotolithografie patroonvervaardigingFIG. 9 is a flow chart of an embodiment of an immersion photolithography pattern fabrication method

Gedetailleerde beschrijvingDetailed description

Het zal duidelijk zijn dat de hierna volgende openbaring vele 15 verschillende uitvoeringsvormen, of voorbeelden, verschaffen voor het implementeren van verschillende maatregelen van verscheidene uitvoeringsvormen. Specifieke voorbeeld van componenten en inrichtingen worden hieronder beschreven om de huidige uiteenzetting te vereenvoudigen. Deze zijn, uiteraard, uitsluitend voorbeelden en zijn niet 20 bedoeld om beperkend te zijn. Bijvoorbeeld het vormen van een eerste structuur boven of op een tweede structuur in de volgende beschrijving kan uitvoeringsvormen omvatten waarin de eerste en tweede structuur in direct contact worden gevormd en kan tevens uitvoeringsvormen omvatten waarin additionele structuren kunnen zijn gevormd tussen de eerste en tweede 25 structuren, zodat de eerste en tweede structuren niet in direct contact zijn. Additioneel kan de huidige uiteenzetting verwijzingscijfers en/of letters herhalen in de verscheidene voorbeelden. Deze herhaling dient voor de eenvoud en duidelijkheid en geeft op zichzelf geen relatie tussen de verscheidene uitvoeringsvormen en/of configuraties weer.It will be understood that the following disclosure provides many different embodiments, or examples, for implementing various measures of various embodiments. Specific examples of components and devices are described below to simplify the current explanation. These are, of course, only examples and are not intended to be limiting. For example, forming a first structure on top of or on a second structure in the following description may include embodiments in which the first and second structures are formed in direct contact and may also include embodiments in which additional structures may be formed between the first and second structures, so that the first and second structures are not in direct contact. Additionally, the current explanation may repeat reference numerals and / or letters in the various examples. This repetition serves for simplicity and clarity and does not in itself represent a relationship between the various embodiments and / or configurations.

33

Fig. 1 verschaft een dwarsdoorsnede van een halfgeleiderinrichting 100 tijdens immersielithografie belichtingsproces. De halfgeleiderinrichting 100 kan een halfgeleiderwever of andere geschikte inrichting zijn. In de huidige uitvoeringsvorm omvat de halfgeleiderinrichting 100 een 5 siliciumsubstraat 110 met organische bodemantireflectiecoating (BAEtC), anorganische bodemantireflectielaag, etsresistentie organische laag, adhesie verbeterende organische laag, verscheidene gedoteerde gebieden, diëlektrische structuren, en multiniveauverbindingen. Het substraat kan als alternatief andere geschikte halfgeleidermaterialen omvatten, 10 waaronder Ge, SiGe of GaAs. Het substraat kan alternatief een niet-halfgeleidermateriaal omvatten zoals een glasplaat voor dunne film transistor vloeibaar kristalbeeldscherminrichtingen (TFT-LCD). De halfgeleiderinrichting 100 kan voorts één of meer materiaallagen omvatten waarin patronen moeten worden aangebracht.FIG. 1 provides a cross-sectional view of a semiconductor device 100 during immersion lithography exposure process. The semiconductor device 100 can be a semiconductor weaver or other suitable device. In the present embodiment, the semiconductor device 100 comprises an organic substrate antireflection coating (BAEtC) silicon substrate 110, anorganic substrate antireflection layer, organic layer etching resistance, adhesion enhancing organic layer, various doped regions, dielectric structures, and multi-level connections. The substrate may alternatively comprise other suitable semiconductor materials, including Ge, SiGe or GaAs. The substrate may alternatively comprise a non-semiconductor material such as a glass plate for thin film transistor liquid crystal display devices (TFT-LCD). The semiconductor device 100 may further comprise one or more layers of material in which patterns are to be applied.

15 De halfgeleiderinrichtinglOO omvat een fotogevoelige laag (fotoresist of resist) 120. In de huidige uitvoeringsvorm heeft de resistlaag 120 een dikte tussen ongeveer 50 Angstroms en 5000 Angstroms.The semiconductor device 100 comprises a photosensitive layer (photoresist or resist) 120. In the present embodiment, the resist layer 120 has a thickness between about 50 Angstroms and 5000 Angstroms.

In een andere uitvoeringsvorm kan de resistlaag 120 een dikte hebben tussen ongeveer 500 Angstroms en 2000 Angstroms. De resistlaag 20 120 gebruikt een chemische versterking (CA) resistmateriaal. De resistlaag 120 omvat een polymeermateriaal dat oplosbaar wordt in een ontwikkelaar zoals een basische oplossing wanneer het polymeer reageert met zuur. Het resist 120 omvat voorts een oplosmiddelvulling in het polymeer. Het oplosmiddel kan gedeeltelijk verdampt zijn ten gevolge van een eerder 25 bakproces. Het resist 120 omvat ook een fotozuurgenerator (PAG) 130 materiaal, met PAG-moleculen verdeelt in het oplosmiddel en/of polymeer. Wanneer het foto-energie absorbeert, valt het PAG 130 uiteen en vormt een kleine hoeveelheid zuur. Het PAG 130 kan een concentratie hebben tussen ongeveer 1 en 15 gewichtsprocent van het resistpolymeer 120.In another embodiment, the resist layer 120 may have a thickness between about 500 Angstroms and 2000 Angstroms. The resist layer 120 uses a chemical reinforcement (CA) resist material. The resist layer 120 comprises a polymeric material that becomes soluble in a developer such as a basic solution when the polymer reacts with acid. The resist 120 further comprises a solvent filling in the polymer. The solvent may be partially evaporated due to an earlier baking process. The resist 120 also includes a photo acid generator (PAG) 130 material, with PAG molecules distributed in the solvent and / or polymer. When it absorbs photo energy, the PAG 130 disintegrates and forms a small amount of acid. The PAG 130 can have a concentration between about 1 and 15 weight percent of the resist polymer 120.

44

Verder in de huidige uitvoeringsvorm omvat het resist 120 tevens een quenchermateriaal 140 dat verdeelt in het oplosmiddel en polymeer. De quencher 140 is een basisch type en is in staat om zuur te neutraliseren. Collectief of alternatief kan de quencher andere actieve componenten van 5 het resist 120 remmen, zoals het verhinderen dat PAG en fotozuur reageren. De quencher 140 kan een concentratie hebben tussen 0,5 en 8 gewichtsprocent van het resist. De quencher 140 kan alternatief een concentratie hebben van ongeveer '/ van de concentratie van het PAG 130 bij gewicht voor het beliehtingsproces. In een voorbeeld omvat de quencher 10 140 een stikstofatoom met een ongepaard elektron dat in staat is een zuur te neutraliseren. In een belichtingsprocesstap tijdens een immersiefotolithografisch patroonvorming, wordt de resistlaag 120 blootgesteld aan een stralingsenergie zoals diep ultraviolet (DUV) door een fotomasker (masker of reticle) met een vooraf bepaald patroon, resulterend 15 in een resistpatroon dat een veelvoud van onbelichte gebieden omvat zoals onbelichte structuren 120 a en een veelvoud van belichte gebieden zoals belichte structuren 120b. De stralingsenergie kan een 248 nanometerbundel van Krypton Fluoride (KrF) excimeerlasers of een 193 nanometerbundel van Argon Fluoride (ArF) excimeerlasers omvatten. De immersielithografie 20 omvat voorts een immersiefluïdum tussen de halfgeleiderinrichting 100 en een lens van een lithografiesysteem dat wordt gebruikt om de belichtingsprocesstap uit te voeren. Het immersiefluïdum kan gede-ioniseerd water (Dl water of DIW) omvatten. Het fluïdum kan voorts chemische additieven omvatten zoals zuur, zout of polymeer. Het fluïdum 25 kan alternatief andere geschikte fluïda omvatten met een brekingsindex hoger dan 1,44, de brekingsindex van DIW. Tijdens een belichtingsproces, kan het waterdruppelresidu, zoals een voorbeeldwaterdruppel 150, achtergelaten worden op de resistlaag na het belichtingsproces.Further in the present embodiment, the resist 120 also comprises a quencher material 140 that divides into the solvent and polymer. The quencher 140 is a basic type and is capable of neutralizing acid. Collectively or alternatively, the quencher may inhibit other active components of the resist 120, such as preventing PAG and photoacid from reacting. The quencher 140 can have a concentration between 0.5 and 8 weight percent of the resist. The quencher 140 may alternatively have a concentration of about 1 / of the concentration of the PAG 130 by weight for the exposure process. In one example, the quencher 140 comprises a nitrogen atom with an unpaired electron capable of neutralizing an acid. In an exposure process step during an immersion photolithographic patterning, the resist layer 120 is exposed to a radiant energy such as deep ultraviolet (DUV) through a photomask (mask or reticle) with a predetermined pattern, resulting in a resist pattern comprising a plurality of unexposed areas such as unexposed areas structures 120a and a plurality of exposed areas such as exposed structures 120b. The radiant energy can include a 248 nanometer beam from Krypton Fluoride (KrF) excimer lasers or a 193 nanometer beam from Argon Fluoride (ArF) excimer lasers. The immersion lithography 20 further comprises an immersion fluid between the semiconductor device 100 and a lens of a lithography system that is used to perform the exposure process step. The immersion fluid can comprise deionized water (D1 water or DIW). The fluid may further comprise chemical additives such as acid, salt or polymer. The fluid 25 may alternatively comprise other suitable fluids with a refractive index higher than 1.44, the refractive index of DIW. During an exposure process, the water drop residue, such as an exemplary water drop 150, can be left on the resist layer after the exposure process.

In voorgaande immersielithografiepatroonvormingsprocessen kan 30 het waterdruppelresidu problemen veroorzaken zoals het vormen van een 5 watermerk zoals geïllustreerd in dwarsdoorsneden van een halfgeleiderinrichting 200 van Fig. 2 en 3. Een waterdruppel 130 die is achtergebleven op een fotogevoelige laag 120 van de halfgeleiderinrichting 200 kan een pad verschaffen voor PAG 130 en quencher 140. De quencher 5 140 kan in onbelicht resistgebied 120a in de waterdruppel diffunderen en verder diffunderen in het belichte resistgebied 120, waarbij het fotogegenereerde zuur wordt geneutraliseerd en/of belichtingsefficiency in de belichte gebieden wordt gereduceerd. Voorts valt het belichte PAG uiteen als PAG anion en zuur, welke meer oplosbaar is in water dan onbelicht 10 PAG. Het fotogegenereerde zuur kan in de waterdruppel diffunderen met additionele effecten zodat de belichte gebieden van het resist 120 gereduceerd fotogegenereerd zuur hebben. Deze belichte gebieden van de resistlaag 120 kunnen dus onvoldoende fotogegenereerd zuur hebben om een cascade van chemische transformatie (zuurversterking) te induceren na 15 de belichtingsprocesstap, en/of kunnen niet volledig oplosbaar zijn in ontwikkeloplossing bij een ontwikkelprocesstap. Aldus kan een onverwacht T-top resiststructuur (brugprofiel of watermerk) 120c worden gevormd op de belichte gebieden van de resistlaag 120 waarin het topresistmateriaal van het belichte gebied niet oplosbaar is een ontwikkeloplossing.In previous immersion lithography patterning processes, the water drop residue may cause problems such as forming a watermark as illustrated in cross sections of a semiconductor device 200 of FIG. 2 and 3. A water droplet 130 left on a photosensitive layer 120 of the semiconductor device 200 can provide a path for PAG 130 and quencher 140. The quencher 140 can diffuse into unexposed resist region 120a in the water droplet and further diffuse into the exposed resist region 120, wherein the photogenerated acid is neutralized and / or exposure efficiency in the exposed areas is reduced. Furthermore, the exposed PAG falls apart as PAG anion and acid, which is more soluble in water than unexposed PAG. The photogenerated acid can diffuse into the water droplet with additional effects so that the exposed areas of the resist 120 have reduced photogenerated acid. Thus, these exposed areas of the resist layer 120 may have insufficient photogenerated acid to induce a cascade of chemical transformation (acid enhancement) after the exposure process step, and / or may not be completely soluble in development solution at a development process step. Thus, an unexpected T-top resist structure (bridge profile or watermark) 120c can be formed on the exposed areas of the resist layer 120 in which the top resist material of the exposed area is not soluble in a developing solution.

20 Volgens de huidige uiteenzetting heeft de quencher 140 gereduceerde mobiliteit zodat de diffusie door de waterdruppel in hoofdzaak wordt gereduceerd. In één voorbeeld is de mobiliteit van de quencher gereduceerd zodanig dat de quencher in staat is te worden uitgeloogd tot minder dan ongeveer 1013 mol per cm2 in een immersiefluïdum tijdens 25 immersielithografie.According to the present explanation, the quencher 140 has reduced mobility so that the diffusion through the water droplet is substantially reduced. In one example, the mobility of the quencher is reduced such that the quencher is capable of being leached to less than about 1013 moles per cm 2 in an immersion fluid during immersion lithography.

In een uitvoeringsvorm van de uitvinding zoals getoond in Fig. 4, is de quencher 140 chemische gebonden aan een polymeer 160 zodat de quencher een gereduceerde mobiliteit heeft. Het polymeer 160 wordt oplosbaar in een ontwikkeloplossing na reactie met een zuur. Het polymeer 30 160 omvat voorts een korte ketenpolymeer, welke oplosbaar is in 6 ontwikkeloplossing. De quencher 140 is niet in staat om in de waterdruppel te diffunderen, hetgeen resulteert in een beperkt bereik van mobiliteit door een kettingbewegingen van het polymeer 160 en/of quencher 140.In an embodiment of the invention as shown in FIG. 4, the quencher 140 is chemically bonded to a polymer 160 so that the quencher has reduced mobility. The polymer 160 becomes soluble in a developing solution after reaction with an acid. The polymer 160 further comprises a short chain polymer, which is soluble in 6 development solution. The quencher 140 is unable to diffuse into the water droplet, resulting in a limited range of mobility due to chain movements of the polymer 160 and / or quencher 140.

Onder verwijzing naar Fig. 5a, kan de quencher 140 gebonden zijn 5 aan een koolstofeenheid 162 van het polymeer 160 door een stikstofatoom 142 van de quencher. In de huidige uitvoeringsvorm omvat het stikstofatoom 142 een ongepaard elektron om zuur of andere actieve componenten van het resist te neutraliseren. De quencher 140 omvat eerste en tweede chemische groepen 144, 146 zoals aan het stikstofatoom 142 10 gebonden alkylgroepen. Een alkylgroep kan H, CH3, C2H5, CF3, C2F5, ringtype polymeer of ringtype polymeer met het einde van de ring gebonden aan stikstofatoom 142 omvatten. De eerste en tweede chemische groepen 144 en 146 kunnen als alternatief andere chemische groepen omvatten. In andere voorbeelden kan het polymeer 160 twee koolstofeenheden 164 in Fig. 15 5b omvatten, of 3 koolstofeenheden 166 in Fig. 5c, of zelfs meer koolstofeenheden gebonden aan het stikstof 142 van de quencher. Dergelijke koolstofstructuur heeft meerdere koolstofeenheden in een keten en verschaft een zekere flexibiliteit aan de gebonden quencher 140. Het polymeer als alternatief andere atomaire eenheden omvatten gebonden aan de quencher 20 140.With reference to FIG. 5a, the quencher 140 may be bonded to a carbon unit 162 of the polymer 160 by a nitrogen atom 142 of the quencher. In the present embodiment, the nitrogen atom 142 comprises an unpaired electron to neutralize acid or other active components of the resist. The quencher 140 includes first and second chemical groups 144, 146 such as alkyl groups bonded to the nitrogen atom 142. An alkyl group can include H, CH 3, C 2 H 5, CF 3, C 2 F 5, ring-type polymer or ring-type polymer with the end of the ring bonded to nitrogen atom 142. The first and second chemical groups 144 and 146 may alternatively comprise other chemical groups. In other examples, the polymer 160 may have two carbon units 164 in FIG. 5b, or 3 carbon units 166 in FIG. 5c, or even more carbon units bound to the nitrogen 142 of the quencher. Such a carbon structure has multiple carbon units in a chain and provides a certain flexibility to the bound quencher 140. The polymer alternatively includes other atomic units bound to the quencher 140.

Onder verwijzing naar Fig. 6, kan in een andere uitvoeringsvorm de quencher 140 fysiek zijn gevangen (volledig of ten delen) in het polymeer 160. De quencher 140 kan een afmeting hebben die in hoofdzaak groot is ten opzichte van een gemiddelde roosterafmeting van het netwerk van het 25 polymeer 160 zodat de quencher 140 fysiek binnenin is gevangen. De quencher 140 kan alternatief een zekere structurele groep hebben om fysieke verstrengeling te verbeteren. De quencher 140 kan bijvoorbeeld een lange staart (een lange keten) of een vertakte keten omvatten zodat de quencher 140 fysiek verstrengeld met of gevangen door het polymeer 160 30 kan zijn. In een andere uitvoeringsvorm kan de quencher 140 een 7 ringstructuur omvatten, een lange keten, een vertakte groep of combinaties daarvan om de quenchermobiliteit te reduceren.With reference to FIG. 6, in another embodiment, the quencher 140 may be physically trapped (completely or partially) in the polymer 160. The quencher 140 may have a size that is substantially large relative to an average grid size of the network of the polymer 160 so that the quencher 140 is physically trapped inside. The quencher 140 may alternatively have a certain structural group to improve physical entanglement. For example, the quencher 140 may include a long tail (a long chain) or a branched chain so that the quencher 140 may be physically entangled with or trapped by the polymer 160. In another embodiment, the quencher 140 may include a 7-ring structure, a long chain, a branched group, or combinations thereof to reduce quench mobility.

Fig. 7a-7j tonen verscheidene voorbeeldstructuren van de quencher. In quencher in Fig. 7a omvat twee alkylgroepen en een 5 ringstructuur zoals een koolstofring. Een quencher in Fig. 7d omvat één alkylgroep en twee ringstructuren. Een quencher in Fig. 7b omvat drie ringstructuren. Een quencher in Fig. 7c omvat twee alkylgroepen en één ringstructuur met een zuurstofatoom. Een quencher in Fig. 7e omvat twee alkylgroepen en een lange staart zoals een koolstofketen. Een quencher in 10 Fig. 7f omvat twee alkylgroepen en een lange staart met een zuurstofatoom. Een quencher in Fig. 7g omvat één ringstructuur met een zuurstof en twee lange ketenstructuren. Een quencher in Fig. 7h omvat twee alkylgroepen en één vertakte structuur met twee korte staarten. Een quencher in Fig. 7i omvat twee alkylgroepen en één vertakte structuur met twee lange 15 staarten. Een quencher in Fig. 7j omvat twee alkylgroepen en één vertakte structuur met drie korte staarten. Andere combinaties kunnen worden geïmplementeerd om de mobiliteit van de quencher aan te passen voor optimale performance.FIG. 7a-7j show various exemplary structures of the quencher. In the quencher in FIG. 7a comprises two alkyl groups and a ring structure such as a carbon ring. A quencher in FIG. 7d includes one alkyl group and two ring structures. A quencher in FIG. 7b comprises three ring structures. A quencher in FIG. 7c comprises two alkyl groups and one ring structure with an oxygen atom. A quencher in FIG. 7e includes two alkyl groups and a long tail such as a carbon chain. A quencher in FIG. 7f comprises two alkyl groups and a long tail with an oxygen atom. A quencher in FIG. 7g comprises one ring structure with an oxygen and two long chain structures. A quencher in FIG. 7h includes two alkyl groups and one branched structure with two short tails. A quencher in FIG. 7i comprises two alkyl groups and one branched structure with two long tails. A quencher in FIG. 7j comprises two alkyl groups and one branched structure with three short tails. Other combinations can be implemented to adjust the mobility of the quencher for optimum performance.

Onder verwijzing naar Fig. 8a en 8b is in een ander voorbeeld de 20 quencher hydrofoob en diffundeert daarom moeilijk naar een waterdruppel. De quencher kan ten minste één hydrofobe groep omvatten. De quencher omvat bijvoorbeeld een fluoride. De quencher in Fig. 8a omvat drie alkylgroepen en ten minste één daarvan heeft een fluoride. De quencher in Fig. 8b omvat een alkylgroep, één ring met een zuurstof, en een lange keten 25 met meerdere fluoride.With reference to FIG. 8a and 8b, in another example, the quencher is hydrophobic and therefore difficult to diffuse into a drop of water. The quencher can comprise at least one hydrophobic group. The quencher comprises, for example, a fluoride. The quencher in FIG. 8a comprises three alkyl groups and at least one of them has a fluoride. The quencher in FIG. 8b includes an alkyl group, one ring with an oxygen, and a long chain with multiple fluoride.

In een andere uitvoeringsvorm kunnen op de resistlaag achtergebleven waterdruppels met zuur worden behandeld direct na het belichtingsproces. De zuurbehandeling kan worden geïmplementeerd door zuur op het resistoppervlak (en/of de waterdruppels daarop) te sproeien 30 door een chemische inlaat die in het immersielithografiesysteem is 8 geïntegreerd. De pH-waarde van de behandelde waterdruppels kan worden aangepast tot een waarde onder ongeveer 6. Aldus heeft de quencher een gereduceerde diffusiesnelheid in de waterdruppel. Voorts kan fotogegenereerd zuur eveneens een gereduceerde diffusiesnelheid in de 5 waterdruppel hebben. De zuurbehandeling kan ook in de resistfilm diffunderen en in hoofdzaak het uitlogen van het fotozuur compenseren.In another embodiment, water droplets remaining on the resist layer can be treated with acid immediately after the exposure process. The acid treatment can be implemented by spraying acid onto the resist surface (and / or the water droplets thereon) through a chemical inlet integrated into the immersion lithography system. The pH value of the treated water droplets can be adjusted to a value below about 6. Thus, the quencher has a reduced diffusion rate in the water droplet. Furthermore, photogenerated acid can also have a reduced diffusion rate in the water drop. The acid treatment can also diffuse into the resist film and essentially compensate for the leaching of the photo acid.

In verscheidene uitvoeringsvormen is de mobiliteit van de quencher naar de waterdruppel op de resistlaag in hoofdzaak gereduceerd. Het watermerkeffect is eveneens in hoofdzaak gereduceerd. Verscheidene 10 uitvoeringsvorm kunnen worden aangepast of gecombineerd voor een geoptimaliseerd resistpatroonvormingsproces.In various embodiments, the mobility from the quencher to the drop of water on the resist layer is substantially reduced. The watermark effect is also substantially reduced. Various embodiments can be adapted or combined for an optimized resist patterning process.

Onder verwijzing naar Fig. 9 een stroomdiagram van een immersielithografie werkwijze 900 vormt een resistpatroon zoals beschreven. De werkwijze 900 omvat een stap 902 voor het vormen van een fotogevoelige 15 (resist)laag op een halfgeleiderwever. De resistlaag is in hoofdzaak gelijk aan de resistlaag 120 van Fig. 1, waarin het quenchermateriaal een gereduceerde mobiliteit heeft. De quencher kan structuren hebben soortgelijk aan die getoond in Fig. 5a-5c, Fig. 7a-7j en Fig. 8a-8b, of combinaties daarvan.With reference to FIG. 9 a flowchart of an immersion lithography method 900 forms a resist pattern as described. The method 900 includes a step 902 for forming a photosensitive (resist) layer on a semiconductor weaver. The resist layer is substantially the same as the resist layer 120 of FIG. 1, wherein the quenching material has reduced mobility. The quencher may have structures similar to those shown in FIG. 5a-5c, FIG. 7a-7j and FIG. 8a-8b, or combinations thereof.

20 De werkwijze 900 omvat voorts een stap 904 voor het belichten van de resistlaag met een stralingsenergie zoals DUV door een fotomasker en een immersiefluïdum. Het immersiefluïdum kan DIW zijn of andere geschikte fluïda met een hoge brekingsindex en is tussen de halfgeleiderwever en lens van een immersielithografiesysteem geplaatst 25 voor het implementeren van de werkwijze 900. Aangezien de quencher een gereduceerde mobiliteit heeft heeft de quencher een gereduceerde uitloging in waterdruppels die zijn achtergebleven op de resistlaag na de belichtingsstap 904.The method 900 further comprises a step 904 for illuminating the resist layer with a radiant energy such as DUV through a photomask and an immersion fluid. The immersion fluid can be DIW or other suitable fluids with a high refractive index and is placed between the semiconductor weaver and lens of an immersion lithography system for implementing the method 900. Since the quencher has reduced mobility, the quencher has a reduced leaching in water drops that are remaining on the resist layer after the exposure step 904.

De werkwijze 900 gaat dan verder naar een stap 906 voor het 30 bakken (bakken na belichting of PEB) van de resistlaag. De 9 baktemperatuur kan liggen tussen ongeveer 80°C en 150°C. Het bakken kan een tijdsduur hebben van bijvoorbeeld enkele minuten. De bakstap kan voorts het verwijderen van op de resistlaag achtergebleven waterdruppels omvatten. De werkwijze 900 gaat dan verder naar een stap 908 voor het 5 ontwikkelen van de resistlaag in een ontwikkeloplossing. De belichte resistgebieden worden in hoofdzaak opgelost.The method 900 then proceeds to a step 906 for baking (baking after exposure or PEB) of the resist layer. The baking temperature can be between approximately 80 ° C and 150 ° C. Baking can have a duration of, for example, a few minutes. The baking step may further comprise removing water droplets remaining on the resist layer. The method 900 then proceeds to a step 908 for developing the resist layer in a developing solution. The exposed resist areas are essentially resolved.

De werkwijze 900 kan voorts een stap tussen de belichtingsstap en de bakstap 906 omvatten voor het behandelen van de op de resistlaag achtergebleven waterdruppels zodat de waterdruppels een pH-waarde onder 10 6 hebben. Dergelijke zuurbehandelde waterdruppels kunnen tevens de diffusie van de basische quencher naar de waterdruppel neutraliseren. Dit kan de invloed van de diffusie van de quencher naar de belichte resistgebieden door de waterdruppels reduceren en kan tevens de diffusie van het zuur van de belichte resistgebieden in de waterdruppels reduceren. 15 Aldus verschaft de huidige uiteenzetting een fotoresistmateriaal met een polymeer dat oplosbaar wordt in een basische oplossing in response op reactie met zuur. Het materiaal omvat een fotozuurgenerator (PAG) dat uiteen valt om zuur te vormen in response op stralingsenergie en een quencher die in staat is om zuur te neutraliseren en een gereduceerde 20 mobiliteit heeft.The method 900 may further include a step between the exposure step and the baking step 906 for treating the water droplets remaining on the resist layer so that the water droplets have a pH value below 6. Such acid-treated water droplets can also neutralize the diffusion from the basic quencher to the water drop. This can reduce the influence of the diffusion of the quencher to the exposed resist areas through the water droplets and can also reduce the diffusion of the acid from the exposed resist areas into the water droplets. Thus, the present disclosure provides a photoresist material with a polymer that becomes soluble in a basic solution in response to reaction with acid. The material comprises a photo acid generator (PAG) that disintegrates to form acid in response to radiant energy and a quencher that is able to neutralize acid and has reduced mobility.

In sommige uitvoeringsvormen omvat de quencher een concentratie van meer dan ongeveer een half gewichtsprocent van het polymeer. De quencher kan in staat zijn om te worden uitgeloogd tot een hoeveelheid van minder dan ongeveer 5x 10 13 mol/cm2 in een immersiefluïdum. Het 25 immersiefluïdum kan water omvatten. Het immersiefluïdum kan een geschikt fluïdum omvatten met een brekingsindex (n) groter dan 1,44. De quencher kan chemisch aan het polymeer gebonden zijn. Het polymeer kan ten minste één koolstofeenheid omvatten die is gebonden aan de quencher. De ten minste ene koolstofeenheid kan gebonden zijn aan een stikstofatoom 30 van de quencher. De quencher kan een stikstofatoom omvatten met een 10 ongepaard elektron. De quencher kan ten minste één met het stikstofatoom verbonden ringstructuur omvatten. De quencher kan ten minste één met het stikstofatoom verbonden vier-koolstofketen omvatten. De quencher kan ten minste vier met het stikstofatoom van de quencher verbonden 5 atoomeenheden omvatten. De quencher kan ten minste één met het stikstofatoom van de quencher verbonden takketen omvatten. De quencher kan in hoofdzaak hydrofoob zijn. De quencher kan fluoride omvatten.In some embodiments, the quencher comprises a concentration of more than about half a weight percent of the polymer. The quencher may be capable of being leached to an amount of less than about 5 x 10 13 mol / cm 2 in an immersion fluid. The immersion fluid can comprise water. The immersion fluid can comprise a suitable fluid with a refractive index (s) greater than 1.44. The quencher can be chemically bonded to the polymer. The polymer can comprise at least one carbon unit that is bound to the quencher. The at least one carbon unit can be bound to a nitrogen atom of the quencher. The quencher can comprise a nitrogen atom with an unpaired electron. The quencher can comprise at least one ring structure connected to the nitrogen atom. The quencher can comprise at least one four-carbon chain connected to the nitrogen atom. The quencher can comprise at least four atomic units connected to the nitrogen atom of the quencher. The quencher can comprise at least one branch chain connected to the nitrogen atom of the quencher. The quencher can be substantially hydrophobic. The quencher can include fluoride.

De huidige uiteenzetting verschaft tevens een materiaal met een polymeer dat oplosbaar wordt in een basische oplossing in response op 10 reactie met zuur. Het materiaal omvat een veelvoud van fotozuurgeneratoren (PAGs) die uiteenvallen om zuur te vormen in response op stralingsenergie; en een veelvoud van quenchers die in staat zijn zuur te neutraliseren en een gereduceerde mobiliteit hebben door tenminste: - chemisch te zijn gebonden aan het polymeer; 15 - in hoofdzaak hydrofoob te zijn; en/of - fysiek te zijn gevangen in het polymeer.The present disclosure also provides a material with a polymer that becomes soluble in a basic solution in response to reaction with acid. The material comprises a plurality of photo acid generators (PAGs) that disintegrate to form acid in response to radiant energy; and a plurality of quenchers capable of neutralizing acid and having reduced mobility by at least: being chemically bonded to the polymer; - be substantially hydrophobic; and / or - be physically trapped in the polymer.

In sommige uitvoeringsvormen omvat het veelvoud van quenchers een concentratie van ongeveer M van een concentratie van het veelvoud van PAGs. Elk van het veelvoud van quenchers kan een stikstofatoom omvatten 20 met een ongepaard elektron. Elk van het veelvoud van quenchers kan een aan het stikstof verbonden chemische groep omvatten, waarbij de chemische groep is geselecteerd uit de groep die bestaat uit één alkylgroep, een ringstructuur, een lange keten, een vertakte groep, en combinaties daarvan. Het veelvoud van quenchers kan een gereduceerde mobiliteit omvatten 25 zodanig dat het veelvoud van quenchers in staat is te worden uitgeloogd minder dan ongeveerd 5x10 13 mol per cm2 in een immersiefluïdum. Het materiaal kan voorts een oplosmiddel in het polymeer omvatten.In some embodiments, the plurality of quenchers comprises a concentration of about M of a concentration of the plurality of PAGs. Each of the plurality of quenchers can comprise a nitrogen atom with an unpaired electron. Each of the plurality of quenchers may comprise a chemical group attached to the nitrogen, the chemical group being selected from the group consisting of one alkyl group, a ring structure, a long chain, a branched group, and combinations thereof. The plurality of quenchers may include reduced mobility such that the plurality of quenchers is capable of being leached less than about 5 x 10 13 moles per cm 2 in an immersion fluid. The material may further comprise a solvent in the polymer.

De huidige uiteenzetting verschaft tevens een werkwijze voor immersielithografie. De werkwijze omvat het vormen van een fotogevoelige 30 laag op een substraat, waarbij de fotogevoelige laag omvat; een polymeer 11 dat oplosbaar wordt in een basische oplossing in response op reactie met zuur; een veelvoud van fotozuurgeneratoren (PAGs) die uiteenvallen om zuur te vormen in response stralingsenergie; en een veelvoud van quenchers die in staat zijn om zuur te neutraliseren en een gereduceerde mobiliteit 5 hebben. De werkwijze omvat het belichten van de fotogevoelige laag gebruikmakend van een immersielensssysteem; het bakken van de fotogevoelige laag waarbij de fotogevoelige laag in staat is om het veelvoud van quenchers uit te logen minder dan ongeveer 5xl013 mol per cm2 in een immersiefluïdum; en het ontwikkelen van de fotogevoelige laag. De 10 werkwijze kan voorts een zuurbehandeling omvatten zodanig dat pH-waarde van waterdruppels op de fotogevoelige laag lager dan 6 is na het belichten van de fotogevoelige laag. Bij de werkwijze kan het bakken van de fotogevoelige het verwijderen van waterdruppel omvatten.The present explanation also provides a method for immersion lithography. The method comprises forming a photosensitive layer on a substrate, the photosensitive layer comprising; a polymer 11 that becomes soluble in a basic solution in response to reaction with acid; a plurality of photo acid generators (PAGs) that disintegrate to form acid in response radiant energy; and a plurality of quenchers capable of neutralizing acid and having reduced mobility. The method comprises exposing the photosensitive layer using an immersion lens system; baking the photosensitive layer wherein the photosensitive layer is capable of leaching out the plurality of quenchers less than about 5 x 10 13 moles per cm 2 in an immersion fluid; and developing the photosensitive layer. The method may further comprise an acid treatment such that the pH value of water droplets on the photosensitive layer is lower than 6 after exposure of the photosensitive layer. In the method, baking the photosensitive may include removing water drop.

Het voorgaande heeft maatregelen van verscheidene 15 uitvoeringsvormen uiteengezet zodat een vakman de gedetailleerde beschrijving beter kan begrijpen. De vakman zal begrijpen dan de huidige uiteenzetting kan worden gebruikte als een basis voor het ontwerpen of aanpassen van andere processen en structuren voor het uitvoeren van dezelfde doelen en/of het bereiken van dezelfde voordelen van de hierin 20 geïntroduceerde uitvoeringsvormen.The foregoing has explained measures of various embodiments so that a person skilled in the art can better understand the detailed description. Those skilled in the art will understand that the current disclosure can be used as a basis for designing or modifying other processes and structures for carrying out the same goals and / or achieving the same benefits of the embodiments introduced herein.

Claims

A material for use in immersion lithography, comprising: a polymer that becomes soluble in a basic solution in response to reaction with acid; a photo acid generator (PAG) that disintegrates to form an acid in response to a radiant energy; and a quencher capable of neutralizing acid and chemically bonded to the polymer wherein the quencher is capable of being leached to an amount of less than 5 x 10 13 mol / cm 2 in a fluid used in immersion lithography. 10

The material of claim 1, wherein the polymer comprises at least one carbon unit bonded to the quencher.

3. Material according to claim 1, wherein the quencher comprises a concentration of more than 0.5% by weight of the polymer.

The material of claim 1, wherein the quencher comprises a concentration of one fourth of the concentration of the photo acid generator. 20

The material of claim 1, wherein the quencher comprises a nitrogen atom bonded to the polymer.

6. Material according to claims 2 and 5, wherein the at least one carbon unit of the polymer is bonded to the nitrogen atom of the quencher.

The material of claim 1, wherein the quencher comprises a nitrogen atom capable of neutralizing acid.

8. Material according to claim 7, wherein the quencher comprises a chemical group bonded to the nitrogen atom, wherein the chemical group is an alkyl group, a ring structure, a long chain, a branched group, and combinations thereof.

The material of claim 1, further comprising a solvent. 10

The material of claim 1, wherein the fluid comprises water.

The material of claim 1, wherein the fluid comprises a refractive index (s) of greater than 1.44. 15

12. Method for immersion lithography, comprising: forming a photosensitive layer on a substrate, the photosensitive layer comprising: a polymer that becomes soluble in a basic solution in response to reaction with acid; a photo acid generator (PAG) that disintegrates to form acid in response to a radiant energy; and a quencher capable of neutralizing acid and chemically bound to the polymer; Exposing the photosensitive layer in an immersion lithography system with an immersion fluid; baking the photosensitive layer, wherein the photosensitive layer is capable of leaching out the quencher at a rate of less than 5 x 10 13 mol / cm 2 in the immersion fluid; and developing the exposed photosensitive layer.

The method of claim 12, further comprising performing an acid treatment such that a pH value of water droplets on the photosensitive layer is lower than 6 after exposing the photosensitive layer.

The method of claim 12, wherein baking the photosensitive layer is configured to simplify the removal of water droplets.