JP2015121816A5 - - Google Patents
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- 239000011347 resin Substances 0.000 claims 45
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 20
- 238000007654 immersion Methods 0.000 claims 12
- FAYMLNNRGCYLSR-UHFFFAOYSA-M Triphenylsulfonium triflate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)F.C1=CC=CC=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 FAYMLNNRGCYLSR-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 9
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims 8
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 claims 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims 8
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims 6
- 125000002837 carbocyclic group Chemical class 0.000 claims 6
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims 6
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims 4
- 238000000671 immersion lithography Methods 0.000 claims 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims 4
- -1 hydroxyl naphthyl groups Chemical group 0.000 claims 3
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims 2
- 241000894007 species Species 0.000 claims 1
Claims (34)
- (iii)1種以上の物質が、前記1種以上の樹脂と実質的に非混和性である、請求項1に記載の方法。
- 液浸リソグラフィー流体がフォトレジスト塗膜層の上面と接触しており、および/または当該システムが液浸フォトリソグラフィー露光ツールをさらに含む、請求項4に記載のシステム。
- (a)(i)1種以上の樹脂、
(ii)光活性成分、および
(iii)ヒドロキシ置換された多環炭素環式アリール基および1種以上の光酸不安定基を含む1種以上の物質;
を含むフォトレジスト組成物を基体上に適用し;並びに
(b)フォトレジスト組成物を活性化する放射線でフォトレジスト層を液浸露光する;
ことを含み、ただし、前記(iii)1種以上の物質は、フッ素原子を含まず、前記(iii)1種以上の物質の流体力学的体積が、前記(i)1種以上の樹脂の流体力学的体積よりも小さい、フォトレジスト組成物を処理する方法。 - 前記ヒドロキシ置換された多環炭素環式アリール基を含む1種以上の物質が、前記1種以上の樹脂と実質的に非混和性である、請求項7に記載の方法。
- 前記1種以上の実質的に非混和性の樹脂が、ヒドロキシルナフチル基を含む、請求項7または8に記載の方法。
- 前記1種以上の実質的に非混和性の物質が、水性塩基可溶性基を含む、請求項7〜9のいずれか1項に記載の方法。
- (a)(i)1種以上の樹脂、
(ii)光活性成分、および
(iii)ヒドロキシ置換された多環炭素環式アリール基および1種以上の光酸不安定基を含む1種以上の物質;
を含み、ただし、前記(iii)1種以上の物質は、フッ素原子を含まず、前記(iii)1種以上の物質の流体力学的体積が、前記(i)1種以上の樹脂の流体力学的体積よりも小さいフォトレジスト組成物を基体上に適用し;並びに
(b)フォトレジスト組成物を活性化する放射線でフォトレジスト層を液浸露光する;
ことを含む、フォトレジスト組成物を処理する方法。 - 基体を含み;
基体上にフォトレジスト組成物の塗膜層を有し;
当該フォトレジスト組成物が(i)1種以上の樹脂、(ii)光活性成分、および(iii)ヒドロキシ置換された多環炭素環式アリール基および1種以上の光酸不安定基を含む1種以上の物質を含み、ただし、前記(iii)1種以上の物質は、フッ素原子を含まず、前記(iii)1種以上の物質の流体力学的体積が、前記(i)1種以上の樹脂の流体力学的体積よりも小さい;
被覆された基体システム。 - 液浸リソグラフィー流体がフォトレジスト塗膜層の上面と接触しており、および/または当該システムが液浸フォトリソグラフィー露光ツールをさらに含む、請求項12に記載のシステム。
- (i)1種以上の樹脂、
(ii)光活性成分、および
(iii)ヒドロキシ置換された多環炭素環式アリール基および1種以上の光酸不安定基を含み、前記1種以上の樹脂とは異なりかつ前記1種以上の樹脂と実質的に非混和性である1種以上の物質;
を含み、ただし、前記(iii)1種以上の物質は、フッ素原子を含まず、前記(iii)1種以上の物質の流体力学的体積が、前記(i)1種以上の樹脂の流体力学的体積よりも小さいフォトレジスト組成物。 - (a)(i)1種以上の樹脂、
(ii)光活性成分、および
(iii)ヒドロキシ置換された多環炭素環式アリール基および1種以上の光酸不安定基を含む1種以上の物質;
を含むフォトレジスト組成物を基体上に適用し;並びに
(b)フォトレジスト組成物を活性化する放射線でフォトレジスト層を液浸露光する;
ことを含み、前記(iii)1種以上の物質の流体力学的体積が、前記(i)1種以上の樹脂の流体力学的体積よりも小さい、フォトレジスト組成物を処理する方法。 - 前記ヒドロキシ置換された多環炭素環式アリール基を含む1種以上の物質が、前記1種以上の樹脂と実質的に非混和性である、請求項15に記載の方法。
- 前記1種以上の実質的に非混和性の樹脂が、ヒドロキシルナフチル基を含む、請求項15または16に記載の方法。
- 前記1種以上の実質的に非混和性の物質が、1以上のフッ素基またはフッ素置換基を含む、請求項15〜17のいずれか1項に記載の方法。
- 前記1種以上の実質的に非混和性の物質が、水性塩基可溶性基を含む、請求項15〜18のいずれか1項に記載の方法。
- (a)(i)1種以上の樹脂、
(ii)光活性成分、および
(iii)ヒドロキシ置換された多環炭素環式アリール基および1種以上の光酸不安定基を含む1種以上の物質;
を含み、前記(iii)1種以上の物質の流体力学的体積が、前記(i)1種以上の樹脂の流体力学的体積よりも小さいフォトレジスト組成物を基体上に適用し;並びに
(b)フォトレジスト組成物を活性化する放射線でフォトレジスト層を液浸露光する;
ことを含む、フォトレジスト組成物を処理する方法。 - 基体を含み;
基体上にフォトレジスト組成物の塗膜層を有し;
当該フォトレジスト組成物が(i)1種以上の樹脂、(ii)光活性成分、および(iii)ヒドロキシ置換された多環炭素環式アリール基および1種以上の光酸不安定基を含む1種以上の物質を含み、前記(iii)1種以上の物質の流体力学的体積が、前記(i)1種以上の樹脂の流体力学的体積よりも小さい;
被覆された基体システム。 - 液浸リソグラフィー流体がフォトレジスト塗膜層の上面と接触しており、および/または当該システムが液浸フォトリソグラフィー露光ツールをさらに含む、請求項21に記載のシステム。
- (i)1種以上の樹脂、
(ii)光活性成分、および
(iii)ヒドロキシ置換された多環炭素環式アリール基および1種以上の光酸不安定基を含み、前記1種以上の樹脂とは異なりかつ前記1種以上の樹脂と実質的に非混和性である1種以上の物質;
を含み、前記(iii)1種以上の物質の流体力学的体積が、前記(i)1種以上の樹脂の流体力学的体積よりも小さいフォトレジスト組成物。 - (a)(i)1種以上の樹脂、
(ii)光活性成分、および
(iii)へテロ置換された炭素環式アリール基を含む1種以上の物質;
を含むフォトレジスト組成物を基体上に適用し;並びに
(b)フォトレジスト組成物を活性化する放射線でフォトレジスト層を液浸露光する;
ことを含む、フォトレジスト組成物を処理する方法。 - 前記ヘテロ置換された炭素環式アリール基を含む1種以上の物質が、前記1種以上の樹脂と実質的に非混和性である、請求項24に記載の方法。
- 前記1種以上の実質的に非混和性の物質が、ヘテロ置換された炭素環式アリール基を含む樹脂を含む、請求項24または25に記載の方法。
- 前記1種以上の実質的に非混和性の樹脂が、ヘテロ置換された多環炭素環式アリール基を含む、請求項24または25に記載の方法。
- 前記1種以上の実質的に非混和性の樹脂が、ヒドロキシルナフチル基を含む、請求項24または25に記載の方法。
- 前記1種以上の実質的に非混和性の物質が、1以上のフッ素基またはフッ素置換基を含む、請求項24〜28のいずれか1項に記載の方法。
- 前記1種以上の実質的に非混和性の物質が、水性塩基可溶性基および/または1種以上の光酸不安定基を含む、請求項24〜29のいずれか1項に記載の方法。
- (a)(i)1種以上の樹脂、
(ii)光活性成分、および
(iii)へテロ置換された炭素環式アリール基を含む1種以上の物質;
を含むフォトレジスト組成物を基体上に適用し;並びに
(b)フォトレジスト組成物を活性化する放射線でフォトレジスト層を液浸露光する;
ことを含む、フォトレジスト組成物を処理する方法。 - 基体を含み;
基体上にフォトレジスト組成物の塗膜層を有し;
当該フォトレジスト組成物が(i)1種以上の樹脂、(ii)光活性成分、および(iii)へテロ置換された炭素環式アリール基を含む1種以上の物質を含む;
被覆された基体システム。 - 液浸リソグラフィー流体がフォトレジスト塗膜層の上面と接触しており、および/または当該システムが液浸フォトリソグラフィー露光ツールをさらに含む、請求項32に記載のシステム。
- (i)1種以上の樹脂、
(ii)光活性成分、および
(iii)へテロ置換された炭素環式アリール基を含み、前記1種以上の樹脂とは異なりかつ前記1種以上の樹脂と実質的に非混和性である1種以上の物質;
を含むフォトレジスト組成物。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US19966008P | 2008-11-19 | 2008-11-19 | |
US61/199,660 | 2008-11-19 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009263029A Division JP2010152342A (ja) | 2008-11-19 | 2009-11-18 | ヘテロ置換された炭素環式アリール成分を含む組成物およびフォトリソグラフィー方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015121816A JP2015121816A (ja) | 2015-07-02 |
JP2015121816A5 true JP2015121816A5 (ja) | 2016-01-28 |
JP6310870B2 JP6310870B2 (ja) | 2018-04-11 |
Family
ID=41800560
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009263029A Pending JP2010152342A (ja) | 2008-11-19 | 2009-11-18 | ヘテロ置換された炭素環式アリール成分を含む組成物およびフォトリソグラフィー方法 |
JP2015031404A Expired - Fee Related JP6310870B2 (ja) | 2008-11-19 | 2015-02-20 | ヘテロ置換された炭素環式アリール成分を含む組成物およびフォトリソグラフィー方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009263029A Pending JP2010152342A (ja) | 2008-11-19 | 2009-11-18 | ヘテロ置換された炭素環式アリール成分を含む組成物およびフォトリソグラフィー方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US10359698B2 (ja) |
EP (2) | EP3051348A1 (ja) |
JP (2) | JP2010152342A (ja) |
KR (2) | KR101760802B1 (ja) |
CN (1) | CN101943856B (ja) |
TW (1) | TWI474128B (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101256355B (zh) * | 2006-10-30 | 2013-03-27 | 罗门哈斯电子材料有限公司 | 浸渍平版印刷用组合物和浸渍平版印刷方法 |
US8257902B2 (en) | 2007-11-05 | 2012-09-04 | Deyan Wang | Compositons and processes for immersion lithography |
EP2189845B1 (en) * | 2008-11-19 | 2017-08-02 | Rohm and Haas Electronic Materials LLC | Compositions and processes for photolithography |
JP2013152450A (ja) * | 2011-12-27 | 2013-08-08 | Fujifilm Corp | パターン形成方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、電子デバイスの製造方法及び電子デバイス |
US11491765B2 (en) | 2017-07-06 | 2022-11-08 | Lg Chem, Ltd. | Preparation method for composite material |
Family Cites Families (56)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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EP2189846B1 (en) * | 2008-11-19 | 2015-04-22 | Rohm and Haas Electronic Materials LLC | Process for photolithography applying a photoresist composition comprising a block copolymer |
-
2009
- 2009-03-18 EP EP16159476.7A patent/EP3051348A1/en not_active Withdrawn
- 2009-03-18 EP EP20090155458 patent/EP2189847A3/en not_active Ceased
- 2009-11-18 TW TW98139096A patent/TWI474128B/zh not_active IP Right Cessation
- 2009-11-18 JP JP2009263029A patent/JP2010152342A/ja active Pending
- 2009-11-19 US US12/592,156 patent/US10359698B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2009-11-19 KR KR1020090112093A patent/KR101760802B1/ko active IP Right Grant
- 2009-11-19 CN CN200910249079.0A patent/CN101943856B/zh not_active Expired - Fee Related
-
2015
- 2015-02-20 JP JP2015031404A patent/JP6310870B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2017
- 2017-07-18 KR KR1020170090913A patent/KR101916756B1/ko active IP Right Grant
-
2019
- 2019-07-22 US US16/518,951 patent/US20190346763A1/en not_active Abandoned
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