JP2015121816A5 - - Google Patents

Claims (34)

1. （ａ）（ｉ）１種以上の樹脂、
   （ｉｉ）光活性成分、および
   （ｉｉｉ）下記式によって表される１種以上の物質；
   

   

   （式中ｙは４５モルパーセント以下であり及びｘ＋ｚは５５モルパーセント以上である。）
   を含むフォトレジスト組成物を基体上に適用し；並びに
   （ｂ）フォトレジスト組成物を活性化する放射線でフォトレジスト層を液浸露光する；
   ことを含み、前記（ｉｉｉ）１種以上の物質の流体力学的体積が、前記（ｉ）１種以上の樹脂の流体力学的体積よりも小さい、フォトレジスト組成物を処理する方法。
2. （ｉｉｉ）１種以上の物質が、前記１種以上の樹脂と実質的に非混和性である、請求項１に記載の方法。
3. （ａ）（ｉ）１種以上の樹脂、
   （ｉｉ）光活性成分、および
   （ｉｉｉ）下記式によって表される１種以上の物質；
   

   

   （式中ｙは４５モルパーセント以下であり及びｘ＋ｚは５５モルパーセント以上である。）
   を含み、前記（ｉｉｉ）１種以上の物質の流体力学的体積が、前記（ｉ）１種以上の樹脂の流体力学的体積よりも小さいフォトレジスト組成物を基体上に適用し；並びに
   （ｂ）フォトレジスト組成物を活性化する放射線でフォトレジスト層を液浸露光する；
   ことを含む、フォトレジスト組成物を処理する方法。
4. 基体を含み；
   基体上にフォトレジスト組成物の塗膜層を有し；
   当該フォトレジスト組成物が（ｉ）１種以上の樹脂、（ｉｉ）光活性成分、および（ｉｉｉ）下記式によって表される１種以上の物質を含み、
   

   

   （式中ｙは４５モルパーセント以下であり及びｘ＋ｚは５５モルパーセント以上である。）
   前記（ｉｉｉ）１種以上の物質の流体力学的体積が、前記（ｉ）１種以上の樹脂の流体力学的体積よりも小さい；
   被覆された基体システム。
5. 液浸リソグラフィー流体がフォトレジスト塗膜層の上面と接触しており、および／または当該システムが液浸フォトリソグラフィー露光ツールをさらに含む、請求項４に記載のシステム。
6. （ｉ）１種以上の樹脂、
   （ｉｉ）光活性成分、および
   （ｉｉｉ）下記式によって表され、前記１種以上の樹脂とは異なりかつ前記１種以上の樹脂と実質的に非混和性である１種以上の物質；
   

   

   （式中ｙは４５モルパーセント以下であり及びｘ＋ｚは５５モルパーセント以上である。）
   を含み、前記（ｉｉｉ）１種以上の物質の流体力学的体積が、前記（ｉ）１種以上の樹脂の流体力学的体積よりも小さいフォトレジスト組成物。
7. （ａ）（ｉ）１種以上の樹脂、
   （ｉｉ）光活性成分、および
   （ｉｉｉ）ヒドロキシ置換された多環炭素環式アリール基および１種以上の光酸不安定基を含む１種以上の物質；
   を含むフォトレジスト組成物を基体上に適用し；並びに
   （ｂ）フォトレジスト組成物を活性化する放射線でフォトレジスト層を液浸露光する；
   ことを含み、ただし、前記（ｉｉｉ）１種以上の物質は、フッ素原子を含まず、前記（ｉｉｉ）１種以上の物質の流体力学的体積が、前記（ｉ）１種以上の樹脂の流体力学的体積よりも小さい、フォトレジスト組成物を処理する方法。
8. 前記ヒドロキシ置換された多環炭素環式アリール基を含む１種以上の物質が、前記１種以上の樹脂と実質的に非混和性である、請求項７に記載の方法。
9. 前記１種以上の実質的に非混和性の樹脂が、ヒドロキシルナフチル基を含む、請求項７または８に記載の方法。
10. 前記１種以上の実質的に非混和性の物質が、水性塩基可溶性基を含む、請求項７〜９のいずれか１項に記載の方法。
11. （ａ）（ｉ）１種以上の樹脂、
    （ｉｉ）光活性成分、および
    （ｉｉｉ）ヒドロキシ置換された多環炭素環式アリール基および１種以上の光酸不安定基を含む１種以上の物質；
    を含み、ただし、前記（ｉｉｉ）１種以上の物質は、フッ素原子を含まず、前記（ｉｉｉ）１種以上の物質の流体力学的体積が、前記（ｉ）１種以上の樹脂の流体力学的体積よりも小さいフォトレジスト組成物を基体上に適用し；並びに
    （ｂ）フォトレジスト組成物を活性化する放射線でフォトレジスト層を液浸露光する；
    ことを含む、フォトレジスト組成物を処理する方法。
12. 基体を含み；
    基体上にフォトレジスト組成物の塗膜層を有し；
    当該フォトレジスト組成物が（ｉ）１種以上の樹脂、（ｉｉ）光活性成分、および（ｉｉｉ）ヒドロキシ置換された多環炭素環式アリール基および１種以上の光酸不安定基を含む１種以上の物質を含み、ただし、前記（ｉｉｉ）１種以上の物質は、フッ素原子を含まず、前記（ｉｉｉ）１種以上の物質の流体力学的体積が、前記（ｉ）１種以上の樹脂の流体力学的体積よりも小さい；
    被覆された基体システム。
13. 液浸リソグラフィー流体がフォトレジスト塗膜層の上面と接触しており、および／または当該システムが液浸フォトリソグラフィー露光ツールをさらに含む、請求項１２に記載のシステム。
14. （ｉ）１種以上の樹脂、
    （ｉｉ）光活性成分、および
    （ｉｉｉ）ヒドロキシ置換された多環炭素環式アリール基および１種以上の光酸不安定基を含み、前記１種以上の樹脂とは異なりかつ前記１種以上の樹脂と実質的に非混和性である１種以上の物質；
    を含み、ただし、前記（ｉｉｉ）１種以上の物質は、フッ素原子を含まず、前記（ｉｉｉ）１種以上の物質の流体力学的体積が、前記（ｉ）１種以上の樹脂の流体力学的体積よりも小さいフォトレジスト組成物。
15. （ａ）（ｉ）１種以上の樹脂、
    （ｉｉ）光活性成分、および
    （ｉｉｉ）ヒドロキシ置換された多環炭素環式アリール基および１種以上の光酸不安定基を含む１種以上の物質；
    を含むフォトレジスト組成物を基体上に適用し；並びに
    （ｂ）フォトレジスト組成物を活性化する放射線でフォトレジスト層を液浸露光する；
    ことを含み、前記（ｉｉｉ）１種以上の物質の流体力学的体積が、前記（ｉ）１種以上の樹脂の流体力学的体積よりも小さい、フォトレジスト組成物を処理する方法。
16. 前記ヒドロキシ置換された多環炭素環式アリール基を含む１種以上の物質が、前記１種以上の樹脂と実質的に非混和性である、請求項１５に記載の方法。
17. 前記１種以上の実質的に非混和性の樹脂が、ヒドロキシルナフチル基を含む、請求項１５または１６に記載の方法。
18. 前記１種以上の実質的に非混和性の物質が、１以上のフッ素基またはフッ素置換基を含む、請求項１５〜１７のいずれか１項に記載の方法。
19. 前記１種以上の実質的に非混和性の物質が、水性塩基可溶性基を含む、請求項１５〜１８のいずれか１項に記載の方法。
20. （ａ）（ｉ）１種以上の樹脂、
    （ｉｉ）光活性成分、および
    （ｉｉｉ）ヒドロキシ置換された多環炭素環式アリール基および１種以上の光酸不安定基を含む１種以上の物質；
    を含み、前記（ｉｉｉ）１種以上の物質の流体力学的体積が、前記（ｉ）１種以上の樹脂の流体力学的体積よりも小さいフォトレジスト組成物を基体上に適用し；並びに
    （ｂ）フォトレジスト組成物を活性化する放射線でフォトレジスト層を液浸露光する；
    ことを含む、フォトレジスト組成物を処理する方法。
21. 基体を含み；
    基体上にフォトレジスト組成物の塗膜層を有し；
    当該フォトレジスト組成物が（ｉ）１種以上の樹脂、（ｉｉ）光活性成分、および（ｉｉｉ）ヒドロキシ置換された多環炭素環式アリール基および１種以上の光酸不安定基を含む１種以上の物質を含み、前記（ｉｉｉ）１種以上の物質の流体力学的体積が、前記（ｉ）１種以上の樹脂の流体力学的体積よりも小さい；
    被覆された基体システム。
22. 液浸リソグラフィー流体がフォトレジスト塗膜層の上面と接触しており、および／または当該システムが液浸フォトリソグラフィー露光ツールをさらに含む、請求項２１に記載のシステム。
23. （ｉ）１種以上の樹脂、
    （ｉｉ）光活性成分、および
    （ｉｉｉ）ヒドロキシ置換された多環炭素環式アリール基および１種以上の光酸不安定基を含み、前記１種以上の樹脂とは異なりかつ前記１種以上の樹脂と実質的に非混和性である１種以上の物質；
    を含み、前記（ｉｉｉ）１種以上の物質の流体力学的体積が、前記（ｉ）１種以上の樹脂の流体力学的体積よりも小さいフォトレジスト組成物。
24. （ａ）（ｉ）１種以上の樹脂、
    （ｉｉ）光活性成分、および
    （ｉｉｉ）へテロ置換された炭素環式アリール基を含む１種以上の物質；
    を含むフォトレジスト組成物を基体上に適用し；並びに
    （ｂ）フォトレジスト組成物を活性化する放射線でフォトレジスト層を液浸露光する；
    ことを含む、フォトレジスト組成物を処理する方法。
25. 前記ヘテロ置換された炭素環式アリール基を含む１種以上の物質が、前記１種以上の樹脂と実質的に非混和性である、請求項２４に記載の方法。
26. 前記１種以上の実質的に非混和性の物質が、ヘテロ置換された炭素環式アリール基を含む樹脂を含む、請求項２４または２５に記載の方法。
27. 前記１種以上の実質的に非混和性の樹脂が、ヘテロ置換された多環炭素環式アリール基を含む、請求項２４または２５に記載の方法。
28. 前記１種以上の実質的に非混和性の樹脂が、ヒドロキシルナフチル基を含む、請求項２４または２５に記載の方法。
29. 前記１種以上の実質的に非混和性の物質が、１以上のフッ素基またはフッ素置換基を含む、請求項２４〜２８のいずれか１項に記載の方法。
30. 前記１種以上の実質的に非混和性の物質が、水性塩基可溶性基および／または１種以上の光酸不安定基を含む、請求項２４〜２９のいずれか１項に記載の方法。
31. （ａ）（ｉ）１種以上の樹脂、
    （ｉｉ）光活性成分、および
    （ｉｉｉ）へテロ置換された炭素環式アリール基を含む１種以上の物質；
    を含むフォトレジスト組成物を基体上に適用し；並びに
    （ｂ）フォトレジスト組成物を活性化する放射線でフォトレジスト層を液浸露光する；
    ことを含む、フォトレジスト組成物を処理する方法。
32. 基体を含み；
    基体上にフォトレジスト組成物の塗膜層を有し；
    当該フォトレジスト組成物が（ｉ）１種以上の樹脂、（ｉｉ）光活性成分、および（ｉｉｉ）へテロ置換された炭素環式アリール基を含む１種以上の物質を含む；
    被覆された基体システム。
33. 液浸リソグラフィー流体がフォトレジスト塗膜層の上面と接触しており、および／または当該システムが液浸フォトリソグラフィー露光ツールをさらに含む、請求項３２に記載のシステム。
34. （ｉ）１種以上の樹脂、
    （ｉｉ）光活性成分、および
    （ｉｉｉ）へテロ置換された炭素環式アリール基を含み、前記１種以上の樹脂とは異なりかつ前記１種以上の樹脂と実質的に非混和性である１種以上の物質；
    を含むフォトレジスト組成物。