TWI477911B - 光阻劑及其使用方法 - Google Patents

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Description

光阻劑及其使用方法
本項發明係關於新穎光阻劑(後文中有稱為阻劑之情形)，其包含低Tg成分且其特別適用於離子植入微影應用。本發明之較佳光阻劑對下方無機表面如SiON、氧化矽、氮化矽及其他無機表面可顯現良好黏著性。
光阻劑是用於將影像轉到基板的感光膜。於基板表面上形成一層光阻劑塗層，然後經光罩暴露於活化輻射源。
離子植入技術業已用於摻雜半導體晶圓。藉由此方法，離子束植入器於抽真空(低壓)艙中產生離子束，且該離子被導向並「植入」至晶圓。
但使用目前的離子植入方法遇到嚴重問題。具體來說，離子植入微影方案中，光阻劑通常不沈積於有機下方層，而係沈積至無機層，例如氧氮化矽(SiON)、SiO(氧化矽)層與已應用於半導體裝置製造中，例如作為蝕刻中止層及無機抗反射層之其他無機物如Si3 O4 塗層。例如參照美國專利案第6,124,217、6,153,504及6,245,682號。
所欲為擁有提供良好解析度以及對SiON與其他無機基板層有良好黏著性之之新穎光阻劑系統。
我們現提供新穎光阻劑組成物，其較佳包含1)有機低Tg成分，2)含光酸不安定基之樹脂，3)一種或多種光酸產生劑化合物。本發明之較佳阻劑有用於以短波長成像，包括低於300 nm波長與低於200 nm波長，例如248 nm、193 nm及EUV。
使用於本發明阻劑中之一種或多種的低Tg成分可呈各種設計。於一態樣中，較佳為包括含丙烯酸酯單元的樹脂。更較佳地，丙烯酸酯樹脂單元較甲基丙烯酸酯樹脂單元可為較佳的以提供低Tg樹脂成分。
於某態樣中，本發明光阻劑之低Tg樹脂包括可降低樹脂的Tg的相對“可撓性”單體的聚合單元。例示可撓性單體包含二乙二醇甲基丙烯酸酯與二乙二醇丙烯酸酯以及對應的低碳數烷基(例如C1-4 )醚，特別是甲基醚，例如CH2 =C(CH3 )C(O)OCH2 CH2 OCH3 、CH2 =CHC(O)OCH2 CH2 OCH3 、CH2 =CHC(O)OCH2 CH2 OCH2 CH2 OCH3 、CH2 =C(CH3 )C(O)OCH2 CH2 OCH2 CH2 OCH3 等；乙二醇甲基丙烯酸酯與乙二醇丙烯酸酯；具有4或更多碳原子，典型地為4至約16個碳原子之丙烯酸烷基酯，如丙烯酸正丁酯；與甲基丙烯酸羥基烷基酯或丙烯酸羥基烷基酯，其中該羥基烷基取代基具有1至約16個碳原子，更較佳為3或4至約16至20個碳原子等。
於某些較佳態樣中，低Tg樹脂將為併入光阻劑組成物的化合物且在阻劑對SiON或氧化矽表面層之黏著性提供顯著增加。黏著性顯著增加係藉由相對於對照阻劑(依相同方式加工之阻劑，但阻劑不含有低Tg樹脂)之增強的解析度表示。該增強的解析度係藉由具有候選Tg樹脂(測試樹脂)之阻劑與對照阻劑的掃描式電子顯微鏡(SEM)之目視檢查而測定。因此，可容易地經驗性鑑定對於任何給定的阻劑系統為適宜的低Tg樹脂。
適宜的低Tg樹脂可包括多種見相對低分子量的基團，例如重量平均分子量小於約12,000、10,000、8,000、7,000、6,000、5,000、4,000或甚至3,000或2,000。低Tg樹脂可為均聚物也可為共聚物、三聚物、四聚物、五聚物與包括多種重複單元之其他更高級聚合物。
較佳的低Tg樹脂可包括各種基團如包括一種或多種雜原子(N、O及/或S)的基團。
本發明之較佳阻劑可於短波長成像，包括低於300 nm及低於200 nm，如248 nm、193 nm及EUV。
本發明之特佳光阻劑含有如本文所揭示之低Tg樹脂，成像有效量之一種或多種光酸產生劑化合物(PAG)以及選自下述所組成群組之樹脂：
1)含有可提供特別適合於248 nm成像之化學放大型正阻劑的酸不安定基之酚系樹脂。此類樹脂之特佳者包括：i)含有乙烯基酚及丙烯酸烷基酯之聚合單元的聚合物，其中該經聚合之丙烯酸烷基酯單元可於光酸存在下進行去封阻反應(deblocking reaction)。可進行光酸誘導之去封阻反應的例示性丙烯酸烷基酯包括例如丙烯酸第三丁酯、甲基丙烯酸第三丁酯、丙烯酸甲基金剛烷基酯、甲基丙烯酸甲基金剛烷基酯、以及其他可進行光酸誘導反應之丙烯酸非環狀烷基酯及丙烯酸脂環族酯，例如美國專利案第6,042,997號及第5,492,793號之聚合物，該等案併入本文作為參考文獻；ii)含有下列聚合單元之聚合物：乙烯基酚，環上不含羥基或羧基取代基之視需要經取代之乙烯基苯基(如苯乙烯)，以及丙烯酸烷基酯，如彼等揭示於上述聚合物i)之去封阻基，如美國專利案第6,042,997號所揭示之聚合物，其併入本文作為參考文獻；以及iii)含有下列重複單元之聚合物：包含將與光酸反應之縮醛或縮酮部分之重複單元，以及視需要之芳香族重複單元如苯基或酚系基團；
2)可提供特別適合在低於200 nm波長(如193 nm)成像之化學放大型正阻劑的實質上或完全不含苯基或其他芳香族基之樹脂。此類樹脂的特佳者包括：i)含有非芳香族環狀烯烴(內環雙鍵)之聚合單元(如視需要經取代之降莰烯)的聚合物，如美國專利案第5,843,624號所揭示之聚合物(其係併入本文作為參考文獻)；ii)含有丙烯酸烷基酯單元(如丙烯酸第三丁酯、甲基丙烯酸第三丁酯、丙烯酸甲基金剛烷基酯、甲基丙烯酸甲基金剛烷基酯以及其他丙烯酸非環狀烷基酯及丙烯酸脂環族酯)之聚合物，該等聚合物係揭示於美國專利案第6,057,083號。
本發明之阻劑也可包含有區別(distinct)之PAG的混合物，典型為2種或3種有區別之PAG的混合物，更典型為由總共2種有區別之PAG所構成的混合物。
本發明也提供用於形成本發明光阻劑之浮雕影像的方法，包含用於形成低於四分之一微米尺寸或更低(如低於0.2或0.1微米)之高度解析的經圖案化光阻劑影像(如，具有實質上垂直側壁的圖案化線)之方法。
本項發明進一步包括包含基板之製造件，如其上塗布有本發明之光阻劑及浮雕影像的微電子晶圓。本發明也包括製造微電子晶圓和其他物件的方法。
此外，如前述，於一較佳態樣中，本發明提供廣泛知情的離子植入加工。此製程可包含將摻雜劑離子(第III族及/或第V族離子，如硼、砷、磷等)植入至基板表面(如半導體晶圓)，於該基板表面上係有做為遮罩之前述有機光阻劑。被阻劑遮罩之基板可置於反應腔室中，該反應腔室可提供減壓及來自可離子化源之離子電漿。這些離子包含前述摻雜劑，當其被植入基板時為電活性者。可對反應腔室施加電壓(如透過導電性腔室牆)，以選擇性植入摻雜劑離子。
本發明的其他態樣將於下文中揭示。
如前述，我們現提供新穎光阻劑組成物，其適當地包含1)樹脂成分，其可適當地含有光酸不安定基；2)一種或多種光酸產生劑化合物；以及3)低Tg樹脂。較佳地，該等成分1)、2)及3)係有區別的，亦即，該等成分不共價鏈結，且各自為不同材料。本發明的較佳光阻劑為正作用阻劑，特別是化學放大型阻劑。本發明也包括負作用光阻劑，其中該阻劑可包含樹脂、交聯官能和本文所述之酚系成分。
於較佳態樣中，本發明光阻劑可適宜地包含：1)樹脂，2)光活性成分，以及3)具有比樹脂1)至少低約5℃之Tg的樹脂，更較佳為其中樹脂3)具有比樹脂1)至少低約10℃或20℃之Tg。關於本文所指之Tg值，該Tg值(或值的差異)係藉由標準之差示掃描熱量儀技術所測定。
其他較佳具體實施例中，本發明光阻劑可適宜地包括1)樹脂，2)光活性成分以及3)包括側鏈羥基(C2-20 )烷基部份及/或C1-20 烷氧基部份之樹脂。
於某些較佳具體實施例中，該低Tg樹脂將安定於光阻劑組成物中且不干擾該樹脂之微影製程。亦即，該低Tg樹脂較佳地不促進過早的阻劑降解(亦即，降低之貨架期)，或是不必然需使用替代性微影式加工條件。
典型地，該低Tg樹脂將是除了其他阻劑成分(例如光酸不安定或去封阻樹脂、光酸產生劑、鹼性添加劑、表面活性劑/流平劑、塑化劑及/或溶劑)以外之進一步分開的阻劑成分。
於某些態樣中，阻劑中所用之適宜的低Tg樹脂添加劑將不會含有光酸不安定部分，例如於光阻劑曝光步驟後會進行去封阻反應之光酸不安定酯基或光酸不安定縮醛基。
於其他某些態樣中，阻劑中所用之較佳的低Tg樹脂添加劑將含有光酸不安定部份，例如於光阻劑曝光步驟後會進行去封阻反應之光酸不安定酯基或光酸不安定縮醛基。
於某些態樣中，該光阻劑將含有二種有區別的樹脂，該等樹脂包括光酸不安定基團但其中該等有區別的樹脂不同於Tg值，例如差至少5℃、10℃或15℃。
該低Tg樹脂可將其他功能提供給阻劑組成物，例如提供或增加固體成分的溶解力。然而，與其他揮發性溶劑不同，於任何曝光前熱處理後，低Tg樹脂仍將以有效量留在阻劑層中，例如較佳地，於任何曝光前熱處理後，至少約10、20、30、40或50莫耳%量之調配於液體阻劑組成物中的低Tg樹脂會留在阻劑組成物中。典型地，於任何熱處理後，僅須小量之低Tg樹脂仍留在阻劑塗層中來達到有效結果，例如，低Tg樹脂可適當地以揮發性溶劑移除後該組劑層總材料之自約0.05或0.11重量%至約5重量%之量存在。
如本文所述，阻劑成分的各式取代基可視需要地經取代。經取代之部分係視需要地於一個或是多個可行位置經例如下述基取代：鹵素(例如F、Cl、Br及/或I)、硝基、氰基、磺酸基(sulfono)、烷基(包括C1-16 烷基，以C1-8 烷基較佳)、鹵烷基(如氟烷基，例如三氟甲基；及全氟烷基，例如全氟C1-4 烷基)、烷氧基(包括具有一個或多個氧鏈結之C1-16 烷氧基，以C1-8 烷氧基較佳)、烯基(包括C2-12 烯基，以C2-8 烯基較佳)、烯基(包括C2-12 烯基，以C2-8 炔基較佳)、芳基(例如苯基或萘基)、及經取代之芳基(例如經鹵基、烷氧基、烯基、炔基及/或烷基取代之芳基，該等取代基較佳具有上述相應基團之碳數)。較佳的經取代之芳基包括經取代之苯基、經取代之蔥基及經取代之萘基。
本發明之光阻劑典型包含樹脂黏合劑及光活性成分及低Tg樹脂。例如，較佳地樹脂黏合劑包括極性官能基團如羥基或羧酸酯基(carboxylate)。較佳地該樹脂黏合劑係以足以賦予該樹脂可鹼性水溶液顯影之量使用於阻劑組成物。
於許多具體實施例中，較佳為化學放大型正作用阻劑。已有多種此類阻劑組成物被揭露於，例如，美國專利案第4,968,581號、4,883,740號4,810,613及4,491,628號，及加拿大專利申請案2,001,384號中。
用於本發明之光阻劑亦包含光活性成分，特別是一種或多種光酸產生劑化合物(亦即PAG)，該PAG係以足以在曝光於活化輻射後於該阻劑之塗層中產生潛像之量使用。用於在193 nm及248 nm成像之較佳PAG係包括醯亞胺基磺酸酯(imidosulfonate)，如下式之化合物：
其中R為樟腦基、金剛烷基、烷基(如C1-12 烷基)及氟烷基(如氟(C1-18 烷基))；例如RCF2 -，其中R為視需要經取代之金剛烷基。
其他已知之PAG亦可用於本發明之阻劑中。尤其對於在193 nm成像而言，為了提供增加之透明度，通常較佳者為不含有芳香族基之PAG，如上揭之醯亞胺基磺酸酯。
其他適用於本發明光阻劑的光酸產生劑係包括，舉例而言：鎓鹽，如三氟甲烷磺酸三苯基硫鎓、三氟甲烷磺酸(對第三丁氧基苯基)二苯基硫鎓、三氟甲烷磺酸參(對第三丁氧基苯基)硫鎓、對甲苯磺酸三苯基硫鎓；硝基苄基衍生物，如對甲苯磺酸2-硝基苄基酯、對甲苯磺酸2,6-二硝基苄基酯及對甲苯磺酸2,4-二硝基苄基酯；磺酸酯，如1,2,3-參(甲烷磺醯氧基)苯、1,2,3-參(三氟甲烷磺醯氧基)苯及1,2,3-參(對甲苯磺醯氧基)苯；重氮甲烷衍生物，如雙(苯磺醯基)重氮甲烷、雙(對甲苯磺醯基)重氮甲烷；乙二醛二肟(glyoxime)衍生物，如雙-O-(對甲苯磺醯基)-α-二甲基乙二醛二肟及雙-O-(正丁烷磺醯基)-α-二甲基乙二醛二肟；N-羥基醯亞胺化合物之磺酸酯衍生物，如N-羥基琥珀醯亞胺甲烷磺酸酯、N-羥基琥珀醯亞胺三氟甲烷磺酸酯；以及含鹵素之三化合物，如2-(4-甲氧基苯基)-4,6-雙(三氯甲基)-1,3,5-三及2-(4-甲氧基萘基)-4,6-雙(三氯甲基)-1,3,5-三。可使用一種或多種此等PAG。
根據本發明使用之該光阻劑之視需要的添加劑較佳為添加鹼(added base)，尤其是氫氧化四甲基銨(TBAH)或乳酸四甲基銨，其可增加經顯影之阻劑浮雕影像的解析度。對於在193 nm成像之阻劑而言，較佳之添加鹼典型為氫氧化四甲基銨之乳酸鹽以及多種其他胺類如三異丙醇、二氮雜雙環十一烯或二氮雜雙環壬烯。該添加鹼係適宜地以相對較小量使用，如相對於總固體為約0.03至5重量%。
根據本發明使用之光阻劑亦可含有其他視需要之材料。舉例而言，其他視需要之添加劑包括抗條紋劑、塑化劑及加速劑等。除了填料及染料可以相對較大濃度(例如，為阻劑乾燥成分之總重量的約5至30重量%)存在外，此等視需要之添加劑典型將以較小濃度存在於光阻劑組成物中。
根據本發明使用之光阻劑通常係藉由下列已知方法製備。舉例而言，本發明之阻劑可藉由將光阻劑之成分溶解於適宜溶劑中而製備為塗布組成物，該溶劑為諸如二醇醚如2-甲氧基乙基醚(二乙二醇二甲醚)、乙二醇單甲醚、丙二醇單甲醚；丙二醇單甲醚乙酸酯；乳酸酯如乳酸乙酯或乳酸甲酯，其中乳酸乙酯為較佳者；丙酸酯，尤其是丙酸甲酯、丙酸乙酯及乙氧基丙酸乙酯；賽路蘇酯(Cellosolve ester)如乙酸甲賽路蘇酯；芳香族烴如甲苯或二甲苯；或酮如甲基乙基酮、環己酮及2-庚酮。該光阻劑之固體含量典型係於該光阻劑組成物之總重量的5至35重量%間變化。此等溶劑之摻合物亦為適宜者。
液體光阻劑組成物可藉由諸如旋塗、浸塗、輥塗或其他傳統塗布技術施加至基板。當旋塗時，可基於所使用之具體旋塗設備、溶液之黏度、旋塗器之速度以及允許旋塗之時間量來調整該塗布溶液之固體含量，以提供所欲之膜厚度。
根據本發明使用之光阻劑組成物係適合施加於與塗布光阻劑有關之製程所習用的基板。舉例而言，該組成物可施加於用以生產微處理器及其他積體電路組件之矽晶圓或塗布有二氧化矽之矽晶圓上。亦可適宜地使用鋁-氧化鋁、砷化鎵、陶瓷、石英、銅、玻璃之基板等。光阻劑亦可適宜地施加於抗反射層上，尤其是有機抗反射層。
將該光阻劑塗布於表面後，其可藉由加熱移除溶劑而予以乾燥，較佳地係加熱至該光阻劑塗層無黏性為止。
之後，將該光阻劑層曝光於成像輻射。可使用浸潤式微影製程。本文所稱“浸潤式曝光”或其他類似術語意指曝光係以插置於曝光工具與該經塗布之光阻劑組成物層之間的流體層(如水或具有添加劑之水)進行。
該光阻劑組成物層係適當地圖案化曝光於活化輻射，且曝光能量係取決於該曝光工具及該光阻劑組成物之成分，典型介於約1至100 mJ/cm2 之範圍。本文所稱將光阻劑組成物曝光於活化該光阻劑之輻射係意指該輻射可藉由諸如引發該光活性成分之反應(如由光酸產生劑化合物產生光酸)而於該光阻劑中形成潛像。
如上所述，光阻劑組成物可藉由短曝光波長(尤其是低於400 nm，低於300 nm及低於200 nm之曝光波長)予以光活化，其中，I線(365 nm)，248 nm與193 nm以及EUV為特佳之曝光波長。
曝光之後，該組成物之膜層較佳係於約70℃至約160℃之溫度範圍烘烤。之後，較佳係藉由使用水性鹼性顯影劑來處理而使該膜顯影，該水性鹼性顯影劑係諸如四級銨氫氧化物溶液如氫氧化四烷基銨溶液；各式胺溶液，較佳係0.26 N氫氧化四甲基銨，如乙胺、正丙胺、二乙胺、二正丙胺、三乙胺或甲基二乙基胺；醇胺如二乙醇胺或三乙醇胺；以及環狀胺如吡咯、吡啶等。
本發明之光阻劑及方法可使用於廣範圍的應用中，包括，例如於薄膜頭(如約3至5μm)、磁碟、CD罩以及後端植入的製造中。
再者，本發明之光阻劑亦可適用於在半導體晶圓上形成金屬凸塊。此加工可包括：a)將本發明之光阻劑置於半導體晶圓上，較佳提供厚膜塗層，例如50μm或更厚之乾燥後阻劑塗層；c)將該光阻劑組成物層成像式曝光於光化輻射，包括低於300 nm或低於200 nm輻射，尤其是248 nm及193 nm；d)顯影該經曝光光阻劑組成物層以提供經圖案化區域；e)沈積金屬於經圖案化區域中；以及f)移除該經曝光光阻劑組成物以提供具金屬凸塊之半導體晶圓。
於此凸塊形成方法中，係將光阻劑層成像而得以於感光層中形成開口，例如孔(via)。於此製程中，感光層係置於電子裝置上的導電層上。感光組成物的曝光與後續顯影於該感光組成物中提供了經定義之洞(孔)，並暴露出下方導電層。因此，該製程的下一個步驟為使用該經定義之洞(孔)沈積金屬或金屬合金凸塊。此金屬沈積可能藉由無電或電解式沈積製程。電解式金屬沈積為較佳者。於電解式沈積製程中，電子裝置基板(亦即，半導體基板)係作為陰極。
於沈積金屬或金屬合金前，諸如適合作為焊料、導電層，例如銅或鎳，可藉由濺鍍、無電沈積等沈積，以形成凸塊下金屬。此凸塊下金屬層典型為自1000至50,000厚，並作為後續鍍覆之焊料凸塊的可濕潤基礎。
有廣泛種類的金屬可無電式地沈積，包括但不限於銅、錫-鉛、鎳、金、銀、鈀等。可電解式沈積之適當金屬及金屬合金包括但不限於銅、錫、錫-鉛、鎳、金、銀、錫-銻、錫-銅、錫-鉍、錫-銦、錫-銀、鈀等。此金屬鍍覆浴為技術領域中具有通常知識者已知，並已可由各種來源取得，例如自羅門哈斯(Rohm and Haas)。
於一具體實施例中，於半導體晶圓上之金屬沈積物係有用地作為焊料凸塊。因此，較佳地，該金屬凸塊為可焊性金屬及金屬合金，例如錫、錫-鉛、錫-銅、錫-銀、錫-鉍、錫-銅-鉍、錫-銅-銀等。焊料凸塊之適當金屬及金屬合金的形成方法係揭露於美國專利案第5,186,383、5,902,472、5,990,564、6,099,713及6,013,572號中以及歐洲專利申請案第EP 1 148 548號(Cheung等人)中，所有該等案藉此併入參考。例示性金屬及金屬合金包括但不限於錫；具有少於2重量%銅(較佳約0.7重量%銅)之錫-銅合金；具有少於20重量%銀(較佳約自3.5至10重量%銀)之錫-銀合金；具有自5至25重量%鉍(較佳約20重量%鉍)之錫-鉍合金；具有少於5重量%銀(較佳約自3.5重量%銀)、少於2重量%銅(較佳約0.7重量%銅)以及餘量錫之錫-銀-銅合金。於一具體實施例中，用於銲錫凸塊之金屬合金係不含鉛，亦即，其含有10 ppm鉛。
通常，適當之電解式金屬鍍覆浴為酸性，且含有酸、該一種或多種待沈積金屬之水可溶形式、及視需要之一種或多種有機添加劑，例如亮光劑(加速劑)、載劑(抑制劑)、流平劑、延性增加劑、濕潤劑、浴安定劑(特別適用於含錫浴)、細粒劑等。各視需要成分的存在與否、種類及含量係依所使用之具體金屬鍍覆浴而變化。此金屬鍍覆浴通常為商業上可購得者，例如購自希普列公司(Shipley Company)。
於此製程中，阻劑組成物作為不欲鍍覆區域之保護層。金屬沉積後，將剩餘阻劑組成物剝除，例如藉由於約40至69℃之溫度使用商業上可購得之N-甲基吡咯啶酮(NMP)系剝除劑。適當之剝除劑可購自各式來源。
所有本文中提及之文檔於此併入本文參考。下述非限制性實施例係例示性說明本發明。
實施例1：阻劑製備
藉由混合下述成分(下述1至5)而製備了光阻劑，其中含量係以阻劑總重的重量%表示。
1.樹脂。光阻劑之樹脂(指名為上述結構之樹脂1)係如上所示，其中該三聚物之各重複單元右側之數目表示該三聚物中該單元之重量含量(基於樹脂合成中單體之饋入量)。此樹脂基於流體光阻劑總重計，存在量為12重量%。
2.光酸產生劑化合物(PAG)。PAG為全氟丁烷磺酸第三丁基苯基四亞甲基硫鎓，基於流體光阻劑總重計，存在量為2.5重量%。
3.鹼性添加劑。鹼性添加劑為N-烷基己內醯胺，基於光阻劑組成物的總重計，其量為0.017重量%。
4.低Tg樹脂。該光阻劑之Tg樹脂係如上所示，其中該三聚物之各重複單元右側之數目表示該三聚物中該單元之重量含量(基於樹脂合成中單體之饋入量)。此低Tg樹脂基於流體光阻劑總重計，存在量為8重量%。
5.溶劑。溶劑為乳酸乙酯，以阻劑餘量提供。
實施例2：微影加工
實施例1中配製之阻劑組成物係旋塗於SiON晶圓表面，並藉由真空熱板於90℃軟烤60秒。阻劑塗層係透過光罩於193 nm曝光，接著該經曝光塗層係於110℃經曝光後烘烤。接著將經塗覆晶圓以0.26N氫氧化四丁基銨水溶液處理，以顯影成像後阻劑層。
於光阻劑浮雕影像形成後，基板(連同阻劑遮罩)係曝光於高能量(＞20 eV，減壓環境)磷離子植入加工。

Claims (10)

  1. 一種提供經離子植入之半導體基板的方法，包含：提供其上塗覆有化學放大型正作用光阻劑組成物之浮雕影像之半導體基板；其中該光阻劑包含1)樹脂、2)光活性成分、3)具有比該樹脂1)至少低約5℃之Tg的樹脂以及4)包括側鏈羥基(C2-20 )烷基部份及/或側鏈(C1-20 )烷氧基部份的樹脂；以及施加離子至該基板。
  2. 一種提供經離子植入之半導體基板的方法，包含：提供其上塗覆有化學放大型正作用光阻劑組成物之浮雕影像之半導體基板；其中該光阻劑包含1)樹脂，2)光活性成分以及3)包括側鏈羥基(C2-20 )烷基部份及/或側鏈(C1-20 )烷氧基部份之樹脂；以及施加離子至該基板。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所述之方法，其中該樹脂3)具有重量平均分子量約8,000或更低。
  4. 如申請專利範圍第1或2項所述之方法，其中該樹脂3)具有重量平均分子量約5,000或更低。
  5. 一種經塗覆基板，包含：其上塗覆有化學放大型正作用光阻劑組成物之浮雕影像之半導體晶圓，該光阻劑組成物包括：1)樹脂、2)光活性成分、3)具有比該樹脂1)至少低約5℃之Tg 的樹脂及4)包括側鏈羥基(C2-20 )烷基部份及/或側鏈(C1-20 )烷氧基部份的樹脂；以及該晶圓具經施加之摻雜劑離子。
  6. 一種經塗覆基板，包含：其上塗覆有化學放大型正作用光阻劑組成物之浮雕影像之半導體晶圓，該光阻劑組成物包括：1)樹脂、2)光活性成分及3)包括側鏈羥基(C2-20 )烷基部份及/或側鏈(C1-20 )烷氧基部份之樹脂；以及該晶圓具經施加之摻雜劑離子。
  7. 一種形成光阻劑浮雕影像之方法，包含：(a)將包含1)樹脂、2)光活性成分、3)具有比該樹脂1)至少低約5℃之Tg的樹脂之光阻劑施加至基板及4)包括側鏈羥基(C2-20 )烷基部份及/或側鏈(C1-20 )烷氧基部份的樹脂；以及(b)將該光阻劑塗層曝光至經圖案化之活化輻射。
  8. 一種形成光阻劑浮雕影像之方法，包含：(a)將包含1)樹脂、2)光活性成分及3)包括側鏈羥基(C2-20 )烷基部份及/或側鏈(C1-20 )烷氧基部份之樹脂之光阻劑施加至基板；以及(b)將該光阻劑塗層曝光至經圖案化之活化輻射。
  9. 如申請專利範圍第7或8項所述之方法，其中1)該輻射具有波長193nm及/或2)該光阻劑組成物係施加至無機表面。
  10. 一種光阻劑組成物，包含：1)樹脂、2)光活性成分3) 包括側鏈羥基(C2-20 )烷基部份及/或側鏈(C1-20 )烷氧基部份的樹脂及4)視需要之具有比該樹脂1)至少低約5℃之Tg的樹脂。
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