DE60037213T2

DE60037213T2 - Verwendung von Reinigungsgas

Info

Publication number: DE60037213T2
Application number: DE60037213T
Authority: DE
Inventors: Isamu Kawagoe-shi Mouri; Tetsuya Kawagoe-shi Tamura; Mitsuya Kawagoe-shi Ohashi; Tadayuki Kawagoe-shi Kawashima; Masahiko Kofu-shi Matsudo; Tatsuo Nakakoma-gun Hatano
Original assignee: Central Glass Co Ltd; Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Central Glass Co Ltd
Priority date: 1999-01-12
Filing date: 2000-01-10
Publication date: 2008-10-02
Anticipated expiration: 2020-01-11
Also published as: JP3433392B2; KR20000057742A; TW593631B; JP2000299289A; EP1020236B1; EP1020236A3; SG87074A1; DE60037213D1; US6659111B1; KR100363343B1; EP1020236A2

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft die Verwendung eines Reinigungsgases zum Entfernen einer unnötigen Ablagerung, welche mittels CVD-Verfahren auf einer Innenwand und auf Geräten einer einen Dünnfilm herstellenden Vorrichtung abgelagert ist.
Bei unterschiedlichen Herstellungsverfahren zum Herstellen von Dünnfilmvorrichtungen, optischen Vorrichtungen und Superstahlmaterialien werden mittels dem CVD-Verfahren, mittels dem Sputter-Verfahren, mittels dem Sol-Gel-Verfahren und mittels dem Dampfabscheidungsverfahren verschiedene Filme, Pulver und Whisker hergestellt. Bei der Ausführung der vorgenannten Verfahren werden auf einer Innenwand und auf Geräten der herstellenden Vorrichtung unnötige Ablagerungen abgeschieden. Um eine solche unnötige Abscheidung aus betroffenen Zielprodukten zu vermeiden, ist es notwendig, solch eine unnötige Ablagerung sauber zu entfernen. Von einem zur Entfernung von solch einer unnötigen Ablagerung eingesetztem Reinigungsgas wird verlangt, dass dieses verschiedene Eigenschaften aufweist. Beispielsweise muss ein solches Reinigungsgas so arbeiten, dass es die Zielprodukte nicht beschädigt, dass es nicht die Menge von Partikeln in einem Reaktor der Vorrichtung erhöht, dass es leicht zu unschädlichem Gas umgesetzt werden kann und dass es die Umwelt kaum beeinträchtigt.
Bisher sind in der Praxis eine Plasmareinigung unter Einsatz eines Reinigungsgases aus wenigstens einem von C₂F₆, CF₄, C₄F₈, NF₃ und ClF₃ sowie eine plasmalose Reinigung unter Verwendung eines Reinigungsgases aus wenigstens einem von F₂, Cl₂ und ClF₃ eingesetzt worden, um unnöti ge Ablagerungen zu entfernen. Allerdings weisen diese Verfahren mehrere Nachteile auf, wie beispielsweise, dass, wenn die Reinigung durch die Verwendung der zuvor genannten Gase der Fluorreihe durchgeführt wird, durch das Gas eine wärmebeständige Ni-Legierung, rostfreier Stahl und AlN korrodiert werden und in der Vorrichtung Partikel vermehrt werden, und, dass, wenn die Temperatur für die Reinigung verringert wird, um solch eine Korrosion zu unterdrücken, die Leerlaufzeit hiervon erhöht wird, so dass der Durchsatz der Vorrichtung verringert wird, und, dass, wenn die Temperatur für die Reinigung verringert wird, um die Korrosion des Materials der Vorrichtung zu verhindern, die Reinigungsgeschwindigkeit verringert wird.
Die JP 03-183125 offenbart ein Verfahren zum Entfernen einer Ablagerung, welche auf der Innenseite von Reaktionskammern abgelagert ist und im Wesentlichen aus Silizium oder Siliziumcarbid zusammengesetzt ist, mit einem Gas, welches Wasserstofffluorid mit einer hohen Reinheit von 99,0% oder mehr enthält und 1% oder weniger Sauerstoff enthält.
Die EP 0 299 247 A1 offenbart ein Vakuumprozessmodul, welche eine Prozesskammer, einen Plasmaerzeuger entfernt von und in flüssigem Kontakt mit der Prozesskammer und wenigstens eine erste Energiequelle in der Prozesskammer umfasst. Ferner wird eine Gasmischung zum Reinigen der Prozesskammer, welche beispielsweise CF₄ und O₂ enthält, offenbart.
Die japanische provisorische Patentveröffentlichung Nr. 8-295,600 offenbart ein Verfahren zum Reinigen einer Nickelbasisplatte, welche zum Herstellen von Whisker aus TiC, TiCO und TiCN eingesetzt wird, mittels verdünnter Salpetersäure. Allerdings erfordert dieses Verfahren das Ausführen einer nassen Reinigung in einer Vorort-Reinigung und daher wird es schwierig, den Durchsatz der Vorrichtung zu verbessern.
ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
Es ist daher eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine verbesserte Verwendung eines Reinigungsgases bereitzustellen, welches eine unnötige Ablagerung, welche in einer Vakuumbehandlungsvorrichtung abgelagert ist, effektiv entfernt, während die für ein solches Reinigungsgas benötigten Eigenschaften erfüllt werden.
Die vorliegende Erfindung betrifft die Verwendung eines Reinigungsgases zum Entfernen eines abgeschiedenen Materials, welches in einer Vakuumbehandlungsvorrichtung zum Bilden eines Dünnfilms aus wenigstens einem von Ti, W, Ta, Ru, Ir, einer Verbindung enthaltend eines von Ti, W, Ta, Ru und Ir und einer Legierung enthaltend eines von Ti, W, Ta, Ru und Ir erzeugt worden ist, durch Strömen eines Reinigungsgases in die Vakuumbehandlungsvorrichtung, wobei das Reinigungsgas HF-Gas und ein Sauerstoff enthaltendes Gas enthält, wobei die Konzentration des HF größer als oder gleich 1 Vol.-% ist und die Konzentration des Sauerstoff enthaltenden Gases in einem Bereich zwischen 0,5 und 99 Vol.-% liegt, und, wobei die Summe des Partialdruckes des HF-Gases und des Partialdruckes des Sauerstoff enthaltenden Gases innerhalb eines Bereiches zwischen 13,332 Pa (0,1 Torr) und 66.661 Pa (500 Torr) liegt.
KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
Die 1 ist eine Draufsicht, welche eine Dünnfilm herstellende Vorrichtung eines Clustermaschinentyps zeigt, an welche ein gemäß der vorliegenden Erfindung einzusetzendes Gas angepasst ist, und
die 2 ist eine schematische Ansicht, welche eine der Dünnfilm herstellenden Vorrichtungen zeigt.
DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG
Als ein Ergebnis von intensiven Untersuchungen haben die vorliegenden Erfinder eine Zusammensetzung eines Reinigungsgases gefunden, durch welche unnötige, auf einer Innenwand und an Instrumenten einer Film herstellenden Vorrichtung abgeschiedene Ablagerungen wirksam und sicher entfernt werden. Insbesondere fungiert das gemäß der vorliegenden Erfindung einzusetzende Reinigungsgas so, dass es eine unnötige, in einer Vakuumbehandlungsvorrichtung zur Herstellung von dünnen Filmen aus einem von Ti, W, Ta, Ru und Ir und aus einer Verbindung aus einem von Ti, W, Ta, Ru und Ir und aus einer Legierung aus einem von Ti, W, Ta, Ru und Ir abgeschiedene Ablagerung wirksam entfernt. Das Reinigungsgas ist eine Gasmischung, welche ein HF-Gas und ein Sauerstoff enthaltendes Gas enthält. Die Konzentration des HF-Gases ist größer als oder gleich 1 Vol.-% und die Konzentration des Sauerstoff enthaltenden Gases liegt in einem Bereich zwischen 0,5 und 99 Vol.-%.
Das Sauerstoff enthaltende Gas, welches in dem Reinigungsgas gemäß der vorliegenden Erfindung eingesetzt wird, enthält vorzugsweise wenigstens eines von O₂-Gas, O₃-Gas, N₂O-Gas, NO-Gas, CO-Gas und CO₂-Gas.
Das Reinigungsgas gemäß der vorliegenden Erfindung ist auf aus Ti, W und Ta, aus einer Verbindung aus einem von Ti, W und Ta und aus einer Legierung aus einem von Ti, W und Ta gefertigte Vorrichtungen anwendbar und insbesondere auf eine solche aus Ti, W, Ta, aus einem Oxid aus einem von Ti, W und Ta, aus einem Nitrid aus einem von Ti, W und Ta und aus einer Legierung aus einem von Ti, W und Ta. Ferner ist das Rei nigungsgas auf eine Vorrichtung anwendbar, welche aus Ti, TiN, TiW, TiON, W, WN, TaN, Ru, Ir, aus einer Verbindung hiervon und aus einer Legierung hiervon hergestellt worden ist. Das Reinigungsgas entfernt simultan CVD-Reaktionsnebenprodukt, welches in dem Leitungssystem erzeugt worden ist, und in der Kammer der Vorrichtung erzeugtes Nebenprodukt.
Die Konzentration des HF-Gases des Reinigungsgases ist größer als oder gleich 1 Vol.-% und die Konzentration des Sauerstoff enthaltenden Gases des Reinigungsgases liegt innerhalb eines Bereiches zwischen und 0,5 und 99 Vol.-%. Besonders -bevorzugt beträgt die Konzentration des HF-Gases mehr als oder gleich 10 Vol.-% und die Konzentration des Sauerstoff enthaltenden Gases liegt innerhalb eines Bereiches zwischen 1 und 90 Vol.-%. Wenn die Konzentration des HF-Gases weniger als 1 Vol.-% beträgt und die Konzentration des Sauerstoff enthaltenden Gases weniger als 0,5 Vol.-% beträgt, ist es schwierig, eine bevorzugte Ätzgeschwindigkeit sicherzustellen. Insbesondere, wenn die Konzentration des Sauerstoff enthaltenden Gases weniger als 0,5 Vol.-% beträgt, wird das Material der Vorrichtung durch das Reinigungsgas in einem relativ großen Ausmaß beschädigt. Wenn die Konzentration des Sauerstoff enthaltenden Gases mehr als 1 Vol.-% beträgt, wird ferner die Ätzgeschwindigkeit des Reinigungsgases beschleunigt. Wenn die Konzentration des Sauerstoff enthaltenden Gases mehr als in einem Bereich zwischen 75 und 85 Vol.-% beträgt, besteht eine dahingehende Tendenz, dass die Ätzgeschwindigkeit in einem umgekehrten Verhältnis zu dem Anstieg der Sauerstoffkonzentration abnimmt. Wenn die Konzentration des Sauerstoff enthaltenden Gases mehr als 90 Vol.-% beträgt, nimmt die Ätzgeschwindigkeit drastisch ab.
Zusätzlich zu den zuvor genannten Gasen kann Inertgas, wie beispielsweise N₂, Ar, He, eingesetzt werden. Ferner kann ein anderes Gas mit einer Oxidationseigenschaft eingesetzt werden.
Des Weiteren ist es in Bezug auf den Druck während des Reinigungsbetriebes unter Einsatz des Reinigungsgases gemäß der vorliegenden Erfindung notwendig, dass der Gesamtdruck, welcher die Summe des Partialdruckes des HF-Gases und des Partialdruckes des Sauerstoff enthaltenden Gases ist, weniger als oder gleich 66.661 Pa (500 Torr) beträgt. Vorzugsweise sollte der Gesamtdruck weniger als oder gleich 13.332 Pa (100 Torr) betragen und es ist besonders bevorzugt, dass der Druck innerhalb eines Bereiches zwischen 13,332 und 1.333,2 Pa (0,1 bis 10 Torr) liegt.
Wenn der Gesamtdruck größer als 66.661 Pa (500 Torr) wird, wird die zum Evakuieren des Reinigungsgases notwendige Evakuierungszeit groß. Selbst wenn das Mischungsverhältnis der Gasmischung innerhalb eines zulässigen Bereiches liegt und wenn der Partialdruck des Sauerstoff enthaltenden Gases weniger als oder gleich 0,666 Pa (0,005 Torr) beträgt, ist es ferner schwierig, eine bevorzugte Ätzgeschwindigkeit sicherzustellen und die Menge an Partikeln in dem Reaktor wird erhöht, ohne eine Verbesserung der Korrosionsbeständigkeit des Materials der Vorrichtung zu erreichen.
Als ein Ergebnis von weiteren intensiven Untersuchungen haben die Erfinder der vorliegenden Erfindung herausgefunden, dass die Korrosionsbeständigkeit des in der Vorrichtung eingesetzten Materials durch die Zugabe von Sauerstoff enthaltendem Gas zu HF-Gas beträchtlich verbessert wird. Insbesondere ist das Reinigungsgas gemäß der vorliegenden Erfindung anwendbar auf (1) Al und Al-Legierung, wie beispielsweise Al5052 und Al6061 (JIS-Marke), in einem Temperaturbereich, welcher nicht mehr als 600°C beträgt, auf (2) wärmebeständige Ni-Legierung in einem Temperaturbereich von nicht mehr als 450°C, auf (3) rostfreie Austenitstähle in einem Temperaturbereich von 450°C, auf (4) rostfreie Ferritstähle in einem Temperaturbereich von 460°C, auf (5) Aluminiumnitrid in einem Temperaturbereich von nicht mehr als 700°C, auf (6) Aluminiumoxid in einem Temperaturbereich von nicht mehr als 920°C, auf (7) Quarz in einem Temperaturbereich von nicht mehr als 700°C, auf (8) Siliziumnitrid in einem Temperaturbereich von 760°C und auf (9) Siliziumcarbid in einem Temperaturbereich von 680°C. Das heißt, die Reinigungstemperatur kann gemäß dem eingesetzten Material bestimmt werden.
Die vorliegende Erfindung wird nachfolgend im Detail unter Bezugnahme auf die nachfolgenden Beispiele näher erläutert. Es ist zu verstehen, dass die vorliegende Erfindung durch diese Beispiele nicht beschränkt ist.
Beispiele 1 bis 14, Vergleichsbeispiele 1 und 2

Mit einer durch Ausbilden eines Ti-Films mit einer Dicke von 1 μm auf einem Silizium-Wafer hergestellten Probe wurden Messungen der Ätzgeschwindigkeit hierzu unter den in der Tabelle 1 gezeigten Bedingungen durchgeführt. Die Ergebnisse hiervon sind ebenfalls in der Tabelle 1 dargestellt. Wie aus der Tabelle 1 klar entnommen werden kann, war die Ätzgeschwindigkeit durch die Zugabe einer Spurenmenge von O₂-Gas beträchtlich verbessert. Wenn das O₂-Gas zu einem von O₃, N₂O, NO, CO und CO₂ verändert wurde, war die Ätzgeschwindigkeit gleichermaßen verbessert. [Tabelle 1]

	Temperatur (°C)	Gasflussmenge (SCCM)	Gaskonzentration (Vol.-%)	Druck (Torr)*	Ätzgeschwindigkeit (Å/min)
Vergleichsbeispiel 1	500	HF: 1000	HF: 100	5	103
Beispiel 1	500	HF: 1000 O₂: 5	HF: 99,5 O₂: 0,5	5	298
Beispiel 2	500	HF: 1000 O₂: 10	HF: 99 O₂: 1	5	1660
Beispiel 3	500	HF: 1000 O₂: 100	HF: 90,9 O₂: 9,1	5	8710
Beispiel 4	500	HF: 300 O₂: 50	HF: 85,7 O₂: 14,3	5	2490
Beispiel 5	500	HF: 1000 O₂: 1000	HF: 50 O₂: 50	5	10340
Beispiel 6	500	HF: 1000 O₂: 1500	HF: 40 O₂: 60	5	10305
Beispiel 7	500	HF: 1000 O₂: 2000	HF: 33,3 O₂: 66,7	5	10426
Beispiel 8	500	HF: 1000 O₂: 3000	HF: 25 O₂: 75	5	10319
Beispiel 9	500	HF: 1000 O₂: 4000	HF: 20 O₂: 80	5	10229
Beispiel 10	500	HF: 1000 O₂: 7000	HF: 12,5 O₂: 87,5	5	9875
Beispiel 11	500	HF: 500 O₂: 4500	HF: 10 O₂: 90	5	8136
Beispiel 12	500	HF: 10 O₂: 990	HF: 1 O₂: 99	5	238
Vergleichsbeispiel 2	500	HF: 5 O₂: 995	HF: 0,5 O₂: 99,5	5	99,4
Beispiel 13	600	HF: 1000 O₂: 100	HF: 90,9 O₂: 9,1	5	11900
Beispiel 14	700	HF: 1000 O₂: 100	HF: 90,9 O₂: 9,1	6	13810

* 5 Torr = 667 Pa, 1 Å = 0,1 nm

Beispiele 15 bis 22, Vergleichsbeispiele 3 und 4

Mit einer durch Ausbilden eines TiN-Films mit einer Dicke von 1 μm auf einem Silizium-Wafer hergestellten Probe wurden die Messungen der Ätzgeschwindigkeit hierzu unter den in der Tabelle 2 gezeigten Bedingungen durchgeführt. Die Ergebnisse hiervon sind ebenfalls in der Tabelle 2 gezeigt. Wie in der Tabelle 2 klar gezeigt wird, war die Ätzgeschwindigkeit durch die Zugabe einer Spurenmenge von O₂-Gas beträchtlich verbessert. Die Ätzgeschwindigkeit war auch ähnlich verbessert, wenn das O₂-Gas zu einem von O₃, N₂O, NO, CO und CO₂ geändert wurde. [Tabelle 2]

	Temperatur (°C)	Gasflussmenge (SCCM)	Gaskonzentration (Vol.-%)	Druck (Torr)*	Ätzgeschwindigkeit (Å/min)
Vergleichsbeispiel 3	500	HF: 1000	HF: 100	5	8,5
Beispiel 15	500	HF: 1000 O₂: 5	HF: 99,5 O₂: 0,5	5	926
Beispiel 16	500	HF: 1000 O₂: 10	HF: 99 O₂: 1	5	1400
Beispiel 17	500	HF: 1000 O₂: 100	HF: 90,9 O₂: 9,1	5	1760
Beispiel 18	500	HF: 1000 O₂: 1000	HF: 50 O₂: 50	5	2500
Beispiel 19	500	HF: 500 O₂: 4500	HF: 10 O₂: 90	5	1120
Beispiel 20	500	HF: 10 O₂: 990	HF: 1 O₂: 99	5	238
Vergleichsbeispiel 4	500	HF: 5 O₂: 995	HF: 0,5 O₂: 99,5	5	140
Beispiel 21	600	HF: 1000 O₂: 100	HF: 90,9 O₂: 9,1	5	4300
Beispiel 22	700	HF: 1000 O₂: 100	HF: 90,9 O₂: 9,1	5	8200

* 5 Torr = 667 Pa, 1 Å = 0,1 nm

Beispiele 23 und 24, Vergleichsbeispiel 5

Mit einer durch Ausbilden eines W-Films mit einer Dicke von 1 μm auf einem Silizium-Wafer hergestellten Probe wurden die Messungen der Ätzgeschwindigkeit hierzu unter den in der Tabelle 3 gezeigten Bedingungen durchgeführt. Die Ergebnisse hiervon sind ebenfalls in der Tabelle 3 gezeigt. Wie in Tabelle 3 klar gezeigt wird, waren die Ätzgeschwindigkeiten durch die Zugabe einer Spurenmenge von O₂-Gas beträchtlich verbessert. Die Ätzgeschwindigkeit war auch gleichermaßen verbessert, wenn das O₂-Gas durch eines O₃, N₂O, NO, CO und CO₂ ersetzt wurde. [Tabelle 3]

	Temperatur (°C)	Gasflussmenge (SCCM)	Gaskonzentration (Vol.-%)	Druck (Torr)*	Ätzgeschwindigkeit (Å/min)
Vergleichsbeispiel 5	500	HF: 1000	HF: 100	5	≤ 1
Beispiel 23	500	HF: 1000 O₂: 10	HF: 99 O₂: 1	5	1800
Beispiel 24	500	HF: 1000 O₂: 10	HF: 90,9 O₂: 9,1	5	2870

* 5 Torr = 667 Pa, 1 Å = 0,1 nm

Beispiel 25
Mit einer durch Ausbildung eines WN-Films mit einer Dicke von 1 μm auf einem Silizium-Wafer hergestellten Probe wurden die Messungen der Ätzgeschwindigkeit hierzu unter der Bedingung durchgeführt, dass die Temperatur 500°C beträgt, die HF-Gasströmungsgeschwindigkeit 900 SCCM (90%) beträgt und die O₂-Gasströmungsgeschwindigkeit 100 SSCM (10%) beträgt. Als ein Ergebnis hiervon betrug die Ätzgeschwindigkeit 3045 Å/Min., was eine sehr hohe Ätzgeschwindigkeit ist. Wenn das O₂-Gas nicht zugegeben wurde, war die Ätzgeschwindigkeit kleiner als oder gleich einer unteren Messgrenze (≤ 1 Å/Min.).
Bei dem Betrieb für die Beispiele 1 bis 25 sind keine Schäden an der Vorrichtung festgestellt worden.
Beispiele 26 bis 36, Vergleichsbeispiele 6 bis 16

Für Al, eine Al-Legierung 5052 (JIS-Marke), eine Al-Legierung 6061 (JIS-Marke), eine wärmebeständige Ni-Legierung (Handelsname: Hastelloy C-22), eine Eisenlegierung SUS316L (JIS-Marke), SUS304 (JIS-Marke), SUS430L (JIS-Marke), AlN, Al₂O₃, Si₃N₄, SiO₂ wurden die Korrosionseigenschaften durch Gas beobachtet. Insbesondere wurden HF-Gas (Strömungsgeschwindigkeit: 1000 SCCM) sowie eine Gasmischung von HF-Gas (Strömungsgeschwindigkeit: 1000 SCCM) und N₂O-Gas (Strömungsgeschwindigkeit: 10 SCCM) eingesetzt. Die Beispiele wurden dem Gas unter einem Druck von 66,7 kPa (500 Torr) für 5 Stunden ausgesetzt. Nach der Aussetzung wurde die Oberfläche eines jeden Beispiels durch ein Elektronenmikroskop beobachtet und es wurde die Veränderung der Gewichte jeder Probe vor und nach der Aussetzung gemessen. Als ein Ergebnis hiervon wurde herausgefunden, dass durch die Zugabe von N₂O-Gas Schäden gegenüber dem Material beträchtlich verringert waren. Ferner war die Ätzgeschwindigkeit jedes der Beispiele 26 bis 36 wie diejenigen der Beispiele 1 bis 25 sehr hoch. Die Vergleichsbeispiele 6 bis 16 zeigen die durch die Experimente unter Verwendung von lediglich HF-Gas erhaltenen Ergebnisse. Die Ätzgeschwindigkeit dieses Beispiels war auch in dem Fall, bei dem das N₂O-Gas zu einem von O₂, O₃, NO, CO und CO₂ verändert wurde, hoch, und zwar ähnlich zu denjenigen der Beispiele 1 bis 25. [Tabelle 4]

	Material (JIS-Marke)	Temperatur (°C)	Beobachtungsergebnis
Vergleichsbeispiel 6	Al	400	Es wurde ein weißer dicker Film abgeschieden und der Film war rissig (Vergleichsbeispiele 6 bis 8)
Vergleichsbeispiel 7	Al5052	400
Vergleichsbeispiel 8	Al6061	400
Vergleichsbeispiel 9	wärmebeständige Ni-Legierung	400	Die Oberfläche jedes der Vergleichsbeispiele 9 bis 12 wurde gelb oder schwarz und war rissig.
Vergleichsbeispiel 10	SUS316	400
Vergleichsbeispiel 11	SUS304	400
Vergleichsbeispiel 12	SUS430	450
Vergleichsbeispiel 13	AlN	700	Auf der Oberfläche jedes der Vergleichsbeispiele 13 bis 14 wurden korrosive Partikel erzeugt.
Vergleichsbeispiel 14	Al₂O₃	900
Vergleichsbeispiel 15	SiO₂	700	Die Oberfläche jedes Vergleichsbeispiels wurde geätzt, um Transparenz zu verlieren, und das Gewicht hiervon war durch das Ätzen verringert.
Vergleichsbeispiel 16	Si₃N₄	700
Beispiel 26	Al	600	Auf der Oberfläche eines jeden der Vergleichsbeispiele 26 bis 32 wurde ein semitransparenter Film erzeugt und dieser war in einem passiven Zustand. Daher trat keine Korrosion auf.
Beispiel 27	Al5052	600
Beispiel 28	Al6061	600
Beispiel 29	wärmebeständige Ni-Legierung	450
Beispiel 30	SUS316	450
Beispiel 31	SUS304	450
Beispiel 32	SUS430	460
Beispiel 33	AlN	700	Das Gewicht und der Oberflächenzustand jedes der Beispiele 33 bis 35 war verglichen mit denjenigen jedes der Beispiele vor der Behandlung nicht wesentlich verändert.
Beispiel 34	Al₂O₃	900
Beispiel 35	SiO₂	700
Beispiel 36	Si₃N₄	760	Es wurde auf der Oberfläche des Beispiels 36 ein semitransparenter Film ausgebildet. Die Oberfläche war glatt und wies keine Korrosion auf. Als Ergebnis der Analyse von ESCA wurde eine Si-O-Bindung beobachtet. Es wird geglaubt, dass auf der Oberfläche ein Oxidfilm gebildet wurde, welcher bezüglich der Korrosion überlegen war.

Vergleichsbeispiel 17
Die wärmebeständige Ni-Legierung (Handelsname: Hastelloy C-22) wurde bei einer Temperatur von 450°C und unter einem Druck von 101 kPa (760 Torr) für 5 Stunden einer Gasmischung aus HF-Gas (Strömungsgeschwindigkeit: 1000 SCCM) und O₂-Gas (Strömungsgeschwindigkeit: 1000 SCCM) ausgesetzt. Als ein Ergebnis hiervon veränderte sich die Oberfläche des Vergleichsbeispiels 17 zu gelb und es wurden korrosive Partikel erzeugt.
Beispiel 37
Die wärmebeständige Ni-Legierung (Handelsnahme: Hastelloy C-22) wurde bei einer Temperatur von 450°C und unter einem Druck von 66,7 kPa (500 Torr) für 40 Stunden einer Gasmischung aus HF-Gas (Strömungsgeschwindigkeit: 1000 SCCM) und O₂-Gas (Strömungsgeschwindigkeit: 1000 SCCM) ausgesetzt. Als ein Ergebnis hiervon wurde auf der Oberfläche des Beispiels 37 ein transparenter passiver Film gebildet. Der Film war extrem dünn und glatt. Auf der Oberfläche wurde keine Korrosion beobachtet.
Vergleichsbeispiel 18
Die wärmebeständige Ni-Legierung (Handelsname: Hastelloy C-22) wurde bei einer Temperatur von 450°C und unter einem Druck von 6,67 Pa (0,05 Torr) für 40 Stunden einer Gasmischung aus HF-Gas (Strömungsgeschwindigkeit: 990 SCCM) und O₂-Gas (Strömungsgeschwindigkeit: 10 SCCM) ausgesetzt. Als ein Ergebnis hiervon verfärbte sich die Oberfläche des Vergleichsbeispiels 17 gelb und korrodierte. Durch ein Elektronenmikroskop wurde herausgefunden, dass auf der Oberfläche des Vergleichsbeispiels 18 eine herausstehende Verbindung und partikelförmiges Material erzeugt werden. Als ein Ergebnis der XMA-Untersuchung wurde herausgefunden, dass die auf der Oberfläche des Vergleichsbeispiels 18 erzeugten Partikel aus einem Metall, wie beispielsweise Fe und Ni und F, bestehen.
Vergleichsbeispiel 19
Ein durch Ausbilden eines TiW-Films mit einer Dicke von 1 μm auf einem Silizium-Wafer erhaltenes Beispiel wurde auf 500°C erhitzt und durch den Reaktor wurde für 1 Stunde HF-Gas (100%, Strömungsgeschwindigkeit: 1000 SCCM) hindurchgeströmt. Daran anschließend wurde mittels einer Röntgenstrahl-Fluoreszenz-Analysiervorrichtung analysiert, dass das Beispiel Ti und W enthielt. Als ein Ergebnis hiervon waren auf der Oberfläche des Wafer Ti und W verblieben.
Vergleichsbeispiel 38
Ein Beispiel, welches durch Ausbilden eines TiW-Films mit einer Dicke von 1 μm auf einem Silizium-Wafer erhalten wurde, wurde auf 500°C erhitzt und die Gasmischung aus HF-Gas (Strömungsgeschwindigkeit: 1000 SCCM) und O₂-Gas (Strömungsgeschwindigkeit: 1000 SCCM) wurde für 1 Stunde durch den Reaktor geströmt. Daran anschließend wurde das Beispiel mittels einer Röntgenstrahl-Fluoreszenz-Analysiervorrichtung als Ti und W analysiert. Als ein Ergebnis hiervon wurde auf der Oberfläche des Wafers kein Ti und W detektiert.
Beispiele 39 bis 52, Vergleichsbeispiele 20 und 21

Mit einer Probe, welche durch Ausbilden eines Ta-Films mit einer Dicke von 1 μm auf einem Silizium-Wafer hergestellt wurde, wurden Messungen der Ätzgeschwindigkeit hierzu unter den in der Tabelle 5 gezeigten Bedingungen durchgeführt. Die Ergebnisse hiervon sind ebenfalls in der Tabelle 5 dargestellt. Wie aus der Tabelle 5 klar zu ersehen ist, war die Ätzgeschwindigkeit durch die Zugabe einer Spurenmenge von O₂-Gas beträchtlich verbessert. Die Ätzgeschwindigkeit war auch ähnlich verbessert, wenn das O₂-Gas durch eines von O₃, N₂O, NO, CO und CO₂ ersetzt worden war. [Tabelle 5]

	Temperatur (°C)	Gasflussmenge (SCCM)	Gaskonzentration (Vol.-%)	Druck (Torr)*	Ätzgeschwindigkeit (Å/min)
Vergleichsbeispiel 20	500	HF: 1000	HF: 100	5	29
Beispiel 39	500	HF: 1000 O₂: 5	HF: 99,5 O₂: 0,5	5	128
Beispiel 40	500	HF: 1000 O₂: 10	HF: 99 O₂: 1	5	460
Beispiel 41	500	HF: 1000 O₂: 100	HF: 90,9 O₂: 9,1	5	960
Beispiel 42	500	HF: 300 O₂: 50	HF: 85,7 O₂: 14,3	5	1340
Beispiel 43	500	HF: 1000 O₂: 1000	HF: 50 O₂: 50	5	6960
Beispiel 44	500	HF: 1000 O₂: 1500	HF: 40 O₂: 60	5	7342
Beispiel 45	500	HF: 1000 O₂: 2000	HF: 33,3 O₂: 66,7	5	7132
Beispiel 46	500	HF: 1000 O₂: 3000	HF: 25 O₂: 75	5	7369
Beispiel 47	500	HF: 1000 O₂: 4000	HF: 20 O₂: 80	5	7089
Beispiel 48	500	HF: 1000 O₂: 7000	HF: 12,5 O₂: 87,5	5	4958
Beispiel 49	500	HF: 500 O₂: 4500	HF: 10 O₂: 90	5	2685
Beispiel 50	500	HF: 10 O₂: 990	HF: 1 O₂: 99	5	265
Vergleichsbeispiel 21	500	HF: 5 O₂: 995	HF: 0,5 O₂: 99,5	5	32,2
Beispiel 51	600	HF: 1000 O₂: 100	HF: 90,9 O₂: 9,1	5	8872
Beispiel 52	700	HF: 1000 O₂: 100	HF: 90,9 O₂: 9,1	5	9810

* 5 Torr = 667 Pa, 1 Å = 0,1 nm

Beispiele 53 bis 60, Vergleichsbeispiele 22 und 23

Mit einer Probe, welche durch Ausbilden eines TaN-Films mit einer Dicke von 1 μm auf einem Silizium-Wafer hergestellt worden ist, wurden Messungen der Ätzgeschwindigkeit unter den in der Tabelle 6 gezeigten Bedingungen durchgeführt. Die Ergebnisse hiervon sind ebenfalls in der Tabelle 6 dargestellt. Wie in der Tabelle 6 klar gezeigt ist, war die Ätzgeschwindigkeit durch Zugabe einer Spurenmenge von O₂-Gas beträchtlich verbessert. Die Ätzgeschwindigkeit war auch gleichermaßen verbessert, wenn das O₂-Gas durch eines von O₃, N₂O, NO, CO und CO₂ ersetzt worden ist. [Tabelle 6]

	Temperatur (°C)	Gasflussmenge (SCCM)	Gaskonzentration (Vol.-%)	Druck (Torr)*	Ätzgeschwindigkeit (Å/min)
Vergleichsbeispiel 22	500	HF: 1000	HF: 100	5	0,5
Beispiel 53	500	HF: 1000 O₂: 5	HF: 99,5 O₂: 0,5	5	54
Beispiel 54	500	HF: 1000 O₂: 10	HF: 99 O₂: 1	5	258
Beispiel 55	500	HF: 1000 O₂: 100	HF: 90,9 O₂: 9,1	5	1692
Beispiel 56	500	HF: 1000 O₂: 1000	HF: 50 O₂: 50	5	1870
Beispiel 57	500	HF: 500 O₂: 4500	HF: 10 O₂: 90	5	380
Beispiel 58	500	HF: 10 O₂: 990	HF: 1 O₂: 99	5	93
Vergleichsbeispiel 23	500	HF: 5 O₂: 995	HF: 0,5 O₂: 99,5	5	28
Beispiel 59	600	HF: 1000 O₂: 100	HF: 90,9 O₂: 9,1	5	2396
Beispiel 60	700	HF: 1000 O₂: 100	HF: 90,9 O₂: 9,1	5	3986

* 5 Torr = 667 Pa, 1 Å = 0,1 nm

Nachfolgend wird ein Reinigungsverfahren zur praktischen Anwendung des zuvor genannten Gases in einer Vakuumbehandlungsvorrichtung, wie beispielsweise einer Dünnfilm produzierenden Vorrichtung, erörtert.
Die 1 und 2 zeigen eine Dünnfilm produzierende Vorrichtung 2 vom Clusterwerkzeugtyp. Die Dünnfilm erzeugende Vorrichtung 2 umfasst eine gemeinsame Förderkammer 4, welche die Form eines Achtecks aufweist und aus einer Aluminiumlegierung hergestellt ist. In der gemeinsamen Förderkammer 4 ist ein beweglicher Förderarm 6, welcher aus einer Aluminiumlegierung hergestellt ist, vorgesehen, um darin rotierbar und expandierbar zu sein. Auf einem Ende der Spitze des beweglichen Förderarms 6 ist ein Trägerteilstück zum Tragen eines Halbleiterwafer 50, welcher zu behandeln ist, installiert. Mit der gemeinsamen Förderkammer 4 sind durch die Durchgangsventile G1 bis G4 jeweils vier Dünnfilm erzeugende Vorrichtungen 8A bis 8D verbunden. Eine Kammer 20 jeder der Dünnfilm erzeugenden Vorrichtungen 8A bis 8D ist aus einer Aluminiumlegierung hergestellt und umfasst einen Tisch 10 zum Absetzen des Wafer 50 darauf, einen Klemmring 28 zum Befestigen des Wafer 50 auf dem Tisch 10, einen Duschkopf 24 zum Einströmen von Gas sowie einen Befestigungsring darin. Der Tisch 10 ist aus einer Aluminiumlegierung hergestellt. Durch die Durchgangsventile G5 bzw. G6 sind mit der gemeinsamen Förderkammer 4 Ersatzkammern 12A und 12B verbunden. Die Ersatzkammern 12A und 12B agieren als Kühlkammern zum Kühlen des behandelten Wafer 50. Durch die Durchgangsventile G7 und G8 sind mit der gemeinsamen Förderkammer 4 Kassettenkammern 14A und 14B zum Lagern einer Vielzahl der Wafer 50 verbunden. Es wird verstanden werden, dass als eine Ersatzkammer eine Vorerwärmungskammer zum Vorerwärmen des Wafer 50 vor der Behandlung vorgesehen sein kann.
Die Dünnfilm erzeugenden Vorrichtungen 8A bis 8D, die gemeinsame Förderkammer 4, die Ersatzkammern 12A und 12B sowie die Kassettenkammern 14A und 14B sind unabhängig voneinander mit einer Gaszufuhrleitung 16 zur Zuführung von Behandlungsgas, Inertgas, wie beispielsweise N₂-Gas, und dem gemäß der vorliegenden Erfindung einzusetzenden Reinigungsgas verbunden und sind mit einer Gasevakuierungsleitung 18 zur Evakuierung der inneren Umgebung hiervon verbunden.
In den Dünnfilm erzeugenden Vorrichtungen 8A bis 8D werden durch das thermische CVD-Verfahren die Dünnfilme aus Ti, W, Ta, Ru, Ir, aus einer Verbindung hiervon und aus einer Legierung hiervon hergestellt. Ferner wird das Plasma-CVD-Verfahren durch das Vorsehen einer elektrischen Hochfrequenzquelle zum Erzeugen von Plasma, falls erforderlich, durchgeführt.
Unter Bezugnahme auf die 2 wird ein beispielhaftes thermisches CVD-Verfahren erörtert, welches unter Verwendung der Dünnfilm erzeugenden Vorrichtungen 8A bis 8D durchgeführt worden ist.
Die Dünnfilm erzeugende Vorrichtung 8A umfasst die Kammer 20 aus einer Aluminiumlegierung, wobei in der Kammer 20 der Tisch 10, in dem eine Heizvorrichtung 22 vorgesehen ist, installiert ist. Das aus einer Aluminiumlegierung hergestellte Duschkopfteilstück 24 ist an einem Deckenteilstück, welches dem Tisch 10 gegenüberliegt, installiert. Mit der Gaszufuhrleitung 16 ist ein Gaszufuhranschluss 24a des Duschkopfteilstücks 24 verbunden. An dem Bodenteilstück der Kammer 20 ist eine Vielzahl von Gasauslassanschlüssen 26 vorgesehen und ist mit der Gasevakuierungsleitung 18 verbunden. Der aus AlN (Aluminiumnitrid) hergestellte Klemmring 28 ist um den Tisch 10 herum vorgesehen, um so einen Wafer 50 an dem Tisch 10 zu fixieren. Um den Klemmring 28 herum ist, wie in der 2 dargestellt, ein ringförmiger Befestigungsring 30 vorgesehen.
Wenn auf dem Wafer 50 durch Verwendung der zuvor erwähnten Dünnfilm erzeugenden Vorrichtung 8A ein Dünnfilm aus Ti oder W hergestellt wird, wird der Dünnfilm auch an der Innenwand der Kammer 20, den exponierten Teilstücken des Tischs 10, dem Klemmring 28, dem Befestigungsring 30 als ein unnötiger, Partikel verursachender Film hergestellt. Die exponierten Teilstücke des Tischs 10 sind dem Reinigungsgas ausgesetzt. Daher ist es notwendig, zum Entfernen des unnötig an verschiedenen Teilstücken anhaftenden Films in gleichmäßigen oder in ungleichmäßigen Intervallen eine Reinigungsbehandlung durchzuführen.
Die Beispiele 1 bis 36 werden in diesem Reinigungsverfahren als ein Reinigungsgas eingesetzt. Wenn die in der Tabelle 4 gezeigten Beispiele 26 bis 36 als ein Reinigungsgas eingesetzt werden, wird eine Gasmischung aus HF-Gas (Strömungsgeschwindigkeit: 1000 SCCM) und N₂O-Gas (Strömungsgeschwindigkeit: 10 SCCM) eingesetzt und der Druck wird auf ungefähr 66,7 kPa (500 Torr) eingestellt. Die Reinigungstemperatur wird innerhalb eines Bereiches zwischen 450 und 600°C auf ungefähr 500°C eingestellt.
Unter dieser Bedingung beträgt die Ätzgeschwindigkeit des Reinigungsgases bezüglich TiN, obwohl diese hohe Geschwindigkeit nicht in der Tabelle 4 gezeigt ist, ungefähr 400 nm/Min. (4000 Å/Min.). Diese Geschwindigkeit ist im Allgemeinen dieselbe wie diejenige in dem Fall, dass die Reinigung mittels ClF₃-Gas bei einer Temperatur in einem Bereich zwischen 200 und 300°C durchgeführt wird. Wenn ClF₃-Gas bei einer hohen Temperatur von 500°C eingesetzt wird, werden ferner der Tisch 10, der Duschkopf 24, der Klemmring 28 und der Befestigungsring 30 korrodiert werden. Im Unterschied dazu wird durch die Verwendung des Reinigungsgases gemäß der vorliegenden Erfindung eine Korrosion der verschiedenen Teile in der Kammer 20 selbst bei einer Temperatur von 500°C verhindert. Das heißt, der Film herstellende Prozess wird im Allgemeinen bei einer Temperatur in einem Bereich zwischen 600 und 700°C durchgeführt und das herkömmliche Reinigungsverfahren wurde im Allgemeinen bei einer Temperatur in einem Bereich zwischen 200 und 300°C durchgeführt. Im Unterschied dazu kann das Reinigungsverfahren unter Verwendung des Reinigungsgases gemäß der vorliegenden Erfindung bei einer Temperatur in einem Bereich zwischen 450 und 600°C durchgeführt werden. Daher ist der Unterschied zwischen der Temperatur in dem Film erzeugenden Verfahren und der Temperatur in dem Reinigungsgas durch die Verwendung des Reinigungsgases gemäß der vorliegenden Erfindung weitgehend verringert. Dies ermöglicht es, dass die Leerlaufzeit für das Variieren der Temperatur weitgehend verringert wird. Folglich verbessert dies den Durchsatz der Vorrichtung 2. Ferner wird es verstanden werden, dass die Reinigung der Innenfläche der Rohranlage der Gasevakuierungsleitung simultan mit dieser Reinigung der Kammer 20 durchgeführt wird.
Das Reinigungsgas kann hier durch Vermischen mit Inertgas, wie beispielsweise Ar, N₂ und He, verdünnt werden. Ferner kann die Reinigung in vorbestimmten Intervallen durchgeführt werden. Ferner kann diese zu jeder Zeit durchgeführt werden, wenn eine vorbestimmte Anzahl der Wafer verarbeitet worden ist, oder zu jeder Zeit, wenn eine aufsummierte Zeitspanne zum Herstellen von Film eine vorbestimmte Zeitspanne erreicht hat, oder in gleichmäßigen Intervallen.
Ferner kann eine Nachbehandlung des Reinigungsverfahrens durch Evakuieren des Reinigungsgases aus der Kammer 20 und durch wiederholtes Zuführen und Beenden der Zuführung von Inertgas, wie beispielsweise N₂-Gas, zu der Kammer 20, unter der Bedingung, dass die Zuführung des Reinigungsgases beendet ist, durchgeführt werden. Wenn die wiederholte Zuführung und Beendigung des Inertgases mehrere Male durchgeführt wird, während die Gase aus der Kammer 20 evakuiert werden, wird das Reinigungsgas schnell aus der Kammer 20 entleert werden.
Des Weiteren kann der Gaszuführungsanschluss 24a des Duschkopfteils 24 in zwei Anschlüsse unterteilt sein, welche mit einer Reinigungsgaszufuhrleitung bzw. mit einer Film erzeugenden Gaszufuhrleitung verbunden sind. Wenn eine solche Anordnung von Mehrfachzufuhranschlüssen 24a eingesetzt wird, wird während des Reinigungsverfahrens Inertgas, wie beispielsweise N₂-Gas, in die Film erzeugende Gaszufuhrleitung strömen. Dies verhindert, dass das Reinigungsgas invers in die Film erzeugende Gaszufuhrleitung strömt und in der Film erzeugenden Gaszufuhrleitung verbleibt. Dementsprechend wird ein Einfluss des verbleibenden Reinigungsgases auf das nächste Film erzeugende Verfahren verhindert.
Ferner wird es verstanden werden, dass, auch wenn die Erläuterung des Reinigungsverfahrens mit Bezug zu der Film erzeugenden Vorrichtung 8A erörtert wird, die anderen Film erzeugenden Vorrichtungen 8B und 8C während des Reinigungsverfahrens der Film erzeugenden Vorrichtung 8A das normale Film ausbildende Verfahren durchführen können oder unabhängig davon das Reinigungsverfahren ausführen können.
Obwohl die Verwendung des Reinigungsgases so gezeigt und beschrieben worden ist, dass lediglich die Film erzeugende Vorrichtung 8A das Reinigungsverfahren durchführt, wird es verstanden werden, dass mehrere oder alle der Film erzeugenden Vorrichtungen 8A bis 8D das Reinigungsverfahren zusammen mit der gemeinsamen Förderkammer simultan ausführen können. In diesem Fall werden die Drücke der entsprechenden Kammern durch Zuführen von Inertgas vor der Reinigung auf den gleichen Druck abgeglichen. Daran anschließend werden die entsprechenden Durchgangsventile geöffnet und das Reinigungsgas wird der entsprechenden Gaszufuhrleitung 16 zugeführt. Ferner wird simultan mit dieser Zuführung die Evakuierung durch die entsprechenden Gasevakuierungsleitungen 18 durchgeführt. Dies ermöglicht es, dass die mehreren Kammern gleichzeitig durch das Reinigungsverfahren gereinigt werden können.
Ferner können in solch einer Situation die Reservekammern 12A und 12B und die Kassettenkammern 14A und 14B durch dieses Reinigungsverfahren simultan gereinigt werden.
Obwohl die Verwendung des Reinigungsgases gemäß der vorliegenden Erfindung so gezeigt und beschrieben worden ist, dass das Reinigungsgas der Film erzeugenden Vorrichtung, der gemeinsamen Förderkammer, der Reservekammer und der Kassettenkammer unabhängig zugeführt wird, wird es verstanden werden, dass die vorliegende Erfindung hierauf nicht beschränkt ist und das Reinigungsgas zu jedem der mehreren, durch die verschiedenen Kammern gebildeten Blöcke zugeführt werden kann. Dies ermöglicht es, die Anzahl der Gaszufuhrleitungen zu verringern. Ferner ist es möglich, die Anzahl der Gaszufuhrleitungen zu einer zu verringern, wenn diese so angeordnet ist, dass alle der Kammern gleichzeitig abgearbeitet werden.
Obwohl die als Ausführungsform beschriebene Verwendung von Reinigungsgas gemäß der vorliegenden Erfindung hauptsächlich als die Entfernung des Dünnfilms aus Ti, W, einer Verbindung hiervon und einer Legierung hiervon gezeigt und beschrieben worden ist, wird es verstanden werden, dass die vorliegende Erfindung nicht auf diese beschränkt ist und auf die Entfernung eines Dünnfilms aus Ta, Ru, Ir, einer Verbindung hiervon und einer Legierung hiervon anwendbar ist.
Ferner ist die vorliegende Erfindung, obwohl die als Ausführungsform beschriebene Verwendung von Reinigungsgas unter Verwendung des CVD-Verfahrens gezeigt und beschrieben worden ist, nicht auf dieses beschränkt und kann auf eine Vakuumbehandlungsvorrichtung angewendet werden, welche die zuvor erwähnte Verbindung und Legierung in einer Behandlungskammer aufgrund einer Hauptbehandlung erzeugt. Obwohl die die als Ausführungsform beschriebene Verwendung von Reinigungsgas gemäß der vorliegenden Erfindung als für die Vorrichtung zum Behandeln von Halbleiter-Wafer beschrieben worden ist, ist die vorliegende Erfindung nicht darauf beschränkt und kann auf eine Vorrichtung angewendet werden, welche ein LCD-Substrat oder ein Glasssubstrat behandelt.
Durch das im Einklang mit der vorliegenden Erfindung zu verwendende Reinigungsgas wird es möglich, überlegene Vorteile sicherzustellen. Insbesondere wird es durch den Einsatz des gemäß der vorliegenden Erfindung zum Reinigen der Vakuumbehandlungsvorrichtung zu verwendenden Reinigungsgases möglich, einen unnötig in der Vakuumbehandlungsvorrichtung, welche einen Dünnfilm aus Ti, W, Ta, Ru, Ir, einer Verbindung hiervon oder einer Legierung hiervon erzeugt, abgeschiedenen Film bei einer relativ hohen Temperatur nahe der Film erzeugenden Temperatur und mit einer hohen Ätzgeschwindigkeit zu entfernen, und möglich, es zu verhindern, dass die Vorrichtung durch Korrosion beschädigt wird.
Daher ist es möglich, den Unterschied zwischen der Temperatur in dem Film erzeugenden Verfahren und in dem Reinigungsverfahren zu verringern. Dies ermöglicht es, die Leerlaufzeit zum Verändern der Temperatur zu verringern. Folglich ist es möglich, den Ausbeutefaktor der Produkte und den Durchsatz der herstellenden Vorrichtung, in welcher das Reinigungsgas gemäß der vorliegenden Erfindung eingesetzt wird, beträchtlich zu verbessern.

Claims

Verwendung eines Reinigungsgases zum Entfernen eines abgelagerten Materials, welches in einer Vakuumbehandlungsvorrichtung zum Bilden eines dünnen Filmes aus wenigstens einem von Ti, W, Ta, Ru, Ir, einer Verbindung enthaltend eines von Ti, W, Ta, Ru und Ir sowie einer Legierung enthaltend eines von Ti, W, Ta, Ru und Ir erzeugt worden ist, durch Strömen eines Reinigungsgases in die Vakuumbehandlungsvorrichtung, wobei das Reinigungsgas enthält: HF-Gas und Sauerstoff enthaltendes Gas, wobei die Konzentration des HF größer als oder gleich 1 Vol.-% ist und die Konzentration des Sauerstoff enthaltenden Gases in einem Bereich zwischen 0,5 und 99 Vol.-% liegt, und wobei die Summe des Partialdruckes des HF-Gases und des Partialdruckes des Sauerstoff enthaltenden Gases in einem Bereich von 13,332 Pa (0,1 Torr) bis 66.661 Pa (500 Torr) liegt.
Verwendung nach Anspruch 1, wobei das Sauerstoff enthaltende Gas wenigstens eines von O₂-Gas, O₃-Gas, N₂O-Gas, NO-Gas, CO-Gas und CO₂-Gas enthält.
Verwendung nach Anspruch 1 oder 2, wobei die eines von Ti, W, Ta, Ru und Ir enthaltende Verbindung TiN, TiW, TiON, WN und TaN enthält.
Verwendung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, des Weiteren umfassend den Schritt des Evakuierens des in die Vakuumbehandlungsvorrichtung eingeströmten Reinigungsgases.
Verwendung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei die Temperatur in der Vakuumbehandlungsvorrichtung innerhalb eines Bereiches zwischen 450 und 600°C gehalten wird, wenn die Reinigung durchgeführt wird.
Verwendung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei die Vakuumbehandlungsvorrichtung eine Vielzahl von Vakuumbehandlungsvorrichtungen umfasst, welche mit einer herkömmlichen Förderkammer verbunden sind, wobei die Vielzahl der Vakuumbehandlungsvorrichtungen und die herkömmliche Förderkammer durch Durchströmen des Reinigungsgases selektiv gereinigt werden.
Verwendung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei die Vakuumbehandlungsvorrichtung eine Vielzahl von Vakuumbehandlungsvorrichtungen umfasst, welche mit einer herkömmlichen Förderkammer verbunden sind, wobei die Vielzahl der Vakuumbehandlungsvorrichtungen und die herkömmliche Förderkammer durch Durchströmen des Reinigungsgases gleichzeitig gereinigt werden.