DE4332583B4 - Schaltung zum Klemmen eines Freigabetaktsignales für eine Halbleiterspeichervorrichtung - Google Patents

Schaltung zum Klemmen eines Freigabetaktsignales für eine Halbleiterspeichervorrichtung Download PDF

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Abstract

Schaltung zum Klemmen eines Freigabetaktsignales für eine Halbleiterspeichervorrichtung, mit:
a) einer Einrichtung (1) zum Erzeugen eines Einstellsignales (S1) für eine rückwärtsgerichtete Vorspannung, wenn die rückwärtsgerichtete Vorspannung (VBB) einen Bezugsspannungspegel für die rückwärtsgerichtete Vorspannung erreicht hat; und
b) einer Einrichtung (8) zum Erzeugen eines Leistungshochfahrsignales (S2), wenn die Leistung eingestellt ist;
gekennzeichnet durch
c) eine Einrichtung (9) zum Erzeugen einer Bitleitungs-Vorladespannung (VBLP);
d) eine Steuereinrichtung (15) zum Halten der Bitleitungs-Vorladespannung (VBLP) auf einem Massespannungspegel in Abhängigkeit von dem Einstellsignal (S1) für die rückwärtsgerichtete Vorspannung und dem Leistungshochfahrsignal (S2);
e) eine Einrichtung (11) zum Erzeugen eines Bitleitungs-Vorladespannungs-Einstellsignales (S3), wenn die Bitleitungs-Vorladespannung (VBLP) einen Bezugsspannungspegel für die Bitleitungs-Vorladespannung erreicht hat;
f) eine Freigabetakt-Durchlaßsignal-Generatoreinrichtung (12, 13) zum Erzeugen eines Freigabetakt-Durchlaßsignales (S4) in Abhängigkeit von dem Bitleitungs-Vorla despannungs-Einstellsignal (S3) und dem Leistungshochfahrsignal (S2); und
g) eine Einrichtung (7) zum Übertragen des Freigabetaktsignales (/RAS) in Abhängigkeit von dem...

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine sogenannte Clamping-Schaltung bzw. Schaltung zum Klemmen eines Freigabetaktsignales für eine Halbleiterspeichervorrichtung (wobei der Begriff "Freigabetaktsignal" beispielsweise ein Reihenadressabtastsignal bezeichnet, welches als "/RAS"-Signal benannt wird, wobei in der nachfolgenden Beschreibung die Bezeichnung "/RAS" für das Freigabetaktsignal verwendet wird), wobei das Klemmen dieses Signales während der anfänglichen Einstellung des Reihenadressabtastsignales der Halbleiterspeichervorrichtung vorgenommen wird, wobei die /RAS-Signale als Hauptsignale auf dem Chip erst dann erzeugt werden, wenn die letzte Vorladespannung für eine geladene Bitleitung (charged bit line pre-charge voltage = VBLP) den gewünschten Pegel erreicht hat.
  • 1 zeigt eine bekannte Schaltung zum Klemmen der /RAS-Signale (wobei "/" das balkenförmige Negationszeichen bezeichnet), welche folgende Merkmale umfaßt: einen VBB-Sensor 1, um zu erfassen, ob die Spannung, die während der Erzeugung einer rückwärts gerichteten Vorspannung (back bias voltage = VBB) erzeugt wird, einen vorbestimmten Pegel erreicht hat; einen Transistor (MP1) 3 und einen Ringoszillator 2 zum Treiben einer Ladungspumpschaltung 4, bis ein gewünschter VBB-Pegel erreicht ist; einen Inverter 6 und eine Halteschaltung 5 zum Verhindern des Treibens einer NOR-Schaltung 7, wobei die NOR-Schaltung 7, ein Takt-Ein-Signal während der anfänglichen Zeitdauer der Erzeugung der rückgerichteten Vorspannung VBB "niedrig" bleibt, wobei die NOR-Schaltung 7 das Takt-Ein-Signal in Reaktion auf das /RAS Signal überträgt, nachdem die rück wärtsgerichtete Vorspannung VBB einmal eingestellt worden ist.
  • Die Halteschaltung 5 umfaßt zwei NOR-Gatter, nämlich die Gatter, NOR1 und NOR2, um sowohl das Signal von dem VBB-Sensor 1 als auch das Signal von einem Leistungshochfahrgenerator 8 empfängt, wobei die NOR-Schaltung 7 das /RAS-Signal und das Ausgangssignal des Inverters 6 empfängt.
  • Die NOR-Schaltung 7 umfaßt zwei pMOS-Transistoren MP2, MP3 und zwei nMOS-Transistoren MN1, MN2. Die Transistoren MP2, MP3 und der Transistor MN2 sind in Reihe zwischen den Leistungsversorgungsspannungen VDD und VSS geschaltet. Die Gates der Transistoren MP2 und MN1 sind miteinander verbunden und werden mit einem invertierten Ausgangssignal der Halteschaltung 5 versorgt. Drain und Source der Transistoren MN1 und MN2 sind miteinander verbunden. Das Takt-Ein-Signal wird ausgangsseitig von einem Kontakt der Drains erzeugt.
  • Wenn die Leistungsversorgung angeschaltet wird, wird das Ausgangssignal S2 des Leistungshochfahrgenerators 8 in der in 2 gezeigten Art erzeugt, wobei das Ausgangssignal S1 des VBB-Sensors bei einem niedrigen Pegel gehalten wird, bis die rückwärtsgerichtete Vorspannung VBB den gewünschten Pegel erreicht hat. Da ein Knoten C während dieser Zeitdauer auf einem hohen Pegel gehalten wird, kann das /RAS-Signal selbst dann nicht dem Chip zugeführt werden, wenn das /RAS-Signal auf einen niedrigen Pegel abfällt, so daß das Takt-Ein-Signal ununterbrochen auf einem niedrigen Pegel gehalten wird.
  • Wenn jedoch das VBB-Signal den gewünschten Pegel annimmt, wird das S1-Signal durch den VBB-Sensor auf einen hohen Pegel verschoben. Demgemäß werden die Pegel an den Knoten A, B, C durch das S1-Signal invertiert. Die Pegel an den Knoten A, B, C bleiben bei den Pegelwerten "niedrig", "hoch" bzw. "niedrig". Hierdurch führt eine Eingabe des /RAS-Signales zu dessen Übertragung zu dem Chip als Takt-Ein-Signal.
  • Selbst wenn bei dieser bekannten Klemmschaltung für das /Ras-Signal die rückwärtsgerichtete Vorspannung VBB den gewünschten Pegel während des anfänglichen Spannungseinstellvorganges auf dem Chip erreicht, kann es zu einer Fehlfunktion des Erfassungsverstärkers bei der Erzeugung des /RAS-Signals kommen, solange die Vorladespannung für die Bitleitung noch nicht die Hälfte des VDD-Pegels erreicht hat.
  • Allgemein wird eine Verbesserung der Speicherchips hinsichtlich der Hochintegration herbeigeführt. Wenn die Ladekapazität für die Bitleitung bei ansteigender Speicherkapazität ansteigt, benötigt man eine ansteigende Zeitdauer, um sämtliche Bitleitungen mit der Bitleitungs-Vorladespannung einzustellen. Daher können Fehlfunktionen des Erfassungsverstärkers auftreten, die dadurch bedingt sind, daß das /RAS-Signal zugeführt wird, bevor die Einstellung der Bitleitungsvorspannung abgeschlossen ist. Derartige Fehlfunktionen vermindern die Zuverlässigkeit der Halbleiterspeichervorrichtung.
  • Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine Schaltung zum Klemmen eines Freigabetaktsignals derart weiterzubilden, daß die Zuverlässigkeit der Halbleiterspeichervorrichtung weiter erhöht wird.
    •
  • Aus der DE 42 01 785 A1 ist eine Halbleiterspeichervorrichtung bekannt, bei der ein Freigabetaktsignal abhängig von einem Leistungshochfahrsignal gesteuert wird.
  • Aus der DE 38 26 745 A1 ist es bekannt, daß das "Klemmen" eines Freigabetaktsignals in Abhängigkeit von einer rückwärts gerichteten Vorspannung erfolgt.
  • Diese Aufgabe wird durch eine Schaltung gemäß Patentanspruch 1 gelöst.
  • Die Erfindung liefert eine Schaltung zum Klemmen des Freigabetaktsignals für eine Halbleiterspeichervorrichtung, welche folgende Merkmale umfaßt: a) eine Einrichtung zum Erzeugen eines Einstellsignales für eine rückwärtsgerichtete Vorspannung, wenn die rückwärtsgerichtete Vorspannung einen Bezugsspannungspegel für die rückwärtsgerichtete Vorspannung erreicht hat; b) eine Einrichtung zum Erzeugen eines Leistungshochfahrsignales, wenn die Leistung hochgefahren ist; c) eine Einrichtung zum Erzeugen einer Bitleitungs-Vorladespannung; d) eine Steuereinrichtung zum Halten der Bitlei tungs-Vorladespannung auf einem Massespannungspegel gemäß dem Einstellsignal für die rückwärtsgerichtete Vorspannung und dem Leistungshochfahrsignal; e) eine Einrichtung zum Erzeugen eines Einstellsignales für eine Bitleitungs-Vorladespannung, wenn die Bitleitungs-Vorladespannung einen Bezugsspannungspegel für die Bitleitungs-Vorladespannung erreicht hat; f) eine Freigabetakt-Durchlaßsignal-Generatoreinrichtung zum Erzeugen eines Freigabetakt-Durchlaßsignales gemäß dem Bitleitungs-Einstellsignal und dem Leistungshochfahrsignal; und g) eine Einrichtung zum Übertragen des Freigabetaktsignales gemäß dem Freigabetakt-Durchlaßsignal.
  • Gemäß einer bevorzugten Weiterbildung umfaßt die Steuereinrichtung a) eine Generatoreinrichtung, die auf das Einstellsignal für die rückwärtsgerichtete Vorspannung und auf das Leistungshochfahrsignal anspricht, um ein Bitleitungs-Vorladespannungs-Steuersignal zu erzeugen; und b) eine Halteeinrichtung zum Halten der Bitleitungs-Vorladespannung auf Massespannungspegel gemäß dem Bitleitungs-Vorladespannungs-Signal.
  • Gemäß einer anderen Weiterbildung umfaßt die Generatoreinrichtung a) eine Halteschaltung mit einem Paar von NOR-Gattern mit jeweils zwei Eingängen, wobei das erste NOR-Gatter mit zwei Eingängen das Einstellsignal für die rückwärtsgerichtete Vorspannung und ein Ausgangssignal des zweiten NOR-Gatters mit zwei Eingängen empfängt und wobei das zweite NOR-Gatter mit zwei Eingängen das Leistungshochfahrsignal und ein Ausgangssignal des ersten NOR-Gatters mit zwei Eingängen empfängt; und b) einen Inverter, der mit dem zweiten NOR-Gatter mit zwei Eingängen verbunden ist.
  • Die Generatoreinrichtung für das Freigabetakt-Durchlaßsignal umfaßt a) eine Halteschaltung mit einem Paar von NOR-Gattern mit zwei Eingängen, wobei das erste NOR-Gatter mit zwei Eingängen die Einstellspannung für die Bitleitungs-Vorladespannung und ein Ausgangssignal des zweiten NOR-Gatters mit zwei Eingängen empfängt, wobei das zweite NOR-Gatter mit zwei Eingängen das Leistungshochfahrsignal und ein Ausgangssignal des ersten NOR-Gatters mit zwei Eingängen empfängt; und b) einen Inverter, der mit dem zweiten NOR-Gatter mit zwei Eingängen verbunden ist.
  • Gemäß der Erfindung wird der Bitleitungs-Vorladespannungs-Generator nach dem Einstellen der rückwärtsgerichteten Vorspannung VBB aktiviert, wobei ein /RAS-Signal in den Chip übertragen werden kann, nachdem die Bitleitungs-Vorladespannung VBLP den gewünschten Pegel erreicht hat, wodurch Fehlfunktionen des Erfassungsverstärkers verhindert werden.
  • Obwohl lediglich der VBB-Generator aktiviert wird, wird verhindert, daß eine Beeinträchtigung des /RAS-Eingangssignales auftritt, wodurch die Zuverlässigkeit des Chips erhöht wird.
  • Gemäß diesem Erfindungsaspekt verbessert die Schaltung gemäß der vorliegenden Erfindung die oben beschriebene bekannte /RAS-Klemmschaltung, welche einen VBB-Sensor 1, einen Leistungshochfahrgenerator 8, eine Halteschaltung 5, einen Inverter 6 und eine NOR-Schaltung 7 hat. Die Schaltung gemäß der vorliegenden Erfindung umfaßt einen VBB-Sensor zum Erzeugen eines VBB-Einstehlsignales S1, wenn die rückwärtsgerichtete Vorspannung VBB in einer Halbleiterspeichervorrichtung einen gewünschten Pegel erreicht hat; einen Leistungshochfahrgenerator zum Erzeugen eines Leistungshochfahrsignales S2, wenn eine Leistung in der Halbleiterspeichervorrichtung eingestellt ist; einen VBLP-Generator zum Erzeugen einer Bitleitungs-Vorladespannung VBLP; eine VBLP-Steuerung zum Halten des VBLP-Signales auf einem Massespannungspegel gemäß den Signalen S1 und S2; einen VBLP-Sensor zum Erzeugen eines VBLP-Einstellsignales S3, wenn das Signal VBLP einen gewünschten Pegel erreicht hat; und einen /RAS-Durchlaßsignal-Generator zum Erzeugen eines /RAS-Durchlaßsignales S4 in Abhängigkeit von den Signalen S3 und S2; eine NOR-Schaltung zum Steuern der Übertragung des /RAS-Signales in Abhängigkeit von dem /RAS-Durchlaßsignal S4, wodurch das /RAS-Signal zu der Halbleiterspeichervorrichtung zugeführt wird, nachdem die rückwärtsgerichtete Vorspannung VBB den gewünschten Pegel erreicht hat und nachdem die Bitleitungs-Vorladespannung VBLP den gewünschten Pegel erreicht hat.
  • Vorzugsweise umfaßt die VBLP-Steuerung einen Schalttransistor zum Kurzschließen des Ausgangsanschlusses eines VBLP-Generators gegen Masse und eine erste Halteschaltung zum ausgangsseitigen Erzeugen eines Haltesignales durch einen Inverter, welches einem Gate des Schalttransistors zugeführt wird.
  • Bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend unter Bezugnahme auf die beiliegenden Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:
  • 1 Eine bekannte Schaltung zum Klemmen eines Reihenadressabtastsignales /RAS;
  • 2 Die zeitlichen Verläufe für Signale der bekannten /RAS-Klemmschaltung;
  • 3 Die Schaltung zum Klemmen des Reihenadressabtastsignales gemäß der vorliegenden Erfindung; und
  • 4 Die zeitlichen Verläufe der Signale bei der /RAS-Klemmschaltung gemäß der vorliegenden Erfindung.
  • 3 zeigt die Schaltung zum Klemmen des /RAS-Signales gemäß einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
    •
  • Wie in 3 dargestellt ist, ist der AusgangsanschluB des Leistungshochfahrgenerators 8 mit beiden Anschlüssen einer ersten Halteschaltung 5 und einer zweiten Halteschaltung 12 verbunden, während die Ausgangsseite der ersten Halteschaltung 5 durch den Inverter 6 mit dem Gate des Schalttransistors 10 verbunden ist, dessen Drain mit einem VBLP-Knoten verbunden ist und dessen Source gegen Masse geschaltet ist.
  • Der AusgangsanschluB eines VBLP-Generators 9, der eine Bitleitungs-Vorladespannung VBLP erzeugt, ist an den VBLP-Sensor 11 und an den Drain-Anschluß des Schalttransistors 10 angeschlossen, während der Ausgangsanschluß des VBLP-Sensors 11 mit der anderen Seite der zweiten Halteschaltung 12 verbunden ist, welche aus den beiden NOR-Gattern NOR3 und NOR4 besteht.
  • Der AusgangsanschluB der zweiten Halteschaltung 12 ist durch den Inverter 13 mit einem Eingang der NOR-Schaltung 7 mit zwei Eingängen angeschlossen, während der andere Eingang mit dem /RAS-Signal beaufschlagt wird, so daß die NOR-Schaltung 7 ein Takt-Ein-Signal in Reaktion auf das /RAS-Signal überträgt.
  • Der VBB-Sensor 1 erzeugt ein VBB-Einstellsignal S1, wenn eine rückwärtsgerichtete Vorspannung VBB innerhalb der Halbleiterspeichervorrichtung einen gewünschten Pegel erreicht hat. Der Leistungshochfahrgenerator 8 erzeugt ein Leistungshochfahrsignal S2, wenn die Leistung der Halbleiterspeichervorrichtung eingestellt ist bzw. einen Betriebszustand erreicht hat. Der VBLP-Generator 9 erzeugt eine Bitleitungs-Vorladespannung VBLP. Eine VBLP-Steuerung 15 hält die Bitleitungs-Vorladespannung VBLP auf Massespannungspegel in Abhängigkeit von den Signalen S1 und S2. Der VBLP-Sensor 11 erzeugt ein VBLP-Einstellsignal S3, wenn die Bitleitungs-Vorladespannung VBLP einen gewünschten Wert erreicht hat. Der /RAS-Durchlaßsignal-Generator erzeugt ein /RAS-Durchlaßsignal S4 in Abhängigkeit von den Signalen S3 und S2. Die NOR-Schaltung 7 steuert die Übertragung des /RAS-Signales in Abhängigkeit von dem Signal S4. Der Schalttransistor 10 bewirkt eine Kurzschlußschaltung des Ausgangsanschlusses des VBLP-Generators 9 gegen Masse.
  • 4 ist eine Darstellung der zeitlichen Signalverläufe für die Klemmschaltung für das /RAS-Signal gemäß der vorliegenden Erfindung. Bei der erfindungsgemäßen Schaltung wird das /RAS-Signal übertragen, nachdem die Bitleitungs-Vorladespannung VBLP eingestellt ist.
  • Wie man aus den Signalverläufen gemäß 4 erkennt, wird nach Zuführung und Stabilisierung der Leistungsversorgungsspannung VDD das Leistunghochfahrsignal S2 durch den Leistungshochfahrgenerator in Form eines Pulses mit der in 4 gezeigten Signalform erzeugt, wobei der VBB-Generator aktiviert wird. Das Signal S2 bewirkt, daß der Knoten B in einem potentialmäßig niedrigen Zustand gehalten wird. Der Ausgang der ersten Halteschaltung 5 nimmt in der Weise einen niedrigen Pegel an, daß der Knoten A einen hohen und der Knoten B einen niedrigen logischen Pegel haben, bis das Ausgangssignal des VBB-Sensors 1, nämlich das VBB-Einstellsignal S1, einen hohen logischen Pegel annimmt.
  • Daraufhin wird das Ausgangssignal der ersten Halteschaltung 5 durch den Inverter 6 invertiert. Der Schalttransistor 10 wird eingeschaltet, so daß der Schalttransistor 10 den Ausgangsknoten des VBLP-Generators 9 gegen Masse kurzschließt. Daraufhin wird die Spannung des Signales VBLP auf Massespannung gehalten.
  • Wenn sich die VBB-Spannung stabilisiert hat, erzeugt der VBB-Sensor 1 ausgangsseitig das Signal S1 mit einem hohen logischen Pegel, so daß der Ausgangsknoten A der ersten Halteschaltung 5 auf einen niedrigen Pegel herabfällt. Dann erzeugt das NOR-Gatter NOR2 ausgangsseitig einen hohen logischen Wert, wodurch der Inverter 6 den Knoten C auf einen niedrigen logischen Pegel einstellt, so daß der Schalttransistor 10 ausgeschaltet wird und der VBLP-Generator 9 akti viert wird, wodurch die Bitleitungs-Vorladespannung erzeugt wird.
  • Bis die VBLP-Spannung den gewünschten Wert erreicht hat, bleibt das Ausgangsignal S3 des VBLP-Sensors 11 auf niedrigem logischen Pegel. Der Potentialwert der Knoten D und E sowie des Ausganges der zweiten Halteschaltung 12 und der Knoten F (Signal S4) wie auch der Ausgang des Inverters 13 haben jeweils die Werte "hoch", "niedrig" und "hoch", wie dies in 4 gezeigt ist. Daher wird der Transistor MP2 ausgeschaltet und der Transistor MN1 eingeschaltet. Als Folge hiervon wird das /RAS-Signal nicht als Takt-Ein-Signal hindurchgelassen.
  • Wenn daraufhin die VBLP-Spannung den gewünschten Pegel erreicht, wird das Ausgangssignal S3 des VBLP-Sensors 11 auf einen hohen logischen Pegel geschoben. Der Knoten D und der Knoten E sowie das Signal S4 werden jeweils auf die Pegel "niedrig", "hoch" sowie "niedrig" verschoben, wie dies in 4 gezeigt ist. Daher wird der Transistor MP2 eingeschaltet, während der Transistor MN1 ausgeschaltet wird. Als Ergebnis hiervon wird das Takt-Ein-Signal, welches auf einem niedrigen Pegel unabhängig von dem Eingang des /RAS-Signales gehalten wurde, in einen invertierten Zustandswert gemäß dem /RAS-Signal gebracht. Daraufhin wird das /RAS-Signal dem Chip zugeführt, nachdem die Einstellung der Spannung VBLP abgeschlossen ist.
  • Um die Zeitverzögerung bei der Zuführung des /RAS-Signales zu dem Chip zu vermindern, wird die NOR-Schaltung 7 mit Transistoren MP2, MN2 aufgebaut, die ein hohes W/L-Verhältnis haben (wobei W die Breite und L die Länge des Transistorgates darstellen) wodurch eine hohe Stromtreiberkapazität verglichen mit der Stromtreiberkapazität der Transistoren MP3 und MN1 erreicht wird.
  • Erfindungsgemäß wird das /RAS-Signal zugeführt, nachdem die Bitleitungs-Vorladespannung die normale Spannung erreicht hat, wie dies durch den VBLP-Sensor erfaßt wird. Ferner wird der Ausgang des VBLP-Generators 9 durch die Betätigung des Schalttransistors 10 gegen Masse geschaltet, bis die VBB-Spannung ihren normalen Pegel erreicht hat.
  • Wenn sich die Bitleitungsladekapazität mit ansteigender Speicherkapazität erhöht, ist es erforderlich, sämtliche Bitleitungen über eine lange Zeitdauer mit der Bitleitungs-Vorladespannung einzustellen. Daher können Fehlfunktionen des Erfassungsverstärkers auftreten, die durch das Zuführen des /RAS-Signales vor dem Einstellen der VBLP-Spannung bewirkt sind.
  • Da jedoch gemäß der Erfindung das /RAS-Signal dem Chip zugeführt wird, nachdem die VBB- und die VBLP-Spannung ihren gewünschten Pegel erreicht haben, können Fehlfunktionen des Erfassungsverstärkers verhindert werden, die durch das Zuführen des /RAS-Signales vor dem Einstellen der VBLP-Spannung bewirkt werden.
  • Selbst wenn daher die Spannung des VBB-Generators oder die Spannung des VBLP-Generators eine Änderung erfahren, wird die Eingabe des /RAS-Signales nicht negativ beeinträchtigt, so daß der Chip dazu in der Lage ist, mit einer verbesserten Betriebsweise zu arbeiten, wodurch die Zuverlässigkeit der Halbleiterspeichervorrichtung erhöht wird.

Claims (6)

  1. Schaltung zum Klemmen eines Freigabetaktsignales für eine Halbleiterspeichervorrichtung, mit: a) einer Einrichtung (1) zum Erzeugen eines Einstellsignales (S1) für eine rückwärtsgerichtete Vorspannung, wenn die rückwärtsgerichtete Vorspannung (VBB) einen Bezugsspannungspegel für die rückwärtsgerichtete Vorspannung erreicht hat; und b) einer Einrichtung (8) zum Erzeugen eines Leistungshochfahrsignales (S2), wenn die Leistung eingestellt ist; gekennzeichnet durch c) eine Einrichtung (9) zum Erzeugen einer Bitleitungs-Vorladespannung (VBLP); d) eine Steuereinrichtung (15) zum Halten der Bitleitungs-Vorladespannung (VBLP) auf einem Massespannungspegel in Abhängigkeit von dem Einstellsignal (S1) für die rückwärtsgerichtete Vorspannung und dem Leistungshochfahrsignal (S2); e) eine Einrichtung (11) zum Erzeugen eines Bitleitungs-Vorladespannungs-Einstellsignales (S3), wenn die Bitleitungs-Vorladespannung (VBLP) einen Bezugsspannungspegel für die Bitleitungs-Vorladespannung erreicht hat; f) eine Freigabetakt-Durchlaßsignal-Generatoreinrichtung (12, 13) zum Erzeugen eines Freigabetakt-Durchlaßsignales (S4) in Abhängigkeit von dem Bitleitungs-Vorla despannungs-Einstellsignal (S3) und dem Leistungshochfahrsignal (S2); und g) eine Einrichtung (7) zum Übertragen des Freigabetaktsignales (/RAS) in Abhängigkeit von dem Freigabetakt-Durchlaßsignal (S4).
  2. Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Steuereinrichtung (15) folgende Merkmale aufweist: a) eine Generatoreinrichtung (5) zum Erzeugen eines Bitleitungs-Vorladespannungs-Steuersignales in Abhängigkeit von dem Einstellsignal (S1) für die rückwärtsgerichtete Vorspannung und dem Leistungshochfahrsignal (S2); und b) eine Halteeinrichtung (10) zum Halten der Bitleitungs-Vorladespannung auf einem Massespannungspegel in Abhängigkeit von dem Bitleitungs-Vorladespannungs-Steuersignal.
  3. Schaltung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Generatoreinrichtung folgende Merkmale umfaßt: a) eine Halteschaltung (5) mit einem Paar von NOR-Gattern (NOR1, NOR2) mit jeweils zwei Eingängen, wobei das erste NOR-Gatter (NOR1) mit zwei Eingängen das Einstellsignal (S1) für die rückwärtsgerichtete Vorspannung und ein Ausgangssignal des zweiten NOR-Gatters (NOR2) mit zwei Eingängen empfängt und das zweite NOR-Gatter (NOR2) mit zwei Eingängen das Leistungshochfahrsignal (S2) und ein Ausganssignal des ersten NOR-Gatters (NOR1) mit zwei Eingängen empfängt; und b) einen Inverter (6), der mit dem zweiten NOR-Gatter (NOR2) mit zwei Eingängen verbunden ist.
  4. Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Freigabetakt-Durchlaßsignal-Generatoreinrichtung (12, 13) folgende Merkmale aufweist: a) eine Halteschaltung (12) mit einem Paar von NOR-Gattern (NOR3, NOR4) mit jeweils zwei Eingängen, wobei das erste NOR-Gatter (NOR3) mit zwei Eingängen das Bitleitungs-Vorladespannungs-Einstellsignal (S3) und ein Ausgangssignal des zweiten NOR-Gatters (NOR4) mit zwei Eingängen empfängt, wobei das zweite NOR-Gatter (NOR4) mit zwei Eingängen das Leistungshochfahrsignal (S2) und ein Ausgangssignal des ersten NOR-Gatters (NOR3) mit zwei Eingängen empfängt; und b) einen Inverter (13), der mit dem zweiten NOR-Gatter (NOR4) mit zwei Eingängen verbunden ist.
  5. Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Bitleitungs-Vorladespannung der Hälfte des Vcc-Pegels entspricht.
  6. Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß das Freigabetaktsignal zumindest ein Reihenadressabtastsignal (/RAS) umfaßt.
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