DE10106775B9 - Spannungsdetektionsschaltung für ein Halbleiterspeicherbauelement - Google Patents

Spannungsdetektionsschaltung für ein Halbleiterspeicherbauelement Download PDF

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Abstract

Spannungsdetektionsschaltung für ein Halbleiterspeicherbauelement, gekennzeichnet durch
– Mittel (100, 200) zur Erzeugung mehrerer Referenzspannungen sowie einer Vergleichsspannung, wobei die Spannungserzeugungsmittel einen an eine erste Speisespannung (1) angeschlossenen ersten Spannungsgenerator (100) zur Erzeugung der Referenzspannungen in Abhängigkeit von einem Betriebsmodussignal (OMS) und einen an eine zweite Speisespannung (VPP) angeschlossenen zweiten Spannungsgenerator (200) zur Erzeugung der Vergleichsspannung beinhalten, wobei
– der erste Spannungsgenerator (100) eine erste Referenzspannungserzeugungsschaltung zur Erzeugung einer ersten Referenzspannung in Abhängigkeit vom Betriebsmodussignal (OMS) während eines Normalbetriebsmodus des Halbleiterspeicherbauelementes und eine zweite Referenzspannungserzeugungsschaltung zur Erzeugung einer zweiten Referenzspannung in Abhängigkeit vom Betriebsmodussignal (OMS) während eines Testmodus des Halbleiterspeicherbauelementes enthält, wobei
– die erste Referenzspannungserzeugungsschaltung einen zwischen die erste Speisespannung (1) und einem ersten Ausgang (N1) eingeschleiften Widerstand (112) sowie einen zwischen den ersten Ausgang (N1) und eine Massespannung (2) eingeschleiften zweiten Widerstand (113) aufweist und die zweite Referenzspannungserzeugungsschaltung eine Reihenschaltung aus einem Schalter (121) und einem...

Description

  • Die Erfindung bezieht sich auf eine Spannungsdetektionsschaltung für ein Halbleiterspeicherbauelement, insbesondere zur Erkennung eines stabilen Spannungsanhebungspegels in Halbleiterspeicherbauelementen.
  • Halbleiterspeicherbauelemente hoher Kapazität, wie dynamische Speicher mit wahlfreiem Zugriff (DRAMs), verwenden eine niedrige Spannungsversorgung, um den Stromverbrauch zu verringern und die Zuverlässigkeit zu erhöhen. In solchen Bauelementen ist es wünschenswert, eine angehobene Spannung (VPP) zu verwenden, um die Übertragungseigenschaften bestimmter Schaltkreise zu verbessern. Beispielsweise wird eine angehobene Spannung VPP als Speisespannung zum Treiben von Wortleitungen mit Spannungen höher als der niedrige Spannungspegel der niedrigen Spannungsversorgung benutzt, um einen genauen und zuverlässigen Betrieb von Wortleitungstreiberschaltkreisen sicherzustellen.
  • Zur Erzeugung der angehobenen Spannung VPP wird in derartigen Halbleiterspeicherbauelementen ein VPP-Generator verwendet.
  • Dieser beinhaltet eine Pumpschaltung, die von einem Oszillator getrieben wird, und eine VPP-Pegeldetektionsschaltung, die den Betrieb des Oszillators steuert. Die VPP-Pegeldetektionsschaltung detektiert den VPP-Pegel, der normalerweise durch die Benutzung der VPP-Spannung festgelegt ist, und vergleicht ihn mit einem VPP-Sollpegel. Wenn der VPP-Pegel den Sollpegel erreicht, aktiviert die Detektionsschaltung ein Detektionssignal, das bewirkt, dass der Betrieb des Oszillators gestoppt wird. Dies wiederum bewirkt, dass die Pumpschaltung den Pumpbetrieb stoppt. Während die Pumpschaltung deaktiviert ist, fällt der VPP-Spannungspegel ab, da die VPP-Spannung als eine Spannungsquelle benutzt wird. Wenn der VPP-Spannungspegel unter den VPP-Sollpegel abfällt, deaktiviert die Detektionsschaltung das Detektionssignal, was dazu führt, dass die Pumpschaltung den Pumpbetrieb wieder aufnimmt.
  • Bei Verwendung einer angehobenen Spannung VPP ist es wichtig, einen exakten Sollpegel zu bekommen, da ein gegenüber dem Sollpegel unnötigerweise höherer oder niedrigerer VPP-Pegel in einem erhöhten Leistungsverbrauch, einer erhöhten Bauelementbelastung und einem nicht zufriedenstellenden Transistorleistungsvermögen resultieren kann. Daher wird eine genaue und stabile Detektionsschaltung benötigt.
  • Eine herkömmliche VPP-Pegeldetektionsschaltung eines Halbleiterspeicherbauelements ist in 1 illustriert. Wie daraus ersichtlich, umfasst diese Detektionsschaltung einen Spannungsgenerator 10 zur Erzeugung einer Vergleichsspannung sowie einen Treiberschaltkreis 20 zur Detektion eines VPP-Sollpegels und zur Erzeugung eines Spannungspegeldetektionssignals DET. Der Spannungsgenerator 10 beinhaltet seriell geschaltete NMOS-Transistoren 11, 12 und 13. Ein Ende des Spannungsgenerators 10 ist an eine Speisespannung VDD angekoppelt, und ein gegenüberliegendes Ende ist an eine Massespannung VSS angekoppelt. Eine Gate-Elektrode des Transistors 12 ist mit der Versorgungsspannung VDD verbunden, während die Gate-Elektroden der Transistoren 11 und 13 mit der angehobenen Spannung VPP verbunden sind. Der Treiberschaltkreis 20 beinhaltet drei Inverter 21, 22 und 23. Ein Eingang des Inverters 21 ist mit einem Knoten A verbunden. Mit den Bezeichnungen R1, R2 und R3 für die äquivalenten Widerstandswerte des Source-Drain-Pfades der Transistoren 11, 12 bzw. 13 lässt sich die Spannung am Knoten A durch folgende Gleichung ausdrücken: VA = VDD·{(R2 + R3)/(R1 + R2 + R3)}.
  • Mit Anwachsen des VPP-Pegels, d.h. des Pegels der angehobenen Spannung, verringern sich die Widerstandswerte der Transistoren 11 und 12, da ihre Gate-Elektroden mit der angehobenen Spannung VPP verbunden sind. Hingegen verändert sich der Widerstandswert des Transistors 12 praktisch nicht, da seine Gate-Elektrode mit der Speisespannung VDD verbunden ist, die einen speziellen festgehaltenen Wert aufweist. Mit anwachsendem VPP-Pegel steigt folglich auch der Spannungspegel am Knoten A.
  • Die logische Schwellenspannung eines p-leitenden MOS(PMOS)- oder eines n-leitenden MOS(NMOS)-Inverters ist durch dessen Breiten/Längen-Verhältnis bestimmt. Ein Inverter beginnt, seinen Ausgangszustand um die logische Schwellenspannung herum zu ändern. Wenn der Spannungspegel am Knoten A höher als der logische Schwellenspannungspegel des Inverters 21 wird, wird folglich das vom Inverter 23 abgegebene Spannungspegeldetektionssignal DET niedrig, so dass das Spannungspegeldetektionssignal DET den Pumpbetrieb stoppt. Wenn der Spannungspegel am Knoten A niedriger als die logische Schwellenspannung wird, gelangt hingegen das Spannungspegeldetektionssignal DET auf hohen Pegel, und der Pumpbetrieb beginnt wieder. Um den Betrieb zur Detektion des VPP-Sollpegels zu implementieren, kann der Spannungspegel des Knotens A am VPP-Sollpegel um die logische Schwellenspannung des Inverters 21 herum eingestellt werden, indem die Abmessungen der Transistoren 11, 12 und 13 sowie des Inverters 21 entsprechend gesteuert werden.
  • Allerdings weist die herkömmliche, oben beschriebene Detektionsschaltung eine Anzahl von Schwierigkeiten auf. So ist diese Detektionsschaltung unter anderem empfindlich gegenüber Prozess- und Temperaturschwankungen. Die Spannung am Knoten A beim VPP-Sollpegel und die logische Schwellenspannung des Inverters 21 variieren beispielsweise mit Prozess- und Temperaturschwankungen. Außerdem kann es sein, dass diese beiden Spannungen durch Prozess- und Temperaturschwankungen in verschiedene Richtungen von einander weg verschoben werden, da der Inverter 21 sowohl PMOS- als auch NMOS-Transistoren beinhaltet, während der Spannungsgenerator 10 nur NMOS-Transistoren enthält. Aufgrund dieser Probleme kann es sein, dass der VPP-Sollpegel nicht exakt detektiert wird.
  • Veränderungen des detektierten VPP-Pegels aufgrund von Prozess- und Temperaturschwankungen sind während eines Testmodus bei hoher Spannung, wie einem Einbrenntestmodus, verglichen mit einem Normalbetriebsmodus, wie einem normalen Lese- oder Schreibmodus, sogar noch ernstzunehmender. Ein weiteres Problem während Testvorgängen bei hoher Spannung besteht darin, dass es schwierig ist, einen für einen Testmodus bei hoher Spannung geeigneten VPP-Sollpegel zu erhalten, da der Widerstandswert des Spannungsgenerators 10 für den Normalbetriebsmodus ausgelegt ist.
  • Schließlich ist die aus der Reaktion auf die Schwankung des VPP-Pegels resultierende Spannungsverstärkung am Knoten A so klein (ca. 0,1 bis 0,2), dass die Schwankung der logischen Schwellenspannung aufgrund von Prozess- und Temperaturschwankungen den detektierten VPP-Pegel in kritischer Weise ändern kann. Mit anderen Worten ist die aus der Reaktion auf die VPP-Schwankung resultierende Änderung der Spannung am Knoten A im Vergleich zur Schwankung der logischen Schwellenspannung des Inverters 21 aufgrund von Prozess- und Temperaturschwankungen relativ gesehen so klein, dass bei Verwendung dieser herkömmlichen Konfiguration eventuell kein präziser Detektionsbetrieb realisiert werden kann.
  • In der Offenlegungsschrift EP 0 594 162 A1 ist eine Spannungsdetektionsschaltung mit einem Differenzverstärker offenbart, dessen beiden Eingängen je ein Spannungsteiler vorgeschaltet ist, um eine Referenzspannung bzw. eine geteilte zu detektierende Spannung bereitzustellen. An den Ausgang des Differenzverstärkers schließt sich eine Reihenschaltung von zwei Invertern an, an die wiederum ein aus zwei parallelen Invertern aufgebauter Zwischenspeicher anschließt.
  • Die Patentschrift DE 198 32 309 C1 offenbart einen Spannungsregler mit integriertem Detektionsteil, der einen Operationsverstärker beinhaltet, dem an einem Eingang eine Referenzspannung und am anderen Eingang eine durch einen Spannungsteiler geteilte, zu detektierende Spannung zugeführt wird und dessen Ausgangssignal einen Schalttransistor ansteuert. Dabei ist dem Spannungsteiler ein weiterer Spannungsteiler mit gleichem Spannungsteilerverhältnis parallel in Abhängigkeit von einem Betriebsartsignal zuschaltbar, um in einem Normalbetrieb eine erhöhte Empfindlichkeit und Störsicherheit und in einem Stand-by-Betrieb einen reduzierten Stromverbrauch zu ermöglichen.
  • In der Offenlegungsschrift 197 32 670 A1 ist eine Schaltung zur Erzeugung einer niedrigeren internen Spannung aus einer höheren externen Spannung offenbart, die einen Differenzverstärker und eine Referenzspannungserzeugungsschaltung verwendet. Die Referenzspannungserzeugungsschaltung ist dafür eingerichtet, zwei unterschiedliche Referenzspannungen zu erzeugen und eine davon in Abhängigkeit von einem Steuersignal über ein jeweiliges Transfergate für den Differenzverstärker auszuwählen, wobei das Steuersignal von der Bündellänge von Adressdaten abhängt, die einer in einem Bündelbetrieb arbeitenden integrierten Halbleiterschaltungseinrichtung von extern zugeführt werden, in welcher diese Schaltungsanordnung verwendet ist.
  • Der Erfindung liegt als technisches Problem die Bereitstellung einer Spannungsdetektionsschaltung der eingangs genannten Art zugrunde, die eine präzise und zuverlässige Detektion eines Spannungspegels weitgehend unbeeinflusst von Prozess- und Temperaturschwankungen und/oder sowohl in einem Normalbetriebsmodus als auch in einem Testbetriebsmodus ermöglicht.
  • Die Erfindung löst dieses Problem durch die Bereitstellung einer Spannungsdetektionsschaltung mit den Merkmalen des Anspruchs 1 oder 2.
  • Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben.
  • Vorteilhafte, nachfolgend näher beschriebene Ausführungsformen der Erfindung sowie das zu deren besserem Verständnis oben erläuterte, herkömmliche Ausführungsbeispiel sind in den Zeichnungen dargestellt, in denen zeigen:
  • 1 ein Schaltbild einer herkömmlichen Spannungsdetektionsschaltung,
  • 2 ein Schaltbild einer ersten erfindungsgemäßen Spannungsdetektionsschaltung,
  • 3A ein Schaltbild einer zweiten erfindungsgemäßen Spannungsdetektionsschaltung,
  • 3B ein Schaltbild einer dritten erfindungsgemäßen Spannungsdetektionsschaltung,
  • 4 ein Schaltbild einer vierten erfindungsgemäßen Spannungsdetektionsschaltung,
  • 5 Schaltbilder verschiedener, erfindungsgemäß verwendbarer, diodenverschalteter MOS-Transistoren,
  • 6A ein Diagramm zur Veranschaulichung der Änderungen der VPP-Sollpegel in zwei verschiedenen Betriebsarten aufgrund von Prozess- und Temperaturschwankungen gemäß dem Stand der Technik,
  • 6B ein Diagramm entsprechend 6A, jedoch für ein erstes erfindungsgemäßes Ausführungsbeispiel, und
  • 6C ein Diagramm entsprechend 6A, jedoch für ein zweites erfindungsgemäßes Ausführungsbeispiel.
  • 2 zeigt eine erste erfindungsgemäße Spannungsdetektionsschaltung, die einen ersten Spannungsgenerator 100, einen zweiten Spannungsgenerator 200 und einen Differenzverstärker 300 aufweist. Ein Ausgang des ersten Spannungsgenerators 100 ist mit dem einen Eingang N1 des Differenzverstärkers 300 verbunden. Ein Ausgang des zweiten Spannungsgenerators 200 ist mit dem anderen Eingang N2 des Differenzverstärkers 300 verbunden. Ein Treiberschaltkreis 400 ist an einen Ausgang N3 des Differenzverstärkers 300 gekoppelt, und der Eingang eines VPP-Generators 500 ist an einen Ausgang DET des Treiberschaltkreises 400 gekoppelt.
  • Der erste Spannungsgenerator 100 weist eine erste und eine zweite Referenzspannungserzeugungsschaltung 110, 120 auf. Die erste Referenzspannungserzeugungsschaltung 110 beinhaltet zwei Schalter 111 und 114. Ein erster Schalter 111 ist an eine Speisespannung 1 gekoppelt, und ein zweiter Schalter 114 ist an eine Massespannung 2 gekoppelt. Der erste Spannungsgenerator 100 beinhaltet außerdem einen Spannungsteiler mit zwei Widerständen 112, 113, die zwischen die zwei Schalter 111, 114 eingeschleift sind. Die zweite Referenzspannungserzeugungs schaltung 120 weist ebenfalls zwei Schalter 121, 124 auf. Ein erster Schalter 121 ist an die Speisespannung 1 gekoppelt. Der zweite Schalter 124 ist an die Massespannung 2 gekoppelt. Ein Spannungsteiler, der zwei Widerstände 122, 123 umfasst, ist zwischen die zwei Schalter 121, 124 eingeschleift.
  • Die erste und zweite Referenzspannungserzeugungsschaltung 110, 120 erzeugen zwei Referenzspannungen, die über den Knoten N1 als gemeinsamen Referenzeingangsknoten zum Differenzverstärker 300 übertragen werden. Die Schalter 111, 114, 121 und 124 der ersten und zweiten Referenzspannungserzeugungsschaltung 110, 120 werden durch ein Betriebsmodussignal OMS gesteuert, das anzeigt, ob die Betriebsart eines Speicherbauelementes ein Normalmodus oder ein Testmodus ist. In diesem Beispiel befindet sich das OMS-Signal während des Testmodus in einem Zustand hohen Pegels und während des Normalbetriebsmodus in einem Zustand niedrigen Pegels.
  • Im Testmodus liefert die erste Referenzspannungserzeugungsschaltung 110, da die Schalter 111 und 114 leitend geschaltet sind, eine für den Testmodus geeignete Referenzspannung. Die Schalter 121 und 124 sind sperrend geschaltet, so dass die zweite Referenzspannungserzeugungsschaltung 120 keinen Einfluss auf die Referenzspannung hat. Während des Normalbetriebsmodus sind die Schalter 121 und 124 jedoch leitend geschaltet, und die zweite Referenzspannungserzeugungsschaltung 120 liefert eine für den Normalbetriebsmodus geeignete Referenzspannung. Die Schalter 111, 114, 121 und 124 können durch verschiedene Arten von MOS-Transistorschaltern implementiert sein, abhängig von der Natur des OMS-Signals, d.h. ob eine positive oder negative Wahrheitslogik vorliegt.
  • Der zweite Spannungsgenerator 200 beinhaltet einen Spannungsteiler mit zwei Widerständen 201, 202, die zwischen einen Pegel einer angehobenen Spannung VPP und die Massespannung 2 eingeschleift sind. Der Spannungsteiler liefert eine Ver gleichsspannung als ein Vergleichseingangssignal für den Eingang N2 des Differenzverstärkers 300. Die Vergleichsspannung repräsentiert Schwankungen im Pegel der angehobenen Spannung VPP.
  • Der Differenzverstärker 300 weist einen Widerstand 301, zwei NMOS-Transistoren 302 und 303 sowie zwei PMOS-Transistoren 304 und 305 auf. Der Differenzverstärker 300 ist zwischen eine Speisespannung 3 und die Massespannung 2 eingeschleift. Der Widerstand 301 wirkt als Stromquelle und kann durch einen oder mehrere MOS-Transistoren implementiert sein.
  • Die Speisespannung 3 kann entweder gleich der Speisespannung 1 oder von dieser verschieden sein, abhängig von Rauschbetrachtungen. In Speicherbauelementen hoher Dichte ist es wünschenswert, für das Zellenfeld eine separate Speisespannung zu verwenden, um das Maß an Rauschen zu vermindern, das im Schaltkreis durch die Speisespannung hervorgerufen wird. Beispielsweise sind Zellenfelder häufig empfindlich für Rauschen einer Speisespannung und benötigen daher oft eine stabile Leistungsversorgung. Für Zellenfelder, die eine stabile Leistungsversorgung benötigen, kann die Speisespannung für das Zellenfeld von derjenigen für periphere Schaltkreise getrennt werden, in denen mehr Speisespannungsrauschen auftritt. Bevorzugt ist die Speisespannung für das Zellenfeld mit dem ersten Spannungsgenerator 100 für die Erzeugung einer stabileren Referenzspannung gekoppelt. Die Speisespannung für die peripheren Schaltkreise wird den übrigen erfindungsgemäßen Schaltungskomponenten zugeführt. Wenn Rauschprobleme nicht von Bedeutung sind, kann die Speisespannung der peripheren Schaltkreise auch für das Zellenfeld und andere Schaltkreiskomponenten der Erfindung genutzt werden.
  • Im Betrieb vergleicht der Differenzverstärker 300 die Vergleichsspannung am einen Eingang N2 mit der Referenzspannung am anderen Eingang N1. Die Referenzspannungen am Knoten N1 im Normalbetriebsmodus und Testmodus sowie die Vergleichsspannung am Knoten N2 können durch folgende Gleichungen ausgedrückt werden: VN1normal = VDD(normal)·R(123)/{R(122) + R(123)}; VN1test = VDD(test)·R(113)/{R(112) + R(113)}; und VN2 = VPP·R(202)/{R(201) + R(202)}.
  • Diese Gleichungen geben exakt die Knotenspannungen wieder, da der Einschaltwiderstand jedes von den Schaltern 121, 124, 111 und 114 vernachlässigbar ist. Die Speisespannung VDD ist gemäß dem Betriebsmodus fixiert, und zwar auf 3 V im Normalbetriebsmodus und 6 V im Testmodus. Wie aus den vorstehenden Gleichungen ersichtlich, ändert sich die Referenzspannung in einem gegebenen Betriebsmodus nicht, da der Wert der Speisespannung VDD festgehalten wird. Der Differenzverstärker 300 erzeugt ein verstärktes Differenzsignal am Ausgang N3 basierend auf einem Vergleich der Referenzspannung am Knoten N1 mit der Vergleichsspannung am Knoten N2. Wenn die Vergleichsspannung höher als die Referenzspannung ist, wird eine verstärkte Niedrigpegelspannung erzeugt. Wenn die Vergleichsspannung niedriger als die Referenzspannung ist, wird eine verstärkte Hochpegelspannung erzeugt.
  • Der Treiberschaltkreis 400 weist zwei in Reihe geschaltete Inverter 401, 402 auf. Der Inverter 401 detektiert das verstärkte Differenzsignal durch Vergleich des Eingangssignals mit einer logischen Schwellenspannung. Wenn die verstärkte Niedrigpegelspannung am Ausgang N3 ansteht, detektiert der Inverter 401 den niedrigen Pegel und ändert seinen Ausgangszustand von niedrigem auf hohen Pegel. Wenn die verstärkte Hochpegelspannung am Ausgang N3 ansteht, detektiert der Inverter 401 den hohen Pegel und ändert seinen Ausgangszustand von hohem auf niedrigen Pegel. Der Inverter 402 dient zur Erzeugung des Spannungspegeldetektionssignals DET, das einen scharfen Übergang im Signalverlauf und einen vollen Speisespannungs(VDD)- Pegelhub aufweist. Da der Ausgang des Inverters 401 seinen Zustand langsam ändert und sein hoher oder niedriger Zustand nicht den vollen Pegel der Speisespannung VDD repräsentiert, ist ein Hochpegel-Ausgangssignal des Inverters 402 niedriger als der Pegel der Speisespannung VDD, und ein Niedrigpegel-Ausgangssignal vom Inverter 402 ist höher als die Massespannung. Falls erforderlich, können zusätzliche Inverter hinzugefügt werden, um das Ausgangssignal der Inverter 401 und 402 zu Puffern.
  • Der VPP-Generator 500 arbeitet in Reaktion auf das Spannungspegeldetektionssignal DET und weist einen herkömmlichen Oszillator und eine herkömmliche Pumpschaltung auf. Im Normalbetriebsmodus ist der Pegel des Betriebsartsignals OMS niedrig, und die zweite Referenzspannungserzeugungsschaltung 120 ist aktiviert. Die Referenzspannung am Knoten N1 kann hierbei geeignet durch Auswählen der Widerstandswerte der Widerstände 122 und 123 gesteuert werden, die mit dem Spannungspegel am Knoten N2 bei einem VPP-Sollpegel für den Normalbetriebsmodus korrelieren.
  • Im anfänglichen Chipbetrieb liegt die angehobene Spannung VPP auf niedrigem Pegel, da der Pumpbetrieb des VPP-Generators 500 den Pegel der angehobenen Spannung VPP nicht schlagartig auf den VPP-Sollpegel anhebt. Der Vergleichsspannungspegel am Knoten N2 ist daher niedriger als der Referenzspannungspegel am Knoten N1, und der Ausgang N3 des Differenzverstärkers 300 sowie das Spannungspegeldetektionssignal DET befinden sich beide auf hohem Pegel. Der VPP-Generator 500 setzt folglich den Pumpbetrieb fort, um den Anhebespannungspegel VPP in Reaktion auf das Hochpegel-Spannungsdetektionssignal DET anzuheben. Wenn durch den Pumpbetrieb der Anhebespannungspegel VPP den Sollpegel erreicht hat, wird der Vergleichspegel am Knoten N2 höher als der Referenzspannungspegel am Knoten N1. Der Ausgang N3 des Differenzverstärkers 300 und das Spannungspegeldetektionssignal DET gelangen somit auf niedrigen Pegel, und der VPP- Generator 500 stoppt den Pumpbetrieb in Reaktion auf den niedrigen Pegel des DET-Signals. Wenn danach der Anhebespannungspegel VPP unter den Sollpegel fällt, gelangt das Spannungspegeldetektionssignal DET wieder auf hohen Pegel, und der VPP-Generator 500 nimmt den Pumpbetrieb in Reaktion auf das Hochpegel-Spannungsdetektionssignal DET wieder auf.
  • Bei Betrieb im Testmodus liegt das Betriebsmodussignal OMS auf hohem Pegel, und die erste Referenzspannungserzeugungsschaltung 110 ist aktiviert. Die Referenzspannung des Knotens N1 für den Testmodus kann durch Auswahl der Widerstandwerte der Widerstände 112 und 113 unter Beachtung des gewünschten Spannungspegels des Knotens N2 bei einem VPP-Sollpegel gesteuert werden. Im Übrigen entspricht der Betrieb im Testmodus demjenigen des Normalbetriebsmodus, so dass eine nochmalige Beschreibung desselben nicht erforderlich ist. Durch Steuerung der Widerstandswerte der Widerstände 112 und 113 unabhängig von den Widerständen 122 und 123 können Referenzspannungen bereitgestellt werden, mit denen sich geeignete VPP-Sollpegel sowohl für den Normalbetriebsmodus als auch den Testmodus hoher Spannung erzielen lassen. Die Erfindung überwindet somit die Schwierigkeiten herkömmlicher Systeme, die daraus resultieren, dass nur ein für den Normalbetriebsmodus angepasster Spannungsgenerator vorhanden ist.
  • Die 3A und 3B veranschaulichen in Teilen eine zweite bzw. dritte erfindungsgemäße Spannungsdetektionsschaltung. Diese beiden Ausführungsbeispiele unterscheiden sich von demjenigen der 2 lediglich in der Konfiguration des ersten Spannungsgenerators 100, so dass die übrigen Komponenten der Einfachheit halber nicht nochmals gezeigt sind. Verglichen mit dem ersten Spannungsgenerator 100 von 2 ist in diesen Ausführungsbeispielen die Anzahl von Schaltern reduziert.
  • Im zweiten, in 3A gezeigten Ausführungsbeispiel ist der Schalter 121 im Testmodus, d.h. bei hohem Pegel von OMS, sperrend geschaltet, während er im Normalbetriebsmodus, d.h. bei niedrigem Pegel von OMS, leitend geschaltet ist. Die geeignete Referenzspannung für den Testmodus kann durch Einstellen der Widerstandwerte der Widerstände 112 und 113 bereitgestellt werden. In gleicher Weise kann die geeignete Referenzspannung für den Normalbetriebsmodus durch Einstellen des Widerstandswerts eines Widerstands 122a in Bezug auf die Widerstandwerte der Widerstände 112 und 113 bereitgestellt werden.
  • Im dritten, in 3B gezeigten Ausführungsbeispiel ist der Schalter 114 im Testmodus, d.h. bei hohem Pegel von OMS, leitend geschaltet, während er im Normalbetriebsmodus, d.h. bei niedrigem Pegel von OMS, sperrend geschaltet ist. Die geeignete Referenzspannung für den Normalbetriebsmodus kann durch Einstellen der Widerstandswerte der Widerstände 122 und 123 eingestellt werden. In gleicher Weise kann die zur Benutzung im Testmodus geeignete Referenzspannung durch Einstellen des Widerstandswerts eines Widerstands 113a in Bezug auf die Widerstandswerte der Widerstände 122 und 123 bereitgestellt werden.
  • Schwankungen im gewünschten VPP-Sollpegel sind im Allgemeinen nicht proportional zu Schwankungen im Speisespannungspegel VDD beim Übergang vom Normalbetriebsmodus zum Testmodus. Während sich beispielsweise der Speisespannungspegel VDD von 3 V im Normalbetriebsmodus auf 6 V im Testmodus verdoppelt, verdoppelt sich der gewünschte VPP-Sollpegel zwischen diesen Betriebsarten nicht. Vielmehr liegt der VPP-Sollpegel im Normalbetriebsmodus bei etwa 4 V, während im Testmodus ein VPP-Sollpegel von etwa 7 V geeignet ist.
  • Wegen der linearen Charakteristik von Widerständen kann ein einzelner Spannungsteiler die geeigneten Referenzspannungen für beide Betriebsarten nicht bereitstellen. Speziell ist, wenn die Widerstände des Spannungsteilers für den Testmodus ausgelegt sind, der durch diese selben Widerstände unter Ver wendung des niedrigen Pegels der Speisespannung VDD des Normalbetriebsmodus erzeugte Referenzspannungspegel verglichen mit einer gewünschten Referenzspannung im Normalbetriebsmodus relativ niedrig. Umgekehrt ist, wenn die Widerstände des Spannungsteilers darauf ausgelegt sind, eine für den Normalbetriebsmodus geeignete Referenzspannung bereitzustellen, der über diese selben Widerstände durch den angehobenen Pegel der Speisespannung VDD des Testmodus generierte Referenzspannungspegel verglichen mit dem gewünschten Referenzspannungspegel des Testmodus relativ hoch.
  • Gemäß dem zweiten erfindungsgemäßen Ausführungsbeispiel wird dieser Schwierigkeit dadurch begegnet, dass der Widerstand 122a parallel zum Widerstand 112 vorgesehen ist, um die Referenzspannung im Normalbetriebsmodus anzuheben. Gemäß dem dritten erfindungsgemäßen Ausführungsbeispiel ist der Widerstand 113a parallel zum Widerstand 123 vorgesehen, um die Referenzspannung im Testmodus abzusenken und dadurch die Schwierigkeit herkömmlicher Systeme zu überwinden.
  • Die in 4 veranschaulichte, vierte erfindungsgemäße Spannungsdetektionsschaltung entspricht derjenigen von 2 mit der Ausnahme, dass zwischen dem Ausgangsknoten N3 und dem Vergleichseingang N2 des Verstärkers 300 eine Bypassschaltung 350 eingeschleift ist. Es versteht sich, dass die Bypassschaltung 350 entsprechend im zweiten und dritten erfindungsgemäßen Ausführungsbeispiel der 3A bzw. 3B vorgesehen werden kann.
  • Die Bypassschaltung 350 umfasst einen Transistor 352, einen diodenverschalteten Transistor 351 und einen Schalter 353, die in Reihe zwischen den Ausgang N3 des Differenzverstärkers 300 und die Massespannung 2 eingeschleift sind. Eine Gate-Elektrode des Transistors 352 ist an den Vergleichseingang N2 des Verstärkers 300 gekoppelt. Der Schalter 353 wird durch das Inverse des Betriebsmodussignals OMS gesteuert.
  • Wie unter zusätzlicher Bezugnahme auf 6C hervorgeht, wird die zweite Referenzspannungserzeugungsschaltung 120 in einem Bereich der Speisespannung VDD zwischen dem normalen Pegel und einem Testmoduspegel derselben verwendet. Da das Betriebsmodussignal OMS im Bereich der Speisespannung VDD zwischen dem normalen und dem Testmoduspegel der Speisespannung VDD niedrig gehalten wird, ist der Schalter 353 der Bypassschaltung 350 in diesem Zeitpunkt leitend geschaltet und aktiviert dadurch die Bypassschaltung 350. Wie aus 6C ersichtlich, erniedrigt die Bypassschaltung 350 den detektierten Anhebespannungspegel VPP im Speisespannungsbereich VDD zwischen dem normalen und dem Testmoduspegel der Speisespannung VDD. Dieses Ausführungsbeispiel ist daher in der Lage, einen niedrigeren Anhebespannungspegel VPP bereitzustellen als die Spannungsdetektionsschaltungen ohne die Bypassschaltung 350 im Speisespannungsbereich VDD zwischen den Pegeln derselben im Normalbetriebs- bzw. Testmodus. Der Wert der Speisespannung VDD zwischen dem Pegel derselben im Normalbetriebs- bzw. Testmodus kann als weiterer Testspeisespannungswert ohne Hinzufügung irgendwelcher zusätzlicher Spannungsteiler verwendet werden.
  • Wenn der Speisespannungspegel VDD den Wert der Testspeisespannung von 6C erreicht, wechselt das Betriebsmodussignal OMS auf einen hohen Pegel, und der Schalter 353 wird sperrend geschaltet. Wenn der Schalter 353 sperrend geschaltet ist, hat die Bypassschaltung 350 keinen Einfluss auf den Detektionsvorgang, und der VPP-Sollpegel wird allein durch die erste Referenzspannungserzeugungsschaltung 110 erhalten.
  • Wenn der Spannungspegel am Knoten N2 den doppelten Wert einer Schwellenspannung Vt des Transistors 351 erreicht, werden die beiden Transistoren 351 und 352 langsam leitend geschaltet und beginnen, einen Strompfad vom Ausgang des Differenzverstärkers 300 zur Massespannung 2 bereitzustellen. In diesem Beispiel besitzen beide Transistoren 351 und 352 dieselbe Schwellenspannung, da sie vom selben NMOS-Transistortyp sind. Wenn die Transistoren leitend geschaltet werden, beginnt der Spannungspegel am Ausgang N3 des Differenzverstärkers 300 abzusinken. Der Spannungspegel am Knoten N3 ist daher in diesem Ausführungsbeispiel niedriger als in den Ausführungsbeispielen ohne die Bypassschaltung. Der Spannungsdetektionsbetrieb in diesem Ausführungsbeispiel kann folglich bei einem niedrigeren Anhebespannungspegel VPP stattfinden.
  • Um zu verhindern, dass Strom im Normalbetriebsmodus über die Bypassschaltung 350 fließt, sollte der Spannungspegel am Knoten N2 beim VPP-Sollpegel im Normalbetriebsmodus niedriger als das Doppelte der Schwellenspannung Vt des Transistors 351 sein. Daher sollten die Werte der Widerstände 201 und 202 auf der Basis des gewünschten Spannungspegels am Knoten N2 beim VPP-Sollpegel im Normalbetriebsmodus festgelegt werden.
  • 5 zeigt verschiedene diodenverschaltete MOS-Transistorkonfigurationen, die in der Erfindung als die Widerstände verwendet werden können. Jeder Widerstand der vorliegenden Erfindung kann einen oder mehrere diodenverschaltete MOS-Transistoren enthalten. Wie aus 5 zu erkennen, sind die Gate-Elektroden der Transistoren in den Ausführungsbeispielen mit PMOS-Transistoren mit einer Drain-Elektrode 5 verbunden, die auf einem relativ niedrigeren Potential liegt. Die Gate-Elektroden der Transistoren in den Ausführungsbeispielen mit NMOS-Transistoren sind mit einer Drain-Elektrode 4 verbunden, die auf einem relativ höheren Potential liegt.
  • In den 6A, 6B und 6C sind Kurvendiagramme wiedergegeben, in denen der herkömmliche Spannungsdetektionsbetrieb mit demjenigen verschiedener erfindungsgemäßer Ausführungsbeispiele verglichen wird. 6A repräsentiert den herkömmlichen Spannungsdetektionsvorgang und veranschaulicht die Änderung der VPP-Sollpegel aufgrund von Prozess- und Temperaturschwankungen im Normal- und im Testbetriebsmodus. Die 6B und 6C zeigen ähnliche Diagramme für die verschiedenen erfindungsgemäßen Ausführungsbeispiele. 6B zeigt das Verhalten der Ausführungsbeispiele ohne die Bypassschaltung, während 6C das Verhalten der Ausführungsbeispiele mit der Bypassschaltung wiedergibt. Wie aus einem Vergleich der Diagramme ersichtlich, ist die vorliegende Erfindung in der Lage, einen VPP-Sollpegel genauer als herkömmlich zu detektieren und ihn stabiler bereitzustellen.
  • In allen beschriebenen, erfindungsgemäßen Ausführungsbeispielen verursachen Prozess- und Temperaturschwankungen eine Verschiebung der Referenz- und Vergleichsspannungen in gleicher Richtung. Die Erfindung liefert daher unabhängig von solchen Schwankungen stets eine stabile Differenzspannung für den Differenzverstärker 300. Diese Stabilität beruht darauf, dass die Spannungsgeneratoren 100 und 200 alle denselben Typ von Widerständen besitzen. Beispielsweise können sie sämtlich irgendeinen der in 5 gezeigten Widerstandstypen oder irgendeinen anderen Widerstandstyp beinhalten, solange sie alle vom selben Typ sind, d.h. alle Widerstände z.B. aus einem oder mehreren diodenverschalteten PMOS-Transistoren bestehen.
  • Als weiterer Vorteil der Erfindung ist die Spannungsverstärkung am Ausgangsknoten N3 des Differenzverstärkers 300 in Reaktion auf den VPP-Pegel so viel höher als diejenige am Knoten A bei den herkömmlichen Systemen, dass dadurch die Schwankungen in der logischen Schwellenspannung des Inverters 401 kompensiert werden können. Überdies ist jede der beschriebenen, erfindungsgemäßen Referenzspannungserzeugungsschaltungen in der Lage, die für beide Betriebsarten geeigneten VPP-Sollpegel zu liefern. Des weiteren kann ein geeigneter Anhebespannungspegel VPP für eine anderweitige Nutzung von der Bypassschaltung in einem Bereich der Speisespannung VDD zwischen dem Wert derselben im Normalbetriebsmodus und demjenigen im Testmodus bereitgestellt werden. Erfindungsgemäß kann daher in jedem Betriebsmodus ein genauer und stabiler Detektionsbetrieb ausgeführt werden, der von Prozess- und Temperaturschwankungen unbeeinflusst bleibt.

Claims (19)

  1. Spannungsdetektionsschaltung für ein Halbleiterspeicherbauelement, gekennzeichnet durch – Mittel (100, 200) zur Erzeugung mehrerer Referenzspannungen sowie einer Vergleichsspannung, wobei die Spannungserzeugungsmittel einen an eine erste Speisespannung (1) angeschlossenen ersten Spannungsgenerator (100) zur Erzeugung der Referenzspannungen in Abhängigkeit von einem Betriebsmodussignal (OMS) und einen an eine zweite Speisespannung (VPP) angeschlossenen zweiten Spannungsgenerator (200) zur Erzeugung der Vergleichsspannung beinhalten, wobei – der erste Spannungsgenerator (100) eine erste Referenzspannungserzeugungsschaltung zur Erzeugung einer ersten Referenzspannung in Abhängigkeit vom Betriebsmodussignal (OMS) während eines Normalbetriebsmodus des Halbleiterspeicherbauelementes und eine zweite Referenzspannungserzeugungsschaltung zur Erzeugung einer zweiten Referenzspannung in Abhängigkeit vom Betriebsmodussignal (OMS) während eines Testmodus des Halbleiterspeicherbauelementes enthält, wobei – die erste Referenzspannungserzeugungsschaltung einen zwischen die erste Speisespannung (1) und einem ersten Ausgang (N1) eingeschleiften Widerstand (112) sowie einen zwischen den ersten Ausgang (N1) und eine Massespannung (2) eingeschleiften zweiten Widerstand (113) aufweist und die zweite Referenzspannungserzeugungsschaltung eine Reihenschaltung aus einem Schalter (121) und einem Widerstand (122a) zwischen der ersten Speisespannung (1) und dem ersten Ausgang (N1) sowie den zwischen den ersten Ausgang (N1) und die Massespannung (2) eingeschleiften Widerstand (113) aufweist oder – die erste Referenzspannungserzeugungsschaltung eine Reihenschaltung aus einem Schalter (114) und einem Widerstand (113a) zwischen dem ersten Ausgang (N1) und der Massespannung (2) sowie einen zwischen die erste Speisespannung (1) und den ersten Ausgang (N1) eingeschleiften Widerstand (122) aufweist und die zweite Referenzspannungserzeugungsschaltung den zwischen die erste Speisespannung (1) und den ersten Ausgang (N1) eingeschleiften Widerstand (122) sowie einen zwischen den ersten Ausgang (N1) und die Massespannung (2) eingeschleiften Widerstand (123) aufweist, und – der zweite Spannungsgenerator (200) einen zwischen die zweite Speisespannung (VPP) und einen zweiten Ausgang (N2) eingeschleiften Widerstand (201) sowie einen zwischen den zweiten Ausgang (N2) und die Massespannung (2) eingeschleiften Widerstand (202) aufweist, – einen Differenzverstärker (300), dem die jeweilige Referenzspannung zuführbar ist, zur Erzeugung eines verstärkten Differenzsignals in Abhängigkeit von der Spannungsdifferenz zwischen dem jeweiligen Referenzsignal und dem Vergleichssignal und – einen Treiberschaltkreis (400), der das verstärkte Differenzsignal empfängt und ein Spannungspegeldetektionssignal (DET) erzeugt.
  2. Spannungsdetektionsschaltung für ein Halbleiterspeicherbauelement, gekennzeichnet durch – Mittel (100, 200) zur Erzeugung mehrerer Referenzspannungen sowie einer Vergleichsspannung, wobei die Spannungserzeugungsmittel einen an eine erste Speisespannung (1) angeschlossenen ersten Spannungsgenerator (100) zur Erzeugung der Referenzspannungen in Abhängigkeit von einem Betriebsmodussignal (OMS) und einen an eine zweite Speisespannung (VPP) angeschlossenen zweiten Spannungsgenerator (200) zur Erzeugung der Vergleichsspannung beinhalten, wobei – der erste Spannungsgenerator (100) eine erste Referenzspannungserzeugungsschaltung (110) zur Erzeugung einer ersten Referenzspannung in Abhängigkeit vom Betriebsmodussignal (OMS) während eines Normalbetriebsmodus des Halbleiterspeicherbauelementes und eine zweite Referenzspannungserzeugungsschaltung (120) zur Erzeugung einer zweiten Referenzspannung in Abhängigkeit vom Betriebsmodussignal (OMS) während eines Testmodus des Halbleiterspeicherbauelementes enthält, wobei – die erste Referenzspannungserzeugungsschaltung (110) eine Reihenschaltung aus einem Schalter (111) und einem Widerstand (112) zwischen der ersten Speisespannung (1) und einem ersten Ausgang (N1) sowie eine Reihenschaltung aus einem Schalter (114) und einem Widerstand (113) zwischen dem ersten Ausgang (N1) und einer Massespannung (2) aufweist und – die zweite Referenzspannungserzeugungsschaltung (120) eine Reihenschaltung aus einem Schalter (121) und einem Widerstand (122) zwischen der ersten Speisespannung (1) und dem ersten Ausgang (N1) sowie einer Reihenschaltung aus einem Schalter (124) und einem ersten Widerstand (123) zwischen dem ersten Ausgang (N1) und der Massespannung (2) aufweist, und – der zweite Spannungsgenerator (200) einen zwischen die zweite Speisespannung (VPP) und einen zweiten Ausgang (N2) eingeschleiften Widerstand (201) sowie einen zwischen den zweiten Ausgang (N2) und die Massespannung (2) eingeschleiften Widerstand (202) aufweist, – einen Differenzverstärker (300), dem die jeweilige Referenzspannung zuführbar ist, zur Erzeugung eines verstärkten Differenzsignals in Abhängigkeit von der Spannungsdifferenz zwischen dem jeweiligen Referenzsignal und dem Vergleichssignal und – einen Treiberschaltkreis (400), der das verstärkte Differenzsignal empfängt und ein Spannungspegeldetektionssignal (DET) erzeugt.
  3. Spannungsdetektionsschaltung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, das zur Bereitstellung der Vergleichsspannung ein Spannungsteiler (201, 202) zwischen die zweite Speisespannung (VPP) und die Massespannung (2) eingeschleift ist.
  4. Spannungsdetektionsschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass ihr ein dritter Spannungsgenerator (500) zur Erzeugung der zweiten Speisespannung (VPP) abhängig vom Spannungspegeldetektionssignal (DET) zugeordnet ist.
  5. Spannungsdetektionsschaltung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, weiter dadurch gekennzeichnet, dass das Spannungspegeldetektionssignal (DET) deaktiviert wird, wenn die zweite Speisespannung (VPP) einen vorgebbaren Pegel erreicht.
  6. Spannungsdetektionsschaltung nach Anspruch 4 oder 5, weiter dadurch gekennzeichnet, dass der dritte Spannungsgenerator (500) die Erzeugung der zweiten Speisespannung (VPP) stoppt, wenn das Spannungspegeldetektionssignal (DET) deaktiviert wird.
  7. Spannungsdetektionsschaltung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, weiter dadurch gekennzeichnet, dass der oder die Schalter (111, 114) der ersten Referenzspannungserzeugungsschaltung dafür ausgelegt ist/sind, während des Normalbetriebsmodus in Abhängigkeit vom Betriebsmodussignal (OMS) leitend geschaltet zu sein.
  8. Spannungsdetektionsschaltung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, weiter dadurch gekennzeichnet, dass der oder die Schalter (121, 124) der zweiten Referenzspannungserzeugungsschaltung dafür ausgelegt ist/sind, während des Testmodus in Abhängigkeit vom Betriebsmodussignal (OMS) leitend geschaltet zu sein.
  9. Spannungsdetektionsschaltung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, weiter dadurch gekennzeichnet, dass der Differenzverstärker (300) an eine dritte Speisespannung (3) angeschlossen ist und über einen ersten und einen zweiten Eingang zum einen die jeweilige Referenzspannung und zum anderen die Vergleichsspannung empfängt.
  10. Spannungsdetektionsschaltung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, weiter dadurch gekennzeichnet, dass die erste und die zweite Referenzspannungserzeugungsschaltung in den beiden Betriebsarten komplementär arbeiten.
  11. Spannungsdetektionsschaltung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, weiter dadurch gekennzeichnet, dass die Widerstände jeweils einen oder mehrere diodenverschaltete MOS-Transistoren desselben Transistortyps beinhalten und der jeweilige Schalter ein MOS-Schalter ist.
  12. Spannungsdetektionsschaltung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, weiter gekennzeichnet durch eine Bypassschaltung (350), die an das verstärkte Differenzsignal des Differenzverstärkers (300) angekoppelt ist und einen Strompfad für das verstärkte Differenzsignal in Abhängigkeit vom Vergleichssignal und einem Betriebsmodussignal bereitstellt.
  13. Spannungsdetektionsschaltung nach einem der Ansprüche 9 bis 12, weiter dadurch gekennzeichnet, dass die erste und die dritte Speisespannung (1, 3) eine Speisespannung für periphere Schaltkreise und die zweite Speisespannung (VPP) eine angehobene Spannung beinhalten.
  14. Spannungsdetektionsschaltung nach einem der Ansprüche 9 bis 12, weiter dadurch gekennzeichnet, dass die erste Speisespannung (1) eine Speisespannung für ein Speicherzellenfeld, die zweite Speisespannung (VPP) eine angehobene Spannung und die dritte Speisespannung (3) eine Speisespannung für periphere Schaltkreise beinhalten.
  15. Spannungsdetektionsschaltung nach einem der Ansprüche 12 bis 14, weiter dadurch gekennzeichnet, dass die Bypassschaltung (350) den Strompfad dann bereitzustellen beginnt, wenn der Spannungspegel des Vergleichssignals einen vorgegebenen Schwellwert erreicht.
  16. Spannungsdetektionsschaltung nach einem der Ansprüche 12 bis 15, weiter dadurch gekennzeichnet, dass die Bypassschaltung (350) eine Reihenschaltung aus einem Transistor (352), einem diodenverschalteten Transistor (351) und einem Schalter (353) zwischen dem verstärkten Differenzsignal des Differenz verstärkers und der Massespannung (2) beinhaltet, wobei der Schalter in Reaktion auf das Betriebsmodussignal leitend und sperrend geschaltet wird, die Transistoren leitend geschaltet werden, wenn der Spannungspegel des Vergleichssignals einen vorgebbaren Schwellenwert erreicht, und die Bypassschaltung (350) den Strompfad bereitstellt, wenn die Transistoren leitend geschaltet sind.
  17. Spannungsdetektionsschaltung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, weiter dadurch gekennzeichnet, dass die zweite Speisespannung eine angehobene Spannung (VPP) ist.
  18. Spannungsdetektionsschaltung nach einem der Ansprüche 12 bis 17, weiter dadurch gekennzeichnet, dass der Schalter der Bypassschaltung ein MOS-Schalter ist.
  19. Spannungsdetektionsschaltung nach einem der Ansprüche 12 bis 18, weiter dadurch gekennzeichnet, dass der Transistor (352) und der diodenverschaltete Transistor (351) der Bypassschaltung NMOS-Transistoren sind und der vorgebbare Schwellwert doppelt so groß wie die Schwellenspannung des NMOS-Transistors ist.
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