DE3856395T2 - Entschichtungsverfahren für Lackmaske - Google Patents

Entschichtungsverfahren für Lackmaske

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Description

  • Diese Erfindung betrifft eine Verbesserung eines Verfahrens zum Entfernen eines organischen Resists auf einem Halbleiterwafer (im folgenden als Veraschung bezeichnet).
  • Im J. Electrochem. Soc. Bd. 129, Nr. 11 (1982) 2537 wird berichtet, daß "von gasförmigen Verunreinigungsstoffen wie etwa N&sub2;, H&sub2; und Wasserdampf bekannt ist, daß sie das Aufkommen von atomarem Sauerstoff in dem Plasma durch Vorsehen eines zusätzlichen Dissoziationsmechanismus für molekularen Sauerstoff verstärken", indem atomarer Sauerstoff gegenüber molekularem Sauerstoff und ionischem Sauerstoff relativ vermehrt wird. In dieser Veröffentlichung wird die Beeinflussung der Aktivierungsenergie weder offenbart noch erwähnt.
  • Es sei angemerkt, daß bei diesem bekannten Verfahren mit ultrareinem Sauerstoffmikrowellenplasma gearbeitet wird. Um diesen ultrareinen Sauerstoff zu erhalten, kann man nicht einfach Sauerstoff verwenden, wie er im Handel erhältlich ist, sondern man ist vielmehr gezwungen, alle Anstrengungen zu unternehmen, um das gesamte Wasser aus ihm zu entfernen.
  • Es ist wohlbekannt, daß bei einer Fotolithografietechnik zum Herstellen von Halbleitervorrichtungen, etc., unbedingt eine Maske verwendet wird, die aus einem organischen Fotoresist, etc., hergestellt ist. Nachdem das Fotoresist einem Licht für die Fotolithografie ausgesetzt ist, muß das Resist entfernt werden. Zum Entfernen dieses verwendeten Fotoresists findet ein Plasmatrockenätzverfahren, besonders ein Abwärtsstromveraschungsverfahren breite Verwendung. Die Abwärtsstromätzvorrichtung ist so, wie sie durch den jetzigen Erfinder in der US-Patentschrift Nr. 4,512,868 offenbart wurde, und sie ist zum Bearbeiten eines Siliziumwafers, etc., verwendet worden, wobei der Wafer vor einem Beschuß mit Ladungsteilchen des Plasmas geschützt wird.
  • Das hierbei zur Veraschung des organischen Fotoresists verwendete Reaktionsgas ist zum Beispiel ein Sauerstoffgas, das ein CF&sub4;-(Kohlenstofftetrafluorid)-Gas, etc., enthält. Es ist jedoch nicht immer leicht, das verwendete Resist zu entfernen. Denn das Resist, das durch die Lichteinwirkung bei dem Belichtungsprozeß und auch durch die Plasmaeinwirkung bei einem vorherigen Siliziumätzprozeß, etc., in Mitleidenschaft gezogen worden ist, ist dadurch erhärtet. Weiterhin neigt das CF&sub4; dazu, den Siliziumwafer auf unerwünschte Weise zu ätzen. Zum Verbessern der Veraschungsrate existiert ein Verfahren, bei dem ein Stickstoffgas zu dem sauerstoffhaltigen Reaktionsgas hinzugefügt wird, um die Anzahl der Sauerstoffatome als Reaktionsart zu erhöhen. Bei diesem Verfahren, bei dem zum Beispiel 10% Stickstoff enthalten ist, beträgt die Veraschungsrate 0,3 um/Minute bei 180ºC, und die Erhöhung der Veraschungsrate, die mit diesem Verfahren erreicht wird, ist dennoch begrenzt, da die reaktiven Arten hauptsächlich nur Sauerstoffatome sind, und das obige hinzugefügte Stickstoffgas hat wahrscheinlich nur die Funktion, die Anzahl der Sauerstoffatome als reaktive Art zu steigern.
    • Zusammenfassung der Erfindung
  • Deshalb ist es eine allgemeine Aufgabe der Erfindung, ein verbessertes Verfahren zum Entfernen eines organischen Resists auf einem Halbleiterwafer vorzusehen.
  • Es ist ein anderes Ziel der Erfindung, die Aktivierungsenergie der Reaktion zu verringern, wobei die Reaktionstemperatur entsprechend reduziert wird.
  • Es ist noch ein anderes Ziel der Erfindung, eine Verschlechterung des Halbleiterwafers zu verhindern, die durch eine Verunreinigung mit Metallkomponenten verursacht wird, die in dem Resist enthalten sind.
  • Es ist ein weiteres Ziel der Erfindung, die Verwendung von CF&sub4; zu vermeiden, um ein unerwünschtes Ätzen des Silizi umwafers während der Resistablösung zu umgehen, um demzufolge ein Verringern der Stehspannung der Isolierung zu verhindern.
  • Diese Ziele werden durch die Merkmale von Anspruch 1 erreicht.
  • Durch das Hinzufügen des Wasserdampfes zu dem Sauerstoffgas nehmen reaktive Arten, und demzufolge die Veraschungsrate, bei einer Waferbearbeitungstemperatur von nur 150ºC zu. Die verringerte Veraschungstemperatur verhindert die Verunreinigung des Halbleiterwafers mit Metallatomen.
  • Die oben erwähnten Ziele und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden zusammen mit anderen Zielen und Vorteilen, die ersichtlich sein werden, im folgenden unter Bezugnahme auf die beiliegenden Zeichnungen, die einen Teil hiervon bilden und in denen gleiche Bezugszeichen durchgängig gleiche Teile bezeichnen, umfassender beschrieben.
    • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • Fig. 1 zeigt Auswirkungen des Hinzufügens von Wasser zu verschiedenen Reaktionsgasen auf die Aktivierungsenergie.
  • Fig. 2 zeigt Auswirkungen des Hinzufügens von Wasser zu einem Sauerstoffgas auf die Veraschungsrate und auf den Anteil des atomaren Sauerstoffs im Sauerstoffplasma gemäß der vorliegenden Erfindung.
  • Fig. 3 zeigt Auswirkungen des Hinzufügens von Stickstoff zu einem Sauerstoffgas auf die Veraschungsrate und auf den Anteil des atomaren Sauerstoffs im Gasplasma nach Stand der Technik.
  • Fig. 4 zeigt eine Abwärtsstromveraschungsvorrichtung zur Verkörperung der vorliegenden Erfindung.
  • Fig. 5 zeigt ein anderes Verfahren zum Mischen des Wasserdampfes in das Sauerstoffgas zur Verkörperung der vorliegenden Erfindung.
    • Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen
  • Unter Bezugnahme auf Fig. 1 bis Fig. 3 werden Auswirkungen der Verkörperung der vorliegenden Erfindung dargestellt. Eine Vorrichtung, die zum Erhalten der Daten von Fig. 1 bis 3 verwendet wurde, ist in Fig. 4 schematisch gezeigt. Diese Vorrichtung wird üblicherweise für eine Abwärtsstromveraschung verwendet, wobei eine MikrowellenEnergie von typischerweise 2,45 GHz durch einen Wellenleiter 1 in einen Mikrowellenhohlraum 2 geführt wird. Eine Plasmaerzeugungskammer 8 ist Teil des Hohlraums 2 und wird durch eine Quarzplatte 2', die für die MikrowellenEnergie transparent ist, vakuumdicht verschlossen. Reaktionsgase werden der Plasmaerzeugungskammer 8 jeweilig von externen Sauerstoff- 37 und Wasserquellen 38 über Ventile 35 und 36 und Flußmesser 33 und 34 zugeführt. Demzufolge wird in der Plasmaerzeugungskammer 8 ein Plasma aus den Reaktionsgasen erzeugt. In einer Wand 4 der Plasmaerzeugungskammer 8, die der Quarzplatte 2' gegenüberliegt, sind viele kleine Löcher 41 vorgesehen, die die Plasmaerzeugungskammer 8 mit einer Reaktionskammer 5 verbinden, aber die MikrowellenEnergie abschirmen. Das Reaktionsgas, das reaktive Arten wie etwa Sauerstoffatome enthält und in dem Plasma erzeugt wird, fließt durch die Löcher 41 aus der Plasmaerzeugungskammer 8 in die Reaktionskammer 5, wie es durch Pfeile in Fig. 4 gezeigt ist. In der Reaktionskammer 5 ist ein Halbleiterwafer 7, der zu bearbeiten ist, auf einem Tisch 6 in einem Strom des Reaktionsgases aus den Löchern 41 angeordnet, so daß die reaktiven Arten mit dem Resist auf dem Halbleiterwafer 7 reagieren. Die Temperatur des Tischs 6 wird durch einen Heizer 61, der in dem Tisch installiert ist, angehoben und gesteuert. Das Reaktionsgas in der Reaktionskammer 5 wird durch eine Pumpe (in der Figur nicht gezeigt) durch eine Auslaßöffnung 51 evakuiert.
  • Was die Prozedur des Veraschungsprozesses betrifft, wird der Wafer 7 auf dem Tisch erst auf etwa 200ºC erhitzt, während die Kammer 5 durch die Pumpe auf etwa 0,01 Torr evakuiert wird. Als nächstes wird der Innendruck der Reaktionskammer 5 auf etwa 0,8 Torr angehoben, und die MikrowellenEnergie von ungefähr 1,5 kW wird auf die Plasmaerzeugungskammer 8 angewendet, um in ihr Gasplasma zu erzeugen.
  • Fig. 1 zeigt Auswirkungen des Hinzufügens von Wasser, Stickstoff oder Wasserstoff zu einem Sauerstoffgas, gemessen durch deren Flußratenverhältnis, auf die Aktivierungsenergie. Aus Fig. 1 geht hervor, daß die Aktivierungsenergie durch Hinzufügen von Wasserstoff oder Wasser von etwa 0,5 eV auf etwa 0,4 ev verringert wird; beim Hinzufügen von Stickstoff wird jedoch keine Auswirkung beobachtet. Andererseits ist eine Geschwindigkeitskonstante k einer chemischen Reaktion wohlbekannterweise im allgemeinen durch die folgende Formel gegeben, die als Arrhenius-Gleichung bezeichnet wird:
  • k = A exp(-E/RT)
  • wobei A einen Frequenzfaktor bezeichnet, E eine Aktivierungsenergie bezeichnet, R eine Gaskonstante bezeichnet und T die absolute Temperatur bezeichnet. Deshalb bedeutet ein verringerter Wert der Aktivierungsenergie eine schnellere Reaktion bei einer gewissen Temperatur, mit anderen Worten, eine gewisse Reaktionsgeschwindigkeit, die bei einer niedrigeren Temperatur erreicht wird.
  • Auswirkungen des Hinzufügens von Wasser wurden durch die Erfinder untersucht und sind in Fig. 2 gezeigt, wofür ein Reaktionsgasfluß von 1000 cm³/min mit Sauerstoffgas, zu dem Wasserdampf hinzugefügt worden ist, und 50 cm³/min Argongas in der Vorrichtung von Fig. 4 verwendet wurde und die Wafertemperatur auf 180ºC gehalten wurde. Der prozentuale Anteil des Wasserdampfes, H&sub2;O/(O&sub2; + H&sub2;O), wird durch deren Flußrate gemessen. Das Argongas, das keine Auswirkung auf die Veraschungsreaktion hat, wird nur zum Erzeugen eines Standardlichtspektrums hinzugefügt, mit dem Sauerstoffatome, etc., durch eine Aktinometrietechnik quantitativ verglichen werden können, die so ist, wie sie von J. W. Coburn et al. in dem Journal of Applied Physics, Bd. 51, Nr. 6, 1980, S. 3134, beschrieben ist. Eine Glasfaser 9 wird an der Wand des Hohlraums 2 installiert, um die Lichte, die in dem Plasma erzeugt werden, durch die transparente Quarzplatte 2' zu beobachten, die auch optisch transparent ist. Ein anderes Ende der Glasfaser 9 ist mit einem Monochromator 10 verbunden. In Fig. 2 kennzeichnen schwarze Punkte die Veraschungsrate, die an der vertikalen Achse der rechten Seite verzeichnet ist, und weiße Punkte kennzeichnen die relative Sauerstoffatomkonzentration, die an der vertikalen Achse der linken Seite verzeichnet ist. Die relative Sauerstoffatomkonzentration wird durch ein Aktinometrieverfahren gemessen, d. h., durch das Verhältnis der Intensität des Sauerstoffatomspektrums von 6158 Å zu der Intensität des Argonspektrums von 7067 Å.
  • Aus Fig. 2 geht hervor, daß sich durch ein Hinzufügen von etwa 10% bis 60% Wasserdampf die Veraschungsrate gegenüber dem Fall, wenn kein Wasser hinzugefügt wird, fast verdoppelt, und die Veraschungsrate steht vollkommen mit dem Betrag der Sauerstoffatomkonzentration in Verbindung. In dem Bereich eines Wasseranteils von mehr als 50% fällt die Veraschungsratenkurve jedoch langsam ab, aber die Sauerstoffatomkonzentrationskurve fällt schneller ab als die Veraschungsratenkurve. Diese Trennung der Sauerstoffatomkonzentrationskurve von der Veraschungsratenkurve bedeutet, daß auch andere reaktive Arten, wie etwa ein OH-(Hydroxid)- Radikal, etc., zu der Veraschungsreaktion beitragen. Zum Vergleich ist die Auswirkung des Hinzufügens von Stickstoff zu Sauerstoff in Fig. 3 gezeigt, wofür der Gesamtgasfluß und die Temperatur dieselben wie jene von Fig. 2 sind. In Fig. 3 kennzeichnen die schwarzen und weißen Punkte jeweilig dasselbe wie in Fig. 2, und die dreieckigen Zeichen kennzeichnen eine relative Konzentration der Sauerstoffatome, die durch ein Sauerstoffatomspektrum von 4368 Å gemessen wurde. Sowohl in Fig. 2 als auch in Fig. 3 sind die Veraschungs raten fast dieselben, d. h., 0,3 um/Minute bei 180ºC. Als Auswirkung der verringerten Aktivierungsenergie wird jedoch eine Veraschungsrate des Sauerstoffs, der 40% Wasser enthält, von 0,15 um/Minute bei nur 150ºC erreicht, verglichen mit 0,1 um/Minute von Sauerstoff, der 10% Stickstoff enthält, was für die schnellste Veraschungsrate bei derselben Temperatur optimal ist. Diese Daten sind in keiner Figur gezeigt. Die verringerte Temperatur für die Veraschung ist besonders deshalb vorteilhaft, weil der Halbleiterwafer vor einer Verunreinigung mit den Metallkomponenten geschützt wird, die in dem Resistmaterial enthalten sind. Bekannterweise verschlechtert die Metallverunreinigung die Halbleitereigenschaften, wie zum Beispiel Schwermetalle, die die Minoritätsträgererzeugungsdauer verringern, und Alkalimetalle, die auch die Halbleiter verunreinigen.
  • Wie aus Fig. 2 hervorgeht, ist die Kurve der Veraschungsrate des wasserhaltigen Sauerstoffs über den breiten Bereich des Wasseranteils hinweg, d. h., von 10% bis ungefähr 80%, relativ flach und viel ausgedehnter als in dem Bereich von 5 bis 15% des stickstoffhaltigen Sauerstoffs von Fig. 3. Dies ist für eine leichte Steuerung einer Veraschungsoperation im Produktionsstadium von Vorteil.
  • Der günstige Vorteil der Vermeidung des Einsatzes von CF&sub4; ist wie folgt. Wenn ein Sauerstoffgas, das 10% CF&sub4; enthält, für das Resistätzen in einer Abwärtsstromvorrichtung verwendet wird, wird unerwünschterweise auch die SiO&sub2;- Schicht auf dem Halbleiterwafer geätzt. Das Verhältnis der Resistveraschungsrate zu der SiO&sub2;-Ätzrate, d. h., die Selektivität, beträgt typischerweise 300 bis 500. Das heißt, während 1 um des Resists verascht wird, werden zum Beispiel 30 Å SiO&sub2; geätzt. Dieses unerwünschte Ätzen der darunterliegenden SiO&sub2;-Schicht, die für eine Gateisolierung verwendet wird, verringert die Stehspannung der Gateisolierung oder verschlechtert elektrische Charakteristiken der Halbleiterschaltungen. Dasselbe Problem existiert auch bei polykri stallinem Silizium, SiN oder Aluminium. Dieses Problem ist bei der Herstellung einer herkömmlichen LSI [large scale integrated circuit] (hochintegrierte Schaltung) mit relativ niedriger Dichte nicht so schlimm gewesen, da die Isolierschicht bei Speichervorrichtungen von 16 kbit eine Dicke von 1000 Å hat. Dieses Problem wird jedoch jetzt beim Herstellen der neuesten 1-Mbit-Speichervorrichtungen ernst, da die Isolierschicht nur 200 Å oder dünner ist. Gemäß dem Verfahren der vorliegenden Erfindung ist das unerwünschte Ätzproblem der SiO&sub2;-Schicht, etc., überhaupt nicht mehr vorhanden.
  • In der Abwärtsstromveraschungsvorrichtung ist das Gasplasma, wie oben beschrieben, d. h., die elektromagnetische Energie zum Erzeugen des Plasmas, in der Plasmaerzeugungskammer durch eine Schirmwand eingeschlossen, und nur die reaktiven Arten, die in dem Plasma erzeugt werden, gelangen über viele kleine Löcher in der Schirmwand hinaus. Die Löcher schirmen die elektromagnetischen Wellen ab, lassen aber die reaktiven Arten hindurch, um mit dem Resistmaterial zu reagieren. Deshalb wird der Wafer vor einem Beschuß mit Ladungsteilchen wie etwa Ionen geschützt, wodurch eine Verschlechterung der Halbleitermaterialien verursacht werden kann. Deshalb ist die Reaktion rein chemisch. Die oben beschriebenen günstigen Auswirkungen des Hinzufügens des Wasserdampfes zu einem Sauerstoffgas können beträchtlich verstärkt werden, indem sie mit dem nutzbringenden Effekt der Abwärtsstromvorrichtung kombiniert werden, was bei der Produktion einer VLSI [very large scale integrated circuit] (höchstintegrierte Schaltung) wie etwa bei einer Integration im Submikrometerbereich hohe Wertschätzung findet.
  • Typische und bevorzugte Verfahren des Hinzufügens des Wasserdampfes zu dem Sauerstoffgas sind in Fig. 4 und 5 schematisch gezeigt, wobei dieselben oder äquivalente Teile mit denselben Bezugszeichen wie in Fig. 4 versehen sind. In der Vorrichtung von Fig. 4 ist die Plasmaerzeugungskammer 8 mit zwei Gaseinlaßöffnungen 31 und 32 zum Einleiten von Sauerstoffgas bzw. Wasserdampf versehen, die voneinander unabhängig sind. Jedes Gas wird der Einlaßöffnung 31 bzw. 32 von jeder Gasquelle 37 und 38 durch jeweilige Steuerventile 35 und 36 und Flußmesser 33 und 34 zugeführt. Falls die Gase der Plasmaerzeugungskammer 8 durch eine einzelne Einlaßöffnung zugeführt werden müßten, würde die Beimischungsmenge des Wasserdampfes zu dem Sauerstoffgas durch die Menge des Sauerstoffgasflusses und den Strömungswiderstand der Einlaßröhre zwischen dem Ort der Wasserdampfbeimischung bis zu der Kammer 8 beeinflußt. Deshalb ist es in solch einer Vorrichtung auf Grund des relativ hohen Gasdruckes des Sauerstoffgases, der durch den oben erwähnten Strömungswiderstand verursacht wird, nicht leicht, das Hinzufügen einer großen Menge des Wasserdampfes wie etwa von mehr als 10% zu steuern. Dieses Problem kann jedoch in der Vorrichtung von Fig. 4 gelöst werden.
  • In der Vorrichtung von Fig. 5 wird der Wasserdampf dem Sauerstofffluß beigemischt, während das Sauerstoffgas fließt, mit anderen Worten, während es auf dem Weg von der Gasguelle 37 zu der Kammer 8 durch erhitztes Wasser 39 hindurchsprudelt. Die Menge des hinzugefügten Wasserdampfes wird durch das Gleichgewicht des Dampfdruckes des Wassers 39 bei seiner vorhandenen Temperatur und des Druckes des Sauerstoffs bestimmt. Der Wasserdampfdruck kann durch die Temperatur des Wassers, durch das das Sauerstoffgas fließt, angehoben und gesteuert werden. Die Wassertemperatur wird durch den Heizer 40 gesteuert. Auf Grund des relativ hohen Dampfdruckes des erhitzten Wassers kann eine beträchtliche Menge des Wasserdampfes, wie z. B. mehr als 10%, dem Sauerstoffgas unter präziser Steuerung ohne weiteres beigemischt werden.
  • Ein Hinzufügen eines Wasserstoffgases zu einem Sauerstoffgas hat, wie in Fig. 1 gezeigt, einen guten Einfluß auf die Verringerung der Aktivierungsenergie. Bekannterweise wird jedoch das Beimischen von mehr als 3% Wasserstoffgas zu dem Sauerstoffgas eine Explosion bewirken. Deshalb kann das Wasserstoffgas industriell nicht als Plasmareaktionsgas verwendet werden.
  • Die vielen Merkmale und Vorteile der Erfindung gehen aus der eingehenden Beschreibung hervor, und somit sollen die beigefügten Ansprüche all jene Merkmale und Vorteile des Verfahrens umfassen. Da ferner zahlreiche Abwandlungen und Veränderungen für die Fachwelt offensichtlich sind, soll die Erfindung nicht auf die exakte Konstruktion und Operation, die gezeigt und beschrieben worden ist, begrenzt werden, und demzufolge können alle geeigneten Abwandlungen und Äquivalente auf den Schutzumfang der Erfindung zurückgeführt werden.

Claims (14)

1. Verfahren zum Entfernen eines organischen Resists auf einem Halbleiterwafer, bei welchem Verfahren eine Abwärtsstromveraschungsvorrichtung verwendet wird, mit einer Plasmaerzeugungskammer, einer Reaktionskammer und einem Schirm zum Einschließen einer elektromagnetischen Energie in der Plasmaerzeugungskammer, aber zum Ermöglichen des Fließens von elektrisch neutralen reaktiven Arten, die in dem Plasma erzeugt werden, in die Reaktionskammer, welches Verfahren die folgenden Schritte umfaßt:
(a) Anordnen des Halbleiterwafers in der Reaktionskammer;
(b) Leiten eines Sauerstoffgases und einer elektromagnetischen Energie in die Plasmaerzeugungskammer, um in ihr ein Gasplasma zu erzeugen, und
(c) Leiten der elektrisch neutralen reaktiven Arten hin zu dem Halbleiterwafer,
dadurch gekennzeichnet, daß
die elektrisch neutralen reaktiven Arten mit dem organischen Resist auf dem Halbleiterwafer reagieren, während der Halbleiterwafer vor dem Beschuß mit elektrisch geladenen Teilchen geschützt wird, die in dem Plasma erzeugt werden, und daß
Wasserdampf eingeleitet wird, um eine Aktivierungsenergie der Reaktion mit dem organischen Resist zu verringern.
2. Verfahren zum Entfernen eines organischen Resists auf einem Halbleiterwafer nach Anspruch 1, bei dem das Sauerstoffgas und der Wasserdampf von äußeren Quellen durch jeweilige Ventile und Flußmesser unabhängig voneinander in die Plasmaerzeugungskammer eingeleitet werden.
3. Verfahren zum Entfernen eines organischen Resists auf einem Halbleiterwafer nach Anspruch 1 oder 2, bei dem die elektrisch neutralen reaktiven Arten durch Löcher in einer Wand der Plasmaerzeugungskammer aus der Plasmaerzeugungskammer herausfließen, um zu dem Halbleiterwafer in der Reaktionskammer eingeleitet zu werden.
4. Verfahren zum Entfernen eines organischen Resists auf einem Halbleiterwafer nach irgendeinem der Ansprüche 1 bis 3, bei dem der Halbleiterwafer in der Reaktionskammer so angeordnet wird, daß nur die elektrisch neutralen reaktiven Arten, die durch Löcher der Wand hindurchfließen, mit dem organischen Resist auf dem Halbleiterwafer reagieren, ohne den Halbleiterwafer der elektromagnetischen Energie und den elektrisch geladenen Teilchen auszusetzen, die in der Plasmaerzeugungskammer erzeugt werden.
5. Verfahren zum Entfernen eines organischen Resists auf einem Halbleiterwafer nach irgendeinem der Ansprüche 1, 2 und 4, bei dem die elektrisch neutralen Arten ein Sauerstoffatom und ein OH-(Hydroxid)-Radikal sind.
6. Verfahren zum Entfernen eines organischen Resists auf einem Halbleiterwafer nach irgendeinem vorhergehenden Anspruch, bei dem ein relatives Molekulargewicht von Wasserdampf so selektiert wird, daß eine Aktivierungsenergie beim Veraschen des organischen Resists unter oder auf 0,42 eV gehalten wird.
7. Verfahren zum Entfernen eines organischen Resists auf einem Halbleiterwafer nach Anspruch 6, bei dem das relative Molekulargewicht von Wasserdampf selektiert wird, um höher als oder gleich 10% zu sein.
8. Verfahren zum Entfernen eines organischen Resists auf einem Halbleiterwafer nach irgendeinem der Ansprüche 1 bis 7, bei dem ein relatives Molekulargewicht von Wasser dampf so selektiert wird, daß die Veraschungsrate des organischen Resists 0,3 um pro Minute bei einer Temperatur von 130ºC und 0,15 um pro Minute bei einer Temperatur von nur 150ºC erreicht.
9. Verfahren zum Entfernen eines organischen Resists auf einem Halbleiterwafer nach Anspruch 8, bei dem das relative Molekulargewicht von Wasserdampf selektiert wird, um 10%~80% zu betragen.
10. Verfahren zum Entfernen eines organischen Resists auf einem Halbleiterwafer nach irgendeinem vorhergehenden Anspruch, bei dem der Halbleiterwafer eine darunterliegende Isolierschicht hinsichtlich des organischen Resists hat, die 20 nm oder dünner ist.
11. Verfahren zum Entfernen eines organischen Resists auf einem Halbleiterwafer nach Anspruch 10, bei dem die darunterliegende Isolierschicht eine SiO&sub2;-Schicht ist.
12. Verfahren zum Entfernen eines organischen Resists auf einem Halbleiterwafer nach Anspruch 10 oder 11, bei dem die darunterliegende Isolierschicht die Gateisolierschicht von Submikrometervorrichtungen für höchstintegrierte Schaltungen ist.
13. Verfahren zum Entfernen eines organischen Resists auf einem Halbleiterwafer nach irgendeinem vorhergehenden Anspruch, bei dem das Entfernen von organischem Resist eine rein chemische Reaktion ist, die ausgeführt wird, um ein unerwünschtes Ätzproblem von darunterliegenden Schichten aus SiO&sub2;, polykristallinem Silizium, SiN oder Aluminium zu vermeiden.
14. Verfahren zum Entfernen eines organischen Resists auf einem Halbleiterwafer nach irgendeinem vorhergehenden Anspruch, bei dem eine Veraschungstemperatur für eine Veraschungsrate von unter 0,15 um pro Minute niedriger als 150ºC ist.
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Families Citing this family (364)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0777211B2 (ja) * 1987-08-19 1995-08-16 富士通株式会社 アッシング方法
US4961820A (en) * 1988-06-09 1990-10-09 Fujitsu Limited Ashing method for removing an organic film on a substance of a semiconductor device under fabrication
JPH02263436A (ja) * 1989-04-03 1990-10-26 Mitsubishi Electric Corp 活性化学種発生方法及び電子部材の製造方法
JP2510053B2 (ja) * 1990-06-27 1996-06-26 富士通株式会社 半導体集積回路の製造方法およびそれに用いる製造装置
DE69132811T2 (de) * 1990-06-27 2002-04-04 Fujitsu Ltd., Kawasaki Verfahren zum herstellen eines integrierten halbleiterschaltkreises
WO1995021458A1 (en) * 1994-02-03 1995-08-10 Applied Materials, Inc. Stripping, passivation and corrosion inhibition of semiconductor substrates
US5545289A (en) * 1994-02-03 1996-08-13 Applied Materials, Inc. Passivating, stripping and corrosion inhibition of semiconductor substrates
TW371796B (en) * 1995-09-08 1999-10-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Method and apparatus for manufacturing a semiconductor device
US6228751B1 (en) * 1995-09-08 2001-05-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device
US6429120B1 (en) 2000-01-18 2002-08-06 Micron Technology, Inc. Methods and apparatus for making integrated-circuit wiring from copper, silver, gold, and other metals
US20010012700A1 (en) * 1998-12-15 2001-08-09 Klaus F. Schuegraf Semiconductor processing methods of chemical vapor depositing sio2 on a substrate
JP3193335B2 (ja) * 1997-12-12 2001-07-30 松下電器産業株式会社 半導体装置の製造方法
US6105588A (en) * 1998-05-27 2000-08-22 Micron Technology, Inc. Method of resist stripping during semiconductor device fabrication
JPH11340127A (ja) * 1998-05-28 1999-12-10 Nikon Corp エッチング方法
US6207583B1 (en) * 1998-09-04 2001-03-27 Alliedsignal Inc. Photoresist ashing process for organic and inorganic polymer dielectric materials
US6410417B1 (en) * 1998-11-05 2002-06-25 Promos Technologies, Inc. Method of forming tungsten interconnect and vias without tungsten loss during wet stripping of photoresist polymer
US6372150B1 (en) * 1998-12-18 2002-04-16 Cypress Semiconductor Corp. High vapor plasma strip methods and devices to enhance the reduction of organic residues over metal surfaces
US6307174B1 (en) * 1999-02-01 2001-10-23 United Microelectronics Corp. Method for high-density plasma etching
US6492186B1 (en) 1999-08-05 2002-12-10 Eaton Corporation Method for detecting an endpoint for an oxygen free plasma process
US6281135B1 (en) 1999-08-05 2001-08-28 Axcelis Technologies, Inc. Oxygen free plasma stripping process
US6547458B1 (en) 1999-11-24 2003-04-15 Axcelis Technologies, Inc. Optimized optical system design for endpoint detection
US6420262B1 (en) 2000-01-18 2002-07-16 Micron Technology, Inc. Structures and methods to enhance copper metallization
US6376370B1 (en) 2000-01-18 2002-04-23 Micron Technology, Inc. Process for providing seed layers for using aluminum, copper, gold and silver metallurgy process for providing seed layers for using aluminum, copper, gold and silver metallurgy
US6667244B1 (en) 2000-03-24 2003-12-23 Gerald M. Cox Method for etching sidewall polymer and other residues from the surface of semiconductor devices
US6440874B1 (en) * 2000-03-24 2002-08-27 Advanced Micro Devices, Inc. High throughput plasma resist strip process for temperature sensitive applications
US6323121B1 (en) 2000-05-12 2001-11-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Fully dry post-via-etch cleaning method for a damascene process
US6271115B1 (en) * 2000-06-26 2001-08-07 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Post metal etch photoresist strip method
US6440864B1 (en) 2000-06-30 2002-08-27 Applied Materials Inc. Substrate cleaning process
US6692903B2 (en) 2000-12-13 2004-02-17 Applied Materials, Inc Substrate cleaning apparatus and method
US6834656B2 (en) * 2001-05-23 2004-12-28 Axcelis Technology, Inc. Plasma process for removing polymer and residues from substrates
US6740594B2 (en) 2001-05-31 2004-05-25 Infineon Technologies Ag Method for removing carbon-containing polysilane from a semiconductor without stripping
KR100685732B1 (ko) * 2001-06-05 2007-02-23 삼성전자주식회사 포토레지스트 레지듀 제거 장치
JP2003007689A (ja) * 2001-06-27 2003-01-10 Seiko Epson Corp アッシング装置、アッシング方法及び半導体装置の製造方法
US6991739B2 (en) * 2001-10-15 2006-01-31 Applied Materials, Inc. Method of photoresist removal in the presence of a dielectric layer having a low k-value
US6713402B2 (en) * 2002-05-31 2004-03-30 Texas Instruments Incorporated Methods for polymer removal following etch-stop layer etch
US6777173B2 (en) * 2002-08-30 2004-08-17 Lam Research Corporation H2O vapor as a processing gas for crust, resist, and residue removal for post ion implant resist strip
US6926775B2 (en) 2003-02-11 2005-08-09 Micron Technology, Inc. Reactors with isolated gas connectors and methods for depositing materials onto micro-device workpieces
US7581511B2 (en) * 2003-10-10 2009-09-01 Micron Technology, Inc. Apparatus and methods for manufacturing microfeatures on workpieces using plasma vapor processes
US20050155690A1 (en) * 2004-01-16 2005-07-21 Park Edward H. Bonding of dynamic vulcanizates of fluorocarbon elastomers
US7821655B2 (en) * 2004-02-09 2010-10-26 Axcelis Technologies, Inc. In-situ absolute measurement process and apparatus for film thickness, film removal rate, and removal endpoint prediction
US7294736B2 (en) * 2004-04-09 2007-11-13 Cambrex Charles City, Inc. Process for preparation of probucol derivatives
US8133554B2 (en) 2004-05-06 2012-03-13 Micron Technology, Inc. Methods for depositing material onto microfeature workpieces in reaction chambers and systems for depositing materials onto microfeature workpieces
US7699932B2 (en) 2004-06-02 2010-04-20 Micron Technology, Inc. Reactors, systems and methods for depositing thin films onto microfeature workpieces
US8193096B2 (en) 2004-12-13 2012-06-05 Novellus Systems, Inc. High dose implantation strip (HDIS) in H2 base chemistry
US7387968B2 (en) * 2005-11-08 2008-06-17 Tokyo Electron Limited Batch photoresist dry strip and ash system and process
KR100713707B1 (ko) 2006-05-04 2007-05-04 한국기계연구원 반도체 웨이퍼 및 ｆｐｄ기판의 포토레지스트 제거용베이퍼 시스템 및 방법
KR100814409B1 (ko) * 2006-08-14 2008-03-18 삼성전자주식회사 애싱 방법 및 이를 수행하기 위한 장치
US8435895B2 (en) 2007-04-04 2013-05-07 Novellus Systems, Inc. Methods for stripping photoresist and/or cleaning metal regions
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) * 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US20110143548A1 (en) 2009-12-11 2011-06-16 David Cheung Ultra low silicon loss high dose implant strip
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9613825B2 (en) 2011-08-26 2017-04-04 Novellus Systems, Inc. Photoresist strip processes for improved device integrity
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
EP2604293A1 (de) * 2011-12-14 2013-06-19 Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Oberflächenreinigungsvorrichtung und Verfahren zum Reinigen einer Oberfläche
US8962469B2 (en) 2012-02-16 2015-02-24 Infineon Technologies Ag Methods of stripping resist after metal deposition
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US10217627B2 (en) * 2013-10-03 2019-02-26 Applied Materials, Inc. Methods of non-destructive post tungsten etch residue removal
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US9514954B2 (en) 2014-06-10 2016-12-06 Lam Research Corporation Peroxide-vapor treatment for enhancing photoresist-strip performance and modifying organic films
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
US10381226B2 (en) 2016-07-27 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of processing substrate
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102613349B1 (ko) 2016-08-25 2023-12-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 장치 및 이를 이용한 기판 가공 장치와 박막 제조 방법
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
JP7206265B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-17 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． クリーン・ミニエンバイロメントを備える装置
WO2019103613A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. A storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
KR102695659B1 (ko) 2018-01-19 2024-08-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
WO2019158960A1 (en) 2018-02-14 2019-08-22 Asm Ip Holding B.V. A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TWI843623B (zh) 2018-05-08 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
TW202349473A (zh) 2018-05-11 2023-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
US11499222B2 (en) 2018-06-27 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
TW202409324A (zh) 2018-06-27 2024-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料之循環沉積製程
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
TWI728456B (zh) 2018-09-11 2021-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 相對於基板的薄膜沉積方法
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
TW202044325A (zh) 2019-02-20 2020-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
TWI838458B (zh) 2019-02-20 2024-04-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於3d nand應用中之插塞填充沉積之設備及方法
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN118422165A (zh) 2019-08-05 2024-08-02 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
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CN112635282A (zh) 2019-10-08 2021-04-09 Asm Ip私人控股有限公司 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法
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US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
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US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
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TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
JP2021111783A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー チャネル付きリフトピン
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
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US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
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CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210132576A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 함유 층을 형성하는 방법 및 이를 포함하는 구조
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
JP2021177545A (ja) 2020-05-04 2021-11-11 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板を処理するための基板処理システム
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
TW202147383A (zh) 2020-05-19 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202200837A (zh) 2020-05-22 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基材上形成薄膜之反應系統
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
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USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3837856A (en) * 1967-04-04 1974-09-24 Signetics Corp Method for removing photoresist in manufacture of semiconductor devices
US4138306A (en) * 1976-08-31 1979-02-06 Tokyo Shibaura Electric Co., Ltd. Apparatus for the treatment of semiconductors
US4292384A (en) * 1977-09-30 1981-09-29 Horizons Research Incorporated Gaseous plasma developing and etching process employing low voltage DC generation
JPS5621333A (en) * 1979-07-31 1981-02-27 Fujitsu Ltd Cleaning method of equipment for manufacturing semiconductor element
JPS5751265A (en) * 1980-09-10 1982-03-26 Hitachi Ltd Microwave plasma etching device
JPS58170536A (ja) * 1982-03-31 1983-10-07 Fujitsu Ltd プラズマ処理方法及びその装置
US4529860A (en) * 1982-08-02 1985-07-16 Motorola, Inc. Plasma etching of organic materials
JPS5941838A (ja) * 1982-08-31 1984-03-08 Fujitsu Ltd マイクロ波プラズマ装置
JPS59208838A (ja) * 1983-05-13 1984-11-27 Fujitsu Ltd マイクロ波プラズマ処理装置
US4501061A (en) * 1983-05-31 1985-02-26 Advanced Micro Devices, Inc. Fluorine plasma oxidation of residual sulfur species
JPS59231817A (ja) * 1983-06-13 1984-12-26 Fujitsu Ltd マイクロ波プラズマ処理装置
JPS6016424A (ja) * 1983-07-08 1985-01-28 Fujitsu Ltd マイクロ波プラズマ処理方法及びその装置
DE3429156C2 (de) * 1984-08-08 1994-06-23 Teves Gmbh Alfred Schaltungsanordnung zur Überwachung und Steuerung einer blockiergeschützten Bremsanlage
JPS6146951A (ja) * 1984-08-14 1986-03-07 Fujitsu Ltd レジスト剥離方法
JPS6159338A (ja) * 1984-08-30 1986-03-26 Fujitsu Ltd レジスト剥離方法
US4689112A (en) * 1985-05-17 1987-08-25 Emergent Technologies Corporation Method and apparatus for dry processing of substrates
US4699689A (en) * 1985-05-17 1987-10-13 Emergent Technologies Corporation Method and apparatus for dry processing of substrates
US4749440A (en) * 1985-08-28 1988-06-07 Fsi Corporation Gaseous process and apparatus for removing films from substrates
US4673456A (en) * 1985-09-17 1987-06-16 Machine Technology, Inc. Microwave apparatus for generating plasma afterglows
JPS62213126A (ja) * 1986-03-13 1987-09-19 Fujitsu Ltd マイクロ波プラズマ処理装置
JPS62271435A (ja) * 1986-05-20 1987-11-25 Fujitsu Ltd レジストの剥離方法
US4718974A (en) * 1987-01-09 1988-01-12 Ultraphase Equipment, Inc. Photoresist stripping apparatus using microwave pumped ultraviolet lamp
JPS63216346A (ja) * 1987-03-04 1988-09-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機物のエツチング方法
JPH0777211B2 (ja) * 1987-08-19 1995-08-16 富士通株式会社 アッシング方法
US4961820A (en) * 1988-06-09 1990-10-09 Fujitsu Limited Ashing method for removing an organic film on a substance of a semiconductor device under fabrication
JP2890432B2 (ja) * 1989-01-10 1999-05-17 富士通株式会社 有機物の灰化方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR890004407A (ko) 1989-04-21
JPS6448421A (en) 1989-02-22
JPH0777211B2 (ja) 1995-08-16
EP0304046B1 (de) 2000-01-26
EP0304046A2 (de) 1989-02-22
US5961775A (en) 1999-10-05
US5998104A (en) 1999-12-07
US5773201A (en) 1998-06-30
DE3856395D1 (de) 2000-03-02
EP0304046A3 (de) 1990-08-16
KR910009319B1 (ko) 1991-11-09

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