JPS6159338A - レジスト剥離方法 - Google Patents
レジスト剥離方法Info
- Publication number
- JPS6159338A JPS6159338A JP17933984A JP17933984A JPS6159338A JP S6159338 A JPS6159338 A JP S6159338A JP 17933984 A JP17933984 A JP 17933984A JP 17933984 A JP17933984 A JP 17933984A JP S6159338 A JPS6159338 A JP S6159338A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- surface layer
- workpiece
- work
- oxygen
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/427—Stripping or agents therefor using plasma means only
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明はイオン注入しだ被加工物から、マスクに使用し
たレジストを剥離する方法に関する。
たレジストを剥離する方法に関する。
従来技術
レジストをマスクとしてイオン注入したウェハまたはチ
ップから、レジストを除去するには、湿式または乾式に
よる方法が行なわれている。温式法は、使用する薬品に
よっては取扱いが危険であり、コストも高いばかりでな
く、イオン注入量が大きい場合には全く剥離しないので
、使用することができない。乾式法には、通常のプラズ
マによる方法、およびいわゆるアフタグロー放電、すな
わち金属網を通したプラズマによる方法がある。
ップから、レジストを除去するには、湿式または乾式に
よる方法が行なわれている。温式法は、使用する薬品に
よっては取扱いが危険であり、コストも高いばかりでな
く、イオン注入量が大きい場合には全く剥離しないので
、使用することができない。乾式法には、通常のプラズ
マによる方法、およびいわゆるアフタグロー放電、すな
わち金属網を通したプラズマによる方法がある。
なお、このプラズマは本明細書において活性種と呼ぶ。
通常のプラズマでは３００℃に加熱され、レジストが焦
付く欠点があるが、活性種は室温から７０℃付近と低温
度で処理できる利点を有する。
付く欠点があるが、活性種は室温から７０℃付近と低温
度で処理できる利点を有する。
しかしイオン注入によって変質した表面層を除去するこ
とができない。
とができない。
間Ｍ漬
イオン注入した被加工物上のレジストを、活性種によっ
て処理する場合、イオン注入によって変質したレジスト
表面層を、他の方法によって除去する必要がある。
て処理する場合、イオン注入によって変質したレジスト
表面層を、他の方法によって除去する必要がある。
解決手段
上記問題小ハ、レジストをマスクとしてイオン注入した
被加工物から、イオン注入によって変質した表面層全台
むレジストを剥離する方法であって、ふつ化炭素系ガス
を含む酸素のプラズマを金属網に通して活性種に変え、
この活性種でレジ゛ストをサイドエツチングした後、被
加工物と反応しない流体を被加工物に対して流動させて
、前記表面層を含む残留レジストを機梓的に除去するこ
とを％徴とするレジスト剥咥方法によって解決すること
ができる。
被加工物から、イオン注入によって変質した表面層全台
むレジストを剥離する方法であって、ふつ化炭素系ガス
を含む酸素のプラズマを金属網に通して活性種に変え、
この活性種でレジ゛ストをサイドエツチングした後、被
加工物と反応しない流体を被加工物に対して流動させて
、前記表面層を含む残留レジストを機梓的に除去するこ
とを％徴とするレジスト剥咥方法によって解決すること
ができる。
実施例
シリコンウェハに、ポジレジスト（東京応化製、商品名
０ＦＰＲ８００）を塗布し、これをバターニングしてマ
スクとし、Ｐイオンを１００ ｋｅＶ で加速してウ
ェハに約１×１０個／−注入した。レジストの表面は深
さ数百へが変質した。
０ＦＰＲ８００）を塗布し、これをバターニングしてマ
スクとし、Ｐイオンを１００ ｋｅＶ で加速してウ
ェハに約１×１０個／−注入した。レジストの表面は深
さ数百へが変質した。
第１図に略示するアフタグロー放電室１を有する装置、
およびエツチングに使用するふっ素化炭素系ガスを含む
酸素のプラズマは公知の技術である。
およびエツチングに使用するふっ素化炭素系ガスを含む
酸素のプラズマは公知の技術である。
アフタグロー放電倖１は網目２■のアルミニウム網から
なる複数の窓２を介してグロー放電室３に連通し、この
グロー放電室３は誘電体であるアルミナの壁４を介して
マイクロ波発生室５に隣接する。ｌ ５ Ｔｏｒｒの０
２−５ ％ ＣＦ４混合ガスをグロー放電室３に導入し
、アフタグロー放電室１から排出する。グロー放電室３
内で混合ガスは、１ｋＷのマイクロ波で励起されてプラ
ズマとなる。プラズマはアルミニウム絶息２を通るとき
に宵、荷をほとＸ７と失なって、通常のプラズマとは異
なる状態の活性種となる。
なる複数の窓２を介してグロー放電室３に連通し、この
グロー放電室３は誘電体であるアルミナの壁４を介して
マイクロ波発生室５に隣接する。ｌ ５ Ｔｏｒｒの０
２−５ ％ ＣＦ４混合ガスをグロー放電室３に導入し
、アフタグロー放電室１から排出する。グロー放電室３
内で混合ガスは、１ｋＷのマイクロ波で励起されてプラ
ズマとなる。プラズマはアルミニウム絶息２を通るとき
に宵、荷をほとＸ７と失なって、通常のプラズマとは異
なる状態の活性種となる。
さきにイオン注入したレジストを有するウェハ６をアフ
タグロー放電室１におき、この活性種に１０秒間接触さ
せた。ウェハはこれによってダメジを受けず、温度も約
７０℃であったので、レジストがきらに変質することも
なかった。しかし、さきにイオン注入時に変質したレジ
スト表面層はエツチングされずに残り、この層の下のレ
ジストはサイドエツチングされて、テーブル状となって
残った。
タグロー放電室１におき、この活性種に１０秒間接触さ
せた。ウェハはこれによってダメジを受けず、温度も約
７０℃であったので、レジストがきらに変質することも
なかった。しかし、さきにイオン注入時に変質したレジ
スト表面層はエツチングされずに残り、この層の下のレ
ジストはサイドエツチングされて、テーブル状となって
残った。
次は、本発明の方法の特徴である、テーブル状の残留レ
ジストの除去工程である。窒素ガスを大気中３ ｋｇ／
ｃｎｌの圧力で吹付けることによって、５秒以下で除去
することができた。これは水洗によっても除去できるが
、乾燥の手間が加わる。
ジストの除去工程である。窒素ガスを大気中３ ｋｇ／
ｃｎｌの圧力で吹付けることによって、５秒以下で除去
することができた。これは水洗によっても除去できるが
、乾燥の手間が加わる。
発明の効果
本発明のレジスト剥離方法は、金属網の窓を通したプラ
ズマである活性種を利用するので、通常のプラズマ処理
のように、レジストの焦付きがおきずに、レジストの大
部分を除去できる。イオン注入によって変質した表面層
を有するレジストはテーブル状となって残留するが、気
体の吹付け、または液体の洗浄によって除去できるので
、大量生産に適する。
ズマである活性種を利用するので、通常のプラズマ処理
のように、レジストの焦付きがおきずに、レジストの大
部分を除去できる。イオン注入によって変質した表面層
を有するレジストはテーブル状となって残留するが、気
体の吹付け、または液体の洗浄によって除去できるので
、大量生産に適する。
第１図は本発明の方法で使用するアフタグロー放電装置
の略図である。 １・・・処理室、２・・・金属網の窓、３・・・グロー
放電室、４・・・誘電体の壁、５・・・マイクロ波発生
室、６・・・ウェハ。
の略図である。 １・・・処理室、２・・・金属網の窓、３・・・グロー
放電室、４・・・誘電体の壁、５・・・マイクロ波発生
室、６・・・ウェハ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、レジストをマスクとしてイオン注入した被加工物か
ら、イオン注入によつて変質した表面層を含むレジスト
を剥離する方法であつて、ふつ化炭素系ガスを含む酸素
のプラズマを金属網に通して活性種に変え、この活性種
でレジストをサイドエッチングした後、被加工物と反応
しない流体を被加工物に対して流動させて、前記表面層
を含む残留レジストを機械的に除去することを特徴とす
るレジスト剥離方法。 ２、流体として窒素ガスを被加工物に吹付ける特許請求
の範囲第１項記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17933984A JPS6159338A (ja) | 1984-08-30 | 1984-08-30 | レジスト剥離方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17933984A JPS6159338A (ja) | 1984-08-30 | 1984-08-30 | レジスト剥離方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6159338A true JPS6159338A (ja) | 1986-03-26 |
Family
ID=16064108
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17933984A Pending JPS6159338A (ja) | 1984-08-30 | 1984-08-30 | レジスト剥離方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6159338A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0304046A2 (en) * | 1987-08-19 | 1989-02-22 | Fujitsu Limited | A method of stripping a resist mask |
| US5310703A (en) * | 1987-12-01 | 1994-05-10 | U.S. Philips Corporation | Method of manufacturing a semiconductor device, in which photoresist on a silicon oxide layer on a semiconductor substrate is stripped using an oxygen plasma afterglow and a biased substrate |
-
1984
- 1984-08-30 JP JP17933984A patent/JPS6159338A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0304046A2 (en) * | 1987-08-19 | 1989-02-22 | Fujitsu Limited | A method of stripping a resist mask |
| US5773201A (en) * | 1987-08-19 | 1998-06-30 | Fujitsu Limited | Method of stripping a resist mask |
| US5961775A (en) * | 1987-08-19 | 1999-10-05 | Fujitsu Limited | Apparatus for removing organic resist from semiconductor |
| US5310703A (en) * | 1987-12-01 | 1994-05-10 | U.S. Philips Corporation | Method of manufacturing a semiconductor device, in which photoresist on a silicon oxide layer on a semiconductor substrate is stripped using an oxygen plasma afterglow and a biased substrate |
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