DE69132811T2

DE69132811T2 - Verfahren zum herstellen eines integrierten halbleiterschaltkreises

Info

Publication number: DE69132811T2
Application number: DE69132811T
Authority: DE
Inventors: Shuzo Fujimura; Fukashi Harada; Toshiyuki Ishida; Takahiro Ito; Tetsuo Kondo; Jun-Ichi Konno; Keisuke Shinagawa
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Semiconductor Ltd
Priority date: 1990-06-27
Filing date: 1991-06-26
Publication date: 2002-04-04
Anticipated expiration: 2011-06-27
Also published as: US5397432A; EP0489179A1; KR950010044B1; EP0489179B1; EP0489179A4; DE69132811D1; WO1992000601A1

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft einen Lithographieprozeß zur Verwendung während der Produktion von integrierten Halbleiterschaltungen. Im besonderen betrifft sie die Entfernung von Chlor oder Brom, das auf einer Oberfläche eines leitfähigen Films verbleibt, wenn der leitfähige Film, der aus Aluminium oder einer Legierung daraus ist, unter Verwendung von Chlor oder Brom oder einer Verbindung von ihnen als Ätzmittel trockengeätzt wird.
Für eine Verdrahtung, die eine integrierte Halbleiterschaltung bildet, die auf einem Substrat wie etwa einem Siliziumwafer oder dergleichen gebildet ist, werden oft Dünnfilme aus Aluminium (AL) oder Dünnfilme aus einer Legierung verwendet, in der Silizium (Si) oder Kupfer (Cu) zu Aluminium hinzugefügt ist. Um eine Erhöhung des Kontaktwiderstandes einer Aluminium- oder Aluminiumlegierungsdünnfilmverdrahtung auf Grund einer Legierungsreaktion mit einem Siliziumwafer zu verhindern, wird ein sogenanntes Barrierenmetall aus einem Dünnfilm aus Titan (Ti), Titannitrid (TiN) oder Titan-Wolfram (TiW) zwischen dem Siliziumwafer und dem Aluminiumdünnfilm vorgesehen.
Das Mustern eines Aluminium- oder Aluminiumlegierungsfilms für solch eine Verdrahtung, wie sie oben beschrieben ist, erfolgt im allgemeinen durch Lithographie, wobei der leitfähige Film unter Verwendung einer Maske, die aus einer Resistschicht gebildet ist, selektiv geätzt wird. Ein anisotropes Ätzen ist erforderlich, um das Bilden von feinen Verdrahtungsmustern zu ermöglichen. Zum gegenwärtigen Zeitpunkt ist das reaktive Ionenätzen [reactive ion etching (RIE)] ein typisches anisotropes Ätzverfahren. Zum Entfernen einer Resistmaske wird ein sogenanntes Veraschen eingesetzt, das ohne Verwendung eines Lösungsmittels wie etwa Trichlorethen ausgeführt werden kann, das ein Problem bezüglich der Umweltverschmutzung darstellt.
Die obenerwähnten Ätz- und Veraschungsverfahren sind beide ein Trockenprozeß. Somit sind sie zur Prozeßsteuerung oder automatischen Bearbeitung geeignet und frei von einer Kontamination auf Grund von Verunreinigungen in einer Ätzlösung oder einem Lösungsmittel wie bei einem Naßprozeß. Ein Überblick über diese Prozesse wird nun unter Bezugnahme auf Fig. 1 und 2 gegeben.
Fig. 1(a), 1(b) und 1(c) zeigen eine Veränderung des Querschnittes eines Gliedes, das bei den oben beschriebenen Trockenätz- und Veraschungsprozessen zu bearbeiten ist. Fig. 2 zeigt schematisch ein Beispiel für die Konstruktion eines Bearbeitungssystems zum automatischen Ausführen der Ätz- und Veraschungsoperationen.
In dem System von Fig. 2 sind eine RIE-Vorrichtung 10 zum Ätzen von Aluminiumfilmen und eine Veraschungsvorrichtung 20 zum Entfernen von Resistmasken nach dem Ätzen durch eine Ladeverriegelungskammer 13, die vakuumtauglich ist, miteinander verbunden. Aluminiumfilme werden durch die Ladeverriegelungskammer 13 von der RIE-Vorrichtung 10 zu der Veraschungsvorrichtung 20 transportiert, ohne die Atmosphäre zu kontaktieren. Eine andere Ladeverriegelungskammer 13A ist auf der Eingangsseite der RIE-Vorrichtung 10 angeordnet, und eine weitere Ladeverriegelungskammer 13B ist auf der Ausgangsseite der Veraschungsvorrichtung 20 angeordnet. Substrate, auf denen Aluminiumfilme gebildet werden, können durch die Ladeverriegelungskammern 13A und 13B in die RIE- Vorrichtung 10 und die Veraschungsvorrichtung 20 eingeführt oder aus ihnen herausgenommen werden, ohne daß Luft in die Vorrichtungen 10 und 20 gelangt.
Unter Bezugnahme auf Fig. 1(a) wird zum Beispiel ein Aluminiumfilm 2 auf der gesamten Oberfläche eines Substrates 1 abgeschieden, das aus einem Siliziumwafer gebildet ist, wonach ein Resist auf den Aluminiumfilm 2 aufgetragen wird.
Durch das Anwenden von ultravioletten Strahlen, Elektronenstrahlen oder einem Energiestrahl wie etwa einem Excimerlaser oder dergleichen auf eine vorbestimmte Position dieses Resists und dann durch Entwickeln wird eine Maske 3 aus dem obigen Resist gebildet. Die Oberfläche des Substrates 1, worauf der Aluminiumfilm 2 gebildet ist, ist im allgemeinen mit einer nicht gezeigten Isolierschicht bedeckt, die aus SiO&sub2;, etc., gebildet ist. Die Oberfläche des Substrates 1 oder einer Verdrahtung einer unteren Schicht ist im Inneren eines Kontaktlochs exponiert, das auf einem Teil der Isolierschicht vorgesehen ist.
Das Substrat 1 mit der Maske 3, die wie oben beschrieben auf ihm gebildet ist, wird auf einem Tisch 11 innerhalb der RIE-Vorrichtung 10 durch die Ladeverriegelungskammer 13A in Fig. 2 angeordnet. Dann wird zum Beispiel Chlorgas (Cl&sub2;) in die RIE-Vorrichtung 10 geleitet, und während das Innere von solch einer Vorrichtung auf einem vorbestimmten Druck gehalten wird, wird ein Plasma erzeugt, indem eine Spannung zwischen dem Tisch 11 und einer Elektrode 12 angewendet wird. Als Resultat wird der Aluminiumfilm 2 anisotrop geätzt, wie in Fig. 1(b) gezeigt.
Das Substrat 1 mit dem geätzten Aluminiumfilm 2, wie oben beschrieben, wird durch die Ladeverriegelungskammer 13 in Fig. 2 zu der Veraschungsvorrichtung 20 transportiert. Dann wird zum Beispiel ein Sauerstoffgas (O&sub2;) in die Veraschungsvorrichtung 20 geleitet, und während das Innere von solch einer Vorrichtung auf einem vorbestimmten Druck gehalten wird, wird eine Spannung zwischen einem Paar von Elektroden 16 angewendet, die einander gegenüberliegen. Als Resultat wird zwischen den Elektroden 16 ein Plasma erzeugt. Die Maske 3, die das obenerwähnte Resist umfaßt, reagiert hauptsächlich mit Sauerstoffatomen oder -molekülen oder mit Ionen in diesem Plasma und verdampft, wobei eine Evakuierung aus der Veraschungsvorrichtung 20 erfolgt. Auf diese Weise wird die Maske 3 auf dem Aluminiumfilm 2 entfernt, wie in Fig. 1(c) gezeigt.
In Fig. 2 ist die Veraschungsvorrichtung 20 gezeigt, die das Plasmaätzen ausführt, bei dem ein zu bearbeitendes Glied direkt dem Plasma ausgesetzt wird. Die oben beschriebenen Prozesse werden auf dieselbe Weise wie bei einem automatischen Bearbeitungssystem ausgeführt, das mit einer Veraschungsvorrichtung des sogenannten Abwärtsstromtyps versehen ist, wobei das zu bearbeitende Glied nur neutralen aktiven Arten ausgesetzt wird, die aus einem Plasma extrahiert werden. Als Mittel zum Erzeugen des obigen Plasmas wird oft eine Erregung durch Mikrowellenstrahlung oder eine Erregung unter Verwendung einer Hochfrequenzinduktionsspule anstelle der Elektrode 16 verwendet.
Bei einem RIE für Filme aus Aluminium oder einer Legierung daraus wird als Ätzmittel auch eine gasförmige Chlorverbindung wie etwa Bortrichlorid (BCl&sub3;) oder Siliziumtetrachlorid (SiCl&sub4;), Bromgas (Br&sub2;) oder eine gasförmige Bromverbindung wie etwa Bromwasserstoff (HBr) oder Bortribromid (BBr&sub3;) verwendet.
Falls das Substrat 1, bei dem das Ätzen und Veraschen wie oben beschrieben ausgeführt worden ist, in die Atmosphäre gelangt, wird oft die Erscheinung beobachtet, daß bei der Verdrahtung, die Dünnfilme aus Aluminium oder einer Legierung aus Aluminium umfaßt, eine "Nachkorrosion" auftritt. Der Widerstand der Verdrahtung nimmt auf Grund dieser Nachkorrosion zu, und in extremen Fällen tritt eine Unterbrechung auf. Solch eine Nachkorrosion schreitet voran, während eine integrierte Halbleiterschaltung in einem Zustand, in dem die Verdrahtung mit einer Passivierungsisolierschicht bedeckt ist, über einen langen Zeitraum hinweg verwendet wird, woraus die schlechte Zuverlässigkeit von Produkten resultiert.
Der Mechanismus, der solch eine Nachkorrosion bewirkt, wie sie oben beschrieben ist, ist noch nicht vollständig geklärt. Es wird angenommen, daß die Nachkorrosion darauf zurückzuführen ist, daß Chlor, Brom oder deren Verbindungen, die Bestandteile des Ätzmittels sind, das beim Ätzen verwendet wird, auf der Oberfläche eines Aluminiumfilms verbleiben. Das heißt, daß zum Beispiel das restliche Chlor mit dem Wasser der Atmosphäre reagiert, wobei Chlorwasserstoffsäure (HCl), etc., erzeugt wird, die eine Korrosion eines Aluminiumfilms bewirkt.
Die Einrichtung des automatischen Bearbeitungssystems, das in Fig. 2 gezeigt ist, ermöglicht es, daß ein Aluminiumfilm zu einer Veraschungsvorrichtung transportiert wird, ohne daß er die Atmosphäre kontaktiert. Und der größte Teil des verbleibenden Chlors oder dergleichen wird durch die Veraschungsvorrichtung entfernt. Daher wird die oben beschriebene Nachkorrosion beträchtlich reduziert.
In den letzten Jahren sind jedoch Aluminium-Kupfer-(Al- Cu)-Legierungen als Verdrahtungsmaterial zum Einsatz gekommen, bei denen im Vergleich zu reinen Aluminiumfilmen eine Elektromigration und Belastungsmigration nicht oft auftreten. Dünnfilme aus Ti, TiN oder TiW werden, wie zuvor erwähnt, als Barrierenmetalle zum Blockieren der Legierungsreaktion zwischen einem Siliziumsubstrat oder einer Verdrahtung einer unteren Schicht aus polykristallinem Silizium und einer Aluminiumverdrahtung verwendet.
Die Verwendung von Al-Cu-Legierungsfilmen oder von Barrierenmetallen begünstigt die Nachkorrosion, weil eine elektrische Zelle an den Korngrenzen von Metallen verschiedener Typen oder an der Grenzfläche des Barrierenmetalls und von Aluminiumfilmen infolge des Vorhandenseins von Chlorwasserstoffsäure gebildet wird, die aus dem obenerwähnten restlichen Chlor erzeugt wird. Selbst wenn das in Fig. 2 gezeigte automatische Bearbeitungssystem eingesetzt wird, ist deshalb das Problem vorhanden, daß die Nachkorrosion nicht vollständig vermieden werden kann.
Daher ist es wünschenswert, eine Vorrichtung zum Verhindern der Nachkorrosion bei einer Verdrahtung vorzusehen, die aus den obenerwähnten Dünnfilmen aus Aluminium oder einer Legierung daraus gebildet ist, und im besonderen ein Verfahren vorzusehen, wodurch Chlor oder dergleichen perfekter entfernt werden kann, das nach der obigen Veraschung auf allen exponierten Oberflächen, die die Verdrahtungsseite enthalten, und auf der Oberfläche eines Substrates verbleibt, das an der Peripherie der Verdrahtung exponiert ist, und eine Vorrichtung zum Ausführen solch eines Verfahrens.
EP-A-0 305 946 offenbart ein Verfahren gemäß der Präambel des beiliegenden Anspruches 1. Bei diesem Verfahren wird NF&sub3; durch ein Plasmaerzeugungsmittel in Plasma umgewandelt, und dann wird Wasserdampf zu dem Plasma hinzugefügt.
EP-A-0 345 757 offenbart ein ähnliches Verfahren, bei dem kein Prozeß zum Entfernen von Komponenten des gasförmigen Ätzmittels vorhanden ist, das auf dem metallischen Film haften bleibt; jedoch kann bei dem Prozeß zum Veraschen der Maske ein Plasma verwendet werden, das in einer Atmosphäre erzeugt wird, die drei Arten von Reaktantgasen enthält, wie z. B. Sauerstoff, Wasserdampf und Stickstoff. Unter Verwendung solch eines Gasgemisches wird die Veraschungsrate erhöht.
EP-A-0 416 774 offenbart ein Nachätzbehandlungsverfahren zum Verhindern der Korrosion von aluminiumhaltigen Verdrahtungsfilmen. Ein dreistufiger Prozeß wird offenbart, der das Cl-Ätzen einer Al-Schicht, das Veraschen des Resists mit O&sub2; und das Ausführen der Nachätzbehandlung unter Verwendung von Alkoholen, Aceton, H&sub2; und CH&sub4; umfaßt.
Gemäß der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zum Herstellen von integrierten Halbleiterschaltungen vorgesehen, das die folgenden Prozesse umfaßt: einen ersten Prozeß zum selektiven Ätzen eines metallischen Films, der durch eine Maske aus einem Resist exponiert ist, die den metallischen Film selektiv bedeckt, durch ein erstes Plasma aus einem gasförmigen Ätzmittel, das Chlor, Brom oder eine Verbindung davon enthält; und einen zweiten Prozeß zum Veraschen der Maske durch ein zweites Plasma, das in einer sauerstoffhaltigen Atmosphäre erzeugt wird; gekennzeichnet durch: einen dritten Prozeß, der entweder gleichzeitig mit dem zweiten Prozeß oder im Anschluß an ihn erfolgt, zum Entfernen von Komponenten des gasförmigen Ätzmittels, das auf dem metallischen Film haften bleibt, durch Anwenden eines dritten Plasmas, das durch ein Plasmaerzeugungsmittel erzeugt wird und auf eine wasserdampfhaltige Atmosphäre einwirkt, wodurch das Freisetzen der Komponenten des gasförmigen Ätzmittels von dem metallischen Film erzwungen wird.
Eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung verbessert den Produktionsausstoß von integrierten Halbleiterschaltungen, die eine Verdrahtung haben, die aus Dünnfilmen aus Aluminium oder einer Legierung daraus gebildet ist, und erhöht die Zuverlässigkeit der integrierten Halbleiterschaltungen bei der Verwendung über einen langen Zeitraum hinweg.
Die vorliegende Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß sie irgendeinen der folgenden Modi enthält. Das heißt:
(1) Ein Film 2 aus Aluminium oder einer Legierung daraus, der auf einer Oberfläche eines Substrates 1 gebildet ist, ist mit einer Maske 3 bedeckt, die ein Resist umfaßt, wie in Fig. 3(a) gezeigt. Der Aluminiumfilm 2 ist durch die Maske 3 exponiert und wird unter Verwendung von Chlor, Brom oder einem gasförmigen Ätzmittel, das eine Verbindung davon enthält, selektiv geätzt. Die Maske 3, die bei dem obigen Ätzen verwendet wird, wird verascht und entfernt, wenn sie direkt einem Plasma ausgesetzt wird, das in einer Atmosphäre erzeugt wird, die Sauerstoff und Wasserdampf enthält, oder neutralen aktiven Arten ausgesetzt wird, die aus dem Plasma extrahiert werden. Restliches Chlor, Brom oder eine Verbindung davon auf der Oberfläche des Films 2, die als Resultat der Entfernung der Maske 3 exponiert ist, wird von der Oberfläche durch das Bilden von flüchtigen Verbindungen wie etwa HCl losgelöst und entfernt. Oder:
(2) Während die Maske 3 durch neutrale aktive Arten verascht wird, die aus einem Plasma extrahiert werden, das in der Atmosphäre erzeugt wird, die Sauerstoffgas enthält, wird der Film 2, der bei der Entfernung der Maske 3 enthüllt wird, einem Plasma ausgesetzt, das in einer Atmosphäre erzeugt wird, die Wasserdampf enthält, so daß restliches Chlor oder dergleichen entfernt wird, wie es oben bei (1) beschrieben ist. Oder:
(3) Nach dem Entfernen der Maske 3 durch einen Veraschungsprozeß wird, wie in Fig. 3(b) gezeigt, der Dünnfilm 2 direkt einem Plasma ausgesetzt, das in einer Atmosphäre erzeugt wird, die Wasserdampf enthält, oder neutralen aktiven Arten, die aus dem Plasma extrahiert werden, so daß restliches Chlor oder dergleichen auf der Oberfläche von ihm entfernt wird, wie es oben bei (1) beschrieben ist.
In Fig. 3(a) und 3(b) sind O&sub2; und H&sub2;O als Vertreter der obigen neutralen aktiven Arten dargestellt, ist CO&sub2; als Vertreter der Reaktionsprodukte dargestellt, wenn die Resistmaske 3 entfernt wird, und ist HCl als Vertreter des Produktes dargestellt, wenn die obigen neutralen aktiven Arten und das restliche Chlor reagieren und entfernt werden. Natürlich sind die obigen neutralen aktiven Arten und die Produkte nicht auf diese Beispiele begrenzt.
(4) Ein automatisches Bearbeitungssystem wird konstruiert, so daß die Entfernung von restlichem Chlor oder dergleichen bei dem obigen Modus (3) unter Verwendung einer Vorrichtung ausgeführt werden kann, die sich von einer Veraschungsvorrichtung unterscheidet. Das heißt, eine Nachbehandlungsvorrichtung 40 wird, wie in Fig. 4 gezeigt, über eine Ladeverriegelungskammer 13C mit der Veraschungsvorrichtung 20 verbunden, die durch die Ladeverriegelungskammer 13 mit der RIE-Vorrichtung 10 verbunden ist. Für die Nachbehandlungsvorrichtung 40 wird entweder ein Abwärtsstromtyp oder ein Plasmabearbeitungstyp, wo ein Glied, das zu bearbeiten ist, direkt dem Plasma ausgesetzt wird, auf dieselbe Weise wie bei der Veraschungsvorrichtung 20 eingesetzt.
In Fig. 4 bezeichnet Bezugszeichen 1 ein Substrat mit einem Dünnfilm aus Aluminium oder einer Legierung daraus, der selektiv mit einer Resistmaske bedeckt ist, aber nicht geätzt ist. Bezugszeichen 1' bezeichnet ein Substrat, auf dem der obige Dünnfilm geätzt ist. Bezugszeichen 1" bezeichnet ein Substrat, von dem die obige Resistmaske entfernt worden ist.
Der Anmelder der vorliegenden Erfindung hat ein Veraschungsverfahren vorgeschlagen, bei dem Wasser zu dem obenerwähnten Gas hinzugefügt wird, um die Veraschungsgeschwindigkeit bei einer stromabwärtigen Veraschung zu erhöhen, bei der Gase mit Sauerstoff verwendet werden (japanisches offengelegtes Patent JP-A-1048421, Anmeldungsdatum: 19. August 1987). Bei diesem Verfahren sind jedoch keine Bedingungen zum Ätzen (Prozeß vor einer Veraschungsoperation) spezifiziert. Ferner ist in dieser Anmeldung nicht einmal ein Hinweis darauf enthalten, daß das Hinzufügen von Wasser zu der Veraschungsatmosphäre die Nachkorrosion von Aluminiumfilmen verhindert, die unter Verwendung eines Ätzmittels wie etwa Chlorgas oder dergleichen gemustert werden.
Der Anmelder der vorliegenden Erfindung hat auch ein Verfahren zum Verhindern der Nachkorrosion vorgeschlagen, indem Aluminiumfilme, die unter Verwendung eines reaktiven Gases des Chlortyps geätzt werden, Wasserdampf in einer druckreduzierten Atmosphäre ausgesetzt werden (japanisches offengelegtes Patent JP-A-3041728, Anmeldungsdatum: 7. Juli 1989). Bei diesem Verfahren hängt jedoch die Entfernung von restlichen Komponenten wie etwa Chlor oder dergleichen, die eine Nachkorrosion bewirken, von einer thermischen Reaktion ab, und ein zu bearbeitendes Substrat wird auf etwa 120ºC erhitzt, um diese Reaktion zu fördern.
Bei der vorliegenden Erfindung werden im Gegensatz zu diesen Anmeldungen Aluminiumfilme, die unter Verwendung eines Ätzmittels wie etwa Chlorgas oder dergleichen gemustert werden, direkt einem Plasma ausgesetzt, das in einer Atmosphäre erzeugt wird, die Wasserdampf enthält, oder aktiven Arten, die aus diesem Plasma extrahiert werden, wie zum Beispiel H&sub2;O in einem erregten Zustand oder Wasserstoff (H) in einem atomaren Zustand, oder OH-freien Radikalen oder dergleichen, um restliches Chlor oder dergleichen zu entfernen. Da demzufolge eine Entfernungsreaktion aktiver als bei einem Verfahren gefördert wird, bei dem Aluminiumfilme wie bei der oben beschriebenen Anmeldung einfach Wasserdampf ausgesetzt werden, ist es möglich, Chlor oder dergleichen zu entfernen, das fest anhaftet und durch eine thermische Reaktion nicht beseitigt werden kann.
Als Beispiel wird Bezug auf die beiliegenden Zeichnungen genommen, in denen:
Fig. 1 eine schematische Querschnittsansicht ist, die einen Prozeß zum Mustern einer Verdrahtung einer integrierten Halbleiterschaltung zeigt;
Fig. 2 eine schematische Ansicht ist, die ein Beispiel für die Konstruktion einer automatischen Bearbeitungsvorrichtung zum Ausführen einer Verdrahtungsmusterung bei einer integrierten Halbleiterschaltung zeigt;
Fig. 3 eine schematische Querschnittsansicht ist, die ein Prinzip der vorliegenden Erfindung zeigt;
Fig. 4 eine schematische Ansicht ist, die ein Beispiel für die Konstruktion einer automatischen Bearbeitungsvorrichtung der vorliegenden Erfindung zeigt;
Fig. 5(a) eine schematische Ansicht ist, die ein Beispiel für die Konstruktion einer automatischen Bearbeitungsvorrichtung zeigt, die zum Verwirklichen der vorliegenden Erfindung verwendet wird.
Fig. 5(b) eine schematische Ansicht ist, die eine detaillierte Konstruktion einer Veraschungsvorrichtung 20 oder einer Nachbehandlungsvorrichtung 40 von Fig. 4 oder Fig. 5(a) zeigt;
Fig. 6 eine schematische Schnittansicht ist, die ein Beispiel für die Verdrahtungskonstruktion zeigt, die durch ein Verfahren der vorliegenden Erfindung bearbeitet wird;
Fig. 7 eine schematische Ansicht ist, die eine detaillierte Konstruktion eines Beispiels für die Ersatzveraschungsvorrichtung 20 oder die Nachbehandlungsvorrichtung 40 von Fig. 4 oder Fig. 5(a) zeigt;
Fig. 8 eine schematische Ansicht ist, die eine detaillierte Konstruktion eines Beispiels für die Ersatzveraschungsvorrichtung 20 von Fig. 4 oder Fig. 5(a) zeigt; und
Fig. 9 ein Graph ist, der einen Effekt zur Reduzierung der Menge von restlichem Chlor gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt.
Unter Bezugnahme auf die beiliegenden Zeichnungen werden unten verschiedene Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung erläutert. Durch die gesamten Figuren hindurch sind dieselben Teile wie jene in zuvor gezeigten Figuren mit denselben Bezugszeichen versehen.
In der folgenden Beschreibung wird der Druck in Torr ausgedrückt. Es versteht sich, das 1 Torr 133,3 Pascal (Pa) entspricht.

(Erste Ausführungsform)

Ein Substrat 1, worauf eine Maske 3 gebildet ist, die ein Resist umfaßt und womit ein Film 2 selektiv bedeckt ist, der Aluminium umfaßt, das 2% Kupfer enthält (Al-2%Cu), wie in Fig. 1(a) gezeigt, wird durch eine Ladeverriegelungskammer 13A in dem automatischen Bearbeitungssystem, das in Fig. 2 gezeigt ist, in eine RIE-Vorrichtung 10 transportiert und auf einem Tisch 11 angeordnet.
Nachdem das Innere der RIE-Vorrichtung 10 in ein Vakuum mit zum Beispiel 2 · 10&supmin;&sup4; Torr umgewandelt ist, wird ein gasförmiges Gemisch aus Chlorgas (Cl&sub2;) und Siliziumtetrachlorid (SiCl&sub4;) eingeleitet. Der Gesamtdruck wird auf 8 · 10&supmin;² Torr gehalten, und eine Hochfrequenzspannung wird zwischen dem Tisch 11 und der Elektrode 12 angewendet. Als Resultat wird der Aluminiumfilm 2 (nicht gezeigt) auf dem Substrat 1 durch Ionen und Radikale in dem Plasma, das zwischen dem Tisch 11 und der Elektrode 12 erzeugt wird, anisotrop geätzt.
Das Substrat 1 mit dem geätzten Aluminiumfilm 2, wie oben beschrieben, wird durch die Ladeverriegelungskammer 13, die in ein Vakuum umgewandelt worden ist, in die Veraschungsvorrichtung 20 transportiert und auf einem Tisch 14 angeordnet. Die Veraschungsvorrichtung 20 in der Figur ist ein sogenannter Plasmaveraschungstyp. Sauerstoffgas (O&sub2;) und Wasserdampf (H&sub2;O) werden in die Veraschungsvorrichtung 20 jeweilig mit einer Flußrate von 1 bis 2 SLM (Standardliter pro Minute) und 100 bis 300 SCCM (Standardkubikzentimeter pro Minute) eingeleitet, und der Gesamtdruck wird auf 1 Torr gehalten. Dann wird das Substrat 1 durch einen Heizer, der auf dem Tisch 14 angeordnet ist, zum Beispiel auf 100 bis 200ºC erhitzt. In diesem Zustand wird Plasma erzeugt, indem zum Beispiel eine Hochfrequenzleistung Von etwa 1,5 kW mit einer Frequenz von 2,54 GHz zugeführt wird; und die obenerwähnte Resistmaske 2 wird verascht. Selbst als der Aluminiumfilm 2, der so wie in der oben beschriebenen Ausführungsform bearbeitet worden ist, 48 Stunden lang der Luft ausgesetzt war, konnte kein Auftreten einer Nachkorrosion detektiert werden. Zum Vergleich wurde eine Veraschungsoperation ausgeführt, ohne Wasserdampf zu Gas hinzuzufügen, das in der oben beschriebenen Ausführungsform in eine Veraschungskammer 21B geleitet wurde, woraufhin detektiert wurde, daß eine Nachkorrosion auftrat, als der Aluminiumfilm 2 eine Stunde lang der Luft ausgesetzt war.
Dieselben Resultate wie oben beschrieben wurden ferner in den Fällen erhalten, als Chlor-(Cl&sub2;)-Gas, das bei der obigen Beschreibung in die RIE-Vorrichtung 10 geleitet wurde, durch Brom-(Br&sub2;)-Gas ersetzt wurde und Siliziumtetrachlorid (SiCl&sub4;) durch Siliziumtetrabromid (SiBr&sub4;) ersetzt wurde.

(Zweite Ausführungsform)

Ätz- und Veraschungsoperationen wurden an dem Aluminiumfilm 2 und der Resistmaske 3 auf dieselbe Weise wie bei der oben beschriebenen Ausführungsform ausgeführt. Der Aluminiumfilm 2 aus Al-2%Cu ist auf dem Substrat 1 über einem Barrierenmetall 4 (das einen Titan-(Ti)-Film 4A und einen Titannitrid-(TiN)-Film umfaßt) gebildet, wie in Fig. 6 gezeigt. Bei jener Operation konnte auch dann kein Auftreten einer Nachkorrosion detektiert werden, als der Aluminiumfilm 2, von dem die Maske 3 entfernt war, 48 Stunden lang der Luft ausgesetzt war.

(Dritte Ausführungsform)

Ein Aluminiumfilm wurde unter Verwendung eines automatischen Bearbeitungssystems, das in Fig. 5(a) gezeigt ist, geätzt und verascht. Die RIE-Vorrichtung 10 in der Figur ist ein paralleler Flachplattenelektrodentyp mit dem Tisch 11, worauf ein zu bearbeitendes Substrat angeordnet wird, und einer Elektrode 12, die dem Tisch 11 gegenüberliegt. Die Veraschungsvorrichtung 20 ist ein sogenannter Abwärtsstromtyp und hat im Detail solch eine Konstruktion, wie sie zum Beispiel in Fig. 5(b) gezeigt ist. Bei diesem Beispiel ist eine zylindrische Kammer 21 aus Aluminium in eine Plasmaerzeugungskammer 21A und eine Veraschungskammer 21B durch einen Duschkopf 28 geteilt, in dem eine große Anzahl von kleinen Öffnungen mit einem Durchmesser von ungefähr 2 bis 3 mm angeordnet ist. Eine Mikrowellenerzeugungsquelle 23, wie etwa ein Magnetron, ist mit einem Ende der Plasmaerzeugungskammer 21A durch ein Mikrowellenübertragungsfenster 27 verbunden.
Unter Bezugnahme auf Fig. 5(a) und 5(b) wird das Substrat 1, das aus einem Siliziumwafer mit einem Durchmesser von 10 cm (4 Zoll) gebildet ist, worauf ein Film aus Al- 2%Cu gebildet ist, durch die Ladeverriegelungskammer 13A in die RIE-Vorrichtung 10 transportiert, auf dem Tisch 11 angeordnet und auf eine vorbestimmte Temperatur erhitzt. Ein Gasgemisch aus BCl&sub3;, SiCl&sub4; und Cl&sub2; wurde als Ätzmittel in die RIE-Vorrichtung 10 eingeleitet, und der Gesamtdruck wurde auf 0,08 Torr gehalten. Aus diesem Grund wurde die Flußrate von BCl&sub3;, SiCl&sub4; und Cl&sub2; jeweilig auf 80 SCCM, 400 SCCM und 10 SCCM gesteuert. In diesem Zustand wird ein Plasma erzeugt, indem eine Hochfrequenzleistung zwischen dem Tisch 11 und der Elektrode 12 zugeführt wird. Die zu dieser Zeit zugeführte Leistung beträgt 350 W. Der obige Aluminiumfilm wird unter diesen Bedingungen etwa 180 Sekunden lang anisotrop geätzt.
Als nächstes wird das Substrat 1 über die Ladeverriegelungskammer 13 in die Veraschungsvorrichtung 20 transportiert, auf dem Tisch 14 angeordnet und durch einen Heizer 24, der auf dem Tisch 14 angeordnet ist, auf 180ºC erhitzt. Sauerstoff (O&sub2;) und Wasserdampf (H&sub2;O) werden mit der Rate der Flußrate von 1350 SCCM bzw. 150 SCCM gemischt und über ein Gaseinlaßrohr 25 in die Plasmaerzeugungskammer 21A geleitet. Der Gesamtdruck wird auf 1,0 Torr gehalten. In diesem Zustand wird die Mikrowellenerzeugungsquelle 23 aktiviert, um ein Plasma zu erzeugen. Die Leistung der Mikrowellenerzeugungsquelle 23 beträgt zu dieser Zeit 1,0 kW, und die Betriebszeit beträgt 120 Sekunden. Die Resistmaske wird verascht, und restliches Chlor (Cl) auf dem Aluminiumfilm wird durch neutrale aktive Arten in dem auf diese Weise erzeugten Plasma entfernt.
Das heißt, ein Duschkopf 28 ist zum Beispiel aus reinem Aluminium gebildet. Deshalb wird im Inneren der Veraschungskammer 21B kein Plasma auftreten, während nur die neutralen aktiven Arten innerhalb der Plasmaerzeugungskammer 21A durch kleine Öffnungen des Duschkopfes 28 in die Veraschungskammer 21B strömen. Diese neutralen aktiven Arten enthalten atomaren Sauerstoff (O), Wasserstoff (H), erregte Moleküle von O&sub2;, H&sub2;O, etc., und aktive Arten wie etwa OH-freie Radikale. Es wird angenommen, daß jede von ihnen an der Veraschung einer Resistmaske beteiligt ist, aber man geht davon aus, daß zu der Veraschung hauptsächlich durch atomaren Sauerstoff (O) und erregte Sauerstoffmoleküle (O&sub2;) beigetragen wird.
Andererseits reagiert das restliche Chlor auf der Oberfläche des Aluminiumfilms, der so wie oben beschrieben geätzt wurde, hauptsächlich mit atomarem Wasserstoff (H) und OH-freien Radikalen in den obenerwähnten neutralen aktiven Arten, um eine flüchtige Verbindung wie zum Beispiel Chlorwasserstoff (HCl) zu ergeben. Das restliche Chlor wird von dem Substrat 1 freigesetzt und durch ein Abzugsrohr 26 nach außen geführt. Restliches Chlor, das auf der SiO&sub2;-Oberfläche vorhanden ist, die an der Peripherie des Aluminiumfilms 2 exponiert ist, ergibt ähnlich HCl und wird abgeführt.
Gemäß einer Vorrichtung des Abwärtsstromtyps ist die Minderung von Charakteristiken von Elementen, die eine integrierte Schaltung bilden, gering, da das zu bearbeitende Substrat 1 keinem Ionenbeschuß wie in einer Vorrichtung des Plasmaveraschungstyps ausgesetzt wird, die in Fig. 2 gezeigt ist. Weiterhin ist die Wahrscheinlichkeit kleiner, daß Verunreinigungsionen von Natrium (Na), Schwermetallen, etc., injiziert werden.
Das Auftreten einer Nachkorrosion wurde auch dann nicht detektiert, als ein Aluminiumfilm, der so wie in der oben beschriebenen Ausführungsform bearbeitet wurde, 48 Stunden lang der Luft ausgesetzt war.

(Vierte Ausführungsform)

Eine Operation zum Ätzen eines Aluminiumfilms aus Al- 2%Cu, eine Operation zum Veraschen einer Resistmaske und eine Nachbehandlung zum Entfernen von restlichem Chlor wurden unter Verwendung des in Fig. 4 gezeigten automatischen Bearbeitungssystems ausgeführt, bei dem die Nachbehandlungsvorrichtung 40 zum Entfernen von restlichem Chlor oder Brom auf der Oberfläche eines Aluminiumfilms unabhängig von der Veraschungsvorrichtung 20 zum Entfernen einer Resistmaske angeordnet ist. Da die Nachbehandlungsvorrichtung 40 ähnlich wie die Veraschungsvorrichtung 20 eine Vorrichtung des Abwärtsstromtyps ist, die in Fig. 5(b) gezeigt ist, werden dieselben Bezugszeichen verwendet, um deren Details zu erläutern.
Das Substrat 1, auf dem der Aluminiumfilm 2 aus Al- 2%Cu, der in Fig. 1(a) gezeigt ist, und die Maske 3, die aus einem Resist gebildet ist und mit der der Aluminiumfilm 2 bedeckt ist, gebildet sind, wird durch die RIE-Vorrichtung 10 in dem in Fig. 4 gezeigten automatischen Bearbeitungssystem geätzt. Die Ätzbedingungen sind dieselben wie bei den oben beschriebenen Ausführungsformen.
Als nächstes wird das Substrat 1 durch die Ladeverriegelungskammer 13 in die Veraschungsvorrichtung 20 transportiert, auf dem Tisch 14 angeordnet und durch den Heizer 24, der auf dem Tisch 14 positioniert ist, auf 180ºC erhitzt. Sauerstoff (O&sub2;) wird durch das Gaseinlaßrohr 25 mit einer Flußrate von 1350 SCCM in die Plasmaerzeugungskammer 21A geleitet, und der Gesamtdruck wird auf 1,0 Torr gehalten. In diesem Zustand wird die Mikrowellenerzeugungsquelle 23 aktiviert, um ein Plasma zu erzeugen. Die Leistung der Mikrowellenerzeugungsquelle 23 beträgt zu dieser Zeit 1,0 kW, und die Betriebszeit beträgt 120 Sekunden. Die Resistmaske wird durch neutrale aktive Arten in dem auf diese Weise erzeugten Plasma verascht.
Als nächstes wird das Substrat 1 durch die Ladeverriegelungskammer 13C in die Nachbehandlungskammer 40 transportiert, auf dem Tisch 16 angeordnet und durch einen Heizer, der auf dem Tisch 16 positioniert ist, auf 180ºC erhitzt. Wasserdampf (H&sub2;O) wird durch das Gaseinlaßrohr 25 mit einer Flußrate von 150 SCCM in die Plasmaerzeugungskammer 21A geleitet, und der Gesamtdruck wird auf 1,0 Torr gehalten. In diesem Zustand wird die Mikrowellenerzeugungsquelle 23 aktiviert, um ein Plasma zu erzeugen. Die Leistung der Mikrowellenerzeugungsquelle 23 beträgt zu dieser Zeit 1,0 kW. Das restliche Chlor (Cl) auf dem Aluminiumfilm wird als HCl aus der Nachbehandlungsvorrichtung 40 durch neutrale aktive Arten in dem auf diese Weise erzeugten Plasma evakuiert.
Es wurde kein Auftreten einer Nachkorrosion detektiert, auch als jede der drei Arten von Aluminiumfilmen auf dem Substrat 1 48 Stunden lang der Luft ausgesetzt war, bei welchen Aluminiumfilmen die Nachbehandlung mit verschiedenen Zeiten (30, 90 und 180 Sekunden) unter den oben beschriebenen Bedingungen ausgeführt wurde.

(Fünfte Ausführungsform)

Zum Vergleich wurden Proben bis hergestellt, die in Tabelle 1 gezeigt sind. Die Menge des restlichen Chlors wurde gemessen, und das Auftreten einer Nachkorrosion wurde untersucht, als diese Proben 48 Stunden lang der Luft ausgesetzt worden waren. Diese Proben sind aus Al-2%Cu-Dünnfilmen gebildet, die auf einem Siliziumwafer mit einem Durchmesser von 10 cm (4 Zoll) angeordnet sind. Bedingungen zum Behandeln jeder Probe in Tabelle 1 sind wie folgt. Nämlich:
: Ein Zustand, bei dem eine Resistmaske auf dem Aluminiumfilm verbleibt, wobei ein reaktives Ionenätzen auf dieselbe Weise wie bei den oben beschriebenen Ausführungsformen 1 bis 4 ausgeführt wird.
: Eine Abwärtsstromveraschung unter Verwendung eines Plasmas, das in Sauerstoff (O&sub2;) erzeugt wird, wird an einer Resistmaske auf einem Aluminiumfilm ausgeführt, an dem ein reaktives Ionenätzen auf dieselbe Weise wie bei den oben beschriebenen Ausführungsformen 1 bis 4 ausgeführt wurde (Flußrate von O&sub2; : 1500 SCCM, Druck: 1 Torr, Mikrowellenleistung: 1,0 kW, Substrattemperatur: 180ºC, und Veraschungszeit: 180 Sekunden).
: Eine Abwärtsstromveraschung wird an einer Resistmaske auf einem Aluminiumfilm ausgeführt, an dem ein reaktives Ionenätzen auf dieselbe Weise wie bei den oben beschriebenen Ausführungsformen 1 bis 4 ausgeführt wurde, durch ein Plasma, das in einem Gasgemisch aus Sauerstoff (O&sub2;) und Tetrafluorkohlenstoff (CF&sub4;) erzeugt wurde (Flußrate von O&sub2;: 1500 SCCM, Flußrate von CF&sub4;: 150 SCCM, Druck: 1 Torr, Mikrowellenleistung: 1,0 kW, Substrattemperatur: 180ºC, und Veraschungszeit: 120 Sekunden).
: Entspricht der oben beschriebenen dritten Ausführungsform.
bis : Nachdem eine Abwärtsstromveraschung an Proben durch ein Plasma ausgeführt wurde, das in dem Sauerstoff (O&sub2;) auf dieselbe Weise wie oben unter erzeugt worden war, wurden die Proben Wasserdampf (H&sub2;O) ausgesetzt (Flußrate von H&sub2;O: 1500 SCCM, Druck: 1 Torr, Substrattemperatur: 180ºC, und Veraschungszeiten: 30, 90 und 180 Sekunden).
bis : Entspricht der oben beschriebenen vierten Ausführungsform.
bis : Nachdem eine Abwärtsstromveraschung an Proben durch ein Plasma ausgeführt wurde, das in dem Sauerstoff (O&sub2;) auf dieselbe Weise wie bei der Probe oben unter erzeugt worden war, wurden sie durch den Abwärtsstrom von Plasma nachbehandelt, das in Wasserstoff (H&sub2;) erzeugt wurde (Flußrate von H&sub2; : 1500 SCCM, Druck: 1 Torr, Mikrowellenleistung: 1,5 kW, Substrattemperatur: 180ºC, und Veraschungszeiten: 30, 90 und 180 Sekunden).
Fig. 9 ist ein Graph, der die Beziehungen zwischen der Menge von restlichem Chlor und den Bedingungen für die Behandlung, die in Tabelle 1 gezeigt sind, schematisch darstellt. Graphische Symbole, die jede Probe in Fig. 9 kennzeichnen, sind in Tabelle 1 wiedergegeben, um einen Querverweis zu erleichtern.
Aus Tabelle 1 und Fig. 9 geht hervor, daß die Menge von restlichem Chlor in der dritten Ausführungsform (® in Tabelle 1 und in Fig. 9) und in der vierten Ausführungsform ( und in Tabelle 1 und in Fig. 9) der vorliegenden Erfindung ziemlich niedrig ist, wobei bei der ersteren eine Veraschungsoperation unter Verwendung eines Plasmas ausgeführt wird, das in einem Gasgemisch erzeugt wird, bei dem Wasserdampf (H&sub2;O) zu Sauerstoff (O&sub2;) hinzugefügt wurde, und bei der letzteren die Nachbehandlung unter Verwendung eines Plasmas aus Wasserdampf (H&sub2;O) nach einer Veraschungsoperation ausgeführt wird. Weiterhin tritt bei diesen Ausführungsformen praktisch keine Nachkorrosion auf. Im Gegensatz dazu ist ein Effekt zur Reduzierung der Menge von restlichem Chlor bei einer Veraschungsoperation unter Verwendung der anderen Gase oder bei einer Nachbehandlung nach der Veraschungsoperation klein, und somit kann eine Nachkorrosion nicht vollständig verhindert werden.
In der dritten Ausführungsform wurde das automatische Bearbeitungssystem von Fig. 5(a) zum Ausführen einer Veraschungsoperation und gleichzeitigen Entfernen von restlichem Chlor eingesetzt. In der vierten Ausführungsform wurde das automatische Bearbeitungssystem angewendet, bei dem die Nachbehandlung zum Entfernen von restlichem Chlor separat von der Veraschungsoperation ausgeführt werden kann. Vorteile und Nachteile von diesen automatischen Bearbeitungssystemen werden nun verglichen.
Das automatische Bearbeitungssystem von Fig. 5(a) kann eine Veraschungsoperation ausführen und gleichzeitig restliches Chlor entfernen, wodurch sie effektiv ist. Wenn eine Veraschungsoperation und das Entfernen von restlichem Chlor separat ausgeführt werden, können diese Prozesse unter Verwendung derselben Vorrichtung ausgeführt werden. Deshalb hat die vorliegende Erfindung den Vorteil, daß das Bearbeitungssystem in der Konstruktion einfach ist. Wenn jedoch Wasserdampf aus der Veraschungsvorrichtung entfernt werden muß, wie später beschrieben, wird eine lange Zeit zum Trocknen der Kammer 21 und zur Vakuumevakuierung benötigt.
Im Gegensatz dazu kann das automatische Bearbeitungssystem von Fig. 4 die Einflüsse von Wasserdampf auf eine Veraschungsoperation vermeiden. Im besonderen wird bei einer Veraschungsoperation unter Verwendung von Gas, bei der Tetrafluorkohlenstoff (CF&sub4;) zu Sauerstoff (O&sub2;) hinzugefügt wird, falls in dieser Gasatmosphäre Wasserdampf (H&sub2;O) vorhanden ist, CF&sub4; durch die Reaktion von CF&sub4; + 2H&sub2;O → 4HF + CO&sub2; verbraucht, mit dem Resultat, daß die Veraschungsgeschwindigkeit niedriger wird. In solch einem Fall ist deshalb das automatische Bearbeitungssystem von Fig. 4 effektiv.
Die Veraschungsvorrichtung 20 von Fig. 5(a) und Fig. 4 und die Nachbehandlungsvorrichtung 40 von Fig. 4 können durch solch eine Vorrichtung ersetzt werden, die so konstruiert ist, wie es in Fig. 7 oder 8 gezeigt ist.
In Fig. 7 ist eine Vorrichtung des sogenannten Plasmaveraschungstyps gezeigt, durch die das Substrat 1, das zu bearbeiten ist, einem Plasma direkt ausgesetzt wird, das zwischen Elektroden 32 erzeugt wird. In Fig. 7 bezeichnet Bezugszeichen 31 eine Kammer, und Bezugszeichen 33 bezeichnet eine Hochfrequenzenergiezufuhr.
Fig. 8 zeigt eine Vorrichtung, die im wesentlichen dieselbe wie der sogenannte Abwärtsstromtyp ist, der in Fig. 5(b) gezeigt ist. Sie ist dadurch gekennzeichnet, daß Sauerstoff (O&sub2;) und Wasserdampf (H&sub2;0) der Veraschungsvorrichtung 20 separat zugeführt werden können, wie in der dritten Ausführungsform. Das heißt, nur Sauerstoff (O&sub2;) wird in die Plasmaerzeugungskammer 21A geleitet, und Wasserdampf (H&sub2;O) wird in die Veraschungskammer 21B geleitet. Eine andere Mikrowellenerzeugungsquelle 36 ist in der mittleren Sektion des Gaseinlaßrohrs 35 zu jenem Zweck angeordnet.
Neutrale aktive Arten, die in der Plasmaerzeugungskammer 21A erzeugt werden, strömen in die Veraschungskammer 21B, nachdem sie die kleinen Öffnungen des Duschkopfes 28 passiert haben. Inzwischen wird Plasma aus Wasserdampf (H&sub2;O) durch die Mikrowellenerzeugungsquelle 36 erzeugt. Ionen darin werden mit Elektronen rekombiniert, während sie das Gaseinlaßrohr 35 durchlaufen. Deshalb werden erregte H&sub2;O Moleküle, neutraler atomarer Wasserstoff (H) und Sauerstoff (O) oder OH-freie Radikale in die Veraschungskammer 21B geleitet. Tabelle 1

Claims

1. Verfahren zum Herstellen von integrierten Halbleiterschaltungen, das die folgenden Prozesse umfaßt:

einen ersten Prozeß zum selektiven Ätzen eines metallischen Films, der durch eine Maske aus einem Resist exponiert ist, die den metallischen Film selektiv bedeckt, durch ein erstes Plasma aus einem gasförmigen Ätzmittel, das Chlor, Brom oder eine Verbindung davon enthält; und

einen zweiten Prozeß zum Veraschen der Maske durch ein zweites Plasma, das in einer sauerstoffhaltigen Atmosphäre erzeugt wird; gekennzeichnet durch:

einen dritten Prozeß, der entweder gleichzeitig mit dem zweiten Prozeß oder im Anschluß an ihn erfolgt, zum Entfernen von Komponenten des gasförmigen Ätzmittels, das auf dem metallischen Film haften bleibt, dadurch gekennzeichnet, daß der dritte Prozeß ausgeführt wird, indem ein drittes Plasma angewendet wird, das durch ein Plasmaerzeugungsmittel erzeugt wird und auf eine wasserdampfhaltige Atmosphäre einwirkt, wodurch das Freisetzen der Komponenten des gasförmigen Ätzmittels von dem metallischen Film erzwungen wird.

2. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem die zweiten und dritten Prozesse gleichzeitig erfolgen und die zweiten und dritten Plasmen in ein und derselben Atmosphäre erzeugt werden.

3. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem die zweiten und dritten Prozesse gleichzeitig erfolgen und die zweiten und dritten Plasmen nicht in ein und derselben Atmosphäre erzeugt werden.

4. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem die zweiten und dritten Prozesse sequentiell erfolgen und die zweiten und dritten Plasmen nicht in ein und derselben Atmosphäre erzeugt werden.

5. Verfahren nach Anspruch 4, bei dem die zweiten und dritten Prozesse unter Verwendung derselben Vorrichtung ausgeführt werden.

6. Verfahren nach Anspruch 4, bei dem die zweiten und dritten Prozesse unter Verwendung einer unterschiedlichen Vorrichtung für jeden Prozeß ausgeführt werden.

7. Verfahren nach Anspruch 6, bei dem die Vorrichtung, die bei dem dritten Prozeß verwendet wird, ein Abwärtsstromtyp ist.

8. Verfahren nach irgendeinem vorhergehenden Anspruch, bei dem bei dem zweiten Prozeß die Maske und der metallische Film, der als Resultat der Entfernung der Maske exponiert ist, neutralen aktiven Arten ausgesetzt werden, die aus dem zweiten Plasma extrahiert werden.

9. Verfahren nach irgendeinem der Ansprüche 1 bis 7, bei dem bei dem zweiten Prozeß die Maske und der metallische Film, der als Resultat der Entfernung der Maske exponiert ist, dem zweiten Plasma ausgesetzt werden.

10. Verfahren nach irgendeinem vorhergehenden Anspruch, bei dem der metallische Film neutralen aktiven Arten, die aus dem dritten Plasma extrahiert werden, bei dem dritten Prozeß ausgesetzt wird.

11. Verfahren nach irgendeinem der Ansprüche 1 bis 9, bei dem der metallische Film bei dem dritten Prozeß dem dritten Plasma ausgesetzt wird.

12. Verfahren nach irgendeinem vorhergehenden Anspruch, bei dem der metallische Film aus Aluminium oder einer Legierung daraus gebildet ist.

13. Verfahren nach Anspruch 12, bei dem eine Barrierenschicht zum Blockieren einer Reaktion zwischen dem metallischen Film und einem Substrat unter ihm zwischen dem metallischen Film und dem Substrat vorgesehen ist.

14. Verfahren nach Anspruch 13, bei dem das Substrat bei dem zweiten Prozeß auf einer Temperatur zwischen 100ºC und 250ºC gehalten wird.