DE3427599A1 - Bauelement-herstellungsverfahren - Google Patents
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Description
Bauelement-Herstellungsverfahren
Die Erfindung betrifft ein Bauelement-Herstellungsverfahren, insbesondere ein Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen
.
Häufig ist bei Prozessen, wie der Herstellung" von Halbleiterbauelementen,
das selektive Ätzen von Stoffen notwendig. So beispielsweise ist es in einigen Situationen, z. B. bei der
Herstellung geeignet strukturierter Gateoxide, wünschenswert, eine Siliciumzone so zu entfernen, daß eine darunter- oder
danebenliegende Siliciumoxid-Zone, z. B. eine Siliciumdioxid-Zone,
nicht nennenswert beschädigt wird. Hierzu wird häufig vom Plasmaätzen oder vom reaktiven Ionenätzen Gebrauch gemacht.
Bei diesen Methoden wird typischerweise ein Gas in die Nähe eines zu ätzenden Körpers gebracht, und in dem gasförmigen
Medium wird unter Erzeugung von Molekül-Teilen, Atomen und Ionen ein Plasma erzeugt. Die sich ergebenden
durch das Plasma erzeugten energetischen Teilchen werden in
Richtung auf das Substrat gelenkt und entfernen aufgrund verschiedener Mechanismen das beaufschlagte Material. Durch
spezielle Wahl der Prozeßbedingungen und Gase wird die Abtraggeschwindigkeit für ein gegebenes Material bis zu einem
gewissen Grad in bezug auf die Abtraggeschwindigkeit anderer Stoffe gesteuert.
Obgleich in vielen Situationen das Ätzen mit energetischen
Teilchen in vorteilhafter Weise angewendet werden kann, so
ist diese Methode dennoch nicht frei von Problemen. Die in
dem Plasma erzeugten energetischen Teilchen haben häufig Einfluß selbst auf solche Stoffe, die nicht mit nennenswerter
Geschwindigkeit geätzt werden. Beispielsweise'werden in diesen
Stoffen Lochbildungen hervorgerufen, oder es werden die elektronischen Oberflächenzustände in nicht akzeptierbarer
Weise modifiziert. Lochbildungen und die Modifizierung elektronischer Zustände sind bei vielen Bauelement-Anwendungen nicht wünschenswert, da diese Erscheinungen häufig
zu fehlerhaften Bauelementstrukturen und somit zu Bauelement-Fehl funktionen führen. Außerdem führt die Verwendung eines
Plasmas häufig zum Niederschlag von Verunreinigungsstoffen
auf der Substratoberfläche. Diese Verunreinigungsstoffe, beispielsweise durch das Plasmagas und/oder nicht-flüchtige
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Metalle des Reaktionsgefäßes, z. B. Aluminium, erzeugte Verbindungen
verschlechtern entweder die Eigenschaften der Bauelemente oder behindern nachfolgende Verarbeitungsschritte.
Als Alternative zu dem Plasmaätzen gibt es das Naßätzen, das ist die Verwendung einer flüssigen Chemikalie, die mit
dem zu ätzenden Stoff im Vergleich zu der Reaktionsgeschwindigkeit darunterliegender oder maskierter, benachbarter
Stoffe rasch reagiert. Obschon in vielen Anwendungsfällen das chemische Naßätzen Vorteile bietet, ist es doch auch mit
Problemen behaftet. Beispielsweise führt das chemische Naßätzen zu Schwierigkeiten bei der Handhabung und Aufbringung
der zugehörigen Chemikalien. Wenn außerdem die Temperatur und die Konzentration der Reagenzien nicht sorgfältig gesteuert
werden, so erzielt man ungleichmäßige Ergebnisse. Ungleichmäßige Ergebnisse entstehen auch dadurch, daß mit
dem Naßätzmittel aufgrund von Oberflächenspannungseffekten keine Mikrometerstrukturen erreichbar sind.
Obschon in vielen Situationen Ätztechniken wie z. B. das
Plasmaätzen und das chemische Naßätzen ein Maß an Selektivität zwischen dem zu ätzenden und dem benachbarten Material
bieten, so ist im allgemeinen doch die Selektivität nicht besonders hoch. Bei typischen Ätzanlagen ist die
*■* - β.
Selektivität, das ist die Ätzgeschwindigkeit für eine gewünschte Zone in bezug auf darunterliegende oder unmaskierte,
benachbarte Zonen unterschiedlicher Zusammensetzungen, nicht größer als 20 : 1. Es gibt jedoch viele Anwendungsfälle,
z. B. das selektive Entfernen von Siliciumfäden aus extrem dünnen Siliciumdioxid-Gates in Feldeffekttransistoren hoher
Arbeitsgeschwindigkeit, wobei eine Selektivität von mehr als 100 : 1 erforderlich ist.
Es hat sich gezeigt, daß Xenon-Difluorid bei Abwesenheit
eines Plasmas eine selektive Ätzung zwischen Siliciumdioxid und Silicium bewirkt (vgl. H. F. Winters et al, Applied
Physics Letters, 34, 70 (1979)). Allerdings sind Edelgas-Halogenide
im allgemeinen unstabil und relativ kostspielig. Demzufolge ist die Verwendung von Edelgas-Halogeniden keine
besonders zufriedenstellende Lösung der mit anderen Herstellungsverfahren verbundenen Probleme. Die herkömmlichen
Ätzmethoden haben also Nachteile und sind für einige wichtige Anwendungsfälle nicht in ausreichendem Maße selektiv.
Erfindungsgemäß wird eine hohe Selektivität,d.h,eine Selektivität
von mehr als 40:1, sogar von mehr als 100:1,beim Ätzen einer
Vielfalt von Stoffen gegenüber darunterliegender oder unmaskierter, benachbarter Zonen eines zweiten Stoffs durch
die Verwendung von mehratomigen Halogenfluoriden entweder
allein, als Gemische oder kombiniert mit inerten Gasen, wie Argon, erreicht. Beispielsweise werden Stoffe, wie
Silicium, nichtoxidische Molybdänzusammensetzungen und Tantalzusammensetzungen, ζ. Β. Tantal, Tantalnitrid
(Stoffe, die durch die Formel Ta N mit x>0 und y^· 0
χ y
dargestellt werden) und Tantalsilicid, leicht geätzt im Vergleich zu einem Tantaloxid, Siliciumoxid oder Siliciumnitrid.
Erfindungsgemäß wird die hervorragende Selektivität in der Abwesenheit eines Plasmas'und ohne Flüssigätzmittel
erzielt. Insbesondere erwiesen sich Materialien, wie BrF1.,
BrF3, ClF3 und IF5 als besonders vorteilhaft zur Erzielung
dieser Ergebnisse. Im Gegensatz dazu ist zu zweiatomigen Halogenfluoriden, wie F-, ClF und Cl_ zu bemerken, daß sie
entweder 1) Stoffe, wie Silicium- oder Tantalverbindungen ζ. B. Silicid, Nitrid oder elementares
Metall überhaupt nicht ätzen oder 2) extrem niedrige Ätzgeschwindigkeiten aufweisen. Das erreichbare selektive
Ätzen ist in vielen Bauelement-Anwendungen, wie z. B. bei
der Herstellung von Gateoxiden bei Feldeffekttransistoren oder bei der Herstellung von" Tantalnitrid-Dünnschichtwiderständen
in Verbindung mit Tantaloxid-Dünnschichtkondensatoren, in integrierten Hybrid-Dünnschichtschaltungen
in hohem Maße nützlich. Ferner ist die Selektivität im Fall des Siliciums besonders vorteilhaft zum Befreien der Wände
3427Ü33
«. Q —
Dampfreaktionsniederschlags-Apparatüren von
Siliciumablagerungen.
Im einzelnen:
Im einzelnen:
Das selektive Ätzen wird einfach dadurch erreicht, daß man den zu ätzenden Körper einer in gasförmiger Form vorliegenden
Zusammensetzung mit mehratomigem Halogenfluorid aussetzt. Im vorliegenden Zusammenhang soll mehratomiges Molekül
ein Molekül mit drei oder mehr Atomen bedeuten. Im allgemeinen werden nichtoxidische Materialien, wie Silicium,
Tantal, TantalzusammenSetzungen, z. B. Tantalnitride,
Tantalsilicide, Molybdän, Molybdänzusammensetzungen, z.B. Molybdänsilicid, Wolfram und Wolframzusammensetzungen,
z. B. Wolframsilicid, typischerweise durch mehratomige Halogenfluoride
selektiv geätzt bezüglich eines zweite Materials, wenn die genannten Zusammensetzungen eine Reaktionsgeschwindigkeit
von mindestens 1 χ 10 Molekülen pro cm2 pro Sekunde aufweisen, verglichen mit einer Reaktionsgeschwindigkeit
des zweiten Stoffs, die mindestens 40 mal kleiner ist, vorausgesetzt, daß nur flüchtige Fluoridprodukte,
d. h. Fluoride mit Dampfdrücken bei 26 °C von mehr als 0,1333 Pa (0,001 Torr) gebildet werden. Im Gegensatz
dazu bleiben Siliciumnitrid, die Siliciumoxide, die Tantaloxide und die Molybdänoxide sowie deren Gemische, die
diese Eigenschaften nicht besitzen, im wesentlichen ungeätzt.
3427539 - ίο -
Die Anzahl von Fluoratomen in dem mehratomigen Halogenfluor id ist nicht signifikant, vorausgesetzt, daß sie
in Verbindung mit einem nicht aus Fluor bestehenden Halogenatom vorhanden sind. So beispielsweise erzeugen
mehratomigen Halogenfluoride, wie BrF g, BrF-, ClF- und
IF- das gewünschte Maß an Selektivität. Obschon diese Verbindungen im Handel erhältlich sind, ist die Quelle dieser
Verbindungen nicht kritisch, und es ist sogar möglich, sie an Ort und Stelle durch Reaktionen wie die Fluorination
von Bromgas vor dem Ätzen zu erzeugen. (Vgl. N. V. Sidgwick, The Chemical Elements and Their Compounds (London:
Oxford University Press, 1952).)
Der zu ätzende Stoff wird mit dem geeigneten Gas in einer
Ausführungsform der Erfindung einfach dadurch in Berührung gebracht, daß man dieses Gas in einen den Stoff enthaltenden
Behälter einbringt. Es ist z. B. möglich, die Kammer zu evakuieren und dann erneut mit irgendeinem der
mehratomigen Halogenfluoride zu füllen. (Die Verwendung
des Ausdrucks mehratomiges Halogenfluorid umfaßt nicht nur die mehratomigen Halogenfluorid-Gase, sondern auch Gemische
aus mehratomigen Halogenfluorid-Gasen.) Alternativ ist es möglich, das mehratomige Halogenfluorid mit einem anderen
Gas, ζ. B. einem inerten Gas zu mischen, und dieses Ge-
3427539 - 11 -.
misch in den Behälter einzuleiten. (Ein inerter Stoff ist ein Stoff, der mit dem mehratomigen Halogenfluorid praktisch
nicht reagiert und außerdem nicht mit dem Substrat in einer Weise reagiert, daß die Selektivität des HaIogenfluorids
beeinträchtigt wird.) Typischerweise werden, mit oder ohne inertem Gas, Teildrücke der mehratomigen
Halogenfluoride in dem Bereich von 0,1333 bis 101 325 Pa
(1 mTorr bis 1 atm) verwendet. Im allgemeinen führen Teildrücke
des mehratomigen Halogenfluorids von weniger als 0,1333 Pa (1 mTorr) zu extrem niedrigen Ätzgeschwindigkeiten,
während Teildrücke, die bedeutend über 101 325 Pa (1 atm) liegen, zu unerwünscht hohen Ätzgeschwindigkeiten
führen, die aufgrund der damit einhergehenden Schwierigkeiten der Prozeßsteuerung nicht bevorzugt werden. Die hohen
Teildrücke haben auch die Neigung, zu der Kondensation der Produktfluoride aus dem Ätzprozeß zu führen.
Das Ätzen wird fortgesetzt, bis die gewünschte Materialdicke abgetragen ist. Typische Ätzgeschwindigkeiten für Stoffe,
wie Silicium und Tantalzusammensetzungen, bei Teildrücken des mehratomigen Halogenfluorids im Bereich von 13,33 bis
1,333 Pa (0,1 bis 10 Torr) sind 5 bis 500 nm/min und 20 bis 300 nm/min. Für Materialdicken von weniger als 100 μπι
werden daher ganz gewöhnliche Ätzzeiten benötigt. In den
"■ 12 "·
meisten Anwendungsfällen ist das Ätzen lediglich auf einen
Abschnitt eines Substrats beschränkt, und zwar durch den Einsatz der üblichen Lithographiemethoden, wie beispielsweise
der Verwendung einer mit einem Muster versehenen organischen Resistmaterialschxcht. Wenn jedoch, wie oben
diskutiert wurde, beispielsweise eine Siliciumzone zu ätzen ist, so brauchen die freiliegenden Siliciumdioxid-Zonen
nicht maskiert zu sein. Nach dem Ätzen wird das Bauelement durch Anwendung üblicher Verfahren fertiggestellt
(vgl. S. Sze, VLSI Technology, McGraw Hill, 1983 für die Herstellung von integrierten Schaltkreisen und R. W. Berry
et al, Thin Film Technology, New York: R. E. Krieger Publishing Company, 1979 für die Hybridtechnik).
Das Reinigen von Niederschlagungs-Anlagen, beispielsweise von CVD-Reaktoren, erfolgt in ähnlicher Weise dadurch, daß
die oben erwähnten Konzentrationen von mehratomigen Halogenfluor iden in den Reaktor eingeleitet werden. Das Ätzen
wird solange fortgesetzt, bis die z. B. aus Silicium bestehende Verunreinigung an den Reaktorwänden, typischerweise
Quarz- oder Glaswänden, entfernt ist. Wiederum erzielt man bei Siliciumablagerungen mit Dicken im Bereich
von 0,5 nm bis 100 μΐη übliche Ätz zeiten.
Im folgenden sollen Beispiele der Erfindung erläutert werden.
- 13 Beispiel 1
Unter Verwendung eines mehratomigen Halogenfluorids wurde
eine integrierte Hybrid-Dünnschichtschaltung auf einem Aluminiumsubstrat geätzt. Die Schaltung enthielt sowohl
Dünnschichtkondensatoren als auch -Widerstände. Erstere
wurden gebildet durch anodisches Wachsen von Ta3O5 als
Dielektrikum, einer Ta-Verbindung mit 13 bis 16 Atom-% Stickstoff als untere Elektrode und Au als Gegenelektrode.
Die Widerstände wurden durch ein'Photoresist-Muster definiert,
welches auf einer dünnen Ta2N-Schicht erzeugt wurde, welche aufgebracht wurde, nachdem der Kondensator durch die
Anodisierung hergestellt wurde.
Die integrierte Hybridschaltung wurde auf dem Probenhalter einer Aluminiumkammer angeordnet. Die Kammer wurde mit
einer mechanischen Vorvakuumpumpe und einer Verstärkerstufe auf einen Druck von etwa 0,6666 Pa (5 mTorr) evakuiert.
Dann wurde unter Fortsetzung des Auspumpens der Kammer ein C1F_-Strom in die Kammer eingeleitet. Der ClF3-Strom
wurde so eingestellt, daß in der Kammer ein Druck von etwa 666,6 Pa (5 Torr) entstand. Der ClF-j-Strom wurde
etwa drei Minuten aufrechterhalten und dann beendet. Eine Augenseheinnahme der Hybridschaltung mit einem optischen
Mikroskop zeigte, daß das Tantalnitrid vollständig in den-
- 14 -
jenigen Zonen entfernt war, mit denen das Gas in Berührung gekommen war, während freiliegende Gold- oder Tantaloxidzonen
praktisch unberührt geblieben waren. Die Tantalnitrid-Zonen unter dem Photoresistmaterial waren von dem
ClP3 nicht beeinflußt worden, und es war auch das Photoresistmaterial
nicht in nennenswertem Umfang beseitigt worden.
Es wurde wie im Beispiel 1 verfahren, jedoch mit der Ausnahme, daß als Ätzgas BrF- verwendet wurde. Die Ergebnisse
waren die gleichen wie beim Beispiel 1.
Es wurde wie im Beispiel 1 vorgegangen, nur daß das Ätzmittel unter einen Gesamtdruck von 101 325 Pa (1 atm) gestellt
wurde. Dieser Druck wurde dadurch eingestellt, daß ein Gemisch aus ClF- zu 5 % in Helium verdünnt wurde. Die
Kammer wurde mit einem Argonstrom gereinigt, und es wurde in die Kammer ein ausreichend starker Strom des Helium/
Chlortrifluorid-Gemisches eingeleitet, und zwar solange,
bis der gemessene Druck in der Kammer bei etwa 101 325 Pa
(1 atm) verblieb. Zusätzlich wurde die Probe durch Wider-
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Standsheizung des Substrathalters auf eine Temperatur von 86 0C aufgeheizt. Durch dieses Aufheizen sollte sichergestellt werden, daß durch den Ätzvorgang entstehende Stoffe
sich nicht auf der Hybridschaltung ablagerten.
Ein η-leitender Siliciumwafer mit einem Durchmesser von
7,62 cm (3 Zoll), dessen Hauptfläche in der kristallographischen
(100)-Ebene lag, wurde mit einem 1 um dicken SiIiciumdioxidmuster
maskiert. Dieses Muster wurde gebildet aus Siliciumdioxid-Quadraten mit 5 mm Kantenlänge, die die
gesamte Waferoberfläche bedeckten und voneinander durch
eine 285 um breite Zone des Siliciumsubstrats. getrennt
waren. Proben, die typischerweise 3 mm an einer Seite maßen, wurden von dem maskierten Wafer abgespalten. Die Proben
wurden durch aufeinanderfolgendes Abspülen in Methylendichlorid,
Aceton und Methanol gereinigt und dann in eine 50 %ige wäßrige HF-Lösung eingetaucht, um etwaiges natürliches Oxid zu entfernen. Vor dem Einsatz wurde die Probe
in deionisiertem Wasser gespült und in reinem Stickstoff trockengeblasen.
Die Probe wurde auf dem Probenhalter in einer Aluminium-
kammer angeordnet. Die Apparatur wurde bis auf einen Druck
von etwa 0,6666 Pa (5 mTorr) evakuiert, und die Probe wurde durch Widerstandsheizung des Probenhalters auf einer Temperatur
von etwa 23 eC gehalten. In die Kammer wurde ein BrF_-Strom eingegeben und so reguliert, daß in der Kammer
ein Druck von etwa 133,3 Pa (1 Torr) entstand. Nach etwa 5 Minuten wurde der BrF_-Strom abgeschaltet, und der
Reaktor wurde erneut evakuiert. Die Apparatur wurde dann erneut mit Helium unter einem Druck von 101 325 Pa (1 atm)
gefüllt.
Die Probe wurde aus der Ätzapparatur entfernt und in eine 50 %ige wäßrige HF-Lösung genügend lange eingetaucht, um
das durch Siliciumoxid maskierte Material zu entfernen. Dann wurden die Proben mit Hilfe eines optischen Mikroskops betrachtet.
Hierbei zeigte sich, daß Ätztiefen von etwa 25 um
in den freiliegenden Zonen des Siliciumwafers vorhanden waren. Dies entspricht einer Ätzgeschwindigkeit von annähernd
5 μπι pro Minute.
Um die Ätzgeschwindigkeit von Siliciumdioxid in BrF- zu messen, wurde der gleiche Versuch durchgeführt wie im Beispiel
4, mit der Ausnahme, daß die Behandlungszeit auf
30 Minuten ausgedehnt wurde. Die Dicke der Siliciumoxidmaske wurde vor und nach der Gasbeaufschlagung mit Hilfe
eines optischen Dickenmessers (Nanospec-Monitor) gemessen.
Es wurde keine nachweisbare Änderung der Dicke der Oxidmaske festgestellt. (Die kleinste von dieser Meßanlage
nachweisbare Dickenänderung betrug etwa 0,2 nm pro Minute pro 133,3 Pa (1 Torr).)
Ein einen Durchmesser von 10,16 cm (4 Zoll) aufweisender
η-leitender Siliciumwafer, dessen Hauptfläche in der kristallographischen
(100)-Ebene lag, wurde'vollständig mit einer 1 um dicken Schicht aus Siliciumdioxid maskiert. Dann
wurde über das Siliciumdioxid eine 1 μπι dicke TaSi^-Schicht
aufgebracht. Proben, die auf der Seite 1 cm maßen, wurden von dem Wafer abgespalten. Die Proben wurden gereinigt
durch nacheinanderfolgendes Spülen in Methylendichlorid,
Aceton und Methanol, und sie wurden mit reinem Stickstoff trockengeblasen. Die Proben wurden auf dem Probenhalter in
einer Aluminiumkammer angeordnet. Die Apparatur wurde bis
auf einen Druck von 0,6666 Pa (5 inTorr) evakuiert, und die
Proben wurden auf einer Temperatur von etwa 80 °C gehalten. Es wurde ein ErF3-Strom erzeugt und so reguliert, daß in
der Kammer ein Druck von 666*6 Pa (5 Torr) des BrF_ ent-
stand. Nach etwa 2 Minuten wurde der BrF3-Strom beendet,
und der Reaktor wurde erneut evakuiert. Anschließend wurde die Apparatur erneut mit Helium bei einem Druck von
101 325 Pa (1 atm) gefüllt. Von der gesamten Oberfläche der Siliciumdioxidschicht war das TaSi- vollständig entfernt
.
Es wurde wie beim Beispiel 6 vorgegangen, mit der Ausnahme, daß auf das 1 μπι dicke Siliciumdioxid Ta aufgebracht wurde.
Die Ta-Schicht wurde bei einem Druck von 666,6 Pa (1 Torr) zwei Minuten lang ClP3 ausgesetzt, während die Probe auf
einer. Temperatur von 70 0C gehalten wurde. Diese Schicht
wurde von der gesamten Oberfläche der Siliciumdioxidschicht vollständig entfernt.
Claims (9)
- Patentansprüchery. Bauelement-Herstellungsverfahren, bei dem ein Substrat einem Ätzmittel ausgesetzt wird, damit eine erste Substratzone in bezug auf eine zweite Zone selektiv geätzt wird, und das Bauelement fertiggestellt wird, dadurch gekennze ichnet, daß das Ätzmittel ein mehratomiges Halogenfluorid ist.
- 2. Verfahren nach Anspruch 1,dadurch gekennzeichnet , daß das mehratomige Halogenfluorid ausgewählt wird aus BrF-, BrF-, ClF- und IF5.
- 3. Verfahren nach Anspruch 1,dadurch gekennzeichnet , daß die erste Zone eine nichtoxidische Tantal-Zusammensetzung aufweist.Radecfcestrafle 43 8C0O München 60 Telefon (089) 883603/883604 Telex 5212313 Telegramm· Patintconsult Sonnunhoroer Strnfl« 4Ϊ A'fin Wiesbaden Tnlefon (ΠΑ121! 562943/561998 Telex 41867J7 Teleoramm* Pafenteoniult
- 4. Verfahren nach Anspruch 3,dadurch gekennzeichnet / daß die Tantalzusaimnensetzung mindestens einen der Stoffe Tantal, Tantalnitrid und Tantalsilicid enthält.
- 5. Verfahren nach Anspruch 3 oder 4,dadurch gekennzeichnet , daß die zweite Zone ein Tantaloxid aufweist.
- 6. Verfahren nach Anspruch 1,dadurch gekennzeichnet , daß die erste Zone mindestens einen der Stoffe Silicium, Molybdänsilicid, Molybdän, Wolfram und Wolframsilicid enthält.
- 7. Verfahren nach Anspruch 6,dadurch gekennzeichnet , daß die zweite Zone ein Siliciumoxid und/oder ein Siliciumnitrid enthält.
- 8. Verfahren nach Anspruch 1,dadurch gekennzeichnet , daß das Bauelement ein Halbleiterbauelement ist.
- 9. Verfahren nach Anspruch 1,dadurch g e k e η η ζ e i c h η e t , daß das Bauelement eine integrierte Hybrid-Schichtschaltung enthält.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US06/517,754 US4498953A (en) | 1983-07-27 | 1983-07-27 | Etching techniques |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3427599A1 true DE3427599A1 (de) | 1985-02-07 |
DE3427599C2 DE3427599C2 (de) | 1990-07-05 |
Family
ID=24061096
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19843427599 Granted DE3427599A1 (de) | 1983-07-27 | 1984-07-26 | Bauelement-herstellungsverfahren |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4498953A (de) |
JP (1) | JPS6053027A (de) |
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CA (1) | CA1235630A (de) |
DE (1) | DE3427599A1 (de) |
FR (1) | FR2551583B1 (de) |
GB (1) | GB2144083B (de) |
HK (1) | HK37388A (de) |
NL (1) | NL8402360A (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3714144A1 (de) * | 1986-05-31 | 1987-12-10 | Toshiba Kawasaki Kk | Verfahren zum trockenaetzen eines siliziumnitridfilms sowie vorrichtung zur durchfuehrung des verfahrens |
Families Citing this family (153)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6094757A (ja) * | 1983-10-20 | 1985-05-27 | Fujitsu Ltd | 抵抗体 |
US4637129A (en) * | 1984-07-30 | 1987-01-20 | At&T Bell Laboratories | Selective area III-V growth and lift-off using tungsten patterning |
US4689115A (en) * | 1985-04-26 | 1987-08-25 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | Gaseous etching process |
US4713141A (en) * | 1986-09-22 | 1987-12-15 | Intel Corporation | Anisotropic plasma etching of tungsten |
US4816294A (en) * | 1987-05-04 | 1989-03-28 | Midwest Research Institute | Method and apparatus for removing and preventing window deposition during photochemical vapor deposition (photo-CVD) processes |
US4998979A (en) * | 1988-06-06 | 1991-03-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for washing deposition film-forming device |
JP2646811B2 (ja) * | 1990-07-13 | 1997-08-27 | ソニー株式会社 | ドライエッチング方法 |
JPH0496223A (ja) * | 1990-08-03 | 1992-03-27 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
US6674562B1 (en) | 1994-05-05 | 2004-01-06 | Iridigm Display Corporation | Interferometric modulation of radiation |
US7830587B2 (en) * | 1993-03-17 | 2010-11-09 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and device for modulating light with semiconductor substrate |
US8081369B2 (en) * | 1994-05-05 | 2011-12-20 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | System and method for a MEMS device |
US8014059B2 (en) * | 1994-05-05 | 2011-09-06 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | System and method for charge control in a MEMS device |
US7839556B2 (en) * | 1994-05-05 | 2010-11-23 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and device for modulating light |
US7550794B2 (en) * | 2002-09-20 | 2009-06-23 | Idc, Llc | Micromechanical systems device comprising a displaceable electrode and a charge-trapping layer |
JPH0864559A (ja) | 1994-06-14 | 1996-03-08 | Fsi Internatl Inc | 基板面から不要な物質を除去する方法 |
US5534107A (en) * | 1994-06-14 | 1996-07-09 | Fsi International | UV-enhanced dry stripping of silicon nitride films |
US6124211A (en) * | 1994-06-14 | 2000-09-26 | Fsi International, Inc. | Cleaning method |
US5635102A (en) | 1994-09-28 | 1997-06-03 | Fsi International | Highly selective silicon oxide etching method |
JP3370806B2 (ja) * | 1994-11-25 | 2003-01-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Mis型半導体装置の作製方法 |
JPH08153700A (ja) * | 1994-11-25 | 1996-06-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 導電性被膜の異方性エッチング方法 |
JP3512496B2 (ja) * | 1994-11-25 | 2004-03-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Soi型半導体集積回路の作製方法 |
JPH08153711A (ja) * | 1994-11-26 | 1996-06-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | エッチング装置 |
JPH08153879A (ja) | 1994-11-26 | 1996-06-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
JP3609131B2 (ja) * | 1994-12-06 | 2005-01-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | イオンドーピング装置のクリーニング方法 |
US7898722B2 (en) * | 1995-05-01 | 2011-03-01 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Microelectromechanical device with restoring electrode |
US6849471B2 (en) | 2003-03-28 | 2005-02-01 | Reflectivity, Inc. | Barrier layers for microelectromechanical systems |
US6969635B2 (en) * | 2000-12-07 | 2005-11-29 | Reflectivity, Inc. | Methods for depositing, releasing and packaging micro-electromechanical devices on wafer substrates |
US6083413A (en) * | 1995-10-19 | 2000-07-04 | Massachusetts Institute Of Technology | Metals removal process |
KR0170902B1 (ko) * | 1995-12-29 | 1999-03-30 | 김주용 | 반도체 소자의 제조방법 |
US5782986A (en) * | 1996-01-11 | 1998-07-21 | Fsi International | Process for metals removal using beta-diketone or beta-ketoimine ligand forming compounds |
US6077451A (en) * | 1996-03-28 | 2000-06-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method and apparatus for etching of silicon materials |
US6132522A (en) * | 1996-07-19 | 2000-10-17 | Cfmt, Inc. | Wet processing methods for the manufacture of electronic components using sequential chemical processing |
US7929197B2 (en) * | 1996-11-05 | 2011-04-19 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | System and method for a MEMS device |
US7830588B2 (en) * | 1996-12-19 | 2010-11-09 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method of making a light modulating display device and associated transistor circuitry and structures thereof |
US6162367A (en) | 1997-01-22 | 2000-12-19 | California Institute Of Technology | Gas-phase silicon etching with bromine trifluoride |
US5954884A (en) | 1997-03-17 | 1999-09-21 | Fsi International Inc. | UV/halogen metals removal process |
US6042738A (en) * | 1997-04-16 | 2000-03-28 | Micrion Corporation | Pattern film repair using a focused particle beam system |
US6514875B1 (en) * | 1997-04-28 | 2003-02-04 | The Regents Of The University Of California | Chemical method for producing smooth surfaces on silicon wafers |
US6635185B2 (en) | 1997-12-31 | 2003-10-21 | Alliedsignal Inc. | Method of etching and cleaning using fluorinated carbonyl compounds |
US6120697A (en) * | 1997-12-31 | 2000-09-19 | Alliedsignal Inc | Method of etching using hydrofluorocarbon compounds |
US8928967B2 (en) | 1998-04-08 | 2015-01-06 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and device for modulating light |
KR100703140B1 (ko) * | 1998-04-08 | 2007-04-05 | 이리다임 디스플레이 코포레이션 | 간섭 변조기 및 그 제조 방법 |
US6186154B1 (en) * | 1998-12-07 | 2001-02-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Find end point of CLF3 clean by pressure change |
US6248704B1 (en) | 1999-05-03 | 2001-06-19 | Ekc Technology, Inc. | Compositions for cleaning organic and plasma etched residues for semiconductors devices |
US6207570B1 (en) | 1999-08-20 | 2001-03-27 | Lucent Technologies, Inc. | Method of manufacturing integrated circuit devices |
WO2003007049A1 (en) | 1999-10-05 | 2003-01-23 | Iridigm Display Corporation | Photonic mems and structures |
US7041224B2 (en) * | 1999-10-26 | 2006-05-09 | Reflectivity, Inc. | Method for vapor phase etching of silicon |
US6290864B1 (en) * | 1999-10-26 | 2001-09-18 | Reflectivity, Inc. | Fluoride gas etching of silicon with improved selectivity |
US6960305B2 (en) * | 1999-10-26 | 2005-11-01 | Reflectivity, Inc | Methods for forming and releasing microelectromechanical structures |
US6949202B1 (en) | 1999-10-26 | 2005-09-27 | Reflectivity, Inc | Apparatus and method for flow of process gas in an ultra-clean environment |
US6942811B2 (en) * | 1999-10-26 | 2005-09-13 | Reflectivity, Inc | Method for achieving improved selectivity in an etching process |
KR100327341B1 (ko) * | 1999-10-27 | 2002-03-06 | 윤종용 | 폴리실리콘 하드 마스크를 사용하는 반도체 소자의 제조방법 및 그 제조장치 |
US6500356B2 (en) * | 2000-03-27 | 2002-12-31 | Applied Materials, Inc. | Selectively etching silicon using fluorine without plasma |
US20030010354A1 (en) * | 2000-03-27 | 2003-01-16 | Applied Materials, Inc. | Fluorine process for cleaning semiconductor process chamber |
US7019376B2 (en) * | 2000-08-11 | 2006-03-28 | Reflectivity, Inc | Micromirror array device with a small pitch size |
US6843258B2 (en) * | 2000-12-19 | 2005-01-18 | Applied Materials, Inc. | On-site cleaning gas generation for process chamber cleaning |
US6503845B1 (en) * | 2001-05-01 | 2003-01-07 | Applied Materials Inc. | Method of etching a tantalum nitride layer in a high density plasma |
WO2002095800A2 (en) * | 2001-05-22 | 2002-11-28 | Reflectivity, Inc. | A method for making a micromechanical device by removing a sacrificial layer with multiple sequential etchants |
US7189332B2 (en) * | 2001-09-17 | 2007-03-13 | Texas Instruments Incorporated | Apparatus and method for detecting an endpoint in a vapor phase etch |
US20030073302A1 (en) * | 2001-10-12 | 2003-04-17 | Reflectivity, Inc., A California Corporation | Methods for formation of air gap interconnects |
US6835616B1 (en) | 2002-01-29 | 2004-12-28 | Cypress Semiconductor Corporation | Method of forming a floating metal structure in an integrated circuit |
US7026235B1 (en) | 2002-02-07 | 2006-04-11 | Cypress Semiconductor Corporation | Dual-damascene process and associated floating metal structures |
US6649535B1 (en) * | 2002-02-12 | 2003-11-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method for ultra-thin gate oxide growth |
US7027200B2 (en) * | 2002-03-22 | 2006-04-11 | Reflectivity, Inc | Etching method used in fabrications of microstructures |
US6965468B2 (en) * | 2003-07-03 | 2005-11-15 | Reflectivity, Inc | Micromirror array having reduced gap between adjacent micromirrors of the micromirror array |
EP2281798A1 (de) | 2002-09-20 | 2011-02-09 | Integrated Dna Technologies, Inc. | Anthrachinonabgeschreckte Farbstoffe, Verfahren zu ihrer Herstellung und Verwendung davon |
US7781850B2 (en) | 2002-09-20 | 2010-08-24 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Controlling electromechanical behavior of structures within a microelectromechanical systems device |
US6730600B2 (en) * | 2002-09-27 | 2004-05-04 | Agere Systems, Inc. | Method of dry etching a semiconductor device in the absence of a plasma |
US6913942B2 (en) | 2003-03-28 | 2005-07-05 | Reflectvity, Inc | Sacrificial layers for use in fabrications of microelectromechanical devices |
US6980347B2 (en) * | 2003-07-03 | 2005-12-27 | Reflectivity, Inc | Micromirror having reduced space between hinge and mirror plate of the micromirror |
US7645704B2 (en) * | 2003-09-17 | 2010-01-12 | Texas Instruments Incorporated | Methods and apparatus of etch process control in fabrications of microstructures |
US6939472B2 (en) * | 2003-09-17 | 2005-09-06 | Reflectivity, Inc. | Etching method in fabrications of microstructures |
WO2006014929A1 (en) * | 2004-07-29 | 2006-02-09 | Idc, Llc | System and method for micro-electromechanical operating of an interferometric modulator |
US7944599B2 (en) * | 2004-09-27 | 2011-05-17 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Electromechanical device with optical function separated from mechanical and electrical function |
US7527995B2 (en) * | 2004-09-27 | 2009-05-05 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method of making prestructure for MEMS systems |
US7583429B2 (en) | 2004-09-27 | 2009-09-01 | Idc, Llc | Ornamental display device |
US7630119B2 (en) * | 2004-09-27 | 2009-12-08 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Apparatus and method for reducing slippage between structures in an interferometric modulator |
US7130104B2 (en) * | 2004-09-27 | 2006-10-31 | Idc, Llc | Methods and devices for inhibiting tilting of a mirror in an interferometric modulator |
US7289259B2 (en) * | 2004-09-27 | 2007-10-30 | Idc, Llc | Conductive bus structure for interferometric modulator array |
US7304784B2 (en) * | 2004-09-27 | 2007-12-04 | Idc, Llc | Reflective display device having viewable display on both sides |
US7420725B2 (en) | 2004-09-27 | 2008-09-02 | Idc, Llc | Device having a conductive light absorbing mask and method for fabricating same |
US7564612B2 (en) * | 2004-09-27 | 2009-07-21 | Idc, Llc | Photonic MEMS and structures |
US8008736B2 (en) | 2004-09-27 | 2011-08-30 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Analog interferometric modulator device |
US7372613B2 (en) * | 2004-09-27 | 2008-05-13 | Idc, Llc | Method and device for multistate interferometric light modulation |
US7936497B2 (en) * | 2004-09-27 | 2011-05-03 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | MEMS device having deformable membrane characterized by mechanical persistence |
US7226869B2 (en) * | 2004-10-29 | 2007-06-05 | Lam Research Corporation | Methods for protecting silicon or silicon carbide electrode surfaces from morphological modification during plasma etch processing |
US7192875B1 (en) | 2004-10-29 | 2007-03-20 | Lam Research Corporation | Processes for treating morphologically-modified silicon electrode surfaces using gas-phase interhalogens |
US7291286B2 (en) * | 2004-12-23 | 2007-11-06 | Lam Research Corporation | Methods for removing black silicon and black silicon carbide from surfaces of silicon and silicon carbide electrodes for plasma processing apparatuses |
TW200628877A (en) * | 2005-02-04 | 2006-08-16 | Prime View Int Co Ltd | Method of manufacturing optical interference type color display |
US7884989B2 (en) * | 2005-05-27 | 2011-02-08 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | White interferometric modulators and methods for forming the same |
EP1907316A1 (de) * | 2005-07-22 | 2008-04-09 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Stützstruktur für eine mikroelektromechanische vorrichtung und verfahren dazu |
EP2495212A3 (de) * | 2005-07-22 | 2012-10-31 | QUALCOMM MEMS Technologies, Inc. | MEMS-Vorrichtungen mit Stützstrukturen und Herstellungsverfahren dafür |
DE102005047081B4 (de) * | 2005-09-30 | 2019-01-31 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zum plasmalosen Ätzen von Silizium mit dem Ätzgas ClF3 oder XeF2 |
US7795061B2 (en) * | 2005-12-29 | 2010-09-14 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method of creating MEMS device cavities by a non-etching process |
US7863197B2 (en) * | 2006-01-09 | 2011-01-04 | International Business Machines Corporation | Method of forming a cross-section hourglass shaped channel region for charge carrier mobility modification |
US7916980B2 (en) | 2006-01-13 | 2011-03-29 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Interconnect structure for MEMS device |
US7382515B2 (en) | 2006-01-18 | 2008-06-03 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Silicon-rich silicon nitrides as etch stops in MEMS manufacture |
US7550810B2 (en) * | 2006-02-23 | 2009-06-23 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | MEMS device having a layer movable at asymmetric rates |
US7450295B2 (en) * | 2006-03-02 | 2008-11-11 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Methods for producing MEMS with protective coatings using multi-component sacrificial layers |
US7649671B2 (en) * | 2006-06-01 | 2010-01-19 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Analog interferometric modulator device with electrostatic actuation and release |
SG174771A1 (en) * | 2006-06-09 | 2011-10-28 | Soitec Silicon On Insulator | High volume delivery system for gallium trichloride |
US7527998B2 (en) | 2006-06-30 | 2009-05-05 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method of manufacturing MEMS devices providing air gap control |
EP2083935B1 (de) * | 2006-11-22 | 2012-02-22 | S.O.I.TEC Silicon on Insulator Technologies | Verfahren zur epitaktischen Abscheidung von einkristallinen III-V Halbleitermaterial |
WO2008064109A2 (en) | 2006-11-22 | 2008-05-29 | S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies | Equipment for high volume manufacture of group iii-v semiconductor materials |
WO2008064080A1 (en) * | 2006-11-22 | 2008-05-29 | S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies | High volume delivery system for gallium trichloride |
JP5656184B2 (ja) | 2006-11-22 | 2015-01-21 | ソイテック | 三塩化ガリウムの噴射方式 |
US9481944B2 (en) | 2006-11-22 | 2016-11-01 | Soitec | Gas injectors including a funnel- or wedge-shaped channel for chemical vapor deposition (CVD) systems and CVD systems with the same |
JP5244814B2 (ja) | 2006-11-22 | 2013-07-24 | ソイテック | 化学気相成長チャンバ用の温度制御されたパージゲート弁を使用した方法、アセンブリ及びシステム |
US9481943B2 (en) | 2006-11-22 | 2016-11-01 | Soitec | Gallium trichloride injection scheme |
US8382898B2 (en) * | 2006-11-22 | 2013-02-26 | Soitec | Methods for high volume manufacture of group III-V semiconductor materials |
US8115987B2 (en) * | 2007-02-01 | 2012-02-14 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Modulating the intensity of light from an interferometric reflector |
US7733552B2 (en) * | 2007-03-21 | 2010-06-08 | Qualcomm Mems Technologies, Inc | MEMS cavity-coating layers and methods |
US7643202B2 (en) * | 2007-05-09 | 2010-01-05 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Microelectromechanical system having a dielectric movable membrane and a mirror |
US7719752B2 (en) * | 2007-05-11 | 2010-05-18 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | MEMS structures, methods of fabricating MEMS components on separate substrates and assembly of same |
US7630121B2 (en) * | 2007-07-02 | 2009-12-08 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Electromechanical device with optical function separated from mechanical and electrical function |
KR20100066452A (ko) * | 2007-07-31 | 2010-06-17 | 퀄컴 엠이엠스 테크놀로지스, 인크. | 간섭계 변조기의 색 변이를 증강시키는 장치 |
US7773286B2 (en) * | 2007-09-14 | 2010-08-10 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Periodic dimple array |
US7847999B2 (en) | 2007-09-14 | 2010-12-07 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Interferometric modulator display devices |
US20090078316A1 (en) * | 2007-09-24 | 2009-03-26 | Qualcomm Incorporated | Interferometric photovoltaic cell |
US8058549B2 (en) * | 2007-10-19 | 2011-11-15 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Photovoltaic devices with integrated color interferometric film stacks |
CN101828146B (zh) * | 2007-10-19 | 2013-05-01 | 高通Mems科技公司 | 具有集成光伏装置的显示器 |
EP2203765A1 (de) * | 2007-10-23 | 2010-07-07 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Auf mems basierende vorrichtungen mit einstellbarer durchlässigkeit |
US20090293955A1 (en) * | 2007-11-07 | 2009-12-03 | Qualcomm Incorporated | Photovoltaics with interferometric masks |
US8941631B2 (en) * | 2007-11-16 | 2015-01-27 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Simultaneous light collection and illumination on an active display |
US7906274B2 (en) * | 2007-11-21 | 2011-03-15 | Molecular Imprints, Inc. | Method of creating a template employing a lift-off process |
WO2009085561A2 (en) * | 2007-12-20 | 2009-07-09 | S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies | Methods for in-situ chamber cleaning process for high volume manufacture of semiconductor materials |
EP2225779A2 (de) * | 2007-12-21 | 2010-09-08 | QUALCOMM MEMS Technologies, Inc. | Photovoltaische zellen mit mehrfachverbindung |
CN101981661A (zh) | 2008-02-11 | 2011-02-23 | 高级技术材料公司 | 在半导体处理系统中离子源的清洗 |
US8164821B2 (en) * | 2008-02-22 | 2012-04-24 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Microelectromechanical device with thermal expansion balancing layer or stiffening layer |
US7944604B2 (en) | 2008-03-07 | 2011-05-17 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Interferometric modulator in transmission mode |
US7612933B2 (en) * | 2008-03-27 | 2009-11-03 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Microelectromechanical device with spacing layer |
US7898723B2 (en) * | 2008-04-02 | 2011-03-01 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Microelectromechanical systems display element with photovoltaic structure |
US7969638B2 (en) * | 2008-04-10 | 2011-06-28 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Device having thin black mask and method of fabricating the same |
US7851239B2 (en) * | 2008-06-05 | 2010-12-14 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Low temperature amorphous silicon sacrificial layer for controlled adhesion in MEMS devices |
US8023167B2 (en) * | 2008-06-25 | 2011-09-20 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Backlight displays |
US7859740B2 (en) * | 2008-07-11 | 2010-12-28 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Stiction mitigation with integrated mech micro-cantilevers through vertical stress gradient control |
US8358266B2 (en) * | 2008-09-02 | 2013-01-22 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Light turning device with prismatic light turning features |
US20100096011A1 (en) * | 2008-10-16 | 2010-04-22 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | High efficiency interferometric color filters for photovoltaic modules |
US20100096006A1 (en) * | 2008-10-16 | 2010-04-22 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Monolithic imod color enhanced photovoltaic cell |
US8270056B2 (en) * | 2009-03-23 | 2012-09-18 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Display device with openings between sub-pixels and method of making same |
WO2010138761A1 (en) * | 2009-05-29 | 2010-12-02 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Illumination devices and methods of fabrication thereof |
US8270062B2 (en) * | 2009-09-17 | 2012-09-18 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Display device with at least one movable stop element |
US8488228B2 (en) | 2009-09-28 | 2013-07-16 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Interferometric display with interferometric reflector |
KR20130100232A (ko) | 2010-04-09 | 2013-09-10 | 퀄컴 엠이엠에스 테크놀로지스, 인크. | 전기 기계 디바이스의 기계층 및 그 형성 방법 |
JP5123349B2 (ja) * | 2010-04-19 | 2013-01-23 | Hoya株式会社 | 多階調マスクの製造方法 |
CN103109315A (zh) | 2010-08-17 | 2013-05-15 | 高通Mems科技公司 | 对干涉式显示装置中的电荷中性电极的激活和校准 |
US9057872B2 (en) | 2010-08-31 | 2015-06-16 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Dielectric enhanced mirror for IMOD display |
US9134527B2 (en) | 2011-04-04 | 2015-09-15 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Pixel via and methods of forming the same |
US8963159B2 (en) | 2011-04-04 | 2015-02-24 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Pixel via and methods of forming the same |
US8659816B2 (en) | 2011-04-25 | 2014-02-25 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Mechanical layer and methods of making the same |
US8736939B2 (en) | 2011-11-04 | 2014-05-27 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Matching layer thin-films for an electromechanical systems reflective display device |
JP7053991B2 (ja) * | 2017-03-28 | 2022-04-13 | セントラル硝子株式会社 | ドライエッチング方法、半導体素子の製造方法及びチャンバークリーニング方法 |
WO2021171986A1 (ja) * | 2020-02-26 | 2021-09-02 | 昭和電工株式会社 | ドライエッチング方法、半導体素子の製造方法、及びクリーニング方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1180187A (en) * | 1967-05-08 | 1970-02-04 | Motorola Inc | Improvements in or relating to Vapor Phase Etching and Polishing of Semiconductors |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB952543A (en) * | 1961-03-07 | 1964-03-18 | Western Electric Co | Shaping of bodies by etching |
US3095341A (en) * | 1961-06-30 | 1963-06-25 | Bell Telephone Labor Inc | Photosensitive gas phase etching of semiconductors by selective radiation |
NL275192A (de) * | 1961-06-30 | |||
BE756807A (fr) * | 1969-09-29 | 1971-03-29 | Motorola Inc | Procede pour la gravure non preferentielle du silicium par un melange gazeux, et melange gazeux pour cette gravure |
US3669774A (en) * | 1969-11-20 | 1972-06-13 | Rca Corp | Low temperature silicon etch |
JPS6012779B2 (ja) * | 1976-04-28 | 1985-04-03 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置の製造方法 |
US4310380A (en) * | 1980-04-07 | 1982-01-12 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Plasma etching of silicon |
US4314875A (en) * | 1980-05-13 | 1982-02-09 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Device fabrication by plasma etching |
JPS57193035A (en) * | 1981-05-22 | 1982-11-27 | Toshiba Corp | Manufacture of semiconductor device |
-
1983
- 1983-07-27 US US06/517,754 patent/US4498953A/en not_active Expired - Lifetime
-
1984
- 1984-06-26 CA CA000457419A patent/CA1235630A/en not_active Expired
- 1984-07-20 FR FR8411532A patent/FR2551583B1/fr not_active Expired
- 1984-07-24 GB GB08418797A patent/GB2144083B/en not_active Expired
- 1984-07-26 DE DE19843427599 patent/DE3427599A1/de active Granted
- 1984-07-26 KR KR1019840004433A patent/KR900001664B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1984-07-26 NL NL8402360A patent/NL8402360A/nl not_active Application Discontinuation
- 1984-07-27 JP JP59155703A patent/JPS6053027A/ja active Pending
-
1988
- 1988-05-19 HK HK373/88A patent/HK37388A/xx not_active IP Right Cessation
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1180187A (en) * | 1967-05-08 | 1970-02-04 | Motorola Inc | Improvements in or relating to Vapor Phase Etching and Polishing of Semiconductors |
Non-Patent Citations (5)
Title |
---|
"Appl. Phys. Lett.", Bd. 34, Nr. 1, Januar 1979, S. 70-73 * |
"J. Electrochem. Soc.: Solid State Science", Bd. 118, Nr. 2, Februar 1971, S. 266-269 * |
"J. Electrochem. Soc.: Solid-State Science and Technology", Bd. 126, Nr. 11, November 1979, S. 1946-1948 * |
"Ullmanns Encyklopädie der technischen Chemie", Bd. 11, 4. Aufl., 1976, Verlag Chemie, Weinheim/Bergstr., S. 620-621 * |
A.F. Holleman und E. Wiberg "Lehrbuch der anorganischen Chemie", Walter de Gruyter & Co., Berlin, 1964, S. 131-132 * |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3714144A1 (de) * | 1986-05-31 | 1987-12-10 | Toshiba Kawasaki Kk | Verfahren zum trockenaetzen eines siliziumnitridfilms sowie vorrichtung zur durchfuehrung des verfahrens |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3427599C2 (de) | 1990-07-05 |
HK37388A (en) | 1988-05-27 |
GB8418797D0 (en) | 1984-08-30 |
FR2551583A1 (fr) | 1985-03-08 |
NL8402360A (nl) | 1985-02-18 |
FR2551583B1 (fr) | 1988-09-09 |
US4498953A (en) | 1985-02-12 |
JPS6053027A (ja) | 1985-03-26 |
GB2144083B (en) | 1986-11-26 |
KR850000775A (ko) | 1985-03-09 |
GB2144083A (en) | 1985-02-27 |
KR900001664B1 (ko) | 1990-03-17 |
CA1235630A (en) | 1988-04-26 |
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