JPH06333924A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH06333924A JPH06333924A JP5117482A JP11748293A JPH06333924A JP H06333924 A JPH06333924 A JP H06333924A JP 5117482 A JP5117482 A JP 5117482A JP 11748293 A JP11748293 A JP 11748293A JP H06333924 A JPH06333924 A JP H06333924A
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- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 Ａｌ若しくはＡｌを主成分とする合金からな
る配線パターン形成に際してのリソグラフィ工程の改良
に関し、工程中のＡｌ配線のコロージョンを防止し、且
つＡｌ配線上にレジスト変質層が残留するのを防止する
ことを目的とする。 【構成】 配線パターン形状にパターニングされたレジ
ストパターン４をマスクにしＣｌ系反応ガスによるドラ
イエッチング手段でＡｌ若しくはＡｌを主成分とする合
金の薄膜３を配線パターン形状にパターニングした後、
該レジストパターン４をＨまたはＯＨを含むＯ2 ガスの
プラズマによりアッシング除去する工程を有する半導体
装置の製造方法において、前記ドライエッチングに先だ
って、該レジストパターンに紫外線(UV)を照射し該レジ
ストパターン４の少なくとも表面部を硬化4Fさせる工程
を含むように構成する。
る配線パターン形成に際してのリソグラフィ工程の改良
に関し、工程中のＡｌ配線のコロージョンを防止し、且
つＡｌ配線上にレジスト変質層が残留するのを防止する
ことを目的とする。 【構成】 配線パターン形状にパターニングされたレジ
ストパターン４をマスクにしＣｌ系反応ガスによるドラ
イエッチング手段でＡｌ若しくはＡｌを主成分とする合
金の薄膜３を配線パターン形状にパターニングした後、
該レジストパターン４をＨまたはＯＨを含むＯ2 ガスの
プラズマによりアッシング除去する工程を有する半導体
装置の製造方法において、前記ドライエッチングに先だ
って、該レジストパターンに紫外線(UV)を照射し該レジ
ストパターン４の少なくとも表面部を硬化4Fさせる工程
を含むように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造方法、
特にアルミニウム若しくはアルミニウムを主成分とする
合金からなる配線パターン形成に際してのリソグラフィ
工程の改良に関する。
特にアルミニウム若しくはアルミニウムを主成分とする
合金からなる配線パターン形成に際してのリソグラフィ
工程の改良に関する。
【０００２】半導体装置の内部配線に多く用いられてい
るアルミニウム（Ａｌ）配線は、スパッタ或いは蒸着に
より形成されたＡｌ若しくはＡｌを主成分とする合金の
薄膜を、塩素（Ｃｌ）系のガスによるドライエッチング
手段によりパターニングすることにより形成されるが、
その際、パターニングされたＡｌ配線の表面にはＣｌが
吸着されるために、上記ドライエッチングを終わった半
導体基板を大気中に取り出した際、大気中の水分と配線
の表面に吸着されたＣｌとにより塩酸（ＨＣｌ）が生成
し、このＨＣｌによってＡｌ配線が腐食されるコロージ
ョン現象が発生する。
るアルミニウム（Ａｌ）配線は、スパッタ或いは蒸着に
より形成されたＡｌ若しくはＡｌを主成分とする合金の
薄膜を、塩素（Ｃｌ）系のガスによるドライエッチング
手段によりパターニングすることにより形成されるが、
その際、パターニングされたＡｌ配線の表面にはＣｌが
吸着されるために、上記ドライエッチングを終わった半
導体基板を大気中に取り出した際、大気中の水分と配線
の表面に吸着されたＣｌとにより塩酸（ＨＣｌ）が生成
し、このＨＣｌによってＡｌ配線が腐食されるコロージ
ョン現象が発生する。
【０００３】一方、近年半導体装置の高集積化に伴っ
て、Ａｌ配線は微細化されてきており、そのために上記
コロージョン現象によるＡｌ配線の断線が顕在化し、半
導体装置に製造歩留りや信頼性の低下をもたらしてい
る。
て、Ａｌ配線は微細化されてきており、そのために上記
コロージョン現象によるＡｌ配線の断線が顕在化し、半
導体装置に製造歩留りや信頼性の低下をもたらしてい
る。
【０００４】そこで、上記コロージョン現象を防止する
ために、Ａｌ配線のパターニングマスクに用いたレジス
トパターンをＡｌ配線パターン上からアッシング除去す
る際のアッシングガスである酸素（Ｏ2 ）に、Ｃｌと反
応してＨＣｌを生成する水素（Ｈ）或いは１酸化１水素
（ＯＨ）を含ませて用い、Ａｌ配線の表面に吸着された
Ｃｌを上記Ｈ或いはＯＨとの結合により気体状のＨＣｌ
としてＡｌ配線の表面から除去することでＡｌ配線のコ
ロージョンを防止したレジストのアッシング方法が提供
された。
ために、Ａｌ配線のパターニングマスクに用いたレジス
トパターンをＡｌ配線パターン上からアッシング除去す
る際のアッシングガスである酸素（Ｏ2 ）に、Ｃｌと反
応してＨＣｌを生成する水素（Ｈ）或いは１酸化１水素
（ＯＨ）を含ませて用い、Ａｌ配線の表面に吸着された
Ｃｌを上記Ｈ或いはＯＨとの結合により気体状のＨＣｌ
としてＡｌ配線の表面から除去することでＡｌ配線のコ
ロージョンを防止したレジストのアッシング方法が提供
された。
【０００５】しかし、このＨ若しくはＯＨを用いたアッ
シング方法には、エッチングに際してレジストマスクパ
ターンの表面に形成される変質層の除去が十分になし得
ないという問題があり、形成される半導体装置の信頼性
確保のために対策が望まれている。
シング方法には、エッチングに際してレジストマスクパ
ターンの表面に形成される変質層の除去が十分になし得
ないという問題があり、形成される半導体装置の信頼性
確保のために対策が望まれている。
【０００６】
【従来の技術】Ａｌ配線のコロージョンを防止するＡｌ
配線の形成は、従来、大略以下に図２を参照して述べる
方法により行われていた。
配線の形成は、従来、大略以下に図２を参照して述べる
方法により行われていた。
【０００７】図２(a) 参照 即ち、図示しない半導体素子等が形成された半導体基板
51上に層間絶縁膜52を形成し、この層間絶縁膜52に図示
しない配線コンタクト窓を形成した後、この層間絶縁膜
52上に周知のようにスパッタ若しくは蒸着法により例え
ばＡｌを主成分とするＡｌ合金膜53を形成し、次いで周
知のリソグラフィ技術におけるレジストプロセスにより
第１のＡｌ合金膜53上に第１層配線に対応するパターン
形状を有する例えばポジレジストパターン54を形成す
る。
51上に層間絶縁膜52を形成し、この層間絶縁膜52に図示
しない配線コンタクト窓を形成した後、この層間絶縁膜
52上に周知のようにスパッタ若しくは蒸着法により例え
ばＡｌを主成分とするＡｌ合金膜53を形成し、次いで周
知のリソグラフィ技術におけるレジストプロセスにより
第１のＡｌ合金膜53上に第１層配線に対応するパターン
形状を有する例えばポジレジストパターン54を形成す
る。
【０００８】図２(b) 参照 次いで、このレジストパターン54をマスクにし、周知の
Ｃｌ系ガスを用いるリアクティブイオンエッチング等の
ドライエッチング手段により、前記Ａｌ合金膜53を選択
的にエッチング除去し、このＡｌ合金膜53を配線形状に
パターニングする。53L はパターニングされたＡｌ配線
を示す。
Ｃｌ系ガスを用いるリアクティブイオンエッチング等の
ドライエッチング手段により、前記Ａｌ合金膜53を選択
的にエッチング除去し、このＡｌ合金膜53を配線形状に
パターニングする。53L はパターニングされたＡｌ配線
を示す。
【０００９】図２(c) 参照 次いで、上記基板をＨ或いはＯＨを含んだＯ2 アッシン
グガスである例えば水（Ｈ2 Ｏ）を含んだＯ2 ガス中に
配置し、このアッシングガスのプラズマに曝して前記Ａ
ｌ配線53L 上のレジストパターン54をアッシング除去す
る。この際、Ａｌ配線53L の表面にエッチングの時に吸
着されたＣｌはアッシングガス中に含まれるＨ及びＯＨ
と結合して気体状のＨＣｌを形成し、アッシング装置に
付属する真空排気手段により排出除去される。
グガスである例えば水（Ｈ2 Ｏ）を含んだＯ2 ガス中に
配置し、このアッシングガスのプラズマに曝して前記Ａ
ｌ配線53L 上のレジストパターン54をアッシング除去す
る。この際、Ａｌ配線53L の表面にエッチングの時に吸
着されたＣｌはアッシングガス中に含まれるＨ及びＯＨ
と結合して気体状のＨＣｌを形成し、アッシング装置に
付属する真空排気手段により排出除去される。
【００１０】図２(d) 参照 そして以後、多層配線の形成に際しては、通常通り、上
記Ａｌ配線53L 形成面上に上層の層間絶縁膜55が形成さ
れ、この層間絶縁膜55にＡｌ配線53L を表出する配線コ
ンタクト窓56が形成され、次いで上層の層間絶縁膜55上
に前記配線コンタクト窓56においてＡｌ配線53L に接続
する上層のＡｌ配線57L が形成される。
記Ａｌ配線53L 形成面上に上層の層間絶縁膜55が形成さ
れ、この層間絶縁膜55にＡｌ配線53L を表出する配線コ
ンタクト窓56が形成され、次いで上層の層間絶縁膜55上
に前記配線コンタクト窓56においてＡｌ配線53L に接続
する上層のＡｌ配線57L が形成される。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】上記従来のＡｌ配線の
形成方法は、Ａｌ配線のコロージョン防止効果を十分に
備えている。
形成方法は、Ａｌ配線のコロージョン防止効果を十分に
備えている。
【００１２】しかしながら、上記従来のＡｌ配線の形成
方法には、次のような問題点が含まれていた。即ち、図
２(b) に示すように、Ｃｌ系のガスプラズマを用いたＡ
ｌのドライエッチングに際しては、レジストパターン54
の表面にレジストとエッチング生成物である塩化アルミ
ニウム（ＡｌＣｌ3 ）との結合によってポリマー状のレ
ジスト変質層58が形成されるが、このレジスト変質層58
は前記Ｈ、ＯＨを含んだＯ2 アッシングガスではアッシ
ング除去することができず、このレジスト変質層58は図
２(c) に示すようにレジストパターン54がアッシング除
去された後にＡｌ配線57L 上に残留する。そしてこのレ
ジスト変質層58は、上層配線形成の前処理として特に行
われる濃硝酸処理でも除去されない。
方法には、次のような問題点が含まれていた。即ち、図
２(b) に示すように、Ｃｌ系のガスプラズマを用いたＡ
ｌのドライエッチングに際しては、レジストパターン54
の表面にレジストとエッチング生成物である塩化アルミ
ニウム（ＡｌＣｌ3 ）との結合によってポリマー状のレ
ジスト変質層58が形成されるが、このレジスト変質層58
は前記Ｈ、ＯＨを含んだＯ2 アッシングガスではアッシ
ング除去することができず、このレジスト変質層58は図
２(c) に示すようにレジストパターン54がアッシング除
去された後にＡｌ配線57L 上に残留する。そしてこのレ
ジスト変質層58は、上層配線形成の前処理として特に行
われる濃硝酸処理でも除去されない。
【００１３】そのため、図２(d) に示すようにこのＡｌ
配線53L 上に接続する上層のＡｌ配線57との界面に上記
レジスト変質層58が介在することになってＡｌ配線の層
間接続にコンタクト抵抗の増大や切断等を生じ、半導体
装置の信頼性低下を招くという問題である。
配線53L 上に接続する上層のＡｌ配線57との界面に上記
レジスト変質層58が介在することになってＡｌ配線の層
間接続にコンタクト抵抗の増大や切断等を生じ、半導体
装置の信頼性低下を招くという問題である。
【００１４】そこで本発明は、パターニング形成された
Ａｌ配線のコロージョンを防止し、且つパターニングさ
れたＡｌ配線の表面にレジスト変質層を残留せしめるこ
とのないＡｌ配線の形成方法を提供し、半導体装置の製
造歩留り及び信頼性を向上せしめることを目的とする。
Ａｌ配線のコロージョンを防止し、且つパターニングさ
れたＡｌ配線の表面にレジスト変質層を残留せしめるこ
とのないＡｌ配線の形成方法を提供し、半導体装置の製
造歩留り及び信頼性を向上せしめることを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記課題の解決は、配線
パターン形状にパターニングされたレジストパターンを
マスクにしＣｌ系反応ガスによるドライエッチング手段
でＡｌ若しくはＡｌを主成分とする合金の薄膜を配線パ
ターン形状にパターニングした後、該レジストパターン
をＨまたはＯＨを含むＯ2 ガスのプラズマによりアッシ
ング除去する工程を有する半導体装置の製造方法におい
て、前記ドライエッチングに先だって、該レジストパタ
ーンに紫外線を、望ましくは大気中若しくは真空中で照
射し該レジストパターンの少なくとも表面部を硬化させ
る工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法に
よって達成される。
パターン形状にパターニングされたレジストパターンを
マスクにしＣｌ系反応ガスによるドライエッチング手段
でＡｌ若しくはＡｌを主成分とする合金の薄膜を配線パ
ターン形状にパターニングした後、該レジストパターン
をＨまたはＯＨを含むＯ2 ガスのプラズマによりアッシ
ング除去する工程を有する半導体装置の製造方法におい
て、前記ドライエッチングに先だって、該レジストパタ
ーンに紫外線を、望ましくは大気中若しくは真空中で照
射し該レジストパターンの少なくとも表面部を硬化させ
る工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法に
よって達成される。
【００１６】
【作用】即ち本発明の方法においては、Ｃｌ系のガスに
よりＡｌ若しくはＡｌ合金膜を配線パターン形状にパタ
ーニングするドライエッチングに先だって、エッチング
マスクとして形成されたレジストパターンに、非腐食性
の雰囲気望ましくは大気中若しくは真空中で紫外線を照
射してその表面部にキュアーされた硬化層を形成させ
る。その後、このレジストパターンをマスクにしてＡｌ
若しくはＡｌ合金膜のＣｌ系ガスによるドライエッチン
グを行う。
よりＡｌ若しくはＡｌ合金膜を配線パターン形状にパタ
ーニングするドライエッチングに先だって、エッチング
マスクとして形成されたレジストパターンに、非腐食性
の雰囲気望ましくは大気中若しくは真空中で紫外線を照
射してその表面部にキュアーされた硬化層を形成させ
る。その後、このレジストパターンをマスクにしてＡｌ
若しくはＡｌ合金膜のＣｌ系ガスによるドライエッチン
グを行う。
【００１７】既にキュアーされているこのレジストの硬
化層は、エッチングにより生成された活性なＡｌの塩化
物の存在する中でＣｌ系ガスのプラズマに曝された際に
も、前記Ａｌの塩化物との結合による変質層が形成され
ないことが実験的に確認されている。
化層は、エッチングにより生成された活性なＡｌの塩化
物の存在する中でＣｌ系ガスのプラズマに曝された際に
も、前記Ａｌの塩化物との結合による変質層が形成され
ないことが実験的に確認されている。
【００１８】そのために、本発明の方法によれば、Ａｌ
若しくはＡｌ合金膜の上記ドライエッチング手段による
パターニングに際し、マスクに用いたレジストパターン
の表面にはレジスト変質層が形成されない。
若しくはＡｌ合金膜の上記ドライエッチング手段による
パターニングに際し、マスクに用いたレジストパターン
の表面にはレジスト変質層が形成されない。
【００１９】また、前記紫外線照射キュアーによってレ
ジストパターン表面部に形成されたレジスト硬化層は、
Ｏ2 ガスによるアッシングにより容易に除去される。従
って、本発明によれば、Ａｌ配線をパターニングした後
にＡｌ配線上に積層されているレジスト（マスク）パタ
ーンを、コロージョン防止硬化を有するＯ若しくはＯＨ
を含むＯ2 ガスによるアッシング処理で完全に且つ容易
に除去することが可能になり、Ａｌ配線の表面は異物付
着のない清浄な面となる。
ジストパターン表面部に形成されたレジスト硬化層は、
Ｏ2 ガスによるアッシングにより容易に除去される。従
って、本発明によれば、Ａｌ配線をパターニングした後
にＡｌ配線上に積層されているレジスト（マスク）パタ
ーンを、コロージョン防止硬化を有するＯ若しくはＯＨ
を含むＯ2 ガスによるアッシング処理で完全に且つ容易
に除去することが可能になり、Ａｌ配線の表面は異物付
着のない清浄な面となる。
【００２０】よって、配線の層間接続は低抵抗で安定に
形成され、半導体装置の製造歩留り及び信頼性が向上す
る。
形成され、半導体装置の製造歩留り及び信頼性が向上す
る。
【００２１】
【実施例】以下本発明を、図１の模式工程断面図を参照
し、一実施例について具体的に説明する。
し、一実施例について具体的に説明する。
【００２２】図１(a) 参照 本発明の方法により、例えば銅（Ｃｕ）等を微量に含ん
だＡｌ合金からなる多層配線を形成するに際しては、従
来同様に、図示しない半導体素子等の形成された半導体
基板１上にＣＶＤ法により例えばＳｉＯ2 からなる厚さ
１μｍ程度の第１の層間絶縁膜２を形成し、この第１の
層間絶縁膜２に基板１に形成されている半導体素子（図
示せず）等に接続する図示しない配線コンタクト窓を形
成し、次いでこの第１の層間絶縁膜２上にスパッタ或い
は蒸着により厚さ１μｍ程度の第１層のＡｌ合金膜３を
形成し、次いで通常のレジストプロセスにより第１層の
Ａｌ合金膜３上に第１層配線に対応するパターン形状を
有する例えばポジレジストパターン４を形成する。
だＡｌ合金からなる多層配線を形成するに際しては、従
来同様に、図示しない半導体素子等の形成された半導体
基板１上にＣＶＤ法により例えばＳｉＯ2 からなる厚さ
１μｍ程度の第１の層間絶縁膜２を形成し、この第１の
層間絶縁膜２に基板１に形成されている半導体素子（図
示せず）等に接続する図示しない配線コンタクト窓を形
成し、次いでこの第１の層間絶縁膜２上にスパッタ或い
は蒸着により厚さ１μｍ程度の第１層のＡｌ合金膜３を
形成し、次いで通常のレジストプロセスにより第１層の
Ａｌ合金膜３上に第１層配線に対応するパターン形状を
有する例えばポジレジストパターン４を形成する。
【００２３】図１(b) 参照 次いで本発明の方法においては、例えば大気中におい
て、上記基板即ちポジレジストパターン4 を 100〜170
℃に加熱した状態で、上記基板面即ち少なくとも上記ポ
ジレジストパターン４に紫外線（ＵＶ）を照射し、ポジ
レジストパターン４の少なくとも表面部をキュアーし、
そこにレジスト硬化層4Hを形成させる。
て、上記基板即ちポジレジストパターン4 を 100〜170
℃に加熱した状態で、上記基板面即ち少なくとも上記ポ
ジレジストパターン４に紫外線（ＵＶ）を照射し、ポジ
レジストパターン４の少なくとも表面部をキュアーし、
そこにレジスト硬化層4Hを形成させる。
【００２４】紫外線照射条件は、例えば、紫外線強度 7
00〜1000ｍＷ、照射時間 90 秒程度とする。この条件で
形成されるレジスト硬化層4Hの厚さは1000Å程度であ
る。なお、レジスト硬化層4Hの厚さは少なくとも 500Å
以上あることが望ましい。また、上記紫外線の照射は、
真空中でもよく、また非腐食性ガス雰囲気中でもさしつ
かえない。またレジストを昇温させた方が硬化は促進さ
れるが、レジストパターン４の変形を防止するために上
記温度範囲内に止めるのが望ましい。
00〜1000ｍＷ、照射時間 90 秒程度とする。この条件で
形成されるレジスト硬化層4Hの厚さは1000Å程度であ
る。なお、レジスト硬化層4Hの厚さは少なくとも 500Å
以上あることが望ましい。また、上記紫外線の照射は、
真空中でもよく、また非腐食性ガス雰囲気中でもさしつ
かえない。またレジストを昇温させた方が硬化は促進さ
れるが、レジストパターン４の変形を防止するために上
記温度範囲内に止めるのが望ましい。
【００２５】図１(c) 参照 次いで、上記表面部にレジスト硬化層4Hの形成されたレ
ジストパターン４をマスクにし、従来同様に、Ｃｌ系の
ガス、例えば（Ｃｌ＋ＢＣｌ3 ）ガスを用いたリアクテ
ィブイオンエッチング手段によりＡｌ合金膜３を選択的
にエッチング除去し、Ａｌ合金膜３からなる第１層Ａｌ
配線3Lを形成する。なおここで、レジストパターン４の
表面は、十分にキュアーされてＣｌ系のガスやエッチン
グ反応で生成したＡｌＣｌ3 と反応しないレジスト硬化
層4Hで覆われているので、従来のようにレジストパター
ン4 の表面にモノマー状のレジスト変質層が形成される
ことはない。
ジストパターン４をマスクにし、従来同様に、Ｃｌ系の
ガス、例えば（Ｃｌ＋ＢＣｌ3 ）ガスを用いたリアクテ
ィブイオンエッチング手段によりＡｌ合金膜３を選択的
にエッチング除去し、Ａｌ合金膜３からなる第１層Ａｌ
配線3Lを形成する。なおここで、レジストパターン４の
表面は、十分にキュアーされてＣｌ系のガスやエッチン
グ反応で生成したＡｌＣｌ3 と反応しないレジスト硬化
層4Hで覆われているので、従来のようにレジストパター
ン4 の表面にモノマー状のレジスト変質層が形成される
ことはない。
【００２６】図１(d) 参照 次いで、従来同様に、上記基板をＨ或いはＯＨを含んだ
Ｏ2 アッシングガス、例えばＨ2 Ｏを含んだＯ2 ガス中
に配置し、このアッシングガスのプラズマに曝して上記
第１層Ａｌ配線3L上のレジストパターン４をアッシング
除去する。この際、第１層Ａｌ配線3Lの表面にエッチン
グの時に吸着されたＣｌはアッシングガス中に含まれる
Ｈ及びＯＨと結合して気体状のＨＣｌを形成し、アッシ
ング装置に付属する真空排気手段により排出除去され
る。
Ｏ2 アッシングガス、例えばＨ2 Ｏを含んだＯ2 ガス中
に配置し、このアッシングガスのプラズマに曝して上記
第１層Ａｌ配線3L上のレジストパターン４をアッシング
除去する。この際、第１層Ａｌ配線3Lの表面にエッチン
グの時に吸着されたＣｌはアッシングガス中に含まれる
Ｈ及びＯＨと結合して気体状のＨＣｌを形成し、アッシ
ング装置に付属する真空排気手段により排出除去され
る。
【００２７】アッシングの条件は、例えば次の通りであ
る。 アッシングガス Ｏ2 ／Ｈ2 Ｏ＝1000／100 圧力 １〜２ Torr プラズマパワー １ＫＷ このアッシング処理で前記レジストパターン４表面部に
形成されているレジスト硬化層4Hは硬化していないレジ
ストと同様に容易にアッシング除去され、且つレジスト
パターン４の表面には従来のような変質層も形成されて
いないので、レジストパターン４は第１層Ａｌ配線3L上
に残渣を残さずに完全に除去される。
る。 アッシングガス Ｏ2 ／Ｈ2 Ｏ＝1000／100 圧力 １〜２ Torr プラズマパワー １ＫＷ このアッシング処理で前記レジストパターン４表面部に
形成されているレジスト硬化層4Hは硬化していないレジ
ストと同様に容易にアッシング除去され、且つレジスト
パターン４の表面には従来のような変質層も形成されて
いないので、レジストパターン４は第１層Ａｌ配線3L上
に残渣を残さずに完全に除去される。
【００２８】図１(e) 参照 以後従来同様に、第１層Ａｌ配線3L表面の清浄化を補償
するための濃硝酸処理を行った後、この基板上に第２の
層間絶縁膜５を形成し、この層間絶縁膜５に第１層Ａｌ
配線3Lを表出する配線コンタクト窓６を形成し、次いで
層間絶縁膜５上に前記配線コンタクト窓６部において第
１層Ａｌ配線3Lに接続する第２層Ａｌ配線7Lを形成し、
本発明の方法による多層配線構造が完成する。
するための濃硝酸処理を行った後、この基板上に第２の
層間絶縁膜５を形成し、この層間絶縁膜５に第１層Ａｌ
配線3Lを表出する配線コンタクト窓６を形成し、次いで
層間絶縁膜５上に前記配線コンタクト窓６部において第
１層Ａｌ配線3Lに接続する第２層Ａｌ配線7Lを形成し、
本発明の方法による多層配線構造が完成する。
【００２９】この実施例に述べたように、本発明の方法
によれば、Ｃｌ系のガスによるドライエッチング手段で
Ａｌ膜をパターニングした際に、マスクとして用いたレ
ジストパターンの表面にアッシングが困難なポリマー状
のレジスト変質層が形成されることがない。よってＡｌ
配線のコロージョン防止の目的で行われるＯまたはＯＨ
を含む非腐食性のガスによるアッシング処理によって、
マスクに用いたレジストをＡｌ配線上から残渣を残さず
に完全に除去することができる。従って本発明によれ
ば、Ａｌ配線のコロージョンが防止されると同時に、下
層配線と上層配線との間の低抵抗で且つ信頼度の高いコ
ンタクトが保証される。
によれば、Ｃｌ系のガスによるドライエッチング手段で
Ａｌ膜をパターニングした際に、マスクとして用いたレ
ジストパターンの表面にアッシングが困難なポリマー状
のレジスト変質層が形成されることがない。よってＡｌ
配線のコロージョン防止の目的で行われるＯまたはＯＨ
を含む非腐食性のガスによるアッシング処理によって、
マスクに用いたレジストをＡｌ配線上から残渣を残さず
に完全に除去することができる。従って本発明によれ
ば、Ａｌ配線のコロージョンが防止されると同時に、下
層配線と上層配線との間の低抵抗で且つ信頼度の高いコ
ンタクトが保証される。
【００３０】なお、本発明はネガ型レジストにも適用さ
れる。
れる。
【００３１】
【発明の効果】以上説明のように本発明によれば、Ａｌ
配線のコロージョンが防止されると同時に、下層配線と
上層配線との間の低抵抗で且つ信頼度の高いコンタクト
が保証されるので、本発明は特に高集積化され、多層配
線構造に形成される半導体装置の製造歩留り及び信頼性
の向上に寄与するところが大きい。
配線のコロージョンが防止されると同時に、下層配線と
上層配線との間の低抵抗で且つ信頼度の高いコンタクト
が保証されるので、本発明は特に高集積化され、多層配
線構造に形成される半導体装置の製造歩留り及び信頼性
の向上に寄与するところが大きい。
【図１】 本発明の方法の一実施例の模式工程断面図
【図２】 従来の方法の模式工程断面図
１ 半導体基板 ２ 第１の層間絶縁膜 ３ 第１のＡｌ合金膜 3L 第１層Ａｌ配線 ４ レジストパターン 4H レジスト硬化層 ５ 第２の層間絶縁膜 ６ 配線コンタクト窓 7L 第２層Ａｌ配線 UV 紫外線
Claims (2)
- 【請求項１】 レジストパターンをマスクにし塩素系反
応ガスによるドライエッチング手段でアルミニウム若し
くはアルミニウムを主成分とする合金の薄膜を配線パタ
ーン形状にパターニングした後、該レジストパターンを
水素または１酸化１水素を含む酸素ガスのプラズマによ
りアッシング除去する工程を有する半導体装置の製造方
法において、 前記ドライエッチングに先だって、該レジストパターン
に紫外線を照射し該レジストパターンの少なくとも表面
部を硬化させる工程を含むことを特徴とする半導体装置
の製造方法。 - 【請求項２】 前記レジストパターンへの紫外線照射
が、大気中若しくは真空中でなされることを特徴とする
請求項１記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5117482A JPH06333924A (ja) | 1993-05-20 | 1993-05-20 | 半導体装置の製造方法 |
| US08/193,747 US5783459A (en) | 1993-05-20 | 1994-02-09 | Method for fabricating a semiconductor device |
| KR1019940003789A KR0138009B1 (ko) | 1993-05-20 | 1994-02-28 | 반도체장치의 제조방법 |
| GB9406904A GB2278234B (en) | 1993-05-20 | 1994-04-07 | Fabricating semiconductor devices |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5117482A JPH06333924A (ja) | 1993-05-20 | 1993-05-20 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06333924A true JPH06333924A (ja) | 1994-12-02 |
Family
ID=14712803
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5117482A Pending JPH06333924A (ja) | 1993-05-20 | 1993-05-20 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5783459A (ja) |
| JP (1) | JPH06333924A (ja) |
| KR (1) | KR0138009B1 (ja) |
| GB (1) | GB2278234B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6044850A (en) * | 1996-11-01 | 2000-04-04 | Fujitsu Limited | Semiconductor device manufacturing method including ashing process |
| JP2010074168A (ja) * | 2008-09-19 | 2010-04-02 | Imec | 硬化フォトレジストを半導体基板から除去する方法 |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR0134108B1 (ko) * | 1994-06-30 | 1998-04-20 | 김주용 | 반도체 소자의 제조방법 |
| US6613681B1 (en) * | 1998-08-28 | 2003-09-02 | Micron Technology, Inc. | Method of removing etch residues |
| JP4108228B2 (ja) * | 1999-07-15 | 2008-06-25 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US6830877B2 (en) * | 2001-12-31 | 2004-12-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method for forming via and contact holes with deep UV photoresist |
| AU2003223472A1 (en) * | 2002-05-14 | 2003-12-02 | Tokyo Electron Limited | PLASMA ETCHING OF Cu-CONTAINING LAYERS |
| US9758942B2 (en) * | 2006-03-14 | 2017-09-12 | James M. Bradac | Concrete forming tube |
| AU2011346601A1 (en) * | 2010-12-23 | 2013-07-18 | Aluart Ip Pty Limited | Process and apparatus for manufacturing of an etched metal substrate |
| US8962469B2 (en) | 2012-02-16 | 2015-02-24 | Infineon Technologies Ag | Methods of stripping resist after metal deposition |
| CN104576512B (zh) * | 2013-10-28 | 2017-12-29 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种避免通孔金属发生电化学腐蚀的处理方法 |
| CN106865488B (zh) * | 2017-02-08 | 2018-08-21 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 锗层图形化方法及硅基mems运动传感器的制造方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0271520A (ja) * | 1988-09-07 | 1990-03-12 | Oki Electric Ind Co Ltd | レジストの除去方法 |
| KR930008866B1 (ko) * | 1990-04-20 | 1993-09-16 | 가부시키가이샤 도시바 | 반도체장치 및 그 제조방법 |
| DE69132811T2 (de) * | 1990-06-27 | 2002-04-04 | Fujitsu Ltd., Kawasaki | Verfahren zum herstellen eines integrierten halbleiterschaltkreises |
| JPH04278535A (ja) * | 1991-03-07 | 1992-10-05 | Nec Corp | 配線形成方法 |
-
1993
- 1993-05-20 JP JP5117482A patent/JPH06333924A/ja active Pending
-
1994
- 1994-02-09 US US08/193,747 patent/US5783459A/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-02-28 KR KR1019940003789A patent/KR0138009B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1994-04-07 GB GB9406904A patent/GB2278234B/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6044850A (en) * | 1996-11-01 | 2000-04-04 | Fujitsu Limited | Semiconductor device manufacturing method including ashing process |
| JP2010074168A (ja) * | 2008-09-19 | 2010-04-02 | Imec | 硬化フォトレジストを半導体基板から除去する方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5783459A (en) | 1998-07-21 |
| GB9406904D0 (en) | 1994-06-01 |
| KR940027081A (ko) | 1994-12-10 |
| GB2278234B (en) | 1996-11-13 |
| GB2278234A (en) | 1994-11-23 |
| KR0138009B1 (ko) | 1998-06-15 |
| GB2278234A8 (en) |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20021210 |